JP2675893B2 - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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JP2675893B2
JP2675893B2 JP9141590A JP9141590A JP2675893B2 JP 2675893 B2 JP2675893 B2 JP 2675893B2 JP 9141590 A JP9141590 A JP 9141590A JP 9141590 A JP9141590 A JP 9141590A JP 2675893 B2 JP2675893 B2 JP 2675893B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツター等で用
いる液晶素子、特に強誘電性液晶素子に関し、更に詳し
くは液晶分子の配向状態を改善することにより、表示特
性を改善した液晶素子に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a liquid crystal element used in a liquid crystal display element, a liquid crystal-optical shutter or the like, particularly a ferroelectric liquid crystal element, and more specifically, to improve the alignment state of liquid crystal molecules. Thus, the present invention relates to a liquid crystal element having improved display characteristics.

〔従来技術〕(Prior art)

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
がクラーク(Clark)及びラガーウオル(Lagerwall)に
より提案されている(特開昭56−107216号公報、米国特
許第4,367,924号明細書等)。この強誘電性液晶は、一
般に特定の温度域において、非らせん構造のカイラルス
メクチックC相(SmC)又はH相(SmH)を有し、こ
の状態において、加えられる電界に応答して第1の光学
的安定状態と第2の光学的安定状態のいずれかを取り、
且つ電界の印加のないときはその状態を維持する性質、
すなわち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答
も速やかであり、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待され、特にその機能から大画面で、高
精細なデイスプレーとしての応用が期待されている。
A display element of the type in which transmitted light rays are controlled by combining with a polarizing element by utilizing the refractive index anisotropy of ferroelectric liquid crystal molecules has been proposed by Clark and Lagerwall (JP-A-56). -107216, U.S. Pat. No. 4,367,924, etc.). This ferroelectric liquid crystal generally has a non-helical chiral smectic C phase (SmC * ) or H phase (SmH * ) in a specific temperature range, and in this state, it has a first phase in response to an applied electric field. One of the second optical stable state and the optical stable state of
And the property of maintaining the state when no electric field is applied,
In other words, it has bistability and quick response to changes in the electric field, and is expected to be widely used as a high-speed and storage-type display element. Is expected.

この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所
定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に
配置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記
2つの安定状態の間での変換が後効果的に起るような分
子配列状態にあることが必要である。
In order for the optical modulation element using the liquid crystal having the bistability to exhibit a predetermined driving characteristic, the liquid crystal arranged between the pair of parallel substrates has the two stable states regardless of the electric field application state. It is necessary to be in a state of molecular alignment such that conversion between states can occur effectively later.

又、液晶の複屈折を利用した液晶素子の場合、直交ニ
コル下での透過率は、 〔式中、I0:入射光強度、I:透過光強度、 θ:チルト角、Δn:屈折率異方性、 d:液晶層の膜厚、λ:入射光の波長 である。〕 で表わされる、前述の非らせん構造におけるチルトθは
第1と第2の配向状態でのねじれ配列した液晶分子の平
均分子軸方向の角度として現われることになる。上式に
よれば、かかるチルトθが22.5゜の角度の時最大の透過
率となる、双安定性を実現する非らせん構造でのチルト
角θが22.5゜にできる限り近いことが必要である。
In the case of a liquid crystal element utilizing birefringence of liquid crystal, the transmittance under crossed Nicols is [Wherein, I 0 : incident light intensity, I: transmitted light intensity, θ: tilt angle, Δn: refractive index anisotropy, d: thickness of liquid crystal layer, and λ: wavelength of incident light. The tilt θ in the non-helical structure described above appears as an angle in the average molecular axis direction of the twisted liquid crystal molecules in the first and second alignment states. According to the above equation, it is necessary that the tilt angle θ in the non-helical structure that realizes the bistability becomes the maximum transmittance when the tilt θ is at an angle of 22.5 ° and is as close as possible to 22.5 °.

ところで、強誘電性液晶の配向方法としては、大きな
面積に亘って、スメクチツク液晶を形成する複数の分子
で組織された分子層をその法線に沿って一軸に配向させ
ることができ、しかも製造プロセス工程も簡単なラビン
グ処理により実現できるものが望ましい。
By the way, as a method of orienting a ferroelectric liquid crystal, a molecular layer composed of a plurality of molecules forming a smectic liquid crystal can be uniaxially oriented along its normal line over a large area, and a manufacturing process It is desirable that the process can be realized by a simple rubbing process.

強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラルスメクチ
ツク液晶のための配向方向としては、例えば、米国特許
第4,561,726号公報などが知られている。
For example, US Pat. No. 4,561,726 is known as an alignment direction for a ferroelectric liquid crystal, especially for a chiral smectic liquid crystal having a non-helical structure.

しかしながら、これまで用いられてきた配向方向、特
にラビング処理したポリイミド膜による配向方法を、前
述のクラークとラガウオールによって発表された双安定
性を示す非らせん構造の強誘電性液晶に対して適用した
場合には、下述の如き問題点を有していた。
However, when the alignment direction used up to now, especially the alignment method using a rubbing-treated polyimide film, is applied to the ferroelectric liquid crystal of the non-helical structure exhibiting the bistability, which was announced by Clark and Lagauall. Had the following problems.

