JP2547118B2 - Electro-optical device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は駆動用電極にそって並んだ各画素毎に画素
電極と非線形抵抗素子を有する電気光学装置に関する。The present invention relates to an electro-optical device having a pixel electrode and a non-linear resistance element for each pixel arranged along a drive electrode.
この発明は各画素電極と各画素電極毎に2n個（ｎ＝
２、３、４、…）設けられた非線形抵抗素子とを各画素
電極を間にはさむようにして各画素電極に隣接する２本
の駆動用電極と接続することにより、非線形抵抗素子の
どれかが破壊した場合には残りの非線形抵抗素子のいく
つかを短絡または切断することで、画素欠陥の救済がで
きるような電気光学装置を提供するものである。This invention has 2n pixel electrodes (n = n) for each pixel electrode.
(2, 3, 4, ...) The non-linear resistance element is connected to two driving electrodes adjacent to each pixel electrode with each pixel electrode sandwiched between the two non-linear resistance elements. The present invention provides an electro-optical device capable of relieving pixel defects by short-circuiting or disconnecting some of the remaining non-linear resistance elements when they are destroyed.
薄型、軽量、低消費電力のディスプレイパネルとし
て、液晶表示パネルは優れた特性を有しており、現在ラ
ップトップやブック型のパソコン等をはじめ多く用いら
れている。その中でアクティブマトリックス方式による
ディスプレイパネルは、表示情報量の増大化と高画質化
が可能な方法として注目を浴びている。アクティブ素子
としては、薄膜トランジスタ等を用いた三端子素子、MI
M等の非線形抵抗素子やPN接合薄膜ダイオード等に代表
される二端子素子がある。A liquid crystal display panel has excellent characteristics as a thin, lightweight, and low power consumption display panel, and is currently widely used in laptops, book-type personal computers, and the like. Among them, the display panel based on the active matrix method has attracted attention as a method capable of increasing the amount of information displayed and increasing the image quality. As an active element, a three-terminal element using a thin film transistor, MI
There are two-terminal elements such as non-linear resistance elements such as M and PN junction thin film diodes.
この中で、三端子素子は形成膜数が多いため工程は複
雑であり、歩留まりは悪く、コスト高になる欠点があ
る。また、ダイオードの場合は、耐圧が低く、静電気に
対して弱いなどの問題がある。これに対し、非線形抵抗
素子は構造が単純で、耐圧も高くできるので、低コスト
で大面積表示パネルへの応用に有利である。Among them, the three-terminal element has a number of films to be formed, so that the process is complicated, the yield is low, and the cost is high. Further, in the case of a diode, there are problems such as low withstand voltage and weakness against static electricity. On the other hand, the non-linear resistance element has a simple structure and a high withstand voltage, so that it is advantageous at low cost for application to a large-area display panel.
第２図（ａ）は非線形抵抗素子を用いた従来の電気光
学装置のＸ−Ｙマトリックスパネル回路図であり、第２
図（ｂ）は装置の構造を示す一部断面図である。行電極
（駆動用電極）21と列電極（対向電極）22は基板Ｂ及び
対向基板Ａにそれぞれ通常100から1000本程形成され
る。Ｘ−Ｙ交差部には画素電極26を有し、各画素電極26
毎に非線形抵抗層25a、25bを介しそれぞれ異なる２本の
駆動用電極21a、21bと各画素電極26を接続する非線形抵
抗素子24a、24bが設けられている。基板Ａ、Ｂ間には電
気光学材料23が保持されている。通常の液晶表示パネル
では、基板Ａ、Ｂにはガラス、対向電極22と画素電極26
にはITO、駆動用電極21はCrやAl等の金属、非線形抵抗
層25a、25bにはSiリッチな窒化シリコン膜等が用いられ
る。FIG. 2A is a circuit diagram of an XY matrix panel of a conventional electro-optical device using a nonlinear resistance element.
