JP2556937B2 - 微細パターンの印刷方法 - Google Patents

微細パターンの印刷方法

Info

Publication number
JP2556937B2
JP2556937B2 JP8606491A JP8606491A JP2556937B2 JP 2556937 B2 JP2556937 B2 JP 2556937B2 JP 8606491 A JP8606491 A JP 8606491A JP 8606491 A JP8606491 A JP 8606491A JP 2556937 B2 JP2556937 B2 JP 2556937B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
printing plate
printing
pattern
printed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP8606491A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04296724A (ja
Inventor
正芳 小林
靖匡 秋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GTC KK
Original Assignee
GTC KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GTC KK filed Critical GTC KK
Priority to JP8606491A priority Critical patent/JP2556937B2/ja
Publication of JPH04296724A publication Critical patent/JPH04296724A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2556937B2 publication Critical patent/JP2556937B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ回路
の製造などの分野で用いられ、詳しくは、被印刷体基板
上への微細なレジストパターンの形成を印刷により行う
微細パターンの印刷方法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、薄膜トランジスタ製造の際のレジ
ストパターンの形成や、液晶テレビに使用されるカラー
フィルタのパターン形成に印刷技術を用いたパターン形
成方法が盛んに用いられている。
【0003】例えば、本発明者らは先に、レジストパタ
ーンの形成を印刷技術を用いて行う薄膜トランジスタ回
路の製造方法を特願平2−212324号として特許出
願している。
【0004】この方法は、例えば凹版印刷版を用いた場
合では、以下のようにして行う。まず、印刷版基板上に
インキを残すべきパターンを周囲より凹ませた凹部とし
て形成して、パターンが製版された印刷版基板(以下、
印刷版という)を作製する。なお、この凹部の形成には
通常エッチング等の手法を用いている。次に、この印刷
版の凹部にインクを塗布し、この印刷版のインクを塗布
した面に被印刷体基板上の被加工薄膜面を接触させて凹
部内のインキを被加工薄膜面上に転写する。その後、イ
ンキを乾燥してウェットあるいはドライのエッチングに
よって上記被加工薄膜を加工する。
【0005】また、例えば図7に示されるような工程で
薄膜トランジスタ回路を製造する際においては4回のパ
ターニングが行われるが、これらのパターニングも全て
上記した印刷を用いてパターニングすることができる。
【0006】このように、薄膜トランジスタ回路製造の
際のレジストパターンの形成に印刷を用いると、一回の
印刷で大面積にレジストパターンを形成できる等の大き
