JP2581463B2 - Differential XOR circuit and frequency multiplier using the same - Google Patents

Differential XOR circuit and frequency multiplier using the same

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JP2581463B2 JP6214831A JP21483194A JP2581463B2 JP 2581463 B2 JP2581463 B2 JP 2581463B2 JP 6214831 A JP6214831 A JP 6214831A JP 21483194 A JP21483194 A JP 21483194A JP 2581463 B2 JP2581463 B2 JP 2581463B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電圧制御ディレイライン
を用いた周波数逓倍を行うPLL回路に関し、特に、そ
のジッタを低減させるXOR回路の構成に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a PLL circuit for performing frequency multiplication using a voltage-controlled delay line, and more particularly to a configuration of an XOR circuit for reducing its jitter.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の周波数逓倍回路には、例
えば図4に示す様な回路が用いられる。入力端子231
に加えられた入力クロック信号は電圧制御ディレイライ
ン113の入力端に加えられ、遅延信号が出力される。
この遅延信号と入力クロック信号は位相比較器111に
よって位相比較され位相比較信号を出力し、この位相比
較信号はループフィルタによって高周波成分が取り除か
れたあと、入力クロック信号と遅延信号の位相が等しく
なるように、つまり入力クロック信号の一周期と電圧制
御ディレイラインの遅延時間が等しくなるように、電圧
制御ディレイラインの遅延時間の制御を行う。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a circuit as shown in FIG. Input terminal 231
Is applied to the input terminal of the voltage control delay line 113, and a delay signal is output.
The delay signal and the input clock signal are compared in phase by the phase comparator 111 to output a phase comparison signal. After the high frequency component is removed by the loop filter, the phase of the input clock signal and the delay signal become equal. Thus, the delay time of the voltage control delay line is controlled such that one cycle of the input clock signal is equal to the delay time of the voltage control delay line.

【0003】この電圧制御ディレイラインは、通常、図
7に示すように電圧制御遅延素子をチェーン状に並べて
構成されるが、これらの電圧制御遅延素子がそれぞれ同
じもので出来ているとすると、出力端362、363、
364、365等から出力される信号の位相の関係は通
過した遅延素子の個数に比例する。
This voltage control delay line is usually constructed by arranging voltage control delay elements in a chain as shown in FIG. 7, but if these voltage control delay elements are made of the same material, the output Ends 362, 363,
The relationship between the phases of the signals output from 364, 365 and the like is proportional to the number of delay elements that have passed.

【0004】そこで、電圧制御ディレイラインの遅延時
間が入力クロックの1周期に等しいとき、全体の電圧制
御遅延素子の個数のちょうど1/4だけ通過段数の異な
る2つの出力端子から出力された2つの信号は90度の
位相を持つ。
Therefore, when the delay time of the voltage control delay line is equal to one cycle of the input clock, the two output terminals output from the two output terminals having different numbers of passing stages by exactly 1/4 of the total number of voltage control delay elements. The signal has a 90 degree phase.

【0005】この2つの信号をXOR回路に入力するこ
とによって、入力クロック信号を逓倍した信号を出力す
ることができる。
[0005] By inputting these two signals to the XOR circuit, a signal obtained by multiplying the input clock signal can be output.

【0006】従来のXOR回路は、図5、図6に示す様
な回路を用いていた。
A conventional XOR circuit uses a circuit as shown in FIGS.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図5、図6に示す様な
XOR回路は入力信号の状態によって、信号の伝搬経路
が異なり、そのために信号入力端子およびその他の信号
の状態によって大きく遅延時間が異なっていた。
The XOR circuit as shown in FIGS. 5 and 6 has a different signal propagation path depending on the state of the input signal. Therefore, the delay time greatly depends on the state of the signal input terminal and other signals. Was different.

【0008】例えば、図5の回路ではインバータ43と
トランスファゲート51を通過する経路と、トランスフ
ァゲート52のみを通過する経路で、遅延時間が大きく
異なる。
For example, in the circuit shown in FIG. 5, the delay time differs greatly between a path passing through the inverter 43 and the transfer gate 51 and a path passing only through the transfer gate 52.

