JP2024092423A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示品質が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、複数の画素と、隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、を備え、前記複数の画素それぞれは、基材上に、陰極と、前記陰極上に設けられる、有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、保護層と、前記保護層及び前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陽極と、を備える。
【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との再結合時のエネルギーを利用して、発光を得る有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置が開発されている。

特開２０１４－１１０８３号公報 国際公開第２０２２／１４４６６６号

本実施形態の目的は、表示品質が向上した表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、
複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、
を備え、
前記複数の画素それぞれは、
基材上に、
陰極と、
前記陰極上に設けられる、有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、保護層と、
前記保護層及び前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陽極と、
を備える。

図１は、実施形態の表示装置の全体斜視図である。 図２は、表示装置の概略的な構成の一例を示す部分平面図である。 図３は、図２に示す表示装置の線Ａ１－Ａ２に沿った断面図である。 図４は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。 図５は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。 図６は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図７は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図８は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図９は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１０は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１１は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１２は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１３は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１４は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１５は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１６は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１７は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１８は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１９は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図２０は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図２１は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図２２は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図２３は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。 図２４は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書で述べる実施形態は、一般的なものでなく、本発明の同一又は対応する特別な技術的特徴について説明する実施形態である。以下、図面を参照しながら一実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。

本実施形態においては、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。なお第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向と呼ぶこともある。

また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

また、第３方向Ｚの矢印の先端側に表示装置を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ－Ｚ平面、あるいは第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ－Ｚ平面における表示装置の断面を見ることを断面視という。

［実施形態］
図１は、実施形態の表示装置の全体斜視図である。表示装置ＤＳＰは、基板ＳＵＢ１に表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡの周辺に設けられた周辺領域ＦＡが設けられている。表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡ内に配置された、複数の画素ＰＸを有している。表示装置ＤＳＰでは、裏面からの光ＬＴが表面に透過し、逆もまた然りである。

表示領域ＤＡの上面には封止材としての基板ＳＵＢ２が設けられている。基板ＳＵＢ２は表示領域ＤＡを囲むシール材（非表示）によって、基板ＳＵＢ１に固定されている。基板ＳＵＢ１に形成された表示領域ＤＡは、封止材である基板ＳＵＢ２とシール材によって大気に晒されないように封止されている。

基板ＳＵＢ１の端部の領域ＥＡは、基板ＳＵＢ２の外側に配置されている。領域ＥＡには、配線基板ＰＣＳが設けられている。配線基板ＰＣＳには、映像信号や駆動信号を出力する駆動素子ＤＲＶが設けられている。駆動素子ＤＲＶからの信号は、配線基板ＰＣＳを介して、表示領域ＤＡの画素ＰＸに入力される。映像信号及び各種制御信号に基づいて、画素ＰＸが発光する。

図２は、表示装置の概略的な構成の一例を示す部分平面図である。複数の画素ＰＸは、赤色を発光する画素ＰＸＲ、緑色を発光する画素ＰＸＧ、青色を発光する画素ＰＸＢを有している。画素ＰＸＲ、ＰＸＧ、ＰＸＢを、それぞれ、第１画素、第２画素、第３画素ともいう。画素ＰＸＲは、画素ＰＸＢと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って隣り合って配置される。画素ＰＸＧは、画素ＰＸＢと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って隣り合って配置される。画素ＰＸＢは、画素ＰＸＲと第１方向に沿って隣り合って配置され、画素ＰＸＧと第２方向Ｙに沿って隣り合って配置されている。

図３は、図２に示す表示装置の線Ａ１－Ａ２に沿った断面図である。
基材ＢＡ１は、例えばガラスや、樹脂材料で構成される樹脂材料で構成される基材が挙げられる。樹脂材料としては、例えばアクリル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等を用いればよく、いずれかの単層又は複数層の積層で形成してもよい。

基材ＢＡ１上には、絶縁層ＵＣ１が設けられている。絶縁層ＵＣ１は、例えば酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を単層又は積層して形成される。

