JP2525284C - - Google Patents

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JP2525284C
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【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体関連製品等の加工、組み立てに必要な被搬送物を汚染物質の
ないクリーン状態で移送することが可能なクリーン搬送方法及び装置に関する。 (発明の概要) 本発明は、半導体関連製品等の加工、組み立てに必要な被搬送物を移送するク
リーン搬送方法及び装置において、移動自在な真空度1Torr以下の真空クリーン ボックスを用いて被搬送物を粉塵等の汚染物質のないクリーン状態で移送可能と
したものである。 (従来の技術) 第7図及び第8図は従来のクリーン搬送方法を示す。これらの図において、部
屋1は仕切壁2により保守室3とクリーン室4とに区画されている。保守室3は
大気中に開放されており、半導体製造に必要な精密成膜工程に使用する各種装置
5が配置されている。 一方、クリーン室4はクラス100〜10(但し、クラス100とは1フィー
トの立方体中に0.5μm以下の粉塵が100個以下のクリーン度であり、クラス
10は同じく10個以下のクリーン度を言う。)のかなり良好なクリーン度に保
たれている。このクリーン室4の天井からはクラス100〜10に対応したフィ
ルタFを介し空気流が吹き下げられグレーチング状態(穴あき状態)の床面7より
排気されるようになっている。そして、このクリーン室4内に、クラス10〜1
(但し、クラス1とは1フィートの立方体中に0.5μm以下の粉塵が1個以下の
クリーン度を言う。)の極めて良好なクリーン度に保たれたクリーンシャトル6
が移動自在に配置されている。前記各種装置5の移送口は前記仕切壁2のクリー
ン室側の壁面に開口しており、この開口周辺部Pは局所的にクラス10〜1のク
リーン度に保たれている。 前記クリーンシャトル6と装置5との間における半導体ウエハー等の被搬送物
Wの受け渡しは、第2図に示すごとく、被搬送物Wをクリーンシャトル6より装
置移送口近傍の局所的にクラス10〜1となっている開口周辺部Pを通して装置
5のロードロック室(子備真空室)8に入れ、装置側移送口のシャッターを閉じて
予備真空室内を真空排気して装置5の真空チャンバー9内に搬入するようにして
いる。 また、他の従来技術として第9図に示すマルチチャンバーシステムと呼ばれる
ものがある。この場合、半導体ウエハー等の被搬送物の出し入れのための1個の
ロードロック室をスパッタ、CVD、エッチング等のプロセスを実施する装置C
H1、CH2、CH3に共用したものである。 (発明が解決しようとする課題) ところで、第7図及び第8図に示した従来のクリーン搬送方法の場合、クリー
ン度のかなり良いクラス100〜10の比較的広いクリーン室4が必要であり、
この広いクリーン室内を適正なクリーン度を維持するための設備に費用がかかる
。また、真空チャンバー9を備えた装置側に被搬送物を受け入れるためのロード
ロック室8を設けることが必要であり、ロードロック室の真空排気が必要不可欠
となり、装置側の構造も複雑とならざるを得ない。さらに、クリーン度を向上さ
せたとしても浮遊粉塵個数を実質的に零にするのは困難で、クリーンシャトル6
と装置5との間の被搬送物の受け渡しの際に、被搬送物が粉塵で汚染される可能
性が残る。 また、第9図のマルチチャンバーシステムと呼ばれるクリーン搬送方法では、
装置数を多くできないし、配置に自由度がなく、保守が困難となる嫌いがある。 なお、本出願人により特開昭63−28047号が提案されているが、ここで
用いるクリーンチャンバーの真空度についてはとくに考察がなされていない。 本発明者は真空中で半導体関連(蒸着やスパッタやイオン注入等)の作業を行う
場合、真空度が1Torr以下であれば粉塵の浮遊がなくなるということを実験的に
見出だした。 そこで本発明は、クリーン環境を安定的に維持しつつ、半導体ウエハー等の被
搬送物を真空チャンバーを有する各種装置に移送可能で高精度な薄膜形成プロセ
ス等に適用可能なクリーン搬送方法及び装置を提供することを目的とする。 (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、本発明のクリーン搬送方法は、移動自在な真空度
1Torr以下の真空クリーンボックスの移送口と真空チャンバーの移送口相互を気
密に結合した状態で被搬送物を移し変える場合において、前記真空クリーンボッ
クス及び真空チャンバーの移送口の開口にはシャッターがそれぞれ設けられ、そ
れらのシャッターは相互に気密に突き合わされた状態で前記開口から外れて前記
真空クリーンボックスと真空チャンバーとを連通させることを特徴としている。 また、本発明のクリーン搬送装置は、移動自在な真空度1Torr以下の真空クリ
ーンボックスと、真空チャンバーとを備え、前記真空クリーンボックス及び真空
チャンバーが相互に気密結合自在な移送口を有し、前記真空クリーンボックス及 び真空チャンバーの移送口の開口にはシャッターがそれぞれ設けられており、そ