【0009】また、図6の回路ではNANDゲート61
およびOR−NANDゲート71を通過する経路とOR
−NANDゲート71のみを通過する経路で、遅延時間
が大きく異なる。
In the circuit shown in FIG.
And the path passing through OR-NAND gate 71 and OR
-The delay time differs greatly in the path passing only through the NAND gate 71.

【0010】XOR回路の遅延時間が状態によって変わ
ると前記PLLクロック逓倍回路の出力クロックの周期
がXORの入力端子の状態によって変化することにな
り、それによって大きなジッタを生じていた。
If the delay time of the XOR circuit changes depending on the state, the cycle of the output clock of the PLL clock multiplying circuit changes depending on the state of the input terminal of the XOR, thereby causing large jitter.

【0011】本発明の目的は、このXOR回路によって
生じる出力クロックの周期の状態による変化を最小限に
抑えるXOR回路およびPLLクロック逓倍回路の構成
を提供する事にある。
An object of the present invention is to provide a configuration of an XOR circuit and a PLL clock multiplication circuit that minimizes a change in the period of the output clock caused by the XOR circuit.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】図2に示す様な差動型の
XOR回路を用いることにより、状態による信号伝達経
路の違いを減らし、それによりXOR回路の遅延時間の
違いを減らし、結局PLLクロック逓倍回路の出力クロ
ックのジッタを低減する。
The use of a differential type XOR circuit as shown in FIG. 2 reduces the difference in the signal transmission path depending on the state, thereby reducing the difference in the delay time of the XOR circuit. The jitter of the output clock of the clock multiplication circuit is reduced.

【0013】[0013]

【実施例】図1に本発明の電圧制御ディレイラインを用
いたPLLクロック逓倍回路の実施例を示す。入力端子
201に加えられた入力クロック信号は電圧制御ディレ
イライン103の入力端に加えられ、遅延信号が出力さ
れる。この遅延信号と入力クロック信号は位相比較器1
01によって位相比較され位相比較信号を出力し、この
位相比較信号はループフィルタによって高周波成分が取
り除かれたあと、入力クロック信号と遅延信号の位相が
等しくなるように、つまり入力クロック信号の1周期と
電圧制御ディレイラインの遅延時間が等しくなるよう
に、電圧制御ディレイラインの遅延時間の制御を行う。
FIG. 1 shows an embodiment of a PLL clock multiplication circuit using a voltage control delay line according to the present invention. An input clock signal applied to the input terminal 201 is applied to an input terminal of the voltage control delay line 103, and a delay signal is output. The delay signal and the input clock signal are connected to the phase comparator 1
01, and outputs a phase comparison signal. After the high frequency component is removed by the loop filter, the phase comparison signal is adjusted so that the phases of the input clock signal and the delay signal become equal, that is, one cycle of the input clock signal. The delay time of the voltage control delay line is controlled so that the delay times of the voltage control delay line become equal.

【0014】この電圧制御ディレイラインは、通常図7
に示すように電圧制御遅延素子をチェーン状に並べて構
成されるが、これらの電圧制御遅延素子がそれぞれ同じ
もので出来ているとすると、出力端子362、363、
364、365等から出力される信号の位相の関係は通
過した遅延素子の個数に比例する。
This voltage control delay line is normally
As shown in FIG. 2, the voltage control delay elements are arranged in a chain, and if these voltage control delay elements are made of the same material, the output terminals 362, 363,
The relationship between the phases of the signals output from 364, 365 and the like is proportional to the number of delay elements that have passed.

【0015】そこで、電圧制御ディレイラインの遅延時
間が入力クロックの1周期に等しいとき、全体の電圧制
御遅延素子の個数のちょうど1/4だけ通過段数の異な
る2つの出力端子から出力された2つの信号は90度の
位相差を、1/2だけ通過段数の異なる出力端子から出
力された2つの信号は180度の位相差を持つ。
Therefore, when the delay time of the voltage control delay line is equal to one cycle of the input clock, the two output terminals output from the two output terminals having different numbers of passing stages by exactly 1/4 of the total number of the voltage control delay elements. The signals have a phase difference of 90 degrees, and the two signals output from the output terminals having different numbers of stages by 1/2 have a phase difference of 180 degrees.

