JP2591319B2 - 静電容量式圧力検出装置 - Google Patents
静電容量式圧力検出装置Info
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Description
この発明は、差圧に応じて変位するダイラフラムと、
その各側に配設される固定電極との間にそれぞれ形成さ
れる静電容量に基づき差圧が測定される装置であって、
とくに十分な厚さの欠陥のない導体膜が形成されて信頼
性向上が図れる静電容量式差圧検出装置に関する。な
お、この静電容量式差圧検出装置は、差圧に係る圧力の
一方が大気圧または真空であることによって、ゲージ圧
用または絶対圧用の各検出装置になる。
その各側に配設される固定電極との間にそれぞれ形成さ
れる静電容量に基づき差圧が測定される装置であって、
とくに十分な厚さの欠陥のない導体膜が形成されて信頼
性向上が図れる静電容量式差圧検出装置に関する。な
お、この静電容量式差圧検出装置は、差圧に係る圧力の
一方が大気圧または真空であることによって、ゲージ圧
用または絶対圧用の各検出装置になる。
第７図は従来の静電容量式圧力検出装置の構成を示す
断面図である。ダイヤフラム10の各側に各固定電極15,2
0が取付けられている。固定電極15は、ダイヤフラム10
に対向配置された第１の導電性板12と、この第１導電性
板12に接合された絶縁板13と、この絶縁板13に接合され
た第２の導電性板14とからなり、第１導電性板12と、絶
縁板13と、第２導電性板14とを貫通して圧力P1用の導圧
孔25があけられる。この導圧孔25の内周面に導体膜27が
被覆される。そして、第１導電性板12と第２導電性板14
とが、導体膜27を介して電気的に接続される。 また、固定電極15には、絶縁板13に接合されて第１導
電性板12を取り囲む円環状溝23を隔てて環状の支持体21
が設けられ、この支持体21がダイヤフラム10に所定の厚
みのガラス結合部11で接合される。第１導電性板12と支
持体21とは電気的に絶縁されている。なお、支持体21は
絶縁体，導電体いずれでもよい。なお、導圧孔25は、第
１導電性板12とダイヤフラム10との間に形成された空隙
29に連通する。 なお、他方の固定電極20についても同様の構成であ
る。 ダイヤフラム10と、固定電極15とによって第１のコン
デンサが形成され、このコンデンサの静電容量Caが、導
体31,33およびリードピンA,Cを介して取出される。ま
た、同様にダイヤフラム10と固定電極20とによって第２
のコンデンサが形成され、このコンデンサの静電容量Cd
が導体32,33およびリードピンB,Cを介して取出される。 いま、圧力P1,P2がダイヤフラム10に作用すると、そ
の差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム10が変位し、こ
の変位に応じて静電容量Ca,Cbが変化し、この変化に基
づいて差圧を測定することができる。 第７図に示した圧力検出装置は、圧力P1,P2を受圧す
る二つの、図示していないシールダイヤフラムによって
密閉されたハウジング内に収納され、このハウジング内
に圧力伝達用の非圧縮性流体たとえばシリコーンオイル
が封入される。つまり、空隙29,30および導圧孔25,26に
はシリコーンオイルが充填されることになる。 さて通常、導体膜は、導圧孔の内周面に蒸着、または
スパッタリングによって被着され形成される。簡単に説
明すると、蒸着は、真空中で金属を加熱，蒸発させて対
象物表面、この場合には導圧孔内周面に被着させること
であり、スパッタリングは、グロー放電におけるガスイ
オンの衝突によって電極（金属）材料を放出させて対象
物表面に被着させることである。
断面図である。ダイヤフラム10の各側に各固定電極15,2
0が取付けられている。固定電極15は、ダイヤフラム10
に対向配置された第１の導電性板12と、この第１導電性
板12に接合された絶縁板13と、この絶縁板13に接合され
た第２の導電性板14とからなり、第１導電性板12と、絶
縁板13と、第２導電性板14とを貫通して圧力P1用の導圧
孔25があけられる。この導圧孔25の内周面に導体膜27が
被覆される。そして、第１導電性板12と第２導電性板14
とが、導体膜27を介して電気的に接続される。 また、固定電極15には、絶縁板13に接合されて第１導
電性板12を取り囲む円環状溝23を隔てて環状の支持体21
