JP2576719Y2 - 電磁コイル付被膜物理蒸着装置 - Google Patents
電磁コイル付被膜物理蒸着装置Info
- Publication number
- JP2576719Y2 JP2576719Y2 JP1992004641U JP464192U JP2576719Y2 JP 2576719 Y2 JP2576719 Y2 JP 2576719Y2 JP 1992004641 U JP1992004641 U JP 1992004641U JP 464192 U JP464192 U JP 464192U JP 2576719 Y2 JP2576719 Y2 JP 2576719Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic coil
- reaction vessel
- electromagnetic
- coil
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、ＰＶＤ装置（物理蒸着
装置）として用いることができ、特にイオンプレーティ
ング装置において、金属の蒸発とイオン化を個別に制御
することができる電磁コイル付被膜物理蒸着装置に関す
る。
装置）として用いることができ、特にイオンプレーティ
ング装置において、金属の蒸発とイオン化を個別に制御
することができる電磁コイル付被膜物理蒸着装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハイス、超硬合金、サーメット、
セラミック焼結体等の基材に被膜を形成させるイオンプ
レーティング装置としては、電子加熱を行うために、或
は低電圧高電流のアーク放電型の電子ビームを集束させ
るために、電磁コイルを用いた装置が知られており、そ
の代表的な装置として、米国特許第４５５５６１１号
及び米国特許第４１９１７５号には、図３に示すよう
に、反応容器１の外周に電磁コイル２を備えた被覆処理
装置が、特開平２−２３９５５８号公報には、プラズ
マ室内に電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁界をか
ける電磁コイルを設けたプラズマＣＶＤ装置が、特開
平１−２０５５１９号公報には、電子ビームが被蒸着物
等の外乱により、電子ビームの照射位置がシフトしたと
きに、照射位置を修正するための電磁コイルを設けた真
空蒸着装置が示されている。
セラミック焼結体等の基材に被膜を形成させるイオンプ
レーティング装置としては、電子加熱を行うために、或
は低電圧高電流のアーク放電型の電子ビームを集束させ
るために、電磁コイルを用いた装置が知られており、そ
の代表的な装置として、米国特許第４５５５６１１号
及び米国特許第４１９１７５号には、図３に示すよう
に、反応容器１の外周に電磁コイル２を備えた被覆処理
装置が、特開平２−２３９５５８号公報には、プラズ
マ室内に電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁界をか
ける電磁コイルを設けたプラズマＣＶＤ装置が、特開
平１−２０５５１９号公報には、電子ビームが被蒸着物
等の外乱により、電子ビームの照射位置がシフトしたと
きに、照射位置を修正するための電磁コイルを設けた真
空蒸着装置が示されている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上記
米国特許公報に記載された装置では、低電圧大電流のア
ーク放電型電子ビーム５による金属の蒸発とイオン化を
個別に制御することが困難であるため、この電子ビーム
を基板のイオン衝撃洗浄（イオンボンバード）に利用す
るためには、反応容器１内に放電電極５及び坩堝４のほ
かに補助電極を設ける必要があり、この場合、電磁コイ
ル２が反応容器１内につくる磁場（ａ及びｂ）は一様磁
界にしかならなかった。
米国特許公報に記載された装置では、低電圧大電流のア
ーク放電型電子ビーム５による金属の蒸発とイオン化を
個別に制御することが困難であるため、この電子ビーム
を基板のイオン衝撃洗浄（イオンボンバード）に利用す
るためには、反応容器１内に放電電極５及び坩堝４のほ
かに補助電極を設ける必要があり、この場合、電磁コイ
ル２が反応容器１内につくる磁場（ａ及びｂ）は一様磁
界にしかならなかった。
