JP2025074635A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供すること。
【解決手段】一実施形態に係る表示装置は、基板と、基板の上に配置され、凹部を有する有機絶縁層と、凹部に配置され、有機絶縁層に埋め込まれる下部電極と、下部電極と重なる画素開口を有するリブと、リブの上に配置される導電性の下部と、下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む補助配線と、下部電極に対向し、補助配線に接続される上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置され、下部電極と上部電極との電位差に応じて発光する有機層と、を備える。下部電極の上面は、画素開口において有機絶縁層から露出し、有機層に接触している。
【選択図】 図２

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。このような表示素子は、下部電極と、下部電極を覆う有機層と、有機層を覆う上部電極とを備えている。有機層は、例えば真空蒸着法によって形成される。

例えば、マスク蒸着の場合、各画素に対応した開口を有するファインマスクが適用される。しかしながら、ファインマスクの加工精度などを考慮すると、現状の精細度を超える高精細化や、現状の開口率を超える高開口率化は難しい。

そこで、ファインマスクではなく、画素分割構造体を用いて有機層および上部電極を分割する技術が考案されている。しかしながら、画素分割構造体を用いた場合、画素分割構造体の一部が異物として付着することで表示不良が発生したり、画素分割構造体の変形に起因した薄膜の形成精度の低下が発生する恐れがある。これによれば、表示装置の信頼性が低下してしまう。

特開２００８－１３５３２５号公報

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、基板と、前記基板の上に配置され、凹部を有する有機絶縁層と、前記凹部に配置され、前記有機絶縁層に埋め込まれる下部電極と、前記下部電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置される導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む補助配線と、前記下部電極に対向し、前記補助配線に接続される上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置され、前記下部電極と前記上部電極との電位差に応じて発光する有機層と、を備える。前記下部電極の上面は、前記画素開口において前記有機絶縁層から露出し、前記有機層に接触している。

一実施形態に係る表示装置は、基板と、前記基板の上に配置される第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層の上に配置される第２有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層および前記第２有機絶縁層に埋め込まれる下部電極と、前記下部電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置される導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む補助配線と、前記下部電極に対向し、前記補助配線に接続される上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置され、前記下部電極と前記上部電極との電位差に応じて発光する有機層と、を備える。前記下部電極の上面は、前記画素開口において前記第２有機絶縁層から露出し、前記有機層に接触している。

図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、同実施形態に係る表示パネルの構成例を示す断面図である。 図３は、同実施形態に係る下部電極を形成する工程を説明するための図である。 図４は、同実施形態に係る表示素子を形成する工程を説明するための図である。 図５は、同実施形態に係る表示素子を形成する工程を説明するための図である。 図６は、同実施形態に係る表示素子を形成する工程を説明するための図である。 図７は、比較例に係る表示パネルの構成例を示す断面図である。 図８は、比較例に係る表示パネルの構成例を示す断面図である。 図９は、第１変形例に係る表示パネルの構成例を示す断面図である。 図１０は、第１変形例に係る表示パネルの構成例を示す断面図である。 図１１は、第２変形例に係る表示パネルの構成例を示す断面図である。 図１２は、第２変形例に係る表示パネルの構成例を示す断面図である。

以下、図面を参照して実施形態を説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。

図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を含む表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。但し、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

図２は、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。

有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。有機絶縁層１２は、複数の凹部１２ａを有している。凹部１２ａには、副画素ＳＰ１を構成する下部電極ＬＥ１が配置されている。別の凹部１２ａには、副画素ＳＰ２を構成する下部電極ＬＥ２が配置されている。さらに別の凹部１２ａには、副画素ＳＰ３を構成する下部電極ＬＥ３が配置されている。換言すると、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２に埋め込まれている。なお、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を形成する工程については後述するため、ここではその詳しい説明を省略する。また、本明細書に記載の凹部は、コンタクトホールと称されてもよい。

有機絶縁層１２および下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上には、リブ１３が配置されている。リブ１３は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。より詳しくは、リブ１３は、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の一部を露出させる画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。

下部電極ＬＥ１の上には、副画素ＳＰ１を構成する有機層ＥＬ１が配置されている。有機層ＥＬ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下部電極ＬＥ１を覆っている。有機層ＥＬ１の上には、副画素ＳＰ１を構成する上部電極ＵＥ１が配置されている。上部電極ＵＥ１は、有機層ＥＬ１を覆い、下部電極ＬＥ１と対向している。

