JP2516377B2 - Probe device - Google Patents

Probe device

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JP2516377B2
JP2516377B2 JP62213615A JP21361587A JP2516377B2 JP 2516377 B2 JP2516377 B2 JP 2516377B2 JP 62213615 A JP62213615 A JP 62213615A JP 21361587 A JP21361587 A JP 21361587A JP 2516377 B2 JP2516377 B2 JP 2516377B2
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polishing
probe
probe needle
vacuum suction
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【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はプローブ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a probe device.

(従来の技術) 半導体ウエハを検査する装置としてウエハ検査装置が
ある。この検査装置は半導体ウエハ(以下、ウエハとい
う)の電極パッドとプローブ針を電気的に接触させて検
査している。しかし、この針先が酸化されるため適宜研
磨することが行なわれている。電極パッドに接触した
時、ハンダを削り取ったハンダがプローブ針と付着して
隣りの電極パッドに接触したりするため、適宜針を研磨
するようにしている。このプローブ針を磨く手段とし
て、例えば平板状の研磨体を上下動の垂直振動させる方
法があり、この方法ではプローブ針の底面を研磨するこ
とにより残渣を除去したり先端が減少してプローブ針が
太くなるのを防止するため研磨している。
(Prior Art) There is a wafer inspection apparatus as an apparatus for inspecting a semiconductor wafer. This inspection apparatus inspects by electrically contacting an electrode pad of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) with a probe needle. However, since the needle tip is oxidized, it is appropriately polished. When contacting the electrode pad, the solder scraped off adheres to the probe needle and contacts the adjacent electrode pad. Therefore, the needle is appropriately polished. As a means for polishing the probe needle, for example, there is a method in which a flat plate-like polishing body is vertically vibrated vertically, and in this method, the bottom surface of the probe needle is polished to remove residues or reduce the tip, and Polished to prevent it from becoming thick.

上記の触針を研磨する手段については、特公昭61−17
41号公報に記載されている。
For the means for polishing the above-mentioned stylus, see Japanese Patent Publication No. 61-17.
No. 41 publication.

プローブカードのプローブ針が酸化し、磨耗したもの
を従来の平板状研磨体で研磨したのち、ウエハチップの
電極パッドに接触させると、上記プローブ針の先端がチ
ップの電極パッド面と平行に研磨されているので、上記
プローブ針の先端が上記電極パッド面を覆うように面接
触される。
After the probe needle of the probe card is oxidized and worn away, it is polished with a conventional plate-shaped polishing body, and then contacted with the electrode pad of the wafer chip, the tip of the probe needle is polished parallel to the electrode pad surface of the chip. Therefore, the tip of the probe needle is brought into surface contact so as to cover the electrode pad surface.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、従来のプローブ装置の場合には、プロ
ーブ針の研磨時期を作業員が経験と勘により判断し、研
磨と度に平板状の研磨体を作業員が設置してプローブ針
を研磨するようにしているため、研磨時期にバラツキが
あり、しかも研磨作業の段取り等に多くの時間を要し、
半導体ウエハの電気的検査効率が低下するという問題点
があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the case of the conventional probe device, the operator judges the polishing time of the probe needle based on his experience and intuition, and the operator makes a flat plate-like polishing body for each polishing operation. Since the probe needles are installed and polished, there are variations in the polishing time, and more time is required for the setup of the polishing work.
There is a problem that the electrical inspection efficiency of the semiconductor wafer is reduced.

また、上記電極パッド表面の酸化膜を突破っての接触
が不可能で、上記電極パッド表面に食い込む如く接触さ
れないので、触針と電極パッドの接触が不完全となり、
良品のチップであっても不良品チップと判定される問題
点がある。
In addition, it is impossible to make contact by breaking through the oxide film on the surface of the electrode pad, and since the contact is not made as if it bites into the surface of the electrode pad, the contact between the stylus and the electrode pad becomes incomplete.
There is a problem that even a good chip is determined to be a defective chip.

本発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で、半導体ウエハの電気的検査とプローブ針の研磨とを
自動的に切り替えて研磨作業を自動化してプローブ針を
常に良好な状態で使用することができるプローブ装置を
提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and automatically switches between electrical inspection of a semiconductor wafer and polishing of a probe needle to automate polishing work and always use the probe needle in a good state. It is an object of the present invention to provide a probe device that can be used.

