JP2024504747A - Component carrier with identification markings - Google Patents

Component carrier with identification markings Download PDF

Info

Publication number
JP2024504747A
JP2024504747A JP2023545383A JP2023545383A JP2024504747A JP 2024504747 A JP2024504747 A JP 2024504747A JP 2023545383 A JP2023545383 A JP 2023545383A JP 2023545383 A JP2023545383 A JP 2023545383A JP 2024504747 A JP2024504747 A JP 2024504747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
identification mark
conductive layer
component carrier
carrier according
layer structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023545383A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
チエ チェン、チュン
ワン、チウェイ
Original Assignee
エーティーアンドエス (チョンチン) カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーティーアンドエス (チョンチン) カンパニー リミテッド filed Critical エーティーアンドエス (チョンチン) カンパニー リミテッド
Publication of JP2024504747A publication Critical patent/JP2024504747A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09918Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

交互の様式で互いに上方に積層方向に沿って積層される、少なくとも4つの電気絶縁層構造及び少なくとも5つの導電層構造のスタックを備えるコンポーネントキャリアであって、ここで導電層構造の1つがスタックの第1の外側導電層を形成し、ここで導電層構造の別の1つがスタックの第2の外側導電層を形成し、第1の外側導電層及び第2の外側導電層がスタックの対向する外層である、コンポーネントキャリア。コンポーネントキャリアは、検出デバイスにより検出可能な第1の識別マーク、ここで第1の識別マークが第1の外側導電層の最も近くにおいて配置される導電層構造に形成される、検出デバイスにより検出可能な第2の識別マーク、ここで第2の識別マークが第2の外側導電層の最も近くに配置される導電層構造において形成される、をさらに備える。第1の識別マーク及び第2の識別マークは、互いに上方に積層方向に形成される。A component carrier comprising a stack of at least four electrically insulating layer structures and at least five electrically conductive layer structures stacked one above the other in an alternating manner along the stacking direction, wherein one of the electrically conductive layer structures is one of the conductive layer structures of the stack. forming a first outer conductive layer, wherein another one of the conductive layer structures forms a second outer conductive layer of the stack, the first outer conductive layer and the second outer conductive layer being opposite sides of the stack; The outer layer is the component carrier. The component carrier has a first identification mark detectable by the detection device, wherein the first identification mark is formed on the conductive layer structure disposed proximate the first outer conductive layer. a second identification mark, wherein the second identification mark is formed in a conductive layer structure disposed proximate to the second outer conductive layer. The first identification mark and the second identification mark are formed above each other in the stacking direction.

Description

本発明は、識別マークを備えるコンポーネントキャリアに関する。 The present invention relates to a component carrier provided with identification marks.

1又は複数のコンポーネントを備えるコンポーネントキャリアの成長する製造品の機能、及びかかるコンポーネントの高まるミニチュア化、並びにプリント回路基板などコンポーネントキャリアに接続されるコンポーネントの数の増加という状況で、複数のコンポーネントを有するいっそう強力になるアレイ様のコンポーネント又はパッケージが採用され、それは複数の接点又は接続があり、それらの接点の間のスペースが次第に小さくなっている。特に、コンポーネントキャリアは、機械的に強固で電気的に信頼できて、厳しい条件下でも動作可能でなくてはならない。コンポーネントキャリア内に統合される機能がますます増え続けている。 In the context of the growing capability of manufactured products of component carriers comprising one or more components, and the increasing miniaturization of such components, as well as the increasing number of components connected to component carriers, such as printed circuit boards, Increasingly powerful array-like components or packages are employed that have multiple contacts or connections with progressively smaller spaces between the contacts. In particular, component carriers must be mechanically strong, electrically reliable and capable of operating under harsh conditions. More and more functions are being integrated within component carriers.

プリント回路基板(PCB)などの複雑なコンポーネントキャリアを製造する間、コンポーネントキャリアを正確・厳密に位置調整及び回転することが重要である。コンポーネントキャリアを位置調整するために、識別マークをコンポーネントキャリアの層構造の内部に形成することができる。識別マークは、X線検出器などのそれぞれの検出デバイスにより測定され得、ここで識別マークの測定された写真を基にして、コンポーネントキャリアのそれぞれのアラインメントが判定できる。 During the manufacture of complex component carriers such as printed circuit boards (PCBs), it is important to precisely and precisely position and rotate the component carriers. In order to align the component carrier, identification marks can be formed inside the layered structure of the component carrier. The identification mark can be measured by a respective detection device, such as an X-ray detector, where the respective alignment of the component carrier can be determined on the basis of a measured photograph of the identification mark.

しかしながら、識別マークを備えるそれぞれの層は、製造工程の間、複数のさらなる層により覆われると、識別マークの写真(例えば、識別マーク写真のコントラスト及び外形)がいっそう不明瞭なものになる。 However, when each layer comprising an identification mark is covered by a plurality of further layers during the manufacturing process, the photograph of the identification mark (eg, the contrast and contour of the identification mark photograph) becomes even more obscure.

そのため、コンポーネントキャリアの適切なアラインメントを設けるために検出デバイスにより適切に判定できる識別マークを設ける必要性がある場合がある。 Therefore, it may be necessary to provide identification marks that can be appropriately determined by a detection device to provide proper alignment of the component carrier.

本発明の例示的な実施形態によると、コンポーネントキャリアが記載されている。コンポーネントキャリアは、交互の様式で互いに上方に積層方向に沿って積層される少なくとも4つの電気絶縁層構造及び少なくとも5つの導電層構造のスタックを備える。導電層構造の1つがスタックの第1の外側導電層を形成し、導電層構造の別の1つがスタックの第2の外側導電層を形成し、ここで第1の外側導電層及び第2の外側導電層がスタックの対向する外層である。 According to an exemplary embodiment of the invention, a component carrier is described. The component carrier comprises a stack of at least four electrically insulating layer structures and at least five electrically conductive layer structures stacked on top of each other along the lamination direction in an alternating manner. One of the conductive layer structures forms a first outer conductive layer of the stack and another one of the conductive layer structures forms a second outer conductive layer of the stack, where the first outer conductive layer and the second outer conductive layer The outer conductive layer is the opposing outer layer of the stack.

コンポーネントキャリアは、検出デバイスにより検出可能な第1の識別マークをさらに備え、ここで第1の識別マークは導電層構造に形成される。例示的な実施形態では、第1の識別マークは第1の外側導電層の最も近くに配置される導電層構造に形成され、第2の識別マークは検出デバイスにより検出可能で、ここで第2の識別マークは、導電層構造に形成される。例示的な実施形態では、第2の識別マークが、第2の外側導電層の最も近くに配置される導電層構造において形成される。第1の識別マーク及び第2の識別マークは、互いに上方に積層方向に形成される。 The component carrier further comprises a first identification mark detectable by the detection device, wherein the first identification mark is formed on the conductive layer structure. In an exemplary embodiment, the first identification mark is formed on a conductive layer structure disposed proximate to the first outer conductive layer, and the second identification mark is detectable by a detection device, where the second The identification mark is formed on the conductive layer structure. In an exemplary embodiment, a second identification mark is formed in a conductive layer structure disposed proximate to the second outer conductive layer. The first identification mark and the second identification mark are formed above each other in the stacking direction.

本発明の例示的な実施形態によると、上に記載のコンポーネントキャリアを製造する方法が記載される。電気絶縁層構造及び少なくとも5つの導電層構造は、交互の様式で互いに上方に積層方向に沿って積層され、導電層構造の1つがスタックの第1の外側導電層を形成し、導電層構造の別の1つがスタックの第2の外側導電層を形成し、ここで第1の外側導電層及び第2の外側導電層がスタックの対向する外層である。さらに、検出デバイスにより検出可能な第1の識別マークは、導電層構造に形成される。例示的な実施形態では、第1の識別マークが、第1の外側導電層の最も近くに配置される導電層構造において形成される。検出デバイスにより検出可能な第2の識別マークは、導電層構造に形成される。例示的な実施形態では、第2の識別マークが、第2の外側導電層の最も近くに配置される導電層構造において形成される。第1の識別マーク及び第2の識別マークは、互いに上方に積層方向に形成される。 According to an exemplary embodiment of the invention, a method of manufacturing the component carrier described above is described. The electrically insulating layer structure and at least five conductive layer structures are stacked in an alternating fashion above each other along the lamination direction, one of the conductive layer structures forming the first outer conductive layer of the stack, and one of the conductive layer structures forming the first outer conductive layer of the stack. Another one forms a second outer conductive layer of the stack, where the first outer conductive layer and the second outer conductive layer are opposing outer layers of the stack. Furthermore, a first identification mark detectable by the detection device is formed on the conductive layer structure. In an exemplary embodiment, a first identification mark is formed in a conductive layer structure disposed proximate to the first outer conductive layer. A second identification mark detectable by the detection device is formed on the conductive layer structure. In an exemplary embodiment, a second identification mark is formed in a conductive layer structure disposed proximate to the second outer conductive layer. The first identification mark and the second identification mark are formed above each other in the stacking direction.

本願の文脈において、用語「コンポーネントキャリア」は、機械的な支持及び/又は電気的連結性を提供するために、上に及び/又は内部に1又は複数のコンポーネントを収容可能な任意の支持構造を特に示し得る。換言すれば、コンポーネントキャリアは、コンポーネントの機械的及び/又は電子的キャリアとして構成され得る。特に、コンポーネントキャリアは、プリント回路基板、有機インターポーザ、メタルコア基板、無機基板、及びIC(集積回路)基板のうちの1つであってもよい。コンポーネントキャリアはまた、上述のタイプのコンポーネントキャリアのうち異なるものを組み合わせたハイブリッドボードでもあり得る。 In the context of this application, the term "component carrier" refers to any support structure capable of housing one or more components on and/or within it to provide mechanical support and/or electrical connectivity. In particular, it can be shown. In other words, the component carrier may be configured as a mechanical and/or electronic carrier of the component. In particular, the component carrier may be one of a printed circuit board, an organic interposer, a metal core substrate, an inorganic substrate, and an IC (integrated circuit) substrate. The component carrier may also be a hybrid board combining different of the above-mentioned types of component carriers.

