JPH10240633A - Memory system and memory card - Google Patents

Memory system and memory card

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Publication number
JPH10240633A
JPH10240633A JP4439497A JP4439497A JPH10240633A JP H10240633 A JPH10240633 A JP H10240633A JP 4439497 A JP4439497 A JP 4439497A JP 4439497 A JP4439497 A JP 4439497A JP H10240633 A JPH10240633 A JP H10240633A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
flash memory
ram
control circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4439497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Seiki Miyahara
清貴 宮原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP4439497A priority Critical patent/JPH10240633A/en
Publication of JPH10240633A publication Critical patent/JPH10240633A/en
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten data write time, to eliminate the number of times of rewrite to a specified area and to eliminate the destruction of data even by sudden power disconnection from the outside. SOLUTION: Write data are tentatively stored in a RAM 302 and then, written to a flash memory 301. An access history from a host system is stored in a memory 304, and based on the information, the data of an area with the large number of times of access are arranged not inside the flash memory but inside the RAM 302. After the power disconnection from the outside, an internal circuit is operated by an internal auxiliary power source 303 and the erasure operation of the flash memory 301 and the write to the flash memory 301 of the data arranged inside the RAM 302 are performed. The auxiliary power source 303 is charged while power is supplied from the outside.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
を主メモリとするメモリシステムにおけるフラッシュメ
モリへのアクセス方法と消去方法に関する。
The present invention relates to a method for accessing and erasing a flash memory in a memory system having a flash memory as a main memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は従来のフラッシュメモリを主メモ
リとするメモリシステムの一例を示す構成図である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a block diagram showing an example of a conventional memory system using a flash memory as a main memory.

【0003】図4に示すように、この例において本メモ
リシステムは、記憶素子としてフラッシュメモリ401
を使用している。ホストシステムとのインタフェースと
して、ホストインタフェース(以下ホストI/Fと略
す)406とフラッシュメモリ401との間に制御回路
407を有し、ホストシステムからのメモリシステムへ
のデータの読み出し、書き込み動作をフラッシュメモリ
401への操作へ変換している。 ホストシステムが本
メモリシステムへデータを書き込む場合、書き込み用デ
ータはホストシステムからホストI/F406を通して
制御回路401へ入る。制御回路401は消去済みで、
書き込み可能なエリアをフラッシュメモリ401内に見
出し、前記書き込みデータを前記エリアに書き込む。制
御回路401は、フラッシュメモリ401への書き込み
が終了した後に、フラッシュメモリ401内に消去すべ
きエリアの有無をを調査し、消去すべきエリアがある場
合は、フラッシュメモリ401への消去操作を行なう。
As shown in FIG. 4, in this example, the present memory system uses a flash memory 401 as a storage element.
You are using As an interface with the host system, a control circuit 407 is provided between the host interface (hereinafter abbreviated as host I / F) 406 and the flash memory 401 to read and write data from the host system to the memory system. This is converted into an operation on the memory 401. When the host system writes data to the memory system, the write data enters the control circuit 401 from the host system through the host I / F 406. The control circuit 401 has been erased,
A writable area is found in the flash memory 401, and the write data is written to the area. After the writing to the flash memory 401 is completed, the control circuit 401 checks whether there is an area to be erased in the flash memory 401, and if there is an area to be erased, performs an erasing operation on the flash memory 401. .

【0004】図5は従来のフラッシュメモリを主メモリ
とするメモリシステムの別の一例を示す構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing another example of a conventional memory system using a flash memory as a main memory.

【0005】図5に示すように、この例において本メモ
リシステムは、記憶素子としてフラッシュメモリ501
を使用している。ホストシステムとのインタフェースと
して、ホストI/F506とフラッシュメモリ501と
の間に制御回路507を有し、ホストシステムからのメ
モリシステムへのデータの読み出し、書き込み動作をフ
ラッシュメモリ501への操作へ変換している。 RA
M502は制御回路501に接続されている。ホストシ
ステムが本メモリシステムへデータを書き込む場合、書
き込み用データはホストシステムからホストI/F50
6を通して制御回路507へ入る。制御回路507、前
記データを一旦RAM502へ書き込み、その後、制御
回路507は消去済みで、書き込み可能なエリアをフラ
ッシュメモリ501内に見出し、前記書き込みデータを
前記エリアに書き込む。制御回路501は、フラッシュ
メモリ501への書き込みが終了した後に、フラッシュ
メモリ501内に消去すべきエリアの有無をを調査し、
消去すべきエリアがある場合は、フラッシュメモリ50
1への消去操作を行なう。
As shown in FIG. 5, in this example, the present memory system uses a flash memory 501 as a storage element.
You are using A control circuit 507 is provided between the host I / F 506 and the flash memory 501 as an interface with the host system, and converts data read and write operations from the host system to the memory system into operations on the flash memory 501. ing. RA
M502 is connected to the control circuit 501. When the host system writes data to the memory system, the write data is transmitted from the host system to the host I / F 50.
6, and enters the control circuit 507. The control circuit 507 writes the data to the RAM 502 once, and thereafter, the control circuit 507 finds an erased and writable area in the flash memory 501 and writes the write data to the area. After the writing to the flash memory 501 is completed, the control circuit 501 checks whether there is an area to be erased in the flash memory 501,
If there is an area to be erased, the flash memory 50
An erase operation to 1 is performed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、フラッシュメモリの読み出し時間は短いが、書
き込み時間は読み出し時間の10倍以上と長く、メモリ
システムへの大容量データの書き込みを行なうと、長い
時間が掛かるという欠点を有していた。
However, in the above-mentioned prior art, the read time of the flash memory is short, but the write time is as long as 10 times or more the read time. However, it takes a long time.