絶縁層ＵＣ１上に、トランジスタＴｒと重畳して、遮光層ＢＭが設けられてもよい。遮光層ＢＭは、トランジスタＴｒのチャネル裏面からの光の侵入等によるトランジスタ特性の変化を抑制する。遮光層ＢＭが導電層で形成される場合は、所定の電位を与えることで、トランジスタＴｒにバックゲート効果を与えることも可能である。

絶縁層ＵＣ１及び遮光層ＢＭを覆って、絶縁層ＵＣ２が設けられている。絶縁層ＵＣ２の材料としては、絶縁層ＵＣ１と同様の材料を用いることができる。絶縁層ＵＣ２は、絶縁層ＵＣ１と異なる材料であってもよい。例えば、絶縁層ＵＣ１は酸化シリコン、絶縁層ＵＣ２は窒化シリコンを用いることができる。絶縁層ＵＣ１及びＵＣ２を併せて、絶縁層ＵＣとする。

絶縁層ＵＣ上に、トランジスタＴｒが設けられる。トランジスタＴｒは、半導体層ＳＣ、絶縁層ＧＩ、ゲート電極ＧＥ（走査線）、絶縁層ＩＬＩ、ソース電極ＳＥ（信号線）、ドレイン電極ＤＥを有している。

半導体層ＳＣとして、アモルファスシリコン、ポリシリコン、又は酸化物半導体を用いる。
絶縁層ＧＩとして、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを単層又は積層して設ける。

ゲート電極ＧＥとして、例えば、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）を用いる。ゲート電極ＧＥは、走査線ＧＬと一体形成されていてもよい。

半導体層ＳＣ及びゲート電極ＧＥを覆って、絶縁層ＩＬＩが設けられている。絶縁層ＩＬＩは、例えば酸化シリコン層又は窒化シリコン層を単層又は積層して形成される。

絶縁層ＩＬＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ、絶縁層ＩＬＩ及び絶縁層ＧＩに設けられたコンタクトホールを介して、半導体層ＳＣのソース領域及びドレイン領域に接続される。ソース電極ＳＥは、信号線と一体形成されていてもよい。

ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び絶縁層ＩＬＩを覆って、絶縁層ＰＡＳが設けられる。絶縁層ＰＡＳを覆って、絶縁層ＰＬＬが設けられる。

絶縁層ＰＡＳは、無機絶縁材料を用いて形成する。無機絶縁材料は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンを単層又は積層してものが挙げられる。絶縁層ＰＬＬは、有機絶縁材料を用いて形成する。有機絶縁材料は、例えば、感光性アクリル、ポリイミド等の有機材料が挙げられる。絶縁層ＰＬＬを設けることにより、トランジスタＴｒによる段差を平坦化することができる。

絶縁層ＰＬＬ上に、陰極ＣＤが設けられる。陰極ＣＤは、絶縁層ＰＡＳ及びＰＬＬに設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン電極ＤＥに接続されている。画素ＰＸＲに設けられる陰極を陰極ＣＤＲ、画素ＰＸＢに設けられる陰極を陰極ＣＤＢ、画素ＰＸＧに設けられる陰極を陰極ＣＤＧとする。陰極ＣＤＲ、陰極ＣＤＧ、陰極ＣＤＢを区別する必要がない場合は、単に陰極ＣＤと呼ぶ。

陰極ＣＤは、例えば、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）膜や、銀（Ａｇ）の単層膜や、銀（Ａｇ）と透明導電材料の積層膜等を用いて形成する。当該透明導電材料は、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）や、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ ＺＩｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）等を用いればよい。
本実施形態では、基材ＢＡ１から絶縁層ＰＬＬまでの構成を、バックプレインＢＰＳとする。

隣り合う陰極ＣＤとの間に、バンクＢＫ（凸部、リブともいう）が設けられる。バンクＢＫの材料として、絶縁層ＰＬＬの材料と同様の有機材料が用いられる。バンクＢＫは、陰極ＣＤの一部を露出するように開口される。

画素ＰＸＲに設けられる開口部を、開口部ＯＰＲ、画素ＰＸＢに設けられる開口部を、開口部ＯＰＢ、画素ＰＸＧに設けられる開口部を、開口部ＯＰＧ、とする。開口部ＯＰＲ、開口部ＯＰＢ、開口部ＯＰＧを区別する必要がない場合は、単に開口部ＯＰと呼ぶ。