すなわち、本発明者らの実験によれば、従来のラビン
グ処理したポリイミド膜によって配向させて得られた非
らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角がらせん構造を
もつ強誘電性液晶でのチルト角と較べて小さくなってい
ることが判明した。(特に、従来のラビング処理したポ
リイミド膜によって配向させて得た非らせん構造の強誘
電性液晶でのチルト角θは、一般に3゜〜8゜程度で、
その時の透過率はせいぜい3〜5%程度であった。) この様に、クラークとラガウオールによれば双安定性
を実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角が
らせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と同一の角
度をもつはずであるが、実際には非らせん構造でのチル
ト角θの方がらせん構造でのチルト角より小さくなっ
ている。しかも、この非らせん構造でのチルト角θがら
せん構造でのチルト角より小さくなる原因が非らせん
構造での液晶分子のねじれ配列に起因していることが判
明した。つまり、非らせん構造をもつ強誘電性液晶で
は、液晶分子が基板の法線に対して上基板に隣接する液
晶分子の軸より下基板に隣接する液晶分子の軸(ねじれ
配列の方向)へ連続的にねじれ角δでねじれて配列して
おり、このことが非らせん構造でのチルト角θがらせん
構造でのチルト角より小さくなる原因となっている。
That is, according to the experiments by the present inventors, the tilt angle in the ferroelectric liquid crystal having the non-helical structure obtained by aligning the film with the conventional rubbing-treated polyimide film is the tilt angle in the ferroelectric liquid crystal having the spiral structure. It turned out to be smaller than the corners. (In particular, the tilt angle θ of a non-helical ferroelectric liquid crystal obtained by aligning with a conventional rubbing-treated polyimide film is generally about 3 ° to 8 °,
The transmittance at that time was about 3 to 5% at most. Thus, according to Clark and Ragall, the tilt angle of a non-helical ferroelectric liquid crystal that realizes bistability should be the same as the tilt angle of a ferroelectric liquid crystal having a helical structure. However, in practice, the tilt angle θ in the non-helical structure is smaller than the tilt angle in the helical structure. Moreover, it has been found that the cause of the tilt angle θ in the non-helical structure being smaller than the tilt angle in the helical structure is due to the twisted arrangement of the liquid crystal molecules in the non-helical structure. In other words, in a ferroelectric liquid crystal with a non-helical structure, the liquid crystal molecules are continuous with respect to the normal line of the substrate in the axis of the liquid crystal molecules adjacent to the lower substrate (direction of twist alignment) than the axis of the liquid crystal molecules adjacent to the upper substrate. Are arranged with a twist angle δ, which causes the tilt angle θ in the non-helical structure to be smaller than the tilt angle in the spiral structure.

又、従来のラビング処理したポリイミド配向膜によっ
て生じたカイラルスメクチツク液晶の配向状態は、電極
と液晶層の間に絶縁体操としてのポリイミド配向膜の存
在によって、第1の光学的安定状態(例えば、白の表示
状態)から第2の光学的安定状態(例えば、黒の表示状
態)にスイツチングするための一方極性電圧を印加した
場合、この一方極性電圧の印加解除後、強誘電性液晶層
には他方極性の逆電界Vrevが生じ、この逆電界Vrevがデ
イスプレイの際の残像をひき起していた。上述の逆電界
発生現象は、例えば吉田明雄著、昭和62年10月「液晶討
論会予稿集」P.142〜143の「SSFLCのスイツチング特
性」で明らかにされている。
In addition, the alignment state of the chiral smectic liquid crystal generated by the conventional rubbing-treated polyimide alignment film is the first optically stable state (for example, due to the presence of the polyimide alignment film as an insulator between the electrode and the liquid crystal layer). , A white display state) to a second optically stable state (for example, a black display state), when a one-polarity voltage is applied to the ferroelectric liquid crystal layer after the application of the one-polarity voltage is released. On the other hand, a reverse electric field V rev of the other polarity was generated, and this reverse electric field V rev caused an afterimage at the time of display. The above-mentioned reverse electric field generation phenomenon is clarified in, for example, "Switching Characteristics of SSFLC", written by Akio Yoshida, October 1987, "Transactions of the Liquid Crystal Symposium", pp. 142-143.

〔発明の目的〕[Object of the invention]

従って、本発明の目的は、前述の問題点を解決した強
誘電性液晶素子を提供すること、特にカイラルスメクチ
ツク液晶の非らせん構造での大きなチルトθを生じ、高
コントラストな画像がデイスプレイされ、且つ残像を生
じないデイスプレイを達成できる強誘電性液晶素子を提
供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a ferroelectric liquid crystal device that solves the above-mentioned problems, and particularly to generate a large tilt θ in the non-helical structure of a chiral smectic liquid crystal and display a high-contrast image. Another object of the present invention is to provide a ferroelectric liquid crystal element capable of achieving a display without causing an afterimage.

〔目的を達成するための手段及び作用〕[Means and actions for achieving the object]

そこで本発明は、基板の少なくとも一方に下記一般式
(I)で示されるポリイミド膜を有する一対の基板及び
該一対の基板間に配置した強誘電性液晶を有する液晶素
子を提供する。
Therefore, the present invention provides a pair of substrates having a polyimide film represented by the following general formula (I) on at least one of the substrates and a liquid crystal element having a ferroelectric liquid crystal disposed between the pair of substrates.

(上記R1,R2,R3及びR4はそれぞれHあるいはCF3を示
す。ただし、少なくとも1つはCF3基である。また部
は4価の有機残基を示す。) 第1図は本発明の強誘電性液晶セルの一例を模式的に
描いたものである。
(The above R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent H or CF 3. However, at least one is a CF 3 group. Further, part represents a tetravalent organic residue.) Is a schematic drawing of an example of the ferroelectric liquid crystal cell of the present invention.

11aと11bはそれぞれIn2O3やITO(Indium Tin Oxide)
等の透明電極12aと12bで被覆された基板(ガラス板)で
あり、その上に200Å〜1000Å厚の絶縁膜13aと13b(SiO
2膜、TiO2膜、Ta2O5など)と前記ポリイミドで形成した
50Å〜1000Å厚の配向制御膜14aと14bとがそれぞれ積層
されている。
11a and 11b are In 2 O 3 and ITO (Indium Tin Oxide) respectively
(Glass plate) covered with transparent electrodes 12a and 12b, etc., and insulating films 13a and 13b (SiO 2
2 film, TiO 2 film, Ta 2 O 5 etc.) and the above polyimide
Alignment control films 14a and 14b each having a thickness of 50 Å to 1000 Å are laminated.

