JP2501691Z

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Publication number: JP2501691Z
Authority: JP
Publication date: 1998-09-03

Description

【考案の詳細な説明】（産業上の利用分野）本考案は、絶縁基板の表面に蛇行状の皮膜抵抗体を形成してなる高電圧用抵抗
器に関する。Description: TECHNICAL FIELD (Industrial application field) The present invention relates to a high-voltage resistor in which a meandering film resistor is formed on the surface of an insulating substrate.

（従来の技術）従来のこの種の高電圧用抵抗器は第４図に示すようにアルミナ等からなる絶縁
基板21の表面に蛇行状の皮膜抵抗体22が形成されるとともに、その皮膜抵抗体22
の両端に端子電極23,24が形成され、その外周面に外装樹脂25が施されたもので
ある。端子電極23,24にはリード端子26,27がそれぞれ接続されている。(Conventional Technology) In the conventional high-voltage resistor of this type, as shown in FIG. 4, a meandering film resistor 22 is formed on the surface of an insulating substrate 21 made of alumina or the like, and the film resistor is formed. twenty two
The terminal electrodes 23 and 24 are formed on both ends of the above, and the outer peripheral surface thereof is coated with the exterior resin 25. Lead terminals 26 and 27 are connected to the terminal electrodes 23 and 24, respectively.

このように構成された高電圧用抵抗器は、第５図および第６図に示すように、
絶縁ケース28内に収納され、絶縁基板21の表裏面に対向する位置に突出する一対
の支持体29,30によって外装樹脂25の上から挟持されて支持される。この絶縁ケ
ース28は、例えば高電圧用可変抵抗器や高電圧発生装置等を構成するものであり
、その内部には必要に応じて樹脂31が充填される。The high voltage resistor configured in this way is as shown in FIGS. 5 and 6.
It is housed in the insulating case 28 and is supported by being sandwiched from above the exterior resin 25 by a pair of supports 29 and 30 projecting at positions facing the front and back surfaces of the insulating substrate 21. The insulating case 28 constitutes, for example, a variable resistor for high voltage, a high voltage generator, and the like, and the inside thereof is filled with resin 31 as needed.

（考案が解決しようとする課題）上記のように構成された高電圧用抵抗器は、絶縁ケース28内の支持体29,30に
よって挟持されると、皮膜抵抗体22が絶縁基板21の全長にわたって同じパターンで形成されているため、皮膜抵抗体22の一部が外装樹脂25を介して一方の支
持体29と対向することになる。(Problem to be solved by the device) When the high-voltage resistor configured as described above is sandwiched by the supports 29 and 30 in the insulating case 28, the film resistor 22 extends over the entire length of the insulating substrate 21. Since they are formed in the same pattern, a part of the film resistor 22 faces one of the supports 29 via the exterior resin 25.

ところが、支持体２９と対向する位置の皮膜抵抗体２２は、高電位にあるため
、支持体２９の位置している絶縁ケース２８の外面側にアース電位が近付いたり
すると、支持体２９を介して沿面放電を生じるおそれがある。However, since the film resistor 22 at a position facing the support 29 has a high potential, when the ground potential approaches the outer surface side of the insulating case 28 where the support 29 is located, the film resistor 22 is passed through the support 29. There is a risk of creeping discharge.

本考案は、このような課題に鑑みてなされたものであって、外装樹脂の上から
支持体で挟持しても沿面放電の生じることのない高電圧用抵抗器を提供すること
を目的としている。The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a high-voltage resistor in which creeping discharge does not occur even if it is sandwiched between an exterior resin and a support. ..

（課題を解決するための手段）このような目的を達成するために、本考案の高電圧用抵抗器においては、支持
体によって挟持される位置の皮膜抵抗体をその支持体とは対向しないように位置
をずらせて形成したことを特徴としている。(Means for Solving the Problems) In order to achieve such an object, in the high voltage resistor of the present invention, the film resistor at the position sandwiched by the support should not face the support. It is characterized by being formed by shifting the position to.