下部電極ＬＥ２の上には、副画素ＳＰ２を構成する有機層ＥＬ２が配置されている。有機層ＥＬ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下部電極ＬＥ２を覆っている。有機層ＥＬ２の上には、副画素ＳＰ２を構成する上部電極ＵＥ２が配置されている。上部電極ＵＥ２は、有機層ＥＬ２を覆い、下部電極ＬＥ２と対向している。

下部電極ＬＥ３の上には、副画素ＳＰ３を構成する有機層ＥＬ３が配置されている。有機層ＥＬ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下部電極ＬＥ３を覆っている。有機層ＥＬ３の上には、副画素ＳＰ３を構成する上部電極ＵＥ３が配置されている。上部電極ＵＥ３は、有機層ＥＬ３を覆い、下部電極ＬＥ３と対向している。

下部電極ＬＥ１、有機層ＥＬ１および上部電極ＵＥ１のうち、画素開口ＡＰ１と重なる部分が、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下部電極ＬＥ２、有機層ＥＬ２および上部電極ＵＥ２のうち、画素開口ＡＰ２と重なる部分が、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下部電極ＬＥ３、有機層ＥＬ３および上部電極ＵＥ３のうち、画素開口ＡＰ３と重なる部分が、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。

上部電極ＵＥ１の上には絶縁膜ＰＡＳ１が配置され、上部電極ＵＥ２の上には絶縁膜ＰＡＳ２が配置され、上部電極ＵＥ３の上には絶縁膜ＰＡＳ３が配置されている。絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２，ＰＡＳ３はそれぞれ、上部電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３や後述する補助配線１４の側面を連続的に覆っている。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、これら絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２，ＰＡＳ３をさらに含んでもよい。リブ１３は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。

リブ１３の上には、補助配線１４が配置されている。補助配線１４は、リブ１３の上に配置された導電性を有する下部１４ａと、下部１４ａの上に配置された上部１４ｂとを含む。上部１４ｂは、下部１４ａよりも大きい幅を有している。これにより、上部１４ｂの両端部は下部１４ａの側面よりも突出している。上部電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、補助配線１４の下部１４ａの側面にそれぞれ接触している。

補助配線１４の上部１４ｂの上には、有機層ＥＬ１および上部電極ＵＥ１の一部が位置し、当該一部は、有機層ＥＬ１および上部電極ＵＥ１のうち補助配線１４の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、補助配線１４の上部１４ｂの上には、有機層ＥＬ２および上部電極ＵＥ２の一部が位置し、当該一部は、有機層ＥＬ２および上部電極ＵＥ２のうち補助配線１４の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、補助配線１４の上部１４ｂの上には、有機層ＥＬ３および上部電極ＵＥ３の一部が位置し、当該一部は、有機層ＥＬ３および上部電極ＵＥ３のうち補助配線１４の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ１３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、ポリイミドまたはアクリルなどの絶縁材料、あるいは、これら絶縁材料の組み合わせで形成されている。

下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

上部電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上部電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

有機層ＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

補助配線１４の下部１４ａは、例えばアルミニウムによって形成されている。下部１４ａは、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）およびアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部１４ａは、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成されたボトム層を有してもよい。このようなボトム層を形成する金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。

補助配線１４の上部１４ｂは、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部１４ｂは、金属材料の単層構造を有してもよい。

補助配線１４には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部１４ａの側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給される。下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

有機層ＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下部電極ＬＥ１と上部電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、有機層ＥＬ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。下部電極ＬＥ２と上部電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、有機層ＥＬ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下部電極ＬＥ３と上部電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、有機層ＥＬ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図３は、図２に示した下部電極ＬＥ１を形成する工程を説明するための図である。なお、ここでは詳細な説明を省略するが、下部電極ＬＥ２，ＬＥ３も同様な工程で形成することができる。

まず、第１有機絶縁層１２１が回路層１１の上に形成される（図３（ａ）参照）。
次に、第１有機絶縁層１２１がパターニングされ、凹部１２ａが形成される（図３（ｂ）参照）。凹部１２ａは、例えば、副画素ＳＰ１が有する画素回路１と電気的に接続するための要素（例えば、駆動トランジスタ３のソース電極およびドレイン電極の一方）と重なる位置に形成される。
続いて、第１有機絶縁層１２１に形成された凹部１２ａを覆うように、下部電極ＬＥ１が形成される（図３（ｃ）参照）。
その後、第１有機絶縁層１２１と下部電極ＬＥ１を覆うように、第２有機絶縁層１２２が形成される（図３（ｄ）参照）。
しかる後、下部電極ＬＥ１の上面を露出させるように、第２有機絶縁層１２２がパターニングされ、有機絶縁層１２に埋め込まれた下部電極ＬＥ１が形成される（図３（ｅ）参照）。下部電極ＬＥ１の上面と、第２有機絶縁層１２２（有機絶縁層１２）の上面とは、例えば、面一に並んでいる。

