JP2581847B2 - 電気・光レーザシステムにおけるレーザ光の振幅変化を校正する方法及び装置 - Google Patents

電気・光レーザシステムにおけるレーザ光の振幅変化を校正する方法及び装置

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JP2581847B2
JP2581847B2 JP3028908A JP2890891A JP2581847B2 JP 2581847 B2 JP2581847 B2 JP 2581847B2 JP 3028908 A JP3028908 A JP 3028908A JP 2890891 A JP2890891 A JP 2890891A JP 2581847 B2 JP2581847 B2 JP 2581847B2
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    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電気・光クリスタル変
調レーザシステムに関し、特にレーザシステム内の電気
・光クリスタルの複屈折に関する。
【０００２】
【従来の技術】導波管ＣＯ2 レーザのような一般的なク
リスタル変調レーザはレーザ共振器内に電気・光クリス
タルを有し、レーザ増幅媒体により発生したレーザ光を
周波数変調する。これはクリスタルに周期的に変化する
電圧を印加することによって行なわれる。この周期的に
変化する電圧により、クリスタルの屈折率が変調電圧に
同期して変化する。これによりレーザ共振器の光学的有
効長を変化させ、その結果レーザ光の周波数は変調され
る。
【０００３】Ｕ．Ｓ．特許Ｎｏ．４，６６６，２９５に
開示され、又この文書で参照されるような線形ＦＭチャ
ープレーザクリスタル変調レーザはこの一例であり、こ
のレーザは、共振器内(intra-cavity)ＦＭ−ｃｕｔ Ｃ
ｄＴｅ電気・光変調器に電圧を加えることにより、周波
数チャープ(chirped) 出力をＣＯ2 導波管レーザから出
力する。印加される電圧はクリスタルの屈折率を変化さ
せ、クリスタルはＦＭチャープを発生する。この線形Ｆ
Ｍチャープレーザシステムはレーザレーダシステムにお
いて開発され、システムに必要なチューニング範囲及び
パルス圧縮の線形性を提供する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レーザの原理によれ
ば、変調光出力即ちＦＭチャープの振幅は、総合周波数
変化がゲイン幅に比べ比較的小さければ、殆ど変化しな
い。しかし、この原則とは対照的に、線形ＦＭチャープ
レーザシステムによって発生した周波数チャープ出力
は、周波数スペクトル内の振幅に著しい落ち込み(dip)
を示す。この現象は高ゲインレーザシステムでは更に著
しく発生する。
【０００５】このレーザ振幅の変化、即ちＡＭ降下は電
気・光クリスタル内の複屈折の結果生じる。複屈折は異
なる偏光に関する異なる屈折率によって特徴付けられ
る、ある種のクリスタルの特徴である。高複屈折クリス
タルは光を一つの偏光から異なる偏光へ回転することが
できが、レーザの効率を下げる損失を生じる。線形ＦＭ
チャープレーザの場合、共振器内で線形偏光されたレー
ザ光の一部はＦＭ・チャープカット(chirp cut) ＣｄＴ
ｅクリスタルを介した経路で楕円偏光する。共振器内の
要素は線形の偏光感度を有するので、複屈折による楕円
偏光は変調出力に振幅損失を生じやすい。
【０００６】これら著しい振幅変化はレーザレーダシシ
ステムに多くの問題を生じさせることがある。例えば、
この変化はレーザのロッキングを著しく困難にする。シ
ステム内のロッキングはゲイン変化によって生じる僅か
な振幅変化に依存し、レーザ周波数をライン中心に保持
する。クリスタル複屈折が僅かな振幅変化を圧倒するこ
とによって生じる著しい振幅の変化がロックループによ
る場合、周波数制御は難しくなる。
【０００７】変調出力の振幅変化を実際的に校正する方
法は知られていない。現在用いられている方法は、クリ
スタルの温度を特定の値に保ちながらレーザを動作する
ことである。クリスタル内の複屈折はレーザ動作の前に
知ることは一般にできないので、手続きを実験的に行っ
て最適な動作温度を決定しなければならない。思考錯誤
の結果、一般に０．５度以下の極めて狭い温度範囲が見
付けられ、レーザは最小の振幅変動で動作する。この手
続きには膨大な時間が費やされ、温度を要求される範囲
以内に維持するのには高価な電気的温度フィードバック
回路を必要とするので、振幅変化の大部分は校正されな
い。
【０００８】従って、電気・光変調レーザシステムの損
失を生じる複屈折を校正する効果的な方法及び装置を提
供することが切望される。
【０００９】
【課題を解決するための手段と作用】この発明は電気・
光クリスタル変調レーザシステムで発生する周波数変調
レーザ光の振幅変化を大幅に改善する。この改善は共振
器内のクリスタル複屈折を補償することによって行なわ
れる。その結果、困難なクリスタルの温度制御をするこ
となく、レーザシステムの変調出力振幅の落ち込みを実
質的に減少することができる。
【００１０】電気・光変調レーザシステムは大ゲイン媒
体により、線形に偏光されたレーザ光を発生し、反射器
及び出力カプラ(outcoupler)により定義される共振器内
に配置される。電気・光クリスタル変調器は、共振器内
のレーザ増幅媒体と出力カプラの光軸内に配置される。
電圧がクリスタル変調器に印加され、変調器は変調出力
を変化させる。
【００１１】この発明によれば、変調出力の変化は楕円
偏光を線形偏光に変えることにより校正される。この校
正は、Ｄ．Ｃ．バイアス電圧を直接電気・光クリスタル
に印加するか、又は、電気・光クリスタル変調器と出力
カプラの間の共振器にクオータ波プレート(quarter-wav
e plate)を挿入し、クリスタルの複屈折による損失を減
少することによって達成される。クリスタル内の複屈折
は一般に未知のファクタであるので、クリスタルに印加
されるＤ．Ｃ．バイアス電圧は振幅損失が最小になるま
で調節される。
【００１２】クオータ波プレートが共振器に挿入された
とき、又はＤ．Ｃバイアス電圧がクリスタルに印加され
たとき、クリスタルの複屈折によって生じた楕円偏光は
校正され、出力偏光は線形になるが、共振器内の光に対
してある角度で傾いている。そこでレーザは出力カプラ
から反射し、共振器内にありレーザシステムを再び通過
する。このとき、光は校正され、光は元の導波管ボア(b
ore)で元の偏光状態に戻る。ここで再びクリスタルの複
屈折の大きさは未知のファクタであるのでクオータ波プ
レートは回転するように搭載され、プレートを未知の複
屈折を補償するように調整することができる。従って振
幅の追加損失は見られず、レーザの振幅変化が校正され
る。
【００１３】
【実施例】この発明は好適実施例に結び付いて説明され
るが、この発明はその実施例に限定されるものではな
い。この発明は特許請求の範囲によって限定されるよう
な発明の範囲に含まれる修正、変更、又は同等な装置を
全てカバーするものである。
【００１４】図１はここで詳細に説明される従来の周波
数変調レーザシステムのブロック回路図であり、１０と
して示される。レーザ増幅媒体１６は導波管ＣＯ2 レー
ザである。この導波管は線形に偏光したレーザ光２２を
発生し、出力カプラ１２及びエンドリフレクタ(end ref
lector) １４によって定義される共振器の内側に位置す
る。ＦＭカットＣｄＴｅクリスタル(FM-cut CdTe cryst
al) ２５を使用する電気・光クリスタル変調器２０は、
レーザ増幅媒体１６と出力カプラ１２の間の共振器内部
に位置する。線形傾斜電圧(voltage ramp)発生器２４が
変調器２０に適用され、レーザ光２２の周波数を変化
し、所望出力２７を発生する。傾斜電圧発生器２４は、
変調器２０に適用されたとき、クリスタル２５の屈折率
を変化し、共振器内のレーザ光２２の周波数を順次変え
る。変調の結果は周波数チャープ出力２７である。ある
実施例では、レーザシステム１０は、パルス圧縮に必要
なチューニング範囲及び線形性を提供するレーザ送信器
を有するレーザレーダシステムを提供する。
【００１５】システムが動作中のとき、増幅媒体１６に
より発生した線形偏光レーザ光２２は所望の線形偏光出
力２７を発生するためにクリスタル２５を通過する。理
想的な条件の下では、クリスタル２５を通過したレーザ
光は完全に線形偏光されるが、一般にクリスタル内の複
屈折によって、部分的にレーザ光が楕円偏光される。複
屈折は、複屈折クリスタルを通過する光が一つの偏光か
ら他の偏光へ変化するある種のクリスタルの特徴であ
り、ＦＭカットＣｄＴｅクリスタル内の複屈折の場合、
導波管ＣＯ2 レーザからの線形偏光された光の一部は楕
円偏光になる。更に、複屈折による損失は、傾斜電圧発
生器２４による、クリスタル２５に印加される電圧の大
きさに依存し、その電圧に従って変化する傾向がある。
【００１６】楕円偏光された光は共振器内で損失を生
じ、それはレーザ出力２７の振幅を減少させる。これ
は、エンドリフレクタ１４及び増幅媒体１６が線形偏光
感知要素であるために生じ、又、共振器内の楕円偏光レ
ーザ光が、線形偏光感知要素に直交する成分に関して実
質的な減衰性を有することによって生じる。
【００１７】図２はレーザシステム１０からの出力を示
し、スペクトルアナライザに表示される周波数スペクト
ルの複製を表す。尚、その周波数スペクトルは振幅に大
きなデップ２８を有し、この落ち込み２８はクリスタル
２５内部の複屈折によって生じる。この望ましくない落
ち込み２８は、レーザシステム１０がレーザレーダシス
テムに配備されるときに特に多くの問題を発生する。
【００１８】傾斜電圧発生器２４とレーザ出力２７の振
幅損失の間の関係が図３に示される。ここで、出力２７
は傾斜電圧発生器２４からの変調電圧に従って変動する
傾向がある。それ故、出力２７は変調電圧とクリスタル
内の複屈折による損失の間の関係を示す。
【００１９】この発明の一実施例によれば、電圧源３０
からのＤ．Ｃ．バイアスが図４に示されるようにクリス
タル２５の複屈折を補償するために、クリスタル２５に
直接印加される。複屈折を補償するためにクリスタルに
印加されるＤ．Ｃ．バイアスの大きさは、傾斜電圧発生
器２４に適用される電圧源の大きさと同一のオ−ダ(ord
er) である。クリスタル２５に印加される電圧源３０か
らのＤ．Ｃ．バイアス電圧によって、複屈折は補償さ
れ、一度楕円偏光された光２６は線形偏光されるが、共
振器内の偏光感知要素に関して傾斜する。線形偏光した
光は出力カプラ１２を反射しシステム１０を通過する。
そしてその光は元の導波管ボア１６に戻る。
【００２０】異なるクリスタルの複屈折は変化するの
で、複屈折を校正するのに必要となる電圧源３０からの
Ｄ／Ｃバイアスの大きさを、レーザを動作させる前に決
定するのは困難である。この場合、クリスタル２５に印
加される電圧源３０のＤ．Ｃ．バイアスを調整可能と
し、それによってレーザのオペレータは、特定クリスタ
ルの複屈折損失を校正するために、クリスタル２５に加
えられる電圧源の大きさを規制できる。クリスタル内の
複屈折損失は最小限に保持され、レーザ出力２７の振幅
の落ち込み２８は、適切なバイアス電圧源がクリスタル
に一度印加されと校正される。
【００２１】図５に示されるこの発明の他の実施例にお
いて、電気・光変調器２０と出力カプラ１２の間の共振
器内にはクオータ波プレート(quarter-wave plate)３２
が挿入される。このウエーブプレートは線形複屈折材料
であり、一般にクオーツ(quartz)や方解石、又は他の複
屈折クリスタルのＸカット部を準備することによって作
られる。ウエーブプレートは一対の直交座標を有し、こ
れら直交座標は高速及び低速に示される。光がウエーブ
プレートを通過するとき、高速軸に平行な成分は、低速
軸に平行な成分より速く通過し、これら成分の間に位相
シフトが発生する。クオータ波プレートは、高速成分と
低速成分の間に９０°の位相シフトを有する。楕円偏光
した光は、楕円の主軸と副軸に平行な二つの線形成分に
より構成された光と考えられる。クオータ波プレートの
軸が楕円の軸に平行であれば、送信される二つの成分は
０°又は１８０°の位相差を有し、且つ線形である。従
ってクオータ波プレート３２は、クリスタル２５内の複
屈折によって楕円に偏光された光を校正し、線形に偏光
された光を出力するが、共振器内の偏光感知要素導波管
ボアに対して傾いている。そして光は出力カプラ１２を
反射し、ウエーブプレート３２及び変調器２０を二回通
過し、導波管ボアの入口、即ちボアの壁に平行に偏光を
校正する。
【００２２】再び、クリスタル２５内の複屈折は未知の
ファクタであるので、クリスタルから放出される楕円偏
光された光の構成軸は未知である。従ってプレート３２
は、振幅の落ち込みを効果的に校正する正しい方向を得
るために、ウエーブプレート３２の光軸についての回転
に関して調整可能でなければならない。これに適合する
ために、ウエーブプレート３２の光軸が楕円偏光軸に平
行になるように、レーザシステム内のレーザ光に平行な
軸について回転するようにクオータプレート３２が搭載
される。
【００２３】図６はクリスタル２５に加えられるＤ．
Ｃ．バイアス電圧源又は共振器内に挿入されるクオータ
波プレート３２を有する出力２７の周波数スペクトルを
示す。ここで、周波数チャープ出力には振幅変化２８は
既にない。
【００２４】図７はこの発明を実施したときの変調傾斜
電圧発生器２４とレーザ出力２７の間の関係を示す。出
力２７は傾斜電圧発生器２４からの変調電圧に関わらず
に一定に保たれる。
【００２５】この発明の他の利点は、この発明によって
レーザは広い温度範囲で動作できることである。クリス
タル温度で比較して、異なるレーザ出力を示す表を次に
示す。
【００２６】 パワー出力 クリスタル クオータプレート クオータプレート D.C.バイアス 温度 無し 有り 電圧印加 ３０°C １０W １１w １１W ４０°C ９W １１w １１W ５０°C ０W １１w ８W ６０°C ０W １１w ８W クリスタルはレーザ増幅媒体からの熱に影響されやすい
ので、容易に５０°Ｃの温度に達する。ここでクリスタ
ルの温度が約４０°Ｃのとき、クオータ波プレ−ト又は
Ｄ．Ｃ．バイアス電圧を使用しなければ、レーザ効率は
かなり低下する。従ってこの発明により、レーザシステ
