JP2024501279A

JP2024501279A - 質量分析法を使用したラジカル粒子濃度のモニタリング

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Publication number: JP2024501279A
Application number: JP2023538674A
Authority: JP
Inventors: ヤン・チャンロン; リュウ・ジミー; ブレッシング・ジェームズ・イー
Original assignee: MKS Instruments Inc
Current assignee: MKS Instruments Inc
Priority date: 2020-12-23
Filing date: 2021-12-16
Publication date: 2024-01-11
Also published as: TW202236347A; US20220196597A1; WO2022140740A1; CN116635976A; US11971386B2; EP4268261A1; KR20230123998A

Abstract

【課題】性能が向上した、質量分析法を使用したラジカル粒子濃度のモニタリングシステム及び方法を提供する。【解決手段】モニタリングシステムは、ガス内のラジカル粒子の数量の検出及び測定を行う。テストチャンバは、ガスを伝送するフローチャネルに結合される。テストチャンバは、テストチャンバとフローチャネルを接続するアパーチャを定義し、アパーチャは、ガスのサブセットがフローチャネルからテストチャンバに入ることができるようにする。イオナイザは、テストチャンバ内に位置決めされ、ガスのサブセットのラジカル粒子からラジカルイオンを生成する。質量分析計は、ラジカルイオンの数量を測定し、それにより、ガス内のラジカル粒子の測定を提供する。

Description

関連出願の相互参照
この出願は、２０２０年１２月２３日に出願された米国仮特許出願第６３／１３０２５７号明細書の利益を主張する。上記の出願の教示全体は、参照により本明細書に組み込まれる。

リモートプラズマ源（ＲＰＳ）は、半導体処理において、ラジカル粒子の生成のために広く使用されている。最近では、ラジカル粒子は、エッチング及び堆積プロセスにおける帯電又はスパッタリング損傷が回避されるというそれらの利点により、半導体素子製作に（特に、２０ｎｍ未満のプロセスノードにおいて）広く適用されている。ＲＰＳシステムは、半導体処理において実装される際、ガス流量、パワー及び圧力を含めて、同じパラメータの下で、一貫して動作することができる。しかし、共通のパラメータの下でさえ、堆積レート、エッチングレート及び洗浄効率における性能は、ラジカル粒子の濃度の変化により、動作間で大きく異なり得る。この変化は、保守サイクルに続いて又は延長動作サイクルの間に起こり得る。その結果、半導体処理における性能が予測不可能になり得る。

例示的な実施形態は、テストチャンバ、イオナイザ及び質量分析計を含む、ラジカル粒子をモニタするためのシステムを含む。テストチャンバは、ガスを伝送するように適応させたフローチャネルに結合するように構成することができる。テストチャンバは、テストチャンバとフローチャネルを接続するアパーチャを定義することができ、アパーチャは、ガスのサブセットがフローチャネルからテストチャンバに入ることができるように構成することができる。イオナイザは、テストチャンバ内に位置決めすることができ、ガスのサブセットのラジカル粒子からラジカルイオンを生成するように構成することができる。質量分析計は、ラジカルイオンの数量を測定するように構成することができる。

質量分析計は、残留ガス分析器（ＲＧＡ）であり得る。テストチャンバは、そのガス圧力をフローチャネルのガス圧力より低く維持するように構成することができる。テストチャンバ内のガス圧力は、１ｅ－２トル未満であり得、フローチャネル内のガス圧力は、０．０１トルを超え得る。イオナイザは、アパーチャから４インチ以内の所に位置決めすることができる。イオナイザは、ラジカルイオンを生成し、非ラジカルイオンの生成を最小化するために、低エネルギー状態で動作するように構成することができ、低エネルギー状態は、非ラジカルイオンの生成と関連付けられたエネルギー状態より低い。イオナイザは、多数の低エネルギー状態で動作するように構成することができ、多数の低エネルギー状態の各々は、それぞれのラジカル粒子に対応する。イオナイザは、ガスのサブセットの非ラジカル粒子に基づいて参照信号を取得できるようにするために高エネルギー状態で動作するように構成することができる。アパーチャは、１ミリメートル未満の直径を有し得る。アパーチャは、フローチャネル内のガスに存在する割合の０．１％を超えるラジカル粒子と非ラジカル粒子との割合の、テストチャンバへの、通過を可能にすることができる。

テストチャンバの突出部は、フローチャネル内まで延在し、テストチャンバのボリュームを包含し得、アパーチャは、突出部に位置決めされる。突出部は、実質的に円錐形状を呈し得、アパーチャは、円錐形状の先端部に位置決めされる。イオナイザは、円錐形状によって定義されるボリューム内でラジカルイオンを生成するように位置決めすることができる。円錐形状は、イオナイザの静電要素として構成することができる。静電レンズは、質量分析計に向けてラジカルイオンをビームとして誘導するように構成することができる。

コントローラは、質量分析計によって測定されたラジカルイオンの数量に基づいてラジカル粒子源の動作を制御するように構成することができる。この制御は、１）所定の時間にわたるラジカル粒子生成の数量、及び、２）ラジカル粒子が生成される時間長の少なくとも１つを制御することを含み得る。また、この制御は、ラジカル源のフローチャネルのウェットパスのパワー、ガス流、ガス圧力及び温度の少なくとも１つを制御することも含み得る。また、この制御は、ツールプロセスを制御することも含み得る。

ストッパは、アパーチャを選択的に密閉するように構成することができる。アパーチャを取り囲む表面は、非金属製であり得、金属面より低いラジカル粒子に対する反応性及び再結合係数を呈し得る。或いは、アパーチャを取り囲む表面は、金属製であり得、ラジカル粒子との低い反応性を呈し得る。フローチャネルは、ラジカル源からプロセスチャンバまで延在する管路でも、プロセスチャンバの反応ゾーンの下流の領域でも、プロセスチャンバの下流の管路でもあり得る。

さらなる実施形態は、ラジカル粒子をモニタするための方法を含む。テストチャンバとフローチャネルを接続するアパーチャを介して、フローチャネルからテストチャンバにガスのサブセットを誘導することができる。イオナイザを介して、ガスのサブセットのラジカル粒子からラジカルイオンを生成することができる。次いで、質量分析計を介して、ラジカルイオンの数量を測定することができる。

