JPH10206678A - Light semiconductor element module - Google Patents

Light semiconductor element module

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Publication number
JPH10206678A
JPH10206678A JP1396497A JP1396497A JPH10206678A JP H10206678 A JPH10206678 A JP H10206678A JP 1396497 A JP1396497 A JP 1396497A JP 1396497 A JP1396497 A JP 1396497A JP H10206678 A JPH10206678 A JP H10206678A
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JP
Japan
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optical
light
wavelength
receiving
optical fiber
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Application number
JP1396497A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Suda
博 須田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bidirectional wave length multiplex communication light semiconductor element module having three wave lengths without enlarging the module by using a plate-like optical part where characteristically different two kinds of band-pass filters are formed on both surfaces. SOLUTION: A first wave length light signal emitted from a first semiconductor laser 11 passes through a first and a second band-pass filters 33 and 34 formed on plate glass 32, and couples with an optical fiber 7. A second wave length light signal emitted from a second semiconductor laser 21 passes through a third band-pass filter 36, and is reflected by the second band-pass filter 34, and couples with the optical fiber 7. A third wave length light signal is made incident from the optical fiber 7, and passes through the second band-pass filter 34, and is reflected by the first band-pass filter 33, and again passes through the second band-pass filter 34, and passes through a third band-pass filter 36, and is made incident on a receiving photodiode 25.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信において
光ファイバを伝送路として波長多重により双方向通信を
行う光半導体素子モジュールに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device module for performing bidirectional communication by wavelength multiplexing using an optical fiber as a transmission line in optical communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は、例えば、特願平6−29970
2号(発明の名称:光半導体素子モジュール)に示され
た、従来の2波長の双方向波長多重通信を行う光半導体
素子モジュールである。図において、1は発光素子、2
は受光素子、3は受光素子への入射光を集光するレン
ズ、4は光分離フィルタ、5はバンドパスフィルタ、6
はケース、7は光ファイバ、8は光ファイバ7を保持す
るフェルール、9は光ファイバホルダ、10は受光素子
のホルダである。
FIG. 6 shows, for example, Japanese Patent Application No. 6-29970.
No. 2 (Title of Invention: Optical Semiconductor Element Module) is a conventional optical semiconductor element module for performing bidirectional wavelength multiplexing communication of two wavelengths. In the figure, 1 is a light emitting element, 2
Is a light receiving element, 3 is a lens for condensing light incident on the light receiving element, 4 is a light separation filter, 5 is a band pass filter, 6
Denotes a case, 7 denotes an optical fiber, 8 denotes a ferrule for holding the optical fiber 7, 9 denotes an optical fiber holder, and 10 denotes a light receiving element holder.

【0003】発光素子1は、半導体レーザと、この半導
体レーザの光出力をモニタするためのモニタホトダイオ
ードと、これら半導体レーザとモニタホトダイオードを
半田で固定するためのブロックと、半導体レーザからの
出射光を集光するレンズと、このレンズを保持するキャ
ップと、ステムにより気密がとれるようにし、また、リ
ード端子がステムに接続されており、外部と電気的接続
ができるようにパッケージされている。同様に、受光素
子2は、受信用ホトダイオードと、この受信用ホトダイ
オードを半田で固定するためのブロックと、キャップ
と、このキャップに低融点ガラスにより固定された窓ガ
ラスと、ステムにより気密がとれるようにし、また、リ
ード端子がステムに接続されており、外部と電気的接続
ができるようにパッケージされている。光分離フィルタ
4は平板ガラスの発光素子1側の面には、この発光素子
1に納められた半導体レーザからの出射光である第1の
波長の光信号がこの光分離フィルタ4で反射しないよう
に設計された反射防止膜が蒸着により形成されており、
かつ、この光分離フィルタ4のもう一方の面には、発光
素子1に納められた半導体レーザからの出射光である第
1の波長の光信号を透過し、かつ、受光素子2に納めら
れた受信用ホトダイオードへの入射光である第2の波長
の光信号を反射するよう設計された誘電体多層膜フィル
タが蒸着により形成されたものである。
The light emitting element 1 includes a semiconductor laser, a monitor photodiode for monitoring an optical output of the semiconductor laser, a block for fixing the semiconductor laser and the monitor photodiode by solder, and a light emitting element for emitting light from the semiconductor laser. The condenser lens, the cap for holding the lens, and the stem are made more airtight, and the lead terminals are connected to the stem so that they are packaged so that they can be electrically connected to the outside. Similarly, the light receiving element 2 has a receiving photodiode, a block for fixing the receiving photodiode with solder, a cap, a window glass fixed to the cap with low-melting glass, and a stem so that airtightness can be obtained. The lead terminals are connected to the stem, and are packaged so that they can be electrically connected to the outside. The light separating filter 4 is provided on the surface of the flat glass on the light emitting element 1 side so that an optical signal of a first wavelength, which is light emitted from a semiconductor laser contained in the light emitting element 1, is not reflected by the light separating filter 4. The anti-reflection film designed for is formed by evaporation,
On the other surface of the light separating filter 4, an optical signal of the first wavelength, which is light emitted from the semiconductor laser contained in the light emitting element 1, is transmitted and contained in the light receiving element 2. A dielectric multilayer filter designed to reflect an optical signal of a second wavelength which is incident light to a receiving photodiode is formed by vapor deposition.

【0004】この光分離フィルタ4は、発光素子1に納
められた半導体レーザから出射された第1の波長の光信
号が、この光分離フィルタ4に形成された反射防止膜と
誘電体多層膜フィルタを透過して、光ファイバ7と結合
し、かつ、受光素子2に納められた受信用ホトダイオー
ドに入射される第2の波長の光信号が光ファイバ7から
入射された後、この光分離フィルタ4に形成された誘電
体多層膜により光ファイバ7の中心軸に対し垂直方向に
反射され、レンズ3により集光され、バンドパスフィル
タ5を透過して、上記受信用ホトダイオードに入射する
よう傾きを持たせて固定されている。バンドパスフィル
タ5は、発光素子1に納められた半導体レーザからの出
射光である第1の波長の光信号を反射し、かつ、受光素
子2に納められた受信用ホトダイオードへの入射光であ
る第2の波長の光信号を透過するよう設計された誘電体
多層膜フィルタを蒸着により平板ガラスの両面に形成さ
れたものである。このバンドパスフィルタ5は発光素子
1に納められた半導体レーザから出射された第1の波長
の光信号が、光分離フィルタ4で乱反射され、モジュー
ル内部で反射を繰り返し、最終的に受光素子2に納めら
れた受信用ホトダイオードに入射することにより生じる
近端漏話を防止する目的で受光素子2とレンズ3の間に
設置されている。レンズ3は、光ファイバ7から入射さ
れ、光分離フィルタ4で反射し、バンドパスフィルタ5
を透過した受光素子2に納められた受信用ホトダイオー
ドへ入射される光信号をこの受信用ホトダイオードに最
適に入射するよう位置を調整し固定されている。受光素
子2、レンズ3、バンドパスフィルタ5は受光素子のホ
ルダ10に、光ファイバ7はフェルール8に、このフェ
ルール8はファイバホルダ9に、また、発光素子1、光
分離フィルタ4、ファイバホルダ9、受光素子のホルダ
10はケース6に各々接着等により固定されている。
The light separating filter 4 is configured such that an optical signal of a first wavelength emitted from a semiconductor laser contained in the light emitting element 1 is formed by an antireflection film and a dielectric multilayer film filter formed on the light separating filter 4. After being transmitted from the optical fiber 7 and being coupled to the optical fiber 7 and being incident on the receiving photodiode contained in the light receiving element 2 and having an optical signal of the second wavelength, the optical separation filter 4 The light is reflected in a direction perpendicular to the central axis of the optical fiber 7 by the dielectric multilayer film formed on the optical fiber 7, is condensed by the lens 3, passes through the band-pass filter 5, and has an inclination so as to be incident on the receiving photodiode. Let it be fixed. The bandpass filter 5 reflects an optical signal of the first wavelength, which is light emitted from the semiconductor laser contained in the light emitting element 1, and is light incident on the receiving photodiode contained in the light receiving element 2. A dielectric multilayer filter designed to transmit an optical signal of a second wavelength is formed on both sides of a flat glass by vapor deposition. The band-pass filter 5 irregularly reflects the optical signal of the first wavelength emitted from the semiconductor laser housed in the light emitting element 1 by the light separating filter 4 and repeats the reflection inside the module. It is installed between the light receiving element 2 and the lens 3 for the purpose of preventing near-end crosstalk caused by being incident on the contained receiving photodiode. The lens 3 enters from the optical fiber 7, is reflected by the light separation filter 4,
The position is adjusted and fixed so that the optical signal incident on the receiving photodiode accommodated in the light receiving element 2 and transmitted through the light receiving element 2 is optimally incident on the receiving photodiode. The light receiving element 2, the lens 3, and the band pass filter 5 are in the light receiving element holder 10, the optical fiber 7 is in the ferrule 8, the ferrule 8 is in the fiber holder 9, and the light emitting element 1, the light separation filter 4, the fiber holder 9 The light receiving element holder 10 is fixed to the case 6 by bonding or the like.

【0005】次に動作について説明する。発光素子1か
ら集光されて出射された第1の波長の光信号は、光分離
フィルタ4に形成された反射防止膜と誘電体多層膜フィ
ルタを透過して、光ファイバ7に結合し、外部へ伝達さ
れる。一方、外部から光ファイバ7により伝送され、受
光素子2に納められた受信用ホトダイオードへ入射され
る第2の波長の光信号は、光ファイバ7から入射された
後、光分離フィルタ4に形成された誘電体多層膜フィル
タで反射され、レンズ3により集光され、バンドパスフ
ィルタ5を透過し、受光素子2に納められた受信用ホト
ダイオードに入射する。
Next, the operation will be described. The optical signal of the first wavelength condensed and emitted from the light emitting element 1 passes through the antireflection film and the dielectric multilayer filter formed on the light separating filter 4 and is coupled to the optical fiber 7 to be connected to the outside. Is transmitted to On the other hand, an optical signal of the second wavelength transmitted from the outside by the optical fiber 7 and incident on the receiving photodiode contained in the light receiving element 2 is formed on the optical separation filter 4 after being incident on the optical fiber 7. The light is reflected by the dielectric multilayer filter, condensed by the lens 3, passes through the bandpass filter 5, and is incident on the receiving photodiode contained in the light receiving element 2.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体素子モ
ジュールは上記のように2波長の双方向波長多重通信が
行えるように構成されているが、多重波長数を1波長増
やした3波長の双方向波長多重通信が行える構成とする
ために、第3の波長の光信号を送信するための半導体レ
ーザ、あるいは、第3の波長の光信号を受信するための
受信用ホトダイオードを1つ追加しようとした場合、半
導体レーザ、あるいは、受信用ホトダイオードを含むパ
ッケージと、光信号を集光するレンズ、バンドパスフィ
ルタを形成した平板ガラスを、従来の光半導体素子モジ
ュールの光分離フィルタと光ファイバとの間に追加する
ことになる。この際、従来の光半導体素子モジュールで
使用されている半導体レーザ、あるいは、受信用ホトダ
イオードを含めたパッケージ、レンズ、光分離フィルタ
等の部品を追加する場合、光半導体素子モジュールが大
型になるという問題がある。また、各半導体素子と光フ
ァイバ間の光学長も長くなるため、各々のレンズの倍率
を大きくする必要がある。この場合、組立時、あるい
は、温度変化等により各光学部品位置が設計位置、ある
いは調整位置に対しずれが生じると、レンズで集光され
た半導体レーザからの出射光の集光位置がレンズ倍率に
より光ファイバとの結合位置から大きくずれ、所望の光
パワーが得られなくなる。同様にしてホトダイオードへ
の入射光の集光位置も大きくずれ、所望のホトダイオー
ドの感度が得られなくなる。このため、各部品に対する
設計位置精度、調整精度を厳しくし、かつ、温度変化に
よる部品のずれ量が少ない部品を選定する必要があると
いう問題がある。一方、各光学部品を小型化して追加し
ようとした場合には、部品の小型化により、部品寸法に
対する要求精度、並びに、部品固定位置の位置精度が厳
しくなり、部品のコストアップ、組立時の工数アップに
繋がるという問題があった。
The conventional optical semiconductor device module is constructed so that bi-directional wavelength multiplex communication of two wavelengths can be performed as described above. In order to provide a configuration capable of performing wavelength-division multiplexing communication, an attempt is made to add a semiconductor laser for transmitting an optical signal of the third wavelength or a receiving photodiode for receiving an optical signal of the third wavelength. In this case, a package including a semiconductor laser or a photodiode for reception, a lens for condensing an optical signal, and a flat glass plate on which a band-pass filter is formed is placed between the optical separation filter of the conventional optical semiconductor element module and the optical fiber. Will be added to At this time, when components such as a semiconductor laser used in a conventional optical semiconductor element module or a package including a receiving photodiode, a lens, and an optical separation filter are added, the optical semiconductor element module becomes large. There is. In addition, since the optical length between each semiconductor element and the optical fiber becomes longer, it is necessary to increase the magnification of each lens. In this case, when the position of each optical component deviates from the design position or the adjustment position due to a temperature change or the like at the time of assembling, the condensing position of the light emitted from the semiconductor laser condensed by the lens depends on the lens magnification. The position deviates greatly from the coupling position with the optical fiber, and the desired optical power cannot be obtained. Similarly, the focus position of the incident light on the photodiode is greatly shifted, and a desired photodiode sensitivity cannot be obtained. For this reason, there is a problem that it is necessary to make the design position accuracy and the adjustment accuracy for each component strict, and to select a component having a small displacement amount of the component due to a temperature change. On the other hand, when each optical component is reduced in size and added, the required accuracy for the component dimensions and the positional accuracy of the component fixing position become severe due to the miniaturization of the component, which increases the cost of the component and the man-hour for assembling. There was a problem that led to up.

