JP2515719Y2 - Detachable discharge electrode - Google Patents

Detachable discharge electrode

Info

Publication number
JP2515719Y2
JP2515719Y2 JP1990000916U JP91690U JP2515719Y2 JP 2515719 Y2 JP2515719 Y2 JP 2515719Y2 JP 1990000916 U JP1990000916 U JP 1990000916U JP 91690 U JP91690 U JP 91690U JP 2515719 Y2 JP2515719 Y2 JP 2515719Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bottom plate
discharge electrode
mold
groove
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1990000916U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0395630U (en
Inventor
満 貞本
正人 小山
信弘 福田
Original Assignee
三井東圧化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三井東圧化学株式会社 filed Critical 三井東圧化学株式会社
Priority to JP1990000916U priority Critical patent/JP2515719Y2/en
Publication of JPH0395630U publication Critical patent/JPH0395630U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2515719Y2 publication Critical patent/JP2515719Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、プラズマCVD装置の着脱式プラズマ放電電
極に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a detachable plasma discharge electrode of a plasma CVD apparatus.

〔考案の背景〕[Background of the invention]

本考案者らは先に、凹凸部を有する凹凸電極を使用し
てシランガス等のプラズマ放電分解を実施することによ
り、高堆積速度で非晶質もしくは微結晶混相のシリコン
薄膜等を形成することができ、しかも、高堆積速度にか
かわらず、大面積にしても実質的な均一成膜が達成でき
ると云う、従来の技術常識からすれば予想外の驚くべき
知見を得た。この内容は、例えば、特願昭62−182329
号、同62−256403等として開示した。本考案はかかる提
案に好適に適用できるものであって、その目的とすると
ころは、凹凸形状を有し、該凹部幅や凹部深さを容易に
変更することが可能であり、これを変える事により成膜
速度を制御でき、特に既設の放電電極に容易に着脱自在
に設置できる、着脱式放電電極を提供するものである。
The inventors of the present invention previously formed an amorphous or microcrystalline mixed-phase silicon thin film at a high deposition rate by performing plasma discharge decomposition of silane gas or the like using an uneven electrode having an uneven portion. This is an unexpected and surprising finding from the conventional common general knowledge that a uniform film formation can be achieved even in a large area regardless of the high deposition rate. This content is described, for example, in Japanese Patent Application No. 62-182329.
No. 62-256403 and the like. The present invention can be suitably applied to such a proposal, and its purpose is to have a concave and convex shape, and it is possible to easily change the width and depth of the concave portion. The present invention provides a detachable discharge electrode which can control a film forming speed by using the method and can be easily and detachably installed on an existing discharge electrode.

〔考案の開示〕 すなわち、本考案は、 少なくとも主表面上に複数の型材を装着しうる溝が設
けられている底板と、該底板に装脱着自在に設けられう
る複数の型材より構成される着脱式プラズマ放電電極、
であり、 装着された複数の型材により底板上に凹凸形状が形成
される放電電極、であり、また、 既設の放電電極上に底板を介して着脱自在にとりつけ
られる放電電極、であり、また、 底板を既設の放電電極上に堅結するための貫通穴が設
けられている放電電極、を要旨とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION That is, according to the present invention, there is provided a bottom plate having a groove on which at least a plurality of mold members can be mounted on at least a main surface, and a plurality of mold members that can be detachably mounted on the bottom plate. Type plasma discharge electrode,
A discharge electrode in which an uneven shape is formed on the bottom plate by a plurality of mounted mold materials, and a discharge electrode detachably mounted on the existing discharge electrode via the bottom plate. The gist is a discharge electrode provided with a through hole for tightly connecting a bottom plate to an existing discharge electrode.

