JP2552802Y2

JP2552802Y2 - ガラス厚み測定装置

Info

Publication number: JP2552802Y2
Application number: JP1991005774U
Authority: JP
Inventors: 利之杉村
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1991-01-20
Filing date: 1991-01-20
Publication date: 1997-10-29
Anticipated expiration: 2006-01-20
Also published as: JPH0496006U

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本考案は、ガラス厚み測定装置に
係り、より詳細には、例えば、アルミナセラミックパッ
ケージのベースとキャップを接着するパッケージ周辺に
塗布した低融点ガラス（シールガラス）の厚みや、ＦＡ
Ｘ等のサーマルヘッド用グレーズ基板上に塗布した低融
点ガラスの厚み等のガラス厚みを良い精度で測定するた
めのガラス厚み測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータのメモリ等に使用するアル
ミナセラミックのパッケージには、その周縁部にベース
パッケージとキャップパッケージを接着封止するために
Ｐｂ元素を多く含んだ低融点ガラスが塗布されている。
そして、このガラスは、SiＯ₂、TiＯ₂、ZrＯ₂、Pb
Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃等の粉体と樹脂、溶剤が混練、ペースト状
にされ、スクリーン印刷でセラミック上に塗布後、乾
燥、焼成（約５００〜６００℃）されるが、印刷直後に
焼成後の厚みを予測し、印刷厚みを早期に調整したいと
のニーズがある。また、同様にＦＡＸ等のサーマルヘッ
ドに使用されるグレーズ基板に塗布されるガラスについ
ても同様のニーズがある。

【０００３】従来、このようなニーズに対し、印刷直後
の厚みを測定することが困難であるため、焼成後、ガラ
スの一部をセラミック表面から破壊して剥離し、ダイヤ
ルゲージを用いて段差により厚みを測定している。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】しかし、上述した手法
の場合、次のような問題がある。すなわち、同一場所での測定でないため、セラミック部の形状
や、ガラスの厚み分布の影響を受け、必ずしも正しくガ
ラス厚を測定できない。焼成後に、厚み測定するため、アクションが遅れ、
不良品を多数製造する原因となる。破壊測定法であるため、サンプルが無駄になる。等
の問題がある。

【０００５】ところで、以上のような問題を解消する手
法として、蛍光Ｘ線を用いてガラス厚みを測定する方法
がある。しかし、この方法の場合、ガラス厚が、数十ミ
クロン以上になると、測定できないという問題がある。
すなわち、パッケージのシールガラス厚みは、２００〜
６００μｍ、グレーズ基板のガラス厚みは８０μｍ程度
であるため、測定が不可能であり、また蛍光Ｘ線では測
定時間（１５秒程度）を要するという問題がある。そこ
で、本発明者は、このような問題に鑑み、種々、研究、
検討した結果、コンピュータのメモリ等に使用するアルミナセラミ
ックパッケージや、ＦＡＸ等のサーマルヘッド用グレー
ズ基板等のガラス膜を有するセラミック基板において、
該ガラス膜を形成するガラスにはＰｂ元素を多く含有、
すなわち、該ガラスは、重量％にして、ＰｂＯを５０重
量％、その他にＳｉＯ _２、ＴｉＯ _２、ＺｒＯ _２、Ｂ _２Ｏ
_３を数％〜十数％の含有割合からなり、セラミック基体
は、その殆どが、Ａｌ _２Ｏ _３からなること、前記ガラス膜を形成するガラスの主成分であるＰｂ
は、Ｘ線が透過しなく、またガラス膜を有するセラミッ
ク基板にセラミックやガラスに対して透過性の良好な領
域のＸ線を照射透過させた場合、該ガラス部分におい
て、該Ｘ線は透過減衰をおこすこと、前記セラミック基体は、その殆どが、Ａｌ _２Ｏ _３か
らなり、このＡｌ _２Ｏ _３はＸ線透過性が良好であるた
め、Ｘ線透過減衰が少ないこと、従って、前記ガラス膜を有するセラミック基板にＸ
線を照射、透過させた場合、セラミック基体部分では、
殆ど透過減衰がなく、これに対してガラス膜を有する部
分では、Ｘ線の透過減衰が認められ、また該ガラス中の
Ｐｂ成分の配合割合がわかっていれば、ガラス膜の厚み
が厚くなれば、その透過減衰がいっそう大きくなるの
で、透過したＸ線強度を検出することで、その厚みを測
定できる。ことを究明した。また、Ｘ線透過法によっ
て、厚み測定をする場合、グローボックス内で、その測
定を行う必要があるため、このガラス膜を有するセラミ
ック基板からなる被測定用基板のガラス膜の厚みを測定
するには、該被測定用基板を正確に位置決めすると共
に、同時に複数個の測定ができるようにする必要があ
る。

