JP2586190B2 - Airtight package structure of semiconductor laser pump module - Google Patents
Airtight package structure of semiconductor laser pump moduleInfo
- Publication number
- JP2586190B2 JP2586190B2 JP2197652A JP19765290A JP2586190B2 JP 2586190 B2 JP2586190 B2 JP 2586190B2 JP 2197652 A JP2197652 A JP 2197652A JP 19765290 A JP19765290 A JP 19765290A JP 2586190 B2 JP2586190 B2 JP 2586190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- pump module
- package structure
- module
- window glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、希土類金属であるエルビゥム(Er3+)をド
ープした光ファイバアンプの励起光源に関し、特にその
励起光源に高出力の半導体レーザを使用した半導体レー
ザポンプモジュールの気密パッケージ構造に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pump light source for an optical fiber amplifier doped with erbium (Er 3+ ), which is a rare earth metal, and more particularly, to a high power semiconductor laser as the pump light source. The present invention relates to an airtight package structure of a used semiconductor laser pump module.
光信号を電気回路によらず、直接増幅できる光増幅器
として、光ファイバアンプが注目されている。この光フ
ァイバアンプとして、エルビゥム(Er3+)をドープした
光ファイバアンプがあるが、信号光を増幅するには励起
光が必要とされる。この励起光源として従来は色素レー
ザや固体レーザが使用されていたが、光通信システムと
して商用化されるには小形な半導体レーザの適用が条件
とされていた。Optical fiber amplifiers have attracted attention as optical amplifiers that can directly amplify optical signals without relying on electric circuits. As this optical fiber amplifier, there is an optical fiber amplifier doped with erbium (Er 3+ ), but pump light is required to amplify the signal light. Conventionally, a dye laser or a solid-state laser has been used as the excitation light source. However, in order to be commercialized as an optical communication system, the application of a small semiconductor laser has been required.
一方、半導体レーザへの要求条件に、特定の波長、高
出力、高信頼度が求められているが、この条件を満たす
半導体レーザとして約1490nm波長のレーザが考えられて
いる。On the other hand, a specific wavelength, high output, and high reliability are required for the requirements for the semiconductor laser, and a laser having a wavelength of about 1490 nm has been considered as a semiconductor laser satisfying these conditions.
従来の光ファイバアンプ構成例を第8図に示す。同図
はエルビゥムドープ光ファイバ1の入射端に波長合成カ
プラ2を設け、信号用半導体レーザモジュール3からの
信号光と励起用半導体レーザモジュール4からの励起光
を合成してエルビゥムドープ光ファイバ1に入射し、増
幅された信号光が幹線ケーブル5に送出されることを表
わしたものである。FIG. 8 shows a configuration example of a conventional optical fiber amplifier. In the figure, a wavelength combining coupler 2 is provided at an incident end of an erbium-doped optical fiber 1, a signal light from a signal semiconductor laser module 3 and a pump light from a pumping semiconductor laser module 4 are combined, and the combined light enters the erbium-doped optical fiber 1. , The amplified signal light is transmitted to the trunk cable 5.
一方、この増幅光を安定に出力させるためには励起用
半導体レーザモジュール4の励起光を制御させる必要が
ある。この制御手段の一例として、エルビゥムドープ光
ファイバ1の出射端に励起用半導体レーザモジュール4
からの励起光、例えば1490nmの波長以下を遮断する短波
長フィルタ6と1:10程度の分岐比をもつカプラ7を設
け、例えば1530nmの信号のみをわずかに反射させてこの
反射光をモニタ用ホトダイオードモジュール8に取り込
ませる。これにより、出力されるホトカレントから、差
動増幅器9やLD電流制御回路10等からなるAPC回路11を
動作させ、励起用半導体レーザモジュール4を駆動制御
させる手段が提案されていた。On the other hand, in order to output this amplified light stably, it is necessary to control the pumping light of the pumping semiconductor laser module 4. As an example of this control means, the semiconductor laser module 4 for excitation is provided at the emission end of the erbium-doped optical fiber 1.