（作用）支持体によって挟持される位置の皮膜抵抗体がその支持体とは対向しない位置
に形成されているため、支持体の位置している絶縁ケースの外面側にアース電位
が近付いても支持体を介して沿面放電が生じることはない。(Action) Since the film resistor at the position sandwiched by the support is formed at a position that does not face the support, it supports even if the earth potential approaches the outer surface side of the insulating case where the support is located. There is no creeping discharge through the body.

（実施例）以下、本考案の実施例を図面を参照して詳細に説明する。(Example) Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第１図において、アルミナ等からなる矩形状の絶縁基板１の表面には蛇行状の
皮膜抵抗体２が絶縁基板１の長手方向に沿って形成されている。この皮膜抵抗体
２は、絶縁基板１の長手方向中央部に位置する部分が絶縁基板１の長手方向に沿
う一方の端縁側にずらせて形成されている。そのため、絶縁基板１の長手方向中
央部には皮膜抵抗体２の形成されていない空白部３が形成されることになる。In FIG. 1, a meandering film resistor 2 is formed on the surface of a rectangular insulating substrate 1 made of alumina or the like along the longitudinal direction of the insulating substrate 1. The film resistor 2 is formed by shifting a portion of the insulating substrate 1 located at the center in the longitudinal direction to one end edge side along the longitudinal direction of the insulating substrate 1. Therefore, a blank portion 3 in which the film resistor 2 is not formed is formed in the central portion in the longitudinal direction of the insulating substrate 1.

絶縁基板１の長手方向に沿う一方の端縁にはその長手方向の両端部側に一対の
端子電極4,5が形成され、皮膜抵抗体２の両端がこの一対の端子電極4,5に接続さ
れている。この一対の端子電極4,5にはリード端子6,7がそれぞれ接続されている
。さらに、絶縁基板１の外周面には外装樹脂８が施されている。なお、外装樹脂
８を施すまえに、皮膜抵抗体２上にシリコン樹脂やガラス等の保護膜を形成して
おいてもよい。A pair of terminal electrodes 4,5 are formed on both ends of the insulating substrate 1 along the longitudinal direction, and both ends of the film resistor 2 are connected to the pair of terminal electrodes 4,5. Has been done. Lead terminals 6 and 7 are connected to the pair of terminal electrodes 4 and 5, respectively. Further, the outer peripheral surface of the insulating substrate 1 is coated with the exterior resin 8. Before applying the exterior resin 8, a protective film such as silicon resin or glass may be formed on the film resistor 2.

このように構成された高電圧用抵抗器は、第２図および第３図に示すように、
絶縁ケース９内に収納され、絶縁基板１の表裏面に対向する位置に突出する一対
の支持体10,11によって外装樹脂８の上から挟持されて支持される。この支持体1
0,11は絶縁基板１の皮膜抵抗体２の形成されていない空白部３に対応する位置に
形成されている。なお、絶縁ケース９内には、必要に応じて樹脂12が充填される
。The high voltage resistor configured in this way has, as shown in FIGS. 2 and 3, the high voltage resistor.
It is housed in the insulating case 9 and is supported by being sandwiched from above the exterior resin 8 by a pair of supports 10 and 11 projecting at positions facing the front and back surfaces of the insulating substrate 1. This support 1
0 and 11 are formed at positions corresponding to the blank portion 3 in which the film resistor 2 of the insulating substrate 1 is not formed. The insulating case 9 is filled with the resin 12 as needed.

