JP2534383B2 - Exposure data processing method - Google Patents

Exposure data processing method

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JP2534383B2
JP2534383B2 JP2217838A JP21783890A JP2534383B2 JP 2534383 B2 JP2534383 B2 JP 2534383B2 JP 2217838 A JP2217838 A JP 2217838A JP 21783890 A JP21783890 A JP 21783890A JP 2534383 B2 JP2534383 B2 JP 2534383B2
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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術 (第15,16図) 発明が解決しようとする課題 (第1,2図) 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の一実施例 (第3〜14図) 発明の効果 〔概要〕 露光データ処理方法に関し、 1チップ分の全てのデータを一度に補正処理するとと
もに、配置データ境界部の補正処理を行い、生成される
露光パターンデータの高精度化と処理時間の短縮化とを
図った露光データ処理方法を提供することを目的とし、 ウエハ上の配置パターン領域を所定サイズの領域毎に
分割して第1領域とするとともに、該第1領域をさらに
所定サイズの領域毎に分割して第2領域とし、データの
配置種別情報を含み、データ種別を識別するための配置
情報と、データの配置数,配置番号,配置範囲等の情報
を含んだ位置情報とを有するデータ群を格納するデータ
格納手段から前記第1領域のデータ中の第2領域毎にデ
ータを読み出し、該第2領域毎に読み出した各配置デー
タを補正処理手段によって所定の処理を施して露光パタ
ーンデータを生成し、該露光パターンデータを露光装置
に与える露光データ処理方法であって、前記配置情報に
基づいて前記補正処理手段のデータ配置部により前記第
2領域毎に読み出した配置データを複数の単独に配置す
る単独配置パターンデータと、マトリクス状に複数配置
するマトリクス配置パターンデータとに分類し、前記分
類された配置データが単独配置パターンデータであった
場合、該単独配置領域内で領域境界部以外の第2領域で
は、該第2領域毎に読み出した前記配置データおよび該
配置データに隣接する隣接データを該配置データの存在
する該第2領域に登録し、前記補正手段のデータ補正部
により該第2領域毎に前記配置データおよび前記隣接デ
ータを抽出し、該配置データおよび該隣接データに基づ
いて補正処理を施し、該単独配置領域内で領域境界部の
第2領域では、該第2領域毎に読み出した前記配置デー
タに隣接する隣接データを該第2領域以外の所定の領域
に登録し、前記データ補正部により該第2領域毎に各配
置データと、前記所定の領域から該配置データに対応す
る隣接データを抽出し、該配置データおよび該隣接デー
タに基づいて補正処理を施し、前記分類された配置デー
タがマトリクス配置パターンデータであった場合、前記
位置情報に基づいて前記データ配置部により該マトリク
ス配置パターンデータのマトリクス展開領域を設定し、
該マトリクス配置パターンデータに属する前記第2領域
では、該第2領域毎に読み出した前記配置データおよび
該配置データに隣接する隣接データを該配置データの存
在する該第2領域に登録し、該マトリクス展開領域内で
領域境界部以外の第2領域では、前記データ補正部によ
り該第2領域の各配置データの中から所定の配置データ
を抽出し、該配置データに補正処理を施して基準パター
ンデータとし、該基準パターンデータを前記マトリクス
展開領域内の領域境界部位該の領域に展開して該配置デ
ータの補正処理を施し、該マトリクス展開領域内で領域
境界部の第2領域では、前記データ補正部により第2領
域毎の前記配置データおよび前記隣接データを抽出し、
該配置データおよび該隣接データに基づいて補正処理を
施すように構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Table of Contents] Outline Industrial field of application Conventional technology (Figs. 15 and 16) Problems to be solved by the invention (Figs. 1 and 2) Means for solving the problems Action Example One Embodiment of the Present Invention (FIGS. 3 to 14) Effect of the Invention [Overview] Regarding an exposure data processing method, all data for one chip are corrected at one time, and correction processing of a boundary portion of arrangement data is performed. With the object of providing an exposure data processing method that improves the accuracy of the generated exposure pattern data and shortens the processing time, a first pattern is obtained by dividing an arrangement pattern area on a wafer into areas of a predetermined size. In addition to the area, the first area is further divided into areas of a predetermined size to form a second area, which includes data arrangement type information, arrangement information for identifying the data type, the number of arrangements of data, and arrangement. Number, placement range, etc. Data is read out from the data storage means for storing a data group having position information including information, and the arrangement data read out for each second area is corrected by the correction processing means. An exposure data processing method for applying a predetermined process to generate exposure pattern data and providing the exposure pattern data to an exposure apparatus, wherein the data arranging unit of the correction processing means based on the arrangement information stores the second area. When the placement data read out for each is classified into a plurality of single placement pattern data that are individually placed, and a plurality of matrix placement pattern data that is placed in a matrix, and the sorted placement data is the single placement pattern data, In the second area other than the area boundary portion within the single arrangement area, the arrangement data read out for each second area and the arrangement data Adjacent adjacent data is registered in the second area in which the arrangement data exists, and the arrangement data and the adjacent data are extracted for each of the second areas by the data correction unit of the correction means. Correction processing is performed on the basis of the above, and in the second area of the area boundary portion in the single arrangement area, the adjacent data adjacent to the arrangement data read for each second area is changed to a predetermined area other than the second area. The data correction unit extracts each placement data for each second area and adjacent data corresponding to the placement data from the predetermined area, and performs correction processing based on the placement data and the adjacent data. If the classified arrangement data is matrix arrangement pattern data, the matrix of the matrix arrangement pattern data is calculated by the data arrangement unit based on the position information. Set the expansion area,
In the second area belonging to the matrix arrangement pattern data, the arrangement data read for each of the second areas and adjacent data adjacent to the arrangement data are registered in the second area where the arrangement data exists, and the matrix is arranged in the matrix. In the second area in the expansion area other than the area boundary portion, the data correction unit extracts predetermined layout data from the respective layout data in the second area, and performs a correction process on the layout data to obtain the reference pattern data. Then, the reference pattern data is expanded to the area boundary part in the matrix expansion area and the arrangement data is corrected. Part to extract the arrangement data and the adjacent data for each second region,
A correction process is performed based on the arrangement data and the adjacent data.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は、露光データ処理方法に係り、特に、露光装
置によりウエハ上に電子ビームで焼き付けるための露光
パターンデータを作成する露光データ処理方法に関す
る。
The present invention relates to an exposure data processing method, and more particularly to an exposure data processing method for creating exposure pattern data for printing with an electron beam on a wafer by an exposure apparatus.

近年、例えば、LSIマスク製作等においては、電子ビ
ームによる露光装置を用いることが一般的である。
In recent years, for example, in the manufacture of LSI masks, it is common to use an exposure apparatus using an electron beam.

