JP2024082784A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】高い品質を有する配線基板の提供。
【解決手段】配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、交互に積層されている複数の導体層及び複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層のいずれかに設けられた開口内に形成され、前記複数の導体層の各導体層同士を接続するビア導体と、を含む。前記複数の導体層のうちの前記第１面側の最も外側の導体層は、第１部品が搭載される第１導体パッド、及び、第２部品が搭載される第２導体パッドを含み、前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含み、前記複数の絶縁層は、無機粒子と樹脂によって形成されており、前記複数の導体層で覆われる前記複数の絶縁層の前記第１面側の表面は、前記樹脂で形成されている。
【選択図】図１

Description

本明細書によって開示される技術は、配線基板に関する。

特許文献１は、ビルドアップ用絶縁層を含む配線基板を開示している。ビルドアップ用絶縁層の例は第１絶縁層と第２絶縁層である。特許文献１の１６段落によれば、熱硬化性樹脂中に絶縁粒子が分散されている。特許文献１の１８段落によれば、絶縁粒子は部分露出粒子を含んでいる。本明細書では、部分露出粒子は露出粒子と称される。

特開２０１９－８３３０３号公報

［特許文献１の課題］
特許文献１の技術は、露出粒子を有している。従って、特許文献の第１絶縁層の上面はビルドアップ用絶縁層を形成する樹脂と露出粒子の露出面で形成されると考えられる。第１絶縁層の上面上に第１配線導体が形成されている。絶縁粒子の比誘電率とビルドアップ用絶縁層を形成する樹脂の比誘電率は異なると考えられる。露出粒子を均一に分散することは難しいと考えられる。各露出粒子の露出している部分の面積を同一にすることは難しいと考えられる。従って、第１絶縁層の上面の比誘電率は場所によって異なると考えられる。もし、第１配線導体が２つの信号配線を含むと、ひとつの信号配線で伝達される信号の伝搬速度と別の信号配線で伝達される信号の伝搬速度の差は大きいと考えられる。特許文献１の技術で複数の信号配線を含む配線基板が製造されると、大きいノイズが発生すると考えられる。

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、交互に積層されている複数の導体層及び複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層のいずれかに設けられた開口内に形成され、前記複数の導体層の各導体層同士を接続するビア導体と、を含む。前記複数の導体層のうちの前記第１面側の最も外側の導体層は、第１部品が搭載される第１導体パッド、及び、第２部品が搭載される第２導体パッドを含み、前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含み、前記複数の絶縁層は、無機粒子と樹脂によって形成されており、前記複数の導体層で覆われる前記複数の絶縁層の前記第１面側の表面は、前記樹脂で形成されている。

本発明の実施形態の配線基板では、複数の絶縁層の第１面側の表面は樹脂で形成されている。絶縁層の第１面側の表面は樹脂のみで形成されている。絶縁層の第１面側の表面は無機粒子の表面を含まない。絶縁層の第１面側の表面近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。絶縁層の第１面側の表面の比誘電率はほぼ同じである。絶縁層上に形成される導体層に含まれる信号配線間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。実施形態の配線基板ではノイズが抑制される。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の配線基板の平面図。 図１のＩＩＩ部の拡大図。 一実施形態の配線基板の変形例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板を用いた電子部品の製法の一例を示す断面図。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、配線基板１の平面視での一例が示され、図３には図１のＩＩＩ部の拡大図が示されている。なお「平面視」は、配線基板１の厚さ方向に沿う視線で対象物を見ることを意味している。なお、配線基板１は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、実施形態の配線基板の積層構造、並びに、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、及び配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

図１に示されるように、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する２つの表面（主面）のうちの一方である第１面１ｆ及び第１面１ｆの反対面である第２面１ｓを有している。配線基板１は、交互に積層されている複数の導体層及び複数の絶縁層を含んでいる。具体的には、図１に例示の配線基板１は、交互に積層されている導体層２１～２５及び絶縁層３１～３５を含んでいる。図１の例において配線基板１は、導体層２１～２５及び絶縁層３１～３５を逐次形成することによって製造される、所謂ビルドアップ配線基板である。

導体層２１～２５のうち導体層２１が、配線基板１の第２面１ｓ側の最も外側に形成されている。導体層２１における第２面１ｓ側の表面以外の表面は絶縁層３１に覆われている。そして、絶縁層３１における第１面１ｆ側の表面上に、第１面１ｆに向かって順に、導体層２２、絶縁層３２、導体層２３、絶縁層３３、導体層２４、絶縁層３４、導体層２５、及び絶縁層３５が形成されている。導体層２５は、配線基板１における第１面１ｆ側の最も外側の導体層である。配線基板１の第１面１ｆは、主に、導体層２５を覆っている絶縁層３５における導体層２５と反対方向を向く表面によって構成されている。一方、配線基板１の第２面１ｓは、導体層２１及び絶縁層３１それぞれにおける導体層２２と反対方向を向く表面によって構成されている。

なお、実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向（積層方向）において第１面１ｆ側は、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、第２面１ｓ側は、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、第１面１ｆ側を向く表面は「上面」とも称され、第２面１ｓ側を向く表面は「下面」とも称される。なお、実施形態の配線基板の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。

実施形態の配線基板１は、さらに、絶縁層３１～３４のいずれかを貫いて導体層２１～２５の各導体層同士を接続するビア導体４を含んでいる。図１の配線基板１は、絶縁層３１～３４それぞれを貫く複数のビア導体４を含んでいる。絶縁層３１を貫くビア導体４は導体層２１と導体層２２とを接続し、絶縁層３２を貫くビア導体４は導体層２２と導体層２３とを接続し、絶縁層３３を貫くビア導体４は導体層２３と導体層２４とを接続し、絶縁層３４を貫くビア導体４は導体層２４と導体層２５とを接続している。各ビア導体４は、自身の上側に形成される導体層と一体的に形成されている。各ビア導体４は、配線基板１の第１面１ｆ側から第２面１ｓ側に向かって幅が細くなるテーパー形状を有している。なおビア導体４の「幅」は、ビア導体４におけるＺ方向と直交する断面（又は端面）の外周上の２点間の最長距離である。