質量分析計は、残留ガス分析器（ＲＧＡ）であり得る。テストチャンバは、そのガス圧力をフローチャネルのガス圧力より低く維持するように制御することができる。テストチャンバ内のガス圧力は、１ｅ－２トル未満であり得、フローチャネル内のガス圧力は、０．０１トルを超え得る。イオナイザは、アパーチャから４インチ以内の所に位置決めすることができる。イオナイザは、ラジカルイオンを生成し、非ラジカルイオンの生成を最小化するために、低エネルギー状態で動作することができ、低エネルギー状態は、非ラジカルイオンの生成と関連付けられたエネルギー状態より低い。イオナイザは、多数の低エネルギー状態で動作することができ、多数の低エネルギー状態の各々は、それぞれのラジカル粒子に対応する。イオナイザは、ガスのサブセットの非ラジカル粒子に基づいて参照信号を取得できるようにするために高エネルギー状態で動作することができる。アパーチャは、１ミリメートル未満の直径を有し得る。アパーチャを介して、フローチャネル内のガスに存在する割合の０．１％を超えるラジカル粒子と非ラジカル粒子との割合の、テストチャンバへの、通過を可能にすることができる。

テストチャンバの突出部は、フローチャネル内まで延在し、テストチャンバのボリュームを包含し得、アパーチャは、突出部に位置決めされる。突出部は、実質的に円錐形状を呈し得、アパーチャは、円錐形状の先端部に位置決めされる。イオナイザを介して、円錐形状によって定義されるボリューム内でラジカルイオンを生成することができる。円錐形状は、イオナイザの静電要素として構成することができる。静電レンズを介して、質量分析計に向けてラジカルイオンをビームとして誘導することができる。

コントローラを介して、質量分析計によって測定されたラジカルイオンの数量に基づいてラジカル粒子源の動作を制御することができる。この制御は、１）所定の時間にわたるラジカル粒子生成の数量、及び、２）ラジカル粒子が生成される時間長の少なくとも１つを制御することを含み得る。また、この制御は、ラジカル源のフローチャネルのウェットパスのパワー、ガス流、ガス圧力及び温度の少なくとも１つを制御することも含み得る。また、この制御は、ツールプロセス制御も含み得る。

アパーチャは、ストッパを介して選択的に密閉することができる。アパーチャを取り囲む表面は、非金属製であり得、金属面より低いラジカル粒子に対する反応性及び再結合係数を呈し得る。或いは、アパーチャを取り囲む表面は、金属製であり得、ラジカル粒子との低い反応性を呈し得る。フローチャネルは、ラジカル源からプロセスチャンバまで延在する管路でも、プロセスチャンバの反応ゾーンの下流の領域でも、プロセスチャンバの下流の管路でもあり得る。

前述の説明は、添付の図面に示されるように、以下の例示的な実施形態のより具体的な説明から明らかであろう。添付の図面では、異なる図全体を通じて、同様の参照文字は、同じ部分を指す。図面は必ずしも原寸に比例するとは限らず、実施形態を示すことに重点が置かれる。

例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。さらなる実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。さらなる実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。さらなる実施形態におけるラジカル粒子モニタを実装する半導体処理システムの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタのサブセットの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタのサブセットの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタのサブセットの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタのサブセットの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタのサブセットの図である。例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタのサブセットの図である。ラジカル粒子モニタで実装することができる流入ポートの図である。ラジカル粒子モニタで実装することができる流入ポートの図である。ラジカル粒子モニタで実装することができる流入ポートの図である。バイアス電圧又は温度制御を行うように構成された流入ポートの図である。バイアス電圧又は温度制御を行うように構成された流入ポートの図である。アパーチャストッパを実装する例示的な構成を示す。アパーチャストッパを実装する例示的な構成を示す。アパーチャストッパを実装する例示的な構成を示す。さらなる構成におけるラジカル粒子モニタのサブセットの図である。例示的な実施形態における、ラジカル粒子濃度をモニタするプロセスのフロー図である。

例示的な実施形態の説明が以下に続く。

残留ガス分析器（ＲＧＡ）は、典型的には、真空システムにおけるプロセス制御及び汚染モニタリング用に設計されるタイプの質量分析計である。ＲＧＡは、様々なイオンを生み出すためにガスの別個の成分をイオン化することによって動作し、次いで、それらのイオンの質量電荷比の検出及び決定を行う。典型的なＲＧＡは、安定した化学化合物を検出するように設計される。対照的に、ラジカル粒子は、典型的には、ＲＧＡの粒子サンプラに到達する前に反応を起こす。従って、そのようなＲＧＡは、過度の損失により、かなりの数のラジカル粒子の存在の検出に失敗することになる。

以前のＲＧＡは、極バイアス中軸電位及び陰イオン能力を含めて、イオンサンプリングのための様々な技法を実施した。しかし、そのようなＲＧＡは、半導体プロセスチャンバにおけるラジカル検出に対する（特に、短い寿命及び高い再結合レートを有するラジカルのサンプリングに対する）ソリューションを提供しない。質量分析計以降には、赤外線ダイオードレーザ吸収分光法、レーザ誘起分光法、及びキャビティリングダウン分光法など、ラジカルの様々な測定方法が開発されている。最近では、原子ラジカルは、小型真空紫外吸収分光法を使用した測定も行われている。

しかし、上記の手法は、痕跡量のラジカルの検出における感度が低いこと、他のガス種からの干渉が生じること、プロセス条件の変化が原因で安定したベースラインの達成が困難であること、システムにおいてラジカルを数量化できないことを含む、様々な欠点に悩まされる。従って、以前の手法は、ラジカル濃度を正確且つ確実にモニタすることができない。従って、半導体プロセスでは、プロセスチャンバにおけるラジカル濃度をリアルタイムで精密且つ正確にモニタすることが必要とされる。そのようなモニタリングは、先進技術ノードのラジカルオンウェーハプロセスを適用する際のプロセス制御に特に有利であろう。

