JP2024065343A - 電気光学装置、液晶装置、及び診断システム - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置を常に電源オン状態に保ち続ける必要なく、パネルの液晶層への水分の侵入を推定する。【解決手段】電気光学装置は、光路の上に配置される第１パネルと、光路の外に配置され、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される液晶層と、を備える第２パネルと、第１電極と第２電極との夫々に電位を供給すると共に、第１電極の電位を測定する測定回路と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、電気光学装置、液晶装置、及び診断システムに関する。

特許文献１には、液晶パネルの液晶層への水分侵入による性能劣化を防止するために、加熱間隔設定時間の間隔で、液晶パネルの液晶層中の水分を除去する水分除去動作を行う液晶表示装置が開示されている。水分除去動作は、液晶パネルの液晶材料の相転移温度よりも高くならない水分除去時温度で、液晶パネルを加熱設定時間だけ加熱することである。また、特許文献１には、液晶表示装置が、液晶パネルの液晶層中の水分量を直接測定し、所定以上の水分量を検出したときに水分除去動作を開始することも記載されている。

特開２０１０－１５６９１６号公報

特許文献１には、液晶パネルの液晶層中の水分量を直接測定する手段が具体的に開示されていない。また、特許文献１の技術では、液晶表示装置が水分除去動作を開始するために加熱間隔設定時間を計測する必要があるため、液晶表示装置を常に電源オン状態に保ち続ける必要がある。

本発明の一つの態様の電気光学装置は、光路の上に配置される第１パネルと、前記光路の外に配置され、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備える第２パネルと、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、を備える。

本発明の一つの態様の液晶装置は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備えるパネルと、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、前記パネルを加熱する加熱装置と、を備える。

本発明の一つの態様の診断システムは、光路の上に配置される第１パネルと、前記光路の外に配置され、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備える第２パネルと、を備える電気光学装置と、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路を備える診断装置と、を備える。

第１実施形態における液晶装置を備えるプロジェクターの概略的な構成を示す図である。 第１実施形態における第１液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。 第１実施形態における第２液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。 第２液晶パネルにおける第２素子基板と第２対向基板とを、図２Ｂに示されるＡ－Ａ’線に沿う断面で視た図である。 測定回路の具体例を示す図である。 液晶層の物性測定方法を示す概略的なフローチャートである。 第１実施形態における検出電極及び共通電極のそれぞれの電位の時間的な変化を示す図である。 第１実施形態における検出電極と共通電極との電位差の時間的な変化を示す図である。 逆掃引期間の効果を示す図である。 液晶層の電気特性図である。 液晶層の規格化透過率と電圧との関係を示す図である。 充電期間の効果を示す図である。 水分侵入と水分排出とを検証した結果を示す第１図である。 水分侵入と水分排出とを検証した結果を示す第２図である。 水分侵入と水分排出とを検証した結果を示す第３図である。 水分侵入と水分排出とを検証した結果を示す第４図である。 第２実施形態における検出電極電位の時間的な変化を示す図である。 第３実施形態における第２液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。 第４実施形態における第１液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。 第４実施形態における第２液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。 第５実施形態における第２液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。 第６実施形態における第２液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。 第２液晶パネルにおける第２素子基板と第２対向基板とを、図２０に示されるＢ－Ｂ’線に沿う断面で視た図である。 第７実施形態におけるプロジェクターの概略的な構成を示す図である。 診断システムの概略的な構成を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。ここで、以下の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各部材の尺度を実際とは異ならせている場合がある。また、以下の各図において、必要に応じて、相互に直交する座標軸としてｘｙｚ軸またはＸＹＺ軸を付し、各図において、軸に沿った各矢印が指す方向を＋方向とし、＋方向と反対の方向を－方向とする。

なお、＋Ｘ方向を右又は右側、－Ｘ方向を左又は左側ということがある。＋Ｚ方向を上方、－Ｚ方向を下方ということもあり、＋Ｚ方向から見ることを平面視あるいは平面的という。さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。

１．第１実施形態
１．１．電気光学装置の構成の概要
図１は、電気光学装置の一形態であるプロジェクター１の概略的な構成を示す図である。図１に示すように、プロジェクター１は、光源１０と、２つのダイクロイックミラー１１及び１４と、３つの反射ミラー１２、１７及び１９と、５つのリレーレンズ１３、１５、１６、１８及び２０と、ダイクロイックプリズム２１と、投射光学系２２と、３つの第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００と、を備える。

また、プロジェクター１は、中央制御回路３０と、光源制御回路３１と、３つの第１温度検出回路３２、３４及び３６と、３つの第１加熱制御回路３３、３５及び３７と、第２温度検出回路３８と、第２加熱制御回路３９と、電圧印加回路４０と、電圧検出回路４１と、をさらに備える。

光源１０は、白色光Ｌ０をダイクロイックミラー１１に出射する。例えば、光源１０は、水銀ランプである。光源１０から出射される白色光Ｌ０の光量は、後述の光源制御回路３１によって制御される。

ダイクロイックミラー１１は、白色光Ｌ０を第１色光Ｌ１と第２色光Ｌ２とに分離する。例えば、第１色光Ｌ１は、赤色の光であり、第２色光Ｌ２は、緑色と青色との混合色の光である。ダイクロイックミラー１１は、第１色光Ｌ１を反射ミラー１２に出射し、第２色光Ｌ２をダイクロイックミラー１４に出射する。

ダイクロイックミラー１４は、第２色光Ｌ２を第３色光Ｌ３と第４色光Ｌ４とに分離する。例えば、第３色光Ｌ３は、緑色の光であり、第４色光Ｌ４は、青色の光である。ダイクロイックミラー１４は、第３色光Ｌ３をリレーレンズ１５に出射し、第４色光Ｌ４をリレーレンズ１６に出射する。

ダイクロイックミラー１１から出射される第１色光Ｌ１は、反射ミラー１２及びリレーレンズ１３を経由して第１液晶パネル１００Ｒに入射する。ダイクロイックミラー１４から出射される第３色光Ｌ３は、リレーレンズ１５を経由して第１液晶パネル１００Ｇに入射する。ダイクロイックミラー１４から出射される第４色光Ｌ４は、リレーレンズ１６、反射ミラー１７、リレーレンズ１８、反射ミラー１９、及びリレーレンズ２０を経由して第１液晶パネル１００Ｂに入射する。

第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂは、それぞれ、画像表示用の液晶パネルである。第１液晶パネル１００Ｒは、第１色光Ｌ１の光路上に配置される。第１液晶パネル１００Ｇは、第３色光Ｌ３の光路上に配置される。第１液晶パネル１００Ｂは、第４色光Ｌ４の光路上に配置される。以下では、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂのそれぞれを区別する必要がない場合には、これら３つの第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂを第１液晶パネル１００と総称することがある。

、
例えば、本実施形態における第１液晶パネル１００は、画素Ｐごとに画素スイッチング素子としてのＴＦＴ(Thin Film Transistor)を備えたアクティブ駆動型の液晶パネルである。また、例えば、第１液晶パネル１００は、ＶＡ(Vertical Alignment)型の液晶パネルである。第１液晶パネル１００は、プロジェクター１において光変調装置として機能する。第１液晶パネル１００Ｒは、赤色の第１色光Ｌ１を変調する。第１液晶パネル１００Ｇは、緑色の第３色光Ｌ３を変調する。第１液晶パネル１００Ｂは、青色の第４色光Ｌ４を変調する。

ダイクロイックプリズム２１は、第１液晶パネル１００Ｒによって変調された第１色光Ｌ１と、第１液晶パネル１００Ｇによって変調された第３色光Ｌ３と、第１液晶パネル１００Ｂによって変調された第４色光Ｌ４とを混合することにより、カラー画像を表す画像光Ｌ５を生成する。ダイクロイックプリズム２１は、画像光Ｌ５を投射光学系２２に出射する。投射光学系２２は、画像光Ｌ５を投射スクリーンＳＣに拡大投射する。投射スクリーンＳＣに画像光Ｌ５が投射されることにより、投射スクリーンＳＣにカラー画像が表示される。

プロジェクター１の筐体内において、ダイクロイックミラー１１及び１４と、反射ミラー１２、１７及び１９と、リレーレンズ１３、１５、１６、１８及び２０と、ダイクロイックプリズム２１と、投射光学系２２と、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとは、例えば、樹脂製のケース３１０の内部に収容される。ケース３１０は、光源１０から出射される白色光Ｌ０以外の光が第１液晶パネル１００に侵入しないように構成される。

ケース３１０は、例えば、樹脂製の擁壁３２０を有する。擁壁３２０はｘｙ平面に対して、垂直に立つ壁のように構成される。また、擁壁３２０はｘｙ平面にも構成される。擁壁３２０の壁面のうち、ケース３１０の外側の壁面に第２液晶パネル２００が配置される。つまり、第２液晶パネル２００は、プロジェクター１内の光路外に配置される。プロジェクター１内の光路は、白色光Ｌ０、第１色光Ｌ１、第２色光Ｌ２、第３色光Ｌ３、第４色光Ｌ４、及び画像光Ｌ５のそれぞれの光路を含む。つまり、本実施形態において、光路とは、光源１０から出射され、第１液晶パネル１００を介して投射光学系２２に入射する画像光Ｌ５の光路である。第２液晶パネル２００は、プロジェクター１内の上記光路の外にあるので、投射スクリーンＳＣに投影されたカラー画像からその存在を知ることはできない。逆の表現をすると、第２液晶パネル２００は、プロジェクター１内のいずれかの光路上にあると、投射スクリーンＳＣに投影されたカラー画像に、例えば、光線を遮る影となってその存在を知ることができる。詳細は後述するが、第２液晶パネル２００は、第１液晶パネル１００内の水分量を推定するために用いられる液晶パネルである。第１液晶パネル１００は、プロジェクター１内の上記光路の上にあるので、光入射による劣化と水分侵入による液晶層の劣化が生じ、これらを分離して検知することは困難である。一方、第２液晶パネル２００は、プロジェクター１内の上記光路の外にあるので、光入射による液晶層の劣化はなく、水分侵入による液晶層の劣化を検知できる。ここで、第１液晶パネル１００と第２液晶パネル２００とで、シール材による水分侵入抑止力の関係を適切に設定すれば、第２液晶パネル２００によって第１液晶パネル１００内の水分量を推定することができる。

図２Ａは、第１液晶パネル１００の概略的な構成を示す平面図である。図２Ａに示すように、第１液晶パネル１００は、第１素子基板１１０と、第１対向基板１２０と、第１ホルダー１３０と、第１ヒーター線Ｈ１と、第１温度センサーＴＨ１と、を備える。

本実施形態における第１液晶パネル１００は、第１ホルダー１３０、第１ヒーター線Ｈ１、及び第１温度センサーＴＨ１を備える点で、一般的な画像表示用の液晶パネルと異なる。言い換えれば、第１素子基板１１０及び第１対向基板１２０の構成は、一般的な画像表示用の液晶パネルが備える素子基板及び対向基板の構成と同じである。従って、以下では、第１素子基板１１０及び第１対向基板１２０の構成については、簡単に説明する。

第１素子基板１１０と第１対向基板１２０とは、第１シール材１１２を介して互いに接着される。第１シール材１１２は、第１対向基板１２０の外縁に沿って枠状に設けられている。第１シール材１１２は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、第１素子基板１１０と第１対向基板１２０との間のギャップを所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材を含む。

第１素子基板１１０と第１対向基板１２０とで挟まれ、且つ第１シール材１１２で囲まれた領域に、不図示の液晶層が配置される。この液晶層は、液晶を滴下する液晶滴下法によって形成される。すなわち、第１液晶パネル１００には、液晶を封入するための液晶封入口が存在しない。液晶層は、例えば、負の誘電異方性を有する液晶から構成される。第１対向基板１２０の四隅に対応して、第１素子基板１１０と第１対向基板１２０との間の電気的な導通を取るための、第１基板間導通部１１５が配置される。

第１素子基板１１０の表面領域のうち、第１シール材１１２で囲まれた領域には、第１表示領域Ｅ１が設けられる。第１表示領域Ｅ１には、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置される。第１表示領域Ｅ１と第１シール材１１２との間の領域には、走査線駆動回路１１３及びデータ線駆動回路１１４などの周辺回路が配置される。また、第１シール材１１２の外側の第１素子基板１１０の第１対向基板１２０から図面下側、－Ｙ方向に張り出した部分には、複数の第１接続端子１１６が配置される。複数の第１接続端子１１６は、走査線駆動回路１１３及びデータ線駆動回路１１４と電気的に接続される。

図示は省略するが、第１素子基板１１０は、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極と、画素電極に対応して配置されたＴＦＴと、画素電極を覆って配置された配向膜と、を備える。また、図示は省略するが、第１対向基板１２０は、見切り部と、共通電極と、共通電極を覆って配置された配向膜と、を備える。見切り部は、平面視で第１表示領域Ｅ１を囲むように形成された遮光膜である。共通電極は、第１基板間導通部１１５を介して、第１接続端子１１６と電気的に接続される。

画素電極及び共通電極は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料によって形成される。第１素子基板１１０及び第１対向基板１２０は、それぞれ透光性を有する基板であり、例えば、ガラス基板、または、石英基板が用いられる。第１素子基板１１０の配向膜、および第１対向基板１２０の配向膜は、酸化シリコンなどの無機材料で形成される。

第１ホルダー１３０は、第１素子基板１１０及び第１対向基板１２０を保持する、板状の部品である。第１素子基板１１０と第１対向基板１２０とが第１シール材１１２を介して接着された状態で、第１対向基板１２０が第１ホルダー１３０と向かい合う形で篏合して第１ホルダー１３０に接着される。第１ホルダー１３０の四隅に対応して、第１ホルダー１３０をプロジェクター１内の所定位置にネジで固定するための第１固定穴１３２が設けられている。

第１ヒーター線Ｈ１は、例えば抵抗線であり、第１液晶パネル１００を加熱する。第１ヒーター線Ｈ１は、第１ホルダー１３０の外周に沿って、第１素子基板１１０を囲むように配置される。第１ヒーター線Ｈ１は、第１加熱装置に相当する。第１加熱装置は、上記の構成に限らない。例えば、第１素子基板１１０、第１対向基板１２０、あるいは、図示省略した防塵ガラス、のいずれかにＩＴＯ膜からなる抵抗体を形成し、上記抵抗体に通電して加熱する形態で構成してもよい。

第１ホルダー１３０には、２つの第１ヒーター端子１４１及び１４２が配置される。第１ヒーター線Ｈ１の一端は、第１ヒーター端子１４１と電気的に接続され、第１ヒーター線Ｈ１の他端は、第１ヒーター端子１４２と電気的に接続される。第１ヒーター端子１４１は、第１電力供給線１４３と電気的に接続される。第１ヒーター端子１４２は、第１電力供給線１４４と電気的に接続される。第１電力供給線１４３及び１４４を介して、第１ヒーター線Ｈ１に電力が供給されることにより、ヒーター線Ｈ１が発熱して第１ホルダー１３０が加熱されるので、結果として第１液晶パネル１００は加熱される。

後述するように、第１液晶パネル１００が第１液晶パネル１００Ｒの場合、第１電力供給線１４３及び１４４は、第１加熱制御回路３３と電気的に接続される。第１液晶パネル１００が第１液晶パネル１００Ｇの場合、第１電力供給線１４３及び１４４は、第１加熱制御回路３５と電気的に接続される。第１液晶パネル１００が第１液晶パネル１００Ｂの場合、第１電力供給線１４３及び１４４は、第１加熱制御回路３７と電気的に接続される。

第１温度センサーＴＨ１は、例えば、サーミスタであり、第１液晶パネル１００の温度を検出する。第１温度センサーＴＨ１は、第１ホルダー１３０の所定位置に配置される。第１温度センサーＴＨ１の位置は特に限定されないが、第１温度センサーＴＨ１は、可能な限り、第１素子基板１１０に近い位置に配置されることが好ましい。第１温度センサーＴＨ１は、第１素子基板１１０の内部に配置されていてもよい。

後述するように、第１液晶パネル１００が第１液晶パネル１００Ｒの場合、第１温度センサーＴＨ１は、第１温度検出回路３２と電気的に接続される。第１液晶パネル１００が第１液晶パネル１００Ｇの場合、第１温度センサーＴＨ１は、第１温度検出回路３４と電気的に接続される。第１液晶パネル１００が第１液晶パネル１００Ｂの場合、第１温度センサーＴＨ１は、第１温度検出回路３６と電気的に接続される。

複数の第１接続端子１１６は、第１フレキシブル配線基板１６０を介して、不図示のパネル制御回路と電気的に接続される。パネル制御回路は、第１液晶パネル１００の通常駆動を行う回路である。言い換えれば、パネル制御回路は、第１液晶パネル１００を光変調装置として動作させる回路である。パネル制御回路は、第１接続端子１１６を介して、走査線駆動回路１１３及びデータ線駆動回路１１４に、タイミング信号、画像信号、及び制御信号などを出力する。

走査線駆動回路１１３及びデータ線駆動回路１１４がパネル制御回路によって制御されることにより、各画素ＰのＴＦＴをオン状態に切り替える走査信号が各走査線に供給されるとともに、各画素Ｐの画素電極に印加される電位が各データ線に供給される。その結果、各画素Ｐの光透過率は、画素電極と共通電極との電位差によって決定される値となる。このように、各画素Ｐの光透過率がパネル制御回路によって制御されることにより、第１液晶パネル１００が光変調装置として動作して映像を表示している状態を第１液晶パネル１００の通常駆動時と呼ぶこととする。また、各画素Ｐでは、映像を表示している通常駆動時には交流駆動が実施され、第１表示領域Ｅに含まれる画素Ｐの透過率の状態の更新が終わる１フレーム周期毎に各画素Ｐの液晶層に対する印可電圧の極性が反転する。

図２Ｂは、第２液晶パネル２００の概略的な構成を示す平面図である。図２Ｂに示すように、第２液晶パネル２００は、第２素子基板２１０と、第２対向基板２２０と、第２ホルダー２３０と、第２ヒーター線Ｈ２と、第２温度センサーＴＨ２と、を備える。第２液晶パネル２００は、第１液晶パネル１００を簡易化した構成を有する。

第２素子基板２１０と第２対向基板２２０とは、第２シール材２１２を介して互いに接着される。第２素子基板２１０の外形サイズは、第１素子基板１１０の外形サイズと同じである。第２対向基板２２０の外形サイズは、第１対向基板１２０の外形サイズと同じである。すなわち、第２ホルダー２３０を除く第２液晶パネル２００の外形サイズは、第１ホルダー１３０を除く第１液晶パネル１００の外形サイズと同じである。