FIG. 1B is a partial cross-sectional view showing the structure of the device. The row electrodes (driving electrodes) 21 and the column electrodes (counter electrodes) 22 are usually formed on the substrate B and the counter substrate A by 100 to 1000 lines, respectively. A pixel electrode 26 is provided at the XY intersection, and each pixel electrode 26
Nonlinear resistance elements 24a, 24b are provided for connecting the respective two different driving electrodes 21a, 21b and the respective pixel electrodes 26 via the non-linear resistance layers 25a, 25b. An electro-optical material 23 is held between the substrates A and B. In a normal liquid crystal display panel, substrates A and B are made of glass, a counter electrode 22 and a pixel electrode 26.
Is used for ITO, a metal such as Cr or Al for the driving electrode 21, and a Si-rich silicon nitride film for the nonlinear resistance layers 25a and 25b.
この種のディスプレイパネルの駆動は次のように行
う。即ち、第２図の多数の駆動用電極21a、21bを１対ず
つ上の方から線順次に選択し、その選択期間内に対向電
極によってデータを充電する。第３図は、電気光学装置
の駆動波形を示したものであり、第３図（ａ）は第１の
駆動用電極21aへ加わる走査信号、第３図（ｂ）は第２
の駆動用電極21bへ加わる走査信号、第３図（ｃ）、
（ｄ）は対向電極22へ加わるデータ信号の波形を示して
いる。第３図（ａ）において、第１の駆動用電極21aの
電位は非選択期間においてはV0＋Aaに保たれ、選択期間
に、V0＋VoPに立ち上がる。第３図（ｂ）では、第２の
駆動用電極21bは非選択期間にV0−Vbの電位、選択期間
にV0−VOP′の電位となる。従って、１対の非線形抵抗
素子24a、24bの両端（第２図（ａ）に示す（ハ）、
（ニ）間）に加わる電圧は非選択期間にはVa＋Vb、選択
期間にはVOP＋VOP′となり、Va＋vbを充分小さく、VOP
＋VOP′を充分大きくとってやれば、非線形抵抗素子24
a、24bがスイッチとして働くようになる。また、V0は選
択期間における画素電極26の電位を示していて、VOP/V
OP′、Va/Vbの比率が等しければ、非選択期間において
も画素電極26の電位はV0を中心に動くことになる。表示
するデータは、画素電極26と対向電極22の電位差で決ま
るので、対向電極22の電位を、V0を基準にして、データ
に対応する分だけ変えてやれば、任意の表示が可能とな
り、グレースケール等も比較的容易に出せる。第３図
（ｃ）は、一列の画素の全てがONとなるときに対向電極
22へ加わるデータ信号の波形を示したもので、第３図
（ｄ）は、一列の画素のうち一個だけがONで、残りの全
てがOFFとなるときに対向電極22へ加わるデータ信号の
波形を示したものである。このような駆動方法において
は、データ信号は非線形抵抗素子24a、24bの特性と独立
しているため、素子特性にパネル面内で多少のばらつき
があったとしても、VOP＋VOP′を充分大きくとっておけ
ば、表示特性の問題なく駆動できる。Driving of this type of display panel is performed as follows. That is, the driving electrodes 21a and 21b shown in FIG. 2 are line-sequentially selected one by one from the upper side, and data is charged by the counter electrodes within the selection period. FIG. 3 shows driving waveforms of the electro-optical device. FIG. 3 (a) shows a scanning signal applied to the first driving electrode 21a, and FIG. 3 (b) shows a second scanning signal.
