JP2024085359A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】単位体積当たりの容量及びＢＤＶ特性を向上させ、かつ、内部電極の電極連結性を確保し、小型化又は高容量化を実現できる積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び誘電体層１１１と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含む。内部電極は、ＮｉとＡｌを含む酸化物を含み、Ａｌの含量は、Ｎｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下であり、Ａｌを含む酸化物はＡｌ２Ｏ３である。【選択図】図２

Description

本発明は、積層型電子部品に関する。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

現在、電子機器の小型化に伴い、積層型電子部品の小型化及び高集積化への要求も増加している。特に、汎用電子部品として積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）の場合、薄層、高容量化するための様々な試みがあった。

積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄層化する方法がある。内部電極の厚さが薄くなるほど、複数の誘電体層と複数の内部電極が焼成されて誘電体層が厚く形成されるか、又は電極の不連続領域が多数発生するという問題点が深化することがある。内部電極の不連続領域が過度に発生する場合、内部電極の連結性が低下し、積層セラミックキャパシタの単位体積当たりの容量が減少する可能性がある。したがって、内部電極の薄層化により積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を容易に達成しながらも、内部電極の途切れを緩和できる内部電極の構造に対する設計が必要な実情である。

本発明のいくつかの目的の一つは、積層型電子部品の単位体積当たりの容量及びＢＤＶ特性を向上させることである。

本発明のいくつかの目的の一つは、内部電極の電極連結性を確保することである。

本発明のいくつかの目的の一つは、積層型電子部品を小型化又は高容量化するために誘電体層又は内部電極を薄く形成する場合、電極連結性を確保しにくいという問題点を解決することである。

但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記内部電極はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物を含み、上記Ａｌの含量は上記Ｎｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下である。

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の単位体積当たりの容量及びＢＤＶ特性を向上させることである。

本発明の様々な効果の一つは、内部電極の電極連結性を向上させることである。

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の高容量化及び小型化のために誘電体層又は内部電極を薄く形成する場合でも、積層型電子部品の信頼性を向上させることである。

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の製造方法により製造できる積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。 比較例による積層型電子部品の製造方法を概略的に示すものである。 図３のＰ１領域を拡大した模式図である。 図３のＰ１'領域を拡大した模式図である。

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

そして、図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同じである構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

図面において、第１方向は、誘電体層を間に挟んで第１及び第２内部電極が交互に配置される方向又は厚さＴ方向、上記第１方向と垂直な方向である第２方向及び第３方向のうち、上記第２方向は長さＬ方向、上記第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

図１は本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の製造方法により製造できる積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図３は図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図４は比較例による積層型電子部品の製造方法を概略的に示すものであり、図５は図３のＰ１領域を拡大した模式図である。

以下では、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００について詳細に説明する。

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び誘電体層１１１と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０、及び本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２を含み、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、上記Ａｌの含量は上記Ｎｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％である。

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に配置されている。

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなってもよい。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。このとき、第１方向を、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に配置される方向と定義することができる。

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料としては、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。例えば、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは０．２μｍ以上２μｍ以下であってもよい。

但し、一般的に誘電体層を０．６μｍ未満の厚さに薄く形成する場合、特に誘電体層の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、積層型電子部品１００の信頼性がさらに低下することがある。

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、内部電極に含まれるＡｌの含量を内部電極に含まれるＮｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下に調節することにより、誘電体層１１１の平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下の場合でも積層型電子部品１００の信頼性を確保することができる。すなわち、誘電体層１１１の平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合に、本発明による信頼性の向上効果がより顕著となり得る。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができる。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３とを含むことができる。

また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を間に挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。

カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される上部カバー部１１２、及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であってもよい。また、本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、内部電極に含まれるＡｌの含量を内部電極に含まれるＮｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下に調節するため、カバー部の平均厚さｔｃが１５μｍ以下の場合でも、積層型電子部品１００の信頼性を確保することができる。

カバー部１１２、１１３の平均厚さは第１方向のサイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部又は下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。