な利点がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記薄
膜トランジスタ回路の製造方法におけるレジストパター
ンの印刷方法にあっては、被印刷体基板上に形成された
第1層目の膜上のパターン上に第2層の膜を形成し、そ
れを第2層のためのパターンに加工する際、元の設計寸
法通りにパターニングを行うと、第1層のパターンと第
2層のパターンとの間にズレが生ずることが知られてい
る。このズレが大きくなると薄膜トランジスタの構造が
維持できなくなってしまう。なお、上記ズレがある程度
大きくても動作する薄膜トランジスタを設計することが
できるが回路上の制約が大きくなり、充分な特性を発揮
させる事は困難であった。
【0008】上記ズレが生ずる原因としては、第1に被
印刷体基板の伸縮がある。これは、第2層の膜を形成す
る際において被印刷体基板に熱処理が施され、この時被
印刷体基板が伸縮を起こし冷却された後も元の設計寸法
には戻らないことから、被印刷体基板上に形成された第
1層目の膜上のパターン上に第2層の膜を形成し、それ
を第2層のためのパターンに加工する際、元の設計寸法
通りにパターニングを行うと、第1層のパターンと第2
層のパターンが第1層に施された熱処理で伸縮した分ズ
レが生ずることに起因している。また、当然のことなが
らこのようなズレは、第3層目、あるいは第4層目のパ
ターニングの際も発生する。なお、ここで熱処理または
熱処理工程と記した工程は熱処理自体を目的とする場合
だけでなく膜を形成する際その膜の特性を好ましいもの
にする目的で加熱冷却する場合も含む。
【0009】また、第2に印刷版基板の伸縮である。現
在、平板印刷版、凹版印刷版、凸版印刷版に用いられる
印刷版基板は、一般にアルミニウム、鉄、銅、亜鉛等の
金属が用いられており、このものは線膨張率が10〜3
0ppm/℃であるため、1℃の温度変化で10μm程
度の伸縮を起こしてしまう。このため、原版のパターン
を設計の寸法通り正確に形成しておいても製版工程およ
び印刷工程時の温度管理を極めて厳密にしておかないと
かなり大きな位置ズレが発生してしまうこととなる。さ
らに、印刷版基板と被印刷体基板の線膨張率が異なれば
印刷時の温度の変化が位置ズレの発生原因となる。
【0010】一方、以上述べたような位置ズレの発生を
防止するために容易に考えられる方法としては、例え
ば、(1)各層のパターン寸法を被印刷体基板あるいは印
刷版基板の伸縮に合わせて設計する、(2)被印刷体基板
の加熱後の冷却条件等を検討して伸縮が極力生じないよ
うにする、(3)印刷時において被印刷体基板またはパタ
ーンが製版された印刷版基板(以下、印刷版という)を
加熱または冷却して、伸縮を生じせしめるなどの方法が
考えられた。しかしながら、(1)の方法に関しては、製
造工程を変える度にパターンの設計をやり直す必要が生
じるため非常に非能率的であり、(2)の方法に関しては
スループットが低下するという問題があり、(4)の方法
に関しては、例えば被印刷体基板がガラス製である場合
ガラス板の収縮が等方的でないことや、温度コントロー
ルの幅が狭くコントロールそのものが困難であるという
問題があった。
【0011】なお、上記パターンの伸縮を図7に基づい
て説明する。(b)工程においてポリシリコン薄膜がパ
ターニングされる。次に(c)工程で薄膜(SiO2
ポリシリコン)が成膜されているが、その際基板は加熱
→冷却工程を経る。するとガラス基板が冷却後も元の大
きさにならず、その上のパターンも伸縮する。次に
(d)工程でゲートパターニングを行うが、その位置は
上記ポリシリコン薄膜のパターンと一定の位置関係にな
ければならない。しかし上記したごとく上記ポリシリコ
ン薄膜のパターンが伸縮していれば、ゲートパターンを
設計寸法通り形成すると、双方のパターンの位置関係は
設計通りでなくなり薄膜トランジスタとして作動しなく
なる。
【0012】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