〔図面の説明〕[Description of Drawings]

第1図は、本考案の着脱式の放電電極の底板の一例を
示す斜視図であり、第2図、第3図、第4図、第5図、
第6図、第7図は、本考案で使用する型材の一例を示す
斜視図である。第8図は、平板型の型材2を差し込むた
めの溝13と底板に固定するための差し込み突起14を持つ
型材5の斜視図であり、第9図は型材2と型材5を組み
合わせたものを、底板上の溝11に差し込み固定した一例
を示す斜視図である。第10図は、底板の溝11に型材7を
差し込み底板の平坦性を保った状態を示す斜視図であ
る。第11図は本考案の着脱式の放電電極を従来の既設の
放電電極に取り付けた状態を示す断面図であり、第12図
は同じく、その斜視図である。第13図及び第14図は、本
考案の着脱式の放電電極を形成した実施例を示す斜視図
である。第15図は従来のプラズマCVD装置を示す模式図
であり、第16図は、本考案の着脱式の放電電極を従来の
プラズマCVD装置に取り付けた状態を示す模式図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a bottom plate of a detachable discharge electrode of the present invention, and FIG. 2, FIG. 3, FIG. 4, FIG.
6 and 7 are perspective views showing an example of the mold material used in the present invention. FIG. 8 is a perspective view of the mold member 5 having the groove 13 for inserting the flat mold member 2 and the insertion protrusion 14 for fixing to the bottom plate, and FIG. 9 shows a combination of the mold member 2 and the mold member 5. FIG. 7 is a perspective view showing an example in which the groove is inserted and fixed in a groove 11 on the bottom plate. FIG. 10 is a perspective view showing a state in which the mold material 7 is inserted into the groove 11 of the bottom plate and the flatness of the bottom plate is maintained. FIG. 11 is a sectional view showing a state in which the detachable discharge electrode of the present invention is attached to a conventional existing discharge electrode, and FIG. 12 is a perspective view thereof. 13 and 14 are perspective views showing an embodiment in which the detachable discharge electrode of the present invention is formed. FIG. 15 is a schematic view showing a conventional plasma CVD apparatus, and FIG. 16 is a schematic view showing a state in which the detachable discharge electrode of the present invention is attached to the conventional plasma CVD apparatus.

〔考案の詳細な説明〕[Detailed description of the invention]

以下、図面に基づいて本考案の構成要件を分説しつつ
その実施の態様を説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings while referring to constituent components of the present invention.

底板 (i)第11図はプラズマCVD装置における既設の放電電
極、すなわち、従来の放電電極8に、本考案の着脱電極
の底板1を取り付けて用いた様子を示した図である。電
極への取り付け(もしくは固定)方法は、ビス止め、ク
リップ止め、はさみ止め等いろいろな方法があるが、勿
論これらに限定されるものではない。プラズマCVD装置
においては、プラズマの安定性を高めるために、底板1
と既設の放電電極8とを電気的、物理的に堅結(両者を
緊密に一体か、結合もしくは接続し、高周波電流が流れ
やすくすることを云う)することが望ましい。このた
め、望ましくは、底板1は、第1図に示したように例え
ばその四隅に貫通穴10を有し、第11図に示すように、既
設の放電電極に皿ビス15等で固定できるものが望まし
い。なお、底板の平面性を確保するために第11図に示し
たように貫通孔上部に切り欠き16を設けるのが望まし
い。さらに、第2図〜第6図に示したような、型材2〜
6を取り付けられるようにタップ穴を有しているものが
望ましいが、溝11を有しているものであってもかまわな
い。
Bottom Plate (i) FIG. 11 is a view showing a state in which the bottom plate 1 of the detachable electrode of the present invention is attached and used to the existing discharge electrode in the plasma CVD apparatus, that is, the conventional discharge electrode 8. There are various methods of attaching (or fixing) to the electrode, such as screw fixing, clip fixing, and scissor fixing, but of course the method is not limited to these. In the plasma CVD device, in order to enhance the stability of plasma, the bottom plate 1
It is desirable to electrically and physically connect the existing discharge electrode 8 and the existing discharge electrode 8 (meaning that both are tightly integrated, or are connected or connected to each other to facilitate high-frequency current flow). For this reason, it is desirable that the bottom plate 1 has through holes 10 at its four corners as shown in FIG. 1 and can be fixed to an existing discharge electrode with a countersunk screw 15 as shown in FIG. Is desirable. In addition, in order to secure the flatness of the bottom plate, it is desirable to provide a notch 16 in the upper part of the through hole as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 2 to FIG.
It is preferable to have a tap hole so that 6 can be attached, but a groove 11 may be used.