この際、平行かつ同一向き(第1図でいえばA方向)
になるようラビング処理(矢印方向)した配向制御14a
と14bが配置されている。基板11aと11bとの間には、強
誘電性スメクチツク液晶15が配置され、基板11aと11bと
の間隔の距離は、強誘電性スメクチツク液晶15のらせん
配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい距離(例え
ば0.1μm〜3μm)に設定され、強誘電性スメクチツ
ク液晶15は双安定性配向状態を生じている。上述の十分
に小さい距離は、基板11aと11bとの間に配置したビーズ
スペーサ16(シリカビーズ、アルミナビーズ)によって
保持される。
At this time, they are parallel and in the same direction (direction A in FIG. 1).
Alignment control 14a with rubbing treatment (arrow direction)
And 14b are arranged. A ferroelectric smectic liquid crystal 15 is disposed between the substrates 11a and 11b, and the distance between the substrates 11a and 11b is sufficient to suppress the formation of a helical array structure of the ferroelectric smectic liquid crystal 15. When the distance is set to a small distance (for example, 0.1 μm to 3 μm), the ferroelectric smectic liquid crystal 15 has a bistable alignment state. The above-described sufficiently small distance is held by bead spacers 16 (silica beads, alumina beads) arranged between the substrates 11a and 11b.

本発明者らの実験によれば、下述の実施例で明らかに
するラビング処理した特定のポリイミド配向膜による配
向方向を用いることによって、明状態と暗状態での大き
な光学的コントラストを示し、特に、米国特許第4,655,
561号などに開示のマルチプレクシング駆動時の非選択
画素に対して大きなコントラストを生じ、さらにデイス
プレイ時の残像の原因となるスイツチング時(マルチプ
レクシング駆動時)の光学応答おくれを生じない配向状
態が達成された。
According to the experiments conducted by the present inventors, by using the alignment direction of the specific polyimide alignment film subjected to the rubbing treatment which will be clarified in the examples described below, a large optical contrast in the bright state and the dark state is exhibited, and particularly, , U.S. Pat.
No. 561, etc., achieves high contrast for non-selected pixels during multiplexing drive, and achieves an alignment state that does not cause optical response delay during switching (during multiplexing drive) that causes afterimages during display Was done.

本発明で用いるポリイミド膜は、 (R1,R2,R3及びR4は前述の通り)で示されるジアミンと
テトラカルボン酸無水物とを縮合反応させることによっ
て合成されるポリアミド酸を加熱閉環することによって
得られる。
The polyimide film used in the present invention is (R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are as described above) and the polyamic acid synthesized by subjecting a diamine and a tetracarboxylic acid anhydride to a condensation reaction can be ring-closed by heating.

テトラカルボン酸無水物としては、ピロメリツト酸二
無水物、ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、ビ
フエニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、2,2−ビス(ジカルボキシフエニ
ル)プロパン二無水物、ビス(ジカルボキシフエニル)
スルホン二無水物、ビス(ジカルボキシフエニル)エー
テル二無水物が使用できる。
Examples of the tetracarboxylic acid anhydride include pyromellitic dianhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (dicarboxyphenic acid). (Enyl) propane dianhydride, bis (dicarboxyphenyl)
Sulfone dianhydride and bis (dicarboxyphenyl) ether dianhydride can be used.

本発明で用いるポリアミド酸を作成する際のジアミン
はカルボン酸無水物の1重量部に対して0.1〜10重量
部、好ましくは1重量部の割合で用いられる。
The diamine used in preparing the polyamic acid used in the present invention is used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 1 part by weight, relative to 1 part by weight of the carboxylic acid anhydride.

なお、本発明のポリイミドは平均分子量1〜10万のも
のが使用出来、好ましくは3〜7万、さらに好ましくは
5万のものが使用できる。
The polyimide of the present invention may have an average molecular weight of 1 to 100,000, preferably 30,000 to 70,000, and more preferably 50,000.

本発明で用いるポリイミド膜を基板上に設ける際に
は、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸をジメチル
フオルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
フオキシド、N−メチルピロリドンなどの溶剤に溶解し
て0.01〜40(重量)%溶液として、該溶液をスピンナー
塗布法、スプレイ塗布法、ロール塗布法などにより基板
上に塗布した後、100〜350℃、好ましくは200〜300℃の
温度で加熱して脱水閉環させてポリイミド膜を形成する
ことができる。このポリイミド膜は、しかる後に布など
でラビング処理される。又、本発明で用いるポリイミド
膜は30Å〜1μ程度、好ましくは200Å〜2000Åの膜厚
に設定される。この際には、第1図に示す絶縁膜13aと1
3bの使用を省略することができる。又、本発明では、絶
縁膜13aと13bの上にポリイミド膜を設ける際には、この
ポリイミド膜の膜厚は200Å以下、好ましくは100Å以下
に設定されることができる。
When providing the polyimide film used in the present invention on the substrate, the polyamic acid precursor of the polyimide is dissolved in a solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone 0.01 to 40. (% By weight) After applying the solution on a substrate by a spinner coating method, a spray coating method, a roll coating method, or the like, the solution is heated at a temperature of 100 to 350 ° C., preferably 200 to 300 ° C. to be dehydrated and closed. To form a polyimide film. This polyimide film is then rubbed with a cloth or the like. The thickness of the polyimide film used in the present invention is set to about 30 to 1 μm, and preferably 200 to 2000 μm. At this time, the insulating films 13a and 13a shown in FIG.
The use of 3b can be omitted. In the present invention, when a polyimide film is provided on the insulating films 13a and 13b, the thickness of the polyimide film can be set to 200 mm or less, preferably 100 mm or less.

本発明で用いる液晶物質としては、降温過程で等方
相、コレステリツク相、スメクチツクA相を通してカイ
ラルスメクチツクC相を生じる液晶が好ましい。特に、
コレステリツク相の時のピツチが0.8μm以上のものが
好ましい(コレステリツク相でのピツチは、コレステリ
ツク相の温度範囲における中央点で測定したもの)。具
体的な液晶としては、下記液晶物質「LC−1」、「80
B」及び「80SI」を下記比率で含有させた液晶組成物
が好ましく用いられる。
As the liquid crystal substance used in the present invention, a liquid crystal that generates a chiral smectic C phase through an isotropic phase, a cholesteric phase, and a smectic A phase in a temperature decreasing process is preferable. Especially,
The pitch in the cholesteric phase is preferably 0.8 μm or more (the pitch in the cholesteric phase is measured at the center point in the temperature range of the cholesteric phase). Specific liquid crystals include the liquid crystal substances “LC-1” and “80
A liquid crystal composition containing "B" and "80SI * " in the following ratio is preferably used.

