JP2599288Y2 - Switching power supply - Google Patents

Switching power supply

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JP2599288Y2 JP1993027995U JP2799593U JP2599288Y2 JP 2599288 Y2 JP2599288 Y2 JP 2599288Y2 JP 1993027995 U JP1993027995 U JP 1993027995U JP 2799593 U JP2799593 U JP 2799593U JP 2599288 Y2 JP2599288 Y2 JP 2599288Y2
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本考案は、整流素子としてMOS
FETを使用し、そのMOS FETのオン、オフ動
作をスイッチング素子のスイッチング動作と同期させた
スイッチング電源に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a MOS
The present invention relates to a switching power supply that uses an FET and synchronizes the ON / OFF operation of the MOS FET with the switching operation of a switching element.

【0002】[0002]

【従来の技術】整流素子として一般的に使用されている
ダイオードには順方向電圧降下の存在により電力損失が
ある。整流素子における電力損失を低減する一つの手段
として、オン状態での電力損失の低いトランジスタ(こ
こではMOS FET)を整流素子として用いることが
考えられる。しかし、MOS FETを整流素子として
用いる場合には、MOS FETの寄生ダイオードの存
在を考慮しなければならない。すなわち、その理由は以
下の三項目による。寄生ダイオードの導通時には、順
方向電圧降下により損失が増加する。寄生ダイオード
が導通した後に逆電圧が印加されると、ダイオードの逆
回復特性によりサージ電流が発生する。寄生ダイオー
ドが導通すると、チャネル−ドレイン接合領域にキャリ
アが存在するようになり、MOS FETのターンオン
・オフのdV/dt特性が悪くなる。以上のような現象
は、スイッチング電源を駆動する上で好ましくないの
で、MOS FETの寄生ダイオードを導通させない手
段が必要となる。
2. Description of the Related Art A diode generally used as a rectifier has a power loss due to the presence of a forward voltage drop. As one means for reducing the power loss in the rectifying element, it is conceivable to use a transistor (here, a MOS FET) having a low power loss in an ON state as the rectifying element. However, when a MOS FET is used as a rectifying element, it is necessary to consider the existence of a parasitic diode of the MOS FET. That is, the reason is based on the following three items. When the parasitic diode conducts, the loss increases due to the forward voltage drop. When a reverse voltage is applied after the parasitic diode conducts, a surge current is generated due to the reverse recovery characteristic of the diode. When the parasitic diode conducts, carriers are present in the channel-drain junction region, and the turn-on / off dV / dt characteristics of the MOS FET deteriorate. Since the above-mentioned phenomenon is not preferable in driving the switching power supply, a means for preventing the parasitic diode of the MOS FET from conducting is required.

【0003】整流素子にMOS FETを使用し、その
寄生ダイオードを導通させないようにした従来のスイッ
チング電源の回路の一例を図2に示した。図2におい
て、M1は主整流用の整流素子としてのMOS FET
であり、M2は転流時整流用の整流素子としてのMOS
FETである。また、T2はコンバータトランスであ
り、1次巻線N1、2次巻線N2の他に複数の巻線を有
し、N3は転流時整流用MOS FET M2の駆動用
巻線、N4はバイアス用コンデンサC2の充電用巻線、
N5は整流用MOS FET M1の駆動用巻線であ
る。図2に示す回路の動作を、回路の各点の電圧波形を
示した図3を参照しながら以下に説明する。
FIG. 2 shows an example of a circuit of a conventional switching power supply in which a MOS FET is used as a rectifying element and its parasitic diode is not conducted. In FIG. 2, M1 is a MOS FET as a rectifying element for main rectification.
And M2 is a MOS as a rectifying element for rectification during commutation.
FET. T2 is a converter transformer, which has a plurality of windings in addition to the primary winding N1 and the secondary winding N2, N3 is a driving winding of the commutating rectification MOS FET M2, and N4 is a bias. Winding of the capacitor C2 for charging,
N5 is a driving winding of the rectifying MOS FET M1. The operation of the circuit shown in FIG. 2 will be described below with reference to FIG. 3 showing the voltage waveform at each point of the circuit.