【０００６】本考案は、上述した課題に対処して創案し
たものであって、その目的とする処は、数十μｍ以上の
ガラス厚を有するセラミック上のシールガラスであって
も高精度で厚み測定が行え、かつその測定時間を短縮で
きるガラス厚み測定装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そして、上記課題を解決
するための手段としての本考案のガラス厚み測定装置
は、Ｐｂを多く含有したガラス膜を有するセラミック基
板からなる被測定用基板のガラス厚みを測定するための
ガラス厚み測定装置であって、複数個の被測定用基板載
置部を備え、該被測定用基板載置部のそれぞれに被測定
用基板を載置する被測定用基板カセットを取り外し自在
に配置する被測定用基板配置部を介してＸ線照射部とＸ
線検出部を設け、該Ｘ線照射部とＸ線検出部は、該Ｘ線
照射部よりＸ線を該被測定用基板に照射透過させて該Ｘ
線検出部で透過Ｘ線強度を検出できる位置に配置し、ま
た該Ｘ線検出部に検出Ｘ線強度を計数するためのＸ線強
度カウンタと、該Ｘ線強度カウンタで計数した計数値を
厚みに換算する演算部を接続し、また上記被測定用基板
配置部の被測定用基板支持部をＸ線透過性材料またはＸ
線透過孔を備えた支持部材で形成し、上記Ｘ線検出部を
イオンチャンバまたはシンチレーションカウンタで構成
し、かつ上記被測定用基板支持部をＸＹステージ上に配
設し、該被測定用基板支持部に支持された被測定用基板
の測定部位を変更できるように構成し、上記Ｘ線強度カ
ウンタと演算部により上記被測定用基板のガラス厚みを
測定することができる構成よりなる。

【０００８】また、本考案のガラス厚み測定装置におい
て、Ｘ線照射部と被測定用基板配置部との間のＸ線照射
路中に必要に応じて、較正板を設けることができる。

【０００９】

【作用】そして、上記構成に基づく、本考案のガラス厚
み測定装置は、被測定用基板を被測定用基板カセットの
被測定用基板載置部のそれぞれに載置した後、この被測
定用基板カセットを被測定用基板配置部の被測定用基板
支持部に配置し、Ｘ線照射部より該被測定用基板に対し
てＸ線を照射透過させ、その透過Ｘ線強度をＸ線検出部
を構成するイオンチャンバまたはシンチレーションカウ
ンタで測定し、その測定値に基づき、Ｘ線強度計数回路
と演算部とを介してガラス厚を換算測定できる。すなわ
ち、被測定用基板にＸ線を照射すると、該被測定用基板
のセラミック部分は、前述したように、Ｘ線透過性が良
好なＡｌ _２Ｏ _３を主成分とするため、Ｘ線透過減衰が少
ないのに対して、ガラス部分は、Ｐｂを主成分とし、該
ＰｂはＸ線透過減衰が多いので、このＸ線透過強度を測
定することで、その厚みを測定することができる。