〔発明の構成〕[Structure of Invention]

(問題点を解決するための手段) 本発明のプローブ装置は、プローブカードに設けられ
たプローブ針を半導体ウエハに電気的に接触させて電気
的検査を行なうプローブ装置において、上記プローブ針
を研磨する研磨体を保持する保持体と、この保持体で保
持する研磨体を収納する収納部と、この収納部と上記保
持体との間で上記研磨体を遣取りするハンドリング装置
と、このハンドリング装置により取り出した研磨体を上
記保持体で保持して基台上で移動させる移動部と、この
移動部により上記プローブ針の下側へ移動させた保持体
を上下動させる上下動部とを備え、上記半導体ウエハを
所定枚数検査した後、上記ハンドリング装置により上記
収納部から上記保持体上に上記研磨体を自動的に取り出
し、上記移動部により上記プローブ針の下側へ移動させ
た後、上記保持体を上記上下動部により上下動させて上
記プローブ針を研磨し、研磨後には上記研磨体を上記収
納部へ返送することを特徴とするものである。
(Means for Solving Problems) A probe device of the present invention is a probe device for electrically inspecting a semiconductor wafer by electrically contacting a probe needle provided on a probe card with a semiconductor wafer, and polishing the probe needle. A holding body that holds the polishing body, a storage unit that stores the polishing body that is held by the holding body, a handling device that exchanges the polishing body between the storage unit and the holding body, and the handling device. A moving unit for holding the taken-out polishing body by the holding body and moving it on the base; and a vertically moving unit for vertically moving the holding body moved to the lower side of the probe needle by this moving unit, After inspecting a predetermined number of semiconductor wafers, the polishing apparatus is automatically taken out from the storage section onto the holding body by the handling device, and the moving section moves the lower part of the probe needle under the probe needle. After being moved to the side, the holding body is moved up and down by the vertical movement unit to polish the probe needle, and after polishing, the polishing body is returned to the storage unit.

(作用) 本発明によれば、半導体ウエハをプローブカードのプ
ローブ針に接触させて半導体ウエハの電気的検査を所定
枚数行なった後、ハンドリング装置により収納部から研
磨体を保持台上に自動的に取り出し、この研磨体を保持
台で保持した後、移動部によりプローブ針の下側へ研磨
体を移動させ、次いで上下動部を駆動させると、この研
磨体によりプローブ針を研磨し、研磨後には研磨体を収
納部へ自動的に返送することができる。
(Operation) According to the present invention, after the semiconductor wafer is brought into contact with the probe needle of the probe card to perform a predetermined number of electrical inspections of the semiconductor wafer, the polishing body is automatically placed on the holding table from the storage portion by the handling device. After taking out and holding this polishing body on a holding table, the moving body moves the polishing body to the lower side of the probe needle, and then the up-and-down moving unit is driven, whereby the polishing needle polishes the probe needle, and after polishing, The polishing body can be automatically returned to the storage unit.

(実施例) 本発明におけるプローブ装置の一実施例を図面を用い
て説明する。
(Example) An example of the probe device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図において、プローブ円板の中心に集合する如く
配置された複数個のプローブ針(1)からなるプローブ
カード(2)が固定台、例えばウエハ検査装置のヘッド
プレート(3)の固定台(4)に固定させる。
In FIG. 1, a probe card (2) consisting of a plurality of probe needles (1) arranged so as to be gathered at the center of a probe disk is fixed, for example, a fixed base (3) of a head plate (3) of a wafer inspection apparatus. Fix to 4).

この固定台(4)に固定されたプローブカード(2)
の下側に一定の距離を離して保持体として真空吸着台
(5)が移動部としての真空吸着台移動部(6)の作動
により、プローブカード(2)面と平行に走行する。
Probe card (2) fixed to this fixing base (4)
The vacuum suction table (5) as a holder is moved parallel to the surface of the probe card (2) by the operation of the vacuum suction table moving section (6) as a moving section while keeping a certain distance to the lower side.