液晶 (1) (LC−1)90/(80B)10 (2) (LC−1)80/(80B)20 (3) (LC−1)70/(80B)30 (4) (LC−1)60/(80B)40 (5) 80SI (表中の添字は、それぞれ重量比を表わしている。) 第2図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。21aと21bは、In2O2、S
nO2あるいはITO等の薄膜からなる透明電極で被覆された
基板(ガラス板)であり、その間に液晶分子層22がガラ
ス面に垂直になるように配向したSmC(カイラルスメ
クチツクC)相又はSmH(カイラルスメクチツクH)
相の液晶が封入されている。太線で示した線23が液晶分
子を表わしており、この液晶分子23はその分子に直交し
た方向に双極子モーメント(P⊥)24を有している。基
板21aと21b上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加す
ると、液晶分子23のらせん構造がほどけ、双極子モーメ
ント(P⊥)24がすべて電界方向に向くよう、液晶分子
23は配向方向を変えることができる。液晶分子23は、細
長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。
Liquid crystal (1) (LC-1) 90 / (80B) 10 (2) (LC-1) 80 / (80B) 20 (3) (LC-1) 70 / (80B) 30 (4) (LC-1) 60 / (80B) 40 (5) 80SI * (Subscripts in the table represent weight ratios, respectively.) FIG. 2 schematically shows an example of a cell for explaining the operation of a ferroelectric liquid crystal. It is drawn in. 21a and 21b are In 2 O 2 , S
A substrate (glass plate) covered with a transparent electrode composed of a thin film of nO 2 or ITO, in which the SmC * (chiral smectic C) phase in which the liquid crystal molecular layer 22 is oriented perpendicular to the glass surface Or SmH * (Chiral smectic H)
Phase liquid crystals are enclosed. A bold line 23 represents a liquid crystal molecule, and the liquid crystal molecule 23 has a dipole moment (P⊥) 24 in a direction perpendicular to the molecule. When a voltage above a certain threshold is applied between the electrodes on the substrates 21a and 21b, the helical structure of the liquid crystal molecules 23 is unraveled, and all the dipole moments (P⊥) 24 are oriented in the electric field direction.
23 can change the orientation direction. The liquid crystal molecules 23 have an elongated shape and exhibit refractive index anisotropy in the major axis direction and the minor axis direction. Therefore, for example, if crossed Nicol polarizers are placed above and below the glass surface, the voltage application polarity It can be easily understood that the liquid crystal optical modulation element whose optical characteristics change depending on the liquid crystal.

本発明の液晶素子で用いる双安定性配向状態の表面安
定型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に薄く(例え
ば0.1μm〜3μm)することができる。このように液
晶層が薄くなるにしたがい、第3図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメントPまた
はP′は上向き(34a)、又は下向き(34b)のどちらか
の状態をとる。このようなセルに、第3図に示す如く一
定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又はEbを電圧印加手
段31aと31bにより付与すると、双極子モーメントは、電
界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向き34a、又は
下向き34bと向きを変え、それに応じて液晶分子は、第
1図の安定状態33aあるいは第2の安定状態33bの何れか
一方に配向する。
The surface stable ferroelectric liquid crystal cell in a bistable alignment state used in the liquid crystal element of the present invention can be made sufficiently thin (for example, 0.1 μm to 3 μm). As shown in FIG. 3, as the liquid crystal layer becomes thinner, the helical structure of the liquid crystal molecules is unwound and becomes a non-helical structure even when no electric field is applied, and the dipole moment P or P 'thereof is upward ( 34a) or downward (34b). When an electric field Ea or Eb having a polarity equal to or higher than a certain threshold is applied to such a cell by the voltage applying means 31a and 31b, the dipole moment corresponds to the electric field vector of the electric field Ea or Eb. And the liquid crystal molecules are oriented in either the stable state 33a or the second stable state 33b of FIG. 1 accordingly.

この強誘電性液晶セルによって得られる効果は、その
第1に、応答速度が極めて速いことであり、第2に液晶
分子の配向が双安定性を有することである。第2の点
を、例えば第3図によって更に説明すると、電界Eaを印
加すると液晶分子は第1の安定状態33aに配向するが、
この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの電
界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安定状態33bに廃
坑してその分子の向きを変えるが、やはり電界を切って
もこの状態に留っている。又、与える電界Eaが一定の閾
値を超えない限り、それぞれの配向状態にやはり維持さ
れている。
The first effect obtained by the ferroelectric liquid crystal cell is that the response speed is extremely fast, and the second effect is that the orientation of the liquid crystal molecules has bistability. The second point will be further described with reference to, for example, FIG. 3. When an electric field Ea is applied, the liquid crystal molecules are aligned in the first stable state 33a.
This state is stable even when the electric field is turned off. When a reverse electric field Eb is applied, the liquid crystal molecules are abandoned in the second stable state 33b to change the direction of the molecules, but they remain in this state even when the electric field is cut off. As long as the applied electric field Ea does not exceed a certain threshold value, the respective alignment states are also maintained.

第4図(A)は、本発明の配向方向に生じた液晶分子
の配向状態を模式的に明らかにした断面図で、第4図は
そのC−ダイレクタを示す図である。
FIG. 4A is a cross-sectional view schematically illustrating an alignment state of liquid crystal molecules generated in an alignment direction according to the present invention, and FIG. 4 is a diagram illustrating a C-director thereof.

