JPH01158415A - Ferroelectric smetic liquid crystal element - Google Patents

Ferroelectric smetic liquid crystal element

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JPH01158415A
JPH01158415A JP22504988A JP22504988A JPH01158415A JP H01158415 A JPH01158415 A JP H01158415A JP 22504988 A JP22504988 A JP 22504988A JP 22504988 A JP22504988 A JP 22504988A JP H01158415 A JPH01158415 A JP H01158415A
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Abstract

PURPOSE:To obtain high stability to a shock or strain by employing a rubbing treatment and a slanting vapor-deposition treatment as an orientation treatment and obtaining a bistable orientation state which has an array state of good order. CONSTITUTION:Orientation-treated films 14a and 14b which are rubbed (as shown by arrow) in parallel and in the same direction are arranged. Ferroelectric smetic liquid crystal 15 is arranged between substrates 11a and 11b, the distance of the gap between substrates 11a and 11b is set small enough to suppress the formation of the spiral array structure of the ferroelectric smetic liquid crystal 15, and the ferroelectric smetic liquid crystal 15 is put in the bistable orientation state. Then, the sufficiently small distance is held by beads spacers 16. Therefore, the bistable orientation state is different between the high temperature side and low temperature side of the temperature range of a chiral smetic C phase. Consequently, the high stability against a shock and strain is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示や液晶−光シャ゛ンター等で用いる液
晶素子、特に強誘電性液晶を用いた液晶素子に関し、更
に詳しくは配向の均一性を著しく向上させ、かつ素子の
耐久性を向上させ、暗状態と明状態のコントラストを向
上させた液晶素子に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to liquid crystal elements used in liquid crystal displays, liquid crystal light shunters, etc., particularly liquid crystal elements using ferroelectric liquid crystal, and more specifically relates to liquid crystal elements using ferroelectric liquid crystal. The present invention relates to a liquid crystal element which has significantly improved properties, improved durability of the element, and improved contrast between a dark state and a bright state.

〔背景技術〕[Background technology]

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光素子
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
がN、A、クラークらにより提案されている(特開昭5
6−107216号公報、米国特許第4367924号
明細書等)。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域
において、カイラルスメクチックC相(SmC*)又は
H相(S m H本)を有し、バルク状態でらせん配列
構造を生じるカイラルスメクチックC又はH相の温度下
の液晶を、らせん配列構造の形成を抑制するのに十分に
小さい距離に設定した一対の基板間隔に配置させて得た
双安定性配向状態において、加えられる電界に応答して
第1の光学的安定状態と第2の光学的安定状態のいずれ
かを取り、かつ電界の印加のないときはその状態を維持
するメモリー特性を有し、また電界の変化に対して高速
応答特性を有し、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待されている。
A type of display element that utilizes the refractive index anisotropy of ferroelectric liquid crystal molecules to control transmitted light in combination with a polarizing element has been proposed by N., A., and Clark et al.
6-107216, US Pat. No. 4,367,924, etc.). This ferroelectric liquid crystal generally has a chiral smectic C phase (SmC*) or H phase (S m H) in a specific temperature range, and the chiral smectic C or H phase that produces a helical alignment structure in the bulk state. In a bistable alignment state obtained by placing a liquid crystal under temperature at a spacing between a pair of substrates set at a distance sufficiently small to suppress the formation of a helical alignment structure, the first It has a memory property of taking either an optically stable state or a second optically stable state and maintaining that state when no electric field is applied, and also has a fast response property to changes in the electric field. , and is expected to be widely used as high-speed and memory-type display elements.

この双安定性配向状態を生じた強誘電性スメクチック液
晶を用いた光、学変調素子が製品として前述のメモリー
特性及び高速応答特性を発揮するためには、双安定性配
向状態が安定に均一に存在し、かつ素子としての耐久性
に優れ、明状態と暗状態のコントラスト比が大きいこと
が必要であった。
In order for an optical modulation device using a ferroelectric smectic liquid crystal that has produced this bistable orientation state to exhibit the aforementioned memory characteristics and high-speed response characteristics as a product, the bistable orientation state must be stable and uniform. It was necessary for the element to exist, to have excellent durability as an element, and to have a large contrast ratio between the bright state and the dark state.

開田らは、USP4639089で、コレステリック相
を生じる温度範囲を有する強誘電性スメクチック液晶を
ラビング処理や斜方蒸着処理などによって付与された一
軸性配向処理軸を有する液晶素子に適用することによっ
て、均一な双安定性配向状態の強誘電性スメクチック液
晶素子を実現したことを明らかにしている。
In US Pat. No. 4,639,089, Kaida et al. applied a ferroelectric smectic liquid crystal having a temperature range that produces a cholesteric phase to a liquid crystal element having a uniaxial alignment treatment axis imparted by rubbing treatment or oblique evaporation treatment. It has been revealed that a ferroelectric smectic liquid crystal device with a bistable alignment state has been realized.

ラビング処理や斜方蒸着処理によって実現した均一な双
安定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶素子は、N
、A、クラークらのものと比較して明状態のメモリー下
での透過光量が小さ(なることがあった。
A ferroelectric smectic liquid crystal element with a uniform bistable alignment state achieved by rubbing treatment and oblique evaporation treatment is
, A. Compared to the one by Clark et al., the amount of transmitted light under the bright state memory was small (sometimes).

上述の双安定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶素
子は、その配向状態が均一であることから、液晶分子が
高い秩序度の配列を生じている。この液晶分子の高い秩
序度の配列状態は、セル外部からの応力、例えば衝撃力
や歪み力に対しては、もろい性質をもっており、かかる
力が印加された時には、液晶分子の配列状態に乱れを生
じ、代表的にはサンデッド・テスクチャーを発生する。
The above-mentioned ferroelectric smectic liquid crystal element in a bistable alignment state has a uniform alignment state, so that the liquid crystal molecules are arranged with a high degree of order. This highly ordered state of the liquid crystal molecules has a property of being brittle against stress from outside the cell, such as impact force or strain force, and when such force is applied, the state of arrangement of the liquid crystal molecules is disturbed. This typically results in sanded texture.

衝撃力によるサンデッド・テクスチャーの発生は、例え
ば坪山らのUSP4674839で明らかにされている
The occurrence of sanded texture due to impact force has been clarified, for example, in USP 4,674,839 by Tsuboyama et al.

本発明者らは、配向処理法としてラビング処理法や斜方
蒸着処理法を採用することによって、高い秩序度の配列
状態を有する双安定性配向状態となっている上、セル外
部からの応力に対して強い安定度を示す配向状態を見い
出した。
By adopting a rubbing treatment method or an oblique evaporation treatment method as an orientation treatment method, the present inventors achieved a bistable orientation state with a high degree of order, and were able to resist stress from outside the cell. We have discovered an orientation state that exhibits strong stability against

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

そこで、本発明の目的は、衝撃又は歪みに対して強い安
定度を示す均一な双安定性配向状態の強誘電性スメクチ
ック液晶素子を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a ferroelectric smectic liquid crystal element in a uniform bistable alignment state that exhibits strong stability against impact or strain.

本発明の別の目的は、明状態と暗状態とのコントラスト
が大きい均一な双安定性配向状態の強誘電性スメクチッ
ク液晶素子を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a ferroelectric smectic liquid crystal device having a uniform bistable alignment state with a high contrast between the bright state and the dark state.

本発明は、 a、一軸性配向処理軸が付与された一対の基板、b、該
一対の基板の間に配置され、強誘電性スメクチック相内
で高温側と低温側とで異なる双安定性配向状態を生じる
強誘電性スメクチック液晶であって、低温側での配向状
態を有する強誘電性スメクチック液晶、 c、前記双安定性配向状態を光学的に識別するための手
段 を有する強誘電性スメクチック液晶素子に第1の特徴を
有し、第2に、 a、一軸性配向処理軸が付与された一対の基板であって
、該一軸性配向処理軸を互いに平行又は略平行(交差角
30°以下)とし、且つ該軸方向を同一方向とした一対
の基板、 b、結合した一対のヘアピン欠陥及びライトニング欠陥
を発生する傾向の双安定性配向状態の強誘電性スメクチ
ック液晶であって、前記一軸性配向処理軸の方向に従っ
て前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠陥を発生す
る発生秩序を示す配向状態を有する強誘電性スメクチッ
ク液晶、及び c、前記双安定状態を光学的に識別するための手段 を有する強誘電性スメクチック液晶素子に第2の特徴を
有する。
The present invention provides: a) a pair of substrates provided with a uniaxial alignment treatment axis; b) a bistable orientation disposed between the pair of substrates, which differs between the high temperature side and the low temperature side within the ferroelectric smectic phase; a ferroelectric smectic liquid crystal that generates a state and has an orientation state on the low temperature side; c. a ferroelectric smectic liquid crystal that has means for optically identifying the bistable orientation state; The device has a first feature, and a second feature is a: a pair of substrates provided with uniaxially oriented axes, the uniaxially oriented axes being parallel or substantially parallel to each other (crossing angle of 30° or less); ) and whose axes are in the same direction; b. a pair of bonded ferroelectric smectic liquid crystals in a bistable alignment state that tends to generate hairpin defects and lightning defects, the uniaxial a ferroelectric smectic liquid crystal having an orientation state exhibiting a developmental order that generates lightning defects at the front and hairpin defects at the rear according to the direction of the alignment treatment axis, and c. means for optically identifying the bistable state. The ferroelectric smectic liquid crystal element has a second feature.