【0016】そこで、電圧制御ディレイライン内の電圧
制御遅延素子の個数を4n(nは自然数)として、入力
から近い方からm、m+n、m+2n、m+3n(mは
0<m≦nの自然数)の4つの電圧制御遅延素子の出力
端子から出力される信号は、m番目の電圧制御遅延素子
の出力端子から出力される信号の位相を0度とすると、
0度、90度、180度、270度位相が遅れた信号と
なる。
Therefore, the number of voltage control delay elements in the voltage control delay line is assumed to be 4n (n is a natural number), and m, m + n, m + 2n, m + 3n (m is a natural number satisfying 0 <m ≦ n) from the nearest input. The signals output from the output terminals of the four voltage-controlled delay elements are as follows, assuming that the phase of the signal output from the output terminal of the m-th voltage-controlled delay element is 0 degree.
The signals are delayed by 0, 90, 180, and 270 degrees.

【0017】これらの信号をXOR回路に入力すること
によって逓倍した信号を生成することができる。
By inputting these signals to the XOR circuit, a multiplied signal can be generated.

【0018】図2に本発明の差動型XOR回路の第1の
実施例を示す。
FIG. 2 shows a first embodiment of the differential XOR circuit according to the present invention.

【0019】例えば入力端子211に0度、入力端子2
13に90度、入力端子212に180度、入力端子2
14に270度位相が遅れた信号を与えるとする。
For example, 0 degree is applied to the input terminal 211 and the input terminal 2
13 at 90 degrees, input terminal 212 at 180 degrees, input terminal 2
Assume that a signal having a phase delay of 270 degrees is given to 14.

【0020】この様な信号を図2の差動型XOR回路に
与えたときの信号の例を図8に示す。
FIG. 8 shows an example of a signal when such a signal is given to the differential XOR circuit of FIG.

【0021】もし、入力端子211がHigh、入力端
子212がLow、入力端子213がHigh、入力端
子214がLowの時、nMOS1、nMOS4、pM
OS23、pMOS24がオン、nMOS2、nMOS
3、pMOS21、pMOS22がオフとなり、インバ
ータ41の入力端がHighとなり、インバータ41の
出力端がLowとなる。
If the input terminal 211 is High, the input terminal 212 is Low, the input terminal 213 is High, and the input terminal 214 is Low, nMOS1, nMOS4, pM
OS23, pMOS24 are on, nMOS2, nMOS
3. The pMOS 21 and the pMOS 22 are turned off, the input terminal of the inverter 41 becomes High, and the output terminal of the inverter 41 becomes Low.

【0022】もし、入力端子211がLow、入力端子
212がHigh、入力端子213がHigh、入力端
子214がLowの時、nMOS3、nMOS4、pM
OS21、pMOS24がオン、nMOS1、nMOS
2、pMOS23、pMOS22がオフとなり、インバ
ータ41の入力端がLowとなり、インバータ41の出
力端がHighとなる。
If the input terminal 211 is Low, the input terminal 212 is High, the input terminal 213 is High, and the input terminal 214 is Low, nMOS3, nMOS4, pM
OS21, pMOS24 are on, nMOS1, nMOS
2. The pMOS 23 and the pMOS 22 are turned off, the input terminal of the inverter 41 becomes Low, and the output terminal of the inverter 41 becomes High.

【0023】もし、入力端子211がHigh、入力端
子212がLow、入力端子213がLow、入力端子
214がHighの時、nMOS1、nMOS2、pM
OS23、nMOS22がオン、nMOS3、nMOS
4、pMOS21、pMOS24がオフとなり、インバ
ータ41の入力端がLowとなり、インバータ41の出
力端がHighとなる。
If the input terminal 211 is High, the input terminal 212 is Low, the input terminal 213 is Low, and the input terminal 214 is High, nMOS1, nMOS2, pM
OS23, nMOS22 are on, nMOS3, nMOS
4. The pMOS 21 and the pMOS 24 are turned off, the input terminal of the inverter 41 becomes Low, and the output terminal of the inverter 41 becomes High.