第２素子基板２１０の厚さは、第１素子基板１１０の厚さと同じである。第２対向基板２２０の厚さは、第１対向基板１２０の厚さと同じである。すなわち、第２ホルダー２３０を除く第２液晶パネル２００の厚さは、第１ホルダー１３０を除く第１液晶パネル１００の厚さと同じである。

上記のように、第１液晶パネル１００は、第１シール材１１２を備える。第２液晶パネル２００は、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１と同じ幅Ｗ２を有する第２シール材２１２を備える。このように、第２液晶パネル２００のシール幅Ｗ２は、第１液晶パネル１００のシール幅Ｗ１と同じである。シール幅Ｗ１及びＷ２には、それぞれ製造バラツキが発生する。そのため、例えば、Ｘ方向に沿った２辺の中央部、及びＹ方向に沿った２辺の中央部におけるシール幅Ｗ１及びＷ２のそれぞれの平均値が、１０％程度の差異であれば、シール幅Ｗ１とシール幅Ｗ２とが同じであるとみなされる。第２液晶パネル２００における第２シール材２１２の配置は、第１液晶パネル１００における第１シール材１１２の配置と同じである。

第２素子基板２１０と第２対向基板２２０とで挟まれ、且つ第２シール材２１２で囲まれた領域に、後述の液晶層２５０が配置される。この液晶層２５０は、液晶滴下法によって形成される。すなわち、第１液晶パネル１００と同様に、第２液晶パネル２００にも、液晶を封入するための液晶封入口が存在しない。液晶層２５０は、第１液晶パネル１００と同じ液晶から構成される。第２対向基板２２０の四隅に対応して、第２素子基板２１０と第２対向基板２２０との間の電気的な導通を取るための、第２基板間導通部２１４が配置される。

第２素子基板２１０の表面領域のうち、第２シール材２１２で囲まれた領域には、第１表示領域Ｅ１に対応する矩形領域Ｅ２が設けられる。第１表示領域Ｅ１と異なり、この矩形領域Ｅ２には、ＴＦＴ及び画素電極を含む画素Ｐは配置されない。また、矩形領域Ｅ２と第２シール材２１２との間の領域には、走査線駆動回路１１３及びデータ線駆動回路１１４などの周辺回路は配置されない。このように、第１液晶パネル１００と第２液晶パネル２００とのうち、第１液晶パネル１００が複数の画素電極を備える。言い換えれば、第２液晶パネル２００は、画素電極を備えていない。

第２液晶パネル２００は、上記の周辺回路の代わりに、矩形領域Ｅ２と第２シール材２１２との間の領域に配置された検出電極２１３を備える。検出電極２１３は、矩形領域Ｅ２と第２シール材２１２との間の領域において、矩形領域Ｅ２を囲む枠状に配置される。検出電極２１３は、ベタ膜パターンで形成されてもよいし、第１液晶パネル１００における画素Ｐが備える画素電極と同様のパターンを複数連結させることにより形成されてもよい。第２シール材２１２の各隅に湾曲部が設けられる場合には、検出電極２１３の各隅にも湾曲部を設けることが好ましい。或いは、検出電極２１３の各隅は、隅切り状に形成されてもよい。

例えば、検出電極２１３は、第１液晶パネル１００の画素電極と同様に、ＩＴＯなどの透明導電材料によって形成される。検出電極２１３がＩＴＯ膜で形成される場合、検出電極２１３の電位応答を改善するために、ＩＴＯ膜の下層に配置されたアルミニウムを主体とする下層配線層を補助配線として付加してもよい。この場合、検出電極２１３は、複数のコンタクトホールを介して、下層配線層と電気的に接続される。

第２液晶パネル２００において、第２シール材２１２と検出電極２１３との間の距離Ｄ１、Ｄ２及びＤ３は、同一である。上記のように、第２液晶パネル２００のシール幅Ｗ２には製造バラツキが発生するため、Ｙ方向に沿った辺における複数個所で測定した距離Ｄ１、Ｘ方向に沿った辺における複数個所で測定した距離Ｄ２及び矩形領域Ｅ２の隅部における複数個所で測定した距離Ｄ３の各平均値が、１０％程度の差異であれば、距離Ｄ１、Ｄ２及びＤ３が同一であるとみなされる。

第２シール材２１２の外側の第２素子基板２１０の第２対向基板２２０から図面下側、－Ｙ方向に張り出した部分には、複数の第２接続端子として、少なくとも第１電極接続端子２１５と、第２電極接続端子２１６とが配置される。上記のように、第１液晶パネル１００は、複数の第１接続端子１１６を備えている。第２液晶パネル２００は、第１接続端子１１６の数よりも少ない複数の第２接続端子として、少なくとも第１電極接続端子２１５と、第２電極接続端子２１６とを備える。

第１電極接続端子２１５は、検出電極２１３と電気的に接続される。第２電極接続端子２１６は、第２基板間導通部２１４を介して、後述の共通電極２２２と電気的に接続される。第１電極接続端子２１５及び第２電極接続端子２１６は、第２フレキシブル配線基板２６０を介して、後述の電圧印加回路４０及び電圧検出回路４１と電気的に接続される。

図３は、第２素子基板２１０と第２対向基板２２０とを、図２Ｂに示されるＡ－Ａ’線に沿う断面で視た図である。図３に示すように、第２素子基板２１０と第２対向基板２２０とは、第２シール材２１２を介して互いに対向するように配置され、第１素子基板２１０と第２対向基板２２０との間に液晶層２５０が配置される。

第２素子基板２１０の上面には、上記の検出電極２１３が配置される。第２対向基板２２０の下面には、共通電極２２２が配置される。また、図３では図示を省略するが、第２素子基板２１０は、検出電極２１３を覆うように配置された配向膜を有し、第２対向基板２２０は、共通電極２２２を覆うように配置された配向膜を有する。第２素子基板２１０の配向膜は、第１素子基板１１０の配向膜と同じ材料で形成され、第２対向基板２２０の配向膜は、第１対向基板１２０の配向膜と同じ材料で形成される。なお、検出電極２１３を構成する電極層が第２対向基板２２０外へ引き出される態様を図示したが、これに限定されず、検出電極２１３より下層に形成された配線層を用いる態様としてもよい。なお、矩形領域Ｅ２に、第１液晶パネル１００を模してダミーの走査線とダミーのデータ線を配置すると、第２液晶パネル２００を効率よく加熱できる。この場合、ダミーの走査線とダミーのデータ線は上記の同一の配線層で構成してよい。

上記の第２液晶パネル２００の構成から理解されるように、矩形領域Ｅ２と第２シール材２１２との間の領域において、液晶層２５０は、検出電極２１３と共通電極２２２との間に配置される。本実施形態において、検出電極２１３は、第１電極に相当し、共通電極２２２は、第２電極に相当する。

以下、図２Ｂに戻って説明を続ける。
第２ホルダー２３０は、第２素子基板２１０及び第２対向基板２２０を保持する、板状の部品である。第２素子基板２１０と第２対向基板２２０とが第２シール材２１２を介して接着された状態で、第２対向基板２２０が第２ホルダー２３０と向かい合う形で篏合して第２ホルダー２３０に接着される。第２ホルダー２３０の四隅に対応して、第２ホルダー２３０を擁壁３２０にネジで固定するための第２固定穴２３２が設けられている。

第２ヒーター線Ｈ２は、例えば抵抗線であり、第２液晶パネル２００を加熱する。第２ヒーター線Ｈ２は、第２ホルダー２３０の外周に沿って、第２素子基板２１０を囲むように配置される。第２ヒーター線Ｈ２は、第２加熱装置に相当する。

第２ホルダー２３０には、２つの第２ヒーター端子２４１及び２４２が配置される。第２ヒーター線Ｈ２の一端は、第２ヒーター端子２４１と電気的に接続され、第２ヒーター線Ｈ２の他端は、第２ヒーター端子２４２と電気的に接続される。第２ヒーター端子２４１は、第２電力供給線２４３と電気的に接続される。第２ヒーター端子２４２は、第２電力供給線２４４と電気的に接続される。第２電力供給線２４３及び２４４を介して、第２ヒーター線Ｈ２に電力が供給されることにより、第２液晶パネル２００は加熱される。後述するように、第２電力供給線２４３及び２４４は、第２加熱制御回路３９と電気的に接続される。

第２温度センサーＴＨ２は、例えばサーミスタであり、第２液晶パネル２００の温度を検出する。第２温度センサーＴＨ２は、第２ホルダー２３０の所定位置に配置される。第２温度センサーＴＨ２の位置は特に限定されないが、第２温度センサーＴＨ２は、可能な限り、第２素子基板２１０に近い位置に配置されることが好ましい。後述するように、第２温度センサーＴＨ２は、第２温度検出回路３８と電気的に接続される。第２温度センサーＴＨ２は、第２素子基板２１０の内部に配置されていてもよい。

以下、図１に戻って説明を続ける。
中央制御回路３０は、プロジェクター１の全体動作を統括的に制御する。例えば、中央制御回路３０は、光源１０から所定の光量を有する白色光Ｌ０が出射されるように、光源制御回路３１に命令を出力する。光源制御回路３１は、中央制御回路３０からの命令に従って、光源１０から所定の光量を有する白色光Ｌ０が出射されるように、光源１０に電力を供給する。

例えば、中央制御回路３０は、映像信号に基づく画像を表す画像光Ｌ５が投射されるように、不図示のパネル制御回路に命令を出力する。パネル制御回路は、中央制御回路３０からの命令に従って、映像信号に基づく画像を表す画像光Ｌ５が投射されるように、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの通常駆動を行う。これにより、投射スクリーンＳＣに画像光Ｌ５が投射され、映像信号に基づく画像が投射スクリーンＳＣに表示される。

第１液晶パネル１００Ｒの第１電力供給線１４３及び１４４は、第１加熱制御回路３３と電気的に接続される。第１液晶パネル１００Ｒの第１温度センサーＴＨ１は、第１温度検出回路３２と電気的に接続される。第１温度検出回路３２は、第１液晶パネル１００Ｒの第１温度センサーＴＨ１から出力されるアナログ信号、すなわち第１液晶パネル１００Ｒの温度を示すアナログ信号を増幅する増幅回路と、増幅されたアナログ信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバーターと、を含む。アナログ信号は、例えば、第１温度センサーＴＨ１であるサーミスタの抵抗値を電圧に変換した信号である。

中央制御回路３０は、第１温度検出回路３２から出力されるデジタル値を、第１液晶パネル１００Ｒの温度データとして取得し、第１液晶パネル１００Ｒが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１加熱制御回路３３に命令を出力する。第１加熱制御回路３３は、中央制御回路３０からの命令に従って、第１液晶パネル１００Ｒが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１液晶パネル１００Ｒの第１ヒーター線Ｈ１に電力を供給する。

第１液晶パネル１００Ｇの第１電力供給線１４３及び１４４は、第１加熱制御回路３５と電気的に接続される。第１液晶パネル１００Ｇの第１温度センサーＴＨ１は、第１温度検出回路３４と電気的に接続される。第１温度検出回路３４は、第１液晶パネル１００Ｇの第１温度センサーＴＨ１から出力されるアナログ信号、すなわち第１液晶パネル１００Ｇの温度を示すアナログ信号を増幅する増幅回路と、増幅されたアナログ信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバーターと、を含む。

中央制御回路３０は、第１温度検出回路３４から出力されるデジタル値を、第１液晶パネル１００Ｇの温度データとして取得し、第１液晶パネル１００Ｇが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１加熱制御回路３５に命令を出力する。第１加熱制御回路３５は、中央制御回路３０からの命令に従って、第１液晶パネル１００Ｇが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１液晶パネル１００Ｇの第１ヒーター線Ｈ１に電力を供給する。

第１液晶パネル１００Ｂの第１電力供給線１４３及び１４４は、第１加熱制御回路３７と電気的に接続される。第１液晶パネル１００Ｂの第１温度センサーＴＨ１は、第１温度検出回路３６と電気的に接続される。第１温度検出回路３６は、第１液晶パネル１００Ｂの第１温度センサーＴＨ１から出力されるアナログ信号、すなわち第１液晶パネル１００Ｂの温度を示すアナログ信号を増幅する増幅回路と、増幅されたアナログ信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバーターと、を含む。

中央制御回路３０は、第１温度検出回路３６から出力されるデジタル値を、第１液晶パネル１００Ｂの温度データとして取得し、第１液晶パネル１００Ｂが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１加熱制御回路３７に命令を出力する。第１加熱制御回路３７は、中央制御回路３０からの命令に従って、第１液晶パネル１００Ｂが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１液晶パネル１００Ｂの第１ヒーター線Ｈ１に電力を供給する。

第２液晶パネル２００の第２電力供給線２４３及び２４４は、第２加熱制御回路３９と電気的に接続される。第２液晶パネル２００の第２温度センサーＴＨ２は、第２温度検出回路３８と電気的に接続される。第２温度検出回路３８は、第２液晶パネル２００の第２温度センサーＴＨ２から出力されるアナログ信号、すなわち第２液晶パネル２００の温度を示すアナログ信号を増幅する増幅回路と、増幅されたアナログ信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバーターと、を含む。

中央制御回路３０は、第２温度検出回路３８から出力されるデジタル値を、第２液晶パネル２００の温度データとして取得し、第２液晶パネル２００が適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第２加熱制御回路３９に命令を出力する。第２加熱制御回路３９は、中央制御回路３０からの命令に従って、第２液晶パネル２００が適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第２液晶パネル２００の第２ヒーター線Ｈ２に電力を供給する。

第２液晶パネル２００の第１電極接続端子２１５は、第１電極線６１を介して、電圧印加回路４０と電気的に接続される。つまり、電圧印加回路４０は、第１電極線６１を介して、第２液晶パネル２００の検出電極２１３と電気的に接続される。第２液晶パネル２００の第２電極接続端子２１６は、第２電極線６２を介して、電圧印加回路４０と電気的に接続される。つまり、電圧印加回路４０は、第２電極線６２を介して、第２液晶パネル２００の共通電極２２２と電気的に接続される。電圧検出回路４１は、第１電極線６１上の第１ノードＮ１と電気的に接続される。

電圧印加回路４０は、中央制御回路３０からの命令に従って、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。電圧検出回路４１は、第１ノードＮ１の電位を、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄとして測定し、検出電極電位Ｖｄの測定値を中央制御回路３０に出力する。このように、電圧印加回路４０及び電圧検出回路４１は、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給すると共に、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄを測定する測定回路７０を構成する。

また、中央制御回路３０と、第１温度検出回路３２、３４及び３６と、第１加熱制御回路３３、３５及び３７と、第２温度検出回路３８と、第２加熱制御回路３９とは、第１温度センサーＴＨ１の出力と、第２温度センサーＴＨ２の出力と、測定回路７０によって得られる検出電極電位Ｖｄの測定値とに基づいて、第１ヒーター線Ｈ１及び第２ヒーター線Ｈ２を制御する温度制御回路を構成する。なお、図４では説明の簡易化のため、第１温度検出回路３２、３４及び３６のうち第１温度検出回路３２のみを代表して図示する。第１加熱制御回路３３、３５及び３７のうち第１加熱制御回路３３のみを代表して図示する。

以下、図４を参照しながら、測定回路７０の構成について具体的に説明する。
図４は、測定回路７０の具体例を示す図である。図４に示すように、測定回路７０は、測定電位生成回路５０と、増幅回路５１と、Ａ／Ｄコンバーター５２と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、第３スイッチＳＷ３と、第４スイッチＳＷ４と、第１コンデンサーＣ１と、第２コンデンサーＣ２と、第１電極線６１と、第２電極線６２と、グランド電位線６３と、第１ノードＮ１と、を備える。

第１電極線６１は、第２液晶パネル２００の第１電極接続端子２１５と電気的に接続される。つまり、第１電極線６１は、第１電極接続端子２１５を介して、第２液晶パネル２００の検出電極２１３と電気的に接続される。第２電極線６２は、第２液晶パネル２００の第２電極接続端子２１６と電気的に接続される。つまり、第２電極線６２は、第２電極接続端子２１６を介して、第２液晶パネル２００の共通電極２２２と電気的に接続される。

グランド電位線６３は、グランド電位が印加される配線である。グランド電位線６３は、プロジェクター１内のデジタル回路系のグランドと１点で電気的に接続される。このように構成することで、後述する測定時において、デジタル回路系がもたらす測定ノイズを抑制する効果を奏す。グランド電位線６３は、第２コンデンサーＣ２を介して、第２電極線６２と電気的に接続される。つまり、第２コンデンサーＣ２は、第２電極線６２とグランド電位線６３との間に電気的に接続される。例えば、第２コンデンサーＣ２は、０．１μＦ以上の容量値を有する。

第１ノードＮ１は、第１電極線６１を介して、検出電極２１３と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第１スイッチＳＷ１を介して、グランド電位線６３と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第２スイッチＳＷ２を介して、測定電位生成回路５０の出力端子と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第１コンデンサーＣ１を介して、グランド電位線６３と電気的に接続される。つまり、第１コンデンサーＣ１は、第１ノードＮ１とグランド電位線６３との間に電気的に接続される。例えば、第１コンデンサーＣ１は、１ｎＦから１０ｎＦ程度の容量値を有する。

第２電極線６２は、第３スイッチＳＷ３を介して、グランド電位線６３と電気的に接続される。第２電極線６２は、第４スイッチＳＷ４を介して、測定電位生成回路５０の出力端子と電気的に接続される。

第１スイッチＳＷ１の状態は、中央制御回路３０から出力される第１制御信号Ｓ１によって制御される。例えば、第１制御信号Ｓ１として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路３０から出力され、論理「Ｈ」のとき、第１スイッチＳＷ１はオン状態になる。

第２スイッチＳＷ２の状態は、中央制御回路３０から出力される第２制御信号Ｓ２によって制御される。例えば、第２制御信号Ｓ２として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路３０から出力され、論理「Ｈ」のとき、第２スイッチＳＷ２はオン状態になる。

第３スイッチＳＷ３の状態は、中央制御回路３０から出力される第３制御信号Ｓ３によって制御される。例えば、第３制御信号Ｓ３として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路３０から出力され、論理「Ｈ」のとき、第３スイッチＳＷ３はオン状態になる。

第４スイッチＳＷ４の状態は、中央制御回路３０から出力される第４制御信号Ｓ４によって制御される。例えば、第４制御信号Ｓ４として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路３０から出力され、論理「Ｈ」のとき、第４スイッチＳＷ４はオン状態になる。

測定電位生成回路５０は、中央制御回路３０から出力される参照電圧Ｖｓｒｅｆに対応する測定電位Ｖｓを出力する。例えば、測定電位生成回路５０は、参照電圧Ｖｓｒｅｆと同じ極性及び絶対値を有する測定電位Ｖｓを出力する。すなわち、測定電位生成回路５０から出力される測定電位Ｖｓは、中央制御回路３０によって可変制御される。このような測定電位生成回路５０は、例えば、参照電圧Ｖｓｒｅｆが入力されるボルテージフォロワーによって実現できる。
第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４と、測定電位生成回路５０とによって、図１に示される電圧印加回路４０が構成される。

