JP2024522275A - 有機酸化合物を含んでなる組成物を使用する方法、有機酸化合物を含んでなるリソグラフィ組成物、およびレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィ工程において定在波を低減する方法の提供。【解決手段】リソグラフィ工程において定在波を低減させるために、特定の構造を有する有機酸化合物（ＡＡ）を含んでなる組成物を使用する方法。

Description

本発明は、リソグラフィ工程において定在波を低減させるための有機酸化合物を含んでなる組成物を使用する方法に関する。また、本発明は、有機酸化合物を含んでなるリソグラフィ組成物、ならびにそれを用いたレジストパターンおよびデバイスの製造方法に関する。

近年、ＬＳＩの高集積化のニーズが高まっており、パターンの微細化が求められている。このようなニーズに対応するために、短波長の、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、極端紫外線（ＥＵＶ；１３ｎｍ）、Ｘ線、電子線等を用いるリソグラフィプロセスが実用化されつつある。このようなレジストパターンの微細化に対応するべく、微細加工の際にレジストとして用いられる感光性樹脂組成物にも高解像性のものが要求されている。短波長の光で露光することでより微細なパターンを形成することができるが、高い寸法精度が求められる。

リソグラフィ工程では、レジストを露光し、現像することによって、レジストパターンを形成する。露光時に、レジストへの入射光と、基板や空気界面からの反射光とが、多重干渉して、定在波が発生する現象が知られている。定在波の発生は、パターン寸法精度を低下させる。定在波を低減させるために、レジストの上層および／または下層に反射防止膜を形成することが行われている。

反射防止膜の上に、特定のスルホン酸と有機アミンからなる塩を含む化学増幅型レジスト組成物を用いることで、緩衝機能を発揮させ、露光裕度を高くする試みが存在する（例えば特許文献１）。

特開２００５－１７４０９号公報

図１は定在波の影響を受けた場合のネガ型レジストパターンの断面形状を模式図である。 図２は、定在波の影響を受けなかった場合のネガ型レジストパターンの断面系状の模式図である。

発明者は、微細加工を行うケミカルプロセスにおいて酸の動きを制御することに着目した。例えば、リソグラフィプロセスにおいて基板上に反射防止膜を形成し、その上にレジスト膜を形成して露光しても、定在波が残ることがあり、さらなる手法が求められる。また、下層反射防止膜は、レジストパターン形成後に、その除去が必要となるため、プロセス上使用できなかったり、別の手段を講じる必要が生じることがある。
発明者はいまだ改良が求められる１または複数の課題が存在すると考えた。それらは例えば以下が挙げられる；リソグラフィ工程において定在波を低減する；レジストパターンにおける定在波を低減する；レジストパターン幅の不均一さを抑える；レジストパターンのパターン倒れを抑制する；良い形状のレジストパターンを得る；感度がよいレジスト膜を得る；解像度がよいレジスト膜を得る；より微細なパターンを得る；ケミカルプロセスにおいて酸の動きを制御する；ケミカルプロセスにおいて酸の移動速度を抑制する；露光裕度を大きくする；焦点深度を高くする；プロセスマージンを大きくする；きれいに除去できるレジストパターンを得る；リソグラフィ工程の歩留まりを向上させる。

本発明は、リソグラフィ工程において定在波を低減させるために、有機酸化合物（ＡＡ）を含んでなる組成物を使用する方法：
ここで、有機酸化合物（ＡＡ）は式（ａａ）で表される。
（ここで、
Ｒ^ａは、Ｃ_１－４０炭化水素基であり、前記炭化水素基に含まれるメチレンの少なくとも１つがカルボニルで置換されていてもよく、
Ｘ^ａは、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
ｎａ１は、１または２であり、
ｎａ２は、０、１または２である）

本発明によるリソグラフィ組成物は、有機酸化合物（ＡＡ）および溶媒（Ｂ）を含んでなり、
ここで、有機酸化合物（ＡＡ）は式（ａａ）で表される。
（ここで、
Ｒ^ａは、Ｃ_１－４０炭化水素基であり、前記炭化水素基に含まれるメチレンの少なくとも１つがカルボニルで置換されていてもよく、
Ｘ^ａは、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
ｎａ１は、１または２であり、
ｎａ２は、０、１または２である）

本発明による膜の製造方法は、下記工程を含んでなる。
（１）基板の上方に上記のリソグラフィ組成物を適用し；
（２）減圧および又は加熱によりリソグラフィ組成物から膜を形成する。

本発明によるデバイスの製造方法は、上記の方法を含んでなる。

本発明によると、以下の１または複数の効果を望むことが可能である。
リソグラフィ工程において定在波を低減する；レジストパターンにおける定在波を低減する；レジストパターン幅の不均一さを抑える；レジストパターンのパターン倒れを抑制する；良い形状のレジストパターンを得る；感度がよいレジスト膜を得る；解像度がよいレジスト膜を得る；より微細なパターンを得る；ケミカルプロセスにおいて酸の動きを制御する；ケミカルプロセスにおいて酸の移動速度を抑制する；露光裕度が大きいレジスト膜を得る；焦点深度を高くすることできる；プロセスマージンを大きくすることができる；きれいに除去可能なレジストパターンを得ることできる；リソグラフィ工程の歩留まりを向上させる。

本発明の実施の形態について詳細に説明すると以下の通りである。

［定義］
本明細書において、特に限定されて言及されない限り、本パラグラフに記載の定義や例に従う。
単数形は複数形を含み、「１つの」や「その」は「少なくとも１つ」を意味する。ある概念の要素は複数種によって発現されることが可能であり、その量（例えば質量％やモル％）が記載された場合、その量はそれら複数種の和を意味する。
「および／または」は、要素の全ての組み合わせを含み、また単体での使用も含む。
「～」または「－」を用いて数値範囲を示した場合、これらは両方の端点を含み、単位は共通する。例えば、５～２５モル％は、５モル％以上２５モル％以下を意味する。
「Ｃ_ｘ－ｙ」、「Ｃ_ｘ～Ｃ_ｙ」および「Ｃ_ｘ」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。例えば、Ｃ_１－６アルキルは、１以上６以下の炭素を有するアルキル鎖（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等）を意味する。
ポリマーが複数種類の繰り返し単位を有する場合、これらの繰り返し単位は共重合する。これら共重合は、交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合、またはこれらの混在のいずれであってもよい。ポリマーや樹脂を構造式で示す際、括弧に併記されるｎやｍ等は繰り返し数を示す。
温度の単位は摂氏（Ｃｅｌｓｉｕｓ）を使用する。例えば、２０度とは摂氏２０度を意味する。
添加剤は、その機能を有する化合物そのものをいう（例えば、塩基発生剤であれば、塩基を発生させる化合物そのもの）。その化合物が、溶媒に溶解または分散されて、組成物に添加される形態もあり得る。本発明の一形態として、このような溶媒は溶媒（Ｂ）またはその他の成分として本発明にかかる組成物に含有されることが好ましい。

［有機酸化合物（ＡＡ）を含んでなる組成物を使用する方法］
本発明は、リソグラフィ工程において定在波を低減させるために、式（ａａ）で表される有機酸化合物（ＡＡ）を含んでなる組成物（以下、「本発明に用いられる組成物」ということがある）を使用する方法に関するものである。
好ましくは、本発明に用いられる組成物は、基板の上方に適用され、膜を形成するために使用される。本発明によると、定在波を低減できるので、本発明に用いられる組成物の下層に、下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）が形成されていなくてもよい。したがって、ＢＡＲＣを形成せずに、本発明に用いられる組成物を適用することも、本発明の好適な一形態である。なお、ＢＡＲＣが形成されている場合に、さらなる定在波低減効果を発揮できるので、ＢＡＲＣが形成されている場合でも、本発明を用いることができる。本発明の使用方法の組成物は、好適には後述のリソグラフィ組成物である。

有機酸化合物（ＡＡ）
有機酸化合物（ＡＡ）（以下、（ＡＡ）成分ということがある。後述する（Ｂ）以降についても同様である）は、式（ａａ）で表される。
ここで、
Ｒ^ａは、Ｃ_１－４０（好ましくはＣ_１－２０；より好ましくはＣ_５－１０）炭化水素基である。前記炭化水素基は環を形成してもよい。前記環は不飽和環または飽和環であってもよい。前記炭化水素基に含まれるメチレンの少なくとも１つがカルボニルで置換されていてもよい。本発明の好適な形態として、前記炭化水素基に含まれるメチレンの１つがカルボニルで置換される。
Ｘ^ａは、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨである（好ましくはＳＯ_３Ｈ）。
ｎａ１は、１または２である（好ましくは１）。
ｎａ２は、０、１または２である（好ましくは０）。

