JP2024522434A - 基板処理用のコーティングされた基板支持体アセンブリ - Google Patents

Abstract

本開示の実施形態は、概して、基板処理中の欠陥の形成および裏面の金属汚染を低減する二部型表面コーティングを有する基板支持体に関する。支持体本体は、上面を有する本体と、本体の上面上に配置された二部型コーティングとを含む。二部型コーティングは、本体の中心から第１の半径方向距離で延在する第１のコーティング層を含む。第１のコーティング層は、金属含有材料または合金のうちの少なくとも１つを含む。二部型コーティングは、第１のコーティング層の上に配置された第２のコーティング層を含む。第２のコーティング層は、本体の中心から第２の半径距離で延在している。第１の半径方向距離は第２の半径方向距離よりも大きい。第２のコーティング層は非金属である。
【選択図】図１Ｂ

Description

本開示の実施形態は、概して、電子デバイス製造処理における処理中に基板を支持するための装置に関する。より詳細には、本明細書に開示される実施形態は、基板処理中の欠陥の形成および裏面の金属汚染を低減する二部型表面コーティングを有する基板支持体、ならびにコーティングを形成する方法に関する。

集積回路はシリコンやその他の半導体基板内およびその上に形成される。単結晶シリコンの場合、基板は溶融シリコンの槽からインゴットを成長させ、その後凝固したインゴットを複数の基板に切断することによって作られる。次に、単結晶シリコン基板上にエピタキシャルシリコン層を形成し、ドープされることもドープされないこともある欠陥のないシリコン層を形成することができる。トランジスタなどの半導体デバイスは、エピタキシャルシリコン層から製作できる。形成されたエピタキシャルシリコン層の電気的特性は、一般に単結晶シリコン基板の特性よりも優れている。

単結晶シリコンとエピタキシャルシリコン層の表面は、一般的な基板製造施設の周囲条件にさらされると汚染されやすくなる。例えば、基板処理施設における基板の取り扱いおよび／または周囲環境にさらされることにより、エピタキシャル層の堆積前に単結晶シリコン表面上に自然酸化物層が形成される場合がある。さらに、周囲環境に存在する炭素や酸素種などの異物が単結晶表面に堆積する可能性がある。単結晶シリコン表面に酸化物層や汚染物質が存在すると、その後単結晶表面上に形成されるエピタキシャル層の品質に悪影響を及ぼす。したがって、単結晶表面から酸化物層や汚染物質を除去するために、前洗浄処理が実行される場合がある。しかし、従来の前洗浄処理では、基板を処理ガスにさらす必要があり、基板支持体の表面腐食を引き起こす可能性がある。いくつかの例では、基板支持体の腐食から生じる材料の副生成物が基板に接触し、基板上の欠陥形成や裏面の金属汚染を引き起こす可能性がある。

したがって、当技術分野では、基板の欠陥形成および裏面の金属汚染を最小限に抑え、前洗浄処理ガスの腐食作用に耐える改良された基板支持体を提供する必要がある。

本開示は、処理チャンバ内で基板を支持するための支持体本体について説明する。いくつかの実施形態では、支持体本体は、上面を有する本体と、本体の上面上に配置された二部型コーティングとを含む。二部型コーティングは、本体の中心から第１の半径方向距離で延在する第１のコーティング層を含む。第１のコーティング層は、金属含有材料または合金のうちの少なくとも１つを含む。二部型コーティングは、第１のコーティング層の上に配置された第２のコーティング層を含む。第２のコーティング層は、本体の中心から第２の半径方向距離で延在している。第１の半径方向距離は第２の半径方向距離よりも大きい。第２のコーティング層は非金属である。

いくつかの実施形態では、システムは、基板を洗浄するように構成された処理チャンバを含む。処理チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体の上端に配置された蓋アセンブリと、チャンバ本体内に少なくとも部分的に配置され、処理チャンバ内で基板を支持するように構成された基板支持体アセンブリとを含む。蓋アセンブリは、シャワーヘッドの平面の上下に流体連通を提供する第１のチャネルセットと、チャンバ本体のサイドポートとの流体連通を提供する第２のチャネルセットとを有するデュアルチャネルシャワーヘッドを含む。基板支持体アセンブリは上面を有する支持体本体を含み、上面は支持体本体の中心から第１の半径方向距離で延在している。基板支持体アセンブリは、支持体本体に結合されたステムと、支持体本体上に配置されたコーティングとを含む。コーティングは、支持体本体の上面にわたって配置された第１のコーティング層を含み、第１のコーティング層は無電解ニッケルメッキを含む。コーティングは、第１のコーティング層の上に配置された第２のコーティング層を含み、第２のコーティング層は、支持体本体の中心から第２の半径方向距離で延在しており、第２の半径方向距離は第１の半径方向距離よりも小さく、第２のコーティング層は炭化ケイ素を含む。

いくつかの実施形態では、処理チャンバの支持体本体上に表面コーティングを形成する方法は、支持体本体の上面全体に第１の材料を堆積させることを含み、それによって第１のコーティング層を形成し、第１の材料は金属含有材料または合金のうちの少なくとも１つを含む。本方法は、支持体本体の上面の一部のみの上の第１のコーティング層上に第２の材料を堆積させることを含み、それによって第２のコーティング層を形成し、第２の材料は非金属である。

本開示の実施形態は、上で簡単に要約し、以下でより詳細に説明するが、添付の図面に示される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付の図面は本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本開示は他の同様に効果的な実施形態を許容するため、本開示の範囲を限定するとみなされるものではないことに留意されたい。

特定の実施形態による処理チャンバの断面図である。 特定の実施形態による、図１Ａの基板支持体アセンブリの支持体本体の分離等角図である。 特定の実施形態による、ステム上に配置された例示的な表面コーティングを示す、図１Ａのステムの一部の拡大断面図である。 特定の実施形態による、支持体本体の上に配置された例示的な表面コーティングを示す、図１Ｂの支持体本体の一部の拡大断面図である。 特定の実施形態による、図１Ｃの例示的な表面コーティングを形成する方法を示す図である。 特定の実施形態による、図１Ｄの例示的な表面コーティングを形成する方法を示す図である。 特定の実施形態による、図１Ａの処理チャンバ内で使用されるように構成された支持体本体の一部の拡大断面図であり、その上に配置された別の例示的な表面コーティングを示す図である。

理解を容易にするために、可能であれば、各図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が使用されている。図は原寸に比例して描かれておらず、わかりやすくするために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳述することなく他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図される。