【0007】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、半導体レーザと受信用ホ
トダイオードを任意に組み合わせた2つの素子をパッケ
ージに納めたものと、特性の異なる2種類のバンドパス
フィルタを両面に形成した平板状の光学部品を用いるこ
とにより、従来の2波長の双方向波長多重通信用光半導
体素子モジュールと同じ大きさの部品、及び、同一の部
品位置精度とし、また、モジュールの大きさも従来と同
一で、かつ、多重波長を1波長増やした3波長の双方向
波長多重通信用光半導体素子モジュールを構成すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and is different from a device in which two elements in which a semiconductor laser and a receiving photodiode are arbitrarily combined are housed in a package and which have different characteristics. By using a flat optical component having two types of bandpass filters formed on both sides, it is possible to obtain the same size component and the same component position accuracy as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor device module. It is another object of the present invention to configure an optical semiconductor device module for bidirectional wavelength multiplex communication of three wavelengths in which the size of the module is the same as that of the conventional one and the multiplex wavelength is increased by one wavelength.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明の光半導体素子
モジュールは、第1の半導体レーザと第1のモニタホト
ダイオードをパッケージに納めた発光素子と、第2の半
導体レーザと第2のモニタホトダイオードと受信用ホト
ダイオードをパッケージに納めた発光受光素子と、第
1、第2のレンズと、フェルールと、このフェルールに
固定された光ファイバと、上記第1の半導体レーザから
出射される第1の波長の光信号を透過し、かつ、上記受
信用ホトダイオードへ入射される第3の波長の光信号を
反射する第1のバンドパスフィルタを片面に蒸着し、ま
た、上記第1、第3の波長の光信号を透過し、かつ、上
記第2の半導体レーザから出射される第2の波長の光信
号を反射する第2のバンドパスフィルタをもう一方の面
に蒸着した第1の平板状の光学部品と、上記第1の波長
の光信号を反射し、かつ、上記第2、第3の波長の光信
号を透過する第3のバンドパスフィルタを両面に蒸着し
た第2の平板状の光学部品とを備え、上記発光素子と上
記光ファイバを向かい合うように配置し、上記発光受光
素子を上記発光素子の中心線と垂直をなす位置に配置
し、上記第1の平板状の光学部品を上記第2の半導体レ
ーザからの出射光が上記第1の平板状の光学部品で反射
して上記光ファイバに結合し、かつ、上記光ファイバか
らの入射光がこの第1の平板状の光学部品で反射して上
記受信用ホトダイオードに入射するよう上記発光素子の
中心線に対し斜めに配置し、上記第1のレンズを上記第
1の半導体レーザからの出射光が上記第1の平板状の光
学部品を透過して上記光ファイバと結合するように配置
し、上記第2のレンズを上記第2の平板状の光学部品を
透過した上記第2の半導体レーザからの出射光が上記第
1の平板状の光学部品で反射され上記光ファイバと結合
し、かつ、上記第1の平板状の光学部品で反射された上
記光ファイバからの入射光が上記第2の平板状の光学部
品を透過して上記受信用ホトダイオードと結合するよう
配置し、上記第2の平板状の光学部品を上記発光受光素
子と第2のレンズの間に配置したものである。
An optical semiconductor device module according to the present invention comprises a light emitting device having a first semiconductor laser and a first monitor photodiode in a package, a second semiconductor laser and a second monitor photodiode. A light-emitting and light-receiving element containing a receiving photodiode in a package, a first and a second lens, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, and a first wavelength emitted from the first semiconductor laser. A first bandpass filter that transmits an optical signal and reflects an optical signal of a third wavelength incident on the receiving photodiode is deposited on one side, and a light of the first and third wavelengths is deposited. A first band-pass filter which transmits a signal and reflects an optical signal of a second wavelength emitted from the second semiconductor laser on the other surface; -Shaped optical component and a second flat plate formed by vapor-depositing on both surfaces thereof a third band-pass filter that reflects the first wavelength optical signal and transmits the second and third wavelength optical signals. Wherein the light emitting element and the optical fiber are arranged so as to face each other, the light emitting and receiving element is arranged at a position perpendicular to a center line of the light emitting element, and the first plate-shaped optical part is provided. Outgoing light from the second semiconductor laser is reflected by the first flat optical component and coupled to the optical fiber, and incident light from the optical fiber is transmitted to the first flat optical component. The light emitting element is disposed obliquely with respect to the center line of the light emitting element so that the light is reflected by the component and enters the receiving photodiode. Coupling with the above optical fiber through optical components Light emitted from the second semiconductor laser having passed through the second plate-shaped optical component is reflected by the first plate-shaped optical component, and the optical fiber And the incident light from the optical fiber reflected by the first flat optical component is transmitted through the second flat optical component and is coupled to the receiving photodiode. And the second flat optical component is disposed between the light emitting and receiving element and the second lens.

【0009】また、この発明の光半導体素子モジュール
は、第1の半導体レーザと第1のモニタホトダイオード
をパッケージに納めた発光素子と、第2の半導体レーザ
と第2のモニタホトダイオードと受信用ホトダイオード
をパッケージに納めた発光受光素子と、第1、第2のレ
ンズと、フェルールと、このフェルールに固定された光
ファイバと、上記第1の半導体レーザから出射される第
1の波長の光信号を透過し、かつ、上記受信用ホトダイ
オードへ入射される第3の波長の光信号を反射する第1
のバンドパスフィルタを片面に蒸着し、また、上記第
1、第3の波長の光信号を透過し、かつ、上記第2の半
導体レーザから出射される第2の波長の光信号を反射す
る第2のバンドパスフィルタをもう一方の面に蒸着した
くさび形の光学部品と、上記第1の波長の光信号を反射
し、かつ、上記第2、第3の波長の光信号を透過する第
3のバンドパスフィルタを両面に蒸着した平板状の光学
部品とを備え、上記発光素子と上記光ファイバを向かい
合うように配置し、上記発光受光素子を上記発光素子の
中心線と垂直をなす位置に配置し、上記くさび形の光学
部品を上記第2の半導体レーザからの出射光が上記くさ
び形の光学部品で反射して上記光ファイバに結合し、か
つ、上記光ファイバからの入射光がこのくさび形の光学
部品で反射して上記受信用ホトダイオードに入射するよ
う上記発光素子の中心線に対し斜めに配置し、上記第1
のレンズを上記第1の半導体レーザからの出射光が上記
くさび形の光学部品を透過して上記光ファイバと結合す
るように配置し、上記第2のレンズを上記平板状の光学
部品を透過した上記第2の半導体レーザからの出射光が
上記くさび形の光学部品で反射され、上記光ファイバと
結合し、かつ、上記くさび形の光学部品で反射された上
記光ファイバからの入射光が上記平板状の光学部品を透
過して上記受信用ホトダイオードと最適に結合するよう
配置し、上記平板状の光学部品を上記発光受光素子と第
2のレンズの間に配置したものである。
Further, the optical semiconductor element module of the present invention comprises a light emitting element having a first semiconductor laser and a first monitor photodiode in a package, a second semiconductor laser, a second monitor photodiode, and a receiving photodiode. A light emitting and receiving element contained in a package, first and second lenses, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, and an optical signal of a first wavelength emitted from the first semiconductor laser. And a first signal for reflecting an optical signal of a third wavelength incident on the receiving photodiode.
A band pass filter is deposited on one side, transmits the optical signals of the first and third wavelengths, and reflects an optical signal of a second wavelength emitted from the second semiconductor laser. A wedge-shaped optical component having a second bandpass filter deposited on the other surface thereof; and a third wedge-shaped optical component reflecting the first wavelength optical signal and transmitting the second and third wavelength optical signals. A band-pass filter on both sides of which is disposed a flat optical component, the light-emitting element and the optical fiber are arranged so as to face each other, and the light-emitting and light-receiving element is arranged at a position perpendicular to the center line of the light-emitting element. The light emitted from the second semiconductor laser is reflected by the wedge-shaped optical component to be coupled to the optical fiber, and the incident light from the optical fiber is transmitted through the wedge-shaped optical component. Reflected by the optical components Credit placed obliquely to the center line of the light emitting device to be incident on the photodiode, the first
Is disposed such that light emitted from the first semiconductor laser passes through the wedge-shaped optical component and couples with the optical fiber, and the second lens passes through the flat optical component. Outgoing light from the second semiconductor laser is reflected by the wedge-shaped optical component, coupled to the optical fiber, and incident light from the optical fiber reflected by the wedge-shaped optical component is reflected by the flat plate. The optical element is disposed so as to be optimally coupled to the receiving photodiode through the optical element, and the flat optical element is disposed between the light emitting and receiving element and the second lens.

【0010】また、この発明の光半導体素子モジュール
は、第1の半導体レーザと第1のモニタホトダイオード
をパッケージに納めた第1の発光素子と、第2、第3の
半導体レーザと第2、第3のモニタホトダイオードをパ
ッケージに納めた第2の発光素子と、第1、第2のレン
ズと、フェルールと、このフェルールに固定された光フ
ァイバと、上記第1の半導体レーザから出射される第1
の波長の光信号を透過し、かつ、上記第3の半導体レー
ザから出射される第3の波長の光信号を反射する第1の
バンドパスフィルタを片面に蒸着し、また、上記第1、
第3の波長の光信号を透過し、かつ、上記第2の半導体
レーザから出射される第2の波長の光信号を反射する第
2のバンドパスフィルタをもう一方の面に蒸着したくさ
び形の光学部品とを備え、上記第1の発光素子と上記光
ファイバを向かい合うように配置し、上記第2の発光素
子を上記第1の発光素子の中心線と垂直をなす位置に配
置し、上記くさび形の光学部品を上記第2、第3の半導
体レーザからの出射光が上記くさび形の光学部品で反射
して上記光ファイバに結合するよう上記第1の発光素子
の中心線に対し斜めに配置し、上記第1のレンズを上記
第1の半導体レーザからの出射光が上記くさび形の光学
部品を透過して上記光ファイバと結合するように配置
し、上記第2のレンズを上記第2、第3の半導体レーザ
からの出射光が各々上記くさび形の光学部品で反射され
上記光ファイバと結合するよう配置したものである。
Further, the optical semiconductor device module of the present invention has a first light emitting device in which a first semiconductor laser and a first monitor photodiode are housed in a package, a second and a third semiconductor lasers, and a second and a third semiconductor lasers. A second light-emitting element containing the third monitor photodiode in a package, a first and a second lens, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, and a first light emitted from the first semiconductor laser.
A first band-pass filter that transmits an optical signal having a wavelength of? And that reflects an optical signal having a third wavelength emitted from the third semiconductor laser is deposited on one side;
A wedge-shaped second band-pass filter that transmits an optical signal of a third wavelength and reflects an optical signal of a second wavelength emitted from the second semiconductor laser is deposited on the other surface. An optical component, wherein the first light emitting element and the optical fiber are arranged so as to face each other, the second light emitting element is arranged at a position perpendicular to a center line of the first light emitting element, and the wedge is provided. Shaped optical components are arranged obliquely with respect to the center line of the first light emitting element so that light emitted from the second and third semiconductor lasers is reflected by the wedge shaped optical components and coupled to the optical fiber. Then, the first lens is disposed so that light emitted from the first semiconductor laser passes through the wedge-shaped optical component and is coupled to the optical fiber, and the second lens is disposed in the second lens. The light emitted from the third semiconductor laser is Is reflected by the serial wedge-shaped optical component is obtained by arranged to couple with said optical fiber.