導体層２１～２５は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。図１の例において第１面１ｆ側の最も外側の導体層である導体層２５は、配線基板１の使用時に配線基板１に搭載される部品（図１及び図２の例において第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と接続される複数の導体パッド７１及び複数の導体パッド７２を含んでいる。導体パッド７１は、第１部品Ｅ１が搭載される導体パッド（第１導体パッド）であり、導体パッド７２は、第１部品Ｅ１とは別の部品である第２部品Ｅ２が搭載される導体パッド（第２導体パッド）である。なお「別の部品」は、単に第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とが別個の部品であることを意味し、必ずしも異種の部品であることを意味しない。第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とは、同種の部品であってもよく、互いに異なる機能を有する部品であってもよい。配線基板１に搭載される第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２は、例えば、マイコンやメモリなどの半導体集積回路装置のような電子部品であり得る。

第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が搭載される配線基板１の第１面１ｆは、第１部品Ｅ１が配置される領域である部品搭載領域Ａ１、及び、第２部品Ｅ２が配置される領域である部品搭載領域Ａ２を有している。図１及び図２の例では、複数の導体パッド７１は、全て、部品搭載領域Ａ１に設けられており、複数の導体パッド７２は、全て、部品搭載領域Ａ２に設けられている。なお、図２では、絶縁層３４よりも上側の構成要素の描画は省略されて導体パッド７１及び導体パッド７２だけが示されている。

図１の配線基板１は、さらに、導体パッド７１又は導体パッド７２の表面上に形成されている複数の導体ポスト５を含んでいる。導体ポスト５は、絶縁層３５を貫通して、配線基板１の第１面１ｆを構成する絶縁層３５の上面から突出している。絶縁層３５の上面には、導体層は形成されておらず、導体ポスト５以外の導電体は存在しない。導体ポスト５によって、配線基板１に搭載される部品（図１の例では第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と導体パッド７１又は導体パッド７２とが接続される。導体ポスト５を介して第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が配線基板１に接続されるので、各部品の搭載が容易になることや、導体パッド７１同士の短絡や導体パッド７２同士の短絡が防がれることがある。

導体ポスト５における導体層２５と反対側の端面には、導体ポスト５の端面の保護層として、及び／又は、第１部品Ｅ１若しくは第２部品Ｅ２と導体ポスト５との接合層として、機能し得る機能層６が形成されている。機能層６は、例えばニッケル、すず、パラジウム、又は金などのめっき膜によって形成されている。

導体層２５は、導体パッド７１及び導体パッド７２以外にも、導体パターン１７及び複数の配線パターン１５を含んでいる。図１に示されるように導体パターン１７は、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続している。配線パターン１５は、図示されていないが、導体層２１～２５のいずれかが含む任意の導体パッド同士を接続して電気信号を伝播させる信号線路である。

導体層２４は複数の配線パターン１４を含み、導体層２３は導体パターン１６及び複数の配線パターン１３を含み、そして導体層２２は複数の配線パターン１２を含んでいる。導体層２３が含む導体パターン１６の両端は、それぞれ、ビア導体４を介して１つの導体パッド７１及び１つの導体パッド７２に接続されている。これら導体パッド７１と導体パッド７２とは、導体パターン１６を介して互いに接続されている。導体層２４が含む複数の配線パターン１４、導体層２３が含む複数の配線パターン１３、及び、導体層２２が含む複数の配線パターン１２は、それぞれ、配線パターン１５と同様に、任意の導体パッド同士を接続して電気信号を伝播させる信号線路である。

導体層２２が含む複数の配線パターン１２は、第１信号配線１２ａと第２信号配線１２ｂによって形成されるペア配線を含んでいる。第２信号配線１２ｂは第１信号配線１２ａの隣に設けられていてもよい。同様に、導体層２３が含む複数の配線パターン１３は、第１信号配線１３ａと第２信号配線１３ｂによって形成されるペア配線を含んでいる。導体層２４が含む複数の配線パターン１４は、第１信号配線１４ａと第２信号配線１４ｂによって形成されるペア配線を含んでいる。導体層２５が含む複数の配線パターン１５は、第１信号配線１５ａと第２信号配線１５ｂによって形成されるペア配線を含んでいる。

一方、図１の例において配線基板１の第２面１ｓ側の最も外側の導体層である導体層２１は、導体パッド７３を含んでいる。導体パッド７３は、配線基板１の外部の導電体（図示せず）に接続される導体パッド（第３導体パッド）である。導体パッド７３と接続される外部の導電体は、例えば、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と同様に半導体集積回路装置のような電子部品の電極であり得る。導体パッド７３は、半導体集積回路装置に限らず、任意の電子部品の電極や、電子機器のマザーボードのような配線基板１以外の配線基板のパッド、又は任意の導電性の機構部品などと、接続され得る。

図１の例では、導体層２５の導体パッド７１と導体層２１の導体パッド７３とが、積層されている複数のビア導体４（所謂スタックビア導体）を介して接続されている。同様に、導体パッド７２と導体パッド７３とが、積層されている複数のビア導体４を介して接続されている。そのため、導体パッド７１及び導体パッド７２と、導体パッド７３とが、略最短距離で接続されている。従って、配線基板１の使用時には、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と、例えばマザーボードのような導体パッド７３と接続される部材とが、短い経路で接続され得る。そのため意図通りの電気的特性が得られ易いと考えられる。なお、図１の例と異なり、導体パッド７１及び導体パッド７２のいずれか一方だけが、所謂スタックビア導体を介して導体パッド７３と接続されていることもあり、導体パッド７１、７２のいずれもが導体パッド７３と接続されていないこともある。