〔発明の態様の詳細な説明〕[Detailed description of aspects of the invention]

第1図は本発明の強誘電性液晶セルの1例を模式%式% Tin  0xide)等の透明電極12aと12bで
被覆された基板(ガラス板)であり、その上に200人
〜1000人厚堆積縁膜13aと13b(Si02膜、
Ti02膜、Ta 205膜など)とポリイミド、ポリ
アミド、ポリエステル等で形成した50人〜1000人
堆積配向制御膜14aと14bとがそれぞれ積層されて
いる。
FIG. 1 shows an example of the ferroelectric liquid crystal cell of the present invention, which is a substrate (glass plate) covered with transparent electrodes 12a and 12b such as %Tin Oxide. Thickly deposited edge films 13a and 13b (Si02 film,
Ti02 film, Ta205 film, etc.) and 50 to 1000 deposited orientation control films 14a and 14b made of polyimide, polyamide, polyester, etc. are laminated, respectively.

この際、平行かつ同−向き(第1図でいえばA方向)に
なるようラビング処理(矢印方向)しだ配向処理膜14
aと14bが配置されている。基板11aとllbとの
間には、強誘電性スメクチック液晶15が配置され、基
板11aとllbとの間隔の距離は、強誘電性スメクチ
ック液晶15のらせん配列構造の形成を抑制するのに十
分に小さい距離(例えば0.1μm〜3μm)に設定さ
れ、強誘電性スメクチック液晶15は双安定性配向状態
を生じている。
At this time, rubbing treatment (in the direction of the arrow) so that the alignment treatment films 14 are parallel and in the same direction (direction A in FIG. 1)
a and 14b are arranged. A ferroelectric smectic liquid crystal 15 is arranged between the substrates 11a and llb, and the distance between the substrates 11a and llb is sufficient to suppress the formation of a helical alignment structure of the ferroelectric smectic liquid crystal 15. The distance is set to be small (for example, 0.1 μm to 3 μm), and the ferroelectric smectic liquid crystal 15 is in a bistable alignment state.

上述の十分に小さい距離は、基板11aとllbとの間
に配置したビーズスペーサ16(シリカビーズ、アルミ
ナビーズ)によって保持される。
The sufficiently small distance described above is maintained by bead spacers 16 (silica beads, alumina beads) placed between the substrates 11a and llb.

このセルには、液晶分子の配向変調を光学的に識別する
ために、2枚の偏光子17a、  17bがクロスニコ
ルで配置されている。
In this cell, two polarizers 17a and 17b are arranged in crossed nicols in order to optically identify the alignment modulation of liquid crystal molecules.

本発明者らの実験によれば、上述の実施例で明らかにし
た液晶材料と配向制御膜を用いることによって、カイラ
ルスメクチックC相の温度範囲における高温側と低温側
とで生じる双安定性配向状態が相違し、低温側での双安
定性配向状態が衝撃又は歪みに対して強い安定度を示し
、且つ明状態と暗状態との大きなコントラストを示すこ
とが刺虫する発生秩序を生じる配向状態にあり、これに
対し、高温側ではラビング処理方向に従って前でヘアピ
ン欠陥、後ろでライトニング欠陥を発生する発生秩序を
生じる配向状態を有している。以下、カイラルスメクチ
ックC相の温度範囲において、便宜上、上述の高温側で
の配向状態をl’−c、配向」と言い、低温側での配向
状態をrC2配向」と言う。
According to experiments by the present inventors, by using the liquid crystal material and alignment control film clarified in the above-mentioned examples, a bistable alignment state that occurs on the high temperature side and low temperature side in the temperature range of the chiral smectic C phase The fact that the bistable orientation state on the low temperature side exhibits strong stability against impact or strain, and that it exhibits a large contrast between the bright and dark states leads to the orientation state that produces the developmental order that stings insects. On the other hand, on the high-temperature side, it has an orientation state that causes a generation order in which hairpin defects occur at the front and lightening defects occur at the rear according to the rubbing treatment direction. Hereinafter, in the temperature range of the chiral smectic C phase, for convenience, the above-mentioned orientation state on the high temperature side will be referred to as "l'-c orientation", and the orientation state on the low temperature side will be referred to as "rC2 orientation".

ここで、「便宜上」と表現したのは、後述する様に2つ
の異なる配向状態が温度のみに依存していない理由から
である。
The expression "for convenience" is used here because, as will be described later, the two different orientation states do not depend only on temperature.

第2図は参考写真1(倍率: loXIO倍)のスケッ
チ図で、第3図は参考写真2(倍率+10X10倍)の
スケッチ図で、第4図は参考写真3(倍率=10XIO
倍)のスケッチ図で、第5図は参考写真4(倍率:10
X10倍)のスケッチ図で、第6図は参考写真5(倍率
:10X10倍)のスケッチ図である。
Figure 2 is a sketch of reference photo 1 (magnification: loXIO), Figure 3 is a sketch of reference photo 2 (magnification +10X10), and Figure 4 is a sketch of reference photo 3 (magnification = 10XIO).
Figure 5 is a sketch of reference photo 4 (magnification: 10).
FIG. 6 is a sketch diagram of reference photograph 5 (magnification: 10×10 times).

第2図はc、配向の状態を示し、第6図はC2配向の状
態を示し、第3図〜第5図はラビング処理方向に従って
前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠陥を発生する
発生秩序を生じる配向状態と、ラビング処理方向に従っ
て、前でヘアピン欠陥、後ろでライトニング欠陥を発生
する発生秩序を生じる配向状態との混在状態(以下「c
1/C2混在配向」という)を示している。第2図〜第
6図は、何れも消光位(90° クロスニコル下での最
暗位置)での状態である。
Figure 2 shows the state of C orientation, Figure 6 shows the state of C2 orientation, and Figures 3 to 5 show the generation order in which lightning defects occur at the front and hairpin defects at the rear according to the rubbing direction. A mixed state (hereinafter referred to as “c
1/C2 mixed orientation). 2 to 6 are all at the extinction position (the darkest position under 90° crossed Nicols).

又、本発明者らの観察によれば、第2図〜第5図に示す
c、配向ドメイン20の占有面積は優勢的にも大きなも
のであった。
Furthermore, according to the observations of the present inventors, the area c, shown in FIGS. 2 to 5, occupied by the alignment domain 20 was predominantly large.

この際に用いた液晶材料は、チッソ社製の強誘電性スメ
クチック液晶であるrcs−1014J (商品名)を
用い、配向制御膜は8産化学工業社製の脂環式ポリイミ
ド膜形成液である「サンエバー150」(商品名)を用
いた。ラビング処理は、上下基板に互いに平行で、且つ
同一処理方向とし、上下基板の間隔を1.5μmの距離
に設定した(詳細は上述の実施例1に示す)。このセル
における相転移温度は、下記のとおりであった。
The liquid crystal material used at this time was rcs-1014J (trade name), a ferroelectric smectic liquid crystal manufactured by Chisso Corporation, and the alignment control film was an alicyclic polyimide film forming liquid manufactured by Yasan Kagaku Kogyo Co., Ltd. "Sunever 150" (trade name) was used. The rubbing treatment was performed so that the upper and lower substrates were parallel to each other and in the same treatment direction, and the interval between the upper and lower substrates was set to 1.5 μm (details are shown in Example 1 above). The phase transition temperature in this cell was as follows.

ISO;等吉相 Ch  ;コレステリック相 SmA  ;スメクチックA相 Sm*c、;カイラルスメクチックC相のうちc、配向
状態の相 Sm*c、/C2;カイラルスメクチックC相のうちc
、/C2混在配向状態の相 Sm*C2;カイラルスメクチックC相のうちC2配向
状態の相 Cry   ;結晶相 l5o−Ch相転移点、Ch−8mA相転移点、SmA
−3m*c、相転移点及びSm*C2−Cry、相転移
点はスイス国メトラー社製r F P 800温度制御
装置」(商品名)によって測定した温度で、Sm*CI
  Sm*c、/C2相転移点及びSm*c、/C2−
8m*C2相転移点は降温下の顕微鏡観察で求めた温度
である。
ISO; Togoyoshi phase Ch; cholesteric phase SmA; smectic A phase Sm*c,; c of chiral smectic C phase, oriented phase Sm*c, /C2; c of chiral smectic C phase
, /C2 mixed orientation phase Sm*C2; phase Cry in C2 orientation state among chiral smectic C phase; crystal phase l5o-Ch phase transition point, Ch-8mA phase transition point, SmA
-3m*c, phase transition point and Sm*C2-Cry, phase transition point is the temperature measured by "r F P 800 temperature control device" (trade name) manufactured by Mettler, Switzerland, Sm*CI
Sm*c,/C2 phase transition point and Sm*c,/C2-
The 8m*C2 phase transition point is the temperature determined by microscopic observation under decreasing temperature.