第4図(A)に示す61a及び61bは、それぞれ上基板及
び下基板を表わしている。60は液晶分子62で組織された
分子層で、液晶分子62が円錐63の底面64(円形)に沿っ
た位置を変化させて配列している。66a及び66bは、それ
ぞれ折れ曲がりの構造を生じている分子層60の折れ曲が
り構造の隣接基板61a及び61bに対する回転方向である。
66a及び66bは、それぞれ隣接基板61a及び61bに隣接する
液晶分子62の浮き上り回転方向である。
Reference numerals 61a and 61b shown in FIG. 4A represent an upper substrate and a lower substrate, respectively. Numeral 60 denotes a molecular layer organized by liquid crystal molecules 62, and the liquid crystal molecules 62 are arranged by changing the position along the bottom surface 64 (circle) of the cone 63. 66a and 66b are directions of rotation with respect to the adjacent substrates 61a and 61b of the bent structure of the molecular layer 60 which has a bent structure, respectively.
66a and 66b are floating rotation directions of the liquid crystal molecules 62 adjacent to the adjacent substrates 61a and 61b, respectively.

第4図(B)は、C−ダイレクタを示す図である。第
4図(B)のU1は一方の安定配向状態でのC−ダイレク
タ81で、U2は他方の安定配向状態でのC−ダイレクタ81
である。C−ダイレクタ81は、第4図(A)に示す分子
層60の法線に対して垂直な仮想面への分子長軸の写影で
ある。
FIG. 4B is a diagram showing a C-director. Figure 4 in U 1 is C- director 81 in one stable orientation state of (B), U 2 is C- directors 81 in the other stable orientation state
It is. The C-director 81 is a projection of the molecular long axis onto a virtual plane perpendicular to the normal of the molecular layer 60 shown in FIG. 4 (A).

一方、従来のラビング処理したポリイミド膜によって
生じた配向状態は、第4図(C)のC−ダイレクタ図に
よって示される。第4図(C)に示す配向状態は、上基
板61aから下基板61bに向けて分子軸のねじれが大きいた
め、チルト角θは小さくなっている。
On the other hand, the orientation state produced by the conventional rubbed polyimide film is shown by the C-director diagram in FIG. 4 (C). In the orientation state shown in FIG. 4C, the tilt of the molecular axis is large from the upper substrate 61a to the lower substrate 61b, so that the tilt angle θ is small.

第5図(A)は、C−ダイレクタ81が第4図(B)の
状態(ユニフオーム配向状態という)でのチルト角θを
示すための平面図で、第5図(B)はC−ダイレクタ81
が第4図(C)の状態(スプレイ配向状態という)での
チルト角θを示すための平面図である。図中、50は前述
した本発明の特定ポリイミド膜に施したラビング処理軸
を示し、51aは配向状態U1での平均分子軸、51bは配向状
態U2での平均分子軸、52aは配向状態S1での平均分子
軸、52bは配向状態S2での平均分子軸を示す。平均分子
軸51aと51bとは、互いに閾値電圧を超えた逆極性電圧の
引火によって変換することができる。同様のことは平均
分子軸52aと52bとの間でも生じる。
FIG. 5A is a plan view showing the tilt angle θ of the C-director 81 in the state of FIG. 4B (referred to as a uniform alignment state), and FIG. 5B is a plan view of the C-director. 81
Is a plan view showing a tilt angle θ in the state of FIG. 4C (referred to as a splay alignment state). In the figure, 50 denotes the rubbing axis was subjected to a particular polyimide film of the present invention described above, the average molecular axis in 51a the orientation state U 1, 51b denotes an average molecular axis in the orientation state U 2, 52a are aligned state the average molecular axis in the S 1, 52 b denotes an average molecular axis in the orientation state S 2. The average molecular axes 51a and 51b can be converted by the ignition of opposite polarity voltages that exceed each other's threshold voltage. The same occurs between the average molecular axes 52a and 52b.

次に、逆電界Vrevによる光学応答のおくれ(残像)に
対するユニフオーム配向状態の有用性について説明す
る。
Next, the usefulness of the uniform alignment state for the optical response (afterimage) due to the reverse electric field V rev will be described.

液晶セルの絶縁層(配向制御膜)の容量Ci、液晶層の
容量をCLC及び液晶の自発分極をPsとすると、残像の原
因となるVrevは、下式で表わされる。
Capacitance C i of the insulating layer of the liquid crystal cell (alignment layer), the capacitance of the liquid crystal layer to the C LC and the spontaneous polarization of the liquid crystal and Ps, V rev causing after-image is expressed by the following equation.

第6図は、液晶セル内の電荷の分布、Psの方向及び逆
電界の方向を模式的に示した断面図である。第6図
(A)は、パルス電界印加前のメモリー状態下における
及び電荷の分布状態を示し、この時の自発分極Psの
向きは電荷から電荷の方向である。第6図(B)
は、パルス電界解除直後の自発分極Psの向きが第6図
(A)の時の向きに対して逆向き(従って、液晶分子は
一方の安定配向状態から他方の安定配向状態に反転を生
じている)であるが、及び電荷の分布状態は、第6
図(A)の時と同様であるため、液晶内に逆電界Vrev
が矢標方向に生じている。この逆電界Vrevは、しばらく
した後、第6図(C)に示す様に消滅し、及び電荷
の分布状態が変化する。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the distribution of charges in a liquid crystal cell, the direction of Ps, and the direction of a reverse electric field. FIG. 6 (A) shows the distribution state of the electric charge under the memory state before the application of the pulse electric field, and the direction of the spontaneous polarization Ps at this time is from the electric charge to the electric charge. FIG. 6 (B)
Is that the direction of the spontaneous polarization Ps immediately after the release of the pulse electric field is opposite to the direction in FIG. 6A (therefore, the liquid crystal molecules are inverted from one stable alignment state to the other stable alignment state). ), And the distribution state of the charge is the sixth
Since it is the same as in the case of FIG. (A), the reverse electric field V rev ,
Occurs in the direction of the arrow. After a while, the reverse electric field V rev disappears as shown in FIG. 6C, and the distribution state of the charge changes.