図２には、導体層２４が含む複数の配線パターン１４が破線で示されている。図２に示されるように、複数の配線パターン１４は、それぞれ、複数の導体パッド７１の１つの真下と、複数の導体パッド７２の１つの真下との間に延びている。そして、各配線パターン１４の両端は、それぞれ、ビア導体４を介して、導体パッド７１又は導体パッド７２に接続されている。すなわち、複数の導体パッド７１のいずれかと、複数の導体パッド７２のいずれかとは、配線パターン１４を介して接続されている。

このように、実施形態の配線基板１が含む複数の導体層（図１の例では導体層２１～２５）は、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続する配線パターンを含む導体層（図１及び図２の例では配線パターン１４を含む導体層２４）を含んでいる。なお、実施形態の説明では、第１部品Ｅ１が搭載される導体パッド７１のような第１導体パッドと、第２部品Ｅ２が搭載される導体パッド７２のような第２導体パッドとを接続する、配線パターン１４のような配線パターンは、他の配線パターンとの区別のために適宜「第１配線パターン」とも称される。また、「第１配線パターン」を含む導体層２４のような導体層は、他の導体層との区別のために適宜「第１導体層」とも称される。

前述したように、導体パターン１６及び導体パターン１７も、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続している。導体パターン１６、１７は、所謂グランドプレーンや電源プレーンとして機能する、又は配線パターン１４のシールドとして機能する、所謂ベタパターンであり得る。しかし、導体パターン１６、１７は、配線パターン１４のように電気信号を伝播させる配線パターンであってもよい。導体パターン１６、１７が配線パターンである場合、導体パターン１６、１７も、それぞれ「第１配線パターン」であり得る。配線パターン１２、配線パターン１３、及び、配線パターン１５も、それぞれが導体パッド７１と導体パッド７２とを接続していてもよく、その場合は、配線パターン１２、１３、１５も「第１配線パターン」であり得る。従って、導体層２２、２３、２５も、それぞれ「第１導体層」であり得る。すなわち、実施形態の配線基板は「第１配線パターン」を含む１以上の任意の数の「第１導体層」を含み得る。また「第１導体層」は１以上の任意の数の「第１配線パターン」を含み得る。

そして実施形態の配線基板において、配線基板１の導体層２４のような「第１導体層」における第１面１ｆ側の表面２４ａは、研磨で仕上げられた状態を有する研磨面であってもよい。そのため表面２４ａは、例えば、金属の析出によって形成されたままのめっき膜の面粗度よりも低い面粗度を有し得る。そのため、導体層２４が含む配線パターン１４などでは、高周波信号の伝送において見られる表皮効果による実質的な導体抵抗の増大による信号伝送特性の低下や電圧降下の増大が生じ難いと考えられる。例えば、導体層２４のような「第１導体層」が第１面１ｆ側の表面として有する研磨面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。そのような面粗度が得られていると、上記のような伝送特性に関する好ましい効果が得られることがある。

また、研磨面である表面２４ａは、導体層２４全体に渡って均一な高さ（例えば第２面１ｓからの距離）を有し易い。そのため、導体層２４上に形成されるビア導体４の高さも揃いやすく、さらにその上に形成される導体ポスト５の高さも揃い易い。結果として、第１部品Ｅ１及び／又は第２部品Ｅ２が安定して配線基板１に搭載されると考えられる。また、表面２４ａが研磨面であると、配線パターン１４などの厚さが、その全長に渡って略一定になり易く、もって、配線パターン１４の特性インピーダンスに変動が生じ難い。そのため、配線パターン１４における反射損失が抑制されることがある。

図３に示されるように、配線基板１の導体層２４が含む配線パターン１４は、配線幅Ｗ１、及び隣接する配線パターン１４との間に間隔Ｇを有している。本実施形態では、配線パターン１４のような導体パッド７１と導体パッド７２とを接続する配線パターンを含む導体層２４のような「第１導体層」は、実施形態の配線基板が含む配線パターンの中で、比較的微細なピッチで配置される配線パターンを含んでいる。本実施形態の配線基板において「第１導体層」が含む配線パターンの配線幅Ｗ１の最小値は１μｍ以上、３μｍ以下であり、その配線パターン同士の間隔Ｇの最小値は１μｍ以上、３μｍ以下である。すなわち、「第１導体層」は、３μｍ以下の配線幅を有し、且つ、隣接する配線パターンとの間に３μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいる。図１～図３の例では、第１配線パターンである配線パターン１４の配線幅Ｗ１が１μｍ以上、３μｍ以下であり、配線パターン１４同士の間隔Ｇが１μｍ以上、３μｍ以下である。

本実施形態では、導体層２４のような「第１導体層」が、このように微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有する配線パターンを含み、特に、配線パターン１４のような「第１配線パターン」が微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有している。そのため、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とが、占有面積の小さい複数の信号線路で接続されると考えられる。従って、実施形態の配線基板１は、従来の配線基板と比べて小さく実現され得ることがある。また、部品と接続される導体パッド間に、このように微細な配線幅及び配線間隔の配線パターンを有する実施形態の配線基板の設計では、２つの部品の配置に関する自由度が高いことがある。