露光装置は所定の露光パターンデータをウエハ上の露
光領域に電子ビームで焼き付けるものであり、ウエハ上
の露光領域は、第15,16図に示すように、フィールドF
と呼ばれる所定サイズの領域毎に分割され、フィールド
Fは、さらにサブフィールドSFと呼ばれる所定サイズの
領域毎に分割されている。また、LSI設計データは、サ
ブフィールドSF単位に存在し、単独で配置される単独配
置部か、同じデータで1サブフィールド分毎に複数連続
して配置されるマトリクス配置部かのデータ種別を識別
するための配置情報と、配置数,配置番号,配置範囲等
の情報を含んだ位置情報とを有しており、このLSI設計
データから露光装置に必要な露光パターンデータを得る
ために、LSI設計データを補正処理する露光データ処理
方法が数多く開発されている。
The exposure apparatus prints predetermined exposure pattern data on the exposure area on the wafer with an electron beam. The exposure area on the wafer is, as shown in FIGS.
The field F is further divided into regions of a predetermined size called subfields SF. In addition, the LSI design data is present in the unit of subfield SF, and identifies the data type, that is, a single placement section that is placed independently and a matrix placement section that is placed continuously for each subfield for the same data. The LSI design information is used to obtain the exposure pattern data required for the exposure apparatus from this LSI design data. Many exposure data processing methods for correcting data have been developed.

補正処理には大きく分けて 照射量補正と、 寸法補正とがあり、 の照射量補正は、露光パターンデータをウエハ上に
焼き付けるとき、いかなるサイズのパターンに対しても
同一の照射量で焼き付けていたのでは、前方散乱・後方
散乱という電子の散乱によってうまく露光できないた
め、設計データをパターンサイズに応じて、例えば、大
きなパターンの場合は低めの照射量、小さなパターンの
場合は高めの照射量で焼き付けるように補正するもので
あり、の寸法補正は、露光パターンデータをウエハ上
に焼き付けるとき、ウエハの特性上、パターンが膨らん
で焼き付けられるため、パターンの膨らみを予め考慮
し、膨れあがった状態で所定の寸法となるように設計デ
ータを寸法補正するものである。なお、これら照射量補
正、および寸法補正等の補正処理は、周囲のパターンを
考慮して決定され、常に、接続相手等の情報を参照して
補正される。
The correction process is roughly divided into dose correction and dimension correction. When the exposure pattern data was printed on the wafer, the dose correction was performed with the same dose for any size pattern. However, since it is not possible to expose well due to electron scattering such as forward scattering and back scattering, design data is printed according to the pattern size, for example, a low irradiation amount for a large pattern and a high irradiation amount for a small pattern. When the exposure pattern data is printed on the wafer, the pattern is swollen due to the characteristics of the wafer and is burned.Therefore, the swollenness of the pattern is taken into consideration and the pattern is swollen and predetermined. The design data is dimensionally corrected so that the dimensions become. The correction processing such as the irradiation amount correction and the dimension correction is determined in consideration of the surrounding pattern, and is always corrected with reference to the information of the connection partner or the like.

しかし、LSIの大容量化、高機能化に伴い、LSI設計デ
ータの補正処理に要する計算も大幅に膨れ上がり、計算
処理時間の増大による開発期間の長期化を招いている。
However, with the increase in the capacity and functionality of LSIs, the calculation required for the correction processing of LSI design data is greatly expanded, and the increase of the calculation processing time leads to the extension of the development period.

そこで、LSI設計データの補正処理に要する計算時間
の短縮化が要求される。
Therefore, it is required to shorten the calculation time required for the correction process of the LSI design data.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のこの種の露光データ処理方法としては、第15図
に示すような方法がある。
As a conventional exposure data processing method of this kind, there is a method as shown in FIG.

この方法はサブフィールドSF内のLSI設計データが配
置情報および位置情報を有することを生かし、配置情報
から補正処理の対象となるデータがマトリクス配置部で
あると判断された場合、位置情報からマトリクス配置範
囲を認識して、マトリクス配置範囲内に同一の複数デー
タを展開するマトリクス展開領域(図中、斜線部)を設
定し、この領域内の1つのサブフィールド内のマトリク
スデータだけに照射量補正、および寸法補正等の補正処
理を施して、この補正処理されたデータをマトリクス展
開領域に展開(以下、単にマトリクス展開という)して
補正処理時間を短縮するものである。すなわち、マトリ
クス展開は、あるマトリクス配置範囲内の1つのデータ
に対する補正処理結果が、このマトリクス配置範囲内の
他のデータに対する補正処理結果と同一となるため、マ
トリクス配置範囲内のデータ配置数分の全てのデータに
対して同一の補正処理を施さずとも、1つのデータに補
正処理を施すだけで、マトリクス配置範囲内の補正処理
結果が得られるからである。
This method makes use of the fact that the LSI design data in the subfield SF has the arrangement information and the position information, and if the arrangement information determines that the data to be corrected is the matrix arrangement portion, the matrix arrangement is made from the position information. Recognizing the range and setting a matrix expansion area (shaded area in the figure) that expands the same multiple data within the matrix arrangement range, and correcting the irradiation amount only for the matrix data in one subfield in this area, Further, correction processing such as dimension correction is performed, and the corrected data is expanded in a matrix expansion area (hereinafter, simply referred to as matrix expansion) to shorten the correction processing time. That is, in the matrix expansion, the correction processing result for one data within a certain matrix arrangement range is the same as the correction processing result for the other data within this matrix arrangement range, so that the number of data arrangements within the matrix arrangement range is the same. This is because the correction processing result within the matrix arrangement range can be obtained only by performing the correction processing on one data without performing the same correction processing on all the data.

けれども、マトリクス展開は1つのデータに対しての
み有効であり、マトリクス展開するデータが複数ある場
合は、どれか1つのデータだけしか展開できないため、
第16図に示すように、1チップ内に、例えば、マトリク
ス配置部A,B,C,D、単独配置部Eという複数の配置デー
タがある設計データの場合、まず、単独配置部Eのデー
タが補正処理されて露光され、次にマトリクス配置部A
のデータが前述のようにマトリクス展開されて露光さ
れ、同様にして、マトリクス配置部B,C,Dのデータがマ
トリクス展開されて順次露光される。
However, the matrix expansion is effective only for one data, and when there are multiple data for matrix expansion, only one data can be expanded.
As shown in FIG. 16, in the case of design data having a plurality of layout data such as matrix layout sections A, B, C, D and single layout section E in one chip, the data of the single layout section E is first set. Is corrected and exposed, and then the matrix arrangement part A
Data is developed in a matrix as described above and exposed, and similarly, the data in the matrix arrangement portions B, C and D is developed in a matrix and sequentially exposed.