以上のように、有機絶縁層１２は、第１有機絶縁層１２１と第２有機絶縁層１２２との二層が積層された構造を有している。なお、第１有機絶縁層１２１と第２有機絶縁層１２２とは、同じ有機絶縁材料で形成されてもよいし、互いに異なる有機絶縁材料で形成されてもよい。本実施形態では一例として、第１有機絶縁層１２１と第２有機絶縁層１２２とが同じ有機絶縁材料で形成されている場合を想定する。

図４～図６は、図２に示した副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成する工程を説明するための図である。図４は副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を形成する工程を示し、図５は副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を形成する工程を示し、図６は副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を形成する工程を示している。なお、図４～図６においては、リブ１３および補助配線１４の図示を省略している。

まず、基板１０の上に、回路層１１が形成される。その後、図３に示した一連の工程が実施されることで、有機絶縁層１２と、有機絶縁層１２に埋め込まれた下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３とが形成される。

ここで、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を形成するために、有機層ＥＬ１および上部電極ＵＥ１が表示領域ＤＡに亘って蒸着され、絶縁膜ＰＡＳ１がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成（成膜）される（図４（ａ）参照）。
次に、表示素子ＤＥ１に対応する領域にレジストＲ１が配置される（図４（ｂ）参照）。
その後、レジストＲ１をマスクとしたエッチングにより、有機層ＥＬ１、上部電極ＵＥ１および絶縁膜ＰＡＳ１のうち、レジストＲ１から露出した部分が除去される（図４（ｃ）参照）。
しかる後、レジストＲ１が除去され、表示素子ＤＥ１が形成される（図４（ｄ）参照）。

次に、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を形成するために、有機層ＥＬ２および上部電極ＵＥ２が表示領域ＤＡに亘って蒸着され、絶縁膜ＰＡＳ２がＣＶＤによって形成（成膜）される（図５（ａ）参照）。
続いて、表示素子ＤＥ２に対応する領域にレジストＲ２が配置される（図５（ｂ）参照）。
その後、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、有機層ＥＬ２、上部電極ＵＥ２および絶縁膜ＰＡＳ２のうち、レジストＲ２から露出した部分が除去される（図５（ｃ）参照）。
しかる後、レジストＲ２が除去され、表示素子ＤＥ２が形成される（図５（ｄ）参照）。

さらに、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を形成するために、有機層ＥＬ３および上部電極ＵＥ３が表示領域ＤＡに亘って蒸着され、絶縁膜ＰＡＳ３がＣＶＤによって形成（成膜）される（図６（ａ）参照）。
次に、表示素子ＤＥ３に対応する領域にレジストＲ３が配置される（図６（ｂ）参照）。
その後、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、有機層ＥＬ３、上部電極ＵＥ３および絶縁膜ＰＡＳ３のうち、レジストＲ３から露出した部分が除去される（図６（ｃ）参照）。
しかる後、レジストＲ３が除去され、表示素子ＤＥ３が形成される（図６（ｄ）参照）。

以下では、比較例を用いて、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰ（表示パネルＰＮＬ）の効果について説明する。なお、比較例は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰ（表示パネルＰＮＬ）が奏し得る効果の一部を説明するためのものであって、本実施形態と比較例とで共通する構成や効果を本願発明の範囲から除外するものではない。

図７は、比較例に係る表示装置に設けられる表示パネルＰＮＬ´の概略的な断面図である。比較例に係る表示パネルＰＮＬ´は、下部電極ＬＥが有機絶縁層１２の上に配置されている点、および、下部電極ＬＥの周縁部がリブ１３により覆われている点で、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬと相違している。