【0004】いまスイッチングトランジスタQ1がオン
状態である時、直流電源EによりコンバータトランスT
2の1次巻線N1に電流が流れ、N2〜N5の各巻線に
電圧が誘起される。この時、駆動用巻線N5に誘起され
た電圧V2 により、整流用MOS FETM1は正バイ
アスされてオン状態となる。整流用MOS FET M
1がオン状態となることで2次巻線N2に誘起された電
圧Vt が負荷に直流電力を供給することになる。またこ
こで、バイアス用コンデンサC2は充電状態にあり、そ
の端子間電圧VC と駆動用巻線N3に誘起された電圧V
1 との関係がV1 >VC とすると、電圧V1 により転流
時整流用MOS FET M2は逆バイアスされてオフ
状態となる。
When the switching transistor Q1 is in the ON state, the DC transformer E supplies the converter transformer T
Current flows through the second primary winding N1, and a voltage is induced in each of the windings N2 to N5. At this time, the voltage V 2 induced in the driving winding N5, rectifying MOS FET M1 is turned on is positively biased. Rectification MOS FET M
1 induced voltage V t in the secondary winding N2 by the ON state is to supply DC power to the load. Also here, the bias capacitor C2 is in the charging state, the voltage V induced in the drive winding N3 and the terminal voltage V C
Assuming that the relationship with 1 is V 1 > V C , the commutation-time rectification MOS FET M2 is reverse-biased by the voltage V 1 and is turned off.

【0005】次にスイッチングトランジスタQ1がオフ
状態に移行すると、N2〜N5の各巻線には巻線の有す
るインダクタンスにより、それまでとは逆方向の電圧が
発生する。各巻線の電圧の極性が反転するため、今度
は、整流用MOS FET M1は逆バイアスされてオ
フ状態となる。また、この時充電用巻線N4に発生した
電圧は逆流阻止用のダイオードD1の順方向電圧となっ
てバイアス用コンデンサC2を充電し、転流時整流用M
OSFET M2は、駆動用巻線N3に発生した電圧と
バイアス用コンデンサC2の端子間電圧VC が重畳した
電圧により正バイアスされ、オン状態となる。転流時整
流用MOS FET M2がオン状態となることで、チ
ョークコイルL1の両端間には転流時整流用MOS F
ET M2の主電流路を介して閉回路が形成され、チョ
ークコイルL1に発生したフライバック電圧により負荷
に直流電力が供給される。
Next, when the switching transistor Q1 shifts to the off state, a voltage in a direction opposite to that of the current is generated in each of the windings N2 to N5 by the inductance of the windings. Since the polarity of the voltage of each winding is inverted, the rectifying MOS FET M1 is reverse-biased and turned off. At this time, the voltage generated in the charging winding N4 becomes a forward voltage of the backflow preventing diode D1 to charge the bias capacitor C2, and the commutating rectifier M1.
OSFET M2 is due to the voltage terminal voltage V C of the voltage and the bias capacitor C2 generated in the drive winding N3 is superimposed is positively biased to an ON state. When the commutation-time rectification MOS FET M2 is turned on, the commutation-time rectification MOS FET F is connected between both ends of the choke coil L1.
A closed circuit is formed via the main current path of ETM2, and DC power is supplied to the load by the flyback voltage generated in the choke coil L1.

【0006】スイッチングトランジスタQ1がオフ状態
にあり、しかもコンバータトランスT2は磁束リセット
状態となり、N2〜N5の各巻線に発生していた電圧が
零となった時には、転流時整流用MOS FET M2
は、バイアス用コンデンサC2の端子間電圧VC により
オン状態を維持し続けることになる。以上のような動作
を繰り返すことにより図2に示すスイッチング電源は駆
動され、常に整流用MOS FET M1と転流時整流
用MOS FET M2のどちらか一方は必ずオン状態
となり、MOS FETに存在する寄生ダイオードが導
通することは無い。
When the switching transistor Q1 is in the off state, the converter transformer T2 is in the magnetic flux reset state, and the voltage generated in each of the windings N2 to N5 becomes zero, the commutating rectification MOS FET M2
It will continue to maintain the ON state by the terminal voltage V C of the bias capacitor C2. By repeating the above operation, the switching power supply shown in FIG. 2 is driven, and either one of the rectifying MOS FET M1 and the commutating rectifying MOS FET M2 is always turned on, and the parasitic current existing in the MOS FET is always turned on. The diode does not conduct.