【００１０】ここで、上記イオンチャンバやシンチレー
ションカウンタは、入射（検出）Ｘ線強度と出力との直
線性が良好で、Ｘ線の高い出力領域を使用できるので、
換算測定精度を良くすることが可能となる。すなわち、
測定時間、検出器出力とＸ線統計精度は、Ｘ線統計精度（Ｃ．Ｖ．）＝σ／Ｎ_c・１００％＝１／（Ｎ・ｔ）^1/2・１００％ただし、σ ＝Ｎ_c ^1/2 Ｎ_c＝Ｎ・ｔＮ：Ｘ線カウント値（ｃｐｓ）ｔ：測定時間（ｓｅｃ）換言すれば、Ｘ線のカウント値と測定時間の積により定
まる。このことよりして、短時間測定で、必要な厚み測
定精度が得られる。

【００１１】また、被測定用基板配置部の被測定用基板
支持部をＸ線透過性材料またはＸ線透過孔を備えた支持
部材で形成し、また被測定用基板支持部をＸＹステージ
上に配設し、該ＸＹステージにより、該被測定用基板支
持部に着脱自在に配置した被測定用基板カセットを移動
させるので、該被測定用基板カセットに載せている被測
定用基板の測定部位を変更できることより、被測定用基
板を適宜移動でき、該基板の任意のポイントにおける測
定ができるように作用する。

【００１２】以上のように、本考案のガラス厚み測定装
置は、Ｐｂを多く含有したガラス膜を有するセラミッ
ク基板からなる被測定用基板のガラス厚みを測定するた
めのガラス厚み測定装置である点、複数個の被測定用
基板載置部を備え、該被測定用基板載置部のそれぞれに
被測定用基板を載置する被測定用基板カセットを用いて
いる点、Ｘ線透過検出構成とした点、Ｘ線検出部に
イオンチャンバまたはシンチレーションカウンタを用い
た点、被測定用基板配置部の被測定用基板支持部をＸ
線透過性材料またはＸ線透過孔を備えた支持部材で形成
し、かつ被測定用基板支持部をＸＹステージ上に配設
し、該被測定用基板支持部に支持された被測定用基板の
測定部位を変更できるようにした点、の五点を組み合わ
せた構成に特徴を有し、この特徴点によって、被測定用
基板を正確に位置決めすると共に、多点測定が容易に行
え、またガラス厚み検出精度を良好にすると共に、その
測定時間を短縮でき、かつガラス焼成前後を問わず、そ
の厚み測定をできるという格別な作用・効果を奏する。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照しながら、本考案を具体化
した一実施例について説明する。ここに、図１〜図９
は、本考案の実施例を示し、図１は基本構成図、図２は
概略構成図、図３は被測定用基板の平面図、図４は被測
定用基板の横断面図、図５はシールガラスの測定条件を
説明するための被測定用基板の概略断面図、図６は被測
定用基板載置カセットの平面図、図７は図６ａ部分の拡
大断面図、図８は図６ｂ部分の拡大図、図９はイオンチ
ャンバの検出器出力と検出器への入射Ｘ線強度の関係を
示すグラフである。

【００１４】本実施例のガラス厚み測定装置は、概略す
ると、Ｘ線照射部１とＸ線検出部２と被測定用基板配置
部３およびガラス厚み換算測定部４の四つの部分より構
成されている。

【００１５】Ｘ線照射部１は、Ｘ線を被測定用基板５に
対して発生照射するための部であって、Ｘ線発生管球７
と、Ｘ線発生管球７よりＸ線を発生させるための高電圧
発生部６とより構成されている。ここで、使用Ｘ線は、
セラミックス、ガラスに対して透過性の良い領域におけ
るものを用いる。そして、Ｘ線照射部１のＸ線発生管球
７より照射されるＸ線を検出する部位にＸ線検出部２が
設けられている。