有機酸化合物（ＡＡ）は、好ましくは、式（ａａ－１）、（ａａ－２）、（ａａ－３）または（ａａ－４）で表される。

式（ａａ－１）は、以下である。
ここで、
ＡＬは、Ｃ_５－２０（好ましくはＣ_６－８）の脂環である。前記脂環中のメチレンの少なくとも１つがカルボニルに置換されていてもよい。本発明の好適な形態として、前記脂環に含まれるメチレンの１つがカルボニルで置換される。脂環中に、炭素間二重結合が含まれていてもよいが、好ましくは飽和脂環である。
Ｘ^ａ１は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨである（好ましくはＳＯ_３Ｈ）。
Ｒ^ａ１は、それぞれ独立に、Ｃ_１－５のアルキルである（好ましくはメチルまたはエチル；より好ましくはメチル）。
ｎ１１は、１または２である（好ましくは１）。
ｎ１２は、０、１または２である（好ましくは１）。
ｎ１３は、０、１または２である（好ましくは２）。
ｎ１４は、０、１または２である（好ましくは０）。

式（ａａ－１）で表される有機酸化合物（ＡＡ）の具体例としては、１０－カンファースルホン酸等が挙げられる。

式（ａａ－２）は、以下である。
ここで、
Ｘ^ａ２は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨである（好ましくはＳＯ_３Ｈ）。
Ｒ^ａ２は、それぞれ独立に、Ｃ_１－１５のアルキルである（好ましくはＣ_１－１２のアルキル；より好ましくはメチルまたはドデシル）。
ｎ２１は、１または２である（好ましくは１）。
ｎ２２は、０、１または２である（好ましくは０または１；より好ましくは１）。
ｎ２３は、０、１または２である（好ましくは０または１；より好ましくは０）。

式（ａａ－２）で表される有機酸化合物（ＡＡ）の具体例としては、ｐ－トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、安息香酸、２－ヒドロキシ安息香酸（サリチル酸）、３－ヒドロキシ安息香酸、４－ヒドロキシ安息香酸等が挙げられる。

式（ａａ－３）は、以下である。
ここで、
Ｘ^ａ３は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨである（好ましくはＳＯ_３Ｈ）。
Ｒ^ａ３は、Ｃ_１－１０のアルキル、Ｃ_１－１０のフッ素置換アルキルまたはＣ_２－１０のアルケニルである（好ましくはＣ_１－４のアルキル）。本明細書において、フッ素置換アルキルは、アルキルに存在する一部または全部のＨがＦに置換されていることを意味し、全部が置換されることも好ましい一形態である。本明細書において、アルケニルとは、直鎖状または分岐鎖状炭化水素であって、炭素－炭素二重結合を一つ持ち、任意の炭素から一つの水素を除去した基を意味する。

式（ａａ－３）で表される有機酸化合物（ＡＡ）の具体例としては、メタンスルホン酸、１－プロパンスルホン酸、１－ブタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ヘプタフルオロ－１－プロパンスルホン酸、ノナフルオロ－１－ブタンスルホン酸等が挙げられる。

式（ａａ－４）は、以下である。
ここで、
Ｘ^ａ４は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨである（好ましくはＣＯＯＨ）。
Ｒ^ａ３は、Ｃ_１－１０のアルキレンまたはＣ_２－１０のアルケニレンである（好ましくはＣ_１－４のアルキレンまたはＣ_２－４のアルケニレン；より好ましくはメチレンまたはＣ_２のアルケニレン）。本明細書において、アルケニレンとは、１つの炭素－炭素二重結合を有する二価の炭化水素基を意味する。

式（ａａ－４）で表される有機酸化合物（ＡＡ）の具体例としては、マロン酸、マレイン酸等が挙げられる。

有機酸化合物（ＡＡ）は、より好ましくは、式（ａａ－１）または（ａａ－２）で表され；さらに好ましくは、式（ａａ－１）で表される。

理論には拘束されないが、有機酸化合物（ＡＡ）を含むことで、定在波の低減ができるのは、リソグラフィ工程中に膜中に生じる物質（例えば酸発生剤（Ｄ）から生じる酸）の移動速度を抑制することに貢献することによるものと考えられる。
明確性のために記載すると、溶媒（Ｂ）を含む本発明の組成物において、組成物に含まれる成分はイオン状態になっていても、塩になっていても、これらが併存してもよい。例えば、有機酸化合物（ＡＡ）と塩基性化合物（ＡＢ）が溶媒（Ｂ）に溶解し、組成物内でイオンと塩が併存している状態であってもよい。

塩基性化合物（ＡＢ）
本発明に用いられる組成物は、好ましくは塩基性化合物（ＡＢ）をさらに含んでなる。塩基性化合物（ＡＢ）は、第１級アミン、第２級アミン、および第３級アミンからなる群から選択される。好ましい塩基性化合物（ＡＢ）、およびその含有量は、以降のリソグラフィ組成物に記載するものと同じである。

溶媒（Ｂ）
本発明に用いられる組成物は、好ましくは溶媒（Ｂ）を含んでなる。好ましい溶媒（Ｂ）およびその含有量は、以降のリソグラフィ組成物に記載するものと同じである。

膜化成分（Ｃ）
本発明に用いられる組成物は、好ましくは膜化成分（Ｃ）を含んでなる。好ましい膜化成分（Ｃ）およびその含有量は、以降のリソグラフィ組成物に記載するものと同じである。

［リソグラフィ組成物］
本発明によるリソグラフィ組成物は、式（ａａ）で表される有機酸化合物（ＡＡ）および溶媒（Ｂ）を含んでなる。
本発明において、リソグラフィ組成物とは、フォトリソグラフィプロセスで用いられる組成物のことをいい、例えば、洗浄、膜形成用途に用いられ、具体的には、レジスト組成物、平坦化膜形成組成物、下層反射防止膜形成組成物、上層反射防止膜形成組成物、リンス液、レジストリムーバー等が挙げられる。リソグラフィ組成物はプロセスを経た後で、除去されても除去されなくてもよいが、好適には除去される。リソグラフィ組成物から形成される物は、最終的なデバイスに残らなくても残っていてもよいが、好適には残らない。
本発明によるリソグラフィ組成物は、リソグラフィ膜形成組成物であり、より好ましくはレジスト組成物である。ポジ型でもネガ型でも使用できるが、好ましくはネガ型レジスト組成物である。
また、本発明によるリソグラフィ組成物は、化学増幅型レジスト組成物であることが好ましく、より好ましくは化学増幅型ネガ型レジスト組成物であり、この場合、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の他に、後述するポリマー、酸発生剤および架橋剤を含んでなることが好ましい。

有機酸化合物（ＡＡ）
本発明のリソグラフィ組成物に用いられる有機酸化合物（ＡＡ）は、上記に記載のとおりであり、好ましい形態も上記と同じである。
有機酸化合物（ＡＡ）は、単独で、または２種以上混合して使用することができる。
有機酸化合物（ＡＡ）の含有量は、溶媒（Ｂ）を基準として、好ましくは０．００１～１０質量％である（より好ましくは０．０５０～１質量％；さらに好ましくは０．０７５～０．２質量％）。
有機酸化合物（ＡＡ）の含有量は、膜化成分（Ｃ）を基準として、好ましくは０．０５～３０質量％である（より好ましくは０．１～２質量％；さらに好ましくは０．２～１．５質量％）。

塩基性化合物（ＡＢ）
本発明によるリソグラフィ組成物は、好ましくは塩基性化合物（ＡＢ）をさらに含んでなる。塩基性化合物（ＡＢ）を加えることで、リソグラフィ組成物のｐＨを調整することが可能である。

塩基性化合物（ＡＢ）は、第１級アミン、第２級アミン、および第３級アミンからなる群から選択され；好ましくはＣ_２－３２の第２級脂肪族アミン、Ｃ_３－４８の第３級脂肪族アミン、Ｃ_６－３０の芳香族アミン、およびＣ_５－３０のヘテロ環アミン、ならびにそれらの誘導体からなる群から選択される。

塩基性化合物（ＡＢ）の具体例としては、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリ－ｎ－オクチルアミン、トリイソプロパノールアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジ－イソブチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジエタノールアミン、トリス［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］アミン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、ピペリジン、ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ－ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。塩基性化合物（ＡＢ）の具体例として、好ましくはトリエチルアミン、トリエタノールアミン、トリス［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］アミン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、またはベンジルアミンが挙げられ；より好ましくはトリエタノールアミン、またはトリス［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］アミンが挙げられ；さらに好ましくはトリス［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］アミンが挙げられる。

