JP2601132Y2 - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JP2601132Y2 JP2601132Y2 JP1993062991U JP6299193U JP2601132Y2 JP 2601132 Y2 JP2601132 Y2 JP 2601132Y2 JP 1993062991 U JP1993062991 U JP 1993062991U JP 6299193 U JP6299193 U JP 6299193U JP 2601132 Y2 JP2601132 Y2 JP 2601132Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- film
- chamber
- film manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、巻回されたローラから
送り出されたプラスチックフィルム基板上に連続的に薄
膜を形成する薄膜製造装置に関する。
送り出されたプラスチックフィルム基板上に連続的に薄
膜を形成する薄膜製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜製造装置は図４に示す構成に
なっている。同図において、１は仕込室、２は仕込室１
内に設けられた送出ローラ、３はプラスチックフィルム
基板であり、送出ローラ２にロール状に巻回され、送出
ローラ２より水平方向に送り出される。４は取出室、５
は巻取ローラであり、取出室４内に設けられ、送出ロー
ラ２よりの基板３を巻き取る。
なっている。同図において、１は仕込室、２は仕込室１
内に設けられた送出ローラ、３はプラスチックフィルム
基板であり、送出ローラ２にロール状に巻回され、送出
ローラ２より水平方向に送り出される。４は取出室、５
は巻取ローラであり、取出室４内に設けられ、送出ロー
ラ２よりの基板３を巻き取る。
【０００３】６は仕込室１と取出室４との間に設けられ
た複数個の成膜室であり、各成膜室６において順次Ｎ型
非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉという）半導体層，Ｉ型
ａ−Ｓｉ半導体層，Ｐ型ａ−Ｓｉ半導体層を基板３上に
積層して形成する。７は各成膜室６の上部に配設された
電極、８は各成膜室６の下部に配設され，基板３を加熱
するヒータ、９は各成膜室６を仕切った仕切板である。
た複数個の成膜室であり、各成膜室６において順次Ｎ型
非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉという）半導体層，Ｉ型
ａ−Ｓｉ半導体層，Ｐ型ａ−Ｓｉ半導体層を基板３上に
積層して形成する。７は各成膜室６の上部に配設された
電極、８は各成膜室６の下部に配設され，基板３を加熱
するヒータ、９は各成膜室６を仕切った仕切板である。
【０００４】そして、送出ローラ２に巻回されたロール
状の基板３を仕込室１にセットし、基板３を送出ローラ
２より送り出し、各成膜室６において、基板３を搬送し
ながら基板３上にＮ型ａ−Ｓｉ層，Ｉ型ａ−Ｓｉ層，Ｐ
型ａ−Ｓｉ層の各薄膜を形成した後、巻取ローラ５で基
板３を巻き取る。
状の基板３を仕込室１にセットし、基板３を送出ローラ
２より送り出し、各成膜室６において、基板３を搬送し
ながら基板３上にＮ型ａ−Ｓｉ層，Ｉ型ａ−Ｓｉ層，Ｐ
型ａ−Ｓｉ層の各薄膜を形成した後、巻取ローラ５で基
板３を巻き取る。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】従来の前記装置におい
て、基板３は、熱容量が小さく熱伝導率が低いため、ヒ
ータ８による基板３への加熱むらが生じる。さらに、基
板３の移行方向が水平方向であるため、重力の影響で基
板３にたわみが発生し、しかも張力を均一に加えること
が困難である。したがって、ヒータ８の加熱による基板
３の伸縮が不均一になり、基板３が変形し、基板３上に
形成される薄膜の膜質が不均一になるという問題点があ
る。本考案は、前記の点に留意し、基板上に形成される
薄膜の膜質を均一にする薄膜製造装置を提供することを
目的とする。
て、基板３は、熱容量が小さく熱伝導率が低いため、ヒ
ータ８による基板３への加熱むらが生じる。さらに、基
板３の移行方向が水平方向であるため、重力の影響で基
板３にたわみが発生し、しかも張力を均一に加えること
が困難である。したがって、ヒータ８の加熱による基板
３の伸縮が不均一になり、基板３が変形し、基板３上に
形成される薄膜の膜質が不均一になるという問題点があ
る。本考案は、前記の点に留意し、基板上に形成される
薄膜の膜質を均一にする薄膜製造装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本考案の薄膜製造装置は、仕込室に設けられプラス
チックフィルム基板を巻回した送出ローラと、取出室に
設けられ送出ローラより送り出された基板を巻き取る巻
取ローラと、仕込室と取出室との間に設けられ、基板に
薄膜を形成する成膜室とを備えた薄膜製造装置におい
て、成膜室における基板の裏面に接触し、かつ基板の移
行と同速度で移行する金属フィルムを備えたものであ
る。
に、本考案の薄膜製造装置は、仕込室に設けられプラス
チックフィルム基板を巻回した送出ローラと、取出室に
設けられ送出ローラより送り出された基板を巻き取る巻
取ローラと、仕込室と取出室との間に設けられ、基板に
薄膜を形成する成膜室とを備えた薄膜製造装置におい
て、成膜室における基板の裏面に接触し、かつ基板の移
行と同速度で移行する金属フィルムを備えたものであ
る。
【０００７】
【作用】前記のように構成された請求項１記載の薄膜製
造装置は、金属フィルムを、成膜室における基板の裏面
に接触し、かつ基板の移行と同速度で移行したため、薄
膜形成時、熱伝導率の高い金属フィルムが均熱板として
はたらき、ヒータによる基板への加熱むらが少なくな
り、基板の伸縮が均一化され、基板の変形が防止され、
薄膜の膜質が均一化される。
造装置は、金属フィルムを、成膜室における基板の裏面
に接触し、かつ基板の移行と同速度で移行したため、薄
膜形成時、熱伝導率の高い金属フィルムが均熱板として
