JP2585285B2 - Sample hold circuit - Google Patents

Sample hold circuit

Info

Publication number
JP2585285B2
JP2585285B2 JP62212821A JP21282187A JP2585285B2 JP 2585285 B2 JP2585285 B2 JP 2585285B2 JP 62212821 A JP62212821 A JP 62212821A JP 21282187 A JP21282187 A JP 21282187A JP 2585285 B2 JP2585285 B2 JP 2585285B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
emitter
base
collector
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62212821A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6457499A (en
Inventor
正生 堀田
俊次 永田
敏彦 清水
義人 ▲ね▼寝
健二 麻殖生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Image Information Systems Inc
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Image Information Systems Inc
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Image Information Systems Inc, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Image Information Systems Inc
Priority to JP62212821A priority Critical patent/JP2585285B2/en
Publication of JPS6457499A publication Critical patent/JPS6457499A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2585285B2 publication Critical patent/JP2585285B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はサンプル・ホールド回路に係り、特にモノリ
シックIC化に適したサンプル・ホールド回路に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sample and hold circuit, and more particularly to a sample and hold circuit suitable for a monolithic IC.

[従来の技術] 従来のサンプル・ホールド回路は第5図に示すよう
に、2つのトランジスタQ13,Q14をエミッタ接続し、一
方に入力を入れ、他方をダイオード接続して、定電流源
(IA/2)に接続する方式が、バイポーラモノリシックIC
用として使用されていた。これは例えばアイ・エス・エ
ス・シー・シー,論文集,テー エッチ ピー エム
14.1(1983年)178頁から179頁(ISSCC,Digest of Tech
nical Papers,THPM14.1,pp178−179(1983))で論じら
れている。この方式は、入力がトランジスタのベースで
あり、ダイオードブリッジを用いる方法に比べて入力イ
ンピーダンスが高く、回路が簡単という特徴がある。
[Prior Art] As shown in FIG. 5, a conventional sample-and-hold circuit connects two transistors Q 13 and Q 14 with an emitter, inputs an input to one of the transistors, and connects a diode with the other to form a constant current source ( IA / 2) is connected to a bipolar monolithic IC.
Was used for This is, for example, ISSC, papers, TPM
14.1 (1983) pp. 178-179 (ISSCC, Digest of Tech)
nical Papers, THPM 14.1, pp 178-179 (1983)). This method is characterized in that the input is the base of a transistor, the input impedance is higher than the method using a diode bridge, and the circuit is simpler.

[発明が解決しようとする問題点] 上記従来技術は、ダイオード接続されたトランジスタ
Q14の負荷として定電流源が必要であり、この定電流源
にはpnpトランジスタを使用せざるを得ない。しかし、
モノリシックIC化した場合、高速のpnpトランジスタが
得られず、サンプルホールド回路の高速化の障害となっ
ていた。
[Problems to be Solved by the Invention] The above-mentioned prior art is a diode-connected transistor.
A constant current source as a load of Q 14 is required, forced use pnp transistor for the constant current source. But,
When a monolithic IC was used, a high-speed pnp transistor could not be obtained, which was an obstacle to speeding up the sample-and-hold circuit.

本発明の目的は高速化の障害となっているpnpトラン
ジスタなどの素子を用いず、バイポーラモノリシックIC
に適した高速のサンプルホールド回路を提供することに
ある。
An object of the present invention is to use a bipolar monolithic IC without using a device such as a pnp transistor which is an obstacle to high speed operation.
It is an object of the present invention to provide a high-speed sample-and-hold circuit suitable for the following.

[問題点を解決するための手段] 上記目的は、上述した定電流源の代りに抵抗を用い、
さらに、入力トランジスタとダイオード接続されたトラ
ンジスタを流れる電流が入力信号レベルに対して常に等
しくする回路を付加することにより、達成される。
[Means for Solving the Problems] The above object is to use a resistor instead of the above-described constant current source,
Further, this is achieved by adding a circuit that ensures that the current flowing through the diode-connected transistor with the input transistor is always equal to the input signal level.

