JP2509722B2 - Coating liquid for forming transparent conductive ceramics film, substrate with transparent conductive ceramics film and method for producing the same, and use of substrate with transparent conductive ceramics film - Google Patents

Coating liquid for forming transparent conductive ceramics film, substrate with transparent conductive ceramics film and method for producing the same, and use of substrate with transparent conductive ceramics film

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JP2509722B2
JP2509722B2 JP1509022A JP50902289A JP2509722B2 JP 2509722 B2 JP2509722 B2 JP 2509722B2 JP 1509022 A JP1509022 A JP 1509022A JP 50902289 A JP50902289 A JP 50902289A JP 2509722 B2 JP2509722 B2 JP 2509722B2
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substrate
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俊晴 平井
米司 安部
通郎 小松
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SHOKUBAI KASEI KOGYO KK
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液
およびその製造方法に関する。また、本発明は透明導電
性セラミックス被膜付基材およびその製造方法ならびに
透明導電性セラミックス被膜付基材の用途に関する。さ
らに詳しくは、本発明は、ガラス、プラスチック等の基
材表面に、基材との密着性に優れ、耐アルカリ性、耐酸
性、耐塩水性などの耐久性および耐擦傷性が高く、極め
て透明な導電性セラミックス被膜を120℃程度の低温で
連続形成し得る透明導電性セラミックス被膜形成用塗布
液およびその製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film and a method for producing the same. The present invention also relates to a substrate with a transparent conductive ceramics coating, a method for producing the same, and uses of the substrate with a transparent conductive ceramics coating. More specifically, the present invention has excellent adhesion to a substrate, such as glass and plastic, and has excellent durability such as alkali resistance, acid resistance, salt water resistance and scratch resistance, and a highly transparent conductive material. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a coating liquid for forming a transparent conductive ceramics coating capable of continuously forming a conductive ceramics coating at a low temperature of about 120 ° C. and a method for producing the same.

また本発明は、上記の透明導電性セラミックス被膜形
成用塗布液を用いて形成された透明導電性セラミックス
被膜付基材およびその製造方法に関する。さらに本発明
は、上記のような透明導電性セラミックス被膜付基材を
前面板として備えた表示装置および上記のような透明導
電性セラミックス被膜付基材を天板ガラスとして備えた
複写機に関する。
The present invention also relates to a substrate with a transparent conductive ceramics coating formed using the above coating liquid for forming a transparent conductive ceramics coating, and a method for producing the same. Further, the present invention relates to a display device having the above-mentioned base material with a transparent conductive ceramics film as a front plate and a copier having the above-mentioned base material with a transparent conductive ceramics film as a top plate glass.

背景技術 ガラスあるいはプラスチックは、透明な基材であり、
さまざまな用途に使われている。ところがこれらの基材
は、絶縁体であるため、表面に静電気が発生し易い。こ
れらのガラスあるいはプラスチックなどの基材をそのま
まブラウン管(CRT)、蛍光表示管(FIP)、プラズマデ
ィスプレイ(PDP)、液晶ディスプレイ(LCD)等の表示
機器用前面板として用いると、ごみやほこりが付着して
画像が見えにくくなる。さらいLCDでは、静電気によっ
てIC破壊や誤動作を起こすこともある。また第1図に示
すような自動原稿供給装置(ADF)2を備えた複写機1
では、原稿供給中に天板ガラス3で発生する静電気によ
って紙詰まりを起こし、原稿の連続供給ができなくなる
ことがある。さらにプラスチック基材では、その表面硬
度が低いため容易に傷つき、基材の透明性が低下するこ
とがある。
BACKGROUND ART Glass or plastic is a transparent substrate,
It is used for various purposes. However, since these base materials are insulators, static electricity is easily generated on the surface. If these glass or plastic base materials are used as they are as front panels for display devices such as cathode ray tubes (CRT), fluorescent display tubes (FIP), plasma displays (PDP), liquid crystal displays (LCD), etc., dust and dirt will adhere. And the image becomes difficult to see. In the case of LCD, static electricity may cause IC damage or malfunction. A copying machine 1 equipped with an automatic document feeder (ADF) 2 as shown in FIG.
In this case, static electricity generated on the top plate glass 3 during document feeding may cause a paper jam, which makes it impossible to continuously feed the document. Further, the surface hardness of a plastic substrate is low, so that it may be easily scratched and the transparency of the substrate may be deteriorated.

上記のような問題点を解決するため、CVD法、PVD法、
スパッタ法などの気相法によって基材上に金属薄膜ある
いは導電性の無機酸化物被膜を形成する方法が提案され
ている。しかしこの方法によって得られる被膜は、透明
性や導電性には優れているが、耐酸性および耐アルカリ
性が低く、また耐擦傷性が低いため傷つきやすい。また
これらの被膜を形成するには、真空蒸着装置が必要であ
り、しかもその装置によって被膜を形成できる基材の面
積あるいは形状が制限される。また低温での被膜形成が
できず、さらにバッチ工法なので連続生産性に劣ってい
た。
In order to solve the above problems, CVD method, PVD method,
A method of forming a metal thin film or a conductive inorganic oxide film on a base material by a vapor phase method such as a sputtering method has been proposed. However, although the coating film obtained by this method is excellent in transparency and conductivity, it has low acid resistance and alkali resistance and low scratch resistance, and is therefore easily scratched. Further, in order to form these coatings, a vacuum vapor deposition apparatus is required, and the area or shape of the substrate on which the coating can be formed is limited by the apparatus. In addition, the coating could not be formed at a low temperature, and since it was a batch method, continuous productivity was poor.

また上記のような方法で得られた帯電防止用被膜が設
けられた天板ガラスは、ADFに供給された原稿、あるい
はADFに装着されたゴムベルトによって被膜が削り取ら
れてしまうことがあった。このような天板ガラスでは複
写濃度を濃くした状態すなわちグレイスケールで複写し
た際に、削り取られた部分がシミとなって現像されると
いう新たな問題点も発生した。
In addition, the top plate glass provided with the antistatic coating obtained by the above method may be scraped off by the document supplied to the ADF or the rubber belt attached to the ADF. In such a top plate glass, when the copy density is increased, that is, when a copy is made in gray scale, a new problem arises that the scraped off portion becomes a stain and is developed.

また導電性物質が樹脂中に分散された導電性塗料を、
基材に塗布することによって基材に導電性を付与する方
法も提案されている。しかしこの方法で得られる被膜
は、導電性には優れているが、透明性、耐久性、耐擦傷
性に劣るという問題点があった。
In addition, a conductive paint in which a conductive substance is dispersed in resin,
A method of applying conductivity to a substrate has also been proposed. However, although the coating film obtained by this method is excellent in conductivity, there is a problem that it is inferior in transparency, durability and scratch resistance.

一方、表示装置の前面板は、帯電防止効果に加え、そ
のギラツキを防止するため正反射率軽減効果(以下ノン
グレアという)をも有することが望まれる場合がある。
表示装置の前面板にノングレアおよび帯電防止効果を付
与するため、たとえば以下のような方法が知られてい
る。すなわち予めガラス、プラスチック等からなる前面
板を加熱した後、部分加水分解した珪酸エステルなどの
珪素化合物のコロイド溶液、あるいは四塩化珪素等の珪
素化合物、あるいは前記溶液に白金、金、パラジウム、
錫などの無機金属の水溶性化合物を混合した溶液を前面
板に吹き付け、表面に酸化珪素もしくはその水和物によ
る微細な凹凸被覆を形成した後、乾燥、焼成する方法が
特開昭61−16452号公報に開示されている。
On the other hand, in some cases, the front plate of the display device is desired to have not only the antistatic effect but also a regular reflectance reducing effect (hereinafter referred to as non-glare) in order to prevent glare.
The following methods, for example, are known for imparting antiglare and antistatic effects to the front plate of the display device. That is, after heating a front plate made of glass, plastic or the like in advance, a partially hydrolyzed colloidal solution of a silicon compound such as silicate ester, or a silicon compound such as silicon tetrachloride, or platinum, gold, palladium,
A method in which a solution in which a water-soluble compound of an inorganic metal such as tin is mixed is sprayed on the front plate to form a fine uneven coating of silicon oxide or its hydrate on the surface, followed by drying and firing is disclosed in JP-A-61-16452. It is disclosed in the publication.

さらに真空蒸着法あるいはディップ法によって酸化錫
または酸化インジウムと酸化珪素とを混合あるいは積層
したコーティング層を、CRTの前面板に形成させる方法
が実開昭59−168951号公報に開示されている。
Further, a method of forming a coating layer in which tin oxide or indium oxide and silicon oxide are mixed or laminated by a vacuum vapor deposition method or a dip method on a front plate of a CRT is disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 59-168951.

ところが、これらの方法によって得られる表示装置の
前面板では、ノングレアが不十分であったり、帯電防止
効果が周囲の温度や湿度によって変化したりする。しか
も場合によっては、表示装置の解像度が低下することも
あった。さらに形成された被膜は、前面板との密着性が
弱く容易に剥がれたり、機械強度が低くて傷つき易く、
また耐久性が低いため剥がれたり流れだしたりして、ノ
ングレアおよび帯電防止効果を長期間維持できなかっ
た。
However, in the front plate of the display device obtained by these methods, non-glare is insufficient, and the antistatic effect changes depending on the ambient temperature and humidity. Moreover, in some cases, the resolution of the display device may decrease. Further, the formed coating has weak adhesion to the front plate and is easily peeled off, or has low mechanical strength and is easily scratched,
Further, since it has low durability, it peeled off or started to flow, and it was not possible to maintain the non-glare and antistatic effects for a long time.

本出願人は、特願昭61−299686号で、ジルコニウムオ
キシ塩と、シリコンアルコキシドまたはその誘導体と、
導電性物質とが、水および有機溶媒中に均一に分散され
た導電性被膜形成用塗布液について出願している。これ
らの塗布液を用い、250℃以上の温度で焼成して得られ
た被膜は、透明性、導電性、耐擦傷性などの性能には優
れているが、250℃未満の温度で焼成して得られた被膜
は、耐久性に劣るために、プラスチック基材への適用は
困難であった。またこの塗布液は安定性が必ずしも充分
ではないため、塗工中、特に転写印刷で連続生産してい
る際に、塗布液がロール上でゲル化してしまい連続生産
に困難が伴う場合があった。さらに塗布液を長期間保存
するためには、15℃以下に保たなければならなかった。
The applicant of the present invention is Japanese Patent Application No. 61-299686, in which a zirconium oxy salt, a silicon alkoxide or a derivative thereof,
An application is made for a coating liquid for forming a conductive film in which a conductive substance is uniformly dispersed in water and an organic solvent. Using these coating solutions, the coating film obtained by baking at a temperature of 250 ° C. or higher is excellent in performance such as transparency, conductivity, and scratch resistance, but baking at a temperature of less than 250 ° C. The obtained coating was inferior in durability and was difficult to apply to a plastic substrate. In addition, since the stability of this coating solution is not always sufficient, during coating, especially during continuous production by transfer printing, the coating solution may gel on the roll, which may cause difficulties in continuous production. . Furthermore, in order to store the coating solution for a long period of time, it had to be kept at 15 ° C or lower.

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決
しようとすることを目的としている。すなわち第1にア
セチルアセトナトキレート化合物と、導電性物質とが、
水および有機溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解また
は分散されている透明導電性セラミックス被膜形成用塗
布液(以下塗布液Iという)の提供を目的としている。
The present invention aims to solve the above-mentioned problems associated with the conventional technology. That is, firstly, the acetylacetonato chelate compound and the conductive substance are
It is an object of the present invention to provide a transparent conductive ceramics film-forming coating solution (hereinafter referred to as coating solution I) that is uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent composed of water and an organic solvent.

第2にアセチルアセトナトキレート化合物(ジアルコ
キシ−ビスアセチルアセトナトジルコニウムを除く)
と、シリコン化合物と、導電性物質とが、水および有機
溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解または分散されて
いる透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液(以下塗
布液IIという)の提供を目的としている。
Second, acetylacetonato chelate compounds (excluding dialkoxy-bisacetylacetonatozirconium)
And a silicon compound and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent of water and an organic solvent to provide a coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film (hereinafter referred to as coating liquid II). I am trying.

第3にアセチルアセトナトキレート化合物と、シリコ
ン以外の金属のアルコキシドと、導電性物質とが、水お
よび有機溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解または分
散されている透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液
(以下塗布液IIIという)の提供を目的としている。
Thirdly, a coating for forming a transparent conductive ceramics film in which an acetylacetonato chelate compound, an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent composed of water and an organic solvent. The purpose is to provide a liquid (hereinafter referred to as coating liquid III).

第4にアセチルアセトナトキレート化合物と、シリコ
ン化合物およびシリコン以外の金属のアルコキシドと、
導電性物質とが、水および有機溶媒からなる混合溶媒中
に均一に溶解または分散されている透明導電性セラミッ
クス被膜形成用塗布液(以下塗布液IVという)の提供を
目的としている。
Fourth, an acetylacetonato chelate compound, a silicon compound and an alkoxide of a metal other than silicon,
The purpose of the present invention is to provide a coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film (hereinafter referred to as coating liquid IV) in which a conductive substance is uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent of water and an organic solvent.