図１Ａは、例示的な実施形態におけるラジカル粒子モニタ１２０を実装する半導体処理システム１００を描写する。システム１００は、エッチング及び／又は堆積プロセスなど、半導体ウェーハ１１２が処理されるプロセスチャンバ１１０を含む。この処理を容易にするため、リモートプラズマ源（ＲＰＳ）、容量結合プラズマ源（ＣＣＰ）又は誘導結合プラズマ源（ＩＣＰ）などのラジカル源１１５は、真っ直ぐな、曲がった又は角度が付いたエルボなどの供給チャネル１０５を介して、プロセスチャンバ１１０内にガスを放出することができる。所望のプロセスに応じて、ガスは、安定粒子、ラジカル粒子及びイオン（例えば、プラズマガス）の多くの異なる組成のうちの１つを有し得る。スロットルバルブ１９０は、選択的に開放して、プロセスチャンバ１１０からフォアライン１９２にガスを渡すことができ、次いで、ガスは、システム１００から排出することも、又はさらなる使用のために収集することもできる。

ラジカル粒子モニタ（ＲＰＭ）１２０は、ガス内のラジカル粒子の存在をモニタするように動作する。ＲＰＭ１２０は、テストチャンバ１３０、イオナイザ１３２及び質量分析計１２２を含み得る。テストチャンバ１３０は、テストチャンバ１３０向けのガスのサブセットを受け取るために、供給チャネル１０５などのガスフローチャネルに結合することができる。結合ポイントは、真っ直ぐな、曲がった又は角度が付いたフローチャネル１０５の一部分であり得る。テストチャンバ１３０内に位置決めされたイオナイザ１３２は、テストチャンバ１３０内でラジカルイオンを生成するためにガスのサブセットのラジカル粒子をイオン化するように構成することができる。質量分析計１２２は、残留ガス分析器（ＲＧＡ）又は同等のシステムであり得、質量分析器１２４、コントローラ１２６及びポンプ１２８を含み得る。質量分析器１２４は、イオナイザ１３２からラジカルイオンを受け取り、ラジカルイオンにおける質量フィルタリング及びイオン検出を実行して、ラジカルイオンの存在を測定することができる。次いで、コントローラ１２６は、質量分析器１２４からの測定値を処理してさらなる結果（ガスの質量スペクトルなど）を生成し、結果に基づいて、ラジカル源１１５の動作又はシステム１００の他のパラメータを制御するようにさらに構成することができる。ポンプ１２８（例えば、真空又はターボポンプ）は、チャンバを適切な圧力（例えば、１ｅ－２トル未満）に維持するために、質量分析器１２４及びテストチャンバ１３０からガスを送り出し、フォアライン１９２又は別の排気管にガスを転送するように動作することができる。

典型的な質量分析計（ＲＧＡなど）とは対照的に、ＲＰＭ１２０は、ガス内のラジカル粒子の信頼できる測定を提供する。この能力は、本明細書で説明されるいくつかの特徴によって可能にすることができ、それらの特徴は、以下で提供されるように、様々な組合せで実装することができる。具体的には、テストチャンバ１３０は、テストチャンバ１３０に入るラジカル粒子の反応を最小化しながら、最適なガスのサンプルを捕捉するように適応させることができる。イオナイザ１３２は、テストチャンバ１３０に入るラジカル粒子のイオン化を直接最大化するように構成することもできる。テストチャンバ１３０、イオナイザ１３２及び関連要素の様々な特徴については、図３Ａ～Ｆを参照して以下で説明する。さらに、質量分析計１２２は、以下で説明されるように、非ラジカル粒子からの干渉を受けることなく、ラジカル粒子のイオン化及び測定を行うために、１つ又は複数の低エネルギー状態で動作することができる。ＲＰＭ１２０は、例えば、以下で説明されるように異なるエネルギー状態で動作することによって、異なるラジカル粒子の存在及び非ラジカル粒子の存在の検出及び測定を行うために、複数の動作モードを提供するようにさらに構成することができる。

図１Ｂ～Ｄは、さらなる実施形態における半導体処理システム１０１～１０３を示す。システム１０１～１０５は、異なる構成のラジカル粒子モニタ及び／又はラジカル源を実装できることを除いて、上記で説明されるシステム１００の特徴のいくつか又はすべてを組み込むことができる。図１Ｂは、ＲＰＭ１２０が、プロセスチャンバ１１０の壁に結合され、プロセスチャンバにおけるラジカル粒子の存在をモニタするように構成される、システム１０１を示す。図１Ｃは、ＲＰＭ１２０がスロットルバルブ１９０の上方のフォアライン１９２の壁に結合されるシステム１０２を示し、図１Ｄは、ＲＰＭ１２０がスロットルバルブ１９０の下方のフォアライン１９２に結合されるシステム１０３を描写する。

所定のガスがシステム１００～１０３を通じて伝送される場合、ＲＰＭ１２０によってサンプリングされるガスは、サンプルが収集される場所に起因して異なり得る。具体的には、ラジカル濃度は、ラジカル源１１５からの距離と共に下がる可能性が高く、バックグラウンドガス及び他の粒子の濃度は、ウェーハ１１２及びガスを閉じ込める内面との相互作用後に変わり得る。これらの理由から、ＲＰＭ１２０をサンプリング場所に基づいて較正すること、並びに／或いは、ＲＰＭ１２０によって提供されるラジカル粒子及び他の粒子の測定値をサンプリング場所に基づいて計算することができる。

図１Ｅ及び１Ｆは、ラジカル源１１５がプロセスチャンバ１１０の下方に位置決めされるシステム１０４、１０５を描写する。図１Ｅでは、ラジカル源１１５は、スロットルバルブ１９０の上方のフォアライン１９２に位置決めされ、図１Ｆでは、ラジカル源１１５は、スロットルバルブ１９０の下方に位置決めされる。そのような構成では、ラジカル源１１５は、保守サイクルの間に、スロットルバルブ１９０及び／又はフォアライン１９２の洗浄のためにラジカル粒子を放出するように動作することができる。ガス内のラジカル粒子（任意選択により、非ラジカル粒子）の存在をモニタするため、ＲＰＭ１２０は、ラジカル源１１５の下流のフォアライン１９２に結合することができる。ＲＰＭ１２０によって捕捉された測定値は、保守サイクルのステータス及び進捗を決定するため、並びに、ラジカル源１１５の動作（ガス流及び圧力、ラジカル粒子生成、温度及び保守サイクルの長さなど）を制御するために使用することができる。

