JP2520901B2 - 超電導部材 - Google Patents

超電導部材

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JP2520901B2
JP2520901B2 JP62086316A JP8631687A JP2520901B2 JP 2520901 B2 JP2520901 B2 JP 2520901B2 JP 62086316 A JP62086316 A JP 62086316A JP 8631687 A JP8631687 A JP 8631687A JP 2520901 B2 JP2520901 B2 JP 2520901B2
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superconductivity
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和夫 澤田
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、超電導性が必要とされるデバイス等に用
いられる超電導部材に関するものである。
[従来の技術] 最近、セラミックス系超電導材料が高い超電導転移臨
界温度を示すことが見い出され、注目されている。これ
らのセラミックス系超電導材料は、従来の金属系超電導
材料と同様、単独での使用とともに、超電導状態の安定
化等の目的で、常電導材料と複合して使用することが検
討されている。従来の金属系超電導材料では、常電導材
料として、銅やアルミニウムなどの常電導金属が専ら使
用されている。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、セラミックス系超電導材料に、常電導
材料として金属を複合させると、それぞれの熱膨張係数
あ大きく異なるため、繰返し熱応力に弱い超電導部材と
なる。
この発明の目的は、かかる問題を解消すべく、新規な
超電導部材を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] この発明の超電導部材では、超電導を示すセラミック
スと、該セラミックスが超電導を示す超電導転移臨界温
度以下の温度で常電導を示すセラミックスとを複合して
いる。
この発明で用いられる超電導を示すセラミックスとし
ては、たとえば、一般式AaBbCcで表わされる超電導材料
[Aは周期律表I a,II aおよびIII a族元素からなる群
より選択した少なくとも1種、Bは周期律表I b,II bお
よびIII b族元素からなる群より選択した少なくとも1
種、Cは酸素、炭素、窒素、フッ素およびイオウからな
る群より選択した少なくとも1種を示し、一般式中のa,
bおよびcは、それぞれ、A,BおよびCの組成比を示す数
である。]を挙げることができる。
周期律表I a族元素としては、H,Li,Na,K,Rb,Cs,Frが
挙げられる。周期律表II a族元素としては、Be,Mg,Ca,S
r,Ba,Raが挙げられる。周期律表III a族元素としては、
Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,
Ac,Th,Pa,U,Np,Pu,Am,Cm,Bk,Cf,Es,Fm,Md,No,Lrが挙げ
られる。
また、周期律表I b族元素としては、Cu,Ag,Auが挙げ
られる。周期律表II b族元素としては、Zn,Cd,Hgが挙げ
られる。周期律表III b族元素としては、B,Al,Ga,In,Tl
が挙げられる。
特に好ましくは、Aが周期律表I a,II aおよびIII a
族元素からなる群より選ばれた少なくとも2種を含む。
また、Bとして少なくとも銅を含み、Cとして少なくと
も酸素を含むことがさらに好ましい。
また、一般式中のa,bおよびcは、a×(Aの平均原
子価)+b×(Bの平均原子価)=c×(Cの平均原子
価)を満たすことが好ましい。
なお、従来知られている超電導を示すセラミックスと
しては、たとえばY−Sr−Cu−O系セラミックス、Y−
Ba−Cu−O系セラミックス、La−Sr−Cu−O系セラミッ
クスおよびLa−Ba−Cu−O系セラミックスがある。しか
し、この発明は、これらの従来のセラミックスに限定さ
れることはなく、将来開発される超電導を示すセラミッ
クスをも対象とするものである。
この発明で用いる常電導を示すセラミックスとして
は、超電導を示すセラミックスが、その超電導転移臨界
温度より高い温度となったときに示す電気抵抗よりも低
い電気抵抗を有するセラミックスであれば特に限定され
ることはない。たとえば、TiO2などの酸化物が挙げら
れ、またその他の炭化物、窒化物、フッ化物および硫化
物などのセラミックスを用いることができる。
[発明の作用効果] この発明の超電導部材では、セラミックス同士を複合
しており、熱膨張率が比較的近似しているため、常電導
材料として金属を用いた場合に比べ繰返し熱応力に対し
強い超電導部材とすることができる。
また、超電導を示すセラミックスは一般に脆くて弱い
ものであるが、この発明の超電導部材では、このような
超電導を示すセラミックスに常電導を示すセラミックス
を複合させているので、常電導を示すセラミックスで超
電導を示すセラミックスを補強することができる。
この発明の超電導部材は、電気伝送媒体のみならず、
クライオスタットやジョセフソン効果などを利用するよ
うな超電導が必要とされる分野において幅広く利用され
得るものである。したがって、常電導の部分を複合する
目的は、超電導安定化に限定されることはなく、たとえ
ば電極端子などその他の目的で複合させてもよい。
[実施例] 常電導を示すセラミックスであるTiO2基板の上に、第
1図に示すように、YBa2Cu3O7の組成の膜をスパッタリ
ング法により形成した。第1図において、1は超電導を
示すセラミックス薄膜であるYBa2Cu3O7膜、2は常電導
を示すセラミックス基板であるTiO2基板を示す。薄膜の
超電導転移臨界温度は90Kであった。また、TiO2は、90K
以下でも常電導を示すことが知られている。第1図に示
す超電導部材の超電導特性を、77Kで測定したところ、
安定した超電導状態を示すことが確認された。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例を示す断面図である。 図において、1は超電導を示すセラミックス薄膜、2は
常電導を示すセラミックス基板を示す。

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】超電導を示すセラミックスと、該セラミッ
    クスが超電導を示す超電導転移臨界温度以下の温度で常
    電導を示しかつ該セラミックスが該超電導転移臨界温度
    より高い温度となったときに示す電気抵抗よりも低い電
    気抵抗を有するセラミックスとを複合したことを特徴と
    する、超電導部材。
  2. 【請求項2】前記超電導を示すセラミックスが、一般式
    AaBbCcで表わされる超電導材料[Aは周期律表I a,II a
    およびIII a族元素からなる群より選択した少なくとも
    1種、Bは周期律表I b,II bおよびIII a族元素からな
    る群より選択した少なくとも1種、Cは酸素、炭素、窒
    素、フッ素およびイオウからなる群より選択した少なく
    とも1種を示し、一般式中のa,bおよびcは、それぞ
    れ、A,BおよびCの組成比を示す数である。]である、
    特許請求の範囲第1項記載の超電導部材。
  3. 【請求項3】前記Aが、周期律表I a、II aおよびIII a
    族からなる群より選択した少なくとも2種を含むことを
    特徴とする、特許請求の範囲第2項記載の超電導部材。
  4. 【請求項4】前記Bとして少なくとも銅を、前記Cとし
    て少なくとも酸素を含むことを特徴とする、特許請求の
    範囲第2項または第3項記載の超電導部材。
  5. 【請求項5】前記一般式中のa,bおよびcが、a×(A
    の平均原子価)+b×(Bの平均原子価)=c×(Cの
    平均原子価)を満たすように選ばれることを特徴とす
    る、特許請求の範囲第2、3または4項に記載の超電導
    部材。
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JPS63239742A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜超電導体の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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日刊工業新聞社14版第14512号第24頁(昭和62年3月10日)「高温超電導材料スパッタ法で薄膜化」

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