第2図によれば、c、配向ドメイン20の消光位は(暗
状態を最暗に設定する90° クロスニコルの位置)は
、青色状態であって、青色の明状態21と青色の暗状態
22が存在している。第6図によれば、C2配向ドメイ
ン30の消光位は黒色状態であって白色の明状態31と
黒色の暗状態32が存在している。又、第3図〜第5図
によれば消光位が青色のc、配向ドメイン20と消光位
が黒色のC2配向ドメイン30とが混在している状態を
明らかにしている。
According to FIG. 2, c, the extinction position of the alignment domain 20 (the 90° crossed Nicol position that sets the dark state to the darkest) is a blue state, a blue bright state 21 and a blue dark state. There are 22. According to FIG. 6, the extinction position of the C2 orientation domain 30 is a black state, and there exists a white bright state 31 and a black dark state 32. Moreover, according to FIGS. 3 to 5, it is clear that the C alignment domain 20 whose extinction position is blue and the C2 alignment domain 30 whose extinction position is black coexist.

また、c、配向ドメイン20.C2配向ドメイン30及
びc、/C2混在配向ドメイン40のそれぞれの状態下
で、50μsec、  +30Vのパルスを印加した後
に、消光位での状態を観察したところ、c、配向ドメイ
ン20の消光位は青色で、C2配向ドメイン30の消光
位は黒色であった。さらに、c、配向ドメイン20. 
C2配向ドメイン30及びc、/C2混在配向ドメイン
40のそれぞれの状態下で、50μsec、  −30
Vの反転パルスを印加した後に、消光位での状態を観察
したところ、やはりc、配向ドメイン20の消光位は青
色で、C2配向ドメイン30の消光位は黒色であった。
Also, c, orientation domain 20. After applying a pulse of +30V for 50 μsec under each condition of the C2 orientation domain 30 and the c and /C2 mixed orientation domain 40, the state at the extinction position was observed, and it was found that the extinction position of the c orientation domain 20 was blue. The extinction position of the C2-oriented domain 30 was black. Furthermore, c, orientation domain 20.
Under each condition of the C2 orientation domain 30 and c, /C2 mixed orientation domain 40, 50 μsec, -30
After applying a V inversion pulse, the state at the extinction position was observed, and as expected, the extinction position of the c-aligned domain 20 was blue, and the extinction position of the C2-oriented domain 30 was black.

以上の実験から、カイラルスメクチックC相の温度範囲
において、互いに相違した配向状態のc、配向ドメイン
20とC2配向ドメイン30の相を有し、降温下でC2
配向ドメイン30が次第に成長し、優勢的にc、配向ド
メイン20を無視できる程大きくなることが判った(シ
ール材周辺部を除いた全ドメインに対して60%以上の
C2配向ドメイン30の占有面積を有している)。又、
下達の実施例で明らかにするが、C2配向ドメイン30
をほとんど占める双安定性配向状態の強誘電性スメクチ
ック液晶素子はc、配向ドメイン20下のもの及び従来
の双安定性配向状態(上下基板に平行で、且つ互いに反
対方向のラビング処理を付与したことによって生じた配
向状態)のものと比較して、外部から衝撃力や歪み力に
対する強い安定度及び明状態と暗状態の大きなコントラ
ストを奏することが判明した。
From the above experiments, it was found that in the temperature range of the chiral smectic C phase, the C phase has different orientation states, 20 orientation domains and 30 C2 orientation domains, and as the temperature decreases, C2
It was found that the C2 orientation domain 30 gradually grows and becomes so large that the C2 orientation domain 20 can be ignored (the area occupied by the C2 orientation domain 30 is 60% or more of all domains excluding the area around the sealant). have). or,
As will be made clear in the examples below, the C2-oriented domain 30
The ferroelectric smectic liquid crystal element in the bistable alignment state that accounts for most of It has been found that compared to the orientation state (orientated state produced by), it exhibits stronger stability against external impact forces and strain forces, and a greater contrast between the bright and dark states.

第3図は51.3℃、第4図は51.2℃、第5図は5
1.1’Cでのc、/C2混在配向ドメイン40を示し
ている。第3図〜第5図は、c、/C2混在配向ドメイ
ン40が降温下で次第にC2配向ドメイン30のドメイ
ンを成長させてい(態様を明らかにしている。
Figure 3 is 51.3℃, Figure 4 is 51.2℃, Figure 5 is 51.3℃.
A c,/C2 mixed orientation domain 40 at 1.1'C is shown. FIGS. 3 to 5 clearly show how the c,/C2 mixed orientation domain 40 gradually grows into the C2 orientation domain 30 as the temperature decreases.

第3図〜第5図によれば、C2配向30は、降温下で第
2図に示すc、配向ドメイン20と第3図〜第5図に示
すc、/C2混在配向ドメイン40を通して形成されて
いることが判る。
According to FIGS. 3 to 5, the C2 orientation 30 is formed through the c, orientation domain 20 shown in FIG. 2 and the c, /C2 mixed orientation domain 40 shown in FIGS. It can be seen that

第7図(A)及び(B)は、はとんどのドメインがc、
配向ドメインであって、このc、配向ドメイン内に生じ
たヘアピン欠陥とライトニング欠陥を模式的に示した平
面図と断面図である。第7図(C)及び(D)は、はと
んどのドメインがC2配向ドメインであって、このC2
配向ドメイン内に生じたヘアピン欠陥とライトニング欠
陥を模式的に示した平面図と断面図である。
In Figures 7(A) and (B), most domains are c,
FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing a hairpin defect and a lightning defect generated in the orientation domain. In FIGS. 7(C) and (D), most of the domains are C2-oriented domains, and this C2
FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing a hairpin defect and a lightning defect generated in an alignment domain.

第7図中の71は、ラビング処理方向Aの配向処理が付
与された上下配向制御膜14aと14b、との間隔に形
成された複数のカイラルスメクチックC相下の液晶分子
72で組織した異なる配向状態の分子層(分子層71と
して、c、配向ドメイン73を組織する分子層と、C2
配向ドメイン74を組織する分子層とを有している)を
表わしている。
71 in FIG. 7 indicates different alignments organized by liquid crystal molecules 72 under a plurality of chiral smectic C phases formed in the interval between the upper and lower alignment control films 14a and 14b that have been subjected to alignment treatment in the rubbing direction A. A molecular layer of the state (as the molecular layer 71, c, a molecular layer organizing the orientation domain 73, and C2
and a molecular layer organizing the orientation domains 74).

第7図によれば、c、配向ドメイン73を形成する分子
層71は傾斜しており、上下配向制御膜14aと14b
での隣接付近の傾斜角θいは鋭角となっている。これに
対し、C2配向ドメイン74を形成する分子層71の傾
斜角θ8は、上下とも鈍角となっている。
According to FIG. 7, c, the molecular layer 71 forming the alignment domain 73 is inclined, and the upper and lower alignment control films 14a and 14b
The inclination angle θ near the adjacent part is an acute angle. On the other hand, the inclination angle θ8 of the molecular layer 71 forming the C2-oriented domain 74 is an obtuse angle both above and below.

ベアピン欠陥76とライトニング欠陥75は、c、配向
ドメイン73とC2配向ドメイン74との隣接部で発生
し、第7図(A)及び(B)に示す双安定性配向状態の
c、配向ドメイン73内では、ラビング処理方向Aに従
って前でヘアピン欠陥76、後ろでライトニング欠陥7
5を発生している。
The bare pin defect 76 and the lightning defect 75 occur adjacent to the c-oriented domain 73 and the C2-oriented domain 74, and the c-oriented domain 73 is in the bistable orientation state shown in FIGS. 7(A) and (B). Inside, according to the rubbing direction A, there is a hairpin defect 76 at the front and a lightning defect 7 at the back.
5 is occurring.

又、第7図(C)及び(D)に示す双安定性配向状態の
C2配向ドメイン74内では、ラビング処理方向Aに従
って前でライトニング欠陥75、後ろでヘアピン欠陥7
6を発生している。
Furthermore, within the C2 orientation domain 74 in the bistable orientation state shown in FIGS. 7(C) and (D), according to the rubbing direction A, there is a lightning defect 75 at the front and a hairpin defect 7 at the rear.
6 is occurring.

又、第2図に示すc、配向ドメイン20を生じているセ
ルに対して、歪みを印加した時に、その印加部にC2配
向ドメインが生じる(すなわち、c、配向ドメインとC
2配向ドメインとの隣接域を生じ、このため欠陥とライ
トニング欠陥を発生する)。
Furthermore, when a strain is applied to a cell in which the c orientation domain 20 shown in FIG.
resulting in adjacent regions with bi-oriented domains, thus generating defects and lightning defects).