が設けられ、この支持体21がダイヤフラム10に所定の厚
みのガラス結合部11で接合される。第１導電性板12と支
持体21とは電気的に絶縁されている。なお、支持体21は
絶縁体，導電体いずれでもよい。なお、導圧孔25は、第
１導電性板12とダイヤフラム10との間に形成された空隙
29に連通する。 なお、他方の固定電極20についても同様の構成であ
る。 ダイヤフラム10と、固定電極15とによって第１のコン
デンサが形成され、このコンデンサの静電容量Caが、導
体31,33およびリードピンA,Cを介して取出される。ま
た、同様にダイヤフラム10と固定電極20とによって第２
のコンデンサが形成され、このコンデンサの静電容量Cd
が導体32,33およびリードピンB,Cを介して取出される。 いま、圧力P1,P2がダイヤフラム10に作用すると、そ
の差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム10が変位し、こ
の変位に応じて静電容量Ca,Cbが変化し、この変化に基
づいて差圧を測定することができる。 第７図に示した圧力検出装置は、圧力P1,P2を受圧す
る二つの、図示していないシールダイヤフラムによって
密閉されたハウジング内に収納され、このハウジング内
に圧力伝達用の非圧縮性流体たとえばシリコーンオイル
が封入される。つまり、空隙29,30および導圧孔25,26に
はシリコーンオイルが充填されることになる。 さて通常、導体膜は、導圧孔の内周面に蒸着、または
スパッタリングによって被着され形成される。簡単に説
明すると、蒸着は、真空中で金属を加熱，蒸発させて対
象物表面、この場合には導圧孔内周面に被着させること
であり、スパッタリングは、グロー放電におけるガスイ
オンの衝突によって電極（金属）材料を放出させて対象
物表面に被着させることである。
以上説明したような従来の技術では、次に述べるよう
に、導体膜に欠陥が生じるおそれがある、という問題が
ある。 導圧孔は、研削または超音波加工によるのが通常で、
表面粗さは、２〜５μｍ程度である。しかし実際には、
絶縁板と第1,第２の各導電性板とのガラス接合層の部分
が材質的に軟らかいから、この部分が選択的に削られ、
部分的に４〜８μｍ程度にも達する深い凹部状になるこ
とがある。 したがって、導体膜の形成のとき、蒸着、またはスパ
ッタリングする方向に対して、前記の深い凹部が陰にな
り、金属の被着が不十分になることが起こりうる。な
お、蒸着、またはスパッタリングによる導体膜の厚さ
は、通常0.2〜0.5μｍ程度である。前記の金属の被着が
不十分になることは、導体膜の部分的は欠落ないし欠
陥、たとえば膜厚の不足などにつながる。このことは、
導体膜の電気抵抗の測定によって確認されている。ま
た、元来の加工面の粗さも、前記の不十分な金属被着を
助長する要因の一つになりうる。 第６図は従来例の部分断面図である。図示の部分は、
第７図における左側の固定電極15の、絶縁板13近傍の導
圧孔25内周面に形成された導体膜27である。右側の固定
電極20についても同様であるから、以下固定電極15で代
表して説明する。 第６図において、絶縁板13の両側（図で下、上の各
側）には、第1,第２の各導電性板12,14が、ガラスの接
合層40によって接合される。研削または超音波加工され
た導圧孔25の内周面は、とくに軟らかい接合層40の箇所
で、図示のA,Bの各部分のように選択的に深く削られて
鋭い谷状の凹部を形成する。蒸着またはスパッタリング
される方向が図で上方から下向きであるから、この内周
面に被着される導体膜27は、接合層40の箇所において、
たとえば図示のＡ部分のように、凹部で分断される形で
部分的に欠落するか、図示のＢ部分のように、欠落はし
ないが凹部を閉じ込める形で厚さが異常に薄くなるとい
う欠陥、または図示してないが凹部内面を薄く被覆する
だけという欠陥などをもつ。 以上の導体膜の部分的な欠落ないし欠陥は、検出装置
の品質，信頼性に致命的である。たとえ、実際に欠落な
いし欠陥がなくても、少なくとも膜厚は部分的に薄い箇
所が生じるから、環境による温度変動、落雷に基づくサ
ージ電流、または誤操作による過大電流などによって導
体膜が破壊されることが十分、予想される。 この発明の課題は、従来の技術がもつ以上の問題点を
解消し、十分な厚さの欠陥のない導体膜が形成されて信
頼性向上が図れる静電容量式差圧検出装置を提供するこ
とにある。