塩基性化合物（ＡＢ）の分子量は、好ましくは５０～４００である（より好ましくは１００～３８０；さらに好ましくは２００～３６０；よりさらに好ましくは３００～３５０）。

塩基性化合物（ＡＢ）は、単独で、または２種以上混合して使用することができる。
塩基性化合物（ＡＢ）の含有量は、膜化成分（Ｃ）を基準として、好ましくは０～４０質量％である（より好ましくは０～１０質量％；さらに好ましくは０．１～５質量％；よりさらに好ましくは０．５～２質量％）。
塩基性化合物（ＡＢ）の含有量は、溶媒（Ｂ）を基準として、好ましくは０．００１～１０質量％である（より好ましくは０．０５０～１質量％；さらに好ましくは０．１０～０．５質量％）。本組成物において、塩基性化合物（ＡＢ）を含まない（０．００質量％）ことも、好適な一形態である。

溶媒（Ｂ）
本発明に用いられる溶媒（Ｂ）は、配合される各成分を溶解することができるものであれば特に限定されない。
溶媒（Ｂ）は、好ましくは有機溶媒（Ｂ１）を含んでなる。溶媒（Ｂ）が、有機溶媒（Ｂ１）のみからなることも好適な一形態である。有機溶媒（Ｂ１）は、好ましくは、炭化水素溶媒、エーテル溶媒、エステル溶媒、アルコール溶媒、ケトン溶媒、またはこれらのいずれの混合物を含んでなる。
溶媒の具体例としては、例えば、水、ｎ－ペンタン、ｉ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｉ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン、ｉ－ヘプタン、２，２，４－トリメチルペンタン、ｎ－オクタン、ｉ－オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ－プロピルベンセン、ｉ－プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ－ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ－ｉ－プロピルベンセン、ｎ－アミルナフタレン、トリメチルベンゼン、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔ－ブタノール、ｎ－ペンタノール、ｉ－ペンタノール、２－メチルブタノール、ｓｅｃ－ペンタノール、ｔ－ペンタノール、３－メトキシブタノール、ｎ－ヘキサノール、２－メチルペンタノール、ｓｅｃ－ヘキサノール、２－エチルブタノール、ｓｅｃ－ヘプタノール、ヘプタノール－３、ｎ－オクタノール、２－エチルヘキサノール、ｓｅｃ－オクタノール、ｎ－ノニルアルコール、２，６－ジメチルヘプタノール－４、ｎ－デカノール、ｓｅｃ－ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ－テトラデシルアルコール、ｓｅｃ－ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、ペンタンジオール－２，４、２－メチルペンタンジオール－２，４、ヘキサンジオール－２，５、ヘプタンジオール－２，４、２－エチルヘキサンジオール－１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン、アセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル－ｉ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、エチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジ－ｉ－ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン、エチルエーテル、ｉ－プロピルエーテル、ｎ－ブチルエーテル（ジ－ｎ－ブチルエーテル、ＤＢＥ）、ｎ－ヘキシルエーテル、２－エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、１，２－プロピレンオキシド、ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ－ｎ－ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ－ｎ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２－メチルテトラヒドロフラン、ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、γ－バレロラクトン、酢酸ｎ－プロピル、酢酸ｉ－プロピル、酢酸－ｎ－ブチル（ノルマルブチルアセテート、ｎＢＡ）、酢酸ｉ－ブチル、酢酸ｓｅｃ－ブチル、酢酸ｎ－ペンチル、酢酸ｓｅｃ－ペンチル、酢酸３－メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２－エチルブチル、酢酸２－エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ－ノニル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、アセト酢酸ｔ－ブチル、プロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、プロピオン酸ｉ－アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ－ｎ－ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、乳酸ｎ－ブチル、乳酸ｎ－アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、プロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ－メチルピロリドン、硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、および１，３－プロパンスルトンが挙げられる。これらの溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
溶媒（Ｂ）として、好ましくは、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、ＥＬ、ＧＢＬ、ｎ－ブタノール、ｔ－ブタノール、ｎ－オクタノール、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－メトキシブチルアセテート、シクロペンタノン、アセト酢酸ｔ－ブチルまたはこれらのいずれかの混合物であり；より好ましくは、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡまたはこれらの混合物である。本発明の好適な一形態は、有機溶媒（Ｂ１）はＰＧＭＥとＰＧＭＥＡの混合物であり、質量比でＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡが０．１～１０（より好適には０．１～１；さらに好適には０．２～０．５；よりさらに好適には０．２～０．３）。

他の層や膜との関係で、溶媒（Ｂ）が水を実体的に含まないことも一形態である。例えば、溶媒（Ｂ）全体に占める水の量が、好ましくは０．１質量％以下であり、より好ましくは０．０１質量％以下であり、さらに好ましくは０．００１質量％以下である。溶媒（Ｂ）が水を含まない（０質量％）ことも好適な一形態である。

溶媒（Ｂ）の含有量は、リソグラフィ組成物を基準として、好ましくは１０～９９．９９９質量％である（より好ましくは７５～９５質量％；さらに好ましくは８０～９０質量％）。

膜化成分（Ｃ）
本発明によるリソグラフィ組成物は、好ましくは膜化成分（Ｃ）を含んでなる。本発明において、膜化成分（Ｃ）とは、形成される膜の少なくとも一部を構成する成分のことをいう。形成される膜が膜化成分（Ｃ）のみで構成される必要はない。例えば膜化成分（Ｃ）と後述の架橋剤（Ｅ）が結合して膜を形成していてもよい。好適な形態として膜化成分（Ｃ）は形成される膜の大部分を構成し、例えば膜において体積当たり６０％以上（より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上、よりさらに好ましくは９０％以上）を構成する。

膜化成分（Ｃ）は、好ましくはポリマー（Ｃ１）を含んでなる。本発明の好適な一形態は、膜化成分（Ｃ）がポリマー（Ｃ１）であることである。
ポリマー（Ｃ１）としては、例えばノボラック誘導体、フェノール誘導体、ポリスチレン誘導体、ポリアクリル酸誘導体、ポリマレイン酸誘導体、ポリカーボネート誘導体、ポリビニルアルコール誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体が挙げられる。

本発明によるリソグラフィ組成物が、レジスト組成物である場合に、ポリマー（Ｃ１）が露光等により、アルカリ現像液への溶解性が変化するレジスト組成物において一般に用いられるポリマーであることが好ましい。
本発明によるリソグラフィ組成物が、化学増幅型ポジ型レジスト組成物である場合、ポリマー（Ｃ１）は、酸と反応して現像液に対する溶解度が増加するものであることが好ましい。このようなポリマーは、例えば保護基によって保護された酸基を有しており、外部から酸を添加されると、その保護基が脱離して、現像液に対する溶解度が増加するものである。
本発明によるリソグラフィ組成物が、化学増幅型ネガ型レジスト組成物である場合、ポリマー（Ｃ１）は、露光により発生した酸を触媒として、例えば、架橋剤により、ポリマー間を架橋させ、現像液に対する溶解度が低下するものであることが好ましい。
このようなポリマーは、リソグラフィ法において一般的に用いられるものから任意に選択することができる。このようなポリマーのうち、下記式（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）で表される繰り返し単位を少なくとも１つ有するものが好ましい。本発明によるリソグラフィ組成物が、化学増幅型ネガ型レジスト組成物である場合、ポリマー（Ｃ１）が式（ｃ１）で表される繰り返し単位を少なくとも有することが好ましい。

式（ｃ１）で表される繰り返し単位は、以下である。
ここで、
Ｒ^ｃ１は、Ｈ、Ｃ_１－５アルキル、Ｃ_１－５アルコキシ、またはＣＯＯＨである（好ましくはＨまたはメチル；より好ましくはＨ）。
Ｒ^ｃ２は、Ｃ_１－５アルキル（これは、－ＣＨ_２－が－Ｏ－によって置きかえられていてもよい）である。Ｒ^ｃ２は、好ましくは、メチル、エチルまたはメトキシである（より好ましくはメチル）。
ｍ１は、０～４の数である（好ましくは０）。
ｍ２は、１～２の数である（好ましくは１）。
ｍ１＋ｍ２≦５である。