【０００４】また上記の装置は、マイクロ波（周波数
２．４５GHz ）によって発生させたプラズマに８７５ガ
ウスの磁界密度をかけ、電子をサイクロン共鳴させ、か
つこれを基板に引き込むための装置であり、電子を収束
するためのものではない。また上記の装置は、電子ビ
ームの照射位置のシフトを修正することはできるが、電
子ビームを収束させることはできない。
２．４５GHz ）によって発生させたプラズマに８７５ガ
ウスの磁界密度をかけ、電子をサイクロン共鳴させ、か
つこれを基板に引き込むための装置であり、電子を収束
するためのものではない。また上記の装置は、電子ビ
ームの照射位置のシフトを修正することはできるが、電
子ビームを収束させることはできない。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであって、反応容器内のプラズマ、電子、イオ
ン等のビームを収束又は発散させることができ、かつこ
れらのビームの進行方向の角度を変更させることができ
る装置であり、このようにビームを調節することによ
り、金属の蒸発とイオン化を個別に制御することができ
る被膜物理蒸着装置の提供を目的とする。
れたものであって、反応容器内のプラズマ、電子、イオ
ン等のビームを収束又は発散させることができ、かつこ
れらのビームの進行方向の角度を変更させることができ
る装置であり、このようにビームを調節することによ
り、金属の蒸発とイオン化を個別に制御することができ
る被膜物理蒸着装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本考案は、反応容器の底
面の径より大きい径の第１電磁コイルを反応容器の外周
に備え、反応容器の底面の径より小さい径の第２電磁コ
イルを金属蒸発用坩堝及び／又は金属蒸発手段の周囲に
備え、かつ該第１電磁コイル及び該第２電磁コイルの電
流をそれぞれ個別に調整する電流制御手段を備えた電磁
コイル付被膜物理蒸着装置に関する。
面の径より大きい径の第１電磁コイルを反応容器の外周
に備え、反応容器の底面の径より小さい径の第２電磁コ
イルを金属蒸発用坩堝及び／又は金属蒸発手段の周囲に
備え、かつ該第１電磁コイル及び該第２電磁コイルの電
流をそれぞれ個別に調整する電流制御手段を備えた電磁
コイル付被膜物理蒸着装置に関する。
【０００７】
【実施例】本考案の被膜物理蒸着装置は、図１に示すよ
うに、反応容器１の底面の径より大きい径の第１電磁コ
イル２と、反応容器１の底面の径より小さい径の第２電
磁コイル３を備える。
うに、反応容器１の底面の径より大きい径の第１電磁コ
イル２と、反応容器１の底面の径より小さい径の第２電
磁コイル３を備える。
【０００８】本考案に用いる第１電磁コイル２を設ける
位置としては、反応容器１の外周であれば特に制限はな
いが、反応容器１の底面に対し垂直に磁界を発生するよ
うに配設するのが好ましい。
位置としては、反応容器１の外周であれば特に制限はな
いが、反応容器１の底面に対し垂直に磁界を発生するよ
うに配設するのが好ましい。
【０００９】本考案に用いる第２電磁コイル３を設ける
位置は、金属蒸発用坩堝４及び／又は、電子銃、アーク
放電電極等の金属蒸発手段５の周囲である。ここで周囲
とは、金属蒸発用坩堝４及び／又は金属蒸発手段５の近
傍に磁界を発生させるように金属蒸発用坩堝４及び／又
は金属蒸発手段５を囲む位置である。また第２電磁コイ
ル３を設ける位置としては、反応容器１の底面に対し垂
直に磁界を発生するように配設するのが好ましい。
位置は、金属蒸発用坩堝４及び／又は、電子銃、アーク
放電電極等の金属蒸発手段５の周囲である。ここで周囲
とは、金属蒸発用坩堝４及び／又は金属蒸発手段５の近
傍に磁界を発生させるように金属蒸発用坩堝４及び／又
は金属蒸発手段５を囲む位置である。また第２電磁コイ
ル３を設ける位置としては、反応容器１の底面に対し垂
直に磁界を発生するように配設するのが好ましい。
【００１０】本考案の装置に備える第１電磁コイル２及
び第２電磁コイル３の数は、それぞれ少なくとも１つ備
えていればよいが、複数個備えた装置が好ましく、例え
ば図１及び図２に示すように、第１電磁コイル２を２
つ、第２電磁コイル３を金属蒸発手段５と金属蒸発用坩
堝４の周囲に設けた装置を挙げることができる。
び第２電磁コイル３の数は、それぞれ少なくとも１つ備
えていればよいが、複数個備えた装置が好ましく、例え