本明細書に開示される実施形態は、基板処理中の欠陥形成および裏面の金属汚染を低減する二部型表面コーティングを有する基板支持体、ならびにコーティングを形成する方法に関する。

本明細書に開示される特定の実施形態は、従来の一部型コーティングとは対照的に、二部型表面コーティングを有する基板支持体アセンブリ（「ペデスタル」とも呼ばれる）を提供する。最小の特徴部サイズや複雑な構造でも充填できる第１のコーティングは、基板支持体アセンブリ全体に塗布され、基板支持体アセンブリの表面全体の腐食を低減する。金属汚染物質を含まない第２のコーティングが基板支持体アセンブリの上部（例えば支持体本体）に塗布され、基板裏面の金属汚染を低減する。したがって、従来の一部型コーティングに比べて塗膜性能が向上する。

いくつかの例では、基板はシリコン含有材料を含んでいてもよく、表面はシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、またはシリコンゲルマニウム合金（ＳｉＧｅ）などの材料を含んでいてもよい。いくつかの例では、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｉＧｅ表面は、自然酸化物層などの酸化物層と、その上に堆積した汚染物質とを有していてもよい。エピタキシャル堆積処理は酸化物や炭素含有汚染物質などの汚染物質に対して敏感であるため、クリーンルーム環境に数時間さらされることによって生じる表面汚染は、蓄積した酸化物や汚染物質がその後に形成されるエピタキシャル層の品質に影響を与えるほど深刻になる可能性がある。したがって、表面から酸化層や汚染物質を除去するために、前洗浄処理が実行される場合がある。本明細書で使用される「前洗浄」という用語は、基板表面から酸化物層または汚染物質を除去するために、基板（例えば、半導体基板）を１つまたは複数の処理ガスにさらすことを伴う処理を指す。本明細書において、「前洗浄」は「エッチング」とも称され得る。

いくつかの例では、基板表面は、酸化物除去処理および汚染物質除去処理を実行することによって洗浄され得る。一例では、前洗浄処理を使用して基板の表面から酸化物を除去することができ、還元処理を使用して炭素含有汚染物質などの汚染物質を基板の表面から除去することができる。

いくつかの例では、処理ガスは、フッ素含有ガスまたは塩素含有ガスなどの反応性ガスを含み得る。いくつかの例では、処理ガスはさらに蒸気を含んでもよい。いくつかの例では、処理ガスは、１つまたは複数のパージガスまたはキャリアガス（例えば、水素、ヘリウム、および／またはアルゴン）をさらに含み得る。いくつかの例では、反応性ガスは、フッ化水素（例えば、ＨＦ）、無水フッ化水素（「ＡＨＦ」と呼ばれることがある）、二原子フッ素（Ｆ_２）、フッ化窒素（例えば、三フッ化窒素（ＮＦ_３））、フッ化炭素（例えば、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ_２Ｆ_６）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）、ジフルオロメタン（ＣＨ_２Ｆ_２）、オクトフルオロプロパン（Ｃ_３Ｆ_８）、オクトフルオロシクロブタン（Ｃ_４Ｆ_８）、オクトフルオロ［１－］ブタン（Ｃ_４Ｆ_８）、オクトフルオロ［２－］ブタン（Ｃ_４Ｆ_８）、またはオクトフルオロイソブチレン（Ｃ_４Ｆ_８））、フッ化硫黄（例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ_６））、アンモニア（ＮＨ_３）、またはそれらの組み合わせを含み得る。

いくつかの例では、反応性ガスの流量は、３００ｍｍ基板の場合、約５０ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍであってもよい。いくつかの例では、処理チャンバ内の（例えば、基板表面と接触している）反応性ガスの濃度は、任意の他の成分（例えば、蒸気、キャリアガスまたはパージガス）を含む全処理ガス混合物の約５％ｗｔ／ｗｔから約７５％ｗｔ／ｗｔであってもよい。

いくつかの例では、蒸気は、水（例えば、蒸留水）、第一級アルコール（例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、またはイソブチルアルコール）、第二級アルコール（例えば、イソプロピルアルコールまたはｓｅｃ－ブチルアルコール）、第三級アルコール（例えば、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール）、環状アルコール（例えば、シクロヘキシルアルコール）、複合アルコール（例えば、４－エチル－３－ヘキサノール）、Ｃ１アルコール、Ｃ２アルコール、Ｃ３アルコール、Ｃ１－Ｃ２アルコール、Ｃ１－Ｃ３アルコール、Ｃ１－Ｃ４アルコール、有機酸、またはそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの例では、蒸気は、反応性ガスと表面酸化物との間の反応速度を増加させる可能性がある。いくつかの例では、低炭素数のアルコールは、高炭素数のアルコールと比較して、反応速度をより大きく増加させることができる（例えば、反応の相対速度は、Ｃ１アルコール＞Ｃ２アルコール＞Ｃ３アルコールであってもよい）。いくつかの例では、蒸気の流量は、３００ｍｍ基板の場合、約５ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍであってもよい。いくつかの例では、反応性ガスと蒸気の流量比は約１０：１から約１：１０であってもよい。いくつかの例では、蒸気の濃度は、任意の他の成分（例えば、反応性ガス、キャリアガス、またはパージガス）を含む全処理ガス混合物の約５ｗｔ／ｗｔから約７５ｗｔ／ｗｔであってもよい。

動作中、反応性ガスおよび蒸気は、異なる経路を介して（すなわち、別々に）処理チャンバに提供され、処理チャンバに到着した後、基板に接触する前に混合され得る。他のいくつかの例では、反応性ガスは、処理チャンバに充填するために蒸気と混合され得る。ガスの混合は、基板が配置される処理領域から空間的に分離されてもよい。本明細書に記載される「空間的に分離された」という用語は、１つもしくは複数のチャンバ構成要素によって基板処理領域から分離されている混合領域、または混合チャンバと基板処理チャンバとの間の導管さえも指す場合がある。いくつかの例では、処理チャンバ内の混合処理ガスの温度（例えば、基板表面と接触する混合処理ガスの温度）を指し得る処理温度は、約０℃以下、例えば約－５０℃から約４０℃であってもよい。いくつかの例では、処理チャンバ内の圧力は、約０．５Ｔｏｒｒから約２０Ｔｏｒｒの範囲内であってもよい。