【００１６】Ｘ線検出部２は、イオンチャンバ８とコリ
メータ９とダスト保護板１０およびイオンチャンバ用の
電源１１とより構成されている。イオンチャンバ８は、
Ｘ線照射部１より照射されたＸ線を検出するためのもの
であって、Ｘ線発生管球７より照射されるＸ線照射路に
設けられている。ここで、イオンチャンバ８の場合は、
第３図に示すように、他のＸ線検出器に比べて広い範囲
でＸ線強度と出力の直線性が良好であることより、Ｘ線
の高い出力領域を使用できる。そして、イオンチャンバ
８の上部にコリメータ９が設けられ、コリメータ９によ
ってＸ線発生管球７よりのＸ線照射域を調整（絞り）で
きるようにされている。すなわち、コリメータ９は、測
定点毎にコリメータの検量線の切り換え（通常、自動切
り換え）ができるように、そのコリメータ径を変更でき
る構成とされている。また、コリメータ９の上部には、
ダスト保護板１０が設けられている。ダスト保護板１０
は、Ｘ線の減衰の少なく、かつ均一厚みの樹脂板が用い
られている。そして、Ｘ線照射部１より照射されたＸ線
が、被測定用基板配置部３に載置されている被測定用基
板５を透過し、ダスト等に影響を受けることなく、イオ
ンチャンバ８で検出される。

【００１７】被測定用基板配置部３は、被測定用基板５
を載置し、任意の位置の測定を行えるように、移動でき
るようにした部であって、被測定用基板カセット１２と
カセット支持材１３およびＸＹステージ１４とより構成
されている。被測定用基板カセット１２は、図６に示す
ように、複数個の被測定用基板５を載置することができ
る構成とされている。そして、被測定用基板カセット１
２は、約２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさの鉄系金属製
のステンレス板で形成されていて、底面１２ａには、Ｘ
線透過用孔１５が穿設され、また、カセット支持材１３
に取り外し自在に載置できる構成とされている。カセッ
ト支持材１３は、ダスト保護板１０と同様にＸ線の減衰
の少なく、かつ均一厚みの樹脂板によって形成され、Ｘ
Ｙステージ１４上に配置されている。ＸＹステージ１４
は、ガラス厚み換算測定部４の制御部１６によって作動
し、被測定用基板カセット１２の位置を移動できるよう
に構成されている。

【００１８】ガラス厚み換算測定部４は、Ｘ線強度カウ
ンタ１７と演算部１８と制御部１６と操作部１９および
被測定用基板撮像部２０とより構成されている。Ｘ線強
度カウンタ１７は、イオンチャンバ８で検出されたＸ線
強度をカウントし、該カウント値をガラス厚みに換算で
きるように制御部１６を介して演算部１８に接続されて
いる。制御部１６は、演算部１８と被測定用基板配置部
３のＸＹステージ１４と高電圧発生部６および電源１１
とを、操作部１９を介して操作できるように接続されて
いる。また、演算部１８は、演算処理したデータをＣＲ
Ｔ２１に画像表示させ得るように接続され、またＴＶモ
ニタ２２を介して被測定用基板撮像部２０に接続されて
いる。被測定用基板撮像部２０は、較正板付きシャッタ
２３とセンタ位置決め用ミラー２４および撮像用カメラ
２５とより構成され、Ｘ線照射部１のＸ線発生管球７と
被測定用基板配置部３との間に設けられている。較正板
付きシャッタ２３は、Ｘ線強度のカウント値のドリフト
を較正するために用いるもので、開閉できる構成よりな
る。

【００１９】また、Ｘ線照射部１、Ｘ線検出部２、被測
定用基板配置部３および被測定用基板撮像部２０は、グ
ローボックス（防護箱）２６内にＸ線の漏れを防止でき
るように配置されていて、またグローボックス（防護
箱）２６の一部には、被測定用基板配置部３における被
測定用基板カセット１２を出し入れするためのカセット
取り出し扉２７を有している。また、カセット取り出し
扉２７には、鉛ガラス覗き窓が設けられている。