第8図(A)は、c、配向下の配向状態における液晶分
子72と分子層71の拡大図で、第8図(B)はc、配
向下の配向状態のC−ダイレクタ(分子層71の法線に
対して垂直な仮想面への分子長袖80の写影)81を表
わしている。第9図(A)は、C2配向下の配向状態に
おける液晶分子72と分子層71の拡大図で、第9図(
B)はC2配向下の配向状態のC−ダイレクタを表わし
ている。分子層71内の分子長軸80は、上配向制御膜
12aの界面から下配向制御膜12bの界面までの間を
円錐82の底面83(円形)に沿った位置を変化させて
配列している。
FIG. 8(A) is an enlarged view of the liquid crystal molecules 72 and the molecular layer 71 in the alignment state under c, orientation, and FIG. 8(B) is an enlarged view of the C-director (molecular layer 71 81 of the molecular long sleeve 80 onto an imaginary plane perpendicular to the normal line of . FIG. 9(A) is an enlarged view of the liquid crystal molecules 72 and the molecular layer 71 in the alignment state under C2 orientation.
B) represents the C-director in the orientation state under C2 orientation. The long axes 80 of the molecules in the molecular layer 71 are arranged at different positions along the bottom surface 83 (circular) of the cone 82 between the interface of the upper alignment control film 12a and the interface of the lower alignment control film 12b. .

尚、第8図(B)及び第9図(B)のそれぞれの左図と
右図とは、それぞれ正(又は負)極性パルスと負(又は
正)極性パルス印加後の配向状態である。
Note that the left and right figures in FIGS. 8(B) and 9(B) are the orientation states after the application of a positive (or negative) polarity pulse and a negative (or positive) polarity pulse, respectively.

第1θ図は、上下配向制御膜14aと14bに平行であ
るが、互いにラビング処理方向Aを反対方向とした時に
生じた配向状態を表わしている。第10図(A)に示す
配向状態は、カイラルスメクチックC相下の液晶分子7
2と複数の液晶分子72で組織した異なる配向状態の分
子層71を有している。第1O図(A)に示す配向状態
では、上配向制御膜14aに付与したラビング処理の方
向Aを基準にして、図中右側の分子層71Rはその隣接
付近で鋭角θXに傾斜し、図中左側の分子層71Lはそ
の隣接付近で鈍角θYに傾斜している。下配向制御膜1
4bに付与したラビング処理の方向Aを基準とした時は
、分子層71Rはその隣接付近で鈍角θYに傾斜し、分
子層71Lはその隣接付近で鋭角θXに傾斜している。
FIG. 1θ is parallel to the upper and lower alignment control films 14a and 14b, but represents the alignment state that occurs when the rubbing direction A is opposite to each other. The alignment state shown in FIG. 10(A) is the liquid crystal molecule 7 under the chiral smectic C phase.
2 and a plurality of liquid crystal molecules 72 in different orientation states. In the alignment state shown in FIG. 1O (A), the molecular layer 71R on the right side of the figure is inclined at an acute angle θX near its adjacent area, with reference to the direction A of the rubbing treatment applied to the upper alignment control film 14a. The left molecular layer 71L is inclined at an obtuse angle θY near its adjacent portion. Lower orientation control film 1
4b, the molecular layer 71R is inclined at an obtuse angle θY in the vicinity thereof, and the molecular layer 71L is inclined at an acute angle θX in the vicinity thereof.

すなわち、分子層71Rと71Lは、ともに上下で分子
層の傾斜角が鋭角θXと鈍角θYとなっている。この配
向状態のC−ダイレクタを第10図(B)と(C)に示
す。第1θ図(B)は、分子層71LのC−ダイレクタ
81を示し、それぞれの左図と右図とは、それぞれ正(
又は負)極性パルスと負(又は正)極性パルス印加後の
配向状態に対応している。又、第1θ図(C)は、分子
層71RのC−ダイレクタ81を示し、それぞれ左図と
右図とは上述と同様のパルス印加後の配向状態に対応し
ている。
That is, in both the upper and lower molecular layers 71R and 71L, the inclination angles of the molecular layers are an acute angle θX and an obtuse angle θY. The C-director in this oriented state is shown in FIGS. 10(B) and 10(C). FIG. 1θ (B) shows the C-director 81 of the molecular layer 71L, and the left and right diagrams are respectively positive (
(or negative) polarity pulse and the alignment state after application of the negative (or positive) polarity pulse. Further, FIG. 1θ (C) shows the C-director 81 of the molecular layer 71R, and the left and right diagrams respectively correspond to the orientation state after the same pulse application as described above.

第7図に示すc、配向゛ドメイン73とC2配向ドメイ
ン74とでの分子層71の傾斜角は、c、配向ドメイン
73の場合で、上下とも鋭角θ、であって、C2配向ド
メイン74の場合で、上下とも鈍角θ8である。
The inclination angle of the molecular layer 71 between the C2 orientation domain 73 and the C2 orientation domain 74 shown in FIG. In this case, both the upper and lower sides are obtuse angles θ8.

又、c、配向ドメイン73に対応するC−ダイレクタの
配向状態(第8図(B)に示す)とC2配向ドメイン7
4に対応するC−ダイレクタの配向状態(第9図(B)
に示す)とは、互いに非対称であるのに対し、第10図
(A)に示す分子層71Rと71Lとに対応するそれぞ
れのC−ダイレクタの配向状態は、第10図(B)と(
C)とで、互いに光学的に等価で、その配列で対称とな
っている。
In addition, c, the orientation state of the C-director corresponding to the orientation domain 73 (shown in FIG. 8(B)) and the C2 orientation domain 7
The orientation state of the C-director corresponding to 4 (Fig. 9(B)
) are asymmetrical to each other, whereas the orientation states of the C-directors corresponding to the molecular layers 71R and 71L shown in FIG. 10(A) are as shown in FIG. 10(B) and (
C) are optically equivalent to each other and are symmetrical in their arrangement.

第11図は、参考写真6(倍率: 10X5倍)のスケ
ッチ図で、第12図は参考写真7(倍率:20X10倍
)のスケッチ図で、第13図は参考写真8(倍率:20
X10倍)のスケッチ図で、第14図は参考写真9(倍
率:20X10倍)のスケッチ図である。第12図は、
第11図に示す領域■の拡大図で、第13図は第11図
に示す領域■の拡大図である。尚、参考写真6は、全面
が暗状態にスイッチされており、900クロスニコルを
消光位に設定した時の写真である。
Figure 11 is a sketch of reference photo 6 (magnification: 10x5x), Figure 12 is a sketch of reference photo 7 (magnification: 20x10x), and Figure 13 is a sketch of reference photo 8 (magnification: 20x).
FIG. 14 is a sketch diagram of reference photograph 9 (magnification: 20X10 times). Figure 12 shows
FIG. 13 is an enlarged view of area (2) shown in FIG. 11, and FIG. 13 is an enlarged view of area (2) shown in FIG. Reference photo 6 is a photo when the entire surface is switched to a dark state and 900 crossed Nicols is set at the extinction position.

参考写真7〜9は、何れも全面を暗状態にスイッチした
後、90° クロスニコルを消光位から若干ずらせた時
の写真であるため、全体が黒味がかっている。
Reference photos 7 to 9 are all photos taken when the 90° crossed nicols were slightly shifted from the extinction position after the entire surface was switched to a dark state, so the entire image is blackish.

第11図に示す配向状態では、c、配向ドメイン73と
C2配向ドメイン74とが混在し、それぞれの隣接域に
ライトニング欠陥75とヘアピン欠陥73が発生してい
る。第11図から判るとおり、C2配向ドメイン74が
c、配向ドメイン73によって囲ま  ′れて発生した
時には、ラビング処理方向Aに沿ってc、配向ドメイン
73からC2配向ドメイン74に変化していると、ライ
トニング欠陥75を発生し、さらにラビング処理方向A
に沿ってC2配向ドメイン74からc、配向ドメイン7
3に変化していると、ヘアピン欠陥73が発生する。
In the alignment state shown in FIG. 11, c-alignment domains 73 and C2-alignment domains 74 coexist, and lightning defects 75 and hairpin defects 73 occur in adjacent regions of each domain. As can be seen from FIG. 11, when the C2 orientation domain 74 is generated surrounded by the C orientation domain 73, the C2 orientation domain 73 changes to the C2 orientation domain 74 along the rubbing direction A. Lightning defect 75 is generated, and further rubbing processing direction A
along C2 orientation domain 74 to c, orientation domain 7
3, a hairpin defect 73 occurs.

本発明は、前述の第2図〜第6図で明らかにした様に、
液晶材料と配向制御膜を適性に選択すると降温過程でC
2配向ドメイン74をセル内のほとんどの面積(シール
材周辺部を除いた全ドメインに対して60%以上、好ま
しくは80%以上の占有面積)に亘って生じさせること
ができる。本発明の好ましい具体例では、c、配向ドメ
イン73をセル周辺部(例えばセルをシーリングする時
に使用するシール材の近傍)域に生じさせ、セル周辺部
の内側にC2配向ドメイン73を形成することができる
As clarified in the above-mentioned FIGS. 2 to 6, the present invention has the following features:
If the liquid crystal material and alignment control film are appropriately selected, C.
The bi-oriented domain 74 can be generated over most of the area within the cell (occupying an area of 60% or more, preferably 80% or more of the entire domain excluding the peripheral area of the sealant). In a preferred embodiment of the present invention, c. the orientation domain 73 is formed in the cell periphery (for example, near a sealing material used to seal the cell), and the C2 orientation domain 73 is formed inside the cell periphery; Can be done.