For example, a short wavelength filter 6 for blocking the wavelength of 1490 nm or less and a coupler 7 having a branching ratio of about 1:10 are provided. For example, only a signal of 1530 nm is slightly reflected and the reflected light is used as a monitoring photodiode. The module 8 is loaded. Thus, means for operating the APC circuit 11 including the differential amplifier 9 and the LD current control circuit 10 from the output photocurrent to drive and control the excitation semiconductor laser module 4 has been proposed.
しかしその一方で、光通信装置の小形化や低コスト化
が要求されている現状に対し、本構成例で示すように励
起光源とモニタ用受光器とが分離されているため、励起
用半導体レーザモジュール4とモニタ用ホトダイオード
モジュール8が各1台づつ必要であった。すなわち、こ
のモニタ用ホトダイオードモジュール8の大きさは、通
常、励起用半導体レーザモジュール4と同程度の大きさ
を有することから、実質励起用半導体レーザモジュール
4の2台分の取付面積をパネルに確保する必要があり、
小形化への障害となっていた。また、モニタ用ホトダイ
オードモジュール8そのものの部品点数や細立工数も励
起用半導体レーザモジュール4とほぼ同程度必要とされ
ているため、その分のコスト増も低コスト化の障害とな
っていた。However, on the other hand, in contrast to the current demand for downsizing and cost reduction of optical communication devices, the excitation light source and the monitoring light receiver are separated as shown in this configuration example. One module 4 and one monitoring photodiode module 8 were required. That is, since the size of the monitoring photodiode module 8 is generally the same as the size of the pumping semiconductor laser module 4, a mounting area for substantially two pumping semiconductor laser modules 4 is secured on the panel. Need to
This was an obstacle to miniaturization. Further, since the number of components and the number of man-hours required for the monitor photodiode module 8 itself are almost the same as those of the pumping semiconductor laser module 4, the increase in cost is an obstacle to cost reduction.
したがって、本発明は光ファイバアンプの構成に不可
欠な励起光源とその駆動制御を目的としたモニタとを一
体化することにより、前記欠点を解消することを目的と
したものである。Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks by integrating an excitation light source indispensable for the configuration of an optical fiber amplifier and a monitor for controlling the driving thereof.
前記した目的を達成するために、本発明に係る半導体
レーザポンプモジュールの気密パッケージ構造は、エル
ビゥムドープ光ファイバアンプの励起光源に用いられる
半導体レーザポンプモジュールの気密パッケージ構造に
おいて、気密パッケージの形状を箱型とし、この箱型の
対向側面の一方に半導体レーザ光を透過する窓ガラスを
設け、かつ対向側面の他方に半導体レーザ光を遮断する
窓ガラスを設けた構成としたものである。In order to achieve the above object, the hermetic package structure of a semiconductor laser pump module according to the present invention is a hermetic package structure of a semiconductor laser pump module used for an excitation light source of an erbium-doped optical fiber amplifier. A window glass for transmitting the semiconductor laser light is provided on one of the box-shaped opposed side surfaces, and a window glass for blocking the semiconductor laser light is provided on the other of the opposed side surfaces.
このように本発明によれば、従来のモニタ用ホトダイ
オードモジュールを削除して1台の半導体レーザポンプ
モジュールに統合できることから、パネルの小形化と、
低コスト化を図ることが可能となる。As described above, according to the present invention, the conventional monitoring photodiode module can be eliminated and integrated into a single semiconductor laser pump module.
Cost reduction can be achieved.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明に係る半導体レーザポンプモジュール
の気密パッケージ構造の一実施例を示す横断面図、第2
図は同気密パッケージ構造の斜視図である。本実施例で
は、熱膨張率の小さい金属材料で作られた箱型パッケー
ジ12の対向側面12a、12bのうち一方の側面12aに励起光
源用の半導体レーザ光を透過する窓ガラス13を設け、か
つ他方の側面12bに励起用の半導体レーザ光を遮断し、
信号光を透過可能な窓ガラス14を設けた構成としたもの
である。なお、本実施例では窓ガラス13および14をパイ
プ15に取り付けた構造をしているが、箱型パッケージ12
の対向側面12a、12bに直接取り付けた構成としてもよ
い。FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of an airtight package structure of a semiconductor laser pump module according to the present invention.