れらのシャッターは相互に気密に突き合わされた状態で前記開口から外れて前記
真空クリーンボックスと真空チャンバーとを連通させる構成である。 (作用) 本発明のクリーン搬送方法及び装置においては、真空度1Torr以下の真空クリ
ーンボックスの移送口と真空チャンバーの移送口相互を気密に結合した状態で被
搬送物を移し変えるので、真空クリーンボックスが移動する室内のクリーン度は
それほど良好なものは要求されず、クラス10,000程度(但し、クラス10,
000とは1フィートの立方体中に0.5μm以下の粉塵が10000個以下のク
リーン度を言う。)の簡易クリーンルームで良く、従来の高クラス・クリーンル
ームを設ける場合に比べ、グレーチング状床面等が不要で設備が簡単であるため
、コストダウンが可能である。また、半導体ウエハー等の被搬送物をクリーン環
境を安定的に維持しつつ移し変えることができ、歩留りの向上が可能で高精度な
薄膜形成プロセス等にそのまま利用可能である。かつまた、従来のマルチチャン
バーシステムに比べ、装置の配置数や交換に制約がなく、多品種少量生産のため
のフレキシビリティーを確保することができる点で優れている。 (実施例) 以下、本発明に係るクリーン搬送方法及び装置の実施例を図面に従って説明す
る。 第1図乃至第4図において、部屋1は仕切壁2により大気中に開放された保守
室3とこれよりもややクリーン度の高い簡易クリーン室10とに隔離されている
。保守室3には半導体製造に必要な精密成膜工程等に使用する各種装置11が配
置されている。各種装置11は真空チャンバー13を備えている。 前記簡易クリーン室10はクラス10,000程度のクリーン度で良く、従来
の第8図に示すごときグレーチング状の床等は不要で簡単な防塵設備を施した程
度のもので良い。そして、各種装置11の移送口20は仕切壁2の簡易クリーン
室側壁面に配置されている。この簡易クリーン室10には台車12等に搭載され
た真空クリーンボックス15が移動自在に配置される。すなわち、簡易クリーン
室10は被搬送物を移送するための搬送室として利用される。前記真空クリーン
ボ ックス15の内部の真空度は1Torr以下のクリーンな状態に設定されている。こ
こで、真空クリーンボックス15は真空排気系をそれ自体が有しても良いし、他
の別の所に配置した真空排気手段により使用開始時にクリーンボックス内部を1
Torr以下に真空排気しておくようにしても良い。 第3図及び第4図に示すように、真空チャンバー13を備えた各種装置11の
フランジ付き移送口20にはシャッター21が気密に嵌合しており、同様に真空
クリーンボックス15の移送口22にもシャッター23が気密に嵌合している。
すなわち、シャッター21には移送口20との間を気密封止するためのOリング
32が、同様にシャッター23には移送口22との間を気密封止するためのOリ
ング33が設けられている。また、装置側移送口20の突き合わせ面(フランジ
面)にはOリング25が配置され、移送口20のフランジ背後には、シャッター
21をロックしておくためのロック部材26が設けられている。また、シャッタ
ー21,23の突き合わせ面にもOリング27,28がそれぞれ配置されるととも
に、相互に吸着可能なように各シャッター21,23に永久磁石30,31が埋設
固定されている。これらのシャッター21,23を含む移送口20,22の構造
は2重ゲートバルブ構造を成している。 さて、前記真空クリーンボックス15の内部の真空度を1Torr以下とする理由
を第5図及び第6図で説明する。第5図は、大気中に開放されていた実験用チャ
ンバーを時刻0分において密閉し、真空排気系により実験用チャンバー内部を真
空排気していった時の浮遊粉塵の個数を10μm,5μm,3μm,1μm,0.5
μmについてカウントしたものである。この図で、実験用チャンバー内部が20T
orrや5Torr乃至数Torrの領域では、粉塵の浮遊が見られるが、1Torr以下では
各粉塵の浮遊が全くなくなっていることが判る。 第6図は逆に真空封止した実験用チャンバーをリークしてチャンバー内に僅か
な空気を入れ、8Torr,15Torr,20Torrとして、リーク直後もしくはリーク
時から1分後に浮遊粉塵の数をカウントしたものである。この第6図はリークに
よってチャンバー内に空気が入って数Torr以上になってしまうと、粉塵の浮遊が
発生することを示している。 それらの第5図及び第6図から、チャンバー内が1Torr以下の真空度であれば 浮遊粉塵がなくなるが1Torrよりも真空度が低下し、例えば数Torr乃至5Torrや
8Torrとなると粉塵の浮遊が多少見られるようになることが判る。 半導体ウエハー等の被搬送物Wの搬送は次のようにして実行する。まず、真空
クリーンボックス15の内部を予め1Torr以下に真空排気して浮遊粉塵が実質的
に零となっている状態で第3図のように被搬送物Wを真空クリーンボックス15
内の載置台40上に載置する。それから、第4図のように、装置側真空チャンバ
ー13の移送口20の突き合わせ面をクリーンボックス側移送口22の突き合わ
せ面に圧接して両移送口間を気密封止するとともにシャッター21,23の突き