前洗浄処理は、主にコンフォーマルであり、かつ酸化層に対して選択的であり得るため、層が非晶質、結晶、または多結晶であるかどうかに関係なく、シリコン（例えば、ｌｏｗ－ｋスペーサまたは他の誘電体材料）、ゲルマニウム、または窒化物層を容易にはエッチングしない。いくつかの例では、シリコンまたはゲルマニウムと比較した酸化物に対する処理ガスの選択性は、少なくとも約３：１、例えば約５：１以上、例えば約１０：１以上であり得る。処理ガスは、窒化物と比較して酸化物の選択性が高い場合もある。いくつかの例では、窒化物と比較した酸化物に対する処理ガスの選択性は、少なくとも約３：１、例えば約５：１以上、例えば約１０：１以上、例えば約２０：１以上、例えば約５０：１以上、例えば約８０：１以上、例えば約１００：１以上、例えば約１２０：１以上であってもよい。

いくつかの例では、前洗浄処理中または前洗浄処理の実行後のいずれかに、生成された副生成物の除去を助けるために、処理された基板に熱エネルギーが加えられてもよい。いくつかの例では、熱エネルギーは、基板表面に見られる望ましくない副生成物を昇華させる放射、対流および／または伝導熱伝達処理を介して提供され得る。

いくつかの例では、炭素汚染物質または他の汚染物質を基板の表面から除去するために追加の処理が実行されてもよい。いくつかの例では、前洗浄処理の前または後に汚染物質の除去が行われてもよい。いくつかの例では、汚染物質の除去は、プラズマ洗浄チャンバ内で実行されるプラズマ処理を含み得る。プラズマ処理は、水素（Ｈ_２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ_３）、フッ素含有ガス、またはそれらの組み合わせを含むガスから形成されたプラズマを使用することができる。プラズマは誘導結合または容量結合することができ、プラズマは処理チャンバ内のマイクロ波源によって形成することができ、またはプラズマは遠隔プラズマ源によって形成することができる。

いくつかの例では、エピタキシャル層が基板の表面上に形成され得る。前述したように事前に洗浄すると、基板の表面は酸化物や汚染物質が均一になくなり、その後基板の表面に形成される層の品質が向上する。エピタキシャル堆積処理を実行するために使用できる例示的な処理チャンバは、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可能なＣｅｎｔｕｒａ（商標）Ｅｐｉチャンバである。他のメーカーのチャンバを使用してもよい。

図１Ａは、特定の実施形態による処理チャンバ１００の断面図である。処理チャンバ１００は、前洗浄処理を実行するように構成されている。一例では、処理チャンバ１００は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズから入手可能なＳｉｃｏｎｉ（商標）またはＳｅｌｅｃｔｒａ（商標）チャンバであってもよい。処理チャンバ１００は、一般に、チャンバ本体１０２、蓋アセンブリ１０４、および基板支持体アセンブリ１０６を含む。蓋アセンブリ１０４はチャンバ本体１０２の上端に配置され、基板支持体アセンブリ１０６は少なくとも部分的にチャンバ本体１０２内に配置される。処理チャンバ１００からガスを除去するために真空システムが使用される。真空システムは、チャンバ本体１０２内に配置された真空ポート１１０に結合された真空ポンプ１０８を含む。ポンピングリング１２２がチャンバ本体１０２内に配置される。ポンピングリング１２２は、処理チャンバ１００の内部と真空ポート１１０との間の流体連通を提供し、そこを通してガスを排出する複数の排気ポート１２６を有する。

蓋アセンブリ１０４は、チャンバ１００内の処理領域１１２にガスを提供するように構成された複数の積層構成要素を含む。蓋アセンブリ１０４は、第１のガス源１１４および第２のガス源１１６に接続されている。第１のガス源１１４からのガスは、上部ポート１１８を通って蓋アセンブリ１０４に導入される。第２のガス源１１６からのガスは、サイドポート１２０を通って蓋アセンブリ１０４に導入される。いくつかの例では、第１のガス源１１４は、処理ガス（例えば、反応性ガス）の少なくとも第１の部分を提供することができる。いくつかの例では、第２のガス源１１６は、処理ガスの第２の部分（例えば、蒸気）を提供することができる。いくつかの例では、１つまたは複数のパージガスまたはキャリアガスが、第１のガス源１１４、第２のガス源１１６、または別のガス源から処理領域１１２に送達されてもよい。

蓋アセンブリ１０４は一般に、処理領域１１２の上方に配置されたシャワーヘッド１２４を含み、これを通じて第１のガス源１１４からのガスが処理領域１１２に導入される。シャワーヘッド１２４は、図１Ａに示す板の上に配置された１つまたは複数の追加の板（例えば、遮蔽板、面板）を含んでもよい。シャワーヘッド１２４の各板は、貫通して形成される複数の開口を含んでもよく、この開口は各板の上下のガス領域を接続する。いくつかの例では、シャワーヘッド１２４は加熱されてもよい。いくつかの例では、加熱中にシャワーヘッド１２４内またはシャワーヘッド１２４上でガスが混合されてもよい。一例では、処理される基板が約１０℃である間に、シャワーヘッド１２４を約１９０℃に加熱することができる。

図１Ａに示す例では、シャワーヘッド１２４は、第１のチャネルセット１２８と第２のチャネルセット１３０とを有するデュアルチャネルシャワーヘッドである。第１のチャネルセット１２８は、ガスが上部ポート１１８から処理領域１１２に入るように、シャワーヘッド１２４の平面の上下に流体連通を提供する。第２のチャネルセット１３０は、第２のガス源１１６からのガスが処理領域１１２に入るようにサイドポート１２０との流体連通を提供する。デュアルチャネルシャワーヘッドは、第１のガス源１１４と第２のガス源１１６から来る異なるガスの混合を改善するのに特に有利である可能性がある。

基板支持体アセンブリ１０６（「ペデスタル」とも呼ばれる）は、処理中に基板１０１を支持する支持体本体１３２（「パック」とも呼ばれる）と、支持体本体１３２に結合されたステム１３６とを含む。基板支持体アセンブリ１０６は、図１Ｃおよび図１Ｄに関して以下でより詳細に説明する二部型コーティングを含む。いくつかの例では、支持体本体１３２はモジュール式であってよく、したがって別のコーティングされた部品と容易に交換することができる。したがって、支持体本体１３２上のコーティングのみが損傷した場合には、基板支持体アセンブリ１０６全体の交換を回避することができる。