に、導体膜に欠陥が生じるおそれがある、という問題が
ある。 導圧孔は、研削または超音波加工によるのが通常で、
表面粗さは、２〜５μｍ程度である。しかし実際には、
絶縁板と第1,第２の各導電性板とのガラス接合層の部分
が材質的に軟らかいから、この部分が選択的に削られ、
部分的に４〜８μｍ程度にも達する深い凹部状になるこ
とがある。 したがって、導体膜の形成のとき、蒸着、またはスパ
ッタリングする方向に対して、前記の深い凹部が陰にな
り、金属の被着が不十分になることが起こりうる。な
お、蒸着、またはスパッタリングによる導体膜の厚さ
は、通常0.2〜0.5μｍ程度である。前記の金属の被着が
不十分になることは、導体膜の部分的は欠落ないし欠
陥、たとえば膜厚の不足などにつながる。このことは、
導体膜の電気抵抗の測定によって確認されている。ま
た、元来の加工面の粗さも、前記の不十分な金属被着を
助長する要因の一つになりうる。 第６図は従来例の部分断面図である。図示の部分は、
第７図における左側の固定電極15の、絶縁板13近傍の導
圧孔25内周面に形成された導体膜27である。右側の固定
電極20についても同様であるから、以下固定電極15で代
表して説明する。 第６図において、絶縁板13の両側（図で下、上の各
側）には、第1,第２の各導電性板12,14が、ガラスの接
合層40によって接合される。研削または超音波加工され
た導圧孔25の内周面は、とくに軟らかい接合層40の箇所
で、図示のA,Bの各部分のように選択的に深く削られて
鋭い谷状の凹部を形成する。蒸着またはスパッタリング
される方向が図で上方から下向きであるから、この内周
面に被着される導体膜27は、接合層40の箇所において、
たとえば図示のＡ部分のように、凹部で分断される形で
部分的に欠落するか、図示のＢ部分のように、欠落はし
ないが凹部を閉じ込める形で厚さが異常に薄くなるとい
う欠陥、または図示してないが凹部内面を薄く被覆する
だけという欠陥などをもつ。 以上の導体膜の部分的な欠落ないし欠陥は、検出装置
の品質，信頼性に致命的である。たとえ、実際に欠落な
いし欠陥がなくても、少なくとも膜厚は部分的に薄い箇
所が生じるから、環境による温度変動、落雷に基づくサ
ージ電流、または誤操作による過大電流などによって導
体膜が破壊されることが十分、予想される。 この発明の課題は、従来の技術がもつ以上の問題点を
解消し、十分な厚さの欠陥のない導体膜が形成されて信
頼性向上が図れる静電容量式差圧検出装置を提供するこ
とにある。
この課題を解決するために、請求項１に係る静電容量
式差圧検出装置は、 差圧に応じて変位するダイヤフラムの各側に配設され
る固定電極が、 前記ダイヤフラムの中心部表面に近接対向する第１の
導電性板と； この第１導電性板の外周面から隔たってこれを取り囲
み、かつ前記タイヤフラムの周縁部表面と接合される環
状支持体と； この支持体と前記第１導電性板との、前記ダイヤフラ
ムとは逆側の各表面に共通に接合される絶縁板と； この絶縁板の他方の表面に接合される第２の導電性板
と； 前記第1,第２の各導電性板および前記絶縁板の各中心
部を共通に貫通する前記差圧に係る圧力用の導圧孔の内
周面に被覆される導体膜と；を備える装置において、 この導体膜は、予め形成された、放出，飛散された金
属微粒子の付着してなる金属膜上に、加熱溶融された金
属が分布して被覆された後に冷却，固定化されてなる。 請求項２に係る静電容量式差圧検出装置は、 差圧に応じて変位するダイヤフラムの各側に配設され
る固定電極が、 前記ダイヤフラムの中心部表面に近接対向する第１の
導電性板と； この第１導電性板の外周面から隔たってこれを取り囲
み、かつ前記タイヤフラムの周縁部表面と接合される環
状支持体と； この支持体と前記第１導電性板との、前記ダイヤフラ
ムとは逆側の各表面に共通に接合される絶縁板と； この絶縁板の他方の表面に接合される第２の導電性板
と； 前記第1,第２の各導電性板および前記絶縁板の各中心
部を共通に貫通する前記差圧に係る圧力用の導圧孔の内
周面に被覆される導体膜と；を備える装置において、 この導体膜は、溶液化された金属が塗布，被覆された
後に焼成されてなる。 請求項３に係る静電容量式差圧検出装置は、請求項１
に記載の装置において、加熱溶融される金属は、半田で
ある。 請求項４に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項１
