JP2572783Y2 - ガス検出装置 - Google Patents
ガス検出装置Info
- Publication number
- JP2572783Y2 JP2572783Y2 JP1992013964U JP1396492U JP2572783Y2 JP 2572783 Y2 JP2572783 Y2 JP 2572783Y2 JP 1992013964 U JP1992013964 U JP 1992013964U JP 1396492 U JP1396492 U JP 1396492U JP 2572783 Y2 JP2572783 Y2 JP 2572783Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas sensor
- temperature
- output
- thermistor
- resistance
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【考案の利用分野】この考案は金属酸化物半導体ガスセ
ンサを用いたガス検出装置に関し、特にその温度補償に
関する。
ンサを用いたガス検出装置に関し、特にその温度補償に
関する。
【０００２】
【従来技術】金属酸化物半導体ガスセンサの周囲温度依
存性を、サーミスタで補償することは周知である。ガス
センサには周囲の絶対湿度への依存性があり、日本の気
候では気温と絶対湿度とは相関するので、サーミスタで
周囲温度依存性の他にガスセンサの絶対湿度依存性も補
償することができる。
存性を、サーミスタで補償することは周知である。ガス
センサには周囲の絶対湿度への依存性があり、日本の気
候では気温と絶対湿度とは相関するので、サーミスタで
周囲温度依存性の他にガスセンサの絶対湿度依存性も補
償することができる。
【０００３】図４にマイクロコンピュータを用いる場合
の、温度補償の原理を示す。図において、２はガスセン
サ、４は金属酸化物半導体、６はヒータ、ＲLは負荷抵
抗、ＲTはサーミスタである。ここでは固定抵抗Ｒ1への
電圧をＡＤ変換の基準電圧とし、ガスセンサ２の温度依
存性を補償する。
の、温度補償の原理を示す。図において、２はガスセン
サ、４は金属酸化物半導体、６はヒータ、ＲLは負荷抵
抗、ＲTはサーミスタである。ここでは固定抵抗Ｒ1への
電圧をＡＤ変換の基準電圧とし、ガスセンサ２の温度依
存性を補償する。
【０００４】図５に示すように、ガスセンサ２の温度依
存性とサーミスタＲTの温度依存性では、サーミスタＲT
の方が温度依存性が大きく、これを補うためサーミスタ
ＲTに直列あるいは並列に固定抵抗Ｒ2を接続し、温度依
存性をガスセンサ２とマッチングさせる。しかしこのよ
うにすると、サーミスタＲTの抵抗値が大きい低温域
と、サーミスタＲTの抵抗値が小さい高温域とで、抵抗
Ｒ1への出力の温度依存性が異なってくる。即ち低温域
では抵抗Ｒ1への出力に大きな温度依存性が有り、高温
域では温度依存性が小さくなる。このため極端な高温域
や低温域ではガスセンサ２の温度依存性とサーミスタＲ
Tによる温度補償回路側の温度依存性とがマッチングせ
ず、狭い温度範囲でしか正確な温度補償ができなくな
る。
存性とサーミスタＲTの温度依存性では、サーミスタＲT
の方が温度依存性が大きく、これを補うためサーミスタ
ＲTに直列あるいは並列に固定抵抗Ｒ2を接続し、温度依
存性をガスセンサ２とマッチングさせる。しかしこのよ
うにすると、サーミスタＲTの抵抗値が大きい低温域
と、サーミスタＲTの抵抗値が小さい高温域とで、抵抗
Ｒ1への出力の温度依存性が異なってくる。即ち低温域
では抵抗Ｒ1への出力に大きな温度依存性が有り、高温
域では温度依存性が小さくなる。このため極端な高温域
や低温域ではガスセンサ２の温度依存性とサーミスタＲ
Tによる温度補償回路側の温度依存性とがマッチングせ
ず、狭い温度範囲でしか正確な温度補償ができなくな
る。
【０００５】同様の問題はガスセンサ２の側にもあり、
ガスセンサ２の抵抗値が所定の範囲にないと、サーミス
タＲTによる温度補償を正確に行うことができない。Ａ
Ｄ変換の対象は、負荷抵抗ＲLへの電圧あるいはセンサ
２への電圧である。負荷抵抗ＲLへの電圧をＶRLとする
と、 ＶRL＝（ＲL×ＶC）／（ＲS＋ＲL） (1) となる。ここにＲSはセンサ抵抗、ＶCは回路電圧を現