図２Ａ～Ｃは、さらなる実施形態における半導体処理システム２００～２０２を示す。システム２００～２０２は、上記で説明されるようなラジカル源１１５の代わりに（又はそれに加えて）容量結合プラズマ源（ＣＣＰ）又は誘導結合プラズマ源（ＩＣＰ）などのラジカル粒子源１１６を実装することを除いて、上記で説明されるシステム１００の特徴のいくつか又はすべてを組み込むことができる。ラジカル粒子源１１６は、プロセスチャンバ１１０の上方ボリュームを占めることも、又はプロセスチャンバ１１０に隣接する別個のチャンバに含めることも可能である。この構成により、ラジカル粒子のサンプリングに対して供給チャネルを利用することはできない。それに従って、ＲＰＭ１２０は、図２Ａに示されるように、代わりに、プロセスチャンバ１１０の壁に結合することができ、プロセスチャンバ１１０におけるラジカル粒子の存在をモニタするように構成することができる。或いは、ＲＰＭ１２０は、図２Ｂに示されるように、スロットルバルブ１９０の上方のフォアライン１９２の壁に結合することも、又は図２Ｃに示されるように、スロットルバルブ１９０の下方のフォアライン１９２に結合することもできる。

図３Ａは、ＲＰＭ１２０の一部分をさらに詳細に示す。ここでは、テストチャンバ１３０は、アパーチャ１４０を介して供給チャネル１０５とガス連通するように示されている。供給チャネル１０５が示されているが、テストチャンバ１３０は、図１Ｂ～Ｆ及び２Ａ～Ｃに示されるように、プロセスチャンバ１１０又はフォアライン１９２などの異なるフローチャンバに代わりに結合することができる。アパーチャ１４０は、粒子検出を容易にするためにテストチャンバ内の低ガス圧力を維持すると同時に、反応を起こすことなく許容数のラジカル粒子の通過を可能にするようにサイズ指定することができる。例えば、質量分析器１２４がＲＧＡとして構成される場合は、供給チャネルが０．０１～１０トルの範囲で圧力を維持しているにもかかわらず、テストチャンバ１３０は、１ｅ－２トル未満の圧力を維持する必要があり得る。そのような用途では、アパーチャ１４０は、１ミリメートル未満の直径を有し得、一例では、約３５ｍｍの直径を有し得る。本明細書で説明されるように構成されたアパーチャ１４０は、過度の損失が生じることなく、質量分析計１２２による検出に適した数量のラジカル粒子の、テストチャンバ１３０への、通過を可能にすることができる。この結果は、供給チャネル１０５内のガスに存在する割合と対比させた、テストチャンバ１３０内のガスに存在するラジカル粒子と非ラジカル粒子との割合として表現することができる。例えば、アパーチャ１４０は、供給チャネル１０５内のガスに存在する割合の０．１％を超えるラジカル粒子と非ラジカル粒子との割合の、テストチャンバ１３０への、通過を可能にすることができる。さらなる実施形態では、テストチャンバ１３０内に存在する割合は、テストチャンバ１３０が結合される供給チャネル１０５又は別のフローチャネル（図１Ｂ～Ｆに示されるようなプロセスチャンバ１１０若しくはフォアライン１９２）内に存在する割合より１％以上大きいものであり得る。

ラジカル粒子が供給チャネル１０５を通じて移送される際、供給チャネル１０５の壁の近くのラジカルは、壁面と衝突することが多く、高い再結合レートを有し、ラジカル粒子の損失につながり得る。従って、壁の近くのラジカル粒子の密度は、比較的低く、ラジカル源１１５から届けられるラジカル粒子の真の個体数を表さない場合がある。従って、壁にアパーチャが位置する供給チャネル１０５の壁の近くのラジカル粒子のサンプリングは、以下で説明されるように、ラジカルサンプリングの最適な効率を有さない場合がある。

円錐形状サンプラ１５０は、サンプラ１５０の端部にアパーチャ１４０が位置決めされており、サンプルポイントがラジカル源１１５からのガスストリームの中心近くまで伸びており、サンプリングされる種は、より少ない表面衝突を経験し得る。そのようなサンプリング場所は、供給チャネル１０５の壁のサンプリング場所よりもはるかに高いラジカル密度を有し得る。さらに、イオナイザ１３２は、アパーチャ１４０を通過した後にテストチャンバ１３０内に広がるラジカルの視円錐の大部分をインターセプトすることによって検出感度を増加するために、サンプラ１５０に極めて接近して（例えば、４インチ以内、及び、示される例では、０．５インチ以内の所に）位置決めすることができる。また、サンプラ１５０の円錐形状により、テストチャンバ１３０の入口において、より広い経路を粒子に与えることによって、アパーチャ１４０を通過するラジカル粒子との衝突が最小化される。或いは、サンプラ１５０は、広範な異なる形状（半球形、円筒形、角柱形又は楕円形若しくは卵形など）のうちの１つを定義する突出部を形成することができる。そのような代替の形態では、突出部は、供給チャネル１０５又は別のフローチャネル内まで延在し、テストチャンバ１３０のボリュームを包含し得、アパーチャ１４０は、突出部の端部又は別の表面に位置決めされる。サンプラ１５０は、測定予定のラジカル粒子の所定のセット（Ｈ、Ｎ、Ｏ、ＯＨ、ＮＨｘ、ＣＨｘ及びＮＯのラジカル粒子など）との低い再結合レート（金属面と比較して）を呈する、ガラス、石英、サファイヤ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３又は別の材料から構成される非金属面を有し得る。或いは、サンプラ１５０は、測定予定のラジカル粒子の所定のセット（Ｆ、Ｃｌ、ＮＦ_ｘ及びＣＦ_ｘのラジカル粒子など）との低い反応レート（非金属面と比較して）を呈する、アルミニウム若しくはステンレス鋼、又は窒化アルミニウム若しくは酸化アルミニウム又は別の材料から構成される金属面を有し得る。