ば図１及び図２に示すように、第１電磁コイル２を２
つ、第２電磁コイル３を金属蒸発手段５と金属蒸発用坩
堝４の周囲に設けた装置を挙げることができる。
【００１１】また、本考案に用いる第１電磁コイル２及
び第２電磁コイル３の電流を、それぞれ個別に調整する
電流制御手段６を備える。さらに、コイルの極性を変更
する極性反転手段７及びコイルを反応容器１の底面に対
し垂直に移動させる平行移動手段８を備えるのが好まし
い。
び第２電磁コイル３の電流を、それぞれ個別に調整する
電流制御手段６を備える。さらに、コイルの極性を変更
する極性反転手段７及びコイルを反応容器１の底面に対
し垂直に移動させる平行移動手段８を備えるのが好まし
い。
【００１２】本考案に用いる電流制御手段６としては、
第１電磁コイル２及び第２電磁コイル３に流れる電流を
制御することができればよく、例えばサイリスタ制御、
トランジスタ制御等を挙げることができ、中でも好まし
いのはサイリスタ制御である。
第１電磁コイル２及び第２電磁コイル３に流れる電流を
制御することができればよく、例えばサイリスタ制御、
トランジスタ制御等を挙げることができ、中でも好まし
いのはサイリスタ制御である。
【００１３】本考案に用いる極性反転手段７としては、
例えば、マグネットスイッチやリレー等を用いた反転手
段を挙げることができる。本考案に用いる平行移動手段
８としては、反応容器１の底面に対し垂直に移動させる
ことができれば特に制限はなく、例えば、従来から用い
られている、通称送りネジ（ＪＩＳ Ｂ ０１０２に記
載のウォームギヤと歯車の組合わせ）と電動モータとを
組合わせたものを挙げることができる。
例えば、マグネットスイッチやリレー等を用いた反転手
段を挙げることができる。本考案に用いる平行移動手段
８としては、反応容器１の底面に対し垂直に移動させる
ことができれば特に制限はなく、例えば、従来から用い
られている、通称送りネジ（ＪＩＳ Ｂ ０１０２に記
載のウォームギヤと歯車の組合わせ）と電動モータとを
組合わせたものを挙げることができる。
【００１４】本考案の装置においては、例えば図１に示
すように、第１電磁コイル２と金属蒸発用坩堝４の周囲
に設けた第２電磁コイル３との極性を極性反転手段７で
反対にし、電流制御手段６で第１電磁コイル２及び第２
電磁コイル３の電流を調整することにより、反応容器１
内に発生した磁界ａにより、蒸発した金属をイオン化す
るのに十分なビーム電流を確保することができ、また、
磁界ａと磁界ｂの相互作用により、金属蒸発用坩堝４近
傍の磁場を弱め、金属蒸発を抑制することができる。
すように、第１電磁コイル２と金属蒸発用坩堝４の周囲
に設けた第２電磁コイル３との極性を極性反転手段７で
反対にし、電流制御手段６で第１電磁コイル２及び第２
電磁コイル３の電流を調整することにより、反応容器１
内に発生した磁界ａにより、蒸発した金属をイオン化す
るのに十分なビーム電流を確保することができ、また、
磁界ａと磁界ｂの相互作用により、金属蒸発用坩堝４近
傍の磁場を弱め、金属蒸発を抑制することができる。
【００１５】また、第１電磁コイル２とアーク放電陰極
（金属蒸発手段５）の周囲に設けた第２電磁コイル３と
の極性を極性反転手段７で反対にし、電流制御手段６で
第１電磁コイル２及び第２電磁コイル３の電流を調整す
ることにより、磁界ａと磁界ｃの相互作用により、放電
陰極の放電プラズマ中の陽イオンによる局部スパッタリ
ングを低減することができる。
（金属蒸発手段５）の周囲に設けた第２電磁コイル３と
の極性を極性反転手段７で反対にし、電流制御手段６で
第１電磁コイル２及び第２電磁コイル３の電流を調整す
ることにより、磁界ａと磁界ｃの相互作用により、放電
陰極の放電プラズマ中の陽イオンによる局部スパッタリ
ングを低減することができる。
【００１６】さらに、例えば図２に示すように、２つの
第１電磁コイル２の極性を極性反転手段７で反対にする
ことにより、磁界ｄ及び磁界ｅにより磁場圧が発生し、
該磁場圧によりシート状のプラズマが形成され、基板の
電子加熱又はイオンボンバードの電離密度を制御するこ
とができる。また、電流制御手段６で第１電磁コイル２
及び第２電磁コイル３にそれぞれ設けた電流制御手段６
で電流を調整することにより、或はウォームギヤ付平行
移動手段８でウォームギヤにかみ合った歯車付第１電磁
コイル２を電動モータ（図示しない）で移動させること
により、シート状のプラズマを移動させることができ、
基板の電子加熱又はイオンボンバードを制御することが
できる。
第１電磁コイル２の極性を極性反転手段７で反対にする
ことにより、磁界ｄ及び磁界ｅにより磁場圧が発生し、
該磁場圧によりシート状のプラズマが形成され、基板の
電子加熱又はイオンボンバードの電離密度を制御するこ
とができる。また、電流制御手段６で第１電磁コイル２
及び第２電磁コイル３にそれぞれ設けた電流制御手段６
で電流を調整することにより、或はウォームギヤ付平行
移動手段８でウォームギヤにかみ合った歯車付第１電磁
コイル２を電動モータ（図示しない）で移動させること
により、シート状のプラズマを移動させることができ、
基板の電子加熱又はイオンボンバードを制御することが
できる。
【００１７】また、本考案の被膜物理蒸着装置において
は、反応容器１内の雰囲気を冷却する強制冷却手段を備
えたものが好ましく、強制冷却手段を備えることによ
り、基材に被膜を形成させた後、その基材を取り出すま
での時間を短縮することができる。
は、反応容器１内の雰囲気を冷却する強制冷却手段を備
えたものが好ましく、強制冷却手段を備えることによ
り、基材に被膜を形成させた後、その基材を取り出すま
での時間を短縮することができる。
【００１８】本考案に用いる強制冷却手段としては、図
２に示すように、例えば排気管９、熱交換器１０、ルー
ツブロア１１及び導入管１２で構成することができる。
このような強制冷却手段を備えた装置では、窒素ガス、
ヘリウム、アルゴン等の冷却ガスを、ルーツブロア１１
で導入管１２を通して反応容器１内に導入する。このと
き反応容器１内の圧力が、反応容器１内のガスの熱伝導
によって高まり、かつ冷却ガスにより雰囲気ガスが冷却
されるので基材が効率的に冷却される。
２に示すように、例えば排気管９、熱交換器１０、ルー
ツブロア１１及び導入管１２で構成することができる。
このような強制冷却手段を備えた装置では、窒素ガス、
ヘリウム、アルゴン等の冷却ガスを、ルーツブロア１１
で導入管１２を通して反応容器１内に導入する。このと
き反応容器１内の圧力が、反応容器１内のガスの熱伝導
によって高まり、かつ冷却ガスにより雰囲気ガスが冷却
されるので基材が効率的に冷却される。
【００１９】次に、冷却ガスは、排気管９を通して反応
容器１から排出され、熱交換器１０に導かれる。冷却ガ
スは、熱交換器１０で冷却された後、再びルーツブロア
１１に戻って撹拌され、次いで導入管１２を通して反応
容器１内に再導入され、基材を冷却する。強制冷却手段
には、排気管９又は導入管１２の中間にダストフィル
タ、弁等を設けてもよい。
容器１から排出され、熱交換器１０に導かれる。冷却ガ
スは、熱交換器１０で冷却された後、再びルーツブロア
１１に戻って撹拌され、次いで導入管１２を通して反応
容器１内に再導入され、基材を冷却する。強制冷却手段
には、排気管９又は導入管１２の中間にダストフィル
タ、弁等を設けてもよい。
【００２０】被膜形成試験 従来から用いられている電磁コイル付きイオンプレ
ーティング装置を用い、反応容器（直径（外寸）９００
mm、高さ（外寸）８００mm）内に、被覆基材として高速
度鋼製ドリル（直径７mm）を上下方向に２段積みに、ま
たＪＩＳ Ｋ １０相当の超硬合金製スローアウェイチ
ップ（ＳＮＧＡ１２０４０８）を上下方向に２５段積み
にし、電子加熱工程、Tiイオンボンバード工程、Tiコー
ティング工程及びTiN コーティング工程を表１に示す条
件で行い、窒化チタン被膜を形成させた。
ーティング装置を用い、反応容器（直径（外寸）９００
mm、高さ（外寸）８００mm）内に、被覆基材として高速
度鋼製ドリル（直径７mm）を上下方向に２段積みに、ま
たＪＩＳ Ｋ １０相当の超硬合金製スローアウェイチ
ップ（ＳＮＧＡ１２０４０８）を上下方向に２５段積み
にし、電子加熱工程、Tiイオンボンバード工程、Tiコー
ティング工程及びTiN コーティング工程を表１に示す条
件で行い、窒化チタン被膜を形成させた。
【００２１】
【表１】
【００２２】その結果、反応容器内の上下における加熱
温度等の違いから、得られた被膜の残留応力及び密着性
にバラツキがあった。また、スローアウェイチップのす
くい面における窒化チタン被膜のスクラッチ強度は５〜
１０kgの範囲でバラツキがあり、下記の切削テストにお
ける損傷量の比較でも２倍のバラツキがあった。また、
高速度鋼製ドリルの切削テストにおいてもチップの損傷
量に２倍のバラツキがあった。
温度等の違いから、得られた被膜の残留応力及び密着性
にバラツキがあった。また、スローアウェイチップのす
くい面における窒化チタン被膜のスクラッチ強度は５〜
１０kgの範囲でバラツキがあり、下記の切削テストにお
ける損傷量の比較でも２倍のバラツキがあった。また、
高速度鋼製ドリルの切削テストにおいてもチップの損傷
量に２倍のバラツキがあった。
【００２３】切削テスト 被削材：Ｓ４８Ｃ 切削速度：１５０m/min 送り：１．５ｍｍ／ｒｅｖ 切込み：１．５ｍｍ 切削油：なし 切削時間：１５分間
【００２４】 図２に示す第１電磁コイル及び第２コ
イルをそれぞれ２個備えた本考案の電磁コイル付被膜物
理蒸着装置を用い、前記と同様にして高速度鋼製ドリ
ル及びスローアウェイチップを設置した。電子加熱工
程、Tiイオンボンバード工程、Tiコーティング工程及び
TiN コーティング工程を表２に示す条件で窒化チタン被
膜を形成させる際、反応容器内の上下段において加熱ム
ラが生じないように、２つの第１電磁コイルの極性を変
えてシート状のプラズマを発生させ、かつ２つの第１電
磁コイルの電流値に差をつけながらシート状のプラズマ
を５分間反応容器内で上下させながら被膜を形成させ
た。
イルをそれぞれ２個備えた本考案の電磁コイル付被膜物
理蒸着装置を用い、前記と同様にして高速度鋼製ドリ
ル及びスローアウェイチップを設置した。電子加熱工
程、Tiイオンボンバード工程、Tiコーティング工程及び
TiN コーティング工程を表２に示す条件で窒化チタン被
膜を形成させる際、反応容器内の上下段において加熱ム
ラが生じないように、２つの第１電磁コイルの極性を変
えてシート状のプラズマを発生させ、かつ２つの第１電
磁コイルの電流値に差をつけながらシート状のプラズマ
を５分間反応容器内で上下させながら被膜を形成させ
た。
【００２５】
【表２】
【００２６】その結果、得られた窒化チタン被膜は、基
材を設置した同一の段内及び上下段に関わらず、被膜の
残留応力及び密着性にバラツキが無かった。また、スロ
ーアウェイチップのすくい面における窒化チタン被膜の
スクラッチ強度は、同一の段内及び上下段において、１
２〜１３kgと殆どバラツキがなく、被膜の密着性も優れ
ていた。さらに、上述の切削テスト条件における同一の
段内及び上下段のチップの損傷は、殆ど差がみられなか
った。
材を設置した同一の段内及び上下段に関わらず、被膜の
残留応力及び密着性にバラツキが無かった。また、スロ
ーアウェイチップのすくい面における窒化チタン被膜の
スクラッチ強度は、同一の段内及び上下段において、１
２〜１３kgと殆どバラツキがなく、被膜の密着性も優れ
ていた。さらに、上述の切削テスト条件における同一の
段内及び上下段のチップの損傷は、殆ど差がみられなか
った。
【００２７】
【考案の効果】本考案によると以下に示す効果を奏す
る。 (1) 第１電磁コイルと第２電磁コイルから発生する磁場
の極性を反転させ、また平行移動手段で第１電磁コイル
を移動させることができるので、反応容器内に発生する
プラズマ、電子、イオン等のビームを収束又は発散さ
せ、かつこれらのビームの進行方向や進行角度を変更さ
せることができる。
る。 (1) 第１電磁コイルと第２電磁コイルから発生する磁場
の極性を反転させ、また平行移動手段で第１電磁コイル
を移動させることができるので、反応容器内に発生する
プラズマ、電子、イオン等のビームを収束又は発散さ
せ、かつこれらのビームの進行方向や進行角度を変更さ
せることができる。
【００２８】(2) 上記(1) のようにしてビームを調節す
ることができるので、金属の蒸発とイオン化を個別に制
御することができるとともに、金属のイオン化等のラジ
カル反応を促進することができる。
ることができるので、金属の蒸発とイオン化を個別に制
御することができるとともに、金属のイオン化等のラジ
カル反応を促進することができる。
【００２９】(3) 上記(1) のようにしてビームを調節す
ることができるので、反応容器内における基材設置場所
が、中心部、外周部、上段、中段及び下段の別なく、基
材上に形成した被膜の膜質、膜厚及び密着性のバラツキ
を抑制することができる。
ることができるので、反応容器内における基材設置場所
が、中心部、外周部、上段、中段及び下段の別なく、基
材上に形成した被膜の膜質、膜厚及び密着性のバラツキ
を抑制することができる。
【図１】本考案の装置を例示する概念図である。
【図２】本考案の装置を例示する概念図である。
【図３】従来の装置を例示する概念図である。
１・・・・反応容器 ２・・・・第１電磁コイル ３・・・・第２電磁コイル ４・・・・金属蒸発用坩堝 ５・・・・金属蒸発手段 ６・・・・電流制御手段 ７・・・・極性反転手段 ８・・・・平行移動手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 木幡 護 神奈川県川崎市幸区塚越１丁目７番地 東芝タンガロイ株式会社内 (72)考案者 澁木 邦夫 神奈川県川崎市幸区塚越１丁目７番地 東芝タンガロイ株式会社内 (72)考案者 佐藤 義之 神奈川県川崎市幸区塚越１丁目７番地 東芝タンガロイ株式会社内 (72)考案者 中森 秀樹 千葉県柏市根戸282−１ ライオンズマ ンション北柏第２棟605号 (72)考案者 熊谷 泰 埼玉県志木市本町６−26−９ エスポワ ール101 (72)考案者 山口 和徳 東京都板橋区蓮沼町９番地４号 (56)参考文献 特開 昭54−52685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−119669（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (3)
- 【請求項１】 反応容器の底面の径より大きい径の第１
電磁コイルを反応容器の外周に備え、反応容器の底面の
径より小さい径の第２電磁コイルを金属蒸発用坩堝及び
／又は金属蒸発手段の周囲に備え、かつ該第１電磁コイ
ル及び該第２電磁コイルの電流をそれぞれ個別に調整す
る電流制御手段を備えた電磁コイル付被膜物理蒸着装
置。 - 【請求項２】 第１電磁コイル及び第２電磁コイルをそ
れぞれ複数個備え、かつ各電磁コイルが反応容器の底面
に対し垂直に磁界を発生するように配設された、請求項
１記載の電磁コイル付被膜物理蒸着装置。 - 【請求項３】 第１電磁コイル及び第２電磁コイルのそ
れぞれが個別に、コイルの極性を変更する極性反転手段
及びコイルを反応容器の底面に対し垂直に移動させる平
行移動手段を備えた、請求項１又は２記載の電磁コイル
付被膜物理蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992004641U JP2576719Y2 (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 電磁コイル付被膜物理蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992004641U JP2576719Y2 (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 電磁コイル付被膜物理蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566059U JPH0566059U (ja) | 1993-08-31 |
| JP2576719Y2 true JP2576719Y2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=11589616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992004641U Expired - Lifetime JP2576719Y2 (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 電磁コイル付被膜物理蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576719Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5452685A (en) * | 1978-05-12 | 1979-04-25 | Canon Inc | Vacuum ionization plating method |
