JP2512510B2 - 電子ビ―ムがアドレスされる液晶光バルブ - Google Patents

電子ビ―ムがアドレスされる液晶光バルブ

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JP2512510B2
JP2512510B2 JP62506428A JP50642887A JP2512510B2 JP 2512510 B2 JP2512510 B2 JP 2512510B2 JP 62506428 A JP62506428 A JP 62506428A JP 50642887 A JP50642887 A JP 50642887A JP 2512510 B2 JP2512510 B2 JP 2512510B2
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ウエルコウスキイ，セーレイ・エス
レデブア，アルノ・ジー
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 発明の分野 この発明は、電気ビームパターン入力に応じて読み出
し光ビームを変調する液晶光バルブに関する。
従来技術の説明 液晶光バルブ（LCLVs）は、一般にツイステッドネマ
ティック液晶セルを用い、セル内の液晶分子は、セルを
通過する画偏光光が90°回転されるように配向されてい
る。充分な電圧がセルの特定領域に印加されると、これ
らの領域内の液晶分子の分子軸が印加された電界と平行
に配向される。つまり配向光は、液晶セルが基本的に変
化されない場合にこれらの領域を通過でき、液晶セルに
電圧が印加される場合にこれらの領域で遮断される。従
って、装置に印加された空間電圧パターンにより光の像
が形成できる。
従来、LCLVsは、レーザーがアドレスされる装置、ま
たはブラウン管（CRT）や他の光源に接続された光電変
換器として用いられている。高い解像度を有するレーザ
ーアドレス系は、画面を満たすために数秒間必要な記憶
装置であり、アドレス及び拡大のために一般に複雑な光
学系を用いている。アドレスを実行する光学系に加えて
光電変換器が接続された装置は、拡大及びアドレスを実
行する光を分離するための複数層構造が用いられ、或い
はアドレス／拡大を実行する光の波長を厳しく制限して
いる。
電子ビームがアドレスされるLCLVは、少なくとも概念
上は、光電変換器及び光遮断層に関する従来の問題を除
去できる。更に、このような装置は、リアルタイム操作
のために充分速くできる。この発明以前の電子ビーム電
流がアドレスされる殆どのLCLVは、テクトロニクス（Te
ktronix）社の装置であり、この装置は、1983年５月の
電子装置におけるIEEE学会会報のVol.ED−30,No.5の489
〜492ページに掲載されているデュエーンA.ヘブン（Dua
ne A.Haven）氏による「電子ビームがアドレスされる液
晶光バルブ（Electoron−Beam Addressed Liquid−Crys
tal Light Valve）」に記載されている。この記事に
は、書き込み銃から射出されターゲット電極上に衝突
し、その後、フルード（flood）銃によりターゲット電
極から消去される電子を有するLCLV装置が記載されてい
る。フルード銃は、制御された均一の電位でターゲット
電極を再充電する。この装置に関する１つの問題は、フ
ルード銃が均一ではなく、ターゲット電極上で電子の不
均一分布を生成することである。これにより、不均一な
像が交互に生成される。他の問題として残像の問題があ
る。低エネルギーのフルード銃は、高エネルギー書き込
み銃による電子の深い打ち込みにより生出された像を全
て消去することはできない。テクトロニクス社の装置は
高価な伝達CRTの使用を必要とし、その光学的な特性
は、LCLVに接続して使用できる物質の選択を制限する。
他の幾つかの適合する物質は複屈折し、読み出し光の偏
光面を回転できるので、その結果適切でなくなる。従っ
て、装置の感度を増大させる必要がある。
発明の概要 従来技術に関する上記問題の観点から、この発明の目
的は、高い解像度のディスプレーを有し、フルードビー
ムの必要性及びそれに伴う像の歪みがなく、残像の問題
がなく、高い伝達性の膜を必要としない簡素な構成の斬
新で且つ改良された電子ビームがアドレスされるLCLVを
提供することにある。
この発明の他の目的は、安価であるばかりか従来の装