(ii)底板1の大きさは、特に限定されるものではな
く、既設の放電電極ならびに成膜室の大きさを勘案して
適宜決定される。
(Ii) The size of the bottom plate 1 is not particularly limited, and is appropriately determined in consideration of the size of the existing discharge electrode and the film forming chamber.

(iii)溝11は型材を底板に緊密に装着するためのもの
であるが、好ましくは型材を取り付けない溝がある場合
には、底板の平面性を確保するために、第10図に示した
ように、型材7を用いて、該使用しない溝を埋められる
ようにしておくことが好ましい。また、溝の幅、深さ
は、使用する型材、底板に応じ適宜決定されることは勿
論である。
(Iii) The groove 11 is for tightly mounting the mold material on the bottom plate, but preferably, when there is a groove in which the mold material is not attached, it is shown in FIG. 10 in order to ensure the flatness of the bottom plate. As described above, it is preferable to use the mold material 7 so that the unused groove can be filled. The width and depth of the groove are, of course, appropriately determined according to the mold material and the bottom plate used.

(iv)なお、従来技術においては、既設の放電電極を貫
通して設けられた原料ガス供給穴を通して原料ガスを供
給するプラズマCVD装置もあるが、かかる場合には、該
放電電極に取り付けられる底板1にも、対応する原料ガ
ス供給穴12を設けることができる。原料ガス供給穴12を
設ける場合には、その位置、配置、数等は使用する型材
のそれに応じて適宜決定される。
(Iv) In the prior art, there is also a plasma CVD apparatus that supplies a raw material gas through a raw material gas supply hole provided through an existing discharge electrode, but in such a case, a bottom plate attached to the discharge electrode 1 can also be provided with a corresponding source gas supply hole 12. When the raw material gas supply hole 12 is provided, its position, arrangement, number, etc. are appropriately determined in accordance with that of the mold material used.

(v)底板の材質としては、好ましくはステンレス合
金、アルミニューム、銅、耐熱金属等を用いる。
(V) As the material of the bottom plate, stainless alloy, aluminum, copper, heat-resistant metal or the like is preferably used.

型材 (i)型材の形状は平板型2(第2図)、角柱型3(第
3図),ドーナツ型4(第4図)、円柱型5(第5
図)、メッシュ6(第6図)、十字型(第7図)等いろ
いろな形状が既設の放電電極の形状を形成するのに用い
られる。例えば、第11図及び第12に示した事例は、型材
として、9個の円柱型の型材と12個の平板型材を選択
し、4個の隣接した等しい面積を持つ凹部領域を形成し
たものである。第13図に示した事例は、型材として16個
の円柱形の型材と16個の平板型材を選択し、離れた位置
にある4個の凹部領域を独立に形成したものである。第
14図に示した事例は、型材として8個の円柱型の型材
と、8個の平板型材2を選択し、2個の同心方形状の凹
部領域を形成したものである。かくすることにより、凸
部の形状及び凹部の間隔や深さを任意に変更できるので
ある。
Mold material (i) The shape of the mold material is flat plate mold 2 (Fig. 2), prismatic mold 3 (Fig. 3), donut mold 4 (Fig. 4), cylinder mold 5 (Fig. 5).
Various shapes such as (Fig.), Mesh 6 (Fig. 6), and cross shape (Fig. 7) are used to form the shape of the existing discharge electrode. For example, in the case shown in FIGS. 11 and 12, nine cylindrical mold materials and twelve flat mold materials are selected as mold materials, and four adjacent recessed areas having the same area are formed. is there. In the example shown in FIG. 13, 16 cylindrical mold members and 16 flat plate mold members are selected as the mold members, and 4 recessed regions at separate positions are independently formed. First
In the example shown in FIG. 14, eight columnar mold members and eight flat plate mold members 2 are selected as the mold members, and two concentric concave regions are formed. By doing so, the shape of the convex portion and the interval and depth of the concave portion can be arbitrarily changed.

さらに本考案において既設の放電電極よりも大きな型
材を取り付けて放電成膜させることも、もちろん可能で
ある。
Further, in the present invention, it is of course possible to attach a mold material larger than the existing discharge electrode and perform discharge film formation.