【0007】そのために、書き込みテ゛ータの一時記憶用R
AMを有する場合は、RAMに一時記憶された書き込み
用データが完全にフラッシュメモリへ書き込まれる以前
にホストシステムまたは、第三者によりメモリシステム
の電源が切断された場合、前記書き込みテ゛ータが失われる
欠点を有していた。
For this purpose, an R for temporary storage of write data is used.
In the case of having the AM, if the power of the memory system is cut off by the host system or a third party before the write data temporarily stored in the RAM is completely written to the flash memory, the write data is lost. Had.

【0008】また、フラッシュメモリへ書き込むデータ
を書き込む場合は、事前に消去操作を行なうか、既に消
去されたエリアに書き込み、その後に、消去操作を行な
うかしていた。前記、消去動作時間は、書き込み時間以
上に長く、更にメモリシステムへのアクセス速度を低下
させる欠点を有していた。
In addition, when writing data to be written to the flash memory, an erasing operation is performed in advance, or writing is performed on an already erased area, and thereafter, an erasing operation is performed. The above-mentioned erasing operation time is longer than the writing time, and further has the disadvantage of lowering the access speed to the memory system.

【0009】そのために、メモリシステムへのアクセス
が無い期間に集中して消去操作を行なう手法が取られる
場合もあるが、この場合、前記消去期間にホストシステ
ムまたは、第三者によりメモリシステムの電源が切断さ
れた場合、消去操作が無効になる欠点を有していた。
For this purpose, there is a case where an erasing operation is performed in a concentrated manner during a period in which there is no access to the memory system. In this case, during the erasing period, the host system or a third party supplies power to the memory system. Has a drawback that the erasing operation is invalidated when the is disconnected.

【0010】また、フラッシュメモリは消去、書き込み
回数が10万回〜100万回程度に限られていて、ホス
トシステムが同一エリアに対してのデータ書き換えを頻
繁に行なう使用法では、短期間にメモリシステムが使用
できなくなるか、少なくとも前記エリアが使用不可能と
なる欠点を有していた。
In addition, the number of times of erasing and writing is limited to about 100,000 to 1,000,000 times in a flash memory. In a usage in which the host system frequently rewrites data in the same area, the The disadvantage is that the system becomes unusable or at least the area becomes unusable.

【0011】そこで本発明では、このような問題点を解
決するためになされるもので、フラッシュメモリへの書
き込みデータの一時記憶用RAMを有することにより、
ホストシステムからメモリシステムへの書き込み時間を
短くする方法と、補助電源を有する事により、フラッシ
ュメモリへの書き込み、消去操作期間にメモリシステム
への電源が切断された後も前記操作が継続して行なえる
方法と、ホストシステムからのアクセス履歴記憶用メモ
リを有することにより、特定エリアへのデータ書き込
み、消去の限度回数の改善方法を提供する事を目的とす
る。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and has a RAM for temporarily storing write data to a flash memory.
The method of shortening the writing time from the host system to the memory system and the provision of the auxiliary power supply allow the operation to be continued even after the power supply to the memory system is cut off during the writing and erasing operation to the flash memory. It is an object of the present invention to provide a method for improving the limit number of times of writing and erasing data in a specific area by having a memory for storing an access history from a host system and an access history from a host system.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項第1記載
のメモリシステムは、少なくとも、データ記憶素子とし
てのフラッシュメモリと補助記憶もしくはデータの一時
記憶用としてのRAMと主電源からの充電可能な補助電
源からなることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a memory system including at least a flash memory as a data storage element, a RAM for auxiliary storage or temporary storage of data, and a main power supply. And an auxiliary power source.

【0013】本発明の請求項第2記載のメモリシステム
は、少なくとも、データ記憶素子としてのフラッシュメ
モリと補助記憶もしくはデータの一時記憶用としてのR
AMと過去にアクセスされたフラッシュメモリ内の位置
をアクセス経歴として記憶するメモリからなり、前記ア
クセス経歴への参照により特定のフラッシュメモリ内の
データを前記RAM内にコピーし、前記特有位置に対す
るアクセスは、フラッシュメモリへ対してではなく、前
記RAM内に存在するデータへアクセスする事を特徴と
する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a memory system including at least a flash memory as a data storage element and an R memory for auxiliary storage or temporary storage of data.
An AM and a memory for storing a location in the flash memory accessed in the past as an access history, and by referring to the access history, data in a specific flash memory is copied into the RAM. , Not to a flash memory, but to data existing in the RAM.

