JP2515650B2 - 力率改善回路および力率改善回路を用いたスイッチング電源回路 - Google Patents

力率改善回路および力率改善回路を用いたスイッチング電源回路

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JP2515650B2 JP3292423A JP29242391A JP2515650B2 JP 2515650 B2 JP2515650 B2 JP 2515650B2 JP 3292423 A JP3292423 A JP 3292423A JP 29242391 A JP29242391 A JP 29242391A JP 2515650 B2 JP2515650 B2 JP 2515650B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング電源回路
に使用されるコンデンサ・インプット型整流回路などの
力率改善回路およびこの力率改善回路を用いたスイッチ
ング電源回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、昇圧チョッパ回路は、図5に示
すように、交流電源10をブリッジ型全波整流器11で
全波整流し、さらにコンデンサ12で平滑化して、例え
ば、スイッチング電源のコンバータなどの負荷13に供
給する。この回路において、ブリッジ型全波整流器11
の直後のコンデンサ12への入力電圧は、図6に示す
流電圧波形のように、正弦波で、これが平滑化されてコ
ンデンサ12の直後はリップル電圧波形となる。ところ
が、コンデンサ12への入力電流は、入力電圧がコンデ
ンサ12の電圧より高いときだけしか流れず、入力電圧
が正弦波であるのに、電流波形としては、導通角の狭
い、ピークの大きな波形となり、波高値が高くなる。し
たがって、力率が0.5程度と極めて悪くなる。
【0003】そこで、従来より力率改善回路が使用され
ている。従来の力率改善回路は、図7に示すように、昇
圧チョッパと呼ばれるブースト回路が使用され、制御I
Cは、図8に示すような力率改善専用のIC21が使用
されている。これをさらに詳しく説明すると、図7にお
いて、交流電源10をブリッジ型全波整流器11の入力
側に結合し、このブリッジ型全波整流器11の出力側
に、基本的昇圧チョッパ回路24となるインダクタ1
4、ダイオード15およびMOS−FETなどのスイッ
チング素子16が結合されている。さらにコンデンサ1
2、負荷13が結合されている。前記ブリッジ型全波整
流器11の出力側には、入力電圧波形を電流入力信号
して検出するための抵抗18を介して力率改善専用IC
21の〔6〕ピンに結合され、また、抵抗19とコンデ
ンサ20の積分回路を介して実効入力電圧として〔8〕
ピンに結合されている。前記インダクタ14の電流検出
用の抵抗17が入力電流波形検出用として〔5〕ピンに
結合され、出力電圧検出端子が〔11〕ピンに結合さ
れ、PWM出力用の〔16〕ピンが前記スイッチング素
子16のゲートに結合されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
図7においては、出力電圧を一定にし、かつ、入力電流
を入力電圧に相似した波形にするために、力率改善専用
IC21の入力信号としては、入力電圧波形、実効入力
電圧、入力電流波形および出力電圧を、それぞれ適当な
検出手段にて検出し、4つの個別の入力端子である
〔6〕ビン、〔8〕ピン、〔5〕ピンおよび〔11〕ピ
ンへの入力を二乗回路や乗算回路を用いて同時に制御す
ることによって達成されるものである。前記力率改善専
用IC21は、制御が複雑であるばかりか、力率改善専
用IC21の周辺の回路部品が多くなるため、複雑で高
価な制御回路になるという問題があった。
【0005】本発明は、スイッチング電源回路に使用さ
れるコンデンサ・インプット型整流回路などの力率改善
回路において、制御が簡素化され、かつ、安価な制御回
路を得ることを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、全波整流した
電圧を昇圧チョッパ回路24でスイッチングして一定の
出力電圧を負荷に供給する力率改善回路において、力率
改善用としてPWM制御用IC40を用い、このPWM
制御用IC40に内蔵した非反転誤差増幅器41の
力端子〔〕に、出力電流検出用抵抗60と、この検出
電流によって生ずる電圧を基準電圧に対して分圧して入
力電圧に相似した反転信号として加える抵抗57、59