式（ｃ１）の具体例は以下である。

式（ｃ２）で表される構成単位は以下である。
ここで、
Ｒ^ｃ３は、Ｈ、Ｃ_１－５アルキル、Ｃ_１－５アルコキシ、またはＣＯＯＨである（好ましくはＨ、またはメチル；より好ましくはＨ）。
Ｒ^ｃ４は、Ｃ_１－５アルキルまたはＣ_１－５アルコキシ（ここで、アルキル、アルコキシに含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－によって置き換えられていてもよい）である。Ｒ^ｃ４は、より好ましくはＣ_１－５アルコキシ（ここで、アルコキシに含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－によって置き換えられていてもよい）であり、このとき、ｍ３は１であることが好ましい。この形態におけるＲ^ｃ４として、メトキシ、ｔ－ブチルオキシ、および－Ｏ－ＣＨ（ＣＨ_３）－Ｏ－ＣＨ_２ＣＨ_３が挙げられる。
ｍ３は、０～５の数である（好ましくは０、１、２、３、４または５；より好ましくは０または１）。ｍ３が０であることも好適な一形態である。

式（ｃ２）の具体例は以下である。

式（ｃ３）で表される構成単位は以下である。
ここで、
Ｒ^ｃ５は、Ｈ、Ｃ_１－５アルキル、Ｃ_１－５アルコキシ、またはＣＯＯＨである（より好ましくはＨ、メチル、エチル、メトキシ、またはＣＯＯＨ；さらに好ましくはＨまたはメチル；よりさらに好ましくはＨ）。
Ｒ^ｃ６は、Ｃ_１－１５アルキルまたはＣ_１－５アルキルエーテルであり、Ｒ^ｃ６は環構造を有していてもよい。Ｒ^ｃ６は、好ましくはメチル、イソプロピル、ｔ－ブチル、シクロペンチル、メチルシクロペンチル、エチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル、エチルシクロヘキシル、メチルアダマンチルまたはエチルアダマンチルである（より好ましくはｔ－ブチル、エチルシクロペンチル、エチルシクロヘキシル、またはエチルアダマンチル；さらに好ましくはｔ－ブチル）。

式（ｃ３）の具体例は以下である。

これらの構成単位は、目的に応じて適切に配合されるので、それらの配合比は特に限定されないが、アルカリ現像液対する溶解度が適当になるように配合されるのが好ましい。
これらのポリマーは２種類以上を組合せて用いることもできる。

ポリマー（Ｃ１）の質量平均分子量（以下、Ｍｗということがある）は、好ましくは５００～１００，０００である（より好ましくは１，０００～５０，０００；さらに好ましくは３，０００～２０，０００；よりさらに好ましくは４，０００～２０，０００）。
本発明において、Ｍｗはゲル浸透クロマトグラフィー（ｇｅｌ ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ、ＧＰＣ）にて測定することが可能である。同測定では、ＧＰＣカラムを摂氏４０度、溶出溶媒テトラヒドロフランを０．６ｍＬ／分、単分散ポリスチレンを標準として用いることが好適な１例である。

膜化成分（Ｃ）は、単独で、または２種以上混合して使用することができる。
膜化成分（Ｃ）の含有量は、リソグラフィ組成物を基準として、好ましくは２～４０質量％である（より好ましくは２～３０質量％；さらに好ましくは５～２５質量％；よりさらに好ましくは１０～２０質量％）。

ポリマー（Ｃ１）中の全ての繰り返し単位数を基準として、式（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）で表される繰り返し単位の比率をそれぞれｎ_ｃ１、ｎ_ｃ２およびｎ_ｃ３とすると、以下であることが本発明の好適な形態の一つである。
ｎ_ｃ１＝０～１００％（より好適には３０～１００％；さらに好適には５０～１００％；よりさらに好適には６０～１００％）。
ｎ_ｃ２＝０～１００％（より好適には０～７０％；さらに好適には０～５０％；よりさらに好適には０～４０％）。
ｎ_ｃ３＝０～５０％（より好適には０～４０％；さらに好適には０～３０％；よりさらに好適には０～２０％）。
式（ｃ３）で表される繰り返し単位を含まない（ｎ_ｃ３＝０）形態も本発明の別の好適な一形態である。

酸発生剤（Ｄ）
本発明によるリソグラフィ組成物は、酸発生剤（Ｄ）を含んでいてもよい。本発明において、酸発生剤とは、酸発生機能を有する化合物そのものをいう。酸発生剤には、例えば、露光によって酸を発生させる光酸発生剤（ＰＡＧ）と加熱によって酸を発生させる熱酸発生剤（ＴＡＧ）が挙げられる。本発明によるリソグラフィ組成物が化学増幅型レジスト組成物である場合に、ＰＡＧを含むことが好ましい。

ＰＡＧとしては、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、およびＮ－スルホニルオキシイミド酸発生剤が挙げられる。代表的なＰＡＧを以下に示すが、これらは単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

スルホニウム塩は、カルボン酸塩、スルホン酸塩またはイミドを含むアニオンと、スルホニウムカチオンの塩である。代表的なスルホニウムカチオンとしては、トリフェニルスルホニウム、（４－メチルフェニル）ジフェニルスルホニウム、（４－メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリス（４－メトキシフェニル）スルホニウム、（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウム、（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）スルホニウム、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、トリス（４－メチルフェニル）スルホニウム、（４－メトキシ－３，５－ジメチルフェニル）ジメチルスルホニウム、（３－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、（３，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、（４－フェノキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、（４－シクロヘキシルフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（ｐ－フェニレン）ビス（ジフェニルスルホニウム）、ジフェニル（４－チオフェノキシフェニル）スルホニウム、ジフェニル（４－チオフェニルフェニル）スルホニウム、ジフェニル（８－チオフェニルビフェニル）スルホニウム、（４－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）スルホニウム、（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ビス（４－ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、トリス（４－ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、２－ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル（２－ナフチル）スルホニウム、４－ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、４－メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、２－オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、およびトリベンジルスルホニウムが挙げられる。代表的なスルホン酸塩としては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２－トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４－（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、４－フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、４－（４－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、およびメタンスルホネートが挙げられる。代表的なイミドとしては、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロブタンスルホニルオキシ）イミド、ビス［パーフルオロ（２－エトキシエタン）スルホニル］イミド、およびＮ，Ｎ－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミドが挙げられる。代表的なその他のアニオンとしては、３－オキソ－３Ｈ－１，２－ベンゾチアゾール－２－イド、１，１－ジオキシド、トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンイドおよびトリス［（パーフルオロブチル）スルホニル］メタンイドが挙げられる。フルオロカーボンを含有するアニオンが好ましい。前述の例の組合せに基づくスルホニウム塩が含まれる。

ヨードニウム塩は、スルホン酸塩およびイミドを含むアニオンと、ヨードニウムカチオンの塩である。代表的なヨードニウムカチオンとしては、ジフェニルヨードニウム、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４－ｔｅｒｔ－ペンチルフェニル）ヨードニウム、４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、および４－メトキシフェニルフェニルヨードニウム等のアリールヨードニウムカチオンが挙げられる。代表的なスルホン酸塩としては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２－トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４－（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、４－フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、４－（４－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、およびメタンスルホネートが挙げられる。代表的なイミドとしては、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロブタンスルホニルオキシ）イミド、ビス［パーフルオロ（２－エトキシエタン）スルホニル］イミド、およびＮ，Ｎ－ヘキサフルオロプロパン－１，３－ジスルホニルイミドが挙げられる。代表的なその他のアニオンとしては、３－オキソ－３Ｈ－１，２－ベンゾチアゾール－２－イド、１，１－ジオキシド、トリス［（トリフルオロメチル）スルホニル］メタンイドおよびトリス［（パーフルオロブチル）スルホニル］メタンイドが挙げられる。フルオロカーボンを含有するアニオンが好ましい。前述の例の組合せに基づくヨードニウム塩が含まれる。

代表的なスルホニルジアゾメタン化合物としては、ビス（エチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１－メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２－メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１－ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（パーフルオロイソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４－メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４－ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２－ナフチルスルホニル）ジアゾメタン、４－メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、ｔｅｒｔ－ブチルカルボニル－４－メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、２－ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、４－メチルフェニルスルホニル－２－ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、およびｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－４－メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン化合物およびスルホニルカルボニルジアゾメタン化合物が挙げられる。

Ｎ－スルホニルオキシイミド光酸発生剤としては、イミド骨格とスルホン酸との組合せが挙げられる。代表的なイミド骨格としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボン酸イミド、フタルイミド、シクロヘキシルジカルボン酸イミド、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸イミド、および７－オキサビシクロ［２．２．１］－５－ヘプテン－２，３－ジカルボン酸イミドが挙げられる。代表的なスルホン酸塩としては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２－トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４－トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４－フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、およびメタンスルホネートが挙げられる。