または３に記載の装置において、加熱溶融されるべき金
属、または半田は、加熱溶融前に導圧孔の絶縁板近傍箇
所に置かれる、その箇所における前記導圧孔の直径に応
じた直径のリング状部材である。 請求項５に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項１
または３に記載の装置において、加熱溶融されるべき金
属、または半田は、加熱溶融前に導圧孔の絶縁板近傍箇
所に形成された段差部に置かれる、その箇所における前
記導圧孔の直径に応じた直径のリング状部材である。 請求項６に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項２
に記載の装置において、溶液化金属は、溶解された金属
と有機物とから構成される。 請求項７に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項６
に記載の装置において、金属は、貴金属たとえば金，白
金，ロジウム等である。 請求項８に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項６
に記載の装置において、金属は、卑金属たとえば銅，
錫，ニッケル，チタン等である。
式差圧検出装置は、 差圧に応じて変位するダイヤフラムの各側に配設され
る固定電極が、 前記ダイヤフラムの中心部表面に近接対向する第１の
導電性板と； この第１導電性板の外周面から隔たってこれを取り囲
み、かつ前記タイヤフラムの周縁部表面と接合される環
状支持体と； この支持体と前記第１導電性板との、前記ダイヤフラ
ムとは逆側の各表面に共通に接合される絶縁板と； この絶縁板の他方の表面に接合される第２の導電性板
と； 前記第1,第２の各導電性板および前記絶縁板の各中心
部を共通に貫通する前記差圧に係る圧力用の導圧孔の内
周面に被覆される導体膜と；を備える装置において、 この導体膜は、予め形成された、放出，飛散された金
属微粒子の付着してなる金属膜上に、加熱溶融された金
属が分布して被覆された後に冷却，固定化されてなる。 請求項２に係る静電容量式差圧検出装置は、 差圧に応じて変位するダイヤフラムの各側に配設され
る固定電極が、 前記ダイヤフラムの中心部表面に近接対向する第１の
導電性板と； この第１導電性板の外周面から隔たってこれを取り囲
み、かつ前記タイヤフラムの周縁部表面と接合される環
状支持体と； この支持体と前記第１導電性板との、前記ダイヤフラ
ムとは逆側の各表面に共通に接合される絶縁板と； この絶縁板の他方の表面に接合される第２の導電性板
と； 前記第1,第２の各導電性板および前記絶縁板の各中心
部を共通に貫通する前記差圧に係る圧力用の導圧孔の内
周面に被覆される導体膜と；を備える装置において、 この導体膜は、溶液化された金属が塗布，被覆された
後に焼成されてなる。 請求項３に係る静電容量式差圧検出装置は、請求項１
に記載の装置において、加熱溶融される金属は、半田で
ある。 請求項４に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項１
または３に記載の装置において、加熱溶融されるべき金
属、または半田は、加熱溶融前に導圧孔の絶縁板近傍箇
所に置かれる、その箇所における前記導圧孔の直径に応
じた直径のリング状部材である。 請求項５に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項１
または３に記載の装置において、加熱溶融されるべき金
属、または半田は、加熱溶融前に導圧孔の絶縁板近傍箇
所に形成された段差部に置かれる、その箇所における前
記導圧孔の直径に応じた直径のリング状部材である。 請求項６に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項２
に記載の装置において、溶液化金属は、溶解された金属
と有機物とから構成される。 請求項７に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項６
に記載の装置において、金属は、貴金属たとえば金，白
金，ロジウム等である。 請求項８に係る静電容量式圧力検出装置は、請求項６
に記載の装置において、金属は、卑金属たとえば銅，
錫，ニッケル，チタン等である。
請求項1,3〜５のいずれかに係る静電容量式差圧検出
装置では共通的に、導体膜は、予め形成された金属膜上