合わせ面を永久磁石30,31で相互に吸着し、Oリング27,28でシャッター
突き合わせ面間の空気を閉じ込めた状態とし、ロック部材26を解錠状態として
一体となったシャッター21,23を第4図仮想線のごとく外し、移送口20,2
2を連通させる。そして、真空クリーンボックス側の被搬送物Wを装置側の所定
位置、例えば装置側真空チャンバー13内のホルダー41上に移し変える。また
、装置内から真空クリーンボックス内への被搬送物の移し変えも第4図のごとく
移送口20,22を気密に連結した状態において同様に行うことができる。 なお、シャッター21,23は相互に気密保持状態で外れるから、シャッター
開閉に伴う空気リークはない。また、各種装置11側の真空チャンバー13内は
通常1Torr以下の高真空であり、第4図の如く装置側真空チャンバー13と真空
クリーンボックス15とを連通させても真空クリーンボックス内の真空度は1To
rrよりも劣化する可能性はなく、当該真空クリーンボックスを引き続き次の被搬
送物の移送に利用することもできる。 (発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、真空度1Torr以下の真空クリーンボッ
クスの移送口と真空チャンバーの移送口相互を気密に結合した状態で被搬送物を
移し変えることが可能であり、粉塵の浮遊していないクリーン環境を安定に保ち
ながら半導体ウエハー等の被搬送物の搬送が可能である。このため高精度な膜厚
形成プロセス等に適用可能であり、今後の半導体等の超精密素子の製造にも充分
対応可能であり、ひいては製造上の歩留まりの向上を計ることができる。また、
真空クリーンボックスや真空チャンバーの数は適宜増減したり交換することが可 能であり、多品種少量生産のためのフレキシビリティを充分確保することができ
、更に、真空クリーンボックスが移動する室内は比較的クリーン度が低くて良い
から、設備が簡単となる。また、真空クリーンボックスから真空チャンバーへ直
接被搬送物を移し変えるのであるから、従来必要であったロードロック室等は不
要であり、真空チャンバーを有する装置側の構造も簡略化できる。更に、真空ク
リーンボックス及び真空チャンバーのそれぞれの移送口のシャッターは相互に気
密保持状態で外れるから、シャッター開閉に伴う空気リークはない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a clean transfer method capable of transferring conveyed objects required for processing and assembling of semiconductor-related products and the like in a clean state free of pollutants. Related to the device. (Summary of the Invention) The present invention relates to a clean transfer method and apparatus for transferring a transferred object necessary for processing and assembling of a semiconductor-related product or the like, using a movable vacuum clean box having a vacuum degree of 1 Torr or less. Can be transported in a clean state free of pollutants such as dust. (Prior Art) FIGS. 7 and 8 show a conventional clean transfer method. In these figures, a room 1 is divided into a maintenance room 3 and a clean room 4 by a partition wall 2. The maintenance room 3 is open to the atmosphere, and various devices 5 used for a precision film forming process required for semiconductor manufacturing are arranged. On the other hand, the clean room 4 has a class 100 to 10 (however, the class 100 has a cleanness of less than 100 dust of 0.5 μm or less in a 1-foot cube, and the class 10 has a cleanness of 10 or less similarly. Say)) is kept at a fairly good degree of cleanliness. An air flow is blown down from the ceiling of the clean room 4 through a filter F corresponding to a class 100 to 10 and exhausted from a floor surface 7 in a grating state (perforated state). Then, in the clean room 4, the classes 10-1