第5に塗布液I、II、IIIまたはIVを用いて形成され
た耐久性、透明性、耐擦傷性、密着性および帯電防止効
果に優れた透明導電性セラミックス被膜が形成されたガ
ラス、プラスチックなどの基材(以下基材Aという)の
提供を目的としており、また第6に前記機能に加えてノ
ングレアをも有する透明導電性セラミックス被膜が形成
されたガラス、プラスチックなどの基材(以下基材Bと
いう)の提供を目的としており、さらに上記のような基
材の製造方法の提供を目的としている。
Fifth, glass, plastic, etc. formed with the coating liquid I, II, III or IV, on which a transparent conductive ceramic coating formed with excellent durability, transparency, scratch resistance, adhesion and antistatic effect is formed. The sixth purpose is to provide a base material (hereinafter referred to as a base material A), and sixthly, a base material such as glass or plastic (hereinafter, a base material) on which a transparent conductive ceramics coating having not only glare but also non-glare is formed. B)), and further to provide a method for producing the above-mentioned base material.

第7に基材Aを前面板として用いた表示装置(以下表
示装置Aという)の提供を目的としている。
The seventh object is to provide a display device using the base material A as a front plate (hereinafter referred to as display device A).

第8に基材Bを前面板として用いた表示装置(以下表
示装置Bという)の提供を目的としている。
The eighth object is to provide a display device (hereinafter referred to as display device B) using the base material B as a front plate.

第9に基材Aを天板ガラスとして用いた複写機の提供
を目的としている。
The ninth object is to provide a copying machine using the base material A as a top plate glass.

発明の開示 本発明に係る塗布液Iは、アセチルアセトナトキレー
ト化合物と、導電性物質とが、水および有機溶媒からな
る混合溶媒中に均一に溶解または分散されていることを
特徴としている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION A coating liquid I according to the present invention is characterized in that an acetylacetonato chelate compound and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent of water and an organic solvent.

本発明に係る塗布液IIは、アセチルアセトナトキレー
ト化合物(ジアルコキシ−ビスアセチルアセトナトジル
コニウムを除く)と、シリコン化合物と、導電性物質と
が、水および有機溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解
または分散されていることを特徴としている。
The coating liquid II according to the present invention comprises an acetylacetonato chelate compound (excluding dialkoxy-bisacetylacetonatozirconium), a silicon compound, and a conductive substance, which are uniformly mixed in a mixed solvent of water and an organic solvent. It is characterized by being dissolved or dispersed.

本発明に係る塗布液IIIは、アセチルアセトナトキレ
ート化合物とシリコン以外の金属のアルコキシドと、導
電性物質とが、水および有機溶媒からなる混合溶媒中に
均一に溶解または分散されていることを特徴としてい
る。
The coating liquid III according to the present invention is characterized in that an acetylacetonato chelate compound, an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent composed of water and an organic solvent. I am trying.

本発明に係る塗布液IVは、アセチルアセトナトキレー
ト化合物と、シリコン化合物およびシリコン以外の金属
のアルコキシドと、導電性物質とが、水および有機溶媒
からなる混合溶媒中に均一に溶解または分散されている
ことを特徴としている。
The coating liquid IV according to the present invention, an acetylacetonato chelate compound, a silicon compound and an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent consisting of water and an organic solvent. It is characterized by being.

本発明に係る基材Aは、基材と、この基材上に上記の
塗布液I、II、IIIまたはIVを用いて形成された透明導
電性セラミックス被膜とからなり、表面抵抗が103〜10
11Ω/□であり、全光線透過率が85%以下であり、ヘー
ズが10%以下であることを特徴としている。
The base material A according to the present invention comprises a base material and a transparent conductive ceramic coating formed on the base material by using the above coating liquid I, II, III or IV, and has a surface resistance of 10 3 to. Ten
It is 11 Ω / □, the total light transmittance is 85% or less, and the haze is 10% or less.

本発明に係る基材Bは、基材と、この基材上に上記の
塗布液I、II、IIIまたはIVを用いて形成された透明導
電性セラミックス被膜とからなり、表面抵抗が103〜10
11Ω/□であり、光沢度が30〜100%であることを特徴
としている。
The base material B according to the present invention comprises a base material and a transparent conductive ceramics coating formed on the base material by using the above coating liquids I, II, III or IV, and has a surface resistance of 10 3 to. Ten
It is characterized by 11 Ω / □ and glossiness of 30-100%.

本発明に係る表示装置Aは、基材と、この基材上に上
記の塗布液I、II、IIIまたはIVを用いて形成された透
明導電性セラミックス被膜とからなり、表面抵抗が103
〜1011Ω/□であり、全光線透過率が85%以上であり、
ヘーズが10%以下であり、解像度が50本/cm以上である
基材Aを前面板として備えたことを特徴としている。
The display device A according to the present invention comprises a base material and a transparent conductive ceramics coating formed on the base material by using the above coating liquid I, II, III or IV, and has a surface resistance of 10 3
~ 10 11 Ω / □, total light transmittance of 85% or more,
It is characterized in that it has a substrate A having a haze of 10% or less and a resolution of 50 lines / cm or more as a front plate.

本発明に係る表示装置Bは、基材と、この基材上に上
記の塗布液I、II、IIIまたはIVを用いて形成された透
明導電性セラミックス被膜とからなり、表面抵抗が103
〜1011Ω/□であり、光沢度が30〜100%であり、解像
度が50本/cm以上である基材Bを、前面板として備えた
ことを特徴としている。
The display device B according to the present invention comprises a base material and a transparent conductive ceramics film formed on the base material by using the above coating liquid I, II, III or IV, and has a surface resistance of 10 3
~10 11 Ω / □ and is, glossiness is 30% to 100%, the resolution is 50 lines / cm or more base B, and characterized by including a front plate.

本発明に係る複写機は、基材と、この基材上に上記の
塗布液I、II、IIIまたはIVを用いて形成された透明導
電性セラミックス被膜とからなり、表面抵抗が103〜10
11Ω/□であり、全光線透過率が85%以上であり、ヘー
ズが10%以下である基材Aを、天板ガラスとして備えた
ことを特徴としている。
The copying machine according to the present invention comprises a base material and a transparent conductive ceramic coating formed on the base material by using the above coating liquids I, II, III or IV, and has a surface resistance of 10 3 to 10 3.
The base material A having a total light transmittance of 11 Ω / □, a total light transmittance of 85% or more, and a haze of 10% or less is provided as a top plate glass.

本発明に係る透明導電性セラミックス被膜付基材の特
に好ましい第1の製造方法は、上記の塗布液I、II、II
IまたはIVを予め40〜90℃に加熱保持された基材に塗布
した後、乾燥および/または焼成したことを特徴として
いる。
A particularly preferred first method for producing a transparent conductive ceramics coated substrate according to the present invention is the coating liquids I, II and II described above.
The method is characterized in that I or IV is applied to a base material previously heated and maintained at 40 to 90 ° C., and then dried and / or baked.

本発明に係る透明導電性セラミックス被膜付基材の特
に好ましい第2の製造方法は、上記の塗布液I、II、II
IまたはIVの基材上への塗布工程、塗膜の乾燥工程、塗
膜の焼成工程の少なくとも1つの工程後および/または
工程中に、可視光線より波長が短い電磁波を塗膜に照射
することを特徴としている。
A particularly preferred second production method of the transparent conductive ceramics coated substrate according to the present invention is the above coating liquids I, II and II.
Irradiating the coating film with an electromagnetic wave having a wavelength shorter than visible light after and / or during at least one of the step of coating I or IV on the substrate, the step of drying the coating, and the step of baking the coating. Is characterized by.

本発明に係る透明導電性セラミックス被膜付基材の特
に好ましい第3の製造方法は、前記のようにして得ら
れた透明導電性セラミックス被膜付基材上に、さらに透
明保護膜形成用塗布液を塗布した後、乾燥および/また
は焼成するか、あるいは、前記のようにして得られた
透明導電性セラミックス被膜付基材を、予め40〜90℃に
加熱保持し、その基材上にさらに透明保護膜形成用塗布
液を塗布した後、乾燥および/または焼成したことを特
徴としている。
A particularly preferred third method for producing a transparent conductive ceramics film-coated substrate according to the present invention is to apply a transparent protective film-forming coating liquid onto the transparent conductive ceramics film-coated substrate obtained as described above. After coating, it is dried and / or baked, or the transparent conductive ceramics-coated substrate obtained as described above is heated and held in advance at 40 to 90 ° C. to further protect the substrate. The coating liquid for film formation is applied and then dried and / or fired.

本発明に係る透明導電性セラミックス被膜付基材の特
に好ましい第4の製造方法は、上記の第3の透明導電性
セラミックス被膜付基材の製造方法において、透明保護
膜形成用塗布液の塗布工程、透明保護膜の乾燥工程、透
明保護膜の焼成工程の少なくとも1つの工程後および/
または工程中に、可視光線より波長が短い電磁波を透明
保護膜に照射することを特徴としている。
A particularly preferred fourth manufacturing method of the transparent conductive ceramics film-coated substrate according to the present invention is the above-mentioned third transparent conductive ceramics film-coated substrate manufacturing method, which comprises the step of applying a coating liquid for forming a transparent protective film. After at least one of the steps of drying the transparent protective film, baking the transparent protective film, and / or
Alternatively, the transparent protective film is irradiated with an electromagnetic wave having a wavelength shorter than that of visible light during the process.

図面の簡単な説明 第1図は、自動原稿供給装置を備えた複写機の斜視図
であり、第2図は基材の解像度を測定する際に用いられ
るバーチャートの説明図であり、第3図は基材の解像度
を測定する際に用いられる装置の説明図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a copying machine equipped with an automatic document feeder, FIG. 2 is an explanatory view of a bar chart used when measuring the resolution of a substrate, and FIG. The figure is an illustration of an apparatus used for measuring the resolution of a substrate.

1……複写機、2……自動原稿供給装置 3……天板、4……バーチャート 発明を実施するための最良の形態 以下、まず本発明に係る塗布液Iについて具体的に説
明する。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Copier, 2 ... Automatic document feeder 3 ... Top plate, 4 ... Bar chart BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the coating liquid I according to the present invention will be specifically described.

本発明に係る塗布液Iは、アセチルアセトナトキレー
ト化合物と、導電性物質とが水および有機溶媒からなる
混合溶液中に均一に溶解または分散されて形成されてい
るが、以下各成分について説明する。
The coating liquid I according to the present invention is formed by uniformly dissolving or dispersing an acetylacetonato chelate compound and a conductive substance in a mixed solution of water and an organic solvent. Each component will be described below. .

アセチルアセトナトキレート化合物とは、アセチルア
セトン分子を配位子とするキレート化合物であって、次
式(I)で表される化合物または縮合体であり、本発明
では、これらのうちから選ばれる一種または二種以上を
組み合わせて使用する。この塗布液Iにおいて、アセチ
ルアセトナトキレート化合物は、導電性物質の分散性お
よび塗布液の熱安定性を向上させる役割を果たしてお
り、導電性物質に対して保護コロイド的な働きをしてい
ると推察される。
The acetylacetonato chelate compound is a chelate compound having an acetylacetone molecule as a ligand and is a compound or a condensate represented by the following formula (I), and in the present invention, one selected from these or Use in combination of two or more. In this coating liquid I, the acetylacetonato chelate compound plays a role of improving the dispersibility of the conductive substance and the thermal stability of the coating liquid, and acts as a protective colloid for the conductive substance. Inferred.

[ただし、式中、a+bは2〜4であり、aは0〜3で
あり、bは1〜4であり、Rは−CnH2n+1(n=3また
は4)であり、Xは、CH3−、CH3O−、C2H5−、C2H5O−
である。また、M1は周期律表第IB族、第IIA、B族、第I
IIA、B族、第IVA、B族、第VA族、B族、第VIA族、第V
IIA族、第VIIIA族から選ばれる元素またはバナジル(V
O)である。このうち、これらの元素等とa、bの好ま
しい組み合せは、次表のとおりである。] 本発明では導電性物質としては、酸化錫、またはアン
チモン、フッ素あるいはリンがドープされた酸化錫また
は酸化インジウム、または錫あるいはフッ素がドープさ
れた酸化インジウムなどの従来導電性物質として知られ
ている導電性物質が広く用いられる。
[Wherein, a + b is 2 to 4, a is 0 to 3, b is 1 to 4, R is —C n H 2n + 1 (n = 3 or 4), and X is Is CH 3 −, CH 3 O−, C 2 H 5 −, C 2 H 5 O−
Is. M 1 is the IB group, IIA group, B group, or I group of the periodic table.
IIA, B group, IVA, B group, VA group, B group, VIA group, V group
An element selected from Group IIA and Group VIIIA or vanadyl (V
O). Among these, preferable combinations of these elements and the like and a and b are as shown in the following table. ] In the present invention, as the conductive substance, tin oxide, a conductive substance known as a conventional conductive substance such as antimony, tin oxide or indium oxide doped with fluorine or phosphorus, or indium oxide doped with tin or fluorine is used. A wide variety of substances are used.