増幅回路５１は、検出電極２１３と電気的に接続された第１ノードＮ１の電位を増幅する。以下の説明では、第１ノードＮ１の電位を第１ノード電位と呼称する場合がある。増幅回路５１は、増幅された第１ノード電位をＡ／Ｄコンバーター５２に出力する。Ａ／Ｄコンバーター５２は、増幅回路５１によって増幅された第１ノード電位をデジタル値に変換する。Ａ／Ｄコンバーター５２は、第１ノード電位のデジタル値を、検出電極電位Ｖｄの測定値として、中央制御回路３０に出力する。

例えば、増幅回路５１は、オペアンプを用いた非反転増幅回路である。増幅回路５１のグランド端子は、第１コンデンサーＣ１、及び第２コンデンサーＣ２が電気的に接続されたグランド電位線６３と電気的に接続される。このように、増幅回路５１のグランド端子をグランド電位線６３と電気的に接続することにより、検出電極電位Ｖｄの測定値に、測定回路７０を構成するデジタル回路系の動作に伴うノイズ成分が重畳することを抑制できる。上記の増幅回路５１の構成から理解されるように、Ａ／Ｄコンバーター５２から得られる検出電極電位Ｖｄの測定値は、第１ノード電位、すなわち検出電極２１３の電位と、グランド電位との電位差に応じた値である。
増幅回路５１及びＡ／Ｄコンバーター５２によって、図１に示される電圧検出回路４１が構成される。

中央制御回路３０は、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分侵入による劣化状況の測定時において、測定回路７０に含まれる各回路を制御する。具体的には、中央制御回路３０は、参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。中央制御回路３０は、第１制御信号Ｓ１から第４制御信号Ｓ４を、第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４にそれぞれ出力する。このように、本実施形態における中央制御回路３０は、参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力し、第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御する。

図４に示すように、プロジェクター１は、測定値記憶回路５３と、表示情報生成回路５４と、をさらに備える。中央制御回路３０は、Ａ／Ｄコンバーター５２から出力される検出電極電位Ｖｄの測定値を、測定値記憶回路５３に記憶させる。測定値記憶回路５３は、中央制御回路３０による制御に従って、検出電極電位Ｖｄの測定値を記憶する。中央制御回路３０は、判定回路３０ａを含む。判定回路３０ａは、測定値記憶回路５３に記憶された測定値に基づいて、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分侵入による劣化状況を判定する。表示情報生成回路５４は、測定値および判定結果に基づいて、液晶層２５０への水分侵入による劣化状況を示す表示用情報を生成する。

なお、測定回路７０を構成する各回路は、各回路が実現する機能の一部ないし全部を、例えば、中央制御回路３０の制御プログラムで実現する構成としてもよい。また、測定回路７０は、１つのＩＣ（Integrated Circuit）であっても、複数のＩＣに分割されていてもよい。

上記で説明した構成要素のうち、少なくとも、第２液晶パネル２００と、測定回路７０と、第２ヒーター線Ｈ２とによって、本実施形態における液晶装置が構成される。この液晶装置において、第２液晶パネル２００は、検出電極２１３と、共通電極２２２と、検出電極２１３と共通電極２２２とによって配置された液晶層２５０と、を備える液晶パネルに相当する。液晶装置において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給すると共に、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄを測定する測定回路に相当する。液晶装置において、第２ヒーター線Ｈ２は、液晶パネルとしての第２液晶パネル２００を加熱する加熱装置に対応する。

１．２．第２液晶パネル２００の液晶層２５０の物性測定方法の概要
以下、第２液晶パネル２００の液晶層２５０に侵入した水分量を推定するための、液晶層２５０の物性測定方法の詳細を説明する。図５は、第２液晶パネル２００の液晶層２５０の物性測定方法を示す概略的なフローチャートである。以下では、図５を参照しながら、液晶層２５０の物性測定方法について説明する。

図５に示すように、ステップＳ１０では、所定のイベントが発生すると、測定モードに移行し、第２液晶パネル２００の液晶層２５０の物性測定を開始する。ここで、所定のイベントには、プロジェクター１の電源オンおよび電源オフ、プロジェクター１における保全メニュー選択からの測定指示などがある。中央制御回路３０は、これらの測定モード移行イベントの発生を検知すると、液晶層２５０の物性測定を開始する。

なお、ステップＳ１０は、測定モード移行イベントの概念を示している。実際には、例えば、保全メニュー選択からの指示は割り込み処理的なものであり、プロジェクター１は電源が投入されている。また、測定モード移行イベントは、例示した「保全メニュー選択」、「電源オン」および「電源オフ」の全てを強制するものでもない。

中央制御回路３０は、測定モード移行イベントの発生を検知すると、まず、後述の測定処理の実行回数を示すカウント値Ｋを「０」にリセットする（ステップＳ１１）。続いて、中央制御回路３０は、カウント値Ｋに「１」を加算する（ステップＳ１２）。続いて、中央制御回路３０は、カウント値Ｋが奇数か否かを判定する（ステップＳ１３）。

中央制御回路３０は、カウント値Ｋが奇数である場合（ステップＳ１３：Ｙｅｓ）、第１測定処理を実行する（ステップＳ１４）。一方、中央制御回路３０は、カウント値Ｋが偶数である場合（ステップＳ１３：Ｎｏ）、第２測定処理を実行する（ステップＳ１５）。第１測定処理及び第２測定処理の具体的な内容については後述する。

中央制御回路３０は、第１測定処理または第２測定処理を実行した後に、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しいか否かを判定する（ステップＳ１６）。中央制御回路３０は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくない場合（ステップＳ１６：Ｎｏ）、ステップＳ１２に戻る。一方、中央制御回路３０は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しい場合（ステップＳ１６：Ｙｅｓ）、後述のステップＳ１７に移行する。

上記のステップＳ１１からステップＳ１６までの処理の説明から理解されるように、中央制御回路３０は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第１測定処理と第２測定処理とを交互に実行する。例えば、上限値Ｋｍａｘが「１０」である場合、第１測定処理と第２測定処理とが、それぞれ５回ずつ実行される。以下では、図６及び図７を参照しながら、第１測定処理及び第２測定処理について詳細に説明する。なお、上限値Ｋｍａｘは予め、中央制御回路３０の制御プログラムに設定されているものである。あるいは、図示を省略した入力手段によって数値を設定できるようにしてもよい。入力手段は、例えば、中央制御回路３０が備える入力キーや、液晶装置を用いた投射型表示装置に対して有線もしくは無線接続されたＰＣなどである。上限値Ｋｍａｘが２以上に設定されていれば、第１測定処理もしくは第２測定処理の複数回の測定結果について平均値を計算して、再現性の良いデータを得ることができる。後述する詳細な測定例では、上限値Ｋｍａｘ＝２０であり、１０回の第１測定処理の平均値を計算している。

図６は、第１測定処理及び第２測定処理の実行時における検出電極２１３及び共通電極２２２のそれぞれの電位の時間的な変化を示す図である。図６において、横軸は時間であり、縦軸は電圧である。図６では、説明の便宜上、各電極の電位表示は実際とは異ならしめている。例えば、縦軸の１．２Ｖの値は５Ｖのおよそ半値の部分に描かれている。図６において、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄは一部を除いて実線によって示され、共通電極２２２の電位である共通電極電位Ｖｃは点線によって示される。

図７は、第１測定処理及び第２測定処理の実行時における検出電極２１３と共通電極２２２との電位差の時間的な変化を示す図である。図７において、横軸は時間であり、縦軸は共通電極２２２を基準とした際の検出電極２１３の電圧である。換言すれば、検出電極２１３における液晶層２５０の印可電圧である。図７では、共通電極電位Ｖｃに対して、検出電極電位Ｖｄが大きいときの電位差の極性を正極性としている。

図６及び図７において、時刻ｔ１から時刻ｔ５までの期間Ｔ１０において第１測定処理が実行される。以下の説明では、第１測定処理が実行される期間Ｔ１０を第１測定期間Ｔ１０と呼称する場合がある。第１測定期間Ｔ１０は、第１逆掃引期間Ｔ１と、第１緩和期間Ｔ２と、第１充電期間Ｔ３と、第１放電期間Ｔ４とを含む。第１逆掃引期間Ｔ１は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間である。第１緩和期間Ｔ２は、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間である。第１充電期間Ｔ３は、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間である。第１放電期間Ｔ４は、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間である。

第１逆掃引期間Ｔ１において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が第１電位差Ｖｐ１となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路３０は、例えば＋５Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋５Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路３０は、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が検出電極２１３と電気的に接続され、グランド電位線６３が共通電極２２２と電気的に接続される。これにより、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極２１３に＋５Ｖの測定電位Ｖｓが供給され、共通電極２２２にグランド電位、すなわち０Ｖが供給される。その結果、図６に示すように、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極電位Ｖｄは＋５Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは０Ｖとなる。また、図７に示すように、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第１電位差Ｖｐ１、すなわち＋５Ｖとなる。

このように、第１逆掃引期間Ｔ１において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が＋５Ｖの第１電位差Ｖｐ１となるように、検出電極２１３に＋５Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、共通電極２２２にグランド電位を供給する。本実施形態において、第１逆掃引期間Ｔ１は、第１期間に対応する。

第１逆掃引期間Ｔ１と第１充電期間Ｔ３との間の第１緩和期間Ｔ２において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第１電位差Ｖｐ１と同じ極性を有し、且つ第１電位差Ｖｐ１の絶対値より小さい絶対値を有する第３電位差Ｖｐ３となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路３０は、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が検出電極２１３と電気的に接続され、グランド電位線６３が共通電極２２２と電気的に接続される。これにより、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極２１３に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが供給され、共通電極２２２にグランド電位が供給される。その結果、図６に示すように、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極電位Ｖｄは＋１．２Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは０Ｖとなる。また、図７に示すように、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第３電位差Ｖｐ３、すなわち＋１．２Ｖとなる。

このように、第１緩和期間Ｔ２において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第１電位差Ｖｐ１と同じ極性を有し、且つ第１電位差Ｖｐ１の絶対値より小さい絶対値を有する第３電位差Ｖｐ３（＋１．２Ｖ）となるように、検出電極２１３に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、共通電極２２２にグランド電位を供給する。本実施形態において、第１緩和期間Ｔ２は、第４期間に対応する。

第１逆掃引期間Ｔ１後であって、且つ第１緩和期間Ｔ２後の第１充電期間Ｔ３において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第１電位差Ｖｐ１と異なる極性を有する第２電位差Ｖｐ２となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路３０は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。

第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が共通電極２２２と電気的に接続され、グランド電位線６３が検出電極２１３と電気的に接続される。これにより、第１充電期間Ｔ３において、検出電極２１３にグランド電位が供給され、共通電極２２２に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが供給される。その結果、図６に示すように、第１充電期間Ｔ３において、検出電極電位Ｖｄは＋０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２Ｖとなる。また、図７に示すように、第１充電期間Ｔ３において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第２電位差Ｖｐ２、すなわち－１．２Ｖとなる。

このように、第１充電期間Ｔ３において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第１電位差Ｖｐ１と異なる極性を有する第２電位差Ｖｐ２（－１．２Ｖ）となるように、共通電極２２２に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、検出電極２１３にグランド電位を供給する。本実施形態において、第１充電期間Ｔ３は、第２期間に対応する。

第１充電期間Ｔ３後の第１放電期間Ｔ４において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に共通電極２２２に第１充電期間Ｔ３と同じ電位を供給し、少なくとも１回、例えば、第１放電期間Ｔ４の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。

具体的には、第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路３０は、第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。

第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が共通電極２２２と電気的に接続され、グランド電位線６３が検出電極２１３と電気的に切断される。これにより、第１放電期間Ｔ４において、共通電極２２２には＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが供給され続けるが、検出電極２１３への電位供給が停止するため、液晶層２５０は、第１充電期間Ｔ３に充電された電荷を放電する。その結果、図６に示すように、第１放電期間Ｔ４において、検出電極電位Ｖｄは、グランド電位である０Ｖから共通電極２２２に与えられた電位（＋１．２）Ｖに向かって緩やかに変化し、時刻ｔ５において電位Ｖｄ１に到達する。

本願発明者による研究の結果、第１放電期間Ｔ４の終了時における検出電極電位Ｖｄ１の値は、液晶層２５０に含まれる可動性イオンの量に依存し、可動性イオンの量は、液晶層２５０の水分量に依存することが判明した。従って、後述するように、第１放電期間Ｔ４の終了時の検出電極電位Ｖｄ１を測定することにより、第２液晶パネル２００内の液晶層２５０への水分の侵入を推定でき、水分の侵入に起因する液晶層２５０の劣化状況を判定することができる。
なお、図７に示すように、第１放電期間Ｔ４の終了時の検出電極電位Ｖｄ１は、共通電極２２２を基準とする電位差Ｖ３に対応する。

中央制御回路３０は、例えば、第１放電期間Ｔ４が終了する時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ１を測定する。具体的には、検出電極電位Ｖｄ１は増幅回路５１によって増幅され、増幅回路５１の出力がＡ／Ｄコンバーター５２に入力される。中央制御回路３０は、時刻ｔ５にＡ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ１の測定値として取得する。中央制御回路３０は、時刻ｔ５に得られた検出電極電位Ｖｄ１の測定値を測定値記憶回路５３に記憶させる。

このように、第１放電期間Ｔ４において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に、共通電極２２２に第１充電期間Ｔ３と同じ＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓを供給し、少なくとも１回、例えば、第１放電期間Ｔ４の終了する時刻ｔ５に検出電極電位Ｖｄ１を測定する。本実施形態において、第１放電期間Ｔ４は、第３期間に対応する。

以上が第１測定処理の説明である。
第１逆掃引期間Ｔ１の長さ、第１電位差Ｖｐ１は任意に設定可能である。可動性イオンの初期配置を効率よく行うためには、第１逆掃引期間Ｔ１を長く、第１電位差Ｖｐ１を大きく設定するほうがよい。しかし、第１逆掃引期間Ｔ１を長くしすぎると測定時間が長くなる問題がある。また、第１電位差Ｖｐ１を大きくしすぎると測定回路７０の構成を肥大化させる問題がある。さらには液晶層２５０に想定外の劣化を引き起こす懸念がある。そのため、典型的には、第１逆掃引期間Ｔ１は第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長く、例えば、数１００ｍｓ程度以下に設定する。第１電位差Ｖｐ１は液晶材料の標準的な印可電圧である５Ｖ程度に収めるとよい。そうすれば測定回路７０を容易に構成できる。ただし、第１電位差Ｖｐ１が液晶層２５０の液晶分子を動かす、すなわち誘電異方性が見えるような電圧を超えると問題がある。これらのより詳細な説明は後述する。

第１充電期間Ｔ３の長さ、第１充電期間Ｔ３における第２電位差Ｖｐ２の絶対値は任意に設定可能である。第１充電期間Ｔ３中の可動性イオンの移動を抑制するためには、第１充電期間Ｔ３を短く、第２電位差Ｖｐ２を小さく設定するほうがよい。しかし、第１充電期間Ｔ３を短くするためには、共通電極２２２等の高速な電位応答が必要であり、測定回路７０に高性能が求められる。また、第２電位差Ｖｐ２の絶対値を小さくしすぎると、第１放電期間Ｔ４において、可動性イオンの移動に時間が必要になるので測定時間が長くなる問題がある。そのため、典型的には、第１充電期間Ｔ３は第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも短く、数ｍ秒程度にするとよい。例えば、５ｍ秒である。また、第２電位差Ｖｐ２の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。例えば、１．２Ｖである。そうすれば第１放電期間Ｔ４において、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制した測定ができる。なお、液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈは、液晶層２５０の透過率または明るさが、その最大階調比で約１０％となるような駆動電圧であり、より好ましくは、液晶分子が動きはじめる直前の電圧、または、液晶分子の配向状態が変化しだす直前の電圧である。本実施形態では、ノーマリーブラック型の第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００としているために上記のような液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈを定義した。ノーマリーホワイト型の第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００とする場合には、例えば、液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈは、液晶層２５０の透過率または明るさが、その最大階調比で約９０％となる駆動電圧のように定義できる。これらのより詳細な説明は後述する。

さらに、上記の説明では、第１緩和期間Ｔ２における第３電位差Ｖｐ３の絶対値が、第２電位差Ｖｐ２の絶対値と同じ１．２Ｖである場合を例示したが、このように第３電位差Ｖｐ３の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。第３電位差Ｖｐ３の絶対値を上記のように設定する理由は後述する。なお、必ずしも、第３電位差Ｖｐ３の絶対値が、第２電位差Ｖｐ２の絶対値と同じである必要はない。

続いて、第２測定処理について説明する。第２測定処理では、液晶層２５０の印可電圧について、第２測定処理とは極性が反転するように検出電極２１３と共通電極２２２の各電位を制御する。
図６及び図７において、時刻ｔ５から時刻ｔ９までの期間Ｔ２０において第２測定処理が実行される。以下の説明では、第２測定処理が実行される期間Ｔ２０を第２測定期間Ｔ２０と呼称する場合がある。第２測定期間Ｔ２０は、第２逆掃引期間Ｔ５と、第２緩和期間Ｔ６と、第２充電期間Ｔ７と、第２放電期間Ｔ８とを含む。第２逆掃引期間Ｔ５は、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間である。第２緩和期間Ｔ６は、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間である。第２充電期間Ｔ７は、時刻ｔ７から時刻ｔ８までの期間である。第２放電期間Ｔ８は、時刻ｔ８から時刻ｔ９までの期間である。

第１放電期間Ｔ４後の第２逆掃引期間Ｔ５において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第１電位差Ｖｐ１と異なる極性を有し、且つ第１電位差Ｖｐ１の絶対値と同じ絶対値を有する第４電位差Ｖｐ４となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路３０は、例えば＋５Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋５Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第２逆掃引期間Ｔ２において、中央制御回路３０は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。

第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が共通電極２２２と電気的に接続され、グランド電位線６３が検出電極２１３と電気的に接続される。これにより、第２逆掃引期間Ｔ５において、共通電極２２２に＋５Ｖの測定電位Ｖｓが供給され、検出電極２１３にグランド電位が供給される。その結果、図６に示すように、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋５Ｖとなる。また、図７に示すように、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第４電位差Ｖｐ４、すなわち－５Ｖとなる。

このように、第２逆掃引期間Ｔ５において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第１電位差Ｖｐ１と異なる極性を有し、且つ第１電位差Ｖｐ１の絶対値と同じ絶対値を有する第４電位差Ｖｐ４（－５Ｖ）となるように、共通電極２２２に＋５Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、検出電極２１３にグランド電位を供給する。本実施形態において、第２逆掃引期間Ｔ５は、第５期間に対応する。

第２逆掃引期間Ｔ５と第２充電期間Ｔ７との間の第２緩和期間Ｔ６において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第４電位差Ｖｐ４と同じ極性を有し、且つ第４電位差Ｖｐ４の絶対値より小さい絶対値を有する第６電位差Ｖｐ６となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路３０は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。

第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が共通電極２２２と電気的に接続され、グランド電位線６３が検出電極２１３と電気的に接続される。これにより、第２緩和期間Ｔ６において、共通電極２２２に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが供給され、検出電極２１３にグランド電位が供給される。その結果、図６に示すように、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２Ｖとなる。また、図７に示すように、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第６電位差Ｖｐ６、すなわち－１．２Ｖとなる。

このように、第２緩和期間Ｔ６において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第４電位差Ｖｐ４と同じ極性を有し、且つ第４電位差Ｖｐ４の絶対値より小さい絶対値を有する第６電位差Ｖｐ６（－１．２Ｖ）となるように、共通電極２２２に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、検出電極２１３にグランド電位を供給する。本実施形態において、第２緩和期間Ｔ６は、第８期間に対応する。

第２逆掃引期間Ｔ５後であって、且つ第２緩和期間Ｔ６後の第２充電期間Ｔ７において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第４電位差Ｖｐ４と異なる極性を有する第５電位差Ｖｐ５となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路３０は、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が検出電極２１３と電気的に接続され、グランド電位線６３が共通電極２２２と電気的に接続される。これにより、第２充電期間Ｔ７において、共通電極２２２にグランド電位が供給され、検出電極２１３に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが供給される。その結果、図６に示すように、第２充電期間Ｔ７において、検出電極電位Ｖｄは＋１．２Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは０Ｖとなる。また、図７に示すように、第２充電期間Ｔ７において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第５電位差Ｖｐ５、すなわち＋１．２Ｖとなる。

このように、第２充電期間Ｔ７において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第４電位差Ｖｐ４と異なる極性を有する第５電位差Ｖｐ５（＋１．２Ｖ）となるように、検出電極２１３に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、共通電極２２２にグランド電位を供給する。本実施形態において、第２充電期間Ｔ７は、第６期間に対応する。

第２充電期間Ｔ７後の第２放電期間Ｔ８において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に共通電極２２２に第２充電期間Ｔ７と同じ電位を供給し、少なくとも１回、例えば、第２放電期間Ｔ８の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。

具体的には、第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路３０は、第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が検出電極２１３と電気的に切断され、グランド電位線６３が共通電極２２２と電気的に接続される。これにより、第２放電期間Ｔ８において、共通電極２２２にはグランド電位が供給され続けるが、検出電極２１３への電位供給が停止するため、液晶層２５０は、第２充電期間Ｔ７に充電された電荷を放電する。その結果、図６に示すように、第２放電期間Ｔ８において、検出電極電位Ｖｄは、＋１．２Ｖから共通電極２２２に与えられた電位（０Ｖ）に向かって緩やかに変化する。

第１放電期間Ｔ４の終了時の検出電極電位Ｖｄ１と同様に、第２放電期間Ｔ８の終了時における検出電極電位Ｖｄ２の値は、液晶層２５０に含まれる可動性イオンの量、すなわち液晶層２５０の水分量に依存する。従って、後述するように、第２放電期間Ｔ８の終了時の検出電極電位Ｖｄ２を測定することにより、第２液晶パネル２００への水分の侵入を推定でき、水分の侵入に起因する液晶層２５０の劣化状況を判定することができる。
なお、図７に示すように、第２放電期間Ｔ８の終了時の検出電極電位Ｖｄ２は、共通電極２２２を基準とする電位差Ｖ４に対応する。

中央制御回路３０は、例えば、第２放電期間Ｔ８が終了する時刻ｔ９における検出電極電位Ｖｄ２を測定する。具体的には、検出電極電位Ｖｄ１は増幅回路５１によって増幅され、増幅回路５１の出力がＡ／Ｄコンバーター５２に入力される。中央制御回路３０は、時刻ｔ９にＡ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ２の測定値として取得する。中央制御回路３０は、時刻ｔ９に得られた検出電極電位Ｖｄ２の測定値を測定値記憶回路５３に記憶させる。

このように、第２放電期間Ｔ８において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に、共通電極２２２に第２充電期間Ｔ７と同じグランド電位を供給し、少なくとも１回、例えば、第２放電期間Ｔ８の終了時刻ｔ９に検出電極電位Ｖｄ２を測定する。本実施形態において、第２放電期間Ｔ８は、第７期間に対応する。なお、説明では第１測定処理と第２測定処理の夫々において検出電極電位Ｖｄ（Ｖｄ１、Ｖｄ２）を測定するとしたが、少なくとも一方で測定が実施されていればよい。

以上が第２測定処理の説明である。
第２逆掃引期間Ｔ５の長さ、第２逆掃引期間Ｔ５における第４電位差Ｖｐ４は任意に設定可能である。ただし、第２逆掃引期間Ｔ５の長さに関する制約条件は、第１逆掃引期間Ｔ１の長さに関する制約条件と同じである。また、第４電位差Ｖｐ４に関する制約条件は、第１電位差Ｖｐ１に関する制約条件と同じである。さらに測定動作において、液晶層２５０に対する不要な直流電圧を印可しないようにするために、第１逆掃引期間Ｔ１の長さと、第２逆掃引期間Ｔ５の長さは同じに設定するとよい。同様の理由で、第１電位差Ｖｐ１の絶対値と、第４電位差Ｖｐ４は同じに設定するとよい。

第２充電期間Ｔ７の長さ、第５電位差Ｖｐ５の絶対値は任意に設定可能である。ただし、第２充電期間Ｔ７の長さに関する制約条件は、第１充電期間Ｔ３の長さに関する制約条件と同じである。また、第５電位差Ｖｐ５の絶対値に関する制約条件は、第２電位差Ｖｐ２の絶対値に関する制約条件と同じである。さらに測定動作において、液晶層２５０に対する不要な直流電圧を印可しないようにするために、第１充電期間Ｔ３の長さと、第２充電期間Ｔ７の長さは同じに設定するとよい。同様の理由で、第２電位差Ｖｐ２の絶対値と第５電位差Ｖｐ５の絶対値は同じに設定するとよい。

さらに、上記の説明では、第２緩和期間Ｔ６における第６電位差Ｖｐ６の絶対値が、第５電位差Ｖｐ５の絶対値と同じ１．２Ｖである場合を例示したが、このように第６電位差Ｖｐ６の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。第６電位差Ｖｐ６の絶対値を上記のように設定する理由は後述する。なお、必ずしも、第６電位差Ｖｐ６の絶対値が、第５電位差Ｖｐ５の絶対値と同じである必要はない。

図７から理解されるように、上記のような第１測定処理と第２測定処理とが交互に繰り返されることにより、液晶層２５０は交流駆動される。これにより、液晶層２５０の物性測定時において、液晶層２５０に直流電圧が印加されることに起因して液晶層２５０が劣化することを抑制できる。

以下、図５に戻って説明を続ける。
既に述べたように、中央制御回路３０は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第１測定処理と第２測定処理とを交互に実行する。そして、中央制御回路３０は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しい場合（ステップＳ１６：Ｙｅｓ）、後述のステップＳ１７に移行する。全ての測定処理が終了したら、例えば、中央制御回路３０は、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御し、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。この結果、グランド電位が検出電極２１３と共通電極２２２に印可される。

ステップＳ１７では、表示情報生成回路５４は、測定値記憶回路５３に記憶された検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の測定値に基づいて、液晶層２５０への水分侵入による劣化状況を示す表示用データを作成する。そして、第１液晶パネル１００の通常駆動時に、中央制御回路３０は、表示情報生成回路５４が生成した表示用データに基づく画像を表す画像光Ｌ５が投射されるように、パネル制御回路に命令を出力する。パネル制御回路は、中央制御回路３０からの命令に従って、表示用データに基づく画像を表す画像光Ｌ５が投射されるように、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの通常駆動を行う。これにより、投射スクリーンＳＣに画像光Ｌ５が投射され、液晶層２５０への水分侵入による劣化状況を示す画像が投射スクリーンＳＣに表示される。また、液晶層２５０への水分侵入による劣化状況を音声装置及び警告灯などの報知手段によって報知してもよい。

なお、液晶層２５０への水分侵入による劣化状況の表示は、検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の測定値が、予め設定された閾値に達した時など、使用者への通知が必要な時にのみ行うようにしてもよい。また、プロジェクター１に搭載されたタッチパネルなどの表示装置に、液晶層２５０への水分侵入による劣化状況を表示させる構成を採用してもよい。

ステップＳ１８では、中央制御回路３０は、測定結果に関するデータを、不図示の通信回路を介して外部装置へ送信する。外部装置とは、例えば、プロジェクター１に関する情報を管理するインターネットサーバーなどである。なお、ステップＳ１８は、プロジェクター１の仕様によっては、省略することができる。

液晶層２５０の劣化状況の測定結果は、プロジェクター１の保全メニューからも表示させることができる。保全メニューは、例えば、プロジェクター１における設定メニューの一部として実装される。ステップＳ１０では、中央制御回路３０は、測定結果の表示指示を受信すると、ステップＳ１７に進み、測定結果を表す画像光Ｌ５が投射されるように、パネル制御回路に命令を出力する。

１．３．第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５の作用効果
液晶層２５０に侵入した水分は、可動性イオンとして振る舞う。上記のように、本実施形態では、第１測定期間Ｔ１０の先頭に第１逆掃引期間Ｔ１が挿入され、第２測定期間Ｔ２０の先頭に第２逆掃引期間Ｔ５が挿入される。これにより、第１測定期間Ｔ１０の開始直後と、第２測定期間Ｔ２０の開始直後とのそれぞれにおいて、液晶層２５０に含まれる可動性イオンを、共通電極２２２及び検出電極２１３のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように可動性イオンの初期配置が整えられることにより、測定再現性を得られやすくなる。可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。

第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５は、それぞれ、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長いことが好ましい。例えば、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５は、それぞれ、２０ｍ秒以上である。これにより、液晶層２５０に含まれる可動性イオンを効果的に初期配置できる。可動性イオンの初期配置を制御できない状態で測定値を得た場合、十分な測定再現性を得られないことがある。

図８は、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５の効果を示す図である。この図は湿度管理されていない環境に放置した第２液晶パネル２００に相当するＴＥＧ(Test Elementary Group)について検証した実験結果である。湿度管理されていないため液晶層２５０には水分が侵入している。図８は、第１逆掃引期間Ｔ１が２０ｍ秒のケースと、第１逆掃引期間Ｔ１が１００ｍ秒のケースと、第１逆掃引期間Ｔ１が５００ｍ秒のケースとのそれぞれについて、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを測定した結果を示す。より詳細には、上記３つのケースのそれぞれについて、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを１１倍に増幅して測定した結果である。

図８において、横軸は、第１放電期間Ｔ４の放電開始からの時刻を示し、縦軸は、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄの測定値を示す。第１放電期間Ｔ４は２００ｍ秒である。また、図８において、縦軸は、検出電極電位Ｖｄの測定値を、Ａ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値で表している。この測定ではＡ／Ｄコンバーター５２として、１０ビット仕様のＡ／Ｄコンバーターを使用し、測定値１０２３は約２．５Ｖに相当する。

図８に示されるように、第１逆掃引期間Ｔ１が長いほど、第１放電期間Ｔ４の終了時の測定値が大きくなる。この理由は、第１測定期間Ｔ１０の先頭に第１逆掃引期間Ｔ１を挿入することにより、移動度の小さい可動性イオンが、共通電極２２２及び検出電極２１３のいずれか一方に効果的に初期配置された結果と考えられる。このような結果は、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５を長くすることにより、第２液晶パネル２００の水分の侵入に起因する液晶層２５０の劣化の進行を感度良く追跡できることを示唆する。

図９は、液晶層２５０の電気特性図を示す。横軸は液晶層２５０への印可電圧であり、縦軸は電流である。この電気特性は、例えば、液晶層２５０に対して０．１Ｈｚの±５Ｖの三角波電圧を印可した際の電流を測定して得ることができる。この手法は一般的にはサイクリックボルタンメトリー（cyclic voltammetry）と呼ばれる測定方法である。図９において矢印Ａで示されるように、典型的には、可動性イオンによる電流は、液晶層２５０の充電電流に対して増分電流として出現し、比較的小さい電圧においてピーク電流を示す。このピーク電流は、液晶層２５０の劣化の進行に伴って、例えば破線Ａで示されるような大きなピークとなって現れる。また、水分が液晶層２５０の内部に侵入した場合にもピーク電流に反映される。上記のような方法では、専用の精密測定機器を用いれば、可動性イオンの存在を定量的に評価できるが、プロジェクター１にこのような機能を実装することはコスト的に現実的ではない。しかるに本願の構成によれば、比較的簡便な回路構成で、水分侵入に起因する液晶層２５０の劣化状態を定量化できる。

第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５において液晶層２５０に印加される電圧は、第１液晶パネル１００の通常駆動時の最大印可電圧以上であることが好ましい。言い換えれば、第１逆掃引期間Ｔ１における第１電位差Ｖｐ１の絶対値と、第２逆掃引期間Ｔ５における第４電位差Ｖｐ４の絶対値とは、それぞれ、第１液晶パネル１００の通常駆動時の最大印可電圧以上であることが好ましい。第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５において液晶層２５０に印加される電圧は、液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈ以上の電圧であってもよい。

図１０は、液晶層２５０の規格化透過率と印加電圧との関係を示す図である。液晶層２５０のギャップ及び液晶材料によって透過率の特性は異なるが、例えば、第２液晶パネル２００がノーマリーブラック型のＶＡ（Vertical Alignment）液晶パネルであり、液晶層２５０のギャップが約２．６μｍである場合、図１０に示すように、４Ｖ弱の電圧が印加されたときに、液晶層２５０の透過率は最大となる。また規格化透過率が約１０％となる閾値電圧Ｖｔｈは約２．１Ｖである。この閾値電圧Ｖｔｈと第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６の関係について以下で説明する。

１．４．第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６の効果
上記のように、本実施形態では、第１測定期間Ｔ１０において第１逆掃引期間Ｔ１と第１充電期間Ｔ３との間に第１緩和期間Ｔ２が挿入され、第２測定期間Ｔ２０において第２逆掃引期間Ｔ５と第２充電期間Ｔ７との間に第２緩和期間Ｔ６が挿入される。これにより、液晶層２５０の誘電異方性の影響を回避し、かつ検出電極２１３と共通電極２２２のいずれか一方に集積した可動性イオンを動かさずに測定できる。

上記のように、例えば、液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈは、２．１Ｖ程度である。つまり、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６において液晶層２５０に印加される電圧が、閾値電圧Ｖｔｈより小さければ、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制して測定できる。言い換えれば、第１緩和期間Ｔ２における第３電位差Ｖｐ３の絶対値と、第２緩和期間Ｔ６における第６電位差Ｖｐ６の絶対値とが、それぞれ、０Ｖより大きく、且つ閾値電圧Ｖｔｈより小さければ、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制して測定できる。

上記のように、本実施形態では、第１逆掃引期間Ｔ１から第１緩和期間Ｔ２に移行するときに、液晶層２５０の印加電圧は、極性が変わることなく、＋５Ｖから＋１．２Ｖへ切り替えられる。また、第２逆掃引期間Ｔ５から第２緩和期間Ｔ６に移行するときに、液晶層２５０の印加電圧は、極性が変わることなく、－５Ｖから－１．２Ｖへ切り替えられる。そのため、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６の長さは、液晶層２５０の応答時間を考慮して設定される。液晶層２５０の応答時間を考慮すると、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６は、１フレーム期間よりも長く設定されることが好ましい。例えば、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６は、２０ｍ秒、或いは５０ｍ秒等である。応答の早い液晶材料であれば、２０ｍ秒よりも短い値としてもよい。

１．５．第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７の効果
基本的に、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７は、短いほうがよい。この理由は、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くすると、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなるからである。例えば、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７は、第１液晶パネル１００の通常駆動時の１フレーム期間より短いことが好ましい。

図１１は、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７の効果を示す図である。図１１は、第１充電期間Ｔ３が１ｍ秒のケースと、第１充電期間Ｔ３が５ｍ秒のケースとのそれぞれについて、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを測定した結果を示す。より詳細には、上記２つのケースのそれぞれについて、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを１１倍に増幅して測定した結果である。この実験は図８に示した実験に用いたサンプルを使用した。

図１１において、横軸は、第１放電期間Ｔ４の放電開始からの時刻を示し、縦軸は、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄの測定値を示す。第１放電期間Ｔ４は２００ｍ秒である。また、図１１において、縦軸は、検出電極電位Ｖｄの測定値を、Ａ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値で表している。この測定ではＡ／Ｄコンバーター５２として、１０ビット仕様のＡ／Ｄコンバーターを使用し、測定値１０２３は約２．５Ｖに相当する。

図１１に示されるように、第１充電期間Ｔ３が短いほど、第１放電期間Ｔ４の終了時の測定値が大きくなる。この理由は、第１充電期間Ｔ３が短縮されることで、第１充電期間Ｔ３中の可動性イオンの移動が抑制され、移動度の大きい可動性イオンの作用を効率的に反映した結果と考えられる。

１．６．室内放置による水分侵入と加熱による水分排出との検証
図１２から図１５は、それぞれ、室内放置による水分侵入と加熱による水分排出とを検証した結果を示す図である。この検証では、図８及び図１１の実験に用いたＴＥＧと同一構成のサンプルを４個使用した。以下、サンプル１、サンプル２、サンプル３、及びサンプル４と呼称する。

サンプル１からサンプル４を室内に放置し、室内放置時間がＴＥＧ作製後まもない第１ケースと、湿度管理の無い状況で室内放置時間が約３週間に達した第２ケースと、室内放置終了後に８０℃の恒温槽で７２時間加熱した第３ケースとのそれぞれについて、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを測定した。図１２は、サンプル１の測定結果を示す。図１３は、サンプル２の測定結果を示す。図１４は、サンプル３の測定結果を示す。図１５は、サンプル４の測定結果を示す。

図１２から図１５において、横軸は、第１放電期間Ｔ４の放電開始からの時刻を示し、縦軸は、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄの測定値を示す。一例として、第１放電期間Ｔ４は２００ｍ秒である。また、図１２から図１５において、縦軸は、検出電極電位Ｖｄの測定値を、Ａ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値で表している測定では図８及び図１１に示した実験と同様に、Ａ／Ｄコンバーター５２として、１０ビット仕様のＡ／Ｄコンバーターを使用した。

図１２から図１５に示されるように、第２ケースにおける放電曲線は、第１ケースにおける放電曲線と異なることがわかる。特に、第１ケースにおいて第１放電期間Ｔ４の終了時に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値と比較すると、第２ケースにおいて第１放電期間Ｔ４の終了時に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値は、上昇することがわかる。これは、サンプル１からサンプル４を、湿度管理の無い状況で約３週間、室内に放置した結果、サンプル１からサンプル４に水分が侵入し、液晶層２５０に含まれる可動性イオンが増加したことが原因と考えられる。このことは以下の加熱実験の結果と整合する。

図１２から図１５に示されるように、室内放置終了後に８０℃の恒温槽で７２時間加熱した第３ケースにおける放電曲線は、第１ケースにおける放電曲線と非常に近いことがわかる。特に、第３ケースにおいて第１放電期間Ｔ４の終了時に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値は、第１ケースにおいて第１放電期間Ｔ４の終了時に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値と非常に近い値になることがわかる。これは、室内放置終了後に８０℃の恒温槽で７２時間加熱した結果、サンプル１からサンプル４に含まれる水分が排出され、液晶層２５０に含まれる可動性イオンが減少したことが原因と考えられる。４個のサンプルで同様の結果となったため、再現性もあると考えることが妥当である。

先に説明したように、第１液晶パネル１００は、第１シール材１１２を備え、第２液晶パネル２００は、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗと同じ幅Ｗ２を有する第２シール材２１２を備える。また、第１液晶パネル１００と第２液晶パネル２００は、同一のプロジェクター１に装着されているため、それぞれの長期保管時における湿度環境の履歴は近しいものである。従って、第１シール材１１２と第２シール材２１２に関して、ぞれぞれの液晶層への水分侵入阻止能力と、加熱によるそれぞれの液晶層からの水分排出能力は同等とみなせる。つまり、第２液晶パネル２００において、検出電極電位Ｖｄ１と検出電極電位Ｖｄ２との少なくとも一方を測定することにより、第２液晶パネル２００内の液晶層２５０の水分量を推定できるので、同等の水分侵入阻止能力と、加熱による水分排出能力を有する第１液晶パネル１００内の液晶層の水分量を推定できる。

そこで、本実施形態では、例えば、中央制御回路３０は、測定モード移行イベントが発生するたびに、上記の第１測定処理及び第２測定処理を複数回実行した後、判定回路３０ａによって、検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の少なくとも一方の測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達しているか否かを判定する。

判定回路３０ａによって、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していると判定された場合、中央制御回路３０は、第１温度検出回路３２、３４及び３６から得られる温度データに基づいて、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの温度を監視しながら、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１加熱制御回路３３、３５及び３７に命令を出力する。

同時に、中央制御回路３０は、第２温度検出回路３８から得られる温度データに基づいて、第２液晶パネル２００の温度を監視しながら、第２液晶パネル２００が適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第２加熱制御回路３９に命令を出力する。その結果、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれが、適正な温度で所定の時間だけ加熱されるため、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれの液晶層から水分が排出される。

加熱終了後、中央制御回路３０は、再度、第１測定処理及び第２測定処理を複数回実行した後、判定回路３０ａによって、検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の少なくとも一方の測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達しているか否かを判定する。そして、判定回路３０ａによって、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していないと判定された場合、すなわち、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれの液晶層から水分が排出されたと推定される場合、中央制御回路３０は、通常駆動モードに移行する。

一方、加熱終了後においても、判定回路３０ａによって、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していると判定された場合、中央制御回路３０は、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していないと判定されるまで、上記の加熱処理と、第１測定処理及び第２測定処理とを繰り返し実行する。これにより、最終的には、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれから水分が排出される。その結果、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの液晶層中の水分に起因する劣化状況が改善され、プロジェクター１の通常駆動時に投射スクリーンＳＣに表示される画像の表示品質を向上させることができる。

（第１実施形態の効果）
以上説明したように、第１実施形態のプロジェクター１は、プロジェクター１の光路上に配置される第１液晶パネル１００と、光路の外に配置され、検出電極２１３と、共通電極２２２と、検出電極２１３と共通電極２２２との間に配置される液晶層２５０と、を備える第２液晶パネル２００と、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給すると共に、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄを測定する測定回路７０と、を備える。

例えば、測定回路７０によって液晶層２５０を充放電させた後に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値は、液晶層２５０に含まれる可動性イオンの量に依存し、可動性イオンの量は、液晶層２５０の水分量に依存する。そのため、測定回路７０によって第２液晶パネル２００の検出電極電位Ｖｄを測定することにより、第２液晶パネル２００の水分量を推定できる。同じプロジェクター１に搭載された第１液晶パネル１００の水分量は、第２液晶パネル２００の水分量とほぼ同じであると考えられる。そのため、第２液晶パネル２００の液晶層２５０の水分量を推定することにより、第１液晶パネル１００の液晶省の水分量を推定できる。また、第２液晶パネルと第１液晶パネルの置かれた湿度履歴によるそれぞれの液晶層へ侵入した水分が、プロジェクター１が非通電時であっても維持される。
従って、上記実施形態によれば、プロジェクター１を常に電源オン状態に保ち続ける必要なく、例えば、長期保管後の第２液晶パネル２００の液晶層２５０の水分検出によって、第１液晶パネル１００の液晶層の水分量を推定することができる。
なお、液晶層２５０に含まれる可動性イオンの量は、光の入射によっても変化するが、上記のように、第２液晶パネル２００は、プロジェクター１の光路外に配置されているため、第２液晶パネル２００に光は入射しない。従って、検出電極電位Ｖｄの測定によって、第２液晶パネル２００への水分侵入に起因する可動性イオンの振る舞いのみを捉えることができるため、水分量の推定精度が向上する。さらには、加熱処理による第１液晶パネル１００の液晶層からの水分の排出程度を推定できるため、効果的な加熱温度や加熱時間とすることができる。

第１実施形態のプロジェクター１において、測定回路７０は、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が第１電位差Ｖｐ１となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給し、第１逆掃引期間Ｔ１後の第１充電期間Ｔ３において、電位差が、第１電位差Ｖｐ１と異なる極性を有する第２電位差Ｖｐ２となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給し、第１充電期間Ｔ３後の第１放電期間Ｔ４において、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に共通電極２２２に第１充電期間Ｔ３と同じ電位を供給し、少なくとも第１放電期間Ｔ４の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。

上記のように、本実施形態では、第１充電期間Ｔ３及び第１放電期間Ｔ４の前に、第１逆掃引期間Ｔ１が挿入される。これにより、第１逆掃引期間Ｔ１において、液晶層２５０に含まれる可動性イオンを、共通電極２２２及び検出電極２１３のいずれか一方に効果的に初期配置できる。例えば、陽イオンは、共通電極２２２及び検出電極２１３のうち負極性の電位が供給される電極に初期配置され、陰イオンは、共通電極２２２及び検出電極２１３のうち正極性の電位が供給される電極に初期配置される。このように第１充電期間Ｔ３が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第１放電期間Ｔ４に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。その結果、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第１逆掃引期間Ｔ１は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間より長く、第１電位差Ｖｐ１の絶対値は、通常駆動時における第１液晶パネル１００の液晶層の最大印加電圧以上である。
このように、第１逆掃引期間Ｔ１を１フレーム期間より長く設定することにより、移動度の小さい可動性イオンを、共通電極２２２及び検出電極２１３のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第１充電期間Ｔ３は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間より短く、第２電位差Ｖｐ２の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第１充電期間Ｔ３を１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第２電位差Ｖｐ２の絶対値、すなわち第１充電期間Ｔ３に液晶層２５０に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制しながら、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを測定できる。
従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、測定回路７０は、第１逆掃引期間Ｔ１と第１充電期間Ｔ３との間の第１緩和期間Ｔ２において、電位差が、第１電位差Ｖｐ１と同じ極性を有し、且つ第１電位差Ｖｐ１の絶対値より小さい絶対値を有する第３電位差Ｖｐ３となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。
このように、第１逆掃引期間Ｔ１と第１充電期間Ｔ３との間に第１緩和期間Ｔ２が挿入されることにより、第１逆掃引期間Ｔ１に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第１逆掃引期間Ｔ１から第１充電期間Ｔ３へ移行させることができる。
従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第３電位差Ｖｐ１の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第３電位差Ｖｐ３の絶対値、すなわち第１緩和期間Ｔ２に液晶層２５０に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、測定回路７０は、第１放電期間Ｔ４後の第２逆掃引期間Ｔ５において、電位差が、第１電位差Ｖｐ１と異なる極性を有し、且つ第１電位差Ｖｐ１の絶対値と同じ絶対値を有する第４電位差Ｖｐ４となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給し、第２逆掃引期間Ｔ５後の第２充電期間Ｔ７において、電位差が、第４電位差Ｖｐ４と異なる極性を有する第５電位差Ｖｐ５となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給し、第２充電期間Ｔ７後の第２放電期間Ｔ８において、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に共通電極２２２に第２充電期間Ｔ７と同じ電位を供給し、少なくとも１回、検出電極電位Ｖｄを測定する。

上記のように、本実施形態では、第２充電期間Ｔ７及び第２放電期間Ｔ８の前に、第２逆掃引期間Ｔ５が挿入される。これにより、第２逆掃引期間Ｔ５において、液晶層２５０に含まれる可動性イオンを、共通電極２２２及び検出電極２１３のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように第２充電期間Ｔ７が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第２放電期間Ｔ８に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。
さらに、上記実施形態によれば、液晶層２５０が交流駆動されるため、検出電極電位Ｖｄの測定時において、液晶層２５０に直流電圧が印加されることに起因して液晶層２５０が劣化することを抑制できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第２逆掃引期間Ｔ５は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間より長い。また、第４電位差Ｖｐ４の絶対値は、液晶層２５０の閾値電圧以上であり、通常駆動時における第１液晶パネル１００の液晶層の最大印加電圧以上としてもよい。
このように、第２逆掃引期間Ｔ５を１フレーム期間より長く設定することにより、可動性イオンを、共通電極２２２及び検出電極２１３のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第４電位差Ｖｐ４の絶対値、すなわち第２逆掃引期間Ｔ５に液晶層２５０に印加される電圧を、液晶層２５０の閾値電圧以上とすることにより、可動性イオンを共通電極２２２及び検出電極２１３のいずれか一方に初期配置させることができる。
従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第２充電期間Ｔ７は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間より短く、第５電位差Ｖｐ５の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第２充電期間Ｔ７を１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第５電位差Ｖｐ５の絶対値、すなわち第２充電期間Ｔ７に液晶層２５０に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制しながら、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定できる。
従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、測定回路７０は、第２逆掃引期間Ｔ５と第２充電期間Ｔ７との間の第２緩和期間Ｔ６において、電位差が、第４電位差Ｖｐ４と同じ極性を有し、且つ第４電位差Ｖｐ４の絶対値より小さい絶対値を有する第６電位差Ｖｐ６となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。
このように、第２逆掃引期間Ｔ５と第２充電期間Ｔ７との間に第２緩和期間Ｔ６が挿入されることにより、第２逆掃引期間Ｔ５に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第２逆掃引期間Ｔ５から第２充電期間Ｔ７へ移行させることができる。
従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第６電位差Ｖｐ６の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第６電位差Ｖｐ６の絶対値、すなわち第２緩和期間Ｔ６に液晶層２５０に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、上記実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

第１実施形態のプロジェクター１は、第１液晶パネル１００の温度を検出する第１温度センサーＴＨ１と、第１液晶パネル１００を加熱する第１ヒーター線Ｈ１と、第２液晶パネル２００の温度を検出する第２温度センサーＴＨ２と、第２液晶パネル２００を加熱する第２ヒーター線Ｈ２と、第１温度センサーＴＨ１の出力と、第２温度センサーＴＨ２の出力と、測定回路７０によって得られる検出電極電位Ｖｄの測定値とに基づいて、第１ヒーター線Ｈ１及び第２ヒーター線Ｈ２を制御する温度制御回路と、を備える。例えば、上記実施形態における温度制御回路は、中央制御回路３０と、第１温度検出回路３２、３４及び３６と、第１加熱制御回路３３、３５及び３７と、第２温度検出回路３８と、第２加熱制御回路３９と、を含む。
上記実施形態によれば、例えば、検出電極電位Ｖｄの測定値が閾値に到達した場合、すなわち、液晶層２５０の水分量が所定値に到達したと推定される場合などに、第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００を適切に加熱することにより、第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００から水分を排出させることができる。加熱終了後に、再度、検出電極電位Ｖｄを測定することにより、第２液晶パネル２００から水分が排出されたか確認できる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第１液晶パネル１００は、第１シール材１１２を備え、第２液晶パネル２００は、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１と同じ幅Ｗ２を有する第２シール材２１２を備える。
上記の構成によれば、第１液晶パネル１００のシール性能と、第２液晶パネル２００のシール性能とを、ほぼ同じにすることができる。そのため、第２液晶パネル２００の水分量の推定結果を、第１液晶パネル１００の水分量の推定結果として、より有効的に使用することができる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第１液晶パネル１００と第２液晶パネル２００とのうち、第１液晶パネル１００が複数の画素電極を備える。
このように、第１液晶パネル１００と第２液晶パネル２００とのうち、第１液晶パネル１００が複数の画素電極を備える。言い換えれば、第２液晶パネル２００は、画素電極を備えていない。このような構成を採用することにより、第１液晶パネル１００と比較して、第２液晶パネル２００の構成を簡略化できるため、第２液晶パネル２００の製造コストを低減することができる。

第１実施形態のプロジェクター１において、第１液晶パネル１００は、複数の第１接続端子１１６を備え、第２液晶パネル２００は、第１接続端子１１６の数よりも少ない複数の第２接続端子として、少なくとも第１電極接続端子２１５と、第２電極接続端子２１６とを備える。
このような構成を採用することにより、第１液晶パネル１００と比較して、第２液晶パネル２００の構成を簡略化できるため、第２液晶パネル２００の製造コストを低減することができる。

第１実施形態のプロジェクター１が備える液晶装置は、検出電極２１３と、共通電極２２２と、検出電極２１３と共通電極２２２とによって配置された液晶層２５０と、を備える第２液晶パネル２００と、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給すると共に、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄを測定する測定回路７０と、第２液晶パネル２００を加熱する第２ヒーター線Ｈ２と、を備える。
このような液晶装置を、第１液晶パネル１００に相当する液晶パネルを備える他の電気光学装置に搭載することにより、これらの電気光学装置に、液晶パネルの水分量を推定する機能を容易に実装することができる。

２．第２実施形態
以下、本発明の第２実施形態について説明する。以下に例示する各形態において、第１実施形態と共通の構成については、第１実施形態で使用した符号と同じ符号を付し、詳細な説明を適宜省略する。

第２実施形態では、液晶層２５０の物性測定方法が第１実施形態と異なり、プロジェクター１の構成は第１実施形態と同様である。そのため、以下では、第２実施形態における液晶層２５０の物性測定方法について説明する。

２．１．第２実施形態における液晶層２５０の物性測定方法の概要
第２実施形態における液晶層２５０の物性測定方法では、図５のフローチャートにおけるステップＳ１４の処理が「第３測定処理を実行する」に変わり、図５のフローチャートにおけるステップＳ１５の処理が「第４測定処理を実行する」に変わる。すなわち、第２実施形態における液晶層２５０の物性測定方法において、中央制御回路３０は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第３測定処理と第４測定処理とを交互に実行する。以下では、図１６を参照しながら、第３測定処理及び第４測定処理について詳細に説明する。

図１６は、第３測定処理及び第４測定処理の実行時における検出電極電位Ｖｄの時間的な変化を示す図である。図１６において、横軸は時間であり、縦軸は電圧である。図１６において、時刻ｔ１０から時刻ｔ１３までの期間Ｔ３０において第３測定処理が実行される。以下の説明では、第３測定処理が実行される期間Ｔ３０を第３測定期間Ｔ３０と呼称する場合がある。

第３測定期間Ｔ３０は、第３充電期間Ｔ９と、第３放電期間Ｔ１０と、第１リセット期間Ｔ１１とを含む。第３充電期間Ｔ９は、時刻ｔ１０から時刻ｔ１１までの期間である。第３放電期間Ｔ１０は、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間である。第１リセット期間Ｔ１１は、時刻ｔ１２から時刻ｔ１３までの期間である。

第３充電期間Ｔ９において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が第７電位差となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第３充電期間Ｔ９において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第３充電期間Ｔ９において、中央制御回路３０は、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第３充電期間Ｔ９において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が検出電極２１３と電気的に接続され、グランド電位線６３が共通電極２２２と電気的に接続される。これにより、第１充電期間Ｔ９において、検出電極２１３に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが供給され、共通電極２２２にグランド電位、すなわち０Ｖが供給される。その結果、図１６に示すように、第３充電期間Ｔ９において、検出電極電位Ｖｄは＋１．２Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは０Ｖとなる。また、第３充電期間Ｔ９において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第７電位差、すなわち＋１．２Ｖとなる。

このように、第３充電期間Ｔ９において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が＋１．２Ｖの第７電位差となるように、検出電極２１３に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、共通電極２２２にグランド電位を供給する。本実施形態において、第３充電期間Ｔ９は、第９期間に対応する。

第３充電期間Ｔ９後の第３放電期間Ｔ１０において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に共通電極２２２に第３充電期間Ｔ９と同じ電位を供給し、例えば、第３放電期間Ｔ１０の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。

第３放電期間Ｔ１０は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長い。例えば、第３放電期間Ｔ１０は、１５０ｍｓ、或いは２００ｍｓである。または、第３放電期間Ｔ１０を、例えば、１フレーム期間のＮ倍（Ｎは２以上の整数）に相当する期間に設定してもよい。

具体的には、第３放電期間Ｔ１０において、中央制御回路３０は、例えば＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第３放電期間Ｔ１０において、中央制御回路３０は、第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第３放電期間Ｔ１０において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、グランド電位線６３が共通電極２２２と電気的に接続され、測定電位生成回路５０の出力端子が検出電極２１３と電気的に切断される。これにより、第３放電期間Ｔ１０において、共通電極２２２にはグランド電位が供給され続けるが、検出電極２１３への電位供給が停止するため、液晶層２５０は、第３充電期間Ｔ９に充電された電荷を放電する。その結果、図１６に示すように、第３放電期間Ｔ１０において、検出電極電位Ｖｄは、＋１．２Ｖからグランド電位に向かって緩やかに変化する。

第３放電期間Ｔ９の終了時における検出電極電位Ｖｄ３の値は、液晶層２５０に含まれる可動性イオンの量、すなわち液晶層２５０の水分量に依存する。従って、第１実施形態と同様に、第３放電期間Ｔ９の終了時の検出電極電位Ｖｄ３を測定することにより、第２液晶パネル２００の液晶層２５０の水分量を推定できる。

中央制御回路３０は、例えば、第３放電期間Ｔ１０が終了する時刻ｔ１２における検出電極電位Ｖｄ３を測定する。具体的には、中央制御回路３０は、時刻ｔ１２にＡ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ３の測定値として取得する。中央制御回路３０は、時刻ｔ１２に得られた検出電極電位Ｖｄ３の測定値を測定値記憶回路５３に記憶させる。

このように、第３放電期間Ｔ１０において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に、共通電極２２２に第３充電期間Ｔ９と同じグランド電位を供給し、例えば、第３放電期間Ｔ１０が終了する時刻ｔ１２における検出電極電位Ｖｄ３を測定する。本実施形態において、第３放電期間Ｔ１０は、第１０期間に対応する。

第３放電期間Ｔ１０後の第１リセット期間Ｔ１１において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々にグランド電位を供給する。

具体的には、第１リセット期間Ｔ１１において、中央制御回路３０は、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第１リセット期間Ｔ１１において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極２１３及び共通電極２２２のそれぞれは、グランド電位線６３と電気的に接続される。これにより、第１リセット期間Ｔ１１において、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々にグランド電位が供給される。その結果、図１６に示すように、第１リセット期間Ｔ１１において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃも０Ｖとなる。

このように、第１リセット期間Ｔ１１において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々にグランド電位を供給する。これにより、液晶層２５０に残留する電荷がグランド電位線６３に放電され、検出電極２１３と共通電極２２２との間の電位差は０Ｖにリセットされる。

以上が第３測定処理の説明である。
上記のように、第３放電期間Ｔ１０は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長い。また、上記の説明では、第３充電期間Ｔ９における第７電位差が＋１．２Ｖである場合を例示したが、このように、第７電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。

上記のように、第３放電期間Ｔ１０を、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長く設定することにより、検出電極２１３と共通電極２２２との間における可動性イオンの移動時間が確保される。その結果、液晶層２５０の可動性イオン量に応じた放電曲線の変化が効率的に発生し、第３放電期間Ｔ１０の終了時に得られる検出電極電位Ｖｄ３の測定値によって、液晶層２５０への水分侵入を検知できる。

第３充電期間Ｔ９における第７電位差の絶対値を、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制した測定ができる。

続いて、第４測定処理について説明する。
図１６において、時刻ｔ１３から時刻ｔ１６までの期間Ｔ４０において第４測定処理が実行される。以下の説明では、第４測定処理が実行される期間Ｔ４０を第４測定期間Ｔ４０と呼称する場合がある。

第４測定期間Ｔ４０は、第４充電期間Ｔ１２と、第４放電期間Ｔ１３と、第２リセット期間Ｔ１４とを含む。第４充電期間Ｔ１２は、時刻ｔ１３から時刻ｔ１４までの期間である。第４放電期間Ｔ１３は、時刻ｔ１４から時刻ｔ１５までの期間である。第２リセット期間Ｔ１４は、時刻ｔ１５から時刻ｔ１６までの期間である。

第４充電期間Ｔ１２において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が、第７電位差と異なる極性を有し、且つ第７電位差の絶対値と同じ絶対値を有する第８電位差となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。

具体的には、第４充電期間Ｔ１２において、中央制御回路３０は、例えば、＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第４充電期間Ｔ１２において、中央制御回路３０は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。

第４充電期間Ｔ１２において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、測定電位生成回路５０の出力端子が共通電極２２２と電気的に接続され、グランド電位線６３が検出電極２１３と電気的に接続される。これにより、第４充電期間Ｔ１２において、共通電極２２２に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが供給され、検出電極２１３にグランド電位、すなわち０Ｖが供給される。その結果、図１６に示すように、第４充電期間Ｔ１２において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２Ｖとなる。また、第４充電期間Ｔ１２において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差は、第８電位差、すなわち－１．２Ｖとなる。

このように、第４充電期間Ｔ１２において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が－１．２Ｖの第８電位差となるように、共通電極２２２に＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓを供給すると共に、検出電極２１３にグランド電位を供給する。

第４充電期間Ｔ１２後の第４放電期間Ｔ１３において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に共通電極２２２に第４充電期間Ｔ１２と同じ電位を供給し、第４放電期間Ｔ１３の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。

第４放電期間Ｔ１３は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長い。例えば、第４放電期間Ｔ１３は、１５０ｍｓ、或いは２００ｍｓである。または、第４放電期間Ｔ１３を、例えば、１フレーム期間のＮ倍（Ｎは２以上の整数）に相当する期間に設定してもよい。

具体的には、第４放電期間Ｔ１３において、中央制御回路３０は、例えば、＋１．２Ｖの参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。これにより、測定電位生成回路５０から＋１．２Ｖの測定電位Ｖｓが出力される。また、第４放電期間Ｔ１３において、中央制御回路３０は、第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。

第４放電期間Ｔ１３において、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、グランド電位線６３が検出電極２１３と電気的に切断され、測定電位生成回路５０の出力端子が共通電極２２２と電気的に接続される。これにより、第４放電期間Ｔ１３において、共通電極２２２には＋１．２の測定電位Ｖｓが供給され続けるが、検出電極２１３への電位供給が停止するため、液晶層２５０は、第４充電期間Ｔ１２に充電された電荷を放電する。その結果、図１６に示すように、第４放電期間Ｔ１３において、検出電極電位Ｖｄは、０ＶからＶｓ＝＋１．２Ｖに向かって緩やかに変化する。

第４放電期間Ｔ１３の終了時における検出電極電位Ｖｄ４の値は、液晶層２５０に含まれる可動性イオンの量、すなわち液晶層２５０の水分量に依存する。従って、第１実施形態と同様に、第４放電期間Ｔ１３の終了時の検出電極電位Ｖｄ４を測定することにより、第２液晶パネル２００の液晶層２５０の水分量を推定できる。

中央制御回路３０は、例えば、第４放電期間Ｔ１３が終了する時刻ｔ１５における検出電極電位Ｖｄ４を測定する。具体的には、中央制御回路３０は、時刻ｔ１５にＡ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ４の測定値として取得する。中央制御回路３０は、時刻ｔ１５に得られた検出電極電位Ｖｄ４の測定値を測定値記憶回路５３に記憶させる。

このように、第４放電期間Ｔ１３において、測定回路７０は、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に、共通電極２２２に第４充電期間Ｔ１２と同じ＋１．２Ｖを供給し、例えば、第４放電期間Ｔ１３が終了する時刻ｔ１５における検出電極電位Ｖｄ４を測定する。

第４放電期間Ｔ１３後の第２リセット期間Ｔ１４において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々にグランド電位を供給する。

具体的には、第２リセット期間Ｔ１４において、中央制御回路３０は、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。

第２リセット期間Ｔ１４おいて、中央制御回路３０が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極２１３及び共通電極２２２のそれぞれは、グランド電位線６３と電気的に接続される。これにより、第２リセット期間Ｔ１４において、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々にグランド電位が供給される。その結果、図１６に示すように、第２リセット期間Ｔ１４において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃも０Ｖとなる。

このように、第２リセット期間Ｔ１４において、測定回路７０は、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々にグランド電位を供給する。これにより、液晶層２５０に残留する電荷がグランド電位線６３に放電され、検出電極２１３と共通電極２２２との間の電位差は０Ｖにリセットされる。

以上が第４測定処理の説明である。
上記のように、第４放電期間Ｔ１３は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長い。また、上記の説明では、第４充電期間Ｔ１２における第８電位差が－１．２Ｖ、即ち第８電位差の絶対値が１．２Ｖである場合を例示したが、このように、第８電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。

上記のように、第４放電期間Ｔ１３を、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長く設定することにより、検出電極２１３と共通電極２２２との間における可動性イオンの移動時間が確保される。その結果、液晶層２５０の可動性イオン量に応じた放電曲線の変化が効率的に発生し、第４放電期間Ｔ１３の終了時に得られる検出電極電位Ｖｄ４の測定値によって、水分の侵入に伴う可動性イオン量の変化を正確に捉えることができる。

第４充電期間Ｔ１２における第８電位差の絶対値を、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、第４放電期間Ｔ１３の開始前に可動性イオンが移動することを抑制できる。さらに、これにより、検出電極電位Ｖｄ４の測定値は、液晶分子が動くことによる影響、すなわち、液晶層２５０の誘電率が変化することによって、液晶容量が変化することの影響を受けないため、検出電極電位Ｖｄ４の測定値によって、液晶層２５０への水分侵入を検知できる。

（第２実施形態の効果）
以上説明したように、第２実施形態において、測定回路７０は、第３充電期間Ｔ９において、検出電極２１３と共通電極２２２との電位差が第７電位差となるように、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給し、第３充電期間Ｔ９後の第３放電期間Ｔ１０において、検出電極２１３への電位の供給を停止すると共に共通電極２２２に第３充電期間Ｔ９と同じ電位を供給し、例えば、第３放電期間Ｔ１０の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。第３放電期間Ｔ１０は、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長い。

上記のように、第３放電期間Ｔ１０を、第１液晶パネル１００の１フレーム期間よりも長く設定することにより、検出電極２１３と共通電極２２２との間における可動性イオンの移動時間が確保される。その結果、液晶層２５０の可動性イオン量に応じた放電曲線の変化が効率的に発生し、第３放電期間Ｔ１０の終了時に得られる検出電極電位Ｖｄ３の測定値によって、液晶層２５０への水分侵入を検知できる。

第２実施形態において、第７電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧より小さい。
このように、第３充電期間Ｔ９における第７電位差の絶対値を、０Ｖより大きく、且つ液晶層２５０の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層２５０の誘電異方性の影響を抑制した測定ができる。

３．第３実施形態
以下、本発明の第３実施形態について説明する。
図１７は、第３実施形態における第２液晶パネル２００の概略的な構成を示す平面図である。第３実施形態における第１液晶パネル１００の構成は、第１実施形態における第１液晶パネル１００と同じである。

第１実施形態では、第２液晶パネル２００が、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１と同じ幅Ｗ２を有する第２シール材２１２を備える形態について説明した。これに対して、図１７に示すように、第２液晶パネル２００は、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１より大きな幅Ｗ３を有する第２シール材２１２を備えてもよい。すなわち、第３実施形態において、第２液晶パネル２００のシール幅Ｗ３は、第１液晶パネル１００のシール幅Ｗ１より大きい。

（第３実施形態の効果）
以上のように、第３実施形態において、第２液晶パネル２００は、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１以上の幅Ｗ３を有する第２シール材２１２を備える。例えば、第３実施形態では、第２シール材２１２の幅Ｗ３は、第１シール材１１２の幅Ｗ１より大きい。
第１液晶パネル１００の第１シール材１１２及び、第２液晶パネル２００の第２シール材２１２は水分侵入抑止力を有する。水分侵入抑止力はシール幅が大きいほど高い。ここで第１シール材１１２の幅Ｗ１＜第２シール材２１２の幅Ｗ３とすれば、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分侵入程度は、第１液晶パネル１００より小さくなると考えられる。従って、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分の侵入が検知された場合、第１液晶パネル１００の液晶層への水分侵入は確実と判断できる。
また、第１液晶パネル１００の第１シール材１１２及び、第２液晶パネル２００の第２シール材２１２は水分排出止力を有する。水分排出力はシール幅が小さいほど高い。ここで第１シール材１１２の幅Ｗ１＜第２シール材２１２の幅Ｗ３とすれば、第２液晶パネル２００の水分排出程度は、第１液晶パネルより小さくなると考えられる。また、第１液晶パネル１００と第２液晶パネル２００は同一外形を成すので、加熱処理の際に同程度の温度履歴を施せば、それぞれの液晶層には同程度の加熱処理がされることが期待できる。そして、第２液晶パネル２００の液晶層２５０からの水分の排出が検知された場合、第１液晶パネル１００の液晶層からの水分排出は確実と判断できる。

逆に、第１シール材１１２の幅Ｗ１＞第２シール材２１２の幅Ｗ３とする構成も可能である。水分侵入抑止力はシール幅が大きいほど高い。ここで第１シール材１１２の幅Ｗ１＞第２シール材２１２の幅Ｗ３とすれば、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分侵入程度は、第１液晶パネル１００より大きくなると考えられる。

つまり、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分侵入は、第１液晶パネル１００の液晶層２５０への水分侵入よりも早期に発生する。従って、第１液晶パネル１００の液晶層２５０への水分侵入を早期に検知することができる。

４．第４実施形態
以下、本発明の第４実施形態について説明する。
図１８Ａは、第４実施形態における第１液晶パネル１００Ａの概略的な構成を示す平面図である。図１８Ｂは、第４実施形態における第２液晶パネル２００Ａの概略的な構成を示す平面図である。

第１実施形態では、第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００に液晶封入口が存在しない形態について説明した。これに対して、図１８Ａに示すように、第４実施形態における第１液晶パネル１００Ａは、第１液晶パネル１００Ａにおいて第１位置に配置される第１液晶封入口１１７を備える。例えば、第１位置は、第１素子基板１１０の４辺のうち、第１接続端子１１６の反対側に位置する辺の中央部である。第１液晶パネル１００Ａは、第１液晶封入口１１７を封止する第１封止材１１８を備える。

また、図１８Ｂに示すように、第４実施形態における第２液晶パネル２００Ａは、第２液晶パネル２００Ａにおいて第１位置に対応する第２位置に配置される第２液晶封入口２１７を備える。例えば、第２位置は、第２素子基板２１０の４辺のうち、第１電極接続端子２１５及び第２電極接続端子２１６を含む第２接続端子の反対側に位置する辺の中央部である。第２液晶パネル２００Ａは、第２液晶封入口２１７を封止する第２封止材２１８を備える。

なお、第１実施形態と同様に、第４実施形態における第２液晶パネル２００Ａは、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１と同じ幅Ｗ２を有する第２シール材２１２を備える。これに対して、第３実施形態と同様に、第２液晶パネル２００Ａは、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１より大きな幅Ｗ３を有する第２シール材２１２を備えてもよい。

（第４実施形態の効果）
以上のように、第４実施形態において、第１液晶パネル１００Ａは、第１液晶パネル１００Ａにおいて第１位置に配置される第１液晶封入口１１７を備え、第２液晶パネル２００Ａは、第２液晶パネル２００Ａにおいて第１位置に対応する第２位置に配置される第２液晶封入口２１７を備える。
上記の構成によれば、第１液晶パネル１００Ａと第２液晶パネル２００Ａとで、夫々の液晶層への水分の侵入に対する脆弱性がほぼ同等になる。従って、第２液晶パネル２００Ａの液晶層２５０の水分量の推定結果を、第１液晶パネル１００Ａ液晶層水分量の推定結果として使用することができる。

５．第５実施形態
以下、本発明の第５実施形態について説明する。
図１９は、第５実施形態における第２液晶パネル２００Ｂの概略的な構成を示す平面図である。第５実施形態における第１液晶パネル１００の構成は、第１実施形態における第１液晶パネル１００と同じである。

図１９に示すように、第５実施形態における第２液晶パネル２００Ｂは、検出電極２１３が配置される第２素子基板２１０と、共通電極２２２が配置される第２対向基板２２０と、第２素子基板２１０及び第２対向基板２２０の少なくとも一方に配置され、液晶層２５０を覆う遮光膜２７０と、を備える。第２素子基板２１０は、第１基板に相当し、第２対向基板２２０は、第２基板に相当する。

第２液晶パネル２００Ｂにおいて、液晶層２５０は、第２シール材２１２で囲まれた領域に配置されている。そのため、遮光膜２７０は、第２シール材２１２で囲まれた領域を覆うように形成される。遮光膜２７０は、例えば、アルミニウム、タングステンシリサイド、及びクロムなどの材料で形成される。遮光膜２７０は、検出電極２１３と、第１電極接続端子２１５とを電気的に接続する配線として使用することができる。

なお、第１実施形態と同様に、第５実施形態における第２液晶パネル２００Ｂは、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１と同じ幅Ｗ２を有する第２シール材２１２を備える。これに対して、第３実施形態と同様に、第２液晶パネル２００Ｂは、第１シール材１１２と同じ外形を有し、且つ第１シール材１１２の幅Ｗ１より大きな幅Ｗ３を有する第２シール材２１２を備えてもよい。

（第５実施形態の効果）
以上のように、第５実施形態において、第２液晶パネル２００Ｂは、検出電極２１３が配置される第２素子基板２１０と、共通電極２２２が配置される第２対向基板２２０と、第２素子基板２１０及び第２対向基板２２０の少なくとも一方に配置され、液晶層２５０を覆う遮光膜２７０と、を備える。
既に述べたように、液晶層２５０に含まれる可動性イオンの量は、光の入射によっても変化するが、上記のように、第２素子基板２１０及び第２対向基板２２０の少なくとも一方に遮光膜２７０が配置されることにより、液晶層２５０への光の入射を確実に阻止するから、光入射による可動性イオンの増加を素子する。従って、検出電極電位Ｖｄの測定によって、第２液晶パネル２００Ｂの液晶層２５０への水分侵入に起因する可動性イオンの振る舞いのみを捉えることができるため、水分量の推定精度が向上する。
また、第２液晶パネル２００Ｂの遮光性が向上するため、プロジェクター１内における第２液晶パネル２００Ｂの配置自由度が高まる。

６．第６実施形態
以下、本発明の第６実施形態について説明する。
図２０は、第６実施形態における第２液晶パネル２００Ｃの概略的な構成を示す平面図である。第６実施形態における第１液晶パネル１００の構成は、第１実施形態における第１液晶パネル１００と同じである。

図２０に示すように、第２液晶パネル２００Ｃは、第２素子基板２１０Ｃと、第２対向基板２２０Ｃと、第２ホルダー２３０Ｃと、第２ヒーター線Ｈ２と、第２温度センサーＴＨ２と、を備える。第２液晶パネル２００Ｃは、第１液晶パネル１００を簡易化した構成を有する。

第２素子基板２１０Ｃと第２対向基板２２０Ｃとは、第２シール材２１２Ｃを介して互いに接着される。第２素子基板２１０Ｃの外形サイズは、第１素子基板１１０の外形サイズより小さい。つまり、第２素子基板２１０ＣのＸ方向、Ｙ方向の少なくともひとつの外形サイズは第１素子基板１１０の外形サイズより小さい。第２対向基板２２０Ｃの外形サイズは、第１対向基板１２０の外形サイズより小さい。つまり、第２対向基板２２０ＣのＸ方向、Ｙ方向の少なくともひとつの外形サイズは第１対向基板１２０の外形サイズより小さい。すなわち、第２ホルダー２３０Ｃを除く第２液晶パネル２００Ｃの外形サイズは、第１ホルダー１３０を除く第１液晶パネル１００の外形サイズより小さい。

第２素子基板２１０Ｃの厚さは、第１素子基板１１０の厚さより小さい。あるいは、第２対向基板２２０Ｃの厚さは、第１対向基板１２０の厚さより小さい。すなわち、第２ホルダー２３０Ｃを除く第２液晶パネル２００Ｃの厚さは、第１ホルダー１３０を除く第１液晶パネル１００の厚さより小さい。

第２液晶パネル２００Ｃは、第１シール材１１２の幅Ｗ１と同じ幅Ｗ２を有する第２シール材２１２Ｃを備える。このように、第２液晶パネル２００Ｃのシール幅Ｗ２は、第１液晶パネル１００のシール幅Ｗ１と同じである。なお、第３実施形態と同様に、第２液晶パネル２００Ｃは、第１シール材１１２の幅Ｗ１より大きな幅Ｗ３を有する第２シール材２１２Ｃを備えてもよい。

第２素子基板２１０Ｃと第２対向基板２２０Ｃとで挟まれ、且つ第２シール材２１２Ｃで囲まれた領域に、後述の液晶層２５０Ｃが配置される。この液晶層２５０Ｃは、液晶滴下法によって形成される。すなわち、第１液晶パネル１００と同様に、第２液晶パネル２００Ｃにも、液晶を封入するための液晶封入口が存在しない。液晶層２５０Ｃは、第１液晶パネル１００と同じ液晶から構成される。第２対向基板２２０Ｃの四隅に対応して、第２素子基板２１０Ｃと第２対向基板２２０Ｃとの間の電気的な導通を取るための、第２基板間導通部２１４Ｃが配置される。

第２素子基板２１０Ｃの表面領域のうち、第２シール材２１２Ｃで囲まれた領域には、検出電極２１３Ｃが配置される。例えば、検出電極２１３Ｃは、ベタ膜パターンである。言い換えれば、検出電極２１３Ｃは、第２シール材２１２Ｃで囲まれた領域の全部又は一部を連続的に覆う電極パターンである。検出電極２１３Ｃは、第１液晶パネル１００の画素電極と同様に、ＩＴＯなどの透明導電材料によって形成される。検出電極２１３ＣがＩＴＯ膜で形成される場合、検出電極２１３Ｃの電位応答を改善するために、ＩＴＯ膜の下層に配置されたアルミニウムを主体とする下層配線層を補助配線として付加してもよい。この場合、検出電極２１３Ｃは、複数のコンタクトホールを介して、下層配線層と電気的に接続される。

第２シール材２１２Ｃの外側の第２素子基板２１０Ｃの第２対向基板２２０Ｃから図面下側、－Ｙ方向に張り出した部分には、複数の第２接続端子として、少なくとも第１電極接続端子２１５Ｃと、第２電極接続端子２１６Ｃとが配置される。第１電極接続端子２１５Ｃは、検出電極２１３Ｃと電気的に接続される。第２電極接続端子２１６Ｃは、第２基板間導通部２１４Ｃを介して、後述の共通電極２２２Ｃと電気的に接続される。第１電極接続端子２１５Ｃ及び第２電極接続端子２１６Ｃは、第２フレキシブル配線基板２６０Ｃを介して、電圧印加回路４０及び電圧検出回路４１と電気的に接続される。

図２１は、第２素子基板２１０Ｃと第２対向基板２２０Ｃとを、図２０に示されるＢ－Ｂ’線に沿う断面で視た図である。図２１に示すように、第２素子基板２１０Ｃと第２対向基板２２０Ｃとは、第２シール材２１２Ｃを介して互いに対向するように配置され、第１素子基板２１０Ｃと第２対向基板２２０Ｃとの間に液晶層２５０Ｃが配置される。

第２素子基板２１０Ｃの上面には、上記の検出電極２１３Ｃが配置される。第２対向基板２２０Ｃの下面には、共通電極２２２Ｃが配置される。また、図２１では図示を省略するが、第２素子基板２１０Ｃは、検出電極２１３Ｃを覆うように配置された配向膜を有し、第２対向基板２２０Ｃは、共通電極２２２Ｃを覆うように配置された配向膜を有する。第２素子基板２１０Ｃの配向膜は、第１素子基板１１０の配向膜と同じ材料で形成され、第２対向基板２２０Ｃの配向膜は、第１対向基板１２０の配向膜と同じ材料で形成される。

また、図２１に示すように、第２液晶パネル２００Ｃは、第２液晶パネル２００Ｃの表面及び裏面の少なくとも一方に貼り付けられる遮光フィルム２１８Ｃ及び２２３Ｃを備える。具体的には、第２液晶パネル２００Ｃの表面、すなわち、第２対向基板２２０Ｃの上面に、遮光フィルム２２３Ｃが貼り付けられる。また、第２液晶パネル２００Ｃの裏面、すなわち、第２素子基板２１０Ｃの下面に、遮光フィルム２１８Ｃが貼り付けられる。遮光フィルム２１８Ｃ及び２２３Ｃは、少なくとも液晶層２５０Ｃを覆う。

以下、図２０に戻って説明を続ける。
第２ホルダー２３０Ｃは、第２素子基板２１０Ｃ及び第２対向基板２２０Ｃを保持する、板状の部品である。第２素子基板２１０Ｃと第２対向基板２２０Ｃとが第２シール材２１２Ｃを介して接着された状態で、第２ホルダー２３０Ｃに接着される。第２ホルダー２３０Ｃの四隅に対応して、第２ホルダー２３０Ｃを擁壁３２０にネジ等で固定するための第２固定穴２３２Ｃが設けられている。第２ホルダー２３０Ｃの外形サイズは、第１ホルダー１３０の外形サイズより小さい。

第２ホルダー２３０Ｃに配置される第２ヒーター線Ｈ２及び第２温度センサーＴＨ２は、第１実施形態における第２ヒーター線Ｈ２及び第２温度センサーＴＨ２と同じであるので、これらの説明は省略する。第２ホルダー２３０Ｃには、２つの第２ヒーター端子２４１Ｃ及び２４２Ｃが配置される。第２ヒーター線Ｈ２の一端は、第２ヒーター端子２４１Ｃと電気的に接続され、第２ヒーター線Ｈ２の他端は、第２ヒーター端子２４２Ｃと電気的に接続される。第２ヒーター端子２４１Ｃは、第２電力供給線２４３Ｃと電気的に接続される。第２ヒーター端子２４２Ｃは、第２電力供給線２４４Ｃと電気的に接続される。第２電力供給線２４３Ｃ及び２４４Ｃを介して、第２ヒーター線Ｈ２に電力が供給されることにより、第２液晶パネル２００Ｃは加熱される。第２電力供給線２４３Ｃ及び２４４Ｃは、第２加熱制御回路３９と電気的に接続される。

（第６実施形態の効果）
以上のように、第６実施形態において、第２液晶パネル２００Ｃの外形サイズは、第１液晶パネル１００の外形サイズより小さい。そして第１液晶パネル１００の加熱時の温度センサーＴＨ１温度の温度と液晶層の温度については予め相関関係を取得する。同様に、第２液晶パネル２００Ｃの加熱時の温度センサーＴＨ２温度の温度と液晶層２５０Ｃの温度については予め相関関係を取得する。そして加熱時には第１液晶パネル１００の液晶層と第２液晶パネルの液晶層２５０Ｃが同程度の温度となるように制御する。このように構成すれば、水分侵入抑止力と水分排出力を同等にできる。
このように、水分侵入抑止力及び水分排出力について、第１液晶パネル１００と第２液晶パネル２００Ｃとの相関関係が予め判っていれば、第１液晶パネル１００よりも小型の第２液晶パネル２００Ｃを使用してもよい。これにより、第２液晶パネル２００Ｃの製造コストを低減できる。
小型の第２液晶パネル２００Ｃを使用すると、第２液晶パネル２００Ｃの加熱が容易になるため、プロジェクター１の消費電力を抑えることができる。
小型の第２液晶パネル２００Ｃを使用すると、プロジェクター１内での第２液晶パネル２００Ｃの取り付けが容易になるとともに、第２液晶パネル２００Ｃの組み立て工程を簡略化できる。第２液晶パネル２００Ｃの交換も容易となるため、プロジェクター１のメンテナンス性が向上する。

第６実施形態において、第２素子基板２１０Ｃの厚さは、第１素子基板１１０の厚さより小さい。あるいは、第２対向基板２２０Ｃの厚さは第１対向基板１２０の厚さより小さい。このように構成すると、加熱時において、第２液晶パネル２００Ｃを昇温しやすくなる。従って、プロジェクター１の消費電力をより抑えることができる。

第６実施形態において、検出電極２１３Ｃは、ベタ膜パターンである。言い換えれば、検出電極２１３Ｃは、第２シール材２１２Ｃで囲まれた領域の全部又は一部を連続的に覆う電極パターンである。
このように構成すると、コンパクトな面積で、可動性イオンを検出できるので小型の第２液晶パネル２００Ｃに適したものとなる。

第６実施形態において、第２液晶パネル２００Ｃは、第２液晶パネル２００Ｃの表面及び裏面の少なくとも一方に貼り付けられる遮光フィルム２１８Ｃ及び２２３Ｃを備える。
このように、第２液晶パネル２００Ｃに遮光膜を形成するのではなく、第２液晶パネル２００Ｃに遮光フィルム２１８Ｃ及び２２３Ｃを貼り付ける構成とすることにより、第２液晶パネル２００Ｃの製造工程を簡略化できる。遮光フィルム２１８Ｃ及び２２３Ｃとして、アルミニウムなどの高遮光性フィルムを用いてもよいし、或いは、光を減光させる性質と耐熱性とを有する樹脂フィルムを用いてもよい。

７．第７実施形態
以下、本発明の第７実施形態について説明する。
図２２は、第７実施形態におけるプロジェクター１Ａの概略的な構成を示す図である。図２２に示すように、第７実施形態におけるプロジェクター１Ａは、プロジェクター１Ａの光路の外に配置され、第２液晶パネル２００が挿入されるポケット３２１を備える。

具体的には、例えば、ポケット３２１は、擁壁３２０の壁面のうち、ケース３１０の外側の壁面に配置される。第２液晶パネル２００がポケット３２１に挿入されることにより、第２液晶パネル２００は、プロジェクター１Ａ内の光路外に配置される。ポケット３２１は、第２液晶パネル２００を保持し、適時押さえバネ等を併用して第２液晶パネル２００をぐらつかないようにしてもよい。

（第７実施形態の効果）
上記のように、第７実施形態におけるプロジェクター１Ａは、プロジェクター１Ａの光路の外に配置され、第２液晶パネル２００が挿入されるポケット３２１を備える。
これにより、プロジェクター１Ａ内での第２液晶パネル２００の取り付けが容易になるとともに、第２液晶パネル２００の交換も容易となるため、プロジェクター１Ａのメンテナンス性が向上する。

８．診断システム
以下、本発明の診断システムの一実施形態について説明する。
図２３は、本実施形態における診断システムの概略的な構成を示す図である。図２３に示すように、本実施形態における診断システムは、プロジェクター１Ｂと、診断装置２と、を備える。

プロジェクター１Ｂは、第７実施形態におけるプロジェクター１Ａから、第２温度検出回路３８と、第２加熱制御回路３９と、電圧印加回路４０と、電圧検出回路４１とが削除された構成を備える。すなわち、プロジェクター１Ｂは、測定回路７０を備えていない。従って、プロジェクター１Ｂの中央制御回路３０Ｂは、測定回路７０に含まれる第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御する機能と、測定回路７０に含まれるＡ／Ｄコンバーター５２から出力されるデジタル値を検出電極電位Ｖｄの測定値として取得する機能とを備えていない。

診断装置２は、プロジェクター１Ｂから独立した装置である。診断装置２は、コネクター４００を介して、プロジェクター１Ｂと電気的に接続される。診断装置２は、測定制御回路８０と、第２温度検出回路８１と、第２加熱制御回路８２と、電圧印加回路８３と、電圧検出回路８４と、測定値記憶回路８５と、表示パネル８６と、を備える。

第２液晶パネル２００の第２電力供給線２４３及び２４４は、コネクター４００を介して、第２加熱制御回路８２と電気的に接続される。第２液晶パネル２００の第２温度センサーＴＨ２は、コネクター４００を介して、第２温度検出回路８１と電気的に接続される。第２温度検出回路８１は、第２液晶パネル２００の第２温度センサーＴＨ２から出力されるアナログ信号、すなわち第２液晶パネル２００の温度を示すアナログ信号を増幅する増幅回路と、増幅されたアナログ信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバーターと、を含む。

測定制御回路８０は、第２温度検出回路８１から出力されるデジタル値を、第２液晶パネル２００の温度データとして取得し、第２液晶パネル２００が適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第２加熱制御回路８２に命令を出力する。第２加熱制御回路８２は、測定制御回路８０からの命令に従って、第２液晶パネル２００が適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第２液晶パネル２００の第２ヒーター線Ｈ２に電力を供給する。

第２液晶パネル２００の第１電極接続端子２１５は、第１電極線６１及びコネクター４００を介して、電圧印加回路８３と電気的に接続される。つまり、電圧印加回路８３は、第１電極線６１を介して、第２液晶パネル２００の検出電極２１３と電気的に接続される。第２液晶パネル２００の第２電極接続端子２１６は、第２電極線６２及びコネクター４００を介して、電圧印加回路８３と電気的に接続される。つまり、電圧印加回路８３は、第２電極線６２を介して、第２液晶パネル２００の共通電極２２２と電気的に接続される。電圧検出回路８４は、診断装置２内において第１電極線６１と電気的に接続される。

電圧印加回路８３は、測定制御回路８０からの命令に従って、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給する。電圧検出回路８４は、検出電極２１３の電位を検出電極電位Ｖｄとして測定し、検出電極電位Ｖｄの測定値を測定制御回路８０に出力する。このように、電圧印加回路８３及び電圧検出回路８４は、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給すると共に、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄを測定する測定回路を構成する。つまり、本実施形態の診断システムでは、診断装置２が測定回路を備える。診断装置２が備える測定回路は、図４に示される測定回路７０と同様の回路構成を備える。

測定制御回路８０は、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分侵入による劣化状況の測定時において、電圧印加回路８３に含まれる第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４と、測定電位生成回路５０とを制御する。具体的には、測定制御回路８０は、参照電圧Ｖｓｒｅｆを測定電位生成回路５０に出力する。測定制御回路８０は、第１制御信号Ｓ１から第４制御信号Ｓ４を、第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４にそれぞれ出力する。

測定制御回路８０は、電圧検出回路８４に含まれるＡ／Ｄコンバーター５２から出力される検出電極電位Ｖｄの測定値を、測定値記憶回路８５に記憶させる。測定値記憶回路８５は、測定制御回路８０による制御に従って、検出電極電位Ｖｄの測定値を記憶する。測定制御回路８０は、判定回路８０ａを含む。判定回路８０ａは、測定値記憶回路８５に記憶された測定値に基づいて、第２液晶パネル２００の液晶層２５０への水分侵入による劣化状況を判定する。表示パネル８６は、測定制御回路８０による制御に従って、測定値および判定結果などを示す画像を表示する。

例えば、測定制御回路８０は、ユーザーによって測定開始を指示する操作を受け付けたことを検知すると、上記の第１測定処理及び第２測定処理を複数回実行することにより、第１放電期間Ｔ４の終了時における検出電極電位Ｖｄ１の測定値と、第２放電期間Ｔ８の終了時における検出電極電位Ｖｄ２の測定値とを取得する。測定制御回路８０は、判定回路８０ａによって、検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の少なくとも一方の測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達しているか否かを判定する。

判定回路８０ａによって、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していると判定された場合、測定制御回路８０は、無線通信または有線通信によって、判定結果をプロジェクター１Ｂの中央制御回路３０Ｂに送信する。中央制御回路３０Ｂは、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達しているという判定結果を受信すると、第１温度検出回路３２、３４及び３６から得られる温度データに基づいて、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの温度を監視しながら、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂが適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第１加熱制御回路３３、３５及び３７に命令を出力する。

同時に、測定制御回路８０は、第２温度検出回路８１から得られる温度データに基づいて、第２液晶パネル２００の温度を監視しながら、第２液晶パネル２００が適正な温度で所定の時間だけ加熱されるように、第２加熱制御回路８２に命令を出力する。その結果、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれが、適正な温度で所定の時間だけ加熱されるため、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれの液晶層から水分が排出される。

加熱終了後、測定制御回路８０は、再度、第１測定処理及び第２測定処理を複数回実行した後、判定回路８０ａによって、検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の少なくとも一方の測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達しているか否かを判定する。そして、判定回路８０ａによって、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していないと判定された場合、すなわち、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれの液晶層から水分が排出されたと推定される場合、測定制御回路８０は、水分の排出が完了したことをユーザーに知らせる画像を表示パネル８６に表示させる。

一方、加熱終了後においても、判定回路８０ａによって、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していると判定された場合、測定制御回路８０は、測定値が閾値Ｖｄ＿ｔｈに達していないと判定されるまで、上記の判定結果の送信と、加熱処理と、第１測定処理及び第２測定処理とを繰り返し実行する。これにより、最終的には、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと、第２液晶パネル２００とのそれぞれの液晶層から水分が排出される。その結果、第１液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの劣化状況が改善され、プロジェクター１Ｂの通常駆動時に投射スクリーンＳＣに表示される画像の表示品質を向上させることができる。

（本実施形態における診断システムの効果）
以上のように、本実施形態における診断システムは、光路の上に配置される第１液晶パネル１００と、光路の外に配置され、検出電極２１３と、共通電極２２２と、検出電極２１３と共通電極２２２との間に配置される液晶層２５０と、を備える第２液晶パネル２００と、を備えるプロジェクター１Ｂと、検出電極２１３と共通電極２２２との夫々に電位を供給すると共に、検出電極２１３の電位である検出電極電位Ｖｄを測定する測定回路を備える診断装置２と、を備える。診断装置２が備える測定回路は、電圧印加回路８３及び電圧検出回路８４によって構成される。

上記の診断システムによれば、第２液晶パネル２００は、プロジェクター１Ｂ側の回路との電気的な接続部を有していないので、プロジェクター１Ｂに第２液晶パネル２００を実装することが容易となる。従って、第２液晶パネル２００の交換も容易となるため、プロジェクター１Ｂのメンテナンス性が向上する。
上記の診断システムによれば、診断装置２が第２液晶パネル２００の検出電極電位Ｖｄを測定しているときに、プロジェクター１Ｂの内部回路をスリープ状態にすることができるため、プロジェクター１Ｂの内部回路から発生するノイズが、検出電極電位Ｖｄの測定値に重畳することを抑制できる。なお、測定制御回路８０から中央制御回路３０Ｂに判定結果が送信されたときに、中央制御回路３０Ｂが、プロジェクター１Ｂの内部回路をスリープ状態から復帰させる動作を行ってもよい。
上記の診断システムによれば、第２液晶パネル２００に関連する回路が診断装置２に実装されるため、プロジェクター１Ｂの製造コストを低減できる。なお、第２温度検出回路３８及び第２加熱制御回路３９を、プロジェクター１Ｂに残してもよい。この場合、診断装置２から第２温度検出回路８１及び第２加熱制御回路８２が削除される。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本開示の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

上記実施形態では、第１加熱装置及び第２加熱装置としてヒーター線を用いる形態を例示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００のそれぞれに、アルミニウムまたはＩＴＯなどで形成された抵抗線を配置し、この抵抗線を第１加熱装置及び第２加熱装置として用いてもよい。

例えば、第１液晶パネル１００の加熱時において、第１液晶パネル１００を非駆動状態とし、光源１０の出射光量を抑えることにより、第１液晶パネル１００の加熱を補助してもよい。または、第１液晶パネル１００の加熱時において、プロジェクター１内に搭載された冷却ファンの回転数を抑えることにより、第１液晶パネル１００の加熱を補助してもよい。なお、第１液晶パネルは点灯時には温度が上昇する。従って液晶層への水分侵入量に関しては、第１液晶パネルと第２液晶パネルとは短期的には様相は異なり得る。従って、第２液晶パネルについては、第１液晶パネルの温度履歴と近しくなるように加温制御してもよい。ただし、例えば、長期保管等を想定した場合には、液晶層への水分侵入量に関しては第１液晶パネルと第２液晶パネルは近しいものと期待される。従って、各実施例に記述した構成で、第１液晶パネルの液晶層への水分侵入を判定することができる。

本実施形態では、電気光学装置としてプロジェクターを例示したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、液晶パネルから出る光を使ってレジン液を硬化させる３Ｄプリンター、ＨＵＤ（Head-Up Display）、ＨＭＤ（Head Mounted Display）、パーソナルコンピューター、デジタルカメラ、液晶テレビなどの電気光学装置に本発明が適用されてもよい。

上記実施形態では、第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００として、透過型の液晶パネルを例示したが、第１液晶パネル１００及び第２液晶パネル２００として、反射型の液晶パネルまたはＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）型の液晶パネルを用いてもよい。

〔本開示のまとめ〕
以下、本開示のまとめを付記する。

（付記１）光路の上に配置される第１パネルと、前記光路の外に配置され、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備える第２パネルと、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、を備える、電気光学装置。

例えば、測定回路によって液晶層を充放電させた後に得られる第１電極の電位の測定値は、液晶層中に含まれる可動性イオンの量に依存し、可動性イオンの量は、液晶層中の水分量に依存する。そのため、測定回路によって第２パネルの第１電極の電位を測定することにより、第２パネルの液晶層中の水分量を推定できる。同じ電気光学装置に搭載された第１パネルの液晶層中の水分量は、第２パネルの液晶層中の水分量とほぼ同じであると考えられる。そのため、第２パネルの液晶層中の水分量を推定することにより、第１パネルの液晶層中の水分量を推定できる。また、第２液晶パネルと第１液晶パネルの置かれた湿度履歴によるそれぞれの液晶層への水分侵入は、プロジェクター１が非通電時であっても維持される。
従って、上記構成によれば、電気光学装置を常に電源オン状態に保ち続ける必要なく、第２パネルの液晶層中の水分量とともに、第１パネルの液晶層中の水分量を推定することができる。
なお、液晶層中に含まれる可動性イオンの量は、光の入射によっても変化するが、上記のように、第２パネルは、電気光学装置の光路の外に配置されているため、第２パネルに光は入射しない。従って、第１電極の電位の測定によって、第２パネルへの液晶層への水分侵入に起因する可動性イオンの振る舞いのみを捉えることができるため、侵入水分量の推定精度が向上する。

（付記２）前記測定回路は、第１期間において、前記第１電極と前記第２電極との電位差が第１電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、前記第１期間後の第２期間において、前記電位差が、前記第１電位差と異なる極性を有する第２電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極への電位の供給を停止すると共に前記第２電極に前記第２期間と同じ電位を供給し、少なくとも１回前記第３期間に前記第１電極の電位を測定する、付記１に記載の電気光学装置。

上記のように、第２期間及び第３期間の前に、第１期間が挿入される。これにより、第１期間において、液晶層に含まれる可動性イオンを、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように第２期間が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第３期間に得られる第１電極の電位の測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。その結果、第２液晶パネルの液晶層２５０への水分侵入を感度よく検知できる。

（付記３）前記第１期間は、前記第１パネルの１フレーム期間より長く、前記第１電位差の絶対値は、前記液晶層の閾値電圧より大きい、付記２に記載の電気光学装置。

このように、第１期間を第１パネルの１フレーム期間より長く設定することにより、移動度の小さい可動性イオンを、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第１電位差の絶対値、すなわち第１期間に液晶層に印加される電圧を、液晶層の閾値電圧以上に設定することにより、可動性イオンを第１電極及び第２電極のいずれか一方に初期配置させることができる。
従って、付記３に記載の電気光学装置によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層への水分侵入を感度よく検知できる。

（付記４）前記第２期間は、前記第１パネルの１フレーム期間より短く、前記第２電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、付記２または３に記載の電気光学装置。

このように、第２期間を第１パネルの１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第２電位差の絶対値、すなわち第２期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制しながら、第３期間における第１電極の電位を測定できる。
従って、付記４に記載の電気光学装置によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層への水分侵入を感度よく検知できる。

（付記５）前記測定回路は、前記第１期間と前記第２期間との間の第４期間において、前記電位差が、前記第１電位差と同じ極性を有し、且つ前記第１電位差の絶対値より小さい絶対値を有する第３電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給する、付記２から４のいずれか一つに記載の電気光学装置。

このように、第１期間と第２期間との間に第４期間が挿入されることにより、第１期間に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第１期間から第２期間へ移行させることができる。
従って、付記５に記載の電気光学装置によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層への水分侵入を感度よく検知できる。

（付記６）前記第３電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、付記５に記載の電気光学装置。

このように、第３電位差の絶対値、すなわち第４期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、付記６に記載の電気光学装置によれば、より高い測定再現性を持って、第２液晶パネルの液晶層への水分侵入を感度よく検知できる。

（付記７）前記測定回路は、前記第３期間後の第５期間において、前記電位差が、前記第１電位差と異なる極性を有し、且つ前記第１電位差の絶対値と同じ絶対値を有する第４電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、前記第５期間後の第６期間において、前記電位差が、前記第４電位差と異なる極性を有する第５電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、前記第６期間後の第７期間において、前記第１電極への電位の供給を停止すると共に前記第２電極に前記第６期間と同じ電位を供給し、少なくとも１回前記第７期間に前記第１電極の電位を測定する、付記２から６のいずれか一つに記載の電気光学装置。

上記のように、第６期間及び第７期間の前に、第５期間が挿入される。これにより、第５期間において、液晶層に含まれる可動性イオンを、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように第６期間が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第７期間に得られる第１電極の電位の測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。その結果、第２液晶パネルの液晶層への水分侵入を感度よく検知できる。
さらに、付記７に記載の電気光学装置によれば、液晶層が交流駆動されるため、第１電極の電位の測定時において、液晶層に直流電圧が印加されることに起因して液晶層が劣化することを抑制できる。

（付記８）光源と、投射光学系と、をさらに備え、前記光路は、前記光源から出射され、前記第１パネルを介して前記投射光学系に入射する画像光の光路である、付記１から７のいずれか一つに記載の電気光学装置。

（付記９）前記第１パネルの温度を検出する第１温度センサーと、前記第１パネルを加熱する第１加熱装置と、前記第２パネルの温度を検出する第２温度センサーと、前記第２パネルを加熱する第２加熱装置と、前記第１温度センサーの出力と、前記第２温度センサーの出力と、前記測定回路によって得られる前記第１電極の電位の測定値とに基づいて、前記第１加熱装置及び前記第２加熱装置を制御する温度制御回路と、を備える、付記１から８のいずれか一つに記載の電気光学装置。

上記構成によれば、例えば、第１電極の電位の測定値が閾値に到達した場合、すなわち、液晶層の水分量が所定値に到達したと推定される場合などに、第１パネル及び第２パネルを適切に加熱することにより、第１パネル及び第２パネルの液晶層から水分を排出させることができる。加熱終了後に、再度、第１電極の電位を測定することにより、第２パネルの液晶層から水分が排出されたかを確認できる。第２パネルの液晶層から水分が排出されたことを確認できれば、第１パネルの液晶層からも水分が排出されたと推定できる。

（付記１０）前記第１パネルは、第１シール材を備え、前記第２パネルは、前記第１シール材と同じ外形を有し、且つ前記第１シール材の幅以上の幅を有する第２シール材を備える、付記１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。

上記の構成によれば、第２パネルのシール性能を、第１パネルのシール性能と同等以上にすることができる。そのため、第２パネルの液晶層の水分量の推定結果を、第１パネルの液晶層の水分量の推定結果として、より有効的に使用することができる。

（付記１１）前記第１パネルは、前記第１パネルにおいて第１位置に配置される第１液晶封入口を備え、前記第２パネルは、前記第２パネルにおいて前記第１位置に対応する第２位置に配置される第２液晶封入口を備える、付記１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。

上記の構成によれば、第１パネルと第２パネルとで、夫々の液晶層への水分の侵入に対する脆弱性がほぼ同等になる。従って、第２パネルの液晶層の水分量の推定結果を、第１パネルの液晶層の水分量の推定結果として、より有効的に使用することができる。

（付記１２）前記第２パネルは、前記第１電極が配置される第１基板と、前記第２電極が配置される第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に配置され、前記液晶層を覆う遮光膜と、を備える、付記１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。

既に述べたように、液晶層に含まれる可動性イオンの量は、光の入射によっても変化するが、上記のように、第２素子基板及び第２対向基板の少なくとも一方に遮光膜が配置されることにより、液晶層に光は入射しない。従って、第１電極の電位の測定によって、第２パネルへの液晶層への水分侵入に起因する可動性イオンの振る舞いのみを捉えることができるため、液晶層の水分量の推定精度が向上する。
また、第２パネルの遮光性が向上するため、電気光学装置内における第２パネルの配置自由度が高まる。

（付記１３）前記第２パネルの外形サイズは、前記第１パネルの外形サイズより小さい、付記１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。

このように、水分侵入抑止力及び水分排出力について、第１パネルと第２パネルとの相関関係が予め判っていれば、第１パネルよりも小型の第２パネルを使用してもよい。これにより、第２パネルの製造コストを低減できる。
小型の第２パネルを使用すると、第２パネルの加熱が容易になるため、電気光学装置の消費電力を抑えることができる。
小型の第２パネルを使用すると、電気光学装置内での第２パネルの取り付けが容易になるとともに、第２パネルの組み立て工程を簡略化できる。第２パネルの交換も容易となるため、電気光学装置のメンテナンス性が向上する。

（付記１４）前記第２パネルの厚さは、前記第１パネルの厚さより小さい、付記１３に記載の電気光学装置。

このように、第２パネルの厚さが、第１パネルの厚さより小さい場合、第２パネルの熱伝導率が高まる。その結果、第２パネルの加熱がより容易になるため、電気光学装置の消費電力をより抑えることができる。

（付記１５）前記第２パネルは、前記第２パネルの表面及び裏面の少なくとも一方に貼り付けられる遮光フィルムを備える、付記１３または１４に記載の電気光学装置。

このように、第２パネルに遮光膜を成膜するのではなく、第２パネルに遮光フィルムを貼り付ける構成とすることにより、第２パネルの製造工程を簡略化できる。第２パネルは、電気光学装置の光路の外に配置されるため、高強度の光は第２パネルに入射しない。そのため、遮光フィルムとして、アルミニウムなどの高遮光性フィルムを用いてもよいし、或いは、光を減光させる性質と耐熱性とを有する樹脂フィルムを用いてもよい。

（付記１６）前記光路の外部に配置され、前記第２パネルが挿入されるポケットを備える、付記１から１５のいずれか一つに記載の電気光学装置。

これにより、電気光学装置内での第２パネルの取り付けが容易になるとともに、第２パネルの交換も容易となるため、電気光学装置のメンテナンス性が向上する。

（付記１７）前記第１パネルと前記第２パネルとのうち、前記第１パネルが複数の画素電極を備える、付記１から１６のいずれか一つに記載の電気光学装置。

このように、第１パネルと第２パネルとのうち、第１パネルが複数の画素電極を備える。言い換えれば、第２パネルは、画素電極を備えていない。このような構成を採用することにより、第１パネルと比較して、第２パネルの構成を簡略化できるため、第２パネルの製造コストを低減することができる。

（付記１８）前記第１パネルは、複数の第１接続端子を備え、前記第２パネルは、前記第１接続端子の数よりも少ない複数の第２接続端子を備える、付記１から１９のいずれか一つに記載の電気光学装置。

このような構成を採用することにより、第１パネルと比較して、第２パネルの構成を簡略化できるため、第２パネルの製造コストを低減することができる。

（付記１９）第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備えるパネルと、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、前記パネルを加熱する加熱装置と、を備える、液晶装置。

上記の構成を有する液晶装置を、第１パネルに相当する液晶パネルを備える他のプロジェクターなどの電気光学装置に搭載することにより、これらの電気光学装置に、液晶パネルの液晶層中の水分量を推定する機能を容易に実装することができる。

（付記２０）光路の上に配置される第１パネルと、前記光路の外に配置され、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備える第２パネルと、を備える電気光学装置と、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路を備える診断装置と、を備える、診断システム。

上記の診断システムによれば、第２パネルは、電気光学装置側の回路との電気的な接続部を有していないので、電気光学装置に第２パネルを実装することが容易となる。従って、第２パネルの交換も容易となるため、電気光学装置のメンテナンス性が向上する。
上記の診断システムによれば、診断装置が第２パネルの第１電極の電位を測定しているときに、電気光学装置の内部回路をスリープ状態にすることができるため、電気光学装置の内部回路から発生するノイズが、第１電極の電位の測定値に重畳することを抑制できる。
上記の診断システムによれば、第２パネルに関連する測定回路が診断装置に実装されるため、電気光学装置の製造コストを低減できる。

１、１Ａ、１Ｂ…プロジェクター（電気光学装置）、２…診断装置、１００、１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、１００Ａ…第１液晶パネル、２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ…第２液晶パネル、２１３…検出電極（第１電極）、２２２…共通電極（第２電極）、２５０…液晶層、７０…測定回路、１１２…第１シール材、２１２…第２シール材、１１７…第１液晶封入口、２１７…第２液晶封入口、２７０…遮光膜、２１８Ｃ、２２３Ｃ…遮光フィルム、３２１…ポケット、Ｈ１…第１ヒーター線（第１加熱装置）、Ｈ２…第２ヒーター線（第２加熱装置）、ＴＨ１…第１温度センサー、ＴＨ２…第２温度センサー

Claims (20)

1. 光路の上に配置される第１パネルと、
   前記光路の外に配置され、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備える第２パネルと、
   前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、
   を備える、電気光学装置。
2. 前記測定回路は、
   第１期間において、前記第１電極と前記第２電極との電位差が第１電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、
   前記第１期間後の第２期間において、前記電位差が、前記第１電位差と異なる極性を有する第２電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、
   前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極への電位の供給を停止すると共に前記第２電極に前記第２期間と同じ電位を供給し、少なくとも１回前記第３期間に前記第１電極の電位を測定する、
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１期間は、前記第１パネルの１フレーム期間より長く、
   前記第１電位差の絶対値は、前記液晶層の閾値電圧以上である、
   請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第２期間は、前記第１パネルの１フレーム期間より短く、
   前記第２電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
   請求項２に記載の電気光学装置。
5. 前記測定回路は、前記第１期間と前記第２期間との間の第４期間において、前記電位差が、前記第１電位差と同じ極性を有し、且つ前記第１電位差の絶対値より小さい絶対値を有する第３電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給する、
   請求項２に記載の電気光学装置。
6. 前記第３電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
   請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記測定回路は、
   前記第３期間後の第５期間において、前記電位差が、前記第１電位差と異なる極性を有し、且つ前記第１電位差の絶対値と同じ絶対値を有する第４電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、
   前記第５期間後の第６期間において、前記電位差が、前記第４電位差と異なる極性を有する第５電位差となるように、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給し、
   前記第６期間後の第７期間において、前記第１電極への電位の供給を停止すると共に前記第２電極に前記第６期間と同じ電位を供給し、少なくとも１回前記第７期間に前記第１電極の電位を測定する、
   請求項２に記載の電気光学装置。
8. 光源と、
   投射光学系と、をさらに備え、
   前記光路は、前記光源から出射され、前記第１パネルを介して前記投射光学系に入射する画像光の光路である、請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記第１パネルの温度を検出する第１温度センサーと、
   前記第１パネルを加熱する第１加熱装置と、
   前記第２パネルの温度を検出する第２温度センサーと、
   前記第２パネルを加熱する第２加熱装置と、
   前記第１温度センサーの出力と、前記第２温度センサーの出力と、前記測定回路によって得られる前記第１電極の電位の測定値とに基づいて、前記第１加熱装置及び前記第２加熱装置を制御する温度制御回路と、
   を備える、
   請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記第１パネルは、第１シール材を備え、
    前記第２パネルは、前記第１シール材と同じ外形を有し、且つ前記第１シール材の幅以上の幅を有する第２シール材を備える、
    請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記第１パネルは、前記第１パネルにおいて第１位置に配置される第１液晶封入口を備え、
    前記第２パネルは、前記第２パネルにおいて前記第１位置に対応する第２位置に配置される第２液晶封入口を備える、
    請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 前記第２パネルは、
    前記第１電極が配置される第１基板と、
    前記第２電極が配置される第２基板と、
    前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に配置され、前記液晶層を覆う遮光膜と、
    を備える、
    請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 前記第２パネルの外形サイズは、前記第１パネルの外形サイズより小さい、
    請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
14. 前記第２パネルの厚さは、前記第１パネルの厚さより小さい、
    請求項１３に記載の電気光学装置。
15. 前記第２パネルは、前記第２パネルの表面及び裏面の少なくとも一方に貼り付けられる遮光フィルムを備える、
    請求項１３に記載の電気光学装置。
16. 前記光路の外部に配置され、前記第２パネルが挿入されるポケットを備える、
    請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
17. 前記第１パネルと前記第２パネルとのうち、前記第１パネルが複数の画素電極を備える、
    請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
18. 前記第１パネルは、複数の第１接続端子を備え、
    前記第２パネルは、前記第１接続端子の数よりも少ない複数の第２接続端子を備える、
    請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
19. 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備えるパネルと、
    前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、
    前記パネルを加熱する加熱装置と、
    を備える、液晶装置。
20. 光路の上に配置される第１パネルと、
    前記光路の外に配置され、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される液晶層と、を備える第２パネルと、
    を備える電気光学装置と、
    前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路を備える診断装置と、
    を備える、診断システム。

Images