(However, class 1 means cleanliness of less than 0.5 μm dust in one foot cube.) Clean shuttle 6 with extremely good cleanliness
Are movably arranged. The transfer ports of the various devices 5 are opened in the wall surface of the partition wall 2 on the clean room side, and the peripheral portion P of the opening is locally maintained in a class 10 to 1 clean degree. As shown in FIG. 2, the transfer of the transferred object W such as a semiconductor wafer between the clean shuttle 6 and the apparatus 5 is performed by locally transferring the transferred object W from the clean shuttle 6 to the class 10 near the apparatus transfer port. Through the opening peripheral portion P, which is set to 1, the device enters the load lock chamber (sub-vacuum chamber) 8 of the device 5, closes the shutter at the transfer port on the device side, evacuates the preliminary vacuum chamber, and evacuates the vacuum chamber 9 of the device 5 It is to be carried into. Another prior art is a so-called multi-chamber system shown in FIG. In this case, one load lock chamber for loading and unloading an object to be transferred such as a semiconductor wafer is installed in a device C for performing processes such as sputtering, CVD, and etching.
This is shared by H1, CH2 and CH3. (Problems to be Solved by the Invention) By the way, in the case of the conventional clean transfer method shown in FIGS. 7 and 8, a relatively wide clean room 4 of a class 100 to 10 having a very good cleanness is required.
Equipment for maintaining proper cleanliness in this large clean room is expensive. In addition, it is necessary to provide a load lock chamber 8 for receiving an object to be transported on the side of the apparatus provided with the vacuum chamber 9, so that the vacuum evacuation of the load lock chamber is indispensable, and the structure of the apparatus side is not complicated. Not get. Furthermore, even if the cleanness is improved, it is difficult to reduce the number of suspended dust to substantially zero.