上記の特徴は、テストチャンバ１３０内の高真空（例えば、１ｅ－５トル）と共に、テストチャンバ１３０内の粒子に対する長い平均自由行程を可能にすることができる。従って、アパーチャ１４０を通じて移動するラジカル粒子の大部分は、壁又は別の粒子と衝突する前にイオナイザ１３２に到達し、ラジカルのイオン化率の上昇につながる。供給チャネル１０５内までアパーチャ１４０を伸ばすことや、円錐形状サンプラ１５０を介してフリーラジカルに対するクリアランスを可能にすることや、イオナイザ１３２をアパーチャ１４０の近くに位置決めすることを含めて、上記の特徴のいくつか又はすべての組合せにより、イオナイザ１３２は、ラジカル粒子からより多くのラジカルイオンを生成することができ、それにより、より高いラジカル検出感度を質量分析器１２４に提供することができる。

図３Ｂ～Ｆは、さらなる実施形態におけるＲＰＭ１２０の一部分を示す。実施形態は、供給チャネル１０５（又は他のフローチャネル）とテストチャンバ１３０との間のインタフェースが以下で説明されるように構成されることを除いて、図１Ａ～３Ａを参照して上記で説明されるＲＰＭ１２０のいくつか又はすべての特徴を含み得る。図３Ｂは、テストチャンバ１３０と供給チャネル１０５が共通の壁を共有し、供給チャネル内への突出部を設けることなく、アパーチャ１４１が共通の壁に位置する、構成を示す。アパーチャ１４１は、共通の壁のより大きな開口部に設置された（例えば、溶接された）オリフィスを有する事前製作された表面（例えば、ステンレス鋼ガスケット）であり得る。或いは、アパーチャ１４１は、共通の壁にドリルで穴を開けた単純なオリフィスであり得る。

図３Ｃ及び３Ｄは、円錐形状を含む図３Ａのサンプラ１５０に似たサンプラ１５２、１５３と、サンプラ１５２の端部のそれぞれのアパーチャ１４２とを有する構成を示す。さらに、図３Ａとは対照的に、サンプラ１５２、１５３は、供給チャネル１０５の壁に部分的に（図３Ｃ）又は完全に（図３Ｄ）埋め込まれる。これらの構成は、供給チャネル１０５又は他のフローチャネルへの接近が制限される（ＲＰＭ１２０のコンポーネント（例えば、イオナイザ１３２及び／又は質量分析計１２２）をフローチャネルからある程度の距離の所に位置決めしなければならないことを意味する）用途において有利であり得る。しかし、これらの構成には、フローチャネルを通じるガス流との干渉を低減することや、イオナイザ１３２のより近くにアパーチャ１４２を位置決めしてテストチャンバ１３０内でイオン化されるラジカル粒子の数量を増加することなど、さらなる利点もあり得る。

図３Ｅは、供給チャネル１０６がＴ字形の構造を有することを除いて、図３Ａのものと同等の構成を示し、Ｔ字形の構造は、ラジカル源１１５からの単一の流入口及び２つ以上の流出口を含み、２つ以上の流出口の一方又は両方は、フローがアパーチャ１４４から対称的に遠ざかるように、プロセスチャンバ１１０につながっている。テストチャンバ１３０は、十字形配列を形成するように、供給チャネル１０６の流入口とは反対側に位置決めされ、これは、サンプラ１５４のアパーチャ１４４がガス流の経路と軸上で位置合わせされることを意味する。この構成の結果、ラジカル源１１５からのラジカル粒子は、粒子の反応又は再結合を引き起こし得る事前の壁衝突を起こすことなく、テストチャンバ１３０に入る可能性が高い。

図３Ｆは、さらなる構成におけるサンプリング配列を示す。ここでは、図３Ａ及び３Ｃ～Ｅに示されるようなサンプラの代わりに、サンプリング管１６０が実装される。この構成は、ＲＰＭ１２０のいくつか又はすべてをサンプリング予定のフローチャネルからより遠ざけて位置決めしなければならない際に有利であり得る。サンプリング管１６０は、示されるように、供給チャネル１０５のガス流内まで部分的に延在し得、テストチャンバ１３０内への開口部の前の管路１６５内においてその距離にわたって延在し得る。サンプリング管１６０の内部のボリュームに沿ったラジカル粒子の移送を容易にするため、サンプリング管１６０は、測定予定のラジカル粒子との低い反応性又は再結合レートを有する材料から構成する（又は材料でコーティングする）ことができる。例えば、サンプリング管１６０は、Ｎ及びＨラジカル粒子との低い再結合レートを呈する石英又はサファイヤの内面を有し得る。或いは、サンプリング管１６０は、アルミニウム、ステンレス鋼、ガラス又は同等の材料から構成される表面を有し得、異なる表面は、ラジカル粒子の所定のセットの反応の最小化に最適であり得る。

図４Ａ～Ｃは、ラジカル粒子モニタで実装することができる事前製作された流入ポート４０１～４０３を示す。ポート４０１～４０３は、図１Ａ～３Ｆを参照して上記で説明される実施形態においてなど、テストチャンバへのフローチャネル内のガスのサブセットのフローを制御するために、フローチャネルとテストチャンバとの間に位置決めすることができる。ポート４０１は、円筒形プラグ４５０を含み、アパーチャ４４０は、その中心を通る。アパーチャ４４０は、上記で説明される他のアパーチャとしてサイズ指定及び構成することができ、示されるように、プラグ４５０の一方又は両方の側に１つ又は複数の凹部を含み得、それにより、反応を起こすことなく、ラジカル粒子のより大きなフローを可能にすることができる。ポート４０２は、サンプラ４５０を含み、サンプラ４５０は、ディスク形状を定義し、その中心に向かう円錐形状を有し、アパーチャ４４１は、円錐形状の端部を占める。サンプラ４４１は、上記で説明される他のサンプラと同等に構成することができる。ポート４０３は、サンプリング管４６０を含み、サンプリング管４６０は、ポート（例えば、ポート４０１のような円筒形プラグ）を通じて延在し、アパーチャ４４２で終端する。サンプリング管４６０は、図３Ｆを参照して上記で説明されるサンプリング管１６０のいくつか又はすべての特徴を含み得る。ポート４０１～４０３の各々は、ステンレス鋼など、ガス移送及び真空用途に適したいかなる材料からも構成することができ、上記で説明されるようなターゲットラジカル粒子との低い再結合レート及び反応を有する材料で構成される１つ又は複数の表面を有し得る。