[作用] 負荷として接続された抵抗には、入力電圧に応じた電
圧降下が生じるような電流が流れるが、トランジスタの
ベース・エミッタ間電圧VBEはコレクタ電流が変化して
もほぼ一定であり、その抵抗の電圧降下は入力に追従
し、入力信号をサンプルできる。負荷が抵抗であるた
め、従来のpnpトランジスタのように高速化の障害とな
らず、高速サンプルホールド回路が実現できる。
[Operation] A current that causes a voltage drop according to the input voltage flows through the resistor connected as a load, but the base-emitter voltage V BE of the transistor is almost constant even if the collector current changes. The voltage drop across the resistor follows the input and can sample the input signal. Since the load is a resistor, a high-speed sample-and-hold circuit can be realized without obstructing high-speed operation unlike the conventional pnp transistor.

[実施例] 以下、本発明の第1の実施例を第1図により説明す
る。同図において、入力信号はIN端子より与えられる。
まず、クロック端子CLKおよびCLKにおいて、CLKが“H"
レベルのとき、トランジスタスイッチQ4,Q5は、Q5がオ
ン状態となり、Q1,Q2に電流が流れてサンプル状態とな
る。このとき、Q1,Q2,Q3のベース・エミッタ間電圧をそ
れぞれVBE1,VBE2,VBE3として,Q2,Q3に流れる電流をI,定
電流源の電流をIE、またな入力電圧をVINとすると、次
式が成り立つ。
[Embodiment] Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the figure, an input signal is given from an IN terminal.
First, at the clock terminals CLK and CLK, CLK is set to “H”.
When the level is at the level, the transistor switches Q4 and Q5 are turned on, the current flows through the transistors Q1 and Q2, and the transistors switches to the sample state. In this case, Q1, Q2, Q3 of the base-emitter voltage as V BE1, V BE2, V BE3 respectively, Q2, Q3 the current flowing through the I, the current of the constant current source IE, or a an input voltage V IN Then, the following equation is established.

VIN−VBE1=VCC−R1・I−VBE2−VBE1 (1) 一方、ホールドコンデンサCHの電圧VCHは VCH=VIH−VBE1+VBE2 (2) となる。ここで、ベース・エミッタ間電圧はコレクタ電
流が変化しても、ほぼ一定であるから、VBE1VBE2とす
ると(2)式より VCHVIN (3) となり、ホールドコンデンサの電圧は、入力にほぼ等し
くなる。
V IN -V BE1 = V CC -R1 · I-V BE2 -V BE1 (1) On the other hand, voltage V CH of the hold capacitor C H is the V CH = V IH -V BE1 + V BE2 (2). Here, since the base-emitter voltage is almost constant even if the collector current changes, if V BE1 and V BE2 , the equation (2) gives V CH V IN (3). Is almost equal to

次に,CLKが“L"レベルになると、Q5がオフとなり、Q4
がオン状態となる。このとき、R1には電流IEが流れ、R1
の端子電圧はVCC−R1・IEとなる。サンプル時のここの
電圧はVCC−R1・Iであり、IE>Iであるから、サンプ
ル時より低い電圧となり、VCH>VCC−R1・IEとなるよう
に定数を選べばQ3は逆バイアスとなりQ3にも、Q2にも電
流が流れなくなり、ホールドコンデンサの電圧は保持さ
れることになる。
Next, when CLK becomes “L” level, Q5 turns off and Q4
Is turned on. At this time, the current IE flows through R1 and R1
Is V CC −R1 · IE . Since the voltage at the time of sampling is V CC −R1 · I and IE > I, the voltage is lower than at the time of sampling, and if a constant is selected so that V CH > V CC −R1 · IE , Q 3 to Q 3 becomes reverse biased, even no current flows in the Q 2, the voltage of the hold capacitor will be maintained.