【0024】もし、入力端子211がLow、入力端子
212がHigh、入力端子213がLow、入力端子
214がHighの時、nMOS3、nMOS2、pM
OS21、pMOS22がオン、nMOS1、nMOS
4、pMOS23、pMOS24がオフとなり、インバ
ータ41の入力端がHighとなり、インバータ41の
出力端がLowとなる。
If the input terminal 211 is Low, the input terminal 212 is High, the input terminal 213 is Low, and the input terminal 214 is High, nMOS3, nMOS2, pM
OS21, pMOS22 are on, nMOS1, nMOS
4. The pMOS 23 and the pMOS 24 are turned off, the input terminal of the inverter 41 becomes High, and the output terminal of the inverter 41 becomes Low.

【0025】このようにこの差動型XOR回路は通常の
XOR回路に比べ、信号伝達経路の違いが小さく、信号
の状態による遅延時間の差が小さい。pMOSとnMO
Sの違いによる立ち上がり時間と立ち下がり時間の違い
はあるが、ジッタは立ち上がりから立ち上がりまで、ま
たは立ち下がりから立ち下がりまでの周期のゆれである
ので、立ち上がり時間と立ち下がり時間の違いはあまり
影響しない。
As described above, the differential XOR circuit has a smaller difference in signal transmission path and a smaller difference in delay time depending on the state of a signal, as compared with a normal XOR circuit. pMOS and nMO
There is a difference between the rise time and the fall time due to the difference in S, but since the jitter is the fluctuation of the cycle from the rise to the rise or from the fall to the fall, the difference between the rise time and the fall time has little effect. .

【0026】図3に本発明の差動型XOR回路の第2の
実施例を示す。MOSトランジスタは縦積みの位置の違
い、つまり電源に直接つながれたMOSトランジスタで
あるか、それとも電源との間に他のMOSトランジスタ
がはさまれたMOSトランジスタであるかの違い(例え
ば図2におけるpMOSトランジスタ21と22の位置
の違い)によって基盤効果の大きさが異なり、入力端子
の違いによって微妙に遅延時間が異なってくる。図3の
XOR回路はこの位置の対称性をとることによってこの
基盤効果による遅延時間の違いを減らしたものである。
FIG. 3 shows a second embodiment of the differential XOR circuit according to the present invention. The difference between the MOS transistors in the vertical stacking position, that is, whether the MOS transistor is a MOS transistor directly connected to the power supply or a MOS transistor having another MOS transistor sandwiched between the power supply and the power supply (for example, the pMOS in FIG. 2) (The difference in the positions of the transistors 21 and 22), the magnitude of the substrate effect differs, and the delay time slightly varies depending on the difference in the input terminals. The XOR circuit of FIG. 3 reduces the difference in delay time due to this basic effect by taking this position symmetry.

【0027】例えば図2では入力端子211は電源に直
接接続されたpMOSトランジスタ21および電源に直
接接続されたnMOSトランジスタ1に接続されている
が、入力端子213は電源に直接接続されていないpM
OSトランジスタ22および、電源に直接接続されてい
ないnMOSトランジスタ4に接続されているので、入
力端子によって接続されているトランジスタの種類が異
なる。
For example, in FIG. 2, the input terminal 211 is connected to the pMOS transistor 21 directly connected to the power supply and the nMOS transistor 1 directly connected to the power supply, but the input terminal 213 is not connected to the power supply.
Since the transistor is connected to the OS transistor 22 and the nMOS transistor 4 that is not directly connected to the power supply, the type of the transistor connected differs depending on the input terminal.

【0028】ところが、図3では入力端子221は電源
に直接接続されたpMOSトランジスタ25、電源に直
接接続されていないpMOSトランジスタ28、電源に
直接接続されたnMOSトランジスタ5、電源に直接接
続されていないnMOSトランジスタ8が接続され、入
力端子223は電源に直接接続されたpMOSトランジ
スタ27、電源に直接接続されていないpMOSトラン
ジスタ26、電源に直接接続されたnMOSトランジス
タ11、電源に直接接続されていないnMOSトランジ
スタ10が接続され、入力端子によって接続されるトラ
ンジスタの種類が等しくなっている。
However, in FIG. 3, the input terminal 221 is the pMOS transistor 25 directly connected to the power supply, the pMOS transistor 28 not directly connected to the power supply, the nMOS transistor 5 directly connected to the power supply, and not directly connected to the power supply. The nMOS transistor 8 is connected, and the input terminal 223 is a pMOS transistor 27 directly connected to the power supply, a pMOS transistor 26 not directly connected to the power supply, the nMOS transistor 11 directly connected to the power supply, and an nMOS not directly connected to the power supply. The transistor 10 is connected, and the types of transistors connected by the input terminals are the same.