図５Ａ及びＢは、バイアス電圧及び温度制御特徴用にそれぞれ構成された流入ポート５０１、５０２を示す。図５Ａでは、流入ポート５０１は、サンプラ５５１を含み、サンプラ５５１は、導電性であり、バイアス電圧に結合される。バイアス電圧により、サンプラ５５１は、あるイオンに反発する電荷を呈し、それにより、アパーチャ５４１中のそれらのイオンの通過が低減し、隣接するテストチャンバ内のイオン干渉が低減する。バイアス電圧は、ターゲットイオンに応じて、正又は負電圧であり得る。例えば、正バイアス電圧は、窒素ラジカル粒子の測定と干渉し得る窒素イオン（Ｎ^＋）などの陽イオンに反発し得る。或いは、負バイアス電圧は、フッ素ラジカル粒子の測定と干渉し得るフッ素イオン（Ｆ^－）などの陰イオンに反発し得る。

図５Ｂに移ると、流入ポート５０２は、１つ又は複数の内部管路を有するサンプラ５５２を含み、１つ又は複数の内部管路は、水又は他の液体のフローをサンプラ５５２に通すように適応され、それにより、ターゲット温度に向けてサンプラ５５２を冷却する（又は加熱する）。ＲＰＭの動作の間、サンプラ５５２の表面におけるラジカル再結合により、サンプラ５５２に熱が付与され、その温度が上昇し、後続のラジカル粒子との再結合レートが増加する。サンプラ５５２を通じて冷却剤を誘導することにより、サンプラ５５２をより低い温度に維持することができ、それにより、ラジカル粒子とのその再結合レートが低減する。さらなる実施形態では、サンプラは、サンプラ５５１、５５２のバイアス電圧及び温度制御特徴を組み合わせることができる。

図６Ａ～Ｃは、アパーチャストッパを実装する例示的な構成を示す。上記で説明されるようなＲＰＭが動作していない際は、フローチャネル内のガス圧力又は温度がかなり上昇している場合は特に、フローチャネルとテストチャンバとの間のアパーチャを密閉することによって、ＲＰＭを保護することが有利であり得る。アパーチャを選択的に密閉するため、様々な機械手段を使用することができる。例えば、図６Ａに示されるように、サンプラ６５１とテストチャンバとの間に、機械式スロットルバルブ６７０を位置決めすることができる。スロットルバルブ６７０を作動すると、サンプラ６５１とテストチャンバとの間に密閉が形成され、それにより、粒子がサンプラを通じてテストチャンバに入ることを防ぐことができる。図６Ｂでは、フローチャネルを挟んでサンプラ６５２とは反対側の埋め込みチャンバに、自動ストッパ６８０が存在し得る。作動すると、ストッパ６８０は、横方向に移動してアパーチャ６４２の周りを密閉し、それにより、サンプラ６５２の反対側において、テストチャンバからフローチャネルが遮断される。最後に、図６Ｃでは、テストチャンバ内に又はそれに隣接して存在する自動ストッパ６８０が示されている。作動すると、ストッパ６８１は、サンプラ６５３との密閉が形成されるまでアパーチャ６４３に向けて移動し、それにより、テストチャンバからフローチャネルが遮断される。

図７は、さらなる実施形態におけるＲＰＭの一部分を示す。ＲＰＭは、図１Ａ～６Ｃを参照して上記で説明される実施形態のいくつか又はすべての適用可能な特徴を含み得、アパーチャ７４０を介して供給チャネル１０５からテストチャンバ１３０にガスのサブセットを方向転換するために供給チャネル１０５及びサンプラ７５０に結合されたテストチャンバ１３０を含む。上記の実施形態とは対照的に、イオナイザ７３２は、サンプラ７５０の近くに位置決めされ、サンプラ７５０によって定義されるボリューム内でラジカル粒子をイオン化し、ラジカルイオンのビーム７９０を生成するように構成される。それを行うため、イオナイザ７３２は、電子源７３３及びシールド７３４を含み得る。断面で示されるシールド７３４は、電子源７３３の２つ以上の面を覆い、電子源７３３とサンプラ７５０との間に、電子源７３３からサンプラ７５０のボリューム内を通ってアパーチャ７４０の近くの領域まで電子のビームを誘導するためのスリット又はオリフィスを含み得る。

電子ビームは、サンプラ７５０のボリューム内のラジカル粒子をイオン化し、イオンビーム７９０を生成する上で役立ち、イオンビーム７９０は、シールド７３４の別の開口部を通じてＲＰＭの質量分析器１２４に向けて誘導される。この構成では、サンプラ７５０の円錐形状は、イオナイザ７３２の静電要素としての役割を果たし得る。また、シールド７３４は、イオンビーム７９０から電子をそらすために、電子源７３３の他の面も覆い得る。イオンビーム７９０は、質量分析器１２４に向けて伸び、静電レンズ７７０によって質量分析器１２４の流入口に集光される。質量分析器１２４は、イオンビーム７９０のラジカルイオンを受け取り、ラジカルイオンにおける質量フィルタリング及びイオン検出を実行して、ラジカルイオンの存在を測定することができる。次いで、コントローラ１２６は、図１Ａを参照して上記で説明されるように、質量分析器１２４からの測定値を処理してさらなる結果（ガスの質量スペクトルなど）を生成し、結果に基づいて、ラジカル源の動作又はそれぞれの半導体処理システムのツールプロセス制御パラメータを制御するようにさらに構成することができる。