When the transported object is transferred between the apparatus and the apparatus 5, there is a possibility that the transported object is contaminated with dust. In the clean transfer method called a multi-chamber system in FIG. 9,
There is a tendency that the number of devices cannot be increased, the arrangement is not flexible, and maintenance is difficult. The applicant has proposed Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-28047, but no particular consideration has been given to the degree of vacuum of the clean chamber used here. The present inventor has experimentally found that when performing semiconductor-related operations (e.g., vapor deposition, sputtering, or ion implantation) in a vacuum, if the degree of vacuum is 1 Torr or less, dust does not float. Therefore, the present invention provides a clean transfer method and apparatus that can transfer a transferred object such as a semiconductor wafer to various apparatuses having a vacuum chamber and can be applied to a high-precision thin film forming process and the like while stably maintaining a clean environment. The purpose is to provide. (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the clean transfer method of the present invention air-tightly couples a transfer port of a movable vacuum clean box with a vacuum degree of 1 Torr or less and a transfer port of a vacuum chamber. In the case where the transferred object is transferred in a state in which the transfer is performed, shutters are respectively provided in the openings of the transfer ports of the vacuum clean box and the vacuum chamber, and the shutters are detached from the openings in a state where they are abutted with each other. The invention is characterized in that the vacuum clean box and the vacuum chamber are communicated with each other. Further, the clean transfer apparatus of the present invention includes a movable vacuum clean box having a degree of vacuum of 1 Torr or less and a vacuum chamber, the vacuum clean box and the vacuum chamber having a transfer port capable of being hermetically coupled to each other, A shutter is provided at the opening of the transfer port of the vacuum clean box and the vacuum chamber, and the shutters are separated from the opening in a state where they are airtightly abutted with each other to connect the vacuum clean box and the vacuum chamber. Configuration. (Operation) In the clean transfer method and apparatus according to the present invention, the transferred object is transferred while the transfer port of the vacuum clean box having a vacuum degree of 1 Torr or less and the transfer port of the vacuum chamber are airtightly connected to each other. Is not required to have a very good cleanliness inside the room where it moves.
000 means a cleanness of less than 10,000 dusts of 0.5 μm or less in a 1-foot cube. ) A simple clean room is sufficient. Compared with the case where a conventional high-class clean room is provided, a grating-like floor surface or the like is not required and the equipment is simple, so that the cost can be reduced. In addition, a transferred object such as a semiconductor wafer can be transferred while maintaining a clean environment stably, and the yield can be improved, and it can be used as it is in a highly accurate thin film forming process or the like. Further, as compared with the conventional multi-chamber system, there is no restriction on the number of units to be arranged or exchanged, and flexibility in small-quantity production of many kinds can be secured. (Embodiment) An embodiment of a clean transfer method and apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 4, a room 1 is separated into a maintenance room 3 opened to the atmosphere by a partition wall 2 and a simple clean room 10 having a slightly higher degree of cleanness. In the maintenance room 3, various devices 11 used for a precision film forming process and the like necessary for semiconductor manufacturing are arranged. Various devices 11 include a vacuum chamber 13. The simple clean room 10 may have a degree of cleanliness of about 10,000 class, and need not have a grating floor or the like as shown in FIG. The transfer port 20 of the various devices 11 is disposed on the side wall surface of the partition wall 2 in the simple clean room. In this simple clean room 10, a vacuum clean box 15 mounted on a cart 12 or the like is movably arranged. That is, the simple clean room 10 is used as a transfer room for transferring the transferred object. The degree of vacuum inside the vacuum clean box 15 is set to a clean state of 1 Torr or less. Here, the vacuum clean box 15 may have its own vacuum evacuation system, or the inside of the clean box may be reduced to 1 at the start of use by vacuum evacuation means arranged elsewhere.
You may make it evacuate below Torr. As shown in FIGS. 3 and 4, a shutter 21 is airtightly fitted to a transfer port 20 with a flange of various devices 11 having a vacuum chamber 13, and a transfer port 22 of a vacuum clean box 15. Also, the shutter 23 is fitted airtightly.