第12図は、ヘアピン欠陥76を境にして生じたc、配
向ドメイン73内とC2配向ドメイン74内とに、それ
ぞれビーズスペーサ(平均粒径1.5μmのアルミナビ
ーズやシリカビーズ)の存在が原因となって発生したヘ
アピン欠陥121とライトニング欠陥122(結合した
一対を形成)とを明らかにしている。第12図から判る
とおり、cl配向ドメイン73内ではラビング処理方向
Aに沿ってヘアピン欠陥121がライトニング欠陥12
2の前で発生する発生秩序をもっている。又、その逆に
C2配向ドメイン74内では、ラビング処理方向Aに沿
ってライトニング欠陥122がヘアピン欠陥121の前
で発生する発生秩序をもっている。
FIG. 12 shows that the cause is the presence of bead spacers (alumina beads or silica beads with an average particle size of 1.5 μm) in the C, orientation domain 73 and C2 orientation domain 74, which are generated at the border of the hairpin defect 76. The resulting hairpin defect 121 and lightning defect 122 (forming a combined pair) are clarified. As can be seen from FIG. 12, within the cl orientation domain 73, the hairpin defect 121 is aligned with the lightning defect 12 along the rubbing direction A.
It has a developmental order that occurs in front of 2. Conversely, within the C2 orientation domain 74, there is an order in which the lightning defects 122 occur in front of the hairpin defects 121 along the rubbing direction A.

第13図は、ライトニング欠陥75を境にして生じたc
、配向ドメイン73とC2配向ドメイン74を明らかに
している。第13図によれば、上述の第12図に示す結
合した一対のヘアピン欠陥122とライトニング欠陥1
22とが同様の発生秩序を以って発生していることが判
る。
FIG. 13 shows the c caused by the lightning defect 75.
, revealing an orientation domain 73 and a C2 orientation domain 74. According to FIG. 13, a pair of combined hairpin defects 122 and lightning defects 1 shown in FIG.
It can be seen that 22 occurs with a similar order of occurrence.

第14図は、c、配向ドメイン73に対して歪みを加え
た時に発生したC2配向ドメイン74を示している。こ
の際に生じたヘアピン欠陥141は、ラビング処理方向
Aに沿ってライトニング欠陥142の前で発生している
ことが判る。
FIG. 14 shows a C2 orientation domain 74 generated when strain is applied to the c orientation domain 73. It can be seen that the hairpin defect 141 generated at this time occurs in front of the lightning defect 142 along the rubbing direction A.

又、本発明者らの観察によれば、ヘアピン欠陥は、通常
数μm幅で発生し、ライトニング欠陥は1μm以下の線
幅でジグザグ状に発生することが判った。
Further, according to the observations of the present inventors, it has been found that hairpin defects usually occur with a width of several μm, and lightning defects occur in a zigzag shape with a line width of 1 μm or less.

又、本発明者らの実験によれば、第14図に示す様にc
、配向ドメイン73に対して歪みを印加すると、c、配
向ドメイン73内にC2配向ドメイン74を生じ、この
C2配向ドメイン74は長期間に亘って安定に存在して
いた。これに対し、C2配向ドメイン74に対して歪み
を印加した場合では、C2配向ドメイン74内にc、配
向ドメイン73を生じたが、このc、配向ドメイン73
は即座に消滅してしまうことが判った。この点から見て
、C2配向ドメイン74の方がc、配向ドメイン73よ
り安定に存在し、又、外部から衝撃を受けても、即座に
もとの配向状態に戻る復帰力を持っていることが判った
。これに対して、c、配向ドメイン73は外部から衝撃
に対してもろい性質をもっていることが判った。又、参
考写真6によれば、C2配向ドメイン74の消光位での
透過光量は、c、配向ドメイン73の消光位での透過光
量に較べて非常に小さい値であることが判った。
Also, according to the experiments conducted by the present inventors, as shown in FIG.
When strain was applied to the oriented domain 73, a C2 oriented domain 74 was generated within the oriented domain 73, and this C2 oriented domain 74 existed stably for a long period of time. On the other hand, when strain was applied to the C2 orientation domain 74, a c orientation domain 73 was generated within the C2 orientation domain 74;
was found to disappear immediately. From this point of view, the C2 orientation domain 74 exists more stably than the C2 orientation domain 73, and also has the ability to return to its original orientation immediately even if it receives an external impact. It turns out. On the other hand, it was found that the c-alignment domain 73 has a property of being brittle against external impact. Further, according to reference photograph 6, it was found that the amount of transmitted light at the extinction position of the C2 orientation domain 74 was a much smaller value than the amount of transmitted light at the extinction position of the C2 orientation domain 73.

本発明は、ライトニング欠陥部が、ラビング処理や斜方
蒸着処理などの一軸性配向処理の方向に沿って、ヘアピ
ン欠陥のうしろに発生するC2配向ドメインをセル内の
ほとんどの領域内に生じさせる様に制御することができ
る。本発明で用いる強誘電性スメクチック液晶としては
、特に制限されるものではないが、本発明者らの実験に
よれば、配向制御膜との間に相関作用があり、強誘電性
スメクチック液晶と配向制御膜との好適な組合わせと 
 −して選択することによって用いられる。特に、本発
明の好ましい具体例では、降温過程においてコレステリ
ック相とスメクチックA相を生じる温度範囲をもつカイ
ラルスメクチックC液晶を用いることができる。
In the present invention, the lightning defect portion generates a C2-oriented domain in most regions within the cell, which occurs behind the hairpin defect, along the direction of uniaxial alignment treatment such as rubbing treatment or oblique evaporation treatment. can be controlled in various ways. The ferroelectric smectic liquid crystal used in the present invention is not particularly limited, but according to experiments by the present inventors, there is a correlation between the ferroelectric smectic liquid crystal and the alignment control film. Suitable combination with control membrane and
- It is used by selecting. Particularly, in a preferred embodiment of the present invention, a chiral smectic C liquid crystal having a temperature range in which a cholesteric phase and a smectic A phase are generated in the temperature cooling process can be used.

本発明の具体例ではラビング処理や斜方蒸着処理の方向
に従ってペアビン欠陥部がライトニング欠陥部の前で発
生する発生秩序性をもつc、配向状態を生じる温度範囲
がライトニング欠陥部がヘアピン欠陥部の前で発生する
発生秩序性をもつC2配向状態を生じる温度範囲の11
5倍以下、好ましくは1710倍以下、特にl/20倍
以下となっているのがよい。又、降温下でかかるc、配
向状態を生じる温度の下限が30℃以上、40℃以上で
あるのがよい。
In the specific example of the present invention, according to the direction of the rubbing treatment or the oblique evaporation treatment, the paired bin defects occur in front of the lightning defects. 11 of the temperature range that produces a C2 orientation state with developmental order that occurs before
It is preferably 5 times or less, preferably 1710 times or less, particularly 1/20 times or less. Further, it is preferable that the lower limit of the temperature at which such an oriented state occurs as the temperature decreases is 30° C. or higher and 40° C. or higher.

第15図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。151Aと151Bは
In2O2,5n02あるいはITO等の薄膜からなる
透明電極で被覆された基板(ガラ各板)であり、その間
に液晶分子層152がガラス面に垂直になるよう配向し
たSmC*(カイラルスメクチックC)相又はSmm木
本カイラルスメクチックH)相の液晶が封入されている
。太線で示した線153が液晶分子を表わしており、こ
の液晶分子153はその分子に直交した方向に双極子モ
ーメント(P土)154を有している。基板151Aと
151B上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加する
と、液晶分子153のらせん構造がほどけ、双極子モー
メント(P土)154がすべて電界方向に向くよう、液
晶分子153は配向方向を変えることができる。液晶分
子153は、細長い形状を有しており、その長軸方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印
加極性によって晃学特性が変わる液晶光学変調素子とな
ることは容易に理解される。
FIG. 15 schematically depicts an example of a cell for explaining the operation of a ferroelectric liquid crystal. 151A and 151B are substrates (glass plates) covered with transparent electrodes made of thin films such as In2O2, 5n02, or ITO, and between them, a liquid crystal molecular layer 152 is oriented perpendicularly to the glass surface using SmC* (chiral smectic). C) phase or Smm Kimoto chiral smectic H) phase liquid crystal is enclosed. A thick line 153 represents a liquid crystal molecule, and this liquid crystal molecule 153 has a dipole moment (P) 154 in a direction perpendicular to the molecule. When a voltage equal to or higher than a certain threshold is applied between the electrodes on the substrates 151A and 151B, the helical structure of the liquid crystal molecules 153 is unraveled, and the liquid crystal molecules 153 are aligned in the direction such that all the dipole moments (P soil) 154 are oriented in the direction of the electric field. can be changed. The liquid crystal molecules 153 have an elongated shape and exhibit refractive index anisotropy in the major and minor axis directions. Therefore, for example, if crossed Nicol polarizers are placed above and below the glass surface, the polarity of voltage application can be changed. It is easily understood that a liquid crystal optical modulation element whose optical characteristics change according to

本発明の液晶素子で用いる双安定性配向状態の表面安定
型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に薄く(例えば
、0.1μm〜3μm)することができる。このように
液晶層が薄(なるにしたが0、第16図に示すように電
界を印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほ
どけ、非らせん構造となり、その双極子モーメントPま
たはP′ は上向き(164A)又は下向き(164B
)のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第16
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又
はEbを電圧印加手段161Aと161Bにより付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの電界ベ
クトルに対応して上向き164A又は下向き164Bと
向きを変え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状態
163Aあるいは第2の安定状態163Bの何れか一方
に配向する。
The surface-stable ferroelectric liquid crystal cell in a bistable alignment state used in the liquid crystal element of the present invention can have a sufficiently thin thickness (for example, 0.1 μm to 3 μm). As shown in Figure 16, even when no electric field is applied, the helical structure of the liquid crystal molecules unwinds and becomes a non-helical structure, and its dipole moment P or P' is upward (164A) or downward (164B)
). In such a cell, the 16th
As shown in the figure, when an electric field Ea or Eb of different polarity above a certain threshold value is applied by the voltage applying means 161A and 161B, the dipole moment is directed upward 164A or downward 164B in accordance with the electric field vector of the electric field Ea or Eb. The liquid crystal molecules are oriented in either the first stable state 163A or the second stable state 163B accordingly.