本願の文脈で、「コンポーネントキャリア材料」という用語は、特に、コンポーネントキャリアの技術において使用されるような、1又は複数の電気絶縁層構造及び/又は1又は複数の導電層構造の接続された構成を示すことができる。より詳細には、かかるコンポーネントキャリア材料は、プリント回路基板(PCB)又はIC基板のために使用される材料であり得る。特に、かかるコンポーネントキャリア材料の導電材料は、銅を備え得る。コンポーネントキャリア材料の電気絶縁性材料は、樹脂、特にエポキシ樹脂を備えることができ、任意選択で、ガラス繊維又はガラス球のなど補強粒子と組み合わされる。 In the context of the present application, the term "component carrier material" specifically refers to a connected configuration of one or more electrically insulating layer structures and/or one or more electrically conductive layer structures, as used in the technology of component carriers. can be shown. More particularly, such component carrier material may be a material used for printed circuit boards (PCBs) or IC boards. In particular, the electrically conductive material of such component carrier material may comprise copper. The electrically insulating material of the component carrier material may comprise a resin, in particular an epoxy resin, optionally combined with reinforcing particles, such as glass fibers or glass spheres.

実施形態では、コンポーネントキャリアは積層型のコンポーネントキャリアである。かかる実施形態では、コンポーネントキャリアは、スタッキングされ、押圧力及び/又は熱を加えることによって互いに接続された、複数層構造の合成物である。 In embodiments, the component carrier is a stacked component carrier. In such embodiments, the component carrier is a composite of multiple layers that are stacked and connected to each other by applying pressure and/or heat.

実施形態において、少なくとも1つの電気絶縁層構造は、エポキシ樹脂、シアン酸エステル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレン誘導体(例えば、ポリフェニレンエーテル、PPEに基づく)、ポリイミド(PI)、ポリアミド(PA)、液晶ポリマー(LCP)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、及び/又はそれらの組み合わせなど樹脂又はポリマーからなる群のうちの少なくとも1つを備える。複合材料を形成するために、例えばガラス(多層ガラス)で作られた、ウェブ、繊維、球体、又は他の種類の充填粒子などの強化構造も使用することができる。強化剤と組み合わせた半硬化樹脂、例えば上述の樹脂を含浸させた繊維は、プリプレグと呼ばれる。これらのプリプレグは、それらの性質にちなんで名付けられる場合が多く、例えばFR4又はFR5は、それらの難燃性を表している。通常、プリプレグ、特にFR4がリジッドPCBには好ましいが、他の材料、特にエポキシ系ビルドアップ材料(ビルドアップフィルムなど)又は光画像形成可能な誘電性材料も使用されてもよい。高周波用途の場合、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー、及び/又はシアン酸エステル樹脂などの高周波材料が好ましいことがある。これらのポリマー以外に、低温同時焼成セラミックス(LTCC)又は他の低、超低、もしくは極低DK材料が、電気絶縁性構造としてコンポーネントキャリア内に適用されてもよい。 In embodiments, the at least one electrically insulating layer structure is made of epoxy resins, cyanate ester resins, benzocyclobutene resins, bismaleimide triazine resins, polyphenylene derivatives (e.g. based on polyphenylene ether, PPE), polyimide (PI), polyamide. (PA), liquid crystal polymer (LCP), polytetrafluoroethylene (PTFE), and/or combinations thereof. Reinforcing structures such as webs, fibers, spheres, or other types of filled particles, made of glass (multilayer glass), can also be used to form composite materials. Fibers impregnated with semi-cured resins, such as those mentioned above, in combination with reinforcing agents are called prepregs. These prepregs are often named after their properties, e.g. FR4 or FR5 refer to their flame retardant properties. Typically, prepregs, especially FR4, are preferred for rigid PCBs, but other materials may also be used, especially epoxy-based buildup materials (such as buildup films) or photoimageable dielectric materials. For high frequency applications, high frequency materials such as polytetrafluoroethylene, liquid crystal polymers, and/or cyanate ester resins may be preferred. Besides these polymers, low temperature co-fired ceramics (LTCC) or other low, ultra-low, or ultra-low DK materials may be applied within the component carrier as electrically insulating structures.

実施形態では、少なくとも1つの導電層構造は、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、金、パラジウム、タングステン、及びマグネシウムからなる群の少なくとも1つを備える。銅が通常は好ましいが、他の材料又はそれをコーティングしたもの、特に、それぞれグラフェン又はポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)など、超伝導材料又は伝導ポリマーでコーティングされたものも可能である。 In embodiments, the at least one conductive layer structure comprises at least one of the group consisting of copper, aluminum, nickel, silver, gold, palladium, tungsten, and magnesium. Copper is usually preferred, but other materials or coatings thereof may also be used, particularly those coated with superconducting materials or conductive polymers, such as graphene or poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), respectively. It is possible.

第1の識別マーク及び第2の識別マークは、互いに上方に積層方向に形成される。そのため、スタックは複数の電気絶縁層構造及び複数の導電層構造で形成することができ、ここでスタックの離れた空間の導電層構造において、それぞれの識別マークが形成される。第1の識別マーク及び第2の識別マークが互いに上方に積層方向で形成される場合、検出デバイスにより取得される識別マークのアラインメントの適切な写真が提示され得る。換言すると、第1の識別マーク及び第2の識別マークは、積層方向に平行な投影法線を有する投影面に、識別マーク及びさらなる識別マークが互いに完全に重なり合う様式で、形成される。 The first identification mark and the second identification mark are formed above each other in the stacking direction. For this purpose, the stack can be formed of a plurality of electrically insulating layer structures and a plurality of conductive layer structures, wherein respective identification marks are formed in the conductive layer structures in separate spaces of the stack. If the first identification mark and the second identification mark are formed in a stacking direction above each other, a suitable picture of the alignment of the identification marks obtained by the detection device can be presented. In other words, the first identification mark and the second identification mark are formed on a projection plane with a projection normal parallel to the stacking direction in such a way that the identification mark and the further identification mark completely overlap each other.

識別マークは、導電層構造の1つにおいて形成される。特に、本手法により、識別マークは、それぞれ、外側導電層の最も近くの導電層構造の1つに形成される。そのため、(例えばx線)検出デバイスは、識別マークの円周の形状及び向きをそれぞれ検出するのがより容易になる。 An identification mark is formed in one of the conductive layer structures. In particular, with this approach, the identification marks are each formed in one of the conductive layer structures closest to the outer conductive layer. Therefore, it becomes easier for a detection device (eg x-ray) to detect the circumferential shape and orientation of the identification mark, respectively.

例示的な実施形態によると、第1及び第2の識別マークのうちの少なくとも1つは、導電層構造の材料がない内側容積部を備える。例えば、識別マークの内側容積部は、中空で、例えば銅がない。例示的な実施形態では、識別マークの内側容積部は電気絶縁性材料で充填されている。電気絶縁性材料は、ポリプロピレン(PP)などのそれぞれの導電層構造の上部に積層される電気絶縁層構造に類似していてもよい。 According to an exemplary embodiment, at least one of the first and second identification marks comprises an inner volume free of material of the conductive layer structure. For example, the inner volume of the identification mark is hollow, eg free of copper. In an exemplary embodiment, the inner volume of the identification mark is filled with an electrically insulating material. The electrically insulating material may resemble an electrically insulating layer structure laminated on top of the respective conductive layer structure, such as polypropylene (PP).

例示的な実施形態によると、識別マークは三角形の形状を備える。三角形の形状を設けることによって、識別マーク及びコンポーネントキャリアそれぞれの向き及びアラインメントを検出することがより容易になる。 According to an exemplary embodiment, the identification mark has a triangular shape. Providing a triangular shape makes it easier to detect the orientation and alignment of the identification mark and component carrier, respectively.

さらなる例示的な実施形態によると、識別マークは矢印の形状を備える。矢印の形状を設けることによって、識別マーク及びコンポーネントキャリアそれぞれの向き及びアラインメントを検出することがより容易になる。 According to a further exemplary embodiment, the identification mark has the shape of an arrow. By providing an arrow shape, it is easier to detect the orientation and alignment of the identification mark and the component carrier, respectively.

さらなる例示的な実施形態によると、識別マークは、三角形の形状を形成する3つの識別点を備え、 ここで各識別点は、導電材料のない内側容積部を備える。識別マークの配向はまた、特定の方向が判定され得る様式で、互いに関して配置される、例えば中空の点又は外形(円、楕円形、又は長方形)を設けることによって可能である。例えば、3つの識別点は、仮想的な三角形の角に形成され得る。 According to a further exemplary embodiment, the identification mark comprises three identification points forming a triangular shape, each identification point comprising an inner volume free of electrically conductive material. The orientation of the identification marks is also possible, for example by providing hollow points or contours (circles, ovals or rectangles), which are arranged with respect to each other in such a way that a specific direction can be determined. For example, three identification points may be formed at the corners of a virtual triangle.

さらなる例示的な実施形態によると、識別マークは、1つの導電層構造の縁部に形成される。 According to a further exemplary embodiment, the identification mark is formed on the edge of one conductive layer structure.

さらなる例示的な実施形態によると、識別マークは、1つの導電層構造の角部に形成される。 According to a further exemplary embodiment, the identification mark is formed at a corner of one conductive layer structure.

さらなる例示的な実施形態によると、第1の識別マーク及び前記第2の識別マークが同一の円周形状を備える。例えば、両方の識別マーク、特に第1の識別マーク及び第2の識別マークは、三角形の形状を有するか、又は矢印の形状である。 According to a further exemplary embodiment, the first identification mark and said second identification mark have the same circumferential shape. For example, both identification marks, in particular the first identification mark and the second identification mark, have the shape of a triangle or are in the shape of an arrow.

さらなる例示的な実施形態によると、第2の識別マークは導電材料で充填される。例えば、第2の識別マークは、導電材料のない円周状の拡張部又は経路のみを備える。そのため、検出デバイスは識別マークの円周経路のみ検出する。しかしながら、導電材料がない内側容積部を有する第2の識別マーク、及び上に記載されている識別マークは、互いに上方に形成されるため、検出デバイスから取得される写真の両方の識別マークのオーバーレイ及びマッチングそれぞれが検出され得る。 According to a further exemplary embodiment, the second identification mark is filled with electrically conductive material. For example, the second identification mark comprises only a circumferential extension or path without conductive material. Therefore, the detection device detects only the circumferential path of the identification mark. However, the second identification mark with an inner volume devoid of conductive material and the identification mark described above are formed above each other, so that an overlay of both identification marks in the photograph obtained from the detection device and matching, respectively, may be detected.