第7図は従来のポリイミド配向膜によって生じたスプ
レイ配向状態の光学応答の変化をチルト角θの変化に変
えて示したものである。第7図によれば、パルス電界印
加時、印標X1の方向に沿ってスプレイ配向状態下の平均
分子軸S(A)から最大チルト角付近のユニフオーム
配向状態下の平均分子軸U2までオーバーシユートし、パ
ルス電界解除直後においては、第6図(B)に示す逆電
界Vrevの作用が働いて、矢標X2の方向に沿ってスプレイ
配向状態下の平均分子軸S(B)までチルト角θが減少
し、そして第6図(C)に示す逆電界Vrevの減衰の作用
により、矢標X3の方向に沿ってスプレイ配向状態下の平
均分子軸S(C)までチルト角θが若干増大した安定配
向状態が得られる。この時の光学応答は第8図で明らか
にされている。
FIG. 7 shows a change in optical response in a splay alignment state caused by a conventional polyimide alignment film, instead of a change in tilt angle θ. According to Figure 7, when the pulse electric field is applied, the average molecular axis S under splay alignment state (A) to an average molecular axis U 2 under Yunifuomu alignment state in the vicinity of the maximum tilt angle along the direction of Shirushishirube X 1 over-sheet Ute, immediately after pulsed electric field cancellation is working action of the reverse electric field V rev as shown in FIG. 6 (B), Yashirube X 2 average molecular axis under splay alignment state along the direction S (B ) tilt angle θ is reduced to, and by the action of attenuation of the reverse electric field V rev as shown in FIG. 6 (C), to an average molecular axis S under splay alignment state along the direction of Yashirube X 3 (C) A stable alignment state in which the tilt angle θ is slightly increased can be obtained. The optical response at this time is clarified in FIG.

本発明によれば、前述したフツ素原子含有のポリイミ
ド膜を用いた配向方向によって得た配向状態では、第7
図に示したスプレイ状態下の平均分子軸S(A),S
(B)及びS(C)を生じることがなく、従って最大チ
ルト角に近いチルト角θを生じる平均分子軸に配列さ
せることができる。この時の本発明の光学応答を第9図
に示す。第9図によれば、残像に原因する光学応答のお
くれを生じないことと、メモリー状態下での高いコント
ラストを惹き起していることが判る。
According to the present invention, in the alignment state obtained by the alignment direction using the above-mentioned fluorine atom-containing polyimide film, the seventh state is obtained.
Average molecular axis S (A), S under the spray condition shown in the figure
(B) and S (C) do not occur, and thus can be arranged on the average molecular axis that produces a tilt angle θ close to the maximum tilt angle. FIG. 9 shows the optical response of the present invention at this time. According to FIG. 9, it can be seen that the optical response caused by the afterimage is not delayed, and that high contrast is caused in the memory state.

以下、本発明を実施例に従って説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.

実施例1 1000Å厚のITO膜が設けられている1.1mm厚のガラス板
を2枚用意し、それぞれのガラス板上に下式で示すアミ
ド酸のN−メチルピロチドン/n−ブチルセロソルブ=5/
1の3.0重量%溶液を回転数3000rpmで 成膜後約1時間、250℃で加熱性処理を施した(分子量
5万)。この時の膜厚は450Åであった。この塗布膜に
ナイロン殖毛布による一方向ラビング処理を行った。
Example 1 Two 1.1 mm-thick glass plates provided with a 1000Å-thick ITO film were prepared, and N-methylpyrotidone / n-butyl cellosolve of amic acid represented by the following formula: 5 /
3.0 wt% solution of 1 at 3000 rpm After film formation, heat treatment was performed at 250 ° C. for about 1 hour (molecular weight 50,000). The film thickness at this time was 450 °. The coated film was subjected to a unidirectional rubbing treatment with a nylon blanket.

その後、平均粒径約1.5μmのアルミナビーズを一方
のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸
が互いに平行で、同一処理方向となるように2枚のガラ
ス板を重ね合せてセルを作製した。
Then, sprinkle alumina beads with an average particle size of about 1.5 μm on one glass plate, and then stack the two glass plates so that the rubbing treatment axes are parallel to each other and are in the same treatment direction. It was made.

このセル内にチツソ(株)社製の強誘電性スメクチツ
ク液晶である「CS−1014」商品名を等方相下で真空注入
してから、等方相から0.5℃/hで30℃まで徐冷すること
によって配向させることができた。この「CS−1014」を
用いた本実施例のセルでの相変化は下記のとおりであっ
た。
The cell name "CS-1014", which is a ferroelectric smectic liquid crystal manufactured by Chitso Corp., is vacuum-injected into the cell in the isotropic phase, and then gradually increased from the isotropic phase to 30 ° C at 0.5 ° C / h. It was possible to orient by cooling. The phase change in the cell of this example using "CS-1014" was as follows.

(Iso=等方相 Ch=コレステリツク相 SmA=スメクチツクA相 SmC=カイラルスメクチツクC相) 上述の液晶セルを一対の90゜クロスニコル偏光子の間
に挟み込んでから、50μsecの30Vパルスを印加してから
90゜クロスニコルを消光位(最暗状態)にセツトし、こ
の時の透過率をホトマルチプレターにより測定し、続い
て50μsecの−30Vパルスを印加し、この時の透過率(明
状態)を同様の方法で測定したところ、チルト角θは15
゜であり、最暗状態時の透過率は1%で、明状態時の透
明率は30%であり、従ってコントラスト比は30:1であっ
た。
(Iso = isotropic phase Ch = cholesteric phase SmA = smectic A phase SmC * = chiral smectic C phase) After sandwiching the above liquid crystal cell between a pair of 90 ° crossed Nicol polarizers, a 30 V pulse of 50 μsec is applied. After applying
Set the 90 ° crossed Nicols to the extinction position (darkest state), measure the transmittance at this time with a photomultiplier, and then apply a -30 V pulse of 50 μsec, and check the transmittance (bright state) at this time. When measured by the same method, the tilt angle θ was 15
And the transmittance in the darkest state was 1%, the transparency in the bright state was 30%, and the contrast ratio was 30: 1.