【0029】こうすることによって図2のXOR回路よ
りも入力信号の状態による遅延時間の差がより小さくな
る。
By doing so, the difference in delay time depending on the state of the input signal is smaller than in the XOR circuit of FIG.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上、説明してきたように本発明の構成
を用いて、電圧制御ディレイラインを用いたPLLクロ
ック逓倍回路における出力クロックのジッタを低減する
ことができる。
As described above, the jitter of the output clock in the PLL clock multiplication circuit using the voltage control delay line can be reduced by using the configuration of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電圧制御ディレイラインを用いたPL
Lクロック逓倍回路の実施例を示す図である。
FIG. 1 shows a PL using a voltage-controlled delay line according to the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating an embodiment of an L clock multiplication circuit.

【図2】本発明の差動型XOR回路の第1の実施例であ
る。
FIG. 2 is a diagram illustrating a first embodiment of a differential XOR circuit according to the present invention;

【図3】本発明の差動型XOR回路の第2の実施例であ
る。
FIG. 3 shows a second embodiment of the differential XOR circuit according to the present invention.

【図4】従来の電圧制御ディレイラインを用いたPLL
クロック逓倍回路の例を示す図である。
FIG. 4 shows a conventional PLL using a voltage-controlled delay line.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a clock multiplication circuit.

【図5】従来のXOR回路の構成を示す第1の実施例で
ある。
FIG. 5 is a first embodiment showing a configuration of a conventional XOR circuit.

【図6】従来のXOR回路の構成を示す第2の実施例で
ある。
FIG. 6 is a second embodiment showing the configuration of a conventional XOR circuit.

【図7】電圧制御ディレイラインの例である。FIG. 7 is an example of a voltage control delay line.

【図8】差動型XOR回路の入力信号および出力信号の
例である。
FIG. 8 is an example of an input signal and an output signal of a differential XOR circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜12 nMOSトランジスタ 21〜32 pMOSトランジスタ 41〜45 インバータ回路 51〜52 トランスファゲート回路 61 NAND回路 71 OR−NAND回路 81〜88 電圧制御遅延素子 101、111 位相比較器 102、112 ループフィルタ 103、113 電圧制御ディレイライン 104 本発明の差動型XOR回路 114 従来のXOR回路 201 入力クロック端子 301 出力クロック端子 211〜214 入力端子 311 出力端子 221〜224 入力端子 321 出力端子 231 入力クロック端子 331 出力クロック端子 241、242 入力端子 341 出力端子 251、252 入力端子 351 出力端子 261 入力クロック端子 262 遅延制御素子 361 出力クロック端子 1-12 nMOS transistor 21-32 pMOS transistor 41-45 inverter circuit 51-52 transfer gate circuit 61 NAND circuit 71 OR-NAND circuit 81-88 voltage control delay element 101, 111 phase comparator 102, 112 loop filter 103, 113 Voltage control delay line 104 Differential XOR circuit of the present invention 114 Conventional XOR circuit 201 Input clock terminal 301 Output clock terminal 211 to 214 Input terminal 311 Output terminal 221 to 224 Input terminal 321 Output terminal 231 Input clock terminal 331 Output clock terminal 241, 242 input terminal 341 output terminal 251, 252 input terminal 351 output terminal 261 input clock terminal 262 delay control element 361 output clock terminal