Scanning signal applied to the driving electrode 21b of FIG. 3 (c),
(D) shows the waveform of the data signal applied to the counter electrode 22. In FIG. 3A, the potential of the first drive electrode 21a is kept at V 0 + A a during the non-selection period and rises to V 0 + V oP during the selection period. In FIG. 3B, the second driving electrode 21b has a potential of V 0 -V b during the non-selection period and a potential of V 0 -V OP ′ during the selection period. Therefore, both ends of the pair of nonlinear resistance elements 24a and 24b ((c) shown in FIG. 2 (a),
(D) between) the applied voltage V a + V b is the non-selection period, V OP + V OP 'becomes the selection period, sufficient small V a + v b, V OP
If + V OP ′ is set sufficiently large, the nonlinear resistance element 24
a and 24b will work as switches. Further, V 0 represents the potential of the pixel electrode 26 during the selection period, and V OP / V
If OP ′ and V a / V b have the same ratio, the potential of the pixel electrode 26 moves around V 0 even in the non-selection period. Since the data to be displayed is determined by the potential difference between the pixel electrode 26 and the counter electrode 22, if the potential of the counter electrode 22 is changed by the amount corresponding to the data with reference to V 0 , any display becomes possible. Gray scales can be produced relatively easily. FIG. 3 (c) shows the counter electrode when all the pixels in one row are turned on.
FIG. 3 (d) shows the waveform of the data signal applied to 22. The waveform of the data signal applied to the counter electrode 22 when only one of the pixels in a row is ON and all the rest are OFF. Is shown. In such a driving method, since the data signal is independent of the characteristics of the non-linear resistance elements 24a and 24b, even if there is some variation in the element characteristics within the panel surface, V OP + V OP ′ is sufficiently large. In that case, it can be driven without any problem in display characteristics.
このように各画素毎にそれぞれ画素電極と各画素電極
に隣接する２本の駆動用電極とを接続する複数個の非線
形抵抗素子が設けられていたディスプレイパネルでは、
表示の大容量化と高画質化が可能となるが、一つのパネ
ル内に大量の非線形抵抗素子をつくりこむため、全ての
非線形抵抗素子が正常に動作するように作製することは
極めて困難であり、従って、画素欠陥が発生しやすく、
歩留まりを悪くする原因になっていた。In this way, in a display panel in which a plurality of nonlinear resistance elements that connect a pixel electrode and two driving electrodes adjacent to each pixel electrode are provided for each pixel,
Although it is possible to increase the display capacity and image quality, it is extremely difficult to fabricate all non-linear resistance elements to operate normally because a large number of non-linear resistance elements are built in one panel. , Therefore, pixel defects are likely to occur,
It was a cause of poor yield.
そこで本発明は、非線形抵抗素子の欠陥が発生して
も、画素欠陥とならないようにすることが可能な電気光
学装置を提供することを目的としている。Therefore, an object of the present invention is to provide an electro-optical device capable of preventing a pixel defect even if a defect of a nonlinear resistance element occurs.
本発明は上記問題点を解決するために、各画素電極毎
に非線形抵抗素子を2n個（ｎ＝２、３、４、…）設け、
それぞれｍ（２≦ｍ≦2n−２）個と2n−ｍ個の非線形抵
抗素子を介して各画素電極に隣接する２本の駆動用電極
と接続し、一方の側の非線形抵抗素子のどれかがショー
ト欠陥となった場合には他方の側の対応する非線形抵抗
素子を対応する数だけ短絡させ、一方の側の非線形抵抗
素子のどれかがオープン欠陥となった場合には他方の側
の対応する非線形抵抗素子を対応する数だけ切断するこ
とにより、双方の非線形抵抗素子群の特性のバランスを
保ち、画素欠陥とならないようにしたものである。In order to solve the above problems, the present invention provides 2n (n = 2, 3, 4, ...) Non-linear resistance elements for each pixel electrode,
One of the nonlinear resistance elements on one side is connected to two driving electrodes adjacent to each pixel electrode via m (2 ≦ m ≦ 2n−2) and 2n−m nonlinear resistance elements, respectively. In case of a short circuit defect, short-circuit the corresponding number of corresponding non-linear resistance elements on the other side, and if one of the non-linear resistance elements on one side becomes an open defect, respond to the other side. By cutting the corresponding non-linear resistance elements by the corresponding number, the balance of the characteristics of both non-linear resistance elements is maintained and no pixel defect occurs.