図８は、ラジカル粒子濃度をモニタするプロセス８００のフロー図である。プロセス８００は、上記で説明されるＲＰＭを実装するシステムのいずれかによって行うことができる。図１Ａ及び３Ａの例示的な実施形態を参照すると、ガスが供給チャネル１０５などのフローチャネル中を流れる場合、ガスのサブセットは、サンプラ１５０を介してテストチャンバ１３０内に誘導することができる（８０５）。テストチャンバ１３０内のガスのサブセットのガスのラジカル粒子から、ラジカルイオンを生成することができる（８１０）。ラジカルイオンを生成するため、イオナイザ１３２は、低エネルギー状態で動作することができ、低エネルギー状態は、同じ質量の非ラジカルイオンの生成と関連付けられたエネルギー状態より低い。質量分析器１２４は、イオンビーム７９０のラジカルイオンを受け取り、ラジカルイオンにおける質量フィルタリング及びイオン検出を実行して、ラジカルイオンの存在及び数量を測定することができる（８１５）。異なるラジカル粒子は、異なるエネルギー状態でイオン化することができる。例えば、イオナイザ１３２は、Ｎラジカルを２４ｅＶでイオン化できる一方で、フッ素ラジカルは、２１ｅＶの異なるエネルギー状態でイオン化する必要がある。従って、ガス内の複数の異なるラジカルの数量を測定することが望ましい場合は、測定予定のラジカル粒子の各々に対して動作８１０、８１５を繰り返し、各繰り返しの間でイオナイザ１３２のエネルギーレベルを変更することができる。例えば、ＲＰＭ１２０は、動作８１０、８１５を実行してＮラジカルを２４ｅＶで測定し、次いで、イオナイザのエネルギーレベルを修正し、動作８１０、８１５を繰り返してＨラジカルを１６ｅＶで測定することができる。次いで、Ｎ、Ｏ、ＯＨ、Ｆ、Ｈ、Ｃｌ、ＮＨｘ、ＣＨｘ及びＮｘＯｙのラジカル粒子の数量を測定するために、相次いで、さらに複数回プロセスを繰り返すことができる。従って、イオナイザ１３２は、多数の低エネルギー状態で動作することができ、多数の低エネルギー状態の各々は、それぞれのラジカル粒子に対応する。

次いで、コントローラ１２６は、測定されたラジカル数量とそれぞれの閾値又はターゲット値とを比較することができる（８１５）。ターゲットが満たされている場合は、プロセスの繰り返しに伴って、モニタリングを継続することができる。そうでなければ、コントローラ１２６は、ラジカル源１１５及び／又はツールプロセス制御と通信して動作を修正することができる（８２０）。例えば、コントローラ１２６は、所定の時間にわたるラジカル粒子生成の数量及び／又はラジカル粒子が生成される時間長を制御することによって、ラジカル源１１５又は別のラジカル粒子源（例えば、ラジカル粒子源１１６）の動作を制御することができる。さらに、コントローラ１２６は、フローチャネルのウェットパスのパワー、ガス流、ガス圧力及び温度のうちの１つ又は複数を調整するために、ラジカル源１１５又は１１６にフィードバックを送信することができる。コントローラ１２６は、プロセスパラメータを調整するために、プロセスツールにフィードバックを送信することができる。測定されたラジカル粒子の数量に応答して行われるそのような調整は、ラジカル粒子の数量を適切なレベルに増加することによって、又は、ウェーハ１１２がラジカル粒子への十分な露光を受けることを保証するために、処理サイクルの時間を延ばすことによって、処理サイクルの性能を改善することができる。調整（８２０）に続いて、システム１００におけるラジカル粒子の継続的なモニタリングを提供するために、プロセス８００を繰り返すことができる。

さらなる実施形態では、プロセス８００は、非ラジカル粒子（例えば、バックグラウンド又は参照ガス）の数量を測定するための「高エネルギー」モードを含み得る。高エネルギーモードを実行するため、ＲＰＭ１２０は、イオナイザ１３２のエネルギー状態をより高いエネルギー状態（４０ｅＶ又は７０ｅＶなど）に調整し、次いで、上記で説明されるプロセス８００と同等のプロセスを動作することができる。それを行う際、ＲＰＭ１２０は、サンプリングされるガスを構成する１つ又は複数の非ラジカル粒子の数量を測定することができる。例えば、ＲＰＭ１２０は、最初に、１５ｅＶの「低エネルギー状態」で動作して、Ｎラジカル粒子を測定することができる。このエネルギーレベルは、１５．６ｅＶのイオン化電位を有するアルゴンなどの特定の参照ガスをイオン化するには低過ぎる。次いで、この走査に続いて、ＲＰＭ１２０は、４０ｅＶの高エネルギー状態に切り替えて、アルゴン粒子及び他の参照ガスをイオン化することができる。相対的な感度の適切な数学的調整により、この信号を使用して、測定されているラジカルイオンに対するＲＰＭの応答の正規化又は較正を行い、測定の精密な繰り返し性を保証することができる。

例示的な実施形態を具体的に示し、説明してきたが、当業者であれば、添付の特許請求の範囲によって網羅される実施形態の範囲から逸脱しない範囲で、形態及び詳細の様々な変更を行えることが理解されよう。