この真空吸着台(5)が真空吸着台移動部(6)によ
りプローブカード(2)の下側に到達したのちに、上下
動部としての真空吸着台上下移動部(7)でこの真空吸
着台(5)を上下動する。
After the vacuum suction table (5) reaches the lower side of the probe card (2) by the vacuum suction table moving section (6), the vacuum suction table vertical moving section (7) as the vertical moving section moves the vacuum suction table. Move (5) up and down.

この真空吸着台(5)には、上記プローブカード
(2)とプローブ針(1)の先端部(1a)の内側壁(1
b)を研磨する研磨体(8)が吸着固定されている。
On the vacuum suction table (5), the probe card (2) and the inner wall (1) of the tip portion (1a) of the probe needle (1) are attached.
Abrasive body (8) for polishing b) is adsorbed and fixed.

この研磨体(8)の構造は、上記プローブカード
(2)の複数のプローブ針(1)の先端部(1a)に囲ま
れた内側壁(1b)と斜交する如く断面が台形状に形成さ
れた研磨片(8a)で、この研磨片(8b)の底面に真空吸
着台(5)の吸着方向に円板(8b)が設けられた構造に
なっている。
The structure of the polishing body (8) is formed in a trapezoidal cross section so as to cross the inner side wall (1b) surrounded by the tips (1a) of the plurality of probe needles (1) of the probe card (2). The polishing piece (8a) has a structure in which a disk (8b) is provided on the bottom surface of the polishing piece (8b) in the suction direction of the vacuum suction table (5).

例えば、上記の複数のプローブ針(1)の先端部(1
a)に囲まれた内側壁(1b)と斜交するように研磨面(8
c)を設けた研磨体(8)は、断面が台形状で、底辺8mm
×上辺5mm×高5mmのセラミック材で、セラミック材表面
荒さ#2000〜#2500番で加工された研磨片(8a)をφ60
mm×厚1mmのセラミック部材またはアルミ部材に固着し
て設けられた構成になっている。
For example, the tip portions (1
The polishing surface (8
The polishing body (8) provided with c) has a trapezoidal cross section and a base of 8 mm.
X Ceramic piece with upper side 5 mm x height 5 mm, polishing piece (8a) processed with ceramic material surface roughness # 2000 to # 2500 is φ60
It is configured to be fixedly attached to a ceramic member or an aluminum member with a thickness of mm x 1 mm.

また、他の研磨体(9)の構成は、上記プローブカー
ド(2)の複数のプローブ針(1)の先端部(1a)に囲
まれた外側壁(1c)と斜交する如く断面が逆台形状で窪
溝状に形成された研磨片(9a)で、この研磨片(9a)の
底面に真空吸着台(5)の吸着方向に円板(9b)が設け
られた構造になっている。
Further, the structure of the other polishing body (9) has a reverse cross section so as to cross the outer wall (1c) surrounded by the tips (1a) of the plurality of probe needles (1) of the probe card (2). The polishing piece (9a) is formed in a trapezoidal shape and has a structure in which a disk (9b) is provided on the bottom surface of the polishing piece (9a) in the suction direction of the vacuum suction table (5). .

例えば、上記複数のプローブ針(1)の先端部(1a)
に囲まれた外側壁(1c)を斜交するように研磨面(9c)
を窪溝の傾斜面に設けた他の研磨体(9)は、断面が逆
台形状で窪溝状に設けられ、上辺6mm×底辺4mm×深4mm
寸法のセラミック材で、研磨面のセラミック材表面荒さ
#2000〜#2500番で加工された研磨片(9a)を上記と同
様にφ60mm×厚1mmのセラミック部材または、アルミ部
材に固着して設けられた構成になっている。これら研磨
体は次のようにプローブ針(1)と接触し、離隔する動
作を返し換し行う構造になっている。
For example, the tip portions (1a) of the plurality of probe needles (1)
Polished surface (9c) diagonally crossing the outer wall (1c) surrounded by
Another polishing body (9) provided with the inclined surface of the concave groove has an inverted trapezoidal cross section and is formed in a concave groove shape, and the top side is 6 mm × the bottom side is 4 mm × the depth is 4 mm.
A ceramic piece of dimensions, the polishing piece (9a) processed with ceramic surface roughness # 2000 to # 2500 of the polishing surface is fixed to a ceramic member of φ60 mm × thickness 1 mm or an aluminum member in the same manner as above. It has been configured. These abrasive bodies are structured to contact the probe needle (1) and separate the separating operation as follows.