に、加熱溶融された金属、たとえば請求項３のように、
半田が分布し被覆された後に冷却，固体化されてなるか
ら、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での深い
凹部も、加熱溶融金属、たとえば半田によって埋めら
れ、導体膜は、厚みも強度も十分にあり、電気的な導通
機能も完全である。 請求項４に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加
熱溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決
めがなされる。 請求５に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加熱
溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決め
が、段差部によってさらに確実になるように支援され
る。 請求項2,6〜８のいずれかに係る静電容量式差圧検出
装置では共通的に、導体膜は、溶液化金属、たとえば請
求項６のように、溶解された金属（請求項7,8のよう
に、貴金属または卑金属の場合がある）と有機物とから
構成されるものが、塗布，被覆された後に焼成されてな
るから、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での
深い凹部も、強固に埋められ、導体膜は、厚みも強度も
十分にあり、電気的な導通機能も完全である。
装置では共通的に、導体膜は、予め形成された金属膜上
に、加熱溶融された金属、たとえば請求項３のように、
半田が分布し被覆された後に冷却，固体化されてなるか
ら、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での深い
凹部も、加熱溶融金属、たとえば半田によって埋めら
れ、導体膜は、厚みも強度も十分にあり、電気的な導通
機能も完全である。 請求項４に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加
熱溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決
めがなされる。 請求５に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加熱
溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決め
が、段差部によってさらに確実になるように支援され
る。 請求項2,6〜８のいずれかに係る静電容量式差圧検出
装置では共通的に、導体膜は、溶液化金属、たとえば請
求項６のように、溶解された金属（請求項7,8のよう
に、貴金属または卑金属の場合がある）と有機物とから
構成されるものが、塗布，被覆された後に焼成されてな
るから、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での
深い凹部も、強固に埋められ、導体膜は、厚みも強度も
十分にあり、電気的な導通機能も完全である。
本発明に係る実施例について、以下に図面を参照しな
がら説明する。 第１図は第１の実施例の部分断面図である。第１図に
おいて、導体膜１は、導圧孔25の内周面に被着する金属
膜２と、その上に被着する半田膜３との２層の膜からな
る。金属膜２は、従来例におけるのと同様に、蒸着また
はスパッタリングによるから、接合層40の部分での欠落
ないし欠陥は避けられない。しかし、半田膜３は、金属
膜２の上に、加熱溶融され、これに対して濡れ性をもつ
半田が分布し被覆され、その後に冷却，固体化したもの
であるから、厚さも１〜２μｍと厚く、かつ接合層40の
深い凹部に浸透してこれを埋め、金属膜２の欠落，欠陥
部分を十分、補強することができる。 第２図は第１実施例の半田を加熱溶融する前の製造工
程を示す断面図である。第２図において、半田リング４
は、絶縁板13の近傍箇所における導圧孔25の直径に応じ
た直径になるように、半田をリング状に形成したもので
ある。なお、半田リング４は、必ずしも円環状でなくて
も、一部で分離していても目的には十分である。第２図
のように、半田リング４を絶縁板13の近傍箇所に位置決
めして、加熱溶融する工程に移れば、金属膜２の欠落，
欠陥部分を補強することができる。 第３図は第２の実施例の部分断面図である。第２図に