本考案の高電圧用抵抗器は、以上のように形成されるが、必ずしも上記実施例
のものに限定されるものではない。例えば絶縁基板１を矩形状以外の形状とした
り、一対の端子電極4,5の中間部に別の端子電極を形成し、皮膜抵抗体２の中間
部をその端子電極に接続するようにもできる。また、皮膜抵抗体２の一部を絶縁
基板１の一方の端縁側にずらせることにより形成される空白部３の位置は、絶縁
基板１の長手方向中央部に限らず、絶縁ケース９内に形成される支持体10,11の
位置に対応していればどこであってもよい。さらに、例えば２箇所の位置にそれ
ぞれ一対の支持体を形成し、高電圧用抵抗器をその２箇所の位置で挟持して支持
するような場合には、それぞれの支持体の位置に対応して皮膜抵抗体の位置をず
らせておけばよい。The high voltage resistor of the present invention is formed as described above, but is not necessarily limited to that of the above embodiment. For example, the insulating substrate 1 may have a shape other than a rectangular shape, or another terminal electrode may be formed in the middle portion of the pair of terminal electrodes 4 and 5, and the intermediate portion of the film resistor 2 may be connected to the terminal electrode. .. Further, the position of the blank portion 3 formed by shifting a part of the film resistor 2 toward one end edge side of the insulating substrate 1 is not limited to the central portion in the longitudinal direction of the insulating substrate 1, but is contained in the insulating case 9. It may be anywhere as long as it corresponds to the positions of the supports 10 and 11 formed. Further, for example, when a pair of supports are formed at two positions and a high-voltage resistor is sandwiched and supported at the two positions, the support corresponds to the position of each support. The position of the film resistor may be shifted.

（考案の効果）以上説明したことから明らかなように、本考案によれば、支持体によって挟持
される位置の皮膜抵抗体をその支持体とは対向しないように位置をずらせて形成
したので、支持体を介して沿面放電が生じないようになる。また、支持体の長さ
を絶縁基板の短辺の長さのほぼ半分の長さにしたので、高電圧用抵抗器を絶縁ケ
ース内に確実に支持固定することができる。 (Effect of the Idea) As is clear from the above description, according to the present invention, the film resistor at the position sandwiched by the support is formed by shifting the position so as not to face the support. Creeping discharge is prevented from occurring via the support. Also, the length of the support
Is about half the length of the short side of the insulating board, so the high-voltage resistor is insulated.
It can be securely supported and fixed in the booth.

[Simple explanation of drawings]

第１図は本考案の実施例の嵩電圧用抵抗器の要部を切欠いて示す正面図、第２
図および第３図はその高電圧用抵抗器を絶縁ケース内において支持体により支持
する状態を説明するための要部断面図である。第４図は、従来例の高電圧用抵抗器の要部を切欠いて示す正面図、第５図およ
び第６図はその高電圧用抵抗器を絶縁ケース内において支持体により支持する状
態を説明するための要部断面図である。１・・・絶縁基板、２・・・皮膜抵抗体、３・・・空白部、４、５・・・端子電極、６、７
・・・リード端子、８・・・外装樹脂、９・・・絶縁ケース、１０、１１・・・支持体、１２
・・・樹脂。FIG. 1 is a front view showing a main part of a bulk voltage resistor according to an embodiment of the present invention by cutting out, FIG.
FIG. 3 and FIG. 3 are cross-sectional views of a main part for explaining a state in which the high-voltage resistor is supported by a support in an insulating case. FIG. 4 is a front view showing a main part of a conventional high-voltage resistor by cutting out, and FIGS. 5 and 6 show a state in which the high-voltage resistor is supported by a support in an insulating case. It is a cross-sectional view of a main part for doing so. 1 ... Insulation substrate, 2 ... Film resistor, 3 ... Blank part, 4, 5 ... Terminal electrode, 6, 7
... Lead terminal, 8 ... Exterior resin, 9 ... Insulation case, 10, 11 ... Support, 12
···resin.

Claims

[Practical Model Registration Claims] (1) A meandering film resistor is formed on the surface of a rectangular flat insulating substrate.
Constructed by applying outer resin to the outer peripheral surface, facing the front and back of the insulating substrate in the insulating case
The long side of the insulating substrate is sandwiched by the support
In a high-voltage resistor supported along the bottom surface of an insulating substrate and housed in an insulating case, the film resistor at the position sandwiched by the insulating substrate support should not face the support. The position is shifted and the length of the support is
A high-voltage resistor characterized in that the length of the short side is approximately half the length of the short side .