以上により、CLKのレベルによりサンプルとホールド
の状態に切り換えられることにより、サンプルホールド
回路が実現できる。なお、第1図において、10はバッフ
ァ回路である。本実施例では、負荷として抵抗R1を用い
ており、pnpなど速度を低下させる素子は用いていない
ため、簡単で高速のサンプルホールド回路が実現できる
ことになる。
As described above, by switching between the sample and hold states according to the CLK level, a sample and hold circuit can be realized. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a buffer circuit. In this embodiment, the resistor R1 is used as the load, and no speed reducing element such as pnp is used, so that a simple and high-speed sample and hold circuit can be realized.

以上第1の実施例では、ホールドコンデンサCHの端子
電圧は入力電圧に正確に等しくなるわけでは無いので、
高精度が要求される場合には問題となる。これは、
(1)式を満足するような電流IがトランジスタQ2に流
れ、Q1にはIE−Iなる電流が流れることになり、IはV
INにより変化することから、Q1,Q2のベース・エミッタ
間電圧VBEが等しくなくなってしまうことに起因する。
したがって、より高精度が要求される場合にはQ1,Q2のV
BEを等しくする必要がある。
In the above first embodiment, since the terminal voltage of the hold capacitor C H is not necessarily made exactly equal to the input voltage,
This is a problem when high precision is required. this is,
A current I that satisfies the expression (1) flows through the transistor Q2, and a current I E -I flows through Q1, and I is V
This is caused by the fact that the base-emitter voltages V BE of Q1 and Q2 become unequal because they are changed by IN .
Therefore, when higher accuracy is required, V of Q1 and Q2
BE must be equal.

上記問題を解決するための第2の実施例を第2図に示
す。この図は第1の実施例における定電流源IEOに入力
信号によって変化する第2の定電流源ΔIEを付加したも
のである。このΔIEの大きさは次のように計算できる。
まず、一般的に(7)式が成り立つが、Q1,Q2,Q3のコレ
クタ電流が常に等しいと仮定し、トランジスタの寸法が
等しいものとすると、VBE1=VBE2=VBE3=VBEとなり、
次のように書ける。
FIG. 2 shows a second embodiment for solving the above problem. This figure is obtained by adding a second constant current source ΔI E that changes according to an input signal to the constant current source I EO in the first embodiment. The magnitude of ΔI E can be calculated as follows.
First, in general, equation (7) holds. Assuming that the collector currents of Q1, Q2, and Q3 are always equal, and assuming that the dimensions of the transistors are equal, V BE1 = V BE2 = V BE3 = V BE .
It can be written as follows.

VCC−I・R1−VBE=VIN (4) 一方、定電流源の全電流をIEとすると、それがIE=2I
であれば、Q1,Q2を流れる電流は等しくなるから IE=2IE=2(VCC−VBE−VIN)/R1 (5) を常に満足すれば良い。そこで,VIN=VINOのときIE=I
EOであるとし、VINがΔVIN変化したとすると IE=IEO+ΔIE =2(VCC−VBE−VINO)/R1−2・ΔVIN/R1 (6) となり、 ΔIE=−ΔVIN/(R1/2) (7) であるような電流源ΔIEをIEOに付加することにより、
常にIE=2Iとすることができ、Q1とQ2のコレクタ電流が
等しくなる。これにより、Q1とQ2のVBEはVINに対して常
に等しくなり、入力電圧VINとホールドコンデンサの端
子電圧VCHを等しくできる。
V CC -I · R1-V BE = V IN (4) On the other hand, if the total current of the constant current source and I E, it is I E = 2I
If, Q1, since Q2 current flowing is equal I E = 2I E = 2 ( V CC -V BE -V IN) / R1 may always be satisfied (5). Therefore, when V IN = V INO , I E = I
And is EO, When V IN is [Delta] V IN changes I E = I EO + ΔI E = 2 (V CC -V BE -V INO) / R1-2 · ΔV IN / R1 (6) next, [Delta] I E = −ΔV IN / (R1 / 2) (7) By adding a current source ΔI E to I EO such that
It is always possible to make IE = 2I, and the collector currents of Q1 and Q2 are equal. Thus, V BE of Q1 and Q2 is always equal for V IN, can equal the terminal voltage V CH of the input voltage V IN and the hold capacitor.