The figure is a perspective view of the airtight package structure. In the present embodiment, a window glass 13 that transmits the semiconductor laser light for the excitation light source is provided on one of the side surfaces 12a of the opposing side surfaces 12a and 12b of the box-shaped package 12 made of a metal material having a small coefficient of thermal expansion, and Block the semiconductor laser light for excitation on the other side surface 12b,
In this configuration, a window glass 14 capable of transmitting signal light is provided. In this embodiment, the window glasses 13 and 14 have a structure in which they are attached to the pipe 15.
May be directly attached to the opposed side surfaces 12a and 12b.
また、気密パッケージとしての機能を果たすため、箱
型パッケージ12の対向側面以外の側面12c、12dにはパッ
ケージ内外を電気的に接続する中継端子16がガラス半田
等で気密に組み込まれている。さらに、前記2個の窓ガ
ラス13、14の内、励起用半導体レーザ光を遮断し、信号
光を透過する窓ガラス14を説明するための拡大図を第3
図(A)、(B)、(C)に示す。窓ガラス14は、BK7
やサファイヤガラス等の光学ガラス14aを円板状に加工
し、一方の側面にSio2等の誘電体を蒸着して反射防止膜
14bを設け、他方の側面に同様な誘電体材料を蒸着して
短波長遮断膜14cを設けた構成としたものである。この
短波長遮断膜14cと反射防止膜14bを蒸着した後の波長特
性は第3図(C)に示すように励起用光源の波長である
1490nmを含む短波長域を大きく減衰させ、かつ信号光の
波長である1530nm以上の長波長域を極力透過させるよう
になっている。この特性を得るには光学ガラス14aの材
質特性や誘電体材料の特性を考慮して計算し、蒸着条件
が設定されるもので、通常、誘電体材料を数種組み合わ
せてかつ何層にも蒸着される。Further, in order to fulfill the function as an airtight package, relay terminals 16 for electrically connecting the inside and outside of the package are hermetically incorporated into the side surfaces 12c and 12d other than the opposing side surfaces of the box-shaped package 12 with glass solder or the like. Further, among the two window glasses 13 and 14, an enlarged view for explaining the window glass 14 that blocks the semiconductor laser light for excitation and transmits the signal light is shown in FIG.
Figures (A), (B) and (C) show. Window glass 14, BK7
Optical glass 14a such as glass or sapphire glass is processed into a disk shape, and a dielectric such as Sio2 is deposited on one side surface to prevent reflection.
14b, and a similar dielectric material is deposited on the other side surface to provide a short-wavelength blocking film 14c. The wavelength characteristics after the deposition of the short wavelength blocking film 14c and the antireflection film 14b are the wavelengths of the excitation light source as shown in FIG. 3 (C).
It is designed to greatly attenuate the short wavelength region including 1490 nm and transmit the long wavelength region of 1530 nm or more, which is the wavelength of signal light, as much as possible. In order to obtain this characteristic, calculation is performed in consideration of the material characteristics of the optical glass 14a and the characteristics of the dielectric material, and the vapor deposition conditions are set.In general, several types of dielectric materials are combined and vapor deposition is performed in multiple layers. Is done.
また、光学ガラス14aの一方の面(本例では反射防止
膜14bの面)の周囲には、パッケージに取り付けられる
ように金属膜14dを蒸着している。In addition, a metal film 14d is deposited around one surface of the optical glass 14a (the surface of the antireflection film 14b in this example) so as to be attached to a package.
このようにして作られた窓ガラス14を、気密パッケー
ジに組み込んだ状態を説明するための部分拡大図を第4
図に示す。同図に示すように、光学ガラス14aに反射防
止膜14b、短波長遮断膜14c、金属膜14dを蒸着した窓ガ
ラス14は、気密パッケージ12に銀ロー付け等で気密に取
り付けられたパイプ15の窓ガラス取付座17に、金・スズ
半田等の半田材料18でもって気密に貼りつけられてい
る。このような構造を採用することにより、気密パッケ
ージ12の内外は完全にシールされた構造となる。FIG. 4 is a partially enlarged view for explaining a state in which the window glass 14 thus manufactured is incorporated in an airtight package.
Shown in the figure. As shown in the figure, a window glass 14 in which an antireflection film 14b, a short wavelength blocking film 14c, and a metal film 14d are deposited on an optical glass 14a is a It is airtightly attached to a window glass mounting seat 17 with a solder material 18 such as gold or tin solder. By employing such a structure, the inside and the outside of the hermetic package 12 are completely sealed.
一方、第1図に示す窓ガラス13は窓ガラス14に蒸着し
た短波長遮断膜14cのみを削除したものであり、反射防
止膜14dや金属膜14dは同様に蒸着されており、第4図に
示す取付方法にして組み込まれている。ただし、本例で
は、金・スズ半田でもって貼り付けるとしたが、低融点
ガラス等のガラス半田を用いてもよく、この場合、金属
膜14dは不要となる。On the other hand, the window glass 13 shown in FIG. 1 is obtained by removing only the short-wavelength blocking film 14c deposited on the window glass 14, and the antireflection film 14d and the metal film 14d are similarly deposited. It is incorporated with the mounting method shown. However, in this example, the bonding is performed using gold / tin solder, but glass solder such as low-melting glass may be used. In this case, the metal film 14d is not required.
以上本発明のパッケージ構造とすることにより、本発
明の目的である半導体レーザ素子とモニタ用のホトダイ
オード素子を一体化させた組合わせ素子が実装可能とな
る。この実施例を第5図に示す。すなわち、一体化基板
19に半導体レーザ素子20とモニタホトダイオード素子21
をお互いに反対向きに取り付けた一体化素子を作製する
ことにより可能となるものであり、逆にこのような一体
化素子の設計が可能な半導体レーザポンプモジュール22
を実現できる。つまり、半導体レーザ素子20からの励起
光を窓ガラス13を透過させて、光ファイバ23に入射さ
せ、エルビゥムドープ光ファイバアンプからの分岐光を
光ファイバ24を介して導く。そして、窓ガラス14にて半
導体レーザ素子20の励起光成分を除去し、信号光成分の
みを透過させてモニタホトダイオード素子21に照射させ
るものである。With the package structure of the present invention as described above, it is possible to mount a combined element in which the semiconductor laser element and the monitoring photodiode element, which are the objects of the present invention, are integrated. This embodiment is shown in FIG. That is, the integrated substrate
19 shows a semiconductor laser element 20 and a monitor photodiode element 21
Can be made by fabricating an integrated element in which the semiconductor laser pump modules 22 are mounted in opposite directions.
Can be realized. That is, the excitation light from the semiconductor laser element 20 is transmitted through the window glass 13 and made incident on the optical fiber 23, and the branch light from the erbium-doped optical fiber amplifier is guided through the optical fiber 24. Then, the excitation light component of the semiconductor laser element 20 is removed by the window glass 14, and only the signal light component is transmitted to irradiate the monitor photodiode element 21.
したがって、従来、励起用半導体レーザモジュールと
モニタ用ホトダイオードモジュールとを1台づつ必要で
あったのに対し本発明の気密パッケージを使用すること
により、1台に統合した半導体レーザポンプモジュール
が実現できる。特に、その大きさも従来の励起用半導体
レーザモジュールと同程度の大きさで実現できる。Therefore, conventionally, one semiconductor laser module for excitation and one photodiode module for monitoring were required, but by using the hermetic package of the present invention, a semiconductor laser pump module integrated into one module can be realized. In particular, the size can be realized by the same size as the conventional semiconductor laser module for excitation.
また、本発明の気密パッケージを用いて実現させた半
導体レーザアンプモジュールの適用例を第6図と第7図
に示す。エルビゥムドープ光ファイバ25の出射端のカプ
ラ26または融着カプラ27からの分岐光を、モニタ用光フ
ァイバ28と29にて半導体レーザポンプモジュール30のモ
ニタホトダイオード素子30aに導くだけでよく、従来構
成例で使用していたモニタ用ホトダイオードモジュール
を削除することができる。なお、モニタ用光ファイバ2
8、29は通常のシングルモードファイバかマルチモード
ファイバが使用される。また、第6図、第7図におい
て、符号30bは半導体レーザ素子、31は信号用半導体レ
ーザモジュール、32は波長合成カプラ、33は幹線光ケー
ブルをそれぞれ示している。6 and 7 show an application example of a semiconductor laser amplifier module realized by using the hermetic package of the present invention. The branch light from the coupler 26 or the fusion coupler 27 at the emission end of the erbium-doped optical fiber 25 need only be guided to the monitor photodiode element 30a of the semiconductor laser pump module 30 by the monitor optical fibers 28 and 29, which is a conventional configuration example. The used monitoring photodiode module can be deleted. The monitor optical fiber 2
For 8, 29, normal single mode fiber or multimode fiber is used. 6 and 7, reference numeral 30b denotes a semiconductor laser element, 31 denotes a signal semiconductor laser module, 32 denotes a wavelength combining coupler, and 33 denotes a trunk optical cable.
なお、上述した実施例ではパッケージ構造を箱型でか
つその材質を金属としたが、変形した箱型形状やセラミ
ック等の材料で組み合わせたりした場合においても本発
明が適用されるものである。In the above-described embodiment, the package structure is box-shaped and the material is metal, but the present invention is also applicable to a case where the package structure is combined with a deformed box-shaped shape or a material such as ceramic.
以上の如く、本発明の気密パッケージ構造を採用する
ことにより、従来のモニタ用ホトダイオードモジュール
を削除して1台の半導体レーザポンプモジュールに統合
できるのでパネルの小形化と、低コスト化に貢献できる
という優れた効果を奏する。As described above, by adopting the hermetic package structure of the present invention, the conventional photodiode module for monitoring can be eliminated and integrated into one semiconductor laser pump module, thereby contributing to downsizing of the panel and cost reduction. It has excellent effects.
第1図は本発明に係る半導体レーザポンプモジュールの
気密パッケージ構造を示す横断面図、第2図は同気密パ
ッケージ構造の斜視図、第3図(A)〜(C)は窓ガラ
スの断面図、正面図および蒸着膜の波長特性図、第4図
は窓ガラスの取り付け方法を説明するための部分拡大
図、第5図は本発明の気密パッケージを使用して組み立
てた半導体レーザポンプモジュールの断面図、第6図と
第7図はこの半導体レーザポンプモジュールの適用例を
示す光ファイバアンプの構成図、第8図は従来の光ファ
イバアンプの構成図である。 12……箱型パッケージ、 12a、12b……対向側面、 13、14……窓ガラス、 14a……光学ガラス、 14b……反射防止膜、 14c……短波長遮断膜、 14d……金属膜、 25……エルビゥムドープ光ファイバ、 30……半導体レーザポンプモジュール。1 is a cross-sectional view showing the hermetic package structure of the semiconductor laser pump module according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view of the hermetic package structure, and FIGS. 3A to 3C are cross-sectional views of window glass. FIG. 4 is a partially enlarged view for explaining a method of attaching a window glass, and FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor laser pump module assembled using the hermetic package of the present invention. FIGS. 6 and 7 are diagrams showing the configuration of an optical fiber amplifier showing an application example of the semiconductor laser pump module, and FIG. 8 is a diagram showing the configuration of a conventional optical fiber amplifier. 12: Box-type package, 12a, 12b: Opposite side surface, 13, 14: Window glass, 14a: Optical glass, 14b: Anti-reflective coating, 14c: Short wavelength blocking film, 14d: Metal film, 25 ... Erbium-doped optical fiber, 30 ... Semiconductor laser pump module.