開口部ＯＰの端部は、断面視でなだらかなテーパ形状となることが好ましい。開口部ＯＰの端部が急峻な形状となっていると、後に形成される有機ＥＬ層ＥＬＹにカバレッジ不良が生じる。

陰極ＣＤと重畳して、隣り合うバンクＢＫとの間に、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。詳細は後述するが、有機ＥＬ層ＥＬＹは、電子輸送層ＥＴＹと、発光層ＥＭＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、正孔注入層ＨＩＬと、を含んでいる。有機ＥＬ層ＥＬＹは、必要であれば、電子注入層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、をさらに含んでいてもよい。

画素ＰＸＲに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、画素ＰＸＢに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＢ、画素ＰＸＧに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＧとする。有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、有機ＥＬ層ＥＬＹＢを区別する必要がない場合は、単に有機ＥＬ層ＥＬＹと呼ぶ。

有機ＥＬ層ＥＬＹ上に、陽極ＡＤが設けられている。陽極ＡＤは、例えば、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、銀（Ａｇ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）の３層積層構造や、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）及びインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の２層構造等で形成される。その他に、陽極ＡＤは、アルミニウム（Ａｌ）または、アルミニウム（Ａｌ）合金を用いて形成しても良い。その場合、陽極ＡＤは、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金にチタン（Ｔｉ）等のバリアメタルを十分薄く積層し、更にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を積層する３層構造である。アルミニウムと合金する材料としてはネオジウム（Ｎｄ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）等がある。

陽極ＡＤを覆って、絶縁層ＳＥＹが設けられる。絶縁層ＳＥＹは、外部から水分が有機ＥＬ層ＥＬＹに侵入することを防止する機能を有している。絶縁層ＳＥＹとしてはガスバリア性の高いものが好適である。絶縁層ＳＥＹとして、例えば、有機絶縁層を、窒素を含む無機絶縁層２層で挟持した絶縁層が挙げられる。当該有機絶縁層の材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。当該窒素を含む無機絶縁層の材料としては、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウムが挙げられる。

絶縁層ＳＥＹ上に、基材ＢＡ２が設けられている。基材ＢＡ２は、基材ＢＡ１と同様の材料で形成されている。基材ＢＡ２及び絶縁層ＳＥＹとの間に、透光性を有する無機絶縁層や有機絶縁層が設けられていてもよい。有機絶縁層が絶縁層ＳＥＹと基材ＢＡ２を接着する機能を有していてもよい。

有機ＥＬ層ＥＬＹで生じた発光は、陽極ＡＤを介して、上方に取り出される。すなわち、本実施形態の表示装置ＤＳＰは、トップエミッション構造を有している。

図４は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。図４に示す表示装置ＤＳＰでは、有機ＥＬ層ＥＬＹの近傍の構成のみを示ししている。図４では、バックプレインＢＰＳ上に、陰極ＣＤ（陰極ＣＤＲ、陰極ＣＤＧ、陰極ＣＤＢ）が設けられている。

陰極ＣＤ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。陰極ＣＤＲ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＲが設けられている。陰極ＣＤＢ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＢが設けられている。陰極ＣＤＧ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＧが設けられている。

陰極ＣＤＲ、陰極ＣＤＧ、陰極ＣＤＢ、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、及び有機ＥＬ層ＥＬＹＢそれぞれの側面を覆って、保護層ＡＯＬが設けられている。保護層ＡＯＬは、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。

図４には示されていないが、陰極ＣＤ及び有機ＥＬ層ＥＬＹとの間には、金属酸化物層及び中間層が設けられている。これらについては、図５を用いて、後に詳述する。

保護層ＡＯＬ上に、また、隣り合う有機ＥＬ層ＥＬＹ間に、バンクＢＫが設けられている。隣り合うバンクＢＫの間には、開口部ＯＰ（開口部ＯＰＲ、開口部ＯＰＢ、開口部ＯＰＧ）が設けられる。図４には示さないが、バンクＢＫ、有機ＥＬ層ＥＬＹ、保護層ＡＯＬを覆って、陽極ＡＤが設けられる。