【0014】本発明の請求項第3記載のメモリシステム
は、少なくとも、データ記憶素子としてのフラッシュメ
モリと補助記憶もしくはデータの一時記憶用としてのR
AMと過去にアクセスされたフラッシュメモリ内の位置
をアクセス経歴として記憶するメモリと主電源からの充
電可能な補助電源からなり、前記アクセス経歴への参照
により特定のフラッシュメモリ内のデータを前記RAM
内に有し、前記特定位置に対するアクセスは、フラッシ
ュメモリへ対してではなく、前記RAM内に存在するデ
ータへアクセスし、主電源が切断された後に前記特定位
置に対するRAM内データをフラッシュメモリの前記特
定位置へ書き込む事を特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a memory system comprising at least a flash memory as a data storage element and an R memory for auxiliary storage or temporary storage of data.
An access memory for storing a location in the flash memory accessed in the past as an access history and a chargeable auxiliary power supply from a main power supply, and referring to the access history to store data in a specific flash memory in the RAM.
The access to the specific position is not to the flash memory, but to the data present in the RAM, and after the main power is turned off, the data in the RAM to the specific position is read from the flash memory. It is characterized by writing to a specific position.

【0015】本発明の請求項第4記載のメモリシステム
は、少なくとも、データ記憶素子としてのフラッシュメ
モリと主電源からの充電可能な補助電源からなり、フラ
ッシュメモリ内の消去すべき1個または複数の範囲情報
を記憶し、前記フラッシュメモリへのアクセスが事前に
設定された時間間隔以上無い場合もしくは主電源が切断
された後に前記情報に基づきフラッシュメモリの消去作
業を行なう事を特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a memory system comprising at least a flash memory as a data storage element and a chargeable auxiliary power supply from a main power supply. Range information is stored, and the flash memory is erased based on the information when the access to the flash memory is not longer than a preset time interval or after the main power is turned off.

【0016】本発明の請求項第5記載のメモリカード
は、請求項第1記載のメモリシステムの形状がカードサ
イズである事を特徴とする。
A memory card according to a fifth aspect of the present invention is characterized in that the shape of the memory system according to the first aspect is a card size.

【0017】本発明の請求項第6記載のメモリカード
は、請求項第2記載のメモリシステムの形状がカードサ
イズである事を特徴とする。
A memory card according to a sixth aspect of the present invention is characterized in that the shape of the memory system according to the second aspect is a card size.

【0018】本発明の請求項第7記載のメモリカード
は、請求項第3記載のメモリシステムの形状がカードサ
イズである事を特徴とする。
A memory card according to a seventh aspect of the present invention is characterized in that the shape of the memory system according to the third aspect is a card size.

【0019】本発明の請求項第8記載のメモリカード
は、請求項第4記載のメモリシステムの形状がカードサ
イズである事を特徴とする。
The memory card according to an eighth aspect of the present invention is characterized in that the shape of the memory system according to the fourth aspect is a card size.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
き説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0021】図1は本発明の一実施例を示すメモリシス
テムの構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a memory system showing one embodiment of the present invention.

【0022】図1に示すように、この例において、メモ
リシステムは、本システム内部を制御する制御回路10
7を有し、ホストシステムとのデータ及びコマンドの受
け渡しと電源の供給をホストシステムから受けるための
手段としてホストI/F106を有している。主メモリ
素子としてフラッシュメモリ101を有し、書き込みデ
ータの一時記憶用メモり素子としてRAM102を有
し、両メモり素子は制御回路107へ接続されている。
As shown in FIG. 1, in this example, the memory system includes a control circuit 10 for controlling the inside of the system.
And a host I / F 106 as means for receiving data and commands from the host system and supplying power from the host system. A flash memory 101 is provided as a main memory element, and a RAM 102 is provided as a memory element for temporarily storing write data. Both memory elements are connected to a control circuit 107.

【0023】ホストシステムが本メモリシステムに記憶
されたデータを読み出す場合は、ホストシステムが指定
したエリア用として使用しているフラッシュメモリ10
1内のエリアのデータを制御回路107が読み出し、ホ
ストI/F106を通してホストシステムへデータを出
力する。
When the host system reads data stored in the memory system, the flash memory 10 used for the area designated by the host system is used.
The control circuit 107 reads the data in the area in 1 and outputs the data to the host system through the host I / F 106.