とを接続し、前記非反転誤差増幅器41の入力端子
〕に、前記出力電圧を分圧する抵抗53、54と、
前記抵抗54と並列に接続され、前記抵抗53との充電
時定数により出力電圧のリップル電圧を3×π/4だけ
位相が遅れるように調整するコンデンサ55とを接続
し、前記非反転誤差増幅器41の出力側に、この非反転
誤差増幅器41の出力と、発振器47による3角波とを
比較してPWM変調信号を得るためのコンパレータ43
を接続し、このコンパレータ43を前記昇圧チョッパ回
路24のスイッチ素子16に結合してなることを特徴と
する力率改善回路である。
【0007】
【作用】出力電圧を一定にし、かつ、入力電流を入力電
圧と相似形にするには、非反転誤差増幅器41の−入力
端子〔2〕に、入力電流を入力波形に相似した波形にす
るために、入力電圧に対して反転している微小信号を注
入するとともに、基準電圧Vrefを印加する。また、
+入力端子〔1〕には、出力電圧を抵抗53、54で分
圧した信号を加える。
【0008】このままの信号では、非反転誤差増幅器4
1の+入力端子〔1〕と−入力端子〔2〕の電圧の位相
が一致していないので、コンデンサ55を結合して、抵
抗53とコンデンサ55の充電時定数により、電圧の変
化を遅らせて、これを非反転誤差増幅器41の+入力端
子〔1〕の入力電圧とし、−入力端子〔2〕の入力電圧
と同じ位相にする。非反転誤差増幅器41の出力信号
と、発振器47の角波信号とが、コンパレータ43で
比較され、出力が得られる。この信号は、そのままMO
S−FETなどのスイッチング素子16のゲート信号と
なり、昇圧チョッパ回路24が動作する。このように、
PWM制御用IC40を用いて入力電流波形と出力電圧
だけで制御することができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図3に
基づいて説明する。図1における昇圧チョッパ回路は、
基本的には、図7と同様、交流電源10をブリッジ型全
波整流器11の入力側に結合し、このブリッジ型全波整
流器11の出力側に、基本的昇圧チョッパ回路24とな
るインダクタ14、ダイオード15およびMOS−FE
Tなどのスイッチング素子16を結合し、さらにコンデ
ンサ12、負荷13を結合してなるものである。
【0010】このような昇圧チョッパ回路24におい
て、本発明では、力率改善専用IC21に代えて汎用の
PWM制御用IC40を用い、入力電圧波形、実効入力
電圧、入力電流波形および出力電圧の4つの個別の入力
のうち、入力電圧波形と実効入力電圧とを使用しない
で、入力電流波形と出力電圧だけで制御するものであ
る。
【0011】前記PWM制御用IC40は、図2に示す
ように、第1の非反転誤差増幅器41、第2の非反転誤
差増幅器42、コンパレータ43、アンド回路44、イ
ンバータ回路45、フリップ・フロップ回路46、発振
器47、基準電圧調整器48、ナンド回路49、ナンド
回路50、トランジスタ51、トランジスタ52からな
る。また、+入力端子〔1〕ピンから〔16〕ピンは、
入出力端子である。
【0012】前記コンデンサ12の両端間には、分圧用
の抵抗53、54が結合され、また、抵抗54と並列に
信号の位相を揃えるためのコンデンサ55が挿入されて
いる。前記ブリッジ型全波整流器11と負荷13とのグ
ランド側のライン間には、入力電流検出用抵抗60が挿
入され、この抵抗60の全波整流器11側が抵抗59を
介して−入力端子としての〔2〕ピンに結合されてい
る。〔14〕ピンの基準電圧Vrefは、抵抗57を介
して前記〔2〕ピンに結合され、さらに直流ゲインを決
める抵抗58を介して非反転誤差増幅器41の出力であ
〔3〕ピンに結合されている。その他、61ないし6
7は抵抗を示し、68はコンデンサを示している。
【0013】以上のような構成における作用を説明す
る。交流電源10がブリッジ型全波整流器11で全波整
流され、図3のaに示すような全波整流電圧が得られ
る。これがインダクタ14、ダイオード15、MOS−
FET16からなる昇圧チョッパ回路24によって昇圧
チョッピングされてコンデンサ12の両端に図3のbの
ような商用周波数の2倍で、入力電流に対して遅れた
ップル電圧が発生し、負荷13に供給される。
【0014】つぎに、力率改善作用を説明する。出力電
圧を一定にし、かつ、入力電流を入力電圧と相似形にす
るには、第1の非反転誤差増幅器41の−入力端子の
〔2〕ピンの入力を、出力電圧検出用の基準として使用
するため、抵抗57を介して基準電圧Vrefを印加す
