JP2513421B2 - Storage device - Google Patents

Storage device

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  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータシステム
に用いられる記憶装置に関し、特に外部装置から送出さ
れたデータをバックアップする記憶装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a storage device used in a computer system, and more particularly to a storage device for backing up data sent from an external device.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピュータシステムでは、CPU(ce
ntral processing unit )との間でデータの書き込み/
読み出しが行なえる記憶装置を搭載したものがある。従
来のこの種の記憶装置では、電源によるバックアップ動
作が不要なEEPROM(electricaly erasable progr
ammable read only memory)を用いて、所定のタイミン
グでCPUから直接書き込み及び読み出しを行なう方法
が広く採用されている。
2. Description of the Related Art In a computer system, a CPU (ce
ntral processing unit)
Some are equipped with a readable storage device. In this type of conventional storage device, an EEPROM (electrically erasable progr.
A method of directly writing and reading from a CPU at a predetermined timing by using an ammable read only memory) is widely adopted.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記E
EPROMは、書き込まれたデータを保持するために記
憶保持用の電力を必要としないという利点がある反面、
書き込み動作が揮発性のRAMよりも遅いという欠点が
ある。従って、上記EEPROMに対してCPUから直
接書き込み及び読み出しを行なう方法では、書き込み動
作が終了するまでの間、外部装置の処理を停止させてし
まう等、全体の処理速度の低下を招く。さらに、EEP
ROMの書き込み回数の上限値はほぼ1万回程度であ
り、外部装置から逐次データの書き込みを行なうと頻繁
に書き込み動作を繰り返すことになり、EEPROMの
寿命を早めてしまうという欠点があった。これに対し
て、揮発性のRAMをメモリとして使用すればデータの
書き込み動作を速く行なうことはできるが、外部からの
電力が停止した場合には記憶しているデータが消失する
という欠点があり、このため記憶されたデータを保持さ
せるための電源を設ける必要がある。
However, the above-mentioned E
EPROM has the advantage that it does not require power for storage to retain written data,
It has the disadvantage that the write operation is slower than volatile RAM. Therefore, in the method of directly writing and reading data to and from the EEPROM by the CPU, processing of an external device is stopped until the writing operation is completed, resulting in a reduction in the overall processing speed. Furthermore, EEP
The upper limit of the number of times of writing in the ROM is about 10,000 times, and if data is sequentially written from an external device, the writing operation is frequently repeated, which has a drawback of shortening the life of the EEPROM. On the other hand, if a volatile RAM is used as a memory, the data write operation can be performed faster, but there is a disadvantage that the stored data is lost when the power from the outside is stopped. For this reason, it is necessary to provide a power source for holding the stored data.

【0004】そこで本発明は、データの書き込み動作を
迅速に行なわせるとともに不揮発性メモリの延命を図
り、かつ、記憶を保持させるための電源を設けることな
くデータを保持できる記憶装置の提供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a storage device which can quickly perform a data write operation, prolong the life of a nonvolatile memory, and hold data without providing a power supply for holding the memory. To do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の記憶装置は、外
部装置から送出されたデータの書き込み及び読み出し可
能な揮発性の第1のメモリと、この第1のメモリとの間
でデータの書き込み及び読み出しが可能な不揮発性の第
2のメモリと、上記外部装置から送出されたデータを第
1のメモリに書き込む前に、その第1のメモリの未使用
の記憶領域のアドレス範囲と、外部装置から送出された
データのアドレス範囲とを比較して、第1のメモリのデ
ータの記憶領域が満杯になるか否かを検知する満杯検知
手段と、この満杯検知手段による満杯検知により、第1
のメモリに記憶されている全てのデータを第2のメモリ
に書き込む書込手段とを有している。上記第2のメモリ
としてEEPROMを使用してもよい。また、外部装置
からのデータの読み出し要求により、第1のメモリに記
憶されているデータを検索した後、第2のメモリに記憶
されているデータを検索する検索手段を設けてもよい。
SUMMARY OF THE INVENTION A storage device of the present invention writes data between a volatile first memory capable of writing and reading data sent from an external device and the first memory. And a readable non-volatile second memory, an address range of an unused storage area of the first memory before writing the data sent from the external device to the first memory, and an external device. The full range detecting means for comparing the address range of the data sent from the first memory to detect whether or not the storage area of the data in the first memory is full;
Writing means for writing all data stored in the second memory into the second memory. An EEPROM may be used as the second memory. In addition, a search unit may be provided that searches for data stored in the first memory and then searches for data stored in the second memory in response to a data read request from an external device.