上記容量形成部Ａｃの側面には、マージン部１１４、１１５が配置されてもよい。

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置されたマージン部１１４と、第６面６に配置されたマージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記本体１１０の第３方向（幅方向）の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

マージン部１１４、１１５は、図３に示すように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成してもよい。

一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であってもよい。また、本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、内部電極に含まれるＡｌの含量を、内部電極に含まれるＮｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下に調節するため、マージン部１１４、１１５の平均幅が１５μｍ以下の場合でも、積層型電子部品１００の信頼性を確保することができる。

マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面において、等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを平均した値であることができる。

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と第１方向に交互に配置されてもよい。

内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ連結されることができる。具体的に、第１内部電極１２１の一端は第３面に連結され、第２内部電極１２２の一端は第４面に連結されることができる。

第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。

このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されてもよい。

本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

一方、内部電極１２１、１２２がニッケル（Ｎｉ）を含む場合、ニッケル（Ｎｉ）粒子が微粒化するほど、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の低下する現象がさらに問題となり得る。本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、内部電極に含まれるＡｌの含量を、内部電極に含まれるＮｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下に調節するため、内部電極１２１、１２２がニッケル（Ｎｉ）を含む場合でも、積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。すなわち、内部電極１２１、１２２がニッケル（Ｎｉ）を含む場合、本発明による信頼性の向上効果はさらに顕著となり得る。

また、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。例えば、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは０．２μｍ以上２μｍ以下であってもよい。

但し、一般的に、内部電極を０．６μｍ未満の厚さに薄く形成する場合、特に内部電極の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、積層型電子部品１００の信頼性がさらに問題となり得る。

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、内部電極に含まれるＡｌの含量を内部電極に含まれるＮｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下に調節するため、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅが０．３５μｍ以下である場合でも信頼性を向上させることができる。

したがって、内部電極１２１、１２２の厚さが平均０．３５μｍ以下である場合に、本発明による効果がより顕著となり、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。

上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができる。

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０つの内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されてもよい。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。

本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層、及び電極層上に形成されためっき層を含むことができる。

電極層に対するより具体的な例として、電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

また、電極層は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。また、電極層は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

電極層に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよい。

めっき層は実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層の種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。

めっき層に対するより具体的な例として、めっき層はＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層は、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させる必要があるため、０６０３（長さ×幅、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において、本発明による固着強度の向上効果がより顕著となり得る。

したがって、製造誤差、外部電極のサイズ等を考慮すると、積層型電子部品１００の長さが０．６６ｍｍ以下、幅が０．３３ｍｍ以下である場合、本発明による固着強度の向上効果がより顕著となり得る。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大サイズを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向の最大サイズを意味することができる。

本発明の一実施形態によると、Ｎｉを含む内部電極には、Ａｌを含む酸化物１２３が含まれることができる。積層型電子部品１００の薄層化及び小型化のために内部電極１２１、１２２を形成する導電性材料を微粒化する場合、焼成後に内部電極の連結性が劣化するという問題が発生する可能性がある。

一例示として、内部電極の焼成前にＮｉ粒子を微粒化する場合、融点及び熱収縮開始温度が減少し、焼成時に過度な熱収縮及び凝集が発生する可能性がある。また、誘電体層に含まれるセラミック粒子の融点及び熱収縮開始温度と、内部電極に含まれるＮｉ粒子の融点及び熱収縮開始温度との差が大きくなるほど、誘電体層と内部電極の焼結ミスマッチが増加する可能性がある。このような誘電体層と内部電極の焼結ミスマッチは、内部電極の連結性の劣化を加速させる原因となり得る。そこで、本発明では、誘電体層と内部電極の焼結ミスマッチを克服して内部電極の連結性を向上させるために、誘電体層のセラミック原料よりも融点が高く、還元性雰囲気で焼成を行っても内部電極の特性を劣化させない非還元性物質であるＡｌを含む酸化物１２３を、Ｎｉが含まれた内部電極１２１、１２２に含ませて、Ｎｉに対するＡｌの含量を調節することにより、上述した誘電体層と内部電極の焼結ミスマッチを克服し、内部電極１２１、１２２の連結性を向上させようとする。

