JP2568305B2 - Method of forming glass coat layer in thin film resistor element - Google Patents
Method of forming glass coat layer in thin film resistor elementInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、薄膜抵抗体素子におけるガラスコート層の
形成方法に係り、特に、抵抗体としての金属薄膜の抵抗
地の温度依存性を利用して、温度測定や流量測定等に好
適に用いられる薄膜抵抗体素子、例えば熱線式流量計に
おける流量検出素子の表面に、それを保護するためのガ
ラスコート層を所定厚さに形成する方法に関するもので
ある。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a glass coat layer in a thin-film resistor element, and more particularly, to a method of utilizing the temperature dependence of the resistance of a metal thin film as a resistor. The present invention relates to a method for forming a glass coating layer of a predetermined thickness on the surface of a thin film resistor element suitably used for measurement, flow rate measurement, etc., for example, a flow rate detection element in a hot wire flow meter, for protecting the same.
(背景技術) 従来から、この種の抵抗体素子として、パイプ状乃至
はボビン状、プレート状等のセラミックス担体の表面
に、白金等の金属薄膜を抵抗体として形成する一方、か
かる金属薄膜に外部回路との電気的導通をとるための金
属リード線を接続せしめてなる構造のものが知られてお
り、またそのような素子にあっては、セラミックス担体
の表面に設けられた金属薄膜を保護すべく、かかる金属
薄膜の外表面上に、ガラスコート層が所定厚さにおいて
設けられている。(Background Art) Conventionally, as a resistor element of this type, a metal thin film of platinum or the like is formed as a resistor on the surface of a ceramic carrier such as a pipe, a bobbin, or a plate, and the metal thin film is externally mounted. Known is a structure in which metal lead wires for establishing electrical continuity with a circuit are connected, and in such an element, a metal thin film provided on the surface of a ceramic carrier is protected. To this end, a glass coat layer having a predetermined thickness is provided on the outer surface of such a metal thin film.
第1図は、そのような薄膜抵抗体素子の一例を示すも
のであって、そこにおいて、2は、アルミナ等の公知の
セラミックス材料からなるパイプ状のボビンであり、セ
ラミックス担体を構成している。そして、このボビン2
の両端部には、白金線やステンレス線等の金属線からな
るリード4,4が、それぞれ、所定長さ挿入せしめられた
状態において、ガラス系接着剤6にて接着固定せしめら
れている。また、ボビン2の外周面には、白金等からな
る金属薄膜(抵抗体)8が、従来と同様にして所定パタ
ーンにおいて設けられ、ボビン2の端部において、導体
ペースト10にて各リード4,4に電気的に接続せしめられ
ている。そして、少なくとも金属薄膜8の外表面を覆
い、ボビン2の全体に至るように、適当なガラス材料か
らなるガラスコート層12が、保護コーティング層とし
て、所定厚さ(例えば、数μm〜数十μm)において形
成されているのである。FIG. 1 shows an example of such a thin film resistor element, wherein reference numeral 2 denotes a pipe-shaped bobbin made of a known ceramic material such as alumina, which constitutes a ceramic carrier. . And this bobbin 2
Leads 4 made of a metal wire such as a platinum wire or a stainless wire are bonded and fixed with a glass-based adhesive 6 in a state where they are inserted for a predetermined length. A metal thin film (resistor) 8 made of platinum or the like is provided in a predetermined pattern on the outer peripheral surface of the bobbin 2 in the same manner as in the related art. It is electrically connected to 4. Then, a glass coating layer 12 made of a suitable glass material is formed as a protective coating layer so as to cover at least the outer surface of the metal thin film 8 and reach the entire bobbin 2 by a predetermined thickness (for example, several μm to several tens μm). ).
ところで、このような薄膜抵抗体素子におけるガラス
コート層12の形成は、一般に、ガラス粉末を適当な液体
に混合分散せしめてなるものを塗布、焼成することによ
って、行なわれることとなるが、かかるガラスコート層
12は均一な厚さで設けられる必要があり、そのために、
特開平1−180420号公報においては、浸漬法(ディッピ
ング法)によってガラスコート層を形成するに際して、
エーテル系、ケトン系、エステル系等の揮発性の大きな
速乾性溶剤を用いることが提案されている。Incidentally, the formation of the glass coat layer 12 in such a thin film resistor element is generally performed by applying and baking a material obtained by mixing and dispersing glass powder in an appropriate liquid. Coat layer
12 needs to be provided with a uniform thickness, for which,
In JP-A-1-180420, when forming a glass coat layer by a dipping method (dipping method),
It has been proposed to use a highly volatile quick-drying solvent such as an ether, ketone, or ester.