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ゲートが第1の入力端子に接続され、ソー
スが第1の電源端子に接続された第1のnMOSトラン
ジスタと、 ゲートが第2の入力端子に接続され、ソースが第1のn
MOSトランジスタのドレインと接続されたnMOSト
ランジスタと、 ゲートが第1の入力端子に接続され、ソースが第2の電
源端子に接続された第1のpMOSトランジスタと、 ゲートが第3の入力端子に接続され、ソースが第1のp
MOSトランジスタのドレインと接続された第2のpM
OSトランジスタと、 ゲートが第4の入力端子に接続され、ソースが第1の電
源端子に接続された第3のnMOSトランジスタと、 ゲートが第3の入力端子に接続され、ソースが第3のn
MOSトランジスタのドレインと接続された第4のnM
OSトランジスタと、 ゲートが第4の入力端子に接続され、ソースが第2の電
源端子に接続された第3のpMOSトランジスタと、 ゲートが第2の入力端子に接続され、ソースが第3のp
MOSトランジスタのドレインと接続された第4のpM
OSトランジスタと、 入力端が第2のnMOSトランジスタのドレインと、第
4のnMOSトランジスタのドレインと、第2のpMO
Sトランジスタのドレインと、第4のpMOSトランジ
スタのドレインに接続され、出力端が第1の出力端子と
接続されたインバータからなり、 第1の入力端子と第4の入力端子に加えられる信号が1
80度ずれた位相を持ち、第2の入力端子と第3の入力
端子に加えられる信号が180度ずれた位相を持つ事を
特徴とした差動XOR回路。
1. A first nMOS transistor having a gate connected to a first input terminal and a source connected to a first power supply terminal, a gate connected to a second input terminal, and a source connected to the first input terminal. n
An nMOS transistor connected to the drain of the MOS transistor; a first pMOS transistor having a gate connected to the first input terminal and a source connected to the second power supply terminal; and a gate connected to the third input terminal. And the source is the first p
A second pM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor; a third nMOS transistor having a gate connected to the fourth input terminal and a source connected to the first power supply terminal; a gate connected to the third input terminal;
Fourth nM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor; a third pMOS transistor having a gate connected to the fourth input terminal and a source connected to the second power supply terminal; a gate connected to the second input terminal;
Fourth pM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor; an input terminal of which is a drain of the second nMOS transistor; a drain of the fourth nMOS transistor;
An inverter connected to the drain of the S transistor and the drain of the fourth pMOS transistor and having an output terminal connected to the first output terminal, wherein a signal applied to the first input terminal and the fourth input terminal is 1
A differential XOR circuit having a phase shifted by 80 degrees and a signal applied to the second input terminal and the third input terminal shifted by 180 degrees.
【請求項2】ゲートが第1の入力端子と接続され、ソー
スが第1の電源端子に接続された第1のnMOSトラン
ジスタと、 ゲートが第2の入力端子と接続され、ソースが第1のn
MOSトランジスタのドレインと接続された第2のnM
OSトランジスタと、 ゲートが第2の入力端子と接続され、ソースが第1の電
源端子に接続された第3のnMOSトランジスタと、 ゲートが第1の入力端子と接続され、ソースが第3のn
MOSトランジスタのドレインと接続された第4のnM
OSトランジスタと、 ゲートが第1の入力端子と接続され、ソースが第2の電
源端子に接続された第1のpMOSトランジスタと、 ゲートが第3の入力端子と接続され、ソースが第1のp
MOSトランジスタのドレインと接続された第2のpM
OSトランジスタと、 ゲートが第3の入力端子と接続され、ソースが第2の電
源端子に接続された第3のpMOSトランジスタと、 ゲートが第1の入力端子と接続され、ソースが第3のp
MOSトランジスタのドレインと接続された第4のpM
OSトランジスタと、 ゲートが第4の入力端子と接続され、ソースが第1の電
源端子に接続された第5のnMOSトランジスタと、 ゲートが第3の入力端子と接続され、ソースが第5のn
MOSトランジスタのドレインと接続された第6のnM
OSトランジスタと、 ゲートが第3の入力端子と接続され、ソースが第1の電
源端子に接続された第7のnMOSトランジスタと、 ゲートが第4の入力端子と接続され、ソースが第7のn
MOSトランジスタのドレインと接続された第8のnM
OSトランジスタと、 ゲートが第4の入力端子と接続され、ソースが第2の電
源端子に接続された第5のpMOSトランジスタと、 ゲートが第2の入力端子と接続され、ソースが第5のp
MOSトランジスタのドレインと接続された第6のpM
OSトランジスタと、 ゲートが第2の入力端子と接続され、ソースが第2の電
源端子に接続された第7のpMOSトランジスタと、 ゲートが第4の入力端子と接続され、ソースが第7のp
MOSトランジスタのドレインと接続された第8のpM
OSトランジスタと、 入力端が第2のnMOSトランジスタのドレインと、第
4のnMOSトランジスタのドレインと、第6のnMO
Sトランジスタのドレインと、第8のnMOSトランジ
スタのドレインと、第2のpMOSトランジスタのドレ
インと、第4のpMOSトランジスタのドレインと、第
6のpMOSトランジスタのドレインと、第8のpMO
Sトランジスタのドレインと接続され、出力端が第1の
出力端子と接続されたインバータと、からなり、 第1の入力端子と第4の入力端子に加えられる信号が1
80度ずれた位相を持ち、第2の入力端子と第3の入力
端子に加えられる信号が180度ずれた位相を持つ事を
特徴とした差動XOR回路。
2. A first nMOS transistor having a gate connected to the first input terminal and a source connected to the first power supply terminal, a gate connected to the second input terminal, and a source connected to the first input terminal. n