図５は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。図５は、図４の部分拡大図である。図５に示すように、陰極ＣＤ及び陽極ＡＤの間には、第３方向Ｚに沿って、金属酸化物層ＭＯＬと、中間層ＩＬＬと、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている、有機ＥＬ層ＥＬＹは、第３方向Ｚに沿って積層された、電子輸送層ＥＴＬと、発光層ＥＭＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、正孔注入層ＨＩＬと、を含んでいる。

金属酸化物層ＭＯＬは、透光性を有する導電層、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。
中間層ＩＬＬは、アミン誘導体、例えば、ポリエチレンイミン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｉｍｉｎｅ：ＰＥＩ）により形成されている。アミン誘導体の中間層ＩＬＬを形成することにより、電子注入が増加する。すなわち、中間層ＩＬＬは、電子注入層であるともいえる。

図６乃至図２１は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。図６乃至図２１では、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢのうちの１つである第１画素を、画素ＰＸ１とし、別の１つである第２画素を、画素ＰＸ２とする。図６乃至図２１では、第１画素（画素ＰＸ１）、第２画素（画素ＰＸ２）の順番で形成される。図示しないが、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢのうちの他の１つである第３画素（仮に画素ＰＸ３とする）は、第１画素及び第２画素と同様に形成される。

まず、基材ＢＡ１に、陰極ＣＤ１及び陰極ＣＤ２が形成される（図６参照）。陰極ＣＤ１は、画素ＰＸ１の陰極であり、陰極ＣＤ２は、画素ＰＸ２の陰極である。図６には図示されていないが、図５で説明したように、陰極ＣＤ１及び陰極ＣＤ２それぞれの上には、中間層及び金属酸化物層が設けられている。

基材ＢＡ１、陰極ＣＤ１及び陰極ＣＤ２、並びに、上述の中間層及び金属酸化物層を覆って、有機ＥＬ層ＥＬＭ１、犠牲層ＡＯＭ１，犠牲層ＭＷＭ１を形成する（図７参照）。有機ＥＬ層ＥＬＭ１は、画素ＰＸ１に対応する有機ＥＬ層である。

犠牲層ＡＯＭ１は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。酸化アルミニウムは、原子堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により成膜すればよい。

犠牲層ＭＷＭ１は、例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）で形成されている。モリブデンタングステンは、スパッタ法により成膜すればよい。

陰極ＣＤ１に対向し、犠牲層ＭＷＭ１上に、レジストマスクＲＥＳ１を形成する（図８参照）。陰極ＣＤ２上には、レジストマスクは形成されない。

レジストマスクＲＥＳ１を用い、犠牲層ＭＷＭ１を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陰極ＣＤ１に対向し、犠牲層ＡＯＭ１を挟んで、島状に犠牲層ＭＷＹ１が形成される（図９参照）。

島状に形成された犠牲層ＭＷＹ１をマスクとして、犠牲層ＡＯＭ１及び有機ＥＬ層ＥＬＭ１を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陰極ＣＤ１及び犠牲層ＭＷＹ１の間に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び犠牲層の上層ＡＯＵ１が、島状に形成される（図１０参照）。陰極ＣＤ２上の犠牲層ＡＯＭ１及び有機ＥＬ層ＥＬＭ１は、除去される。

陰極ＣＤ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の側面に接して、側壁ＡＯＳ１を形成する。側壁ＡＯＳ１は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料で形成されている。上層ＡＯＵ１及び側壁ＡＯＳ１を併せて、犠牲層ＡＯＹ１とする（図１１参照）。

側壁ＡＯＳ１を形成するには、まず、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、及び犠牲層ＭＷＹ１の積層体を覆って、側壁ＡＯＳ１となる材料膜を形成する。その後、当該材料膜を異方性エッチングして、当該積層体の側面接する領域のみを残し、その他の領域を除去する。

基材ＢＡ１、犠牲層ＡＯＹ１、犠牲層ＭＷＹ１、及び陰極ＣＤ２を覆って、有機ＥＬ層ＥＬＭ２、犠牲層ＡＯＭ２、及び犠牲層ＭＷＭ２が形成される（図１２参照）。有機ＥＬ層ＥＬＭ２は、画素ＰＸ２に対応する有機ＥＬ層である。