【0006】[0006]

【作用】請求項1又は2に記載した記憶装置の作用は、
次の通りである。外部装置からデータが送出されると、
満杯検知手段は、該データを第1のメモリに書き込む前
に、該第1のメモリの未使用の記憶領域のアドレス範囲
と、外部装置から送出されたデータのアドレス範囲とを
比較して、第1のメモリのデータの記憶領域が満杯にな
るか否かを検知する。そして、第1のメモリのデータの
記憶領域が満杯になることを検知したときには、書込手
段によって第1のメモリに記憶されている全てのデータ
を第2のメモリに書き込むようにしている。請求項3に
記載した記憶装置では、外部装置からデータの読み出し
要求があると、読出し手段は第1のメモリに記憶されて
いるデータを検索した後、第2のメモリに記憶されてい
るデータを検索する。
The operation of the storage device according to claim 1 or 2 is as follows.
It is as follows. When data is sent from an external device,
The fullness detecting means compares the address range of the unused storage area of the first memory with the address range of the data sent from the external device before writing the data in the first memory, It is detected whether or not the data storage area of the first memory is full. When it is detected that the data storage area of the first memory is full, the writing unit writes all the data stored in the first memory to the second memory. In the storage device according to claim 3, when a data read request is issued from an external device, the read means searches the data stored in the first memory and then retrieves the data stored in the second memory. Search for.

【0007】[0007]

【実施例】本発明について図面を参照して説明する。図
1は、一実施例としての記憶装置を組み込んだコンピュ
ータシステムの概略の電気的構成を示すブロック図であ
る。図示コンピュータシステムは、図示しないCPU
(central processing unit)やI/O回路等を中心と
して構成された外部制御部10と、この外部制御部10
との間でデータの送受を行なう記憶装置20とを備えて
いる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic electrical configuration of a computer system incorporating a storage device as an embodiment. The computer system shown is a CPU (not shown)
(Central processing unit), an I / O circuit, and the like as an external control unit 10, and the external control unit 10
And a storage device 20 for transmitting and receiving data to and from.

【0008】記憶装置20は、上記外部制御部10との
間でデータの送受を行なう揮発性のRAM等で構成され
た第1のメモリ21と、この第1のメモリ21との間で
データの書き込み及び読み出しを行なう不揮発性メモリ
としてのEEPROMで構成された第2のメモリ22
と、上記第1のメモリ21と第2のメモリ22との間に
設けられたメモリ制御部23と、上記第1のメモリ21
に接続されたバックアップ電源24とを備えている。上
記第2のメモリ22は、第1のメモリ21と同一若しく
はより大きな記憶容量を備えたものである。
The storage device 20 stores data between the first memory 21 and a first memory 21 composed of a volatile RAM or the like for transmitting and receiving data to and from the external control section 10. Second memory 22 composed of EEPROM as a non-volatile memory for writing and reading
A memory controller 23 provided between the first memory 21 and the second memory 22, and the first memory 21.
And a backup power supply 24 connected to. The second memory 22 has the same or larger storage capacity as the first memory 21.

【0009】メモリ制御部23は、次の機能を備えてい
る。 (1) 上記外部装置から送出されたデータを第1のメモリ
21に書き込む前に、その第1のメモリの未使用の記憶
領域のアドレス範囲と、外部装置から送出されたデータ
のアドレス範囲とを比較して、第1のメモリ21のデー
タの記憶領域が満杯になるか否かを検知する満杯検知手
段。
The memory control section 23 has the following functions. (1) Before writing the data sent from the external device in the first memory 21, the address range of the unused storage area of the first memory and the address range of the data sent from the external device are set. Comparing, the full detection means for detecting whether or not the data storage area of the first memory 21 is full.