内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉの融点は１４５５℃であり、誘電体層１１１に含まれ得るＢａＴｉＯ_３の融点は１６２５℃に該当する。すなわち、内部電極１２１、１２２の焼結開始時点と誘電体層１１１の焼結開始温度とに差が生じる可能性があり、焼結開始温度の差は５００℃以上であることができる。Ａｌを含む酸化物１２３の一例示であるＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）の融点（２０７２℃）は、Ｎｉの融点（１４５５℃）及び誘電体層の主成分となり得るＢａＴｉＯ_３の融点（１６２５℃）より高い。また、Ａｌを含む酸化物１２３がＮｉを含む内部電極１２１、１２２に含まれる場合、好ましくは、Ａｌを含む酸化物１２３がＮｉを含む内部電極１２１、１２２にトラップされて配置されると、内部電極のＮｉ粒子の間に立体障害（Ｓｔｅｒｉｃ ｈｉｎｄｒａｎｃｅ）を発生させる可能性がある。したがって、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２にＡｌを含む酸化物１２３が含まれる場合、内部電極１２１、１２２の焼結開始温度と誘電体層１１１の焼結開始温度との差を緩和することができ、内部電極１２１、１２２の熱収縮を遅らせることができる。本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含むため、内部電極１２１、１２２及び誘電体層１１１の焼結開始温度の差を緩和し、内部電極１２１、１２２の熱収縮を遅らせる場合、内部電極１２１、１２２の連結性が向上することによって、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量及びＢＤＶ特性を向上させることができる。

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌを含む酸化物１２３の含量は、内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉに対して３ａｔ％以上である。内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌを含む酸化物１２３の含量が内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉに対して３ａｔ％未満である場合、内部電極１２１、１２２にＡｌを含む酸化物１２３がトラップ（ｔｒａｐ）される量が少なく、連結性が十分に確保されないため、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させるにもかかわらず、単位体積当たりの容量を十分に向上させにくくなる可能性がある。本発明の一実施形態では、内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌを含む酸化物１２３の含量を、内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉに対して３ａｔ％以上に調節することにより、内部電極１２１、１２２の連結性を十分に確保して積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を著しく向上させるとともに、単位体積当たりの容量を向上させることができる。

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌを含む酸化物１２３の含量は、内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉに対して５ａｔ％以下である。内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌを含む酸化物１２３の含量が、内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉに対して５ａｔ％を超える場合、内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１の界面にＡｌを含む酸化物１２３が過度に抜け出す（ｓｑｕｅｅｚｅ ｏｕｔ）という問題が発生する可能性がある。これにより、内部電極１２１、１２２の連結性が向上しても積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量が低下することがあり、ＢＤＶ特性の向上効果も減少することがある。本発明の一実施形態では、内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌを含む酸化物１２３の含量を、内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉに対して５ａｔ％以下に調節することにより内部電極１２１、１２２の連結性を十分に確保し、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を著しく向上させるとともに、単位体積当たりの容量を向上させることができ、内部電極１２１、１２２及び誘電体層１１１の界面にＡｌを含む酸化物１２３が過度に抜け出す現象を抑制し、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量が低下する現象及びＢＤＶ特性の向上効果が低下する現象を防止することができる。

内部電極１２１、１２２において、Ｎｉに対するＡｌの含量を測定する方法は特に制限されない。一例示として、積層型電子部品１００の第２方向の中央部で切断した第１方向及び第３方向の断面において、内部電極１２１、１２２をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により各元素のａｔ％を測定することができ、これをＮｉに対するＡｌのａｔ％に換算して測定することができる。具体的に、ＴＥＭ－ＥＤＳマッピングによりＡｌのシグナル差が発生した地点をイメージの中心部に配置した後、イメージのスケールバーが５０ｎｍ以下となる高倍率でＰｏｉｎｔ ＥＤＳによって測定することができる。内部電極のＮｉ元素含量は、Ａｌシグナルの差が発生した地点以外において１０個以上のＰｏｉｎｔで測定した平均値であってもよく、Ａｌ元素含量は、Ａｌシグナル差が発生した領域のうち３個以上の Ｐｏｉｎｔで測定した平均値であってもよい。このような測定を容量形成部Ａｃの５個以上の内部電極で行って平均値をとると、内部電極１２１、１２２におけるＮｉに対するＡｌの含量をさらに一般化することができる。