第3図に第2の実施例の具体的回路例を示す。トラン
ジスタQ7および抵抗RE,RFで電流源を構成している。こ
の電流源の電流IEと表わすことができる。ここでVRはトランジスタQ7のベ
ース電圧、VBEはベース・エミッタ間電圧、VSはレベル
シフト用定電圧源VSの電圧である。またVINOは入力電圧
の基準値、ΔVINは入力電圧の変化分である。この
(8)式と(6)式とを比較して ΔIE=−ΔVIN/RF (10) となり、これより を得る。また、IEOについては、(6)式の一項目から
求められるIEOとなるように各定数に応じてVSを決めれ
ば良い。
FIG. 3 shows a specific circuit example of the second embodiment. A current source is constituted by the transistor Q7 and the resistors RE and RF. The current IE of this current source is Can be expressed as Here, VR is the base voltage of the transistor Q7, V BE is the base-emitter voltage, and VS is the voltage of the level shift constant voltage source VS. V INO is a reference value of the input voltage, and ΔV IN is a change in the input voltage. By comparing the equations (8) and (6), ΔI E = −ΔV IN / RF (10) Get. As for I EO , V S may be determined according to each constant so that I EO is obtained from one item of the equation (6).

次に他の具体的回路側を第4図に示す。これはVIN
変化分を抵抗R1の端子電圧から検出するようにしたもの
であり、入力信号に応じてQ1,Q2に流れる電流が常に等
しくする効果は第3図の例と同じである。この場合も とすれば良く、VSの値だけが第3図の場合と異なるだけ
である。
Next, another specific circuit side is shown in FIG. This is to detect the variation of V IN from the terminal voltage of the resistor R1, and the effect of making the currents flowing through Q1 and Q2 always equal according to the input signal is the same as in the example of FIG. Again in this case Only the value of VS is different from the case of FIG.

以上、第1図から第4図まで、トランジスタQ2のベー
スをコレクタに接続した場合について説明してきたが、
このベースを本サンプルホールド回路の出力O/Pに接続
しても良い。この場合、出力O/Pが入力INと等しくする
ように帰還がかかるために、入出力間のオフセットの小
さなサンプルホールド回路が実現できることになる。
The case where the base of the transistor Q2 is connected to the collector has been described above with reference to FIGS. 1 to 4.
This base may be connected to the output O / P of the sample and hold circuit. In this case, since feedback is applied so that the output O / P becomes equal to the input IN, a sample-hold circuit with a small offset between the input and the output can be realized.

なお、ホールドコンデンサCHに代えて、抵抗を接続す
るか、あるいは、バッファ回路のみを接続するようにす
れば、アナログスイッチとして使用できることは、従来
の場合と同じである。
If a resistor or only a buffer circuit is connected instead of the hold capacitor CH, it can be used as an analog switch as in the conventional case.