置より感度が良い電子ビームがアドレスされるLCLVを提
供することにある。
これら及び他の目的は、主に反射モードで作動するよ
うに形成されたこの発明のLCLVにより達成される。平坦
な電気抵抗性膜は、膜上に支持され且つ電子ビームによ
りアドレスされるように適合された部分導電物質の層と
伴に、読み出し光ビームに対して液晶層の反対側に配置
されている。
電子ビームが部分導電物質層に衝突すると、部分導電
物質層内に電荷が蓄積され、液晶層の一致する位置に電
圧を生じる。部分導電物質層に堆積される電荷は衝突す
る電子の数に比例するため、液晶に印加される電圧も電
子数に応じて変化される。液晶に印加される電圧は、必
要とされる液晶の光伝達或いは偏光面の回転特性を制御
する。つまり、液晶の配向特性が変化されるしきい値電
圧を液晶層に印加することにより、液晶分子の配向が変
化され、この変化に応じて像が形成される。
電荷収集手段、好ましくは導電マトリックスグリッド
は、部分導電層上に配置され、電子ビーム走査により部
分導電層に蓄積された電荷を収集する機能を備えてい
る。グリッドは、部分導電層の電子ビーム側の各画素を
包囲するマトリックス物質により、部分導電層を一連の
画素に分割している。部分導電層内の各画素上に衝突さ
れる電子ビームに応じて、液晶層の一致する位置で一方
の極性を有する電圧が誘引される。そして、電子ビーム
走査の間もインターバル中に画素での十分に素早い実質
的な放電の割合で、また、読み出し光ビームにより像を
生出するに十分ゆっくりな割合で、各画素から周囲のグ
リッドへ電荷が収集される。回路手段は、導電マトリッ
クスにより部分導電層から収集した電荷を放出するため
に接続されている。液晶層、膜、及び部分導電層の抵抗
及び容量は、各電子ビーム走査の後の部分導電層の放電
の間に液晶の配向を変えるに十分な交流電圧（しきい値
電圧）を生成するために選択されている。また、各画素
に堆積された電荷は、導電グリッドを介して効果的に放
出され、フルード銃を必要とせずに自動的に消去され
る。
好適な実施例において、ミラーは、読み出しビームに
対して液晶層の反対側に設けられ、液晶層を通過した読
み出しビームを反対方向に反射して再び液晶層を通過さ
せる。透明電極は、液晶の読み出しビーム側に設けら
れ、液晶に参照電圧を供給するために接続されている。
導電マトリックス及び透明電極は、共に接地されるか、
或いは交流電源に接続される。
交流電源は、導電マトリックスと透明電極との間に液
晶のしきい値電圧に近い電圧を印加し、液晶の感度を改
良する機能を備えている。つまり、しきい値電圧に近い
電圧が印加された液晶は、微小の電圧を印加することに
より素早く反応できるため、電子ビームに対する応答性
が改良され、感度が改良される。
この発明の他の特徴及び利点は、添付図面を参照した
以下に示す好適な実施例の詳細な説明から当業者により
容易に明らかにされる。
図面の説明 第１図は、この発明の電子ビームがアドレスされるLC
LVの断面図、 第２図は、電子ビームから受けた電荷を放出するため
に使用される導電性マトリックスの一部を示す断面図、 第３図は、電子ビームに応じて特定の液晶画素位置に
確立された時間を規準とした電圧信号を示すグラフ、 第４図は、電荷放出を抑制するLCLV部材の同値回路、
及び 第５図は、信号電荷を消失するための導電性円筒リン
グを使用するLCLVの後面を示す立面図。
好適な実施例の詳細な説明 第１図を参照すると、電子ビーム走査パターンの高解
像度ディスプレイを備えた液晶光バルブ（LCLV）の限定
された形態がしめされている。CRTは、電子ビーム発生
器２とビーム６をラスターパターン（raster pattern）
で走査する１組の偏向プレート４とを備えている。他の
一対のプレートは、紙面の内外でビーム走査を制御する
ために設けられている。ビームの流れは、典型的に約10
マイクロアンペアから１ミリアンペアの範囲内にある。
LCLVは、液晶層８とスペーサー12、12aとを備えてい
る。液晶層８は、液晶配列を容易にし、且つ化学的分離
を供給するため、両側に配置された絶縁フィルム10、10
aにより形成されるセル内に収容されている。スペーサ
ー12、12aは、絶縁フィルム10及び10aの間に適切なギャ
ップを保ち、且つ液晶８の流出を防止している。
光読み出しビーム14aがLCLVの左側からバルブ上に向
けられ、電子ビームパターンにより変調された後、出力
ビーム14bとして反射されるため、LCLVの左側は、「読