すなわち、上記研磨体の底面を吸着した真空吸着台
(5)がプローブカード(2)の下側の位置に真空吸着
台移動部(6)によって所定位置まで移動して停止され
る。
That is, the vacuum suction table (5) sucking the bottom surface of the polishing body is moved to a position below the probe card (2) by the vacuum suction table moving section (6) to a predetermined position and stopped.

上記真空吸着台(5)を上下動に移動させる真空吸着
台上下動部(7)が真空吸着台(5)の主軸(10)に連
結されている。
A vacuum suction table vertical moving part (7) for vertically moving the vacuum suction table (5) is connected to a main shaft (10) of the vacuum suction table (5).

この実施例では上記真空吸着台上下動部(7)で上記
真空吸着台(5)を上下動させる構造は次の構成により
行う。
In this embodiment, the structure for moving the vacuum suction table (5) up and down by the vacuum suction table vertical moving part (7) is as follows.

前記研磨体(8)を吸着した真空吸着台(5)の底面
と直交する如く垂設した主軸(10)を設け、この主軸
(10)の一端部に直交する如く軸穴を設け、この軸穴に
偏芯軸(11)を挿入し、この偏芯軸(11)の両端を支持
体に軸架し、さらに、この偏芯軸(11)の一端に駆動部
(12)のパルスモータを結合された構造になっている。
A spindle (10) is provided so as to be perpendicular to the bottom surface of the vacuum suction table (5) that adsorbs the polishing body (8), and a shaft hole is provided so as to be orthogonal to one end of the spindle (10). Insert the eccentric shaft (11) into the hole, mount both ends of the eccentric shaft (11) on the support, and further install the pulse motor of the drive unit (12) at one end of the eccentric shaft (11). It has a combined structure.

即ち、駆動部(12)により偏芯軸(11)を回転させる
と、偏芯量の差だけ偏芯軸(10)と直交した主軸(10)
を上下に位置移動するように構成されている。このよう
に構成された真空吸着台上下動部(7)の位置制御は駆
動部(12)に入力するパルス数で真空吸着台(5)が位
置制御されるように構成されている。ここで位置制御情
報の基本データ(13)又は、入力データ(14)を用いて
も第3図に示す如く駆動部(12)の位置制御は可能であ
る。
That is, when the eccentric shaft (11) is rotated by the drive unit (12), the main shaft (10) orthogonal to the eccentric shaft (10) by the difference in the eccentric amount.
Is configured to move up and down. The position control of the vacuum suction table up-and-down moving section (7) thus configured is such that the position of the vacuum suction table (5) is controlled by the number of pulses input to the drive section (12). Here, the position control of the drive unit (12) is possible as shown in FIG. 3 by using the basic data (13) of the position control information or the input data (14).

上記真空吸着台(5)を搭載した真空吸着台上下動部
(7)はプローブ装置の基台に敷設されたX軸レールを
移動する進行吸着台移動部(6)に立設している。この
真空吸着台移動部(6)は上記真空吸着台(5)をプロ
ーブカードの下側からウエハ供給部(15)のハンドリン
グ装置としてのハンドリングアーム(16)の授受位置ま
で移動自在である(第3図参照)。
The vacuum suction table vertical moving part (7) having the vacuum suction table (5) mounted thereon is erected on the advancing suction table moving part (6) which moves the X-axis rail laid on the base of the probe device. The vacuum suction table moving unit (6) can move the vacuum suction table (5) from the lower side of the probe card to a transfer position of a handling arm (16) as a handling device of the wafer supply unit (15) (first). (See Figure 3).