【0011】また、この発明の光半導体素子モジュール
は、第1の半導体レーザと第1のモニタホトダイオード
をパッケージに納めた発光素子と、第1、第2の受信用
ホトダイオードをパッケージに納めた受光素子と、第
1、第2のレンズと、フェルールと、このフェルールに
固定された光ファイバと、上記第1の半導体レーザから
出射される第1の波長の光信号を透過し、かつ、上記第
2の受信用ホトダイオードへ入射される第3の波長の光
信号を反射する第1のバンドパスフィルタを片面に蒸着
し、また、上記第1、第3の波長の光信号を透過し、か
つ、上記第1の受信用ホトダイオードへ入射される第2
の波長の光信号を反射する第2のバンドパスフィルタを
もう一方の面に蒸着したくさび形の光学部品と、上記第
1の波長の光信号を反射し、かつ、上記第2、第3の波
長の光信号を透過する第3のバンドパスフィルタを両面
に蒸着した平板状の光学部品とを備え、上記発光素子と
上記光ファイバを向かい合うように配置し、上記受光素
子を上記発光素子の中心線と垂直をなす位置に配置し、
上記くさび形の光学部品を上記光ファイバからの入射光
が上記くさび形の光学部品で反射して上記第1、第2の
受信用ホトダイオードに入射するよう上記発光素子の中
心線に対し斜めに配置し、上記第1のレンズを上記第1
の半導体レーザからの出射光が上記くさび形の光学部品
を透過して上記光ファイバと結合するように配置し、上
記第2のレンズを上記くさび形の光学部品で反射された
上記光ファイバからの上記第1、第2の受信用ホトダイ
オードへの入射光が上記平板状の光学部品を透過し、各
々上記第1、第2の受信用ホトダイオードと結合するよ
う配置し、上記平板状の光学部品を上記受光素子と第2
のレンズの間に配置したものである。
Further, the optical semiconductor device module of the present invention has a light emitting device in which a first semiconductor laser and a first monitor photodiode are contained in a package, and a light receiving device in which first and second receiving photodiodes are contained in a package. A first and a second lens, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, an optical signal of a first wavelength emitted from the first semiconductor laser, and A first band-pass filter for reflecting an optical signal of a third wavelength incident on a receiving photodiode of the present invention is vapor-deposited on one side, and transmits an optical signal of the first and third wavelengths; The second incident on the first receiving photodiode
A wedge-shaped optical component in which a second bandpass filter that reflects an optical signal having a wavelength of 蒸 着 is vapor-deposited on the other surface; and a second and third optical component that reflects the optical signal having the first wavelength. A flat optical component having a third band-pass filter that transmits a light signal of a wavelength deposited on both sides thereof, wherein the light-emitting element and the optical fiber are arranged to face each other, and the light-receiving element is located at the center of the light-emitting element. Place it perpendicular to the line,
The wedge-shaped optical component is arranged obliquely with respect to a center line of the light emitting element such that incident light from the optical fiber is reflected by the wedge-shaped optical component and enters the first and second receiving photodiodes. Then, the first lens is moved to the first lens.
The light emitted from the semiconductor laser is transmitted through the wedge-shaped optical component and is coupled with the optical fiber, and the second lens is reflected from the optical fiber reflected by the wedge-shaped optical component. Light incident on the first and second receiving photodiodes is transmitted through the flat optical component, and is arranged so as to be coupled to the first and second receiving photodiodes, respectively. The light receiving element and the second
Are arranged between the lenses.

【0012】また、この発明の光半導体素子モジュール
は、第1、第2の受信用ホトダイオードをパッケージに
納めた第1の受光素子と、第3の受信用ホトダイオード
を有する第2の受光素子と、第1、第2のレンズと、フ
ェルールと、このフェルールに固定された光ファイバ
と、上記第3の受信用ホトダイオードへ入射される第3
の波長の光信号を透過し、かつ、上記第2の受信用ホト
ダイオードへ入射される第2の波長の光信号を反射する
第1のバンドパスフィルタを片面に蒸着し、また、上記
第1の受信用ホトダイオードへ入射される第1の波長の
光信号を反射し、かつ、上記第2、第3の波長の光信号
を透過する第2のバンドパスフィルタをもう一方の面に
蒸着したくさび形の光学部品と、上記第3の波長の光信
号を反射し、かつ、上記第1、第2の波長の光信号を透
過する第3のバンドパスフィルタを両面に蒸着した平板
状の光学部品とを備え、上記第2の受光素子と上記光フ
ァイバを向かい合うように配置し、上記第1の受光素子
を上記第2の受光素子の中心線と垂直をなす位置に配置
し、上記くさび形の光学部品を上記光ファイバからの入
射光が上記くさび形の光学部品で反射して上記第1、第
2の受信用ホトダイオードに入射するよう上記発光素子
の中心線に対し斜めに配置し、上記第1のレンズを上記
光ファイバからの入射光が上記くさび形の光学部品を透
過して上記第3の受信用ホトダイオードと結合するよう
に配置し、上記第2のレンズを上記くさび形の光学部品
で反射された上記光ファイバからの上記第1、第2の受
信用ホトダイオードへの入射光が上記平板状の光学部品
を透過し、各々上記第1、第2の受信用ホトダイオード
と結合するよう配置し、上記平板状の光学部品を上記受
光素子と第2のレンズの間に配置したものである。
Further, the optical semiconductor element module of the present invention comprises a first light receiving element having first and second receiving photodiodes contained in a package, a second light receiving element having a third receiving photodiode, A first lens, a second lens, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, and a third light incident on the third receiving photodiode.
A first band-pass filter that transmits an optical signal having a wavelength of? And that reflects an optical signal having a second wavelength incident on the second receiving photodiode is deposited on one side; A wedge shape in which a second band-pass filter that reflects an optical signal of a first wavelength incident on a receiving photodiode and transmits the optical signals of the second and third wavelengths is deposited on the other surface. And a flat optical component having a third band-pass filter that reflects the third wavelength optical signal and transmits the first and second wavelength optical signals deposited on both sides thereof. Wherein the second light receiving element and the optical fiber are arranged to face each other, the first light receiving element is arranged at a position perpendicular to the center line of the second light receiving element, and the wedge-shaped optical The incident light from the optical fiber is Are arranged obliquely with respect to the center line of the light emitting element so that the light is reflected by the optical component of the first and second receiving photodiodes and is incident on the first lens. And the second lens is arranged to penetrate the third receiving photodiode through the optical element, and the first lens and the second lens from the optical fiber reflected by the wedge-shaped optical element. The light incident on the receiving photodiode is transmitted through the plate-shaped optical component and is coupled to each of the first and second receiving photodiodes, and the plate-shaped optical component is connected to the light-receiving element and the second light-receiving element. Are arranged between the lenses.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1 図1はこの発明の実施の形態1による光半導体素子モジ
ュールのうち、光学系に関与する部分のみを示す図であ
る。図において、7、8は従来の光半導体素子モジュー
ルと同一であり、11は第1の半導体レーザ、12は第
1のLDサブマウント、13は第1のブロック、14は
第1の半導体レーザ11の光出力をモニタするための第
1のモニタホトダイオード、15は第1のPDサブマウ
ント、16は第1のキャップ、17は第1の窓ガラス、
18は第1のステム、19は第1のリード端子、20は
第1の半導体レーザ11からの出射光を集光する第1の
レンズ、21は第2の半導体レーザ、22は第2のLD
サブマウント、23は第2のブロック、24は第2の半
導体レーザ21の光出力をモニタするための第2のモニ
タホトダイオード、25は受信用ホトダイオード、26
は第2のモニタホトダイオード24と受信用ホトダイオ
ード25の第2のPDサブマウント、27は第2のキャ
ップ、28は第2の窓ガラス、29は第2のステム、3
0は第2のリード端子、31は第2の半導体レーザ21
からの出射光と、受信用ホトダイオード25への入射光
を集光する第2のレンズ、32は第1の平板ガラス、3
3は第1の平板ガラス32の第1の半導体レーザ11側
の面に蒸着により形成された第1のバンドパスフィル
タ、34は第1の平板ガラス32に形成された第1のバ
ンドパスフィルタ33と向かい合う面に蒸着により形成
された第2のバンドパスフィルタ、35は第2の平板ガ
ラス、36は第2の平板ガラス35の両面に形成された
第3のバンドパスフィルタ、Aは上記11から19によ
り構成される発光素子、Bは上記21から30により構
成される発光受光素子である。
Embodiment 1 FIG. 1 is a diagram showing only a part related to an optical system in an optical semiconductor element module according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, 7 and 8 are the same as those of the conventional optical semiconductor device module, 11 is a first semiconductor laser, 12 is a first LD submount, 13 is a first block, and 14 is a first semiconductor laser 11. A first monitor photodiode for monitoring the light output of the first PD submount, 15 a first PD submount, 16 a first cap, 17 a first window glass,
18 is a first stem, 19 is a first lead terminal, 20 is a first lens for condensing light emitted from the first semiconductor laser 11, 21 is a second semiconductor laser, and 22 is a second LD.
23, a second block; 24, a second monitor photodiode for monitoring the optical output of the second semiconductor laser 21; 25, a receiving photodiode;
Is a second PD submount of the second monitor photodiode 24 and the receiving photodiode 25, 27 is a second cap, 28 is a second window glass, 29 is a second stem, 3
0 is the second lead terminal, 31 is the second semiconductor laser 21
A second lens 32 for condensing the light emitted from the device and the light incident on the receiving photodiode 25;
Reference numeral 3 denotes a first bandpass filter formed on the surface of the first flat glass 32 on the side of the first semiconductor laser 11 by vapor deposition, and reference numeral 34 denotes a first bandpass filter 33 formed on the first flat glass 32. A second band-pass filter formed by vapor deposition on a surface opposite to the above, 35 is a second flat glass, 36 is a third band-pass filter formed on both surfaces of the second flat glass 35, and A is The light emitting element B constituted by 19 is a light emitting and receiving element constituted by 21 to 30 described above.

【0014】第1、第2の半導体レーザ11、21は各
々第1、第2のLDサブマウント12、22に、この第
1、第2のLDサブマウント12、22は第1、第2の
ブロック13、23に、第1、第2のモニタホトダイオ
ード14、24は第1、第2のPDサブマウント15、
26に、また、受信用ホトダイオード25は第2のPD
サブマウント26に各々半田で固定されており、上記第
1、第2のブロック13、23、及び、上記第1、第2
のPDサブマウント15、26は各々半田で第1、第2
のステム18、29に固定されている。第1、第2のス
テム18、29は、各々第1、第2のリード端子19、
30に接続されており、外部と電気的接続ができるよう
になっている。第1、第2の窓ガラス17、28は、気
密が取れるように低融点ガラスで第1、第2のキャップ
16、27に固定されており、第1の半導体レーザ11
と第1のモニタホトダイオード14は第1のキャップ1
6、第1の窓ガラス17と第1のステム18により、ま
た、第2の半導体レーザ21と第2のモニタホトダイオ
ード24と受信用ホトダイオード25は第2のキャップ
27、第2の窓ガラス28と第2のステム29により気
密封止されている。発光素子A、発光受光素子Bは各々
上記11から19、21から30により構成されてい
る。
The first and second semiconductor lasers 11 and 21 are attached to first and second LD submounts 12 and 22, respectively, and the first and second LD submounts 12 and 22 are attached to first and second LD submounts 12, 22, respectively. In blocks 13 and 23, first and second monitor photodiodes 14 and 24 are provided with first and second PD submounts 15,
26, and the receiving photodiode 25 is a second PD.
The first and second blocks 13 and 23 and the first and second blocks 13 and 23 are fixed to the submount 26 by solder, respectively.
The first and second PD submounts 15 and 26 are made of solder, respectively.
Are fixed to the stems 18 and 29 of FIG. The first and second stems 18 and 29 are respectively provided with first and second lead terminals 19,
30 for electrical connection to the outside. The first and second window glasses 17 and 28 are fixed to the first and second caps 16 and 27 with low melting point glass so as to be airtight.
And the first monitor photodiode 14 are connected to the first cap 1
6, the first semiconductor glass 21, the second monitor photodiode 24, and the receiving photodiode 25 are formed by the first window glass 17 and the first stem 18, and the second cap 27, the second window glass 28 It is hermetically sealed by the second stem 29. The light-emitting element A and the light-emitting and light-receiving element B are composed of 11 to 19 and 21 to 30, respectively.

【0015】第1のバンドパスフィルタ33は第1の半
導体レーザ11からの出射光である第1の波長の光信号
を透過し、かつ、受信用ホトダイオード25への入射光
である第3の光信号を反射するように設計された誘電体
多層膜であり、第1の平板ガラス32の第1の半導体レ
ーザ11側の面に蒸着により形成されている。第2のバ
ンドパスフィルタ34は第1の半導体レーザ11からの
出射光である第1の波長の光信号と、受信用ホトダイオ
ード25への入射光である第3の波長の光信号を透過
し、かつ、第2の半導体レーザ21からの出射光である
第2の波長の光信号を反射するように設計された誘電体
多層膜であり、第1の平板ガラス32の光ファイバ7側
の面に蒸着により形成されている。第3のバンドパスフ
ィルタ36は第1の半導体レーザ11からの出射光であ
る第1の波長の光信号を反射し、かつ、第2の半導体レ
ーザ21からの出射光である第2の波長の光信号と、受
信用ホトダイオード25への入射光である第3の光信号
を透過するように設計された誘電体多層膜であり、第2
の平板ガラス35の両面に蒸着により形成されている。
The first band-pass filter 33 transmits an optical signal of a first wavelength, which is light emitted from the first semiconductor laser 11, and is third light, which is light incident on the photodiode 25 for reception. This is a dielectric multilayer film designed to reflect a signal, and is formed on the surface of the first flat glass 32 on the side of the first semiconductor laser 11 by vapor deposition. The second bandpass filter 34 transmits an optical signal of a first wavelength that is light emitted from the first semiconductor laser 11 and an optical signal of a third wavelength that is light incident on the photodiode 25 for reception. Further, it is a dielectric multilayer film designed to reflect an optical signal of the second wavelength which is the light emitted from the second semiconductor laser 21, and is provided on the surface of the first flat glass 32 on the optical fiber 7 side. It is formed by vapor deposition. The third band-pass filter 36 reflects an optical signal of the first wavelength, which is the light emitted from the first semiconductor laser 11, and has a second wavelength, which is the light emitted from the second semiconductor laser 21. A dielectric multilayer film designed to transmit an optical signal and a third optical signal that is incident light on the receiving photodiode 25;
Are formed on both sides of the flat glass 35 by vapor deposition.

【0016】この第2の平板ガラス35は第2のレンズ
31と第2の窓ガラス28との間に設置され、第1の半
導体レーザ11からの出射光である第1の波長の光信号
が、第1の平板ガラス32に形成された第1、第2のバ
ンドパスフィルタ33、34で乱反射され、モジュール
内部で反射を繰り返し、最終的に受信用ホトダイオード
25に入射することにより生じる近端漏話を防止する目
的で設置されている。第1のレンズ20は、第1の半導
体レーザ11から出射された光信号を集光して、第1の
平板ガラス32に形成された第1、第2のバンドパスフ
ィルタ33、34を透過して光ファイバ7に最適に結合
するように位置を調整し固定されている。第2のレンズ
31は、第2の半導体レーザ21から出射され、第2の
平板ガラス35の両面に形成された第3のバンドパスフ
ィルタ36を透過した光信号を集光して、第1の平板ガ
ラス32に形成された第2のバンドパスフィルタ34で
反射して光ファイバ7に最適に結合し、かつ、受信用ホ
トダイオード25へ入射される第3の波長の光信号を、
光ファイバ7から入射され、第1の平板ガラス32に形
成された第1のバンドパスフィルタ34で反射された後
で集光し、第2の平板ガラス35の両面に形成された第
3のバンドパスフィルタ36を透過して受信用ホトダイ
オード25で最適に入射するように位置を調整し固定さ
れている。光ファイバ7はフェルール8に接着剤で固定
されており、光ファイバ7の先端は斜めに研磨されてい
る。
The second flat glass 35 is provided between the second lens 31 and the second window glass 28, and an optical signal having a first wavelength, which is the light emitted from the first semiconductor laser 11, is output. Near-end crosstalk caused by irregular reflection at the first and second band-pass filters 33 and 34 formed on the first flat glass 32, repeated reflection inside the module, and finally incident on the receiving photodiode 25. It is installed for the purpose of preventing The first lens 20 condenses an optical signal emitted from the first semiconductor laser 11 and transmits the first and second band-pass filters 33 and 34 formed on the first flat glass 32. The position is adjusted and fixed so as to be optimally coupled to the optical fiber 7. The second lens 31 condenses an optical signal emitted from the second semiconductor laser 21 and transmitted through a third band-pass filter 36 formed on both surfaces of the second flat glass 35 to form a first lens. The optical signal of the third wavelength reflected by the second band-pass filter 34 formed on the flat glass 32 and optimally coupled to the optical fiber 7 and incident on the receiving photodiode 25 is
The third band formed on both surfaces of the second flat glass 35 after being incident from the optical fiber 7 and condensed after being reflected by the first band pass filter 34 formed on the first flat glass 32. The position is adjusted and fixed so that the light passes through the pass filter 36 and enters the receiving photodiode 25 optimally. The optical fiber 7 is fixed to the ferrule 8 with an adhesive, and the tip of the optical fiber 7 is polished obliquely.

【0017】次に動作について説明する。第1の半導体
レーザ11から出射された第1の波長の光信号は第1の
レンズ20により集光された後、第1の平板ガラス32
に形成された第1、第2のバンドパスフィルタ33、3
4を透過して光ファイバ7に結合し、第2の半導体レー
ザ21から出射された第2の波長の光信号は、第2の平
板ガラス35の両面に形成された第3のバンドパスフィ
ルタ36を透過し、第2のレンズ31により集光された
後、第1の平板ガラス32に形成された第2のバンドパ
スフィルタ34で反射されて光ファイバ7に結合し、受
信用ホトダイオード25へ入射される第3の波長の光信
号は、光ファイバ7から入射された後、第1の平板ガラ
ス32に形成された第2のバンドパスフィルタ34を透
過し、この第1の平板ガラス32の他面に形成された第
1のバンドパスフィルタ33で反射され、再度第2のバ
ンドパスフィルタ34を透過し、第2のレンズ31によ
り集光され、第2の平板ガラス35の両面に形成された
第3のバンドパスフィルタ36を透過して受信用ホトダ
イオード25に入射される。
Next, the operation will be described. The optical signal of the first wavelength emitted from the first semiconductor laser 11 is condensed by the first lens 20 and then the first flat glass 32
First and second band-pass filters 33, 3
4 is coupled to the optical fiber 7 and emitted from the second semiconductor laser 21 at a second wavelength. The optical signal having the second wavelength is applied to a third bandpass filter 36 formed on both surfaces of the second flat glass 35. And is condensed by the second lens 31, is reflected by the second bandpass filter 34 formed on the first flat glass 32, is coupled to the optical fiber 7, and enters the photodiode 25 for reception. The optical signal having the third wavelength is input from the optical fiber 7, and then passes through the second bandpass filter 34 formed on the first flat glass 32. The light is reflected by the first band-pass filter 33 formed on the surface, passes through the second band-pass filter 34 again, is condensed by the second lens 31, and is formed on both surfaces of the second flat glass 35. Third band pass And it enters the receiving photodiode 25 is transmitted through the filter 36.

【0018】上記のように、第2の半導体レーザ21と
第2のモニタホトダイオード24と、受信用ホトダイオ
ード25を1つのパッケージに納めた発光受光素子B
と、特性の異なる第1、第2のバンドパスフィルタ3
3、34を各々片面に形成した第1の平板ガラス32を
用いることにより、従来の2波長の双方向波長多重通信
用光半導体素子モジュールと同一の大きさで、同一の大
きさの部品を使用し、同一の設計位置精度とし、かつ、
送信用多重波長を1波長増やした3波長の双方向波長多
重通信用光半導体素子モジュールを構成することができ
る。
As described above, the light emitting and receiving element B in which the second semiconductor laser 21, the second monitor photodiode 24, and the receiving photodiode 25 are contained in one package.
And first and second bandpass filters 3 having different characteristics
By using the first flat glass 32 in which the first and second glass plates 3 and 34 are formed on one side, components having the same size and the same size as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module are used. And the same design position accuracy, and
An optical semiconductor device module for three-way bidirectional wavelength division multiplexing communication in which the transmission multiplex wavelength is increased by one wavelength can be configured.

【0019】また、この発明の他の実施の形態として、
図1における第1の半導体レーザ11からの出射光であ
る第1の波長と、受信用ホトダイオード25への入射光
である第3の波長を共に第1の波長とし、第1のバンド
パスフィルタ33を、第1の波長の光信号に対する半透
明膜に変更し、かつ、第3のバンドパスフィルタ36を
形成した第2の平板ガラス35を取り除くことにより、
第1の波長の光信号の送受信、及び、第2の波長の光信
号を送信する2波長の双方向波長多重通信用光半導体素
子モジュールを構成することができる。
Further, as another embodiment of the present invention,
The first wavelength that is the light emitted from the first semiconductor laser 11 in FIG. 1 and the third wavelength that is the light incident on the photodiode 25 for reception are both set to the first wavelength, and the first bandpass filter 33 is used. Is changed to a translucent film for the optical signal of the first wavelength, and the second flat glass 35 on which the third bandpass filter 36 is formed is removed.
An optical semiconductor element module for bidirectional wavelength multiplexing communication of two wavelengths that transmits and receives an optical signal of a first wavelength and transmits an optical signal of a second wavelength can be configured.

【0020】実施の形態2 図2はこの発明の実施の形態2による光半導体素子モジ
ュールを示す図である。図において、7、8、11から
31、33から36までは実施の形態1と同一であり、
37はくさび形ガラスである。このくさび形ガラス37
は上記実施の形態1で使用した第1の平板ガラス32と
置き換えたものであり、この第1の平板ガラス32と同
様に第1、第2のバンドパスフィルタ33、34を両面
に蒸着により形成したものである。
Embodiment 2 FIG. 2 is a diagram showing an optical semiconductor device module according to Embodiment 2 of the present invention. In the figure, 7, 8, 11 to 31, and 33 to 36 are the same as those of the first embodiment,
37 is a wedge-shaped glass. This wedge-shaped glass 37
Is replaced with the first flat glass 32 used in the first embodiment, and the first and second band-pass filters 33 and 34 are formed on both surfaces by vapor deposition similarly to the first flat glass 32. It was done.

