JP2505390B2 - Differential amplifier circuit - Google Patents
Differential amplifier circuitInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、MOSFET(絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタ)によって構成された差動増幅回路に関するもの
で、例えば、高周波数の画像信号を2値パターン信号に
変換するために用いられる差動増幅回路に利用して有効
な技術に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a differential amplifier circuit composed of MOSFETs (insulated gate field effect transistors), and for example, converts a high-frequency image signal into a binary pattern signal. The present invention relates to a technique effectively used for a differential amplifier circuit used to do so.
差動増幅回路は、それに含まれるところのペア素子の
特性が製造条件のバラツキ等によって互いに一致しない
ために、同じ値の入力信号が供給されてもある値の出力
電圧を形成してしまうというオフセットを持っている。
このような差動増幅回路におけるオフセットを調整する
ための回路として、その負荷としての抵抗手段をトリミ
ングすること等が考えられるが、回路が複雑になること
の他、素子特性の経時的な変化に対しては対応できない
等の問題を有するものである。In a differential amplifier circuit, the characteristics of pair elements included in the differential amplifier circuit do not match each other due to variations in manufacturing conditions, etc., and therefore an offset voltage that forms an output voltage of a certain value even if an input signal of the same value is supplied. have.
As a circuit for adjusting the offset in such a differential amplifier circuit, trimming a resistance means as its load may be considered. However, in addition to complicating the circuit, a change in element characteristics over time may occur. On the other hand, it has a problem that it cannot deal with it.
なお、MOSFETによって構成された差動増幅回路は、19
77年11月20日に(株)エレクトロニクスダイジェストよ
り発行された『MOS/LSI設計と応用』のP.259〜P.261に
記載されている。The differential amplifier circuit composed of MOSFETs is
It is described on pages 259 to 261 of "MOS / LSI Design and Application" issued by Electronics Digest, Inc. on November 20, 1977.
この発明の目的は、簡単な回路構成によって、低オフ
セット化を実現した差動増幅回路を提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a differential amplifier circuit that realizes a low offset with a simple circuit configuration.
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴
は、この明細書の記述および添付図面から明らかになる
であろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記の通りである。すなわち、
差動増幅MOSFETの負荷回路としてその一部を構成し、そ
のゲートに制御電圧が供給される可変インピーダンス手
段としてのMOSFETを用い、上記差動増幅MOSFETに同じ入
力電圧を供給して、上記可変インピーダンス手段として
のMOSFETのインピーダンスをアンバランスとして強制的
に一方向にオフセットを発生させておいて、オフセット
が少なくなる方向に一方のMOSFETのゲートに供給される
制御電圧を変化させ、上記差動増幅回路におけるオフセ
ット電圧の極性が反転した時点で上記一方のMOSFETのゲ
ートに供給される制御電圧の変化を停止させることによ
って、オフセットをキャンセルさせるものである。The outline of a typical one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is,
A part of the load circuit of the differential amplification MOSFET is configured, and the same input voltage is supplied to the differential amplification MOSFET by using the MOSFET as the variable impedance means whose control voltage is supplied to the gate. The impedance of the MOSFET as a means is unbalanced, and an offset is forcibly generated in one direction, and the control voltage supplied to the gate of one of the MOSFETs is changed in the direction in which the offset is reduced, and the differential amplifier circuit The offset is canceled by stopping the change of the control voltage supplied to the gate of the one MOSFET at the time when the polarity of the offset voltage in (1) is reversed.
第1図には、この発明の一実施例のブロック図が示さ
れている。同図の各回路ブロックは、公知の半導体集積
回路の製造技術によって、特に制限されないが、単結晶
シリコンのような半導体基板上において形成される。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. Although not particularly limited, each circuit block shown in the figure is formed on a semiconductor substrate such as single crystal silicon by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique, though not particularly limited thereto.