Claims

ラジカル粒子をモニタするためのシステムであって、
ガスを伝送するように適応させたフローチャネルに結合するように構成されたテストチャンバであって、前記テストチャンバと前記フローチャネルを接続するアパーチャを定義するテストチャンバであり、前記アパーチャが、前記ガスのサブセットが前記フローチャネルから前記テストチャンバに入ることができるように構成される、テストチャンバと、
前記テストチャンバ内に位置決めされたイオナイザであって、前記ガスの前記サブセットのラジカル粒子からラジカルイオンを生成するように構成されたイオナイザと、
前記ラジカルイオンの数量を測定するように構成された質量分析計と
を含む、システム。
前記質量分析計が、残留ガス分析器（ＲＧＡ）である、請求項１に記載のシステム。
前記テストチャンバが、そのガス圧力を前記フローチャネルのガス圧力より低く維持するように構成される、請求項１に記載のシステム。
前記テストチャンバ内の前記ガス圧力が、１ｅ－２トル未満であり、前記フローチャネル内の前記ガス圧力が、０．０１トルを超える、請求項３に記載のシステム。
前記イオナイザが、前記アパーチャから４インチ以内に位置決めされる、請求項１に記載のシステム。
前記イオナイザが、前記ラジカルイオンを生成し、非ラジカルイオンの生成を最小化するために、低エネルギー状態で動作するように構成され、前記低エネルギー状態が、前記非ラジカルイオンの前記生成と関連付けられたエネルギー状態より低い、請求項１に記載のシステム。
前記イオナイザが、多数の低エネルギー状態で動作するように構成され、前記多数の低エネルギー状態の各々が、それぞれのラジカル粒子に対応する、請求項１に記載のシステム。
前記イオナイザが、前記ガスの前記サブセットの非ラジカル粒子に基づいて参照信号を取得できるようにするために高エネルギー状態で動作するように構成される、請求項１に記載のシステム。
前記アパーチャが、１ミリメートル未満の直径を有する、請求項１に記載のシステム。
前記アパーチャが、前記フローチャネル内の前記ガスに存在する割合の０．１％を超えるラジカル粒子と非ラジカル粒子との割合の、前記テストチャンバへの、通過を可能にする、請求項１に記載のシステム。
前記フローチャネル内まで延在し、前記テストチャンバのボリュームを包含する前記テストチャンバの突出部をさらに含む、請求項１に記載のシステムであって、前記アパーチャが、前記突出部に位置決めされる、システム。
前記突出部が、実質的に円錐形状を呈し、前記アパーチャが、前記円錐形状の先端部に位置決めされる、請求項１１に記載のシステム。
前記イオナイザが、前記円錐形状によって定義されるボリューム内でラジカルイオンを生成するように位置決めされる、請求項１２に記載のシステム。
前記円錐形状が、前記イオナイザの静電要素として構成される、請求項１３に記載のシステム。
前記質量分析計に向けて前記ラジカルイオンをビームとして誘導するように構成された静電レンズをさらに含む、請求項１３に記載のシステム。
前記質量分析計によって測定された前記ラジカルイオンの前記数量に基づいてラジカル粒子源の動作を制御するように構成されたコントローラをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
前記ラジカル粒子源の前記動作を制御することが、１）所定の時間にわたるラジカル粒子生成の数量、及び、２）前記ラジカル粒子が生成される時間長の少なくとも１つを制御することを含む、請求項１６に記載のシステム。
前記ラジカル粒子源の前記動作を制御することが、前記フローチャネルのウェットパスのパワー、ガス流、ガス圧力及び温度の少なくとも１つを制御することを含む、請求項１６に記載のシステム。
前記アパーチャを選択的に密閉するように構成されたストッパをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
前記アパーチャを取り囲む表面が、非金属製であり、金属面より低い前記ラジカル粒子に対する反応性及び再結合係数を呈する、請求項１に記載のシステム。
前記アパーチャを取り囲む表面が、金属製であり、前記ラジカル粒子との低い反応性を呈する、請求項１に記載のシステム。
前記フローチャネルが、ラジカル源からプロセスチャンバまで延在する管路である、請求項１に記載のシステム。
前記フローチャネルが、プロセスチャンバの反応ゾーンの下流の領域である、請求項１に記載のシステム。
前記フローチャネルが、プロセスチャンバの下流の管路である、請求項１に記載のシステム。
ラジカル粒子をモニタするための方法であって、
テストチャンバとフローチャネルを接続するアパーチャを介して、前記フローチャネルから前記テストチャンバにガスのサブセットを誘導することと、
イオナイザを介して、前記ガスの前記サブセットのラジカル粒子からラジカルイオンを生成することと、
質量分析計を介して、前記ラジカルイオンの数量を測定することと
を含む、方法。
前記質量分析計が、残留ガス分析器（ＲＧＡ）である、請求項２５に記載の方法。
前記テストチャンバのガス圧力を前記フローチャネルのガス圧力より低く維持することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
前記テストチャンバ内の前記ガス圧力が、１ｅ－２トル未満であり、前記フローチャネル内の前記ガス圧力が、０．０１トルを超える、請求項２７に記載の方法。
前記イオナイザが、前記アパーチャから４インチ以内に位置決めされる、請求項２５に記載の方法。
前記ラジカルイオンを生成し、非ラジカルイオンの生成を最小化するために、前記イオナイザを低エネルギー状態で動作することをさらに含む、請求項２５に記載の方法であって、前記低エネルギー状態が、前記非ラジカルイオンの前記生成と関連付けられたエネルギー状態より低い、方法。
前記イオナイザを多数の低エネルギー状態で動作することをさらに含む、請求項２５に記載の方法であって、前記多数の低エネルギー状態の各々が、それぞれのラジカル粒子に対応する、方法。
前記ガスの前記サブセットの非ラジカル粒子に基づいて参照信号を取得できるようにするために、前記イオナイザを高エネルギー状態で動作することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
前記アパーチャが、１ミリメートル未満の直径を有する、請求項２５に記載の方法。
前記アパーチャが、前記フローチャネル内の前記ガスに存在する割合の０．１％を超えるラジカル粒子と非ラジカル粒子との割合の、前記テストチャンバへの通過を可能にする、請求項２５に記載の方法。
前記テストチャンバの突出部が、前記フローチャネル内まで延在し、前記テストチャンバのボリュームを包含し、前記アパーチャが、前記突出部に位置決めされる、請求項２５に記載の方法。
前記突出部が、実質的に円錐形状を呈し、前記アパーチャが、前記円錐形状の先端部に位置決めされる、請求項３５に記載の方法。
前記円錐形状によって定義されるボリューム内でラジカルイオンを生成するように前記イオナイザを動作することをさらに含む、請求項３６に記載の方法。
前記円錐形状が、前記イオナイザの静電要素として構成される、請求項３７に記載の方法。
静電レンズを介して、前記質量分析計に向けて前記ラジカルイオンをビームとして誘導することをさらに含む、請求項３７に記載の方法。
前記質量分析計によって測定された前記ラジカルイオンの前記数量に基づいてラジカル粒子源の動作を制御することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
前記ラジカル粒子源の前記動作を制御することが、１）所定の時間にわたるラジカル粒子生成の数量、及び、２）前記ラジカル粒子が生成される時間長の少なくとも１つを制御することを含む、請求項４０に記載の方法。
前記ラジカル粒子源の前記動作を制御することが、前記フローチャネルのウェットパスのパワー、ガス流、ガス圧力及び温度の少なくとも１つを制御することを含む、請求項４０に記載の方法。
ストッパを介して前記アパーチャを選択的に密閉することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
前記アパーチャを取り囲む表面が、非金属製であり、金属面より低い前記ラジカル粒子に対する反応性及び再結合係数を呈する、請求項２５に記載の方法。
前記アパーチャを取り囲む表面が、金属製であり、前記ラジカル粒子との低い反応性を呈する、請求項２５に記載の方法。
前記フローチャネルが、ラジカル源からプロセスチャンバまで延在する管路である、請求項２５に記載の方法。
前記フローチャネルが、プロセスチャンバの反応ゾーンの下流の領域である、請求項２５に記載の方法。
前記フローチャネルが、プロセスチャンバの下流の管路である、請求項２５に記載の方法。