印刷によるパターン形成法を用いて薄膜トランジスタ回
路を製造する際、被印刷体基板上に微細なパターンを複
数層にわたってパターニングする時に発生する各層間の
位置ズレを極めて小さな程度にすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題は、印刷版基板
上に印刷パターンを製版する製版工程と、この製版工程
後の印刷版基板上の印刷パターンを被印刷体基板上に転
写するパターン印刷工程とを有する微細パターンの製造
方法において、上記印刷版基板として、線膨張率および
熱処理工程を通した時の基板の伸縮挙動が被印刷体基板
と等しくなるような材料で作製された印刷版基板を用
い、かつパターン印刷工程に至る前までの工程で該被印
刷体基板に施された熱処理工程と同じ熱処理工程を製版
工程前後の該印刷版基板に対して行うことにより解決さ
れる。
【0014】また、上記印刷版基板と被印刷体基板とを
構成する材料がガラスであり、かつ上記印刷版基板上を
製版する工程において、印刷パターンが印刷版基板の凹
部に形成されるようにする工程、または凸部に形成され
るようにする工程、または平坦部に形成されるようにす
る工程のうちの何れか1つの工程を含むことが望まし
い。
【0015】また、請求項2記載の微細パターンの印刷
方法において、ガラス製の印刷版基板上に形成されたイ
ンキ受容層およびインキ反ぱつ層がいずれも金属層であ
り熱処理温度が高くても耐えられるものである印刷版を
用いるのが望ましい。
【0016】
【作用】本発明にかかる微細パターンの印刷方法にあっ
ては、印刷版基板として、線膨張率および熱処理工程を
通した時の基板の伸縮挙動が被印刷体基板と同程度とな
るような材料で作製された印刷版基板を用い、かつパタ
ーン印刷工程に至る前までの工程において該被印刷体基
板に施された熱処理工程と同様の熱処理工程を製版工程
前後の該印刷版基板に対し施す構成としたので、熱処理
工程を施された際において該被印刷体基板に発生した伸
縮と、印刷版基板に発生する伸縮の程度が一致する。ま
た、印刷時の温度が変化しても印刷版基板と被印刷体基
板とが同じように伸縮するので、位置ズレは生じない。
従って、被印刷板上に微細なパターンを複数層にわたっ
てパターニングする際の各層間の位置ズレを許容範囲内
に抑えることができる。例えば、低膨張ガラスを使用し
た液晶ディスプレイの表示パネル面に形成した場合、対
角20インチサイズにおいて、ガラス基板および刷版の
伸縮による薄膜トランジスタのパターンの位置ズレを2
μm以下に納めることができる。
【0017】以下、本発明の微細パターンの印刷方法を
例を挙げて詳細に説明する。まず、第1の例として凹版
印刷版を用いた例を示す。本例の微細パターンの印刷方
法は、図1に示すように印刷版基板に第1の熱処理を施
す熱処理工程Aと、その印刷版基板の印刷面にパターン
を製版するパターン形成工程と、パターンが製版された
印刷版基板(印刷版)に第2の熱処理を施す熱処理工程
Bとからなる印刷版作製のためのプロセス、および被
印刷体基板に被加工薄膜を成膜する被加工薄膜形成工程
よりなる被印刷板作製のためのプロセス、およびプロ
セスを経て製作された印刷版上の凹部に、インキを供
給するとともにプロセスを経て作製された被印刷板の
被印刷体基板上の被加工薄膜上にフォトレジストをコー
トし、このフォトレジストコートが半乾燥状態の時点で
先に用意しておいた印刷版の印刷面と重ね合わせ、80
℃程度に加熱してインキを軟化させ、印刷版の印刷面上
のパターンを被印刷体基板面のフォトレジストに転写す
るパターン印刷プロセス、以上3つのプロセスより構
成されている。
【0018】上記プロセスにおいては、印刷版を作製
する。この時用いる印刷版基板の材質を選択する際最も
重要なことは、材料の線膨張率及び熱処理工程を通した
時の印刷版基板の伸縮挙動が被印刷体基板と同程度とな
るような材料を選択することである。従って、印刷版と