一方、積層型電子部品１００の内部電極１２１、１２２の電極連結性、単位体積当たりの容量及びＢＤＶ特性を向上させるための一例示として、内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌを含む酸化物１２３の面積を調節する方案がある。一実施例によると、Ａｌを含む酸化物１２３の面積は、内部電極１２１、１２２の面積に対して０．５％以上１．０％以下であってもよい。

Ａｌを含む酸化物１２３の面積が内部電極１２１、１２２の面積に対して０．５％未満の場合、内部電極１２１、１２２の連結性が十分に確保されず、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させるにもかかわらず、単位体積当たりの容量を十分に向上させにくくなる可能性がある。

Ａｌを含む酸化物１２３の面積が内部電極１２１、１２２の面積に対して１．０％を超える場合、内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１の界面にＡｌを含む酸化物１２３が過度に抜け出すという問題が発生する可能性がある。これにより、内部電極１２１、１２２の連結性が向上しても、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量が低下することがあり、ＢＤＶ特性の向上効果も減少することがある。

したがって、本発明の一実施例により、Ａｌを含む酸化物１２３の面積を内部電極１２１、１２２の面積に対して０．５％以上１．０％以下に調節することで、積層型電子部品１００の内部電極１２１、１２２の連結性、単位体積当たりの容量及びＢＤＶ特性を向上させることができる。

内部電極１２１、１２２の面積に対してＡｌを含む酸化物１２３の面積を測定する方法は特に制限されない。一例示として、積層型電子部品１００の第２方向の中央部で切断した第１方向及び第３方向の断面において、内部電極１２１、１２２をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析によってＡｌのマッピングシグナルが高い領域の面積を測定し、Ｎｉマッピングシグナルが高い領域の面積を測定した後、その比率を計算することにより測定することができる。具体的に、イメージにおいて、内部電極１２１、１２２の１つの層がイメージ全体の５０％以上を占める倍率でＥＤＳマッピング分析により測定することができる。Ｎｉ元素のマッピングシグナルが高い領域の面積を内部電極１２１、１２２の面積として測定し、Ａｌ元素のマッピングシグナルが高い領域の面積を、Ａｌを含む酸化物１２３の面積として測定してその比率を計算することにより、内部電極１２１、１２２の面積に対するＡｌを含む酸化物１２３の面積を測定することができる。このような測定を容量形成部Ａｃの５つ以上の内部電極において行って平均値をとると、内部電極１２１、１２２の面積に対するＡｌを含む酸化物１２３の面積値をさらに一般化することができる。

図６は、図３のＰ１'領域を拡大した模式図である。

図６を参照すると、一実施例において、内部電極１２１、１２２は、Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４をさらに含むことができる。Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４を内部電極１２１、１２２に一定量以上添加すると、焼成時に内部電極から抜け出せ（ｓｑｕｅｅｚｅ ｏｕｔ）ないＢａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４が存在することがある。すなわち、Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４は、内部電極１２１、１２２の内部にトラップ（ｔｒａｐ）されることができる。Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４は、内部電極１２１、１２２にトラップ（ｔｒａｐ）されて内部電極１２１、１２２の焼結時に、Ｎｉ粒子の焼結開始温度を誘電体層１１１の焼結開始温度と隣接するように高温に移動させる役割を果たすことができる。一方、内部電極１２１、１２２が薄層化するほど、適切な焼結開始温度を得るためにＢａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４の含量が増加することができる。内部電極１２１、１２２内のＢａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４の含量が過度に増加すると、焼結及び焼成時にＢａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４が誘電体層１１１に抜け出して誘電体層１１１の厚さを厚くし、誘電率を低下させるという問題が発生する可能性があり、内部電極１２１、１２２のＮｉ充填率を低下させて電極連結性が低下するという問題が発生することがある。本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌの含量はＮｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％に調節するため、内部電極１２１、１２２は、Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４をさらに含む場合にも、Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子１２４を過度に使用せずとも内部電極１２１、１２２の焼結開始温度を高温に移動させることができ、内部電極１２１、１２２の薄層化を容易に達成することができ、内部電極１２１、１２２の連結性を向上させることができる。

