JP2526493B2 - Structure of light receiving module - Google Patents

Structure of light receiving module

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JP2526493B2 JP5170224A JP17022493A JP2526493B2 JP 2526493 B2 JP2526493 B2 JP 2526493B2 JP 5170224 A JP5170224 A JP 5170224A JP 17022493 A JP17022493 A JP 17022493A JP 2526493 B2 JP2526493 B2 JP 2526493B2
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
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    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に使用される
光受信部の受光モジュールの構造の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in the structure of a light receiving module of an optical receiver used for optical communication and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の受光モジュールは、大別
すると、図2に示すように、アバランシェフォトダイオ
ード素子(ADP素子)101と、前置増幅器集積回路
チップ(前置AmpICチップ)103と、パッケージ
105と、ガラス107と、フレームグランド用シャー
シ109とを具備したものが一般的である。ここで、パ
ッケージ105は、金属でもって中空円筒形状に形成さ
れており、かつ軸方向の一端面が閉じた構造をしてい
る。パッケージ105には、光電変換をするADP素子
101と、マイクロチップコンデンサ111を介してパ
ッケージ105のケースアース上に実装されている前置
AmpICチップ103とが収納されている。ADP素
子101と前置AmpICチップ103は、ボンディン
グワイヤ113で接続されている。また、パッケージ1
05の軸方向他端面にはガラス107が配設されてい
る。パッケージ105の一端面側には、リード端子11
5が配設されている。そして、この受光モジュールは、
パッケージ105をシャーシ109に嵌合した状態で、
受光モジュールのガラス107の面に光ファイバ117
を配置して使用されるものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of light receiving module is roughly divided into an avalanche photodiode element (ADP element) 101, a preamplifier integrated circuit chip (preamplifier AmpIC chip) 103, as shown in FIG. In general, the package 105, the glass 107, and the frame ground chassis 109 are provided. Here, the package 105 is formed of a metal in a hollow cylindrical shape, and has a structure in which one end face in the axial direction is closed. The package 105 accommodates an ADP element 101 that performs photoelectric conversion and a front-end AmpIC chip 103 mounted on the case ground of the package 105 via a microchip capacitor 111. The ADP element 101 and the front AmpIC chip 103 are connected by a bonding wire 113. Also, package 1
Glass 107 is disposed on the other axial end surface of 05. The lead terminal 11 is provided on one end surface side of the package 105.
5 are provided. And this light receiving module
With the package 105 fitted to the chassis 109,
An optical fiber 117 is formed on the surface of the glass 107 of the light receiving module.
Is used by placing.

【0003】また、受光モジュールは、前置AmpIC
チップ103の裏面のサブが負電源と導通している場合
には、マイクロチップコンデンサ111を介して交流的
に接地させている。
The light receiving module is a front AmpIC.
When the sub on the back surface of the chip 103 is electrically connected to the negative power source, it is grounded in an alternating manner via the microchip capacitor 111.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の受光
モジュールにあっては、マイクロチップコンデンサ11
1を実装してから、前置AmpICチップ103を実装
しているため、マイクロチップコンデンサ111の実装
精度(位置、水平度)により、次工程における前置Am
pICチップ103の実装工程作業時間が大きく左右さ
れてしまうことになる。特に、マイクロチップコンデン
サの水平度が確保できない場合は、ワイヤボンデング工
事に支障をきたすことがある。
By the way, in the conventional light receiving module, the microchip capacitor 11 is used.
Since the pre-Amp IC chip 103 is mounted after mounting No. 1, the pre-Am in the next process depends on the mounting accuracy (position, horizontality) of the microchip capacitor 111.
The work time of the mounting process of the pIC chip 103 is greatly affected. In particular, if the levelness of the microchip capacitor cannot be ensured, the wire bonding work may be hindered.

【0005】そこで、本発明の目的は、実装工程の作業
時間を短縮できる受光モジュールの構造を提供すること
にある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a structure of a light receiving module which can reduce the working time of the mounting process.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の受光モジ
ュールの構造は、光電変換するアバランシェフォトダイ
オード素子およびこの素子からの電気信号を増幅する前
置増幅器集積回路チップを収納した金属性の同軸型パッ
ケージと、このパッケージの軸方向端面に設けたガラス
と、このパッケージを収納するフレームグランド用シャ
ーシとを備えた受光モジュールにおいて、前置増幅器集
積回路チップの裏面を上記パケージに導通させて配置
し、かつパッケージの周囲にフローティング用セラミッ
クリングを介在させてフレームグランド用シャーシ内に
配置したことを特徴とするものである。
The structure of a light receiving module according to claim 1 is a metallic coaxial housing containing an avalanche photodiode element for photoelectric conversion and a preamplifier integrated circuit chip for amplifying an electric signal from this element. In a light receiving module including a mold package, a glass provided on an end face in the axial direction of the package, and a chassis for a frame ground that accommodates the package, the back side of the preamplifier integrated circuit chip is placed in conduction with the package. Further, it is characterized in that it is arranged in the frame ground chassis with a floating ceramic ring interposed around the package.

【0007】すなわち請求項1記載の受光モジュールの
構造では、パッケージが絶縁体を介してフレームグラン
ド用シャーシ内に配置されているため、パッケージとシ
ャーシとが電気的に絶縁され、かつパッケージとシャー
シとの間に発生する静電容量分で交流的に接地されるこ
とになり、前置増幅器集積回路チップをパッケージに配
置する際にマイクロチップコンデンサが不要になる。し
たがって、マイクロチップコンデンサを実装する工程が
不要になり、かつマイクロチップコンデンサの実装精度
による次工程の前置増幅器集積回路チップの実装作業の
困難が解消されることになる。
That is, in the structure of the light receiving module according to the first aspect, the package is arranged in the chassis for frame ground through the insulator, so that the package and the chassis are electrically insulated from each other, and the package and the chassis are electrically separated from each other. Since it is grounded in an alternating current by the electrostatic capacitance generated during the period, the microchip capacitor becomes unnecessary when the preamplifier integrated circuit chip is arranged in the package. Therefore, the step of mounting the microchip capacitor becomes unnecessary, and the difficulty of mounting the preamplifier integrated circuit chip in the next step due to the mounting accuracy of the microchip capacitor is eliminated.

【0008】請求項2記載のパッケージは、その底から
一定の高さの金属製ランドを形成し、かつこの金属性ラ
ンド上に前置増幅器集積回路チップを配置できる構造と
している。
According to the second aspect of the present invention, a metal land having a constant height is formed from the bottom of the package, and the preamplifier integrated circuit chip can be arranged on the metal land.

【0009】すなわち請求項2記載のパッケージによれ
ば、パッケージの底から一定高さのランドが形成し、こ
のランドに前置増幅器集積回路チップを実装することに
より、アバランシェフォトダイオード素子の実装高さほ
ぼ同一にし、これによりボンディングワイヤ作業が簡単
になる。
That is, according to the package of the second aspect, a land having a constant height is formed from the bottom of the package, and the preamplifier integrated circuit chip is mounted on this land, whereby the mounting height of the avalanche photodiode element is increased. Almost identical, which simplifies the work of bonding wires.

【0010】請求項3記載の絶縁体は、セラミックリン
グで構成したことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, the insulator is composed of a ceramic ring.

【0011】すなわち請求項3記載の絶縁体は、セラミ
ックリングで構成してあるため、パッケージとシャーシ
とを確実に固定できることになる。
That is, since the insulator according to claim 3 is composed of the ceramic ring, the package and the chassis can be securely fixed to each other.

【0012】[0012]

【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to embodiments.

【0013】図1は、本発明の受光モジュールの構造の
一実施例を示す断面図である。この図に示す受光モジュ
ールの構造は、大別すると、ADP素子1と、前置Am
pICチップ3と、パッケージ5と、ガラス7と、フレ
ームグランド用シャーシ9と、絶縁体のセラミンクリン
グ10とを具備したものが一般的である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the structure of the light receiving module of the present invention. The structure of the light receiving module shown in this figure is roughly divided into the ADP element 1 and the front Am.
It is generally provided with a pIC chip 3, a package 5, a glass 7, a frame ground chassis 9, and an insulating ceramic ring 10.

【0014】さらに詳細に構造の説明すると、パッケー
ジ5は金属でもって中空円筒形状に形成されており、か
つ軸方向の一端面が閉じた構造をしている。パッケージ
5は、その底から一定高さであって、前置AmpICチ
ップ3の平面投影面積よりやや大きな面積に形成したラ
ンド11を設けている。ランド11の高さは、前置Am
pICチップ3を実装した際に、ADP素子1の実装高
さと前置AmpICチップ3の実装高さがほぼ同一にな
る程度に選択されている。
Explaining the structure in more detail, the package 5 is made of metal in the shape of a hollow cylinder and has a structure in which one end face in the axial direction is closed. The package 5 is provided with a land 11 having a constant height from the bottom thereof and having an area slightly larger than the projected area of the front AmpIC chip 3. The height of the land 11 is the front Am
The mounting height of the ADP element 1 and the mounting height of the front AmpIC chip 3 are selected to be substantially the same when the pIC chip 3 is mounted.

【0015】パッケージ5には、光電変換をするADP
素子1が実装されるともに、前置AmpICチップ3を
ランド11上に実装され、収納されている。このように
実装された後、ADP素子1と前置AmpICチップ3
とは、ボンディングワイヤ13で接続されている。ま
た、パッケージ5の軸方向他端面には、ガラス7が配設
されている。パッケージ5の一端面側には、リード端子
15が配設されている。そして、この受光モジュール
は、パッケージ5を絶縁体のセラミンクリング10を介
してシャーシ9に嵌合して完成する。受光モジュールの
構造において、ガラス7の面に光ファイバ17を配置す
ることにより使用されるものである。
The package 5 includes ADP for photoelectric conversion.
The element 1 is mounted, and the front AmpIC chip 3 is mounted and housed on the land 11. After being mounted in this way, the ADP element 1 and the front AmpIC chip 3 are mounted.
And are connected by a bonding wire 13. A glass 7 is arranged on the other axial end surface of the package 5. Lead terminals 15 are provided on one end surface side of the package 5. Then, this light receiving module is completed by fitting the package 5 into the chassis 9 via the insulating ceramine ring 10. In the structure of the light receiving module, it is used by disposing the optical fiber 17 on the surface of the glass 7.

【0016】このような受光モジュールの動作を簡単に
説明する。光ファイバ17から出力された光信号は、同
軸形の金属パッケージ5の上面ガラス7を経て、ADP
素子1に達する。受光された光信号はADP素子1にて
電気信号に変換される。その電気信号は、ボンディング
ワイヤ13を介して前置AmpICチップ3に入力され
る。電気信号は、前置AmpICチップ3で増幅されて
リード端子15を介して次段の回路に伝達される。
The operation of such a light receiving module will be briefly described. The optical signal output from the optical fiber 17 passes through the upper surface glass 7 of the coaxial metal package 5 and the ADP.
Reach element 1. The received optical signal is converted into an electric signal by the ADP element 1. The electric signal is input to the front AmpIC chip 3 via the bonding wire 13. The electric signal is amplified by the pre-Amp IC chip 3 and transmitted to the circuit of the next stage via the lead terminal 15.

【0017】次に、受光モジュールの構造の作用を説明
する。前置AmpICチップ3の裏面のサブは、パッケ
ージ5のケースと導通している。ここで、前置AmpI
Cチップ3が負電源で使用されており、かつその裏面の
サブが負電源と導通しているものとする。また、金属パ
ッケージ5も負電源に帯電しているものとする。
Next, the operation of the structure of the light receiving module will be described. The sub on the back surface of the front AmpIC chip 3 is electrically connected to the case of the package 5. Where the preamp AmpI
It is assumed that the C chip 3 is used as a negative power source and that the sub on the back surface thereof is electrically connected to the negative power source. Further, the metal package 5 is also charged with a negative power source.

【0018】一方、金属パッケージ5の外周はセラミン
クリング10の内周面と接触しており、覆われている。
また、セラミンクリング10の外周は、フレームグラン
ド用金属シャーシ9と接触されている。したがって、セ
ラミンクリング10は、負電源に帯電した金属パッケー
ジ5とフレームグランド用シャーシ9との間に機械的に
接触されて固定されていることになるので、交流接地用
のコンデンサを形成することになる。
On the other hand, the outer periphery of the metal package 5 is in contact with and covered with the inner peripheral surface of the ceramine cling 10.
Further, the outer circumference of the ceramine cling 10 is in contact with the frame ground metal chassis 9. Therefore, since the ceramine cling 10 is mechanically contacted and fixed between the metal package 5 charged with the negative power source and the frame ground chassis 9, it is possible to form a capacitor for AC grounding. become.

