JP2543638B2 - Ceramic heater - Google Patents
Ceramic heaterInfo
- Publication number
- JP2543638B2 JP2543638B2 JP3262300A JP26230091A JP2543638B2 JP 2543638 B2 JP2543638 B2 JP 2543638B2 JP 3262300 A JP3262300 A JP 3262300A JP 26230091 A JP26230091 A JP 26230091A JP 2543638 B2 JP2543638 B2 JP 2543638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- ceramic
- heating element
- resistance heating
- lump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、減圧
ＣＶＤ、プラズマエッチング、光エッチング装置等に好
適に使用されるセラミックスヒーターに関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic heater suitable for use in plasma CVD, low pressure CVD, plasma etching, photoetching equipment and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】スーパークリーン状態を必要とする半導
体製造用装置では、デポジション用ガス、エッチング用
ガス、クリーニング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガ
ス等の腐食性ガスが使われている。このため、ウエハー
をこれらの腐食性ガスに接触させた状態で加熱するため
の加熱装置として、抵抗発熱体の表面をステンレススチ
ール、インコネル等の金属により被覆した従来のヒータ
ーを使用すると、これらのガスの曝露によって、塩化
物、酸化物、弗化物等の粒径数μmの、好ましくないパ
ーティクルが発生する。2. Description of the Related Art Corrosive gases such as chlorine gas and fluorine gas are used as a deposition gas, an etching gas, and a cleaning gas in a semiconductor manufacturing apparatus requiring a super clean state. Therefore, if a conventional heater in which the surface of the resistance heating element is coated with a metal such as stainless steel or Inconel is used as a heating device for heating the wafer in contact with these corrosive gases, these gases are used. The exposure to the above-mentioned causes the generation of undesired particles such as chlorides, oxides and fluorides having a particle diameter of several μm.
【０００３】そこで、デポジション用ガス等に曝露され
る容器の外側に赤外線ランプを設置し、容器外壁に赤外
線透過窓を設け、グラファイト等の耐食性良好な材質か
らなる被加熱体に赤外線を放射し、被加熱体の上面に置
かれたウエハーを加熱する、間接加熱方式のウエハー加
熱装置が開発されている。ところがこの方式のものは、
直接加熱式のものに比較して熱損失が大きいこと、温度
上昇に時間がかかること、赤外線透過窓へのＣＶＤ膜の
付着により赤外線の透過が次第に妨げられ、赤外線透過
窓で熱吸収が生じて窓が加熱すること等の問題があっ
た。[0003] Therefore, an infrared lamp is installed outside the container exposed to the deposition gas or the like, an infrared transmission window is provided on the outer wall of the container, and infrared rays are radiated to a heated body made of a material having good corrosion resistance such as graphite. A wafer heating apparatus of an indirect heating method for heating a wafer placed on an upper surface of an object to be heated has been developed. However, in this method,
Compared to the direct heating type, the heat loss is large, the temperature rise takes a long time, the infrared ray transmission is gradually blocked by the adhesion of the CVD film to the infrared ray transmitting window, and the infrared ray transmitting window absorbs heat. There was a problem such as the window heating.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記の問題を解決する
ため、本発明者等は、新たに円盤状の緻密質セラミック
ス内に抵抗発熱体を埋設し、このセラミックスヒーター
をグラファイトのケースに保持した加熱装置について検
討した。その結果この加熱装置は、上述のような問題点
を一掃した極めて優れた装置であることが判明した。In order to solve the above problems, the present inventors newly embedded a resistance heating element in a disc-shaped dense ceramic, and held this ceramic heater in a graphite case. The heating device was examined. As a result, this heating device was found to be an extremely excellent device that eliminated the above-mentioned problems.
【０００５】しかし、このセラミックスヒーターを実際
の半導体装置に使用するには、未だ問題が残されている
ことが解った。例えば、実公昭60−30611 号等に開示さ
れている窒化珪素製のグロープラグ用ヒーター等では、
電極部分は500 ℃以下の大気中に配置されており、線状
の抵抗発熱体端子と電極ケーブルとを銀ろうによって接
合し、電気的に導通させている。即ち、加熱部分は高温
であったとしても、ヒーターの電極部分は温度の低い容
器外に設けることが可能であった。However, it has been found that there is still a problem in using the ceramic heater in an actual semiconductor device. For example, in a glow plug heater made of silicon nitride, which is disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 60-30611, etc.,
The electrode part is placed in the atmosphere of 500 ° C. or lower, and the linear resistance heating element terminal and the electrode cable are joined by silver brazing to make them electrically conductive. That is, even if the heated portion was at a high temperature, the electrode portion of the heater could be provided outside the container having a low temperature.
【０００６】しかしながら、上記のセラミックスヒータ
ーでは、抵抗発熱体をセラミックス粉体内に入れてプレ
ス成形するため、円盤状等の単純形状としなければなら
ず、焼成段階でもホットプレス焼成するので同様であ
る。しかも、焼成後の焼成体表面には黒皮といわれる焼
成変質層があり、加工によりこの変質層を除去する必要
がある。このとき、ダイヤモンド砥石による研削加工が
必要であり、複雑な形状であるとコストが上がる。この
ように、抵抗体を埋設したセラミックスヒーターでは、
製造上の困難さから円盤状等の単純形状としなければな
らない。こうしたことから、抵抗発熱体の端子部分を容
器外に出すことができず、必然的に、抵抗発熱体と電力
供給用ケーブルとの接続部分が、高温と腐食性ガスとに
対して繰り返し曝されることになる。However, in the above-mentioned ceramic heater, since the resistance heating element is put into the ceramic powder and press-molded, a simple shape such as a disk shape is required, and the same is true because hot-press firing is performed in the firing step. In addition, there is a fired altered layer called black skin on the surface of the fired body after firing, and it is necessary to remove this altered layer by processing. At this time, a grinding process with a diamond grindstone is necessary, and a complicated shape increases cost. In this way, in the ceramic heater with the resistor embedded,
A simple shape such as a disk shape must be used because of manufacturing difficulties. For this reason, the terminal portion of the resistance heating element cannot be taken out of the container, and inevitably the connection portion between the resistance heating element and the power supply cable is repeatedly exposed to high temperature and corrosive gas. Will be.