図５及び図６を参照すると、一実施例において、内部電極１２１、１２２は、導電性物質が含まれた電極領域１２１ａ、１２２ａを２以上含み、電極領域１２１ａ、１２２ａ間の離隔空間である不連続領域１２１ｂ、１２２ｂを含み、内部電極の全長さに対する電極領域１２１ａ、１２２ａの長さの和の比率を電極連結性とするとき、電極連結性は８１％以上であり得る。内部電極１２１、１２２が焼成により形成される場合、内部電極１２１、１２２の内部の金属粒子同士が局所的に凝集して空隙が形成されることがあり、このような空隙は焼成が進むにつれて途切れが発生し、内部電極の連結性を低下させる原因となり得る。すなわち、内部電極１２１、１２２には、不連続領域１２１ａ、１２２ａが形成されることができる。不連続領域１２１ｂ、１２２ｂには、誘電体層１１１に由来する誘電体又は空隙が含まれることもできる。すなわち、一実施例によると、内部電極１２１、１２２は、導電性物質が含まれた電極領域１２１ａ、１２２ａを２以上含み、電極領域１２１ａ、１２２ａ間の離隔空間である不連続領域１２１ｂ、１２２ｂを含むことができるが、内部電極１２１、１２２はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物１２３を含み、内部電極１２１、１２２に含まれるＡｌの含量はＮｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％に調節するため、内部電極の連結性を８１％以上に向上させることができる。これにより、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量及びＢＤＶ特性を向上させることができる。

一実施例において、内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１の界面において、内部電極１２１、１２２の内部方向に２０ｎｍまでの領域を表面部、表面部の間に配置される領域を中央部とするとき、内部電極に含まれるＮｉに対するＡｌの含量は、表面部よりも中央部でより高くてもよい。

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と接する界面を形成することができる。このとき、内部電極と誘電体層の界面は、Ｎｉの含量が０．５ａｔ％以下に収束する地点と定義することができる。

また、内部電極１２１、１２２の内部方向に２０ｎｍまでの領域である表面部、及び表面部の間に配置される中央部を含むことができる。

表面部は、内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１の界面に隣接した領域であって、表面部にＡｌを含む酸化物が過度に分布する場合、内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１の界面にＡｌ又はＡｌを含む酸化物が過度に拡散されるか、又は抜け出すことができる。この場合、誘電体層１１１の誘電率が低下するという問題が発生することがあり、これは結果的に、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量を低下させる原因となり得る。したがって、一実施例では、内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉに対するＡｌの含量を表面部より中央部で高くなるように調節することで、誘電体層１１１の誘電率の低下を緩和することができる。同様の観点から、内部電極の面積に対してＡｌを含む酸化物の面積は、表面部よりも中央部で広くすることが好ましい。

（実施例）
表１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、内部電極に含まれるＮｉに対するＡｌの含量、内部電極の面積に対するＡｌを含む酸化物の面積による電極連結性、単位体積当たりの容量、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）特性を比較して評価したものである。

表１の結果は、内部電極の面積に対してＡｌを含む酸化物の面積が０（Ｎｉに対するＡｌの含量が０．５ａｔ％）である試験番号１の値を１として各試験番号当たりの相対的な数値を記載したものであり、全ての試験番号に該当する積層型電子部品は、Ａｌを含む酸化物の面積及びＮｉに対するＡｌの含量を除くと、実質的に同じ構成を有する。