す。センサ抵抗ＲSの温度依存性が同じでも、ＲSが大き
い時と小さい時ではＶRLに現れる温度依存性は異なる。
このことを図６に示す。ＲSが小さい場合ＶRLの温度依
存性は小さく、ＲSが大きい場合ＶRLの温度依存性は大
きい。サーミスタＲTで与えることができる温度依存性
の補償曲線は１種類で、ＲS毎に変化するのではない。
すると特定のＲSの範囲で正しい補償ができるように、
サーミスタＲTのＢ定数や抵抗Ｒ1，Ｒ2の値を設定する
しかないことになる。このようにするとセンサ抵抗ＲS
が所定の範囲から外れると、温度補償の精度が低下する
ことになる。例えばガスセンサ２のばらつきや経時変動
等でＲSが変化すると、温度補償の精度が低下する。ま
たガス濃度の高低あるいは空気中かガス中かでセンサ抵
抗ＲSが広範囲に変化すると、温度補償精度が低下す
る。
ガスセンサ２の抵抗値が所定の範囲にないと、サーミス
タＲTによる温度補償を正確に行うことができない。Ａ
Ｄ変換の対象は、負荷抵抗ＲLへの電圧あるいはセンサ
２への電圧である。負荷抵抗ＲLへの電圧をＶRLとする
と、 ＶRL＝（ＲL×ＶC）／（ＲS＋ＲL） (1) となる。ここにＲSはセンサ抵抗、ＶCは回路電圧を現
す。センサ抵抗ＲSの温度依存性が同じでも、ＲSが大き
い時と小さい時ではＶRLに現れる温度依存性は異なる。
このことを図６に示す。ＲSが小さい場合ＶRLの温度依
存性は小さく、ＲSが大きい場合ＶRLの温度依存性は大
きい。サーミスタＲTで与えることができる温度依存性
の補償曲線は１種類で、ＲS毎に変化するのではない。
すると特定のＲSの範囲で正しい補償ができるように、
サーミスタＲTのＢ定数や抵抗Ｒ1，Ｒ2の値を設定する
しかないことになる。このようにするとセンサ抵抗ＲS
が所定の範囲から外れると、温度補償の精度が低下する
ことになる。例えばガスセンサ２のばらつきや経時変動
等でＲSが変化すると、温度補償の精度が低下する。ま
たガス濃度の高低あるいは空気中かガス中かでセンサ抵
抗ＲSが広範囲に変化すると、温度補償精度が低下す
る。
【０００６】
【考案の課題】この考案の課題は、ガスセンサの周囲温
度依存性を、広範囲にかつ高精度に補償することにあ
る。
度依存性を、広範囲にかつ高精度に補償することにあ
る。
【０００７】
【考案の構成】この考案のガス検出装置は、金属酸化物
半導体ガスセンサの周囲温度依存性を、サーミスタで補
正するようにしたガス検出装置において、ガスセンサの
出力とサーミスタの出力とを、ＡＤ変換するための手段
と、ＡＤ変換したガスセンサの出力を、ガスセンサの抵
抗値または電気伝導度に換算するための手段と、サーミ
スタの出力から、ガスセンサの抵抗値または電気伝導度
に対する補正係数を求めるための参照表と、参照表で得
られた補正係数を、ガスセンサの抵抗値または電気伝導
度に乗算または除算して温度補正済みの信号を得るため
の手段、とを設けたことを特徴とする。
半導体ガスセンサの周囲温度依存性を、サーミスタで補
正するようにしたガス検出装置において、ガスセンサの
出力とサーミスタの出力とを、ＡＤ変換するための手段
と、ＡＤ変換したガスセンサの出力を、ガスセンサの抵
抗値または電気伝導度に換算するための手段と、サーミ
スタの出力から、ガスセンサの抵抗値または電気伝導度
に対する補正係数を求めるための参照表と、参照表で得
られた補正係数を、ガスセンサの抵抗値または電気伝導
度に乗算または除算して温度補正済みの信号を得るため
の手段、とを設けたことを特徴とする。
【０００８】
【考案の作用】この考案ではサーミスタ出力を基に参照
表を探り、該当する補正係数を求めて、ガスセンサの抵
抗値または電気伝導度に乗算あるいは除算して、温度補
正済みのセンサ出力とする。補正の対象はガスセンサの
電気伝導度または抵抗値とし、負荷抵抗への出力とはし
ない。これはガスセンサの温度依存性が同じでも、その
抵抗値により、負荷抵抗への出力では温度依存性が異な
るからである。この結果、例えばサーミスタ出力と補正
係数の１次元の参照表で補正を行うことができる。これ
に対し負荷抵抗の出力で直接補正すると、サーミスタ出
力と負荷抵抗の出力の２次元の見出しの参照表が必要
で、補正に要するメモリが増加する。またガスセンサ抵
抗ＲSのばらつきの影響を避けるため、補正係数は抵抗
値あるいは電気伝導度に乗算もしくは除算し、足し算や
引算は行わない。
表を探り、該当する補正係数を求めて、ガスセンサの抵
抗値または電気伝導度に乗算あるいは除算して、温度補
正済みのセンサ出力とする。補正の対象はガスセンサの
電気伝導度または抵抗値とし、負荷抵抗への出力とはし
ない。これはガスセンサの温度依存性が同じでも、その
抵抗値により、負荷抵抗への出力では温度依存性が異な
るからである。この結果、例えばサーミスタ出力と補正
係数の１次元の参照表で補正を行うことができる。これ
に対し負荷抵抗の出力で直接補正すると、サーミスタ出
力と負荷抵抗の出力の２次元の見出しの参照表が必要
で、補正に要するメモリが増加する。またガスセンサ抵
抗ＲSのばらつきの影響を避けるため、補正係数は抵抗
値あるいは電気伝導度に乗算もしくは除算し、足し算や
引算は行わない。
【０００９】
【実施例】図１，図２に実施例を示す。図１において、
２は金属酸化物半導体ガスセンサで、４はその金属酸化
物半導体、６はヒータである。金属酸化物半導体４に
は、例えば酸化第２錫や酸化インジウム、酸化タングス
テン等を用いれば良い。ＲLはガスセンサ２の負荷抵
抗、ＲTはサーミスタ、Ｒ1はサーミスタＲTの負荷抵抗
である。８は電源回路で、その出力ＶCを電源とする。
２は金属酸化物半導体ガスセンサで、４はその金属酸化
物半導体、６はヒータである。金属酸化物半導体４に
は、例えば酸化第２錫や酸化インジウム、酸化タングス
テン等を用いれば良い。ＲLはガスセンサ２の負荷抵
抗、ＲTはサーミスタ、Ｒ1はサーミスタＲTの負荷抵抗
である。８は電源回路で、その出力ＶCを電源とする。
【００１０】１０は信号処理用のマイクロコンピュータ
で、１２はそのＡＤコンバータ、１４はセンサ出力ＶRL
をセンサ抵抗ＲSに変換するためのＲS算出回路、１６は
サーミスタの出力から補正係数Ｋを求めるための参照
表、１８はセンサ抵抗ＲSに補正係数Ｋを乗算するため
の乗算回路、２０は乗算回路１８で温度依存性を補正し
たセンサ抵抗ＲS・Ｋに基づきガスを検出するための信
号処理回路である。マイクロコンピュータ１０の規模は
例えば４ビットのワンチップマイクロコンピュータ程度
のものが適当で、参照表１６は例えばマイクロコンピュ
ータ１０内のＲＯＭ等で実現する。
で、１２はそのＡＤコンバータ、１４はセンサ出力ＶRL
をセンサ抵抗ＲSに変換するためのＲS算出回路、１６は
サーミスタの出力から補正係数Ｋを求めるための参照
表、１８はセンサ抵抗ＲSに補正係数Ｋを乗算するため
の乗算回路、２０は乗算回路１８で温度依存性を補正し
たセンサ抵抗ＲS・Ｋに基づきガスを検出するための信
号処理回路である。マイクロコンピュータ１０の規模は
例えば４ビットのワンチップマイクロコンピュータ程度
のものが適当で、参照表１６は例えばマイクロコンピュ
ータ１０内のＲＯＭ等で実現する。
【００１１】図２に参照表１６の内容を示す。ＡＤコン
バータ１２はサーミスタ出力ＶTをＡＤ変換し、次いで
図示しない変換回路によりこれを周囲温度Ｔに変換す
る。ＡＤ変換の精度は８ビットであるので、参照表１６
では例えば−１３．７５℃〜＋５０℃までの範囲につい
て０．２５℃刻みで参照表を設ける。参照表１６の上の
欄は周囲温度Ｔであり、下の欄には補正係数Ｋを配置す
る。そして求めた周囲温度Ｔにより補正係数Ｋを求め、
これを乗算回路１８でセンサ抵抗ＲSに乗算して補正済
みの出力ＲS・Ｋとする。
バータ１２はサーミスタ出力ＶTをＡＤ変換し、次いで
図示しない変換回路によりこれを周囲温度Ｔに変換す
る。ＡＤ変換の精度は８ビットであるので、参照表１６
では例えば−１３．７５℃〜＋５０℃までの範囲につい
て０．２５℃刻みで参照表を設ける。参照表１６の上の
欄は周囲温度Ｔであり、下の欄には補正係数Ｋを配置す
る。そして求めた周囲温度Ｔにより補正係数Ｋを求め、
これを乗算回路１８でセンサ抵抗ＲSに乗算して補正済
みの出力ＲS・Ｋとする。
【００１２】実施例の動作を示す。ＡＤコンバータ１２
は、負荷抵抗ＲLへの出力ＶRLと固定抵抗Ｒ1への出力Ｖ
TとをＡＤ変換し、出力ＶTから周囲の温度Ｔを求める。
参照表１６では周囲の温度Ｔを基に補正係数Ｋを求め
る。一方ＲS算出回路１４でＶRLをセンサ抵抗ＲSに換算
し、乗算回路１８でセンサ抵抗ＲSに補正係数Ｋを乗算
する。このようにして得られた信号ＲS・Ｋは周囲温度
依存性を補正した信号であり、これを基に信号処理回路
２０でガスを検出する。
は、負荷抵抗ＲLへの出力ＶRLと固定抵抗Ｒ1への出力Ｖ
TとをＡＤ変換し、出力ＶTから周囲の温度Ｔを求める。
参照表１６では周囲の温度Ｔを基に補正係数Ｋを求め
る。一方ＲS算出回路１４でＶRLをセンサ抵抗ＲSに換算
し、乗算回路１８でセンサ抵抗ＲSに補正係数Ｋを乗算
する。このようにして得られた信号ＲS・Ｋは周囲温度
依存性を補正した信号であり、これを基に信号処理回路
２０でガスを検出する。
【００１３】ここでは負荷抵抗ＲLへの出力ＶRLをＡＤ
変換することとしたが、例えば金属酸化物半導体４への
電圧をＡＤ変換しても良い。また固定抵抗Ｒ1への出力
ＶTをＡＤ変換する代わりに、サーミスタＲTへの出力を
ＡＤ変換しても良い。参照表１６を参照する際には、サ
ーミスタの出力ＶTを一旦周囲温度Ｔに換算して参照し
た。しかしながら参照表１６をＶTと補正係数Ｋとの関
係を示した参照表とし、ＶTで直接参照表１６を参照す
るようにしても良い。またここではセンサ抵抗ＲSを用
いたが、その逆数のセンサの電気伝導度を用いても良
い。さらに乗算回路１８ではセンサ抵抗ＲSに補正係数
Ｋを乗算したが、補正係数の種類を上記の逆数とし、乗
算回路１８では乗算の代わりりに除算を行うようにして
も良い。
変換することとしたが、例えば金属酸化物半導体４への
電圧をＡＤ変換しても良い。また固定抵抗Ｒ1への出力
ＶTをＡＤ変換する代わりに、サーミスタＲTへの出力を
ＡＤ変換しても良い。参照表１６を参照する際には、サ
ーミスタの出力ＶTを一旦周囲温度Ｔに換算して参照し
た。しかしながら参照表１６をＶTと補正係数Ｋとの関
係を示した参照表とし、ＶTで直接参照表１６を参照す
るようにしても良い。またここではセンサ抵抗ＲSを用
いたが、その逆数のセンサの電気伝導度を用いても良
い。さらに乗算回路１８ではセンサ抵抗ＲSに補正係数
Ｋを乗算したが、補正係数の種類を上記の逆数とし、乗
算回路１８では乗算の代わりりに除算を行うようにして
も良い。
【００１４】実施例ではセンサ抵抗ＲSに対して補正係
数Ｋを乗算する。このためＶRLに対し直接補正係数Ｋを
乗算する場合と異なり、参照表は周囲温度Ｔと補正係数
Ｋの１次元の参照表でよい。これに対してＶRLに対し補
正係数を乗算する場合、センサの温度依存性が同じであ
ってもセンサの抵抗値ＲSと負荷抵抗ＲLとの比によりＶ
RLの温度係数が異なるので、参照表は周囲温度ＴとをＶ
RLの２次元の見出しの参照表が必要となる。このような
場合に実施例と同じ補正精度を得ようとすると、ＶRLに
対する参照表の規模は周囲温度Ｔに対して８ビットの２
５６点、ＶRLに対し８ビットの２５６点で、データの個
数は約６５Ｋとなる。このような参照表は極めて大規模
で、ワンチップマイクロコンピュータのレベルでは達成
し難い。
数Ｋを乗算する。このためＶRLに対し直接補正係数Ｋを
乗算する場合と異なり、参照表は周囲温度Ｔと補正係数
Ｋの１次元の参照表でよい。これに対してＶRLに対し補
正係数を乗算する場合、センサの温度依存性が同じであ
ってもセンサの抵抗値ＲSと負荷抵抗ＲLとの比によりＶ
RLの温度係数が異なるので、参照表は周囲温度ＴとをＶ
RLの２次元の見出しの参照表が必要となる。このような
場合に実施例と同じ補正精度を得ようとすると、ＶRLに
対する参照表の規模は周囲温度Ｔに対して８ビットの２
５６点、ＶRLに対し８ビットの２５６点で、データの個
数は約６５Ｋとなる。このような参照表は極めて大規模
で、ワンチップマイクロコンピュータのレベルでは達成
し難い。
【００１５】
【実施例２】図３にタグ付きの信号処理を用いたマイク
ロコンピュータ３０を示す。なおこの実施例は他の点で
は図１の実施例と同等である。図において、３２は周囲
温度ＴSが基準となる温度Ｔと一致するか否かを検出す
るための比較回路で、３４は新たな参照表、３６はメモ
リである。
ロコンピュータ３０を示す。なおこの実施例は他の点で
は図１の実施例と同等である。図において、３２は周囲
温度ＴSが基準となる温度Ｔと一致するか否かを検出す
るための比較回路で、３４は新たな参照表、３６はメモ
リである。
【００１６】図３の実施例の動作を示す。センサ出力Ｖ
RLとサーミスタ出力ＶTとをＡＤ変換すると、これをセ
ンサ抵抗ＲSと周囲温度ＴSの対とし、センサ抵抗ＲSに
周囲温度ＴSのタグを付けて比較回路３２に入力する。
比較回路３２では基準温度Ｔを記憶し、周囲温度ＴSが
基準温度Ｔに一致するかどうかを検出する。ここで基準
温度Ｔとしては、例えば信号処理回路２０でセンサ抵抗
ＲSに対する基準値を定めた時点での周囲温度等を用い
る。周囲温度ＴSが基準温度Ｔに一致する場合、参照表
３４を参照せずにそのままその時点での抵抗値ＲSをメ
モリ３６に記憶させる。一方周囲温度ＴSが基準温度Ｔ
と異なる場合には、参照表３４を参照する。ここでの参
照表３４は図１の参照表１６を簡略したもので、周囲温
度ＴSと基準温度Ｔとの差△Ｔと補正係数Ｋとの関係を
記憶させたものである。△Ｔの範囲は例えば−１０℃〜
＋１０℃程度の２０℃程度の範囲とし、これを処理する
ために例えば６ビットの６４個の参照データを設ける。
この結果参照表３４の規模は、８ビット２５５個の参照
データを記憶した図１の参照表１６よりも小規模とな
る。参照表３４で補正係数Ｋを求めると、この値をセン
サ抵抗ＲSに乗算しＲS・Ｋをメモリ３６に入力する。メ
モリ３６では基準温度Ｔを記憶して置き、個別の測定温
度ＴSは特に記憶せず、必要な個数のセンサ抵抗ＲSのデ
ータ、例えばＲS1〜ＲSXを測定順に記憶しておく。そし
て信号処理回路２０で適宜これらの信号を取り出し、ガ
スを検出する。
RLとサーミスタ出力ＶTとをＡＤ変換すると、これをセ
ンサ抵抗ＲSと周囲温度ＴSの対とし、センサ抵抗ＲSに
周囲温度ＴSのタグを付けて比較回路３２に入力する。
比較回路３２では基準温度Ｔを記憶し、周囲温度ＴSが
基準温度Ｔに一致するかどうかを検出する。ここで基準
温度Ｔとしては、例えば信号処理回路２０でセンサ抵抗
ＲSに対する基準値を定めた時点での周囲温度等を用い
る。周囲温度ＴSが基準温度Ｔに一致する場合、参照表
３４を参照せずにそのままその時点での抵抗値ＲSをメ
モリ３６に記憶させる。一方周囲温度ＴSが基準温度Ｔ
と異なる場合には、参照表３４を参照する。ここでの参
照表３４は図１の参照表１６を簡略したもので、周囲温
度ＴSと基準温度Ｔとの差△Ｔと補正係数Ｋとの関係を
記憶させたものである。△Ｔの範囲は例えば−１０℃〜
＋１０℃程度の２０℃程度の範囲とし、これを処理する
ために例えば６ビットの６４個の参照データを設ける。
この結果参照表３４の規模は、８ビット２５５個の参照
データを記憶した図１の参照表１６よりも小規模とな
る。参照表３４で補正係数Ｋを求めると、この値をセン
サ抵抗ＲSに乗算しＲS・Ｋをメモリ３６に入力する。メ
モリ３６では基準温度Ｔを記憶して置き、個別の測定温
度ＴSは特に記憶せず、必要な個数のセンサ抵抗ＲSのデ
ータ、例えばＲS1〜ＲSXを測定順に記憶しておく。そし
て信号処理回路２０で適宜これらの信号を取り出し、ガ
スを検出する。
【００１７】
【考案の効果】この考案では、ガスセンサの抵抗値によ
らず、精密にその周囲温度依存性を補償できるので、 (1) ガスセンサの抵抗値にばらつきがあっても、温度
補償の精度が低下しない、 (2) ガスセンサの抵抗値が経時的に変動しても、温度
補償の精度が低下しない、 (3) 空気中や低濃度領域から高濃度領域まで広い範囲
に渡って、ガスセンサの周囲温度依存性を補償すること
ができる。
らず、精密にその周囲温度依存性を補償できるので、 (1) ガスセンサの抵抗値にばらつきがあっても、温度
補償の精度が低下しない、 (2) ガスセンサの抵抗値が経時的に変動しても、温度
補償の精度が低下しない、 (3) 空気中や低濃度領域から高濃度領域まで広い範囲
に渡って、ガスセンサの周囲温度依存性を補償すること
ができる。
【図１】 実施例のガス検出装置のブロック図
【図２】 図１の実施例で用いた参照表を示す図
【図３】 第２の実施例のガス検出装置の要部ブロッ
ク図
ク図
【図４】 従来例のガス検出装置のブロック図
【図５】 ガスセンサとサーミスタの温度依存性を示
す特性図
す特性図
【図６】 ガスセンサの抵抗値による、ＶRLの温度依
存性の変化を示す特性図
存性の変化を示す特性図
２ ガスセンサ ４ 金属酸化物半導体 ６ ヒータ ８ 電源回路 １０ マイクロコンピュータ １２ ＡＤコンバータ １４ ＲS算出回路 １６ 参照表 １８ 乗算回路 ２０ 信号処理回路 ３２ 比較回路 ３４ 参照表 ３６ メモリ ＲL 負荷抵抗 ＲT サーミスタ Ｒ1，Ｒ2 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 27/12 G01N 27/04
Claims (1)
- 【請求項１】 金属酸化物半導体ガスセンサの周囲温度
依存性を、サーミスタで補正するようにしたガス検出装
置において、 ガスセンサの出力とサーミスタの出力とを、ＡＤ変換す
るための手段と、 ＡＤ変換したガスセンサの出力を、ガスセンサの抵抗値
または電気伝導度に換算するための手段と、 サーミスタの出力から、ガスセンサの抵抗値または電気
伝導度に対する補正係数を求めるための参照表と、 参照表で得られた補正係数を、ガスセンサの抵抗値また
は電気伝導度に乗算または除算して温度補正済みの信号
を得るための手段、とを設けたことを特徴とするガス検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992013964U JP2572783Y2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | ガス検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992013964U JP2572783Y2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | ガス検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0564762U JPH0564762U (ja) | 1993-08-27 |
| JP2572783Y2 true JP2572783Y2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=11847898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992013964U Expired - Lifetime JP2572783Y2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | ガス検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572783Y2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4750327B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-08-17 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体式検知装置及びその出力算出方法 |
| JP4495563B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-07-07 | 矢崎総業株式会社 | 警報器 |
| JP4575862B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2010-11-04 | エフアイエス株式会社 | ガス検出装置 |
| JP4575861B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2010-11-04 | エフアイエス株式会社 | 温度補償機能付検出装置 |
| JP5884682B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-03-15 | 株式会社デンソー | 車両用空調装置 |
| JP6500507B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2019-04-17 | いすゞ自動車株式会社 | センサ |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP1992013964U patent/JP2572783Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564762U (ja) | 1993-08-27 |
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