残像の原因となる光学応答のおくれは0.2秒以下であ
った。
The delay in the optical response that caused the afterimage was less than 0.2 seconds.

この液晶セルを第10図に示す駆動波形を用いたマルチ
プレクシング駆動による表示を行ったところ、高コント
ラストな高品位表示が得られ、又所定の文字入力による
画像表示の後に全画面を白の状態に消去したところ、残
像の再生は判読できなかった。尚、第10図のSN,SN+1,S
N+2は走査線に印加した電圧波形を表わしており、Iは
代表的な情報線に印加した電圧波形を表わしている。
(I−SN)は情報線Iと走査線SNとの交差部に印加され
た合成波形である。又、本実施例では、V0=5V〜8V、Δ
T=20μsec〜70μsecで行った。
When this liquid crystal cell was displayed by multiplexing drive using the drive waveform shown in Fig. 10, a high-contrast, high-quality display was obtained, and the entire screen was in a white state after the image was displayed by inputting a predetermined character. After erasing, the afterimage reproduction was unreadable. In addition, S N , S N + 1 , S in FIG.
N + 2 represents a voltage waveform applied to the scanning line, and I represents a voltage waveform applied to a typical information line.
(I-S N ) is a composite waveform applied to the intersection of the information line I and the scanning line SN . Further, in this embodiment, V 0 = 5V to 8V, Δ
T = 20 μsec to 70 μsec.

実施例2〜5 表1に示した配向制御膜(各実施例ともポリイミド膜
の分子量5万)及び液晶材料を用いた端は実施例1と同
様にしてセルを得た。
Examples 2 to 5 A cell was obtained in the same manner as in Example 1 except that the alignment control film shown in Table 1 (the molecular weight of the polyimide film was 50,000 in each example) and the liquid crystal material were used.

それぞれに対して実施例1と同様の試験を行った。 The same test as in Example 1 was performed for each.

コントラスト比及び光学応答のおくれ時間の結果を表
2に示す。
Table 2 shows the results of the contrast ratio and the blistering time of the optical response.

又、実施例1と同様のマルチプレクシング駆動による
表示を行ったところ、コントラスト及び残像については
実施例と同様の結果が得られた。
Further, when a display was performed by the same multiplexing driving as in Example 1, the same results as in Example were obtained with respect to contrast and afterimage.

表 2 実施例 コントラスト比 光学応答のおくれ(sec) 2 25:1 0.2 3 31:1 0.3 4 29:1 0.1 5 24:1 0.1 比較例1〜4 表3に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実
施例1と全く同様にしてセルを作成した。
Table 2 Examples Contrast ratio Dependence of optical response (sec) 2 25: 1 0.2 3 31: 1 0.3 4 29: 1 0.1 5 24: 1 0.1 Comparative Examples 1 to 4 The alignment control films and liquid crystal materials shown in Table 3 were used. A cell was prepared in exactly the same manner as in Example 1 except that it was used.

それぞれのセルに対してコントラスト比および光学応
答のおくれを表4に示した。
Table 4 shows the contrast ratio and the optical response of each cell.

又、実施例1と同様のマルチプレクシング駆動による
表示を行ったところ、コントラストが本実施例のものと
比較して小さく、しかも残像が生じた。
Further, when the display was performed by the multiplexing drive similar to that of the first embodiment, the contrast was smaller than that of the first embodiment, and an afterimage occurred.

表 4 比較例 コントラスト比 光学応答のおくれ(sec) 1 8:1 1.5 2 7:1 2.5 3 10:1 1.2 4 8:1 2.2 〔発明の効果〕 以上の実施例及び比較例で明らかにした様に、本発明
によれば明状態と暗状態でのコントラストが高く、特に
マルチプレクシング駆動時の表示コントラストが非常に
大きく高品位の表示が得られ、しかも目ざわりな残像現
象が生じない効果がある。
Table 4 Comparative example Contrast ratio Optical response blemish (sec) 1 8: 1 1.5 2 7: 1 2.5 3 10: 1 1.2 4 8: 1 2.2 [Effect of the invention] As shown in the above examples and comparative examples. In addition, according to the present invention, the contrast in the bright state and the dark state is high, the display contrast is very large especially in the case of multiplexing driving, and a high-quality display can be obtained, and there is an effect that a noticeable afterimage phenomenon does not occur.

【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。第2図は
らせん構造をもつカイラルスメクチツク液晶の配向状態
を示した斜視図で、第3図は非らせん構造の分子配列を
もつカイラルスメクチツク液晶の配向状態を示した斜視
図である。第4図(A)は本発明の配向方法で配向した
カイラルスメクチツク液晶の配向状態を示す断面図で、
第4図(B)はそのユニフオーム配向状態におけるC−
ダイレクタ図で、第4図(C)はスプレイ配向状態にお
けるC−ダイレクタ図である。第5図(A)はユニフオ
ーム配向状態におけるチルト角θを示す平面図で、第5
図(B)はスプレイ配向状態におけるチルト角θを示す
平面図である。第6図(A),(B)及び(C)は強誘
電性液晶内の電荷分布、自発分極Psの向き及び逆電界V
revの向きを示す断面図である。第7図は電界印加時及
び後のチルト角θの変化を示す平面図である。第8図は
従来例における光学応答特性を示し、第9図は本発明例
における光学応答特性を示す。第10図は本実施例で用い
た駆動電圧の波形図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal element of the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing an alignment state of a chiral smectic liquid crystal having a helical structure, and FIG. 3 is a perspective view showing an alignment state of a chiral smectic liquid crystal having a non-helical structure molecular arrangement. . FIG. 4 (A) is a cross-sectional view showing an alignment state of a chiral smectic liquid crystal aligned by the alignment method of the present invention.
FIG. 4 (B) shows C- in the uniform orientation state.
FIG. 4 (C) is a C-director diagram in a splay alignment state. FIG. 5A is a plan view showing the tilt angle θ in the uniform alignment state.
FIG. 2B is a plan view showing the tilt angle θ in the splay alignment state. 6 (A), (B) and (C) show the charge distribution in the ferroelectric liquid crystal, the direction of spontaneous polarization Ps and the reverse electric field V
It is sectional drawing which shows the direction of rev . FIG. 7 is a plan view showing a change in the tilt angle θ during and after application of an electric field. FIG. 8 shows an optical response characteristic in a conventional example, and FIG. 9 shows an optical response characteristic in an example of the present invention. FIG. 10 is a waveform diagram of the drive voltage used in this embodiment.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−13436(JP,A) 特開 昭62−28713(JP,A) 特開 昭62−146984(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP 62-13436 (JP, A) JP 62-28713 (JP, A) JP 62-146984 (JP, A)