加えて、本実施形態では、このように微細な配線幅を有し得る配線パターン１４のような「第１配線パターン」は、配線幅Ｗ１よりも大きな厚さＴを有している。そのため、本実施形態において第１配線パターンは、比較的大きなアスペクト比（第１配線パターンの厚さＴ／第１配線パターンの幅Ｗ１）を有している。具体的には、配線パターン１４のような「第１配線パターン」のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。このようなアスペクト比を有する第１配線パターンは、小さな配線幅の割に低い導体抵抗を有し得る。そのため、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続する配線パターン１４の挿入損失が低いと考えられる。そのため、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２との間で、少ない伝送損失で信号を伝播させることができ、すなわち良好な伝送効率が得られることがある。また、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とを接続する信号線路において所望の特性インピーダンスがされ易く、さらに挿入損失を低減し得ることがある。

図１～図３の例において第１配線パターンである配線パターン１４の厚さＴ、すなわち、第１導体層である導体層２４の厚さは、４μｍ以上、７μｍ以下であり得る。このような厚さが得られていると、実施形態の配線基板の厚さを顕著に増大させずに、前述したような挿入損失の低減などの効果が得られることがある。

前述したように、本実施形態では、導体層２２～２５のいずれもが、比較的微細なピッチで配置される配線パターン１４のような配線パターンを含み得る。そのため、小さなピッチで並ぶビア導体４、すなわち、小さな幅を有するビア導体４が好ましいことがあり、その観点から、大きなアスペクト比を有するビア導体４が好ましいことがある。実施形態の配線基板１では、ビア導体４のアスペクト比は、例えば、０．５以上、１．０以下であり得る。微細なピッチで並ぶ配線パターン１４のような配線パターンが、その配線パターンを含む導体層と異なる導体層の配線パターンと、導体層間の接続部においても比較的微細なピッチを保って接続され得ることがある。なお、ビア導体４のアスペクト比は、図３に示される、（ビア導体４によって接続される２つの導体層のＺ方向における間隔Ｄ）／（第１面１ｆ側の導体層との界面におけるビア導体４の幅Ｗ２）である。

前述したように、配線基板１では、導体層２２、２３、２５も「第１導体層」であり得る。従って、実施形態の配線基板１が含む複数の導体層のうちの第２面１ｓ側の最も外側の導体層（図１～図３の例における導体層２１）を除く全てにおいて、第１面１ｆ側の表面が研磨面であってもよい。各導体層において、前述したような良好な伝送特性などの効果が得られることがある。また、前述したように、導体層２２、２３、２５も、導体層２４の配線パターン１４のような「第１配線パターン」を含み得る。従って、実施形態の配線基板１が含む複数の導体層のうちの第２面１ｓ側の最も外側の導体層を除く全てが、１μｍ以上、３μｍ以下の配線幅及び２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有する配線パターンを含んでいてもよい。さらに、第２面１ｓ側の最も外側の導体層を除く全ての導体層が、隣接する配線パターンとの間に１μｍ以上、３μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいてもよい。各導体層において挿入損失の小さい配線パターンが得られ、加えて、実施形態の配線基板が、一層高い自由度の下で設計され、そして従来の配線基板と比べて一層小さく実現され得ることがある。

絶縁層３１～３４は、２つの導体層の間に介在する層間絶縁層である。絶縁層３１～３４は、それぞれ、樹脂４０と無機粒子５０によって形成されている。樹脂４０は絶縁性樹脂である。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂、及び、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性樹脂が例示される。無機粒子５０はフィラーとして機能する。無機粒子５０は例えばシリカやアルミナである。絶縁層３１～３４は、図示されないガラス繊維などの補強材（芯材）を含んでいてもよい。しかし、補強材を含まない方が、微細なピッチで並ぶ配線パターンの形成の容易性の面で、好ましいことがある。

絶縁層３１～３４に含まれる無機粒子５０としては、粒径（無機フィラーの表面上の２点間の最長距離）の小さな無機フィラーが好ましいと考えられる。無機粒子５０の粒径は１μｍ以下であることが好ましい。各絶縁層に含まれる無機粒子５０の粒径が小さいと、例えば、配線パターン１４のように、微細なピッチで並ぶ配線パターン間においても、無機粒子５０に沿ったリーク経路などによる短絡不良が生じ難いことがある。また、微小なビア導体４の形成などが容易なことがある。

絶縁層３１～３４の第１面１ｆ側の表面（上面）は、樹脂４０のみで形成されている。絶縁層３１～３４の上面から無機粒子５０は露出しない。絶縁層３１～３４の上面は無機粒子５０の表面を含まない。絶縁層３１～３４の上面には凹凸が形成されていない。絶縁層３１～３４の上面は荒らされていない。絶縁層３１～３４の上面は平滑に形成されている。

一方、絶縁層３１～３４のうち、ビア導体４用の開口３の内壁面には無機粒子５０が露出する。開口３の内壁面は無機粒子５０の表面を含む。開口３の内壁面は凹凸を有する。開口３の内壁面は樹脂４０の露出面と無機粒子５０の露出面で形成される。

絶縁層３１～３４の厚さは、それぞれの上面に設けられる導体層２２～２５の厚さの２倍以上である。絶縁層３１～３４の厚さは、上面と直下の導体層２１～２４の上面の間の距離である。例えば絶縁層３４の厚さは、上面と導体層２４の上面の間の距離（図３中の距離Ｄ）である。

また、配線基板１に含まれる導体層２１～２５それぞれが含む配線パターンにおいて良好な高周波信号の伝送特性を得るべく、低い誘電率及び誘電損失を有している絶縁層３１～３４が好ましい。例えば、５．８ＧＨｚの周波数において絶縁層３１～３４それぞれの比誘電率は、３．０以上、４．０以下程度であり、誘電正接は、０．００１以上、０．００５以下程度である。

導体層２５を覆う絶縁層３５は、ソルダーレジストとして機能する絶縁層である。絶縁層３５は、絶縁層３１～３４と主成分又は添加剤が異なる材料で形成されている。例えば絶縁層３５は、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されていてもよい。他の例では、絶縁層３５は、絶縁層３１～３４と同様の絶縁性樹脂を用いて形成されてもよい。