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図（ａ）は本発明の実施例を説明する電気光学装置の
Ｘ−Ｙマトリックスパネル回路図であり、第１図（ｂ）
は本発明の電気光学装置の非線形抵抗素子の構造を示す
平面図である。第１図において、基板上には複数個の画
素電極16と駆動用電極11a、11bが形成されている。画素
電極16の４つのコーナー部には非線形抵抗層15a、15b、
15c、15dと接続用電極17a、17b、17c、17dが形成され、
画素電極16と駆動用電極11a、11bとを２個直列の非線形
抵抗素子群14a−14b、14c−14d、14e−14f、14g−14hを
構成しながら接続している。対向電極12と画素電極16間
には電気光学材料13が保持されている。通常の液晶表示
パネルでは、対向電極12と画素電極16にはITO、接続用
電極17a、17b、17c、17dにはCrやAl等の金属、非線形抵
抗層15a、15b、15c、15dにはSiリッチな窒化シリコン膜
等、駆動用電極11a、12bにはCrやAl又はITO等が用いら
れている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 (a) is an XY matrix panel circuit diagram of an electro-optical device for explaining an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b).
FIG. 3 is a plan view showing the structure of a non-linear resistance element of the electro-optical device of the present invention. In FIG. 1, a plurality of pixel electrodes 16 and driving electrodes 11a and 11b are formed on a substrate. Non-linear resistance layers 15a, 15b are provided at the four corners of the pixel electrode 16,
15c, 15d and connection electrodes 17a, 17b, 17c, 17d are formed,
The pixel electrode 16 and the driving electrodes 11a and 11b are connected to each other while forming two nonlinear resistance element groups 14a-14b, 14c-14d, 14e-14f, and 14g-14h in series. An electro-optic material 13 is held between the counter electrode 12 and the pixel electrode 16. In a normal liquid crystal display panel, ITO is used for the counter electrode 12 and the pixel electrode 16, metal such as Cr or Al is used for the connecting electrodes 17a, 17b, 17c, 17d, and Si is used for the nonlinear resistance layers 15a, 15b, 15c, 15d. Cr, Al, ITO or the like is used for the driving electrodes 11a and 12b such as a rich silicon nitride film.
ここで、例えば非線形抵抗素子14aがショートしてい
る場合に、それが画素欠陥に結びつかないようにするこ
とを考える。まず、通常の駆動方法において画素電極16
の電位が全ての非線形抵抗素子が正常な場合の電位と変
わらないようにしなければならないが、それには画素電
極16と駆動用電極11aを接続する非線形抵抗素子群14a、
14b、14c、14dと画素電極16と駆動用電極11bを接続する
非線形抵抗素子群14e、14f、14g、14hとが対称な特性に
なればよいから、非線形抵抗素子14e、14f、14g、14hの
どれか１つをショートさせればよい。次に、非線形抵抗
素子群のスイッチング特性であるが、充電特性について
は非線形抵抗素子の直列個数が２から１へ減るため、む
しろ良くなる方向である。保持特性については、第３図
に示すVa＋Vbを充分小さくとっておけば問題はない。従
って、正常な画素と変わらない挙動を示すようになる。
また、非線形抵抗素子14aがオープンとなった場合に
は、非線形抵抗素子14e、14f、14g、14hのどれか１つを
オープンにすることにより同様の効果が得られる。ただ
し、この場合は非線形抵抗素子の並列個数が２から１へ
減るめ、充電特性が悪くならないようにVOP＋VOP′を充
分大きくとっておくことが重要である。Here, for example, when the non-linear resistance element 14a is short-circuited, it is considered that it is not connected to a pixel defect. First, in the normal driving method, the pixel electrode 16
It is necessary to keep the potential of the same as the potential when all the non-linear resistance elements are normal, which includes the non-linear resistance element group 14a connecting the pixel electrode 16 and the driving electrode 11a.