表１の二次相の面積比率は、内部電極１２１、１２２の面積に対してＡｌを含む酸化物１２３の面積の比率（％）であって、積層型電子部品１００の第２方向の中心部で切断した第１方向及び第３方向の断面において、内部電極１２１、１２２をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析によりＡｌのマッピングシグナルが高い領域の面積を測定し、Ｎｉマッピングシグナルが高い領域の面積を測定した後、その比率を計算することにより測定した。具体的に、内部電極１２１、１２２の１つの層がイメージ全体の５０％以上を占める倍率で、Ｎｉ元素のシグナルが高い領域の面積を内部電極１２１、１２２の面積、Ａｌ元素のシグナルが高い領域の面積を、Ａｌを含む酸化物１２３の面積とし、内部電極１２１、１２２の面積に対してＡｌを含む酸化物１２３の面積の比率を測定した。上記測定は、容量形成部Ａｃの５つ以上の内部電極１２１、１２２において行って平均値をとった。

内部電極に含まれるＮｉに対するＡｌの含量比率（ａｔ％）は、積層型電子部品１００の第２方向の中央部で切断した第１方向及び第３方向の断面において、内部電極１２１、１２２をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により各元素のａｔ％を測定し、これをＮｉに対するＡｌのａｔ％に換算して測定した。具体的に、ＴＥＭ－ＥＤＳマッピングによりＡｌのシグナル差が発生した地点をイメージの中心部に配置した後、イメージのスケールバーが５０ｎｍ以下となる高倍率でＰｏｉｎｔ ＥＤＳによって測定した。内部電極のＮｉ元素含量は、Ａｌシグナルの差が発生した地点以外において１０個以上のＰｏｉｎｔで測定した平均値をとり、Ａｌ元素含量は、Ａｌシグナルの差が発生した領域のうち３つ以上のｐｏｉｎｔで測定した平均値をとった。

電極連結性は、試験番号当たり５０個のサンプルにおいて、積層型電子部品１００の第１方向及び第３方向の断面を第２方向の中央部まで研磨した後、容量形成部Ａｃの中心部、中心部の第３方向の両方の領域（９．２μｍ×５．４μｍ）のそれぞれを２００倍率の光学顕微鏡（ＯＭ、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察したイメージから測定して平均値を算出した。具体的に、導電性物質が含まれた内部電極の領域を電極領域、電極領域間の離隔空間を不連続領域とするとき、内部電極の全長さに対する電極領域の長さの和の比率を測定した。

単位体積当たりの容量は、試験番号当たり５０個のサンプルから測定した静電容量値の平均値をとり、ＬＣＲメーター（Ｋｅｓｉｇｈｔ社Ｅ４９８０Ａ）で１ｋＨｚ ０．５Ｖ（ＡＣ）下で測定した値である。測定サンプルはいずれも１５０℃で１ｈｒ熱処理した後、２ｈｒ常温でエージングした後に測定を行った。

絶縁破壊電圧は５０個のサンプルに対して測定し、その平均値を算出しており、１００Ｖ／ｓの昇圧条件で測定して、絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が１００００Ω以下に低下する時の電圧を絶縁破壊電圧として測定した。

試験番号１は、内部電極の面積に対してＡｌを含む酸化物の面積が０（Ｎｉに対するＡｌの含量が０．５ａｔ％）の場合であり、このときの電極連結性、単位体積当たりの容量、絶縁破壊電圧を１とし、評価を行った。

試験番号１～２は、Ｎｉに対するＡｌの含量が３ａｔ％未満（二次相の面積比率０．５％未満）の場合であり、電極連結性及びＢＤＶ特性が向上したにもかかわらず、単位体積当たりの容量の向上効果が不足することが確認できる。

試験番号３～４は、Ｎｉに対するＡｌの含量が３ａｔ％以上５ａｔ％以下（二次相の面積比率が０．５％以上１．０％以下）の場合であり、電極連結性、ＢＤＶ特性に優れ、単位体積当たりの容量が向上することが確認できる。