被印刷体基板とを全く同一材質で作製するのが最も好ま
しく、例えば、液晶ディスプレイの表示パネル上に薄膜
トランジスタ回路を形成する場合に被印刷体基板として
ノンアルカリ低膨張ガラスを用いたときは、印刷版基板
もまたノンアルカリ低膨張ガラスを用いると良い。
【0019】また、本プロセスにおいては、例えば、以
下のようなエッチング等の手段を用いて印刷版基板上に
パターンを形成する。まず、図1中プロセスの熱処理
工程Aを施した印刷版基板11に、図2(a)に示すよ
うに印刷版基板11の表面にクロム等の金属をスパッタ
リング法などを用いて成膜し薄膜層12を形成する。さ
らにこの薄膜層12上にフォトレジスト13を積層し、
続いてこのフォトレジストに原版13aを露光・現像す
る。次に、図2(b)に示すようにクロムエッチング液
を用いて上記印刷版基板11上のフォトレジスト13の
形成されていない部分の薄膜層12をエッチングし、続
いて図2(c)に示すようにフッ酸系のガラスエッチン
グ液等を用いて上記薄膜層12のエッチング操作におい
てエッチングされガラス層が露呈した部分を、所定の深
さまでエッチングする。また、この後図2(d)に示す
ように印刷版基板11上のレジスト13並びに薄膜層1
2を剥離除去した後、被印刷板作製プロセスにおい
て、被印刷体基板上に被加工薄膜を成膜する操作におけ
る熱処理条件と同様の条件で熱処理を行う。
【0020】なお、この熱処理方法を図7に基づいて説
明する。図7(d)工程であるゲートパターニングを行
うための印刷版を作製する場合には、まず印刷版基板1
1を図7(a)工程と同一の熱処理工程に通す。次にそ
れぞれの版式に適合した製版方法でゲートパターンを形
成する。その後図7(c)工程と同一の熱処理工程に通
す。また、図7(h)の電極パターニングを行うための
印刷版を作製する際には印刷版基板11を図7(a)工
程と同一の熱処理工程を通し、次に電極パターンを形成
し、その後図7(c)、(e)、(g)、と同一の熱処
理を順次施す。これにより印刷版基板11上にパターン
14が凹状に形成されてなる印刷版11aを作製する。
【0021】上記プロセスにおいてはパターン14を
形成するための被印刷板を作製する。上記プロセスに
おいて用いた印刷版基板11と同様の材料を用い、かつ
同様の大きさに作製された被印刷体基板15に対し、例
えば図7(c)工程において、まずSiO2薄膜を成膜
し、次にアモルファスシリコン(以下、a−Siと略記
する)を成膜する。さらにこれを580〜620℃程
度,約10時間程度処理してa−Siをポリシリコン
(以下、p−Siと略記する)に固相成長させるなどの
操作を行い、図3に示すような被加工薄膜層15aを形
成させる。
【0022】上記プロセスでは、図4(a)に示すよ
うにプロセスで作製した印刷版11a上の凹部Aに、
インキ16を供給する。一方、プロセスで作製した被
印刷板の被加工薄膜層15a上には、フォトレジスト1
7をコートし、このフォトレジストコート17が半乾燥
状態の時点で、先に用意しておいた印刷版11aのイン
キ塗布面と重ね合わせる(図4(b))。さらに重ね合
わされた印刷版11aと被印刷板とを加熱してインキ1
6を軟化させるとともに被印刷板の印刷版基板11との
重ね合わせ面の反対の面を圧し(図4(c))、印刷版
11aの凹部A内のインキ(パターン14)を被印刷板
のフォトレジスト17に転写する(図4(d))。な
お、この時使用するインキは、例えばカーボンブラック
をメラミン系熱硬化性樹脂に混入させ、紫外線遮断特性
を有する印刷インキやUV硬化型アクリル系樹脂を主成
分とする印刷インキ等が好適である。
【0023】上記紫外線遮断特性を有する印刷インキを
用いた場合は、フォトレジスト17にパターンを転写さ
れた被印刷板のインキ層側から超高圧水銀ランプ等を用
いて紫外線によりフォトレジストを露光・現像し、図5
(a)のようにする。次に、被加工薄膜層15aをエッ
チングし(図5(b))、さらにインキおよびフォトレ