しかしながら、そのような速乾性の溶剤を用い、それ
にガラス粉末を混合してなるスラリーに浸漬せしめるこ
とによって、抵抗体素子上に、所定厚さのガラスコート
層を形成する手法にあっては、かかるスラリー中に浸漬
された素子を引き上げることによって、素子周方向にお
けるガラスコート層の厚さを均一にすることが出来るも
のの、速乾性の溶剤を使用しているために、スラリーの
粘度が時々刻々変化することとなり、しかも一回の浸漬
操作にて目的とする膜厚分だけスラリーを付着せしめる
必要があるところから、かかる素子の引上げ方向におい
て、ガラスコート層の膜厚の均一性が悪化する問題を内
在するものであった。尤も、漸次変化するスラリー粘度
を考慮して、素子の引上げ速度を制御するようにすれ
ば、理論的には膜厚の均一性の維持は可能であるが、そ
のような引上げ速度の経時的な制御は極めて困難であっ
て、実用性に乏しいものである。However, such a method of forming a glass coat layer having a predetermined thickness on a resistor element by using such a quick-drying solvent and immersing the slurry in a slurry obtained by mixing glass powder with the solvent is used in such a method. By pulling up the element immersed in the slurry, the thickness of the glass coat layer in the element circumferential direction can be made uniform, but the viscosity of the slurry changes every moment because a quick-drying solvent is used. In addition, since it is necessary to apply the slurry by the desired thickness in one dipping operation, the uniformity of the thickness of the glass coat layer is deteriorated in the pulling direction of the element. It was inherent. However, if the pulling speed of the element is controlled in consideration of the gradually changing slurry viscosity, it is theoretically possible to maintain the uniformity of the film thickness. Control is extremely difficult and poorly practical.
また、スラリー粘度が漸次変化することによって、か
かるスラリーに順次浸漬せしめられてガラスコート層が
形成される素子の個体間において、ガラスコート層の膜
厚のバラツキが生じる問題も、内在するものであった。In addition, there is also an inherent problem that the viscosity of the glass coat layer varies among the individual elements in which the glass coat layer is formed by being sequentially immersed in the slurry because the slurry viscosity gradually changes. Was.
(解決課題) ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為
されたものであって、その課題とするところは、上述の
欠点を解消し、引上げ方向においても均一な膜厚となる
ガラスコート層を薄膜抵抗体素子上に有利に形成し得る
手法を提供することにある。(Problem to be Solved) Here, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and to provide a glass having a uniform film thickness even in the pulling direction. It is an object of the present invention to provide a method that can advantageously form a coat layer on a thin film resistor element.
(解決手段) そして、本発明は、上記のような課題を解決するため
に、セラミックス担体の表面に所定の金属薄膜を形成す
る一方、該金属薄膜に、外部回路との電気的導通をとる
ための金属リード線を接続してなる薄膜抵抗体素子にお
いて、該金属薄膜の外表面上に所定厚さのガラスコート
層を形成するに際し、炭素及び水素または炭素,水素及
び酸素からなり且つ沸点が150℃以上の有機ビヒクルに
ガラス粉末を混合せしめてなるスラリー状ガラスペース
トを用い、該ガラスペースト中に前記薄膜抵抗体素子を
浸漬した後、焼成によって5μmを越えない膜厚のガラ
ス薄層を与える前記ガラスペーストの塗布層厚さとなる
ように、該薄膜抵抗体素子を引き上げ、そして乾燥を施
すことからなる薄層コーティング工程を、複数回繰り返
して、前記所定厚さのガラスコート層と為すことを特徴
とするものである。(Solution) In order to solve the above-described problems, the present invention provides a method for forming a predetermined metal thin film on the surface of a ceramics carrier, and providing the metal thin film with electrical continuity with an external circuit. When a glass coat layer having a predetermined thickness is formed on the outer surface of the metal thin film, the thin film resistor element is formed of carbon and hydrogen or carbon, hydrogen and oxygen and has a boiling point of 150. Using a glass paste slurry obtained by mixing glass powder with an organic vehicle at a temperature of at least 0 ° C., immersing the thin-film resistor element in the glass paste, and baking to provide a glass thin layer having a thickness not exceeding 5 μm. The thin-film resistor element is pulled up so as to have a thickness of the glass paste coating layer, and a thin-layer coating step of drying is repeated a plurality of times. It is characterized in that makes with the glass coating layer having a predetermined thickness.