導体層２１～２５、ビア導体４、及び導体ポスト５は、例えば銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。

図３の例において、導体層２１は、例えば電解めっき膜からなる１層の金属膜で形成されている。導体層２１は絶縁層３１に埋め込まれて第２面１ｓ側の表面だけを露出させている。一方、導体層２２～２５、及び導体ポスト５は、それぞれ、シード層２０ａと、シード層２０ａ上に形成されている電解めっき層２０ｂとを含んでいる。電解めっき層２０ｂは、全面的に、シード層２０ａの上に、すなわち、配線基板１の第１面１ｆ側に形成されている。電解めっき層２０ｂにおける第１面１ｆ側の表面が、前述した導体層２２～２５それぞれが有し得る研磨面である。

シード層２０ａは、スパッタリングによって形成される金属膜（スパッタ膜）からなる。電解めっき層２０ｂは、シード層２０ａを給電層として用いる電解めっきによって形成される金属膜からなる。シード層２０ａは、電解めっき層２０ｂと、各導体層の下側の各絶縁層との間に介在している。シード層２０ａがスパッタ膜からなる場合、導体層２２～２５及び導体ポスト５それぞれと絶縁層３１～３５それぞれとの強固な密着性が得られていることがある。また、導体層２２～２５及び導体ポスト５それぞれの上面の平坦性が高いことがある。

図３に示されるように、機能層６も多層構造を有し得る。図３の例において機能層６は、導体ポスト５における導体層２５と反対側の端面（上面）上に直接形成されている下層６１と、下層６１上に形成されている上層６２とを有している。上層６２は、例えば、すず、パラジウム、金、又はこれらの合金によって形成されている。上層６２は、導体ポスト５の保護膜、及び／又は、導体ポスト５と第１部品Ｅ１又は第２部品Ｅ２（図１参照）との接合材として機能する。下層６１は、例えばニッケルなどの適切な性状を有する金属で形成されており、上層６２と導体ポスト５との間のバリア膜及び／又は両者の密着性の強化膜として機能し得る。

図４には、本実施形態の配線基板１の変形例である配線基板１ａが示されている。図４は、配線基板１ａにおける、図１に示される配線基板１の断面図と同様の箇所での断面図である。図４に示されるように、配線基板１ａは、図１の例の配線基板１に加えて、支持体８を含んでいる。図４の例の配線基板１ａは、支持体８を備えている点を除いて、図１の例の配線基板１と同様の構造を有している。従って、既に説明された図１の配線基板１の各構成要素と共通の構成要素には、図４において、図１に付されている符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、それらの構成要素についての説明は省略される。

図４に示されるように、支持体８は、図１の例の配線基板１の第２面１ｓに付着している。換言すると、支持体８の一面上に配線基板１が形成されている。図４の例の支持体８は、基材８１と、基材８１の両面それぞれに積層されている第１金属膜層８２と、第１金属膜層８２上に形成されている剥離層８３と、剥離層８３上に積層されている第２金属膜層８４と、を含んでいる。

基材８１は、例えば、適切な剛性を有するガラス、シリコンなどの無機素材、又は、ガラス繊維などの補強材に含侵されたエポキシ樹脂などの有機素材からなる。第１金属膜層８２及び第２金属膜層８４は、例えば、銅、又は銅／チタン合金、などの任意の金属で構成され得る。剥離層８３は、第１金属膜層８２と第２金属膜層８４同士を、所定の状況下で付着させることができ、そして、特定の処理を受けることによって、付着している第１金属膜層８２と第２金属膜層８４とを分離させることが可能な任意の材料で形成されている。例えば、特定の処理によって、軟化又は脆弱化したり、粘着性を喪失したりする材料が、剥離層８３に用いられる。剥離層８３は、例えば加熱によって軟化する熱可塑性の接着剤や、紫外線の照射によって変質する感光性の接着剤などで形成され得る。なお、絶縁層３１と第２金属膜層８４とは、例えば絶縁層３１の形成時の絶縁層３１自身の粘着性によって付着しており、導体層２１と第２金属膜層８４とは、例えばめっきによる導体層２１の形成時の金属間結合によって付着している。

支持体８は、配線基板１よりも高い剛性を有している。そのため支持体８によって配線基板１が支持される。従って、図４の例の配線基板１ａには、安定して、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１参照）のような部品が実装され得る。さらに、実装された部品の樹脂などによる封止も容易に行われ得る。配線基板１を含む、例えばマルチチップパッケージデバイスのような、高集積度且つ小型の半導体集積回路装置が容易に製造されると考えられる。なお、部品実装後又は封止後に、例えば前述した加熱や紫外線照射などの適切な処理を経て第１金属膜層８２と第２金属膜層８４とが剥離層８３を境に分離される。配線基板１側に残る第２金属膜層８４は、例えばエッチングなどによって除去され得る。図４に例示の支持体８は、本実施形態の配線基板１ａが含み得る支持体の一例に過ぎない。配線基板１を支持し得る、任意の材料、構造、及び形体の部材が、支持体８として用いられ得る。

［実施形態の配線基板１の製造方法］
つぎに、図５Ａ～図５Ｊを参照して、図１に例示の配線基板１が製造される場合を例に、本実施形態の配線基板を製造する方法の一例が説明される。なお、先に為された配線基板１の各構成要素の材料の説明と異なる説明がない限り、各構成要素は、各構成要素について先に説明された材料のいずれかを用いて形成され得る。

図５Ａに示されるように、支持体８が用意され、その一面８ａに導体層２１が形成される。図５Ａに示される例では、先に参照された図４に例示の支持体８が用意されている。すなわち、図５Ａの例では、先に説明されたように、基材８１と、第１金属膜層８２と、剥離層８３と、第２金属膜層８４と、を含む支持体８が用意されている。