おいて、導体膜１は、導圧孔25の内周面に被着する金属
膜２と、その上に被着する半田膜３との２層の膜からな
る点は、第１実施例と同様であるが、絶縁板13の部分に
段差部50を形成してある点が異なる。この段差部50は、
後述するように半田膜３を形成する前の工程で、半田リ
ングの位置決めを容易，確実にするのに有効である。 第４図は第２実施例の半田を加熱溶融する前の製造工
程を示す断面図である。第４図において、導圧孔25内周
面で絶縁板13の近傍箇所に、段差部50を加工しておき、
金属膜２を被着させた後に、この段差部50に、その直径
に応じた半田リング５を載置し位置決めする。この方法
によれば、半田リング５の位置決めが、より容易，確実
になり、作業性の向上が図れる。もちろん、第１実施例
と同様に、金属膜２の欠落，欠陥部分を補強することが
できる。 第５図は第３の実施例の部分断面図である。第５図に
おいて、導体膜６は、溶液化たれた金属、たとえば溶解
された金属と、有機物と、バインダとしてのガラス粉末
等の無機物とからなるものが、塗布された被覆された後
に、焼成されたものである。この導体膜６は、接合層40
での深い凹部にも浸透して、これを埋めることができ、
膜厚も以下い述べるように相当あり、また焼成によって
強度も十分ある。 なお、溶解される金属は、たとえば金，白金，ロジウ
ム等の貴金属であり、または銅，錫，ニッケル，チタン
等の卑金属である。また、塗布は、筆塗り，スプレーな
どによる。焼成温度は、種類によって幅があるが、一般
に約650℃、焼成膜厚は、0.5〜２μｍである。
がら説明する。 第１図は第１の実施例の部分断面図である。第１図に
おいて、導体膜１は、導圧孔25の内周面に被着する金属
膜２と、その上に被着する半田膜３との２層の膜からな
る。金属膜２は、従来例におけるのと同様に、蒸着また
はスパッタリングによるから、接合層40の部分での欠落
ないし欠陥は避けられない。しかし、半田膜３は、金属
膜２の上に、加熱溶融され、これに対して濡れ性をもつ
半田が分布し被覆され、その後に冷却，固体化したもの
であるから、厚さも１〜２μｍと厚く、かつ接合層40の
深い凹部に浸透してこれを埋め、金属膜２の欠落，欠陥
部分を十分、補強することができる。 第２図は第１実施例の半田を加熱溶融する前の製造工
程を示す断面図である。第２図において、半田リング４
は、絶縁板13の近傍箇所における導圧孔25の直径に応じ
た直径になるように、半田をリング状に形成したもので
ある。なお、半田リング４は、必ずしも円環状でなくて
も、一部で分離していても目的には十分である。第２図
のように、半田リング４を絶縁板13の近傍箇所に位置決
めして、加熱溶融する工程に移れば、金属膜２の欠落，
欠陥部分を補強することができる。 第３図は第２の実施例の部分断面図である。第２図に
おいて、導体膜１は、導圧孔25の内周面に被着する金属
膜２と、その上に被着する半田膜３との２層の膜からな
る点は、第１実施例と同様であるが、絶縁板13の部分に
段差部50を形成してある点が異なる。この段差部50は、
後述するように半田膜３を形成する前の工程で、半田リ
ングの位置決めを容易，確実にするのに有効である。 第４図は第２実施例の半田を加熱溶融する前の製造工
程を示す断面図である。第４図において、導圧孔25内周
面で絶縁板13の近傍箇所に、段差部50を加工しておき、
金属膜２を被着させた後に、この段差部50に、その直径
に応じた半田リング５を載置し位置決めする。この方法
によれば、半田リング５の位置決めが、より容易，確実
になり、作業性の向上が図れる。もちろん、第１実施例
と同様に、金属膜２の欠落，欠陥部分を補強することが
できる。 第５図は第３の実施例の部分断面図である。第５図に
おいて、導体膜６は、溶液化たれた金属、たとえば溶解
された金属と、有機物と、バインダとしてのガラス粉末
等の無機物とからなるものが、塗布された被覆された後
に、焼成されたものである。この導体膜６は、接合層40
での深い凹部にも浸透して、これを埋めることができ、
膜厚も以下い述べるように相当あり、また焼成によって
強度も十分ある。 なお、溶解される金属は、たとえば金，白金，ロジウ
ム等の貴金属であり、または銅，錫，ニッケル，チタン
等の卑金属である。また、塗布は、筆塗り，スプレーな
どによる。焼成温度は、種類によって幅があるが、一般
に約650℃、焼成膜厚は、0.5〜２μｍである。