これによって、マトリクス配置部を露光する場合、1
つのマトリクスデータだけの補正処理時間でマトリクス
配置範囲内の補正処理がなされる。
Thus, when exposing the matrix arrangement portion, 1
The correction processing within the matrix arrangement range is performed in the correction processing time of only one matrix data.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかしながら、このような従来の露光データ処理方法
にあっては、マトリクス展開するデータが複数ある場
合、どれか1つのデータだけしか露光パターンデータを
生成することができず、露光パターンデータを重ね焼き
していたため、データのパターンが細かくなればなるほ
ど露光時の位置合わせが困難になる。すなわち、例え
ば、LSIの高密度化により露光パターンが微細になれ
ば、当然配線パターンも細くなり、重ね焼きによる各露
光パターンのズレに対してシビアになってくる。したが
って、重ね焼きする以上、ある密度以上の高密度なパタ
ーンの露光はできなくなってしまうとともに、歩留りの
悪化を招くという問題点があった。
However, in such a conventional exposure data processing method, when there are a plurality of data to be matrix-developed, only one of the data can generate the exposure pattern data, and the exposure pattern data is overprinted. Therefore, the finer the data pattern, the more difficult the alignment during exposure becomes. That is, for example, if the exposure pattern becomes finer due to the higher density of the LSI, the wiring pattern also becomes finer, and the deviation of each exposure pattern due to overprinting becomes severe. Therefore, there is a problem in that exposure of a high-density pattern of a certain density or more cannot be performed and the yield is deteriorated due to the repeated baking.

また、従来の露光データ処理方法にあっては、単独配
置データだけのデータに対してのみ、照射量補正、およ
び寸法補正等の補正処理を施していたため、単独配置
部,マトリクス配置部の各データ境界部付近では、うま
く露光できず、高精度のパターンが得られないという問
題点があった。これは、照射量補正、および寸法補正等
の補正処理は、周囲のパターンを考慮して決定された、
常に、接続相手の情報を参照して補正されるものである
が、データ境界部の場合、参照すべきデータが主にサブ
フィールドSF外に存在するからである。
Further, in the conventional exposure data processing method, since the correction processing such as the dose correction and the dimension correction is performed only on the data of only the individual arrangement data, each data of the individual arrangement portion and the matrix arrangement portion is processed. In the vicinity of the boundary, there was a problem that exposure could not be performed well and a highly accurate pattern could not be obtained. This is because the correction processing such as the dose correction and the dimension correction was determined in consideration of the surrounding pattern,
This is because the information is always corrected by referring to the information of the connection partner, but in the case of the data boundary portion, the data to be referred to is mainly outside the subfield SF.

そこで本発明は、1チップ分の全てのデータを一度に
補正処理するとともに、配置データ境界部の補正処理を
行い、生成される露光パターンデータの高精度化と処理
時間の短縮化とを図った露光データ処理方法を提供する
ことを目的としている。
Therefore, the present invention corrects all the data for one chip at a time and also corrects the arrangement data boundary portion to improve the accuracy of the generated exposure pattern data and reduce the processing time. It is an object to provide an exposure data processing method.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明による露光データ処理方法は上記目的達成のた
め、第1,2図に示すように、ウエハ上の配置パターン領
域を所定サイズの領域毎に分割して第1領域Fとすると
ともに、該第1領域Fをさらに所定サイズの領域毎に分
割して第2領域SFとし、データの配置種別情報を含み、
データ種別を識別するための配置情報と、データの配置
数,配置番号,配置範囲等の情報を含んだ位置情報とを
有するデータ群を格納するデータ格納手段1から前記第
1領域Fのデータ中の第2領域SF毎にデータを読み出
し、該第2領域SF毎に読み出した各配置データDを補正
処理手段2によって所定の処理を施して露光パターンデ
ータを生成し、該露光パターンデータを露光装置3に与
える露光データ処理方法であって、前記配置情報に基づ
いて前記補正処理手段2のデータ配置部4により前記第
2領域SF毎に読み出した配置データDを複数の単独に配
置する単独配置パターンデータDSと、マトリクス状に複
数配置するマトリクス配置パターンデータDMとに分類
し、前記分類された配置データDが単独配置パターンデ
ータDSであった場合、該単独配置領域内で領域境界部以
外の第2領域SFでは、該第2領域SF毎に読み出した前記
配置データDおよび該配置データDに隣接する隣接デー
タDNを該配置データDの存在する該第2領域SFに登録
し、前記補正手段のデータ補正部5により該第2領域SF
毎に前記配置データDおよび前記隣接データDNを抽出
し、該配置データDおよび該隣接データDNに基づいて補
正処理を施し、該単独配置領域内で領域境界部の第2領
域SFでは、該第2領域SF毎に読み出した前記配置データ
Dに隣接する隣接データDNを該第2領域SF以外の所定の
領域に登録し、前記データ補正部5により該第2領域SF
毎に各配置データDと、前記所定の領域から該配置デー
タDに対応する隣接データDNを抽出し、該配置データD
および該隣接データDNに基づいて補正処理を施し、前記
分類された配置データDがマトリクス配置パターンデー
タDMであった場合、前記位置情報に基づいて前記データ
配置部4により該マトリクス配置パターンデータDMのマ
トリクス展開領域を設定し、該マトリクス配置パターン
データDMに属する前記第2領域SFでは、該第2領域SF毎
に読み出した前記配置データDおよび該配置データDに
隣接する隣接データDNを該配置データDの存在する該第
2領域SFに登録し、該マトリクス展開領域内で領域境界
部以外の第2領域SFでは、前記データ補正部5により該
第2領域SFの各配置データDの中から所定の配置データ
Dを抽出し、該配置データDに補正処理を施して基準パ
ターンデータとし、該基準パターンデータを前記マトリ
クス展開領域内の領域境界部位該の領域に展開して該配
置データDの補正処理を施し、該マトリクス展開領域内
で領域境界部の第2領域SFでは、前記データ補正部5に
より該第2領域SF毎の前記配置データDおよび前記隣接
データDNを抽出し、該配置データDおよび該隣接データ
DNに基づいて補正処理を施すように構成している。
In order to achieve the above object, the exposure data processing method according to the present invention divides an arrangement pattern area on a wafer into areas of a predetermined size to form a first area F as shown in FIGS. 1 area F is further divided into areas of a predetermined size to form a second area SF, which includes data arrangement type information,
In the data of the first area F from the data storage means 1 for storing a data group having arrangement information for identifying the data type and position information including information such as the number of arrangement of data, arrangement number, arrangement range, etc. Data is read out for each of the second areas SF, the arrangement data D read out for each of the second areas SF is subjected to predetermined processing by the correction processing means 2 to generate exposure pattern data, and the exposure pattern data is exposed. The exposure data processing method given to No. 3, wherein the arrangement data D read out for each of the second regions SF by the data arrangement unit 4 of the correction processing means 2 based on the arrangement information is arranged independently into a plurality of individual arrangement patterns. When the data DS and the matrix arrangement pattern data DM arranged in a matrix form are classified and the classified arrangement data D is the single arrangement pattern data DS, In the second area SF other than the area boundary portion within the arrangement area, the arrangement data D read for each second area SF and the adjacent data DN adjacent to the arrangement data D are stored in the second area SF where the arrangement data D exists. The data is registered in the area SF, and the data correction unit 5 of the correction means outputs the second area SF.
The arrangement data D and the adjacent data DN are extracted for each, correction processing is performed based on the arrangement data D and the adjacent data DN, and in the second area SF of the area boundary portion in the single arrangement area, The adjacent data DN adjacent to the arrangement data D read out for every two areas SF is registered in a predetermined area other than the second area SF, and the data correction unit 5 causes the second area SF to be registered.
The arrangement data D is extracted for each of the arrangement data D and the adjacent data DN corresponding to the arrangement data D from the predetermined area.
And a correction process is performed based on the adjacent data DN, and the classified arrangement data D is matrix arrangement pattern data DM, the data arrangement unit 4 calculates the matrix arrangement pattern data DM based on the position information. In the second area SF that belongs to the matrix arrangement pattern data DM by setting a matrix expansion area, the arrangement data D read for each second area SF and the adjacent data DN adjacent to the arrangement data D are arranged in the arrangement data. D is registered in the second area SF where D exists, and in the second area SF other than the area boundary portion in the matrix expansion area, the data correction unit 5 determines a predetermined value from each arrangement data D of the second area SF. Of the arrangement data D is extracted, and the arrangement data D is subjected to a correction process to form reference pattern data, and the reference pattern data is used as an area boundary in the matrix expansion area. The region is expanded to the region and correction processing of the arrangement data D is performed, and in the second area SF of the area boundary portion in the matrix expansion area, the data correction unit 5 causes the arrangement data of each of the second areas SF. D and the adjacent data DN are extracted, and the arrangement data D and the adjacent data are extracted.
The correction process is performed based on the DN.