導体層２１は、例えば、電解めっきを用いるパターンめっきによって形成される。支持体８の一面８ａを構成する第２金属膜層８４上に、導体層２１に含まれるべき導体パッド７３などの導体パターンの形成位置に応じた開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、第２金属膜層８４を給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内に銅などの金属が析出され、その析出される金属からなる導体パターンを含む導体層２１が形成される。その後めっきレジストが除去される。なお、めっきレジストの除去の前に導体層２１の上面（支持体８と反対側の表面）が、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの任意の方法により研磨されてもよい。導体層２１においても、前述したように良好な伝送特性が得られることがある。この研磨の際には、除去される前のめっきレジストの上面付近が、導体層２１の上面と共に研磨されてもよい。

図５Ｂに示されるように、第２金属膜層８４と導体層２１上に絶縁層３１と保護膜９０が形成される。絶縁層３１の下面が第２金属膜層８４の上面と対向している。絶縁層３１の上面（第１面１ｆ側の表面）上に保護膜９０が形成されている。絶縁層３１の上面は樹脂４０のみで形成されている。絶縁層３１の上面から無機粒子５０は露出しない。絶縁層３１の上面は無機粒子５０の表面を含まない。絶縁層３１の上面には凹凸が形成されていない。なお、図５Ｂ、及び、以下で参照される図５Ｃ～図５Ｊでは、支持体８の一面８ａ側と反対側の描写は省略されている。しかし、支持体８の一面８ａ側と反対側においても、図５Ａに示される工程で導体層２１が形成され、さらに、図５Ｂ～図５Ｊを参照して説明される処理や各構成要素の形成が行われてもよい。

保護膜９０は絶縁層３１の上面を完全に覆っている。保護膜９０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜９０と絶縁層３１との間に離型剤（図示しない）が形成されている。

図５Ｃに示されるように、保護膜９０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜９０と絶縁層３１を同時に貫通する。導体層２１のパッドに至るビア導体用の開口３が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口３によりパッドが露出される。開口３が形成される時、絶縁層３１の上面は保護膜９０で覆われている。そのため、開口３が形成される時、樹脂が飛散しても、絶縁層３１の上面に樹脂が付着することが抑制される。

その後、開口３内が洗浄される。開口３内を洗浄することにより開口３形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口３内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。プラズマにより、樹脂４０が選択的に除去される。プラズマは無機粒子５０より樹脂４０を早く除去する。開口３の内壁面はプラズマで荒らされる。

開口３内を洗浄することにより、開口３の内壁面には無機粒子５０が露出する（図５Ｃ）。開口３の内壁面は無機粒子５０の表面を含む。開口３の内壁面には凹凸が形成される。一方、絶縁層３１の上面は保護膜９０で覆われている。絶縁層３１の上面はプラズマの影響を受けない。絶縁層３１の上面は樹脂４０のみで形成されている。絶縁層３１の上面から無機粒子５０は露出しない。絶縁層３１の上面は無機粒子５０の表面を含まない。絶縁層３１の上面には凹凸が形成されない。絶縁層３１の上面は平滑に形成されている。

図５Ｄに示されるように、絶縁層３１から保護膜９０が除去される。保護膜９０除去後、絶縁層３１の上面を荒らすことは行われない。

図５Ｅに示されるように、絶縁層３１の上面上にシード層２０ａが形成される。シード層２０ａはスパッタリングによって形成される。シード層２０ａの形成はドライプロセスで行われる。シード層２０ａは開口３から露出するパッドの上面と開口３の内壁面にも形成される。シード層２０ａは銅で形成される。シード層２０ａはニッケルで形成されてもよい。スパッタリングでシード層２０ａが形成されると、絶縁層３１との間で高い密着性を示すシード層２０ａが形成されることがある。シード層２０ａの一部は、絶縁層３１上に形成される導体層２２のシード層２０ａ（図３参照）となり得る。

図５Ｆに示されるように、シード層２０ａ上に、開口Ｒ１１を有するめっきレジストＲ１が設けられる。めっきレジストＲ１は、例えばシード層２０ａ上へのドライフィルムレジストのラミネートにより形成され、開口Ｒ１１は、例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。開口Ｒ１１は、絶縁層３１上に形成される導体層２２（図３参照）が含むべき導体パターンに対応するパターンで形成される。

導体層２２に含まれる配線パターン１２（図３参照）などの各導体パターンは、前述したように、３μｍ以下の配線幅を有することがある。各開口Ｒ１１は、各開口Ｒ１１内に形成される配線パターン１２などの各導体パターンが有するべき配線幅に応じた開口幅で形成される。また、前述したように、導体層２２の配線パターンは、２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有することがある。従って、図５Ｆに例示の方法では、好ましくは、形成される配線パターンが有するべきアスペクト比を満たす配線パターンの厚さ（高さ）以上の厚さ（高さ）を有するめっきレジストＲ１が形成される。

シード層２０ａを給電層として用いる電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなる電解めっき層２０ｂがめっきレジストＲ１の開口Ｒ１１内に形成される。電解めっき層２０ｂの一部は、絶縁層３１上に形成される導体層２２の電解めっき層２０ｂ（図３参照）となり得る。絶縁層３１の開口３内にはビア導体４が形成される。電解めっき層２０ｂは、図５Ｆの例のように、開口Ｒ１１内を全て充填し、さらにめっきレジストＲ１の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。所望の厚さ及びアスペクト比を有する導体パターンをより確実に形成し得ることがある。