【0007】[0007]

【考案が解決しようとする課題】スイッチング電源の整
流素子としてMOS FETを使用する場合には、MO
S FETに存在する寄生ダイオードが導通しないよう
にすることが必要であることは前にも触れた。図2に示
す回路においては、寄生ダイオードが導通しないように
するために、コンバータトランスT2には、1次巻線N
1、2次巻線N2の他に、駆動用巻線N3、充電用巻線
N4、駆動用巻線N5というように多数の巻線を設けな
ければならない。このように一つのトランスに多数の巻
線を設けることは、巻線相互間の絶縁性、特に1次巻線
と2次及びその他の巻線との絶縁性について、また、巻
線の発熱によるトランスの放熱対策及び装置の小型化に
関して得策とは言えない。そこで本考案は、整流素子と
してMOS FETを使用し、そのMOS FETはス
イッチング素子に同期して駆動されるスイッチング電源
において、コンバータトランスに設ける巻線の増加を極
力抑えたスイッチング電源を得ることを目的とする。
When a MOS FET is used as a rectifying element of a switching power supply, an MO
It was mentioned earlier that it is necessary to keep the parasitic diodes present in the SFET from conducting. In the circuit shown in FIG. 2, the converter transformer T2 has a primary winding N to prevent the parasitic diode from conducting.
In addition to the primary and secondary windings N2, a large number of windings such as a driving winding N3, a charging winding N4, and a driving winding N5 must be provided. Providing a large number of windings on a single transformer in this way is not sufficient for insulation between the windings, especially for the insulation between the primary winding and the secondary and other windings, and also due to the heat generated by the windings. This is not an advantage in terms of measures for heat dissipation of the transformer and miniaturization of the device. Therefore, the present invention aims to obtain a switching power supply that uses a MOS FET as a rectifying element, and the MOS FET is driven in synchronization with the switching element and minimizes an increase in the number of windings provided in a converter transformer. And

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本考案は、チョークコイ
ルとして2次巻線を有するもの、コンバータトランスと
して3次巻線を有するものを使用し、チョークコイルの
2次巻線を充電用巻線、コンバータトランスの3次巻線
を駆動用巻線とし、転流時整流用のMOS FETのゲ
ート、ソース間にバイアス用のコンデンサと駆動用巻線
を直列に接続し、バイアス用コンデンサに対して並列接
続となるように充電用巻線と逆流阻止用のダイオードの
直列回路を設け、この時の逆流阻止用のダイオードの順
方向は、充電用巻線により充電されて発生するバイアス
用コンデンサの端子間電圧が転流時整流用のMOS F
ETを正バイアスするような方向としたことを特徴とす
るスイッチング電源である。
According to the present invention, a choke coil having a secondary winding and a converter transformer having a tertiary winding are used, and the secondary winding of the choke coil is charged. The tertiary winding of the converter transformer is used as a drive winding, and a bias capacitor and a drive winding are connected in series between the gate and source of a MOSFET for rectification during commutation. A series circuit of a charging winding and a diode for preventing backflow is provided so as to be connected in parallel, and the forward direction of the diode for preventing backflow at this time is a terminal of a bias capacitor generated by being charged by the charging winding. MOS F for rectification when inter-voltage is commutated
A switching power supply characterized in that ET is set in a direction of positively biasing.

【0009】[0009]

【実施例】コンバータトランスに設ける巻線数の増加を
極力抑えた、本考案によるスイッチング電源の一実施例
の回路を図1に示す。なお、図1において図2と同一部
分については同じ符号を付与してある。図1において、
直流電源Eの両端間に1次、2次及び駆動用巻線として
の3次巻線を有するコンバータトランスT1の1次巻線
N1と、Nチャネル型MOSFETによるスイッチング
トランジスタQ1の主電流路を直列に接続する。 スイ
ッチングトランジスタQ1のゲートには、図1において
は図示を省略してあるPWM制御回路の出力端が接続さ
れる。コンバータトランスT1の2次巻線N2の一端
を、1次及び充電用巻線としての2次巻線を有するチョ
ークコイルCLの1次巻線L1及び平滑コンデンサC1
を介してNチャネル型MOS FETよりなる整流素子
としての整流用MOSFET M1のソースに接続し、
整流用MOS FET M1のドレインをコンバータト
ランスT1の2次巻線N2の他端と接続する。この時、
コンバータトランスT1の2次巻線N2のチョークコイ
ルCLの1次巻線L1側の一端は、コンバータトランス
T1の1次巻線N1の直流電源Eの高電位側と接続され
る一端と同極とする。
FIG. 1 shows a circuit of an embodiment of a switching power supply according to the present invention in which an increase in the number of windings provided in a converter transformer is minimized. In FIG. 1, the same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. In FIG.
A primary winding N1 of a converter transformer T1 having a primary winding, a secondary winding and a tertiary winding as a driving winding between both ends of a DC power supply E, and a main current path of a switching transistor Q1 formed by an N-channel MOSFET are connected in series. Connect to The output terminal of the PWM control circuit, not shown in FIG. 1, is connected to the gate of the switching transistor Q1. One end of the secondary winding N2 of the converter transformer T1 is connected to a primary winding L1 of a choke coil CL having a primary winding and a secondary winding as a charging winding and a smoothing capacitor C1.
, And connected to the source of a rectifying MOSFET M1 as a rectifying element composed of an N-channel type MOS FET,
The drain of the rectifying MOS FET M1 is connected to the other end of the secondary winding N2 of the converter transformer T1. At this time,
One end of the secondary winding N2 of the converter transformer T1 on the primary winding L1 side of the choke coil CL has the same polarity as the one end of the primary winding N1 of the converter transformer T1 connected to the high potential side of the DC power supply E. I do.

【0010】整流用MOS FET M1のゲートは、
コンバータトランスT1の2次巻線N2とチョークコイ
ルCLの1次巻線L1の接続点と接続する。チョークコ
イルCLの1次巻線L1と平滑コンデンサC1に対して
並列となるように、Nチャネル型MOS FETよりな
る整流素子としての転流時整流用MOS FET M2
の主電流路を、平滑コンデンサC1側をソースとして接
続する。転流時整流用MOS FET M2のゲート
を、バイアス用コンデンサC2を介してコンバータトラ
ンスT1の3次巻線N3の一端と接続し、その3次巻線
N3の他端を転流時整流用MOS FET M2のソー
スと接続する。この時、コンバータトランスT1の3次
巻線N3の転流時整流用MOS FET M2のソース
と接続される側の一端は、コンバータトランスT1の1
次巻線N1の直流電源Eの高電位側と接続される一端と
同極とする。
The gate of the rectifying MOS FET M1 is
It is connected to a connection point between the secondary winding N2 of the converter transformer T1 and the primary winding L1 of the choke coil CL. A commutation-time rectifying MOS FET M2 as a rectifying element composed of an N-channel type MOS FET so as to be parallel to the primary winding L1 of the choke coil CL and the smoothing capacitor C1.
Are connected with the smoothing capacitor C1 side as a source. The gate of the commutation-time rectification MOS FET M2 is connected to one end of the tertiary winding N3 of the converter transformer T1 via the bias capacitor C2, and the other end of the tertiary winding N3 is connected to the commutation-time rectification MOS FET. Connect to the source of FET M2. At this time, one end of the tertiary winding N3 of the converter transformer T1 on the side connected to the source of the commutation-time rectification MOS FET M2 is connected to one end of the converter transformer T1.
It has the same polarity as one end of the next winding N1 connected to the high potential side of the DC power supply E.