み出し側」として示される。好ましくはガラスで形成さ
れた透明カバーシート16は、装置の左側をカバーして保
護する。好ましくはスズ−インジウム酸化物（ITO）か
ら形成された透明電極18は、カバープレート16の内側に
配置されている。この電極は、以下に示すように液晶に
印加する参照電圧を供給する。
ミラー20は、読み出しビームに対して液晶の反対側に
設けられている。このミラーは、読み出しビームを受け
て反射させ、再び液晶を通過させる。それは一般的なワ
イドバンドの高い反射率絶縁体ミラーで行なうことがで
きる。これは光電変換層を有するたくさんの光バルブの
反対側であり、これらの光バルブは、光電変換層の導電
を防止するために反射されない殆ど全ての読み出しビー
ムをミラーが吸収する必要があるので、修正された絶縁
性を備えたミラーを必要とする。しかしながら、この光
バルブは、光電変換層を備えていないので非常に簡素に
できる。絶縁体ミラーの代りに、ヒューズエアクラフト
カンパニー（Hughes Aircraft Company）が出願した出
願番号759,004に開示されている金属マトリックスミラ
ーも用いられている。
支持膜22は、ミラー20の電子ビーム側に位置され、ミ
ラー及び部分導電物質層24を支持する。この部分導電物
質層24とは、誘引された電荷を比較的短い限定された時
間で保持するであろう導電率の範囲を意味する。例え
ば、部分導電物質層24が金属のような導電性を有する場
合、電荷は部分導電物質層24を通って直ちに流れ、いか
なる像もショートする。一方、部分導電物質層24が絶縁
材のような絶縁性を有する場合、電子ビームからの電荷
はビームによりアドレスされたスポットに簡単に蓄積で
き、その結果、例えば、増大された電荷密度による不伝
導性の分解により、支持膜が損傷される。膜は、部分導
電物質層24に堆積された電荷のショートを防止するため
に、1012オーム／スクエア或いはそれ以上の高いシート
抵抗を有する抵抗でなければならない。それは堅いか又
は伸ばせるかできるので、非常に平坦な表面を形成で
き、外側リング（図示せず）が膜を伸ばすためのベース
として設けられている。適切な膜物質は、カプチン（Ka
pton）、雲母、窒化ほう素である。可能な電子ダメージ
から膜を保護する目的で、膜は、その電子ビーム側に蒸
着されたSiO2や他の抵抗物質24の薄い層と一体となって
いる。
第２図に示すように、好ましくは金属グリッドスタイ
ルの導電物質マトリックス26は、部分導電層24の外面上
に配置されている。各グリッドの開口部28は、走査電子
ビームで像を形成するための画素を規定している。グリ
ッド26及び電極18は、互いに接続されて接地され、或い
は他の実施例において、これら２つの部材の間に以下に
述べる交流電源30が接続されている。
グリッド及びその下の部分導電層の寸法と、部分導電
層の導電率と、が選択されるので、電子ビーム走査によ
り部分導電層の各画素に吸収される電子は、電子ビーム
が１回の走査サイクルを終了し、その画素に戻る時にグ
リッドを通って漏れていく。テレビジョンの走査割合が
30から60Hzであるので、漏れ割合は、走査の間の略17か
ら30ミリ秒で画素を消すに十分速くするべきである。し
かしながら、読み出しビームにより像を観察するために
電荷が残されるように、部分導電層における消去は十分
遅くするべきである。
電子の漏れ割合は、部分導電層の状態により決定さ
れ、部分導電層のシート抵抗率は、好ましくは約1010か
ら1013オーム／スクエアの範囲であり、その厚さは、好
ましくは約３から10ミクロンであり、その（体抵抗）
は、107から1010オームcmが好ましい。尚、ここでいう
体抵抗（オーム・cm）とは、シート抵抗率（オーム／ス
クエア）×層厚（cm）である。適切な部分導電物質層に
は、二酸化シリコンと氷晶石とがあり、カドミウムテル
ル化物がいくつかの適用例において適用できるが、他の
物質では導電しずぎるため適用できない。典型的な画素
のサイズは、一辺が0.01から0.15mmである。
電子ビーム走査の結果として部分導電層24の各画素に
吸収された電子の電荷は、液晶の一致する位置に電圧を
生出する。光バルブの各種の部材が横に広がる高い抵抗
を有することから、電子の電荷を受けた部分導電層の各
画素領域と、吸収された電荷により決定される電圧を維
持する液晶の一致した領域と、の間で本質的に1:1の対