14b, 14c, 14d and the nonlinear resistance element group 14e, 14f, 14g, 14h connecting the pixel electrode 16 and the driving electrode 11b may have symmetrical characteristics, the nonlinear resistance elements 14e, 14f, 14g, 14h Just short one of them. Next, regarding the switching characteristics of the non-linear resistance element group, the charging characteristics tend to improve because the number of non-linear resistance elements in series decreases from 2 to 1. Regarding the retention characteristics, there is no problem if V a + V b shown in FIG. 3 is set to be sufficiently small. Therefore, the behavior is the same as that of a normal pixel.
When the nonlinear resistance element 14a is opened, the same effect can be obtained by opening any one of the nonlinear resistance elements 14e, 14f, 14g and 14h. In this case, however, it is important to keep V OP + V OP ′ sufficiently large so that the number of non-linear resistance elements connected in parallel is reduced from 2 to 1 and the charging characteristics are not deteriorated.
第４図（ａ）は本発明の第２の実施例を説明する電気
光学装置のＸ−Ｙマトリックスパネル回路図であり、第
４図（ｂ）は本発明の第２の実施例の非線形抵抗素子の
構造を示す平面図である。ここでは画素電極46の２つの
コーナー部に非線形抵抗層45a、45bと接続用電極47a、4
7bを形成し、画素電極46と駆動用電極41a、41bとを２個
並列の非線形抵抗素子群44a−44c、44b−44d、44e−44
g、44f−44hを介して直列に接続している。この場合
も、一方の非線形抵抗素子群のどれか１つがショートや
オープンになったら、他方の非線形抵抗素子群のどれか
１をショートやオープンにすることによって、画素欠陥
となることを防ぐことができる。FIG. 4 (a) is an XY matrix panel circuit diagram of an electro-optical device for explaining the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 (b) is a non-linear resistance of the second embodiment of the present invention. It is a top view which shows the structure of an element. Here, the nonlinear resistance layers 45a and 45b and the connection electrodes 47a and 4 are provided at two corners of the pixel electrode 46.
7b is formed, and two pixel electrodes 46 and driving electrodes 41a and 41b are arranged in parallel to form a group of nonlinear resistance elements 44a-44c, 44b-44d, 44e-44.
g, 44f-44h connected in series. Also in this case, when any one of the nonlinear resistance element groups on one side is short-circuited or open, it is possible to prevent a pixel defect by short-circuiting or opening one of the other nonlinear resistance element groups. it can.
以上の例はいずれも非線形抵抗素子の直列、並列の個
数が片側それぞれ２個ずつであったが、これ以外の非線
形抵抗素子の接続方法でも欠陥救済は可能であることは
言うまでもなく、直列接続のみ、並列接続のみでも欠陥
救済に有効である。In each of the above examples, the number of series and parallel non-linear resistance elements is two on each side, but it is needless to say that defect repair is possible with other non-linear resistance element connection methods as well. The parallel connection alone is effective for defect relief.
以上説明したように、本発明によれば各画素電極と各
画素電極毎に2n個（ｎ＝２、３、４、…）設けられた非
線形抵抗素子とを各画素電極を間にはさむようにして各
画素電極に隣接する２本の駆動用電極と接続し、一方の
側に非線形抵抗素子のどれかが破壊した場合には他方の
側の対応する非線形抵抗素子を対応する数だけ短絡また
は切断することにより、双方の非線形抵抗素子群の特性
のバランスを保ち、全ての非線形抵抗素子が正常なとき
と変わらずにデータの充電と保持ができるようにするこ
とが可能である。従って、非線形抵抗素子の欠陥が発生
しても画素欠陥とならないようにすることができる。As described above, according to the present invention, each pixel electrode and 2n (n = 2, 3, 4, ...) Non-linear resistance elements provided for each pixel electrode are sandwiched between the pixel electrodes. Connect to two driving electrodes adjacent to each pixel electrode, and if any one of the nonlinear resistance elements is broken on one side, the corresponding nonlinear resistance element on the other side is short-circuited or cut by a corresponding number. As a result, it is possible to maintain the balance of the characteristics of both the non-linear resistance elements, and to charge and hold the data without changing all the non-linear resistance elements. Therefore, even if a defect of the nonlinear resistance element occurs, it can be prevented from becoming a pixel defect.