【0010】(2) 満杯検知手段による満杯検知により、
第1のメモリに記憶されている全てのデータを第2のメ
モリ22に書き込む書込手段。 (3) 外部装置10からのデータの読み出し要求により、
第1のメモリ21に記憶されているデータを検索した
後、第2のメモリ22に記憶されているデータを検索す
る検索手段。
(2) By the full detection by the full detection means,
A writing unit that writes all data stored in the first memory into the second memory 22. (3) In response to a data read request from the external device 10,
Retrieval means for retrieving the data stored in the second memory 22 after retrieving the data stored in the first memory 21.

【0011】バックアップ電源24は、外部から供給さ
れる電力が停止したときに、所定時間だけ、第1のメモ
リ21に記憶されているデータを保持させる電力を一時
的に供給するものである。
The backup power supply 24 temporarily supplies electric power for holding the data stored in the first memory 21 for a predetermined time when the electric power supplied from the outside is stopped.

【0012】次に、上記の構成を備えた記憶装置の動作
について説明する。 <書き込み動作> 外部制御部10から送出されたデータがメモリ制御部2
3に受信されると、メモリ制御部23は受信したデータ
と、この各データに対応するアドレス情報とを、第1の
メモリ21のデータの記憶領域に書き込み制御する。そ
して、以上の書き込み動作を第1のメモリ21のデータ
の記憶領域が満杯になるまで繰り返し行なう。
Next, the operation of the storage device having the above configuration will be described. <Write Operation> The data sent from the external control unit 10 is the memory control unit 2
3, the memory control unit 23 controls the writing of the received data and the address information corresponding to each data in the data storage area of the first memory 21. Then, the above write operation is repeated until the data storage area of the first memory 21 is full.

【0013】詳述すると、メモリ制御部23は、各デー
タ及びアドレス情報の書き込み動作の直前に、第1のメ
モリ21の未使用の記憶領域のアドレス範囲と書き込も
うとするデータのアドレス範囲とを比較する。この比較
によって、書き込もうとするデータ量が上記未使用の記
憶領域の容量を越ないと判断したときには上記書き込み
動作を繰り返し実行する。
More specifically, the memory control unit 23 compares the address range of the unused storage area of the first memory 21 with the address range of the data to be written immediately before the write operation of each data and address information. To do. When it is determined by this comparison that the amount of data to be written does not exceed the capacity of the unused storage area, the write operation is repeatedly executed.

【0014】一方、書き込もうとするデータ量が上記未
使用の記憶領域の容量を越える場合には、第1のメモリ
21に記憶されている全てのデータを第2のメモリ22
に書き込む。この後、第1のメモリ21の記憶領域に記
憶されているデータを消去して、後続のデータ及びアド
レス情報を順次書き込み制御する。
On the other hand, when the amount of data to be written exceeds the capacity of the unused storage area, all the data stored in the first memory 21 is written in the second memory 22.
Write in. After that, the data stored in the storage area of the first memory 21 is erased, and subsequent data and address information are sequentially written and controlled.

【0015】なお、外部制御部10から既にデータが書
き込まれている第1のメモリ21の同一のアドレスに対
してデータの書き込み要求があった場合には、第1のメ
モリ21の当該アドレスに対応する記憶領域にだけ新た
なデータを上書きするようにしている。よって、このよ
うな場合にも第2のメモリ22への書き込み動作を行な
わない。
When a data write request is issued from the external control unit 10 to the same address in the first memory 21 in which the data has already been written, the address corresponding to the address in the first memory 21 is dealt with. The new data is overwritten only in the storage area to be used. Therefore, even in such a case, the write operation to the second memory 22 is not performed.