る。また、+入力端子の〔1〕ピンには、出力電圧信号
を加える。これらの信号を第1の非反転誤差増幅器41
で誤差増幅するに先立ち、入力電圧の谷部でオン時間が
広く、入力電圧の山部でオン時間が狭いパルス信号を得
るため、基準電圧波形として第1の非反転誤差増幅器4
1の−入力端子の〔2〕ピンに、入力電圧に対して反転
している微小信号を注入する。
【0015】具体的には、出力電流検出用抵抗60に流
れる図3のhに示すような電流によって生ずる電圧Ro
・iを注入すると、第1の非反転誤差増幅器41の−入
力端子の〔2〕ピンの入力電圧V(−)は、図3のdに
示すように、基準電圧Vrefと、入力電圧に対して反
転している微小信号とが加算された波形となる。 また、第1の非反転誤差増幅器41の+入力端子の
〔1〕ピンの入力電圧V(+)は、出力電圧を抵抗で分
圧したつぎのような信号が入力される。
【0016】このままの信号では、第1の非反転誤差増
幅器41の+入力端子における〔1〕ピンの電圧位相が
入力電流に対して位相ずれしており、−入力端子の
〔2〕ピンの電圧は、図3のbに示すように、商用周波
数の2倍で、入力電流に対して遅れており、位相が一致
していないので、位相を合わせなければならない。そこ
で、出力電圧を分圧する抵抗54と並列にコンデンサ5
5を結合して、抵抗53とコンデンサ55の充電時定数
により、図3のcのように電圧の変化を遅らせて、これ
を第1の非反転誤差増幅器41の+入力端子〔1〕の入
力電圧とし、−入力端子〔2〕の入力電圧と同じ位相に
して誤差増幅する。具体的には、第1の非反転誤差増幅
器41の+入力端子〔1〕の入力電圧は、第1の非反転
誤差増幅器41の−入力端子〔2〕ピンの入力電圧に対
して、3×π/4だけ位相が遅れるようにコンデンサ5
5の容量を調整する。
【0017】この状態で第1の非反転誤差増幅器41に
より誤差増幅すると、増幅度が高すぎるので、抵抗58
を調整することによって、第1の非反転誤差増幅器41
の出力を図3のeのように設定する。この第1の非反転
誤差増幅器41の出力信号である図3のeの信号と、発
振器47の図3のfの角波信号とが、コンパレータ4
3で比較され、図3のgのような入力電圧の谷部分で
は、オン時間が広く(昇圧比大)、入力電圧の山部分で
は、オン時間が狭い(昇圧比小)パルス信号が得られ
る。この信号は、そのままMOS−FETなどのスイッ
チング素子16のゲート信号となり、昇圧チョッパ回路
24が動作する。なお、図1において、スイッチング素
子16の前段のバッファ回路91は、MOS−FETな
どからなるスイッチング素子16のゲート容量が大きい
場合に用いられる回路である。このように、PWM制御
用IC40を用いて入力電流波形と出力電圧だけで制御
することができる。
【0018】つぎに、本発明の力率改善回路の過電流保
護回路は、第2の非反転誤差増幅器42の端子の〔1
6〕ピンに、基準電圧を抵抗61と抵抗63で分圧して
入力し、端子の〔15〕ピンは、インダクタ14の電流
出力電流検出用抵抗60で検出して抵抗64を介して
入力し、基準電圧を越える電流に対してパルス幅を制御
し、MOS−FETなどのスイッチング素子16のオン
時間を制限することでなし得るものである。過電流動作
点Iocpは、つぎのようになる。 となる。本発明では、図2に示すブロック構成の汎用P
WM制御ICを用いたが、これに限定されるものではな
く、基準電圧、三角波発振器、誤差増幅器、コンパレー
タなどの内蔵された汎用PWM制御ICであれば応用で
きる。
【0019】つぎに、本発明の力率改善回路をスイッチ
ング電源回路に応用した例を説明する。図4において、
70は付加されたスイッチング電源で、このスイッチン
グ電源70の+側入力には、トランス71の1次巻線7
2が結合され、この1次巻線72に、MOS−FETか
らなるスイッチング素子73を結合する。このスイッチ
ング素子73のゲートには、スイッチングレギュレータ
用の制御IC74が結合されている。前記トランス71
の2次巻線75には、整流器76、転流用整流器77、
リアクタ78、コンデンサ79を介して直流出力端子8
0、81が結合されている。また、出力端子80、81
間には、誤差検出用のフィードバック回路82が結合さ
れている。さらに、フォトインタラプタなどの絶縁手段
83を介して前記制御IC74に結合されている。
【0020】前記トランス71の補助巻線84には、整
流器85、コンデンサ86からなる力率改善回路用の電
源が結合されているとともに、整流器88、コンデンサ