これらの導電性物質は、その平均粒径が0.4μm以下
の微粒子であることが好ましい。またCRT,FIP,PDP,LCD
などの表示装置の前面板あるいは複写機用天板ガラスな
どのヘーズ(曇価)の低い高透明性を要求される用途に
は、平均粒径が0.01〜0.1μmである導電性物質を用い
ることが好ましい。ただし、導電性物質の平均粒径が、
0.1μm以下であっても0.1μmを超える粒子が多く含ま
れていると、得られる透明導電性セラミックス被膜の透
明性が低下してくるので、全粒子の60%以上が0.1μm
以下の粒径で占められていることが好ましい。
These conductive materials are preferably fine particles having an average particle size of 0.4 μm or less. CRT, FIP, PDP, LCD
For applications requiring high transparency with low haze (cloudiness value) such as front plates of display devices or top plate glass for copying machines, it is preferable to use a conductive substance having an average particle diameter of 0.01 to 0.1 μm. preferable. However, the average particle size of the conductive material is
Even if the particle size is less than 0.1 μm, the transparency of the obtained transparent conductive ceramics coating decreases if many particles exceeding 0.1 μm are contained.
It is preferable that the particles have the following particle sizes.

このうち特に好ましい導電性物質は、本出願人がさき
に出願した「導電性粉末の製造法」(特開昭63−11519
号公報)または「酸化錫ゾルおよびその製造方法」(特
開昭62−230617号公報)に詳細に説明されている。
Among them, a particularly preferable conductive substance is the “method for producing conductive powder” previously filed by the applicant (Japanese Patent Laid-Open No. 63-11519).
JP-A-62-230617) or "Tin oxide sol and method for producing the same" (JP-A-62-230617).

本発明では有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコー
ル、フルフリルアルコール、エチレングリコール、ヘキ
シレングリコールなどのアルコール類、酢酸メチルエス
テル、酢酸エチルエステルなどのエステル類、ジエチル
エーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトンな
どのケトン類が単独または組み合わせて用いられる。
In the present invention, as the organic solvent, methanol, ethanol, propanol, butanol, diacetone alcohol, furfuryl alcohol, ethylene glycol, alcohols such as hexylene glycol, acetic acid methyl ester, esters such as acetic acid ethyl ester, diethyl ether, Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether, and ketones such as acetone and methyl ethyl ketone are used alone or in combination.

上記の各成分によって形成される塗布液Iにおいて、
アセチルアセトナトキレート化合物と、導電性物質との
混合割合は、それぞれの酸化物換算の重量比で、0.5≦E
Ox/M1Ox≦5(EOxは導電性物質を酸化物として、M1Ox
はアセチルアセトナトキレート化合物を酸化物としてそ
れぞれあらわしたもの)であることが好ましい。この値
が0.5未満では、導電性が充分でなく、一方、この値が
5を超えると導電性物質の分散性および塗布液の熱安定
性が低下し、得られる被覆の透明性、密着性、耐擦傷性
が悪くなり、また塗布液の保存性、連続生産性が悪くな
る傾向が生ずる。
In the coating liquid I formed by the above components,
The mixing ratio of the acetylacetonato chelate compound and the conductive substance is 0.5 ≦ E in terms of the weight ratio of each oxide.
As O x / M 1 O x ≦ 5 (EO x oxide conductive material, M 1 O x
Is preferably an acetylacetonato chelate compound represented as an oxide). If this value is less than 0.5, the conductivity is not sufficient, while if this value exceeds 5, the dispersibility of the conductive material and the thermal stability of the coating solution are reduced, and the transparency and adhesion of the resulting coating are The abrasion resistance tends to be poor, and the storage stability and continuous productivity of the coating solution tend to be poor.

本発明に係る塗布液I中の固形分濃度は(EOx+M
1Ox)として計算して、15重量%以下であればよい。こ
の値が15重量%を超えると、塗布液の保存性が悪くなる
傾向が生じ、一方、上記の固形分濃度が余りに薄いと、
目的の膜厚を得るのに、数回の塗布操作を繰り返すこと
が必要となるので、固形分濃度は、0.1重量%以上が実
用的である。
The solid content concentration in the coating liquid I according to the present invention is (EO x + M
1 O x ), and it may be 15% by weight or less. If this value exceeds 15% by weight, the storage stability of the coating liquid tends to deteriorate, while if the solid content concentration is too low,
Since it is necessary to repeat the coating operation several times in order to obtain the target film thickness, the solid content concentration is practically 0.1% by weight or more.

本発明に係る塗布液I中の水分濃度は、0.1〜50重量
%の範囲であることが好ましい。この値が0.1重量%未
満であると、アセチルアセトナトキレート化合物の加水
分解が充分に行われず、得られる被膜中にアセチルアセ
トナトキレート化合物の未反応物が残り、得られる被膜
と基材との密着性が低下し、また得られる被膜の耐擦傷
性、耐久性が低下する傾向が生ずる。一方、この値が50
重量%を超えると、塗布の際、基材とのはじきが起こり
被膜が形成されにくくなる。
The water concentration in the coating liquid I according to the present invention is preferably in the range of 0.1 to 50% by weight. If this value is less than 0.1% by weight, the acetylacetonato chelate compound is not sufficiently hydrolyzed, and the unreacted product of the acetylacetonato chelate compound remains in the obtained coating film, and the resulting coating film and the substrate Adhesion is reduced, and the resulting coating tends to be low in scratch resistance and durability. On the other hand, this value is 50
When the content is more than the weight%, the coating material is repelled from the base material and it becomes difficult to form a coating film.

本発明に係る塗布液IIは、アセチルアセトナトキレー
ト化合物(ジアルコキシ−ビスアセチルアセトナトジル
コニウムを除く)と、シリコン化合物と、導電性物質と
が、水および有機溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解
または分散されている。
The coating liquid II according to the present invention comprises an acetylacetonato chelate compound (excluding dialkoxy-bisacetylacetonatozirconium), a silicon compound, and a conductive substance, which are uniformly mixed in a mixed solvent of water and an organic solvent. It is dissolved or dispersed.

本発明に係る塗布液IIIは、アセチルアセトナトキレ
ート化合物とシリコン以外の金属のアルコキシドと、導
電性物質とが、水および有機溶媒からなる混合溶媒中に
均一に溶解または分散されている。
In the coating liquid III according to the present invention, an acetylacetonato chelate compound, an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent of water and an organic solvent.

さらに、本発明に係る塗布液IVは、アセチルアセトナ
トキレート化合物と、シリコン化合物およびシリコン以
外の金属のアルコキシドと、導電性物質とが、水および
有機溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解または分散さ
れている。
Furthermore, the coating liquid IV according to the present invention, an acetylacetonato chelate compound, a silicon compound and an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent composed of water and an organic solvent. Has been done.

アセチルアセトナトキレート化合物、導電性物質、水
および有機溶媒は、上記塗布液Iと同様なものが用いら
れる。このため、ここではシリコン化合物と、シリコン
以外の金属のアルコキシドについて説明する。
As the acetylacetonato chelate compound, the conductive substance, water and the organic solvent, the same ones as in the above coating liquid I are used. Therefore, here, a silicon compound and an alkoxide of a metal other than silicon will be described.

なおアセチルアセトナトキレート化合物については、
前記(I)式で示される化合物がすべて用いられるが、
前記(I)式において、M1がZrであり、しかもa=2か
つb=2である化合物はジアルコキシビスアセチルアセ
トナトジルコニウムに相当し、この化合物については本
出願人が先に別出願しているため、塗布液IIではジアル
コキシビスアセチルアセトナトジルコニウムはアセチル
アセトナトキレート化合物から除かれている。
Regarding the acetylacetonato chelate compound,
All the compounds represented by the above formula (I) are used,
In the above formula (I), the compound in which M 1 is Zr and a = 2 and b = 2 corresponds to dialkoxybisacetylacetonato zirconium, and the applicant previously filed another application for this compound. Therefore, in the coating liquid II, the dialkoxybisacetylacetonato zirconium is excluded from the acetylacetonato chelate compound.

この塗布液II、IIIおよびIVにおいて、アセチルアセ
トナトキレート化合物は、導電性物質の分散性および塗
布液の熱安定性を向上させる役割を果たしており、導電
性物質に対して保護コロイド的な働きをしていると推察
される。
In the coating liquids II, III and IV, the acetylacetonato chelate compound plays a role of improving the dispersibility of the conductive material and the thermal stability of the coating liquid, and acts as a protective colloid for the conductive material. It is inferred that

シリコン化合物としては、次式(II)で表される化合
物またはその縮合体から選ばれる一種または二種以上が
組み合わされて用いられる。
As the silicon compound, one kind or a combination of two or more kinds selected from the compound represented by the following formula (II) or a condensate thereof is used.

Ra−Si(OR′)4-a ……(II) (ただし、式中、RはCnH2n+1−(n=1〜4)、水素
原子またはハロゲン原子であり、aは0〜3であり、
R′はCnH2n+1−(n=1〜4)、水素原子またはCnH
2n+1OC2H4−(n=1〜4)である)。
R a —Si (OR ′) 4-a (II) (In the formula, R is C n H 2n + 1 − (n = 1 to 4), a hydrogen atom or a halogen atom, and a is 0. ~ 3,
R ′ is C n H 2n + 1 − (n = 1 to 4), hydrogen atom or C n H
2n + 1 OC 2 H 4 − (n = 1 to 4)).

これらのシリコン化合物は、そのままの状態でも、あ
るいは部分加水分解して用いてもよい。部分加水分解の
条件としては、シリコン化合物を部分加水分解するため
の一般的方法、たとえばメタノールまたはエタノールに
シリコン化合物を混合し、得られた混合物に水と酸とを
加えて部分加水分解するような条件を採用できるが、以
下のような条件が特に好ましい。酸として、塩酸、硝
酸、燐酸、酢酸または無水酢酸が用いられ、酸とシリコ
ン化合物の混合割合は、0.01≦酸/SiO2≦0.5(シリコ
ン化合物をSiO2に換算した時の重量比)であることが好
ましい。この値が0.01未満であると、未反応のシリコン
化合物が多重に存在し、得られる被膜の導電性を阻害す
る傾向がある。一方、この値が0.5を超えると、部分加
水分解速度が速くなりすぎて、連続生産性および塗布液
の保存性が低下する傾向が生ずる。また水とシリコン化
合物との混合割合は、水/シリコン化合物≧2(シリコ
ン化合物をSiO2に換算したときのモル比)であることが
好ましい。この値が2未満では、被覆中に未反応のシリ
コン化合物が残存するため、得られる被覆と基材との密
着性が低下し、また、被膜の耐擦傷性、耐久性が低下す
る傾向が生ずる。部分加水分解温度は、30〜80℃の範囲
がよい。
These silicon compounds may be used as they are or after being partially hydrolyzed. The conditions for the partial hydrolysis include general methods for partially hydrolyzing a silicon compound, such as mixing the silicon compound with methanol or ethanol, and adding water and an acid to the resulting mixture to partially hydrolyze. Although the conditions can be adopted, the following conditions are particularly preferable. Hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, or acetic anhydride is used as the acid, and the mixing ratio of the acid and the silicon compound is 0.01 ≦ acid / SiO 2 ≦ 0.5 (weight ratio when the silicon compound is converted to SiO 2 ). It is preferable. If this value is less than 0.01, unreacted silicon compounds are multiply present and the conductivity of the resulting coating tends to be impaired. On the other hand, when this value exceeds 0.5, the partial hydrolysis rate becomes too fast, and the continuous productivity and the storage stability of the coating liquid tend to be deteriorated. The mixing ratio of water and the silicon compound is preferably water / silicon compound ≧ 2 (molar ratio when the silicon compound is converted into SiO 2 ). If this value is less than 2, unreacted silicon compound remains in the coating, so that the adhesion between the obtained coating and the substrate is lowered, and the scratch resistance and durability of the coating tend to be lowered. . The partial hydrolysis temperature is preferably in the range of 30-80 ° C.

シリコン以外の金属のアルコキシドとしては、次式、
M2(OR)n(ただし、式中、M2はシリコン以外の金属であ
り、Rはアルキル基またはCnH2n+1O2−(n=3〜10)
であり、nはM2の原子価と同じ整数である。)で表され
る化合物またはそれらの縮合体から選ばれる一種または
二種以上が組み合わされて用いられる。前記式中のM
2は、シリコン以外の金属であれば特に限定されずに用
いられ、好ましくは、周期律表第IB族、第IIA、B族、
第IIIA、B族、第IVA、B族、第VA、B族、第VIA、B
族、第VIII族元素から選ばれる金属であり、さらに好ま
しくはCu、Be、Ba、Zn、Al、B、In、Ga、Ti、Zr、Hf、
Ge、Sn、Pb、V、Nb、Ta、Bi、Sb、Cr、W、Fe、Ni、S
c、Y、Ce、Teである。また、ハナジル(VO)も好まし
い基であり、ここではシリコン以外の金属に含むものと
する。
As a metal alkoxide other than silicon, the following formula:
M 2 (OR) n (wherein, M 2 is a metal other than silicon, R is an alkyl group or C n H 2n + 1 O 2 — (n = 3 to 10)
And n is the same integer as the valence of M 2 . 1) or a combination of 2 or more kinds selected from the compounds represented by the formula) or their condensates. M in the above formula
2 is not particularly limited as long as it is a metal other than silicon, and is preferably Group IB, Group IIA or Group B of the periodic table,
Group IIIA, B, IVA, B, VA, B, VIA, B
A metal selected from Group VIII and Group VIII elements, more preferably Cu, Be, Ba, Zn, Al, B, In, Ga, Ti, Zr, Hf,
Ge, Sn, Pb, V, Nb, Ta, Bi, Sb, Cr, W, Fe, Ni, S
c, Y, Ce, Te. Further, hanadyl (VO) is also a preferable group, and it is assumed here that it is contained in a metal other than silicon.