請求項1,3〜５のいずれかに係る静電容量式差圧検出
装置では共通的に、導体膜は、予め形成された金属膜上
に、加熱溶融された金属、たとえば請求項３のように、
半田が分布し被覆された後に冷却，固体化されてなるか
ら、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での深い
凹部も、加熱溶融金属、たとえば半田によって埋めら
れ、導体膜は、厚みも強度も十分にあり、電気的な導通
機能も完全である。したがって、検出装置の検出性能の
維持と、信頼性向上とが図れる。 請求項４に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加
熱溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決
めがなされるから、作業性が良く、かつ検出装置の信頼
性向上が図れる。 請求項５に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加
熱溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決
めが、段差部によってさらに確実になるように支援され
るから、作業性がさらに良くなり、かつ検出装置の信頼
性向上が図れる。 請求項2,6〜８のいずれかに係る静電容量式差圧検出
装置では共通的に、導体膜は、溶液化金属、たとえば請
求項６のように、溶解された金属（請求7,8のように、
貴金属または卑金属の場合がある）と有機物とから構成
されるものが、塗布，被覆された後に焼成されてなるか
ら、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での深い
凹部も、強固に埋められ、導体膜は、厚みも強度も十分
にあり、電気的な導通機能も完全である。したかって、
検出装置の検出性能の維持と、信頼性向上とが図れる。
装置では共通的に、導体膜は、予め形成された金属膜上
に、加熱溶融された金属、たとえば請求項３のように、
半田が分布し被覆された後に冷却，固体化されてなるか
ら、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での深い
凹部も、加熱溶融金属、たとえば半田によって埋めら
れ、導体膜は、厚みも強度も十分にあり、電気的な導通
機能も完全である。したがって、検出装置の検出性能の
維持と、信頼性向上とが図れる。 請求項４に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加
熱溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決
めがなされるから、作業性が良く、かつ検出装置の信頼
性向上が図れる。 請求項５に係る静電容量式差圧検出装置では特に、加
熱溶融金属、たとえば半田の処理作業時の適切な位置決
めが、段差部によってさらに確実になるように支援され
るから、作業性がさらに良くなり、かつ検出装置の信頼
性向上が図れる。 請求項2,6〜８のいずれかに係る静電容量式差圧検出
装置では共通的に、導体膜は、溶液化金属、たとえば請
求項６のように、溶解された金属（請求7,8のように、
貴金属または卑金属の場合がある）と有機物とから構成
されるものが、塗布，被覆された後に焼成されてなるか
ら、導圧孔内周面の加工に起因する特に接合層での深い
凹部も、強固に埋められ、導体膜は、厚みも強度も十分
にあり、電気的な導通機能も完全である。したかって、
検出装置の検出性能の維持と、信頼性向上とが図れる。
第１図は本発明に係る第１の実施例の部分断面図、 第２図は第１実施例の一製造工程を示す断面図、 第３図は第２の実施例の部分断面図、 第４図は第２実施例の一製造工程を示す断面図、 第５図は第３の実施例の部分断面図、 第６図は従来例の部分断面図、 第７図は従来例の断面図である。 符号説明 1,6:導体膜、2:金属膜、3:半田膜、 4,5:半田リング、25:導圧孔、40:接合層、 50:段差部。
Claims (8)
- 【請求項１】差圧に応じて変位するダイヤフラムの各側
に配設される固定電極が、 前記ダイヤフラムの中心部表面に近接対向する第１の導
電性板と； この第１導電性板の外周面から隔たってこれを取り囲
み、かつ前記ダイヤフラムの周縁部表面と接合される環
状支持体と； この支持体と前記第１導電性板との、前記ダイヤフラム