ベンゾインスルホネート光酸発生剤としては、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、およびベンゾインブタンスルホネートが挙げられる。

ピロガロールトリスルホネート光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログルシノール、カテコール、レゾルシノール、およびヒドロキノンが挙げられるが、これらの中で全てのヒドロキシル基は、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２－トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４－トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４－フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、またはメタンスルホネートによって置換されている。

ニトロベンジルスルホネート光酸発生剤としては、２，４－ジニトロベンジルスルホネート類、２－ニトロベンジルスルホネート類、および２，６－ジニトロベンジルスルホネート類が挙げられ、代表的にはトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２－トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４－トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４－フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、およびメタンスルホネートを含むスルホネートが挙げられる。また、有用なのは、ベンジル側のニトロ基がトリフルオロメチルで置換されている、類似のニトロベンジルスルホネート化合物である。

スルホン光酸発生剤としては、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４－メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（２－ナフチルスルホニル）メタン、２，２－ビス（フェニルスルホニル）プロパン、２，２－ビス（４－メチルフェニルスルホニル）プロパン、２，２－ビス（２－ナフチルスルホニル）プロパン、２－メチル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２－シクロヘキシルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン、および２，４－ジメチル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）ペンタン－３－オンが挙げられる。

グリオキシム誘導体の形の光酸発生剤としては、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（メタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（トリフルオロメタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（１，１，１－トリフルオロエタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｔｅｒｔ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（パーフルオロオクタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（シクロヘキシルスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－フルオロベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（キシレンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、およびビス－Ｏ－（カンファースルホニル）－α－ジメチルグリオキシムが挙げられる。

これらの中で、好ましいＰＡＧは、スルホニウム塩類、ヨードニウム塩類、およびＮ－スルホニルオキシイミド類である。

発生した酸の最適なアニオンは、ポリマー中の酸不安定基の切断の容易さのような要因によって変化するが、不揮発性であり、かつ極めて高度には拡散性でないアニオンが一般的に選択される。適当なアニオンとしては、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、４－（４－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホン酸、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸、２，２，２－トリフルオロエタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸、カンファースルホン酸、ジスルホン酸、スルホニルイミド、およびスルホニルメタンイドのアニオンが挙げられる。

ＴＡＧの例は、金属不含のスルホニウム塩およびヨードニウム塩、例えば、強非求核酸のトリアリールスルホニウム、ジアルキルアリールスルホニウム、およびジアリールアルキルスルホニウム塩、強非求核酸のアルキルアリールヨードニウム、ジアリールヨードニウム塩；および強非求核酸のアンモニウム、アルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキルアンモニウム塩である。また、共有結合型（ｃｏｖａｌｅｎｔ）熱酸発生剤も、有用な添加剤として考えられ、例えばアルキルまたはアリールスルホン酸の２－ニトロベンジルエステル、および熱分解して遊離スルホン酸をもたらすスルホン酸のその他のエステルがある。その例は、ジアリールヨードニウムパーフルオロアルキルスルホネート、ジアリールヨードニウムトリス（フルオロアルキルスルホニル）メチド、ジアリールヨードニウムビス（フルオロアルキルスルホニル）メチド、ジアリールヨードニウムビス（フルオロアルキルスルホニル）イミド、ジアリールヨードニウム第４級アンモニウムパーフルオロアルキルスルホネートである。不安定なエステルの例は、トシル酸２－ニトロベンジル、トシル酸２，４－ジニトロベンジル、トシル酸２，６－ジニトロベンジル、トシル酸４－ニトロベンジル；２－トリフルオロメチル－６－ニトロベンジル４－クロロベンゼンスルホネート、２－トリフルオロメチル－６－ニトロベンジル４－ニトロベンゼンスルホネートなどのベンゼンスルホネート；フェニル４－メトキシベンゼンスルホネートなどのフェノール系スルホネートエステル；第４級アンモニウムトリス（フルオロアルキルスルホニル）メチド、および第４級アルキルアンモニウムビス（フルオロアルキルスルホニル）イミド、有機酸のアルキルアンモニウム塩、例えば１０－カンファースルホン酸のトリエチルアンモニウム塩である。様々な芳香族（アントラセン、ナフタレン、またはベンゼン誘導体）スルホン酸アミン塩、例えば米国特許第３，４７４，０５４号、第４，２００，７２９号、第４，２５１，６６５号、および第５，１８７，０１９号に開示されたものも、ＴＡＧとして用いることができる。

酸発生剤（Ｄ）は、単独で、または２種以上混合して使用することができる。
酸発生剤（Ｄ）の含有量は、膜化成分（Ｃ）を基準として、好ましくは０．５～２０質量％である（より好ましくは１．０～１０質量％であり、さらに好ましくは２～６質量％であり、よりさらに好ましくは２～５質量％）。

架橋剤（Ｅ）
本発明によるリソグラフィ組成物は、架橋剤（Ｅ）を含んでいてもよい。本発明において、架橋剤とは、架橋機能を有する化合物そのものをいう。架橋剤は、（Ｃ）成分の分子内および／または分子間を架橋するものであれば、特に限定されない。

架橋剤としては、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物またはウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの二重結合を含む化合物を挙げることができる。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いられる。
エポキシ化合物としては、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテルなどが挙げられる。メラミン化合物としては、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンの１～６個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物およびその混合物、ヘキサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の１～６個がアシロキシメチル化した化合物およびその混合物が挙げられる。グアナミン化合物としては、テトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物およびその混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシロキシグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がアシロキシメチル化した化合物およびその混合物が挙げられる。グリコールウリル化合物としては、テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシグリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がメトキシメチル基化した化合物、およびその混合物、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がアシロキシメチル化した化合物およびその混合物が挙げられる。ウレア化合物としてはテトラメチロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメチロールウレアの１～４個のメチロール基がメトキシメチル基化した化合物およびその混合物、テトラメトキシエチルウレアなどが挙げられる。アルケニルエーテル基を含む化合物としては、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２－プロパンジオールジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルなどが挙げられる。

ヒドロキシ基を含む架橋剤としては、例えば、以下が挙げられる。

膜形成する際の架橋温度は、好ましくは５０～２３０℃である（より好ましくは８０～２２０℃；さらに好ましくは８０～１９０℃）。

架橋剤（Ｅ）は、単独で、または２種以上混合して使用することができる。
架橋剤（Ｅ）の含有量は、膜化成分（Ｃ）を基準として、好ましくは３～３０質量％である（より好ましくは５～２０質量％；さらに好ましくは５～１２質量％）。

界面活性剤（Ｆ）
本発明によるリソグラフィ組成物は、好ましくは界面活性剤（Ｆ）を含んでなる。界面活性剤（Ｆ）を含むことで、塗布性を向上させることができる。本発明に用いることができる界面活性剤としては、（Ｉ）陰イオン界面活性剤、（ＩＩ）陽イオン界面活性剤、または（ＩＩＩ）非イオン界面活性剤を挙げることができ、より具体的には（Ｉ）アルキルスルホネート、アルキルベンゼンスルホン酸、およびアルキルベンゼンスルホネート、（ＩＩ）ラウリルピリジニウムクロライド、およびラウリルメチルアンモニウムクロライド、ならびに（ＩＩＩ）ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンアセチレニックグリコールエーテル、フッ素含有界面活性剤（例えば、フロラード（スリーエム）、メガファック（ＤＩＣ）、スルフロン（旭硝子）、および有機シロキサン界面活性剤（例えば、ＫＦ－５３、ＫＰ３４１（信越化学工業））が挙げられる。

界面活性剤（Ｆ）は、単独で、または２種以上混合して使用することができる。界面活性剤（Ｆ）の含有量は、膜化成分（Ｃ）を基準として、好ましくは０．０５～０．５質量％である（より好ましくは０．０９～０．２質量％）。

添加物（Ｇ）
本発明によるリソグラフィ組成物は、（Ａ）～（Ｆ）成分以外の添加物（Ｇ）を含むことができる。添加物（Ｇ）は、好ましくは、可塑剤、染料、コントラスト増強剤、酸、ラジカル発生剤、基板密着増強剤、消泡剤、またはこれらいずれかの混合を含んでなる。添加物（Ｇ）における酸は、式（ａａ）で表される有機酸化合物を含まない。
添加物（Ｇ）の含有量（複数の場合、その和）は、組成物を基準として、好ましくは０．１～２０質量％である（より好ましくは０．１～１０質量％であり；さらに好ましくは１～５質量％）。本発明による組成物が、添加物（Ｇ）を含まない（０．０質量％）ことも、本発明の形態の一つである。
添加物（Ｇ）の含有量（複数の場合、その和）は、膜化成分（Ｃ）を基準として、好ましくは０～１０質量％である（より好ましくは０．０５～５質量％；さらに好ましくは０．５～２．５質量％）。