(ii)本考案においては、型材2、3、4、5、6、7
等を目的に応じて適宜選択して底板へ装着、すなわち取
り付ける。底板への装着方法もすくは固定方法は、ビス
止め、クリップ止め、はさみ止め等いろいろな方法があ
り、もちろんこれらに限定されるものではない。円柱等
の場合は、ねじを切ってねじ込み式にすることもできる
し、場合によっては、単に嵌め合いもしくは嵌合せしめ
るだけでもよい。また、型材の選択により上記したごと
く、凸部の形状及び凹部の間隔や深さを任意に変更でき
るのである。
(Ii) In the present invention, the mold members 2, 3, 4, 5, 6, 7
Etc. are appropriately selected according to the purpose and attached to the bottom plate, that is, attached. There are various methods of attaching to the bottom plate or fixing methods, such as screw fixing, clip fixing, scissor fixing, and of course, not limited to these. In the case of a cylinder or the like, it may be screwed into a screw-in type, or in some cases, may simply be fitted or fitted. Further, as described above, the shape of the convex portion and the interval and depth of the concave portion can be arbitrarily changed by selecting the mold material.

(iii)型材のたかさについては、われわれがすでに提
案しているように、形成される凹凸電極の凸部の高さ等
により、成膜速度が変わるので、目的とする成膜速度に
応じて適宜選択される。好適な範囲は1cm〜10cmであ
る。
(Iii) As for the hardness of the mold material, as we have already proposed, the film formation rate changes depending on the height of the convex portion of the uneven electrode to be formed. It is selected appropriately. The preferred range is 1 cm to 10 cm.

(iv)型材の間隔は、放電条件により最適値が存在する
が、5mm以上であることが望ましく、この範囲内で成膜
速度に応じて適宜選択される。
(Iv) The interval between the mold members has an optimum value depending on the discharge conditions, but is preferably 5 mm or more, and is appropriately selected within this range according to the film forming rate.

(v)凸部の幅についても、放電条件により最適値が存
在するので、この範囲内で、成膜速度に応じて適宜選択
される。大体、より狭い方が好ましく、尖鋭な端面を持
つものであっても構わない。
(V) As for the width of the convex portion, there is an optimum value depending on the discharge conditions, so that it is appropriately selected within this range according to the film forming rate. In general, it is preferable that the width is narrower, and a sharp end face may be used.

(vi)型材の材質としては、好ましくはステンレス合
金、アルミニューム、銅、耐熱金属等もしくは、セラミ
ックス、絶縁体等を用いる。
(Vi) As the material of the mold material, stainless alloy, aluminum, copper, heat-resistant metal, etc., or ceramics, insulators, etc. are preferably used.

〔考案の好ましい実施の態様及び作用・効果〕[Preferred Embodiments of the Invention and Functions / Effects]

次に本考案の好ましい実施の形態及び作用・効果を述
べる。
Next, a preferred embodiment of the present invention and its operation / effect will be described.

(i)まず、第11図及び第12図に示すように、既設の放
電電極8上に底板1を設置する。次に適当な型材、例え
ば、第2図〜第7図に示したような、型材2〜7を選択
し、底板1に取り付ける。この場合、型材は放電条件等
を考慮して適宜決定される。なお、このとき、底板上の
使用しない溝11には平面性を確保するために、第10図に
示したように、型材7を埋め込んでおくことが好まし
い。
(I) First, as shown in FIGS. 11 and 12, the bottom plate 1 is installed on the existing discharge electrode 8. Next, an appropriate mold material, for example, mold materials 2 to 7 as shown in FIGS. 2 to 7 is selected and attached to the bottom plate 1. In this case, the mold material is appropriately determined in consideration of discharge conditions and the like. At this time, in order to secure the flatness in the unused groove 11 on the bottom plate, it is preferable to embed the mold material 7 as shown in FIG.