応が達成できる。液晶電圧の消失による膜の過度の電圧
降下を避けるため、膜は非常に薄く形成され、約４から
12ミクロンである。
サンドイッチ状の層の１つ、例えばミラー、膜、又は
それら両方が良い絶縁体（或いは高抵抗）であるなら
ば、電子ビーム走査で液晶に印加される画素電圧は、直
流電圧よりも交流電圧である。液晶は、直流による作用
を受けると分解する傾向にあることから、交流による操
作が明確な利点を有している。液晶偏光の移動はRMS電
圧のレベルに対応し、交流電圧は、直流電圧操作により
生じる分解効果なしで偏光移動を実施するために用いら
れる。尚、RMS電圧とは、平方自乗平均電圧、つまり交
流電圧の実効直流レベルを示している。
電子ビームが部分導電層上の画素を走査することによ
り液晶上に作用する交流電圧は第３図に示され、画素位
置における液晶電圧が時間に応じてプロットれている。
ビームは、非常に短い時間で液晶を走査し、素早く堆積
する電子は、液晶を通る負電圧ピーク32を生出する。電
子ビームは、30ナノ秒の時間で典型的に画素上に照射さ
れる。ビームが過ぎた後、画素内に吸収された電子は、
メタルグリッド26に向かって右側に溢れ出し、メタルグ
チッド26に戻る。各グリッド開口28（図２参照）を包囲
する導電グリッド物質は、包囲した部分導電層の画素内
に溢れた電子を引きつけ、これらの電子は、接地されて
消滅される。導電グリッド内に部分導電層24の電子の流
出形態は、図２の１つの画素における電子流れ線34によ
り示されている。
透明電極18と導電グリッド26との間に接続された交流
電源30は、液晶のしきい値電圧に近い電圧を液晶層に印
加するために設けられている。液晶層に予めこのような
電圧を印加しておくと、微小電圧を更に印加することに
より液晶分子の配向変化が可能となり、印加された電圧
に対する応答性が改良され、液晶の感度が改良される。
また、液晶に印加される電圧は、部分導電層に堆積され
る電子の数に比例することから、電子ビーム走査により
与えられる少ない電子により液晶分子の配向変化が可能
となり、電子ビームに対する液晶の応答性、つまり感度
が改良される。
図３に戻って、電子ビームが画素を走査し、最大負電
圧が液晶に生出された後、液晶電圧は、線36に沿って徐
々に減少される。部分導電層24からの電子は、本来の電
子ビームの電子と反対方向、つまりグリッド26方向に流
れ続けているので、液晶電圧は正になり、点37で０ボル
トの軸と交差する。その後に最初の負電圧ピークより十
分に小さい正電圧ピークに達し、部分導電層内で費やさ
れる過度の電荷で０に減少されている。
少なくとも１つの光バルブ層が良い絶縁材である場
合、液晶電圧曲線の負部分より下の領域は、一般に曲線
の正部分の下の領域に等しい。電圧は、連続する電子ビ
ーム走査の間のインターバル中に本質的に０に減少さ
れ、繰り返しビーム走査により交流液晶電圧特性を示
す。このことにより、上述した直流作用に基づく液晶の
品質低下の問題を除去できる。他方では、このような交
流液晶電圧特性により、部分導電層に堆積された電荷が
各インターバルの間に十分ゆっくりと消去されるので、
液晶は要求される像を生出して反応するに十分な時間を
有する。
部分導電層から電荷を消去するための等価回路が第４
図に示されている。Ｖ（ｔ）は、電子ビームにより個々
の画素に残された電荷Ｑにより生出する液晶／膜の境界
における電圧を示し、RLC及びCLCは、それぞれ液晶の抵
抗及び容量を示し、CMは、膜と部分導電層とを一緒にし
た並列容量を示し、RMは、膜と部分導電層とを一緒にし
た並列効果シート抵抗を示している。尚、これらは、全
て１つの画素部材について示している。膜及び部分導電
層の容量は、一般に同一の桁であるが、膜のシート抵抗
は、一般に部分導電層の抵抗よりも非常に大きい。それ
ゆえに、膜の容量及び部分導電層の容量は、それぞれ著
しくCMに寄与し、一方、膜の抵抗は一般に無視できる。
電子ビームにより蓄積された電荷は、部分導電層を直接
通って、または電極18へ膜及び液晶の大部分からなる並
列通路を通ってグリッドの電位から溢れる。Ｖ（ｔ）に
起因する液晶電流の表現が示され、 ところで、 TM＝RMCM，TLC＝CLCRLC，T＝RLCCM 図３にしめされている交流電圧曲線は、以下の数値に
より得られ、その値は、 RLC＝６×1011オーム RM＝1012オーム／スクエア CLC＝５×1015ファラド CM＝６×1015ファラド IBEAM＝100マイクロアンペア この発明の光バルブのとても重要で斬新な特徴は、基