【0024】ホストシステムが本メモリシステムにデー
タを記憶させる場合は、制御回路107が書き込み用デ
ータを受け取り、フラッシュメモリ101より書き込み
時間が短いRAM102へ一旦書き込む。制御回路10
7は書き込み用データを受け取り終わった後に、RAM
102よりデータを読み出し、ホストシステムからの書
き込み操作が新規書き込みであれば、フラッシュメモリ
101の指定されたエリアへ前記データを書き込む。ホ
ストシステムからの書き込み操作が指定されたエリアの
書き換えである場合は、制御回路107は、フラッシュ
メモリ101内の消去済みエリアを検出し、このエリア
に対し、前記データを書き込むとともに、指定されたエ
リアとして今まで使用してたエリアを消去すべきエリア
情報として記憶する。
When the host system stores data in the memory system, the control circuit 107 receives write data and writes the data to the RAM 102, which has a shorter write time than the flash memory 101. Control circuit 10
7 is RAM after receiving the write data.
If data is read from the flash memory 102 and the write operation from the host system is a new write, the data is written to a designated area of the flash memory 101. If the write operation from the host system is to rewrite the designated area, the control circuit 107 detects the erased area in the flash memory 101, writes the data in this area, and writes the data in the designated area. Is stored as area information to be erased.

【0025】制御回路107は、タイマーを有し、ホス
トシステムからのアクセスが定められた所定時間以上無
い場合、消去すべきエリア情報を基に、フラッシュメモ
リ101の消去作業を開始する。消去作業中に、ホスト
システムからアクセスがあった場合は、消去作業を中止
するとともに、、ホストシステムからのアクセスに対し
応答する。
The control circuit 107 has a timer, and when the access from the host system has not been performed for a predetermined time or more, the erasing operation of the flash memory 101 is started based on the area information to be erased. If an access is made from the host system during the erasing operation, the erasing operation is stopped and a response is made to the access from the host system.

【0026】本システムの電源は、ホストシステムから
電源が供給されている場合は、ホストI/F106より
電源制御回路105を通して、制御回路107とフラッ
シュメモリ101とRAM102へ供給される。また、
この際、補助電源103が充電する必要がある場合、電
源制御回路105は補助電源103への充電を行う。ホ
ストシステムからの電源が切断された場合、電源制御回
路105は、電源切断を検出し、既に充電されている補
助電源103を使用して制御回路107とフラッシュメ
モリ101とRAM102へ電源の供給を続けるととも
に、ホストシステムからの電源供給が切断されたことを
制御回路107へ通知する。通知を受けた、制御回路1
07は、実施している作業がある場合は、該作業を続行
する。該作業終了後及び作業を実施していない場合、前
記消去すべきエリア情報を基にフラッシュメモリ101
の消去作業を行う。該消去作業終了後または消去すべき
エリアが無い場合、制御回路107は作業終了を電源制
御回路105へ通知し、電源制御回路105は制御回路
107とフラッシュメモリ101とRAM102への電
源供給を中止する。
When power is supplied from the host system, the power of the present system is supplied from the host I / F 106 to the control circuit 107, the flash memory 101, and the RAM 102 via the power supply control circuit 105. Also,
At this time, when the auxiliary power supply 103 needs to be charged, the power supply control circuit 105 charges the auxiliary power supply 103. When the power supply from the host system is cut off, the power supply control circuit 105 detects that the power supply has been cut off, and continues to supply power to the control circuit 107, the flash memory 101, and the RAM 102 using the already charged auxiliary power supply 103. At the same time, it notifies the control circuit 107 that the power supply from the host system has been cut off. Control circuit 1 that received notification
In step 07, if there is any work being performed, the work is continued. After the operation is completed and when the operation is not performed, the flash memory 101 is determined based on the area information to be erased.
Perform the work of erasing. After the end of the erasing operation or when there is no area to be erased, the control circuit 107 notifies the power supply control circuit 105 of the end of the operation, and the power supply control circuit 105 stops supplying power to the control circuit 107, the flash memory 101, and the RAM 102. .

【0027】図2は本発明の一実施例を示すメモリシス
テムの構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a memory system showing one embodiment of the present invention.

【0028】図2に示すように、この例において、メモ
リシステムは、本システム内部を制御する制御回路20
7を有し、ホストシステムとのデータ及びコマンドの受
け渡しと電源の供給をホストシステムから受けるための
手段としてホストI/F206を有している。主メモリ
素子としてフラッシュメモリ201を有し、書き込みデ
ータの一時記憶用メモり素子としてRAM202を有
し、両メモり素子は制御回路207へ接続されている。
更に、制御回路207へはメモリ204が接続されてい
る。
As shown in FIG. 2, in this example, the memory system includes a control circuit 20 for controlling the inside of the system.
And a host I / F 206 as means for receiving data and commands from the host system and supplying power from the host system. A flash memory 201 is provided as a main memory element, and a RAM 202 is provided as a memory element for temporarily storing write data. Both memory elements are connected to a control circuit 207.
Further, the memory 204 is connected to the control circuit 207.