なお、かかる本発明において、薄膜抵抗体素子の少な
くとも金属薄膜の外表面上に形成されるガラスペースト
の塗布層は、前記薄層コーティング工程中において、或
いは該薄層コーティング工程の適数回若しくは全ての終
了の後において、焼成されることとなる。In the present invention, the coating layer of the glass paste formed on at least the outer surface of the metal thin film of the thin-film resistor element is formed during the thin-layer coating step, or a suitable number of times or all of the thin-layer coating step. After the completion of the above, firing is performed.
また、本発明にあっては、好ましくは、前記複数回の
薄層コーティング工程は、前記薄膜抵抗体素子の引き上
げ方向が互いに逆となる引き上げ操作を採用した薄層コ
ーティング工程の組合せにて構成されるようにされ、こ
れによって形成されるガラスコート層の厚さの均一性が
更に高められ得るのである。Further, in the present invention, preferably, the plurality of thin-layer coating steps are configured by a combination of thin-layer coating steps employing pull-up operations in which pull-up directions of the thin-film resistor elements are opposite to each other. As a result, the uniformity of the thickness of the glass coat layer formed can be further improved.
(作用・効果) このように、本発明に従う薄膜抵抗体素子のガラスコ
ート層の形成方法にあっては、速乾性でない、沸点が15
0℃以上の有機ビヒクル(溶剤)を用い、これにガラス
粉末を混合せしめてスラリー状としたガラスペーストに
薄膜抵抗体素子を浸漬するものであるところから、ガラ
スペースト中の有機ビヒクルの揮発が浸漬作業中におい
て殆どなく、そのために、かかるガラスペーストの粘度
変化に基づくところの塗布厚さ(膜厚)の変動を全く顧
慮する必要がなくなったのである。(Operation / Effect) As described above, in the method for forming the glass coat layer of the thin film resistor element according to the present invention, the glass coat layer is not quick-drying and has a boiling point of 15%.
An organic vehicle (solvent) with a temperature of 0 ° C or higher is used, and the thin film resistor element is immersed in a glass paste that is made by mixing glass powder into a slurry, and volatilization of the organic vehicle in the glass paste is immersed. There is almost no change during the work, so that it is no longer necessary to take into account any variation in the coating thickness (film thickness) based on such a change in the viscosity of the glass paste.
また、本発明にあっては、かくの如きスラリー状ガラ
スペーストを用いても、焼成によって膜厚が5μmを越
えないガラス薄層を与える塗布厚さとなるようなガラス
ペーストの薄層コーティング工程を何回も繰り返し、目
的とするガラスコート層厚さを得るべく、ガラスペース
トを少しずつ塗布するようにしたものであるところか
ら、液垂れによる塗布層の膜厚変動も効果的に抑制され
得て、薄膜抵抗体素子上により均一な膜厚のガラスコー
ト層を有利に形成し得るのである。Further, in the present invention, even when such a slurry-like glass paste is used, what is necessary is to perform a thin layer coating process of the glass paste such that the thickness of the glass paste obtained by sintering becomes a thin glass layer not exceeding 5 μm. Repeatedly, since the glass paste is applied little by little in order to obtain the desired glass coat layer thickness, the thickness variation of the coating layer due to dripping can be effectively suppressed, A glass coat layer having a more uniform thickness can be advantageously formed on the thin film resistor element.
(具体的構成) ところで、本発明に従って、ガラスコート層の形成さ
れる薄膜抵抗体素子は、第1図に示される具体例を含
み、公知の各種の形態乃至は構造を有するものであっ
て、それら素子の何れにも、本発明を適用することが可
能である。(Specific Configuration) By the way, according to the present invention, the thin film resistor element on which the glass coat layer is formed includes various examples or structures known in the art including the specific examples shown in FIG. The present invention can be applied to any of these devices.
本発明は、そのような薄膜抵抗体素子の少なくとも金
属薄膜の外表面上に塗着せしめられるスラリー状ガラス
ペーストを、炭素及び水素、または炭素,水素及び酸素
からなり、且つ沸点が150℃以上の有機ビヒクルを用
い、これにガラス粉末を均一に混合せしめることによっ
て、形成するようにしたのである。The present invention provides a slurry-like glass paste coated on at least the outer surface of a metal thin film of such a thin film resistor element, comprising carbon and hydrogen, or carbon, hydrogen and oxygen, and having a boiling point of 150 ° C. or more. It was formed by using an organic vehicle and uniformly mixing the glass powder with the organic vehicle.
なお、かかる有機ビヒクルは、形成されるスラリー状
ガラスペーストの粘度を経時的に変化させないようにす
るために、150℃以上の沸点(bp)を有するものである
ことが必要であり、また最終的なガラスコート層内への
残留を避ける上において、炭素及び水素、または炭素,
水素及び酸素からなる元素にて構成される有機液体であ
る必要があり、例えばテルピネオール(bp:約200℃)、
1−ヘキサノール(bp:158℃)、ブチルカルビトール
(bp:230℃)、2−エチルヘキサノール(bp:184℃)等
を挙げることが出来る。Note that the organic vehicle needs to have a boiling point (bp) of 150 ° C. or higher in order to prevent the viscosity of the slurry-like glass paste to be formed from changing over time. Carbon and hydrogen, or carbon,
It must be an organic liquid composed of elements consisting of hydrogen and oxygen, such as terpineol (bp: about 200 ° C.),
Examples thereof include 1-hexanol (bp: 158 ° C), butyl carbitol (bp: 230 ° C), and 2-ethylhexanol (bp: 184 ° C).
そして、本発明に従って、上述の如き有機ビヒクルと
ガラス粉末とを混合せしめて、スラリー状ガラスペース
トを調製するに際しては、ガラス粉末と有機ビヒクルと
が、一般に、2:1〜2:3程度の重量割合において配合せし
められ、更に適当な有機バインダを配合して、玉石と共
にポットミルにて均一に混合せしめられ、ガラススラリ
ーとして取り出される。また、この得られたガラススラ
リーには、必要に応じて、更に有機ビヒクルが添加さ
れ、その粘度が1000〜2000センチポイズ(cp)程度とな
るように、粘度調整が行なわれる。Then, according to the present invention, when preparing the slurry-like glass paste by mixing the organic vehicle and the glass powder as described above, the glass powder and the organic vehicle generally have a weight of about 2: 1 to 2: 3. The mixture is blended in a ratio, further blended with an appropriate organic binder, uniformly mixed with a cobblestone in a pot mill, and taken out as a glass slurry. Further, if necessary, an organic vehicle is further added to the obtained glass slurry, and the viscosity is adjusted so that the viscosity is about 1000 to 2000 centipoise (cp).
次いで、このようにして得られたスラリー状ガラスペ
ーストを用いて、通常の浸漬法(ディッピング法)に従
って、薄膜抵抗体素子の少なくとも金属薄膜の外表面上
に、かかるガラスペーストの薄い塗布層が形成される。
例えば、第2図に示されるように、薄膜抵抗体素子20の
一方のリード線22を治具24にて把持して、かかる薄膜抵
抗体素子20を吊り下げた状態において、スラリー状のガ
ラスペースト26内に挿入、浸漬せしめた後、上方に引き
上げることにより、薄膜抵抗体素子20の全表面に、かか
るスラリー状ガラスペースト26を薄く付着せしめ、そし
て乾燥を施すようにされるのである。本発明にあって
は、このようなガラスペースト26の付着厚さ(塗布層の
塗布厚さ)は、薄膜抵抗体素子20の周方向は勿論、その
軸方向(引上げ方向)における膜厚の均一性を図るため
に、焼成によって5μmを越えない膜厚のガラス薄層を
与えるような薄い厚さとされる。なお、このようなガラ
スペースト26の薄い付着層は、治具24による薄膜抵抗体
素子20の引上げ速度を制御することによって、容易に実
現可能である。Next, using the slurry-like glass paste thus obtained, a thin coating layer of the glass paste is formed on at least the outer surface of the metal thin film of the thin-film resistor element according to a normal dipping method (dipping method). Is done.
For example, as shown in FIG. 2, one of the lead wires 22 of the thin-film resistor element 20 is gripped by a jig 24, and in a state where the thin-film resistor element 20 is suspended, a slurry-like glass paste After being inserted and immersed in 26, the slurry glass paste 26 is thinly adhered to the entire surface of the thin film resistor element 20 by lifting it up, and then dried. In the present invention, the adhesion thickness of the glass paste 26 (the coating thickness of the coating layer) is uniform in the axial direction (pulling direction) of the thin film resistor element 20 as well as in the circumferential direction. In order to improve the properties, the thickness is set so as to give a thin glass layer having a thickness not exceeding 5 μm by firing. Note that such a thin adhesive layer of the glass paste 26 can be easily realized by controlling the pulling speed of the thin film resistor element 20 by the jig 24.
また、本発明にあっては、かかる浸漬によるガラスペ
ーストの塗布及び乾燥を含む薄層コーティング工程が、
目的とする厚さのガラスコート層を薄膜抵抗体素子20
(少なくとも金属薄膜の外表面)上に形成すべく、複数
回繰り返されることとなるが、それら複数回のうちの何
回かを、第2図に示される浸漬工程において、薄膜抵抗
体素子20の上下を逆転させて浸漬(引上げ)操作を行な
うことによって実施し、薄膜抵抗体素子20の引上げ方向
が互いに逆方向となるように引き上げられるようにする
ことによって、薄膜抵抗体素子20の外表面に形成される
ガラスペーストの塗布層、ひいてはガラスコート層の厚
さをより一層均一と為すことが可能となる。中でも、そ
のような互いに逆方向の引上げ操作は交互に行なうこと
が望ましいのである。Further, in the present invention, a thin layer coating step including application and drying of the glass paste by such immersion,
A glass coat layer having a desired thickness is applied to the thin film resistor element 20.
(At least on the outer surface of the metal thin film) to be formed on the thin film resistor element 20 in the immersion step shown in FIG. By performing the immersion (pulling) operation by inverting the top and bottom, the thin film resistor element 20 is pulled up so that the pulling directions are opposite to each other, so that the outer surface of the thin film resistor element 20 is It becomes possible to make the thickness of the coating layer of the glass paste to be formed, and furthermore, the thickness of the glass coat layer more uniform. Above all, it is desirable to perform such pulling operations in opposite directions alternately.
なお、上記の薄層コーティング工程において、形成さ
れるガラスペーストの塗布層は、焼成によってガラスコ
ート層とされる必要があるが、その焼成操作は、そのよ
うな塗布層が形成されるごとに、それぞれの薄層コーテ
ィング工程中において実施することが出来る他、適数回
の薄層コーティング工程が終了した後に、或いは全ての
薄層コーティング工程が終了した後、複数層のガラスペ
ーストの薄い塗布層からなる積み重ね層を一挙に焼成す
るようにすることによって、実施される。In the above-mentioned thin layer coating step, the applied layer of the glass paste to be formed needs to be a glass coat layer by firing, and the firing operation is performed every time such an applied layer is formed. It can be carried out during each thin layer coating process, or after a suitable number of thin layer coating processes have been completed, or after all thin layer coating processes have been completed, a multi-layered thin layer of glass paste is applied. This is accomplished by firing all the stacked layers at once.
そして、そのような焼成操作は、一般に、500℃〜900
℃程度、好ましくは600〜750℃程度の温度において行な
われることとなるが、その際、薄膜抵抗体素子のリード
線の酸化を防ぐ上において、ガラスペーストの塗布量の
形成された素子本体部分(金属薄膜の形成されたセラミ
ックス担体部分)のみが加熱されるように、光による局
所加熱や、本願出願人が先に特願平1−173522号におい
て提案した電気ヒータを用いた局所加熱による手法が、
好適に採用されることとなる。And such a firing operation is generally performed at 500 ° C. to 900 ° C.
° C, preferably at a temperature of about 600 to 750 ° C. At this time, in order to prevent oxidation of the lead wires of the thin film resistor element, the element body portion where the application amount of the glass paste is formed ( Local heating by light or local heating using an electric heater previously proposed by the present applicant in Japanese Patent Application No. 1-173522 so that only the ceramic carrier portion on which the metal thin film is formed) is heated. ,
It will be suitably adopted.
(実施例) 以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発明を更
に具体的に明らかにすることとするが、本発明がそのよ
うな実施例の記載によって何等限定的に解釈されるもの
でないことは、言うまでもないところである。本願発明
には、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知
識に基づいて種々なる変更、修正、改良等が加えられ得
るものであることが、理解されるべきである。(Examples) Hereinafter, some examples of the present invention will be shown to clarify the present invention more specifically. However, the present invention should not be construed as being limited to the description of such examples. Needless to say, it is not. It should be understood that various changes, modifications, improvements, and the like can be made to the present invention based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit thereof.
実施例 1 セラミックス担体としてアルミナボビンを用いて、そ
の外周面に、白金薄膜を、スパッタリングにより0.8μ
mの厚さにおいて形成した後、レーザートリミングによ
ってスパイラル状の切り溝を入れて、目的とする抵抗体
薄膜とする一方、かかるアルミナボビンの両端部に、白
金からなるリード線をそれぞれ挿入して、接着固定せし
めることにより、第1図に示される如き構造の薄膜抵抗
体素子を、第3図に示される如きサイズにおいて準備し
た。Example 1 Using an alumina bobbin as a ceramics carrier, a platinum thin film was formed on the outer peripheral surface by sputtering to a thickness of 0.8 μm.
After forming with a thickness of m, spiral cutting grooves are formed by laser trimming to obtain a resistor thin film of interest, while lead wires made of platinum are inserted into both ends of the alumina bobbin, respectively. By bonding and fixing, a thin-film resistor element having a structure as shown in FIG. 1 was prepared in a size as shown in FIG.
一方、ガラス粉末:30重量部、アクリル系バインダ:1.
5重量部、テルピネオール(有機ビヒクル):30重量部
を、玉石と共に、ポットミルに入れ、6時間混合せし
め、均一なスラリーとした後、ポットミルから取り出し
た。このとき、スラリーの粘度は約3000cpであった。次
いで、この得られたスラリーに対して、粘度計でその粘
度を測定しながら、その粘度が1400cpになるまでテルピ
ネオールを加えて、粘度を調整することにより、薄膜抵
抗体素子浸漬用のスラリー状ガラスペーストを調製し
た。On the other hand, glass powder: 30 parts by weight, acrylic binder: 1.
5 parts by weight and terpineol (organic vehicle): 30 parts by weight were put together with a cobblestone in a pot mill, mixed for 6 hours to obtain a uniform slurry, and then taken out of the pot mill. At this time, the viscosity of the slurry was about 3000 cp. Next, while measuring the viscosity of the obtained slurry with a viscometer, terpineol was added until the viscosity became 1400 cp, and the viscosity was adjusted to obtain a slurry glass for immersing the thin film resistor element. A paste was prepared.
そして、この調製されたスラリー状ガラスペーストに
対して、前記準備した薄膜抵抗体素子を、第2図に示さ
れるようにして浸漬せしめた後、引上げ速度:0.4mm/秒
にて引き上げ、そして乾燥することにより、1回の薄層
コーティング工程を実施し、そしてこの薄層コーティン
グ工程を6回繰り返すことにより、薄膜抵抗体素子上に
ガラスペーストの薄い塗布量の6層を積層せしめ、その
後特願平1−173522号に開示の電気ヒータを用いて、加
熱焼成することにより、素子中央部の膜厚が約25μmと
なるガラスコート層を有する薄膜抵抗体素子を得た。な
お、このようなガラスコート層の形成操作は、10個の薄
膜抵抗体素子に対して行なった。Then, the prepared thin film resistor element was immersed in the slurry glass paste thus prepared as shown in FIG. 2, pulled up at a pulling rate of 0.4 mm / sec, and dried. By performing one thin-layer coating process, and repeating this thin-layer coating process six times, six thin layers of glass paste are laminated on the thin-film resistor element. By heating and baking using an electric heater disclosed in JP-A-1-173522, a thin-film resistor element having a glass coat layer having a thickness of about 25 μm at the center of the element was obtained. The operation of forming such a glass coat layer was performed on ten thin film resistor elements.
また、比較のために、有機ビヒクル(溶剤)としてア
セトンを用い、粘度を2000cpに調整したスラリー状ガラ
スペーストを用いて、引上げ速度:1mm/秒にて薄膜抵抗
体素子を引き上げるようにした浸漬操作を採用し、その
1回の浸漬操作によって薄膜抵抗体素子の全面に塗布さ
れたガラスペーストの塗布量を、上記と同様にして焼成
し、素子中央部の膜厚が略25μmとなるガラスコート層
を、かかる素子の外表面に形成せしめた。なお、このよ
うなガラスコート層の形成も、10個の薄膜抵抗体素子に
対して行なわれた。For comparison, a dipping operation was performed in which the thin film resistor element was pulled up at a pulling rate of 1 mm / sec using a slurry-like glass paste whose viscosity was adjusted to 2000 cp using acetone as an organic vehicle (solvent). The glass coat layer in which the coating amount of the glass paste applied to the entire surface of the thin film resistor element by the single immersion operation is baked in the same manner as described above, and the film thickness at the central part of the element becomes approximately 25 μm Was formed on the outer surface of the device. The formation of such a glass coat layer was also performed on ten thin film resistor elements.
かくして得られたガラスコート処理された薄膜抵抗体
素子の20個におけるガラスコート層の厚さを、第3図に
示されるa点及びb点において、それぞれ測定し、それ
らa点とb点との膜厚差を、形成されたガラスコート層
の膜厚の均一性を示す評価基準として、下記第1表に示
した。The thickness of the glass coat layer in 20 of the glass-coated thin film resistor elements thus obtained was measured at points a and b shown in FIG. 3, respectively. The difference in film thickness is shown in Table 1 below as an evaluation criterion indicating the uniformity of the film thickness of the formed glass coat layer.
かかる第1表から明らかなように、本発明に従って、
テルピネオールを有機ビヒクルとして用いて調製された
スラリー状ガラスペーストによって、その薄い塗布層を
薄膜抵抗体素子上に複数回形成せしめるようにすること
により、低沸点の有機ビヒクル(アセトン)を用いて調
製されたガラスペーストを1回の浸漬操作にて適用した
比較例に対して、a点とb点との間の膜厚差が小さく、
それ故に薄膜抵抗体素子上に形成されたガラスコート層
の膜厚の均一性において優れていることが認められるの
である。As is apparent from Table 1, according to the present invention,
A slurry-like glass paste prepared using terpineol as an organic vehicle allows a thin coating layer to be formed on a thin-film resistor element a plurality of times to prepare a low-boiling organic vehicle (acetone). The difference in film thickness between points a and b is smaller than that of the comparative example in which the glass paste was applied in one dipping operation,
Therefore, it is recognized that the glass coat layer formed on the thin film resistor element is excellent in uniformity of film thickness.
実施例 2 実施例1におけるテルピネオールを有機ビヒクルとし
て調製されたスラリー状ガラスペーストを用いて、その
薄い塗布層を薄膜抵抗体素子上に形成する薄層コーティ
ング工程を6回繰り返すことにより、かかる抵抗体素子
上に、素子中央部が略28μmの厚さとなるガラスコート
層を形成せしめた。また、各薄層コーティング工程にお
いて形成されるガラスペーストの薄い塗布量の焼成は、
各薄層コーティング工程におけるガラスペーストの塗布
量の乾燥の後に、それぞれ実施した。従って、焼成回数
は6回となる。 Example 2 By using a slurry-like glass paste prepared using terpineol as an organic vehicle in Example 1 and repeating the thin-layer coating step of forming a thin coating layer on a thin-film resistor element six times, such a resistor was obtained. A glass coat layer having a thickness of about 28 μm at the center of the device was formed on the device. In addition, the firing of a thin coating amount of the glass paste formed in each thin layer coating process,
The drying was performed after drying the applied amount of the glass paste in each thin layer coating step. Therefore, the number of firings is six.
このようにして得られたガラスコート処理された薄膜
抵抗体素子の10回について、実施例1と同様にして、a
点及びb点におけるガラスコート層の膜厚を測定し、そ
の結果を、下記第2表に示した。なお、下記第2表に
は、比較のために、実施例1で得られた比較例の結果も
併わせて示されている。About 10 times of the glass-coated thin film resistor element thus obtained, a
The film thickness of the glass coat layer at points and b was measured, and the results are shown in Table 2 below. In Table 2 below, the results of the comparative example obtained in Example 1 are also shown for comparison.
実施例 3 実施例1と同様にして、テルピネオールを有機ビヒク
ルとして調製したスラリー状ガラスペーストを用いた薄
層コーティング工程を6回実施し、そして全ての薄層コ
ーティング工程が終了した後、実施例1と同様にして焼
成を行なって、素子中央部の膜厚が約25μmとなるガラ
スコート層を薄膜抵抗体素子上に形成せしめた。また、
各薄層コーティング工程が終了する毎に、薄膜抵抗体素
子の上下を逆転して、各浸漬操作毎に素子の引上げ方向
が互いに逆方向となるように、その引上げ方向を変化せ
しめた。 Example 3 In the same manner as in Example 1, the thin-layer coating process using a slurry-like glass paste prepared using terpineol as an organic vehicle was performed six times, and after all the thin-layer coating processes were completed, Example 1 was performed. By baking in the same manner as described above, a glass coat layer having a film thickness of about 25 μm at the center of the device was formed on the thin film resistor device. Also,
Each time the thin layer coating process was completed, the pulling direction of the thin film resistor element was reversed so that the pulling directions of the element were opposite to each other for each dipping operation.
かくして得られたガラスコート処理された薄膜抵抗体
素子におけるガラスコート層の厚さを、実施例1と同様
に、a点及びb点において測定し、それら2点における
膜厚差として、下記第3表に示した。また、かかる第3
表には、実施例1において求められた比較例の結果も併
わせて示されている。The thickness of the glass coat layer in the glass-coated thin-film resistor element thus obtained was measured at points a and b in the same manner as in Example 1. It is shown in the table. In addition, the third
The table also shows the results of the comparative example obtained in Example 1.
かかる第3表の結果から明らかなように、薄膜抵抗体
素子のガラスペーストに対する浸漬(引上げ)方向を逆
転させて薄層コーティング工程を繰り返すことにより、
形成されるガラスコート層の膜厚のより一層の均一化が
可能となるのである。As is apparent from the results of Table 3, the direction of immersion (pulling up) of the thin film resistor element into the glass paste is reversed to repeat the thin layer coating step.
This makes it possible to further uniform the thickness of the formed glass coat layer.
第1図は、本発明においても用いられ得る薄膜抵抗体素
子の一例を示す縦断面説明図であり、第2図は、本発明
手法において採用される浸漬法の一例を工程的に示す説
明図であり、第3図は、実施例において用いられる薄膜
抵抗体素子のサイズ及び形成されたガラスコート層の膜
厚の測定点(a,b)を示す説明図である。 2:ボビン、4:リード 6:接着剤、8:金属薄膜 10:導体ペースト、12:ガラスコート層 20:薄膜抵抗体素子 22:リード線、24:治具 26:スラリー状ガラスペーストFIG. 1 is an explanatory longitudinal sectional view showing an example of a thin film resistor element which can be used in the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view showing a step in an example of an immersion method employed in the method of the present invention. FIG. 3 is an explanatory view showing the measurement points (a, b) of the size of the thin film resistor element used in the example and the thickness of the formed glass coat layer. 2: Bobbin, 4: Lead 6: Adhesive, 8: Metal thin film 10: Conductive paste, 12: Glass coat layer 20: Thin film resistor element 22: Lead wire, 24: Jig 26: Slurry glass paste
Claims (3)
を形成する一方、該金属薄膜に、外部回路との電気的導
通をとるための金属リード線を接続してなる薄膜抵抗体
素子において、該金属薄膜の外表面上に所定厚さのガラ
スコート層を形成するに際し、 炭素及び水素または炭素,水素及び酸素からなり且つ沸
点が150℃以上の有機ビヒクルにガラス粉末を混合せし
めてなるスラリー状ガラスペーストを用い、該ガラスペ
ースト中に前記薄膜抵抗体素子を浸漬した後、焼成によ
って5μmを越えない膜厚のガラス薄層を与える前記ガ
ラスペーストの塗布層厚さとなるように、該薄膜抵抗体
素子を引き上げ、そして乾燥を施すことからなる薄層コ
ーティング工程を、複数回繰り返して、前記所定厚さの
ガラスコート層と為すことを特徴とする薄膜抵抗体素子
におけるガラスコート層の形成方法。1. A thin-film resistor element comprising a predetermined metal thin film formed on a surface of a ceramic carrier, and a metal lead wire for establishing electrical conduction with an external circuit connected to the metal thin film. Slurry glass obtained by mixing glass powder with an organic vehicle consisting of carbon and hydrogen or carbon, hydrogen and oxygen and having a boiling point of 150 ° C or more when forming a glass coat layer of a predetermined thickness on the outer surface of a metal thin film After the thin film resistor element is immersed in the glass paste using a paste, the thin film resistor element is coated with the glass paste so as to give a thin glass layer having a thickness not exceeding 5 μm by firing. , And a thin layer coating step of drying is repeated a plurality of times to form the glass coat layer having the predetermined thickness. The method of forming the glass coating layer in antibodies element.
コーティング工程中において、或いは該薄層コーティン
グ工程の適数回若しくは全ての終了の後において、焼成
される請求項(1)記載のガラスコート層の形成方法。2. The glass according to claim 1, wherein the coating layer of the glass paste is fired during the thin-layer coating step or after an appropriate number or all of the thin-layer coating steps. A method for forming a coat layer.
記薄膜抵抗体素子の引き上げ方向が互いに逆となる引き
上げ操作を採用した薄層コーティング工程の組合せにて
構成される請求項(1)または(2)記載のガラスコー
ト層の形成方法。3. The thin-film coating step according to claim 1, wherein the plurality of thin-layer coating steps comprise a combination of thin-layer coating steps employing pull-up operations in which pull-up directions of the thin-film resistor elements are opposite to each other. (2) The method for forming a glass coat layer according to (2).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2227352A JP2568305B2 (en) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | Method of forming glass coat layer in thin film resistor element |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04107277A JPH04107277A (en) | 1992-04-08 |
JP2568305B2 true JP2568305B2 (en) | 1997-01-08 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01180420A (en) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Hitachi Ltd | Hot wire type air flowmeter |
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1990
- 1990-08-28 JP JP2227352A patent/JP2568305B2/en not_active Expired - Lifetime
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JPH01180420A (en) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Hitachi Ltd | Hot wire type air flowmeter |
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JPH04107277A (en) | 1992-04-08 |
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