【0021】次に動作について説明する。第1の半導体
レーザ11から出射された第1の波長の光信号は第1の
レンズ20により集光された後、くさび形ガラス37に
形成された第1、第2のバンドパスフィルタ33、34
を透過して光ファイバ7に結合し、第2の半導体レーザ
21から出射された第2の波長の光信号は、平板ガラス
35の両面に形成された第3のバンドパスフィルタ36
を透過し、第2のレンズ31により集光された後、くさ
び形ガラス37に形成された第2のバンドパスフィルタ
34で反射されて光ファイバ7に結合し、受信用ホトダ
イオード25へ入射される第3の波長の光信号は、光フ
ァイバ7から入射された後、くさび形ガラス37に形成
された第2のバンドパスフィルタ34を透過し、このく
さび形ガラス37の他面に形成された第1のバンドパス
フィルタ33で反射され、再度第2のバンドパスフィル
タ34を透過し、第2のレンズ31により集光され、平
板ガラス35の両面に形成された第3のバンドパスフィ
ルタ36を透過して受信用ホトダイオード25に入射さ
れる。
Next, the operation will be described. After the optical signal of the first wavelength emitted from the first semiconductor laser 11 is condensed by the first lens 20, the first and second band pass filters 33 and 34 formed on the wedge glass 37.
The optical signal of the second wavelength emitted from the second semiconductor laser 21 and transmitted to the optical fiber 7 passes through the third band-pass filter 36 formed on both surfaces of the flat glass 35.
And is condensed by the second lens 31, then reflected by the second band-pass filter 34 formed on the wedge glass 37, coupled to the optical fiber 7, and incident on the receiving photodiode 25. After the optical signal of the third wavelength enters from the optical fiber 7, it passes through the second band-pass filter 34 formed on the wedge-shaped glass 37, and passes through the second band-pass filter 34 formed on the other surface of the wedge-shaped glass 37. The light is reflected by the first bandpass filter 33, passes through the second bandpass filter 34 again, is condensed by the second lens 31, and passes through the third bandpass filters 36 formed on both surfaces of the flat glass 35. Then, the light is incident on the receiving photodiode 25.

【0022】ここで、上記実施の形態1と異なるのは次
の点である。すなわちくさび形ガラス37は第2のバン
ドパスフィルタ34が形成されている面に対しくさび形
となっている分だけ角度を持っているため、受信用ホト
ダイオード25へ入射される第3の波長の光信号が第1
のバンドパスフィルタ33で反射される際の法線に対す
る反射角は、上記実施の形態1で示した図1における第
1のバンドパスフィルタ33で反射される角度より小さ
くなる。このため、第3の波長の光信号が再度第2のバ
ンドパスフィルタ34を透過する際の法線に対する出射
角、及び、出射位置は、上記実施の形態1の場合に比
べ、出射角は小さく、かつ、出射位置は光ファイバ7の
中心軸寄りとなっている。この結果、第2のバンドパス
フィルタ34を透過した出射光が、第2のレンズ31の
開口数の制限によりケラレることがなくなり、また、第
2のレンズ31に対する設計自由度を増すことができ
る。
Here, the difference from the first embodiment is as follows. That is, since the wedge-shaped glass 37 has an angle with respect to the surface on which the second bandpass filter 34 is formed by the amount of the wedge, the light of the third wavelength incident on the receiving photodiode 25 is emitted. The signal is first
The reflection angle with respect to the normal when reflected by the band-pass filter 33 is smaller than the angle reflected by the first band-pass filter 33 in FIG. 1 described in the first embodiment. For this reason, the output angle and the output position with respect to the normal when the optical signal of the third wavelength passes through the second band-pass filter 34 again are smaller than those in the first embodiment. The emission position is near the center axis of the optical fiber 7. As a result, the outgoing light transmitted through the second band-pass filter 34 does not vignet due to the limitation of the numerical aperture of the second lens 31, and the degree of freedom in designing the second lens 31 can be increased. .

【0023】上記のように、第2の半導体レーザ21と
第2のモニタホトダイオード24と受信用ホトダイオー
ド25を1つのパッケージに納めた発光受光素子Bと、
特性の異なる第1、第2のバンドパスフィルタ33、3
4を各々片面に形成したくさび形ガラス37を用いるこ
とにより、従来の2波長の双方向波長多重通信用光半導
体素子モジュールと同一の大きさで、同一の大きさの部
品を使用し、同一の設計位置精度とし、さらに、第2の
レンズ31の設計自由度を増すことができ、かつ、送信
用多重波長を1波長増やした3波長の双方向波長多重通
信用光半導体素子モジュールを構成することができる。
As described above, the light emitting / receiving element B in which the second semiconductor laser 21, the second monitor photodiode 24, and the receiving photodiode 25 are contained in one package,
First and second bandpass filters 33, 3 having different characteristics
By using the wedge-shaped glass 37 formed on one side of each, the same size and the same size as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module for two-wavelength communication are used. A three-wavelength optical semiconductor element module for bidirectional wavelength division multiplex communication in which the design position accuracy is achieved, the degree of freedom of design of the second lens 31 can be increased, and the transmission multiplex wavelength is increased by one wavelength. Can be.

【0024】また、この発明の他の実施の形態として、
図2における第1の半導体レーザ11からの出射光であ
る第1の波長と、受信用ホトダイオード25への入射光
である第3の波長を共に第1の波長とし、第1のバンド
パスフィルタ33を、第1の波長の光信号に対する半透
明膜に変更し、かつ、第3のバンドパスフィルタ36を
形成した平板ガラス35を取り除くことにより、第1の
波長の光信号の送受信、及び、第2の波長の光信号を送
信する2波長の双方向波長多重通信用光半導体素子モジ
ュールを構成することができる。
Further, as another embodiment of the present invention,
The first wavelength that is the light emitted from the first semiconductor laser 11 in FIG. 2 and the third wavelength that is the light incident on the photodiode 25 for reception are both set to the first wavelength, and the first bandpass filter 33 is used. Is changed to a translucent film for the optical signal of the first wavelength, and by removing the flat glass 35 on which the third band-pass filter 36 is formed, transmission and reception of the optical signal of the first wavelength, and An optical semiconductor element module for two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing communication for transmitting optical signals of two wavelengths can be configured.

【0025】実施の形態3 図3はこの発明の実施の形態3による光半導体素子モジ
ュールを示す図である。図において、7、8、11から
24、26から31、33から37までは上記実施の形
態2と同一であり、38は半導体レーザ、39は第3の
LDサブマウント、40は第3の半導体レーザ38の光
出力をモニタするための第3のモニタホトダイオード、
41は第3のPDサブマウント、Cは上記21から2
4、26から30、38から41により構成される第2
の発光素子である。また、第1、第2のバンドパスフィ
ルタ33、34の特性は上記実施の形態2で用いられた
ものと同一であり、上記実施の形態2で用いられた受信
用ホトダイオード25への入射光である第3の波長を、
上記第3の半導体レーザ38からの出射光である第3の
波長と置き換えればよい。なお、本実施の形態では近端
漏話は難とならないため、実施の形態2で用いた平板ガ
ラス35と、この平板ガラス35の両面に形成された第
3のバンドパスフィルタ36は、不要なため取り除いて
ある。
Third Embodiment FIG. 3 is a view showing an optical semiconductor device module according to a third embodiment of the present invention. In the figure, 7, 8, 11 to 24, 26 to 31, and 33 to 37 are the same as those in the second embodiment, 38 is a semiconductor laser, 39 is a third LD submount, and 40 is a third semiconductor. A third monitor photodiode for monitoring the light output of the laser 38,
41 is a third PD submount, C is 2 from the above 21
The second consisting of 4, 26 to 30, 38 to 41
Is a light emitting element. The characteristics of the first and second band-pass filters 33 and 34 are the same as those used in the second embodiment, and the light incident on the receiving photodiode 25 used in the second embodiment is A third wavelength,
What is necessary is just to replace it with the third wavelength which is the light emitted from the third semiconductor laser 38. In this embodiment, since near-end crosstalk is not difficult, the flat glass 35 used in the second embodiment and the third band-pass filters 36 formed on both sides of the flat glass 35 are unnecessary. It has been removed.

【0026】次に動作について説明する。第1の半導体
レーザ11から出射された第1の波長の光信号は第1の
レンズ20により集光された後、くさび形ガラス37に
形成された第1、第2のバンドパスフィルタ33、34
を透過して光ファイバ7に結合し、第2の半導体レーザ
21から出射された第2の波長の光信号は、第2のレン
ズ31により集光された後、くさび形ガラス37に形成
された第2のバンドパスフィルタ34で反射されて光フ
ァイバ7に結合し、第3の半導体レーザ38から出射さ
れた第3の波長の光信号は、第2のレンズ31により集
光された後、くさび形37に形成された第2のバンドパ
スフィルタ34を透過し、このくさび形37の他面に形
成された第1のバンドパスフィルタ33で反射され、再
度第2のバンドパスフィルタ34を透過して光ファイバ
7に結合する。
Next, the operation will be described. After the optical signal of the first wavelength emitted from the first semiconductor laser 11 is condensed by the first lens 20, the first and second band pass filters 33 and 34 formed on the wedge glass 37.
The optical signal of the second wavelength emitted from the second semiconductor laser 21 is transmitted to the optical fiber 7 and condensed by the second lens 31 and then formed on the wedge-shaped glass 37. The optical signal of the third wavelength, which is reflected by the second band-pass filter 34 and coupled to the optical fiber 7 and emitted from the third semiconductor laser 38, is collected by the second lens 31 and then wedges. The light passes through the second band-pass filter 34 formed in the shape 37, is reflected by the first band-pass filter 33 formed on the other surface of the wedge 37, and passes through the second band-pass filter 34 again. To the optical fiber 7.

【0027】上記のように、第2、第3の半導体レーザ
21、38と第2、第3のモニタホトダイオード24、
40を1つのパッケージに納めた第2の発光素子Cと、
特性の異なる第1、第2のバンドパスフィルタ33、3
4を各々片面に形成したくさび形ガラス37を用いるこ
とにより、従来の2波長の双方向波長多重通信用光半導
体素子モジュールと同一の大きさで、同一の大きさの部
品を使用し、同一の設計位置精度とし、さらに、第2の
レンズ31の設計自由度を増すことができ、かつ、3波
長多重送信用光半導体素子モジュールを構成することが
できる。
As described above, the second and third semiconductor lasers 21 and 38 and the second and third monitor photodiodes 24,
A second light emitting element C containing 40 in one package;
First and second bandpass filters 33, 3 having different characteristics
By using the wedge-shaped glass 37 formed on one side of each, the same size and the same size as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module for two-wavelength communication are used. It is possible to increase the design position accuracy, increase the degree of freedom in designing the second lens 31, and configure an optical semiconductor element module for three-wavelength multiplex transmission.

【0028】実施の形態4 図4はこの発明の実施の形態4による光半導体素子モジ
ュールを示す図である。図において、7、8、11から
20、25から31、33から37は実施の形態2と同
一であり、42は第2の受信用ホトダイオード(受信用
ホトダイオード25は第1の受信用ホトダイオードとす
る)、43はPDブロック、Dは上記25から30、4
2、43により構成される受光素子である。また、第
1、第2、第3のバンドパスフィルタ33、34、36
の特性は上記実施の形態2で用いたものと同一であり、
上記実施の形態2で用いられた第2の半導体レーザ21
からの出射光である第2の波長と受信用ホトダイオード
25への入射光である第3の波長をそれぞれ第1、第2
の受信用ホトダイオード25、42への入射光と置き換
えればよい。
Embodiment 4 FIG. 4 is a view showing an optical semiconductor device module according to Embodiment 4 of the present invention. In the figure, 7, 8, 11 to 20, 25 to 31, and 33 to 37 are the same as those in the second embodiment, and 42 is a second receiving photodiode (the receiving photodiode 25 is a first receiving photodiode). ), 43 are PD blocks, D is 25 to 30, 4
2 and 43. Also, the first, second, and third band-pass filters 33, 34, 36
Are the same as those used in the second embodiment.
Second semiconductor laser 21 used in the second embodiment
And a third wavelength, which is light incident on the receiving photodiode 25, respectively.
May be replaced with the light incident on the receiving photodiodes 25 and 42.