ムの出力に含まれる振幅の落ち込みを簡単にしかも効果
的に校正する技術が提供できるのは明らかである。
【００２７】この発明は線形ＦＭチャープレーザに関し
て説明されたが、当業者は多くの変更や修正や変化を考
えることができるのは前述の説明から明らかである。従
って、これらの変更や修正や変化は特許請求の範囲に含
まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のクリスタル変調レーザシステムの略図。
【図２】従来のレーザシステムの出力を表し、周波数ス
ペクトルに対応する振幅変化を示す図である。
【図３】従来のレーザ出力波形であり、出力の振幅変化
を示す図である。
【図４】この発明の一実施例の略図であり、この実施例
では変調器のクリスタル複屈折を校正する図である。
【図５】この発明の他の実施例の略図であり、この実施
例では共振器内の繰り捨てる複屈折を校正する図であ
る。
【図６】特許請求の範囲に示されるレーザの出力の周波
数スペクトルを示す図である。
【図７】特許請求の範囲に示されるレーザの出力波形を
示す図である。
【符号の説明】
１４……エンドリフレクタ、１６……レーザ増幅媒体、
２０……変調器、２５……クリスタル、２４……傾斜電
圧発生器、１２……出力カプラ、３０……電圧源、３２
……クオータウエーブプレート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロビン・エー・リーダー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91331、アーレタ、ドリングトン・プレ イス 9301 (72)発明者 エイチ・ディーン・ストバル アメリカ合衆国、ニュー・メキシコ州 88001、ラス・クルコス、ラ・センダ・ ドライブ 2291

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザシステム内で電気・光クリスタル
    内の複屈折によって生じる振幅変化を校正する方法であ
    って、 ａ）レーザ増幅媒体を動作させて線形偏光したレーザ光
    を放出し、ここで前期増幅媒体はエンドリフレクタ及び
    出力カプラによって定義される共振器の内部に配置さ
    れ、 ｂ）前記共振器内に配置される電気・光クリスタル変調
    器に前記光を通過させることにより、前記光を周波数変
    調し、ここで前記電気・光クリスタル変調器内のクリス
    タル複屈折は、前記線形偏光に楕円偏光を生じ、及び前
    記周波数変調レーザ光に振幅変化を生じ、 ｃ）前記共振器内で前記楕円偏光を線形偏光に変えるこ
    とにより前記振幅変化を校正する、ステップを有するこ
    とを特徴とするレーザ光の振幅変化校正方法。
  2. 【請求項２】 前記ステップｃ）はＤ．Ｃ．バイアス電
    圧を前記電気・光クリスタルに直接印加することを含む
    ことを特徴とする請求項１記載の校正方法。
  3. 【請求項３】 前記ステップｃ）は前記共振器内のレー
    ザ光の光軸上にクオータ波プレートを挿入することを含
    むことを特徴とする請求項１記載の校正方法。
  4. 【請求項４】 前記クリスタルに印加される前記Ｄ．
    Ｃ．バイアス電圧を、前記振幅変化が最小に保持される
    まで調節するステップを更に含むことを特徴とする請求
    項２記載の校正方法。
  5. 【請求項５】 前記クオータ波プレートの方向を、前記
    振幅変化が最小に保持されるまで、前記クオータ波プレ
    ートを前記レーザ光に平行な軸について回転することに
    よって調節するステップを更に含むことを特徴とする請
    求項３記載の校正方法。
  6. 【請求項６】 ａ）線形偏光されたレーザ光を放出する
    レーザ増幅媒体と、ここで前記増幅媒体はエンドリフレ
    クタおよび出力カプラにより定義される共振器内に配置
    され、 ｂ）前記レーザ増幅媒体の光軸上に位置する前記共振器
    の内部に設けら、前記レーザ光を周波数変調する電気・
    光クリスタル変調手段と、ここで前記電気・光変調手段
    の複屈折は前記線形偏光された光に楕円偏光を生じ、及
    び前記周波数変調レーザ光の振幅変化を生じ、及び ｃ）前記振幅変化を、前記楕円偏光された光を前記共振
    器内で線形偏光に変えることにより校正する校正手段、
    を有することを特徴とする電気・光変調レーザシステ
    ム。
  7. 【請求項７】 前記校正手段は、Ｄ．Ｃ．バイアス電圧
    を前記電気・光変調手段に直接印加する電圧源手段を更
    に具備することを特徴とする請求項６記載の電気・光変
    調レーザシステム。
  8. 【請求項８】 前記校正手段は前記レーザ光の光軸上の
    前記共振器内に設けられるクオータ波プレートを更に具