また、プローブカードの下側から上記授受位置まで移
動する途中の研磨体(8)の配置情報を抽出するアライ
メント部(17)が設けられている。このアライメント部
(17)は吸着固定した研磨体(8)の配置形状をパター
ン認識する。このパターン認識の情報と、予めプローブ
カード(2)のプローブ針(1)位置の情報と比較し、
真空吸着台(5)の周方向及びXY移動を行う。
Further, an alignment section (17) for extracting the arrangement information of the polishing body (8) on the way from the lower side of the probe card to the transfer position is provided. The alignment section (17) recognizes the pattern of the arrangement shape of the abrasive body (8) fixed by suction. By comparing this pattern recognition information with the probe needle (1) position information of the probe card (2) in advance,
The vacuum suction table (5) is moved in the circumferential direction and XY.

また、前記ハンドリングアーム(16)はウエハの収納
庫(18)と併列位置にある収納部としての研磨体収納庫
(19)から研磨体(8)を取出し、真空吸着台(5)に
載置する如く構成されている。
In addition, the handling arm (16) takes out the polishing body (8) from the polishing body storage (19) as a storage portion which is arranged in parallel with the wafer storage (18) and mounts it on the vacuum suction table (5). It is configured as follows.

この実施例では、第3図に示すように、所定枚数のウ
エハ(20)を検査した後、ハンドリングアーム(16)で
研磨体(8)の研磨体収納庫(19)から真空吸着台
(5)上に自動的に取り出し、真空吸着台移動部(6)
によりプローブ針(1)の下側へ移動させた後、真空吸
着台(5)を真空吸着台上下動部(7)により上下動さ
せ、研磨体(8)によりプローブ針(1)を研磨し、研
磨後には上述の動作とは逆手順で駆動させて研磨体
(8)は研磨体収納庫(19)へ返送するように構成され
ている。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, after a predetermined number of wafers (20) have been inspected, the handling arm (16) moves the polishing body (8) from the polishing body storage (19) to the vacuum suction table (5). ) Automatically picked up on the vacuum suction table moving part (6)
After moving it to the lower side of the probe needle (1) by means of, the vacuum suction table (5) is moved up and down by the vacuum suction table vertical movement part (7), and the probe needle (1) is polished by the polishing body (8). After polishing, the polishing body (8) is configured to be driven in the reverse order of the above-described operation and returned to the polishing body storage (19).

即ち第3図において、ウエハ供給部(15)にはウエハ
(20)の収納庫(18)と研磨体収納庫(19)が設定され
ている。このウエハ(20)の収納庫(18)から取出され
た、ウエハ(20)がハンドリングアーム(16)で真空吸
着台(5)に供給される。
That is, in FIG. 3, the wafer supply section (15) is provided with a storage (18) for the wafer (20) and a polishing storage (19). The wafer (20) taken out from the storage (18) of the wafer (20) is supplied to the vacuum suction table (5) by the handling arm (16).

上記ウエハ(20)を吸着固定した真空吸着台(5)は
真空吸着台移動部(6)でプローブカード(2)の下側
に移動する。
The vacuum suction table (5) to which the wafer (20) is fixed by suction is moved to the lower side of the probe card (2) by the vacuum suction table moving section (6).

上記真空吸着台(5)は真空吸着台上下動部(7)に
より上昇し、真空吸着台(5)に吸着固定したウエハ
(20)のチップの電極パッド(図示せず)にプローブカ
ード(2)のプローブ針(1)が接しプローブカード
(2)から引出されている接触導線(図示せず)でテス
タに導通し検査されるように構成されている。
The vacuum suction table (5) is lifted by the vacuum suction table vertical movement part (7), and the probe card (2) is attached to the electrode pad (not shown) of the chip of the wafer (20) suction-fixed to the vacuum suction table (5). The probe needle (1) is in contact with the probe card (2) and is conducted to the tester with a contact lead wire (not shown) drawn from the probe card (2) for inspection.

この検査終了後のウエハ(20)は径路に従って退去さ
れ、収納庫(18)に収納される。この繰り返しにより所
定枚数のウエハ(20)を検査したのちプローブ装置のウ
エハ供給部(15)に結合された計数部(21)はウエハ
(20)の枚数と計数し、その枚数が所定の数量に達する
と信号を出力し、研磨制御部(22)に入力する。
After the inspection, the wafer (20) is withdrawn along the path and stored in the storage (18). After a predetermined number of wafers (20) are inspected by repeating this, the counting unit (21) connected to the wafer supply unit (15) of the probe device counts the number of wafers (20) and the number of wafers becomes a predetermined number. When it reaches, it outputs a signal and inputs it to the polishing control section (22).