本的シングル偏向電子ビームにより開始され、交流電圧
が液晶に生出されることである。他の利点は、非常に高
い解像度が達成さてることである。直径0.025mmの電子
ビームと、5cmの光バルブと、により、2000本の系が達
成できる。この装置は、主に液晶によってのみ限定され
る非常に速い反応時間を有する。また、この装置は、従
来の装置に使用される入力像レンズまたはプレートに接
続される光ファイバーを用いる必要がない非常に簡単な
構造を有している。部分導電層の各画素の電荷が近接す
る導電グリッド内へ直接的に放電するので、像は高い均
一性を備えて生出される。
また、この発明の光バルブは、透過より反射型であ
り、読み出しビームが反射の前後で液晶を２回通過する
ので、従来のテクトロニクス社の装置または類似の装置
よりかなり高感度である。これにより、同じ感度で使用
される薄い液晶層を許容し、逆に同じ液晶の厚さでより
高い感度を生出できる。液晶の反応時間はその厚さの２
乗で変化するので、厚さの減少は、反応時間において非
常に明確な効果を有する。
図１に示す装置の製造において、ミラー20は、１回の
デポジションラン（deposition run）で膜22上に堆積さ
れ、部分導電層24は、分離デポジションランで膜上に堆
積される。膜とミラーとの位置を反対にすることも可能
であり、ミラーは、膜と、膜の電子ビーム側の部分導電
層と、の間に挟まれる。これにより、これらの部材がシ
ングルデポジションランにより製造できる。しかしなが
ら、この場合、膜は、読み出し光ビームのミラーへの通
過を許容するために透明でなければならない。ミラーを
全体的に移動すること、または伝達モードで装置を走査
することも可能である。
他の変形例が第５図に示され、グリッド26は、信号電
荷を消失するために部分導電層24の後面周囲に設けられ
た簡素な導電リングにより置き変えられる。これによ
り、いくらか解像度を犠牲にしたより簡素な装置が得ら
れる。
他の多くの変形例及び相互の実施例が当業者により提
供される。従って、この発明は、付け加えられたクレー
ムによってのみ限定されることになる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レイフ，フイリツプ・ジー アメリカ合衆国 カリフオルニア州 91311，チヤツツワース，メヤール・ス トリート 22346 (72)発明者 ブレハ，ウイリアム・ピー・ジュニア アメリカ合衆国 カリフオルニア州 92008，カールスベツド，フオスカ・ス トリート 3209 (72)発明者 ウエルコウスキイ，セーレイ・エス アメリカ合衆国 カリフオルニア州 91311，チヤツツワース，ロマー・スト リート 19730 (72)発明者 レデブア，アルノ・ジー アメリカ合衆国 カリフオルニア州 94566，プリーザントン，ノース・ハン プトン・コート 3265

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】走査電子ビームによってアドレスされるよ
    うに適合される液晶光バルブにおいて、 読み出しビームによってアドレスされるように適合され
    る液晶層と、 上記読み出しビームに対して上記液晶層の反対側に近接
    して支持される平坦な電気抵抗性膜と、 上記膜により支持され且つ上記電子ビームによりアドレ
    スされるように適合される部分導電物質層であって、上
    記電子ビームからの電荷の堆積により上記液晶に電圧を
    生出する部分導電物質層と、 上記部分導電物質層に対する電子ビーム走査の結果とし
    て上記部分導電物質層に堆積された電荷を収集する電荷
    収集手段と、 上記部分導電物質層から上記電荷収集手段に収集された
    電荷を費やすために接続された回路手段と、 各電子ビーム走査の後、液晶に十分な交流電圧を生出す
    るために、十分高く設定された液晶光バルブ層の少なく
    とも１つの抵抗と、 を備えていることを特徴とする液晶光バルブ。
  2. 【請求項２】上記電荷収集手段は、上記部分導電物質層
    上に設けられるとともに上記部分導電物質層を複数の面
    素部材に分割する導電マトリックスを備え、上記導電マ
    トリックスは、上記部分導電物質層の上記各画素部材か
    ら電荷を収集するために適合されていることを特徴とす
    る請求項１に記載された液晶光バルブ。