That is, the shutter 21 is provided with an O-ring 32 for hermetically sealing the space between the transfer port 20, and the shutter 23 is similarly provided with an O-ring 33 for hermetically sealing the space between the transfer port 22. I have. An O-ring 25 is arranged on the abutting surface (flange surface) of the apparatus-side transfer port 20, and a lock member 26 for locking the shutter 21 is provided behind the flange of the transfer port 20. Also, O-rings 27 and 28 are arranged on the butting surfaces of the shutters 21 and 23, respectively, and permanent magnets 30 and 31 are embedded and fixed to the shutters 21 and 23 so that they can be attracted to each other. The structures of the transfer ports 20 and 22 including these shutters 21 and 23 form a double gate valve structure. Now, the reason why the degree of vacuum inside the vacuum clean box 15 is set to 1 Torr or less will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows that the number of floating dust particles when the experimental chamber opened to the atmosphere was sealed at time 0 minute and the inside of the experimental chamber was evacuated by the evacuation system was 10 μm, 5 μm, and 3 μm. , 1 μm, 0.5
It is counted for μm. In this figure, the inside of the experimental chamber is 20T
In the area of orr or 5 Torr to several Torr, dust floating is observed, but it is understood that the floating of each dust disappears at 1 Torr or less. Fig. 6 shows the result of counting the number of floating dust immediately after the leak or one minute after the leak at 8 Torr, 15 Torr, and 20 Torr by leaking the vacuum-sealed experimental chamber and putting a little air into the chamber. It is. FIG. 6 shows that when air enters the chamber due to a leak and becomes more than several Torr, dust floats. 5 and 6 that if the chamber has a vacuum of 1 Torr or less, there is no floating dust, but the degree of vacuum drops below 1 Torr. You can see it. The transfer of the transferred object W such as a semiconductor wafer is performed as follows. First, the inside of the vacuum clean box 15 is evacuated to a pressure of 1 Torr or less in advance, and the transported object W is removed from the vacuum clean box 15 as shown in FIG.
Is mounted on the mounting table 40 inside. Then, as shown in FIG. 4, the abutting surface of the transfer port 20 of the vacuum chamber 13 on the apparatus side is pressed against the abutting surface of the transfer port 22 on the clean box side to hermetically seal the space between the two transfer ports and the shutters 21 and 23. The butting surfaces are attracted to each other by the permanent magnets 30 and 31, the air between the shutter butting surfaces is trapped by the O-rings 27 and 28, and the shutters 21 and 23 that are integrated with the locking member 26 in the unlocked state are the first and second shutters. 4 Remove the line as shown by the imaginary line and transfer ports 20 and 2
Let 2 communicate. Then, the transferred object W on the vacuum clean box side is transferred to a predetermined position on the apparatus side, for example, on the holder 41 in the apparatus side vacuum chamber 13 and changed. The transfer of the transferred object from the inside of the apparatus to the inside of the vacuum clean box can be similarly performed in a state where the transfer ports 20, 22 are airtightly connected as shown in FIG. Since the shutters 21 and 23 are detached from each other in an airtight state, there is no air leak due to the opening and closing of the shutters. Further, the inside of the vacuum chamber 13 on the side of the various devices 11 is usually a high vacuum of 1 Torr or less, and even if the vacuum chamber 13 on the device side is communicated with the vacuum clean box 15 as shown in FIG. 1To
There is no possibility that the vacuum clean box will deteriorate, and the vacuum clean box can be continuously used for transferring the next transferred object. (Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, it is possible to transfer an object to be transferred while the transfer port of the vacuum clean box having a vacuum degree of 1 Torr or less and the transfer port of the vacuum chamber are airtightly connected to each other. It is possible to transfer an object to be transferred such as a semiconductor wafer while stably maintaining a clean environment in which dust does not float. Therefore, the present invention can be applied to a high-precision film formation process and the like, and can sufficiently cope with future production of ultra-precision elements such as semiconductors, and can improve the production yield. Also,
The number of vacuum clean boxes and vacuum chambers can be increased / decreased or replaced as appropriate, ensuring sufficient flexibility for low-volume, high-mix low-volume production. Since the degree of cleanliness is low, the equipment is simplified. Further, since the transferred object is directly transferred from the vacuum clean box to the vacuum chamber, a load lock chamber or the like which has been conventionally required is unnecessary, and the structure of the apparatus having the vacuum chamber can be simplified. Further, since the shutters at the transfer ports of the vacuum clean box and the vacuum chamber are detached from each other in an airtight state, there is no air leak accompanying the opening and closing of the shutters.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明に係るクリーン搬送方法及び装置の実施例を示す平面図、第2
図は同側面図、第3図は真空クリーンボックス及び装置側移送口の構造を示すも
のであって、連結前の状態を示す側断面図、第4図は連結状態を示す同側断面図
、第5図は浮遊粉塵個数とチャンバー内真空度との関係を示すグラフ、第6図は
真空封止状態のチャンバー内に空気をリークした場合の浮遊粉塵個数を示すグラ
フ、第7図は従来のクリーン搬送方法の1例を示す平面図、第8図は同側面図、
第9図は従来のマルチチャンバーシステムを示す平面図である。 1…部屋、2…仕切壁、3…保守室、10…簡易クリーン室、11…装置、1
2…台車、15…真空クリーンボックス、20,22…移送口、21,23…シャ
ッター、30,31…永久磁石、W…被搬送物。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a clean transfer method and apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a side view showing the structure of the vacuum clean box and the apparatus-side transfer port, and FIG. 3 is a side sectional view showing a state before connection, and FIG. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the number of suspended dust and the degree of vacuum in the chamber, FIG. 6 is a graph showing the number of suspended dust when air leaks into the vacuum-sealed chamber, and FIG. FIG. 8 is a plan view showing an example of the clean transfer method, FIG.
FIG. 9 is a plan view showing a conventional multi-chamber system. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Room, 2 ... Partition wall, 3 ... Maintenance room, 10 ... Simple clean room, 11 ... Device, 1
2 ... Dolly, 15 ... Vacuum clean box, 20,22 ... Transport opening, 21,23 ... Shutter, 30,31 ... Permanent magnet, W ... Conveyed object.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1) 移動自在な真空度1Torr以下の真空クリーンボックスの移送口と真空チャン
バーの移送口相互を気密に結合した状態で被搬送物を移し変えるクリーン搬送方
法において、 前記真空クリーンボックス及び真空チャンバーの移送口の開口にはシャッター
がそれぞれ設けられ、それらのシャッターは相互に気密に突き合わされた状能で
前記開口から外れて前記真空クリーンボックスと真空チャンバーとを連通させる
ことを特徴とするクリーン搬送方法。 (2) 大気中に開放された保守室に前記真空チャンバーを有する装置を配置し、仕
切壁によって保守室から隔離されていて前記保守室よりも浮遊粉塵を少なくした
搬送室内に前記真空クリーンボックスを移動自在に配置するとともに、前記仕切
壁の搬送室側壁面に前記真空チャンバーの移送口を配置した請求項1記載のクリ
ーン搬送方法。 (3) 移動自在な真空度1Torr以下の真空クリーンボックスと、真空チャンバーと
を備え、前記真空クリーンボックス及び真空チャンバーが相互に気密結合自在な
移送口を有し、前記真空クリーンボックス及び真空チャンバーの移送口の開口に
はシャッターがそれぞれ設けられており、それらのシャッターは相互に気密に突
き合わされた状態で前記開口から外れて前記真空クリーンボックスと真空チャン
バーとを連通させる構成であることを特徴とするクリーン搬送装置。
[Claims] (1) A clean transfer method for transferring a transferred object in a state where the transfer port of a movable vacuum cleaner box having a vacuum degree of 1 Torr or less and the transfer port of a vacuum chamber are airtightly connected to each other.
In the method, a shutter is provided at the opening of the transfer port of the vacuum clean box and the vacuum chamber.
Are provided, and their shutters are airtightly butted against each other.
A clean transfer method, wherein the vacuum transfer box is communicated with the vacuum chamber outside the opening . (2) Place the device having the vacuum chamber in a maintenance room opened to the atmosphere, and place the vacuum clean box in a transfer room that is separated from the maintenance room by a partition wall and has less floating dust than the maintenance room. 2. The clean transfer method according to claim 1, wherein the transfer port of the vacuum chamber is disposed movably and a transfer port of the vacuum chamber is provided on a side wall surface of the transfer chamber of the partition wall. (3) A movable vacuum clean box having a degree of vacuum of 1 Torr or less and a vacuum chamber are provided. The vacuum clean box and the vacuum chamber have a transfer port that can be hermetically coupled to each other . At the opening of the transfer port
Are provided with shutters, and those shutters protrude from each other in an airtight manner.
The vacuum clean box and the vacuum chamber
A clean transfer device having a configuration for communicating with a bar .

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