(ii)かくして、型材の幅及び深さを、すなわち、型材
により形成される凹凸部の幅及び深さを適宜選択し、所
望の形状の凹凸電極とすることにより、基板9への非晶
質もしくは微結晶混相の成膜速度を均一かつ大きくでき
るものである。もし、最初の試行により、完全に所望の
成膜が行われなかった場合は、本考案の電極の型材は容
易に装脱着自在であるから、適宜、型材の形状、配置、
幅、深さ等を変更して再度成膜することにより、容易に
最適条件を決定することが出来る。また、本考案の底板
は、型材を差し込む溝を有する構造になっているため、
どのような形をもつ凹凸形状をも構成することが可能で
ある。このためいかなる大面積の電極に対しても容易に
最適条件を決定することができる。例えば、第12図に示
すように格子状構造をもったもの及び第14図に示すよう
に同心方形状構造をもったものを、第13図に示すように
底板に独立に構成させることにより、広範囲にわたって
均一な成膜を行わせることが可能なのである。なお、成
膜速度は放電条件、特に、圧力に大きく依存するが、使
用圧力としては、5mTorr〜5Torr程度が望ましい。
(Ii) Thus, the width and the depth of the mold material, that is, the width and the depth of the uneven portion formed by the mold material are appropriately selected to form the uneven electrode having a desired shape. Alternatively, the film formation rate of the microcrystalline mixed phase can be made uniform and large. If the desired film is not completely formed in the first trial, the shape of the electrode of the present invention can be easily attached and detached.
Optimum conditions can be easily determined by changing the width, depth, etc. and forming the film again. Also, the bottom plate of the present invention has a groove for inserting a mold material,
It is possible to form an uneven shape having any shape. Therefore, the optimum condition can be easily determined for any large-area electrode. For example, by having a lattice-like structure as shown in FIG. 12 and a concentric structure as shown in FIG. 14, by independently configuring the bottom plate as shown in FIG. 13, It is possible to form a uniform film over a wide range. The film forming rate depends largely on the discharge conditions, particularly the pressure, but the working pressure is preferably about 5 mTorr to 5 Torr.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本考案の着脱式の放電電極の底板の一例を示
す斜視図であり、第2図、第3図、第4図、第5図、第
6図、第7図は、本考案で使用する型材と底板の一例を
示す斜視図である。第8図は、凹凸形状を構成するため
の溝13と底板に型材を固定するための差し込み突起14を
持つ型材5の斜視図であり、第9図は型材2を、底板上
及び型材5の溝に差し込み固定した一例を示す斜視図で
ある。第10図は、底板の溝に型材7を差し込み底板の平
坦性を保った状態を示す斜視図である。 第11図は本考案の着脱式の放電電極を従来の既設の放電
電極に取り付けた状態を示す断面図であり、第12図は同
じく、その斜視図である。第13図及び第14図は、本考案
の着脱式の放電電極を形成した実施例を示す斜視図であ
る。第15図は従来のプラズマCVD装置を示す模式図であ
り、第16図は、本考案の着脱式の放電電極を、従来のプ
ラズマCVD装置に取り付けた状態を示す模式図である。 図において、 1……底板、2〜7……型材、8……既設放電電極、9
……基板、10……貫通孔、11……溝、12……原料ガス供
給穴を示す。13……溝、14……差し込み突起、15……皿
ねじ、16……切り欠き17……高周波電源を示す。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a bottom plate of a detachable discharge electrode of the present invention, and FIG. 2, FIG. 3, FIG. 4, FIG. 5, FIG. 6, FIG. It is a perspective view showing an example of a mold material and a bottom plate used in the invention. FIG. 8 is a perspective view of a mold member 5 having a groove 13 for forming a concavo-convex shape and an insertion protrusion 14 for fixing the mold member to the bottom plate. FIG. 9 shows the mold member 2 on the bottom plate and on the mold member 5. It is a perspective view which shows an example fixed by being inserted in a groove. FIG. 10 is a perspective view showing a state in which the mold member 7 is inserted into the groove of the bottom plate and the flatness of the bottom plate is maintained. FIG. 11 is a sectional view showing a state in which the detachable discharge electrode of the present invention is attached to a conventional existing discharge electrode, and FIG. 12 is a perspective view thereof. 13 and 14 are perspective views showing an embodiment in which the detachable discharge electrode of the present invention is formed. FIG. 15 is a schematic diagram showing a conventional plasma CVD apparatus, and FIG. 16 is a schematic diagram showing a state in which the detachable discharge electrode of the present invention is attached to a conventional plasma CVD apparatus. In the figure, 1 ... bottom plate, 2-7 ... mold material, 8 ... existing discharge electrode, 9
... substrate, 10 ... through hole, 11 ... groove, 12 ... raw material gas supply hole. 13 …… groove, 14 …… insertion protrusion, 15 …… counter screw, 16 …… notch 17 …… indicates high frequency power supply.