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板の少なくとも1方に下記一般式(I)
で示される単位を重合して得られるポリイミド膜を有す
る一対の基板及び該一対の基板間に配置したカイラルス
メクチック液晶を有する液晶素子。 (上記R1,R2,R3及びR4はそれぞれHあるいはCF3を示
す。ただし、少なくとも1つはCF3基である。また部
は4価の有機残基を示す。)
1. A substrate having at least one of the following general formulas (I):
A liquid crystal device having a pair of substrates having a polyimide film obtained by polymerizing the unit represented by and a chiral smectic liquid crystal disposed between the pair of substrates. (R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent H or CF 3. However, at least one is a CF 3 group. Further, part represents a tetravalent organic residue.)
【請求項2】少なくとも一方の基板に、下記一般式
(I)で示される単位を重合して得られるポリイミド被
膜を有する一対の基板及び複数の液晶分子で組織した複
数の層を生じた層構造と、固有するらせん配列構造の形
成を抑制した配列構造とを有し、該層構造が折れ曲がり
構造を生じてなり、該折れ曲がり構造の隣接基板に対す
る回転方向が該隣接基板に隣接する液晶分子の浮き上が
り回転方向と同一方向を生じてなるカイラルスメクチッ
ク液晶を有する液晶素子。 (上記R1,R2,R3及びR4はそれぞれHあるいはCF3を示
す。ただし、少なくとも1つはCF3基である。また部
は4価の有機残基を示す。)
2. A layer structure in which a pair of substrates having a polyimide coating film obtained by polymerizing a unit represented by the following general formula (I) on at least one substrate and a plurality of layers organized by a plurality of liquid crystal molecules are formed. And an arrangement structure in which the formation of an inherent helical arrangement structure is suppressed, and the layered structure has a bent structure, and the rotation direction of the bent structure with respect to the adjacent substrate rises up of the liquid crystal molecules adjacent to the adjacent substrate. A liquid crystal device having a chiral smectic liquid crystal formed in the same direction as the rotation direction. (R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent H or CF 3. However, at least one is a CF 3 group. Further, part represents a tetravalent organic residue.)
【請求項3】前記ポリイミド被膜が一方向のラビング処
理されてなる請求項第2項記載の液晶素子。
3. The liquid crystal device according to claim 2, wherein the polyimide film is unidirectionally rubbed.
【請求項4】両方の基板に、下記一般式(I)で示され
る単位を重合して得られるポリイミド被膜を有する一対
の基板及び複数の液晶分子で組織した複数の層を生じた
層構造と、固有するらせん配列構造の形成を抑制した配
列構造とを有し、該層構造が折れ曲がり構造を生じてな
り、該折れ曲がり構造の隣接基板に対する回転方向が該
隣接基板に隣接する液晶分子の浮き上がり回転方向と同
一方向を生じてなるカイラルスメクチック液晶を有する
液晶素子。 (上記R1,R2,R3及びR4はそれぞれHあるいはCF3を示
す。ただし、少なくとも1つはCF3基である。また部
は4価の有機残基を示す。)
4. A pair of substrates having a polyimide coating film obtained by polymerizing a unit represented by the following general formula (I) on both substrates, and a layer structure having a plurality of layers organized by a plurality of liquid crystal molecules. The layered structure has a bent structure, and the rotation direction of the bent structure with respect to the adjacent substrate is a floating rotation of liquid crystal molecules adjacent to the adjacent substrate. A liquid crystal element having a chiral smectic liquid crystal formed in the same direction as the direction. (R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent H or CF 3. However, at least one is a CF 3 group. Further, part represents a tetravalent organic residue.)
【請求項5】前記ポリイミド被膜が一方向のラビング処
理されてなる請求項第4項記載の液晶素子。
5. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the polyimide coating is unidirectionally rubbed.
【請求項6】前記一対の基板に設けたポリイミド被膜が
互いに平行で且つ同一向きの一方向のらびんぐ処理され
てなる請求項第4項記載の液晶素子。
6. A liquid crystal device according to claim 4, wherein the polyimide coatings provided on the pair of substrates are subjected to a unidirectional lapping treatment in parallel with each other.
【請求項7】前記カイラルスメクチック液晶がカイラル
スメクチックC相の温度範囲より高温側にスメクチック
A相を生じる温度範囲を有し、該スメクチックA相の温
度範囲を経由してカイラルスメクチックC相まで冷却さ
れてなる液晶である請求項第4項記載の液晶素子。
7. The chiral smectic liquid crystal has a temperature range in which a smectic A phase is generated on a higher temperature side than a temperature range of the chiral smectic C phase, and is cooled to the chiral smectic C phase via the temperature range of the smectic A phase. The liquid crystal element according to claim 4, which is a liquid crystal formed by:
【請求項8】前記カイラルスメクチック液晶がカイラル
スメクチックC相の温度範囲より高温側にスメクチック
A相及びコレステリック相を生じる温度範囲を有し、該
コレステリック相、スメクチックA相の温度範囲を経由
してカイラルスメクチックC相まで冷却されてなる液晶
である請求項第4項記載の液晶素子。
8. The chiral smectic liquid crystal has a temperature range in which a smectic A phase and a cholesteric phase are generated on the higher temperature side than the temperature range of the chiral smectic C phase, and the chiral is passed through the temperature range of the cholesteric phase and the smectic A phase. The liquid crystal device according to claim 4, which is a liquid crystal that is cooled to a smectic C phase.
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