【０００７】本発明の課題は、半導体製造装置等のよう
な高温、腐食性ガスを使用する装置において、装置内の
汚染や熱効率の低下を防止でき、しかも抵抗発熱体と電
力供給ケーブルとの結合部分が耐久性、信頼性に優れた
セラミックスヒーターを提供することである。An object of the present invention is to prevent contamination in the device and deterioration of thermal efficiency in a device using high temperature and corrosive gas such as a semiconductor manufacturing device, and moreover, to combine a resistance heating element and a power supply cable. Part is to provide a ceramics heater with excellent durability and reliability.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、緻密なセラミ
ックス基体と；セラミックス基体の内部に埋設され、一
体焼結された、高融点金属製の直径２．０ｍｍ以下の線
体からなる抵抗発熱体と；抵抗発熱体に対して電気的に
接続された柱状のバルク金属からなる塊状端子であっ
て、セラミックス基体に埋設および一体焼結されてお
り、塊状端子の底面および側周面がセラミックス基体に
対して密着しており、塊状端子の一つの表面が露出して
いる塊状端子とを備えており、前記塊状端子の径が３．
０ｍｍ以上であり、セラミックス基体の熱膨張率以上の
熱膨張率を有する高融点金属によって塊状端子が形成さ
れていることを特徴とする、セラミックスヒーターに係
るものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention relates to a resistance heating comprising a dense ceramic substrate; a wire body made of a high melting point metal and having a diameter of 2.0 mm or less, which is embedded in the ceramic substrate and integrally sintered. And a body; a massive terminal made of a columnar bulk metal electrically connected to the resistance heating element, which is embedded in and integrally sintered with a ceramic substrate, and the bottom surface and side peripheral surface of the massive terminal are the ceramic substrate. And a lumped terminal in which one surface of the lumped terminal is exposed, and the diameter of the lumped terminal is 3.
The present invention relates to a ceramic heater characterized in that a lumped terminal is formed of a refractory metal having a coefficient of thermal expansion of 0 mm or more and a coefficient of thermal expansion of the ceramic substrate or higher.
【０００９】[0009]
【実施例】まず、セラミックスヒーター全体の構成例に
ついて説明する。図６はセラミックスヒーターを熱ＣＶ
Ｄ装置へと取りつけた状態を示す断面図である。40は半
導体製造用ＣＶＤに使用される容器、10はその内部のケ
ース50に取付けられたウエハー加熱用の円盤状のセラミ
ックスヒーターであり、ウエハー加熱面16の大きさは４
〜８インチとしてウエハーを設置可能なサイズとしてお
く。EXAMPLES First, a structural example of the entire ceramic heater will be described. Figure 6 shows a ceramic heater with thermal CV
It is sectional drawing which shows the state attached to the D apparatus. Reference numeral 40 is a container used for CVD for semiconductor production, 10 is a disk-shaped ceramics heater for heating a wafer, which is attached to a case 50 inside the container, and the size of the wafer heating surface 16 is 4
The size is set to 8 inches and the size of the wafer can be set.
【００１０】容器40の内部にはガス供給孔27から熱ＣＶ
Ｄ用のガスが供給され、吸引孔28から真空ポンプにより
内部の空気が排出される。円盤状セラミックスヒーター
10は、緻密でガスタイトな円盤状セラミックス基体７の
内部に抵抗発熱体８をスパイラル状に埋設したものであ
る。Inside the container 40, heat CV is supplied from the gas supply hole 27.
The gas for D is supplied, and the air inside is discharged from the suction hole 28 by the vacuum pump. Disk-shaped ceramic heater
Reference numeral 10 is a dense and gas-tight disk-shaped ceramic substrate 7 in which a resistance heating element 8 is embedded in a spiral shape.
【００１１】20はケース50の上面を覆う水冷ジャケット
19付きのフランジであり、Ｏリング26により容器40の側
壁との間がシールされ、容器40の天井面が構成されてい
る。18はこのような容器40のフランジ20の壁面を貫通し
て容器40の内部へと挿入された中空シースであり、セラ
ミックスヒーター10に接合されている。中空シース18の
内部に、ステンレスシース付きの熱電対17が挿入されて
いる。中空シース18と容器40のフランジ20との間にはＯ
リングを設け、大気の侵入を防止している。Reference numeral 20 denotes a water cooling jacket that covers the upper surface of the case 50.
It is a flange with 19, and the O-ring 26 seals the space between the side wall of the container 40 and the ceiling surface of the container 40. Reference numeral 18 denotes a hollow sheath that is inserted into the inside of the container 40 by penetrating the wall surface of the flange 20 of the container 40, and is joined to the ceramic heater 10. Inside the hollow sheath 18, a thermocouple 17 with a stainless sheath is inserted. There is an O between the hollow sheath 18 and the flange 20 of the container 40.
A ring is provided to prevent air from entering.
【００１２】線体からなる抵抗発熱体８の末端には、後
述する柱状の塊状端子１が接合される。電力供給ケーブ
ル11の末端には端子６が設けられており、この端子６と
柱状端子１とが、後述するように結合されている。この
電力供給ケーブル11を介して外部から電力を供給し、円
盤状セラミックスヒーター10を、例えば最高1100℃まで
加熱できるようにする。A columnar massive terminal 1 described later is joined to the end of the resistance heating element 8 made of a wire. A terminal 6 is provided at the end of the power supply cable 11, and the terminal 6 and the columnar terminal 1 are connected as described later. Electric power is externally supplied via the power supply cable 11 so that the disk-shaped ceramics heater 10 can be heated up to, for example, 1100 ° C.
【００１３】次いで、塊状端子１の構成につき、図１〜
図５を用いて説明する。本実施例は、塊状端子１と抵抗
発熱体８とを、いわゆるかしめ圧着によって接合するも
のである。即ち、まず図３、図４に示すような塊状端子
１を用意する。この塊状端子は、高融点金属から形成さ
れ、円柱状の本体1aと円筒状の圧着部1bとからなる。Next, the structure of the block-shaped terminal 1 will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. In this embodiment, the block-shaped terminal 1 and the resistance heating element 8 are joined together by so-called crimping and crimping. That is, first, the lump terminals 1 as shown in FIGS. 3 and 4 are prepared. This massive terminal is made of a refractory metal, and is composed of a cylindrical main body 1a and a cylindrical crimp portion 1b.
【００１４】この圧着部1b内の空間２に抵抗発熱体８の
端部8aを挿入し、図３に矢印Ｂで示すように、円筒状圧
着部1bに圧力を加え、圧着部1bを一点鎖線で示すように
変形させ、発熱体端部8aを固定する。このかしめ工程に
おいては、塊状端子１を800℃以上の高温でガス還元雰
囲気下に加熱することが好ましい。The end portion 8a of the resistance heating element 8 is inserted into the space 2 inside the crimping portion 1b, and pressure is applied to the cylindrical crimping portion 1b as indicated by an arrow B in FIG. The heating element end portion 8a is fixed by deforming as shown by. In this caulking step, it is preferable to heat the lump terminals 1 at a high temperature of 800 ° C. or higher in a gas reducing atmosphere.