さらなる例示的な実施形態によると、第2の識別マークは導電材料がない内側容積部を備える。 According to a further exemplary embodiment, the second identification mark comprises an inner volume devoid of electrically conductive material.

さらなる例示的な実施形態によると、コンポーネントキャリアは分離コア層をさらに備え、ここで分離コア層は、一方の側の少なくとも1つの電気絶縁層構造及び少なくとも1つの導電層構造、及び他方の側の少なくとも1つのさらなる電気絶縁層構造及び少なくとも1つのさらなる導電層構造の間に着脱可能に配置される。 According to a further exemplary embodiment, the component carrier further comprises a separate core layer, wherein the separate core layer comprises at least one electrically insulating layer structure and at least one conductive layer structure on one side and at least one electrically conductive layer structure on the other side. It is removably arranged between the at least one further electrically insulating layer structure and the at least one further electrically conductive layer structure.

そのため、分離コア層の両方の対向する側で、導電及び電気絶縁層構造のそれぞれのスタックが層ごとに形成され得る。分離コア層の対向する側に配置されるそれぞれの導電層構造において、第1の識別マーク及び第2の識別マークが配置できる。分離コア層の両側にあるそれぞれのスタック部が形成された後、分離コア層は除去でき(例えば、熱又は化学溶液を適用することによる)、2つのスタック部それぞれが、1つの共通の製造/積層段階で形成できる。第1の識別マーク及び第2の識別マークを形成することで、それぞれのコンポーネントキャリアの向きが、分離コア層を除去する前後に検出できる。 Thus, on both opposite sides of the isolated core layer, respective stacks of conductive and electrically insulating layer structures can be formed layer by layer. A first identification mark and a second identification mark can be arranged in each conductive layer structure arranged on opposite sides of the separated core layer. After the respective stacked parts on either side of the separated core layer have been formed, the separated core layer can be removed (e.g. by applying heat or a chemical solution) and each of the two stacked parts can be separated into one common manufacturing/processing part. Can be formed during the lamination stage. By forming the first identification mark and the second identification mark, the orientation of each component carrier can be detected before and after removing the separation core layer.

実施形態において、第1の識別マークは、第1の外側導電層の最も近くに配置され、及び/又は第2の識別マークは、第2の外側導電層の最も近くに配置される。 In embodiments, the first identification mark is disposed proximate the first outer conductive layer and/or the second identification mark is disposed proximate the second outer conductive layer.

実施形態において、コンポーネントキャリアは、第1及び第2の外側導電層を除いて他の導電層構造の各々に形成されるさらなる第1の識別マーク及び/又はさらなる第2の識別マークをさらに備える。 In embodiments, the component carrier further comprises a further first identification mark and/or a further second identification mark formed on each of the other conductive layer structures except for the first and second outer conductive layers.

実施形態において、コンポーネントキャリアは、検出デバイスにより検出可能なさらなる識別マークをさらに備え、ここでさらなる識別マークは第1の外側導電層又は第2の外側導電層の最も近くに配置されているそれぞれの導電層構造に形成される。 In an embodiment, the component carrier further comprises a further identification mark detectable by the detection device, wherein the further identification mark is located in the respective vicinity of the first outer conductive layer or the second outer conductive layer. Formed into a conductive layer structure.

実施形態において、スタックは積層方向に平行な鏡面を備え、ここでさらなる識別マークは第1の識別マークに関して鏡面に関して対向する側に配置される。 In an embodiment, the stack comprises a mirror surface parallel to the stacking direction, wherein the further identification mark is arranged on opposite sides with respect to the mirror surface with respect to the first identification mark.

実施形態において、スタックは積層方向に平行な鏡面を備え、ここでさらなる識別マークは第2の識別マークに関して鏡面に関して同じ側に配置される。 In an embodiment, the stack comprises a mirror surface parallel to the stacking direction, wherein the further identification mark is arranged on the same side with respect to the mirror surface with respect to the second identification mark.

実施形態において、さらなる識別マークは、導電材料がない内側容積部を備える。 In an embodiment, the further identification mark comprises an inner volume free of conductive material.

実施形態において、さらなる識別マークは、第1及び第2の外側導電層を除いて他の導電層構造の各々に形成される。 In embodiments, further identification marks are formed on each of the other conductive layer structures except for the first and second outer conductive layers.

実施形態において、さらなる識別マークは、導電材料がない内側容積部を備える。 In an embodiment, the further identification mark comprises an inner volume free of conductive material.

実施形態において、さらなる識別マークは、三角形の形状を備える。 In an embodiment, the further identification mark comprises a triangular shape.

実施形態において、さらなる識別マークは、矢印の形状を備える。 In an embodiment, the further identification mark comprises the shape of an arrow.

実施形態において、さらなる識別マークは、三角形の形状を形成する3つの識別点を備え、ここで各識別点が、導電材料のない内側容積部を備える。 In an embodiment, the further identification mark comprises three identification points forming a triangular shape, where each identification point comprises an inner volume free of electrically conductive material.

実施形態において、さらなる識別マークは1つの導電層構造の縁部に形成される。 In embodiments, further identification marks are formed at the edges of one conductive layer structure.

実施形態において、さらなる識別マークは、導電層構造の角部に形成される。 In embodiments, further identification marks are formed at the corners of the conductive layer structure.

実施形態において、さらなる識別マーク、第1の識別マーク、及び/又は第2の識別マークが同一の円周形状を備える。 In an embodiment, the further identification mark, the first identification mark and/or the second identification mark have the same circumferential shape.

実施形態において、さらなる識別マークは、導電材料で充填されている。 In embodiments, the further identification mark is filled with conductive material.

実施形態において、さらなる識別マークは、導電材料がない内側容積部を備える。 In an embodiment, the further identification mark comprises an inner volume free of conductive material.

実施形態では、コンポーネントキャリアはプレートとして形作られる。このことは、コンパクトな設計に寄与し、コンポーネントキャリアは、それにもかかわらず、その上でコンポーネントを設置するための大きな土台を提供する。さらに、特に、組み込まれた電子コンポーネントを例として、裸のダイは、その薄い厚さのおかげで、プリント回路基板などの薄いプレートに組み込まれ得るのが好都合である。 In an embodiment, the component carrier is shaped as a plate. This contributes to a compact design, and the component carrier nevertheless provides a large base for installing components on it. Furthermore, by virtue of their small thickness, bare dies can advantageously be integrated into thin plates, such as printed circuit boards, particularly for embedded electronic components.

実施形態では、コンポーネントキャリアは、プリント回路基板、基板(特に、IC基板)、及びインターポーザからなる群の1つとして構成される。 In embodiments, the component carrier is configured as one of the group consisting of a printed circuit board, a substrate (particularly an IC board), and an interposer.

本願の文脈において、用語「プリント回路基板」(PCB)は、いくつかの電気絶縁層構造を有するいくつかの導電層構造を、例えば圧力の適用及び/又は熱エネルギーの供給により、積層することにより形成されるプレート形状のコンポーネントキャリアを特に示し得る。PCB技術に好ましい材料として、導電層構造は銅でできており、一方、電気絶縁層構造は、樹脂及び/又はガラス繊維、いわゆる、プリプレグ又はFR4材料を有し得る。様々な導電層構造は、例えばレーザー穴あけ加工又は機械的穴あけ加工によって、積層体を通る穴を形成することにより、またそれらに導電材料(特に、銅)を部分的又は完全に充填することにより、ビア又は他の任意のスルーホール接続を形成することによって、所望の形で互いに接続されてもよい。充填された穴は、全スタックを接続するか(いくつかの層又はスタック全体を通って延在するスルーホール接続)、あるいは充填された穴は、少なくとも2つの導電層を接続し、ビアと呼ばれる。同様に、電気光学回路基板(EOCB)を受容するために、スタックの個々の層を通して光相互接続を形成することができる。プリント回路基板に埋め込まれてもよい1又は複数のコンポーネントとは別に、プリント回路基板は、通常、プレート状のプリント回路基板の一方又は両方の対向面上に1もしくは複数のコンポーネントを受け入れるように構成される。それらは、はんだ付けによってそれぞれの主表面に接続し得る。PCBの誘電体部が、強化繊維(ガラス繊維など)を有する樹脂で構成されてよい。 In the context of the present application, the term "printed circuit board" (PCB) means a structure formed by laminating several electrically conductive layer structures with several electrically insulating layer structures, e.g. by the application of pressure and/or the supply of thermal energy. A plate-shaped component carrier formed may be particularly shown. As preferred materials for PCB technology, the conductive layer structure is made of copper, while the electrically insulating layer structure can have resin and/or glass fibers, so-called prepreg or FR4 materials. Various conductive layer structures can be created by forming holes through the laminate, e.g. by laser drilling or mechanical drilling, and by partially or completely filling them with conductive material (in particular copper). They may be connected to each other in any desired manner by forming vias or any other through-hole connections. A filled hole connects the entire stack (through-hole connection extending through several layers or the entire stack) or a filled hole connects at least two conductive layers and is called a via. . Similarly, optical interconnects can be formed through the individual layers of the stack to receive electro-optic circuit boards (EOCBs). Apart from one or more components that may be embedded in the printed circuit board, the printed circuit board is typically configured to receive one or more components on one or both opposing sides of the plate-shaped printed circuit board. be done. They may be connected to their respective major surfaces by soldering. The dielectric portion of the PCB may be made of resin having reinforcing fibers (such as glass fibers).