【0029】ホストシステムが本メモリシステムに記憶
されたデータを読み出す場合は、読み出しとして指定さ
れたエリアがRAM202へ存在するかを制御回路20
7が調査し、 RAM202内に存在する場合は、制御
回路207がRAM202内の前記エリアのデータを読
み出し、ホストI/F206を通してホストシステムへ
データを出力する。書き込みとして指定されたエリアが
RAM202内に無い場合は、ホストシステムが指定し
たエリア用として使用しているフラッシュメモリ201
内のエリアのデータを制御回路207が読み出し、ホス
トI/F206を通してホストシステムへデータを出力
する。ホストシステムへのデータ出力終了後、制御回路
207は、ホストシステムより読み出しに指定されたエ
リア情報(読み出しエリア情報と記す)をメモリ204
に記憶する。この後、制御回路207は、前記読み出し
エリア情報を検索し、事前に設定された回数を上回る同
一のエリアに対する読み出し操作があった場合は、フラ
ッシュメモリ201内該エリアのデータを読み出し、R
AM202内に書き込み、以後該エリアへの読み出し、
書き込み操作は、フラッシュメモリ201に対してでは
なく、RAM202内の前記データへの読み出し、書き
込みを行う。
When the host system reads data stored in the memory system, the control circuit 20 checks whether an area designated as read exists in the RAM 202.
The control circuit 207 reads out the data in the area in the RAM 202 and outputs the data to the host system through the host I / F 206 if the data is present in the RAM 202. If the area designated for writing is not in the RAM 202, the flash memory 201 used for the area designated by the host system is used.
The control circuit 207 reads the data in the area in the area, and outputs the data to the host system through the host I / F 206. After the data output to the host system is completed, the control circuit 207 stores the area information designated to be read from the host system (referred to as read area information) in the memory 204.
To memorize. Thereafter, the control circuit 207 searches the read area information, and if there is a read operation for the same area exceeding the preset number of times, reads the data of the area in the flash memory 201 and reads the data of the area.
Write in the AM 202, then read to the area,
The write operation reads and writes the data in the RAM 202, not in the flash memory 201.

【0030】ホストシステムが本メモリシステムにデー
タを記憶させる場合は、書き込みとして指定されたエリ
アがRAM202へ存在するかを制御回路207が調査
し、RAM202内に存在する場合は、制御回路207
が書き込み用データを受け取り、RAM202へ対して
該データを書き込む。書き込みとして指定されたエリア
がRAM202内に無い場合は、制御回路207が書き
込み用データを受け取り、フラッシュメモリ201より
書き込み時間が短いRAM202へ一旦書き込む。制御
回路207は書き込み用データを受け取り終わった後
に、RAM202よりデータを読み出し、ホストシステ
ムからの書き込み操作が新規書き込みであれば、フラッ
シュメモリ201の指定されたエリアへ前記データを書
き込む。ホストシステムからの書き込み操作が指定され
たエリアの書き換えである場合は、制御回路207は、
フラッシュメモリ201内の指定されたエリアを消去し
た後に、前記データを書き込む。前記データ書き込み終
了後、制御回路207は、ホストシステムより書き込み
に指定されたエリア情報(書き込みエリア情報と記す)
をメモリ204に記憶する。この後、制御回路207
は、前記書き込みエリア情報を検索し、事前に設定され
た回数を上回る同一のエリアに対する書き込み操作があ
った場合は、 以後該エリアへの読み出し、書き込み操
作は、フラッシュメモリ201に対してではなく、RA
M202内の前記データへの読み出し、書き込みを行
う。
When the host system stores data in the memory system, the control circuit 207 checks whether or not an area designated as a write exists in the RAM 202.
Receives the write data, and writes the data to the RAM 202. If the area designated for writing does not exist in the RAM 202, the control circuit 207 receives the data for writing, and temporarily writes the data to the RAM 202 which has a shorter writing time than the flash memory 201. After receiving the write data, the control circuit 207 reads the data from the RAM 202 and, if the write operation from the host system is a new write, writes the data to the designated area of the flash memory 201. When the write operation from the host system is to rewrite the designated area, the control circuit 207
After erasing a designated area in the flash memory 201, the data is written. After the completion of the data writing, the control circuit 207 writes area information designated by the host system for writing (hereinafter referred to as write area information).
Is stored in the memory 204. Thereafter, the control circuit 207
Searches for the write area information, and if there is a write operation to the same area exceeding a preset number of times, the read and write operations to the area thereafter are performed not to the flash memory 201, RA
Read and write to the data in M202.

【0031】図3は本発明の一実施例を示すメモリシス
テムの構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a memory system showing one embodiment of the present invention.