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を説明する電気光
学装置のＸ−Ｙマトリックスパネル回路図、第１図
（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明する非線形抵抗素
子の構造を示す平面図。 第２図（ａ）は非線形抵抗素子を用いた従来の電気光学
装置のＸ−Ｙマトリックスパネル回路図、第２図（ｂ）
は非線形抵抗素子を用いた従来の電気光学装置の構造を
示す断面図。 第３図（ａ）は第１の駆動用電極へ加わる走査信号の波
形を示す図、第３図（ｂ）は第２の駆動用電極へ加わる
走査信号の波形を示す図、第３図（ｃ）は、一列の画素
の全てがONとなるときに対向電極へ加わるデータ信号の
波形を示す図、第３図（ｄ）は、一列の画素のうち一個
だけがONで、残りの全てがOFFとなるときに対向電極へ
加わるデータ信号の波形を示す図。 第４図（ａ）は本発明の第２の実施例を説明する電気光
学装置のＸ−Ｙマトリックスパネル回路図、第４図
（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明する非線形抵抗素
子の構造を示す平面図である。 Ａ……対向基板 Ｂ……基板 11、11a、11b、21、21a、21b、41、41a、41b……行電極
（駆動用電極） 12、22、42……列電極（対向電極） 13、23、43……電気光学材料（液晶） 14a、14b、14c、14e、14f、14g、14h、24a、24b、44a、
44b、44c、44d、44e、44f、44g、44h……非線形抵抗素
子 15a、15b、15c、15d、25a、25b、45a、45b……非線形抵
抗層 16、26、46……画素電極 17a、17b、17c、17d、47a、47b……接続用電極FIG. 1 (a) is an XY matrix panel circuit diagram of an electro-optical device for explaining the first embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is a nonlinear resistance for explaining the first embodiment of the present invention. The top view which shows the structure of an element. FIG. 2 (a) is an XY matrix panel circuit diagram of a conventional electro-optical device using a non-linear resistance element, and FIG. 2 (b).
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional electro-optical device using a nonlinear resistance element. FIG. 3A is a diagram showing a waveform of a scanning signal applied to the first driving electrode, FIG. 3B is a diagram showing a waveform of a scanning signal applied to the second driving electrode, and FIG. c) is a diagram showing a waveform of a data signal applied to the counter electrode when all the pixels in one row are turned on, and FIG. 3 (d) shows that only one of the pixels in the one row is turned on and all the remaining pixels are turned on. The figure which shows the waveform of the data signal added to a counter electrode when it becomes OFF. FIG. 4 (a) is an XY matrix panel circuit diagram of an electro-optical device for explaining the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 (b) is a non-linear resistance for explaining the second embodiment of the present invention. It is a top view which shows the structure of an element. A ... Counter substrate B ... Substrate 11, 11a, 11b, 21, 21a, 21b, 41, 41a, 41b ... Row electrode (driving electrode) 12, 22, 42 ... Column electrode (counter electrode) 13, 23, 43 ... Electro-optical material (liquid crystal) 14a, 14b, 14c, 14e, 14f, 14g, 14h, 24a, 24b, 44a,
44b, 44c, 44d, 44e, 44f, 44g, 44h ... Non-linear resistance elements 15a, 15b, 15c, 15d, 25a, 25b, 45a, 45b ... Non-linear resistance layers 16, 26, 46 ... Pixel electrodes 17a, 17b , 17c, 17d, 47a, 47b ... Connection electrodes
Claims (6)
た電気光学効果を有する材料、一方の基板に形成した多
数の行電極群と、他方の基板に形成した多数の列電極群
と、少なくとも一方の基板にマトリックス状に配置され
た画素電極群からなり、 一対の駆動電極を構成する第１および第２の行電極が、
行方向に隣接する画素電極群ごとにそれぞれ設けられる
とともに、第１の走査信号が前記第１の行電極に、前記
第１の走査信号とはその電位レベルを異にする第２の走
査信号が前記第２の行電極にそれぞれ与えることにより
駆動される電気光学装置において、 前記各画素電極と前記第１及び第２の行電極との間にそ
れぞれ少なくとも２つの非線形抵抗素子が並列に接続さ