【0011】バイアス用コンデンサC2に対して並列と
なるように、チョークコイルCLの2次巻線L2と逆流
阻止用のダイオードD1の直列回路を、ダイオードD1
のカソードがバイアス用コンデンサC2の転流時整流用
MOS FET M2のゲート側の一端となるように接
続する。この時、チョークコイルCLの2次巻線L2の
バイアス用コンデンサC2側の一端と、チョークコイル
CLの1次側巻線L1のコンバータトランスT1の2次
巻線N2側の一端が同極となるようにする。なお、平滑
コンデンサC1の両端がスイッチング電源の出力端とな
り、平滑コンデンサC1に対して並列に負荷RL が接続
される。以上に述べた回路構成とすることで、本考案に
よるコンバータトランスT1の2次巻線N2は、図2に
おけるコンバータトランスT2の2次巻線N2及び駆動
用巻線N5の機能を果たし、コンバータトランスT1の
3次巻線N3は、図2におけるコンバータトランスT2
の駆動用巻線N3の機能を果たし、チョークコイルCL
の2次巻線L2は、図2におけるコンバータトランスT
2の充電用巻線N4の機能を果たすことになる。これに
よりMOS FETに存在する寄生ダイオードが導通す
ること無く、コンバータトランスの巻線数の増加を抑え
ることができる。
A series circuit of a secondary winding L2 of the choke coil CL and a diode D1 for backflow prevention is connected to a diode D1 so as to be in parallel with the bias capacitor C2.
Is connected to the gate side of the rectifying MOS FET M2 during commutation of the bias capacitor C2. At this time, one end of the secondary winding L2 of the choke coil CL on the side of the bias capacitor C2 and one end of the primary winding L1 of the choke coil CL on the side of the secondary winding N2 of the converter transformer T1 have the same polarity. To do. Note that both ends of the smoothing capacitor C1 serve as output terminals of the switching power supply, and a load RL is connected in parallel to the smoothing capacitor C1. With the circuit configuration described above, the secondary winding N2 of the converter transformer T1 according to the present invention fulfills the functions of the secondary winding N2 and the driving winding N5 of the converter transformer T2 in FIG. The tertiary winding N3 of T1 is connected to the converter transformer T2 in FIG.
Performs the function of the driving winding N3, and the choke coil CL
Is connected to the converter transformer T in FIG.
2 performs the function of the charging winding N4. As a result, an increase in the number of turns of the converter transformer can be suppressed without the conduction of the parasitic diode existing in the MOS FET.

【0012】なお、図1に示す本考案の回路において、
充電用巻線の機能を果たすチョークコイルCLの2次巻
線L2は、スイッチングトランジスタQ1がオフ状態へ
移行してフライバック電圧に相当する電圧が発生した時
に、バイアス用コンデンサC2を充電するような極性と
なっている。これを逆の極性として、スイッチングトラ
ンジスタQ1がオン状態の時にチョークコイルCLの2
次巻線L2に誘起される起電圧によりバイアス用コンデ
ンサC2を充電するようにしても良い。また、図1に示
す回路において、整流用及び転流時整流用のMOS F
ETにNチャネル型を用いて実施例の説明を行ったが、
Pチャネル型のMOS FETでも使用可能であり、そ
の場合には、各巻線の極性が逆となるように回路を構成
すれば良い。さらに、MOS FETがターンオフする
時のスパイクノイズを低減させるために、整流素子とし
てのMOS FETに対して並列に、MOS FETの
寄生ダイオードよりも順方向電圧降下の小さいショット
キー障壁型のダイオードを設ける場合もある。
In the circuit of the present invention shown in FIG.
The secondary winding L2 of the choke coil CL, which functions as a charging winding, charges the bias capacitor C2 when the switching transistor Q1 shifts to the off state and a voltage corresponding to the flyback voltage is generated. Polarity. When the switching transistor Q1 is in the ON state, the polarity of the choke coil CL is changed to the opposite polarity.
The bias capacitor C2 may be charged by an electromotive voltage induced in the next winding L2. Also, in the circuit shown in FIG.
The embodiment has been described using the N-channel type for ET.
A P-channel type MOS FET can also be used. In this case, the circuit may be configured so that the polarity of each winding is reversed. Further, in order to reduce spike noise when the MOSFET is turned off, a Schottky barrier diode having a smaller forward voltage drop than a parasitic diode of the MOSFET is provided in parallel with the MOSFET as a rectifier. In some cases.

【0013】[0013]

【考案の効果】以上に述べたように、本考案は、整流素
子としてMOS FETを使用したスイッチング電源に
おいて、MOS FETに存在する寄生ダイオード導通
させずにMOS FETを駆動するのに、チョークコイ
ルに設けた2次巻線を充電用巻線としたものである。こ
のことにより、コンバータトランスの巻線数を少なくす
ることができるので、特にコンバータトランスの入力側
と出力側との絶縁対策に関する負担が軽減され、巻線の
絶縁や放熱対策が容易になる。また、これらと合わせて
コンバータトランスが小型化できることから、電源装置
の小型化、コスト低減にも寄与する。
As described above, according to the present invention, in a switching power supply using a MOS FET as a rectifying element, a MOS FET is driven without conducting a parasitic diode existing in the MOS FET. The secondary winding provided is a charging winding. As a result, the number of windings of the converter transformer can be reduced, so that the load on the insulation measures between the input side and the output side of the converter transformer is reduced, and the insulation of the windings and measures for heat dissipation are facilitated. In addition, since the converter transformer can be downsized in addition to these, it also contributes to downsizing of the power supply device and cost reduction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本考案のスイッチング電源の実施例の回路
図。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a switching power supply of the present invention.