【0016】さらに、書き込み途中で外部から供給され
る電力が停止されたときにも、第1のメモリ21に記憶
されているデータを第2のメモリ22に書き込んで、第
1のメモリ21に記憶されているデータを保護するよう
にしてもよい。
Further, even when the power supplied from the outside is stopped in the middle of writing, the data stored in the first memory 21 is written in the second memory 22 and stored in the first memory 21. The data that is stored may be protected.

【0017】<読み出し動作> 上記書き込み動作が終了した後、外部制御部10からの
データの読み込み要求があると、メモリ制御部23は、
まず第1のメモリ21のアドレスを参照し、このアドレ
スに該当するデータを第1のメモリ21内で検索する。
そして、該当するデータが記憶されていたときには、第
1のメモリ21から該当するデータを読み出して外部制
御部10に送出する。一方、第1のメモリ21に該当す
るデータがない場合には、第2のメモリ22からデータ
を読み出して外部制御部10に送出する。
<Read Operation> When a data read request is issued from the external control unit 10 after the write operation is completed, the memory control unit 23
First, the address of the first memory 21 is referred to, and the data corresponding to this address is searched in the first memory 21.
Then, when the corresponding data is stored, the corresponding data is read from the first memory 21 and sent to the external control unit 10. On the other hand, when there is no corresponding data in the first memory 21, the data is read from the second memory 22 and sent to the external control unit 10.

【0018】前述した記憶装置20では、第1のメモリ
21の記憶領域が満杯になったときに、この第1のメモ
リ21に記憶されている全てのデータを第2のメモリ2
2に書き込むようにしているので、第2のメモリ22へ
のデータの書き込み回数を必要最小限に抑えることがで
きる。これにより、第2のメモリ22としてEEPRO
Mを使用した場合であっても、当該EEPROMの寿命
を短くすることもない。
In the storage device 20 described above, when the storage area of the first memory 21 is full, all the data stored in the first memory 21 is transferred to the second memory 2.
Since the data is written into the second memory 22, the number of times of writing data into the second memory 22 can be suppressed to the necessary minimum. As a result, EEPRO is used as the second memory 22.
Even when M is used, the life of the EEPROM is not shortened.

【0019】また、外部装置10との間でデータの送受
を行なう第1のメモリ21としては、書き込み及び読み
出し動作を比較的高速で行なうことができる揮発性のR
AMを用いているので、書き込み動作の処理速度を低下
させないようにしている。さらに、本実施例では第2の
メモリとして不揮発性のメモリを使用しているので、記
憶保持のためのバッテリを設ける必要がない。これによ
り、消費電力を低減させることができるとともに、製造
コストを低減させることができる。
Further, the first memory 21 for transmitting and receiving data to and from the external device 10 is a volatile R that can perform writing and reading operations at a relatively high speed.
Since the AM is used, the processing speed of the write operation is not reduced. Furthermore, in this embodiment, since the non-volatile memory is used as the second memory, it is not necessary to provide a battery for holding the memory. Thereby, it is possible to reduce the power consumption and the manufacturing cost.

【0020】ところで、本実施例では外部装置10から
メモリ制御部23に対してデータの読み出し要求があれ
ば、メモリ制御部23は最初に最新のデータが書き込ま
れている第1のメモリ21からデータ検索するようにし
ている。従って、読み出そうとするデータが第1のメモ
リ21に記憶されていれば、第2のメモリ22を検索す
る必要がないので、これによりデータ検索に要する時間
を短縮することができる。なお、本発明は図示又は説明
した実施例に限るものではなく、その要旨の範囲内で様
々に変形実施が可能であることを付記する。
By the way, in this embodiment, when the external device 10 issues a data read request to the memory controller 23, the memory controller 23 first reads the data from the first memory 21 in which the latest data is written. I try to search. Therefore, if the data to be read is stored in the first memory 21, it is not necessary to search the second memory 22, so that the time required for data search can be shortened. It should be noted that the present invention is not limited to the illustrated or described embodiment, and that various modifications can be made within the scope of the invention.