とは逆側の各表面に共通に接合される絶縁板と； この絶縁板の他方の表面に接合される第２の導電性板
と； 前記第1,第２の各導電性板および前記絶縁板の各中心部
を共通に貫通する前記差圧に係る圧力用の導圧孔の内周
面に被覆される導体膜と；を備える装置において、 この導体膜は、予め形成された、放出，飛散された金属
微粒子の付着してなる金属膜上に、加熱溶融された金属
が分布して被覆された後に冷却，固体化されてなること
を特徴とする静電容量式圧力検出装置。 - 【請求項２】差圧に応じて変位するダイヤフラムの各側
に配設される固定電極が、 前記ダイヤフラムの中心部表面に近接対向する第１の導
電性板と； この第１導電性板の外周面から隔たってこれを取り囲
み、かつ前記ダイヤフラムの周縁部表面と接合される環
状支持体と； この支持体と前記第１導電性板との、前記ダイヤフラム
とは逆側の各表面に共通に接合される絶縁板と； この絶縁板の他方の表面に接合される第２の導電性板
と； 前記第1,第２の各導電性板および前記絶縁板の各中心部
を共通に貫通する前記差圧に係る圧力用の導圧孔の内周
面に被覆される導体膜と；を備える装置において、 この導体膜は、溶液化された金属が塗布，被覆された後
に焼成されてなることを特徴とする静電容量式圧力検出
装置。 - 【請求項３】請求項１に記載の装置において、加熱溶融
される金属は、半田であることを特徴とする静電容量式
圧力検出装置。 - 【請求項４】請求項１または３に記載の装置において、
加熱溶融されるべき金属、または半田は、加熱溶融前に
導圧孔の絶縁板近傍箇所に置かれる、その箇所における
前記導圧孔の直径に応じた直径のリング状部材であるこ
とを特徴とする静電容量式圧力検出装置。 - 【請求項５】請求項１または３に記載の装置において、
加熱溶融されるべき金属、または半田は、加熱溶融前に
導圧孔の絶縁板近傍箇所に形成された段差部に置かれ
る、その箇所における前記導圧孔の直径に応じた直径の
リング状部材であることを特徴とする静電容量式圧力検
出装置。 - 【請求項６】請求項２に記載の装置において、溶液化金
属は、溶解された金属と有機物とから構成されることを
特徴とする静電容量式圧力検出装置。 - 【請求項７】請求項６に記載の装置において、金属は貴
金属であることを特徴とする静電容量式圧力検出装置。 - 【請求項８】請求項６に記載の装置において、金属は、
卑金属であることを特徴とする静電容量式圧力検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28403690A JP2591319B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 静電容量式圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28403690A JP2591319B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 静電容量式圧力検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158233A JPH04158233A (ja) | 1992-06-01 |
| JP2591319B2 true JP2591319B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17673471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28403690A Expired - Lifetime JP2591319B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 静電容量式圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591319B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28403690A patent/JP2591319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04158233A (ja) | 1992-06-01 |
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