れているとともに、前記各画素電極と前記第１の行電極
間にｍ（２≦ｍ≦2n−２）個の非線形抵抗素子が、前記
各画素電極と前記第２の行電極間に2n−ｍ（２≦ｍ≦2n
−２）個の非線形抵抗素子がそれぞれ設けられることに
より、前記画素電極群の各電極ごとに2n個（ｎは２以上
の整数）の非線形抵抗素子を備えたことを特徴とする電
気光学装置。1. A pair of opposing substrates, a material having an electro-optical effect sandwiched between the substrates, a large number of row electrode groups formed on one substrate, and a large number of column electrode groups formed on the other substrate. And a first and a second row electrode, which is composed of a group of pixel electrodes arranged in a matrix on at least one substrate, and which constitutes a pair of drive electrodes,
A first scanning signal is provided to each of the pixel electrode groups adjacent to each other in the row direction, and a second scanning signal having a potential level different from that of the first scanning signal is provided to the first row electrode. In the electro-optical device driven by being applied to each of the second row electrodes, at least two nonlinear resistance elements are connected in parallel between each pixel electrode and each of the first and second row electrodes. In addition, m (2 ≦ m ≦ 2n−2) nonlinear resistance elements are provided between the pixel electrodes and the first row electrodes, and 2n−m ( 2 ≦ m ≦ 2n
-2) An electro-optical device characterized in that 2n (n is an integer of 2 or more) nonlinear resistance elements are provided for each electrode of the pixel electrode group by providing each of the nonlinear resistance elements.
素子と前記第２の行電極に接続される非線形抵抗素子は
それぞれ少なくとも２個以上が直列に接続されているこ
とを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。2. A nonlinear resistance element connected to the first row electrode and at least two nonlinear resistance elements connected to the second row electrode are connected in series, respectively. The electro-optical device according to claim 1.
たは２記載の電気光学装置。3. The electro-optical device according to claim 1, wherein m = n.
の非線形抵抗素子の接続様式は同一であることを特徴と
する請求項３記載の電気光学装置。4. The electro-optical device according to claim 3, wherein the m non-linear resistance elements and the 2n-m non-linear resistance elements are connected in the same manner.
前記第２の走査信号との間の電位差は、選択期間の前記
第１の走査信号と前記第２の走査信号との間の電位差よ
りも小さいことを特徴とする請求項１から４いずれか記
載の電気光学装置。5. The potential difference between the first scanning signal and the second scanning signal in the non-selection period is the potential difference between the first scanning signal and the second scanning signal in the selection period. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is smaller than the above.
レベルを基準とする選択期間の電位レベルの極性は、前
記第２の走査信号の、非選択期間の電位レベルを基準と
する選択期間の電位レベルの極性に対して反転している
ことを特徴とする請求項５記載の電気光学装置。6. The polarity of the potential level of the first scanning signal in the non-selected period based on the potential level of the non-selected period is based on the potential level of the second scanning signal in the non-selected period. The electro-optical device according to claim 5, wherein the polarity of the potential level in the selection period is inverted.
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