【0032】図3に示すように、この例において、メモ
リシステムは、本システム内部を制御する制御回路30
7を有し、ホストシステムとのデータ及びコマンドの受
け渡しと電源の供給をホストシステムから受けるための
手段としてホストI/F306を有している。主メモリ
素子としてフラッシュメモリ301を有し、書き込みデ
ータの一時記憶用メモり素子としてRAM302を有
し、両メモり素子は制御回路307へ接続されている。
更に、制御回路307へはメモリ304が接続されてい
る。
As shown in FIG. 3, in this example, the memory system includes a control circuit 30 for controlling the inside of the system.
And a host I / F 306 as means for receiving data and commands from the host system and supplying power from the host system. A flash memory 301 is provided as a main memory element, and a RAM 302 is provided as a memory element for temporarily storing write data. Both memory elements are connected to a control circuit 307.
Further, a memory 304 is connected to the control circuit 307.

【0033】ホストシステムが本メモリシステムに記憶
されたデータを読み出す場合は、読み出しとして指定さ
れたエリアがRAM302へ存在するかを制御回路30
7が調査し、 RAM302内に存在する場合は、制御
回路307がRAM302内の前記エリアのデータを読
み出し、ホストI/F306を通してホストシステムへ
データを出力する。書き込みとして指定されたエリアが
RAM302内に無い場合は、ホストシステムが指定し
たエリア用として使用しているフラッシュメモリ301
内のエリアのデータを制御回路307が読み出し、ホス
トI/F306を通してホストシステムへデータを出力
する。ホストシステムへのデータ出力終了後、制御回路
307は、読み出しエリア情報をメモリ304に記憶す
る。この後、制御回路307は、前記読み出しエリア情
報を検索し、事前に設定された回数を上回る同一のエリ
アに対する読み出し操作があった場合は、フラッシュメ
モリ301内該エリアのデータを読み出し、RAM30
2内に書き込み、以後該エリアへの読み出し、書き込み
操作は、フラッシュメモリ301に対してではなく、R
AM302内の前記データへの読み出し、書き込みを行
う。
When the host system reads data stored in the memory system, the control circuit 30 checks whether an area designated as read exists in the RAM 302 or not.
The control circuit 307 reads out the data in the area in the RAM 302 and outputs the data to the host system through the host I / F 306 if the data is present in the RAM 302. If the area designated for writing is not in the RAM 302, the flash memory 301 used for the area designated by the host system is used.
The control circuit 307 reads the data in the area in the area, and outputs the data to the host system through the host I / F 306. After the data output to the host system is completed, the control circuit 307 stores the read area information in the memory 304. Thereafter, the control circuit 307 searches the read area information, and when there is a read operation for the same area exceeding a preset number of times, reads the data of the area in the flash memory 301 and
2 and thereafter read and write operations to the area are performed not on the flash memory 301 but on the R
The data in the AM 302 is read and written.

【0034】ホストシステムが本メモリシステムにデー
タを記憶させる場合は、書き込みとして指定されたエリ
アがRAM302へ存在するかを制御回路307が調査
し、RAM302内に存在する場合は、制御回路307
が書き込み用データを受け取り、RAM302へ対して
該データを書き込む。書き込みとして指定されたエリア
がRAM302内に無い場合は、制御回路307が書き
込み用データを受け取り、フラッシュメモリ301より
書き込み時間が短いRAM302へ一旦書き込む。制御
回路307は書き込み用データを受け取り終わった後
に、RAM302よりデータを読み出し、ホストシステ
ムからの書き込み操作が新規書き込みであれば、フラッ
シュメモリ301の指定されたエリアへ前記データを書
き込む。ホストシステムからの書き込み操作が指定され
たエリアの書き換えである場合は、制御回路307は、
フラッシュメモリ301内の消去済みエリアを検出し、
このエリアに対し、前記データを書き込むとともに、指
定されたエリアとして今まで使用してたエリアを消去す
べきエリア情報として記憶する。前記作業終了後、制御
回路307は、書き込みエリア情報をメモリ304に記
憶する。この後、制御回路307は、前記書き込みエリ
ア情報を検索し、事前に設定された回数を上回る同一の
エリアに対する書き込み操作があった場合は、 以後該
エリアへの読み出し、書き込み操作は、フラッシュメモ
リ301に対してではなく、RAM302内の前記デー
タへの読み出し、書き込みを行う。
When the host system stores data in the memory system, the control circuit 307 checks whether an area designated as a write exists in the RAM 302, and if the area exists in the RAM 302, the control circuit 307
Receives the write data, and writes the data to the RAM 302. If the area designated for writing is not in the RAM 302, the control circuit 307 receives the data for writing, and temporarily writes the data to the RAM 302, which has a shorter writing time than the flash memory 301. After receiving the write data, the control circuit 307 reads the data from the RAM 302 and writes the data to the designated area of the flash memory 301 if the write operation from the host system is a new write. When the write operation from the host system is to rewrite the designated area, the control circuit 307
Detecting an erased area in the flash memory 301,
The data is written into this area, and the area used so far as the designated area is stored as area information to be erased. After the work is completed, the control circuit 307 stores the write area information in the memory 304. Thereafter, the control circuit 307 searches the write area information, and if a write operation to the same area is performed more than a preset number of times, the read and write operations to the area are performed thereafter by the flash memory 301. , But to the data in the RAM 302.