ジストを剥離除去する(図5(c))。このようにして
被加工薄膜層15aのパターニングを終了する。
【0024】以上の説明では、一種の薄膜をエッチング
によりパターニングする方法を説明したが、薄膜トラン
ジスタ回路などの回路素子は、通常4回から多いときは
10回程度のパターニングが必要である。なお、この複
数のパターニングを行う際に、被印刷体基板に熱処理が
施された場合は、上述したように印刷版基板に対しても
同様の条件で熱処理を行う。
【0025】なお、本例はレジストパターンの形成に凹
版印刷版を用いた例を示したものであるが、このレジス
トパターンの形成のための印刷版が凸版印刷版あるいは
平板印刷版であってもよい。また、フォトレジストは、
印刷版が凹版である場合は好適であるが、印刷版が凸版
および平版である場合はなくても良い。その時は印刷イ
ンキ自体がエッチングレジスト材となる。
【0026】本例の微細パターンの印刷方法にあって
は、印刷版基板の材質を選択する際、熱処理工程を通し
た時の印刷版基板の伸縮挙動が被印刷体基板と同程度と
なるような材料を選択し、かつ被印刷体基板に対しパタ
ーンを形成する前後において、被印刷体基板上に被加工
薄膜を成膜する操作における熱処理条件と同様の条件で
印刷版基板に対し熱処理を施す熱処理工程を行う構成と
したので、この熱処理工程を施した際に被印刷体基板に
発生した伸縮と同じ挙動を示す伸縮が印刷版基板にも発
生する。また、印刷時の温度変化に対しても印刷版基板
と被印刷体基板の伸縮が同一である。従って、被印刷体
基板上に微細なパターンを複数層にわたってパターニン
グする時に発生する各層間の位置ズレを極めて小さな程
度にすることが可能となった。
【0027】次に、凹版印刷版を用いる第2の例を示
す。図6は、本例の微細パターンの印刷方法を説明する
ための図である。印刷版基板21は、先に述べた第1の
例と同様、線膨張率と熱処理工程を通した時の印刷版基
板21の伸縮挙動が被印刷体基板15と同程度となるよ
うな材料を選択することが必要である。従って、印刷版
基板21と被印刷体基板15とが全く同一材質であるこ
とが最も好ましい。
【0028】本例の先の第1の例との相違点は、この印
刷版基板21の表面に複数のメッキ層を形成するメッキ
層形成工程を設けて印刷の際のインキ受容層およびイン
キ反ぱつ層がいずれも金属層となるようにしたことであ
る。具体的に言うと、まず無電解メッキ法等を用いて層
厚約3μm程度のニッケル層22を形成し(図6
(a))、さらに印刷版基板21とニッケル層22との密
着性を向上させるため230〜270℃でおよそ1時間
程度加熱する。次に、ニッケル層22の上に硫酸銅メッ
キ液等を用いて層厚約5μm程度の銅層23を形成し
(図6(b))、さらに電気メッキ法等を用いて銅層23
上に層厚約1μm程度のクロム層24を形成する(図6
(c))。
【0029】次に、上記クロム層24上にフォトレジス
ト25をコーティングし、これにパターン26を露光・
現像する。次に、セリウム系のクロムエッチング液を用
いて上記印刷版基板21上のフォトレジスト25の形成
されていない部分のクロム層24をその下層の銅層23
が露呈する程度までエッチングし(図6(d))、さらに
印刷版基板21上のフォトレジスト25を剥離除去した
後、熱処理を行う。なお、この熱処理方法を図7に基づ
いて説明する。図7(d)工程であるゲートパターニン
グを行うための印刷版を作製する場合には、まず印刷版
基板21を図7(a)工程と同一の熱処理工程に通す。
次にそれぞれの版式に適合した製版方法でゲートパター
ンを形成する。その後図7(c)工程と同一の熱処理工
程に通す。また、図7(h)の電極パターニングを行う
ための印刷版を作製する際には印刷版基板21を図7
(a)工程と同一の熱処理工程を通し、次に電極パター
ンを形成し、その後図7(c)、(e)、(g)、と同
一の熱処理を順次施す。このようにして印刷版基板21
上にパターン26が形成された印刷版21Aを作製する