89、抵抗90からなる前記制御IC用の電源が結合さ
れている。
【0021】以上のような構成において、力率改善回路
で力率改善された直流出力がトランス71、スイッチン
グ素子73に供給され、ここで、チョッピングされてト
ランス71の2次巻線75に交流出力を得て、これを整
流、平滑化して出力端子80、81に直流電力を得る。
ここで、出力電圧に変動が生ずると、フィードバック回
路82、絶縁手段83を介して制御IC74に信号を送
り、パルス幅制御、周波数制御などにより一定電圧を得
る。前記実施例では、スイッチング電源回路をフォワー
ド方式で記載したが、これに限定されるものではない。
【0022】
【発明の効果】本発明は、上述のように、スイッチング
電源に使用される汎用のPWM制御ICを用いたので、
乗算回路などの特殊な回路を採用した力率改善回路専用
ICを用いなくとも、簡単な回路構成で、力率改善回路
が得られる。したがって、価格の低減と部品点数の削減
による信頼性の向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による力率改善回路の一実施例を示す電
気回路図である。
【図2】汎用のPWM制御ICの説明図である。
【図3】各部の波形図である。
【図4】本発明による力率改善回路を用いたスイッチン
グ電源回路の一実施例を示す電気回路図である。
【図5】昇圧チョッパのない整流回路図である。
【図6】電流、電圧波形図である。
【図7】従来の力率改善回路図である。
【図8】力率改善専用ICの説明図である。
【符号の説明】
10…交流電源、11…ブリッジ型全波整流器、12…
コンデンサ、13…負荷、14…リアクタ、15…ダイ
オード、16…MOS−FETなどのスイッチング素
子、17…抵抗、18…抵抗、19…抵抗、20…コン
デンサ、21…力率改善専用IC、24…昇圧チョッパ
回路、40…PWM制御用IC、41…第1の非反転誤
差増幅器、42…第2の非反転誤差増幅器、43…コン
パレータ、44…アンド回路、45…インバータ、46
…フリップ・フロップ回路、47…発振器、48…基準
電圧調整器、49…ナンド回路、50H…ナンド回路、
51…トランジスタ、52…トランジスタ、53…抵
抗、54…抵抗、55…コンデンサ、56…基準電圧V
ref、57…抵抗、58…抵抗、59…抵抗、60…
入力電流検出用抵抗、61…抵抗、62…抵抗、63…
抵抗、64…抵抗、67…抵抗、68…コンデンサ、7
0…スイッチング電源、71…トランス、72…1次巻
線、73…スイッチング素子、74…制御IC、75…
2次巻線、76…整流器、77…転流用整流器、78…
リアクタ、79…コンデンサ、80…出力端子、81…
出力端子、82…フィードバック回路、83…絶縁手
段、84…補助巻線、85…整流器、86…コンデン
サ、88…整流器、89…コンデンサ、90…抵抗、9
1…バッファ回路

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 全波整流した電圧を昇圧チョッパ回路2
    4でスイッチングして一定の出力電圧を負荷に供給する
    力率改善回路において、力率改善用としてPWM制御用
    IC40を用い、このPWM制御用IC40に内蔵した
    非反転誤差増幅器41の入力端子〔〕に、出力電流
    検出用抵抗60と、この検出電流によって生ずる電圧を
    基準電圧に対して分圧して入力電圧に相似した反転信号
    として加える抵抗57、59とを接続し、前記非反転誤
    差増幅器41の入力端子〔〕に、前記出力電圧を分
    圧する抵抗53、54と、前記抵抗54と並列に接続さ
    れ、前記抵抗53との充電時定数により出力電圧のリッ
    プル電圧を3×π/4だけ位相が遅れるように調整する
    コンデンサ55とを接続し、前記非反転誤差増幅器41
    の出力側に、この非反転誤差増幅器41の出力と、発振
    器47による三角波とを比較してPWM変調信号を得る
    ためのコンパレータ43を接続し、このコンパレータ4
    3を前記昇圧チョッパ回路24のスイッチ素子16に
    合してなることを特徴とする力率改善回路。
  2. 【請求項2】 力率改善回路の負荷としてスイッチング
    電源のコンバータ回路を結合してなる請求項1記載の力
    率改善回路を用いたスイッチング電源回路。
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