はたらき、ヒータによる基板への加熱むらが少なくな
り、基板の伸縮が均一化され、基板の変形が防止され、
薄膜の膜質が均一化される。
【０００８】
【０００９】
【実施例】実施例について図１ないし図３を参照して説
明する。それらの図において、図４と同一符号は同一も
しくは相当するものを示す。
明する。それらの図において、図４と同一符号は同一も
しくは相当するものを示す。
【００１０】（実施例１） まず、実施例１の構成を示した図１及び図２において、
図４と異なる点は、基板３の裏面に金属フィルム１０が
重合されて送出ローラ２に巻回され、基板３と一緒に金
属フィルム１０が送り出され、基板３の裏面に金属フィ
ルム１０が常時接触し、金属フィルム１０が基板３の移
行と同速度で移行する点である。
図４と異なる点は、基板３の裏面に金属フィルム１０が
重合されて送出ローラ２に巻回され、基板３と一緒に金
属フィルム１０が送り出され、基板３の裏面に金属フィ
ルム１０が常時接触し、金属フィルム１０が基板３の移
行と同速度で移行する点である。
【００１１】そして、各成膜室６において、基板３上に
Ｎ型ａ−Ｓｉ層，Ｉ型ａ−Ｓｉ層，Ｐ型ａ−Ｓｉ層を連
続的に形成する。この時、熱伝導率の高い金属フィルム
１０が均熱板としてはたらくため、薄膜形成時のヒータ
８による基板３への加熱むらが少なくなり、基板３の伸
縮が均一化され、基板３の変形が防止され、薄膜の膜質
が均一化される。そして、薄膜形成後、基板３は巻取ロ
ーラ５で巻き取られる。
Ｎ型ａ−Ｓｉ層，Ｉ型ａ−Ｓｉ層，Ｐ型ａ−Ｓｉ層を連
続的に形成する。この時、熱伝導率の高い金属フィルム
１０が均熱板としてはたらくため、薄膜形成時のヒータ
８による基板３への加熱むらが少なくなり、基板３の伸
縮が均一化され、基板３の変形が防止され、薄膜の膜質
が均一化される。そして、薄膜形成後、基板３は巻取ロ
ーラ５で巻き取られる。
【００１２】（実施例２） つぎに、実施例２の構成を示した図３において、図１と
異なる点は、ヒータ８の両側にガイドローラ１１を設
け、両ガイドローラ１１に金属フィルム１０をエンドレ
スに巻回し、金属フィルム１０を基板３の裏面に接触
し、かつ基板３の移行と同速度で移行するようにした点
であり、実施例１と同様の作用効果を有する。
異なる点は、ヒータ８の両側にガイドローラ１１を設
け、両ガイドローラ１１に金属フィルム１０をエンドレ
スに巻回し、金属フィルム１０を基板３の裏面に接触
し、かつ基板３の移行と同速度で移行するようにした点
であり、実施例１と同様の作用効果を有する。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【考案の効果】本考案は以上説明したように構成されて
いるため、つぎに記載する効果を奏する。本考案の請求
項１記載の薄膜製造装置は、金属フィルム１０を、成膜
室６における基板３の裏面に接触し、かつ基板３の移行
と同速度で移行したため、薄膜形成時、熱伝導率の高い
金属フィルム１０を均熱板としてはたらかせ、ヒータ８
による基板３への加熱むらを少なくし、基板３の伸縮を
均一化することができ、基板３の変形を防止でき、薄膜
の膜質を均一化することができる。
いるため、つぎに記載する効果を奏する。本考案の請求
項１記載の薄膜製造装置は、金属フィルム１０を、成膜
室６における基板３の裏面に接触し、かつ基板３の移行
と同速度で移行したため、薄膜形成時、熱伝導率の高い
金属フィルム１０を均熱板としてはたらかせ、ヒータ８
による基板３への加熱むらを少なくし、基板３の伸縮を
均一化することができ、基板３の変形を防止でき、薄膜
の膜質を均一化することができる。
【００１７】
【図１】本発明の実施例１の概略正面図である。
【図２】図１の一部の拡大図である。
【図３】本発明の実施例２の概略正面図である。
【図４】従来例の概略正面図である。
１ 仕込室 ２ 送出ローラ ３ プラスチックフィルム基板 ４ 取出室 ５ 巻取ローラ ６ 成膜室 １０ 金属フィルム
Claims (1)
- 【請求項１】 仕込室に設けられプラスチックフィルム
基板を巻回した送出ローラと、取出室に設けられ前記送
出ローラより送り出された前記基板を巻き取る巻取ロー
ラと、前記仕込室と前記取出室との間に設けられ、前記
基板に薄膜を形成する成膜室とを備えた薄膜製造装置に
おいて、 前記成膜室における前記基板の裏面に接触し、かつ前記
基板の移行と同速度で移行する金属フィルムを備えた薄
膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993062991U JP2601132Y2 (ja) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993062991U JP2601132Y2 (ja) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 薄膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729832U JPH0729832U (ja) | 1995-06-02 |
| JP2601132Y2 true JP2601132Y2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=13216354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993062991U Expired - Lifetime JP2601132Y2 (ja) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601132Y2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-30 JP JP1993062991U patent/JP2601132Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0729832U (ja) | 1995-06-02 |
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