Second nM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor, a third nMOS transistor having a gate connected to the second input terminal and a source connected to the first power supply terminal, a gate connected to the first input terminal, and a source connected to the third n terminal
Fourth nM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor, a first pMOS transistor having a gate connected to the first input terminal and a source connected to the second power supply terminal, a gate connected to the third input terminal, and a source connected to the first p-type terminal.
A second pM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor; a third pMOS transistor having a gate connected to the third input terminal and a source connected to the second power supply terminal; a gate connected to the first input terminal;
Fourth pM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor; a fifth nMOS transistor having a gate connected to the fourth input terminal and a source connected to the first power supply terminal; a gate connected to the third input terminal;
Sixth nM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor, a seventh nMOS transistor having a gate connected to the third input terminal and a source connected to the first power supply terminal, a gate connected to the fourth input terminal, and a source connected to the seventh n
Eighth nM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor; a fifth pMOS transistor having a gate connected to the fourth input terminal and a source connected to the second power supply terminal; a gate connected to the second input terminal;
Sixth pM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor, a seventh pMOS transistor having a gate connected to the second input terminal and a source connected to the second power supply terminal, a gate connected to the fourth input terminal, and a source connected to the seventh p-terminal.
Eighth pM connected to the drain of the MOS transistor
An OS transistor, an input terminal of which is a drain of the second nMOS transistor, a drain of the fourth nMOS transistor, and a sixth nMO
The drain of the S transistor, the drain of the eighth nMOS transistor, the drain of the second pMOS transistor, the drain of the fourth pMOS transistor, the drain of the sixth pMOS transistor, and the eighth pMO
An inverter connected to the drain of the S transistor and having an output terminal connected to the first output terminal, wherein a signal applied to the first input terminal and the fourth input terminal is 1
A differential XOR circuit having a phase shifted by 80 degrees and a signal applied to the second input terminal and the third input terminal shifted by 180 degrees.
【請求項3】入力端が第1の入力端子と接続された電圧
制御ディレイラインと、 2つの入力端に、電圧制御ディレイラインの出力端と第
1の入力端子が接続された位相比較器と、 入力端にこの位相比較器の出力端が接続され、出力端が
前記電圧制御ディレイラインの遅延制御素子と接続され
たループフィルタと、 4つの入力端に、前記電圧制御ディレイラインの、そこ
から出力される信号がそれぞれ異なる位相を持つ4つの
出力端が接続され、出力端が第1の出力端子に接続され
た請求項1または2の差動XOR回路と、を備え、 第1の入力端子にクロック信号が入力されると、第1の
出力端子に逓倍されたクロック信号が出力されることを
特徴としたPLL周波数逓倍回路。
3. A voltage controlled delay line having an input terminal connected to a first input terminal, a phase comparator having two input terminals connected to an output terminal of the voltage controlled delay line and a first input terminal. A loop filter having an input terminal connected to the output terminal of the phase comparator and an output terminal connected to the delay control element of the voltage control delay line; and four input terminals connected to the voltage control delay line. 3. The differential XOR circuit according to claim 1, wherein four output terminals of the output signals having different phases are connected, and the output terminal is connected to the first output terminal. Wherein a clock signal is input to the first output terminal and a multiplied clock signal is output to a first output terminal.
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