    備することを特徴とする請求項６記載の電気・光変調レ
    ーザシステム。
  9. 【請求項９】 前記レーザ増幅媒体は導波管ＣＯ2 レー
    ザを更に具備することを特徴とする請求項６記載の電気
    ・光変調レーザシステム。
  10. 【請求項１０】 前記電気・光クリスタルはＦＭカット
    ＣｄＴｅクリスタルを更に具備することを特徴とする請
    求項６記載の電気・光変調レーザシステム。
  11. 【請求項１１】 前記周波数変調レーザ光は周波数線形
    チャープを有することを特徴とする請求項６記載の電気
    ・光変調レーザシステム。
  12. 【請求項１２】 前記電気・光クリスタル変調器は、線
    形傾斜電圧発生器による電圧が供給されることを特徴と
    する請求項６記載の電気・光変調レーザシステム。
  13. 【請求項１３】 前記レーザシステムはレーザレーダシ
    ステムに使用されることを特徴とする請求項６記載の電
    気・光変調レーザシステム。
  14. 【請求項１４】 前記校正手段は、前記線形偏光された
    光に対して傾いている線形偏光された光を出力すること
    により前記楕円偏光された光を校正することを特徴とす
    る請求項６記載の電気・光変調レーザシステム。
  15. 【請求項１５】 前記出力光は前記出力カプラを反射
    し、前記システムを通過し、前記レーザシステム内で線
    形偏光された光に戻ることを特徴とする請求項１４記載
    の電気・光変調レーザシステム。
  16. 【請求項１６】 前記クオータ波プレートは前記電気・
    光変調手段と前記クリスタル出力カプラの間に設けられ
    ることを特徴とする請求項８記載の電気・光変調レーザ
    システム。
  17. 【請求項１７】 前記クオータ波プレートは、前記共振
    器内の前記レーザ光に平行な軸について回転するように
    搭載されることを特徴とする請求項８記載の電気・光変
    調レーザシステム。
  18. 【請求項１８】 前記電気・光クリスタルに印加される
    前記Ｄ．Ｃ．バイアス電圧の値は調整可能であることを
    特徴とする請求項７記載の電気・光変調レーザシステ
    ム。
JP3028908A 1990-02-23 1991-02-22 電気・光レーザシステムにおけるレーザ光の振幅変化を校正する方法及び装置 Expired - Lifetime JP2581847B2 (ja)

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US07/483,732 US5018153A (en) 1990-02-23 1990-02-23 Method and apparatus for correcting amplitude variation in electro-optic laser systems
US483732 1990-02-23

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JPH04215487A JPH04215487A (ja) 1992-08-06
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DE (1) DE69109150T2 (ja)
IL (1) IL96991A (ja)
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TR (1) TR25413A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446530A (en) * 1994-03-14 1995-08-29 Hughes Aircraft Company Amplitude modulated corrected frequency modulated laser
US5590148A (en) * 1994-08-24 1996-12-31 Duke University Birefringent beamsplitter for high power lasers and laser applications
JP3387824B2 (ja) * 1998-05-06 2003-03-17 富士写真フイルム株式会社 レーザ装置
US6614572B2 (en) * 2001-07-19 2003-09-02 Coadna Photonics, Inc. Apparatus and method for controlling optical gain profiles in a temperature independent manner