(図6(e))。なお、この印刷版21Aは、希硫酸で洗
浄しさらに乾燥した後、チンクターを処して銅表面のイ
ンキ受容性を向上させておくのが望ましい。上記操作に
より、印刷版21Aのインキ受容層は銅で形成され、イ
ンキ反ぱつ層はクロムで形成される。
【0030】次に、上述した操作により作製した印刷版
21Aを用いて、先の第1の例で用いたのと同じ被印刷
体基板にパターンを印刷するパターン印刷プロセスを
行うが、このプロセスは先に述べた第1の例と同じであ
る。
【0031】本例の微細パターンの印刷方法にあって
は、印刷版基板の材質を選択する際、線膨張率及び熱処
理工程を通した時の印刷版基板の伸縮挙動が被印刷体基
板と同程度となるような材料を選択し、かつ凹版基板に
対し薄膜トランジスタ基板作製の際、被印刷体基板上に
被加工薄膜を成膜する操作における熱処理条件と同様の
条件で熱処理を施す熱処理工程を行う構成としたので、
先の例と同様の効果が得られる。また、印刷版21Aの
インキ受容層を銅で形成し、インキ反ぱつ層をクロムで
形成したので、その後の熱処理に耐えられる構成となっ
た。
【0032】
【実施例】
(実施例1)上述した2例のうち、第1の例について実
施した。印刷版基板として表面が研磨されている厚さ×
縦×横=1.1×400×600mmのコーニング社製
低膨張ガラス(品番7059)を用い、図7(a)工程
の熱処理を施した。この印刷版基板の表面に層厚100
0オングストロームのクロム層をスパッタリング法で形
成した。次に、このクロム層上にフォトレジスト(東京
応化、OMR−85)をコーティングし、これにテスト
パターンを露光現像した。
【0033】次に、セリウム系のクロムエッチング液を
用いて上記印刷版基板上のレジストの形成されていない
部分のクロム層をエッチングした。さらに、この印刷版
基板を水洗乾燥し、フッ酸系のガラスエッチング液を用
いて上記クロム層のエッチング操作においてエッチング
されガラス層が露呈した部分を、ガラス層の深さ2μm
までエッチングした。この後、印刷版基板上のレジスト
並びにクロム層を剥離除去した後、図7(c)工程と同
一の熱処理を施し印刷版基板上にパターンがエッチング
されてなる印刷版を作製した。また、さらにこの印刷版
の全表面にシリコーン系離型材を塗布した。
【0034】次に、印刷版上の上記エッチング操作によ
り形成された凹部に、カーボンブラックをメラミン系熱
硬化性樹脂に混入させて製した、紫外線遮断特性を有す
る印刷インキを供給した。
【0035】一方、薄膜トランジスタを形成する被印刷
体基板としては、上記印刷版基板と同様、厚さ1.1m
mのコーニング社製低膨張ガラス(品番7059)を用
いた。図7(b)工程まで終了している被印刷体基板に
ついて、図7(c)工程を通しSiO2およびp−Si
薄膜を形成し被印刷板を作製した。次に、この被印刷板
のp−Si上にフォトレジストをコートし、このフォト
レジストコートが半乾燥状態の時点で先に用意しておい
た印刷版のインキ塗布面と重ね合わせ、80℃に加熱し
てインキを軟化させるとともに被印刷板の印刷版との重
ね合わせ面の反対の面をロールで万遍なく圧し、印刷版
上のインキ(パターン)を被印刷板のフォトレジストに
転写した。次に、上記フォトレジストにパターンを転写
された被印刷板のインキ層側から超高圧水銀ランプを用
いて紫外線を照射し、これによりフォトレジストを露光
・現像した。次に、この被印刷体基板上のp−Si膜を
CF4+3%O2ガスを用いてエッチングし、インキおよ
びフォトレジストを剥離除去した。
【0036】以上述べた本実施例による微細パターンの
印刷方法を用い被印刷体基板上のp−Si膜上にゲート
パターンをパターニングした。図7(b)工程で形成し
たパターンとの位置ズレは、最大で2μmであった。
【0037】(実施例2)上述した2例のうち、第2の
例について実施した。先に述べた第1の例と同様、印刷
版基板として表面が研磨されている厚さ×縦×横=1.