これらのシリコンアルコキシド以外のアルコキシド
は、部分加水分解せずにそのまま使用する。
Alkoxides other than these silicon alkoxides are used as they are without partial hydrolysis.

上記の各成分によって形成される塗布液II、IIIおよ
びIVにおいて、アセチルアセトナトキレート化合物と、
導電性物質との混合割合は、それぞれの酸化物換算の重
量比で0.001≦M1Ox/EOx≦1であることが好ましい。こ
の値が0.001未満であると、導電性物質の分散性および
塗布液の熱安定性が低下し、得られる被膜の透明性、密
着性が悪くなったり、塗布液の保存性、連続生産性が悪
くなったりする傾向が生ずる。一方、この値が1を超え
ると、得られる被膜の透明性、密着性が悪くなったり、
導電性が低下したりする傾向が生ずる。
In the coating liquids II, III and IV formed by the above components, an acetylacetonato chelate compound,
The mixing ratio with the conductive substance is preferably 0.001 ≦ M 1 O x / EO x ≦ 1 in terms of weight ratio of each oxide. If this value is less than 0.001, the dispersibility of the conductive substance and the thermal stability of the coating solution are reduced, the transparency and adhesion of the resulting coating are deteriorated, and the storage stability and continuous productivity of the coating solution are reduced. It tends to get worse. On the other hand, when this value exceeds 1, the transparency and adhesion of the obtained coating film may deteriorate,
There is a tendency for the conductivity to decrease.

アセチルアセトナトキレート化合物と、シリコン化合
物および/またはシリコン以外の金属のアルコキシドと
は、それぞれの酸化物換算の重量比で、0.001≦M1Ox/A
≦10であることが好ましい。この式において、M1Oxはア
セチルアセトナトキレート化合物を酸化物に換算したと
きの重量であり、Aは、塗布液IIの場合はSiO2であり、
塗布液IIIの場合はM2Oxであり、塗布液IVの場合はSiO2
+M2Oxである。ただし、M2Oxは、シリコン以外の金属の
アルコキシドを酸化物として表わしたものである。この
値が0.001未満では、被膜の耐アルカリ性、耐酸性、耐
塩水性、耐水性、耐溶剤性が充分でなく、一方10を超え
ると、得られる被膜の密着性および透明性が低下する傾
向が生ずる。
The acetylacetonato chelate compound and the silicon compound and / or the alkoxide of the metal other than silicon are 0.001 ≦ M 1 O x / A in the weight ratio of each oxide.
It is preferable that ≦ 10. In this formula, M 1 O x is the weight of the acetylacetonato chelate compound converted to oxide, A is SiO 2 in the case of the coating liquid II,
In the case of coating liquid III, it is M 2 O x , and in the case of coating liquid IV, it is SiO 2
+ M 2 O x . However, M 2 O x represents an alkoxide of a metal other than silicon as an oxide. If this value is less than 0.001, the alkali resistance, acid resistance, salt water resistance, water resistance, and solvent resistance of the coating are not sufficient, while if it exceeds 10, the adhesion and transparency of the resulting coating tend to decrease. .

塗布液IVにおいてシリコン化合物とシリコン以外の金
属のアルコキシドとの混合割合は、0.001≦M2Ox/(M2O
x+SiO2)≦0.99(重量比)であることが好ましい。
In the coating liquid IV, the mixing ratio of the silicon compound and the alkoxide of the metal other than silicon is 0.001 ≦ M 2 O x / (M 2 O
It is preferable that x + SiO 2 ) ≦ 0.99 (weight ratio).

さらに導電性物質は、酸化物換算の重量比で、0.5≦E
Ox/(A+M1Ox)≦5であることが好ましい。この値が
0.5未満では、得られる被膜の導電性が充分でなく、一
方5を超えると被膜の密着性、耐擦傷性が低下する傾向
が生ずる。
Furthermore, the conductive substance is 0.5 ≦ E in terms of weight ratio in terms of oxide.
It is preferable that O x / (A + M 1 O x ) ≦ 5. This value is
If it is less than 0.5, the conductivity of the resulting coating is not sufficient, while if it exceeds 5, the adhesion and scratch resistance of the coating tend to decrease.

本発明に係る塗布液II、IIIおよびIV中の固形分濃度
は、EOx+A+M1Oxとして計算して、15重量%以下であ
ればよい。この値が15重量%を超えると、塗布液の保存
性が悪くなる傾向が生じ、一方、上記の固形分濃度が余
りに薄いと、目的の膜厚を得るのに、数回の塗布操作を
繰り返すことが必要となるので、固形分濃度は、0.1重
量%以上が実用的である。
The solid content concentration in the coating liquids II, III and IV according to the present invention may be 15% by weight or less, calculated as EO x + A + M 1 O x . If this value exceeds 15% by weight, the storage stability of the coating solution tends to deteriorate, while if the solid content concentration is too low, the coating operation is repeated several times to obtain the target film thickness. Therefore, the solid concentration is practically 0.1% by weight or more.

本発明に係る塗布液II、IIIおよびIV中の水分濃度
は、0.1〜50重量%の範囲であることが好ましい。この
値が0.1重量%未満であると、アセチルアセトナトキレ
ート化合物、シリコン化合物およびシリコン以外の金属
のアルコキシドの加水分解が充分に行われず、得られる
被膜中に未反応物が残り、被膜と基材との密着性が低下
したり、得られる被膜の耐擦傷性、耐久性が低下する傾
向が生ずる。一方、この値が50重量%を超えると、塗布
の際、基材とのはじきが起こり被膜が形成されにくくな
る。
The water concentration in the coating liquids II, III and IV according to the present invention is preferably in the range of 0.1 to 50% by weight. If this value is less than 0.1% by weight, the acetylacetonato chelate compound, the silicon compound, and the alkoxide of a metal other than silicon are not sufficiently hydrolyzed, and unreacted substances remain in the obtained film, and the film and the substrate There is a tendency that the adhesiveness with and the scratch resistance and durability of the obtained coating film are reduced. On the other hand, when this value exceeds 50% by weight, repelling with the base material occurs during coating and it becomes difficult to form a film.

次に本発明に係る塗布液I、II、IIIおよびIVの製造
方法について説明する。塗布液Iは、導電性物質、水、
有機溶媒およびアセチルアセトナトキレート化合物を適
宜の方法で混合することにより製造することができる。
塗布液II、IIIおよびIVは、導電性物質が分散された水
および有機溶媒に、アセチルアセトナトキレート化合物
を一種以上加えて導電性物質の分散性および安定性を向
上させた後、さらにシリコン化合物および/またはシリ
コン以外の金属のアルコキシドを添加することにより製
造することができる。あるいはアセチルアセトナトキレ
ート化合物にシリコン化合物および/またはシリコン以
外の金属のアルコキシドを予め混合しておき、次いで得
られた混合液と導電性物質とを混合することによっても
製造することができる。アセチルアセトナトキレート化
合物を加える前にシリコン化合物および/またはシリコ
ン以外の金属のアルコキシドと導電性物質とを接触させ
ると、導電性物質が凝集するため好ましくない。
Next, a method for producing coating liquids I, II, III and IV according to the present invention will be described. The coating liquid I is a conductive substance, water,
It can be produced by mixing the organic solvent and the acetylacetonato chelate compound by an appropriate method.
Coating liquids II, III, and IV were prepared by adding one or more acetylacetonato chelate compounds to water and an organic solvent in which a conductive substance was dispersed to improve the dispersibility and stability of the conductive substance, and then further adding a silicon compound. And / or by adding an alkoxide of a metal other than silicon. Alternatively, it can also be produced by previously mixing a silicon compound and / or an alkoxide of a metal other than silicon with the acetylacetonato chelate compound, and then mixing the obtained mixed liquid with a conductive substance. It is not preferable to contact the silicon compound and / or the alkoxide of a metal other than silicon with the conductive substance before adding the acetylacetonato chelate compound, because the conductive substance aggregates.

このようにして製造された本発明に係る塗布液I、I
I、IIIおよびIVでは、塗布液中で導電性物質が、アセチ
ルアセトナトキレート化合物の保護コロイド的な作用に
より単分散状態に保たれ、したがって透明性および導電
性に優れた被膜を得ることができ、しかも塗布液の熱安
定性が向上しているため、連続生産時に塗布液のゲル比
が起こらず、さらに40℃程度でも長期保存が可能であ
る。
The coating liquids I and I according to the present invention thus produced
With I, III, and IV, the conductive substance in the coating solution is kept in a monodispersed state by the protective colloidal action of the acetylacetonato chelate compound, and therefore a film with excellent transparency and conductivity can be obtained. Moreover, since the thermal stability of the coating liquid is improved, the gel ratio of the coating liquid does not occur during continuous production, and it can be stored for a long time even at about 40 ° C.

本発明では、上記のような塗布液I、II、IIIおよびI
Vが塗布される基材としては、ガラスまたはプラスチッ
ク等の透明な基材が使用でき、これらの基材は平板状ま
たは曲面状など任意の形状であることができる。なお本
発明では、その表面が粗面化された基材(たとえばスリ
ガラスなど)を用いることもできる。粗面化された基材
表面に塗布液を塗布すると、粗面化された基材表面に塗
布液が侵入して被覆が形成されるので平坦な表面とな
り、基材が透明になるからである。さらにこのような表
面が粗面化された基材を用いた場合には、被膜と基材と
の密着性が格段に向上する。
In the present invention, the coating solutions I, II, III and I as described above are used.
As the base material to which V is applied, a transparent base material such as glass or plastic can be used, and these base materials can have any shape such as a flat plate shape or a curved surface shape. In the present invention, a base material having a roughened surface (for example, ground glass) may be used. This is because when the coating liquid is applied to the surface of the roughened base material, the coating liquid penetrates into the surface of the roughened base material to form a coating, so that the surface becomes flat and the base material becomes transparent. . Further, when a substrate having such a roughened surface is used, the adhesion between the coating and the substrate is significantly improved.

次に基材Aについて説明する。 Next, the base material A will be described.

基材Aは、基材と、この基材上に上記の塗布液I、I
I、IIIまたはIVを用いて形成された透明導電性セラミッ
クス被膜とからなり、表面抵抗が103〜1011Ω/□であ
り、全光線透過率が85%以上であり、ヘーズが10%以下
である。
The base material A comprises a base material and the above coating liquids I, I on the base material.
Consisting of a transparent conductive ceramic coating formed by using I, III or IV, surface resistance of 10 3 -10 11 Ω / □, total light transmittance of 85% or more, haze of 10% or less Is.

このような基材Aは、前記のような塗布液I、II、II
IまたはIVを、前記基材に常温でディッピング法、スピ
ンナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ印
刷法などの塗布法で塗布して平坦な被膜を形成した後、
乾燥および/または焼成することにより製造することが
できる。塗布後、常温〜110℃程度の温度で乾燥硬化す
れば、密着性、耐擦傷性、透明性に優れた基材Aが得ら
れる。この被膜をさらに120℃以上で、かつ基材のガラ
ス転移点以下の温度で焼成すれば、耐久性の向上した基
材Aが得られる。この際、基材のガラス転移点以下の温
度であれば何回でも焼成して良い。
Such a base material A has the coating liquids I, II, II as described above.
I or IV is applied to the substrate at room temperature by a coating method such as a dipping method, a spinner method, a spray method, a roll coater method, and a flexographic printing method to form a flat film,
It can be produced by drying and / or firing. After coating, if it is dried and cured at a temperature of room temperature to 110 ° C., a substrate A having excellent adhesion, scratch resistance and transparency can be obtained. If this coating is further baked at a temperature of 120 ° C. or higher and at a temperature not higher than the glass transition temperature of the base material, the base material A having improved durability can be obtained. At this time, it may be fired any number of times as long as the temperature is not higher than the glass transition point of the substrate.

さらに、本発明では、次のような方式で製造すれば、
さらに効果の顕著な被膜付基材Aが得られる。
Further, in the present invention, if manufactured by the following method,
Further, the coated substrate A having a remarkable effect is obtained.

その第1の製造方法では、上記のような基材Aの製造
工程において、塗布液の基材上への塗布工程、塗膜
の乾燥工程、塗膜の焼成工程のいずれか一つ以上の工
程後および/または工程中に、可視光線より波長が短い
電磁波を塗膜に照射する。電磁波を塗膜に照射すること
により、塗膜の焼成温度を低くすることができ、たとえ
ば、電磁波を照射しておけば、塗膜の焼成温度を300℃
としても、電磁波を照射せずに400℃で焼成したものと
同等の性能の被膜が得られる。
In the first manufacturing method, in the manufacturing process of the base material A as described above, any one or more of a coating liquid application process on the base material, a coating film drying process, and a coating film baking process. After and / or during the process, the coating film is irradiated with an electromagnetic wave having a shorter wavelength than visible light. By irradiating the coating film with electromagnetic waves, the baking temperature of the coating film can be lowered. For example, if the coating film is irradiated with electromagnetic waves, the baking temperature of the coating film will be 300 ° C.
Even in this case, a coating film having the same performance as that obtained by firing at 400 ° C. without irradiation with electromagnetic waves can be obtained.

可視光線より波長が短い電磁波として、具体的には、
紫外線、電子線、X線、γ線等があるが、紫外線が実用
的である。紫外線源としては、約250nmと360nm付近に発
光極大を持ち、照射強度10mW/cm2以上、好ましくは100m
W/cm2の高圧水銀ランプを使用することが望ましい。こ
のような紫外線源を用いて100mJ/cm2以上、好ましくは1
000mJ/cm2以上の照射エネルギーを塗膜に照射すれば低
温で高耐久性の被膜が得られる。
As an electromagnetic wave having a shorter wavelength than visible light, specifically,
There are ultraviolet rays, electron beams, X-rays, γ rays, etc., but ultraviolet rays are practical. As an ultraviolet ray source, it has a maximum emission around 250 nm and 360 nm, and its irradiation intensity is 10 mW / cm 2 or more, preferably 100 m.
It is desirable to use a W / cm 2 high pressure mercury lamp. 100 mJ / cm 2 or more, preferably 1 using such an ultraviolet source.
By irradiating the coating film with irradiation energy of 000 mJ / cm 2 or more, a highly durable film can be obtained at low temperature.

基材Aの第2の製造方法では、上記のようにして得ら
れた基材Aの塗膜が形成された表面に、さらに透明保護
膜形成用塗布液を、ディッピング法、スピンナー法、ス
プレー法、ロールコーター法、フレキソ印刷法などの塗
布法で塗布して平坦な被膜を形成した後、乾燥および/
または焼成する。この際用いられる透明保護膜形成用塗
布液は、この塗布液によって得られる被膜がSiO2および
/またはZrO2を主成分とするものであればよい。たとえ
ばシリコンやジルコニウムのアルコキシドの部分加水分
解物を含む溶液、シリコンやジルコニウムのキレート化
合物、オキシジルコニウム塩などがあげられる。あるい
は本発明に係る塗布液I、II、IIIまたはIVから導電性
物質の全部または一部を除いた塗布液も使用できる。
In the second production method of the base material A, a coating solution for forming a transparent protective film is further applied to the surface of the base material A obtained as described above on which the coating film is formed, by a dipping method, a spinner method, or a spray method. , A roll coater method, a flexographic printing method, and the like to form a flat film, and then dry and / or
Or bake. The transparent protective film-forming coating liquid used at this time may be one in which the coating film obtained by this coating liquid contains SiO 2 and / or ZrO 2 as the main components. Examples thereof include a solution containing a partial hydrolyzate of silicon or zirconium alkoxide, a chelate compound of silicon or zirconium, or an oxyzirconium salt. Alternatively, a coating liquid obtained by removing all or part of the conductive substance from the coating liquid I, II, III or IV according to the present invention can also be used.

基材Aの第3の製造方法では、上記のような基材Aの
第2の製造方法において、透明保護膜形成用塗布液の
塗布工程、透明保護膜の乾燥工程、透明保護膜の焼
成工程のいずれか一つ以上の工程後および/または工程
中に、可視光線より波長が短い電磁波を透明保護膜に照
射している。
In the third method for producing the base material A, in the second method for producing the base material A as described above, the step of applying the coating liquid for forming the transparent protective film, the step of drying the transparent protective film, and the step of baking the transparent protective film. After and / or during any one or more of the steps, the transparent protective film is irradiated with an electromagnetic wave having a shorter wavelength than visible light.

このようにして得られる基材Aは、上述のように表面
抵抗が103〜1011Ω/□であり、全光線透過率が85%以
上であり、ヘーズが10%以下である。基材Aの表面抵抗
が1011Ω/□を超えると、充分な帯電防止効果が得られ
ない。全光線透過率およびヘーズが前記数値よりも悪く
なると、透明性が悪くなる。
The substrate A thus obtained has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □, a total light transmittance of 85% or more, and a haze of 10% or less, as described above. When the surface resistance of the base material A exceeds 10 11 Ω / □, a sufficient antistatic effect cannot be obtained. If the total light transmittance and haze are worse than the above values, the transparency is poor.

本発明に係る基材Aを前面板として用いる表面装置A
では、前面板としての基材Aは、前記性能に加えてさら
に解像度は50本/cm以上であることが好ましい。この解
像度は、次のようにして測定した。すなわち基材Aの被
覆が形成されていない側7に第2図に示すようなバーチ
ャート4を貼布し、この基材Aを、第3図に示すように
被膜が形成された側が外側となるように、横50cm、縦30
cmの箱体9に配置し、基材Aから30cm離れて1cm当り何
本のバーが分離、視認しうるかを確認し、この1cm当り
の分離、視認しうるバーの本数で基材Aの解像度とし
た。この際箱体の内壁は白色とし、基材Aに対する箱体
内壁の両側には20Wの螢光灯8を設けた。またバーチャ
ートは、5本/cm毎にバーの本数を増やしたものを、た
とえば10本/cm、15本/cm、20本/cm、25本/cmなどを準備
して使用した。なお第2図のバーチャートにおいて、5
は線状印刷部であり、6は隙間である。線状印刷部の幅
aと、隙間の幅bとは等しいものを用いた。
Surface device A using the substrate A according to the present invention as a front plate
Then, it is preferable that the substrate A as the front plate has a resolution of 50 lines / cm or more in addition to the above performance. This resolution was measured as follows. That is, the bar chart 4 as shown in FIG. 2 is pasted on the side 7 of the base material A on which the coating is not formed, and the base material A is the outside with the side on which the coating is formed as shown in FIG. 50 cm wide, 30 vertical
It is placed in a box 9 of cm, and it is confirmed how many bars are separated and visible per cm by 30 cm from the base A, and the resolution of the base A is determined by the number of separated and visible bars per cm. And At this time, the inner wall of the box body was white, and 20 W fluorescent lamps 8 were provided on both sides of the inner wall of the box with respect to the base material A. The bar chart was prepared by increasing the number of bars every 5 bars / cm, for example, 10 bars / cm, 15 bars / cm, 20 bars / cm, 25 bars / cm. In the bar chart of FIG. 2, 5
Is a linear printing portion, and 6 is a gap. The width a of the linear print portion and the width b of the gap were equal.

本発明に係る基材Aを天板ガラスとして用いた複写機
において、天板ガラスとしての基材Aは、波長550nmに
おける光線透過率が被覆を形成させる前の基材の光線透
過率に対して±5%を越えないことが好ましい。
In a copying machine using the base material A according to the present invention as a top plate glass, the base material A as a top plate glass has a light transmittance at a wavelength of 550 nm of ± 5 with respect to the light transmittance of the base material before forming the coating. It is preferable not to exceed%.

この基材Aの被膜は、セラミックスで構成されている
ため、非常に削られ難いが、ADFに供給される原稿また
はADFに装着されているゴムベルトによって当該被膜の
一部が削られて、被膜が薄くなるか、または被膜形成前
の基材が露出して、一種のキズになることがある。
Since the coating of the base material A is made of ceramics, it is very difficult to scrape it. However, a part of the coating is scraped by a document supplied to the ADF or a rubber belt attached to the ADF, so that the coating is formed. It may become thin, or the base material before film formation may be exposed to cause a kind of scratch.

550nmの波長におけるキズの部分の光線透過率と被膜
形成前の基材の光線透過率の差が±5%を越えると、グ
レイスケールでコピーしたとき、このキズがシミとして
コピー上に表われる。
When the difference between the light transmittance of the scratched portion at the wavelength of 550 nm and the light transmittance of the substrate before film formation exceeds ± 5%, when the gray scale is copied, the scratches appear on the copy as spots.

したがって、基材Aを天板ガラスとして用いる場合、
基材A、キズの部分および被膜形成前のそれぞれの550n
mの波長における光線透過率をTt1(%)、Tt2(%)、T
t0(%)とすると、Tt1−Tt0およびTt2−Tt0がいずれも
±5%、好ましくは±3%を越えないことが望ましい。
Therefore, when the base material A is used as a top plate glass,
550n for each of substrate A, scratches and before film formation
The light transmittance at the wavelength of m is Tt 1 (%), Tt 2 (%), T
When t 0 (%) is set, it is desirable that both Tt 1 −Tt 0 and Tt 2 −Tt 0 do not exceed ± 5%, preferably ± 3%.

本発明において、基材Aを天板ガラスとして使用する
ときの被膜形成用基材は、通常の複写機に用いられてい
る天板ガラス用基材を用いることができる。
In the present invention, the base material for forming a coating film when the base material A is used as a top plate glass can be a base material for a top plate glass used in an ordinary copying machine.

次に基材Bについて説明する。 Next, the base material B will be described.

基材Bは、基材と、この基材上に上記の塗布液I、I
I、IIIまたはIVを用いて形成された透明導電性セラミッ
クス被膜とからなり、表面抵抗が103〜1011Ω/□であ
り、光沢度が30〜100%である。
The base material B comprises a base material and the above coating liquids I, I on the base material.
A transparent conductive ceramic coating formed by using I, III or IV, and has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □ and a glossiness of 30 to 100%.

このような基材Bの第1の製造方法では、上記のよう
な塗布液I、II、IIIまたはIVを、予め40〜90℃に、好
ましくは50〜70℃に加熱保持された基材に塗布して凹凸
状の膜片を形成させ、その後さらに乾燥および/または
焼成する。
In the first method for producing the base material B, the coating liquid I, II, III or IV as described above is applied to the base material which is previously heated and maintained at 40 to 90 ° C, preferably 50 to 70 ° C. It is applied to form an uneven film piece, and then dried and / or baked.

基材の加熱温度が40℃未満であると、塗布の際、液成
分が充分に乾燥しきれずにレベリングを起こして平坦な
被膜となり、ノングレアにならない傾向が生ずる。一方
90℃を超えると、液成分の乾燥が急激に起こり、被膜の
密着性、透明性、耐久性が著しく低下する傾向が生ず
る。このように塗布液を基材に塗布する際には、基材が
この温度から逸脱しないように塗布液量、塗布速度を調
整することが好ましい。塗布後、常温〜110℃程度の温
度で乾燥硬化すれば、基材との密着性、耐擦傷性、透明
性に優れた被膜が形成された基材Bが得られる。この被
膜をさらに120℃以上で、かつ基材のガラス転移点以下
の温度で焼成すれば、耐久性の向上した被膜が形成され
た基材Bが得られる。この際、基材のガラス転移点以下
の温度であれば何回でも焼成して良い。
If the heating temperature of the base material is lower than 40 ° C., the liquid components cannot be sufficiently dried at the time of application to cause leveling to form a flat film, which tends to prevent non-glare. on the other hand
When the temperature exceeds 90 ° C, the liquid components are rapidly dried, and the adhesion, transparency and durability of the coating tend to be significantly reduced. In this way, when the coating liquid is applied to the substrate, it is preferable to adjust the amount of the coating liquid and the coating speed so that the substrate does not deviate from this temperature. After coating, if dried and cured at a temperature of room temperature to 110 ° C., a base material B having a film having excellent adhesion to the base material, scratch resistance, and transparency is obtained. If this coating is further baked at a temperature of 120 ° C. or higher and at a temperature not higher than the glass transition point of the base material, the base material B having the coating with improved durability can be obtained. At this time, it may be fired any number of times as long as the temperature is not higher than the glass transition point of the substrate.

基材Bの第2の製造方法では、上記のような基材Bの
第1の製造方法において、塗布液の基材上への塗布工
程、塗膜の乾燥工程、塗膜の焼成工程のいずれか一
つ以上の工程後および/または工程中に、可視光線より
波長が短い電磁波を塗膜に照射する。電磁波を塗膜に照
射することにより、塗膜の焼成温度を低くすることがで
き、たとえば、電磁波を照射しておけば、塗膜の焼成温
度を300℃としても、電磁波を照射せずに400℃で焼成し
たものと同等の性能の被膜が得られる。
In the second manufacturing method of the base material B, any one of the coating step of the coating liquid on the base material, the drying step of the coating film, and the baking step of the coating film in the first manufacturing method of the base material B as described above. After one or more steps and / or during the steps, the coating film is irradiated with an electromagnetic wave having a wavelength shorter than visible light. By irradiating the coating film with electromagnetic waves, the baking temperature of the coating film can be lowered. For example, if the coating film is irradiated with electromagnetic waves, even if the coating film is baked at a temperature of 300 ° C., it will be 400 A film with the same performance as that obtained by firing at ℃ is obtained.

基材Bの第3の製造方法では、透明保護膜が形成され
ていない基材Aまたは上記の第1および第2の方法で得
られた基材Bを、さらに40〜90℃に加熱保持して、透明
保護膜形成用塗布液を塗布し、凹凸状の膜片を形成さ
せ、その後さらに乾燥および/または焼成する。このと
き透明保護膜形成用塗布液としては、基材Aの第2の製
造方法で使用された塗布液と同様な塗布液を用いること
ができる。
In the third production method of the base material B, the base material A on which the transparent protective film is not formed or the base material B obtained by the above-mentioned first and second methods is further heated and held at 40 to 90 ° C. Then, a coating solution for forming a transparent protective film is applied to form an uneven film piece, and then dried and / or baked. At this time, as the transparent protective film forming coating liquid, the same coating liquid as the coating liquid used in the second manufacturing method of the substrate A can be used.

基材Bの第4の製造方法では、上記のような基材Bの
第3の製造方法において、透明保護膜形成用塗布液の
塗布工程、透明保護膜の乾燥工程、透明保護膜の焼
成工程のいずれか一つ以上の工程後および/または工程
中に、可視光線より波長が短い電磁波を透明保護膜に照
射する。
In the fourth manufacturing method of the base material B, in the third manufacturing method of the base material B as described above, the step of applying the coating liquid for forming the transparent protective film, the step of drying the transparent protective film, and the step of baking the transparent protective film. After and / or during any one or more of the steps, the transparent protective film is irradiated with an electromagnetic wave having a shorter wavelength than visible light.

基材Bの第2および第4の製造法で用いられる可視光
線より波長の短い電磁波は、基材Aの製造方法で用いら
れる電磁波と同じである。
The electromagnetic wave having a shorter wavelength than visible light used in the second and fourth manufacturing methods of the base material B is the same as the electromagnetic wave used in the manufacturing method of the base material A.

また、これら基材Bの製造法においては、塗布液は、
スプレー法によって基材上に塗布されることが好まし
い。
In addition, in the method for producing these base materials B, the coating liquid is
It is preferably applied onto the substrate by a spray method.

このようにして得られる基材Bは、上述のように表面
抵抗が103〜1011Ω/□であり、JIS K7105−81の光沢度
測定法において測定角度60℃で測定したときの光沢度が
30〜100%である。
The substrate B thus obtained has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □ as described above, and the glossiness when measured at a measurement angle of 60 ° C. in the glossiness measurement method of JIS K7105-81. But
It is 30 to 100%.

本発明に係る基材Bを前面板として用いる表面装置B
では、前面板としての基材Bは前記性能に加えてさらに
解像度は50本/cm以上であることが好ましい。この解像
度は、前面板としての基材Aと同様な前記方法で測定す
る。
Surface device B using the base material B according to the present invention as a front plate
Then, it is preferable that the base material B as the front plate has a resolution of 50 lines / cm or more in addition to the above performance. This resolution is measured by the same method as for the base material A as the front plate.

基材Bの光沢度は、上記の様にJIS K7105−81の光沢
度測定法において測定角60℃で測定した値であって、こ
の値が30%未満であると、基材Bの透明性が低下する傾
向が生じ、一方この値の上限は特に制限されないが、10
0%を超えるとノングレアにならないため、100%以下で
あることが好ましい。
The glossiness of the base material B is a value measured at a measurement angle of 60 ° C. in the glossiness measuring method of JIS K7105-81 as described above, and when the value is less than 30%, the transparency of the base material B is Tends to decrease, while the upper limit of this value is not particularly limited,
When it exceeds 0%, non-glare does not occur, so 100% or less is preferable.

基材Bでは、その表面平均粗さRZ(JIS B0601−82に
準拠して測定した十点平均粗さ)は、0.2〜5.0μmであ
ることが望ましい。平均粗さが0.2μm未満であると、
解像度および透明性は優れているが、ノングレアが低下
し、また充分な帯電防止効果が得られない傾向が生じ、
一方5.0μmを超えると、解像度および透明性が低下す
る傾向が生ずる。
In the substrate B, the surface average roughness R Z (10-point average roughness measured according to JIS B0601-82) is preferably 0.2 to 5.0 μm. If the average roughness is less than 0.2 μm,
Although the resolution and transparency are excellent, non-glare decreases, and there is a tendency that a sufficient antistatic effect cannot be obtained.
On the other hand, when it exceeds 5.0 μm, resolution and transparency tend to be lowered.

発明の効果 本発明に係る塗布液は、上記のようにアセチルアセト
ナトキレート化合物と、導電性物質とが水および有機溶
媒からなる混合溶媒中に均一に溶解または分散されてい
るか、さらにアセチルアセトナトキレート化合物と、シ
リコン化合物および/またはシリコン以外の金属のアル
コキシドと、導電性物質とが水および有機溶媒からなる
混合溶媒中に均一に溶解または分散されて形成されてい
る。
EFFECTS OF THE INVENTION The coating solution according to the present invention has the acetylacetonato chelate compound and the conductive substance uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent composed of water and an organic solvent as described above, or further acetylacetonato. It is formed by uniformly dissolving or dispersing a chelate compound, a silicon compound and / or an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance in a mixed solvent of water and an organic solvent.

したがって、本発明に係る塗布液は、アセチルアセト
ナトキレート化合物の保護コロイド的な作用により塗布
液中で導電性物質が単分散状態に保たれ、透明性および
導電性に優れた被膜を形成することができる。しかも塗
布液の熱安定性が向上しているため、連続生産時に塗布
液のゲル化が起こらず、さらに40℃程度でも長期保存が
可能である。
Therefore, the coating liquid according to the present invention can maintain a conductive substance in a monodispersed state in the coating liquid by the action of a protective colloid of an acetylacetonato chelate compound and form a film excellent in transparency and conductivity. You can Moreover, since the thermal stability of the coating liquid is improved, the coating liquid does not gel during continuous production, and it can be stored for a long time even at about 40 ° C.

本発明に係る基材AおよびBは、ジルコニア、シリカ
などの金属酸化物、および導電性物質とからなる被膜を
基板上に有しており、耐擦傷性、密着性、耐久性に優れ
ている。
The base materials A and B according to the present invention have a coating film composed of a metal oxide such as zirconia and silica, and a conductive substance on a substrate, and are excellent in scratch resistance, adhesion and durability. .

さらに、本発明に係る基材Aは、表面抵抗が103〜10
11Ω/□であり、全光線透過率が85%以上であり、ヘー
ズが10%以下であり、また本発明に係る基材Bは、表面
抵抗が103〜1011Ω/□であり、JIS K7105−81の光沢度
測定法において測定角度60℃で測定したときの光沢度が
30〜100%であるので、透明性、帯電防止効果、ノング
レアに優れている。
Further, the substrate A according to the present invention has a surface resistance of 10 3 to 10 3.
11 Ω / □, the total light transmittance is 85% or more, the haze is 10% or less, and the substrate B according to the present invention has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □, The glossiness when measured at a measurement angle of 60 ° C in the glossiness measurement method of JIS K7105-81
Since it is 30 to 100%, it is excellent in transparency, antistatic effect and non-glare.

本発明に係る基材Aを前面板として用いた表示装置A
では、前面板としての基材Aの解像度は50本/cm以上で
あり、また、基材Bを前面板として用いた表示装置Bで
は、前面板としての基材Bの解像度は50本/cm以上であ
る。
Display device A using the substrate A according to the present invention as a front plate
Then, the resolution of the substrate A as the front plate is 50 lines / cm or more, and in the display device B using the substrate B as the front plate, the resolution of the substrate B as the front plate is 50 lines / cm. That is all.

本発明に係る基材Aを天板ガラスとして用いた複写機
は、天板ガラスとしても基材Aは波長550nmにおける光
線透過率が被覆を形成させる前の基材の光線透過率に対
して±5%を越えないため、被膜の一部が削られて薄く
なったり、あるいは一部分が完全に削り取られても、グ
レイスケールで複写した際に、削らた部分がシミとなっ
て現われない。
In a copying machine using the base material A according to the present invention as a top plate glass, the base material A has a light transmittance at a wavelength of 550 nm of ± 5% with respect to the light transmittance of the base material before the coating is formed, even as the top glass. Since it does not exceed the range, even if a part of the film is shaved and thinned or a part is completely shaved off, the shaved part does not appear as a stain when copying in gray scale.

したがって、本発明に係る透明導電性セラミックス被
膜付基材は、CRT、FIP、PDPあるいはLCD等の表示装置の
前面板、複写機用天板ガラス、計器用パネル、テレライ
ティングターミナル、レンズ等の帯電防止機能、ノング
レアを必要とする分野への利用が可能である。
Therefore, the transparent conductive ceramics coated substrate according to the present invention is used to prevent static electricity such as front plates of display devices such as CRTs, FIPs, PDPs or LCDs, top glass for copiers, instrument panels, telewriting terminals and lenses. It can be used in fields requiring functionality and non-glare.

また、この前面板は、表示装置自体を構成するもので
あってもよいし、表示装置の前面に配置されるものであ
ってもよい。具体的には、たとえばLCDの場合には、液
晶を挟持する電極付の基材の一方であって前方に位置す
る基材の外面に直接本発明の透明導電性セラミックス被
膜を形成してもよいし、前面側の電極付の基板のさらに
前面に本発明の透明導電性セラミックス被膜が形成され
た基材を配置してもよい。CRTの場合には、CRTの表示パ
ネルの外面に直接本発明の透明導電性セラミックス被膜
を形成してもよいし、表示パネルのさらに前面に本発明
の透明導電性セラミックス被膜が形成された基材を配置
してもよい。
Further, this front plate may constitute the display device itself, or may be disposed on the front surface of the display device. Specifically, in the case of an LCD, for example, the transparent conductive ceramics coating of the present invention may be formed directly on the outer surface of one of the substrates with electrodes for sandwiching the liquid crystal and located in front of the substrate. However, the base material on which the transparent conductive ceramics coating of the present invention is formed may be arranged further on the front surface of the substrate with electrodes on the front surface side. In the case of CRT, the transparent conductive ceramics coating of the present invention may be formed directly on the outer surface of the display panel of the CRT, or the substrate on which the transparent conductive ceramics coating of the present invention is formed further on the front surface of the display panel. May be arranged.

以下本発明を実施例により説明するが、本発明は、こ
れら実施例により限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

実施例1〜6 [塗布液I] 下記に示すアセチルアセトナトキレート化合物、導電
性物質および有機溶媒を混合攪拌して、表1に示すよう
な透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液(塗布液1
〜6)を得た。
Examples 1 to 6 [Coating liquid I] An acetylacetonato chelate compound shown below, a conductive substance and an organic solvent were mixed and stirred to form a coating liquid for forming a transparent conductive ceramics coating as shown in Table 1 (coating liquid 1
~ 6) was obtained.

アセチルアセトナトキレート化合物(M1Ox) (1)ZAB1 ZrO2として13重量%を含むジブトキシ−ビスアセチル
アセトナトジルコニウムのブタノール溶液。
Acetylacetonato chelate compound (M 1 O x ) (1) A butanol solution of dibutoxy-bisacetylacetonato zirconium containing 13% by weight of ZAB 1 ZrO 2 .

(2)TAP1 TiO2として10重量%を含むジブトキシ−ビスアセチル
アセトナトチタンのブタノール溶液。
(2) TAP1 dibutoxy containing 10 wt% as TiO 2 - bis acetylacetonato titanium butanol solution.

導電性物質(EOx) (1)TL93 アンチモンがドープされた酸化スズゾル(触媒化成工
業(株)製ELCOM TL−93、固形分濃度20重量%、平均粒
径0.07μm、0.1μm以下の粒子が全粒子の87%) (2)TL30 アンチモンがドープされた酸化スズ微粉末の水分散液
(触媒化成工業(株)製ELCOM TL−30、固形分濃度20重
量%、平均粒径0.2μm) 有機溶媒 エタノール(Et OH)、イソプロパノール(IPA) 実施例7〜21 [塗布液II] 下記に示すアセチルアセトナトキレート化合物、導電
性物質および有機溶媒を混合したのち、この混合液に下
記に示すシリコン液を加えて、第3に示すような透明導
電性セラミックス被膜形成用塗布液(塗布液7〜21)を
得た。
Conductive substance (EO x ) (1) TL93 Antimony-doped tin oxide sol (ELCOM TL-93, manufactured by Catalysts & Chemicals Industries, Ltd., solid content concentration 20% by weight, average particle size 0.07 μm, particles of 0.1 μm or less (87% of all particles) (2) TL30 Antimony-doped tin oxide fine powder in water dispersion (Catalyst Chemical Co., Ltd. ELCOM TL-30, solid content concentration 20% by weight, average particle size 0.2 μm) Organic Solvent Ethanol (Et OH), Isopropanol (IPA) Examples 7 to 21 [Coating liquid II] After mixing the acetylacetonato chelate compound shown below, a conductive substance and an organic solvent, the silicon liquid shown below was added to this mixed liquid to give a transparent liquid as shown in the third. Coating liquids (coating liquids 7 to 21) for forming a conductive ceramics film were obtained.

アセチルアセトナトキレート化合物(M1Ox) (1)ZAB1(実施例1〜6に同じ) (2)ZAB2 ZrO2として10重量%を含むZr(OC4H9)1.5・(Ac)2.5(A
c:アセチルアセトンイオン)のブタノール溶液。
Acetylacetonato chelate compound (M 1 O x ) (1) ZAB1 (same as Examples 1 to 6) (2) ZAB2 ZrO 2 containing 10 wt% Zr (OC 4 H 9 ) 1.5 · (Ac) 2.5 ( A
c: acetylacetone ion) butanol solution.

(3)ZAB3 ZrO2として10重量%を含むトリブトキシモノアセチル
アセトナトジルコニウムのブタノール溶液。
(3) ZAB3 A butanol solution of tributoxymonoacetylacetonato zirconium containing 10% by weight as ZrO 2 .

(4)TAP1(実施例1〜6に同じ) (5)TAP2 TiO2として10重量%を含むトリイソプロポキシモノア
セチルアセトナトチタンのIPA溶液。
(4) TAP1 (same as Examples 1 to 6) (5) TAP2 An IPA solution of triisopropoxymonoacetylacetonato titanium containing 10% by weight as TiO 2 .

(6)HFAB HfO2として10重量%を含むジブトキシビスアセチルア
セトナトハフニウムのブタノール溶液。
(6) A butanol solution of dibutoxybis acetylacetonato hafnium containing 10% by weight of HFAB HfO 2 .

導電性物質 (1)TL93、TL30(実施例1〜6に同じ) (2)TL130 スズがドープされた酸化インジウム微粉末の水分散液
(触媒化成工業(株)製ELCOM TL−130、固形分濃度25
重量%、平均粒径0.25μm) シリコン液 (1)シリコ液A〜D、F 表2に示すように、SiO2として28重量%を含むテトラ
エトキシシランのエタノール溶液(多摩化学工業製エチ
ルシルケート28,ES−28と略記)またはSiO2として40重
量%を含むテトラエトキシシランのエタノール溶液(同
上、ES−40と略記)にエタノールを加え、さらに硝酸水
溶液を添加した。この混合液を一定時間加熱したのち、
室温まで冷却し、シリコン液を得た。
Conductive substance (1) TL93, TL30 (same as Examples 1 to 6) (2) TL130 Tin-doped indium oxide fine powder in water dispersion (Catalyst Chemical Co., Ltd. ELCOM TL-130, solid content) Concentration 25
% By weight, average particle size 0.25 μm) Silicon liquid (1) Silicon liquids A to D and F As shown in Table 2, an ethanol solution of tetraethoxysilane containing 28 wt% as SiO 2 (ethyl silicate manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.). 28, abbreviated as ES-28) or tetraethoxysilane containing 40% by weight of SiO 2 in ethanol (abbreviated as ES-40 above), ethanol was added, and a nitric acid aqueous solution was further added. After heating this mixture for a certain period of time,
It cooled to room temperature and obtained the silicon liquid.

(2)シリコ液E SiO2として5重量%を含む珪酸ナトリウム水溶液(Si
O2/Na2O=3mol/mol)1000gを15℃に保持したまま陽イ
オン交換樹脂カラムに通した。この液にメチルセロソル
ブを445g添加し充分分散した後、ローターリーエバポレ
ーターにて減圧しながら70℃に加熱して水945gを留出し
てシリコン液Eを得た。
(2) Silicone solution E A sodium silicate aqueous solution containing 5% by weight as SiO 2 (Si
1000 g of O 2 / Na 2 O = 3 mol / mol) was passed through a cation exchange resin column while keeping it at 15 ° C. 445 g of methyl cellosolve was added to this liquid and sufficiently dispersed, and then heated to 70 ° C. under reduced pressure with a rotary evaporator to distill 945 g of water to obtain a silicon liquid E.

実施例22〜26 [塗布液III] 下記のアセチルアセトナトキレート化合物、導電性物
質および有機溶媒を混合したのち、金属アルコキシドを
加えて混合し、表4に示すような透明導電性セラミック
ス被膜形成用塗布液(塗布液22〜26)を得た。
Examples 22 to 26 [Coating Liquid III] After mixing the following acetylacetonato chelate compound, a conductive substance and an organic solvent, a metal alkoxide was added and mixed to form a transparent conductive ceramic film as shown in Table 4. Coating liquids (coating liquids 22 to 26) were obtained.

アセチルアセトナトキレート化合物 (1)AAC Al2O3として5重量%を含むトリスアセチルアセトナ
トアルミニウムをエタノール・トリエン混合溶媒(重量
比1/1)に溶解したもの。
Acetylacetonato chelate compound (1) A trisacetylacetonato aluminum containing 5% by weight of AAC Al 2 O 3 dissolved in an ethanol / triene mixed solvent (weight ratio 1/1).

導電性物質 (1)TL94 リンがドープされた酸化スズゾル(触媒化成工業
(株)製ELCOM TL−94、固形分濃度20重量%、平均粒径
0.07μm、0.1μm以下粒子が全粒子の87%)。
Conductive substance (1) TL94 Phosphorus-doped tin oxide sol (ELCOM TL-94 manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd., solid content concentration 20% by weight, average particle size)
87% of all particles are 0.07 μm and 0.1 μm or less).

金属アルコキシド(M2Ox) (1)TBZR ZrO2として10重量%を含むテトラブトキシジルコニウ
ムのブタノール溶液。
Metal alkoxide (M 2 O x ) (1) A butanol solution of tetrabutoxy zirconium containing 10% by weight of TBZR ZrO 2 .

(2)TPTI TiO2として10重量%を含むテトライソプロポキシチタ
ンのIPA溶液。
(2) An IPA solution of tetraisopropoxy titanium containing 10% by weight of TPTI TiO 2 .

実施例27〜32 [塗布液IV] 下記のアセチルアセトナトキレート化合物、導電性物
質および有機溶媒を混合した後、この混合液にシリコン
液と金属アルコキシドを加えて混合し、表5に示すよう
な透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液(塗布液27
〜32)を得た。
Examples 27 to 32 [Coating Liquid IV] After mixing the following acetylacetonato chelate compound, conductive substance and organic solvent, silicon liquid and metal alkoxide were added to this mixed liquid and mixed, as shown in Table 5. Coating liquid for forming transparent conductive ceramics coating (coating liquid 27
~ 32) was obtained.

アセチルアセトナトキレート化合物 (1)COA CoOとして10重量%を含むビスアセチルアセトナルコ
バルトをトルエン・アセトン混合溶媒(重量比1/1)に
溶解。
Acetylacetonato chelate compound (1) Bisacetylacetonal cobalt containing 10% by weight of COA CoO was dissolved in a toluene / acetone mixed solvent (weight ratio 1/1).

金属アルコキシド (1)PETA Ta2O5として5重量%を含むペンタエトキシタンタル
のエタノール溶液。
Metal alkoxide (1) An ethanol solution of pentaethoxytantalum containing 5% by weight of PETA Ta 2 O 5 .

なお、実施例30(塗布液30)は次のようにして調製し
た。
In addition, Example 30 (coating solution 30) was prepared as follows.

所定量のTAP1とTL30とエタノールの混合液を調製し
た。別に、SiO2として10重量%のモノメチルトリメトキ
シシランのIPA溶液(TMS)250g、TPTI 250g、無水酢酸
2.5gと水60gの混合液を調製し、先の混合液に加えて充
分攪拌し、塗布液30を得た。
A mixed solution of a predetermined amount of TAP1, TL30 and ethanol was prepared. Separately, 10% by weight of monomethyltrimethoxysilane as SiO 2 IPA solution (TMS) 250 g, TPTI 250 g, acetic anhydride
A mixed liquid of 2.5 g and 60 g of water was prepared, added to the above mixed liquid and sufficiently stirred to obtain a coating liquid 30.

実施例33−1〜33−32 以上の実施例1〜32によって得られた透明導電性セラ
ミックス被膜形成用塗布液を用いて、表6に示すような
条件で、14インチブラウン管用パネルガラスに塗布し、
被膜を形成した。これらの実施例に対して、以下の評価
を行なった。
Examples 33-1 to 33-32 Using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics coating obtained in the above Examples 1 to 32, it was applied to a 14-inch cathode ray tube panel glass under the conditions shown in Table 6. Then
A film was formed. The following evaluations were performed on these examples.

結果を表7,8に示す。 The results are shown in Tables 7 and 8.

透明性:波長550nmにおける光線透過率(Tt)、ヘー
ズ(H)をヘーズコンピューター(スガ試験機製)で測
定した。
Transparency: Light transmittance (Tt) at wavelength 550 nm and haze (H) were measured by a haze computer (manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.).

表示抵抗(Rs):ハイレスター(測定電圧500V)また
はローレスター(測定電圧10〜90V)(三菱油化製)で
測定した。
Display resistance (Rs): Measured with a high star (measurement voltage 500V) or a low star (measurement voltage 10 to 90V) (manufactured by Mitsubishi Yuka).

解像度:基材の被膜が形成されたいない側に第2図に
示すようなバーチャートを貼布し、この基材を第3図に
示すように被膜が形成された側が外側になるように箱体
に配置し、基材から30cm離れて1cm当りの分離視認しう
るバーの本数を基材の解像度とした。この際バーチャー
トは5本/cm毎(10,15,20,25等)に作製し使用した。
Resolution: A bar chart as shown in FIG. 2 is pasted on the non-coated side of the base material, and this base material is placed in a box so that the coated side is on the outside as shown in FIG. The resolution of the substrate was defined as the number of bars that were placed on the body and were separated from the substrate by 30 cm and could be visually recognized separately per cm. At this time, bar charts were produced every 5 lines / cm (10, 15, 20, 25, etc.) and used.

光沢度(G):JIS K7105−81の光沢度の測定法におい
て、測定角60°で光沢度(G)を評価した。なお、測定
用基材は、裏面からの反射光の影響を避けるため、裏面
を黒く塗る、あるいは黒色テープをはる等の処理をした
のち測定した。
Glossiness (G): The glossiness (G) was evaluated at a measuring angle of 60 ° in the glossiness measuring method of JIS K7105-81. In addition, in order to avoid the influence of reflected light from the back surface of the measurement base material, the back surface was coated with black or a black tape was applied, and then the measurement was performed.

密着性:まず市販の12nm幅のセロハンテープの一部を
被覆に貼り付ける。残りを被覆に対して直角に保ち、瞬
間的に引き剥してパネルガラス上に残った被覆の有無を
目視した。
Adhesion: First, a piece of commercially available 12 nm wide cellophane tape is attached to the coating. The rest was kept perpendicular to the coating and was peeled off momentarily to visually inspect for any coating left on the panel glass.

膜強度:台秤の上にパネルガラスを固定し、事務用消
しゴム(LION製No.50−50同等品)を被覆の上に置き、2
kgの荷重をかけて、150往復摺動した後、表面抵抗(R
s)および光沢度(G)を測定した。
Membrane strength: Fix the panel glass on the platform scale, put an office eraser (LION No.50-50 equivalent) on the cover, and
After sliding 150 times back and forth under a load of kg, the surface resistance (R
s) and gloss (G) were measured.

平均粗さ(Rz):JIS B0601−82のRzの測定法におい
て、触針式膜厚計(ランク・テイラー・ホブソン社製、
商品名タリステップ)を用いて測定した。
Average roughness (Rz): In the measurement method of Rz of JIS B0601-82, a stylus type film thickness meter (Rank Taylor Hobson Co.,
It was measured using the product name Talystep).

耐久性:以下7種類の液に漬けた後、密着性を評価し
た。また試験前後の光沢度と表面抵抗について比較し
た。
Durability: After soaking in the following 7 kinds of liquids, the adhesiveness was evaluated. Further, the glossiness and the surface resistance before and after the test were compared.

1)15重量%アンモニア水に室温で120時間。1) 120% of 15% by weight ammonia water at room temperature.

2)10重量%塩水に室温で120時間。2) 120 wt% salt water at room temperature for 120 hours.

3)沸騰している水に30分間。3) 30 minutes in boiling water.

4)50重量%酢酸水に室温で120時間。4) 120 hours at room temperature in 50 wt% acetic acid water.

5)アセトンに室温で1週間。5) Acetone for 1 week at room temperature.

6)エタノールに室温で1週間。6) Ethanol for 1 week at room temperature.

7)n−プロパノールに室温で1週間。7) 1 week in n-propanol at room temperature.

実施例34−1〜34−31 実施例1〜31によって得られた透明導電性セラミック
ス被膜形成用塗布液を用いて、表9の条件で、450×300
×4mmの天板ガラス用ソーダガラスに塗布し、被膜付天
板ガラスを作成した。
Examples 34-1 to 34-31 Using the coating liquid for forming the transparent conductive ceramics coating obtained in Examples 1 to 31, 450 × 300 under the conditions shown in Table 9.
It was applied to a soda glass for top glass of 4 mm to prepare a top glass with a coating.

これらの実施例に対して、前記、以外に以下の評
価を行なった。
In addition to the above, the following evaluations were performed on these examples.

通紙テスト:被膜付天板ガラスをADF装置の複写機に
組み込み、A4サイズのコピー紙をADFに供給して紙詰ま
りを起こすまでの枚数を調べた。
Paper passing test: The coated top glass was installed in the copier of the ADF machine, and A4 size copy paper was supplied to the ADF to check the number of sheets until paper jam occurred.

シミテスト:グレイスケールでシミが出るまでのADF
に供給したA4サイズのコピー紙の枚数を調べた。さら
に、シミが出たときの波長550nmにおける光線透過率(T
t)を測定した。ただし、シミの出なかったものは通
紙テスト後のTtを測定した。
Stain test: ADF until spots appear on gray scale
The number of A4 size copy sheets supplied to the company was checked. Furthermore, the light transmittance (T
t) was measured. However, the Tt after the paper passing test was measured for those with no stain.

また、比較のために、被覆形成前の天板ガラスおよび
スパッタリング法で表面にITO膜を形成したITOガラスを
同様に複写機に組み込み同様の評価を行なった。
For comparison, the top glass before the coating was formed and the ITO glass having the ITO film formed on the surface by the sputtering method were also incorporated in a copying machine and evaluated in the same manner.

結果を表10に示す。 The results are shown in Table 10.

塗工法:ロールコーター法。紫外線照射条件:210mW/c
m2、2kWの高圧水銀灯を3分間照射。
Coating method: Roll coater method. UV irradiation condition: 210mW / c
Irradiate a high-pressure mercury lamp of m 2 and 2kW for 3 minutes.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−165202(JP,A) 特開 昭63−152675(JP,A)Continuation of the front page (56) References JP-A-56-165202 (JP, A) JP-A-63-152675 (JP, A)

Claims (20)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】アセチルアセトナトキレート化合物と、導
電性物質とが、水および有機溶媒からなる混合溶媒中に
均一に溶解または分散されていることを特徴とする透明
導電性セラミックス被膜形成用塗布液。
1. A coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film, wherein an acetylacetonato chelate compound and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent of water and an organic solvent. .
【請求項2】アセチルアセトナトキレート化合物(ジア
ルコキシ−ビスアセチルアセトナトジルコニウムを除
く)と、シリコン化合物と、導電性物質とが、水および
有機溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解または分散さ
れていることを特徴とする透明導電性セラミックス被膜
形成用塗布液。
2. An acetylacetonato chelate compound (excluding dialkoxy-bisacetylacetonatozirconium), a silicon compound, and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent consisting of water and an organic solvent. A coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film, which is characterized in that
【請求項3】アセチルアセトナトキレート化合物と、シ
リコン以外の金属のアルコキシドと、導電性物質とが、
水および有機溶媒からなる混合溶媒中に均一に溶解また
は分散されていることを特徴とする透明導電性セラミッ
クス被膜形成用塗布液。
3. An acetylacetonato chelate compound, an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance,
A coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film, which is uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent of water and an organic solvent.
【請求項4】アセチルアセトナトキレート化合物と、シ
リコン化合物およびシリコン以外の金属のアルコキシド
と、導電性物質とが、水および有機溶媒からなる混合溶
媒中に均一に溶解または分散されていることを特徴とす
る透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液。
4. An acetylacetonato chelate compound, a silicon compound and an alkoxide of a metal other than silicon, and a conductive substance are uniformly dissolved or dispersed in a mixed solvent consisting of water and an organic solvent. A coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film.
【請求項5】アセチルアセトナトキレート化合物が次式
(I)で表される化合物および/またはその縮合体の少
なくとも1種であることを特徴とする請求項第1項ない
し第4項のいずれかに記載の透明導電性セラミックス被
膜形成用塗布液。 (ただし、式中a+bは2〜4であり、aは0〜3であ
り、bは1〜4であり、RはCnH2n+1−(n=3,4)であ
り、XはCH3−、CH3O−、C2H5−またはC2H5O−であり、
M1は周期律表第IB族、第IIA、B族、第IIIA、B族、第I
VA、B族、第VA、B族、第VIA族、第VIIIA族、第VIII族
から選ばれた元素またはバナジル(VO)である。)。
5. The acetylacetonato chelate compound according to any one of claims 1 to 4, wherein the acetylacetonato chelate compound is at least one compound represented by the following formula (I) and / or a condensate thereof. The coating liquid for forming the transparent conductive ceramics film as described in 1. (Wherein in a + b is 2 to 4, a is 0 to 3, b is 1 to 4, R is C n H 2n + 1 - a (n = 3, 4), X is CH 3 −, CH 3 O−, C 2 H 5 − or C 2 H 5 O−,
M 1 is Group IB, Group IIA, Group B, Group IIIA, Group B, Group I of the periodic table
It is an element or vanadyl (VO) selected from VA, B group, VA, B group, VIA group, VIIIA group, and VIII group. ).
【請求項6】シリコン化合物が、次式(II)で表される
化合物および/またはその縮合体の少なくとも1種であ
ることを特徴とする請求項第2項または第4項のいずれ
かに記載の透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液。 Ra−Si(OR′)4-a ……(II) (ただし、式中、RはCnH2n+1−(n=1〜4)、水素
原子またはハロゲン原子であり、R′はCnH2n+1−(n
=1〜4)、水素原子またはCnH2n+1OC2H4−(n=1〜
4)であり、a=0〜3である)。
6. The method according to claim 2 or 4, wherein the silicon compound is at least one compound represented by the following formula (II) and / or a condensate thereof. Coating liquid for forming the transparent conductive ceramics film of. R a —Si (OR ′) 4-a (II) (wherein R is C n H 2n + 1 − (n = 1 to 4), a hydrogen atom or a halogen atom, and R ′ is C n H 2n + 1 − (n
= 1 to 4), hydrogen atom or C n H 2n + 1 OC 2 H 4 - (n = 1~
4) and a = 0 to 3).
【請求項7】シリコン以外の金属のアルコキシドが、次
式(III)で表される化合物および/またはその縮合体
の少なくとも1種であることを特徴とする請求項第3項
また第4項のいずれかに記載の透明導電性セラミックス
被膜形成用塗布液。 M2(OR)n ……(III) (ただし、式中、nはM2の原子価と同じ整数であり、R
はアルキル基またはCnH2nO2−(n=3〜10)であり、M
2はシリコン以外の金属である。)
7. The alkoxide of a metal other than silicon is at least one kind of a compound represented by the following formula (III) and / or a condensate thereof: The coating liquid for forming the transparent conductive ceramics film as described in any one of the above. M 2 (OR) n (III) (wherein n is the same integer as the valence of M 2 and R
Is an alkyl group or C n H 2n O 2- (n = 3 to 10), and M
2 is a metal other than silicon. )
【請求項8】導電性物質が、酸化錫、アンチモンまたは
フッ素あるいはリンがドープされた酸化錫、酸化インジ
ウム、錫またはフッ素がドープされた酸化インジウムで
ある請求項第1項〜第7項のいずれかに記載の透明導電
性セラミックス被膜形成用塗布液。
8. The conductive material is tin oxide, antimony or tin oxide doped with fluorine or phosphorus, indium oxide, indium oxide doped with tin or fluorine, and any one of claims 1 to 7. A coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film as described in 1.
【請求項9】基材と、この基材上に請求項第1項〜第8
項のいずれかに記載の透明導電性セラミックス被膜形成
用塗布液を用いて形成された透明導電性セラミックス被
膜とからなり、表面抵抗が103〜1011Ω/□であり、全
光線透過率が85%以上であり、ヘーズが10%以下である
ことを特徴とする透明導電性セラミックス被膜付基材。
9. A base material, and claims 1 to 8 on the base material.
Which comprises a transparent conductive ceramics film formed by using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film according to any one of 1 to 3 , and has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □ and a total light transmittance of A substrate with a transparent conductive ceramics coating, which is 85% or more and has a haze of 10% or less.
【請求項10】基材と、この基材上に請求項第1項〜第
8項のいずれかに記載の透明導電性セラミックス被膜形
成用塗布液を用いて形成された透明導電性セラミックス
被膜とからなり、表面抵抗が103〜1011Ω/□であり、
光沢度が30〜100%であることを特徴とする透明導電性
セラミックス被膜付基材。
10. A substrate, and a transparent conductive ceramics film formed on the substrate using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film according to any one of claims 1 to 8. And has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □,
A substrate with a transparent conductive ceramics coating, which has a glossiness of 30 to 100%.
【請求項11】請求項第9項または第10項の透明導電性
セラミックス被膜付基材において、透明導電性セラミッ
クス被膜のうえに、透明保護膜が形成されていることを
特徴とする透明導電性セラミックス被膜付基材。
11. The transparent conductive ceramic coating according to claim 9 or 10, wherein a transparent protective film is formed on the transparent conductive ceramic coating. Base material with ceramic coating.
【請求項12】請求項第1項〜第8項のいずれかに記載
の透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液を、予め40
〜90℃に加熱保持された基材に塗布した後、乾燥および
/または焼成したことを特徴とする透明導電性セラミッ
クス被膜付基材の製造方法。
12. The coating liquid for forming a transparent conductive ceramics coating according to claim 1, which is 40 times in advance.
A method for producing a substrate with a transparent conductive ceramics coating, which comprises drying and / or firing after applying to a substrate heated and maintained at a temperature of up to 90 ° C.
【請求項13】請求項第1項〜第8項のいずれかに記載
の透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液を用いて透
明導電性セラミックス被膜を基材上に形成するに際し
て、基材への塗布工程、塗膜の乾燥工程、塗膜の
焼成工程の少なくとも1つの工程後および/または工程
中に、可視光線より波長が短い電磁波を塗膜に照射する
ことを特徴とする透明導電性セラミックス被膜付基材の
製造方法。
13. When forming a transparent conductive ceramics film on a substrate using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film according to any one of claims 1 to 8, A transparent conductive ceramic coating film, characterized in that the coating film is irradiated with an electromagnetic wave having a wavelength shorter than visible light after and / or at least one of the coating process, the coating film drying process and the coating film baking process. Of manufacturing a coated substrate.
【請求項14】請求項第1項〜第8項のいずれかに記載
の透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液を用いて透
明導電性セラミックス被膜を基材上に形成した後、基材
の少なくとも被膜面を、予め40〜90℃に加熱保持し、被
膜の上に透明保護膜形成用塗布液を塗布した後、乾燥お
よび/または焼成したことを特徴とする透明導電性セラ
ミックス被膜付基材の製造方法。
14. A transparent conductive ceramics film is formed on a base material using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film according to claim 1, and then at least the base material is formed. A substrate having a transparent conductive ceramics coating, characterized in that the coating surface is preliminarily heated and maintained at 40 to 90 ° C., a coating solution for forming a transparent protective film is applied on the coating, and then dried and / or baked. Production method.
【請求項15】請求項第1項〜第8項のいずれかに記載
の透明導電性セラミックス被膜形成用塗布液を用いて透
明導電性セラミックス被膜を基材上に形成し、次いでこ
の被膜上に透明保護膜を形成するに際して、透明保護
膜形成用塗布液の塗布工程、透明保護膜の乾燥工程、
透明保護膜の焼成工程の少なくとも1つの工程後およ
び/または工程中に、可視光線より波長が短い電磁波を
透明保護膜に照射することを特徴とする透明導電性セラ
ミックス被膜付基材の製造方法。
15. A transparent conductive ceramics coating film is formed on a substrate by using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics coating film according to any one of claims 1 to 8, and then on this coating film. When forming the transparent protective film, the step of applying the coating liquid for forming the transparent protective film, the step of drying the transparent protective film,
A method for producing a substrate with a transparent conductive ceramic coating, comprising irradiating the transparent protective film with an electromagnetic wave having a wavelength shorter than visible light after and / or during at least one step of baking the transparent protective film.
【請求項16】基材と、この基材上に請求項第1項〜第
8項のいずれかに記載の透明導電性セラミックス被膜形
成用塗布液を用いて形成された透明導電性セラミックス
被膜とからなり、表面抵抗が103〜1011Ω/□であり、
全光線透過率が85%以上であり、ヘーズが10%以下であ
り、解像度が50本/cm以上である透明導電性セラミック
ス被膜付基材からなることを特徴とする表示装置用前面
板。
16. A base material, and a transparent conductive ceramics film formed on the base material by using the coating liquid for forming the transparent conductive ceramics film according to any one of claims 1 to 8. And has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □,
A front plate for a display device, which comprises a transparent conductive ceramics-coated substrate having a total light transmittance of 85% or more, a haze of 10% or less, and a resolution of 50 lines / cm or more.
【請求項17】基材と、この基材上に請求項第1項〜第
8項のいずれかに記載の透明導電性セラミックス被膜形
成用塗布液を用いて形成された透明導電性セラミックス
被膜とからなり、表面抵抗が103〜1011Ω/□であり、
光沢度が30〜100%であり、解像度が50本/cm以上である
透明導電性セラミックス被膜付基材からなることを特徴
とする表示装置用前面板。
17. A base material, and a transparent conductive ceramics film formed on the base material by using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film according to any one of claims 1 to 8. And has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □,
A front plate for a display device, which is made of a substrate having a transparent conductive ceramics coating and having a glossiness of 30 to 100% and a resolution of 50 lines / cm or more.
【請求項18】請求項第16項または第17項に記載の透明
導電性セラミックス被膜付基材において、前記透明導電
性セラミックス被膜のうえに透明保護膜が形成された基
材からなることを特徴とする表示装置用前面板。
18. The base material with a transparent conductive ceramics film according to claim 16 or 17, wherein the base material has a transparent protective film formed on the transparent conductive ceramics film. Front plate for display device.
【請求項19】基材と、この基材上に請求項第1項〜第
8項のいずれかに記載の透明導電性セラミックス被膜形
成用塗布液を用いて形成された透明導電性セラミックス
被膜とからなり、表面抵抗が103〜1011Ω/□であり、
全光線透過率が85%以上であり、ヘーズが10%以下であ
る透明導電性セラミックス被膜付基材からなることを特
徴とする複写機用天板ガラス。
19. A substrate, and a transparent conductive ceramics film formed on the substrate using the coating liquid for forming a transparent conductive ceramics film according to any one of claims 1 to 8. And has a surface resistance of 10 3 to 10 11 Ω / □,
A top glass for a copying machine, which is made of a transparent conductive ceramics coated substrate having a total light transmittance of 85% or more and a haze of 10% or less.
【請求項20】請求項第19項に記載の透明導電性セラミ
ックス被膜付基材において、前記透明導電性セラミック
ス被膜のうえに透明保護膜が形成された基材からなるこ
とを特徴とする複写機用天板ガラス。
20. The copying machine according to claim 19, which comprises a substrate having a transparent protective film formed on the transparent conductive ceramics film. Top glass for use.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS56165205A (en) * 1980-05-22 1981-12-18 Mitsubishi Petrochemical Co Electrically insulating oil

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