支持体本体１３２は、平坦な、または実質的に平坦な基板支持表面１３３（支持体本体１３２の「基板支持領域」または「基板接触表面」とも呼ばれる）を有する。図１Ｂを参照すると、基板支持表面１３３は、基板１０１の下にあるおよび／または基板１０１と接触している領域である（図１Ｂでは仮想線で示す）。いくつかの例では、基板支持表面１３３は、支持体本体１３２の中心Ｃ１から半径方向距離Ｒ１だけ延在してもよい。図１Ｂに示すように、基板１０１の外周は基板支持表面１３３のサイズと一致しているが、いくつかの例では、基板１０１は基板支持表面１３３から張り出してもよい。基板支持表面１３３は、その中に形成された複数の表面特徴部（図１Ｂに示すチャネル１３５、ポート１３７、および凹部１３９など）を含み、複数の表面特徴部は、寸法が小さい、および／または複雑な構造のため、従来の一部型コーティングを使用してコーティングするのが難しい場合がある。有利には、本明細書に記載される二部型コーティングは、各表面特徴部の実質的に外表面全体を覆い、したがって、最小の特徴部サイズであっても腐食から保護する。いくつかの例では、二部型コーティングは、約３０μｍ以下の臨界寸法を有する特徴部サイズを充填することができてもよい。有利なことに、本明細書に記載される二部型コーティングは、約５：１以上、例えば約１０：１以上、例えば約２０：１以上のアスペクト比を有する高アスペクト比の特徴部を充填することができ、これにより、高アスペクト比の特徴部の腐食からの保護が向上する。

図１Ａに示すように、支持体本体１３２は、中心から端までの処理の均一性および調整のために基板温度を制御するための２つの独立した温度制御ゾーン（「デュアルゾーン」と呼ばれる）を含む。図１Ａに示される例では、支持体本体１３２は、内側ゾーン１３２ｉと、内側ゾーン１３２ｉを取り囲む外側ゾーン１３２ｏとを有する。図１Ｂに示すように、内側ゾーン１３２ｉと外側ゾーン１３２ｏは、円周凹部１３９によって半径方向に互いに分離されている。いくつかの他の例では、支持体本体１３２は、３つ以上の独立した温度制御ゾーン（「マルチゾーン」と呼ばれる）を有してもよい。

支持体本体１３２は、チャンバ本体１０２の底部に形成された中央に位置する開口部を通って延在するステム１３６によってアクチュエータ１３４に結合されている。アクチュエータ１３４は、ステム１３６の周りの真空漏れを防止するベローズ１３８によってチャンバ本体１０２に柔軟にシールされる。アクチュエータ１３４は、処理位置と装填位置との間において、支持体本体１３２がチャンバ本体１０２内で垂直に移動できるようにする。装填位置は、チャンバ本体１０２の側壁に形成された基板開口部１４０のわずかに下にある。

処理チャンバ１００はまた、処理される基板の温度を下降させるための超低温キット１４２を含み、これにより、とりわけｌｏｗ－ｋ誘電体材料や窒化ケイ素（例えばＳｉＮ）など、他の材料と比較して酸化物除去（例えば、自然酸化物除去）の選択性を向上させることができる。いくつかの例では、処理される基板の温度および／または支持体本体１３２の温度は、約－３０℃から約１０℃に下降させられてもよい。超低温キット１４２は、支持体本体１３２に超低温冷却剤の連続流を提供し、支持体本体１３２を所望の温度まで冷却する。いくつかの例では、超低温冷却剤は全フッ素置換された不活性ポリエーテル流体（例えば、ガルデン（登録商標）流体）を含んでもよい。図１Ａに示される例では、超低温冷却剤は、それぞれ内側冷却剤チャネル１４４ｉおよび外側冷却剤チャネル１４４ｏを介して支持体本体１３２の内側ゾーン１３２ｉおよび外側ゾーン１３２ｏに提供される。冷却剤チャネルは図１Ａに概略的に描かれており、図示されているものとは異なる配置であってもよい。例えば、各冷却剤チャネルはループの形であってもよい。

プログラム可能なコンピュータなどのシステムコントローラ１５０は、処理チャンバ１００またはその構成要素を制御するために処理チャンバ１００に結合される。例えば、システムコントローラ１５０は、基板支持体アセンブリ１０６、真空ポンプ１０８、第１のガス源１１４、第２のガス源１１６、アクチュエータ１３４、および／もしくは超低温キット１４２の直接制御を使用して、または、これらに関連付けられた他のコントローラの間接制御を使用して、処理チャンバ１００の動作を制御することができる。動作中、システムコントローラ１５０は、処理チャンバ１００内での処理を連係させるために、それぞれの構成要素からのデータ収集およびフィードバックを可能にする。

システムコントローラ１５０は、メモリ１５４（例えば、不揮発性メモリ）およびサポート回路１５６とともに動作可能なプログラム可能な中央処理装置（ＣＰＵ）１５２を含む。サポート回路１５６は、従来のようにＣＰＵ１５２に結合され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源など、および処理チャンバ１００の様々な構成要素に結合されたこれらの組み合わせを備える。

いくつかの実施形態では、ＣＰＵ１５２は、様々な監視システムコンポーネントおよびサブプロセッサを制御するための、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ：ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）などの産業環境で使用される任意の形式の汎用コンピュータプロセッサの１つである。ＣＰＵ１５２に結合されたメモリ１５４は非一時的であり、典型的にはランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ：ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ：ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、またはローカルもしくは遠隔の任意のその他の形式のデジタルストレージなどの容易に利用可能なメモリのうちの１つまたは複数である。

本明細書では、メモリ１５４は、ＣＰＵ１５２によって実行されると、処理チャンバ１００の動作を容易にする命令を含むコンピュータ可読記憶媒体（例えば、不揮発性メモリ）の形態である。メモリ１５４内の命令は、本開示の方法を実装するプログラム（例えば、ミドルウェアアプリケーション、機器ソフトウェアアプリケーションなど）などのプログラム製品の形態である。プログラムコードは、さまざまなプログラミング言語のいずれかに準拠していてもよい。一例では、本開示は、コンピュータシステムで使用するためのコンピュータ可読記憶媒体に記憶されたプログラム製品として実装され得る。プログラム製品のプログラムは、実施形態の機能を定義する（本明細書で説明する方法を含む）。