図５Ｇに示されるように、電解めっき層２０ｂの上面側の一部が研磨によって除去される。少なくともめっきレジストＲ１の上面からの電解めっき層２０ｂの突出部分は除去される。電解めっき層２０ｂは、シード層２０ａとの合計の厚さが、絶縁層３１上に形成される導体層２２（図５Ｅ参照）に求められる厚さに達するまで、例えば、７μｍ以下となるように研磨される。図５Ｄの例のように、めっきレジストＲ１の上面側の一部も電解めっき層２０ｂの一部と共に除去されてもよい。電解めっき層２０ｂの研磨は、例えばＣＭＰなどの任意の方法により行われる。研磨の結果、電解めっき層２０ｂの上面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。

電解めっき層２０ｂの研磨後、めっきレジストＲ１が除去される。さらに、シード層２０ａのうちの電解めっき層２０ｂに覆われていない部分が、例えばクイックエッチングなどによって除去される。

その結果、図５Ｈに示されるように、配線パターン１２などの互いに分離された所定の導体パターンを含む導体層２２が得られる。

図５Ｉに示されるように、絶縁層３１及び導体層２２の上に、絶縁層３２～３４及び導体層２３～２５が交互に形成される。絶縁層３２～３４は、例えば絶縁層３１の形成方法と同様の方法で形成され得る。また、導体層２３～２５は、例えば導体層２２の形成方法と同様の方法で形成され得る。導体層２３～２５は、それぞれ、導体層２２に対するめっきレジストＲ１（図５Ｃ参照）のような、配線パターン１３～１５などの各導体層が含むべき導体パターンに対応する開口を有するめっきレジストを用いて形成される。

図５Ｊに示されるように、導体層２５及び絶縁層３４の上に絶縁層３５が形成される。絶縁層３５は、ソルダーレジストとして機能する絶縁層である。絶縁層３５は、例えば、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いたスプレーイングやカーテンコーティングなどの方法で形成される。導体ポスト５（図５Ｊ参照）が形成される。導体ポスト５は、例えばセミアディティブ法などの一般的な導体層の形成方法によって形成され得る。導体ポスト５の形成の際は、先に説明された導体層２２の形成方法と同様の研磨を含む。

導体ポスト５の上に機能層６が形成される。機能層６は、例えば電解めっきによって形成される。例えば、ニッケル、すず、パラジウム、又は金などからなる１層又は２層以上の金属膜が、機能層６として形成される。電気的に分離された個々の導体ポスト５と機能層６が得られる。

支持体８が除去される。例えば、加熱や紫外線の照射などによって、支持体８に備えられている剥離層８３の粘着性が喪失されたり、剥離層８３自体が軟化している状態で、基材８１及び第１金属膜層８２が、第２金属膜層８４から引き離される。その後、第２金属膜層８４が、エッチングなどによって除去される。導体層２１及び絶縁層３１における導体層２２と反対側の表面が露出する。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１が完成する。

なお、図４に例示の配線基板１ａが製造される場合は、導体層２５及び絶縁層３４の上に絶縁層３５、導体ポスト５、機能層６が形成される工程までを経ることによって配線基板１ａが完成する。

図６には、図４に例示の配線基板１ａを用いた電子部品（マルチチップパッケージデバイス）の製造工程内の状態の一例が示されている。図６に示されるように、マルチチップパッケージデバイスＥＭの製造工程では、配線基板１ａに、例えばマイコンやメモリなどである第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が、リフロー処理やフリップチップボンディングなどによって実装される。すなわち、支持体８を備えたままの配線基板１ａに第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が実装される。導体層２５などの各導体層及び絶縁層３５などの各導体層が支持体８に支持されているので、安定した状態で第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２を実装することができる。従って、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と配線基板１ａとが良好な品質と高い信頼性を備えて接続され得ると考えられる。

図６の例では、さらに、エポキシ樹脂などを含むモールド樹脂Ｍによって第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が封止されている。第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２は例えばトランスファモールドやコンプレッションモールドによって封止される。この封止工程も、配線基板１ａが支持体８を備えた状態で行われ得る。そのため、封止時の部品実装済み配線基板１ａの取り扱いが容易であり、成型機内での配線基板１ａの挙動も少なく安定した状態で第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が封止されると考えられる。従って、樹脂封止に関する不具合の発生が少ないと考えられる。

実施形態の配線基板１、１ａ（図１、図４）では、絶縁層３１～３４の第１面１ｆ側の表面（上面）は樹脂４０で形成されている。絶縁層３１～３４の上面には無機粒子５０が露出しない。絶縁層３１～３４の上面には凹凸が形成されない。絶縁層３１～３４の上面近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。絶縁層３１～３４の上面の比誘電率は場所によって大きく変わらない。導体層２２（２３、２４、２５）が含む複数本の配線パターン１２（１３、１４、１５）のそれぞれが絶縁層３１（３２、３３、３４）の上面に接していても、隣り合う２本の配線パターン１２（１３、１４、１５）間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。即ち、第１信号配線１２ａ（１３ａ、１４ａ、１５ａ）と第２信号配線１２ｂ（１３ｂ、１４ｂ、１５ｂ）の間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態の配線基板１、１ａではノイズが抑制される。実施形態の配線基板１、１ａにロジックＩＣである第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が実装されても、第１信号配線１２ａ（１３ａ、１４ａ、１５ａ）で伝達されるデータと第２信号配線１２ｂ（１３ｂ、１４ｂ、１５ｂ）で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線１２ａ（１３ａ、１４ａ、１５ａ）の長さと第２信号配線１２ｂ（１３ｂ、１４ｂ、１５ｂ）の長さが５ｍｍ以上であっても、伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線１２ａ（１３ａ、１４ａ、１５ａ）の長さと第２信号配線１２ｂ（１３ｂ、１４ｂ、１５ｂ）の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有する配線基板１、１ａが提供される。