陰極ＣＤ２に対向し、犠牲層ＭＷＭ２上に、レジストマスクＲＥＳ２を形成する。レジストマスクＲＥＳ２を用い、犠牲層ＭＷＭ２を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陰極ＣＤ２に対向し、犠牲層ＡＯＭ２を挟んで、島状に犠牲層ＭＷＹ２が形成される（図１３参照）。次いで、レジストマスクＲＥＳ２を除去する（図１４参照）。

島状に形成された犠牲層ＭＷＹ２をマスクとして、犠牲層ＡＯＭ２及び有機ＥＬ層ＥＬＭ２を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陰極ＣＤ２及び犠牲層ＭＷＹ２の間に、有機ＥＬ層ＥＬＹ２及び犠牲層の上層ＡＯＵ２が、島状に形成される（図１５参照）。

陰極ＣＤ２、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、上層ＡＯＵ２、犠牲層ＭＷＹ２の側面に接して、側壁ＡＯＳ２を形成する。側壁ＡＯＳ２は、犠牲層ＡＯＭ２と同じ材料で形成されている。上層ＡＯＵ２及び側壁ＡＯＳ２を併せて、犠牲層ＡＯＹ２とする（図１６参照）。

犠牲層ＭＷＹ１及び犠牲層ＭＷＹ２を除去する（図１７参照）。このとき、犠牲層ＡＯＹ１の上層ＡＯＵ１及び犠牲層ＡＯＹ２の上層ＡＯＵ２が平坦化される。

犠牲層ＡＯＹ１の上層ＡＯＵ１及び側壁ＡＯＳ１、並びに、犠牲層ＡＯＹ２の上層ＡＯＵ２及び側壁ＡＯＳ２を覆って、これら犠牲層と同じ材料、すなわち、犠牲層ＡＯＭ１及び犠牲層ＡＯＭ２と同じ材料で、犠牲層を形成する。これにより、上層ＡＯＵ１、側壁ＡＯＳ１、上層ＡＯＵ２、側壁ＡＯＳ２、及び新たに形成された犠牲層は一体化し、犠牲層ＡＯＴが形成される（図１８参照）。これにより、上層ＡＯＵ１の厚さｔｕ１及び上層ＡＯＵ２の厚さｔｕ２は、側壁ＡＯＳ１の厚さｔｓ１及び側壁ＡＯＳ２の厚さｔｓ２より厚くなる。犠牲層ＡＯＴのうち、基材ＢＡ１に接する領域を、領域ＡＯＢとする。領域ＡＯＢの厚さｔｂは、厚さｔｓ１及び厚さｔｓ２と同じ厚さであればよい。

犠牲層ＡＯＴに接して、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２の間に、バンクＢＫを形成する。有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２それぞれの上方には、バンクＢＫが形成されていない。すなわち、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２の上方には、それぞれ、開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２が設けられている（図１９参照）。

開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２中の犠牲層ＡＯＴを除去する。これにより、バンクＢＫ及び犠牲層ＡＯＬに設けられた、開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２内で、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２が露出する（図２０参照）。

露出した有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２、並びに、バンクＢＫを覆って、陽極ＡＤ、絶縁層ＩＮＳ、絶縁層ＰＣＬを形成する。絶縁層ＰＣＬ上には、基材ＢＡ２を設ける。

開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２において、それぞれ、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２上に、陽極ＡＤが設けられている。つまり、陽極ＡＤは、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２に接している。以上により、実施形態の表示装置ＤＳＰが形成される（図２１参照）。

絶縁層ＩＮＳは、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）により形成する。絶縁層ＩＮＳは、外部から水分が有機ＥＬ層に侵入するのを防ぐ。絶縁層ＰＣＬは、例えば、樹脂絶縁材料により形成する。絶縁層ＰＣＬは、表面を平坦化する機能を有する。基材ＢＡ２は、基材ＢＡ１と同様の材料を用いればよい。

第３画素である画素ＰＸ３の陽極及び有機ＥＬ層を形成するには、図１６に示す工程終了後に、図１２と同様に、画素ＰＸ３の陽極を覆って、有機ＥＬ層及び犠牲層２層を形成すればよい。図１６と同様に、画素ＰＸ３の犠牲層の側壁形成後に、図１７に示す工程に進めばよい。