本願の文脈において、用語「基板」は、具体的には、小さなコンポーネントキャリアを意味し得る。基板は、PCBに関して、1又は複数のコンポーネントを取り付け得、1又は複数の小片及び別のPCBの間の接続媒体として機能し得る比較的小さなコンポーネントキャリアであり得る。例えば、基板は、(例えば、チップスケールパッケージ(CSP)の場合)その上に実装されるコンポーネント(特に、電子コンポーネント)と実質的に同じサイズを有してもよい。より詳細には、基板は、電気的接続又は電気ネットワークのためのキャリア、及びプリント回路基板(PCB)に匹敵するコンポーネントキャリアとして理解され得るが、水平及び/又は垂直に配置された接続の密度がかなり高くなる。横方向接続は、例えば導電路であり、縦方向接続は、例えばドリル穴であってもよい。これらの横方向及び/又は縦方向の接続部は基板内に配置されて、収納コンポーネント又は非収納コンポーネント(ベアダイなど)、特にICチップの、プリント回路基板又は中間プリント回路基板との電気的、熱的、及び/又は機械的な接続を提供するために使用され得る。したがって、用語「基板」には「IC基板」も含まれる。基板の誘電体部分は、(強化スフィア、特にガラス球などの)強化粒子を有する樹脂で構成されてもよい。 In the context of this application, the term "substrate" may specifically mean a small component carrier. A substrate, with respect to a PCB, may be a relatively small component carrier on which one or more components may be attached and which may serve as a connection medium between one or more pieces and another PCB. For example, the substrate may have substantially the same size as the components (particularly electronic components) mounted thereon (eg, in the case of a chip scale package (CSP)). In more detail, a board can be understood as a carrier for electrical connections or electrical networks, and as a component carrier comparable to a printed circuit board (PCB), but with a density of horizontally and/or vertically arranged connections. It will be quite expensive. The lateral connection may be, for example, a conductive track, and the longitudinal connection may be, for example, a drilled hole. These lateral and/or vertical connections are arranged within the substrate to provide electrical and thermal connections between contained or non-contained components (such as bare die), especially IC chips, with printed circuit boards or intermediate printed circuit boards. It may be used to provide physical and/or mechanical connections. Therefore, the term "substrate" also includes "IC substrate." The dielectric part of the substrate may be composed of a resin with reinforcing particles (such as reinforcing spheres, especially glass spheres).

基板又はインターポーザは、少なくともガラス、シリコン(Si)、及び/又はエポキシベースのビルドアップ材料(エポキシベースのビルドアップフィルムなど)のようなフォトイメージャブル又はドライエッチング可能な有機材料、又はポリイミド又はポリベンゾオキサゾールのような高分子化合物(光分子及び/又は感熱分子を含み得るか、又は含み得ない)の層を有し得るか、又はそれらからなり得る。 The substrate or interposer can be at least a photoimageable or dry-etchable organic material such as glass, silicon (Si), and/or epoxy-based build-up materials (such as epoxy-based build-up films), or polyimide or polybenzene. It may have or consist of a layer of polymeric compounds, such as oxazole, which may or may not contain photo- and/or heat-sensitive molecules.

少なくとも1つのコンポーネントは、コンポーネントキャリアに埋め込まれていても、及び/又はコンポーネントキャリアに実装された表面であってもよい。かかるコンポーネントは、非導電性インレイ、導電性インレイ(好ましくは銅もしくはアルミニウムを備える、金属インレイなど)、伝熱ユニット(例えば、ヒートパイプ)、導光素子(例えば、光導波路もしくは導光体接続)、電子コンポーネント、又はそれらの組み合わせからなる群から選択することができる。インレイは、例えば、絶縁材料コーティング(IMSインレイ)を有するか又は有さない、金属ブロックであることができ、埋め込むか又は放熱を促進する目的で表面実装することができる。好適な材料は、少なくとも2W/mKであるべきである、それらの伝熱性にしたがって規定される。そのような材料は、多くの場合、限定されないが、例えば、銅、酸化アルミニウム(Al2O3)、又は窒化アルミニウム(AlN)のような、金属、金属酸化物、及び/又はセラミックをベースとしている。熱交換能力を向上させるために、表面積を増加させた他の幾何学形状も使用される場合が多い。さらに、コンポーネントは、能動式電子コンポーネント(少なくとも1つのp-n接続を実装)、受動式電子コンポーネント、例えば抵抗器、インダクタンス、又はコンデンサ、電子チップ、ストレージデバイス(例えば、DRAM又は別のデータメモリ)、フィルタ、集積回路(例えばフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、プログラマブルアレイロジック(PAL)、ジェネリックアレイロジック(GAL)、及び複合プログラマブルロジックデバイス(CPLD))、信号処理コンポーネント、電源管理コンポーネント(例えば、電界効果トランジスタ(FET)、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)、接合型電界効果トランジスタ(JFET)、又は絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)、炭化ケイ素(SiC)、ガリウム砒素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、インジウムガリウム砒素(InGaAs)などの半導体材料をベースとしているすべてのもの、及び/又は他のいずれかの適切な無機化合物)、光電子インターフェース要素、発光ダイオード、フォトカプラ、電圧コンバータ(例えば、DC/DCコンバータ又はAC/DCコンバータ)、暗号コンポーネント、送信機及び/又は受信機、電気機械変換器、センサ、アクチュエータ、微小電気機械システム(MEMS)、マイクロプロセッサ、コンデンサ、抵抗器、インダクタンス、バッテリー、スイッチ、カメラ、アンテナ、ロジックチップ、及びエネルギーハーベスティングユニットであってよい。しかし、他のコンポーネントをコンポーネントキャリアに埋め込み得る。例えば、磁性素子コンポーネントとして使用できる。かかる磁気素子は、永久磁性素子(強磁性素子、反強磁性素子、マルチフェロイック素子、もしくはフェリ磁性素子、例えばフェライトコアなど)であってもよく、又は常磁性素子であってもよい。しかしながら、コンポーネントはまた、IC基板、インターポーザ、又は例えば基板内基板(board-in-board)構成の、さらなるコンポーネントキャリアであってもよい。コンポーネントは、コンポーネントキャリアに表面実装されてもよく、及び/又はその内部に埋め込まれてもよい。さらには、他のコンポーネント、特に、電磁放射線を生成及び放出する、及び/又は、環境から伝搬する電磁放射線に対して敏感である、他のコンポーネントも、コンポーネントとして使用されてよい。 The at least one component may be embedded in the component carrier and/or be a surface mounted to the component carrier. Such components include non-conductive inlays, conductive inlays (such as metal inlays, preferably comprising copper or aluminum), heat transfer units (for example heat pipes), light guiding elements (for example optical waveguides or light guide connections). , electronic components, or a combination thereof. The inlay can be, for example, a metal block with or without an insulating material coating (IMS inlay) and can be embedded or surface mounted for the purpose of promoting heat dissipation. Suitable materials are defined according to their thermal conductivity, which should be at least 2 W/mK. Such materials are often based on metals, metal oxides, and/or ceramics, such as, but not limited to, copper, aluminum oxide (Al2O3), or aluminum nitride (AlN). Other geometries with increased surface area are also often used to improve heat exchange capabilities. Additionally, the component may be an active electronic component (implementing at least one pn connection), a passive electronic component, such as a resistor, an inductance, or a capacitor, an electronic chip, a storage device (such as a DRAM or another data memory). , filters, integrated circuits (e.g. field programmable gate arrays (FPGAs), programmable array logic (PALs), generic array logic (GALs), and complex programmable logic devices (CPLDs)), signal processing components, power management components (e.g. electric field effect transistor (FET), metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), complementary metal oxide semiconductor (CMOS), junction field effect transistor (JFET), or insulated gate field effect transistor (IGFET), silicon carbide (SiC) ), all based on semiconductor materials such as gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), gallium oxide (Ga2O3), indium gallium arsenide (InGaAs), and/or any other suitable inorganic compound ), optoelectronic interface elements, light emitting diodes, optocouplers, voltage converters (e.g. DC/DC converters or AC/DC converters), cryptographic components, transmitters and/or receivers, electromechanical transducers, sensors, actuators, microelectronics It may be a mechanical system (MEMS), a microprocessor, a capacitor, a resistor, an inductance, a battery, a switch, a camera, an antenna, a logic chip, and an energy harvesting unit. However, other components may be embedded in the component carrier. For example, it can be used as a magnetic element component. Such magnetic elements may be permanent magnetic elements (such as ferromagnetic, antiferromagnetic, multiferroic or ferrimagnetic elements, such as ferrite cores), or they may be paramagnetic elements. However, the component may also be an IC substrate, an interposer or a further component carrier, for example in a board-in-board configuration. The components may be surface mounted to and/or embedded within the component carrier. Furthermore, other components may also be used as components, in particular other components that generate and emit electromagnetic radiation and/or are sensitive to electromagnetic radiation propagating from the environment.

コンポーネントキャリアの内部層構造を加工した後、処理された層構造の一方又は両方の対向する主表面を、1又は複数のさらなる電気絶縁層構造及び/又は導電層構造で対称的又は非対称的に(具体的には積層によって)覆うことが可能である。換言すれば、ビルドアップは、所望の数の層が得られるまで継続されてもよい。 After processing the internal layer structure of the component carrier, one or both opposing major surfaces of the treated layer structure can be coated symmetrically or asymmetrically with one or more further electrically insulating and/or conducting layer structures ( Specifically, it can be covered (by lamination). In other words, the build-up may continue until the desired number of layers is obtained.

電気絶縁層構造及び導電層構造のスタックの形成が完了した後、得られた層構造又はコンポーネントキャリアの表面処理を進めることが可能である。 After the formation of the stack of electrically insulating and conductive layer structures has been completed, it is possible to proceed with the surface treatment of the resulting layer structure or component carrier.

具体的には、電気絶縁ソルダーレジストは、表面処理に関して層スタック又はコンポーネントキャリアの一方又は両方の対向する主表面に塗布され得る。例えば、かかるはんだレジストを主面全体上に形成し、続いてはんだレジストの層をパターニングして、コンポーネントキャリアを周辺電子機器に電気的に結合するのに使用されるべき1又は複数の導電性表面部分を露出させることが可能である。ソルダーレジストで被覆されたままであるコンポーネントキャリアの表面部は、酸化又は腐食、特に銅を含む表面部に対して効率的に保護してもよい。 In particular, electrically insulating solder resists may be applied to opposing major surfaces of one or both of the layer stack or the component carrier with respect to surface treatment. For example, forming such a solder resist over the entire major surface and subsequently patterning a layer of solder resist to form one or more conductive surfaces to be used to electrically couple the component carrier to peripheral electronics. It is possible to expose parts. The surface parts of the component carrier that remain covered with solder resist may be effectively protected against oxidation or corrosion, especially the copper-containing surface parts.