試験番号５は、Ｎｉに対するＡｌの含量が５ａｔ％を超える（二次相の面積比率が１．０％超過）場合であり、電極連結性が向上したにもかかわらず、ＢＤＶ特性の向上効果が低下し、単位体積当たりの容量が減少することが確認できる。

したがって、本発明の一実施形態のように、内部電極がＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物を含み、内部電極に含まれるＮｉに対するＡｌの含量が３ａｔ％以上５ａｔ％（二次相の面積比率が０．５％以上１．０％以下）である場合、電極連結性及びＢＤＶ特性を向上させながらも、単位体積当たりの容量を向上させることができることが確認できる。

以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定するものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

また、本発明において使用された「一実施例」という表現は、互いに同じ実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施例は、他の一実施例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施例に説明された事項が他の一実施例に説明されていなくても、他の一実施例においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施例に関連する説明と理解することができる。

本発明において使用された用語は、単に一実施例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１２１ａ、１２２ａ：電極領域
１２１ｂ、１２２ｂ：不連続領域
１２３：Ａｌを含む酸化物
１２４：Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子
１３１、１３２：外部電極

Claims (13)

1. 誘電体層及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
   前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
   前記内部電極はＮｉを含み、Ａｌを含む酸化物を含み、
   前記Ａｌの含量は、前記Ｎｉに対して３ａｔ％以上５ａｔ％以下である、積層型電子部品。
2. 前記Ａｌを含む酸化物の面積は、前記内部電極の面積に対して０．５％以上１．０％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記誘電体層と前記内部電極とが交互に配置される方向を第１方向、前記第１方向に垂直な方向を第２方向、前記第１方向及び前記第２方向と垂直な方向を第３方向とするとき、
   前記Ａｌを含む酸化物の面積及び前記内部電極の面積は、前記積層型電子部品の前記第２方向の中心部で切断した前記第１方向及び前記第３方向の断面から測定した値である、請求項２に記載の積層型電子部品。
4. 前記Ａｌを含む酸化物は、前記内部電極の内部にトラップされて配置された、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
5. 前記Ａｌを含む酸化物はＡｌ_２Ｏ_３である、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
6. 前記内部電極は、Ｂａ及びＴｉを含むセラミック粒子をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
7. 前記内部電極は、導電性物質が含まれた電極領域を２以上含み、前記電極領域間の離隔空間である不連続領域を含み、前記内部電極の全長さに対する前記電極領域の長さの和の比率を電極連結性とするとき、
   前記電極連結性は８１％以上である、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
8. 前記内部電極と前記誘電体層の界面において、前記内部電極の内部方向に２０ｎｍまでの領域を表面部、前記表面部の間に配置される領域を中央部とするとき、
   前記Ｎｉに対する前記Ａｌの含量は、前記表面部よりも前記中央部でより高い、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
9. 前記内部電極と前記誘電体層の界面において、前記内部電極の内部方向に２０ｎｍまでの領域を表面部、前記表面部の間に配置される領域を中央部とするとき、
   前記Ａｌを含む酸化物の面積は、前記表面部よりも前記中央部でより大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
10. 前記内部電極の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
11. 前記誘電体層の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
12. 前記誘電体層と前記内部電極とが交互に配置される方向を第１方向とするとき、
    前記本体は、前記誘電体層と前記内部電極とが交互に配置される内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、並びに前記容量形成部の前記第１方向の一面及び他面に配置されるカバー部を含み、
    前記カバー部の平均厚さは１５μｍ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
13. 前記誘電体層と前記内部電極とが交互に配置される方向を第１方向、前記第１方向に垂直な第２方向、前記第１方向及び前記第２方向と垂直な方向を第３方向とするとき、
    前記本体は、前記誘電体層と前記内部電極とが交互に配置される内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、並びに前記容量形成部の前記第３方向の一面及び他面に配置されるマージン部を含み、
    前記外部電極は、前記本体の前記第２方向の一面及び他面に配置され、
    前記マージン部の平均幅は１５μｍ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

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