【００１５】次いで、塊状端子１をセラミックス成形体
中に埋設し、このセラミックス成形体を焼成してセラミ
ックス基体７を製造し、この基体７の背面９側を研削加
工して図５に示すように塊状端子１の端面５を露出させ
る。塊状端子には雌ネジ３を設けるが、セラミックス成
形体中に埋設する前に雌ネジ３を設けてもよい。Next, the lump terminals 1 are embedded in a ceramic molded body, and the ceramic molded body is fired to manufacture a ceramic base body 7. The back surface 9 side of the base body 7 is ground and processed as shown in FIG. The end surface 5 of the block-shaped terminal 1 is exposed. Although the female screw 3 is provided on the lump-shaped terminal, the female screw 3 may be provided before being embedded in the ceramic molded body.
【００１６】この状態で、図３においてＩ−Ｉ線断面に
沿ってみると図１に示すように圧着部1bがつぶれてお
り、II−II線断面に沿ってみると図２に示すように圧着
部1bが拡がっている。抵抗発熱体端部8aと圧着部1bと
は、いわゆるかしめ圧着構造によって接合される。雌ね
じ３には、端子６の雄ネジ6aを螺合する。In this state, the crimp portion 1b is crushed as shown in FIG. 1 when viewed along the line II in FIG. 3, and as shown in FIG. 2 when viewed along the line II-II. The crimp portion 1b is expanded. The resistance heating element end portion 8a and the crimping portion 1b are joined by a so-called caulking crimping structure. The male screw 6a of the terminal 6 is screwed into the female screw 3.
【００１７】また、本発明に従い、塊状端子１は、セラ
ミックス基体７の熱膨張率よりも大きい熱膨張率を有す
る高融点金属によって形成する。セラミックス基体７の
材質としては、窒化アルミニウム、サイアロン、窒化珪
素等のセラミックスが好ましい。特に、本発明者の研究
によると、半導体製造装置用のセラミックスヒーターの
場合には、窒化アルミニウムを基材とするのが好ましい
ことが解った。即ち、半導体製造装置で使用するClF3等
のハロゲン系腐食性ガスに対して、窒化アルミニウムが
非常に良好な耐蝕性を有していることが判明したからで
ある。Further, according to the present invention, the lump terminals 1 are formed of a refractory metal having a coefficient of thermal expansion larger than that of the ceramic substrate 7. As the material of the ceramic base 7, ceramics such as aluminum nitride, sialon, and silicon nitride are preferable. In particular, according to the research conducted by the present inventor, it has been found that it is preferable to use aluminum nitride as a base material in the case of a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus. That is, it was found that aluminum nitride has very good corrosion resistance to halogen-based corrosive gases such as ClF 3 used in semiconductor manufacturing equipment.
【００１８】以下、本発明において、好適に使用出来る
緻密質セラミックスと、塊状端子１及び抵抗発熱体８に
使用できる高融点金属との熱膨張率を示す。 タングステン 4.35×10-6／℃ モリブデン 5.20×10-6／℃ ニオブ 7.31×10-6／℃ タンタル 6.5 ×10-6／℃ レニウム 6.70×10-6／℃ ロジウム 8.30×10-6／℃ イリジウム 6.8 ×10-6／℃ オスミウム 4.6 ×10-6／℃ 窒化アルミニウム 4.50×10-6／℃ サイアロン 3.20×10-6／℃ 窒化珪素 3.0 ×10-6／℃The thermal expansion coefficients of the dense ceramics that can be preferably used in the present invention and the high melting point metal that can be used for the lump terminals 1 and the resistance heating element 8 will be shown below. Tungsten 4.35 × 10 -6 / ℃ Molybdenum 5.20 × 10 -6 / ℃ Niobium 7.31 × 10 -6 / ℃ Tantalum 6.5 × 10 -6 / ℃ Rhenium 6.70 × 10 -6 / ℃ Rhodium 8.30 × 10 -6 / ℃ Iridium 6.8 × 10 -6 / ℃ Osmium 4.6 × 10 -6 / ℃ Aluminum nitride 4.50 × 10 -6 / ℃ Sialon 3.20 × 10 -6 / ℃ Silicon nitride 3.0 × 10 -6 / ℃
【００１９】本実施例のセラミックスヒーターによれ
ば、従来の金属ヒーターの場合のような汚染や、間接加
熱方式の場合のような熱効率の悪化の問題を解決でき
る。According to the ceramics heater of this embodiment, it is possible to solve the problems such as the contamination as in the case of the conventional metal heater and the deterioration of the thermal efficiency as in the case of the indirect heating method.
【００２０】そして、半導体製造装置においては、各種
の腐食性ガスを使用するので、ヒーター背面９側へと腐
食性ガスが不可避的に侵入する。このため、塊状端子１
と端子６との結合部分は、高温への加熱と冷却とに繰り
返し曝される。このような激しい条件下では、例えば通
常のろう付けなどでは、結合部分が急速に劣化する。し
かし、この点、本実施例では塊状端子１と端子６との間
をネジにより結合してあるので、腐食性ガスや熱による
結合部分の劣化を防止でき、ヒーターの耐久性、信頼性
を向上させることができる。Since various corrosive gases are used in the semiconductor manufacturing apparatus, the corrosive gas inevitably enters the heater back surface 9 side. Therefore, the block terminal 1
The joint between the terminal 6 and the terminal 6 is repeatedly exposed to heating to high temperature and cooling. Under such severe conditions, for example, in ordinary brazing, the joint portion deteriorates rapidly. However, in this respect, since the lump terminals 1 and 6 are connected by screws in this embodiment, deterioration of the joint portion due to corrosive gas or heat can be prevented, and the durability and reliability of the heater can be improved. Can be made.
【００２１】しかも、ここで従来の例えばグロープラグ
用ヒーターの場合のような線状の端子ではなく、金属バ
ルク体からなる柱状の塊状端子を用いたことが重要であ
って、これにより露出面５の形状を円形とし、またその
面積を大きくし、端子に雌ネジを設けることが可能とな
ったのである。例えば本実施例のようにネジ切り法を採
用する場合、露出面５の大きさは例えば径５mmとし、本
体1aの長さは例えば８mmとする。また、圧着部1bは、例
えば外径３mm、内径２mm、長さ３mmの薄肉円筒状とし、
例えば径0.4 mmのタングステン製抵抗体ワイヤを接合す
る。このような塊状の端子を用いることで、耐熱、耐腐
食性の電極結合を形成することが可能となったのであ
る。In addition, it is important to use columnar massive terminals made of a metal bulk body instead of the linear terminals used in the conventional heater for glow plugs. It was possible to provide a female screw on the terminal by making the shape of the circle circular and increasing its area. For example, when the threading method is adopted as in this embodiment, the size of the exposed surface 5 is, for example, 5 mm in diameter, and the length of the main body 1a is, for example, 8 mm. The crimping portion 1b has a thin cylindrical shape with an outer diameter of 3 mm, an inner diameter of 2 mm and a length of 3 mm,
For example, a tungsten resistance wire with a diameter of 0.4 mm is bonded. By using such a lump-shaped terminal, it becomes possible to form a heat-resistant and corrosion-resistant electrode bond.