表面処理に関して、コンポーネントキャリアの露出した導電性表面部分に選択的に表面仕上げを適用することも可能である。そのような表面仕上げは、コンポーネントキャリアの表面上の露出した導電層構造(例えばパッド、導電トラックなどのような、特に銅を含む又は銅からなる)上の導電性カバー材料であり得る。そのような露出した導電層構造が保護されないままである場合、露出した導電性のコンポーネントキャリア材料(特に銅)が酸化し、コンポーネントキャリアの信頼性を低下させる可能性がある。次いで、表面仕上げは、例えば、表面実装コンポーネント及びコンポーネントキャリアの間の界面として形成され得る。表面仕上げは、露出した導電層構造(特に銅回路)を保護し、例えば、はんだ付けによって、1又は複数のコンポーネントとの接合工程を可能にする機能を有する。表面仕上げに適切な材料の例は、有機はんだ付け性防腐剤(OSP)、無電解ニッケルめっき置換金めっき(Electroless Nickel Immersion Gold)(ENIG)、無電解ニッケルめっき無電解パラジウムめっき置換金めっき(Electroless Nickel Immersion Palladium Immersion Gold)(ENIPIG)、金(特に硬質金)、化学錫、ニッケル金、ニッケルパラジウムなどである。 Regarding the surface treatment, it is also possible to selectively apply a surface finish to the exposed electrically conductive surface portions of the component carrier. Such a surface finish may be a conductive cover material on exposed conductive layer structures (such as pads, conductive tracks, etc., in particular comprising or consisting of copper) on the surface of the component carrier. If such exposed conductive layer structures are left unprotected, the exposed conductive component carrier material (especially copper) can oxidize, reducing the reliability of the component carrier. A surface finish may then be formed, for example, as an interface between the surface mount component and the component carrier. The surface finish has the function of protecting the exposed conductive layer structure (in particular the copper circuit) and allowing a joining process with one or more components, for example by soldering. Examples of suitable materials for surface finishing are organic solderability preservatives (OSP), Electroless Nickel Immersion Gold (ENIG), Electroless Nickel Immersion, Electroless Palladium, Electroless Nickel Immersion Palladium Immersion Gold (ENIPIG), gold (especially hard gold), chemical tin, nickel gold, nickel palladium, etc.

本発明の上記で定義された態様及びさらなる態様は、以下に説明される実施形態の例から明らかであり、実施形態のこれらの例を参照して説明される。 The aspects defined above and further aspects of the invention are evident from the examples of embodiment described below and are explained with reference to these examples of embodiment.

従来の識別マーカを有する従来のコンポーネントキャリアの概略図を示す。1 shows a schematic diagram of a conventional component carrier with conventional identification markers; FIG.

例示的な実施形態による分離コア層及び識別マークを備えるコンポーネントキャリアの概略図を示す。1 shows a schematic diagram of a component carrier with a separate core layer and identification marks according to an example embodiment; FIG.

例示的な実施形態による、3つの識別マークを備えるコンポーネントキャリアの概略図を示す。1 shows a schematic diagram of a component carrier with three identification marks, according to an example embodiment; FIG.

例示的な実施形態による、互いに上方に積層方向に沿って配置される3つの識別マークを備えるコンポーネントキャリアの概略図を示す。2 shows a schematic diagram of a component carrier with three identification marks arranged above each other along the stacking direction, according to an exemplary embodiment; FIG.

例示的な実施形態による、矢印の形状の識別マークの概略図を示す。2 shows a schematic diagram of an identification mark in the form of an arrow, according to an exemplary embodiment; FIG.

例示的な実施形態による、3つの点により形成される識別マークの概略図を示す。Figure 3 shows a schematic diagram of an identification mark formed by three dots, according to an exemplary embodiment;

図面における図示は、概略図である。異なる図面において、類似又は同一の要素には、同じ参照符号が与えられる。 The illustrations in the drawings are schematic representations. Similar or identical elements in different drawings are given the same reference symbols.

図1は、従来の識別マーカ1001、1002を有する従来のコンポーネントキャリア1000の概略図を示す。 FIG. 1 shows a schematic diagram of a conventional component carrier 1000 with conventional identification markers 1001, 1002.

従来のコンポーネントキャリア1000は、交互の様式で互いの上方に積層方向104に沿って積層される導電材料で作られた電気絶縁層構造102及び導電層構造103、106のスタック101を備える。 A conventional component carrier 1000 comprises a stack 101 of electrically insulating layer structures 102 and conductive layer structures 103, 106 made of electrically insulating material and stacked in a stacking direction 104 above each other in an alternating manner.

従来の識別マーク1001は、導電層構造103(上側層L6、内側のパターンミラー)において三角形の形状で形成されている。さらなる従来の識別マーク1002が、導電層構造106(下側層L6)において三角形の形状で形成されている。識別マーカ1001、1002は、導電材料で充填されている。従来の識別マーク1001、1002は、両者とも、積層方向104に沿って互いの上方に配置されず、積層方向104に沿って互いに対してオフセットしている。さらに、従来の識別マーク1001、1002は、鏡映対称であり、上側層L6及び下側層L6において同じパターンを有する。(例えばx線)検出デバイスは、それぞれの写真110を取得し、円周の形状及び識別マーク107の向きをそれぞれ検出する。 The conventional identification mark 1001 is formed in a triangular shape in the conductive layer structure 103 (upper layer L6, inner pattern mirror). A further conventional identification mark 1002 is formed in the conductive layer structure 106 (lower layer L6) in the shape of a triangle. Identification markers 1001, 1002 are filled with conductive material. Both conventional identification marks 1001 and 1002 are not arranged above each other along the stacking direction 104, but are offset with respect to each other along the stacking direction 104. Furthermore, the conventional identification marks 1001, 1002 are mirror symmetrical and have the same pattern on the upper layer L6 and the lower layer L6. A (eg x-ray) detection device acquires each photograph 110 and detects the shape of the circumference and the orientation of the identification mark 107, respectively.

外側を覆う導電層構造103、106(L7)は、3μm及び18μmの間の厚さを有し得る銅箔キャリアであり得る。厚い外側を覆う導電層構造103、106(L7)により、それは検出デバイス(例えばx線検出デバイス)の写真110のコントラストに影響する。それぞれの写真110におけるx線光源及びコントラストを調整することを以ってしても、コア分離の前に異なる方向に向いていた両側の三角形の識別マーカ1001、1002は、方向の識別に影響する。 The outer covering conductive layer structure 103, 106 (L7) can be a copper foil carrier which can have a thickness between 3 μm and 18 μm. Due to the thick overlying conductive layer structure 103, 106 (L7), it influences the contrast of the photograph 110 of the detection device (for example an x-ray detection device). Even by adjusting the x-ray light source and contrast in each photograph 110, the triangular identification markers 1001, 1002 on both sides, which were oriented in different directions before core separation, affect the orientation identification. .

図2は、例示的な実施形態による、分離コア層109及び識別マーク107、108を備えるコンポーネントキャリア100の概略図を示す。 FIG. 2 shows a schematic diagram of a component carrier 100 with a separate core layer 109 and identification marks 107, 108, according to an exemplary embodiment.

コンポーネントキャリア100は、交互の様式で互いに上方に積層方向104に沿って積層される、導電材料で作られた4つの電気絶縁層構造102及び少なくとも1つの導電層構造103、106のスタック101を備える。導電層構造103、106の1つがスタック101の第1の外側導電層111を形成し、導電層構造103、106の別の1つがスタック101の第2の外側導電層112を形成し、ここで第1の外側導電層111及び第2の外側導電層112がスタック101の対向する外層である。第1の識別マーク107は、検出デバイスにより検出可能に形成される。第1の識別マーク107が、第1の外側導電層111の最も近くに配置される導電層構造103において形成される。追加的に、さらなる第1の識別マーク107及び/又は第2の識別マーク108はまた、外側導電層111、112を除いて他の導電層構造103、106の各々において形成され得る。 The component carrier 100 comprises a stack 101 of four electrically insulating layer structures 102 and at least one conductive layer structure 103, 106 made of electrically conductive material, stacked in an alternating manner above each other along a stacking direction 104. . One of the conductive layer structures 103, 106 forms the first outer conductive layer 111 of the stack 101 and another one of the conductive layer structures 103, 106 forms the second outer conductive layer 112 of the stack 101, where First outer conductive layer 111 and second outer conductive layer 112 are opposing outer layers of stack 101 . The first identification mark 107 is formed so as to be detectable by a detection device. A first identification mark 107 is formed in the conductive layer structure 103 located closest to the first outer conductive layer 111 . Additionally, further first identification marks 107 and/or second identification marks 108 may also be formed in each of the other conductive layer structures 103, 106, excluding the outer conductive layers 111, 112.

さらに、第2の識別マーク108は検出デバイスにより検出可能に形成され、ここで第2の識別マーク108が第2の外側導電層112の最も近くに配置される導電層構造106において形成される。第1の識別マーク107及び第2の識別マーク108は、互いに上方に積層方向104に形成される。 Additionally, a second identification mark 108 is detectably formed by a detection device, where the second identification mark 108 is formed in the conductive layer structure 106 disposed proximate to the second outer conductive layer 112 . The first identification mark 107 and the second identification mark 108 are formed above each other in the stacking direction 104.

第1の識別マーク107及び/又は第2の識別マーク108は、導電材料がない内側容積部を備える。識別マーク107、108はそれぞれの導電層構造103、106の平面に沿って延在し、それぞれの導電層構造103、106の平面の法線に平行なそれぞれの法線を備える。 The first identification mark 107 and/or the second identification mark 108 comprises an inner volume free of conductive material. The identification marks 107, 108 extend along the plane of the respective conductive layer structure 103, 106 and have respective normals parallel to the normal of the plane of the respective conductive layer structure 103, 106.

図の識別マーク107、108の形を示すために、図の識別マーク107、108は、90°傾けて示している。さらに、導電層103、106が、層番号L4からL8により表されている。 In order to show the shape of the identification marks 107, 108 in the figure, the identification marks 107, 108 in the figure are shown tilted by 90°. Furthermore, conductive layers 103 and 106 are represented by layer numbers L4 to L8.