1×400×600mmのコーニング社製低膨張ガラス
(品番7059)を用い、この印刷版基板の表面に無電
解メッキ法を用いて層厚3μmのニッケル層を形成し
た。次に、ニッケル層の上に硫酸銅メッキ液を用いて層
厚約5μmの銅層を形成し、さらに電気メッキ法を用い
て銅層上に層厚1μmのクロム層を形成した。次に、上
記クロム層上にフォトレジスト(東京応化、OMR−8
5)をコーティングし、これにパターンを露光・現像し
た。次に、セリウム系のクロムエッチング液を用いて上
記印刷版基板上のレジストの形成されていない部分のク
ロム層をその下層の銅層が露呈する程度までエッチング
した。次に、実施例1と同様の方法で熱処理を行った。
このようにして作製された印刷版を希硫酸で洗浄、さら
に乾燥した後チンクターを処して銅表面のインキ受容性
を向上させた。
【0038】次に、上述した操作により作製した印刷版
を用いて、被印刷板にパターンを先の実施例1と同様の
操作により印刷した。
【0039】また、実施例1と同様に被印刷体基板上の
p−Si膜上にゲートパターンをパターニングし、図7
(b)工程で形成したパターンとの位置ズレを測定した
ところ、最大で2μmであった。
【0040】
【発明の効果】以上述べたように、本例の微細パターン
の印刷方法にあっては、印刷版基板として、線膨張率お
よび熱処理工程を通した時の印刷版基板の伸縮挙動が被
印刷体基板と同程度となるような材料で作製された印刷
版基板を用い、かつパターン印刷工程に至る前の工程に
おいて該被印刷体基板に施された熱処理工程と同様の熱
処理工程を製版工程前後の該印刷版基板に対して施す構
成としたので、この熱処理工程を施した際において被印
刷体基板に発生した伸縮と同程度かつ同様の挙動を示す
伸縮が印刷版基板においても発生するため、印刷版基板
と被印刷体基板との位置ズレを極めて小さくすることが
できる。また、印刷版基板および被印刷体基板の材料と
して、線膨張率および熱処理工程を通した時の伸縮挙動
がそれぞれ同程度となるような材料を各々用いたことに
より、印刷時の温度変化においても伸縮の挙動が同じよ
うになる。従って、大きな位置ズレに起因する薄膜トラ
ンジスタ回路設計上の種々の制約がなくなり回路特性を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる微細パターンの印刷方法の第1
の例における製造工程の概要を示す図である。
【図2】本発明にかかる微細パターンの印刷方法の第1
の例におけるプロセスを説明するための図である。
【図3】本発明にかかる微細パターンの印刷方法の第1
の例におけるプロセスにより作製される被印刷板を示
す図である。
【図4】本発明にかかる微細パターンの印刷方法の第1
の例におけるプロセスを説明するための図である。
【図5】プロセスのエッチング工程を説明するための
図である。
【図6】本発明にかかる微細パターンの印刷方法の第2
の例を説明するための図である。
【図7】薄膜トランジスタ回路の作製工程の1例を示す
図である。
【符号の説明】
11 印刷版基板 11a印刷版 14 パターン 15 被印刷体基板 16 インキパターン 21 印刷版基板 21A印刷版 23 銅層 24 クロム層

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 印刷版基板上に印刷パターンを製版する
    製版工程と、この製版工程後の印刷版基板上の印刷パタ
    ーンを被印刷体基板上に転写するパターン印刷工程とを
    有する微細パターンの製造方法において、上記印刷版基
    板として、線膨張率および熱処理工程を通した時の基板
    の伸縮挙動が被印刷体基板と等しくなるような材料で作
    製された印刷版基板を用い、かつパターン印刷工程に至
    る前までの工程で該被印刷体基板に施された熱処理工程
    と同じ熱処理工程を製版工程前後の該印刷版基板に対し
    て行うことを特徴とする微細パターンの印刷方法。
  2. 【請求項2】 上記印刷版基板と被印刷体基板とを構成
    する材料がガラスであり、かつ上記印刷版基板を製版す
    る工程において、印刷パターンが印刷版基板の凹部に形
    成されるようにする工程、または凸部に形成されるよう
    にする工程、または平坦部に形成されるようにする工程
    のうちの何れか1つの工程を含むことを特徴とする請求
    項1記載の微細パターンの印刷方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の微細パターンの印刷方法
    において、ガラス製の印刷版基板上に形成されたインキ
    受容層およびインキ反ぱつ層がいずれも金属層である印
    刷版を用いることを特徴とする微細パターンの印刷方
    法。
JP8606491A 1991-03-26 1991-03-26 微細パターンの印刷方法 Expired - Lifetime JP2556937B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8606491A JP2556937B2 (ja) 1991-03-26 1991-03-26 微細パターンの印刷方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8606491A JP2556937B2 (ja) 1991-03-26 1991-03-26 微細パターンの印刷方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04296724A JPH04296724A (ja) 1992-10-21
JP2556937B2 true JP2556937B2 (ja) 1996-11-27

Family