【００２２】更に、セラミックス基体７の熱膨張率より
も大きい熱膨張率を有する高融点金属によって、塊状端
子１が形成されていることが重要である。この理由につ
いて説明する。Further, it is important that the massive terminal 1 is formed of a high melting point metal having a coefficient of thermal expansion higher than that of the ceramic base 7. The reason for this will be described.
【００２３】本発明者は、実際に図１〜図６に示したよ
うなセラミックスヒーター10を作製してみた。ただし、
セラミックス基体７は窒化アルミニウムによって形成
し、抵抗発熱体８として、コイル状に巻回された直径0.
4 mmのタングステン製ワイヤーを用いた。塊状端子１の
本体部分はタングステンによって形成し、その外形は、
直径５mm、長さ８mmの円柱状とした。ところが、セラミ
ックス基体用の成形体の所定位置に塊状端子１を埋設
し、この成形体を焼成させると、この焼成後の冷却時
に、塊状端子１の周りにクラックが発生することが解っ
た。The present inventor actually manufactured a ceramic heater 10 as shown in FIGS. However,
The ceramic base 7 is made of aluminum nitride, and the resistance heating element 8 is wound into a coil and has a diameter of 0.
A 4 mm tungsten wire was used. The main body of the block-shaped terminal 1 is made of tungsten, and its outer shape is
A cylindrical shape having a diameter of 5 mm and a length of 8 mm was used. However, it has been found that when the lump terminals 1 are embedded in a predetermined position of a molded body for a ceramic substrate and the molded body is baked, cracks are generated around the lump terminals 1 during cooling after the baking.
【００２４】特に、図７に示すように、塊状端子１を縦
方向に切った断面でみると、塊状端子１の外形輪郭が折
れ曲っている部分でクラック21が発生した。また、図８
に示すようにヒーター背面９側から平面的にみると、平
面真円形の塊状端子１の外周縁から外へと向って、クラ
ック21が放射状に延びていた。ところが、抵抗発熱体８
の周囲には、このようなクラックは発生しなかった。In particular, as shown in FIG. 7, when the bulk terminal 1 is viewed in a vertical section, a crack 21 is generated at a portion where the outer contour of the bulk terminal 1 is bent. Also, FIG.
When viewed in plan from the heater back surface 9 side as shown in FIG. 3, cracks 21 radially extended outward from the outer peripheral edge of the planar terminal having a circular shape. However, the resistance heating element 8
No such cracks were formed around the.
【００２５】そこで、本発明者は更に詳しく検討を進
め、塊状端子を構成する高融点金属の熱膨張率が窒化ア
ルミニウムの熱膨張率よりも大きければ、セラミックス
基体７にクラツクが発生しないことを発見した。これ
は、焼成後におけるセラミックス基体７の熱収縮量と、
塊状端子１の熱収縮量との関係によるものと考えられ
る。Therefore, the present inventor has made further detailed studies and found that if the coefficient of thermal expansion of the refractory metal forming the lumped terminals is larger than that of aluminum nitride, cracking does not occur in the ceramic substrate 7. did. This is the amount of heat shrinkage of the ceramic substrate 7 after firing,
It is considered that this is due to the relationship with the heat shrinkage amount of the lump terminals 1.
【００２６】更に、抵抗発熱体の周囲にクラックが発生
しない理由についても検討した。そして、埋設物を構成
する高融点金属の熱膨張率が窒化アルミニウムの熱膨張
率よりも小さい場合であっても、この円柱状埋設物の直
径が2.0 mm以下であれば、クラックは発生しないことが
解った。。抵抗発熱体８の直径は、上記の実施例では0.
4 mmであるし、0.8mm 以下が好ましい。このように、抵
抗発熱体の直径が2.0mm以下なら、抵抗発熱体８の周囲
にはクラックは発生しないのである。このように、埋設
物の寸法がクラックの有無に影響することは意外な面も
あり、その理由は明らかではない。Furthermore, the reason why cracks do not occur around the resistance heating element was also examined. And, even if the thermal expansion coefficient of the refractory metal constituting the buried object is smaller than the thermal expansion coefficient of aluminum nitride, if the diameter of the cylindrical buried object is 2.0 mm or less, cracks will not occur. I understand. . The diameter of the resistance heating element 8 is 0 in the above embodiment.
It is 4 mm and preferably 0.8 mm or less. Thus, if the resistance heating element has a diameter of 2.0 mm or less, no cracks are generated around the resistance heating element 8. In this way, there is an unexpected aspect that the size of the buried object affects the presence or absence of cracks, and the reason for this is not clear.
【００２７】窒化アルミニウム中に種々の寸法、材質の
埋設物を埋め込んで、クラック発生の有無を確認してい
るので、その実験結果について述べておく。下記の材
質、形状、寸法をそれぞれ有する各埋設物を、５重量％
Y2O3を添加した窒化アルミニウム成形体内に埋設し、19
00℃で２時間焼成し、放冷して、クラック発生の有無を
調べた。Since the presence or absence of cracks was confirmed by embedding embedded objects of various sizes and materials in aluminum nitride, the experimental results will be described. 5% by weight of each buried object having the following material, shape, and size
Embedded in a molded aluminum nitride body with Y 2 O 3 added,
It was baked at 00 ° C. for 2 hours, allowed to cool, and examined for cracks.