US10816649B1 (en) 2017-09-14 2020-10-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Temporally multiplexed LADAR polarimeter

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3366792A (en) * 1965-01-14 1968-01-30 Bell Telephone Labor Inc Laser intracavity phase modulator
US3407364A (en) * 1965-04-09 1968-10-22 Bell Telephone Labor Inc Intracavity laser phase modulator
US3910679A (en) * 1973-11-14 1975-10-07 Martin Marietta Corp Single pulse selection system
US4176327A (en) * 1978-01-25 1979-11-27 United Technologies Corporation Method for cavity dumping a Q-switched laser
US4276518A (en) * 1978-05-01 1981-06-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical oscillator
US4314210A (en) * 1979-11-23 1982-02-02 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Mode-locking and chirping system for lasers
US4375684A (en) * 1980-07-28 1983-03-01 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Laser mode locking, Q-switching and dumping system
US4408334A (en) * 1981-03-13 1983-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Waveplate for correcting thermally induced stress birefringence in solid state lasers
US4528668A (en) * 1982-07-30 1985-07-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Programmable multifunction laser
US4498179A (en) * 1982-07-30 1985-02-05 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Modulated infrared laser with two coupled cavities
US4666295A (en) * 1983-03-17 1987-05-19 Hughes Aircraft Company Linear FM chirp laser
US4528669A (en) * 1983-12-15 1985-07-09 Ford Aerospace & Communications Corporation Combined AM/FM laser radar transmitter
US4660206A (en) * 1984-07-02 1987-04-21 Hughes Aircraft Company Chirp laser stabilization system

Also Published As

Publication number Publication date
DE69109150D1 (de) 1995-06-01
TR25413A (tr) 1993-03-01
EP0443622B1 (en) 1995-04-26
JPH04215487A (ja) 1992-08-06
IL96991A0 (en) 1992-03-29
EP0443622A3 (en) 1992-11-19
IL96991A (en) 1993-08-18
EP0443622A2 (en) 1991-08-28
DE69109150T2 (de) 1995-12-07
US5018153A (en) 1991-05-21
NO910599D0 (no) 1991-02-14
NO910599L (no) 1991-08-26

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