ID=13876272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8606491A Expired - Lifetime JP2556937B2 (ja) 1991-03-26 1991-03-26 微細パターンの印刷方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2556937B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6924872B2 (en) 1999-12-02 2005-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Flexible LCD panel fabrication method and flexible LCD panel fabrication system used for the same
US6732643B2 (en) 2001-11-07 2004-05-11 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for forming pattern using printing process
KR100518270B1 (ko) 2002-12-18 2005-10-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식에 의한 패턴형성방법
KR100909414B1 (ko) 2002-12-18 2009-07-24 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 소자의 제조 방법
KR100585871B1 (ko) 2002-12-18 2006-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식에 의한 패턴형성방법
KR100945356B1 (ko) 2002-12-27 2010-03-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 칼라필터 제조방법
KR100914200B1 (ko) 2002-12-27 2009-08-27 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 소자의 제조 방법
KR100909419B1 (ko) 2002-12-27 2009-07-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 칼라필터 제조방법
KR100606446B1 (ko) 2002-12-27 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04296724A (ja) 1992-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI279642B (en) Method for fabricating cliche and method for forming pattern using the same
US5240796A (en) Method of fabricating a chromeless phase shift reticle
US5245470A (en) Polarizing exposure apparatus using a polarizer and method for fabrication of a polarizing mask by using a polarizing exposure apparatus
JP2556937B2 (ja) 微細パターンの印刷方法
CN106814534B (zh) 光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法
US4670097A (en) Method for patterning transparent layers on a transparent substrate
KR100641006B1 (ko) 인쇄판
KR100407602B1 (ko) 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법
EP1199602A2 (en) Embossing surface and embossing process using photo definable polyimide film
JPH04239684A (ja) 微細パターン形成方法
EP1635199A1 (en) Wire grid polarizer and manufacturing method thereof
JP2006231827A (ja) 凹版の製造方法
KR20100072969A (ko) 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
US6136480A (en) Method for fabrication of and apparatus for use as a semiconductor photomask
KR101085131B1 (ko) 패턴 형성 방법 및 그를 이용한 액정표시소자용 기판제조방법
KR100273784B1 (ko) 샤도우 마스크 및 그 제조 방법
KR102113903B1 (ko) 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐
US20080190307A1 (en) Pattern transcription device and method of fabricating cliche for the same
JP2664128B2 (ja) 金属メッキマスクパターン
KR20110048605A (ko) 액정표시장치용 클리체 및 그 제조방법
KR970006722B1 (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR100305142B1 (ko) 위상 반전 마스크의 형성 방법
KR960000183B1 (ko) 크롬막이 부가된 위상반전마스크 및 그 제조 방법
KR0135053B1 (ko) 미세형상 형성방법
KR940003581B1 (ko) 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19960709

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 15