コンピュータ可読記憶媒体の例としては、（ｉ）情報が永久に保存される書き込み不可能な記憶媒体（例えば、ＣＤ－ＲＯＭドライブで読み取り可能なＣＤ－ＲＯＭディスク、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、または任意の種類のソリッドステート不揮発性半導体メモリなど、コンピュータ内の読み取り専用メモリデバイス）、（ｉｉ）変更可能な情報が保存される書き込み可能な記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ内のフロッピーディスク、またはハードディスクドライブ、またはあらゆるタイプのソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ）、が挙げられるが、これらに限定されない。このようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書に記載される方法の機能を指示するコンピュータ可読命令を搬送する場合、本開示の実施形態である。

図１Ｃは、特定の実施形態による、図１Ａのステム１３６の一部の拡大断面図であり、ステム１３６上に配置された例示的な表面コーティングを示している。ステム１３６は、外表面１６２を有するベース層１６０を含む。「外表面」とは、表面コーティングがその上に配置される前にさらされる表面を指し得る。ステム１３６は、外表面１６２上に配置された第１のコーティング層１６４を含む。第１のコーティング層１６４は外表面１６６を有する。図示のように、第１のコーティング層１６４は外表面１６２と直接接触している。しかしながら、他のいくつかの例では、ベース層１６０と第１のコーティング層１６４との間に１つまたは複数の追加の層が配置されてもよい。図１Ｃにはステム１３６の一部のみが示されているが、いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、ステム１３６および支持体本体１３２のそれぞれの対応する外表面を含む基板支持体アセンブリ１０６の全体の上に配置され得る。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、支持体本体１３２の全体の上に、あるいは支持体本体１３２の１つまたは複数の個々の表面または部分の上に配置され得る。例えば、第１のコーティング層１６４は、基板支持表面１３３上、基板支持表面１３３の外側の支持体本体１３２の領域上（例えば、基板支持表面１３３を囲む上向き表面１４１上、または支持体本体１３２の側面１４３の周囲）、またはそれらの組み合わせなどの、支持体本体１３２（図１Ｂに示す）の１つまたは複数の表面上に配置され得る。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、基板支持表面１３３および上向き表面１４１を含む支持体本体１３２の上面全体にわたって配置され得る。第１のコーティング層１６４は、支持体本体１３２の中心Ｃ１から第２の半径方向距離Ｒ２だけ延在していてもよい。第２の半径方向距離Ｒ２は、基板支持表面１３３の第１の半径方向距離Ｒ１よりも大きい。

いくつかの例では、ベース層１６０は、アルミニウム、ニッケル合金（例えば、Ｎｉ１００もしくはＮｉ２００）、もしくは他の金属合金などの金属、窒化アルミニウムもしくは酸化アルミニウムなどのセラミック、軟鋼合金、ステンレス鋼合金、またはそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、金属含有材料または合金を含んでもよい。一例では、第１のコーティング層１６４は、無電解ニッケルメッキ（ＥＮＰ：ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｎｉｃｋｅｌ ｐｌａｔｉｎｇ）によって形成されたニッケルとリンの合金を含む。いくつかの例では、ＥＮＰコーティングは、高リン酸塩ＥＮＰまたは低リン酸塩ＥＮＰのいずれかであってもよい。いくつかの他の例では、第１のコーティング層１６４は、電解ニッケルメッキを含んでもよい。いくつかの他の例では、第１のコーティング層１６４は、原子層堆積（ＡＬＤ：ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使用して堆積されてもよい。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、バルクニッケル、貴金属（例えば白金または金）、酸化アルミニウム（例えばＡｌ_２Ｏ_３）、酸化イットリウム（例えばＹ_２Ｏ_３）、フッ化ニッケル（例えばＮｉＦ_２）、フッ化マグネシウム（例えばＭｇＦ_２）、またはそれらの組み合わせを含んでいてもよい。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、ベース層１６０の輪郭にほぼ一致し得るコンフォーマル層であってもよい。「コンフォーマル」という用語は、公称コーティング厚さの＋／－５％以内の厚さを有するコーティングを指す場合がある。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、外表面１６２全体にわたってほぼ等しい厚さを有してもよい。いくつかの例では、塗布中に、第１のコーティング層１６４は、コーティングが外表面１６２に形成された最小の特徴部さえも充填できるようにする流動性パラメータを有していてもよい。例えば、第１のコーティング層１６４は、約３０μｍから約５０μｍの範囲内の臨界寸法を有する特徴部サイズを充填することができ得る。

いくつかの例では、第１のコーティング層１６４の厚さは、約０．１μｍから約５０μｍの範囲内であってもよい。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４の表面粗さ平均（Ｒａ）は、約２μインチ（μｉｎ）から約６４μｉｎの範囲内、例えば約２０μｉｎであってもよい。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、５０モル％の液体塩酸（ＨＣｌ）に少なくとも２４時間さらしても、孔食や変色が起こらない耐性を有していてもよい。いくつかの例では、第１のコーティング層１６４は、孔食や変色なしに少なくとも２２日間ＨＣｌ蒸気に対して耐性を有していてもよい。

図１Ｄは、特定の実施形態による、その上に配置された例示的な表面コーティングを示す、図１Ｂの支持体本体１３２の一部の拡大断面図である。支持体本体１３２は、外表面１７２を有するベース層１７０を含む。支持体本体１３２は、外表面１７２上に配置された第１のコーティング層１７４を有する。第１のコーティング層１７４は外表面１７６を有する。図示のように、第１のコーティング層１７４は外表面１７２と直接接触している。しかしながら、他のいくつかの例では、ベース層１７０と第１のコーティング層１７４との間に１つまたは複数の追加の層が配置されてもよい。いくつかの例では、ベース層１７０は、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケル合金、もしくは他の金属合金などの金属、窒化アルミニウムもしくは酸化アルミニウムなどのセラミック、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。いくつかの例では、ベース層１７０は、ベース層１６０と同じ材料から形成されてもよい。いくつかの例では、第１のコーティング層１７４は、上述の第１のコーティング層１６４の１つまたは複数の態様を含み得る。いくつかの例では、第１のコーティング層１７４は、図１Ｃの第１のコーティング層１６４と同じであってもよい。図１Ｄには示されていないが、第１のコーティング層１７４は、ベース層１７０の基板支持領域に形成された各表面特徴部（図１Ｂに示すチャネル１３５、ポート１３７、凹部１３９など）の外表面１７２の実質的に全体を覆ってもよい。

支持体本体１３２は、第１のコーティング層１７４の外表面１７６上に配置された第２のコーティング層１７８を含む。第２のコーティング層１７８は外表面１８０を有する。図示のように、第２のコーティング層１７８は外表面１７６と直接接触している。ただし、他のいくつかの例では、第１のコーティング層１７４と第２のコーティング層１７８との間に１つまたは複数の追加の層が配置されてもよい。

いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、金属汚染物質を含まない材料（「非金属」または「金属を含まない」とも呼ばれる）を含んでいてもよい。いくつかの例では、非金属材料は、約２０００ｐｐｍ以下の金属濃度を有する材料を含んでいてもよい。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、化学気相堆積（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）、ＡＬＤ、またはプラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ：ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ＡＬＤ）を使用して堆積されてもよい。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は非晶質膜であってもよい。

いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、炭化ケイ素（例えば、ＳｉＣ）であってもよいし、炭化ケイ素を含んでもよい。いくつかの他の例では、第２のコーティング層１７８は、シリコンであってもよいし、シリコンを含んでもよい。一般に、シリコンコーティングは炭化ケイ素よりも柔らかく、耐エッチング性は同等以上である。例えば、シリコンコーティングの硬度は、約１０，０００Ｎ／ｍｍ^２（ＭＰａ）から約１６，０００Ｎ／ｍｍ^２（ＭＰａ）の範囲内の硬度を有し得る炭化ケイ素コーティングとは対照的に、約４，０００Ｎ／ｍｍ^２（ＭＰａ）から約６，０００Ｎ／ｍｍ^２（ＭＰａ）の範囲内であってもよい。したがって、シリコンは、半導体基板の裏側表面を傷つけにくい可能性があり、これは、基板支持表面１３３（図１Ｂに示す）などの半導体基板と接触する表面をコーティングするのに特に有利である可能性がある。

いくつかの他の例では、第２のコーティング層１７８は、全フッ素置換膜であってもよいか、または全フッ素置換膜を含んでもよい。いくつかの例では、全フッ素置換膜は自己組織化単層（ＳＡＭ：ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）であってもよい。炭化ケイ素などの他のコーティングとは対照的に、全フッ素置換ＳＡＭは多孔性がより小さく、吸水性がより低く、かつ／またはガス放出が少ないという利点がある。いくつかの例では、全フッ素置換膜の厚さは、約５ｎｍから約２０ｎｍ、例えば、約５ｎｍから約１０ｎｍ、約１０ｎｍから約１５ｎｍ、または約１５ｎｍから約２０ｎｍであってもよい。いくつかの例では、全フッ素置換膜が下にある表面を完全に覆っていてもよい。いくつかの例では、全フッ素置換膜の過フッ化物前駆体は、下にある表面に共有結合するテトラフルオロエテン系前駆体（例えば、ＣＦ_３－（ＣＦ_２）_９－（ＣＨ_２）_２－ＳｉＣｌ_３）であってもよく、またはこれを含んでもよい。テトラフルオロエテン系前駆体がＣＦ_３－（ＣＦ_２）_９－（ＣＨ_２）_２－ＳｉＣｌ_３である場合、共有結合した化学構造はＣＦ_３－（ＣＦ_２）_９－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ－Ｏ－であってもよい。他の適切な過フッ化物前駆体は、とりわけ、パーフルオロオクタンまたはトリデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロオクチルトリクロロシラン（ＦＯＴＳ）であってもよいし、またはこれらを含んでもよい。一般に、上記の全フッ素置換膜にはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の短鎖分子が含まれる。したがって、全フッ素置換膜は、低摩擦および／または低表面エネルギーを特徴とし、これは、基板支持表面１３３（図１Ｂに示す）などの半導体基板と接触する表面をコーティングするのに特に有利であり得る。上述の全フッ素置換膜は、ＡＬＤなどの技術を使用して堆積されてもよい。

いくつかの他の例では、第２のコーティング層１７８は、オキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）であってもよいし、またはこれを含んでいてもよい。いくつかの例では、ＹＯＦコーティングの厚さは、約１００ｎｍから約５００ｎｍ、例えば、約１００ｎｍから約２００ｎｍ、約２００ｎｍから約３００ｎｍ、約３００ｎｍから約４００ｎｍ、または約４００ｎｍから約５００ｎｍであってよい。いくつかの例では、ＹＯＦコーティングが下にある表面を完全に覆っていてもよい。いくつかの例では、ＹＯＦコーティング中のイットリウム原子、酸素原子、およびフッ化物原子の個々の濃度は、約２５原子（ａｔ．）％から約４０ａｔ．％の範囲内であってよい。一例では、各成分の濃度はほぼ等しくてもよい（すなわち、約３３ａｔ．％のＹ、３３ａｔ．％のＯ、および３３ａｔ．％のＦ）。一般に、上記のＹＯＦコーティングは、炭化ケイ素などの他のコーティングと比較して、エッチングに対する耐性が高くなる（例えば、ＡＨＦ／水処理化学薬品にさらされた場合）。液体水中の４ｗｔ％から２５ｗｔ％のＨＦを使用するいくつかの例では、ＹＯＦコーティングのエッチング速度は、約０．５オングストローム／分（Å／分）未満であってもよい。いくつかの他の例では、用途固有の処理環境（例えば、約０℃未満の温度でＨＦおよび水蒸気を使用する上述の処理チャンバ１００を使用する）において、ＹＯＦコーティングのエッチング速度は、約０．１５Å／分未満であってもよい。上で説明したＹＯＦコーティングは、他の技術の中でも特にＡＬＤを使用して堆積され得る。

いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、低い空隙容積に対応する高いかさ密度を有する。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、コーティング材料の体積質量密度の割合として、約９０％以上、例えば約９５％以上、例えば約９９％以上、例えば約１００％のかさ密度を有していてもよい。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８の厚さは、約１００ｎｍから約４０μｍの範囲内、例えば約１００ｎｍから約４０μｍ、例えば約１μｍから約１０μｍ、例えば約１０μｍから約２０μｍ、例えば約２０μｍから約３０μｍ、例えば約３０μｍから約４０μｍ、例えば約３０μｍ、であってもよい。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、より薄いコーティング（例えば、約１μｍ未満）を使用する場合と比較して、より厚いコーティング（例えば、約１μｍを超える）を使用することにより耐久性が高くなってもよい。したがって、少なくともいくつかの実施形態では、ＣＶＤは、第２のコーティング層１７８を形成するためのＡＬＤと比較して特に有利な処理となり得る。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８の平均表面粗さ（Ｒａ）は、約５μｉｎから約２０μｉｎの範囲内であってもよい。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８の電気抵抗率は、約１０^７オーム・センチメートルから約１０^８オーム・センチメートルであってもよい。

有利には、図１Ｄに示すように、支持体本体１３２の基板支持表面１３３が非金属コーティングを含む場合、酸化アルミニウム（例えばＡｌ_２Ｏ_３）などの金属元素を含む従来の表面材料と比較して、基板裏面の金属汚染が低減または防止される。図１Ｄに示される支持体本体１３２の部分は、基板支持表面１３３に対応する。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、基板支持表面１３３上にのみ配置されてもよい。換言すれば、第２のコーティング層１７８は、支持体本体１３２の中心Ｃ１から第１の半径方向距離Ｒ１にほぼ等しい半径方向距離で延在していてもよい。したがって、第２のコーティング層１７８は、中心Ｃ１から第１のコーティング層１６４の第２の半径方向距離Ｒ２よりも短い半径方向距離で延在していてもよい。いくつかの他の例では、第２のコーティング層１７８は、基板支持表面１３３の外側の領域に塗布されてもよい。例えば、第２のコーティング層１７８は、基板支持表面１３３を取り囲む上向き表面１４１（図１Ｂに示す）を含む支持体本体１３２の上面全体に塗布されてもよい。いくつかの例では、支持体本体１３２の側面１４３（例えば、垂直側面）には、第２のコーティング層１７８がない。いくつかの他の例では、第２のコーティング層１７８は、支持体本体１３２の側面１４３（図１Ｂに示す）の周囲に塗布されてもよい。ただし、支持体本体１３２の側面１４３などの垂直表面上に配置された第２のコーティング層１７８の部分は、全体のコーティング品質を低下させる可能性がある。したがって、側面１４３のコーティングを避けることが有利である可能性がある。いくつかの例では、第２のコーティング層１７８は、支持体本体１３２の全体の上に配置され得る。いくつかの例では、ステム１３６には第２のコーティング層１７８がなくてもよい。第２のコーティング層１７８をステム１３６に塗布することは、特に難しい場合がある。したがって、ステム１３６のコーティングを避けることが有利である可能性がある。

いくつかの例では、コーティングされた基板支持体アセンブリ１０６（例えば、図１Ｃ～図１Ｄに示される）は、対応するコーティングされていない支持体と比較して増加した熱伝導率を有し得る。本明細書に開示されるコーティングの実施形態は、コーティングされていないアルミニウムベースの支持体が、より熱伝導性の高い材料と比較して基板温度の制御が制限されるため、少なくとも部分的にアルミニウムから形成された支持体の熱特性を改善するのに特に有利である可能性がある。

図２は、特定の実施形態による、図１Ｃの例示的な表面コーティングを形成する方法２００を示す図である。動作２０２では、任意の第１の表面処理がベース層１６０の外表面１６２に適用される。いくつかの例では、第１の表面処理は、酸化物および微量金属を均一な密度で除去する洗浄処理を含み得る。いくつかの例では、第１の表面処理は、Ｏ_２プラズマ洗浄を含み得る。いくつかの例では、洗浄処理は、図１Ａに示される処理チャンバ内で実行され得る上述の前洗浄処理を含んでいてもよい。いくつかの他の例では、洗浄処理は、前洗浄処理と比較して穏やかな処理化学薬品を使用する場合があり、この場合、より穏やかな処理条件は、基板支持体アセンブリの未仕上げの表面（例えば、コーティングされていない表面または単一のコーティング層でのみコーティングされている表面）を洗浄するのにより適している可能性がある。

動作２０４では、第１の材料前駆体がベース層１６０上に堆積され、第１のコーティング層１６４が形成される。いくつかの例では、第１の材料前駆体は、上述のように第１のコーティング層１６４を形成する材料を堆積するのに適した他の処理の中でも、ＥＮＰまたは電解ニッケルメッキを使用して堆積され得る。いくつかの例では、コーティングされる基板支持体アセンブリ１０６の部分（例えば、支持体本体１３２および／またはステム１３６）は、第１の材料前駆体を含む浴に浸漬される。

動作２０６では、任意の第２の表面処理が第１のコーティング層１６４の外表面１６６に適用される。いくつかの例では、第２の表面処理は、動作２０２に関して上述した洗浄処理のうちの１つまたは複数を含み得る。

図３は、特定の実施形態による、図１Ｄの例示的な表面コーティングを形成する方法３００を示す図である。動作３０２では、任意の第１の表面処理がベース層１７０の外表面１７２に適用される。いくつかの例では、第１の表面処理は、動作２０２に関して上述した洗浄処理のうちの１つまたは複数を含んでもよい。

動作３０４では、第１の材料前駆体がベース層１７０上に堆積され、第１のコーティング層１７４が形成される。いくつかの例では、第１の材料前駆体は、上述のように第１のコーティング層１６４を形成する材料を堆積するのに適した他の処理の中でも、ＥＮＰまたは電解ニッケルメッキを使用して堆積され得る。

動作３０６では、任意の第２の表面処理が第１のコーティング層１７４の外表面１７６に適用される。いくつかの例では、第２の表面処理は、動作２０２に関して上述した洗浄処理のうちの１つまたは複数を含み得る。いくつかの例では、第２の表面処理は反応性イオンエッチングを含み得る。いくつかの例では、第２の表面処理は逆転写アークプラズマ洗浄を含み得る。

動作３０８では、第２の材料前駆体が第１のコーティング層１７４上に堆積され、第２のコーティング層１７８が形成される。いくつかの例では、第２の材料前駆体は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ、またはＰＥＡＬＤを使用して堆積され得る。

動作３１０では、任意の第３の表面処理が第２のコーティング層１７８の外表面１８０に適用される。いくつかの例では、第３の表面処理は、動作２０２に関して上述した洗浄処理のうちの１つまたは複数を含み得る。

図４は、特定の実施形態による、図１Ａの処理チャンバ１００内で使用されるように構成された支持体本体の一部の拡大断面図であり、その上に配置された別の例示的な表面コーティングを示す。図４に示される表面コーティングは、第１のコーティング層１７４が省略されていることを除いて、図１Ｄに示される表面コーティングと同様である。このような例では、支持体本体が処理環境に耐性のある材料から形成されている場合、第１のコーティング層１７４は必要ない。代わりに、第２のコーティング層１７８はベース層１７０の外表面１７２と直接接触している。いくつかの他の例では、ベース層１７０と第２のコーティング層１７８との間に１つまたは複数の追加の層を配置することができる。一例では、ベース層１７０は、ニッケル合金（例えば、Ｎｉ１００またはＮｉ２００）であってもよいし、またはニッケル合金を含んでいてもよく、第２のコーティング層１７８は、炭化ケイ素（例えば、ＳｉＣ）、シリコン、全フッ素置換膜、ＹＯＦ、またはそれらの組み合わせであってもよいし、またはそれらを含んでいてもよい。

図４に示される支持体本体の部分は、基板支持表面１３３に対応する。しかしながら、いくつかの例では、図１Ｄに関して上述したように、第２のコーティング層１７８は、基板支持表面１３３の外側の領域でベース層１７０に直接塗布されてもよい。

本開示の利点には、処理チャンバの基板支持体アセンブリ用の改良されたコーティングが含まれる。特定の実施形態は、従来の一部型コーティングとは対照的に、二部型表面コーティングを提供する。二部型コーティングは、基板支持体アセンブリの表面全体の腐食を低減する第１のコーティングと、基板裏面の金属汚染を低減する金属汚染物質を含まない第２のコーティングとを含む。

上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができる。

Claims (20)

1. 処理チャンバ内で基板を支持するための支持体本体であって、
   上面を有する本体と、
   前記本体の前記上面上に配置された二部型コーティングと
   を備え、前記二部型コーティングは、
   前記本体の中心から第１の半径方向距離で延在する第１のコーティング層であって、金属含有材料または合金のうちの少なくとも１つを含む、第１のコーティング層と、
   前記第１のコーティング層の上に配置された第２のコーティング層と
   を含み、前記第２のコーティング層が前記本体の前記中心から第２の半径方向距離で延在し、前記第１の半径方向距離が前記第２の半径方向距離より大きく、前記第２のコーティング層が非金属である、支持体本体。
2. 前記第１のコーティング層が、前記本体の前記上面全体にわたって配置されている、請求項１に記載の支持体本体。
3. 前記第１のコーティング層が前記本体の全体にわたって配置され、前記本体の垂直側面には前記第２のコーティング層が存在しない、請求項１に記載の支持体本体。
4. 前記第１のコーティング層が、前記本体の基板接触表面上および前記基板接触表面の外側の前記本体の領域上に配置され、前記第２のコーティング層が、前記本体の前記基板接触表面上のみに配置される、請求項１に記載の支持体本体。
5. 前記第２のコーティング層が全フッ素置換膜を含む、請求項１に記載の支持体本体。
6. 前記全フッ素置換膜が自己組織化単層を含む、請求項５に記載の支持体本体。
7. 前記第１のコーティング層が無電解ニッケルメッキを含み、前記第２のコーティング層が炭化ケイ素を含む、請求項１に記載の支持体本体。
8. 前記第１のコーティング層が無電解ニッケルメッキを含み、前記第２のコーティング層がシリコンを含む、請求項１に記載の支持体本体。
9. 前記第２のコーティング層がオキシフッ化イットリウムを含む、請求項１に記載の支持体本体。
10. 基板を洗浄するように構成された処理チャンバを備えるシステムであって、
    前記処理チャンバは、
    チャンバ本体と、
    前記チャンバ本体の上端に配置された蓋アセンブリとを含み、前記蓋アセンブリは、
    第１のチャネルセットを有するデュアルチャネルシャワーヘッドであって、前記第１のチャネルセットは前記シャワーヘッドの平面の上下に流体連通を提供する、デュアルチャネルシャワーヘッドと、
    前記チャンバ本体のサイドポートとの流体連通を提供する第２のチャネルセットと
    を含み、
    前記処理チャンバはさらに、
    前記チャンバ本体内に少なくとも部分的に配置され、前記処理チャンバ内で前記基板を支持するように構成された基板支持体アセンブリを含み、前記基板支持体アセンブリは、
    上面を有する支持体本体であって、前記上面が前記支持体本体の中心から第１の半径方向距離で延在する、支持体本体と、
    前記支持体本体に結合されたステムと、
    前記支持体本体上に配置されたコーティングと
    を含み、前記コーティングは、
    前記支持体本体の前記上面全体にわたって配置され、無電解ニッケルメッキを含む、第１のコーティング層と、
    前記第１のコーティング層上に配置された第２のコーティング層と
    を含み、前記第２のコーティング層が前記支持体本体の前記中心から第２の半径方向距離で延在し、前記第２の半径方向距離が前記第１の半径方向距離よりも小さく、前記第２のコーティング層が炭化ケイ素を含む、システム。
11. 前記第１のコーティング層がさらに、前記支持体本体の垂直側面上および前記ステム上に配置され、前記支持体本体の前記垂直側面および前記ステムには前記第２のコーティング層が存在しない、請求項１０に記載のシステム。
12. 前記基板が前記処理チャンバによって洗浄された後に、前記基板上にエピタキシャル層を成長させるためのエピタキシャルチャンバをさらに備える、請求項１０に記載のシステム。
13. 前記第２のコーティング層が、前記支持体本体の基板接触表面上のみに配置されている、請求項１０に記載のシステム。
14. 前記第２のコーティング層が全フッ素置換膜を含む、請求項１０に記載のシステム。
15. 前記全フッ素置換膜が自己組織化単層を含む、請求項１４に記載のシステム。
16. 前記第２のコーティング層がオキシフッ化イットリウムを含み、前記オキシフッ化イットリウムコーティング中のイットリウム原子、酸素原子、およびフッ化物原子の個々の濃度が約２５原子％から約４０原子％の範囲内である、請求項１０に記載のシステム。
17. 処理チャンバの支持体本体上に表面コーティングを形成する方法であって、
    前記支持体本体の上面全体に第１の材料を堆積させることであって、それによって第１のコーティング層を形成し、前記第１の材料が、金属含有材料または合金のうちの少なくとも１つを含む、第１の材料を堆積させることと、
    前記支持体本体の前記上面の一部のみの上の前記第１のコーティング層の上に第２の材料を堆積させることであって、それによって第２のコーティング層を形成し、前記第２の材料が非金属である、第２の材料を堆積させることと
    を含む、方法。
18. 前記上面が、前記支持体本体の中心から第１の半径方向距離で延在し、前記第２のコーティング層が、前記支持体本体の前記中心から前記第１の半径方向距離より小さい第２の半径方向距離で延在する、請求項１７に記載の方法。
19. 前記支持体本体の全体にわたって前記第１の材料を堆積させることをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
20. 前記第１のコーティング層が無電解ニッケルメッキを含み、前記第２のコーティング層が炭化ケイ素を含む、請求項１７に記載の方法。

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