この信号を受取った研磨制御部(22)はウエハ供給部
(15)によるウエハ(20)の供給を一時停止したのち、
ウエハ(20)の替りに研磨体(8)を研磨体収納庫(1
9)からウエハ供給部(15)のハンドリングアーム(1
6)で取出し、真空吸着台(5)に吸着固定する。この
真空吸着台(5)をアライメント部(17)に移動し、こ
のアライメント部(17)で、研磨体(8)の配置をパタ
ーン認識したのちプローブカード(2)の下側に移動さ
せる。ここでパターン認識はすでに公知であり、例えば
特開昭60−246645号公報で記載されており、ここでの説
明を省略する。
Upon receiving this signal, the polishing control section (22) temporarily stops the supply of the wafer (20) by the wafer supply section (15),
Instead of the wafer (20), place the polishing body (8) in the polishing body storage (1
9) From wafer supply part (15) to handling arm (1
Take it out at 6) and fix it on the vacuum suction table (5) by suction. The vacuum suction table (5) is moved to the alignment section (17), and the alignment section (17) moves the lower side of the probe card (2) after pattern recognition of the arrangement of the polishing body (8). Here, the pattern recognition is already known, and is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 60-246645, and a description thereof will be omitted here.

プローブカード(2)の下側に配置された真空吸着台
(5)が入力データ(14)または基本データ(13)に基
づいて上昇する。この真空吸着台(5)の上昇により、
研磨面にプローブ針(1)が斜交して接触する位置を顕
微鏡を介して目視する。この目視により研磨面(8c)と
プローブ針(1)の初期接触位置を人為的に抽出する。
この初期接触した時の真空吸着台(5)高さは真空吸着
台上下動部(7)に設けた位置制御系で記憶されてい
る。この初期接触位置を基準にして微量の高さ上昇さ
せ、また降下させる。
The vacuum suction table (5) arranged below the probe card (2) rises based on the input data (14) or the basic data (13). By raising the vacuum suction table (5),
The position where the probe needle (1) obliquely contacts the polished surface is visually observed through a microscope. By this visual observation, the initial contact position between the polishing surface (8c) and the probe needle (1) is artificially extracted.
The height of the vacuum suction table (5) at the time of this initial contact is stored by the position control system provided in the vacuum suction table vertical movement part (7). A small amount of height is raised or lowered based on this initial contact position.

従って、プローブカード(2)のプローブ針(1)の
先端の内側壁(1b)に斜交して軽く接触し、さらに所定
量上昇し、また所定量降下し、数回繰り返しプローブ針
(1)の内側壁(1b)を研磨する。
Therefore, the probe needle (1) of the probe card (2) obliquely contacts the inner wall (1b) of the tip of the probe needle (1) in a slanting manner, and further rises by a predetermined amount and then falls by a predetermined amount, and the probe needle (1) is repeated several times. Polish the inner wall (1b) of the.

研磨された後は、ウエハ(20)と同様に退去され、研
磨体収納庫(19)に収納される。
After being polished, it is moved out like the wafer (20) and stored in the polishing body storage (19).

このようにプローブカード(2)のプローブ針(1)
を定期的に研磨するので、常に正常な触針状態を維持し
て検査されるので高品質で確実な検査が可能となる。
Thus, the probe needle (1) of the probe card (2)
Since it is ground regularly, the inspection is always performed while maintaining a normal stylus state, so high-quality and reliable inspection is possible.