この強誘電性液晶セルによって得られる効果は、この第
1に、応答速度が極めて速いことであり、第2に液晶分
子の配向が双安定性を有することである。
The first effect obtained by this ferroelectric liquid crystal cell is that the response speed is extremely fast, and the second effect is that the alignment of liquid crystal molecules has bistability.

第2の点を、例えば第16図によって更に説明すると、
電界Eaを印加すると液晶分子は第1の安定状態163
Aに配向するが、この状態は電界を切っても安定である
。又、逆向きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2
の安定状態163bに配向してその分子の向きを変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、
与える電界Eaが一定の閾値を越えない限、それぞれの
配向状態にやはり維持されている。
To further explain the second point, for example, with reference to FIG.
When the electric field Ea is applied, the liquid crystal molecules enter the first stable state 163
A, and this state is stable even when the electric field is turned off. Also, when applying an electric field Eb in the opposite direction, the liquid crystal molecules
The molecules are oriented to a stable state 163b and change their orientation, but they remain in this state even after the electric field is turned off. or,
Each orientation state is maintained as long as the applied electric field Ea does not exceed a certain threshold value.

以下、本発明を実施例に従って説明する。Hereinafter, the present invention will be explained according to examples.

K鳳1」 1000人厚の堆積O膜が設けられている1 、 1 
m m厚のガラス板を2枚用意し、それぞれのガラス板
上に脂環式系ポリイミド膜形成液である8産化学工業社
製の「サンエバー150J (商品名)のN−メチルピ
ロリドン/n−ブチルセロソルブ=3/1 (重量比)
の3%溶液を回転数300Orpmのスピナーで30秒
間塗布した。成膜後、約1時間、25°0℃で加熱焼成
処理を施した。この時の膜厚は500人であった。この
塗膜にアセテート触毛布による一方向のラビング処理を
行った。その後、イソプロピルアルコールでガラス板を
洗浄し、120℃で20分の乾燥処理を施した。その後
、平均粒径約1.5μmのアルミナビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行で、且つその処理方向が同一方向となる様に、2
枚のガラス板を重ね合わせてセルを作成した。
K-Otori 1” 1, 1 with a 1000-layer thick deposited O film
Prepare two glass plates with a thickness of m m, and apply N-methylpyrrolidone/n- ``Sunever 150J (trade name), manufactured by Yasan Kagaku Kogyo Co., Ltd., which is an alicyclic polyimide film forming liquid, on each glass plate. Butyl cellosolve = 3/1 (weight ratio)
A 3% solution of was applied for 30 seconds using a spinner with a rotation speed of 300 rpm. After the film was formed, a heating and baking treatment was performed at 25°C and 0°C for about 1 hour. The film thickness at this time was 500 people. This coating film was subjected to a unidirectional rubbing treatment using an acetate touch cloth. Thereafter, the glass plate was washed with isopropyl alcohol and dried at 120° C. for 20 minutes. After that, after scattering alumina beads with an average particle size of about 1.5 μm on one glass plate, two rubbing axes are parallel to each other and the rubbing directions are in the same direction.
A cell was created by stacking two glass plates.

このセル内にチッソ■社製の強誘電性スメクチック液晶
であるrC3−1014J (商品名)を等吉相下で真
空注入してから、等吉相から0.5℃/hで30℃まで
徐冷することによって配向させることができた。
Into this cell, rC3-1014J (trade name), a ferroelectric smectic liquid crystal manufactured by Chisso Corporation, is vacuum injected under the Tokichi phase, and then slowly cooled from the Tokichi phase to 30 °C at a rate of 0.5 °C/h. It was possible to orient it by doing this.

rC3−1014Jを用いた本実施例のセルでの相変化
は、下記のとおりであった。
The phase change in the cell of this example using rC3-1014J was as follows.

このセルは、温度が約50℃〜−20℃でC2配向ドメ
インが安定に存在し、しかもモノドメイン性が非常によ
かった。
In this cell, the C2-oriented domain existed stably at a temperature of about 50°C to -20°C, and the monodomain property was very good.

以後の実験は25℃の温度で行った。Subsequent experiments were conducted at a temperature of 25°C.

上述の液晶セルを一対の90° クロスニコル偏光子の
間に挟み込んでから、50μsecの30Vパルスを印
加してから90° クロスニコルを消光位(最暗状態)
にセットし、この時の透過率をホトマルチプレターによ
り測定し、続いて50μsecの一30Vパルスを印加
し、この時の透過率(明状態)を同様の方法で測定した
ところ、最暗状態時の透過率は1.0%で、明状態時の
透過率は8.0%であった。
The above liquid crystal cell is sandwiched between a pair of 90° crossed nicol polarizers, a 50 μsec 30V pulse is applied, and the 90° crossed nicol is turned to the extinction position (darkest state).
The transmittance at this time was measured using a photomultiplier, and then a 30V pulse of 50 μsec was applied, and the transmittance at this time (bright state) was measured in the same manner. The transmittance was 1.0%, and the transmittance in the bright state was 8.0%.

従って、コントラストは8であった。Therefore, the contrast was 8.

又、上述の液晶セルの吉日精機社製の落下耐久試験機r
DT−50J (商品名)による衝撃耐久試験を行った
。この際、落下衝撃20G (G :重力加速度9.8
m/sec”)からIOGずつ増加させて試験したとこ
ろ、本実施例の液晶セルは、80Gの落下衝撃を与えて
も配向の乱れを生じることがなく、この液晶セルに上述
と同様の駆動パルスを印加したところ、同様のスイッチ
ング特性を示した。
In addition, a drop durability tester manufactured by Yoshihichi Seiki Co., Ltd. for the above-mentioned liquid crystal cell was used.
An impact durability test was conducted using DT-50J (trade name). At this time, the fall impact was 20G (G: gravitational acceleration 9.8
When the liquid crystal cell of this example was tested by increasing the IOG from "m/sec") in increments of IOG, the liquid crystal cell of this example did not cause any disturbance in alignment even when subjected to a drop impact of 80G. When applied, similar switching characteristics were obtained.

支l」と」 表1に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例1と同様にしてセルを得た。
A cell was obtained in the same manner as in Example 1 except that the alignment control film and liquid crystal material shown in Table 1 were used.

それぞれに対して実施例1と同様の試験を行ったコント
ラスト比及び耐久性の結果を表2に示す。
Table 2 shows the contrast ratio and durability results obtained by conducting the same tests as in Example 1 for each sample.

表   1 □配置」ト1鳳−□ 2  「サンエバー150J (商品名)    rC
S−1ot月(商品名)−8産化学工業社製     
 −チッソ社製FLC3rsE4110J (商品名)
       rCS−1014J (商品名)−同社
製脂環式系ポリイミド   −チツソ社製FLC4rs
E4110J            rCS−101
1J5   rJIG−IJ (商品名)      
  rCS −1014J−日本合成ゴム社製脂環式系 ポリイミド 6   rLP−刺」(商品名)        rC
S−1014J−東し社製芳香族系 ポリイミド (表中の[FLcJは強誘電性スメクチック液晶を意味
する) 表    2 (25℃の温度で測定;表中のrGJは重力加速度9.
8m/sec”である。) 次に、本実施例セルの相転移温度を測定したところ、下
記表3のとおりであった。
Table 1 □ Arrangement” ト1鳳−□ 2 “Sunever 150J (Product name) rC
S-1ot month (product name)-8 Manufactured by Sankagaku Kogyo Co., Ltd.
-Chisso FLC3rsE4110J (product name)
rCS-1014J (Product name) - Alicyclic polyimide manufactured by the company - FLC4rs manufactured by Chitsuso Corporation
E4110J rCS-101
1J5 rJIG-IJ (Product name)
rCS-1014J-Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd. Alicyclic Polyimide 6 rLP-Sashi” (Product Name) rC
S-1014J - Aromatic polyimide manufactured by Toshi Co., Ltd. ([FLcJ in the table means ferroelectric smectic liquid crystal] Table 2 (Measured at a temperature of 25°C; rGJ in the table is gravitational acceleration 9.
8 m/sec") Next, the phase transition temperature of the cell of this example was measured, and the results were as shown in Table 3 below.