【００２８】 No. 材 質 形 状 寸法（mm） １ Ｗ コイル状のワイヤー 直径 0.4 ２ 〃 〃 直径 1.0 ３ 〃 塊状端子１ 直径 3.0, 長さ ５ ４ 〃 〃 直径 5.0, 長さ ８ ５ Mo 〃 〃 〃 ６ Nb 〃 〃 〃 ７ Ta 〃 〃 〃 ８ Re 〃 〃 〃 ９ Rh 〃 〃 〃 10 Ir 〃 〃 〃 11 Os 〃 〃 〃 ただし、試料No. ３〜11において、寸法の欄で示した値
は、塊状端子１のうち円柱状の本体1aの寸法である。No. Material Material Dimensions (mm) 1 W Coiled wire diameter 0.4 2 〃 〃 Diameter 1.0 3 〃 Bulk terminal 1 Diameter 3.0, Length 5 4 〃 〃 Diameter 5.0, Length 85 5 Mo 〃 〃 6 Nb 〃 〃 〃 7 Ta 〃 〃 〃 8 Re 〃 〃 〃 9 Rh 〃 〃 〃 10 Ir 〃 〃 〃 11 〃 3 〃 11 〃 11 〃 It is the size of the cylindrical main body 1a of the lump-shaped terminal 1.
【００２９】上記において、試料No.1, 2, 5, 7, 8, 1
0, 11においては、クラックは発生せず、埋設物と窒化
アルミニウムとの密着不良も生じなかった。また、試料
No. ３では基体に微小クラックが発生した。これは、円
柱状の本体1aの直径が3.0 mmであるので、タングステン
の熱膨張率がセラミックス基体のそれよりも若干小さい
ことが影響したものである。試料No. ４では、クラック
が発生した。試料No.６ではニオブを用い、試料No. ９
ではロジウムを使用しているが、共に、円柱状の本体と
セラミックス基体との間に明らかな密着不良が生じた。In the above, sample Nos. 1, 2, 5, 7, 8, 1
In Nos. 0 and 11, cracks did not occur, and no poor adhesion between the buried object and aluminum nitride occurred. Also, the sample
In No. 3, microcracks were generated in the substrate. This is because the cylindrical main body 1a has a diameter of 3.0 mm, so that the coefficient of thermal expansion of tungsten is slightly smaller than that of the ceramic substrate. In sample No. 4, cracks occurred. Sample No. 6 uses niobium, and Sample No. 9
Although rhodium is used in both, a clear adhesion failure occurred between the cylindrical main body and the ceramic substrate.
【００３０】ただ、上記試料No. ５においても、顕微鏡
で観察すると、モリブデン製の円柱状の本体と窒化アル
ミニウムとの間で若干の隙間を確認できる。このため、
次にモリブデン20％、タングステン80％の合金を準備
し、この合金で長さ８mm、直径5.0 mmの本体を作製し
た。この合金の線熱膨張率は4.95×10-6／℃であった。
この場合は、顕微鏡写真によっても、円柱状の本体と窒
化アルミニウムとの間に、隙間は観察されなかった。However, also in the above sample No. 5, a slight gap can be confirmed between the columnar body made of molybdenum and the aluminum nitride when observed with a microscope. For this reason,
Next, an alloy containing 20% molybdenum and 80% tungsten was prepared, and a main body having a length of 8 mm and a diameter of 5.0 mm was prepared from this alloy. The linear thermal expansion coefficient of this alloy was 4.95 × 10 −6 / ° C.
In this case, no gap was observed between the columnar body and the aluminum nitride even in the micrograph.
【００３１】また、上記試料No. ６、No. ９において
は、塊状端子１とこれに接続されたコイル状のワイヤー
（即ち、抵抗発熱体８）との間に、接続破断が生じてい
た。これに対し、モリブデン20％、タングステン80％の
合金によって円柱状体を形成した場合には、室温からの
昇温、1000℃で１時間保持、室温への降温を１サイクル
として、これを1000サイクル繰り返して行っても、電気
的接続の不良、破断等は全く生じないことを確認した。Further, in the samples No. 6 and No. 9, the connection break occurred between the lump terminal 1 and the coil wire (that is, the resistance heating element 8) connected to the lump terminal 1. On the other hand, when a columnar body is formed from an alloy of 20% molybdenum and 80% tungsten, the temperature is raised from room temperature, kept at 1000 ° C for 1 hour, and cooled to room temperature as 1 cycle. It was confirmed that even if repeated, no electrical connection failure or breakage occurred.
【００３２】抵抗発熱体８の材質としても、前出の表に
掲示したような各高融点金属を使用できる。ただし、既
述したように、抵抗発熱体８の直径が2.0 mm以下であれ
ば、抵抗発熱体８をタングステンで形成してもセラミッ
クス基体７にクラックは発生しなかった。従って、この
寸法の範囲内であれば、抵抗発熱体８をタングステンで
形成することがより好ましい。例えばモリブデンによっ
て抵抗発熱体８を形成すると、これを高温に発熱させた
ときに、抵抗発熱体８内部で金属粒子の成長が起こり、
抵抗発熱体８が脆くなって断線するおそれがあるからで
ある。As the material of the resistance heating element 8, each refractory metal as listed in the above table can be used. However, as described above, if the resistance heating element 8 had a diameter of 2.0 mm or less, no crack was generated in the ceramic substrate 7 even if the resistance heating element 8 was made of tungsten. Therefore, it is more preferable that the resistance heating element 8 is made of tungsten within the range of this dimension. For example, when the resistance heating element 8 is formed of molybdenum, when it is heated to a high temperature, metal particles grow inside the resistance heating element 8,
This is because the resistance heating element 8 may become brittle and break.
【００３３】次に、図１〜図６に示す実施例において、
塊状端子１の特殊な形状に由来する効果について述べ
る。前述したように、塊状端子１の一方が、セラミック
ス基体７よりも熱膨張率が大きい。従って、セラミック
ス基体７を焼成した後、冷却する間で、塊状端子１の収
縮量の方がセラミックス基体７の収縮量よりも大きい。
このため、本体1aとセラミックス基体７との間に、若干
隙間が生ずる場合もある。前記したように、Mo−Ｗ合金
などで塊状端子１を形成すれば問題は少ないが、本体1a
とセラミックス基体７との間隙が大きい場合に、圧着部
1bがないものとすると、塊状端子が脱落することも考え
られる。この点、本実施例では、圧着部1bによって本体
1aがセラミックス基体７内に係止されるので、塊状端子
１が脱落するようなおそれはない。Next, in the embodiment shown in FIGS.
The effect derived from the special shape of the lump terminal 1 will be described. As described above, one of the lump terminals 1 has a larger coefficient of thermal expansion than the ceramic base 7. Therefore, the amount of shrinkage of the lump terminals 1 is greater than the amount of shrinkage of the ceramic base 7 during the cooling after firing the ceramic base 7.
Therefore, there may be a slight gap between the main body 1a and the ceramic base 7. As described above, if the lumped terminal 1 is formed of Mo-W alloy or the like, there are few problems, but the main body 1a
If the gap between the ceramic base and
If there is no 1b, the lumped terminals may fall off. In this regard, in the present embodiment, the main body is
Since 1a is locked in the ceramic base 7, there is no risk that the lumped terminal 1 will fall off.