〔作用〕[Action]

本発明では、第2領域内の配置データを補正処理する
際、補正処理の対象となる配置データ、および隣接する
隣接データに基づいて該配置データの補正処理が施され
ることにより、配置データの周囲のパターンが補正要素
として考慮され、照射量補正、および寸法補正等の補正
処理がなされる。すなわち、配置データ境界部の補正処
理がなされ、1チップ分の全てのデータが一度に補正処
理される。
According to the present invention, when the placement data in the second area is subjected to the correction process, the placement data of the placement data is corrected by performing the placement data correction process based on the placement data to be corrected and the adjacent data adjacent to the placement data. The surrounding pattern is considered as a correction factor, and correction processing such as dose correction and dimension correction is performed. That is, the arrangement data boundary portion is corrected, and all the data for one chip is corrected at once.

したがって、生成される露光パターンデータの精度が
高められ、処理時間の短縮化が図られる。
Therefore, the accuracy of the generated exposure pattern data is improved, and the processing time is shortened.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

第3〜14図は本発明に係る露光データ処理方法の一実
施例を示す図であり、これら第3〜14図において、第1,
2図に付された番号と同一の番号は同一部分を示す。
FIGS. 3 to 14 are views showing an embodiment of the exposure data processing method according to the present invention. In FIGS.
2 The same numbers as those given in Fig. 2 indicate the same parts.

第3図はウエハ上の露光領域の一部を示し、ウエハ上
の露光領域は、太実線で囲われる第1領域としてのフィ
ールドFと呼ばれる所定サイズの領域毎に分割され、フ
ィールドFは、さらに破線で囲われる第2領域としての
サブフィールドSFと呼ばれる所定サイズの領域毎に分割
されており、データ格納手段1にはサブフィールドSF毎
に、配置データD(サブフィールドデータ)が格納さ
れ、各サブフィールドSFには、単独で配置される単独配
置部か、同じデータで複数連続して配置される。マトリ
クス配置部かのデータ種別を識別するための配置情報
と、配置データとしてマトリクス展開の基準となるサブ
フィールド位置や、配置数,配置番号,配置範囲等の情
報を含んだ位置情報とが設定され、各サブフィールドSF
毎に入力データとなる実際のパターンデータが存在して
いる。
FIG. 3 shows a part of the exposure area on the wafer. The exposure area on the wafer is divided into areas of a predetermined size called field F as a first area surrounded by a thick solid line, and field F is further divided into It is divided into areas of a predetermined size called subfields SF as second areas surrounded by broken lines, and the data storage means 1 stores arrangement data D (subfield data) for each subfield SF. In the subfield SF, a single placement section that is placed alone or a plurality of consecutive placements of the same data are placed. Arrangement information for identifying the data type of the matrix arrangement part and position information including information such as the number of arrangements, arrangement number, arrangement range, etc., which is the reference of matrix expansion as arrangement data, are set. , Each subfield SF
There is actual pattern data for each input.

なお、〜はフィールド番号を示し、補正処理手段
2によるフィールドの読み出し順、すなわち、露光順序
を示しており、第3図の例では、フィールド〜に
は、各フィールド〜に設定された単独配置パターン
データDSである単独配置部Eと、フィールドに設定さ
れたマトリクス配置パターンデータDMであるマトリクス
配置部Aと、マトリクス配置部Aと同様に、フィールド
〜にそれぞれ設定されたマトリクス配置部B〜Dと
が配置され、単独配置部EのサブフィールドSFと、マト
リクス配置部A〜DのサブフィールドSFとはズレた状態
となっている。
In addition, indicates the field number, and indicates the reading order of the fields by the correction processing means 2, that is, the exposure order. In the example of FIG. 3, the fields ˜ are the individual arrangement patterns set in the respective fields ˜. As with the matrix arrangement section A, the single arrangement section E which is the data DS, the matrix arrangement section A which is the matrix arrangement pattern data DM set in the field, and the matrix arrangement sections B to D which are respectively set in the fields Are arranged, and the subfields SF of the individual arrangement portion E and the subfields SF of the matrix arrangement portions A to D are in a shifted state.

ちなみに、サブフィールドSFのズレとは、第4図
(a)に示す状態をいい、サブフィールドSFの重なりと
は、同図(b)に示す状態をいう。
By the way, the deviation of the subfields SF means the state shown in FIG. 4 (a), and the overlap of the subfields SF means the state shown in FIG. 4 (b).