【0021】[0021]

【発明の効果】請求項1又は2に記載した記憶装置によ
れば、外部装置から送出されたデータを揮発性の第1の
メモリに書き込む前に、その第1のメモリの未使用の記
憶領域のアドレス範囲と、外部装置から送出されたデー
タのアドレス範囲とを比較して、第1のメモリのデータ
の記憶領域が満杯になるか否かを検知し、該第1のメモ
リの記憶領域が満杯になることを検知したときだけ、そ
の第1のメモリに記憶されている全てのデータを不揮発
性の第2のメモリに書き込むようにしている。
According to the storage device of the first or second aspect, before writing the data sent from the external device to the volatile first memory, an unused storage area of the first memory is stored. Of the first memory is compared with the address range of the data sent from the external device to detect whether or not the data storage area of the first memory is full. Only when it is detected that the memory is full, all the data stored in the first memory is written to the nonvolatile second memory.

【0022】これにより、データの書き込み動作を迅速
に行なわせるとともに、第2のメモリへのデータの書き
込み回数を必要最小限に抑え、かつ、不揮発性メモリの
延命を図ることができる。また、第2のメモリとして不
揮発性のものを使用しているので、記憶を保持させるた
めの電源を設ける必要がない。
As a result, the data write operation can be performed quickly, the number of data writes to the second memory can be suppressed to the necessary minimum, and the life of the nonvolatile memory can be extended. Further, since the non-volatile memory is used as the second memory, it is not necessary to provide a power source for holding the memory.

【0023】請求項3に記載した記憶装置であれば、上
記請求項1又は2で得られる効果に加え、最新のデータ
が書き込まれている第1のメモリからデータ検索し、こ
の第1のメモリに読み出そうとするデータが記憶されて
いれば、第2のメモリに対する検索を行なわなくてよい
ので、データ検索に要する時間を短縮することができ
る。
According to the storage device of the third aspect, in addition to the effect obtained by the first or second aspect, the data retrieval is performed from the first memory in which the latest data is written, and the first memory is used. If the data to be read is stored in the second memory, the second memory does not need to be searched, so that the time required for the data search can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例としての記憶装置を組み込ん
だコンピュータシステムの概略の電気的構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic electrical configuration of a computer system incorporating a storage device as an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 外部制御部 20 記憶装置 21 第1のメモリ 22 第2のメモリ 23 メモリ制御部 24 バックアップ電源 10 External Control Unit 20 Storage Device 21 First Memory 22 Second Memory 23 Memory Control Unit 24 Backup Power Supply

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 外部装置から送出されたデータの書き込
み及び読み出し可能な揮発性の第1のメモリと、この第
1のメモリとの間でデータの書き込み及び読み出しが可
能な不揮発性の第2のメモリと、上記外部装置から送出
されたデータを第1のメモリに書き込む前に、その第1
のメモリの未使用の記憶領域のアドレス範囲と、外部装
置から送出されたデータのアドレス範囲とを比較して、
第1のメモリのデータの記憶領域が満杯になるか否かを
検知する満杯検知手段と、この満杯検知手段による満杯
検知により、第1のメモリに記憶されている全てのデー
タを第2のメモリに書き込む書込手段とを有することを
特徴とする記憶装置。
1. A volatile first memory capable of writing and reading data sent from an external device, and a nonvolatile second memory capable of writing and reading data between the first memory and the volatile first memory. Before writing the memory and the data sent from the external device to the first memory,
Compare the address range of the unused storage area of the memory with the address range of the data sent from the external device,
Full detection means for detecting whether or not the data storage area of the first memory is full, and all data stored in the first memory is detected by the full detection means by the full detection means. A storage device comprising: a writing unit that writes data to the storage device.
【請求項2】 上記第2のメモリはEEPROMである
請求項1記載の記憶装置。
2. The storage device according to claim 1, wherein the second memory is an EEPROM.
【請求項3】 外部装置からのデータの読み出し要求に
より、第1のメモリに記憶されているデータを検索した
後、第2のメモリに記憶されているデータを検索する検
索手段を設けた請求項1又は2記載の記憶装置。
3. A search means for searching the data stored in the first memory and then searching the data stored in the second memory in response to a data read request from an external device. The storage device according to 1 or 2.
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