| JPS61119669A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Kowa Eng Kk | イオンプレ−テイング装置 |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP1992004641U patent/JP2576719Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566059U (ja) | 1993-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4756810A (en) | Deposition and planarizing methods and apparatus | |
| JP3343620B2 (ja) | マグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法および装置 | |
| US6139699A (en) | Sputtering methods for depositing stress tunable tantalum and tantalum nitride films | |
| US5114556A (en) | Deposition apparatus and method for enhancing step coverage and planarization on semiconductor wafers | |
| JPH02217467A (ja) | 対向ターゲット型スパッタリング装置 | |
| EP0595624A1 (en) | Film forming apparatus for filling fine pores of a substrate | |
| JP4208258B2 (ja) | 工作物を被覆するための方法および装置 | |
| JPH09217168A (ja) | 金属及びセラミック基体のコーティング方法 | |
| JP4428873B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2576719Y2 (ja) | 電磁コイル付被膜物理蒸着装置 | |
| JPS63137159A (ja) | 結晶性金属薄膜の形成方法 | |
| JP3735462B2 (ja) | 金属酸化物光学薄膜の形成方法および成膜装置 | |
| US20060081466A1 (en) | High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source | |
| US20230130947A1 (en) | Tilted pvd source with rotating pedestal | |
| US20240282558A1 (en) | Physical vapor deposition source and chamber assembly | |
| US20240247365A1 (en) | Multicathode pvd system for high aspect ratio barrier seed deposition | |
| JP2005281726A (ja) | プラズマ成膜方法及びその装置 | |
| JPH0266846A (ja) | 一部が損傷した部品、特に対陰極を修復する方法 | |
| JPH1136063A (ja) | アーク式蒸発源 | |
| JP3404065B2 (ja) | 蒸着効率の高いイオンプレーティング装置 | |
| JP2939251B1 (ja) | 窒化ホウ素膜の成膜装置 | |
| JP2963455B1 (ja) | 窒化ホウ素膜の成膜方法 | |
| JPH1068069A (ja) | 金属ホウ化物膜の形成方法 | |
| TW202426673A (zh) | 用於在基板上沉積材料之系統與方法 | |
| WO2024211129A1 (en) | Sputter deposition of composite film with compositional uniformity |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980331 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |