JP2024065409A - Wafer Processing Method - Google Patents

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Abstract

【課題】チッピングを低減できるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】保持ステップおよび加工溝形成ステップの前に、保護部材113を平坦化する平坦化ステップを実施している。このため、保持ステップにおいて、ウェーハ100の保護部材113側を保持テーブル41によって保持したときに、保護部材113を保持テーブル41に密着させることができる。これにより、保持テーブル41からの微小な浮きがウェーハ100に発生することを、抑制することができる。したがって、加工溝形成ステップにおいて、切削ブレード32にウェーハ100が接触したときに、ウェーハ100が動いてしまうことを防止できる。このため、ウェーハ100にチッピングが発生することを抑制することができる。【選択図】図5[Problem] To provide a wafer processing method capable of reducing chipping. [Solution] A planarization step for planarizing a protective member 113 is carried out before the holding step and the machined groove forming step. Therefore, when the protective member 113 side of the wafer 100 is held by the holding table 41 in the holding step, the protective member 113 can be brought into close contact with the holding table 41. This makes it possible to prevent the wafer 100 from slightly floating from the holding table 41. Therefore, when the wafer 100 comes into contact with the cutting blade 32 in the machined groove forming step, the wafer 100 can be prevented from moving. This makes it possible to prevent chipping from occurring on the wafer 100. [Selected Figure] Figure 5

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method.

ウェーハにおけるパターンが形成されている表面側に保護部材を形成し、ウェーハの保護部材側を保持テーブルによって保持して、ウェーハを裏面側から加工するプロセスがある。 There is a process in which a protective member is formed on the front side of the wafer, where the pattern is formed, and the protective member side of the wafer is held by a holding table, and the wafer is processed from the back side.

特開2020-157387号公報JP 2020-157387 A

上記のような加工プロセスにおいて、パターンの段差が大きいと、保護部材にも段差が形成され、ウェーハに、保持テーブルからの微少な浮きが部分的に発生する場合がある。この状態で裏面側から分割溝を形成すると、ウェーハが動いてしまい、パターン面に大きなチッピングが発生することがある。 In the above processing process, if the step in the pattern is large, a step may also be formed in the protective material, causing the wafer to partially float slightly above the holding table. If dividing grooves are formed from the back side in this state, the wafer may move, causing large chipping on the pattern surface.

本発明の目的は、チッピングを低減できるウェーハの加工方法を提供することにある。 The object of the present invention is to provide a wafer processing method that can reduce chipping.

本研削装置のウェーハの加工方法(本加工方法)は、表面に複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインで区画されたデバイス領域と、が形成されたウェーハを、該分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの該表面に保護部材を形成する保護部材形成ステップと、該保護部材を平坦化する平坦化ステップと、該平坦化ステップの実施後に、該ウェーハの該保護部材側を保持テーブルによって保持し、該ウェーハの裏面側を露出させる保持ステップと、該保持ステップの実施後に、裏面側から該ウェーハに加工溝を形成する加工溝形成ステップと、を備えることを特徴とする。 The wafer processing method of this grinding device (this processing method) is a wafer processing method in which a wafer having a plurality of planned division lines and device regions partitioned by the planned division lines formed on its surface is processed along the planned division lines, and is characterized by comprising a protective member forming step of forming a protective member on the surface of the wafer, a planarizing step of planarizing the protective member, a holding step of holding the protective member side of the wafer by a holding table after the planarizing step and exposing the back side of the wafer, and a processing groove forming step of forming a processing groove in the wafer from the back side after the holding step is performed.

また、本加工方法では、該加工溝形成ステップでは、該ウェーハを分割して複数のチップを製造することを含んでいてもよい。 In addition, in this processing method, the processing groove forming step may include dividing the wafer to produce multiple chips.

また、本加工方法では、該平坦化ステップは、研削ホイールによって該保護部材が研削されることを含んでいてもよい。 In addition, in this processing method, the planarizing step may include grinding the protective member with a grinding wheel.

また、本加工方法では、該平坦化ステップは、バイト工具を有するバイト切削ユニットによって該保護部材が切削されることを含んでいてもよい。 In addition, in this processing method, the planarizing step may include cutting the protective member with a bit cutting unit having a bit tool.

また、本加工方法では、加工溝形成ステップにおいてウェーハを保持する該保持テーブルは、透明な部材として形成されていてもよく、該加工溝形成ステップは、該保持テーブルを介して撮像ユニットによってウェーハを撮像することにより、該分割予定ラインを検出することを含んでいてもよい。 In addition, in this processing method, the holding table that holds the wafer in the processing groove forming step may be formed as a transparent member, and the processing groove forming step may include detecting the planned division line by imaging the wafer with an imaging unit through the holding table.

また、本加工方法では、該保護部材形成ステップは、該保護部材によって、フレームの開口にウェーハを支持することを含んでいてもよい。 In addition, in this processing method, the protective member forming step may include supporting the wafer in the opening of the frame with the protective member.

本加工方法では、保持ステップおよび加工溝形成ステップの前に、保護部材の表面を平坦化する平坦化ステップを実施している。このため、保持ステップにおいて、ウェーハの保護部材側を保持テーブルによって保持したときに、保護部材を保持テーブルに密着させることができる。これにより、保持テーブルからの微小な浮きがウェーハに発生することを、抑制することができる。したがって、加工溝形成ステップにおいてウェーハが動いてしまうことを防止できる。このため、ウェーハにチッピングが発生することを抑制することができる。 In this processing method, a planarization step is carried out before the holding step and the machining groove forming step to planarize the surface of the protective member. Therefore, when the protective member side of the wafer is held by the holding table in the holding step, the protective member can be tightly attached to the holding table. This makes it possible to prevent the wafer from floating slightly from the holding table. Therefore, it is possible to prevent the wafer from moving in the machining groove forming step. This makes it possible to prevent chipping of the wafer.

図1(a)はウェーハを示す斜視図であり、図1(b)は、ウェーハを含むワークセットを示す斜視図である。FIG. 1A is a perspective view showing a wafer, and FIG. 1B is a perspective view showing a work set including the wafer. 加工システムを示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a processing system. ウェーハを含むワークセットを示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a work set including a wafer. 平坦化ステップを示す説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram showing a planarization step. 加工溝形成ステップを示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing a processing groove forming step. 平坦化ステップの他の例を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing another example of the planarizing step.

本実施形態にかかるチップ間隔形成方法では、被加工物として、図1(a)に示すようなウェーハ100が用いられる。ウェーハ100は、円形状であり、表面101および裏面102を有している。ウェーハ100の表面101には、第1の方向に延びる複数の第1分割予定ライン103、および、第1の方向に直交する第2の方向に延びる複数の第2分割予定ライン104が形成されている。また、ウェーハ100の表面101には、第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104によって区画されたデバイス領域が形成されており、各デバイス領域には、デバイス105が形成されている。 In the chip spacing forming method according to this embodiment, a wafer 100 as shown in FIG. 1(a) is used as the workpiece. The wafer 100 is circular and has a front surface 101 and a back surface 102. A plurality of first planned division lines 103 extending in a first direction and a plurality of second planned division lines 104 extending in a second direction perpendicular to the first direction are formed on the front surface 101 of the wafer 100. In addition, device regions partitioned by the first planned division lines 103 and the second planned division lines 104 are formed on the front surface 101 of the wafer 100, and devices 105 are formed in each device region.

本実施形態では、ウェーハ100は、図1(b)に示すように、ワークセット110の状態で取り扱われる。ワークセット110は、ウェーハ100を収容可能な開口112を有する環状のフレーム111と、フレーム111の開口112に位置づけられたウェーハ100とを、裏面102が露出されるように保護部材113によって一体化させることによって形成されている。 In this embodiment, the wafer 100 is handled in the state of a work set 110, as shown in FIG. 1(b). The work set 110 is formed by integrating an annular frame 111 having an opening 112 capable of accommodating the wafer 100 with the wafer 100 positioned in the opening 112 of the frame 111 using a protective member 113 so that the back surface 102 is exposed.

本実施形態では、ウェーハ100は、このようなワークセット110の状態で、図2に示す加工システム1において加工される。 In this embodiment, the wafer 100 is processed in the processing system 1 shown in FIG. 2 while in this state of the work set 110.

図2に示す加工システム1は、加工システム1は、ウェーハ100を加工するシステムであり、ウェーハ100を用いてワークセット110を形成するワークセット形成装置2、ウェーハ100を研削加工する研削装置4、ウェーハ100を切削加工する切削装置5、これらの間でウェーハ100を搬送する搬送装置6、および、これらの装置を制御する制御部7を備えている。 The processing system 1 shown in FIG. 2 is a system that processes a wafer 100, and includes a work set forming device 2 that uses the wafer 100 to form a work set 110, a grinding device 4 that grinds the wafer 100, a cutting device 5 that cuts the wafer 100, a transport device 6 that transports the wafer 100 between these devices, and a control unit 7 that controls these devices.

制御部7は、制御プログラムに従って演算処理を行うCPU、および、メモリ等の記憶媒体等を備えている。制御部7は、加工システム1の各部材を制御して、ウェーハ100の加工を実施する。 The control unit 7 includes a CPU that performs calculations according to a control program, and a storage medium such as a memory. The control unit 7 controls each component of the processing system 1 to process the wafer 100.

以下に、制御部7によって制御される、本実施形態にかかるウェーハ100の加工方法について説明する。この加工方法は、表面101に複数の分割予定ライン103および104と、分割予定ライン103および104で区画されたデバイス領域と、が形成されたウェーハ100を、分割予定ライン103および104に沿って加工する方法である。 The following describes a method for processing the wafer 100 according to this embodiment, which is controlled by the control unit 7. This processing method is a method for processing the wafer 100, which has a plurality of planned division lines 103 and 104 on the surface 101 and device regions defined by the planned division lines 103 and 104, along the planned division lines 103 and 104.

[保護部材形成ステップ]
まず、保護部材形成ステップが実施される。この保護部材形成ステップでは、ウェーハ100の表面101に保護部材113を形成する。すなわち、このステップでは、制御部7が、ワークセット形成装置2を用いて、保護部材113によって、フレーム111の開口112にウェーハ100を支持することにより、図1(b)に示したワークセット110を形成する。
[Protective member forming step]
First, a protective member forming step is performed. In this protective member forming step, a protective member 113 is formed on the front surface 101 of the wafer 100. That is, in this step, the control unit 7 uses the work set forming device 2 to support the wafer 100 in the opening 112 of the frame 111 with the protective member 113, thereby forming the work set 110 shown in FIG. 1B.

具体的には、まず、制御部7は、図1(b)に示したフレーム111の円形の開口112の内側に、ウェーハ100を位置づける。そして、制御部7は、ウェーハ100の表面101側から、ウェーハ100の表面101およびフレーム111に、図示しない貼着ローラ等により、保護部材113を貼着する。その後、フレーム111上で、保護部材113を切断する。これにより、ワークセット110が形成される。 Specifically, first, the control unit 7 positions the wafer 100 inside the circular opening 112 of the frame 111 shown in FIG. 1(b). Then, the control unit 7 adheres the protective member 113 to the surface 101 of the wafer 100 and the frame 111 from the surface 101 side of the wafer 100 using an adhesion roller or the like (not shown). After that, the protective member 113 is cut on the frame 111. This forms the work set 110.

本実施形態では、保護部材113は、糊層(粘着層)と基材層とが積層されたテープであり、保護部材113の糊層が、ウェーハ100の表面101およびフレーム111に貼着される。 In this embodiment, the protective member 113 is a tape in which an adhesive layer (sticky layer) and a base layer are laminated, and the adhesive layer of the protective member 113 is attached to the surface 101 of the wafer 100 and the frame 111.

なお、保護部材113は、糊層を有しない熱可塑性の樹脂から構成されたシートであってもよい。この場合、保護部材113は、たとえば、ポリオレフィン系シート、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、あるいは、ポリスチレンシートであることが好ましい。この場合、保護部材113は、フレーム111およびウェーハ100の表面101に、熱圧着によって貼着(固定)される。また、保護部材113は、紫外線硬化型や熱硬化型の液状樹脂がウェーハ100に塗布されて硬化した状態で形成されていてもよく、液状樹脂とテープ、または液状樹脂とシートとが重なった状態で形成されていてもよい。 The protective member 113 may be a sheet made of a thermoplastic resin without a glue layer. In this case, the protective member 113 is preferably, for example, a polyolefin sheet, a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, or a polystyrene sheet. In this case, the protective member 113 is attached (fixed) to the frame 111 and the surface 101 of the wafer 100 by thermocompression bonding. The protective member 113 may be formed by applying an ultraviolet-curing or thermosetting liquid resin to the wafer 100 and curing it, or may be formed by overlapping a liquid resin and a tape, or a liquid resin and a sheet.

このような保護部材形成ステップにより、図1(b)および図3に示すように、ウェーハ100、フレーム111および保護部材113を含むワークセット110が形成される。本実施形態では、ウェーハ100のウェーハ100に形成されているデバイス105が、TEG(test elementary group)などの段差の大きいパターンを含んでいる。このため、図3に示すように、この段差が保護部材113にも転写されて、保護部材113に凹凸114が形成されている。 By this protective member formation step, as shown in FIG. 1(b) and FIG. 3, a work set 110 including a wafer 100, a frame 111, and a protective member 113 is formed. In this embodiment, the device 105 formed on the wafer 100 includes a pattern with a large step such as a TEG (test elementary group). Therefore, as shown in FIG. 3, this step is also transferred to the protective member 113, and unevenness 114 is formed on the protective member 113.

[平坦化ステップ]
次に、図3に示したワークセット110が、搬送装置6あるいは作業者によって、図2に示した研削装置4に搬送される。そして、研削装置4において、ウェーハ100に形成されている保護部材113を平坦化する平坦化ステップが実施される。
[Planarization step]
Next, the work set 110 shown in Fig. 3 is transferred to the grinding device 4 shown in Fig. 2 by the transfer device 6 or an operator. Then, in the grinding device 4, a planarization step is performed to planarize the protective member 113 formed on the wafer 100.

研削装置4は、図4に示すように、研削ホイール14を備えた研削機構10、および、ワークセット110を保持する第1保持部20を有している。 As shown in FIG. 4, the grinding device 4 has a grinding mechanism 10 equipped with a grinding wheel 14, and a first holding part 20 that holds a work set 110.

研削機構10は、スピンドル11と、Z軸方向の回転軸201を軸にしてスピンドル11を回転させるスピンドルモータ12と、スピンドル11の下端に配置されたマウント13と、マウント13に装着された研削ホイール14とを備えている。研削ホイール14は、ホイール基台141と、ホイール基台141の下面に環状に配列された略直方体状の複数の研削砥石140とを備えている。 The grinding mechanism 10 includes a spindle 11, a spindle motor 12 that rotates the spindle 11 around a rotation axis 201 in the Z-axis direction, a mount 13 that is disposed at the lower end of the spindle 11, and a grinding wheel 14 that is attached to the mount 13. The grinding wheel 14 includes a wheel base 141 and a plurality of grinding stones 140 that are approximately rectangular parallelepipeds and arranged in a ring shape on the lower surface of the wheel base 141.

研削機構10は、図示しない昇降機構に接続されており、この昇降機構によってZ軸方向に昇降可能である。 The grinding mechanism 10 is connected to a lifting mechanism (not shown) and can be raised and lowered in the Z-axis direction by this lifting mechanism.

第1保持部20は、ウェーハ100を保持するチャックテーブル21、および、チャックテーブル21の周囲に設けられた複数のクランプ部24を有している。 The first holding unit 20 has a chuck table 21 that holds the wafer 100, and a number of clamp units 24 provided around the periphery of the chuck table 21.

チャックテーブル21は、平坦化ステップの実施時にウェーハ100を保持するための部材であり、ポーラス材からなる保持面22を備えている。この保持面22は、図示しない吸引源に連通可能である。チャックテーブル21は、この保持面22によって、ワークセット110におけるウェーハ100を吸引保持する。複数(たとえば4つ)のクランプ部24は、チャックテーブル21に保持されているウェーハ100の周囲のフレーム111を挟持固定する。 The chuck table 21 is a member for holding the wafer 100 during the planarization step, and has a holding surface 22 made of a porous material. This holding surface 22 can be connected to a suction source (not shown). The chuck table 21 uses this holding surface 22 to suction and hold the wafer 100 in the work set 110. A number of (for example, four) clamping parts 24 clamp and fix the frame 111 around the wafer 100 held on the chuck table 21.

チャックテーブル21は、図示しない回転機構に接続されており、保持面22の中心を通るZ軸方向の回転軸202を軸にして回転可能である。 The chuck table 21 is connected to a rotation mechanism (not shown) and can rotate around a rotation axis 202 in the Z-axis direction that passes through the center of the holding surface 22.

平坦化ステップでは、ウェーハ100を含むワークセット110が、保護部材113側が上向きとなるように、研削装置4における第1保持部20のチャックテーブル21に載置される。 In the planarization step, the work set 110 including the wafer 100 is placed on the chuck table 21 of the first holding unit 20 in the grinding device 4 with the protective member 113 facing upward.

その後、制御部7が、第1保持部20のクランプ部24によってワークセット110のフレーム111を支持するとともに、チャックテーブル21の保持面22によってウェーハ100の裏面102を吸引保持する。 Then, the control unit 7 supports the frame 111 of the work set 110 with the clamp unit 24 of the first holding unit 20, and suction-holds the back surface 102 of the wafer 100 with the holding surface 22 of the chuck table 21.

次いで、制御部7は、図示しない回転機構により、Z軸方向の回転軸202を軸にしてチャックテーブル21を回転させて、チャックテーブル21およびクランプ部24に保持された、ウェーハ100を含むワークセット110を回転させる。 Next, the control unit 7 rotates the chuck table 21 around the rotation axis 202 in the Z-axis direction using a rotation mechanism (not shown), thereby rotating the work set 110 including the wafer 100 held by the chuck table 21 and the clamp unit 24.

また、制御部7は、スピンドルモータ12により、回転軸201を軸にして研削ホイール14を回転させる。この状態で、制御部7は、図示しない昇降機構によって研削機構10を-Z方向に下降させる。これにより、研削ホイール14の研削砥石140が、ワークセット110におけるウェーハ100の表面101側に形成されている保護部材113に接触し、保護部材113を研削する。 The control unit 7 also rotates the grinding wheel 14 around the rotation shaft 201 using the spindle motor 12. In this state, the control unit 7 lowers the grinding mechanism 10 in the -Z direction using a lifting mechanism (not shown). This causes the grinding stone 140 of the grinding wheel 14 to come into contact with the protective member 113 formed on the front surface 101 side of the wafer 100 in the work set 110, grinding the protective member 113.

このように、平坦化ステップは、研削砥石140を含む研削ホイール14によって保護部材113が研削されることを含む。そして、保護部材113が研削されることにより、図3に示した保護部材113の凹凸114が削られて、保護部材113が平坦化される。 In this way, the planarization step includes grinding the protective member 113 with a grinding wheel 14 including a grinding stone 140. By grinding the protective member 113, the unevenness 114 of the protective member 113 shown in FIG. 3 is removed, and the protective member 113 is planarized.

[保持ステップ]
このような平坦化ステップの実施後に、平坦化ステップでウェーハ100を保持していたチャックテーブル21からウェーハ100を搬出し、加工溝形成ステップにおいて使用される保持テーブルによってウェーハ100を保持する保持ステップが実施される。すなわち、平坦化された保護部材113を含むワークセット110が、図2に示した切削装置5に搬送される。そして、切削装置5において、ウェーハ100の保護部材113側を保持テーブルによって保持し、ウェーハ100の裏面102側を露出させる保持ステップが実施される。
[Holding step]
After such a planarization step is performed, the wafer 100 is removed from the chuck table 21 that held the wafer 100 in the planarization step, and a holding step is performed in which the wafer 100 is held by a holding table used in the machining groove forming step. That is, the work set 110 including the planarized protective member 113 is transported to the cutting device 5 shown in Fig. 2. Then, in the cutting device 5, a holding step is performed in which the protective member 113 side of the wafer 100 is held by a holding table, and the back surface 102 side of the wafer 100 is exposed.

切削装置5は、図5に示すように、ウェーハ100を切削する切削機構30、ワークセット110を保持する第2保持部40、および、ウェーハ100を撮像する撮像機構50を有している。 As shown in FIG. 5, the cutting device 5 has a cutting mechanism 30 that cuts the wafer 100, a second holding part 40 that holds the work set 110, and an imaging mechanism 50 that images the wafer 100.

切削機構30は、水平方向の回転軸301を有するブレードスピンドル31、および、ブレードスピンドル31とともに回転する切削ブレード32を備えている。切削機構30は、図示しない移動機構に接続されており、この移動機構によって、Z軸方向に移動可能である。 The cutting mechanism 30 includes a blade spindle 31 having a horizontal rotation axis 301, and a cutting blade 32 that rotates together with the blade spindle 31. The cutting mechanism 30 is connected to a moving mechanism (not shown), and can be moved in the Z-axis direction by this moving mechanism.

第2保持部40は、ウェーハ100を保持する保持テーブル41、および、保持テーブル41の周囲に設けられた複数のクランプ部44を有している。 The second holding unit 40 has a holding table 41 that holds the wafer 100, and a number of clamp units 44 provided around the holding table 41.

保持テーブル41は、ウェーハ100を保持するための部材であり、ウェーハ100が載置される保持面42を備えている。本実施形態では、保持テーブル41は、透明な材料からなり、透明な部材として形成されている。複数(たとえば4つ)のクランプ部44は、保持テーブル41に載置されているウェーハ100の周囲のフレーム111を挟持固定する。また、第2保持部40は、図示しない移動機構に接続されており、この移動機構によって、水平方向(X軸方向およびY軸方向)に移動することが可能である。
なお、保持テーブル41は、後述する撮像機構50による撮像が可能であれば、保持面42によってウェーハ100を吸引保持する構成を有していてもよい。
The holding table 41 is a member for holding the wafer 100, and has a holding surface 42 on which the wafer 100 is placed. In this embodiment, the holding table 41 is made of a transparent material and is formed as a transparent member. A plurality of (for example, four) clamp parts 44 clamp and fix a frame 111 around the wafer 100 placed on the holding table 41. The second holding part 40 is connected to a moving mechanism (not shown), and can be moved in the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction) by this moving mechanism.
The holding table 41 may have a configuration in which the holding surface 42 holds the wafer 100 by suction, so long as an image can be captured by the imaging mechanism 50 described later.

撮像機構50は、保持テーブル41の下方に配置されており、カメラなどからなる撮像ユニット51、および、撮像ユニット51を水平方向に移動させる撮像ユニット移動機構52を有している。撮像ユニット51は、保持テーブル41を介して、保持テーブル41の保持面42に載置されているウェーハ100を撮像することが可能である。 The imaging mechanism 50 is disposed below the holding table 41 and has an imaging unit 51 consisting of a camera etc., and an imaging unit moving mechanism 52 that moves the imaging unit 51 in the horizontal direction. The imaging unit 51 is capable of imaging the wafer 100 placed on the holding surface 42 of the holding table 41 via the holding table 41.

そして、保持ステップでは、搬送装置6あるいは作業者によって、ワークセット110のウェーハ100が、裏面102が上向きとなるように保持テーブル41の保持面42に載置される。さらに、制御部7が、第2保持部40のクランプ部44によってワークセット110のフレーム111を支持する。これにより、ウェーハ100の保護部材113側が保持テーブル41によって保持されて、ウェーハ100の裏面102側が露出されるように、第2保持部40によってワークセット110が保持される。 In the holding step, the wafer 100 of the work set 110 is placed on the holding surface 42 of the holding table 41 by the transport device 6 or an operator with the back surface 102 facing upward. Furthermore, the control unit 7 supports the frame 111 of the work set 110 by the clamp unit 44 of the second holding unit 40. As a result, the protective member 113 side of the wafer 100 is held by the holding table 41, and the work set 110 is held by the second holding unit 40 so that the back surface 102 side of the wafer 100 is exposed.

[加工溝形成ステップ]
保持ステップの実施後に、加工溝形成ステップが実施される。この加工溝形成ステップでは、保持ステップにおいて保持テーブル41に保持されたウェーハ100に、裏面102側から加工溝を形成する。
[Groove formation step]
After the holding step, a groove forming step is performed in which a groove is formed in the wafer 100 held on the holding table 41 in the holding step from the back surface 102 side.

このステップでは、まず、制御部7は、撮像機構50を制御して、撮像ユニット51によって、保持テーブル41の下方から、保持テーブル41および保護部材113を介してウェーハ100を撮像することにより、ウェーハ100の表面101に形成されている第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104(図1(a)参照)を検出する。 In this step, first, the control unit 7 controls the imaging mechanism 50 to have the imaging unit 51 capture an image of the wafer 100 from below the holding table 41, through the holding table 41 and the protective member 113, thereby detecting the first planned division line 103 and the second planned division line 104 (see FIG. 1(a)) formed on the surface 101 of the wafer 100.

上述したように、ウェーハ100は、保護部材113側(すなわち、表面101側)が下向きとなるように、保持テーブル41によって保持されている。したがって、保持テーブル41の下方に配置されている撮像ユニット51により、保持テーブル41および保護部材113を介して、表面101を撮像することができる。そして、制御部7は、撮像結果に基づいて、ウェーハ100における第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104の位置を、容易に検出することができる。 As described above, the wafer 100 is held by the holding table 41 so that the protective member 113 side (i.e., the surface 101 side) faces downward. Therefore, the imaging unit 51 arranged below the holding table 41 can image the surface 101 through the holding table 41 and the protective member 113. The control unit 7 can then easily detect the positions of the first planned division line 103 and the second planned division line 104 on the wafer 100 based on the imaging results.

次に、制御部7は、ウェーハ100を保持している第2保持部40の水平方向における位置および向きを調整することにより、1本の第1分割予定ライン103を、切削機構30の切削ブレード32の位置および向きに合わせる。この状態で、制御部7は、ブレードスピンドル31によって切削ブレード32を回転させながら切削ブレード32を下降させて、この第1分割予定ライン103に切削ブレード32を切り込ませる。本実施形態では、切削ブレード32を、切削ブレード32によってウェーハ100を切断可能な位置にまで下降させる。 Next, the control unit 7 adjusts the horizontal position and orientation of the second holding unit 40 holding the wafer 100, thereby aligning one first planned division line 103 with the position and orientation of the cutting blade 32 of the cutting mechanism 30. In this state, the control unit 7 lowers the cutting blade 32 while rotating the cutting blade 32 with the blade spindle 31, causing the cutting blade 32 to cut into the first planned division line 103. In this embodiment, the cutting blade 32 is lowered to a position where the wafer 100 can be cut by the cutting blade 32.

さらに、制御部7は、第2保持部40を、この第1分割予定ライン103の延びる方向に移動させる。これにより、この第1分割予定ライン103に沿って、ウェーハ100を切断する深さの加工溝120が形成されて、ウェーハ100が切断される。 The control unit 7 then moves the second holding unit 40 in the direction in which the first planned division line 103 extends. This causes a machining groove 120 to be formed along the first planned division line 103, with a depth sufficient to cut the wafer 100, and the wafer 100 is cut.

このようにして、制御部7は、全ての第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104に沿って加工溝120を形成することにより、これらのラインに沿ってウェーハ100を切断する。これにより、ウェーハ100が分割されて、複数のチップ106が形成される。このように、加工溝形成ステップは、ウェーハ100を分割して複数のチップ106を製造することを含んでいる。なお、各チップ106は、デバイス105(図1(a)参照)を有している。 In this manner, the control unit 7 cuts the wafer 100 along all of the first division lines 103 and the second division lines 104 by forming grooves 120 along these lines. This causes the wafer 100 to be divided into a plurality of chips 106. In this manner, the groove formation step includes dividing the wafer 100 to manufacture a plurality of chips 106. Each chip 106 has a device 105 (see FIG. 1(a)).

以上のように、本実施形態では、保持ステップおよび加工溝形成ステップの前に、保護部材113を平坦化する平坦化ステップを実施している。このため、保持ステップにおいて、ウェーハ100の保護部材113側を保持テーブル41によって保持したときに、保護部材113を保持テーブル41に密着させることができる。これにより、保持テーブル41からの微小な浮きがウェーハ100に発生することを、抑制することができる。したがって、加工溝形成ステップにおいて、切削ブレード32にウェーハ100が接触したときに、ウェーハ100が動いてしまうことを防止できる。このため、ウェーハ100にチッピングが発生することを抑制することができる。 As described above, in this embodiment, a planarization step for planarizing the protective member 113 is performed before the holding step and the machining groove forming step. Therefore, in the holding step, when the protective member 113 side of the wafer 100 is held by the holding table 41, the protective member 113 can be brought into close contact with the holding table 41. This makes it possible to prevent the wafer 100 from floating slightly from the holding table 41. Therefore, in the machining groove forming step, it is possible to prevent the wafer 100 from moving when the wafer 100 comes into contact with the cutting blade 32. This makes it possible to prevent chipping of the wafer 100.

また、加工溝形成ステップにおいて、ウェーハ100を分割して複数の加工溝120を形成すると、ウェーハ100が保護部材113だけで保持されていた状態ではウェーハ100を破損せず搬送する事が困難になる。そのため加工溝形成ステップにおいてウェーハ100を分割する加工溝120を形成する場合は、保護部材113がフレーム111に固定された状態で実施する事が好ましい。通常平坦化ステップではフレーム111を使用しない場合が多いが、本実施形態では平坦化ステップからワークセット110にした状態で実施するので、保持ステップおよび加工溝形成ステップの一連のステップを、ワークセット110を作り替えることなく、同一のワークセット110を用いて実施することが出来る。また、加工溝形成ステップにおいて透明な保持面42を介して分割予定ライン103および104を検出するアライメントを実施することで、平坦化ステップに引き続いて、同一のワークセット110を用いて、ウェーハ100の裏面102側からの加工を可能にしている。このため平坦化ステップでウェーハ100の表面101側を露出させ、加工溝形成ステップでウェーハ100の裏面102側を露出させるために、ワークセット110を作り替える必要が無く、各ステップを効率よく実施することができる。また、ワークセット110を用いることにより、ウェーハ100の取り扱い(たとえば、ウェーハ100の保持、加工および搬送)が容易となる。 In addition, in the groove forming step, if the wafer 100 is divided to form multiple grooves 120, it becomes difficult to transport the wafer 100 without damaging it if the wafer 100 is held only by the protective member 113. Therefore, when forming the grooves 120 for dividing the wafer 100 in the groove forming step, it is preferable to perform the step with the protective member 113 fixed to the frame 111. Usually, the frame 111 is not used in the flattening step, but in this embodiment, the flattening step is performed in the work set 110, so that the series of steps of the holding step and the groove forming step can be performed using the same work set 110 without changing the work set 110. In addition, by performing alignment to detect the planned division lines 103 and 104 through the transparent holding surface 42 in the groove forming step, it is possible to perform processing from the back surface 102 side of the wafer 100 using the same work set 110 following the flattening step. Therefore, there is no need to remake the work set 110 in order to expose the front surface 101 side of the wafer 100 in the planarization step and the back surface 102 side of the wafer 100 in the groove formation step, and each step can be performed efficiently. In addition, by using the work set 110, handling of the wafer 100 (for example, holding, processing, and transporting the wafer 100) becomes easier.

なお、本実施形態では、平坦化ステップを、研削装置4によって実施している。これに関し、加工システム1は、研削装置4に代えて、図6に示すようなバイト切削装置8を備え、このバイト切削装置8によって平坦化ステップを実施してもよい。 In this embodiment, the planarization step is performed by the grinding device 4. In this regard, the processing system 1 may be provided with a bit cutting device 8 as shown in FIG. 6 instead of the grinding device 4, and the planarization step may be performed by the bit cutting device 8.

バイト切削装置8は、図4に示した研削装置4の構成において、研削機構10に代えて、バイト切削ユニット16を有するように構成されている。そして、バイト切削ユニット16は、研削機構10の構成において、研削ホイール14に代えて、バイトホイール17を有するように構成されている。 The bit cutting device 8 is configured to have a bit cutting unit 16 instead of the grinding mechanism 10 in the configuration of the grinding device 4 shown in FIG. 4. The bit cutting unit 16 is configured to have a bit wheel 17 instead of the grinding wheel 14 in the configuration of the grinding mechanism 10.

バイトホイール17は、ホイール基台171と、ホイール基台171の下部に着脱可能に装着されたバイト工具170とを備えている。バイト工具170は、たとえば、ダイヤモンドを切り刃に含む。 The cutting wheel 17 includes a wheel base 171 and a cutting tool 170 that is removably attached to the bottom of the wheel base 171. The cutting tool 170 includes, for example, a diamond in the cutting blade.

なお、バイト切削ユニット16は、研削機構10と同様に図示しない昇降機構に接続されており、この昇降機構によってZ軸方向に昇降可能である。 The bit cutting unit 16 is connected to a lifting mechanism (not shown) like the grinding mechanism 10, and can be raised and lowered in the Z-axis direction by this lifting mechanism.

バイト切削装置8を用いた平坦化ステップでも、ウェーハ100を含むワークセット110が、保護部材113側が上向きとなるように、バイト切削装置8における第1保持部20のチャックテーブル21に載置される。 Even in the planarization step using the cutting tool 8, the work set 110 including the wafer 100 is placed on the chuck table 21 of the first holding unit 20 in the cutting tool 8 with the protective member 113 facing upward.

その後、制御部7が、第1保持部20のクランプ部24によってワークセット110のフレーム111を支持するとともに、チャックテーブル21の保持面22によってウェーハ100の裏面102を吸引保持する。 Then, the control unit 7 supports the frame 111 of the work set 110 with the clamp unit 24 of the first holding unit 20, and suction-holds the back surface 102 of the wafer 100 with the holding surface 22 of the chuck table 21.

次いで、制御部7は、図示しない回転機構により、Z軸方向の回転軸202を軸にしてチャックテーブル21を回転させてワークセット110を回転させる。また、制御部7は、バイト切削ユニット16のスピンドルモータ12により、回転軸201を軸にしてバイトホイール17を回転させる。この状態で、制御部7は、図示しない昇降機構によってバイト切削ユニット16を-Z方向に下降させる。これにより、バイトホイール17のバイト工具170が、ワークセット110におけるウェーハ100の表面101側に形成されている保護部材113に接触し、保護部材113を切削する。 The control unit 7 then rotates the chuck table 21 around the rotation axis 202 in the Z-axis direction using a rotation mechanism (not shown) to rotate the work set 110. The control unit 7 also rotates the bite wheel 17 around the rotation axis 201 using the spindle motor 12 of the bite cutting unit 16. In this state, the control unit 7 lowers the bite cutting unit 16 in the -Z direction using a lifting mechanism (not shown). This causes the bite tool 170 of the bite wheel 17 to come into contact with the protective member 113 formed on the front surface 101 side of the wafer 100 in the work set 110, cutting the protective member 113.

このように、この平坦化ステップは、バイト工具170を有するバイト切削ユニット16(バイトホイール17)によって保護部材113が切削されることを含む。そして、保護部材113が切削されることにより、図3に示した保護部材113の凹凸114が削られて、保護部材113が平坦化される。 Thus, this planarization step includes cutting the protective member 113 with the bit cutting unit 16 (bit wheel 17) having the bit tool 170. By cutting the protective member 113, the unevenness 114 of the protective member 113 shown in FIG. 3 is removed, and the protective member 113 is planarized.

このようなバイト切削装置8を用いた平坦化ステップでは、保護部材113が強い粘性を有する場合に、研削装置4を用いる場合に比して、保護部材113の凹凸114を良好に削ることが可能である。 In the planarization step using such a cutting tool 8, when the protective member 113 has a high viscosity, it is possible to more effectively remove the irregularities 114 of the protective member 113 than when the grinding device 4 is used.

また、本実施形態では、加工溝形成ステップにおいて、図5に示したように、保持テーブル41の下方に配置された撮像機構50の撮像ユニット51により、保持テーブル41および保護部材113を介して、ウェーハ100の表面101を撮像して、ウェーハ100における第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104の位置を検出している。 In addition, in this embodiment, in the machining groove forming step, as shown in FIG. 5, the imaging unit 51 of the imaging mechanism 50 arranged below the holding table 41 captures an image of the surface 101 of the wafer 100 through the holding table 41 and the protective member 113 to detect the positions of the first planned division line 103 and the second planned division line 104 on the wafer 100.

これに関し、切削装置5では、撮像機構50は、第2保持部40に保持されているワークセット110におけるウェーハ100の上方に位置付けられていてもよい。この場合、撮像機構50は、撮像ユニット51として、赤外線を用いたIRカメラを有することが好ましい。 In this regard, in the cutting device 5, the imaging mechanism 50 may be positioned above the wafer 100 in the work set 110 held by the second holding part 40. In this case, it is preferable that the imaging mechanism 50 has an IR camera using infrared rays as the imaging unit 51.

この構成では、ウェーハ100の表面101を、撮像ユニット51によって裏面102側から撮像することにより、ウェーハ100を介して、第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104を検出する。この構成においても、ウェーハ100における第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104の位置を、良好に検出することができる。 In this configuration, the front surface 101 of the wafer 100 is imaged from the back surface 102 side by the imaging unit 51, and the first planned division line 103 and the second planned division line 104 are detected through the wafer 100. Even with this configuration, the positions of the first planned division line 103 and the second planned division line 104 on the wafer 100 can be detected well.

また、本実施形態では、図5に示すように、加工溝形成ステップにおいて、第1分割予定ライン103および第2分割予定ライン104に沿って、ウェーハ100を切断する深さの加工溝120が形成されることにより、ウェーハ100が切断される。これに関し、加工溝形成ステップでは、加工溝120を、ウェーハ100を切断しない程度の深さに形成してもよい(すなわち、ウェーハ100をハーフカットしてもよい)。 In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 5, in the groove forming step, grooves 120 are formed along the first planned division line 103 and the second planned division line 104 to a depth sufficient to cut the wafer 100, thereby cutting the wafer 100. In this regard, in the groove forming step, grooves 120 may be formed to a depth sufficient not to cut the wafer 100 (i.e., the wafer 100 may be half-cut).

この場合、加工溝形成ステップの後、保護部材113に張力を加えることにより、加工溝120に沿ってウェーハ100を分割して、チップ106を形成することができる。あるいは、加工溝形成ステップの後、ウェーハ100に対するプラズマエッチングを実施することにより、加工溝120に沿ってウェーハ100を分割して、チップ106を形成してもよい。 In this case, after the groove forming step, tension can be applied to the protective member 113 to divide the wafer 100 along the groove 120 to form the chips 106. Alternatively, after the groove forming step, plasma etching can be performed on the wafer 100 to divide the wafer 100 along the groove 120 to form the chips 106.

また、本実施形態では、ウェーハ100に加工溝120を形成する加工溝形成ステップを、切削ブレード32を有する切削装置5を用いて実施している。これに関し、レーザ光線を用いたアブレーション加工により、加工溝形成ステップを実施してもよい。 In addition, in this embodiment, the machining groove forming step of forming the machining groove 120 in the wafer 100 is performed using a cutting device 5 having a cutting blade 32. In this regard, the machining groove forming step may be performed by ablation processing using a laser beam.

1:加工システム、2:ワークセット形成装置、4:研削装置、5:切削装置、
6:搬送装置、7:制御部、8:バイト切削装置、
10:研削機構、11:スピンドル、12:スピンドルモータ、13:マウント、
14:研削ホイール、16:バイト切削ユニット、17:バイトホイール、
20:第1保持部、21:チャックテーブル、22:保持面、24:クランプ部、
30:切削機構、31:ブレードスピンドル、32:切削ブレード、
40:第2保持部、41:保持テーブル、42:保持面、44:クランプ部、
50:撮像機構、51:撮像ユニット、52:撮像ユニット移動機構、
100:ウェーハ、101:表面、102:裏面、103:第1分割予定ライン、
104:第2分割予定ライン、105:デバイス、106:チップ、
110:ワークセット、111:フレーム、112:開口、113:保護部材、
114:凹凸、120:加工溝、140:研削砥石、141:ホイール基台、
170:バイト工具、171:ホイール基台
1: machining system, 2: work set forming device, 4: grinding device, 5: cutting device,
6: conveying device, 7: control unit, 8: bit cutting device,
10: grinding mechanism, 11: spindle, 12: spindle motor, 13: mount,
14: grinding wheel, 16: byte cutting unit, 17: byte wheel,
20: first holding portion, 21: chuck table, 22: holding surface, 24: clamp portion,
30: cutting mechanism, 31: blade spindle, 32: cutting blade,
40: second holding portion, 41: holding table, 42: holding surface, 44: clamp portion,
50: imaging mechanism, 51: imaging unit, 52: imaging unit moving mechanism,
100: wafer, 101: front surface, 102: back surface, 103: first division line,
104: second division line, 105: device, 106: chip,
110: work set, 111: frame, 112: opening, 113: protective member,
114: unevenness, 120: machining groove, 140: grinding wheel, 141: wheel base,
170: Bit tool, 171: Wheel base

Claims (6)

表面に複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインで区画されたデバイス領域と、が形成されたウェーハを、該分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの該表面に保護部材を形成する保護部材形成ステップと、
該保護部材を平坦化する平坦化ステップと、
該平坦化ステップの実施後に、該ウェーハの該保護部材側を保持テーブルによって保持し、該ウェーハの裏面側を露出させる保持ステップと、
該保持ステップの実施後に、裏面側から該ウェーハに加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
を備えることを特徴とする、
ウェーハの加工方法。
A wafer processing method for processing a wafer having a plurality of division lines and device regions defined by the division lines formed on a surface thereof along the division lines, the method comprising the steps of:
a protective member forming step of forming a protective member on the front surface of the wafer;
a planarizing step of planarizing the protective member;
a holding step of holding the protective member side of the wafer by a holding table after the planarization step is performed, and exposing the back side of the wafer;
a groove forming step of forming a groove in the wafer from the back surface side after the holding step is performed;
The present invention is characterized in that it comprises
Wafer processing method.
該加工溝形成ステップでは、該ウェーハを分割して複数のチップを製造することを含むことを特徴とする、
請求項1に記載のウェーハの加工方法。
The method is characterized in that the process includes dividing the wafer into a plurality of chips, in the process of forming the processed groove.
The wafer processing method according to claim 1 .
該平坦化ステップは、研削ホイールによって該保護部材が研削されることを含むことを特徴とする、
請求項1に記載のウェーハの加工方法。
The flattening step includes grinding the protective member with a grinding wheel.
The wafer processing method according to claim 1 .
該平坦化ステップは、バイト工具を有するバイト切削ユニットによって該保護部材が切削されることを含む、ことを特徴とする、
請求項1に記載のウェーハの加工方法。
The planarizing step includes cutting the protective member by a bit cutting unit having a bit tool.
The wafer processing method according to claim 1 .
該保持テーブルは、透明な部材として形成され、
該加工溝形成ステップは、該保持テーブルを介して撮像ユニットによってウェーハを撮像することにより、該分割予定ラインを検出することを含む、ことを特徴とする、
請求項1に記載のウェーハの加工方法。
The holding table is formed as a transparent member,
The machining groove forming step includes detecting the planned dividing line by imaging the wafer with an imaging unit via the holding table.
The wafer processing method according to claim 1 .
該保護部材形成ステップは、該保護部材によって、フレームの開口にウェーハを支持することを含む、ことを特徴とする、
請求項1に記載のウェーハの加工方法。
The step of forming the protective member includes supporting the wafer in the opening of the frame by the protective member.
The wafer processing method according to claim 1 .
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