【0029】次に動作について説明する。第1の半導体
レーザ11から出射された第1の波長の光信号は第1の
レンズ20により集光された後、くさび形ガラス37に
形成された第1、第2のバンドパスフィルタ33、34
を透過して光ファイバ7に結合し、第1の受信用ホトダ
イオード25へ入射される第2の波長の光信号は、光フ
ァイバ7から入射された後、くさび形ガラス37に形成
された第2のバンドパスフィルタ34で反射され、第2
のレンズ31により集光され、平板ガラス35の両面に
形成された第3のバンドパスフィルタ36を透過して第
1の受信用ホトダイオード25に入射され、第2の受信
用ホトダイオード42へ入射される第3の波長の光信号
は、光ファイバ7から入射された後、くさび形ガラス3
7に形成れた第2のバンドパスフィルタ34を透過し、
このくさび形ガラス37の他面に形成された第1のバン
ドパスフィルタ33で反射され、再度第2のバンドパス
フィルタ34を透過し、第2のレンズ31により集光さ
れ、平板ガラス35の両面に形成された第3のバンドパ
スフィルタ36を透過して第2の受信用ホトダイオード
42に入射される。
Next, the operation will be described. After the optical signal of the first wavelength emitted from the first semiconductor laser 11 is condensed by the first lens 20, the first and second band pass filters 33 and 34 formed on the wedge glass 37.
The optical signal of the second wavelength which is transmitted through the optical fiber 7 and is incident on the first receiving photodiode 25 is incident on the optical fiber 7 and then formed on the second wedge-shaped glass 37. Reflected by the band-pass filter 34 of the second
The light is condensed by the lens 31, passes through the third band-pass filters 36 formed on both surfaces of the flat glass 35, is incident on the first receiving photodiode 25, and is incident on the second receiving photodiode 42. The optical signal of the third wavelength enters the wedge-shaped glass 3 after entering from the optical fiber 7.
7, through the second band-pass filter 34 formed in
The light is reflected by the first band-pass filter 33 formed on the other surface of the wedge-shaped glass 37, passes through the second band-pass filter 34 again, is condensed by the second lens 31, and is formed on both surfaces of the flat glass 35. Then, the light passes through the third band-pass filter 36 formed on the second photodiode 42 and enters the second receiving photodiode 42.

【0030】上記のように、第1、第2の受信用ホトダ
イオード25、42を1つのパッケージに納めた受光素
子Dと、特性の異なる第1、第2のバンドパスフィルタ
33、34を各々片面に形成したくさび形ガラス37を
用いることにより、従来の2波長の双方向波長多重通信
用光半導体素子モジュールと同一の大きさで、同一の大
きさの部品を使用し、同一の設計位置精度とし、さら
に、第2のレンズ31の設計自由度を増すことができ、
かつ、受信用多重波長を1波長増やした3波長の双方向
波長多重通信用光半導体素子モジュールを構成すること
ができる。
As described above, the light receiving element D in which the first and second receiving photodiodes 25 and 42 are housed in one package and the first and second band pass filters 33 and 34 having different characteristics are each provided on one side. By using the wedge-shaped glass 37 formed as described above, the same size and the same size components as those of the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module are used, and the same design position accuracy is obtained. Further, the degree of freedom in designing the second lens 31 can be increased,
In addition, an optical semiconductor element module for bidirectional wavelength multiplex communication of three wavelengths in which the reception multiplex wavelength is increased by one wavelength can be configured.

【0031】また、この発明の他の実施の形態として、
図4における第1の半導体レーザ11からの出射光であ
る第1の波長と、第2の受信用ホトダイオード42への
入射光である第3の波長を同一の第1の波長とし、第1
のバンドパスフィルタ33を、第1の波長の光信号に対
する半透明膜に変更し、かつ、第3のバンドパスフィル
タ36を形成した平板ガラス35を取り除くことによ
り、第1の波長の光信号の送受信、及び、第2の波長の
光信号を受信する2波長の双方向波長多重通信用光半導
体素子モジュールを構成することができる。
Further, as another embodiment of the present invention,
The first wavelength, which is the light emitted from the first semiconductor laser 11 in FIG. 4, and the third wavelength, which is the light incident on the second photodiode 42, are the same first wavelength.
Is changed to a translucent film for the optical signal of the first wavelength, and the flat glass 35 on which the third band-pass filter 36 is formed is removed, whereby the optical signal of the first wavelength is removed. An optical semiconductor element module for two-way bidirectional wavelength division multiplexing communication that transmits and receives and receives an optical signal of the second wavelength can be configured.

【0032】実施の形態5 図5はこの発明の実施の形態5による光半導体素子モジ
ュールを示す図である。図において、7、8、16から
43は実施の形態4と同一であり、44は第3の受信用
ホトダイオード、45は第2のPDブロック、Eは上記
15から19、44、45により構成される第2の受光
素子である。なお、第1、第2、第3の受信用ホトダイ
オード24、42、44へ入射される光信号の波長を各
々第1、第2、第3の波長の光信号とし、第1のバンド
パスフィルタ33は、上記第2の波長の光信号を反射
し、かつ、上記第3の波長の光信号を透過するよう設計
された誘電体多層膜とし、第2のバンドパスフィルタ3
4は、上記第1の波長の光信号を反射し、かつ、上記第
2、第3の波長の光信号を透過するよう設計された誘電
体多層膜と置き換えればよい。また、上記実施の形態1
で示したような第1の半導体レーザ11からの近端漏話
の問題はなくなるが、第3の受信用ホトダイオード44
への受信光である第3の波長の光信号が、第1、第2の
バンドパスフィルタ33、34で乱反射され、第1、第
2の受信用ホトダイオード25、42に入射することに
よる漏話を防ぐ目的で、上記実施の形態4で使用した平
板ガラス35と、この平板ガラス35の両面に形成され
た第3のバンドパスフィルタ36を設置しておく必要が
ある。
Embodiment 5 FIG. 5 is a view showing an optical semiconductor device module according to Embodiment 5 of the present invention. In the drawing, 7, 8, 16 to 43 are the same as those of the fourth embodiment, 44 is a third receiving photodiode, 45 is a second PD block, and E is composed of the above 15 to 19, 44 and 45. A second light receiving element. The wavelengths of the optical signals incident on the first, second, and third receiving photodiodes 24, 42, and 44 are first, second, and third wavelength optical signals, respectively. Reference numeral 33 denotes a dielectric multi-layer film designed to reflect the optical signal of the second wavelength and transmit the optical signal of the third wavelength.
Reference numeral 4 may be replaced with a dielectric multilayer film designed to reflect the optical signal of the first wavelength and transmit the optical signals of the second and third wavelengths. Embodiment 1
Although the problem of the near-end crosstalk from the first semiconductor laser 11 as shown in FIG.
The optical signal of the third wavelength, which is the light received by the first and second band-pass filters 33 and 34, is irregularly reflected by the first and second band-pass filters 33 and 34, and the cross-talk caused by entering the first and second receiving photodiodes 25 and 42 is reduced. For the purpose of prevention, it is necessary to install the flat glass 35 used in the fourth embodiment and the third bandpass filters 36 formed on both sides of the flat glass 35.

【0033】次に動作について説明する。第1の受信用
ホトダイオード25へ入射される第1の波長の光信号
は、光ファイバ7から入射された後、くさび形ガラス3
7に形成された第2のバンドパスフィルタ34で反射さ
れ、第2のレンズ31により集光され、平板ガラス35
の両面に形成された第3のバンドパスフィルタ36を透
過して第1の受信用ホトダイオード25に入射され、第
2の受信用ホトダイオード42へ入射される第2の波長
の光信号は、光ファイバ7から入射された後、くさび形
ガラス37に形成された第2のバンドパスフィルタ34
を透過し、くさび形ガラス37の他面に形成された第1
のバンドパスフィルタ33で反射され、再度第2のバン
ドパスフィルタ34を透過し、第2のレンズ31により
集光され、平板ガラス35の両面に形成された第3のバ
ンドパスフィルタ36を透過して第2の受信用ホトダイ
オード42に入射され、第3の受信用ホトダイオード4
4へ入射される第3の波長の光信号は、光ファイバ7か
ら入射された後、くさび形ガラス37に形成された第
1、第2のバンドパスフィルタ33、34を透過し、第
1のレンズ20により集光されて第3の受信用ホトダイ
オード44に入射される。
Next, the operation will be described. The optical signal of the first wavelength that is incident on the first receiving photodiode 25 is incident on the optical fiber 7 and then the wedge-shaped glass 3.
7, the light is reflected by the second band-pass filter 34 formed by the second lens 31 and condensed by the second lens 31.
The optical signal of the second wavelength, which is transmitted through the third band-pass filter 36 formed on both surfaces of the first photodiode and incident on the first receiving photodiode 25 and incident on the second receiving photodiode 42, 7, a second band-pass filter 34 formed on a wedge-shaped glass 37.
Through the first surface of the wedge-shaped glass 37
Is reflected by the band-pass filter 33, passes through the second band-pass filter 34 again, is collected by the second lens 31, and passes through the third band-pass filter 36 formed on both surfaces of the flat glass 35. Incident on the second receiving photodiode 42 and the third receiving photodiode 4
The optical signal having the third wavelength incident on the optical fiber 4 is transmitted through the first and second band-pass filters 33 and 34 formed on the wedge-shaped glass 37 after being incident on the optical fiber 7, and then the first optical signal is transmitted through the first and second band-pass filters 33 and 34. The light is condensed by the lens 20 and is incident on the third receiving photodiode 44.

【0034】上記のように、第1、第2の受信用ホトダ
イオード25、42を1つのパッケージに納めた第1の
受光素子Dと、特性の異なる第1、第2のバンドパスフ
ィルタ33、34を各々片面に形成したくさび形ガラス
37を用いることにより、従来の2波長の双方向波長多
重通信用光半導体素子モジュールと同一の大きさで、同
一の大きさの部品を使用し、同一の設計位置精度とし、
さらに、第2のレンズ31の設計自由度を増すことがで
きる、3波長多重受信用光半導体素子モジュールを構成
することができる。
As described above, the first light receiving element D in which the first and second receiving photodiodes 25 and 42 are contained in one package and the first and second band pass filters 33 and 34 having different characteristics. Are formed on one side, and the same size, the same size, and the same design as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module are used. Position accuracy,
Further, an optical semiconductor element module for three-wavelength multiplex reception that can increase the degree of freedom in designing the second lens 31 can be configured.

【0035】[0035]

【発明の効果】この発明によれば、第2の半導体レーザ
と第2のモニタホトダイオードと受信用ホトダイオード
をパッケージに納めた発光受光素子と、特性の異なる第
1、第2のバンドパスフィルタを各々片面に形成した第
1の平板状の光学部品を用いることにより、従来の2波
長の双方向波長多重通信用光半導体素子モジュールと同
一の大きさで、同一の大きさの部品を使用し、同一の設
計位置精度とし、かつ、送信用多重波長を1波長増やし
た3波長の双方向波長多重通信用光半導体素子モジュー
ルを構成することができる。
According to the present invention, a light emitting and receiving device in which a second semiconductor laser, a second monitor photodiode and a receiving photodiode are housed in a package, and first and second bandpass filters having different characteristics are provided. By using the first flat optical component formed on one side, a component having the same size and the same size as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module can be used. It is possible to configure an optical semiconductor element module for bidirectional wavelength division multiplexing communication of three wavelengths in which the design position accuracy is set to 1 and the transmission multiplex wavelength is increased by one wavelength.

【0036】この発明によれば、第2の半導体レーザと
第2のモニタホトダイオードと受信用ホトダイオードを
パッケージに納めた発光受光素子と、特性の異なる第
1、第2のバンドパスフィルタを各々片面に形成したく
さび形の光学部品を用いることにより、従来の2波長の
双方向波長多重通信用光半導体素子モジュールと同一の
大きさで、同一の大きさの部品を使用し、同一の設計位
置精度とし、さらに、第2のレンズ31の設計自由度を
増すことができ、かつ、送信用多重波長を1波長増やし
た3波長の双方向波長多重用通信用光半導体素子モジュ
ールを構成できる。
According to the present invention, a light emitting and receiving element in which a second semiconductor laser, a second monitor photodiode and a receiving photodiode are housed in a package, and first and second bandpass filters having different characteristics are provided on one side. By using the formed wedge-shaped optical parts, the same size and the same size as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module are used, and the same design position accuracy is obtained. Further, the degree of freedom in designing the second lens 31 can be increased, and a three-wavelength bidirectional wavelength multiplexing communication optical semiconductor element module can be configured by increasing the transmission multiplexing wavelength by one wavelength.

【0037】この発明によれば、第2、第3の半導体レ
ーザと第2、第3のモニタホトダイオードをパッケージ
に納めた発光素子と、特性の異なる第1、第2のバンド
パスフィルタを各々片面に形成したくさび形の光学部品
を用いることにより、従来の2波長の双方向波長多重通
信用光半導体素子モジュールと同一の大きさで、同一の
大きさの部品を使用し、同一の設計位置精度とし、さら
に、第2のレンズ31の設計自由度を増すことができ、
かつ、3波長多重送信用光半導体素子モジュールを構成
することができる。
According to the present invention, the light emitting element in which the second and third semiconductor lasers and the second and third monitor photodiodes are packaged, and the first and second bandpass filters having different characteristics are provided on one side. By using the wedge-shaped optical components formed in the above, the same size and the same size components as those of the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor element module are used, and the same design position accuracy is used. Further, the degree of freedom in designing the second lens 31 can be increased,
Further, an optical semiconductor element module for three-wavelength multiplex transmission can be configured.

【0038】この発明によれば、第1、第2の受信用ホ
トダイオードをパッケージに納めた受光素子と、特性の
異なる第1、第2のバンドパスフィルタを各々片面に形
成したくさび形の光学部品を用いることにより、従来の
2波長の双方向波長多重通信用光半導体素子モジュール
と同一の大きさで、同一の大きさの部品を使用し、同一
の設計位置精度とし、さらに、第2のレンズ31の設計
自由度を増すことができ、かつ、受信用多重波長を1波
長増やした3波長の双方向波長多重通信用光半導体素子
モジュールを構成することができる。
According to the present invention, a wedge-shaped optical component in which first and second receiving photodiodes are housed in a package and first and second band-pass filters having different characteristics are formed on one side, respectively. By using the same size and the same size components as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor device module for bidirectional wavelength multiplexing communication, the same design position accuracy is achieved, and the second lens 31 can increase the degree of freedom of design, and can configure an optical semiconductor element module for bidirectional wavelength multiplex communication of three wavelengths in which the number of multiplexed wavelengths for reception is increased by one.

【0039】この発明によれば、第1、第2の受信用ホ
トダイオードをパッケージに納めた受光素子と、特性の
異なる第1、第2のバンドパスフィルタを各々片面に形
成したくさび形の光学部品を用いることにより、従来の
2波長の双方向波長多重通信用光半導体素子モジュール
と同一の大きさで、同一の大きさの部品を使用し、同一
の設計位置精度とし、さらに、第2のレンズ31の設計
自由度を増すことができる、3波長多重受信用光半導体
素子モジュールを構成することができる。
According to the present invention, a wedge-shaped optical component in which first and second receiving photodiodes are housed in a package and first and second bandpass filters having different characteristics are formed on one side, respectively. By using the same size and the same size components as the conventional two-wavelength bidirectional wavelength division multiplexing optical semiconductor device module for bidirectional wavelength multiplexing communication, the same design position accuracy is achieved, and the second lens Thus, an optical semiconductor device module for three-wavelength multiplex reception, which can increase the degree of freedom of design of the optical semiconductor device, can be configured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明による光半導体素子モジュールの実施
の形態1を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing Embodiment 1 of an optical semiconductor element module according to the present invention.

【図2】この発明による光半導体素子モジュールの実施
の形態2を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing Embodiment 2 of the optical semiconductor element module according to the present invention.

【図3】この発明による光半導体素子モジュールの実施
の形態3を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing Embodiment 3 of the optical semiconductor element module according to the present invention.

【図4】この発明による光半導体素子モジュールの実施
の形態4を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment of the optical semiconductor element module according to the present invention.

【図5】この発明による光半導体素子モジュールの実施
の形態5を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing Embodiment 5 of an optical semiconductor element module according to the present invention.

【図6】従来の光半導体素子モジュールを示す図であ
る。
FIG. 6 is a view showing a conventional optical semiconductor element module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光素子 2 受光素子 3 レンズ 4 光分離フィルタ 5 バンドパスフィルタ 6 ケース 7 光ファイバ 8 フェルール 9 光ファイバホルダ 10 受光素子のホルダ 11 第1の半導体レーザ 12 第1のLDサブマウント 13 第1のブロック 14 第1のモニタホトダイオード 15 第1のPDサブマウント 16 第1のキャップ 17 第1の窓ガラス 18 第1のステム 19 第1のリード端子 20 第1のレンズ 21 第2の半導体レーザ 22 第2のLDサブマウント 23 第2のブロック 24 第2のモニタホトダイオード 25 受信用ホトダイオード 26 第2のPDサブマウント 27 第2のキャップ 28 第2の窓ガラス 29 第2のステム 30 第2のリード端子 31 第2のレンズ 32 第1の平板ガラス 33 第1のバンドパスフィルタ 34 第2のバンドパスフィルタ 35 第2の平板ガラス 36 第3のバンドパスフィルタ 37 くさび形ガラス 38 第3の半導体レーザ 39 第3のLDサブマウント 40 第3のモニタホトダイオード 41 第3のPDサブマウント 42 第2の受信用ホトダイオード 43 PDブロック 44 第3の受信用ホトダイオード 45 第2のPDブロック A 発光素子 B 発光受光素子 C 第2の発光素子 D 受光素子 E 第2の受光素子 REFERENCE SIGNS LIST 1 light emitting element 2 light receiving element 3 lens 4 light separation filter 5 bandpass filter 6 case 7 optical fiber 8 ferrule 9 optical fiber holder 10 light receiving element holder 11 first semiconductor laser 12 first LD submount 13 first block Reference Signs List 14 first monitor photodiode 15 first PD submount 16 first cap 17 first window glass 18 first stem 19 first lead terminal 20 first lens 21 second semiconductor laser 22 second LD submount 23 second block 24 second monitor photodiode 25 receiving photodiode 26 second PD submount 27 second cap 28 second window glass 29 second stem 30 second lead terminal 31 second Lens 32 first flat glass 33 first bandpass filter (C) 34 second bandpass filter 35 second flat glass 36 third bandpass filter 37 wedge glass 38 third semiconductor laser 39 third LD submount 40 third monitor photodiode 41 third PD sub Mount 42 Second receiving photodiode 43 PD block 44 Third receiving photodiode 45 Second PD block A Light emitting element B Light emitting and receiving element C Second light emitting element D Light receiving element E Second light receiving element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01S 3/18 H01L 31/02 C ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01S 3/18 H01L 31/02 C

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の半導体レーザと第1のモニタホト
ダイオードをパッケージに納めた発光素子と、第2の半
導体レーザと第2のモニタホトダイオードと受信用ホト
ダイオードをパッケージに納めた発光受光素子と、第
1、第2のレンズと、フェルールと、このフェルールに
固定された光ファイバと、上記第1の半導体レーザから
出射される第1の波長の光信号を透過し、かつ、上記受
信用ホトダイオードへ入射される第3の波長の光信号を
反射する第1のバンドパスフィルタを片面に蒸着し、ま
た、上記第1、第3の波長の光信号を透過し、かつ、上
記第2の半導体レーザから出射される第2の波長の光信
号を反射する第2のバンドパスフィルタをもう一方の面
に蒸着した第1の平板状の光学部品と、上記第1の波長
の光信号を反射し、かつ、上記第2、第3の波長の光信
号を透過する第3のバンドパスフィルタを両面に蒸着し
た第2の平板状の光学部品とを備え、上記発光素子と上
記光ファイバを向かい合うように配置し、上記発光受光
素子を上記発光素子の中心線と垂直をなす位置に配置
し、上記第1の平板状の光学部品を上記第2の半導体レ
ーザからの出射光が上記第1の平板状の光学部品で反射
して上記光ファイバに結合し、かつ、上記光ファイバか
らの入射光が上記第1の平板状の光学部品で反射して上
記受信用ホトダイオードに入射するよう上記発光素子の
中心線に対し斜めに配置し、上記第1のレンズを上記第
1の半導体レーザからの出射光が上記第1の平板状の光
学部品を透過して上記光ファイバと結合するように配置
し、上記第2のレンズを上記第2の平板状の光学部品を
透過した上記第2の半導体レーザからの出射光が上記第
1の平板状の光学部品で反射され上記光ファイバと結合
し、かつ、上記第1の平板状の光学部品で反射された上
記光ファイバからの入射光が上記第2の平板状の光学部
品を透過して上記受信用ホトダイオードと結合するよう
配置し、上記第2の平板状の光学部品を上記発光受光素
子と第2のレンズの間に配置したことを特徴とする光半
導体素子モジュール。
A light-emitting element containing a first semiconductor laser and a first monitor photodiode in a package; a light-emitting and light-receiving element containing a second semiconductor laser, a second monitor photodiode, and a receiving photodiode in a package; A first lens, a second lens, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, an optical signal of a first wavelength emitted from the first semiconductor laser, and transmitted to the receiving photodiode. A first band-pass filter for reflecting an incident third-wavelength optical signal is deposited on one side, the first and third-wavelength optical signals are transmitted, and the second semiconductor laser is transmitted. A first plate-shaped optical component having a second bandpass filter for reflecting an optical signal of a second wavelength emitted from the other surface deposited on the other surface, and reflecting the optical signal of the first wavelength; Or A second plate-shaped optical component having a third bandpass filter that transmits optical signals of the second and third wavelengths deposited on both sides thereof, such that the light-emitting element faces the optical fiber. The light-emitting and light-receiving element is disposed at a position perpendicular to the center line of the light-emitting element, and the first plate-like optical component is used for emitting light from the second semiconductor laser to the first plate-like light. Reflected by the optical component and coupled to the optical fiber, and incident light from the optical fiber is reflected by the first plate-shaped optical component to enter the receiving photodiode. The first lens is disposed obliquely with respect to a line, and the first lens is disposed such that light emitted from the first semiconductor laser passes through the first flat optical component and couples with the optical fiber; The second lens is the second flat plate The outgoing light from the second semiconductor laser that has passed through the optical component is reflected by the first flat optical component, coupled with the optical fiber, and reflected by the first flat optical component. Arranged so that incident light from the optical fiber passes through the second flat optical component and couples with the receiving photodiode, and connects the second flat optical component to the light emitting and receiving element and the second flat optical component. An optical semiconductor element module, which is disposed between lenses.
【請求項2】 第1の半導体レーザと第1のモニタホト
ダイオードをパッケージに納めた発光素子と、第2の半
導体レーザと第2のモニタホトダイオードと受信用ホト
ダイオードをパッケージに納めた発光受光素子と、第
1、第2のレンズと、フェルールと、このフェルールに
固定された光ファイバと、上記第1の半導体レーザから
出射される第1の波長の光信号を透過し、かつ、上記受
信用ホトダイオードへ入射される第3の波長の光信号を
反射する第1のバンドパスフィルタを片面に蒸着し、ま
た、上記第1、第3の波長の光信号を透過し、かつ、上
記第2の半導体レーザから出射される第2の波長の光信
号を反射する第2のバンドパスフィルタをもう一方の面
に蒸着したくさび形の光学部品と、上記第1の波長の光
信号を反射し、かつ、上記第2、第3の波長の光信号を
透過する第3のバンドパスフィルタを両面に蒸着した平
板状の光学部品とを備え、上記発光素子と上記光ファイ
バを向かい合うように配置し、上記発光受光素子を上記
発光素子の中心線と垂直をなす位置に配置し、上記くさ
び形の光学部品を上記第2の半導体レーザからの出射光
が上記くさび形の光学部品で反射して上記光ファイバに
結合し、かつ、上記光ファイバからの入射光が上記くさ
び形の光学部品で反射して上記受信用ホトダイオードに
入射するよう上記発光素子の中心線に対し斜めに配置
し、上記第1のレンズを上記第1の半導体レーザからの
出射光が上記くさび形の光学部品を透過して上記光ファ
イバと結合するように配置し、上記第2のレンズを上記
平板状の光学部品を透過した上記第2の半導体レーザか
らの出射光が上記くさび形の光学部品で反射され、上記
光ファイバと結合し、かつ、上記くさび形の光学部品で
反射された上記光ファイバからの入射光が上記平板状の
光学部品を透過して上記受信用ホトダイオードと結合す
るよう配置し、上記平板状の光学部品を上記発光受光素
子と第2のレンズの間に配置したことを特徴とする光半
導体素子モジュール。
2. A light emitting device in which a first semiconductor laser and a first monitor photodiode are contained in a package, a light emitting and receiving device in which a second semiconductor laser, a second monitor photodiode and a receiving photodiode are contained in a package, A first lens, a second lens, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, an optical signal of a first wavelength emitted from the first semiconductor laser, and transmitted to the receiving photodiode. A first band-pass filter for reflecting an incident third-wavelength optical signal is deposited on one side, the first and third-wavelength optical signals are transmitted, and the second semiconductor laser is transmitted. A wedge-shaped optical component in which a second bandpass filter for reflecting an optical signal of a second wavelength emitted from the other surface is vapor-deposited on the other surface, and reflects the optical signal of the first wavelength, and A plate-shaped optical component having a third band-pass filter transmitting both the second and third wavelength optical signals deposited on both surfaces thereof, wherein the light-emitting element and the optical fiber are arranged to face each other, The light receiving element is arranged at a position perpendicular to the center line of the light emitting element, and the light emitted from the second semiconductor laser reflects the wedge-shaped optical component by the wedge-shaped optical component to the optical fiber. Coupled, and arranged obliquely with respect to the center line of the light emitting element so that incident light from the optical fiber is reflected by the wedge-shaped optical component and enters the receiving photodiode, and the first lens is The light emitted from the first semiconductor laser is disposed so as to pass through the wedge-shaped optical component and is coupled to the optical fiber, and the second lens is transmitted through the flat optical component. Half of The outgoing light from the body laser is reflected by the wedge-shaped optical component, is coupled to the optical fiber, and the incident light from the optical fiber reflected by the wedge-shaped optical component is the flat optical component. An optical semiconductor element module, wherein the optical element is disposed so as to be coupled to the receiving photodiode while transmitting the light, and the flat optical component is disposed between the light emitting and receiving element and the second lens.
【請求項3】 第1の半導体レーザと第1のモニタホト
ダイオードをパッケージに納めた第1の発光素子と、第
2、第3の半導体レーザと第2、第3のモニタホトダイ
オードをパッケージに納めた第2の発光素子と、第1、
第2のレンズと、フェルールと、このフェルールに固定
された光ファイバと、上記第1の半導体レーザから出射
される第1の波長の光信号を透過し、かつ、上記第3の
半導体レーザから出射される第3の波長の光信号を反射
する第1のバンドパスフィルタを片面に蒸着し、また、
上記第1、第3の波長の光信号を透過し、かつ、上記第
2の半導体レーザから出射される第2の波長の光信号を
反射する第2のバンドパスフィルタをもう一方の面に蒸
着したくさび形の光学部品とを備え、上記第1の発光素
子と上記光ファイバを向かい合うように配置し、上記第
2の発光素子を上記第1の発光素子の中心線と垂直をな
す位置に配置し、上記くさび形の光学部品を上記第2、
第3の半導体レーザからの出射光が上記くさび形の光学
部品で反射して上記光ファイバに結合するよう上記第1
の発光素子の中心線に対し斜めに配置し、上記第1のレ
ンズを上記第1の半導体レーザからの出射光が上記くさ
び形の光学部品を透過して上記光ファイバと結合するよ
うに配置し、上記第2のレンズを上記第2、第3の半導
体レーザからの出射光が各々上記くさび形の光学部品で
反射され上記光ファイバと結合するよう配置したことを
特徴とする光半導体素子モジュール。
3. A first light emitting element containing a first semiconductor laser and a first monitor photodiode in a package, and second and third semiconductor lasers and a second and a third monitor photodiode in a package. A second light emitting element;
A second lens, a ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, and an optical signal of a first wavelength emitted from the first semiconductor laser, and emitted from the third semiconductor laser. A first band-pass filter for reflecting an optical signal of a third wavelength to be deposited on one side;
A second bandpass filter that transmits the optical signals of the first and third wavelengths and reflects the optical signal of the second wavelength emitted from the second semiconductor laser is deposited on the other surface. A wedge-shaped optical component, wherein the first light emitting element and the optical fiber are arranged to face each other, and the second light emitting element is arranged at a position perpendicular to a center line of the first light emitting element. And the wedge-shaped optical component is replaced with the second,
The first light is emitted from the third semiconductor laser so as to be reflected by the wedge-shaped optical component and coupled to the optical fiber.
And the first lens is arranged so that light emitted from the first semiconductor laser passes through the wedge-shaped optical component and couples with the optical fiber. An optical semiconductor element module, wherein the second lens is arranged such that light emitted from the second and third semiconductor lasers is reflected by the wedge-shaped optical components and coupled to the optical fiber.
【請求項4】 第1の半導体レーザと第1のモニタホト
ダイオードをパッケージに納めた発光素子と、第1、第
2の受信用ホトダイオードをパッケージに納めた受光素
子と、第1、第2のレンズと、フェルールと、このフェ
ルールに固定された光ファイバと、上記第1の半導体レ
ーザから出射される第1の波長の光信号を透過し、か
つ、上記第2の受信用ホトダイオードへ入射される第3
の波長の光信号を反射する第1のバンドパスフィルタを
片面に蒸着し、また、上記第1、第3の波長の光信号を
透過し、かつ、上記第1の受信用ホトダイオードへ入射
される第2の波長の光信号を反射する第2のバンドパス
フィルタをもう一方の面に蒸着したくさび形の光学部品
と、上記第1の波長の光信号を反射し、かつ、上記第
2、第3の波長の光信号を透過する第3のバンドパスフ
ィルタを両面に蒸着した平板状の光学部品とを備え、上
記発光素子と上記光ファイバを向かい合うように配置
し、上記受光素子を上記発光素子の中心線と垂直をなす
位置に配置し、上記くさび形の光学部品を上記光ファイ
バからの入射光がこのくさび形の光学部品で反射して上
記第1、第2の受信用ホトダイオードに入射するよう上
記発光素子の中心線に対し斜めに配置し、上記第1のレ
ンズを上記第1の半導体レーザからの出射光が上記くさ
び形の光学部品を透過して上記光ファイバと結合するよ
うに配置し、上記第2のレンズを上記くさび形の光学部
品で反射された上記光ファイバからの上記第1、第2の
受信用ホトダイオードへの入射光が上記平板状の光学部
品を透過し、各々上記第1、第2の受信用ホトダイオー
ドと結合するよう配置し、上記平板状の光学部品を上記
受光素子と第2のレンズの間に配置したことを特徴とす
る光半導体素子モジュール。
4. A light-emitting element containing a first semiconductor laser and a first monitor photodiode in a package, a light-receiving element containing first and second receiving photodiodes in a package, and first and second lenses. A ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, and a second optical fiber that transmits an optical signal of a first wavelength emitted from the first semiconductor laser and is incident on the second receiving photodiode. 3
A first band-pass filter that reflects an optical signal having a wavelength of is deposited on one surface, and transmits an optical signal having the first and third wavelengths and is incident on the first receiving photodiode. A wedge-shaped optical component having a second bandpass filter for reflecting an optical signal of a second wavelength deposited on the other surface; an optical component for reflecting the optical signal of the first wavelength; A plate-shaped optical component having a third band-pass filter that transmits an optical signal having a wavelength of 3 on both surfaces thereof, wherein the light-emitting element and the optical fiber are arranged to face each other, and the light-receiving element is the light-emitting element Are arranged at a position perpendicular to the center line of the wedge-shaped optical component, and the incident light from the optical fiber is reflected by the wedge-shaped optical component and is incident on the first and second receiving photodiodes. To the center line of the light emitting element And the first lens is disposed so that light emitted from the first semiconductor laser passes through the wedge-shaped optical component and couples with the optical fiber. Light incident on the first and second receiving photodiodes from the optical fiber reflected by the wedge-shaped optical component passes through the plate-shaped optical component, and the first and second receiving photodiodes respectively. An optical semiconductor element module, wherein the optical element is arranged to be coupled to a photodiode, and the flat optical component is arranged between the light receiving element and the second lens.
【請求項5】 第1、第2の受信用ホトダイオードをパ
ッケージに納めた第1の受光素子と、第3の受信用ホト
ダイオードを有する第2の受光素子と、第1、第2のレ
ンズと、フェルールと、このフェルールに固定された光
ファイバと、上記第3の受信用ホトダイオードへ入射さ
れる第3の波長の光信号を透過し、かつ、上記第2の受
信用ホトダイオードへ入射される第2の波長の光信号を
反射する第1のバンドパスフィルタを片面に蒸着し、ま
た、上記第1の受信用ホトダイオードへ入射される第1
の波長の光信号を反射し、かつ、上記第2、第3の波長
の光信号を透過する第2のバンドパスフィルタをもう一
方の面に蒸着したくさび形の光学部品と、上記第3の波
長の光信号を反射し、かつ、上記第1、第2の波長の光
信号を透過する第3のバンドパスフィルタを両面に蒸着
した平板状の光学部品とを備え、上記第2の受光素子と
上記光ファイバを向かい合うように配置し、上記第1の
受光素子を上記第2の受光素子の中心線と垂直をなす位
置に配置し、上記くさび形の光学部品を上記光ファイバ
からの入射光が上記くさび形の光学部品で反射して上記
第1、第2の受信用ホトダイオードに入射するよう上記
発光素子の中心線に対し斜めに配置し、上記第1のレン
ズを上記光ファイバからの入射光が上記くさび形の光学
部品を透過して上記第3の受信用ホトダイオードと結合
するように配置し、上記第2のレンズを上記くさび形の
光学部品で反射された上記光ファイバからの上記第1、
第2の受信用ホトダイオードへの入射光が上記平板状の
光学部品を透過し、各々上記第1、第2の受信用ホトダ
イオードと結合するよう配置し、上記平板状の光学部品
を上記受光素子と第2のレンズの間に配置したことを特
徴とする光半導体素子モジュール。
5. A first light receiving element containing first and second receiving photodiodes in a package, a second light receiving element having a third receiving photodiode, first and second lenses, A ferrule, an optical fiber fixed to the ferrule, and a second optical signal that transmits an optical signal of a third wavelength incident on the third receiving photodiode and is incident on the second receiving photodiode. A first band-pass filter for reflecting an optical signal having a wavelength of is vapor-deposited on one side, and a first band-pass filter incident on the first receiving photodiode is formed.
A wedge-shaped optical component in which a second band-pass filter that reflects an optical signal having a wavelength of? And transmits the optical signals having the second and third wavelengths is deposited on the other surface; A flat optical component having a third band-pass filter that reflects an optical signal of a wavelength and transmits the optical signals of the first and second wavelengths on both surfaces, and the second light receiving element And the optical fiber are disposed so as to face each other, the first light receiving element is disposed at a position perpendicular to the center line of the second light receiving element, and the wedge-shaped optical component is incident light from the optical fiber. Are obliquely arranged with respect to the center line of the light emitting element so as to be reflected by the wedge-shaped optical component and enter the first and second receiving photodiodes, and the first lens is incident from the optical fiber. Light is transmitted through the wedge-shaped optical components and Third and arranged to bind to the receiving photodiode, said first and said second lens from the optical fiber is reflected by the optical components of the wedge,
Arranged so that light incident on the second receiving photodiode passes through the flat optical component and couples to the first and second receiving photodiodes, respectively, and connects the flat optical component to the light receiving element. An optical semiconductor element module, which is disposed between second lenses.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009151106A (en) * 2007-12-20 2009-07-09 Fujitsu Ltd Single-core bidirectional optical device
US7696470B2 (en) 2007-07-11 2010-04-13 Oki Semiconductor Co., Ltd. Optical communication module
US8532494B2 (en) 2009-09-29 2013-09-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical bidirectional communication module and optical bidirectional communication apparatus
US9726839B2 (en) 2015-03-30 2017-08-08 Oki Electric Industry Co., Ltd. Bidirectional optical communication module
CN110780451A (en) * 2019-11-14 2020-02-11 成都优博创通信技术股份有限公司 Laser assembly and optical communication equipment

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