Claims (2)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of utility model registration request] 【請求項1】少なくとも主表面上に複数の型材を装着し
うる溝が設けられている底板と、該底板に装脱着自在に
設けられうる複数の型材より構成される、既設の放電電
極上に底板を介して着脱自在にとりつけられる着脱式プ
ラズマ放電電極。
1. An existing discharge electrode, which comprises at least a main plate having a groove on which a plurality of mold members can be mounted, and a plurality of mold members that can be detachably mounted on the bottom plate. A detachable plasma discharge electrode that can be detachably attached via the bottom plate.
【請求項2】少なくとも主表面上に複数の型材を装着し
うる溝が設けられている底板と、該底板に装脱着自在に
設けられうる複数の型材より構成される、底板を既設の
放電電極上に堅結するための貫通穴が設けられている着
脱式プラズマ放電電極。
2. A discharge plate having an existing bottom plate, the bottom plate having at least a main surface provided with a groove into which a plurality of mold members can be mounted, and a plurality of mold members that can be detachably mounted on the bottom plate. Detachable plasma discharge electrode with a through hole for tight binding.
JP1990000916U 1990-01-11 1990-01-11 Detachable discharge electrode Expired - Lifetime JP2515719Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990000916U JP2515719Y2 (en) 1990-01-11 1990-01-11 Detachable discharge electrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990000916U JP2515719Y2 (en) 1990-01-11 1990-01-11 Detachable discharge electrode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0395630U JPH0395630U (en) 1991-09-30
JP2515719Y2 true JP2515719Y2 (en) 1996-10-30

Family

ID=31504852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1990000916U Expired - Lifetime JP2515719Y2 (en) 1990-01-11 1990-01-11 Detachable discharge electrode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2515719Y2 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59148348A (en) * 1983-02-15 1984-08-25 Nec Corp Semiconductor device and manufacture thereof
JP2601488B2 (en) * 1987-10-13 1997-04-16 三井東圧化学株式会社 Film forming equipment
JP2602881B2 (en) * 1988-03-08 1997-04-23 三井東圧化学株式会社 Film forming equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0395630U (en) 1991-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105463409B (en) Improve the nozzle support construction of air-flow
CA2177345A1 (en) Method for the Growth of Industrial Crystals
TWI486479B (en) Coating device for a plurality of substrates disposed at the highest density on a substrate holder
JP5271874B2 (en) Plasma reactor
CA2055400A1 (en) Method of forming crystal
JP2515719Y2 (en) Detachable discharge electrode
WO2004093163A3 (en) Method and apparatus for silicone oxide deposition on large area substrates
JPH0648826Y2 (en) Detachable discharge electrode
EP1122336A3 (en) Apparatus and method for forming a deposited film by means of plasma CVD
USD443178S1 (en) Oven face
TW350961B (en) Plasma display panel and method of fabricating the same (case 2)
WO2001065590A3 (en) Esrf source for ion plating epitaxial deposition
USD415776S (en) Apparatus for manufacturing a semiconductor for a liquid crystal display
JPS609856B2 (en) Amorphous thin film formation method
USD449222S1 (en) Fastener for displays and store fixtures
JPH0215723U (en)
USD391404S (en) Sheet material with random contrasting flake pattern
USD416781S (en) Inlet valve mounting plate with removable protector
USD428262S (en) Crowd scene wallpaper
JPH06232083A (en) Electrode plate for plasma etching
JPH0989271A (en) Auxiliary trivet
RU96110939A (en) METHOD FOR PRODUCING REGULAR SILICON CRYSTALS
JP2001093836A5 (en)
JP2002192902A (en) Tire wheel, and color plate for decorating tire wheel
JP2584957Y2 (en) Vapor phase growth equipment