【００３４】また、圧着部1bがないものとすると、セラ
ミックス基体７と本体1aとの熱膨張率差がかなり大きい
場合には、上記したように両者の間に間隙が生じ、塊状
端子が揺動する。この揺動によって、脆い抵抗発熱体８
が引っ張られるので、これにより抵抗発熱体８が断線す
るおそれもある。更には、本体1aとセラミックス基体７
との間隙から、ＣＶＤ装置内の腐食性ガスが侵入し、抵
抗体８を直接腐食するおそれもある。この場合は、塊状
端子と抵抗発熱体８との導電性が悪化する。Further, assuming that there is no crimp portion 1b, when the difference in the coefficient of thermal expansion between the ceramic substrate 7 and the main body 1a is quite large, a gap is generated between the two as described above, and the block terminal swings. To do. Due to this swing, the resistance heating element 8 which is brittle
Is pulled, the resistance heating element 8 may be broken. Furthermore, the main body 1a and the ceramic base 7
The corrosive gas in the CVD device may enter through the gap between and to directly corrode the resistor 8. In this case, the conductivity between the lump terminals and the resistance heating element 8 deteriorates.
【００３５】この点、図２に示すように、圧着部1bと本
体1aとの間の領域で塊状端子１とセラミックス基体７と
の間に、後述する焼成嵌めによる圧着面12を形成した点
が重要である。即ち、セラミックス成形体に塊状端子１
を埋設する段階で、本体1aと圧着部1bとの間にも成形材
料が進入する。そしてこの成形体を焼成すると、焼成後
の冷却段階において、耐熱金属製の塊状端子１の熱収縮
の方がセラミックス基体７の熱収縮よりも大きいので、
矢印Ａに示すような圧縮応力が働き、圧着面12が形成さ
れる。本発明者は、ここでこの固定法を焼成嵌めと呼
ぶ。このように、焼成嵌めによる圧着面12を形成するこ
とで、塊状端子１が揺動することがなくなる。In this respect, as shown in FIG. 2, a crimping surface 12 formed by firing fitting, which will be described later, is formed between the block-shaped terminal 1 and the ceramic substrate 7 in the region between the crimping portion 1b and the main body 1a. is important. That is, the block terminals 1 are attached to the ceramic molded body.
At the stage of burying, the molding material also enters between the main body 1a and the crimping portion 1b. When this molded body is fired, the heat shrinkage of the lump-shaped terminal 1 made of the heat-resistant metal is larger than that of the ceramic base body 7 in the cooling step after firing.
Compressive stress as indicated by arrow A acts to form the crimping surface 12. The inventor herein refers to this fixing method as a firing fit. As described above, by forming the crimping surface 12 by firing fitting, the lumped terminal 1 does not swing.
【００３６】また、圧着部1b内の空間２にもセラミック
ス成形材料が進入するため、上記と同様に焼成嵌めによ
る圧着面が形成され、この圧着面によりセラミックス基
体７との間が気密にシールされる。従って、塊状端子１
と抵抗発熱体８の接触部33が腐食性ガスに曝されないの
で、この接触部33での導通性の悪化・不良を防止でき
る。Further, since the ceramic molding material also enters the space 2 in the pressure-bonding portion 1b, a pressure-bonding surface by firing fitting is formed in the same manner as described above, and this pressure-bonding surface hermetically seals the ceramic base 7. It Therefore, the block terminal 1
Since the contact portion 33 of the resistance heating element 8 is not exposed to the corrosive gas, it is possible to prevent deterioration or failure of conductivity at the contact portion 33.
【００３７】また、塊状端子１の熱収縮量が、セラミッ
クス基体７の熱収縮量よりも大きいので、焼成温度以下
でヒーターとして使用される熱サイクルでは常に前記焼
成嵌めによる圧着面が形成されており、冷熱サイクルに
対して安定である。上記セラミックス成形体を焼成する
には、常圧焼成も可能であるが、塊状端子と成形材料と
の隙間をなくすため、ホットプレス法、ホットアイソス
タティックプレス法によるのが好ましい。また、ホット
プレス焼成を行って図１〜図６に示すような円盤状セラ
ミックス基体７を製造する際には、基体７の厚さをｔと
したとき、塊状端子の長さをｔ／２以下とすることが好
ましく、露出面５の直径は、ｔ／４以下とすることが好
ましい、また、露出面５の直径は、ネジ切り等の機械的
結合や、後述するような拡散接合等の各種の耐熱耐蝕性
の結合を形成するために、４mm以上とすることが好まし
い。Further, since the thermal contraction amount of the lump terminals 1 is larger than the thermal contraction amount of the ceramic substrate 7, the crimping surface formed by the firing fitting is always formed in the heat cycle used as a heater at the firing temperature or lower. , Stable against thermal cycles. Although it is possible to perform normal pressure firing for firing the ceramic molded body, it is preferable to use a hot pressing method or a hot isostatic pressing method in order to eliminate a gap between the lump terminals and the molding material. Further, when manufacturing the disk-shaped ceramic substrate 7 as shown in FIGS. 1 to 6 by performing hot press firing, when the thickness of the substrate 7 is t, the length of the lumped terminals is t / 2 or less. The exposed surface 5 preferably has a diameter of t / 4 or less. The exposed surface 5 has various diameters such as mechanical coupling such as thread cutting and diffusion bonding as described later. In order to form a heat-resistant and corrosion-resistant bond, it is preferable that the thickness is 4 mm or more.
【００３８】図１の例では、塊状端子１と端子６との結
合をネジ切り法によって行ったが、この結合方法はこれ
には限られず、室温とヒーター使用温度との間の冷熱サ
イクル及び腐食性ガスに対して安定な、他の接合、結合
方法を採用できる。これには下記の接合及び結合方法が
ある。In the example of FIG. 1, the lump terminals 1 and the terminals 6 are joined by a threading method, but the joining method is not limited to this, and a cooling / heating cycle between room temperature and the heater operating temperature and corrosion are performed. Other joining and joining methods that are stable to the volatile gas can be adopted. This includes the following joining and joining methods.