識別マーク107、108は、それぞれ外側導電層111、112の最も近くの導電層構造103、106(層L6、内側のパターンのミラー)の1つに少なくとも形成される。特に、例えば識別マーク107は、導電層構造の材料がない内側容積部を備える。例えば、識別マーク107の内側容積部は、中空で、例えば銅がない。電気絶縁性材料は、それぞれの導電層構造103の上部に積層される電気絶縁層構造102に類似していてもよい。(例えばx線)検出デバイスは、それぞれの写真110を取得し、円周の形状及び識別マーク107の向きをそれぞれ検出する。 The identification marks 107, 108 are formed at least on one of the conductive layer structures 103, 106 (layer L6, mirror of the inner pattern) closest to the outer conductive layers 111, 112, respectively. In particular, for example, the identification mark 107 comprises an inner volume free of material of the conductive layer structure. For example, the inner volume of the identification mark 107 is hollow, eg, free of copper. The electrically insulating material may be similar to the electrically insulating layer structure 102 laminated on top of each conductive layer structure 103 . A (eg x-ray) detection device acquires each photograph 110 and detects the shape of the circumference and the orientation of the identification mark 107, respectively.

導電層構造103、106(L7)を覆うものは、3μm及び18μmの間の厚さを有し得る銅箔であり得る。 Covering the conductive layer structure 103, 106 (L7) can be a copper foil, which can have a thickness between 3 μm and 18 μm.

第1の識別マーク107及び第2の識別マーク108は、互いに上方に積層方向104に形成される。そのため、スタック101は、複数の電気絶縁層構造102、105及び複数の導電層構造103、106で形成されてよく、ここでスタック101の離れた空間の導電層構造103、106において、それぞれの識別マーク107、108が形成される。第1の識別マーク107及び第2の識別マーク108が互いに上方に積層方向104で形成される場合、検出デバイスにより取得される識別マーク107、108のアラインメントの適切な写真110が提示され得る。 The first identification mark 107 and the second identification mark 108 are formed above each other in the stacking direction 104. As such, the stack 101 may be formed of a plurality of electrically insulating layer structures 102, 105 and a plurality of conductive layer structures 103, 106, where in the conductive layer structures 103, 106 in separate spaces of the stack 101, respective identification Marks 107 and 108 are formed. If the first identification mark 107 and the second identification mark 108 are formed above each other in the stacking direction 104, a suitable picture 110 of the alignment of the identification marks 107, 108 obtained by the detection device can be presented.

識別マーク107、108は、示されている例で同一の三角形の形状を備える。換言すると、第1の識別マーク107及び第2の識別マーク108は、積層方向104に平行な投影法線を有する投影面に、第1の識別マーク107及び第2の識別マーク108が互いに完全に重なり合う様式で、形成される。 The identification marks 107, 108 have the same triangular shape in the example shown. In other words, the first identification mark 107 and the second identification mark 108 are completely aligned with each other on a projection plane having a projection normal parallel to the stacking direction 104. formed in an overlapping manner.

コンポーネントキャリア100は、分離コア層109をさらに備え、ここで分離コア層109は、一方の側の中央の導電層構造103(L5)、及び他方の側のさらなる導電層構造106(L5)の間に着脱可能に配置される。分離コア層109の両方の対向する側で、導電層構造103、106及び電気絶縁層構造102、105で作られるスタック101のそれぞれのスタック部が層ごとに形成され得る。分離コア層109の対向する側に配置されるそれぞれの導電層構造103、106において、第1の識別マーク107及び第2の識別マーク108が形成できる。分離コア層109の両側にあるそれぞれのスタック部が形成された後、2つのスタック部が、1つの共通の製造/積層段階で形成できるように、分離コア層109は除去できる。識別マーク107、108を形成することで、それぞれのコンポーネントキャリア100の向きが、分離コア層109を除去する前後に検出できる。 The component carrier 100 further comprises a separate core layer 109, where the separate core layer 109 is located between the central conductive layer structure 103 (L5) on one side and the further conductive layer structure 106 (L5) on the other side. It is removably placed in the. On both opposite sides of the isolated core layer 109, respective stack parts of the stack 101 made of the conductive layer structure 103, 106 and the electrically insulating layer structure 102, 105 can be formed layer by layer. A first identification mark 107 and a second identification mark 108 can be formed in each conductive layer structure 103 , 106 arranged on opposite sides of the isolated core layer 109 . After the respective stacks on either side of the isolated core layer 109 are formed, the isolated core layer 109 can be removed so that the two stacks can be formed in one common manufacturing/lamination step. By forming the identification marks 107 and 108, the orientation of each component carrier 100 can be detected before and after the separation core layer 109 is removed.

図2で、3つの導電層構造103、106(L5、L6、及びL7)は、銅の層である。識別マーク107、108は伝導層構造L6に形成される、なぜならこれらの層構造L6でパターンの工程がなされ、識別マーク107、108がかかるそれぞれパターンの工程において形成できるからである。分離コア層109に最も近い伝導層構造103、106、つまりL5、及び上部外側伝導層111、112、つまりL7において、分離コア層109から分離する前にパターンの工程は成し遂げられない。 In FIG. 2, the three conductive layer structures 103, 106 (L5, L6, and L7) are layers of copper. The identification marks 107, 108 are formed in the conductive layer structure L6, since a patterning process is carried out in these layer structures L6, and the identification marks 107, 108 can be formed in such a respective patterning process. In the conductive layer structures 103, 106 closest to the isolated core layer 109, ie, L5, and the upper outer conductive layers 111, 112, ie, L7, no patterning process is accomplished prior to separation from the isolated core layer 109.

図3は、例示的な実施形態による、3つの識別マーク107、301を備えるコンポーネントキャリア100の概略図を示す。伝導層構造L5、L6、及びL7を備えるスタック101は、図2のスタック101の上側部分のフリップスタック部である。第1の識別マーク107は、図2の第1の識別マーク107と同じものであり、それは分離コア層109から分離される前に導電層構造103(L6)において形成され得るが、図3の第3の識別マーク301は分離後導電層構造L5及びL7において形成されるさらなるマークである。第3の識別マーク301は同じ外形、例えば三角形の外形を有することができ、互いに上方に積層方向104に形成され、図2に示す第1及び第2の識別マーク107、108と類似している。スタック101は積層方向104に平行な鏡面201を備え、ここでさらなる識別マーク301は第1の識別マーク107に関して鏡面201に関して対向する側に配置される。 FIG. 3 shows a schematic diagram of a component carrier 100 with three identification marks 107, 301, according to an exemplary embodiment. Stack 101 comprising conductive layer structures L5, L6, and L7 is a flip stack portion of the upper portion of stack 101 of FIG. The first identification mark 107 is the same as the first identification mark 107 of FIG. 2, which may be formed in the conductive layer structure 103 (L6) before being separated from the isolated core layer 109, but The third identification mark 301 is a further mark formed in the conductive layer structures L5 and L7 after separation. The third identification mark 301 can have the same outline, for example a triangular outline, and is formed above each other in the stacking direction 104 and is similar to the first and second identification marks 107, 108 shown in FIG. . The stack 101 comprises a mirror surface 201 parallel to the stacking direction 104, where a further identification mark 301 is arranged on an opposite side with respect to the mirror surface 201 with respect to the first identification mark 107.

図3に示すコンポーネントキャリア100は、さらなる電気絶縁層構造102、105、及びさらなる外側導電層302(L4、L8)を外側導電層111(L5、L7)の上部に積層することによって形成できる。識別マーク107は、図2の上側スタック部のフリップにより右側に配置され、依然として、今やスタック101の中心にある導電層構造103(L6)に形成されている。そのため、中央の識別マーク107は検出デバイスの写真110においてほとんど見えないが、追加的なさらなる識別マーク301は、さらなる外側導電層302(L4、L8)、したがってスタック101の表面の最も近くに配置される導電層構造103、106(L5、L7)に形成される。そのため、検出デバイスの写真110におけるさらなる識別マーク301の形の形状表現が可能である。さらなる識別マーク301は、導電材料がない内側容積部を備え得る。追加的に、さらなる識別マーク301はまた、外側導電層111、112を除いて他の導電層構造103、106の各々に形成され得る。 The component carrier 100 shown in FIG. 3 can be formed by laminating further electrically insulating layer structures 102, 105 and a further outer conductive layer 302 (L4, L8) on top of the outer conductive layer 111 (L5, L7). The identification mark 107 is located on the right side due to the flip of the upper stack part in FIG. 2 and is still formed in the conductive layer structure 103 (L6) now in the center of the stack 101. Therefore, although the central identification mark 107 is hardly visible in the photograph 110 of the detection device, the additional further identification mark 301 is located closest to the further outer conductive layer 302 (L4, L8) and thus to the surface of the stack 101. A conductive layer structure 103, 106 (L5, L7) is formed. Therefore, further representation of the shape of the identification mark 301 in the photograph 110 of the detection device is possible. The further identification mark 301 may comprise an inner volume devoid of electrically conductive material. Additionally, further identification marks 301 may also be formed on each of the other conductive layer structures 103, 106 except for the outer conductive layers 111, 112.

図4は、例示的な実施形態による、互いに上方に積層方向104に沿って配置される3つの識別マーク108、301を備えるコンポーネントキャリアの概略図を示す。図4に示すコンポーネントキャリア100は、さらなる電気絶縁層構造102、105、及びさらなる外側導電層302(L4、L8)を外側導電層112(L5、L7)の上部に積層することによって形成できる。 FIG. 4 shows a schematic diagram of a component carrier comprising three identification marks 108, 301 arranged above each other along the stacking direction 104, according to an exemplary embodiment. The component carrier 100 shown in FIG. 4 can be formed by laminating further electrically insulating layer structures 102, 105 and further outer conductive layers 302 (L4, L8) on top of outer conductive layers 112 (L5, L7).