【図2】 従来のスイッチング電源の回路図。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional switching power supply.

【図3】 図2に示す回路の各点における電圧波形。FIG. 3 is a voltage waveform at each point of the circuit shown in FIG. 2;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

E 直流電源 T1 3次巻線を有するコンバータトランス CL 2次巻線を有するチョークコイル M1 主整流用のMOS FET M2 転流時整流用のMOS FET C2 バイアス用コンデンサ E DC power supply T1 Converter transformer with tertiary winding CL Choke coil with secondary winding M1 MOS FET for main rectification M2 MOS FET for rectification during commutation C2 Bias capacitor

Claims (2)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 コンバータトランスの1次巻線に接続さ
れたスイッチング素子がスイッチング動作を行うことに
より、コンバータトランスの2次巻線に接続した整流平
滑回路を介して安定化した直流出力を負荷に供給するス
イッチング電源において、前記整流平滑回路は、整流素
子、転流時用整流素子、チョークコイル及び平滑コンデ
ンサより成り、該整流素子及び該転流時用整流素子とし
てMOSFETを使用し、該チョークコイルは2次巻線
を有し、また、該コンバータトランスは3次巻線を有
し、該チョークコイルの2次巻線を充電用巻線、該コン
バータトランスの3次巻線を駆動用巻線とし、該転流時
整流用のMOS FETのゲート、ソース間にバイアス
用のコンデンサと該駆動用巻線を直列に接続し、該バイ
アス用コンデンサに対して並列接続となるように該充電
用巻線と逆流阻止用のダイオードの直列回路を設け、こ
の時の該逆流阻止用のダイオードの順方向は、該充電用
巻線により充電されて発生する該バイアス用コンデンサ
の端子間電圧が該転流時整流用のMOS FETを正バ
イアスするような方向に接続し、該スイッチング素子が
オン状態の時には、該整流用のMOS FETがオン状
態、該転流時用のMOS FETがオフ状態となり、該
スイッチング素子がオフ状態の時には、該整流用のMO
S FETがオフ状態、該転流時用のMOS FETが
オン状態となるようにした同期整流方式のスイッチング
電源。
1. A switching element connected to a primary winding of a converter transformer performs a switching operation, so that a stabilized DC output is supplied to a load through a rectifying and smoothing circuit connected to a secondary winding of the converter transformer. In the switching power supply to be supplied, the rectifying / smoothing circuit includes a rectifying element, a rectifying element for commutation, a choke coil, and a smoothing capacitor, and uses a MOSFET as the rectifying element and the rectifying element for commutating. Has a secondary winding, the converter transformer has a tertiary winding, a secondary winding of the choke coil is a charging winding, and a tertiary winding of the converter transformer is a driving winding. A bias capacitor and the drive winding are connected in series between the gate and source of the commutating MOS FET during commutation, and the bias capacitor is connected to the A series circuit of the charging winding and a diode for preventing backflow is provided so as to be connected in parallel, and the forward direction of the diode for preventing backflow at this time is generated by being charged by the charging winding. When the voltage between the terminals of the bias capacitor is connected in such a direction as to positively bias the rectifying MOS FET at the time of commutation, and when the switching element is on, the rectifying MOS FET is turned on. When the switching MOSFET is turned off and the switching element is turned off, the rectifying MOS FET is turned off.
A synchronous rectification type switching power supply in which the S FET is turned off and the commutating MOS FET is turned on.
【請求項2】 請求項1のスイッチング電源において、
該整流用のMOS FETのゲート駆動電圧は、コンバ
ータトランスの2次巻線に発生する電圧より得ることを
特徴とするスイッチング電源。
2. The switching power supply according to claim 1,
A switching power supply, wherein a gate drive voltage of the rectifying MOS FET is obtained from a voltage generated in a secondary winding of a converter transformer.
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