また、補正処理手段2による配置データDの読み出し
走査方向(以下、スキャン方向という)には、第5図
中、一点鎖線で示すように、X軸方向に走査するXスキ
ャンと、同図中、二点鎖線で示すように、Y軸方向に走
査するYスキャンとがあり、以下、本実施例では、Xス
キャンを用いた場合を例にとって説明する。
Further, in the scanning direction for reading the arrangement data D by the correction processing means 2 (hereinafter referred to as the scanning direction), as shown by the alternate long and short dash line in FIG. As shown by the chain double-dashed line, there is a Y-scan for scanning in the Y-axis direction. In this embodiment, the case where the X-scan is used will be described as an example.

第6図は第3図中のフィールドを拡大して示したも
のであり、データ配置部4によって各フィールドF毎
(この場合、フィールド)に、図中矢印で示すXスキ
ャンにより各サブフィールドSF毎の配置データDが読み
取られる状態を示す。
FIG. 6 is an enlarged view of the fields shown in FIG. 3, in which each field F (field in this case) is arranged by the data arranging unit 4 and each subfield SF is formed by the X scan indicated by the arrow in the drawing. The arrangement data D of FIG.

なお、マトリクス配置部Aのサブフィールドと単独配
置部Eのサブフィールドとはズレた状態にあり、I〜VI
I、i〜xはそれぞれフィールド上のX座標番号、Y
座標番号を示し、これらの番号の組み合せによりサブフ
ィールド番号が示される。
It should be noted that the sub-fields of the matrix arrangement portion A and the sub-fields of the single arrangement portion E are displaced from each other, and I to VI
I, i to x are the X coordinate number on the field and Y, respectively
The coordinate number is indicated, and the subfield number is indicated by a combination of these numbers.

実際の配置データDは、第6図のように単独配置部
か、マトリクス配置部かの区別が厳密になされておら
ず、サブフィールドSF毎に読み出した配置データD中の
配置情報に基づいて、データ配置部4により配置データ
Dが単独配置部であるか、マトリクス配置部であるかが
区別され、区別された配置データDが複数の単独に配置
される単独配置パターンデータDSと、マトリクス状に複
数配置されるマトリクス配置パターンデータDMとに分類
される。
As shown in FIG. 6, the actual placement data D is not strictly discriminated as a single placement part or a matrix placement part, and based on the placement information in the placement data D read for each subfield SF, The data placement unit 4 distinguishes whether the placement data D is a single placement unit or a matrix placement unit, and the distinct placement data D is arranged in a matrix with a plurality of single placement pattern data DS that are placed individually. It is classified into a plurality of matrix arrangement pattern data DM.

分類された配置データDが単独配置パターンデータDS
であった場合、分類された配置データDは、この配置デ
ータDに隣接する隣接データDNと共に配置データDの存
在するサブフィールドSFに登録される。すなわち、サブ
フィールドII−iiを例に採ると、サブフィールドII−ii
に隣接するサブフィールドI−i,II−i,III−i,I−ii,I
II−ii,I−iii,II−iii,III−iiiの各配置データDの第
6図中ξμmで示される範囲のデータが隣接データDNと
なり、この隣接データDNがサブフィールドII−iiの配置
データDと共にサブフィールドII−iiに登録される。
The classified arrangement data D is the individual arrangement pattern data DS
If it is, the classified arrangement data D is registered in the subfield SF in which the arrangement data D exists together with the adjacent data DN adjacent to the arrangement data D. That is, taking subfield II-ii as an example, subfield II-ii
Adjacent to the subfields I-i, II-i, III-i, I-ii, I
The data in the range indicated by ξμm in FIG. 6 of each arrangement data D of II-ii, I-iii, II-iii, and III-iii becomes the adjacent data DN, and this adjacent data DN is the arrangement of the subfield II-ii. It is registered in subfield II-ii together with data D.

また、サブフィールドVII−iiiを例に採ると、このサ
ブフィールドSFはフィールドからはみ出しているため、
このはみ出し部分のデータはサブフィールドVII−iiiに
隣接するフィールドデータが読まれたかどうかによって
手順が変わってしまうので、この場合、このはみ出し部
分のデータが一度保存され、所定後に参照される。
Also, taking subfield VII-iii as an example, since this subfield SF is out of the field,
Since the procedure of the data of the protruding portion changes depending on whether or not the field data adjacent to the subfield VII-iii is read, in this case, the data of the protruding portion is stored once and referred to after a predetermined time.

これを詳しく説明すると、第7図に示すように、処理
対象となる補正処理サブフィールドに隣接するサブフィ
ールドがある場合、斜線部で示されるξμmの領域内に
含まれるパターンデータが隣接データDNとして補正処理
サブフィールドに登録される。
This will be explained in detail. As shown in FIG. 7, when there is a subfield adjacent to the correction processing subfield to be processed, the pattern data included in the region of ξμm shown by the shaded area is the adjacent data DN. It is registered in the correction processing subfield.

また、補正処理サブフィールドがフィールド境界線に
接して存在する場合、補正処理サブフィールドの位置が
どのフィールド境界線に接して存在するかが調べられ、
所定のファイルに隣接データDNとして登録され、寸法補
正処理時に取り出されて参照される。
Further, when the correction processing subfield exists in contact with the field boundary line, it is checked which field boundary line the position of the correction processing subfield exists in contact with.
It is registered as adjacent data DN in a predetermined file, and is extracted and referred to during the dimension correction process.

一方、分類された配置データDがマトリクス配置パタ
ーンデータDMであった場合、配置データD中の位置情報
に基づいてデータ配置部4によってマトリクス配置パタ
ーンデータDMのマトリクス展開領域が設定され、設定さ
れたマトリクス展開領域内で領域境界部のサブフィール
ドSFの各配置データDは、この配置データDに隣接する
隣接データDNと共に配置データDの存在するサブフィー
ルドSFに登録される。すなわち、第6図のマトリクス配
置部Aを例に採ると、マトリクス展開領域内で領域境界
部のサブフィールドである図中×印のサブフィールドは
単独配置パターンデータDSと同様に処理されて登録され
る。
On the other hand, when the classified arrangement data D is the matrix arrangement pattern data DM, the data arrangement unit 4 sets and sets the matrix development area of the matrix arrangement pattern data DM based on the position information in the arrangement data D. Each arrangement data D of the subfields SF at the area boundary in the matrix expansion area is registered in the subfield SF in which the arrangement data D exists together with the adjacent data DN adjacent to the arrangement data D. That is, taking the matrix arrangement section A of FIG. 6 as an example, the subfields marked with X in the figure which are the subfields of the area boundary in the matrix expansion area are processed and registered in the same manner as the individual arrangement pattern data DS. It