伝導層構造L5、L6、及びL7を備えるスタック101は、図2のスタック101の下側部分のスタック部である。第2の識別マーク108は、図2の第2の識別マーク108と同じものであり、それは分離コア層109から分離される前に導電層構造103(L6)に形成され得るが、図4の第3の識別マーク301は分離後導電層構造L5及びL7において形成されるさらなるマークである。第3の識別マーク301は同じ外形、例えば三角形の外形を有することができ、互いに上方に積層方向104に形成され、図2に示す第1及び第2の識別マーク107、108と類似している。スタック101は積層方向104に平行な鏡面201を備え、ここでさらなる識別マーク301は第2の識別マーク108に関して鏡面201に関して同じ側に配置される。追加的に、さらなる識別マーク301はまた、外側導電層111、112を除いて他の導電層構造103、106の各々に形成され得る。 The stack 101 comprising the conductive layer structures L5, L6 and L7 is the stack part of the lower part of the stack 101 of FIG. The second identification mark 108 is the same as the second identification mark 108 of FIG. 2, which may be formed on the conductive layer structure 103 (L6) before being separated from the isolated core layer 109, but The third identification mark 301 is a further mark formed in the conductive layer structures L5 and L7 after separation. The third identification mark 301 can have the same outline, for example a triangular outline, and is formed above each other in the stacking direction 104 and is similar to the first and second identification marks 107, 108 shown in FIG. . The stack 101 comprises a mirror surface 201 parallel to the stacking direction 104, where the further identification mark 301 is arranged on the same side with respect to the mirror surface 201 with respect to the second identification mark 108. Additionally, further identification marks 301 may also be formed on each of the other conductive layer structures 103, 106 except for the outer conductive layers 111, 112.

導電材料がない内側容積部を有する、第2の識別マーク108及び第3の識別マーク301は、互いに上方に形成され、検出デバイスにより取得される写真110のすべての識別マーク108、301のオーバーレイ及びマッチングそれぞれが検出され得る。 The second identification mark 108 and the third identification mark 301, having an inner volume free of conductive material, are formed above each other and overlay and overlay all the identification marks 108, 301 of the photograph 110 acquired by the detection device. Each match may be detected.

図5は、例示的な実施形態による、矢印の形状の第1の識別マーク107の概略図を示す。第1の識別マーク107は、矢印の形状を備える。第2及び第3の識別マーク108、301はまたそれぞれの形を有することができる。 FIG. 5 shows a schematic diagram of a first identification mark 107 in the form of an arrow, according to an exemplary embodiment. The first identification mark 107 has the shape of an arrow. The second and third identification marks 108, 301 may also have respective shapes.

図6は、例示的な実施形態による、3つの点により形成される識別マーク107の概略図を示す。3つの識別点は三角形の形状を形成し、ここで各識別点が、導電材料のない内側容積部を備える。例えば、3つの識別点は、識別マーク107を形成するために仮想的な三角形の角に形成され得る。第2及び第3の識別マーク108、301はまたそれぞれの形を有することができる。 FIG. 6 shows a schematic diagram of an identification mark 107 formed by three dots, according to an exemplary embodiment. The three discrimination points form a triangular shape, where each discrimination point comprises an inner volume free of conductive material. For example, three identification points may be formed at the corners of a virtual triangle to form the identification mark 107. The second and third identification marks 108, 301 may also have respective shapes.

用語「備える」が他の素子又はステップを排除しないこと、及び「a」又は「an」が複数を排除しないことを留意されたい。また、異なる実施形態に関連して説明した要素を組み合わせてもよい。 Note that the term "comprising" does not exclude other elements or steps, and "a" or "an" does not exclude a plurality. Also, elements described in connection with different embodiments may be combined.

また、請求項における参照符号は、請求項の範囲を限定すると解釈されるものではないことを留意されたい。 It should also be noted that reference signs in the claims shall not be construed as limiting the scope of the claims.

本発明の実装は、図に示され、上記される好ましい実施形態に限定されるものではない。代わりに、根本的に異なる実施形態の場合にも、示される解決手段及び本発明に係る原理を使用する多数の変形が可能である。 The implementation of the invention is not limited to the preferred embodiments shown in the figures and described above. Instead, numerous variants are possible using the solution presented and the principles according to the invention, even in the case of radically different embodiments.

100 コンポーネントキャリア
101 スタック
102 電気絶縁層構造
103 導電層構造
104 積層方向
105 さらなる電気絶縁層構造
106 さらなる導電層構造
107 識別マーク
108 第2の識別マーク
109 分離コア層
110 x線写真
111 第1の外側導電層
112 第2の外側導電層
201 鏡面
301 第3の、さらなる識別マーク
302 さらなる外側導電層
100 component carrier 101 stack 102 electrically insulating layer structure 103 electrically conductive layer structure 104 stacking direction 105 further electrically insulating layer structure 106 further electrically conductive layer structure 107 identification mark 108 second identification mark 109 separating core layer 110 radiograph 111 first outer side Conductive layer 112 Second outer conductive layer 201 Mirror surface 301 Third, further identification mark 302 Further outer conductive layer

Claims (33)