表  3  (表中の単位は℃) 2    91  78   55   52    
 50   0以下3   80.5 69.1  5
4   52    51   −204    91
  78   55   53     51   0
以下5   80.5 69.1  54   52 
   51   −206   80.5 69.1 
 54   53    51   −20表3によれ
ば、Sm*c、/C2相転移点およびSm*c、/C2
−3m*C2相転移点は、セル固有の値を示し、セル毎
で相違して現われることが判る。
Table 3 (Units in the table are °C) 2 91 78 55 52
50 0 or less 3 80.5 69.1 5
4 52 51 -204 91
78 55 53 51 0
Below 5 80.5 69.1 54 52
51 -206 80.5 69.1
54 53 51 -20 According to Table 3, Sm*c,/C2 phase transition point and Sm*c,/C2
It can be seen that the -3m*C2 phase transition point shows a cell-specific value and appears differently for each cell.

次に、これらの実施例1〜6のセルに50μsecの3
0Vパルスを印加した後で、90°クロスニコルを消光
位に設定したところ、いずれも黒色の状態を生じ、続い
て50 p secの一30Vパルスを印加した後で、
再び90° クロスニコルを消光位に設定したところ、
やはりいずれも黒色の状態であることが確認された(測
定温度25℃)。
Next, the cells of Examples 1 to 6 were subjected to 50 μsec of 3
After applying a 0 V pulse, setting the 90° crossed nicols to the extinction position both produced a black state, and then after applying a 30 V pulse of 50 p sec.
When I set the 90° crossed nicol to the extinction position again,
Again, it was confirmed that both were in a black state (measurement temperature: 25° C.).

ルl引1=1 表4に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた地は実施
例1と全く同様にしてセルを作成した。
A cell was prepared in exactly the same manner as in Example 1 using the alignment control film and liquid crystal material shown in Table 4.

それぞれのセルに対してコントラスト比及び耐久性の結
果を得た。その結果を表5に示した。
Contrast ratio and durability results were obtained for each cell. The results are shown in Table 5.

表    4 □配置」Lll、LUuL lrSP−71O」(商品名)「C8−1017」(商
品名)−東し社製芳香族系ポリイミド −チツソ社製F
LC2rSP−710J          rC3−
1018J (商品名)−チッソ社製FLC 3rX −419BJ (商品名)     rC3−
1017J−日東電工社製ポリイミド 4    rX−419BJ          rC
3−1018J5    rX−419BJ     
     rC3−1014J表     5 (25℃の温度で測定) 次に、本比較例セルの相転移温度を測定したところ、下
記表6のとおりであった。
Table 4 □ Arrangement "Lll, LUuL lrSP-71O" (Product name) "C8-1017" (Product name) - Aromatic polyimide manufactured by Toshi Co. - F manufactured by Chitsuso Co., Ltd.
LC2rSP-710J rC3-
1018J (Product name) - Chisso FLC 3rX -419BJ (Product name) rC3 -
1017J-Nitto Denko Polyimide 4 rX-419BJ rC
3-1018J5 rX-419BJ
rC3-1014J Table 5 (Measured at a temperature of 25° C.) Next, the phase transition temperature of this comparative example cell was measured, and the results were as shown in Table 6 below.

表  6  (表中の単位は℃) 1   66.4 62.5  52.8  −   
  −   −(SmC2の発現ない 2    74.5  71.7   58    −
      −    −(SよC2の発現なし) 3    66.4  62.5  52.8   −
      −−(SmC2の発現なし) 4    74.5  71.7   58−(SmC
2の発現なし)表6から判るとおり、比較例セルは何れ
もSm*C2を生じる温度範囲をもっていなかった。
Table 6 (Units in the table are °C) 1 66.4 62.5 52.8 -
- - (No expression of SmC2 2 74.5 71.7 58 -
- - (No expression of S or C2) 3 66.4 62.5 52.8 -
--(No expression of SmC2) 4 74.5 71.7 58-(SmC2
(No expression of Sm*C2) As can be seen from Table 6, none of the comparative cells had a temperature range that produced Sm*C2.

次に、これらの比較例1〜5のセルに50μsecの3
0Vパルスを印加した後で、90° クロスニコルを消
光位に設定したところ、いずれも青色の状態を生じ、続
いて50μSecの一30Vパルスを印加した後で、再
び90″ クロスニコルを消光位に設定したところ、や
はりいずれも青色の状態であることが確認された(測定
温度25℃)。この点、実施例1〜6における消光位の
2状態と相違しており、その配向状態も相違しているこ
とが判明した。
Next, the cells of Comparative Examples 1 to 5 were exposed to 3
After applying a 0V pulse, setting the 90° crossed nicols to the extinction position produced a blue state in both cases, and then after applying a 30V pulse of 50 μSec, the 90″ crossed nicols were set to the extinction position again. When set, it was confirmed that both were in a blue state (measurement temperature 25°C).This point is different from the two states of extinction position in Examples 1 to 6, and the orientation state is also different. It turned out that

匿較I」 上下ガラス基板に平行で、且つ、互いに反対方向のラビ
ング処理を施したほかは、実施例1と同様の方法で液晶
セルを作成し、実施例1と同様の測定を行ったところ、
下記表7に示す結果が得られた。
Comparison I" A liquid crystal cell was prepared in the same manner as in Example 1, except that the rubbing treatment was applied in parallel to the upper and lower glass substrates in opposite directions, and measurements were performed in the same manner as in Example 1. ,
The results shown in Table 7 below were obtained.

表    7 (25℃の温度で測定) 次に、この比較例セルに50μsecの30Vパルスを
印加した後で、900クロスニコルを消光位に設定した
ところ、黒色の状態を生じ、続いて50μsecの一3
0Vパルスを印加した後で、再び90’ クロスニコル
を消光位に設定したところ、青色の状態であることが確
認された(測定温度25℃)。この点で、実施例1〜6
における消光位の2状態と相違しており、その配向状態
も相違していたことが判明した。
Table 7 (measured at a temperature of 25°C) Next, after applying a 50 μsec 30 V pulse to this comparative example cell and setting 900 crossed Nicols at the extinction position, a black state was produced, followed by a 50 μsec pulse. 3
After applying a 0 V pulse, the 90' crossed nicol was set to the extinction position again, and a blue state was confirmed (measurement temperature: 25° C.). In this regard, Examples 1-6
It was found that the two states of extinction position were different from each other, and their orientation states were also different.

以上の比較例1〜6で行った衝撃試験の結果によって、
生じた配向乱れの多くは、サンデッドφテクスチャーと
なっており、50μSecの30V及び−30Vパルス
の印加によるスイッチングは生じなかった。
According to the results of the impact tests conducted in Comparative Examples 1 to 6 above,
Most of the alignment disturbances that occurred were sanded φ textures, and no switching occurred due to the application of 30 V and -30 V pulses of 50 μSec.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の実施例及び比較例から判るとおり、本発明は従来
の強誘電性液晶パルスに較べ改善された耐衝撃安定性を
付与することができるとともに、改善されたコントラス
トの表示画面を提供することができる。
As can be seen from the above Examples and Comparative Examples, the present invention can provide improved impact resistance stability compared to conventional ferroelectric liquid crystal pulses, and can also provide a display screen with improved contrast. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。第2図〜
第6図は、強誘電性液晶配向状態の温度依存性を示す顕
微鏡写真のスケッチ図である。第7図(A)は、c、配
向ドメインとC2配向ドメインを模式的に示す平面図で
、第7図CB)は、その断面図である。第7図(C)は
、別のc、配向ドメインとC2配向ドメインを模式的に
示す平面図で、第7図(D)はその断面図である。第8
図(A)は、c、配向の模式図で、第8図(B)はその
C−ダイレクタを示す写影図である。第9図(A)は、
C2配向の模式図で、第9図(B)はそのC−ダイレク
タを示す写影図である。第1O図(A)は、従来の配向
状態を示す模式図で、第10図(B)及び(C)はその
C−ダイレクタを示す写影図である。第11図〜第14
図は、c、配向ドメインとC2配向ドメインを示す、 
顕微鏡写真のスケッチ図である。第15図は、強誘電性
液晶素子の動作を模式的に示す斜視図である。 第16図は、本発明で用いた双安定性配向状態の表面安
定型強誘電性液晶素子の動作を模式的に示す斜視図であ
る。 男5図   ゛ (10810′″)@ 為7図 ”E      Tライトニング欠陥 へ7ピン欠陥 第6図 第12図 /zlへYごン欠r自 第74図 第15図
FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal element of the present invention. Figure 2~
FIG. 6 is a sketch of a micrograph showing the temperature dependence of the ferroelectric liquid crystal alignment state. FIG. 7(A) is a plan view schematically showing the c-aligned domain and the C2-oriented domain, and FIG. 7(CB) is a cross-sectional view thereof. FIG. 7(C) is a plan view schematically showing another c-oriented domain and a C2-oriented domain, and FIG. 7(D) is a cross-sectional view thereof. 8th
FIG. 8(A) is a schematic diagram of the c-direction, and FIG. 8(B) is a photographic diagram showing the C-director. Figure 9(A) is
This is a schematic diagram of the C2 orientation, and FIG. 9(B) is a photographic diagram showing the C-director thereof. FIG. 10(A) is a schematic diagram showing a conventional orientation state, and FIGS. 10(B) and (C) are photographic diagrams showing the C-director. Figures 11 to 14
The figure shows c, the orientation domain and the C2 orientation domain;
It is a sketch diagram of a microscopic photograph. FIG. 15 is a perspective view schematically showing the operation of a ferroelectric liquid crystal element. FIG. 16 is a perspective view schematically showing the operation of the surface-stable ferroelectric liquid crystal element in a bistable alignment state used in the present invention. Figure 5 ゛(10810''') @ Figure 7"E T lightning defect 7 pin defect Figure 6 Figure 12/zl Y missing r self Figure 74 Figure 15