以上説明したように本実施例によれば、ウエハ(20)
を検査している間に計数部(21)がウエハ(20)の検査
枚数を計数し、この検査枚数が所定の枚数に達すると、
計数部(21)から電気信号を出力して研磨制御部(22)
を介してウエハ(20)の供給を停止した後、研磨体
(8)をウエハ(20)と同様に自動的に取り出し、真空
吸着台移動部(6)及び真空吸着台上下動部(7)を介
して研磨体(8)によりプローブ針(1)を自動的に研
磨してプローブ針を常に良好な状態で使用することがで
き、研磨後には真空吸着台上下動部(7)を下降させて
研磨体(8)をプローブ針(8)を干渉させることなく
返送することができる。つまり、本実施例によれば、半
導体ウエハ(20)の電気的検査とプローブ針(1)の研
磨とを自動的に切り替えることができ、従来のように作
業員を介する必要がなく研磨作業を自動化することがで
きる。
As described above, according to this embodiment, the wafer (20)
While inspecting, the counting unit (21) counts the number of inspected wafers (20), and when the inspected number reaches a predetermined number,
An electric signal is output from the counting unit (21) and the polishing control unit (22)
After stopping the supply of the wafer (20) through the wafer, the polishing body (8) is automatically taken out in the same manner as the wafer (20), and the vacuum suction table moving part (6) and the vacuum suction table vertical moving part (7) are taken out. The probe needle (1) can be automatically polished by the polishing body (8) via the tool so that the probe needle can always be used in a good state, and after polishing, the vacuum suction table vertical moving part (7) is lowered. Thus, the polishing body (8) can be returned without interfering with the probe needle (8). That is, according to the present embodiment, the electrical inspection of the semiconductor wafer (20) and the polishing of the probe needle (1) can be automatically switched, and the polishing work can be performed without the need for an operator as in the conventional case. It can be automated.

また、本実施例によれば、真空吸着台移動部(6)が
基台上に敷設された一軸レールに沿って移動するため、
基台上で研磨体(8)を正確に移動制御することができ
る。更に、研磨するまでに電気的検査を行なうウエハ
(20)の所定枚数を計数する計数部(21)を設けたた
め、電気的検査を行なうウエハ(20)の種類によって適
宜その枚数を設定することができる。
Further, according to the present embodiment, since the vacuum suction table moving unit (6) moves along the uniaxial rail laid on the base,
It is possible to precisely control the movement of the polishing body (8) on the base. Further, since the counting unit (21) for counting the predetermined number of wafers (20) to be electrically inspected before polishing is provided, the number of wafers (20) to be electrically inspected can be set appropriately depending on the type of the wafers (20) to be electrically inspected. it can.

上記に述べた実施例ではプローブ装置が自動化された
装置であるが手動式プローブ装置においても同様に研磨
することができる。例えば手動式プローブ装置ではアラ
イメント部が無いのでプローブカードのプローブ針に研
磨体が接触するように出入れを行って位置出しする。こ
の位置出し後、研磨体と真空吸着台に吸着固定させ、そ
の後真空吸着台と直交する方向に上下動をさせることに
より研磨を行う。
In the above-described embodiment, the probe device is an automated device, but a manual probe device can be similarly polished. For example, since a manual probe device does not have an alignment portion, the probe needle of the probe card is moved in and out so that the polishing body comes into contact with the probe needle and positioned. After this position is set, the polishing body and the vacuum suction table are suction-fixed, and thereafter, polishing is performed by vertically moving in a direction orthogonal to the vacuum suction table.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、プローブ針を研
磨する研磨体を移動部により必要な時だけプローブカー
ドの下側に移動させた後、上下動部によりプローブ針を
研磨し、その他の時には本来の半導体ウエハの電気的検
査を行なうようにしたため、半導体ウエハの電気的検査
とプローブ針の研磨とを自動的に切り替えて研磨作業を
自動化してプローブ針を常に良好な状態で使用すること
ができるプローブ装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, after moving the polishing body for polishing the probe needle to the lower side of the probe card only when necessary by the moving unit, the probe needle is polished by the vertical movement unit, and at other times. Since the original electrical inspection of the semiconductor wafer is performed, the electrical inspection of the semiconductor wafer and the polishing of the probe needle are automatically switched to automate the polishing work so that the probe needle can always be used in a good condition. It is possible to provide a probe device capable of doing so.

また、上記移動部は上記基台上に敷設された一軸レー
ルに沿って移動するため、基台上で研磨体を正確に移動
制御することができるプローブ装置を提供することがで
きる。更に、研磨するまでに電気的検査を行なう半導体
ウエハの所定枚数を計数する計数部を設けたため、電気
的検査を行なう半導体ウエハの種類によって適宜その枚
数を設定することができるプローブ装置を提供すること
ができる。
Further, since the moving unit moves along the uniaxial rail laid on the base, it is possible to provide a probe device capable of accurately controlling the movement of the polishing body on the base. Further, since a counting unit for counting a predetermined number of semiconductor wafers to be electrically inspected before polishing is provided, it is possible to provide a probe device capable of appropriately setting the number of semiconductor wafers to be electrically inspected depending on the type. You can

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明のプローブ装置に研磨体を用いて、プロ
ーブカードのプローブ針の内側壁を研磨する構造を説明
する説明図、第2図は第1図に示した検査体のプローブ
カードの触針の外側壁を研磨する構造を説明する説明
図、第3図は第1図のプローブ装置の動作を説明するブ
ロック図である。 1……プローブ針、1a……先端部、 1b……内側壁、1c……外側壁、 8……研磨体、8a……研磨片、 8b……円板、8c……研磨面、 9……他研磨体、9a……研磨片、 9b……円板、9c……研磨面。
FIG. 1 is an explanatory view for explaining a structure for polishing an inner wall of a probe needle of a probe card by using a polishing body in the probe device of the present invention, and FIG. 2 is a diagram of the probe card for the inspection body shown in FIG. FIG. 3 is an explanatory view for explaining the structure for polishing the outer wall of the stylus, and FIG. 3 is a block diagram for explaining the operation of the probe device of FIG. 1 ... probe needle, 1a ... tip, 1b ... inner wall, 1c ... outer wall, 8 ... polishing body, 8a ... polishing piece, 8b ... disc, 8c ... polishing surface, 9 ... … Other abrasives, 9a …… Abrasive piece, 9b …… Disk, 9c …… Abraded surface.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】プローブカードに設けられたプローブ針を
半導体ウエハに電気的に接触させて電気的検査を行なう
プローブ装置において、上記プローブ針を研磨する研磨
体を保持する保持体と、この保持体で保持する研磨体を
収納する収納部と、この収納部と上記保持体との間で上
記研磨体を遣取りするハンドリング装置と、このハンド
リング装置により取り出した研磨体を上記保持体で保持
して基台上で移動させる移動部と、この移動部により上
記プローブ針の下側へ移動させた保持体を上下動させる
上下動部とを備え、上記半導体ウエハを所定枚数検査し
た後、上記ハンドリング装置により上記収納部から上記
保持体上に上記研磨体を自動的に取り出し、上記移動部
により上記プローブ針の下側へ移動させた後、上記保持
体を上記上下動部により上下動させて上記プローブ針を
研磨し、研磨後には上記研磨体を上記収納部へ返送する
ことを特徴とする半導体ウエハのプローブ装置。
1. A holding device for holding a polishing body for polishing the probe needle in a probe device for electrically inspecting a semiconductor wafer by electrically contacting a probe needle provided on a probe card, and the holding body. A storage unit for storing the polishing body to be held by, a handling device for transferring the polishing body between the storage unit and the holding body, and the polishing body taken out by the handling device is held by the holding body. The handling device is provided with a moving part for moving on the base and a vertical moving part for vertically moving the holder moved to the lower side of the probe needle by this moving part, after inspecting a predetermined number of the semiconductor wafers. After that, the polishing body is automatically taken out from the storage section onto the holding body, and is moved to the lower side of the probe needle by the moving section, and then the holding body is moved up and down. More moved vertically by polishing the probe needle, after polishing the probe apparatus of the semiconductor wafer, characterized by returning the abrasive member to the housing portion.
【請求項2】上記移動部は、上記基台上に敷設された一
軸レールに沿って移動することを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のプローブ装置。
2. The probe device according to claim 1, wherein the moving unit moves along a uniaxial rail laid on the base.
【請求項3】研磨するまでに電気的検査を行なう半導体
ウエハの所定枚数を計数する計数部を設けたことを特徴
とする特許請求項の範囲第1項または第2項に記載のプ
ローブ装置。
3. The probe apparatus according to claim 1, further comprising a counting unit for counting a predetermined number of semiconductor wafers to be electrically inspected before polishing.
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