この処理は、第8図に示すように、まず、サブフィー
ルドがズレたり、重なっている場合、処理するサブフィ
ールドにパターンデータが最初に登録され、パターンの
存在領域が調べられ、その領域からξμmの範囲内に該
当する単独配置サブフィールド、マトリクス配置サブフ
ィールドが抽出され、ξμmの範囲内のデータのみが処
理サブフィールドに登録される。したがって、この処理
によって、サブフィールドがズレたり、重なっている場
合でも寸法補正が可能となり、単独配置部とマトリクス
配置部との境界部のみならず、単独配置部と単独配置
部、マトリクス配置部とマトリクス配置部、での寸法補
正が可能となる。
In this process, as shown in FIG. 8, when the subfields are shifted or overlapped, the pattern data is first registered in the subfield to be processed, the area where the pattern exists is examined, and ξμm is extracted from the area. The single placement subfields and the matrix placement subfields corresponding to the above range are extracted, and only the data within the range of ξμm is registered in the processing subfield. Therefore, this processing enables dimension correction even when subfields are shifted or overlapped, and not only the boundary portion between the single arrangement portion and the matrix arrangement portion but also the single arrangement portion and the single arrangement portion and the matrix arrangement portion. Dimensional correction can be performed in the matrix arrangement section.

なお、処理サブフィールドと隣接サブフィールドとが
完全に重なっている場合は、重なりとして処理せずに、
例外的に1つのサブフィールドデータとして取り扱って
いる。
If the processing subfield and the adjacent subfield completely overlap, they are not processed as overlapping and
Exceptionally, it is handled as one subfield data.

これによって、マトリクス展開領域内の領域境界部以
外の各サブフィールド(第6図中マトリクス配置部A内
の太実線で囲まれた領域)は、従来例のマトリクス展開
処理と同様に、あるマトリクス配置範囲内の1つのデー
タに対する補正処理結果が、このマトリクス配置範囲内
の他のデータに対する補正処理結果と同一となるため、
この領域内の1つのサブフィールド内のマトリクスデー
タだけに照射量補正、および寸法補正等の補正処理が施
され、この補正処理されたデータがマトリクス展開され
ることで補正処理時間が短縮化される。
As a result, each sub-field (area surrounded by a thick solid line in the matrix arrangement portion A in FIG. 6) other than the area boundary portion in the matrix expansion area has a certain matrix arrangement as in the matrix expansion processing of the conventional example. Since the correction processing result for one data in the range is the same as the correction processing result for other data in this matrix arrangement range,
Correction processing such as dose correction and size correction is performed only on the matrix data in one subfield in this area, and the correction processing time is shortened by developing this corrected data in a matrix. .

また、第9図(a)に示すように、一般に露光装置3
によって処理可能なマトリクス展開範囲の形状は正方形
や長方形といった方形であるが、実際のマトリクス展開
範囲の形状は、方形以外の形状(以下、特殊形状とい
う)も存在するため、本実施例では、マトリクス展開範
囲が特殊形状の場合、第9図(b),(c)に示すよう
に、特殊形状のマトリクスに分割ラインを発生させて複
数の方形形状のマトリクスとし、特殊形状マトリクス展
開範囲が露光装置3で処理可能な形状に分割処理され
る。
In addition, as shown in FIG.
The shape of the matrix expansion range that can be processed by is a square such as a square or a rectangle. However, since the actual shape of the matrix expansion range includes shapes other than a square (hereinafter, referred to as special shapes), the matrix in this embodiment is When the expansion range is a special shape, as shown in FIGS. 9B and 9C, dividing lines are generated in the special shape matrix to form a plurality of square-shaped matrices, and the special shape matrix expansion range is an exposure apparatus. 3 is divided into shapes that can be processed.

マトリクス配置情報が作成された後、第6図に示すよ
うに、各サブフィールドに実際に登録できるパターンが
抽出され、パターンが登録・分類処理される。各フィー
ルド、各サブフィールドにパターン登録、分類が終了し
たら、データ補正部5によって照射量、寸法補正処理さ
れ、マトリクスは配置部では基準となるサブフィールド
のみが処理され、展開される。
After the matrix arrangement information is created, as shown in FIG. 6, patterns that can be actually registered in each subfield are extracted, and the patterns are registered / classified. When the pattern registration and classification in each field and each subfield are completed, the data correction unit 5 performs irradiation amount and dimension correction processing, and the matrix is processed and developed only in the subfield serving as the reference in the arrangement unit.

寸法補正終了後、露光装置3のフォーマットに従いデ
ータが修正された後、データ圧縮され、最終データとし
て露光装置3により露光される。
After the dimension correction is completed, the data is corrected according to the format of the exposure device 3, the data is compressed, and the final data is exposed by the exposure device 3.

以上の方法により、第10〜14図に基づいて、本発明の
データ処理方法の具体例を説明する。
With the above method, a specific example of the data processing method of the present invention will be described with reference to FIGS.

第10図は、ある1チップの入力データ中のあるフィー
ルドの部分を抜粋したものであり、この例では、ある一
部のフィールド中に、1つの単独配置部と2つのマトリ
クス配置部とが存在している。また、単独配置部とマト
リクス配置部とのサブフィールドはズレ、および重なり
を生じているものとする。
FIG. 10 is an excerpt of a part of a certain field in input data of a certain one chip. In this example, one independent arrangement part and two matrix arrangement parts are present in a certain part of the field. are doing. In addition, it is assumed that the subfields of the individual arrangement portion and the matrix arrangement portion are displaced and overlap.

まず、第11図に示すように、配置データDに基づいて
自動的に単独配置部とマトリクス配置部とが分類され、
また、マトリクス配置部中、露光装置3で処理できない
マトリクス展開形状が存在する場合、再度、自動的にマ
トリクス展開範囲内で分割処理され、マトリクス展開情
報が作成される。
First, as shown in FIG. 11, the single placement part and the matrix placement part are automatically classified based on the placement data D,
If there is a matrix development shape that cannot be processed by the exposure apparatus 3 in the matrix arrangement section, the matrix development information is automatically divided again to create matrix development information.