＜膜の製造方法＞
本発明による膜の製造方法は、下記の工程を含んでなる。
（１）基板の上方に本発明によるリソグラフィ組成物を適用し；
（２）減圧および／または加熱によりリソグラフィ組成物から膜を形成する。
以降において、（）内の数字は工程の順番を示す。例えば、（１）、（２）、（３）の工程が記載されている場合、工程の順番は前記の通りになる。
本発明において、膜は、乾燥または硬化されたものであって、例えばレジスト膜を包含するものである。
本発明によれば、膜形成時に、定在波による影響を低減できるので、リソグラフィ組成を適用する前に、基板の上方にＢＡＲＣを形成していなくてもよい。これにより、ＢＡＲＣの除去工程を省略できる。

以下、本発明による製造方法の一形態について説明する。
基板（例えば、シリコン／二酸化シリコン被覆基板、シリコンナイトライド基板、シリコンウェハ基板、ガラス基板およびＩＴＯ基板等）の上方に、適当な方法により本発明によるリソグラフィ組成物を適用する。ここで、本発明において、上方とは、直上に形成される場合および他の層を介して形成される場合を含む。例えば、基板の直上に、平坦化膜を形成し、その平坦化膜の直上に本発明による組成物が適用されていてもよい。基板の直上にリソグラフィ組成物が適用することが、本発明の好適な形態である。
適用方法は特に限定されないが、例えばスピナー、コーターによる塗布による方法が挙げられる。塗布後、減圧および／または加熱（ソフトベーク）することにより本発明による膜が形成される。加熱を行わず、基板を高速で回転させ、溶媒を蒸発させることで膜が形成されていてもよい。本発明によるリソグラフィ組成物が、レジスト組成物である場合に、加熱は、例えばホットプレートによって行われる。加熱温度は、好ましくは８０～２５０℃（より好ましくは８０～２００℃；さらに好ましくは９０～１８０℃）。加熱時間は、好ましくは３０～６００秒間（より好ましくは３０～３００秒間；さらに好ましくは６０～１８０秒間）。加熱は、好ましくは大気または窒素ガス雰囲気にて行われる。
レジスト膜の膜厚は、露光波長によって異なるが、好ましくは１００～５０，０００ｎｍである。露光がＫｒＦエキシマレーザーを用いる場合、レジスト膜の膜厚は、好ましくは１００～５，０００ｎｍである（より好ましくは１００～１，０００ｎｍ；さらに好ましくは４００～８００ｎｍ）。

本発明によるリソグラフィ組成物がレジスト組成物である場合、本発明によるレジストパターンの製造方法は、以下の工程を含んでなる。
上記に記載の方法でリソグラフィ組成物を用いて膜を形成し、
（３）放射線で膜を露光し、
（４）膜を現像し、レジストパターンを形成する。

レジスト組成物を用いて形成された膜は、所定のマスクを通して露光が行なわれる。露光に用いられる光の波長は特に限定されないが、波長が１３．５～３６５ｎｍの光で露光することが好ましい。具体的には、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、および極紫外線（波長１３．５ｎｍ）等を使用することができ、好ましくはＫｒＦエキシマレーザーである。これらの波長は±１％の範囲を許容する。露光後、必要に応じて露光後加熱（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ）を行なうこともできる。露光後加熱の温度は好ましくは８０～１５０℃（より好ましくは１００～１４０℃）であり、加熱時間は０．３～５分間（好ましくは０．５～２分間）である。
露光された膜に、現像液を用いて現像が行なわれる。用いられる現像液として、好ましくは２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液である。現像液の温度は好ましくは５～５０℃（より好ましくは２５～４０℃）であり、現像時間は好ましくは１０～３００秒（より好ましくは３０～６０秒）である。
このような現像液を用いることで、膜を室温で容易に溶解除去することができる。さらに、これらの現像液に例えば界面活性剤を加えることもできる。
ネガ型レジスト組成物を利用した場合、未露光部分のフォトレジスト層が現像によって除去され、レジストパターンが形成される。このレジストパターンに、例えばシュリンク材料を用いることでさらに微細化することも可能である。

図１が、定在波の影響を受けた場合のネガ型レジストパターンの断面形状を模式図である。基板２上に、レジストパターン１が形成されている。このように断面に振幅の大きい波形形状が形成されると、少しの膜厚の差で、レジストトップ形状が大きく変動してしまい、寸法精度が悪くなるので、このような振幅は小さい方が好ましい。ここで、基板とレジストパターンが接するところから、上方に向けて、レジストパターンの太さが極大となる最初の点を腹３とし、その直上のレジストパターンの太さが極小となっている点を節４とする。そして、腹と節の基板と平行方向の距離を腹節間距離５という。この腹節間距離が小さいことが好ましく、具体的には、腹節間距離／目的とするパターン幅（以下、定在波指数ということがある）が、１０％未満であることが好ましく、５％未満であることがより好ましく、１％未満であることがさらに好ましい。ここで、目的とするパターン幅は、定在波の影響を受けないと想定した場合の、レジストのトップの幅のことであってよい。レジストパターンに現れる定在波を低減することで、目的と異なる形状となったり、切れ込みができることにより生じるパターン倒れを抑制し、より微細なパターンを安定的に形成しやすくなる。
図２は、定在波の影響を受けなかった場合のネガ型レジストパターンの断面形状の模式図である。ネガ型レジストでは、露光によって発生した酸を媒介して、ポリマーが不溶化するため、下方には光が届きにくく酸の発生が上方より少なく、下方が上方に比べて不溶化しにくい。そのため、形成されたパターンは、逆テーパー形状になる傾向がある。図２では、腹および節は存在せず、この場合、定在波指数は０とみなす。

本発明による金属パターンの製造方法は、
上記に記載の方法でレジストパターンを形成し、
（５ａ）レジストパターン上に金属層を形成し；
（６ａ）残ったレジストパターンとそれらの上の金属層を取り除く
ことを含んでなる。（１）から（４）の工程に続いて、（５ａ）、（６ａ）の工程が行われる。工程の順番は前記の通りになる。
金属層の形成は、金、銅等の金属（金属酸化物等であってもよい）を、例えば蒸着またはスパッリングによって形成させる。その後、レジストパターンをその上部に形成された金属層とともに、剥離液を用いて除去することで、金属パターンを形成することができる。剥離液は、レジストの剥離液として用いられているものであれば、特に限定されないが、例えば、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）、アセトン、アルカリ溶液が使用される。本発明によるレジストがネガ型の場合、上記のように、逆テーパー形状となる傾向がある。逆テーパーであると、レジストパターン上の金属と、レジストパターンが形成されていない部分に形成された金属との間が、隔たっているため、容易に剥離ができる。

本発明によるパターン基板の製造方法は、
上記に記載の方法でレジストパターンを形成し、
（５ｂ）レジストパターンをマスクとしてエッチングし；
（６ｂ）基板を加工すること
を含んでなる。エッチングは、ドライエッチングやウェットエッチングのいずれであってもよく、エッチングは複数回行われていてもよい。（１）から（４）の工程に続いて、（５ｂ）、（６ｂ）の工程が行われる。工程の順番は前記の通りになる。
レジストパターンをマスクとして、直接基板をエッチングしてもよい。レジストパターンをマスクとして、中間層（ＢＡＲＣや平坦化膜）をエッチングすることで中間層でパターンを形成し、中間層パターンを用いて基板をエッチングしてもよい。

また、本発明によるパターン基板の製造方法は、
上記に記載の方法でレジストパターンを形成し、
（５ｃ）レジストパターンをエッチングし；
（５ｄ）基板をエッチングすること
を含んでなる。（１）から（４）の工程に続いて、（５ｃ）、（５ｄ）の工程が行われる。工程の順番は前記の通りになる。
ここで、（５ｃ）と（５ｄ）の工程の組合せが少なくとも２回以上繰り返され；かつ
基板は複数のＳｉ含有層が積層されたものからなり、少なくとも１つのＳｉ含有層は導電性であり、少なくとも１つのＳｉ含有層は電気的に絶縁性である。好ましくは導電性のＳｉ含有層と、電気的に絶縁性のＳｉ含有層が交互に積層される。ここで、リソグラフィ組成物から形成されるレジスト膜の膜厚は、好ましくは０．５～２００μｍである。

その後、必用に応じて、基板にさらに加工がされ、デバイスが形成される。このさらなる加工は、公知の方法を適用することができる。本発明によるデバイスの製造方法は、上記のいずれかの方法を含んでなり、好ましくは、加工された基板に配線を形成する工程をさらに含んでなる。デバイスとしては、半導体素子、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子、プラズマディスプレイ素子、太陽電池素子が挙げられる。デバイスとは、好ましくは半導体素子である。

［実施例］
本発明を諸例により説明すると以下の通りである。なお、本発明の形態はこれらの例のみに限定されるものではない。

以降に使用する成分を以下に示す。

使用する（ＡＡ）有機酸化合物は以下である。
ＡＡ１：（±）－１０－Ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃｉｄ（ＴＣＩ）
ＡＡ２：ｐ－トルエンスルホン酸

使用する塩基性化合物（ＡＢ）は以下である。
ＡＢ１：トリス［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］アミン（ＴＣＩ）

使用する溶媒（Ｂ）は以下である。
Ｂ１：ＰＧＭＥＡ
Ｂ２：ＰＧＭＥ

使用する膜化成分（Ｃ）は以下である。
Ｃ１－１：ＣＳＴ ７０３０ランダムコポリマー（ｐ－ハイドロキシスチレン（７０）、スチレン（３０））、Ｍｗ９，７００（丸善石油化学）
Ｃ１－２：ＶＰ－３５００、ｐ－ハイドロキシスチレン、Ｍｗ５，０００（日本曹達）

使用する酸発生剤（Ｄ）は以下である。
Ｄ１：ＴＰＳ－Ｃ１（ヘレウス）
Ｄ２：ＴＰＳ－ＳＡ（東洋合成）

使用する架橋剤（Ｅ）は以下である。
Ｅ１：ＤＭＬ－ＰＯＰ（本州化学）

使用する界面活性剤（Ｆ）は以下である。
Ｆ１：ＭｅｇａｆａｃＲ２０１１（ＤＩＣ）

＜実施例組成物１の調製＞
Ｂ１（６６．８ｇ）とＢ２（１６．７ｇ）を混合し、Ｂ１Ｂ２混合溶媒を調製する。これにＡＡ１を０．０６７ｇ、ＡＢ１を０．１６２ｇ添加し、５分攪拌する。その後Ｃ１－１を７．４５７ｇ、Ｃ１－２を６．８８３ｇ、Ｄ１を０．５８０ｇ、Ｅ１を１．３３７ｇ、およびＦ１を０．０１４ｇをそれぞれ添加する。常温で溶液を混合し、目視で固形成分が溶解することを確認する。実施例組成物１を得る。

＜実施例組成物２～５および比較例組成物１の調製＞
以下のように成分を変更する以外は実施例組成物１の調製と同様に、実施例組成物２～５および比較例組成物１を調製する。

＜レジストパターン形成例＞
シリコン基板（ＳＵＭＣＯ Ｃｏｒｐ．、８インチ）の表面にＡＺ ＫｒＦ－１７Ｂ（Ｍｅｒｃｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ株式会社、以下ＭＥとする）をスピン塗布し１８０℃で６０秒ソフトベークを行い、４５ｎｍのＢＡＲＣを形成する。その上に、上記で調製された組成物をスピン塗布し、１１０℃で６０秒ソフトベークして、膜厚７８０ｎｍのレジスト膜を形成する。この構成によってＫｒＦ線（２４８ｎｍ）の光反射率が７％となるようにしている。得られた基板を露光装置（キヤノン、ＦＰＡ－３０００ＥＸ５）を用いてＫｒＦ線で露光を行う。露光マスクは、ライン：スペース＝１：１、スペース３００ｎｍが複数回続き、同スペースが以下のように順次小さくなるもの含むマスクを用いる。
３００ｎｍ、２８０ｎｍ、２６０ｎｍ、２４０ｎｍ、２２０ｎｍ、２００ｎｍ、１９０ｎｍ、１８０ｎｍ、１７０ｎｍ、１６０ｎｍ、１５０ｎｍ、１４０ｎｍ、１３０ｎｍ、１２０ｎｍ、１１０ｎｍ、１００ｎｍ。この基板を１００℃で６０秒間のポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）する。
その後、レジスト膜を２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液を用いて、６０秒間パドル現像する。パドル現像液が基板上にパドルされている状態で純水を基板上に流し始め、回転させながらパドル現像液を純水に置換し、２，０００ｒｐｍでスピンドライする。

＜定在波低減の評価＞
定在波の低減を評価する。上記レジストパターン形成例で形成するレジストパターンのスペースが３００ｎｍに対応するパターンを観察する。基板から切片を作成し、ＳＥＭ（ＳＵ８２３０、Ｈｉｔａｃｈｉ Ｈｉｇｈ－Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）で観察を行う。上記で定義した腹節間距離を測長する（Ｏｆｆｌｉｎｅ ＣＤ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖｅｒｓｉｏｎ ６．００， Ｈｉｔａｃｈｉ Ｈｉｇｈ－Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）。腹節間距離を目的とするパターン幅で割り、定在波指数を算出する。以下の評価基準によって評価する。
Ａ：定在波指数が１％未満
Ｂ：定在波指数が１％より大きく５％未満
Ｃ：定在波指数が５％以上

＜最小寸法の評価＞
上記レジストパターンの形成例で形成するレジストパターンの最小解像寸法を評価する。大きなパターンからパターン倒れがないかを確認し、段々と小さなパターンへと観察対象を移す。パターン倒れが確認できる直前のパターン（倒れていないパターン）を最小寸法とする。

＜露光裕度の評価＞
以下を除き、上記レジストパターンの形成例と同様の操作を行う。まず、ライン：スペース＝１：１、スペース３００ｎｍが複数回続く領域で、レジストパターンの寸法が３００ｎｍとなる露光量を最適露光量（Ｅｏｐ）とする。次に同様に基板を準備し、３００ｎｍに該当するレジストパターンの寸法が３００ｎｍ±３０ｎｍとなるように露光量を変化させる。３００ｎｍ±３０ｎｍとなる露光量の範囲を（Ｅｍａｘ－Ｅｍｉｎ）とする。
（（Ｅｍａｘ－Ｅｍｉｎ）／Ｅｏｐ）を露光裕度とし、この値が１０％以上であればＡ、５％以上１０％未満をＢ、５％未満をＣとする。

＜焦点深度の評価＞
以下を除き、上記レジストパターンの形成例と同様の操作を行う。ライン：スペース＝１：１、スペース３００ｎｍが複数回続く領域で、レジストパターンの寸法が３００ｎｍとなる露光機の焦点位置を最適焦点値（Ｂｅｓｔ Ｆｏｃｕｓ）とする。この時の露光量は上記「露光裕度の評価」の最適露光量（Ｅｏｐ）を用いる。次に同様に基板を準備し、３００ｎｍに該当するレジストパターンの寸法が３００ｎｍ±３０ｎｍとなるように露光機の焦点位置を変化させる。露光機の焦点位置を最適値からシフトさせたとき、レジストパターンの寸法３００ｎｍ±３０％が得られる焦点深度の幅が１．２μｍ以上をＡ、０．８μｍ以上１．２μｍ未満をＢ、０．８μｍ未満をＣとする。

＜剥離性の評価＞
上記レジストパターンの形成例と同様の操作を行い、レジストパターンを得る。ＡＺ ４００Ｔ Ｓｔｒｉｐｐｅｒ（ＭＥ）を６０℃にしたものを、剥離液として使用する。剥離液の温度を６０℃に維持したまま、この基板を１５分間剥離液に浸漬する。これを１，０００ｒｐｍでスピンドライする。ライン：スペース＝１：１、スペース３００ｎｍが複数回続く領域の、３００ｎｍのレジストパターンをＳＥＭ（ＳＵ８２３０、日立ハイテク）で５０，０００倍で観察する。きれいに除去できるものをＡ、残渣が確認されるものをＢ、レジストパターンがそのまま基板上に残っているものをＣとする。

１．基板
２．定在波の影響を受けたレジストパターン
３．腹
４．節
５．腹節間距離
１１．基板
１２．定在波の影響を受けていないレジストパターン

Claims (15)

1. リソグラフィ工程において定在波を低減させるために、有機酸化合物（ＡＡ）を含んでなる組成物を使用する方法：
   ここで、有機酸化合物（ＡＡ）は式（ａａ）で表され
   （ここで、
   Ｒ^ａは、Ｃ_１－４０炭化水素基であり、前記炭化水素基に含まれるメチレンの少なくとも１つがカルボニルで置換されていてもよく、
   Ｘ^ａは、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
   ｎａ１は、１または２であり、
   ｎａ２は、０、１または２である）、
   ここで、前記組成物は、好ましくは塩基性化合物（ＡＢ）をさらに含んでなり、
   塩基性化合物（ＡＢ）は、第１級アミン、第２級アミン、および第３級アミンからなる群から選択される。
2. 前記組成物が、基板の上方に適用され、膜を形成するために使用される請求項１に記載の方法：
   好ましくは、基板の上方に下層反射防止膜を形成しない。
3. 前記組成物が溶媒（Ｂ）をさらに含んでなる請求項１または２に記載の方法：
   好ましくは、前記組成物が膜化成分（Ｃ）をさらに含んでなり、
   好ましくは、有機酸化合物（ＡＡ）の含有量が溶媒（Ｂ）を基準として０．００１～１０質量％であり、または
   好ましくは、有機酸化合物（ＡＡ）の含有量が膜化成分（Ｃ）を基準として０．０５～３０質量％である。
4. 有機酸化合物（ＡＡ）および溶媒（Ｂ）を含んでなるリソグラフィ組成物：
   ここで、有機酸化合物（ＡＡ）は式（ａａ）で表され
   （ここで、
   Ｒ^ａは、Ｃ_１－４０炭化水素基であり、前記炭化水素基に含まれるメチレンの少なくとも１つがカルボニルで置換されていてもよく、
   Ｘ^ａは、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
   ｎａ１は、１または２であり、
   ｎａ２は、０、１または２である）、
   ここで、前記組成物は、好ましくは塩基性化合物（ＡＢ）をさらに含んでなり、
   塩基性化合物（ＡＢ）は、第１級アミン、第２級アミン、および第３級アミンからなる群から選択され、
   好ましくは、溶媒（Ｂ）は有機溶媒（Ｂ１）を含んでなり、または
   好ましくは、有機溶媒（Ｂ１）は炭化水素溶媒、エーテル溶媒、エステル溶媒、アルコール溶媒、ケトン溶媒、またはこれらのいずれの組み合わせを含んでなる。
5. 有機酸化合物（ＡＡ）が式（ａａ－１）、（ａａ－２）、（ａａ－３）または（ａａ－４）で表される、請求項４に記載のリソグラフィ組成物。
   （ここで、
   ＡＬは、Ｃ_５－２０の脂環であり、前記脂環中のメチレンの少なくとも１つがカルボニルに置換されていてもよく、
   Ｘ^ａ１は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
   Ｒ^ａ１は、それぞれ独立に、Ｃ_１－５のアルキルであり、
   ｎ１１は、１または２であり、
   ｎ１２は、０、１または２であり、
   ｎ１３は、０、１または２であり、
   ｎ１４は、０、１または２である）
   （ここで、
   Ｘ^ａ２は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
   Ｒ^ａ２は、それぞれ独立に、Ｃ_１－１５のアルキルであり、
   ｎ２１は、１または２であり、
   ｎ２２は、０、１または２であり、
   ｎ２３は、０、１または２である）
   （ここで、
   Ｘ^ａ３は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
   Ｒ^ａ３は、Ｃ_１－１０のアルキル、Ｃ_１－１０のフッ素置換アルキルまたはＣ_２－１０のアルケニルである）
   （ここで、
   Ｘ^ａ４は、ＳＯ_３ＨまたはＣＯＯＨであり、
   Ｒ^ａ３は、Ｃ_１－１０のアルキレンまたはＣ_２－１０のアルケニレンである）
6. 膜化成分（Ｃ）をさらに含んでなる請求項４または５に記載のリソグラフィ組成物：
   好ましくは、リソグラフィ組成物は酸発生剤（Ｄ）をさらに含んでなり；
   好ましくは、リソグラフィ組成物は架橋剤（Ｅ）をさらに含んでなり；
   好ましくは、リソグラフィ組成物は界面活性剤（Ｆ）をさらに含んでなり；
   好ましくは、膜化成分（Ｃ）はポリマー（Ｃ１）を含んでなり；または
   好ましくは、ポリマー（Ｃ１）の質量平均分子量は５００～１００，０００である。
7. 添加物（Ｇ）をさらに含んでなる請求項４～６の少なくともいずれか一項に記載のリソグラフィ組成物：
   好ましくは、添加物（Ｇ）は、可塑剤、染料、コントラスト増強剤、酸、ラジカル発生剤、基板密着増強剤、消泡剤、またはこれらいずれかの組み合わせである。
8. 有機酸化合物（ＡＡ）の含有量が溶媒（Ｂ）を基準として０．００１～１０質量％である請求項４～７の少なくともいずれか一項に記載のリソグラフィ組成物：
   好ましくは、有機酸化合物（ＡＡ）の含有量が膜化成分（Ｃ）を基準として０．０５～３０質量％であり；
   好ましくは、塩基性化合物（ＡＢ）の含有量が膜化成分（Ｃ）を基準として０～４０質量％であり；
   好ましくは、溶媒（Ｂ）の含有量がリソグラフィ組成物を基準として１０～９９．９９９質量％であり；
   好ましくは、膜化成分（Ｃ）の含有量がリソグラフィ組成物を基準として２～４０質量％であり；
   好ましくは、酸発生剤（Ｄ）の含有量が膜化成分（Ｃ）を基準として０．５～２０質量％であり；
   好ましくは、架橋剤（Ｅ）の含有量が膜化成分（Ｃ）を基準として３～３０質量％であり；
   好ましくは、界面活性剤（Ｆ）の含有量が膜化成分（Ｃ）を基準として０．０５～０．５質量％であり；または
   好ましくは、添加物（Ｇ）の含有量が膜化成分（Ｃ）を基準として０～１０質量％である。
9. リソグラフィ膜形成組成物である、請求項４～８の少なくともいずれか一項に記載のリソグラフィ組成物：
   好ましくは、前記リソグラフィ組成物はレジスト組成物であり；
   好ましくは、前記リソグラフィ組成物はネガ型レジスト組成物であり；または
   好ましくは、前記リソグラフィ組成物は化学増幅型レジスト組成物である。
10. 下記工程を含んでなる膜の製造方法：
    （１）基板の上方に請求項４～９の少なくともいずれか一項に記載のリソグラフィ組成物を適用し；
    （２）減圧および／または加熱によりリソグラフィ組成物から膜を形成する：
    好ましくは、リソグラフィ組成物を適用する前に、基板の上方に反射防止膜を形成しない。
11. 下記工程を含んでなるレジストパターンの製造方法：
    請求項１０に記載の方法でリソグラフィ組成物から膜を形成し、
    （３）放射線で膜を露光し；
    （４）膜を現像し、レジストパターンを形成する：
    ここで、前記リソグラフィ組成物はレジスト組成物である：
    好ましくは、露光に１３．５～３６５ｎｍの波長の光を用いる。
12. 下記工程を含んでなる金属パターンの製造方法：
    請求項１１に記載の方法でレジストパターンを形成し、
    （５ａ）レジストパターン上に金属層を形成し；
    （６ａ）残ったレジストパターンとそれらの上の金属層を取り除く。
13. 下記工程を含んでなるパターン基板の製造方法：
    請求項１１に記載の方法でレジストパターンを形成し、
    （５ｂ）レジストパターンをマスクとしてエッチングし；
    （６ｂ）基板を加工する。
14. 下記工程を含んでなるパターン基板の製造方法：
    請求項１１に記載の方法でレジストパターンを形成し、
    （５ｃ）レジストパターンをエッチングし；
    （５ｄ）基板をエッチングする：
    ここで、（５ｃ）と（５ｄ）の工程の組合せが少なくとも２回以上繰り返され；かつ
    基板は複数のＳｉ含有層が積層されたものからなり、少なくとも１つのＳｉ含有層は導電性であり、少なくとも１つのＳｉ含有層は電気的に絶縁性である：
    好ましくは導電性のＳｉ含有層と、電気的に絶縁性のＳｉ含有層が交互に積層され；または
    好ましくはリソグラフィ組成物から形成されるレジスト膜は、０．５～２００μｍの膜厚である。
15. 請求項１０～１４の少なくとも一項に記載の方法を含んでなるデバイスの製造方法：
    好ましくは、加工された基板に配線を形成する工程をさらに含んでなり；または
    好ましくは、デバイスは半導体素子である。

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