  3. 【請求項３】上記部分導電物質層に対して上記液晶層の
    反対側に透明電極が設けられ、この透明電極は、上記液
    晶層に参照電圧を供給するために接続されていることを
    特徴とする請求項２に記載された液晶光バルブ。
  4. 【請求項４】上記回路手段は、上記導電マトリックスと
    上記透明電極との間に相互接続を有していることを特徴
    とする請求項３に記載された液晶光バルブ。
  5. 【請求項５】上記導電マトリックス及び透明電極は、接
    地されていることを特徴とする請求項４に記載された液
    晶光バルブ。
  6. 【請求項６】上記回路手段は、上記導電マトリックスと
    透明電極との間に接続された交流電源を備えていること
    を特徴とする請求項４に記載された液晶光バルブ。
  7. 【請求項７】上記読み出しビームに対して上記液晶層の
    反対側に設けられ、上記液晶層からの読み出しビームを
    反射して上記液晶層を再び通過させるように適合される
    ミラーを更に備えていることを特徴とする請求項１に記
    載された液晶光バルブ。
  8. 【請求項８】上記部分導電物質層は、約1010から1013オ
    ーム／スクエアのシート抵抗率を有することを特徴とす
    る請求項１に記載された液晶光バルブ。
  9. 【請求項９】走査電子ビームによってアドレスされるよ
    うに適合される液晶光バルブにおいて、 読み出しビームによってアドレスされるように適合され
    る液晶層と、 上記電子ビームに対して上記液晶層の反対側に液晶層に
    近接して支持され、且つ上記読み出しビームによりアド
    レスされるように適合される部分導電物質層であって、
    電子ビーム走査による電子の堆積により上記液晶に電圧
    を生出する部分導電物質層と、 上記部分導電物質層上に設けられ、この部分導電物質層
    から漏れる電子を収集するように適合される導電物質の
    グリッドであって、各画素部材から漏れる電子を収集す
    るために上記各画素部材を包囲するグリッド物質により
    上記部分導電物質層を一連の画素部材に分割するグリッ
    ドと、 上記部分導電物質層から上記グリッドに漏れた電子を放
    電するために接続された回路手段と、 ある電子ビーム走査から次の電子ビーム走査までの間に
    上記各画素に堆積された電子を実質的に放出するのに十
    分速く、また、読み出しビームにより液晶に像を生出す
    るのに十分遅い、上記部分導電物質層の各画素から上記
    グリッドへの電子の漏れ割合を生出するように、上記電
    子ビーム走査の割合に応じて選択される種々の部材の寸
    法及び材質と、 を備えていることを特徴とする液晶光バルブ。
  10. 【請求項１０】上記部分導電物質層は、約107から1010o
    hms cmの体抵抗を有することを特徴とする請求項９に記
    載された液晶光バルブ。
  11. 【請求項１１】上記部分導電物質層に対して上記液晶層
    の反対側に透明電極が設けられ、この透明電極は、上記
    液晶層に参照電圧を供給するために接続されていること
    を特徴とする請求項９に記載された液晶光バルブ。
  12. 【請求項１２】上記回路手段は、上記導電グリッドと上
    記透明電極との間に相互接続を有していることを特徴と
    する請求項11に記載された液晶光バルブ。
  13. 【請求項１３】上記グリット及び透明電極は、接地され
    ていることを特徴とする請求項12に記載された液晶光バ
    ルブ。
  14. 【請求項１４】上記回路手段は、上記グリッドと上記透
    明電極との間に接続された交流電源を備えていることを
    特徴とする請求項12に記載された液晶光バルブ。
  15. 【請求項１５】上記読み出しビームに対して上記液晶層
    の反対側に設けられ、上記液晶層からの読み出しビーム
    を反射して上記液晶層を再び通過させるように適合され
    るミラーを更に備えていることを特徴とする請求項９に
    記載された液晶光バルブ。
  16. 【請求項１６】上記ミラーは、上記液晶層と上記膜との
    間に設けれていることを特徴とする請求項15に記載され
    た液晶光バルブ。
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