マトリクス展開範囲の処理中に、仮にの列に対
してスキャン方向が図中右方向に進む場合は×印のサブ
フィールドのところがマトリクス展開基準サブフィール
ドとして設定されるが、スキャン方向が図中左方向に進
む場合は、○印のサブフィールドのところにマトリクス
展開基準サブフィールドを発生させてから、展開範囲決
定後に×印のサブフィールドのところがマトリクス展開
基準サブフィールドとして設定される。これは、露光装
置3がマトリクス配置部の図中左端位置をマトリクス展
開の基準位置として処理するため、露光装置3の処理に
合わせたためである。
If the scan direction advances to the right in the figure with respect to the column during processing of the matrix expansion range, the subfield marked with X is set as the matrix expansion reference subfield, but the scan direction is left. In the case of (1), the matrix expansion reference subfield is generated at the subfield marked with ◯, and the subfield marked with X is set as the matrix expansion reference subfield after the expansion range is determined. This is because the exposure device 3 processes the left end position in the drawing of the matrix arrangement portion as a reference position for matrix development, and therefore, the exposure device 3 matches the processing of the exposure device 3.

マトリクス展開情報が作成された後、再び、最初から
データを読み込み、第12図に示すように、パターンデー
タの分類登録処理を行う。このとき、単独配置部とマト
リクス配置部とのサブフィールドは必ずしも一致しない
ため、サブフィールドのズレ、および重なりが考慮さ
れ、各サブフィールドにパターンデータが登録・分類さ
れる。この登録・分類時にフィールドFの境界にあるサ
ブフィールドSFのパターンデータは、前述のように、フ
ィールドの読み込み順番により登録できる場合とできな
い場合とがあるため、フィールド境界サブフィールドデ
ータが随時、別ファイルに登録され、データ補正部5に
よる寸法補正時に該当するサブフィールドSFを処理する
際、このファイルから隣接フィールドパターンデータと
して読み込み、参照しつつ補正処理される。
After the matrix expansion information is created, the data is read again from the beginning, and pattern data classification registration processing is performed as shown in FIG. At this time, since the subfields of the single placement section and the matrix placement section do not necessarily match, the shift and overlap of the subfields are considered, and the pattern data is registered / classified in each subfield. At the time of this registration / classification, the pattern data of the subfield SF at the boundary of the field F may or may not be registered depending on the reading order of the fields as described above. When processing the corresponding subfield SF registered in the data correction unit 5 at the time of dimension correction, the correction processing is performed while reading the adjacent field pattern data from this file and referring to it.

第13図は、寸法補正処理する前のデータを示し、この
データでマトリクス配置情報をもとにして単独配置、マ
トリクス配置が寸法補正される。また、実際のマトリク
ス展開の処理時には、マトリクス展開基準サブフィール
ドのみに補正処理が施され、マトリクス展開範囲にデー
タが展開される。なお、単独配置部は従来通りの処理を
する。
FIG. 13 shows the data before the dimension correction processing, and the dimension correction is performed on the individual arrangement and the matrix arrangement based on the matrix arrangement information with this data. Further, at the time of the actual matrix expansion processing, the correction processing is performed only on the matrix expansion reference subfield, and the data is expanded in the matrix expansion range. Note that the single placement unit performs the conventional processing.

補正処理後のデータは、露光装置3に適合するフォー
マットに合わせてデータ変換された後、データ圧縮さ
れ、最終データとして露光装置3により露光される。
The data after the correction processing is subjected to data conversion in accordance with a format suitable for the exposure device 3, data compression, and exposure by the exposure device 3 as final data.

したがって、第14図に示すように、1チップ分の全て
のデータが一度に補正処理されるとともに、露光装置に
より一度に露光される。
Therefore, as shown in FIG. 14, all the data for one chip is corrected at the same time and simultaneously exposed by the exposure device.

このように本実施例では、配置データ境界部の補正処
理を行うことができ、配置データの周囲のパターンを補
正要素として考慮して照射量補正、および寸法補正等の
補正処理を施すことができるので、1チップ分の全ての
データを一度に補正処理でき、生成される露光パターン
データの精度を高めるとともに、処理時間の短縮化を図
ることができる。
As described above, in the present embodiment, the correction processing of the arrangement data boundary portion can be performed, and the correction processing such as the dose correction and the dimension correction can be performed in consideration of the pattern around the arrangement data as the correction element. Therefore, all the data for one chip can be corrected at one time, the accuracy of the generated exposure pattern data can be improved, and the processing time can be shortened.

なお、上記実施例はスキャン方向をXスキャンとして
説明しているが、これに限らず、Yスキャンとしても同
様に処理できる。
In the above embodiment, the scan direction is described as an X scan, but the present invention is not limited to this, and a Y scan can be similarly processed.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明では、配置データ境界部の補正処理を行うこと
ができ、配置データの周囲のパターンを補正要素として
考慮して照射量補正、および寸法補正等の補正処理を施
すことができる。
According to the present invention, it is possible to perform the correction processing of the boundary portion of the arrangement data, and it is possible to perform the correction processing such as the dose correction and the dimension correction in consideration of the pattern around the arrangement data as the correction element.