【0035】制御回路307は、タイマーを有し、ホス
トシステムからのアクセスが定められた所定時間以上無
い場合、消去すべきエリア情報を基に、フラッシュメモ
リ301の消去作業を開始する。消去作業中に、ホスト
システムからアクセスがあった場合は、消去作業を中止
するとともに、、ホストシステムからのアクセスに対し
応答する。
The control circuit 307 has a timer, and when there is no access from the host system for a predetermined time or more, starts erasing work of the flash memory 301 based on the area information to be erased. If an access is made from the host system during the erasing operation, the erasing operation is stopped and a response is made to the access from the host system.

【0036】本システムの電源は、ホストシステムから
電源が供給されている場合は、ホストI/F306より
電源制御回路305を通して、制御回路307とフラッ
シュメモリ301とRAM302へ供給される。また、
この際、補助電源303が充電する必要がある場合、電
源制御回路305は補助電源303への充電を行う。ホ
ストシステムからの電源が切断された場合、電源制御回
路305は、電源切断を検出し、既に充電されている補
助電源303を使用して制御回路307とフラッシュメ
モリ301とRAM302へ電源の供給を続けるととも
に、ホストシステムからの電源供給が切断されたことを
制御回路307へ通知する。通知を受けた、制御回路3
07は、実施している作業がある場合は、該作業を続行
する。該作業終了後及び作業を実施していない場合、制
御回路307は、読み出しエリア情報と書き込みエリア
情報に基づき、フラッシュメモリ301内ではなく、R
AM302内に書き込まれたデータの中で、ホストシス
テムから書き換えが行われたデータを検出し、該データ
が書き込まれるべきフラッシュメモリ301内のエリア
へ書き込み作業を行う。前記作業終了後もしくはRAM
302内にフラッシュメモリへ書き込まれるべきデータ
が存在しない場合、前記消去すべきエリア情報を基にフ
ラッシュメモリ301の消去作業を行う。該消去作業終
了後または消去すべきエリアが無い場合、制御回路30
7は作業終了を電源制御回路305へ通知し、電源制御
回路305は制御回路307とフラッシュメモリ303
とRAM302への電源供給を中止する。
When power is supplied from the host system, the power of the present system is supplied from the host I / F 306 to the control circuit 307, the flash memory 301, and the RAM 302 through the power control circuit 305. Also,
At this time, when the auxiliary power supply 303 needs to be charged, the power supply control circuit 305 charges the auxiliary power supply 303. When the power supply from the host system is cut off, the power supply control circuit 305 detects that the power supply has been cut off, and continues to supply power to the control circuit 307, the flash memory 301, and the RAM 302 by using the already charged auxiliary power supply 303. At the same time, it notifies the control circuit 307 that the power supply from the host system has been cut off. Control circuit 3 that received notification
In step 07, if there is any work being performed, the work is continued. After the end of the operation and when the operation is not performed, the control circuit 307 determines whether or not the R is in the flash memory 301 based on the read area information and the write area information.
Among the data written in the AM 302, data rewritten by the host system is detected, and a write operation is performed on an area in the flash memory 301 where the data is to be written. After the work or RAM
If there is no data to be written to the flash memory in the memory 302, the flash memory 301 is erased based on the area information to be erased. After completion of the erasing operation or when there is no area to be erased, the control circuit 30
7 notifies the power control circuit 305 of the end of the work, and the power control circuit 305
Then, the power supply to the RAM 302 is stopped.

【0037】図1、図2および図3は、本発明によるメ
モリシステムの例を示すが、これらの例の装置形状をカ
ード型にすることによるメモリカードもまた、以上の説
明と同じ動作を行う。
FIGS. 1, 2 and 3 show examples of a memory system according to the present invention. In these examples, a memory card obtained by changing the device shape into a card type also performs the same operation as described above. .

【0038】[0038]

【発明の効果】以上述べたように、本発明のメモリシス
テムとメモリカードによれば、データの書き込み時間が
短くかつ、外部よりの電源が遮断されてもデータが失わ
れる事の無い効果がある。また、特定のエリアに対して
頻繁にデータの書き換えを行うシステムでは、本発明の
メモリシステムとメモリカードにより、書き換え回数制
限を無くす効果がある。
As described above, according to the memory system and the memory card of the present invention, there is an effect that the data writing time is short and the data is not lost even if the power supply from the outside is cut off. . In a system that frequently rewrites data in a specific area, the memory system and the memory card of the present invention have an effect of eliminating the number of rewrites.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のメモリシステムを示す構成
図。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a memory system according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例のメモリシステムを示す構成
図。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a memory system according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例のメモリシステムを示す構成
図。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a memory system according to an embodiment of the present invention.

【図4】従来のメモリシステムを示す構成図。FIG. 4 is a configuration diagram showing a conventional memory system.

【図5】従来のメモリシステムを示す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional memory system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、201、301、401、501:フラッシュ
メモリ 102、202、302、502:RAM 103、303:補助電源 204、304:メモリ 105、305:電源制御回路 106、206、306、406、506:ホストイン
タフェース 107、207、307、407、507:制御回路
101, 201, 301, 401, 501: Flash memory 102, 202, 302, 502: RAM 103, 303: Auxiliary power supply 204, 304: Memory 105, 305: Power supply control circuit 106, 206, 306, 406, 506: Host Interface 107, 207, 307, 407, 507: Control circuit

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも、データ記憶素子としてのフラ
ッシュメモリと補助記憶もしくはデータの一時記憶用と
してのRAMと主電源からの充電可能な補助電源からな
ることを特徴とするメモリシステム。
1. A memory system comprising at least a flash memory as a data storage element, a RAM for auxiliary storage or temporary storage of data, and a chargeable auxiliary power supply from a main power supply.
【請求項2】少なくとも、データ記憶素子としてのフラ
ッシュメモリと補助記憶もしくはデータの一時記憶用と
してのRAMと過去にアクセスされたフラッシュメモリ
内の位置をアクセス経歴として記憶するメモリからな
り、前記アクセス経歴への参照により特定のフラッシュ
メモリ内のデータを前記RAM内にコピーし、前記特有
位置に対するアクセスは、フラッシュメモリへ対してで
はなく、前記RAM内に存在するデータへアクセスする
事を特徴とするメモリシステム。
2. An access history comprising at least a flash memory as a data storage element, a RAM for auxiliary storage or temporary storage of data, and a memory for storing a previously accessed location in the flash memory as an access history. The data in a specific flash memory is copied into the RAM by referring to the RAM, and the access to the specific position is performed by accessing data existing in the RAM, not to the flash memory. system.
【請求項3】少なくとも、データ記憶素子としてのフラ
ッシュメモリと補助記憶もしくはデータの一時記憶用と
してのRAMと過去にアクセスされたフラッシュメモリ
内の位置をアクセス経歴として記憶するメモリと主電源
からの充電可能な補助電源からなり、前記アクセス経歴
への参照により特定のフラッシュメモリ内のデータを前
記RAM内に有し、前記特定位置に対するアクセスは、
フラッシュメモリへ対してではなく、前記RAM内に存
在するデータへアクセスし、主電源が切断された後に前
記特定位置に対するRAM内データをフラッシュメモリ
の前記特定位置へ書き込む事を特徴とするメモリシステ
ム。
3. A flash memory as a data storage element, a RAM for auxiliary storage or temporary storage of data, a memory for storing a location in the flash memory accessed in the past as an access history, and charging from a main power supply. Comprising a possible auxiliary power supply, having data in a specific flash memory in the RAM by reference to the access history, and accessing the specific position,
A memory system which accesses data existing in the RAM, not to a flash memory, and writes data in the RAM to the specific position to the specific position in the flash memory after a main power supply is turned off.
【請求項4】少なくとも、データ記憶素子としてのフラ
ッシュメモリと主電源からの充電可能な補助電源からな
り、フラッシュメモリ内の消去すべき1個または複数の
範囲情報を記憶し、前記フラッシュメモリへのアクセス
が事前に設定された時間間隔以上無い場合もしくは主電
源が切断された後に前記情報に基づきフラッシュメモリ
の消去作業を行なう事を特徴とするメモリシステム。
4. A flash memory as a data storage element and a chargeable auxiliary power supply from a main power supply, storing at least one or a plurality of range information to be erased in the flash memory, A memory system wherein an erasing operation of a flash memory is performed based on the information when access is not longer than a preset time interval or after a main power supply is cut off.
【請求項5】請求項第1記載のメモリシステムにおいて
形状がカードサイズである事を特徴とするメモリカー
ド。
5. A memory card according to claim 1, wherein said memory card has a shape of a card size.
【請求項6】請求項第2記載のメモリシステムにおいて
形状がカードサイズである事を特徴とするメモリカー
ド。
6. A memory card according to claim 2, wherein said memory card has a shape of a card size.
【請求項7】請求項第3記載のメモリシステムにおいて
形状がカードサイズである事を特徴とするメモリカー
ド。
7. The memory card according to claim 3, wherein the shape is a card size.
【請求項8】請求項第4記載のメモリシステムにおいて
形状がカードサイズである事を特徴とするメモリカー
ド。
8. The memory card according to claim 4, wherein the shape is a card size.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324393A (en) * 2001-04-25 2002-11-08 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory device
JP2007207397A (en) * 2006-02-06 2007-08-16 Toshiba Corp Semiconductor storage device
US8069296B2 (en) 2006-01-23 2011-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device including control means and memory system
JP2011253609A (en) * 2010-06-01 2011-12-15 Samsung Electronics Co Ltd Nonvolatile memory device, program method thereof, memory system including nonvolatile memory device, electronic equipment and system

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