Claims (2)
光源に用いられる半導体レーザポンプモジュールの気密
パッケージ構造において、前記気密パッケージの形状を
箱型とし、この箱型の対向側面の一方に前記半導体レー
ザ光を透過する窓ガラスを設け、かつ対向側面の他方に
前記半導体レーザ光を遮断する窓ガラスを設けたことを
特徴とする半導体レーザポンプモジュールの気密パッケ
ージ構造。In an airtight package structure of a semiconductor laser pump module used as an excitation light source of an Erbium-doped optical fiber amplifier, the airtight package has a box shape, and the semiconductor laser light is transmitted through one of the opposing side surfaces of the box shape. A hermetic package structure of a semiconductor laser pump module, wherein a window glass is provided, and a window glass for blocking the semiconductor laser light is provided on the other of the opposite side surfaces.
は、光学ガラス板に誘電体多層膜を蒸着して前記半導体
レーザ光の波長を含む短波長を遮断し、前記半導体レー
ザ光の波長を含まない長波長を透過させるように構成し
たことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザポンプ
モジュールの気密パッケージ構造。2. A window glass for intercepting the semiconductor laser light, wherein a short-wavelength including the wavelength of the semiconductor laser light is intercepted by depositing a dielectric multilayer film on an optical glass plate and includes a wavelength of the semiconductor laser light. 2. The hermetic package structure of a semiconductor laser pump module according to claim 1, wherein the semiconductor laser pump module is configured to transmit light having a long wavelength.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2197652A JP2586190B2 (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Airtight package structure of semiconductor laser pump module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2197652A JP2586190B2 (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Airtight package structure of semiconductor laser pump module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0484475A JPH0484475A (en) | 1992-03-17 |
JP2586190B2 true JP2586190B2 (en) | 1997-02-26 |
Family
ID=16378064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2197652A Expired - Lifetime JP2586190B2 (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Airtight package structure of semiconductor laser pump module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2586190B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10177528B1 (en) | 2017-07-10 | 2019-01-08 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Package for mounting light-emitting device |
JP6924641B2 (en) | 2017-07-17 | 2021-08-25 | 日本特殊陶業株式会社 | Light emitting element mounting package and its manufacturing method |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP2197652A patent/JP2586190B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0484475A (en) | 1992-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7044660B2 (en) | Erbium-doped fiber amplifier and integrated circuit module components | |
US5661835A (en) | Optical composite module and method of assembling the same | |
JP3616229B2 (en) | Single-port optical modulation device, integrated circuit including the device, and method of operating an optical modulator | |
JP3861816B2 (en) | Optical transceiver module and manufacturing method thereof | |
CN111106526B (en) | Semiconductor optical amplifier chip, optical receiving subassembly and optical module | |
US10484121B2 (en) | Receiver optical module implementing optical attenuator | |
JPH02124504A (en) | Photodetecting module | |
CN108957649A (en) | A kind of parallel photo structure is double to receive double hair hermetically sealed optical devices of cell type | |
CN208737057U (en) | A kind of parallel photo structure is double to receive double hair hermetically sealed optical devices of cell type | |
JPH041614A (en) | Optical amplifying device | |
US5317660A (en) | Optical transmission system with optical filter for providing protection against giant pulses | |
JP3269540B2 (en) | Optical amplifier | |
JP2586190B2 (en) | Airtight package structure of semiconductor laser pump module | |
JP3979396B2 (en) | Optical module and manufacturing method thereof | |
WO1998033080A1 (en) | Optical isolator module and optical amplifier using the same | |
US20060001949A1 (en) | Fibre optic amplifier module | |
JPH02118607A (en) | Photocoupling circuit | |
JPH0484480A (en) | Chip carrier type composite optical element | |
JPH10206678A (en) | Light semiconductor element module | |
JP2542003Y2 (en) | Optical semiconductor device module | |
JPH04355705A (en) | Semiconductor laser module | |
JP3879157B2 (en) | Optical filter and optical module using optical filter | |
JP2530744B2 (en) | Light module | |
Metzger et al. | Photonic integrated transceiver for the access network | |
US20030031395A1 (en) | High isolation gain flattening filter |