【0019】したがって、この金属パッケージ5と金属
のフレームグランド用シャーシ9との間に形成されたコ
ンデンサで交流的に接地されたことになるが、直流的に
は絶縁状態にあることになる。これにより、従来、パッ
ケージ5に前置AmpICチップ3を実装する際に必要
であったマイクロチップコンデンサを省略でき、マイク
ロチップコンデンサの実装精度で次工程の前置AmpI
Cチップの実装工事が大変になるということがなくなる
ことになる。
Therefore, although the capacitor formed between the metal package 5 and the metal frame ground chassis 9 is grounded in an AC manner, it is in an insulated state in a DC manner. As a result, it is possible to omit the microchip capacitor conventionally required when mounting the front AmpIC chip 3 on the package 5, and to mount the front AmpI of the next process with the mounting accuracy of the microchip capacitor.
It means that the work of mounting the C chip will not be difficult.

【0020】本発明は、PIN型フォトダイオードなど
他の受光素子にも適用できることはいうまでもない。
It goes without saying that the present invention can be applied to other light receiving elements such as PIN photodiodes.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
による受光モジュールの構造によれば、パッケージに前
置AmpICチップを直接実装するので、従来のように
マイクロチップコンデンサを実装する必要がなく、前置
AmpICチップの実装工事が簡単になり、かつ低コス
ト化が可能になる効果がある。
As described above, according to the structure of the light receiving module according to the first aspect of the invention, the front AmpIC chip is directly mounted on the package, so that it is not necessary to mount the microchip capacitor as in the conventional case. Thus, there is an effect that the mounting work of the front AmpIC chip is simplified and the cost can be reduced.

【0022】請求項2記載の発明によれば、パッケージ
の底から一定高さに形成されたランド上に前置AmpI
Cチップを実装するので、ボンディングワイヤ作業が簡
単になる。
According to the second aspect of the present invention, the front AmpI is provided on the land formed at a constant height from the bottom of the package.
Since the C chip is mounted, the bonding wire work is simplified.

【0023】請求項3記載の発明によれば、パッケージ
とフレームグランド用シャーシとの間にセラミックリン
グを介在させてあるため、パッケージとシャーシとを確
実に固定できるとともに、パッケージとシャーシとでコ
ンデンサを形成させて交流的に接地できるという効果が
ある。
According to the third aspect of the invention, since the ceramic ring is interposed between the package and the chassis for frame ground, the package and the chassis can be securely fixed, and the capacitor can be provided between the package and the chassis. The effect is that it can be formed and grounded in an alternating current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の受光モジュールの構造の一実施例を示
す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the structure of a light receiving module of the present invention.

【図2】従来の受光モジュールの構造を示す断面図であ
る。
FIG. 2 is a sectional view showing a structure of a conventional light receiving module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ADP素子 3 前置AmpICチップ 5 パッケージ 7 ガラス 9 フレームグランド用シャーシ 10 セラミンクリング 11 ランド 13 ボンディングワイヤ 15 リード端子 17 光ファイバ 1 ADP element 3 Front AmpIC chip 5 Package 7 Glass 9 Chassis for frame ground 10 Ceramink ring 11 Land 13 Bonding wire 15 Lead terminal 17 Optical fiber

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 光電変換するアバランシェフォトダイオ
ード素子およびこの素子からの電気信号を増幅する前置
増幅器集積回路チップを収納した金属性の同軸型パッケ
ージと、このパッケージの軸方向端面に設けたガラス
と、このパッケージを収納するフレームグランド用シャ
ーシとを備えた受光モジュールにおいて、 前置増幅器集積回路チップの裏面を上記パッケージに導
通させて配置し、かつパッケージの周囲に絶縁体を介在
させてフレームグランド用シャーシ内に配置したことを
特徴とする受光モジュールの構造。
1. A metal coaxial package containing an avalanche photodiode element for photoelectric conversion and a preamplifier integrated circuit chip for amplifying an electric signal from the element, and a glass provided on an axial end surface of the package. In a light-receiving module equipped with a frame ground chassis for housing this package, the back side of the preamplifier integrated circuit chip is placed in conduction with the package, and an insulator is placed around the package for the frame ground. The structure of the light receiving module, which is characterized by being placed in the chassis.
【請求項2】 前記パッケージは、その底から一定の高
さの金属製ランドを形成し、かつこの金属性ランド上に
前置増幅器集積回路チップを配置できる構造としてなる
ことを特徴とする請求項1記載の受光モジュールの構
造。
2. The package has a structure in which a metal land having a constant height is formed from a bottom of the package, and the preamplifier integrated circuit chip can be arranged on the metal land. 1. The structure of the light receiving module described in 1.
【請求項3】 前記絶縁体は、セラミックリングで構成
したことを特徴とする請求項1記載の受光モジュールの
構造。
3. The structure of the light receiving module according to claim 1, wherein the insulator is a ceramic ring.
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