交互の様式で互いに上方に積層方向に沿って積層される少なくとも4つの電気絶縁層構造及び少なくとも5つの導電層構造のスタック、
ここで前記導電層構造の1つが前記スタックの第1の外側導電層を形成し、前記導電層構造の別の1つが前記スタックの第2の外側導電層を形成し、
ここで前記第1の外側導電層及び前記第2の外側導電層が前記スタックの対向する外層である、
検出デバイスにより検出可能な第1の識別マーク、
ここで前記第1の識別マークが導電層構造に形成される、
検出デバイスにより検出可能な第2の識別マーク、
ここで前記第2の識別マークが導電層構造に形成され、
ここで前記第1の識別マーク及び前記第2の識別マークは、互いに上方に積層方向に形成される、
を備える、コンポーネントキャリア。
a stack of at least four electrically insulating layer structures and at least five conductive layer structures stacked on top of each other along the stacking direction in an alternating manner;
one of the conductive layer structures forming a first outer conductive layer of the stack and another one of the conductive layer structures forming a second outer conductive layer of the stack;
wherein the first outer conductive layer and the second outer conductive layer are opposing outer layers of the stack;
a first identification mark detectable by a detection device;
wherein the first identification mark is formed on a conductive layer structure;
a second identification mark detectable by a detection device;
wherein the second identification mark is formed on a conductive layer structure;
wherein the first identification mark and the second identification mark are formed above each other in the stacking direction;
Component carrier.
前記第1の識別マークが導電材料のない内側容積部を備える、
請求項1に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark comprises an inner volume free of conductive material;
Component carrier according to claim 1.
前記第1の識別マークが三角形の形状を備える、
請求項2に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark has a triangular shape;
Component carrier according to claim 2.
前記第1の識別マークが矢印の形状を備える、
請求項2に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark has an arrow shape;
Component carrier according to claim 2.
前記第1の識別マークが三角形の形状を形成する3つの識別点を備え、
ここで各識別点が、前記導電材料のない内側容積部を備える、
請求項2に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark comprises three identification points forming a triangular shape;
each identification point comprising an inner volume free of said electrically conductive material;
Component carrier according to claim 2.
前記第1の識別マークが前記1つの導電層構造の縁部に形成される、
請求項2から5のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark is formed on an edge of the one conductive layer structure;
Component carrier according to any one of claims 2 to 5.
前記第1の識別マークが前記1つの導電層構造の角部に形成される、
請求項2から5のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark is formed at a corner of the one conductive layer structure;
Component carrier according to any one of claims 2 to 5.
前記第1の識別マーク及び前記第2の識別マークが同一の円周形状を備える、
請求項1から7のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark and the second identification mark have the same circumferential shape;
Component carrier according to any one of claims 1 to 7.
前記第2の識別マークが導電材料で充填されている、
請求項1に記載のコンポーネントキャリア。
the second identification mark is filled with a conductive material;
Component carrier according to claim 1.
前記第2の識別マークが導電材料のない円周経路のみを備える、
請求項9に記載のコンポーネントキャリア。
the second identification mark comprises only a circumferential path without conductive material;
Component carrier according to claim 9.
前記第2の識別マークが導電材料のない内側容積部を備える、
請求項1から8のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the second identification mark comprises an inner volume free of conductive material;
Component carrier according to any one of claims 1 to 8.
前記コンポーネントキャリアが、
分離コア層
をさらに備え、
ここで前記分離コア層が一方の側の前記少なくとも1つの電気絶縁層構造及び前記少なくとも1つの導電層構造、及び他方の側の前記少なくとも1つのさらなる電気絶縁層構造及び少なくとも1つのさらなる導電層構造の間に着脱可能に配置される、
請求項1から11のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
The component carrier is
Further comprising a separate core layer,
wherein said separating core layer comprises said at least one electrically insulating layer structure and said at least one electrically conductive layer structure on one side and said at least one further electrically insulating layer structure and at least one further electrically conductive layer structure on the other side. Detachably placed between the
Component carrier according to any one of claims 1 to 11.
前記第1の識別マークが前記第1の外側導電層の最も近くに配置され、及び/又は
前記第2の識別マークが前記第2の外側導電層の最も近くに配置される、
請求項1から12のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the first identification mark is located closest to the first outer conductive layer, and/or the second identification mark is located closest to the second outer conductive layer;
Component carrier according to any one of claims 1 to 12.
前記コンポーネントキャリアが、
前記第1の外側導電層及び前記第2の外側導電層を除いて他の導電層構造の各々に形成されるさらなる第1の識別マーク及び/又はさらなる第2の識別マーク
をさらに備える、請求項1から13のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
The component carrier is
Claim further comprising: a further first identification mark and/or a further second identification mark formed on each of the other conductive layer structures except for the first outer conductive layer and the second outer conductive layer. 14. Component carrier according to any one of 1 to 13.
前記コンポーネントキャリアが、
検出デバイスにより検出可能なさらなる識別マーク
をさらに備え、
ここで前記さらなる識別マークが前記第1の外側導電層又は前記第2の外側導電層の最も近くに配置されるそれぞれの導電層構造に形成される、
請求項1から14のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
The component carrier is
further comprising further identification marks detectable by a detection device;
wherein said further identification mark is formed on the respective conductive layer structure disposed closest to said first outer conductive layer or said second outer conductive layer;
Component carrier according to any one of claims 1 to 14.
前記スタックは前記積層方向に平行な鏡面を備え、
ここで前記さらなる識別マークは前記第1の識別マークに関して前記鏡面に関して対向する側に配置される、
請求項15に記載のコンポーネントキャリア。
The stack has a mirror surface parallel to the stacking direction,
wherein the further identification mark is arranged on opposite sides with respect to the mirror surface with respect to the first identification mark;
Component carrier according to claim 15.
前記スタックは前記積層方向に平行な鏡面を備え、
ここで前記さらなる識別マークは前記第2の識別マークに関して前記鏡面に関して同じ側に配置される、
請求項15に記載のコンポーネントキャリア。
The stack has a mirror surface parallel to the stacking direction,
wherein the further identification mark is arranged on the same side with respect to the mirror surface with respect to the second identification mark;
Component carrier according to claim 15.
前記さらなる識別マークが導電材料のない内側容積部を備える、
請求項15から17のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the further identification mark comprises an inner volume free of electrically conductive material;
Component carrier according to any one of claims 15 to 17.
さらなる識別マークが、前記第1の外側導電層及び前記第2の外側導電層を除いて他の導電層構造の各々に形成される、
請求項15から18のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
further identification marks are formed on each of the other conductive layer structures except for the first outer conductive layer and the second outer conductive layer;
Component carrier according to any one of claims 15 to 18.
前記さらなる識別マークが三角形の形状を備える、
請求項15から19のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the further identification mark comprises a triangular shape;
Component carrier according to any one of claims 15 to 19.
前記さらなる識別マークが矢印の形状を備える、
請求項15から19のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the further identification mark has the shape of an arrow;
Component carrier according to any one of claims 15 to 19.
前記さらなる識別マークが三角形の形状を形成する3つの識別点を備え、
ここで各識別点が、導電材料のない内側容積部を備える、
請求項15から19のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
said further identification mark comprising three identification points forming a triangular shape;
each identification point comprising an inner volume free of conductive material;
Component carrier according to any one of claims 15 to 19.
前記さらなる識別マークが前記1つの導電層構造の縁部に形成される、
請求項15から18のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the further identification mark is formed on an edge of the one conductive layer structure;
Component carrier according to any one of claims 15 to 18.
前記さらなる識別マークが前記導電層構造の角部に形成される、
請求項15から18のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the further identification mark is formed at a corner of the conductive layer structure;
Component carrier according to any one of claims 15 to 18.
前記さらなる識別マーク、前記第1の識別マーク、及び/又は前記第2の識別マークが同一の円周形状を備える、
請求項15から24のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the further identification mark, the first identification mark and/or the second identification mark have the same circumferential shape;
Component carrier according to any one of claims 15 to 24.
前記さらなる識別マークが導電材料で充填されている、
請求項15から17のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the further identification mark is filled with a conductive material;
Component carrier according to any one of claims 15 to 17.
前記第1の識別マーク及び前記第2の識別マークは、前記積層方向に平行な投影法線を有する投影面に、前記第1の識別マーク及び前記第2の識別マークが互いに完全に重なり合う様式で形成される、
請求項1から26のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
The first identification mark and the second identification mark are arranged in such a manner that the first identification mark and the second identification mark completely overlap each other on a projection plane having a projection normal parallel to the lamination direction. It is formed,
Component carrier according to any one of claims 1 to 26.
前記スタックを覆う前記第1の外側導電層及び/又は前記第2の外側導電層が、特に、3μm及び18μmの間の厚さを有する銅箔である、
請求項1から27のいずれか一項に記載のコンポーネントキャリア。
the first outer conductive layer and/or the second outer conductive layer covering the stack is in particular a copper foil with a thickness between 3 μm and 18 μm;
Component carrier according to any one of claims 1 to 27.
交互の様式で互いに上方に積層方向に沿って積層される少なくとも4つの電気絶縁層構造及び少なくとも5つの導電層構造のスタックを形成する段階、
ここで前記導電層構造の1つが前記スタックの第1の外側導電層を形成し、前記導電層構造の別の1つが前記スタックの第2の外側導電層を形成し、
ここで前記第1の外側導電層及び前記第2の外側導電層が前記スタックの対向する外層である、
検出デバイスにより検出可能な第1の識別マークを設ける段階、
前記第1の識別マークを導電層構造に形成する段階、
検出デバイスにより検出可能な第2の識別マークを設ける段階、及び
前記第2の識別マークを導電層構造に形成する段階、
ここで前記第1の識別マーク及び前記第2の識別マークは、互いに上方に積層方向に形成される、
を備える、コンポーネントキャリアを製造する方法。
forming a stack of at least four electrically insulating layer structures and at least five conductive layer structures stacked on top of each other along the stacking direction in an alternating manner;
one of the conductive layer structures forming a first outer conductive layer of the stack and another one of the conductive layer structures forming a second outer conductive layer of the stack;
wherein the first outer conductive layer and the second outer conductive layer are opposing outer layers of the stack;
providing a first identification mark detectable by a detection device;
forming the first identification mark on a conductive layer structure;
providing a second identification mark detectable by a detection device; and forming the second identification mark in a conductive layer structure.
wherein the first identification mark and the second identification mark are formed above each other in the stacking direction;
A method of manufacturing a component carrier comprising:
分離コア層を形成する段階、
ここで前記分離コア層が一方の側の前記少なくとも1つの電気絶縁層構造及び前記少なくとも1つの導電層構造、及び他方の側の少なくとも1つのさらなる電気絶縁層構造及び少なくとも1つのさらなる導電層構の間に着脱可能に配置される、
をさらに備える、請求項29に記載の方法。
forming a separate core layer;
wherein said separating core layer comprises said at least one electrically insulating layer structure and said at least one electrically conductive layer structure on one side and at least one further electrically insulating layer structure and at least one further electrically conductive layer structure on the other side. Detachably placed between
30. The method of claim 29, further comprising:
前記第1の識別マーク及び前記第2の識別マークを形成することによって、前記分離コア層を除去する前後にそれぞれの前記コンポーネントキャリアの向きを検出する段階
をさらに備える、請求項30に記載の方法。
31. The method of claim 30, further comprising: detecting the orientation of each of the component carriers before and after removing the separation core layer by forming the first identification mark and the second identification mark. .
前記分離コア層から分離される前に前記第2の識別マークが前記導電層構造に形成される
請求項30に記載の方法。
31. The method of claim 30, wherein the second identification mark is formed on the conductive layer structure before being separated from the separation core layer.
検出デバイスにより検出可能なさらなる識別マークを形成する段階、
ここで前記さらなる識別マークが前記第1の外側導電層又は前記第2の外側導電層の最も近くに配置されるそれぞれの導電層構造において形成され、
ここで前記さらなる識別マークは、前記分離コア層からの分離後、前記導電層構造において形成されるさらなるマークである、
をさらに備える、請求項32に記載の方法。
forming a further identification mark detectable by a detection device;
wherein said further identification mark is formed in a respective conductive layer structure disposed proximate to said first outer conductive layer or said second outer conductive layer;
wherein said further identification mark is a further mark formed in said conductive layer structure after separation from said separation core layer;
33. The method of claim 32, further comprising:
JP2023545383A 2021-01-28 2022-01-12 Component carrier with identification markings Pending JP2024504747A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120247645.0U CN215735031U (en) 2021-01-28 2021-01-28 Component carrier comprising identification marks
CN202120247645.0 2021-01-28
PCT/CN2022/071660 WO2022161174A1 (en) 2021-01-28 2022-01-12 Component carrier comprising identification mark

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024504747A true JP2024504747A (en) 2024-02-01

Family

ID=80011908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023545383A Pending JP2024504747A (en) 2021-01-28 2022-01-12 Component carrier with identification markings

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2024504747A (en)
CN (2) CN215735031U (en)
TW (1) TWM631709U (en)
WO (1) WO2022161174A1 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6208054B2 (en) * 2014-03-10 2017-10-04 新光電気工業株式会社 WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD
SG10201608773PA (en) * 2016-10-19 2018-05-30 Delta Electronics Intl Singapore Pte Ltd Method Of Packaging Semiconductor Device
EP3349247B1 (en) * 2017-01-13 2020-12-23 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Patterned cover layer on base structure defining cavity and alignment marker
CN111200899B (en) * 2018-11-20 2023-09-15 奥特斯科技(重庆)有限公司 Component carrier and method for producing the same
CN112087887B (en) * 2019-06-12 2023-06-09 奥特斯科技(重庆)有限公司 Alignment of component carrier structures by combining evaluation pad and hole type alignment marks

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022161174A1 (en) 2022-08-04
TWM631709U (en) 2022-09-11
CN116830811A (en) 2023-09-29
CN215735031U (en) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3547361B1 (en) Component carrier connected with tilted other component carrier for short electric connection
US11277907B2 (en) Component carrier with exposed layer
US11523496B2 (en) Cooling profile integration for embedded power systems
US11324122B2 (en) Component carrier and method of manufacturing the same
US11470714B2 (en) Component carrier with embedded component and horizontally elongated via
US11882648B2 (en) Dielectric layer for component carrier with varying material properties
CN214374383U (en) Device and apparatus for inspecting component carrier
US20220319943A1 (en) Embedding Methods for Fine-Pitch Components and Corresponding Component Carriers
US11810844B2 (en) Component carrier and method of manufacturing the same
US20230043085A1 (en) Component Carrier With Different Stack Heights and Vertical Opening and Manufacturing Methods
US20210202427A1 (en) Arrangement With Central Carrier And Two Opposing Layer Stacks, Component Carrier and Manufacturing Method
JP2024504747A (en) Component carrier with identification markings
CN213991156U (en) Component carrier system
US20240021440A1 (en) Component Carrier and Method of Manufacturing the Same
CN214281750U (en) Component carrier for carrying components
US20220346229A1 (en) Component Carrier
CN113453528B (en) Alignment of component carrier structures by limited nonlinear deformation compensation
US11412618B2 (en) Component carrier and method of manufacturing the same
US11445601B2 (en) Component carrier and method of manufacturing a component carrier
US20220287181A1 (en) Component Carrier Comprising at Least Two Components
EP3629682A1 (en) Component carrier with embedded component having pads connected in different wiring layers
TWM631352U (en) System for processing a component carrier
WO2023208845A1 (en) Cavity formation using depth routing, component carrier and component carrier assembly
WO2024115586A1 (en) Component carrier structure with cavity filled with flux material and solder ball embedded therein, apparatus and method to connect solder ball with component carrier structure

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240827