比較例に係る表示パネルＰＮＬ´においては、上述したように、下部電極ＬＥが有機絶縁層１２の上に配置されているため、図８に示すように、下部電極ＬＥの厚みをリブ１３で吸収しきることができずに、下部電極ＬＥの厚みに起因した段差がリブ１３に生じてしまう可能性がある。リブ１３に段差が生じてしまうと、図８に示すように、補助配線１４の上部１４ｂが屈曲してしまう可能性がある。補助配線１４の上部１４ｂが屈曲してしまうと、上部１４ｂによるシャドウイング効果を得ることができなくなるため、有機層ＥＬを蒸着させた際に、有機層ＥＬが補助配線１４の下部１４ａの側面に接触してしまい、表示不良を招く恐れがある。また、屈曲した上部１４ｂに有機層ＥＬや上部電極ＵＥ、絶縁膜ＰＡＳが堆積すると、これら各層が負荷となって、屈曲した上部１４ｂが折れてしまい、この折れた部分が例えば下部電極ＬＥの上面などに付着し、表示不良を招く恐れもある。さらに、補助配線１４の上部１４ｂが屈曲してしまうと、絶縁膜ＰＡＳが途中で分断されてしまい、上部電極ＵＥや補助配線１４の下部１４ａの側面を被覆できない恐れがある。

これに対し、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬにおいて、下部電極ＬＥは、図２に示したように、有機絶縁層１２の凹部１２ａに配置され、有機絶縁層１２に埋め込まれているため、下部電極ＬＥの厚みに起因して、リブ１３に段差が生じてしまうことを抑制することができる。これによれば、上述したような、表示不良を抑制し、表示装置ＤＳＰの信頼性の低下を抑制することができる。

以下、変形例について説明する。
（第１変形例）
第１変形例は、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上面を有機絶縁層１２から確実に露出させるために、有機絶縁層１２がオーバーエッチングされる点で、上述した実施形態と相違している。

図９は、第１変形例に係る表示パネルＰＮＬ１の概略的な断面図である。表示パネルＰＮＬ１は、上述した通り、有機絶縁層１２がオーバーエッチングされ、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上面が有機絶縁層１２の上面から突出した構造を有している。

なお、有機絶縁層１２の上面から突出した下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の突出部の厚みＴ２は、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の厚みＴ１の５０％以下であることが望ましい（換言すると、オーバーエッチングによる膜べり量は、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の厚みの５０％以下であることが望ましい）。これによれば、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の突出部に起因して、リブ１３に段差が生じてしまうことを抑制することができる。

有機絶縁層１２をオーバーエッチングする方法としては、例えば、有機絶縁層１２が感光性の有機絶縁材料で形成される場合、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上面を露出させるように有機絶縁層１２をパターニングした後に、酸素プラズマ処理やアルゴンプラズマ処理を行うことで、有機絶縁層１２をオーバーエッチングしてもよい。

あるいは、有機絶縁層１２が感光性でない有機絶縁材料で形成される場合、有機絶縁層１２をパターニングする際のエッチング条件を強化する、あるいは、エッチング時間を延ばすことで、有機絶縁層１２をオーバーエッチングしてもよい。

なお、図９では、全面が平坦に形成された有機絶縁層１２に対して、オーバーエッチングが行われた場合に実現される構造を示したが、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上面を確実に露出させるために、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上面と重なる領域において、有機絶縁層１２は、他の領域より薄く形成されてもよい。この状態の有機絶縁層１２に対して、オーバーエッチングが行われた場合、図１０に示すように、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上面と重なる領域と、それ以外の領域とで、有機絶縁層１２の厚みが異なる構造が実現される。

第１変形例に係る構造においても、下部電極ＬＥが有機絶縁層１２に埋め込まれている点に変わりはないため、下部電極ＬＥの厚みに起因して、リブ１３に段差が生じてしまうことを抑制することができる。

（第２変形例）
第２変形例は、有機絶縁層１２に埋め込まれた下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を形成する工程が、上述した実施形態と相違している。具体的には、上述した実施形態においては、図３に示したように、「第１有機絶縁層１２１、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、第２有機絶縁層１２２」の順序で、有機絶縁層１２に埋め込まれた下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される場合を示したが、本変形例においては、「第１有機絶縁層１２１、第２有機絶縁層１２２、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３」の順序で、有機絶縁層１２に埋め込まれた下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される。

図１１および図１２は、第２変形例に係る表示パネルＰＮＬ２の概略的な断面図である。表示パネルＰＮＬ２は、有機絶縁層１２を構成する第１有機絶縁層１２１に形成された第１凹部１２Ａと、有機絶縁層１２を構成する第２有機絶縁層１２２に形成された第２凹部１２Ｂとを有している。第２凹部１２Ｂは、平面視において第１凹部１２Ａと重なり、第１凹部１２Ａよりも大きいことが望ましい。換言すると、第１凹部１２Ａが、平面視において、第２凹部１２Ｂによって囲まれていることが望ましい。

第２変形例に係る表示パネルＰＮＬ２は、図１１に示すように、第１凹部１２Ａおよび第２凹部１２Ｂに配置された下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の周縁部が第２有機絶縁層１２２の上に乗り上げた構造を有していてもよい。下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、第２有機絶縁層１２２の上に乗り上げた部分（以下、重なり部ＰＴ１と表記）の幅Ｗ１は、当該重なり部ＰＴ１の端部と、隣接する副画素ＳＰを構成する下部電極ＬＥの重なり部ＰＴ１の端部との間の長さ（換言すると、第２有機絶縁層１２２の露出部分の幅Ｗ２）の１０％程度であることが望ましい。これによれば、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の重なり部ＰＴ１に起因して、リブ１３に段差が生じてしまうことを抑制することができる。

あるいは、第２変形例に係る表示パネルＰＮＬ２は、図１２に示すように、第１凹部１２Ａおよび第２凹部１２Ｂに配置された下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の周縁部と、第２凹部１２Ｂの側面との間に空隙ＰＴ２を有した構造であってもよい。換言すると、第１凹部１２Ａおよび第２凹部１２Ｂに配置された下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の周縁部は、第２凹部１２Ｂの側面から離間した構造を有していてもよい。なお、上述した空隙ＰＴ２の幅Ｗ３は、１０μｍ程度であることが望ましい。これによれば、空隙ＰＴ２を、有機絶縁層１２の上に配置されるリブ１３で満たす（埋める）ことができる。

第２変形例に係る構造においても、下部電極ＬＥが有機絶縁層１２に埋め込まれている点に変わりはないため、下部電極ＬＥの厚みに起因して、リブ１３に段差が生じてしまうことを抑制することができる。

以上説明した一実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することが可能である。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、１０…基板、１１…回路層、１２…有機絶縁層、１２ａ…凹部、１２１…第１有機絶縁層、１２２…第２有機絶縁層、１３…リブ、１４…補助配線、１４ａ…下部、１４ｂ…上部、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下部電極、ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…画素開口、ＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上部電極、ＰＡＳ１，ＰＡＳ２，ＰＡＳ３…絶縁膜。

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板の上に配置され、凹部を有する有機絶縁層と、
   前記凹部に配置され、前記有機絶縁層に埋め込まれる下部電極と、
   前記下部電極と重なる画素開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置される導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む補助配線と、
   前記下部電極に対向し、前記補助配線に接続される上部電極と、
   前記下部電極と前記上部電極との間に配置され、前記下部電極と前記上部電極との電位差に応じて発光する有機層と、
   を備え、
   前記下部電極の上面は、前記画素開口において前記有機絶縁層から露出し、前記有機層に接触している、
   表示装置。
2. 前記下部電極の上面と、前記有機絶縁層の上面とは、面一に並んでいる、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記下部電極は、前記有機絶縁層の上面から厚さ方向に突出した突出部を有し、
   前記突出部の厚みは、前記下部電極の厚みの半分以下である、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記下部電極の周縁部は、前記有機絶縁層の上に配置される、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記下部電極の周縁部は、前記凹部の側面から離間している、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 基板と、
   前記基板の上に配置される第１有機絶縁層と、
   前記第１有機絶縁層の上に配置される第２有機絶縁層と、
   前記第１有機絶縁層および前記第２有機絶縁層に埋め込まれる下部電極と、
   前記下部電極と重なる画素開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置される導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む補助配線と、
   前記下部電極に対向し、前記補助配線に接続される上部電極と、
   前記下部電極と前記上部電極との間に配置され、前記下部電極と前記上部電極との電位差に応じて発光する有機層と、
   を備え、
   前記下部電極の上面は、前記画素開口において前記第２有機絶縁層から露出し、前記有機層に接触している、
   表示装置。
7. 前記下部電極の上面と、前記第２有機絶縁層の上面とは、面一に並んでいる、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記下部電極は、前記第２有機絶縁層の上面から厚さ方向に突出した突出部を有し、
   前記突出部の厚みは、前記下部電極の厚みの半分以下である、
   請求項６に記載の表示装置。
9. 前記第１有機絶縁層は、第１凹部を有し、
   前記第２有機絶縁層は、平面視において前記第１凹部と重なり、前記第１凹部よりも大きい第２凹部を有し、
   前記下部電極は、前記第１凹部および前記第２凹部に配置される、
   請求項６に記載の表示装置。
10. 前記下部電極の周縁部は、前記第２有機絶縁層の上に配置される、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記下部電極の周縁部は、前記第２凹部の側面から離間している、
    請求項９に記載の表示装置。

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