【００３９】高融点接合層を介した接合には、次のもの
がある。 (1) 塊状端子と電極ケーブル側の端子との間に、Mo, Ｗ
等の高融点金属の粉末を介在させ、拡散接合すること。 (2) ろう材で接合すること。 (3) 箔を介在させて拡散接合すること。 (4) 塊状端子の端面又は電極ケーブル側の端子の端面
に、めっき、ＣＶＤ、溶射等によって被覆層を形成し、
次いで拡散接合又は摩擦圧接すること。 (5) 溶接すること。 機械的結合法としては、圧入法、かしめ、埋め込み、差
し込み、スプリング、弾性ボードによる機械的圧接があ
る。Joining via the high melting point bonding layer includes the following. (1) Mo, W between the block terminal and the terminal on the electrode cable side
Diffusion bonding with a refractory metal powder such as (2) Join with brazing material. (3) Diffusion bonding with foil interposed. (4) A coating layer is formed on the end face of the block-shaped terminal or the end face of the terminal on the electrode cable side by plating, CVD, thermal spraying, etc.
Then diffusion welding or friction welding. (5) Weld. As the mechanical coupling method, there are a press-fitting method, caulking, embedding, inserting, a spring, and mechanical pressure welding using an elastic board.
【００４０】塊状端子１の本体1aの形状は種々変更で
き、例えば三角柱状、楕円柱状、四角柱状、六角柱状等
とすることができる。また、塊状端子に対して抵抗発熱
体を接合する方法としては、上記のかしめの他、巻き付
け、溶接などが考えられる。The shape of the main body 1a of the lump-shaped terminal 1 can be variously changed, and can be, for example, triangular prism, elliptic cylinder, quadrangular prism, hexagonal prism or the like. Further, as a method of joining the resistance heating element to the massive terminal, winding, welding or the like can be considered in addition to the above-mentioned caulking.
【００４１】上記各例において、セラミックスヒーター
の形状は、円形ウエハーを均等に加熱するためには円盤
状とするのが好ましいが、他の形状、例えば四角盤状、
六角盤状等としてもよい。上記の実施例では、Y2O3を添
加した窒化アルミニウムを用いた。この添加剤を変更す
ることにより、窒化アルミニウムの熱膨張率と塊状端子
の熱膨張率とを、本発明の関係に合わせることも可能で
ある。In each of the above examples, the shape of the ceramics heater is preferably a disk shape in order to uniformly heat a circular wafer, but other shapes, for example, a square disk shape,
It may be a hexagonal disk shape or the like. In the above example, aluminum nitride added with Y 2 O 3 was used. By changing this additive, it is possible to match the coefficient of thermal expansion of aluminum nitride and the coefficient of thermal expansion of the lumped terminal with the relationship of the present invention.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
融点金属の線体からなる抵抗発熱体を、緻密なセラミッ
クス基体の内部に一体焼成し、埋設しているので、従来
の金属ヒーターの場合のような汚染や、間接加熱方式の
場合のような熱効率の悪化の問題を解決できる。As described above, according to the present invention, the resistance heating element composed of the wire of the refractory metal is integrally fired and embedded in the dense ceramic substrate. It is possible to solve the problems such as the contamination in the case of the heater and the deterioration of the thermal efficiency in the case of the indirect heating method.
【００４３】また、抵抗発熱体に対して電気的に接続さ
れた塊状端子の表面が露出しているので、塊状端子の表
面と電力供給側の端子との間で、強固な耐熱、耐食性の
結合を形成することが可能になる。従って、腐食性ガス
や熱による結合部分の劣化を防止でき、ヒーターの耐久
性、信頼性を向上させることができる。Further, since the surface of the massive terminal electrically connected to the resistance heating element is exposed, a strong heat-resistant and corrosion-resistant bond is provided between the surface of the massive terminal and the terminal on the power supply side. Can be formed. Therefore, deterioration of the joint portion due to corrosive gas or heat can be prevented, and durability and reliability of the heater can be improved.
【００４４】しかも、柱状の塊状端子がセラミックス基
体に埋設されており、塊状端子の底面および側周面が前
記セラミックス基体に対して密着しており、かつセラミ
ックス基体の熱膨張率よりも大きい熱膨張率を有する高
融点金属のバルク体によって柱状の塊状端子が形成され
ている。従って、焼成後の冷却段階において、セラミッ
クス基体の収縮量よりも塊状端子の収縮量の方が大き
い。従って、塊状端子の周囲に無理な応力がかからず、
セラミックス基体にクラックが発生しない。Moreover, the columnar massive terminal is embedded in the ceramic substrate, the bottom surface and the side peripheral surface of the massive terminal are in close contact with the ceramic substrate, and the thermal expansion is larger than the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate. A columnar massive terminal is formed by a bulk body of a refractory metal having a refractive index. Therefore, in the cooling stage after firing, the amount of shrinkage of the lump terminals is larger than the amount of shrinkage of the ceramic substrate. Therefore, no unreasonable stress is applied around the massive terminals,
No cracks occur in the ceramic substrate.
【図１】セラミックス基体７に塊状端子１を埋設した状
態を示す断面図であり、図３のＩ−Ｉ線矢視断面に対応
する。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state in which a lumped terminal 1 is embedded in a ceramic substrate 7, and corresponds to a cross section taken along the line I-I of FIG.
【図２】セラミックス基体７に塊状端子１を埋設した状
態を示す断面図であり、図３のII−II線矢視断面に対応
する。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a lumped terminal 1 is embedded in a ceramic substrate 7, and corresponds to a cross section taken along the line II-II of FIG.
【図３】塊状端子１をかしめ圧着させる前の状態を示す
底面図である。FIG. 3 is a bottom view showing a state before caulking and crimping the lump terminal 1.
【図４】塊状端子１をかしめ圧着させる前の状態を示す
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state before caulking and crimping the lump terminal 1.
【図５】セラミックス基体７に塊状端子１を埋設した状
態を示す破断斜視図である。FIG. 5 is a cutaway perspective view showing a state in which a lumped terminal 1 is embedded in a ceramic substrate 7.
【図６】セラミックスヒーター10を熱ＣＶＤ装置の容器
に取り付けた状態を概略的に示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the ceramic heater 10 is attached to a container of a thermal CVD device.
【図７】塊状端子１の埋設されたセラミックス基体７
に、クラック21が入った状態を示す断面図である。FIG. 7: Ceramic substrate 7 in which massive terminals 1 are embedded
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where a crack 21 is formed in
【図８】塊状端子１の埋設されたセラミックス基体の背
面９側に、クラック21が入った状態を示す平面図であ
る。FIG. 8 is a plan view showing a state in which cracks 21 are formed on the back surface 9 side of the ceramic substrate in which the lumped terminals 1 are embedded.