実施形態の配線基板１、１ａ（図１、図４）では、絶縁層３１～３４の厚さは、それぞれの上面に設けられる導体層２２～２５の厚さの２倍以上である。配線基板１、１ａがヒートサイクルを受けると、開口３の内壁面とビア導体４の間に加わるストレスは、絶縁層３１～３４の上面と導体層２２～２５の間に加わるストレスより大きいと考えられる。また、開口３の内壁面は凹凸を有する。そのため、開口３の内壁面とビア導体４間の密着強度は、絶縁層３１～３４の上面と導体層２２～２５間の密着強度より高い。ビア導体４が絶縁層３１～３４から剥離し難い。導体層２２～２５が絶縁層３１～３４から剥離し難い。

実施形態の配線基板１、１ａ（図１、図４）では、導体層２２～２５のシード層２０ａはスパッタリングで形成される（図５Ｅ）。シード層２０ａを形成する粒子は絶縁層３１～３４の上面と垂直に衝突する。そのため、絶縁層３１～３４とシード層２０ａとの密着強度は高い。一方、シード層２０ａを形成する粒子と開口３の内壁面は斜めに衝突する。ただし、開口３の内壁面は凹凸を有する。そのため、シード層２０ａと開口３の内壁面間の密着強度は高い。絶縁層３１～３４が凹凸を有していなく、且つ、開口３の内壁面が凹凸を有しても、導体層２２～２５と絶縁層３１～３４の上面との間の密着強度とビア導体４と開口３の内壁面との間の密着強度の差を小さくすることができる。導体層２２～２５と絶縁層３１～３４の上面との間の界面にストレスが集中し難い。ビア導体４と開口３の内壁面との間の界面にストレスが集中し難い。配線基板１、１ａがヒートサイクルを受けても、ビア導体４が絶縁層３１～３４から剥離し難い。高い品質を有する配線基板１、１ａが提供される。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実装部品が搭載される導体パッド同士を接続する配線パターン（第１配線パターン）は、１以上の任意の数の導体層に形成され得る。図１に例示の配線基板１が備える導体ポスト５及び機能層６は、実施形態の配線基板に必ずしも備えられない。図４などに例示の支持体８は、図４などに示される構造を必ずしも有しない。支持体８は、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層を少なくとも製造工程において求められる安定性で支持することができ、且つ、所望の時期に意図的に除去できるものであれば、その構造や材料について特に限定されない。

１、１ａ：配線基板
１ｆ：第１面
１ｓ：第２面
３：開口
４：ビア導体
８：支持体
１２～１５：配線パターン
１２ａ、１３ａ、１４ａ、１５ａ：第１信号配線
１２ｂ、１３ｂ、１４ｂ、１５ｂ：第２信号配線
２０ａ：シード層
２０ｂ：電解めっき層
２１～２５：導体層
３１～３５：絶縁層
４０：樹脂
５０：無機粒子
７１：導体パッド（第１導体パッド）
７２：導体パッド（第２導体パッド）
７３：導体パッド（第３導体パッド）
Ｅ１：第１部品
Ｅ２：第２部品

Claims (15)

1. 第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、
   交互に積層されている複数の導体層及び複数の絶縁層と、
   前記複数の絶縁層のいずれかに設けられた開口内に形成され、前記複数の導体層の各導体層同士を接続するビア導体と、を含む配線基板であって、
   前記複数の導体層のうちの前記第１面側の最も外側の導体層は、第１部品が搭載される第１導体パッド、及び、第２部品が搭載される第２導体パッドを含み、
   前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含み、
   前記複数の絶縁層は、無機粒子と樹脂によって形成されており、
   前記複数の導体層で覆われる前記複数の絶縁層の前記第１面側の表面は、前記樹脂で形成されている。
2. 請求項１の配線基板であって、前記開口の内壁面は前記樹脂と前記無機粒子の表面で形成されている。
3. 請求項１の配線基板であって、前記複数の絶縁層の厚さは前記複数の導体層の厚さの２倍以上である。
4. 請求項１の配線基板であって、前記複数の導体層は、シード層と前記シード層上に形成されている電解めっき層によって形成されており、前記シード層はスパッタリングによって形成されている。
5. 請求項１の配線基板であって、前記複数の導体層は、第１信号配線と第２信号配線によって形成されるペア配線を含んでいる。
6. 請求項１の配線基板であって、前記複数の絶縁層の前記第１面側の表面は前記無機粒子の表面を含まない。
7. 請求項６の配線基板であって、前記複数の絶縁層の前記第１面側の表面は前記樹脂のみで形成されている。
8. 請求項６の配線基板であって、前記複数の絶縁層の前記第１面側の表面から前記無機粒子は露出しない。
9. 請求項１の配線基板であって、前記第１導体層に含まれる配線パターンの最小の配線幅は３μｍ以下であり、前記第１導体層に含まれる配線パターン同士の最小の間隔は３μｍ以下である。
10. 請求項１の配線基板であって、前記第１配線パターンのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
11. 請求項１の配線基板であって、前記第１配線パターンの配線幅は３μｍ以下であり、前記第１配線パターン同士の間隔は３μｍ以下である。
12. 請求項１１の配線基板であって、前記第１配線パターンの厚さは７μｍ以下である。
13. 請求項１記載の配線基板であって、前記ビア導体のアスペクト比は、０．５以上、１．０以下である。
14. 請求項１の配線基板であって、さらに、前記第２面に付着している支持体を含んでいる。
15. 請求項１の配線基板であって、前記複数の導体層のうちの前記第２面側の最も外側の導体層は、外部の導電体に接続される第３導体パッドを含み、前記第１導体パッド及び前記第２導体パッドのいずれか一方又は両方と前記第３導体パッドとが、積層されている複数の前記ビア導体を介して接続されている。

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