したがって、1チップ分の全てのデータを一度に補正
処理でき、生成される露光パターンデータの精度を高め
るとともに、処理時間の短縮化を図ることができる。
Therefore, all the data for one chip can be corrected at one time, the accuracy of the generated exposure pattern data can be improved, and the processing time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の露光データ処理方法を実施する装置構
成を示すブロック図、 第2図は本発明の露光データ処理方法を適用するウエハ
上の露光領域の一部を示す図、 第3〜14図は本発明に係る露光データ処理方法の一実施
例を示し、 第3図はそのウエハ上の露光領域の一部を示す図、 第4図(a),(b)はサブフィールドのズレと重なり
とを説明するための図、 第5図はその読み出し走査方向を説明するための図、 第6図は第3図中のフィールドの拡大図、 第7図は第6図中のサブフィールドの要部拡大図、 第8図はフィールドからはみ出したサブフィールドの処
理を説明するための図、 第9図(a),(b),(c)はマトリクス展開範囲形
状の分割処理を説明するための図、 第10〜14図は本発明に係る露光データ処理方法の具体例
を示し、 第10図はそのフィールド部分の露光領域を示す図、 第11,12図はそのマトリクス展開手順を説明するための
図、 第13図はその処理終了後の露光領域の一部を示す図、 第14図はその露光手順を説明するための図、 第15図は従来例の露光データ処理方法をを適用するウエ
ハ上の露光領域の一部を示す図、 第16図は従来例の露光手順を説明するための図である。 1……データ格納手段、 2……補正処理手段、 3……露光装置、 4……データ配置部、 5……データ補正部、 F……フィールド(第1領域)、 SF……サブフィールド(第2領域)、 D……配置データ、 DN……隣接データ、 DS……単独配置パターンデータ、 DM……マトリクス配置パターンデータ。
FIG. 1 is a block diagram showing an apparatus configuration for carrying out the exposure data processing method of the present invention, FIG. 2 is a view showing a part of an exposure area on a wafer to which the exposure data processing method of the present invention is applied, and FIGS. FIG. 14 shows an embodiment of the exposure data processing method according to the present invention, FIG. 3 shows a part of the exposure area on the wafer, and FIGS. 4 (a) and 4 (b) show subfield shifts. And FIG. 5 are views for explaining the read scanning direction, FIG. 6 is an enlarged view of the field in FIG. 3, and FIG. 7 is a subfield in FIG. FIG. 8 is an enlarged view of the main part of FIG. 8, FIG. 8 is a view for explaining the processing of subfields protruding from the field, and FIGS. 9A, 9B, and 9C are views for explaining the division processing of the matrix expansion range shape. 10 to 14 are specific examples of the exposure data processing method according to the present invention. FIG. 10 is a diagram showing an exposure region of the field portion, FIGS. 11 and 12 are diagrams for explaining the matrix development procedure, and FIG. 13 is a portion of the exposure region after the processing is completed. FIG. 14, FIG. 14 is a diagram for explaining the exposure procedure, FIG. 15 is a diagram showing a part of an exposure area on a wafer to which the conventional exposure data processing method is applied, and FIG. 16 is a conventional example. It is a figure for demonstrating an exposure procedure. 1 ... data storage means, 2 ... correction processing means, 3 ... exposure device, 4 ... data placement section, 5 ... data correction section, F ... field (first area), SF ... subfield ( Second area), D ... Arrangement data, DN ... Adjacent data, DS ... Single arrangement pattern data, DM ... Matrix arrangement pattern data.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ウエハ上の配置パターン領域を所定サイズ
の領域毎に分割して第1領域とするとともに、該第1領
域をさらに所定サイズの領域毎に分割して第2領域と
し、 データの配置種別情報を含み、データ種別を識別するた
めの配置情報と、データの配置数,配置番号,配置範囲
等の情報を含んだ位置情報とを有するデータ群を格納す
るデータ格納手段から前記第1領域のデータ中の第2の
領域毎にデータを読み出し、 該第2領域毎に読み出した各配置データを補正処理手段
によって所定の処理を施して露光パターンデータを生成
し、該露光パターンデータを露光装置に与える露光デー
タ処理方法であって、 前記配置情報に基づいて前記補正処理手段のデータ配置
部により前記第2領域毎に読み出した配置データを複数
の単独に配置する単独配置パターンデータと、マトリク
ス状に複数配置するマトリクス配置パターンデータとに
分類し、 前記分類された配置データが単独配置パターンデータで
あった場合、該単独配置領域内で領域境界部以外の第2
領域では、該第2領域毎に読み出した前記配置データお
よび該配置データに隣接する隣接データを該配置データ
の存在する該第2領域に登録し、前記補正手段のデータ
補正部により該第2領域毎に前記配置データおよび前記
隣接データを抽出し、該配置データおよび該隣接データ
に基づいて補正処理を施し、 該単独配置領域内で領域境界部の第2領域では、該第2
領域毎に読み出した前記配置データに隣接する隣接デー
タを該第2領域以外の所定の領域に登録し、前記データ
補正部により該第2領域毎に各配置データと、前記所定
の領域から該配置データに対応する隣接データを抽出
し、該配置データおよび該隣接データに基づいて補正処
理を施し、 前記分類された配置データがマトリクス配置パターンデ
ータであった場合、前記位置情報に基づいて前記データ
配置部により該マトリクス配置パターンデータのマトリ
クス展開領域を設定し、 該マトリクス配置パターンデータに属する前記第2領域
では、該第2領域毎に読み出した前記配置データおよび
該配置データに隣接する隣接データを該配置データの存
在する該第2領域に登録し、 該マトリクス展開領域内で領域境界部以外の第2領域で
は、前記データ補正部により該第2領域の各配置データ
の中から所定の配置データを抽出し、該配置データに補
正処理を施して基準パターンデータとし、該基準パター
ンデータを前記マトリクス展開領域内の領域境界部位該
の領域に展開して該配置データの補正処理を施し、 該マトリクス展開領域内で領域境界部の第2領域では、
前記データ補正部により該第2領域毎の前記配置データ
および前記隣接データを抽出し、該配置データおよび該
隣接データに基づいて補正処理を施すことを特徴とする
露光データ処理方法。
1. A layout pattern area on a wafer is divided into areas of a predetermined size to form a first area, and the first area is further divided into areas of a predetermined size to form a second area. From the data storage means for storing the data group including the arrangement type information, the arrangement information for identifying the data type, and the position information including the information such as the arrangement number of data, the arrangement number, and the arrangement range. The data is read out for each second area in the area data, the arrangement data read out for each second area is subjected to predetermined processing by the correction processing means to generate exposure pattern data, and the exposure pattern data is exposed. An exposure data processing method applied to an apparatus, wherein a plurality of individual arrangement data read out for each of the second areas by the data arrangement unit of the correction processing unit is arranged based on the arrangement information. And German arrangement pattern data are classified into a matrix arrangement pattern data a plurality arranged in a matrix, when the classified arrangement data were alone arrangement pattern data, second non-region boundary portion in the sole arrangement region
In the area, the arrangement data read out for each of the second areas and the adjacent data adjacent to the arrangement data are registered in the second area in which the arrangement data exists, and the data correcting section of the correction means performs the second area. The arrangement data and the adjacent data are extracted for each, and correction processing is performed based on the arrangement data and the adjacent data.
Adjacent data adjacent to the layout data read out for each area is registered in a predetermined area other than the second area, and the data correction unit sets each layout data for each second area and the layout from the predetermined area. When adjacent data corresponding to the data is extracted, correction processing is performed based on the arrangement data and the adjacent data, and when the classified arrangement data is matrix arrangement pattern data, the data arrangement is performed based on the position information. A matrix expansion area of the matrix arrangement pattern data is set by a unit, and in the second area belonging to the matrix arrangement pattern data, the arrangement data read for each of the second areas and the adjacent data adjacent to the arrangement data are stored in the second area. It is registered in the second area where the arrangement data exists, and in the second area other than the area boundary portion in the matrix expansion area, The data correction unit extracts predetermined arrangement data from the arrangement data of the second area, corrects the arrangement data to form reference pattern data, and the reference pattern data is an area in the matrix expansion area. Boundary part: The arrangement data is expanded in the area and correction processing of the arrangement data is performed, and in the second area of the area boundary part in the matrix expansion area,
An exposure data processing method, wherein the data correction unit extracts the arrangement data and the adjacent data for each of the second areas, and performs a correction process based on the arrangement data and the adjacent data.
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JP2506144B2 (en) * 1988-03-28 1996-06-12 富士通株式会社 Pattern data correction method

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