特に制限されないが、この実施例の差動増幅回路Amp
は、その反転入力(−)と出力端子OUTとが接続された
ボルテージフォロワ回路を構成する。上記差動増幅回路
Ampのオフセットをキャンセルさせるため、上記差動増
幅回路Ampの非反転入力(+)には、スイッチSWによっ
て入力端子INと基準電圧Vrefとに切り換えられる。ま
た、この基準電圧Vrefと上記差動増幅回路Ampの出力端
子OUTの信号とは、電圧比較回路VCによって比較され
る。この電圧比較回路VCの出力信号は、上記差動増幅回
路Ampに供給されるオフセットキャンセル用のタイミン
グ信号CK1〜CK3を制御するパルス制御回路PCの制御信号
として用いられる。Although not particularly limited, the differential amplifier circuit Amp of this embodiment
Form a voltage follower circuit in which the inverting input (-) and the output terminal OUT are connected. The differential amplifier circuit
In order to cancel the offset of Amp, the non-inverting input (+) of the differential amplifier circuit Amp is switched between the input terminal IN and the reference voltage Vref by the switch SW. The reference voltage Vref and the signal at the output terminal OUT of the differential amplifier circuit Amp are compared by the voltage comparison circuit VC. The output signal of the voltage comparison circuit VC is used as a control signal of the pulse control circuit PC that controls the timing signals CK1 to CK3 for offset cancellation supplied to the differential amplifier circuit Amp.
第2図には、上記差動増幅回路Ampの一実施例の回路
図が示されている。特に制限されないが、この実施例の
差動増幅回路Ampは、PチャンネルMOSFETとNチャンネ
ルMOSFETとからなるCMOS回路により構成される。FIG. 2 shows a circuit diagram of an embodiment of the differential amplifier circuit Amp. Although not particularly limited, the differential amplifier circuit Amp of this embodiment is composed of a CMOS circuit including a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET.
すなわち、差動増幅MOSFETQ2とQ3とは、Pチャンネル
MOSFETにより構成され、その共通ソースと正の電源電圧
Vccとの間には、そのゲートに一定のバイアス電圧VB1が
供給されることによって、定電流動作を行うPチャンネ
ルMOSFETQ1が設けられる。That is, the differential amplification MOSFETs Q2 and Q3 are P-channel
Composed of MOSFET, its common source and positive supply voltage
A P-channel MOSFET Q1 which performs a constant current operation is provided between Vcc and Vcc by supplying a constant bias voltage VB1 to its gate.
上記差動増幅MOSFETQ2とQ3のドレインには、負荷回路
を構成するNチャンネルMOSFETQ4とQ6とが設けられる。
これらのMOSFETQ4,Q6は、電流ミラー形態にされること
によって、アクティブ負荷回路を構成する。また、上記
MOSFETQ4,Q6には、オフセットキャンセルを行うための
可変インピーダンス手段としてのNチャンネルMOSFETQ5
とQ7がそれぞれ並列形態に設けられる。これらのMOSFET
Q5,Q7のゲートには、後述する制御電圧を保持するため
のキャパシタC1,C2が設けられる。上記MOSFETQ5,Q7のゲ
ートには、それぞれタイミング信号CK1,CK2を受けて動
作する伝送ゲートMOSFETQ9,Q10を介して制御電圧VB2とV
B3が供給される。なお、上記MOSFETQ5とQ6のコンダクタ
ンス特性を等しくした場合には、上記一方の制御電圧VB
3は、VB2よりも絶対値的に大きく設定される。さらに、
上記キャパシタC2には、タイミング信号CK3を受けて動
作するリセット用のMOSFETQ8が設けられている。N-channel MOSFETs Q4 and Q6 forming a load circuit are provided at the drains of the differential amplification MOSFETs Q2 and Q3.
These MOSFETs Q4 and Q6 form an active load circuit by forming a current mirror form. Also,
The MOSFETs Q4 and Q6 are N-channel MOSFET Q5 as a variable impedance means for performing offset cancellation.
And Q7 are provided in parallel respectively. These MOSFETs
The gates of Q5 and Q7 are provided with capacitors C1 and C2 for holding a control voltage described later. The gates of the above MOSFETs Q5 and Q7 receive control signals VB2 and V2 via transmission gate MOSFETs Q9 and Q10 which operate by receiving timing signals CK1 and CK2, respectively.
B3 is supplied. When the conductance characteristics of the MOSFETs Q5 and Q6 are made equal, one control voltage VB
3 is set to be larger in absolute value than VB2. further,
The capacitor C2 is provided with a resetting MOSFET Q8 which operates by receiving the timing signal CK3.
この実施例の差動増幅回路におけるオフセットキャン
セル動作を第3図に示したタイミング図に従って説明す
る。The offset cancel operation in the differential amplifier circuit of this embodiment will be described with reference to the timing chart shown in FIG.
差動増幅回路が増幅動作を行う前に先立って、次のよ
うなオフセットキャンセル動作が行われる。すなわち、
第1図において差動増幅回路Ampの非反転入力(+)に
は、基準電圧Vrefが供給される。そして、第2図におい
てタイミング信号CK1のハイレベルMOSFTQ9をオン状態に
してキャパシタC1に制御電圧VB2を供給する。また、タ
イミング信号CK2のハイレベルによりMOSFETQ10をオン状
態にして制御電圧VB3を供給するとともに、タイミング
信号CK3のハイレベルによりMOSFETQ8をオン状態にし
て、キャパシタC2をリセット状態にさせる。Before the differential amplifier circuit performs the amplifying operation, the following offset canceling operation is performed. That is,
In FIG. 1, the reference voltage Vref is supplied to the non-inverting input (+) of the differential amplifier circuit Amp. Then, in FIG. 2, the high level MOSFTQ9 of the timing signal CK1 is turned on to supply the control voltage VB2 to the capacitor C1. Further, the high level of the timing signal CK2 turns on the MOSFET Q10 to supply the control voltage VB3, and the high level of the timing signal CK3 turns on the MOSFET Q8 to reset the capacitor C2.
次に、上記タイミング信号CK2をハイレベルのままと
して他のタイミング信号CK1とCK3をロウレベルにする
と、MOSFETQ9とQ8とがオフ状態になる。これにより、一
方のキャパシタC1には、上記制御電圧VB2が保持され、
他方キャパシタC2には、MOSFETQ10を通して制御電圧VB3
により充電が開始される。したがって、この時にはMOSF
ETQ5のインピーダンス特性がMOSFETQ7に比べて小さくな
っているので、例えば、出力電圧Voutは基準電圧Vrefに
対して負のオフセット電圧を持つようにされ、上記キャ
パシタC2への充電動作とともに徐々に小さくなる。両者
がほゞ一致したことを電圧比較回路VCの反転動作により
検出して、上記タイミング信号CK2をハイレベルからロ
ウレベルに変化させる。これにより、MOSFETQ10がオフ
状態になるので、その時の制御電圧、言い換えるなら
ば、オフセットが生じないような制御電圧がキャパシタ
C2に保持される。Next, when the timing signal CK2 remains at the high level and the other timing signals CK1 and CK3 are brought to the low level, the MOSFETs Q9 and Q8 are turned off. As a result, the control voltage VB2 is held in the one capacitor C1,
On the other hand, the control voltage VB3
Will start charging. Therefore, at this time MOSF
Since the impedance characteristic of the ETQ5 is smaller than that of the MOSFET Q7, for example, the output voltage Vout is made to have a negative offset voltage with respect to the reference voltage Vref, and gradually becomes smaller as the capacitor C2 is charged. It is detected by the inversion operation of the voltage comparison circuit VC that the two substantially match, and the timing signal CK2 is changed from the high level to the low level. As a result, the MOSFET Q10 is turned off, and the control voltage at that time, in other words, the control voltage that does not cause an offset, is applied to the capacitor.
Held in C2.
このようなオフセットキャンセル動作の後、差動増幅
回路Ampの非反転入力(+)には、入力端子IN側に接続
され、増幅すべき入力信号が供給される。After such an offset cancel operation, the non-inverting input (+) of the differential amplifier circuit Amp is connected to the input terminal IN side and the input signal to be amplified is supplied.
上記キャパシタC1,C2の保持された制御電圧は、その
リーク電流によって変化するので、一定の周期により上
記同様なオフセットキャンセル動作が行われる。特に制
限されないが、この実施例の差動増幅回路を高速ファク
シミリにおける画像信号を2値化する回路に使用した場
合には、ラインフィード後の信号を伝送しない時間領域
を利用して上記オフセットキャンセル動作が行われる。Since the control voltage held by the capacitors C1 and C2 varies depending on the leak current, the offset cancel operation similar to the above is performed at a constant cycle. Although not particularly limited, when the differential amplifier circuit of this embodiment is used in a circuit for binarizing an image signal in a high speed facsimile, the offset canceling operation is performed by utilizing a time domain in which a signal after line feed is not transmitted. Is done.
(1)可変インピーダンス手段により差動増幅回路の負
荷をアンバランス状態にしておいて、それを修正する方
向に一方の可変インピーダンス手段を制御して、オフセ
ットがキャンセルされた時点でその可変インピーダンス
手段の制御電圧のキャパシタに保持させることにより、
差動増幅回路の低オフセット化を実現することができる
という効果が得られる。(1) The load of the differential amplifier circuit is brought into an unbalanced state by the variable impedance means, one variable impedance means is controlled in a direction to correct it, and when the offset is canceled, the variable impedance means By holding the control voltage capacitor,
The effect that the offset of the differential amplifier circuit can be reduced can be obtained.
(2)一定周期毎に可変インピーダンス手段を用いて、
オフセットキャンセル動作を行わせることにより、差動
増幅回路における経時的な特性のバラツキにより生じる
オフセットをもキャンセルさせることができるという効
果が得られる。(2) By using the variable impedance means for every fixed period,
By performing the offset cancel operation, it is possible to obtain an effect that it is possible to cancel the offset caused by the variation in the characteristics over time in the differential amplifier circuit.
(3)可変インピーダンス手段としてのMOSFETと、その
制御電圧を保持するキャパシタと、及び電圧比較回路、
タイミング発生回路等のような簡単な回路により低オフ
セット化を実現できるという効果が得られる。(3) MOSFET as variable impedance means, a capacitor for holding its control voltage, and a voltage comparison circuit,
The effect that a low offset can be realized by a simple circuit such as a timing generation circuit is obtained.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、第1図の実
施例回路において、差動増幅回路Ampは、オフセットキ
ャンセル動作の時のみ、その反転入力(−)と出力端子
OUTを接続してボルテージフォロワ形態にするものであ
ってもよい。このようにボルテージフォロワ状態にする
と、その入力基準電圧Vrefと出力電圧Voutを比較ことに
よってオフセットの有無を簡単に識別することができ
る。また、第2図のMOSFETの導電型は全て逆にするもの
であってもよい。また、NチャンネルMOSFET又はPチャ
ンネルMOSFETのみによって構成するものであってもよ
い。さらに、差動増幅素子は、上記MOSFETの他バイポー
ラトランジスタを用いるものであってもよい。そして、
差動増幅回路における負荷回路は、上記電流ミラー回路
を利用したアクティブ負荷の他、固定抵抗又は抵抗手段
としてのMOSFET等を用いるものであってもよい。そし
て、可変インピーダンス手段としての上記MOSFETQ5,Q7
は、予め異なるコンダクタンス特性としておいて、同じ
制御電圧を供給するようにするものであってもよい。ま
た、予め固定インピーダンスによる上記負荷回路にオフ
セットを持たせておいて、一方に上記可変インピーダン
ス手段を設けるものであってもよい。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above-mentioned embodiments and can be variously modified without departing from the scope of the invention. Nor. For example, in the embodiment circuit of FIG. 1, the differential amplifier circuit Amp has its inverting input (-) and output terminal only during the offset cancel operation.
The OUT may be connected to form a voltage follower. When the voltage follower state is set in this way, the presence or absence of an offset can be easily identified by comparing the input reference voltage Vref and the output voltage Vout. Further, the conductivity types of the MOSFETs in FIG. 2 may be all reversed. Further, it may be configured by only the N-channel MOSFET or the P-channel MOSFET. Further, the differential amplifier element may use a bipolar transistor other than the above MOSFET. And
The load circuit in the differential amplifier circuit may use a fixed resistor or a MOSFET as a resistance means in addition to the active load using the current mirror circuit. Then, the MOSFETs Q5 and Q7 as the variable impedance means.
May have different conductance characteristics in advance to supply the same control voltage. Further, the load circuit having a fixed impedance may be provided with an offset in advance, and the variable impedance means may be provided on one side.
この発明は、差動増幅回路として広く利用でき、特に
低オフセットが要求されるA/D,D/A変換回路、又はファ
クシミリ装置における画像信号の2値化回路等に利用し
て有効な効果を奏するものである。INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used as a differential amplifier circuit, and is particularly effective when applied to an A / D, D / A conversion circuit that requires a low offset, or an image signal binarization circuit in a facsimile machine. It plays.
第1図は、この発明の一実施例を示すブロック図、 第2図は、上記第1図における差動増幅回路の一実施例
を示す回路図、 第3図は、そのオフセットキャンセル動作の一例を説明
するためのタイミング図である。 Amp……差動増幅回路、VC……電圧比較回路、PC……タ
イミング制御回路FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the differential amplifier circuit in FIG. 1, and FIG. 3 is an example of its offset canceling operation. FIG. 6 is a timing chart for explaining the above. Amp: Differential amplifier circuit, VC: Voltage comparison circuit, PC: Timing control circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多々内 允晴 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 建岡 正行 小平市上水本町1479番地 日立マイクロ コンピユータエンジニアリング株式会社 内 (56)参考文献 特開 昭54−64955(JP,A) 特開 昭57−38064(JP,A) 特開 昭57−65907(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiharu Tatari 4026 Kujimachi, Hitachi City Hitachi Ltd. Hitachi Research Laboratory (72) Inventor Masayuki Tateoka 1479 Kamimizumoto Town, Kodaira Hitachi Micro Computer Engineering Incorporated (56) References JP-A-54-64955 (JP, A) JP-A-57-38064 (JP, A) JP-A-57-65907 (JP, A)
Claims (1)
増幅MOSFETと、 これらの差動増幅MOSFETのドレインに設けられ、抵抗手
段と並列形態に設けられ、そのゲートに第1と第2のス
イッチMOSFETを介して第1と第2の電圧が供給されて可
変インピーダンス手段として動作する第1と第2の負荷
MOSFETとからなる負荷回路と、 上記第1と第2の負荷MOSFETのゲートに設けられて電圧
保持動作を行う第1と第2のキャパシタと、 上記第2の負荷MOSFETのゲートとソースとの間に設けら
れた第3のスイッチMOSFETとを含む増幅部と、 ファクシミリにおけるラインフィード以外の上記入力信
号が供給されない時間領域において動作され、 上記増幅部をボルテージフォロワ形態にして、その入力
端子に基準電圧を供給するとともに、上記第1と第3の
スイッチMOSFETをオン状態にして上記第1と第2の負荷
MOSFETとそれに対応した上記抵抗手段との合成のインピ
ーダンスをアンバランス状態にする第1の動作と、 上記オン状態にされていた第1と第3のスイッチMOSFET
をオフ状態にして、上記第2のスイッチMOSFETをオン状
態にして上記基準電圧に対して出力電圧の差が少なくな
る方向に上記第2の負荷MOSFETのゲートに供給される電
圧を変化させる第2の動作と、 上記基準電圧と増幅部の出力電圧とを比較してその比較
出力信号が一方のレベルから他方のレベルに反転した時
点で上記第2のスイッチMOSFETをオフ状態にして、その
ときのゲート電圧をキャパシタに保持させる第3の動作
とを行うオフセット調整回路を備えてなることを特徴と
する差動増幅回路。1. A differential amplification MOSFET for amplifying a facsimile image input signal, a drain of each of these differential amplification MOSFETs, and a parallel arrangement with a resistance means. First and second switch MOSFETs are provided at their gates. First and second loads that are supplied with first and second voltages via the terminals and operate as variable impedance means
Between a load circuit including a MOSFET, first and second capacitors provided in the gates of the first and second load MOSFETs and performing a voltage holding operation, and between the gate and the source of the second load MOSFET. And an amplifying section including a third switch MOSFET provided at the time of operation and in the time region where the input signal other than the line feed in the facsimile is not supplied, the amplifying section is made into a voltage follower form, and a reference voltage is applied to its input terminal. Is supplied, and the first and third switch MOSFETs are turned on to supply the first and second loads.
A first operation for making the combined impedance of the MOSFET and the corresponding resistance means unbalanced, and the first and third switch MOSFETs that have been turned on.
Is turned off, the second switch MOSFET is turned on, and the voltage supplied to the gate of the second load MOSFET is changed so that the difference in the output voltage from the reference voltage decreases. And the reference voltage and the output voltage of the amplifier are compared, and when the comparison output signal is inverted from one level to the other level, the second switch MOSFET is turned off, and A differential amplifier circuit comprising an offset adjusting circuit that performs a third operation of holding a gate voltage in a capacitor.
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---|---|---|---|
JP59096524A JP2505390B2 (en) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | Differential amplifier circuit |
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ID=14167524
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JP59096524A Expired - Lifetime JP2505390B2 (en) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | Differential amplifier circuit |
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JP6520062B2 (en) * | 2014-11-14 | 2019-05-29 | 富士電機株式会社 | Amplifier and offset voltage correction method |
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1984
- 1984-05-16 JP JP59096524A patent/JP2505390B2/en not_active Expired - Lifetime
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