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)a、一軸性配向処理軸が付与された一対の基板、 b、該一対の基板の間に配置され、強誘電性スメクチツ
ク相内で高温側と低温側とで異なる双安定性配向状態を
生じる強誘電性スメクチツク液晶であって、低温側での
配向状態を有する強誘電性スメクチツク液晶、 c、前記双安定性配向状態を光学的に識別するための手
段 を有する強誘電性スメクチツク液晶素子。
(1) a, a pair of substrates provided with a uniaxial alignment treatment axis; b, a bistable orientation state that is disposed between the pair of substrates and differs between the high temperature side and the low temperature side within the ferroelectric smectic phase; c. a ferroelectric smectic liquid crystal element having a means for optically identifying the bistable alignment state; .
(2)前記低温側での配向状態が降温下で30℃以上の
温度で発現する配向状態である請求項1の液晶素子。
(2) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the alignment state on the low temperature side is an alignment state that occurs at a temperature of 30° C. or higher when the temperature is lowered.
(3)前記低温側での配向状態が降温下で40℃以上の
温度で発現する配向状態である請求項1の液晶素子。
(3) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the alignment state on the low temperature side is an alignment state that occurs at a temperature of 40° C. or higher when the temperature is lowered.
(4)前記強誘電性スメクチツク相がカイラルスメクチ
ツクC相である請求項1の液晶素子。
(4) The liquid crystal device according to claim 1, wherein the ferroelectric smectic phase is a chiral smectic C phase.
(5)a、一軸性配向処理軸が付与された一対の基板で
あって、該一軸性配向処理軸を互いに平行又は略平行と
し、且つ該軸方向を同一方向とした一対の基板、 b、結合した一対のヘアピン欠陥及びライトニング欠陥
を発生する傾向の双安定性配向状態の強誘電性スメクチ
ツク液晶であって、前記一軸性配向処理軸の方向に従っ
て前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠陥を発生す
る発生秩序を示す配向状態を有する強誘電性スメクチツ
ク液晶、及び c、前記双安定状態を光学的に識別するための手段 を有する強誘電性スメクチツク液晶素子。
(5) a, a pair of substrates provided with uniaxially oriented axes, the uniaxially oriented axes being parallel or substantially parallel to each other, and with the axes in the same direction; b; A ferroelectric smectic liquid crystal in a bistable alignment state that tends to generate a pair of coupled hairpin defects and a lightning defect, which generates a lightning defect at the front and a hairpin defect at the rear according to the direction of the uniaxial alignment treatment axis. A ferroelectric smectic liquid crystal device having c. a ferroelectric smectic liquid crystal having an orientation state exhibiting developmental order, and c. means for optically distinguishing said bistable state.
(6)前記発生秩序を示す配向状態のドメイン占有面積
が他の発生秩序を示す配向状態のドメインを無視できる
大きさを有している請求項5の液晶素子。
(6) The liquid crystal element according to claim 5, wherein the area occupied by the domain in the orientation state exhibiting the generated order has a size that allows the domains in the orientation state exhibiting other generated order to be ignored.
(7)前記発生秩序を示す配向状態のドメインが他の発
生秩序を示す配向状態のドメインを無視できる大きさま
で降温下で成長させることによって生じた占有面積を有
している請求項5の液晶素子。
(7) The liquid crystal element according to claim 5, wherein the domain in an orientation state exhibiting the generated order has an occupied area generated by growing the domain in an orientation state exhibiting another generation order at a reduced temperature to a size that can be ignored. .
(8)前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状態
のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる温
度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有面積を
生じる温度範囲に対して1/5以下の温度範囲である請
求項7の液晶素子。
(8) Under the temperature decrease, the temperature range in which the domains in the other orientation state exhibiting the other developmental order occupy an area of a size that cannot be ignored is higher than the temperature range in which the domains occupy an area of a size that is negligible. 8. The liquid crystal element according to claim 7, wherein the temperature range is 1/5 or less.
(9)前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状態
のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる温
度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有面積を
生じる温度範囲に対して1/10以下の温度範囲である
請求項7の液晶素子。
(9) Under the temperature decrease, the temperature range in which domains in the other orientation state exhibiting the other developmental order occupy an area of a non-negligible size is greater than the temperature range in which the domains occupy an area of a size negligible. 8. The liquid crystal element according to claim 7, wherein the temperature range is 1/10 or less.
(10)前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
温度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有面積
を生じる温度範囲に対して1/20以下の温度範囲であ
る請求項7の液晶素子。
(10) Under the temperature decrease, the temperature range in which the domains in the other orientation state exhibiting the other developmental order occupy an area of a size that is not negligible is greater than the temperature range in which the domains occupy an area of a size that is negligible. 8. The liquid crystal element according to claim 7, wherein the temperature range is 1/20 or less.
(11)前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
下限温度が30℃以上である請求項7の液晶素子。
(11) The liquid crystal element according to claim 7, wherein the lower limit temperature at which the domain in the orientation state exhibiting the other generated order occupies a non-negligible area under the temperature decrease is 30° C. or higher.
(12)前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
下限温度が40℃以上である請求項7の液晶素子。
(12) The liquid crystal element according to claim 7, wherein the lower limit temperature at which the domain in the orientation state exhibiting the other generated order occupies a non-negligible area under the temperature decrease is 40° C. or higher.
(13)前記他の発生秩序を示す配向状態のドメインが
シール材の近傍域に生じ、前記発生秩序を示す配向状態
のドメインがその近傍域より内側に生じている請求項6
の液晶素子。
(13) Claim 6, wherein the domain in an oriented state exhibiting the other generated order is generated in a region near the sealing material, and the domain in the oriented state exhibiting the generated order is generated inside the neighboring region.
liquid crystal element.
(14)前記他の発生秩序が一軸性配向処理軸の方向に
従って前でライトニング欠陥を、後でヘアピン欠陥を発
生する秩序である請求項6の液晶素子。
(14) The liquid crystal element according to claim 6, wherein the other generated order is an order that generates lightning defects at the front and hairpin defects at the rear according to the direction of the uniaxial alignment treatment axis.
(15)前記発生秩序を示す配向状態のドメインの消光
位における2つの状態が光学的に等価である請求項5の
液晶素子。
(15) The liquid crystal element according to claim 5, wherein the two states at the extinction position of the domain in the alignment state exhibiting the generated order are optically equivalent.
(16)前記一軸性配向処理軸が基板に形成した配向制
御膜に付与されている請求項5の液晶素子。
(16) The liquid crystal element according to claim 5, wherein the uniaxial alignment treatment axis is provided to an alignment control film formed on a substrate.
(17)前記配向制御膜がポリイミド膜、ポリアミド膜
又はポリエステル膜によって形成されている請求項16
の液晶素子。
(17) Claim 16, wherein the alignment control film is formed of a polyimide film, a polyamide film, or a polyester film.
liquid crystal element.
(18)前記配向制御膜がポリイミド膜によって形成さ
れている請求項16の液晶素子。
(18) The liquid crystal element according to claim 16, wherein the alignment control film is formed of a polyimide film.
(19)前記配向制御膜が基板に形成した絶縁膜の上に
設けられた膜で、ある請求項16の液晶素子。
(19) The liquid crystal element according to claim 16, wherein the alignment control film is a film provided on an insulating film formed on a substrate.
(20)前記一軸性配向処理軸がラビング処理軸である
請求項5の液晶素子。
(20) The liquid crystal element according to claim 5, wherein the uniaxial alignment treatment axis is a rubbing treatment axis.
(21)前記強誘電性スメクチツク液晶がカイラルスメ
クチツクC相である請求項5の液晶素子。
(21) The liquid crystal device according to claim 5, wherein the ferroelectric smectic liquid crystal is of chiral smectic C phase.
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JPH03296723A (en) * 1990-04-17 1991-12-27 Canon Inc Liquid crystal element
US5646754A (en) * 1994-09-30 1997-07-08 Sharp Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal display device including a ferroelectric liquid crystal material capable of exhibiting the smectic A phase and the chiral smectic C phase

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