１ 塊状端子 ５ 塊状端子１の表面 ６ 電力供給ケーブル側の端子 ７ セラミックス基体 ８ 抵抗発熱体 ９ ヒーター背面 10 円盤状セラミックスヒーター 11 電力供給ケーブル 12 圧着面 21 クラック 40 容器 1 Bulk Terminal 5 Surface of Bulk Terminal 1 6 Terminal of Power Supply Cable 7 Ceramics Base 8 Resistance Heating Element 9 Heater Rear 10 Disc Ceramic Heater 11 Power Supply Cable 12 Crimping Surface 21 Crack 40 Container
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−169788（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−226986（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−86559（ＪＰ，Ｕ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-58-169788 (JP, A) JP-A-3-226986 (JP, A) Actually opened 63-86559 (JP, U)
Claims (3)
た、高融点金属製の直径２．０ｍｍ以下の線体からなる
抵抗発熱体と； この抵抗発熱体に対して電気的に接続された柱状のバル
ク金属からなる塊状端子であって、前記セラミックス基
体に埋設および一体焼結されており、前記塊状端子の底
面および側周面が前記セラミックス基体に対して密着し
ており、前記塊状端子の一つの表面が露出している塊状
端子とを備えており、前記塊状端子の径が３．０ｍｍ以
上であり、前記セラミックス基体の熱膨張率以上の熱膨
張率を有する高融点金属によって前記塊状端子が形成さ
れていることを特徴とする、セラミックスヒーター。1. A dense ceramic base; a resistance heating element which is embedded inside the ceramic base and is integrally sintered and made of a wire made of a high melting point metal and having a diameter of 2.0 mm or less; A block-shaped bulk metal terminal electrically connected to the ceramic base, which is embedded and integrally sintered in the ceramic base, and the bottom surface and the side peripheral surface of the bulk terminal are relative to the ceramic base. A lump terminal in which one surface of the lump terminal is exposed, the lump terminal has a diameter of 3.0 mm or more, and a coefficient of thermal expansion equal to or higher than the coefficient of thermal expansion of the ceramic substrate. A ceramic heater, wherein the massive terminal is formed of a refractory metal having
小さい熱膨張率を有する高融点金属によって前記抵抗発
熱体が形成されている、請求項１記載のセラミックスヒ
ーター。2. The ceramic heater according to claim 1, wherein the resistance heating element is formed of a refractory metal having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the ceramic substrate.
ムからなり、前記抵抗発熱体が実質的にタングステンか
らなる、請求項２記載のセラミックスヒーター。3. The ceramic heater according to claim 2, wherein the ceramic substrate is made of aluminum nitride, and the resistance heating element is substantially made of tungsten.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262300A JP2543638B2 (en) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | Ceramic heater |
| US07/857,968 US5306895A (en) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| EP92302608A EP0506391B1 (en) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | Use of a corrosion-resistant member formed from aluminium nitride |
| DE69233692T DE69233692T2 (en) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | Use of a corrosion resistant substrate holder |
| DE69232429T DE69232429T2 (en) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | Use of a corrosion resistant aluminum nitride substrate holder |
| EP01107373A EP1120817B8 (en) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | Use of a corrosion-resistant member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262300A JP2543638B2 (en) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | Ceramic heater |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101871A JPH05101871A (en) | 1993-04-23 |
| JP2543638B2 true JP2543638B2 (en) | 1996-10-16 |
Family
ID=17373873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3262300A Expired - Lifetime JP2543638B2 (en) | 1991-03-26 | 1991-10-09 | Ceramic heater |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543638B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100990020B1 (en) * | 2005-08-26 | 2010-10-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Ceramic member, ceramic heater, substrate placing mechanism, substrate processing apparatus and method for manufacturing ceramic member |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2642858B2 (en) * | 1993-12-20 | 1997-08-20 | 日本碍子株式会社 | Ceramic heater and heating device |
| EP0757023B1 (en) * | 1995-08-03 | 2000-10-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride sintered bodies and their production method |
| JP3316167B2 (en) | 1996-10-08 | 2002-08-19 | 日本碍子株式会社 | Method for producing bonded body of aluminum nitride base material and bonding aid used therein |
| EP1249433A4 (en) | 1999-09-06 | 2005-01-05 | Ibiden Co Ltd | Carbon-containing aluminium nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| WO2001050818A1 (en) * | 1999-12-29 | 2001-07-12 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| JP5185025B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-04-17 | 太平洋セメント株式会社 | Ceramic material |
| JP7321285B2 (en) | 2019-11-14 | 2023-08-04 | 京セラ株式会社 | Systems for ceramic structures and wafers |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169788A (en) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | 株式会社東芝 | Vacuum sample heater |
| JPS61179721A (en) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Toyobo Co Ltd | Oriented polyester film |
| JPH03226986A (en) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Toshiba Corp | Manufacture of ceramics wiring board and ceramics heating body |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP3262300A patent/JP2543638B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100990020B1 (en) * | 2005-08-26 | 2010-10-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Ceramic member, ceramic heater, substrate placing mechanism, substrate processing apparatus and method for manufacturing ceramic member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05101871A (en) | 1993-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2642858B2 (en) | Ceramic heater and heating device | |
| EP1120817B1 (en) | Use of a corrosion-resistant member | |
| US5995357A (en) | Ceramic member-electric power supply connector coupling structure | |
| EP0506391B1 (en) | Use of a corrosion-resistant member formed from aluminium nitride | |
| JP3512650B2 (en) | Heating equipment | |
| JP2009060103A (en) | Bonding structure, and manufacturing method thereof | |
| JP2543638B2 (en) | Ceramic heater | |
| JPH07297005A (en) | Ceramic product | |
| JP2525974B2 (en) | Semiconductor wafer-heating device | |
| JP3810216B2 (en) | Sample heating apparatus, processing apparatus, and sample processing method using the same | |
| JP2786571B2 (en) | Semiconductor wafer heating equipment | |
| JP2518962B2 (en) | Ceramic heater | |
| JP2604944B2 (en) | Semiconductor wafer heating equipment | |
| JPH04104494A (en) | Ceramics heater | |
| JP2531874B2 (en) | Ceramic heater | |
| JP2644650B2 (en) | Ceramic heater | |
| EP0823410B1 (en) | Ceramic joint body and process for manufacturing the same | |
| JPH0628258B2 (en) | Semiconductor wafer heating device and manufacturing method thereof | |
| JP2527836B2 (en) | Semiconductor wafer-heating device | |
| JP2002121083A (en) | Jointed body of ceramic member and metal member and wafer-supporting member using the same | |
| JP2004363335A (en) | Holder for semiconductor or liquid crystal production system and semiconductor or liquid crystal production system mounting it | |
| JPH088246B2 (en) | Heating device | |
| JP2698537B2 (en) | Heating equipment | |
| JPH04296485A (en) | Ceramic heater | |
| JPH0593275A (en) | Semiconductor wafer heater |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 16 |