[発明の効果] 以上述べたごとく、本発明によればpnpトランジスタ
など速度低下を招く素子を用いずに、簡単な回路で高速
のサンプルホールド回路が実現でき、さらに簡単な回路
を追加するだけで構成の向上が図れるもので、その経済
性,性能向上効果は大きい。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a high-speed sample-and-hold circuit can be realized with a simple circuit without using an element that causes a reduction in speed, such as a pnp transistor, and only by adding a simpler circuit. The structure can be improved, and the effect of improving the economy and performance is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を示す図、第2図は第2
の実施例の基本回路構成を示す図、第3図,第4図は第
2図の具体的な回路構成を示す図、第5図は従来の例を
示す図である。 Q1……入力トランジスタ、Q2……ダイオード接続トラン
ジスタ、R1……負荷抵抗、Q4,Q5……スイッチトランジ
スタ、CH……ホールドコンデンサ、10……バッファ回
路。
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG.
3 and 4 are diagrams showing a specific circuit configuration of FIG. 2, and FIG. 5 is a diagram showing a conventional example. Q1… Input transistor, Q2… Diode connection transistor, R1… Load resistance, Q4, Q5… Switch transistor, CH… Hold capacitor, 10… Buffer circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 敏彦 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 ▲ね▼寝 義人 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 麻殖生 健二 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−95796(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Toshihiko Shimizu 1-280 Higashi-Koigabo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Kenji Asobu 1-280 Higashi-Koigabo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Hitachi, Ltd. Central Research Laboratory (56) References JP-A-60-95796 (JP, A)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ベースに入力信号が入力される第1のトラ
ンジスタと、 上記第1のトランジスタのエミッタとエミッタが相互接
続された第2のトランジスタと、 上記第2のトランジスタのコレクタにエミッタが接続さ
れた第3のトランジスタと該第3のトランジスタのコレ
クタおよびベースと動作電位点との間に接続された第1
の抵抗とからなる負荷回路と、 上記第2のトランジスタの上記コレクタに接続されたコ
ンデンサと、 ベースが制御信号により駆動され、コレクタが上記負荷
回路の上記第3のトランジスタの上記コレクタおよび上
記ベースと上記第1の抵抗との接続点に接続された第4
のトランジスタと、 上記制御信号と逆相の逆相制御信号によってベースが駆
動され、上記第4のトランジスタとエミッタが相互接続
され、コレクタが上記第1と上記第2のトランジスタの
上記相互接続された上記エミッタに接続された第5のト
ランジスタと、 上記第4と上記第5のトランジスタの上記相互接続され
た上記エミッタに接続された電源流とを具備してなり、 上記コンデンサの出力信号を上記第2のトランジスタの
ベースに帰還せしめるように構成され、 上記制御信号と上記逆相制御信号とによって上記第4の
トランジスタを非導通状態とせしめ上記第5のトランジ
スタを導通状態とせしめることにより、上記第1のトラ
ンジスタの上記ベースに入力される上記入力信号に対応
した電圧を上記コンデンサに供給するサンプル状態モー
ドと、上記制御信号と上記逆相制御信号とによって上記
第4のトランジスタを導通状態とせしめ上記第5のトラ
ンジスタを非導通状態とせしめることにより、上記負荷
回路の上記第1の抵抗の電圧降下によって上記第3のト
ランジスタを逆バイアスして上記サンプル状態モードに
て上記コンデンサに供給された上記電圧を保持するホー
ルド状態モードとを実行する如く構成されたサンプル・
ホールド回路であって、 第6のトランジスタと、該第6のトランジスタのエミッ
タに接続されたレベルシフト回路と第2の抵抗との直列
回路とからなる補正回路をさらに具備し、 上記電流源は、ベースが所定のバイアス電圧が印加さ
れ、エミッタがエミッタ抵抗を介して基準電位点に接続
され、コレクタが上記第4と上記第5のトランジスタの
上記相互接続された上記エミッタに接続された第7のト
ランジスタにより構成され、 上記補正回路の上記第2の抵抗の抵抗値は上記負荷回路
の上記第1の抵抗のほぼ1/2に設定され、 上記補正回路の上記第6のトランジスタのベースには上
記第1のトランジスタの上記ベースに入力される上記入
力信号が印加され、上記第6のトランジスタのエミッタ
は上記補正回路の上記直列回路を介して上記電流源の上
記第7のトランジスタの上記エミッタに接続されたこと
を特徴とするサンプル・ホールド回路。
A first transistor having an input signal input to a base; a second transistor having an emitter and an emitter connected to each other; and an emitter connected to a collector of the second transistor. Connected to a third transistor, a collector and a base of the third transistor, and an operating potential point.
A load connected to the collector of the second transistor; a base driven by a control signal; and a collector connected to the collector and the base of the third transistor of the load circuit. A fourth terminal connected to a connection point with the first resistor
The base is driven by a negative-phase control signal having a phase opposite to that of the control signal, the fourth transistor and the emitter are interconnected, and the collector is interconnected by the first and second transistors. A fifth transistor connected to the emitter; a power supply connected to the interconnected emitters of the fourth and fifth transistors; The fourth transistor is turned off and the fifth transistor is turned on by the control signal and the negative-phase control signal, whereby the fifth transistor is turned on. A sample state in which a voltage corresponding to the input signal input to the base of one transistor is supplied to the capacitor. A voltage drop of the first resistor of the load circuit by causing the fourth transistor to be in a conductive state and the fifth transistor to be in a non-conductive state in accordance with a mode and the control signal and the antiphase control signal. And a hold state mode for holding the voltage supplied to the capacitor in the sample state mode by reverse biasing the third transistor.
A hold circuit, further comprising: a correction circuit including a sixth transistor, and a series circuit of a level shift circuit and a second resistor connected to an emitter of the sixth transistor, wherein the current source includes: A seventh base in which a predetermined bias voltage is applied to a base, an emitter is connected to a reference potential point via an emitter resistor, and a collector is connected to the interconnected emitters of the fourth and fifth transistors. A resistance value of the second resistor of the correction circuit is set to approximately 1/2 of the first resistance of the load circuit; and a base of the sixth transistor of the correction circuit is The input signal input to the base of the first transistor is applied, and the emitter of the sixth transistor is connected to the current through the series circuit of the correction circuit. A sample and hold circuit connected to the emitter of the seventh transistor of the source.
【請求項2】ベースに入力信号が入力される第1のトラ
ンジスタと、 上記第1のトランジスタのエミッタとエミッタが相互接
続された第2のトランジスタと、 上記第2のトランジスタのコレクタにエミッタが接続さ
れた第3のトランジスタと該第3のトランジスタのコレ
クタおよびベースと動作電位点との間に接続された第1
の抵抗とからなる負荷回路と、 上記第2のトランジスタの上記コレクタに接続されたコ
ンデンサと、 ベースが制御信号により駆動され、コレクタが上記負荷
回路の上記第3のトランジスタの上記コレクタおよび上
記ベースと上記第1の抵抗との接続点に接続された第4
のトランジスタと、 上記制御信号と逆相の逆相制御信号によってベースが駆
動され、上記第4のトランジスタとエミッタが相互接続
され、コレクタが上記第1と上記第2のトランジスタの
上記相互接続された上記エミッタに接続された第5のト
ランジスタと、 上記第4と上記第5のトランジスタの上記相互接続され
た上記エミッタに接続された電源流とを具備してなり、 上記コンデンサの出力信号を上記第2のトランジスタの
ベースに帰還せしめるように構成され、 上記制御信号と上記逆相制御信号とによって上記第4の
トランジスタを非導通状態とせしめ上記第5のトランジ
スタを導通状態とせしめることにより、上記第1のトラ
ンジスタの上記ベースに入力される上記入力信号に対応
した電圧を上記コンデンサに供給するサンプル状態モー
ドと、上記制御信号と上記逆相制御信号とによって上記
第4のトランジスタを導通状態とせしめ上記第5のトラ
ンジスタを非導通状態とせしめることにより、上記負荷
回路の上記第1の抵抗の電圧降下によって上記第3のト
ランジスタを逆バイアスして上記サンプル状態モードに
て上記コンデンサに供給された上記電圧を保持するホー
ルド状態モードとを実行する如く構成されたサンプル・
ホールド回路であって、 第6のトランジスタと、該第6のトランジスタのエミッ
タに接続されたレベルシフト回路と第2の抵抗との直列
回路とからなる補正回路をさらに具備し、 上記電流源は、ベースが所定のバイアス電圧が印加さ
れ、エミッタがエミッタ抵抗を介して基準電位点に接続
され、コレクタが上記第4と上記第5のトランジスタの
上記相互接続された上記エミッタに接続された第7のト
ランジスタにより構成され、 上記補正回路の上記第2の抵抗の抵抗値は上記負荷回路
の上記第1の抵抗のほぼ1/2に設定され、 上記補正回路の上記第6のトランジスタのベースには上
記第4のトランジスタの上記コレクタに接続され、上記
第6のトランジスタのエミッタは上記補正回路の上記直
列回路を介して上記電流源の上記第7のトランジスタの
上記エミッタに接続されたことを特徴とするサンプル・
ホールド回路。
2. A first transistor having a base to which an input signal is inputted, a second transistor having an emitter and an emitter connected to each other, and an emitter connected to a collector of the second transistor. Connected to a third transistor, a collector and a base of the third transistor, and an operating potential point.
A load connected to the collector of the second transistor; a base driven by a control signal; and a collector connected to the collector and the base of the third transistor of the load circuit. A fourth terminal connected to a connection point with the first resistor
The base is driven by a negative-phase control signal having a phase opposite to that of the control signal, the fourth transistor and the emitter are interconnected, and the collector is interconnected by the first and second transistors. A fifth transistor connected to the emitter; a power supply connected to the interconnected emitters of the fourth and fifth transistors; The fourth transistor is turned off and the fifth transistor is turned on by the control signal and the negative-phase control signal, whereby the fifth transistor is turned on. A sample state in which a voltage corresponding to the input signal input to the base of one transistor is supplied to the capacitor. A voltage drop of the first resistor of the load circuit by causing the fourth transistor to be in a conductive state and the fifth transistor to be in a non-conductive state in accordance with a mode and the control signal and the antiphase control signal. And a hold state mode for holding the voltage supplied to the capacitor in the sample state mode by reverse-biasing the third transistor.
A hold circuit, further comprising: a correction circuit including a sixth transistor, and a series circuit of a level shift circuit and a second resistor connected to an emitter of the sixth transistor, wherein the current source includes: A seventh base in which a predetermined bias voltage is applied to a base, an emitter is connected to a reference potential point via an emitter resistor, and a collector is connected to the interconnected emitters of the fourth and fifth transistors. A resistance value of the second resistor of the correction circuit is set to approximately 1/2 of the first resistance of the load circuit; and a base of the sixth transistor of the correction circuit is The emitter of the sixth transistor is connected to the collector of a fourth transistor, and the emitter of the sixth transistor is connected to the seventh transistor of the current source via the series circuit of the correction circuit. A sample connected to the emitter of the
Hold circuit.
JP62212821A 1987-08-28 1987-08-28 Sample hold circuit Expired - Fee Related JP2585285B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62212821A JP2585285B2 (en) 1987-08-28 1987-08-28 Sample hold circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62212821A JP2585285B2 (en) 1987-08-28 1987-08-28 Sample hold circuit

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8201530A Division JP2724134B2 (en) 1996-07-31 1996-07-31 Sample and hold circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6457499A JPS6457499A (en) 1989-03-03
JP2585285B2 true JP2585285B2 (en) 1997-02-26

Family

ID=16628913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62212821A Expired - Fee Related JP2585285B2 (en) 1987-08-28 1987-08-28 Sample hold circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2585285B2 (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6095796A (en) * 1983-10-28 1985-05-29 Hitachi Ltd Sample and hold circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6457499A (en) 1989-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0648449B2 (en) High precision bandgear voltage reference circuit
KR960014972A (en) Write driver circuit
JPS6111826A (en) Comparator circuit having incorporated reference potential
US4574233A (en) High impedance current source
WO1985003818A1 (en) Current limit technique for multiple-emitter vertical power transistor
JPH0473806B2 (en)
JP2585285B2 (en) Sample hold circuit
JPH09306193A (en) Sample-and-hold circuit
US5099139A (en) Voltage-current converting circuit having an output switching function
KR860000906B1 (en) Sample circuit
US4262244A (en) Circuit providing improved rejection to power supply variations to current sources driven therefrom
JP2522084B2 (en) Sample-hold circuit
JPH0615299Y2 (en) Constant current source circuit
JP2522083B2 (en) Sample-hold circuit
JP2541003B2 (en) Sample-hold circuit
JP2724134B2 (en) Sample and hold circuit
JPH073690Y2 (en) Current mirror circuit
JPS6131644B2 (en)
JPH0272705A (en) Current-voltage conversion circuit
KR930004584Y1 (en) Schmit trigger circuit
JP2982192B2 (en) Clamp circuit
JPH05259841A (en) Voltage comparator circuit
JP3030887B2 (en) Track hold circuit
JPH0315844B2 (en)
JPH0793561B2 (en) Tristate signal-binary signal conversion circuit

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees