JP2559434B2 - Electron beam exposure apparatus and exposure method - Google Patents
Electron beam exposure apparatus and exposure methodInfo
- Publication number
- JP2559434B2 JP2559434B2 JP62302467A JP30246787A JP2559434B2 JP 2559434 B2 JP2559434 B2 JP 2559434B2 JP 62302467 A JP62302467 A JP 62302467A JP 30246787 A JP30246787 A JP 30246787A JP 2559434 B2 JP2559434 B2 JP 2559434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electron
- stage
- exposure
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔目 次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする問題点 問題点を解決するための手段 作用 実施例 本発明の一実施例 （第１〜４図） 発明の効果 〔概 要〕 電子ビーム露光装置および露光方法に関し、ビームの
揺れを正確に測定して露光パターンの精度向上を図るた
めに、電子銃からの電子ビームを電子光学系によって偏
向・集束して連続移動型のステージ上の試料に照射し、
該試料上に任意の露光パターンを描画する電子ビーム露
光装置において、前記電子ビームに対する反射係数が高
い部分と低い部分とを有するとともに両部分の間に明確
な境界線を有する測定用治具を備え、該測定用治具を、
ステージ移動の影響を受けない位置で且つ前記電子光学
系を通過後の電子ビームに晒される位置である第１の位
置と、電子ビームの進路を妨げない位置である第２の位
置との間で移動可能に取り付けたことを特徴とする。DETAILED DESCRIPTION [Table of Contents] Outline Industrial field of application Conventional technology Problems to be solved by the invention Means for solving problems Problems Working Example One embodiment of the present invention (first to fourth) [Effect of the Invention] [Overview] Regarding an electron beam exposure apparatus and an exposure method, in order to accurately measure the fluctuation of the beam and improve the accuracy of the exposure pattern, the electron beam from the electron gun is deflected by an electron optical system. Focus and irradiate the sample on the continuously moving stage,
An electron beam exposure apparatus for drawing an arbitrary exposure pattern on the sample, comprising a measurement jig having a portion having a high reflection coefficient for the electron beam and a portion having a low reflection coefficient and having a clear boundary line between both portions. , The measuring jig,
Between a first position that is not affected by the movement of the stage and that is exposed to the electron beam that has passed through the electron optical system, and a second position that is a position that does not obstruct the path of the electron beam. It is characterized by being movably attached.
本発明は、電子ビーム露光装置および露光方法に関
し、特に、ステージ連動移動型の電子ビーム露光装置お
よび露光方法に関する。The present invention relates to an electron beam exposure apparatus and an exposure method, and more particularly to a stage interlocking movement type electron beam exposure apparatus and an exposure method.
従来のこの種の電子ビーム露光装置としては、例えば
使用する電子ビームの形状によってガウス型ビームを用
いるものと成形ビームを用いるものの二つに分けること
ができる。ガウス型ビームを用いる装置は通常の電子銃
から出た電子を電子光学系で集束した場合に得られる電
子ビームを用いるもので、電子強度分布が軸対象のガウ
ス分布となっている。一方、成形ビームを用いる装置の
場合は、集束ビームを、所望の形状に形成した穴に照射
し、ビームの断面形状を加工した後、その穴の像を縮小
してつくられた電子ビームを利用して描画する。一方、
ビームの走査方法は、試料（ウエハ）を機械的に一定速
度で移動させながら、電子ビームをそれと直角方向に偏
向し、試料全面を常に操作するラスタ走査によるもの
と、パターンのあるところのみを所望の方向に走査して
描画を行うベクタ走査とに分けることができる。また、
このような電子ビーム露光装置では電子ビームの揺れを
測定するために測定チップをステージ上に置くなどの方
法によりビームの加工形状の精度を上げるようにしてい
る。Conventional electron beam exposure apparatuses of this type can be divided into two types, for example, a type using a Gaussian beam and a type using a shaped beam depending on the shape of the electron beam used. An apparatus using a Gaussian beam uses an electron beam obtained when an electron emitted from an ordinary electron gun is focused by an electron optical system, and the electron intensity distribution has a Gaussian distribution as an axis symmetry. On the other hand, in the case of a device that uses a shaped beam, an electron beam that is created by irradiating a hole formed in a desired shape with a focused beam, processing the cross-sectional shape of the beam, and then reducing the image of the hole is used. And draw. on the other hand,
The beam scanning method is based on raster scanning in which the sample (wafer) is mechanically moved at a constant speed and the electron beam is deflected in a direction perpendicular to the sample to constantly operate the entire surface of the sample. Can be divided into vector scanning for drawing in the direction of. Also,
In such an electron beam exposure apparatus, in order to measure the fluctuation of the electron beam, a measuring chip is placed on a stage or the like to improve the accuracy of the beam processed shape.
しかしながら、このような従来の電子ビーム露光装置
にあっては、ビームの揺れを測定するための測定用チッ
プをステージ上等に置く構成となっていたため、ステー
ジを連続して移動させながら露光を行う場合に仮にコラ
ムの振動、ステージの振動、磁場変動などが起こると、
これによってビームの揺れが生じるが、測定用チップを
単にステージ上に置いたのみではステージの振動なのか
あるいはビーム自身の揺れであるのかの区別がつかず、
ビームパターンの精度が保てないという問題点があっ
た。また、コラム中心真下からビーム偏向範囲を越えて
測定用チップを移動させると測定が不可能になるという
問題点もあった。However, in such a conventional electron beam exposure apparatus, since the measurement chip for measuring the fluctuation of the beam is arranged on the stage or the like, the exposure is performed while continuously moving the stage. In this case, if column vibration, stage vibration, magnetic field fluctuation, etc. occur,
This causes the beam to sway, but it is not possible to distinguish whether it is the vibration of the stage or the beam itself by simply placing the measuring tip on the stage.
There is a problem that the accuracy of the beam pattern cannot be maintained. In addition, there is a problem that the measurement becomes impossible if the measurement tip is moved from directly below the center of the column and beyond the beam deflection range.
そこで本発明は、ビームの揺れを正確に測定し、露光
パターンの精度を高めることのできる電子ビーム露光装
置および露光方法を提供することを目的としている。Therefore, an object of the present invention is to provide an electron beam exposure apparatus and an exposure method capable of accurately measuring the fluctuation of a beam and improving the accuracy of an exposure pattern.
本発明の電子ビーム露光装置は、電子銃からの電子ビ
ームを電子光学系によって偏向・集束して連続移動型の
ステージ上の試料に照射し、該試料上に任意の露光パタ
ーンを描画する電子ビーム露光装置において、前記電子
ビームに対する反射係数が高い部分と低い部分とを有す
るとともに両部分の間に明確な境界線を有する測定用治
具を備え、該測定用治具を、ステージ移動の影響を受け
ない位置で且つ前記電子光学系を通過後の電子ビームに
晒される位置である第１の位置と、電子ビームの進路を
妨げない位置である第２の位置との間で移動可能に取り
付けたことを特徴とする。The electron beam exposure apparatus of the present invention is an electron beam that deflects and focuses an electron beam from an electron gun by an electron optical system to irradiate a sample on a continuously moving stage, and draws an arbitrary exposure pattern on the sample. The exposure apparatus is provided with a measurement jig having a portion having a high reflection coefficient for the electron beam and a portion having a low reflection coefficient, and having a clear boundary line between both portions, and the measurement jig is provided with the influence of stage movement. It was movably mounted between a first position, which is a position that is not received and is exposed to the electron beam after passing through the electron optical system, and a second position, which is a position that does not obstruct the path of the electron beam. It is characterized by
又、本発明の電子ビーム露光方法は、電子銃からの電
子ビームを電子光学系によって偏向・集束して連続移動
型のステージ上の試料に照射し、該試料上に任意の露光
パターンを描画する際に、まず、ステージを移動させて
いる状態で、前記電子ビームに対する反射係数が高い部
分と低い部分とを有するとともに両部分の間に明確な境
界線を有する測定用治具を、ステージ移動の影響を受け
ない位置で且つ前記電子光学系を通過後の電子ビームに
晒される位置である第１の位置に配置して、前記電子ビ
ームの揺れを測定し、その後、該測定用治具を、電子ビ
ームの進路を妨げない位置である第２の位置に移動させ
て、前記描画処理を開始することを特徴とする。In the electron beam exposure method of the present invention, the electron beam from the electron gun is deflected / focused by the electron optical system to irradiate the sample on the continuously moving stage, and an arbitrary exposure pattern is drawn on the sample. At this time, first, while the stage is being moved, a measurement jig having a portion having a high reflection coefficient for the electron beam and a portion having a low reflection coefficient for the electron beam and having a clear boundary line between the two portions is used to move the stage. It is placed at a first position which is not affected and is exposed to the electron beam after passing through the electron optical system, and the shake of the electron beam is measured. The drawing process is started by moving the electron beam to a second position that does not obstruct the path of the electron beam.
電子ビームの揺れは、露光パターンの精度を損なう原
因の一つであるから、正確に測定し、その測定値を用い
て、例えば電子ビームの偏向信号を補正しなければなら
ないが、ステージ連続移動型の電子ビーム露光装置で
は、ステージ移動機構が振動の発生源となるために測定
結果の信頼性が低かった。本発明では、上記のように構
成したため、ステージ移動に伴う振動の影響を受け難く
なり、電子ビームの揺れを信頼性よく測定できるように
なる。Since the fluctuation of the electron beam is one of the causes of impairing the accuracy of the exposure pattern, it is necessary to accurately measure and use the measured value to correct the deflection signal of the electron beam. In the above electron beam exposure apparatus, since the stage moving mechanism serves as a vibration source, the reliability of the measurement result was low. Since the present invention is configured as described above, it is unlikely to be affected by the vibration associated with the movement of the stage, and the fluctuation of the electron beam can be measured with high reliability.
以下、第１および第２の発明を図面に基づいて説明す
る。Hereinafter, the first and second inventions will be described with reference to the drawings.
第１〜４図は第１および第２の発明に係る電子ビーム
露光装置および露光方法の一実施例を示す図である。1 to 4 are diagrams showing an embodiment of an electron beam exposure apparatus and an exposure method according to the first and second inventions.
第１図は本実施例における電子ビーム露光装置を模式
的に示す図である。この図において、１はコラムであ
り、コラム１の下方には描画室２が配置される。コラム
１および描画室２は何れも真空ポンプ（図示略）で真空
引きされて真空状態に維持される。コラム１は電子銃等
により電子ビームを発生させる部分であり、その詳細は
第２図のように示される。FIG. 1 is a diagram schematically showing an electron beam exposure apparatus in this embodiment. In this figure, 1 is a column, and a drawing chamber 2 is arranged below the column 1. Both the column 1 and the drawing chamber 2 are evacuated by a vacuum pump (not shown) and maintained in a vacuum state. The column 1 is a portion for generating an electron beam by an electron gun or the like, and its details are shown in FIG.
第２図において、３は電子銃であり、電子銃３は電子
ビームを発生するものでカソード3a、グリッド3b、アノ
ード3cおよびグリッドバイアス3dにより構成され、その
カソード3aには、例えば放射効率が高く長寿命のタング
ステン、ランタンヘキサボライド（LaB6）などが使用さ
れる。電子銃３の下方には第１アライメントコイル４、
GUNSEM5、第１スリット（200μ□）６、第１レンズ７、
第２アライメントコイル８、スリットデフレクタ９、第
２レンズ10、第２スリット（500μ□）11、第３アライ
メントコイル12、ブランキング13、第３レンズ14、第４
アライメントコイル15が設けられており、第１スリット
６、スリットデフレクタ９および第２スリット11は矩形
成形部16を構成し、第１アライメントコイル４、第２ア
ライメントコイル８、第３アライメントコイル12および
第４アライメントコイル15は軸合わせ部17を構成してい
る。したがって、電子銃３からの電子ビームは軸合わせ
部17により軸合わせが行われつつ、矩形成形部16により
電子ビームが成形されて矩形のビームとなる。また、さ
らにその下方にはアパチャー（100μ□）18、ビームサ
イズの違いによるピントぼけを補正するためのリフォー
カスコイル19、第４レンズ20、ビーム位置合わせのため
のメインデフコイル21、ピント合わせのためのフォーカ
ススティグ22、ビーム位置合わせのためのサブフレクタ
23、第５レンズ24が順次設けられ、その下にウエハ25が
配置されて、電子ビームによりウエハ25上にパターンが
形成される。なお、電子ビームを制御するレンズ７、1
0、14、20、24は電界または磁界により加速・偏向・収
束などによって適宜行われる。In FIG. 2, 3 is an electron gun, and the electron gun 3 generates an electron beam and is composed of a cathode 3a, a grid 3b, an anode 3c and a grid bias 3d, and the cathode 3a has high radiation efficiency, for example. Long-life tungsten and lanthanum hexaboride (LaB 6 ) are used. Below the electron gun 3, a first alignment coil 4,
GUNSEM5, 1st slit (200μ □ ) 6, 1st lens 7,
Second alignment coil 8, slit deflector 9, second lens 10, second slit (500 μ □ ) 11, third alignment coil 12, blanking 13, third lens 14, fourth
An alignment coil 15 is provided, and the first slit 6, the slit deflector 9 and the second slit 11 constitute a rectangular shaped portion 16, and the first alignment coil 4, the second alignment coil 8, the third alignment coil 12 and the The 4 alignment coil 15 constitutes the axis alignment part 17. Therefore, the electron beam from the electron gun 3 is axially aligned by the axial alignment unit 17, and the electron beam is shaped by the rectangular shaping unit 16 into a rectangular beam. Further below that, an aperture (100 μ □ ) 18, a refocusing coil 19 for correcting a focus blur due to a difference in beam size, a fourth lens 20, a main diff coil 21 for beam alignment, and a focus adjustment are provided. Focus stig 22 for, beam sub-deflector
23 and a fifth lens 24 are sequentially provided, a wafer 25 is arranged below the lens 23, and a pattern is formed on the wafer 25 by an electron beam. The lenses 7 and 1 for controlling the electron beam
0, 14, 20, and 24 are appropriately performed by accelerating, deflecting, or converging with an electric field or a magnetic field.
再び第１図に戻って、このような電子ビーム部分が収
納されたコラム１の下には前記描画室２が配置され、描
画室２にはステージ26が設けられ、ステージ26の上には
試料であるウエハ25が載置される。電子銃３とステージ
26との間には測定用チップ27を載置したチップ搬送路28
が設けられ、このチップ搬送路28はチップ収納庫29から
測定用チップ27を取り出し、あるいは測定用チップ27を
収納庫29の内部に収納することができる。ここで、チッ
プ収納に際しては第３図に示すように一方向に出入り自
由であるばかりではなく、第４図に示すように所定範囲
を回転可能な構造でもよく、要はビームの揺れ測定を行
うときに電子ビーム通過領域を少なくとも一部に含み、
かつ、第５レンズ（最終レンズ）24より下でステージ26
より上にあり、ステージの移動の影響を受けない位置に
測定用チップ27が来るようにし、ビームの揺れ測定を行
わないときはずらす（あるいは引込める）ような構造で
あればよい。例えば、この測定用チップ27はSiに金属が
蒸着してある部分（電子ビームに対する反射係数が高い
部分）とない部分（電子ビームに対する反射係数が低い
部分）があり、Siからの反射電子と金属からの反射電子
の強度の違いを利用し、その境目にビームを停止させる
ことによって、ビームの揺れを測定する様なものであ
る。したがって、この測定用チップ27は、電子ビームに
対する反射係数が高い部分と低い部分とを有するととも
に両部分の間に明確な境界線を有するものであるから、
発明の要旨に記載の測定用治具に相当するものである。
測定用チップ27には、電流計30が接続され、この電流計
30はチップに流れる電流の強度を検出する。Returning to FIG. 1 again, the drawing chamber 2 is arranged below the column 1 accommodating such an electron beam portion, the drawing chamber 2 is provided with a stage 26, and the stage 26 is provided with a sample. The wafer 25 is mounted. Electron gun 3 and stage
A chip transfer path 28 on which a measuring chip 27 is placed
The chip transport path 28 can take out the measurement chip 27 from the chip storage 29 or store the measurement chip 27 inside the storage 29. Here, when the chip is housed, not only is it free to move in and out in one direction as shown in FIG. 3, but a structure capable of rotating within a predetermined range as shown in FIG. 4 may be used. At least part of the electron beam passage area,
And the stage 26 below the fifth lens (final lens) 24
The structure may be such that the measuring tip 27 is located above and is not affected by the movement of the stage, and is displaced (or retracted) when the beam swing measurement is not performed. For example, this measuring tip 27 has a portion in which metal is vapor-deposited on Si (a portion with a high reflection coefficient for an electron beam) and a portion without it (a portion with a low reflection coefficient for an electron beam). It is like measuring the beam sway by using the difference in the intensity of the backscattered electrons from and stopping the beam at the boundary. Therefore, the measuring tip 27 has a portion having a high reflection coefficient for the electron beam and a portion having a low reflection coefficient, and also has a clear boundary line between both portions.
It corresponds to the measuring jig described in the gist of the invention.
An ammeter 30 is connected to the measuring chip 27.
30 detects the intensity of the current flowing through the chip.
次に、作用を説明する。 Next, the operation will be described.
電子銃３により電子ビームを発生し、各種レンズ等に
より成形、収束された矩形のビームを、まずウエハ25上
に照射することにより露光が開始される。このとき、露
光開始に先立ち測定用チップ27をチップ収納庫29内から
引き出してビームの通過する位置（発明の要旨に記載の
第１の位置に相当）に置く。その位置は、ビーム軸真下
が望ましい。そして、ステージを移動させながらビーム
を測定し、これによりステージ26の移動状態のときビー
ムに揺れがあるか否かが測定される。その測定後電子ビ
ームの揺れが所定の許容範囲内であると判断されると、
測定用チップ27をチップ収納庫29に後退させ、次いでス
テージ26を移動させながら所定の露光パターンが電子銃
３からの電子ビームによりウエハ25上に形成されてい
く。このとき、ステージ26は休むことなく移動を続けて
いく。すなわち、一描画領域の描画を行う度毎にウエハ
25を定められた距離だけ寸送りするのではなく、ウエハ
25の寸送りに要する無駄時間をなくすため一描画領域は
所定の狭い範囲に限定しつつ、ステージ26を移動させな
がら電子ビームにより露光させていく。これによりミク
ロン以下の微細なパターンの描画が行われる。Exposure is started by irradiating the wafer 25 with a rectangular beam formed by an electron gun 3 and shaped and converged by various lenses. At this time, prior to the start of exposure, the measurement chip 27 is pulled out from the chip storage 29 and placed at a position where the beam passes (corresponding to the first position described in the gist of the invention). The position is preferably right below the beam axis. Then, the beam is measured while moving the stage, and thereby, it is measured whether or not the beam sways when the stage 26 is in the moving state. After the measurement, if it is determined that the fluctuation of the electron beam is within a predetermined allowable range,
The measurement chip 27 is retracted to the chip storage 29, and then a predetermined exposure pattern is formed on the wafer 25 by the electron beam from the electron gun 3 while moving the stage 26. At this time, the stage 26 continues to move without rest. That is, every time drawing of one drawing area is performed, the wafer
Wafer instead of feeding 25 a fixed distance
In order to eliminate the dead time required for feeding 25 in increments, one drawing area is limited to a predetermined narrow range, and the stage 26 is moved to perform exposure with an electron beam. As a result, a fine pattern of micron or less is drawn.
このように、本実施例ではビームの揺れ状況測定要チ
ップ27を描画室２上部最終レンズ24の真下のビームの通
り道に固定し、かつビーム通過の妨げにならない位置
（発明の要旨に記載の第２の位置に相当）にそのチップ
を後退させることを可能にしているので、コラムの振
動、ステージの振動あるいは磁場変動によるビームの揺
れをステージの移動に関係なく正確に測定することがで
き、この揺れをもとに電子ビームの制御を行えば描画パ
ターンの精度を格段と向上させることができる。また、
本実施例では測定用チップ27に電流計30を接続してビー
ム調整を行うようにしているので、ビーム調整をさらに
所望の状態に制御することができる。As described above, in this embodiment, the tip 27 for measuring the state of fluctuation of the beam is fixed to the path of the beam directly below the final lens 24 in the upper part of the drawing chamber 2 and at a position where it does not hinder the passage of the beam (the first described in the summary of the invention). It is possible to retreat the chip to the position (corresponding to position 2), so that it is possible to accurately measure the vibration of the beam due to the vibration of the column, the vibration of the stage or the fluctuation of the magnetic field regardless of the movement of the stage. If the electron beam is controlled based on the shaking, the accuracy of the drawing pattern can be significantly improved. Also,
In the present embodiment, since the ammeter 30 is connected to the measuring chip 27 for beam adjustment, the beam adjustment can be further controlled to a desired state.
本発明によれば、ステージ移動機構からの振動の影響
を受け難い位置に測定用治具を取り付けたため、電子ビ
ームの揺れを信頼性よく測定できるようになる。したが
って、偏向信号の補正等を正確に行うことができ、露光
パターンの精度向上を図ることができる。According to the present invention, since the measuring jig is attached at a position where it is unlikely to be affected by the vibration from the stage moving mechanism, the fluctuation of the electron beam can be measured with high reliability. Therefore, the deflection signal can be accurately corrected, and the accuracy of the exposure pattern can be improved.
【図面の簡単な説明】 第１〜４図は本発明の一実施例を示す図であり、 第１図はその電子ビーム露光装置を模式的に示す図、 第２図はそのコラムの構造図、 第３図はそのチップ搬送路28およびチップ収納庫29を模
式的に示す図、 第４図はその測定用チップの収納方法を説明するための
図である。 １……コラム、 ２……描画室、 25……ウエハ、 27……測定用チップ（測定用治具）、 28……チップ搬送路（測定用治具）、 29……チップ収納庫（測定用治具）。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 to 4 are views showing an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a view schematically showing the electron beam exposure apparatus, and FIG. 2 is a structural view of columns thereof. 3, FIG. 3 is a view schematically showing the chip transport path 28 and the chip storage 29, and FIG. 4 is a view for explaining the storage method of the measurement chips. 1 ... Column, 2 ... Drawing room, 25 ... Wafer, 27 ... Measurement chip (measurement jig), 28 ... Chip transport path (measurement jig), 29 ... Chip storage (measurement) Jig).
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ２１Ｋ 5/10 Ｇ２１Ｋ 5/10 Ｚ Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI Technical display location G21K 5/10 G21K 5/10 Z
Claims (2)
って偏向・集束して連続移動型のステージ上の試料に照
射し、該試料上に任意の露光パターンを描画する電子ビ
ーム露光装置において、前記電子ビームに対する反射係
数が高い部分と低い部分とを有するとともに両部分の間
に明確な境界線を有する測定用治具を備え、該測定用治
具を、ステージ移動の影響を受けない位置で且つ前記電
子光学系を通過後の電子ビームに晒される位置である第
１の位置と、電子ビームの進路を妨げない位置である第
２の位置との間で移動可能に取り付けたことを特徴とす
る電子ビーム露光装置。1. An electron beam exposure apparatus for deflecting and focusing an electron beam from an electron gun by an electron optical system, irradiating the sample on a continuously moving stage, and drawing an arbitrary exposure pattern on the sample. A measurement jig having a portion having a high reflection coefficient for the electron beam and a portion having a low reflection coefficient and having a clear boundary line between both portions is provided at a position not affected by stage movement. In addition, it is movably attached between a first position, which is a position exposed to the electron beam after passing through the electron optical system, and a second position, which is a position that does not obstruct the path of the electron beam. Electron beam exposure system.
って偏向・集束して連続移動型のステージ上の試料に照
射し、該試料上に任意の露光パターンを描画する際に、
まず、ステージを移動させている状態で、前記電子ビー
ムに対する反射係数が高い部分と低い部分とを有すると
ともに両部分の間に明確な境界線を有する測定用治具
を、ステージ移動の影響を受けない位置で且つ前記電子
光学系を通過後の電子ビームに晒される位置である第１
の位置に配置して、前記電子ビームの揺れを測定し、そ
の後、該測定用治具を、電子ビームの進路を妨げない位
置である第２の位置に移動させて、前記描画処理を開始
することを特徴とする電子ビーム露光方法。2. When an electron beam from an electron gun is deflected and focused by an electron optical system to irradiate a sample on a continuously moving stage and an arbitrary exposure pattern is drawn on the sample,
First, while the stage is being moved, a measurement jig having a portion having a high reflection coefficient for the electron beam and a portion having a low reflection coefficient and having a clear boundary line between both portions is affected by the movement of the stage. A first position that is not exposed and is exposed to the electron beam after passing through the electron optical system,
Position, the shaking of the electron beam is measured, and then the measurement jig is moved to a second position that does not obstruct the path of the electron beam to start the drawing process. An electron beam exposure method characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302467A JP2559434B2 (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Electron beam exposure apparatus and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302467A JP2559434B2 (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Electron beam exposure apparatus and exposure method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143326A JPH01143326A (en) | 1989-06-05 |
| JP2559434B2 true JP2559434B2 (en) | 1996-12-04 |
Family
ID=17909296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62302467A Expired - Fee Related JP2559434B2 (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Electron beam exposure apparatus and exposure method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559434B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019220559A (en) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Multi-charged particle beam lithography apparatus and beam evaluation method of the same |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62302467A patent/JP2559434B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01143326A (en) | 1989-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3093867B1 (en) | X-ray generator and adjustment method therefor | |
| JP3441955B2 (en) | Projection type charged particle microscope and substrate inspection system | |
| US8604430B2 (en) | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam | |
| JP4236742B2 (en) | Scanning electron microscope | |
| JP4215282B2 (en) | SEM equipped with electrostatic objective lens and electrical scanning device | |
| US8294125B2 (en) | High-sensitivity and high-throughput electron beam inspection column enabled by adjustable beam-limiting aperture | |
| US20010025925A1 (en) | Charged particle beam system and pattern slant observing method | |
| EP2811506B1 (en) | Method for imaging a sample in a dual-beam charged particle apparatus | |
| JPH09171791A (en) | Scanning type electron microscope | |
| JPH11132975A (en) | Inspection method and device using electron beam | |
| JP2016213078A5 (en) | ||
| JPH07134964A (en) | Electron beam device provided with height measuring means for sample | |
| WO2015050201A1 (en) | Charged particle beam inclination correction method and charged particle beam device | |
| US10636615B2 (en) | Composite beam apparatus | |
| US6646261B2 (en) | SEM provided with a secondary electron detector having a central electrode | |
| US5747814A (en) | Method for centering a lens in a charged-particle system | |
| JP2559434B2 (en) | Electron beam exposure apparatus and exposure method | |
| JP2002367552A (en) | Charged-particle beam device | |
| US11282672B2 (en) | Charged particle beam apparatus and sample processing observation method | |
| JP3351647B2 (en) | Scanning electron microscope | |
| JP3494152B2 (en) | Scanning electron microscope | |
| JP4179369B2 (en) | Scanning electron microscope | |
| JPH11273601A (en) | Focused ton beam device and design method for optical system therefor | |
| JPH0576129B2 (en) | ||
| JPS63166130A (en) | Electron-beam device having electric field radiation electron source |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |