JP2504737B2 - Pressure sensor unit - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用し
て圧力を電気信号に変換する圧力センサユニットの構造
に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a structure of a pressure sensor unit that converts pressure into an electric signal by utilizing a piezoresistive effect of a semiconductor diffusion resistance.
近年、IC製造技術の発達とあいまって、単結晶シリコ
ンチップの表面に半導体拡散抵抗を形成し、該半導体拡
散抵抗をひずみゲージとして利用するダイヤフラム型半
導体圧力センサチップを有する圧力センサユニットが作
られる様になった。前記圧力センサユニットは、導体又
は半導体に加えられた外力の応力によって電気抵抗が変
化するというピエゾ抵抗効果を使用したもので、前記ひ
ずみゲージをブリッジ型回路に構成することにより圧力
変化を電気抵抗変化に変換し、さらにこれをブリッジ型
回路の電圧変化としてとられようとするもので、その性
能が従来の圧力計あるいは圧力電気変換器に比べ、非常
にすぐれているために、工業計測用、民生用と需要が増
えてきている。In recent years, along with the development of IC manufacturing technology, a pressure sensor unit having a diaphragm type semiconductor pressure sensor chip in which a semiconductor diffusion resistance is formed on the surface of a single crystal silicon chip and the semiconductor diffusion resistance is used as a strain gauge is made. Became. The pressure sensor unit uses the piezoresistive effect that the electric resistance changes due to the stress of an external force applied to the conductor or the semiconductor, and the strain gauge is configured in a bridge type circuit to change the electric resistance due to the pressure change. It is intended to be taken as a voltage change in a bridge-type circuit, and its performance is far superior to that of conventional pressure gauges or pressure-electric converters. Business and demand are increasing.
第3図は、従来の半導体圧力センサチップを有する圧
力センサユニットの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a pressure sensor unit having a conventional semiconductor pressure sensor chip.
31は半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して圧力
を電気信号に変換するダイヤフラム型半導体圧力センサ
チップ、32は台座であり、例えば#7740ホウ硅酸塩ガラ
スで形成されており、ダイヤフラム型半導体圧力センサ
チップ31と台座32は気密に固着されている。34は気密端
子体、35は前記ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ
31の電源端子および出力端子となるステムで、ステム35
は封止ガラス36を使って気密端子体34に気密に固着され
ている。Reference numeral 31 is a diaphragm-type semiconductor pressure sensor chip that converts pressure into an electric signal by utilizing the piezoresistive effect of semiconductor diffusion resistance, and 32 is a pedestal, which is formed of, for example, # 7740 borosilicate glass, and is a diaphragm-type semiconductor. The pressure sensor chip 31 and the pedestal 32 are airtightly fixed. 34 is an airtight terminal body, 35 is the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip
Stem that is the power supply terminal and output terminal of 31
Is hermetically fixed to the hermetic terminal body 34 using a sealing glass 36.
以上の様なステム35が固着された気密端子体34と、ダ
イヤフラム型半導体圧力センサチップ31が固着された台
座32は気密に固着され、さらにダイヤフラム型半導体圧
力センサチップ31とステム35間はワイヤボンドにより電
気的に接続されている。The airtight terminal body 34 to which the stem 35 is fixed and the pedestal 32 to which the diaphragm-type semiconductor pressure sensor chip 31 is fixed are airtightly fixed, and the diaphragm-type semiconductor pressure sensor chip 31 and the stem 35 are wire-bonded. Are electrically connected by.
37は硬化後ゲルの状態となるポッティング樹脂で、ダ
イヤフラム型半導体圧力センサチップ31上で硬化されて
ゲル状となり、ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ
31の電気的、機械的保護を行なっている。37 is a potting resin that turns into a gel state after curing. It is cured on the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 to become a gel, and the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip
Provides 31 electrical and mechanical protection.
33はダイヤフラム型半導体圧力センサチップ31や内部
実装部分を機械的に保護するための、圧力導入パイプ33
a付きのキャップで、ダイヤフラム型半導体圧力センサ
チップ31とステム35間がワイヤボンドにより電気的に接
続され、さらにポッティング樹脂37でダイヤフラム型半
導体圧力センサチップ31を覆った後、気密端子体34に気
密に固着され、こうして相対圧(差圧)型の圧力センサ
ユニット30が構成されている。33 is a pressure introducing pipe 33 for mechanically protecting the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 and the internal mounting part.
With the cap with a, the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 and the stem 35 are electrically connected by wire bond, and after covering the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 with the potting resin 37, the airtight terminal body 34 is sealed. The pressure sensor unit 30 of the relative pressure (differential pressure) type is thus configured.
38は図示されていない圧力測定装置の回路基板、39は
ハンダであり、圧力センサユニット30は一般にハンダ39
を使って回路基板38に固着され、図示されていない圧力
測定装置の回路と電気的に接続される。40はチューブで
あって、ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ31を有
する一般的な圧力センサユニット30は通常チューブ40を
使って圧力が印加される様になっている。38 is a circuit board of a pressure measuring device (not shown), 39 is solder, and the pressure sensor unit 30 is generally solder 39.
Is fixed to the circuit board 38 and is electrically connected to a circuit of a pressure measuring device (not shown). Reference numeral 40 is a tube, and the general pressure sensor unit 30 having the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 is adapted to normally apply pressure using the tube 40.
〔発明が解決しようとする問題点) しかしながら、以上の様な圧力センサユニット30の構
造の場合、ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ31の
拡散抵抗形成面31aが圧力媒体にさらされ、しかも圧力
センサチップ31の表面31aを覆っているゲル状のポッテ
ィング樹脂は粘着性があってゴミ等の不純物が付着しや
いので、圧力媒体は清浄な空気、又は清浄な非腐蝕性の
気体に限られ、圧力媒体として液体に適用することが出
来なかった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the case of the structure of the pressure sensor unit 30 as described above, the diffusion resistance forming surface 31a of the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 is exposed to the pressure medium, and the pressure sensor chip 31 Since the gel-like potting resin covering the surface 31a is sticky and impurities such as dust tend to adhere, the pressure medium is limited to clean air or clean non-corrosive gas. Could not be applied as a liquid.
しかし、前記圧力センサユニット30を水等の液体に適
した構造とする提案は、特許出願等に於いて行われてお
り、その主なるものを下記に示す。However, a proposal for making the pressure sensor unit 30 a structure suitable for a liquid such as water has been made in a patent application or the like, and the main ones are shown below.
拡散抵抗形成面31aの反対側の面31bを圧力媒体にさ
らす方法。A method of exposing a surface 31b opposite to the diffusion resistance forming surface 31a to a pressure medium.
拡散抵抗形成面31aの前面側に金属性のダイヤフラ
ムを設置し、一旦液体圧を金属性のダイヤフラムで受
け、シリコーンオイル等の中間圧力媒体を介してダイヤ
フラム型半導体圧力センサチップ31に圧力を伝達する方
法。A metal diaphragm is installed on the front surface side of the diffusion resistance forming surface 31a, the liquid pressure is temporarily received by the metal diaphragm, and the pressure is transmitted to the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 via an intermediate pressure medium such as silicone oil. Method.
という2つの方法があるが、の場合はダイヤフラム型
半導体圧力センサチップ31への圧力導入孔となる台座32
の穴部32aの大きさは、ダイヤフラム型半導体圧力セン
サチップ31の大きさによって決定されるため、あまり大
きくできず、不純物の混入する液体(例えば海水)中で
繰り返して使用してゆくと、穴部32aが不純物の付着に
よってふさがってしまうという欠点があり、の場合は
金属性のダイヤフラムを使用するということでその構造
が複雑になると共に、金属性のダイヤフラムの直線性を
考えた場合には金属性のダイヤフラムの直径を小さくで
きないため、圧力センサユニットの大きさも大きくなっ
てしまうという欠点を有していた。又、ダイヤフラム型
半導体圧力センサチップ31はその名の通り半導体拡散抵
抗を使用しているため、圧力センサチップ表面に光が当
るとpn接合とリークが起り、光が入る様な環境下、例え
ば太陽光下において圧力センサユニットを使用できない
という欠点を有していた。There are two methods, but in the case of, the pedestal 32 that serves as a pressure introduction hole to the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31.
Since the size of the hole portion 32a is determined by the size of the diaphragm-type semiconductor pressure sensor chip 31, it cannot be made very large, and if it is repeatedly used in a liquid containing impurities (for example, seawater), the hole There is a drawback that the portion 32a is blocked by the adhesion of impurities, and in the case of, the structure is complicated by using a metal diaphragm, and when the linearity of the metal diaphragm is considered, Since the diameter of the flexible diaphragm cannot be reduced, the size of the pressure sensor unit also becomes large. Further, since the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 31 uses a semiconductor diffusion resistor as its name suggests, if the surface of the pressure sensor chip is exposed to light, a pn junction and a leak occur, and the environment is such that light enters, such as the sun. It has the drawback that the pressure sensor unit cannot be used under light.
本発明の目的は、以上の様な問題点を解消させ、小型
で薄型の圧力媒体と使用環境の限定されることのない圧
力センサユニットを提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a small and thin pressure medium and a pressure sensor unit in which the use environment is not limited.
〔問題点を解決するための手段) 上記の目的を達成させるために、本発明は次の様な構
成としている。すなわち、有底状の第1凹部と該第1凹
部に連なって形成された開口状の第2凹部とを備えたパ
ッケージ、前記第1凹部の底部に固着された台座、該台
座上に固着された圧力センサチップよりなり、かつ前記
第一および第2凹部内にポッティング樹脂を充填してな
る圧力センサユニットにおいて、前記ポッティング樹脂
は圧力センサチップを包む第一層目をゲル状の樹脂と
し、第2層目をゴム状の樹脂とし、前記第1層目および
前記第2層目のポッティング樹脂のうち少なくとも一方
が黒色樹脂としている。[Means for Solving Problems] In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration. That is, a package including a bottomed first concave portion and an opening-shaped second concave portion connected to the first concave portion, a pedestal fixed to the bottom of the first concave portion, and a pedestal fixed to the pedestal. A pressure sensor chip, wherein the potting resin is filled with potting resin in the first and second recesses, the potting resin is a gel-like resin for the first layer enclosing the pressure sensor chip, The second layer is a rubber-like resin, and at least one of the first layer and the second layer potting resin is a black resin.
第1図は本発明の一実施例を示す圧力センサユニット
の要部断面図であって、圧力測定装置の外装への装着状
態を示しており、第2図は第1図の圧力センサユニット
を水深計として利用した応用例を示す水深計付ダイバー
ズウォッチの平面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a pressure sensor unit showing an embodiment of the present invention, showing a state in which a pressure measuring device is mounted on an exterior, and FIG. 2 shows the pressure sensor unit of FIG. It is a top view of a diver's watch with a depth gauge showing an application example used as a depth gauge.
1は半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して圧力
を電気信号に変換するダイヤフラム型半導体圧力センサ
チップ、2は台座であり、例えば#7740ホウ硅酸塩ガラ
スで、ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ1は台座
2上に気密に固着されている。3はパッケージであっ
て、有底状の第1凹部3aと第1凹部3aに連なって形成さ
れた第2凹部3bとを備え、第1凹部3aと第2凹部3bは圧
力導入側に開口部を有していて、第2凹部3bの開口部を
第1凹部3aの開口部より大径と成し、例えばセラミック
スから形成されており、前記台座2はパッケージ3の第
1凹部3aの底部に固着されている。なお、台座2とパッ
ケージ3の固着に当っては、ゴム系の接着剤、特にシリ
コーンゴムを使用すると、耐熱性、耐寒性にすぐれた材
料であり、適度な伸びを有し、かつ歪復元性にすぐれて
おり、振動や衝撃を吸収してしまう性質があるため、パ
ッケージ3からの熱ひずみ、あるいはパッケージ3の取
り付けや外力等に起因するパッケージそのものの機械的
ひずみといった様なダイヤフラム型半導体圧力センサチ
ップ1に対する圧力変位以外の応力をシリコーンゴムで
吸収することが可能となり、台座2の厚さを第3図の台
座32の厚さに比べ非常に薄くすることが可能となってい
る。1 is a diaphragm type semiconductor pressure sensor chip that converts pressure into an electric signal by utilizing the piezoresistive effect of semiconductor diffusion resistance, 2 is a pedestal, for example, # 7740 borosilicate glass, and diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 1 Is hermetically fixed on the base 2. Reference numeral 3 denotes a package, which has a bottomed first recessed portion 3a and a second recessed portion 3b formed continuously with the first recessed portion 3a, and the first recessed portion 3a and the second recessed portion 3b have openings on the pressure introducing side. And the opening of the second recess 3b has a larger diameter than the opening of the first recess 3a, and is made of, for example, ceramics, and the pedestal 2 is provided on the bottom of the first recess 3a of the package 3. It is fixed. When the pedestal 2 and the package 3 are fixed to each other, when a rubber-based adhesive, particularly silicone rubber is used, the material is excellent in heat resistance and cold resistance, has appropriate elongation, and has strain recovery property. Since it has excellent properties and absorbs vibrations and shocks, it is a diaphragm type semiconductor pressure sensor such as thermal strain from the package 3 or mechanical strain of the package itself due to mounting of the package 3 or external force. The stress other than the pressure displacement with respect to the chip 1 can be absorbed by the silicone rubber, and the thickness of the pedestal 2 can be made much thinner than the thickness of the pedestal 32 in FIG.
前記パッケージ3には図示されていないが、第1凹部
3aと第2凹部3bの界面3cとパッケージの下面3eにはパタ
ーンが形成されており、かつ界面3cと下面3eとは埋め込
み型のスルーホールで電気的に接続されており、界面3c
上のパターンと、ダイヤフラム型半導体圧力センサチッ
プ1のパターンをワイヤーボンドすることによりパッケ
ージ3内のダイヤフラム型半導体圧力センサチップ1と
の電気的信号の授受をパッケージ3の下面3eから行なう
構造となっている。Although not shown in the package 3, the first concave portion
A pattern is formed on the interface 3c between the third recess 3b and the lower surface 3e of the package and the lower surface 3e of the package, and the interface 3c and the lower surface 3e are electrically connected by a buried through hole.
By wire-bonding the above pattern and the pattern of the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 1 to each other, an electric signal is exchanged with the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 1 in the package 3 from the lower surface 3e of the package 3. There is.
4、5は黒色のポッティング樹脂であって、前記ダイ
ヤフラム型半導体圧力センサチップ1とパッケージ3と
がワイヤーボンドすることによって電気的に接続された
後、ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ1の表面に
充填硬化させ、圧力センサチップの表面の電気的、機械
的保護を行なっており、こうして圧力センサユニット10
が構成されている。ポッティング樹脂4は硬化後にゲル
の状態となる樹脂、例えばゲル状のシリコーンゴムであ
り、ポッティング樹脂5は硬化後にゴム状となる樹脂、
例えばゴム状のシリコーンゴムである。すなわち、その
物性から圧力損失が零となるゲル状の樹脂には粘着性が
あり、ゴミ等の不純物が付着しやすいため、本発明では
第1層目にゲル状の樹脂4、第2層目にゴム状の樹脂を
使用している。なお、本実施例ではポッティング樹脂
4、5はいずれも黒色の場合を示したが、少なくとも一
方が黒色であれば良く、ゴム状の樹脂5は薄ければ薄い
ほど良い。4 and 5 are black potting resins, which are electrically connected by wire-bonding the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 1 and the package 3 and then filled and cured on the surface of the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 1. The surface of the pressure sensor chip is protected electrically and mechanically.
Is configured. The potting resin 4 is a resin that becomes a gel state after curing, for example, a gel-like silicone rubber, and the potting resin 5 is a resin that becomes a rubber state after curing,
For example, it is a rubber-like silicone rubber. That is, since the gel-like resin having a pressure loss of zero due to its physical properties has adhesiveness and impurities such as dust are likely to adhere to the gel-like resin, in the present invention, the gel-like resin 4 is used as the first layer and the second layer is used as the second layer. The rubber-like resin is used for. Although the potting resins 4 and 5 are black in this embodiment, at least one of them is black, and the thinner the rubber-like resin 5, the better.
7は樹脂リング、例えばデルリン、テフロン等から構
成されている。8は圧力測定装置の外装、例えば第2図
に示した水深計付ダイバーズウォッチの外装で、外装8
には凹型状の段部8aが設けられている。前記樹脂リング
7は前記外装8の段部8aの内周部8bに配設され、さら
に、圧力センサユニット10はパッケージ3の外周部3dが
樹脂リング7を圧縮する様に、樹脂リング7の内周部7a
に押し込まれ、外装8に固定されている。すなわち、外
装8の段部8aの内周部8bとパッケージ3の外周部3dによ
って樹脂リング7が圧縮されるため、こうして圧力セン
サユニット10は外装8に固定されると共に、防水機能が
確保される様になっている。Reference numeral 7 is made of a resin ring such as Delrin or Teflon. Reference numeral 8 indicates the exterior of the pressure measuring device, for example, the exterior of the diver's watch with a depth gauge shown in FIG.
A recessed step portion 8a is provided in the. The resin ring 7 is disposed on the inner peripheral portion 8b of the stepped portion 8a of the exterior 8, and the pressure sensor unit 10 further includes an inner portion of the resin ring 7 so that the outer peripheral portion 3d of the package 3 compresses the resin ring 7. Circumference 7a
And is fixed to the exterior 8. That is, since the resin ring 7 is compressed by the inner peripheral portion 8b of the stepped portion 8a of the outer casing 8 and the outer peripheral portion 3d of the package 3, the pressure sensor unit 10 is thus fixed to the outer casing 8 and a waterproof function is secured. It has become like.
6は保護板で、例えば第2図の6aの様な形状の穴を有
しており、ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ1が
直接棒等で突っかれたり、又何らかの物体がポッティン
グ樹脂5にぶつからない様にするためのもので、以上の
様な危険のない時は省略しても良い。Reference numeral 6 denotes a protective plate having a hole having a shape as shown in 6a of FIG. 2, for example, so that the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip 1 is not directly struck by a rod or the like, or some object does not hit the potting resin 5. It is for the purpose of doing so and may be omitted when there is no danger as described above.
11はバネ、12は回路基板であって、圧力センサユニッ
ト10のパッケージ3の下面3eのパターンと回路基板12と
はバネ11を介して電気的に接続され、図示されていない
圧力測定装置の電気回路と電気的に接続される。Reference numeral 11 is a spring, and 12 is a circuit board. The pattern on the lower surface 3e of the package 3 of the pressure sensor unit 10 and the circuit board 12 are electrically connected via the spring 11, and an electric power of a pressure measuring device not shown. It is electrically connected to the circuit.
以上の様な圧力センサユニットの応用例が第2図の水
深計付ダイバーズウォッチであって、小型携帯機器への
応用を示す一実施例である。An application example of the pressure sensor unit as described above is the diver's watch with a water depth gauge shown in FIG. 2, which is an embodiment showing application to a small portable device.
14は液晶セル、15、16、17はプッシュボタンであり、
プッシュボタン17を押すことにより水深測定モードを呼
び出し、この時圧力センサユニット10が水圧を検出する
と液晶セル14には例えば「20m」といった様な水深を表
示できる様に構成されている。14 is a liquid crystal cell, 15, 16, and 17 are push buttons,
By pressing the push button 17, the water depth measurement mode is called up. At this time, when the pressure sensor unit 10 detects the water pressure, the liquid crystal cell 14 can display a water depth such as "20 m".
以上の実施例で明らかな様に、本発明によればダイヤ
フラム型半導体圧力センサチップがポッティング樹脂に
よって覆われるため、気体に限らず不純物を有する液体
の圧力測定が可能となり、圧力媒体の限定がなくなる。
又、金属性のダイヤフラムを使用しないため、構造が簡
単で、小型、薄形化が可能となり、コストダウンが図れ
るばかりか腕時計といった様な小型の携帯機器への使用
が可能となる。As is apparent from the above examples, according to the present invention, since the diaphragm type semiconductor pressure sensor chip is covered with the potting resin, it is possible to measure the pressure of not only the gas but also the liquid having impurities, and the pressure medium is not limited. .
Further, since the metal diaphragm is not used, the structure is simple, the size and thickness can be reduced, and not only the cost can be reduced but also the device can be used for a small portable device such as a wristwatch.
又、ポッティング樹脂として、すくなくとも一方は黒
色の樹脂を使用しているため、特に、気圧測定のような
太陽下にさらされる場合、あるいは水深計に使用すると
きのように水に潜る前に強い太陽光線の下にさらされる
場合のように、太陽光が入りやすい使用状態において
は、光によるリークを防止でき、光が入る様な環境下、
例えば太陽下においても圧力センサユニットを使用でき
るという効果をもっている。In addition, since at least one of the potting resins uses a black resin, at least one of them is exposed to the sun such as barometric pressure, or when it is exposed to the sun such as when using a water depth gauge. In a usage condition where sunlight is likely to enter, such as when exposed to light, it is possible to prevent leakage due to light, and in an environment where light enters,
For example, the pressure sensor unit can be used even under the sun.
第1図は本発明の一実施例を示す圧力センサユニットの
要部断面図、第2図は第1図の圧力センサユニットを水
深計として利用した応用例を示す水深計付ダイバーズウ
ォッチの平面図、第3図は従来の半導体圧力センサチッ
プを有する圧力センサユニットの断面図である。 1、31……ダイヤフラム型半導体圧力センサチップ、
2、32……台座、3……パッケージ、4……ゲル状のポ
ッティング樹脂、5……ゴム状のポッティング樹脂。FIG. 1 is a sectional view of a main part of a pressure sensor unit showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a diver's watch with a depth gauge showing an application example in which the pressure sensor unit of FIG. 1 is used as a depth gauge. FIG. 3 is a sectional view of a pressure sensor unit having a conventional semiconductor pressure sensor chip. 1, 31 ... Diaphragm type semiconductor pressure sensor chip,
2, 32 ... Pedestal, 3 ... Package, 4 ... Gel-like potting resin, 5 ... Rubber-like potting resin.
Claims (1)
て形成された第2凹部とを備え、前記第1凹部と第2凹
部は圧力導入側に開口部を有していて、前記第2凹部の
開口部を前記第1凹部の開口部より大径と成したパッケ
ージの、前記第1凹部の底部に固着された台座、該台座
上に固着された圧力センサチップよりなり、かつ前記第
1および第2凹部内にポッティング樹脂を充填してなる
圧力センサユニットにおいて、前記ポッティング樹脂は
圧力センサチップを包む第1層目をゲル状の樹脂とし、
第2層目をゴム状の樹脂とするとともに、前記第1層目
および前記第2層目のポッティング樹脂のうち少なくと
も一方が黒色樹脂であることを特徴とする圧力センサユ
ニット。1. A bottomed first concave portion and a second concave portion formed so as to be continuous with the first concave portion, wherein the first concave portion and the second concave portion have an opening on a pressure introducing side. And a pedestal fixed to the bottom of the first recess of a package in which the opening of the second recess has a larger diameter than the opening of the first recess, and a pressure sensor chip fixed to the pedestal. In the pressure sensor unit in which the potting resin is filled in the first and second recesses, the potting resin is a gel-like resin for the first layer wrapping the pressure sensor chip,
A pressure sensor unit, wherein the second layer is a rubber-like resin, and at least one of the first layer and the second layer potting resin is a black resin.
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JP60159531A JP2504737B2 (en) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | Pressure sensor unit |
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