犠牲層ＡＯＴ（犠牲層ＡＯＹ１、犠牲層ＡＯＹ２、犠牲層ＡＯＳ１、犠牲層ＡＯＳ２、及び犠牲層ＡＯＢ）は、図４に示す保護層ＡＯＬに相当する。酸化アルミニウムによって形成される保護層ＡＯＬ（犠牲層ＡＯＴ）が有機ＥＬ層の側面を覆うことにより、当該有機ＥＬ層を保護することができる。

図２２乃至図２４は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。比較例の表示装置ＤＳＰｒを製造するには、まず、基材ＢＡ１上に、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２を形成する（図２２参照）。図２２に示す工程は、図６に示す工程に対応している。

図７乃至図９に示す工程を経て、陽極ＡＤ１上に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、犠牲層の上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１が形成される。陽極ＡＤ２上には、犠牲層が除去されている（図２３参照）。図２３に示す工程は、図１０に示す工程に対応している。

次いで、図１１と同様に、陽極ＡＤ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の側面に接して、側壁ＡＯＳ１を形成する（図２４参照）。上述と同様に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の積層体を覆って、側壁ＡＯＳ１となる材料膜を形成する。その後、当該材料膜を異方性エッチングして、当該積層体の側面接する領域のみを残し、その他の領域を除去することにより、側壁ＡＯＳ１が形成される。

側壁ＡＯＳ１の材料は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料であり、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）である。一方、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、例えば、上述のように、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、銀（Ａｇ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）の３層積層構造や、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）及びインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の２層構造等で形成される。

すなわち、側壁ＡＯＳ１、並びに、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、金属酸化物を含む材料で形成されている。このような金属酸化物をエッチングする際に、選択比が取れないエッチャントを使用する必要がある場合がある。

この場合、側壁ＡＯＳ１を形成するためのエッチングで、陽極ＡＤ２が一緒に除去される恐れがある。陽極が除去されてしまうと、その画素は発光しない。このような表示装置では、表示品質が低下してしまう。

本実施形態の表示装置ＤＳＰでは、陽極と陰極が逆の位置に設けられている。本実施形態の表示装置ＤＳＰは、図６乃至図２１に示す製造工程において、陽極を消失させることなく、製造することができる。

陰極ＣＤ（陰極ＣＤＲ、陰極ＣＤＧ、陰極ＣＤＢ）は、上述のように、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）により形成されている。図１０に示す工程において、金属酸化物で形成される犠牲層ＡＯＭ１及び有機ＥＬ層ＥＬＭ１のエッチャントでは、陰極ＣＤはエッチングされない。したがって、陰極ＣＤは消失しない。よって、画素が発光しないということが起こらず、表示装置ＤＳＰの表示品質が低下することを防ぐことが可能である。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＡＤ…陽極、ＡＯＬ…保護層、ＡＯＳ１…側壁、ＡＯＳ２…側壁、ＡＯＵ１…上層、ＡＯＵ２…上層、ＣＤ…陰極、ＤＳＰ…表示装置、ＥＬＹ…有機ＥＬ層、ＩＬＬ…中間層、ＭＯＬ…金属酸化物層。

Claims (4)

1. 複数の画素と、
   隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、
   を備え、
   前記複数の画素それぞれは、
   基材上に、
   陰極と、
   前記陰極上に設けられる、有機ＥＬ層と、
   前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、保護層と、
   前記保護層及び前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陽極と、
   を備える、表示装置。
2. 前記保護層は、酸化アルミニウムで形成される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記陰極は、マグネシウム－銀合金膜、銀の単層膜、銀（Ａｇ）と透明導電材料の積層膜のいずれかであり、
   前記透明導電材料は、インジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物である、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記陽極は、インジウム亜鉛酸化物、銀、インジウム亜鉛酸化物の３層積層構造、モリブデンタングステン合金及びインジウム錫酸化物の２層構造、又は、アルミニウム合金、チタン、インジウム錫酸化物の３層積層構造である、請求項１に記載の表示装置。

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