【００２０】そして、上記構成に基づく、本実施例のガ
ラス厚み測定装置は、グローボックス（防護箱）２６の
カセット取り出し扉２７を開けて、被測定用基板配置部
３より被測定用基板カセット１２を取り出し、該被測定
用基板カセット１２の所定の箇所に被測定用基板５、５
・・を載置した後、再び、グローボックス２６内に入
れ、Ｘ線照射部１よりＸ線を被測定用基板５に照射し、
被測定用基板５を透過したＸ線強度をＸ線検出部２で検
出し、これをガラス厚み換算測定部４で換算すること
で、ガラス厚みを測定できる。

【００２１】ここで、被測定用基板５、５・・として
は、図３〜図８に示すＩＣメモリ等のケース（パッケー
ジ）に使用されるサーディップタイプの基板を用い、そ
のシールガラスのノンクリティカルエリア部ａ、シール
パス部ｂのガラス厚みの測定を行う。そして、その基板
は、寸法が、通常、ｌ：１０〜５０ｍｍ、ｗ：６〜１５
ｍｍ、ｔ_c：０．７〜３．５ｍｍ、ｔ_g：０．１〜０．
６ｍｍ、成分が、Al₂Ｏ₃：約９０％、シールガラス成
分が、PbＯ：約５０重量％、その他 SiO₂、TiＯ₂、Zr
Ｏ₂、Ｂ₂Ｏ₃が数％〜十数％前後の成分で、図５に示
すように、焼成後および焼成前のシールガラスを単独、
混合で測定し、焼成後の厚み換算を算出するようにして
いる。なお、図５（ａ）は、生シールガラス状態、同
（ｂ）は焼成後シールガラスの上に生シールガラスを配
した状態、同（ｃ）は焼成シールガラス状態を示してい
る。

【００２２】すなわち、被測定用基板５、５・・を、被
測定用基板カセット１１を介して被測定用基板配置部３
に配置して、センター位置決め用ミラー２４を介して撮
像カメラ２５で撮影して、ＴＶモニタ２２で、その位置
を確認し、ＸＹステージ１４により、ガラス厚み測定位
置に移動調整すると共に、コリメータ９のコリメータ径
を切替え調整した後、Ｘ線照射部１よりＸ線を照射す
る。そして、該Ｘ線は、被測定用基板５のガラス部分
ｃ、セラミック部分ｄを透過し、また被測定用基板カセ
ット１２のＸ線透過孔１５を透過し、更にカセット支持
材１３を透過してＸ線検出部２構成するイオンチャンバ
８により検出される。ここで、イオンチャンバ８は、ダ
スト保護板１０によって保護され、Ｘ線検出の支障を生
じさせないようにされている。そして、検出されたＸ線
のカウント値をＸ線強度カウンタ１７でカウントされる
と共に、制御部１６を介して演算部１８でガラス厚みに
換算され、その換算データがＣＲＴ２１に表示され、ガ
ラス厚みを測定できる。

【００２３】ここで、演算部１８における透過Ｘ線によ
るガラス厚みは、によってＸ線強度カウンタ１７でカウントされたＸ線カ
ウント値により換算される。また、Ｘ線カウント値
Ｎ_o、Ｎ_s、および定数Ｋは、特定をサンプルでもって
事前に、セラミック基板のみ（ｔ_g＝０）でＸ線カウ
ント値Ｎ_oを、またガラス厚みの判明（破壊法で測
定）した複数個のサンプルでＸ線カウント値Ｎを測定
し、これらのデータより、回帰演算によって算出する。

【００２４】また、較正を必要とする場合は、まず、
上記方法で検量線を作成した直後、較正板付きシャッタ
２３を配した状態でＸ線を照射し、該Ｘ線のカウント値
Ｎ_cを測定し、次に、定期的にＸ線カウント値のドリ
フトを測定するために、較正板２３を通したＸ線カウン
ト値Ｎ_c′を測定し、更に実際に測定するサンプルの
被測定用基板５の測定時のＸ線カウント値をＮ′とする
と、Ｘ線カウント値Ｎは、Ｎ＝Ｎ′・Ｎ_c／Ｎ_c′ で表されるので、これにより、前式に代入し、較正した
ガラス厚みｔ_gを換算によって測定する。

【００２５】そして、以上の操作を、測定しようとする
被測定用基板５、５・・について、ＸＹステージ１４を
移動させ、被測定用基板５、５・・のノンクリティカル
シールエリアａ、シールパスｂについて繰り返し測定を
行う。ここで、被測定用基板５、５・・の種類や、測定
箇所（測定点）に応じて、コリメータ９のコリメータ
径、検量線の切り換えを行い、種々の形態に対応できる
ようにしている。また、上記較正は、通常、較正板付き
シャッタ２３を閉塞した際に行えるようにされる。

【００２６】次に、上述した実施例による測定装置の効
果を確認するために、セラミックパッケージにおけるガ
ラス厚みにつき、その測定精度を１秒毎に１０秒間測定
し、１０秒の平均とバラツキ測定を、次の条件下で行っ
た。そして、その結果は、表１に示す通りであった。

【００２７】

【表１】

【００２８】そして、ここでのセラミックパッケージに
おけるガラス厚みの製造管理精度は、約３０μｍである
が、破壊法による測定結果（実測値）と、その厚みが３
００μｍ程度であっても殆ど誤差が認められず、十分な
精度をもって非破壊による厚み測定が行えることを確認
した。

【００２９】また、シールガラス焼成前後の厚みの差に
ついても同様の条件下で測定を行った処、表２の結果を
得た。その結果は、焼成前後における厚みの差は確認で
きなかった。ところで、Ｘ線電圧強度としては、ガラス
厚み測定としての効率面において、実験の結果、４０〜
６０ＫＶの範囲内が好ましいことが分かった。

【００３０】

【表２】

【００３１】更に、セラミックパッケージ厚みのバラツ
キの影響についても、その測定を行った。すなわち、異
なる厚みのパッケージ（基板）３種類以上のサンプルに
ついて、その厚みとＸ線カウント値の関係の検量線を、
前述した方法で作成し、基板厚み公差６０μｍに対す
るＸ線カウント変化値を計算すると、２．２％という数
値が得られ、また２．２％のＸ線カウント値変化に対
するシールガラス厚みの変化は、０．８７％であり、更
にシールガラス厚み４４０μｍのサンプルでは、３．
８μｍの誤差という結果を得た。このことより、基板厚
みのバラツキもガラス厚み管理値に比べると十分に小さ
いということが確認できた。

【００３２】ところで、本考案は、上述した実施例に限
定されるものでなく、本考案の要旨を変更しない範囲内
で変形実施できるものを含む。因みに、上述した実施例
では、ＩＣメモリ等のケース（パッケージ）に使用され
るサーディップタイプの基板におけるノンクリティカル
シールエリア（シールセンタ部）、シールパス部のガラ
ス厚み測定をする構成で説明したが、他の基板等におけ
るガラス厚みも測定できることが当然である。また、カ
セット支持材（カセット）としては、Ｘ線透過性材料で
形成したものを用いる構成としてもよい。更に、上述し
た実施例では、Ｘ線検出部として、イオンチャンバを用
いた構成で説明してたが、シンチレーションカウンタも
用いてもよい。また、較正板もシャッタに取り付けのも
のではなく、ＸＹステージ１４またはカセット支持部１
３の一部に取り付けた構成としてもよい。

【００３３】

【考案の効果】以上の説明より明らかなように、本考案
のガラス厚み測定装置によれば、Ｐｂを多く含有したガ
ラス膜を有するセラミック基板からなる被測定用基板の
ガラス厚みを測定するためのガラス厚み測定装置であっ
て、複数個の被測定用基板載置部を備え、該被測定用基
板載置部のそれぞれに被測定用基板を載置する被測定用
基板カセットを用い、またＸ線透過検出構成とし、Ｘ線
検出部にイオンチャンバまたはシンチレーションカウタ
を用い、被測定用基板配置部の被測定用基板支持部をＸ
線透過性材料またはＸ線透過孔を備えた支持部材で形成
し、かつ被測定用基板支持部をＸＹステージ上に配設
し、該被測定用基板支持部に支持された被測定用基板の
測定部位を変更できるようにしていることより、被測定
用基板を正確に位置決めすると共に、多点素矩形が容易
に行え、またガラス厚み検出精度を良好にすると共に、
その測定時間を短縮でき、かつガラス焼成前後を問わ
ず、その厚み測定をできるという効果を有する。

【００３４】従って、本考案によれば、厚み測定の作業
工程を短縮できると共に、サンプルを破壊する必要がな
く行えることより、ガラス厚みの測定・管理が高精度で
行えるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の基本構成図である。

【図２】本考案の実施例の概略構成図である。

【図３】被測定用基板の平面図である。

【図４】被測定用基板の横断面図である。

【図５】シールガラスの測定条件を説明するための被測
定用基板の概略断面図である。

【図６】被測定用基板載置カセットの平面図である。

【図７】図６ａ部分の拡大図である。

【図８】図６ｂ部分の拡大断面図である。

【図９】イオンチャンバの検出器出力と検出器への入射
Ｘ線強度の関係を示すグラフある。

【符号の説明】

１Ｘ線照射部２Ｘ線検出部３被測定用基板配置部４ガラス厚み換算測定部５被測定用基板６高電圧発生部７Ｘ線発生管球８イオンチャンバ９コリメータ１０ダスト保護板１１イオンチャンバ用の電源１２被測定用基板カセット１３カセット支持材１４ＸＹステージ１５Ｘ線透過用孔１６制御部１７Ｘ線強度カウンタ１８演算部１９操作部２０被測定用基板撮像部２１ＣＲＴ２２ＴＶモニタ２３較正板付きシャッタ２４センタ位置決め用ミラー２５撮像用カメラ２６グローボックス２７カセット取り出し扉

Claims

(57)【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】Ｐｂを多く含有したガラス膜を有するセ
ラミック基板からなる被測定用基板のガラス厚みを測定
するためのガラス厚み測定装置であって、複数個の被測
定用基板載置部を備え、該被測定用基板載置部のそれぞ
れに被測定用基板を載置する被測定用基板カセットを取
り外し自在に配置する被測定用基板配置部を介してＸ線
照射部とＸ線検出部を設け、該Ｘ線照射部とＸ線検出部
は、該Ｘ線照射部よりＸ線を該被測定用基板に照射透過
させて該Ｘ線検出部で透過Ｘ線強度を検出できる位置に
配置し、また該Ｘ線検出部に検出Ｘ線強度を計数するた
めのＸ線強度カウンタと、該Ｘ線強度カウンタで計数し
た計数値を厚みに換算する演算部を接続し、また上記被
測定用基板配置部の被測定用基板支持部をＸ線透過性材
料またはＸ線透過孔を備えた支持部材で形成し、上記Ｘ
線検出部をイオンチャンバまたはシンチレーションカウ
ンタで構成し、かつ上記被測定用基板支持部をＸＹステ
ージ上に配設し、該被測定用基板支持部に支持された被
測定用基板の測定部位を変更できるように構成し、上記
Ｘ線強度カウンタと演算部により上記被測定用基板のガ
ラス厚みを測定することを特徴とするガラス厚み測定装
置。