JP2024063404A - 導電性メッシュの設計方法、及び電磁シールド基材の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】試作を繰り返し行うことなく、印刷処理に起因するバラツキを考慮して、目標値を満足する仕様を選定する。【解決手段】目標値を設定し、透明基材に印刷される導電線により形成される導電性メッシュの形成条件である仮メッシュ条件を設定する。仮メッシュ条件を解析対象とする所定の解析シミュレーションにおいて目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定した場合、判定対象の仮メッシュ条件に基づいて暫定仕様メッシュ条件を選定する。暫定仕様メッシュ条件にしたがって透明基材に導電線を印刷して作製された試作品を実測し、実測した結果に基づいて、試作品のメッシュ条件を算出して実測メッシュ条件とする。実測メッシュ条件を解析対象とする所定の解析シミュレーションにおいて目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定した場合、判定対象の実測メッシュ条件と、暫定仕様メッシュ条件とに基づいて最終仕様メッシュ条件を選定する。【選択図】図３

Description

本開示は、導電性メッシュの設計方法、及び電磁シールド基材の製造方法に関する。

電子機器が、外部から到来する電磁波によって誤作動するといった問題や、電子機器から生じる電磁波が、外部に漏れ出て他の電子機器を誤作動させてしまうといった問題がある。これらの問題を解決するため、電磁波をシールドする技術の提案が行われている（例えば、特許文献１参照）。

このような電磁波をシールドする技術として、例えば、ガラスなどの透明基材にインクジェット方式で導電性インクをメッシュ形状に吹き付けて導電線を印刷することにより電磁シールド基材を作製する技術がある。

特開２００１－１９６７５６号広報

電磁シールドの性能を示す指標として、シールド効果（Shield Effective（以下、ＳＥともいう））が知られている。上記したメッシュ形状の導電線を含む電磁シールド基材の場合、ＳＥは、メッシュの開口寸法、導電線の厚み、導電線に用いる材料の導電率によって変化する。

例えば、メッシュの開口寸法が、電磁波の波長の１／２以上の長さを有する場合、当該電磁波は、シールドされずに全て透過してしまう。そのため、メッシュの開口寸法をシールド対象の電磁波の波長の１／２の長さよりも短くすれば、電磁波が透過する量を減少させることができるのでＳＥが増加することになる。その一方で、電磁シールド基材を、例えば、窓ガラスとして利用する場合、窓としての機能を果たすような十分な光を透過させる必要があるので、メッシュの開口寸法を過度に小さくすることはできない。したがって、電磁シールド基材を、窓ガラスなどの用途で使用する場合には、シールド対象の周波数の電磁波に対して所望のＳＥを達成しつつ、所望の光の透過率を達成するようなメッシュの開口寸法にする必要がある。

表皮効果のために、電磁波の周波数にしたがって導電線に生じる表皮深さは変化し、導電線の厚みが、表皮深さよりも小さい場合、ＳＥは減少する。シールド対象の電磁波の周波数が決まっている場合、導電線の厚みを、当該周波数に応じた表皮深さ程度にするのが理想的であるが、表皮深さは、導電線の導電率によっても変化する。したがって、シールド対象の周波数の電磁波に対して所望のＳＥを達成しつつ、導電線の厚みを理想的な厚さにするためには、導電線の材料、及び導電線の厚みの組み合わせを適切な組み合わせにする必要がある。

上記のような事情から、シールド対象の電磁波の周波数、所望のＳＥ、所望の光の透過率といった目標値を満足する電磁シールド基材を量産する場合、これらの目標値を満足するような製造条件を予め設計用の仕様として選定しておく必要がある。

しかしながら、透明基材に印刷される導電線の断面形状は、矩形ではなく、裾が広がった山なり形状になる。また、透明基材に吹き付けられる導電性インクの状態は、透明基材の箇所によってムラが生じて一様にはならない。このような印刷処理に起因するバラツキのために、実際の導電線の間隔、幅、厚み、導電率は、仕様通りにはならない。そのため、目標値に基づいて解析的に仕様を算出することは難しく、電磁シールド基材の試作品を繰り返し作製し、作製した電磁シールド基材に、実際の電磁波を照射して目標値を満足するような仕様を選定するということが一般的に行われる。

本開示は、上記課題を解決すべくなされたものであって、試作を繰り返し行うことなく、印刷処理に起因するバラツキを考慮して、目標値を満足する仕様を選定することを可能にする導電性メッシュの設計方法、及び電磁シールド基材の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本開示に係る導電性メッシュの設計方法は、シールド対象の電磁波の周波数の上限値を示す上限周波数と、シールド効果の目標を示す目標シールド効果値と、光の透過率の目標を示す目標透過率とを目標値として設定する目標値設定ステップと、透明基材に印刷される導電線により形成される導電性メッシュの形成条件を示すメッシュ条件であって、予め定められる製造可能範囲内で前記目標値を満足するメッシュ条件である仮メッシュ条件を設定する仮メッシュ条件設定ステップと、前記仮メッシュ条件を解析対象とする所定の解析シミュレーションにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する第１の解析判定ステップと、前記第１の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合、判定対象の前記仮メッシュ条件に基づいて暫定仕様メッシュ条件を選定する暫定仕様メッシュ条件選定ステップと、前記暫定仕様メッシュ条件にしたがって前記透明基材に前記導電線を印刷して作製された試作品を実測し、実測した結果に基づいて、前記試作品のメッシュ条件を算出して実測メッシュ条件とする実測メッシュ条件算出ステップと、前記実測メッシュ条件を解析対象とする前記所定の解析シミュレーションにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する第２の解析判定ステップと、前記第２の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合、前記暫定仕様メッシュ条件に応じた最終仕様メッシュ条件を選定する最終仕様メッシュ条件選定ステップと、を有する。

本開示に係る電磁シールド基材の製造方法は、上記に記載の導電性メッシュの設計方法によって選定された前記最終仕様メッシュ条件にしたがって前記透明基材に前記導電線を印刷して電磁シールド基材を製造する。

本開示の導電性メッシュの設計方法、及び電磁シールド基材の製造方法によれば、試作を繰り返し行うことなく、印刷処理に起因するバラツキを考慮して、目標値を満足する仕様を選定することができる。

本開示の第１の実施形態に係る電磁シールド基材の構成例を示す図である。 本開示の第１の実施形態に係る電磁シールド基材の垂直断面図を示す図である。 本開示の第１の実施形態に係る導電性メッシュの設計手順の流れを示す図である。 本開示の第１の実施形態に係るＳＥ値の変化の特性と、開口率の変化の特性と、目標ＳＥ値と、目標透過率との関係の一例を示す図（その１）である。 本開示の第１の実施形態に係る第１の解析判定処理において採用する導電線の断面形状のモデルを示す図である。 本開示の第１の実施形態に係るＳＥ値の変化の特性と、開口率の変化の特性と、目標ＳＥ値と、目標透過率との関係の一例を示す図（その２）である。 本開示の第１の実施形態に係る第２の解析判定処理において採用する導電線の断面形状のモデルを示す図である。 本開示の第２の実施形態に係る導電性メッシュの設計手順の流れを示す図である。 本開示の第３の実施形態に係る電磁シールド基材の垂直断面図を示す図である。 本開示の第３の実施形態の変形例に係る電磁シールド基材の垂直断面図を示す図である。

以下、本開示の実施形態に係る導電性メッシュの設計方法、及び電磁シールド基材の製造方法について、図１～図１０を参照して説明する。図１は、本開示の第１の実施形態に係る電磁シールド基材１の構成例を示す図である。図２は、本開示の第１の実施形態に係る電磁シールド基材１の垂直断面図を示す図である。図３は、本開示の第１の実施形態に係る導電性メッシュの設計手順の流れを示す図である。図４は、本開示の第１の実施形態に係るＳＥ値の変化の特性６１と、開口率の変化の特性５１と、目標ＳＥ値と、目標透過率との関係の一例を示す図である。図５は、本開示の第１の実施形態に係る第１の解析判定処理において採用する導電線２０の断面形状のモデルを示す図である。図６は、本開示の第１の実施形態に係るＳＥ値の変化の特性６２と、開口率の変化の特性５１と、目標ＳＥ値と、目標透過率との関係の一例を示す図である。図７は、本開示の第１の実施形態に係る第２の解析判定処理において採用する導電線２０の断面形状のモデルを示す図である。図８は、本開示の第２の実施形態に係る導電性メッシュの設計手順の流れを示す図である。図９は、本開示の第３の実施形態に係る電磁シールド基材１ａの垂直断面図を示す図である。図１０は、本開示の第３の実施形態の変形例に係る電磁シールド基材１ｂの垂直断面図を示す図である。なお、各図において同一または対応する構成には同一の符号を用いて説明を適宜省略する。

＜第１の実施形態＞
（電磁シールド基材の構成例）
図１は、第１の実施形態に係る電磁シールド基材１の構成の一例を示す図である。電磁シールド基材１は、例えば、車両、船舶、航空機、建物などの窓ガラスなどに利用される。電磁シールド基材１は、透明基材１０と、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３とを含む。以下、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の中の任意の１つを示す場合、導電線２０という。透明基材１０は、例えば、ガラス、ポリカーボネートなどの光を透過する透明の基材である。透明基材１０は、硬い基材であってもよいし、フィルムやシートのような柔軟性のある軟らかい基材であってもよい。

導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の各々は、例えば、インクジェット方式などの印刷方式によって、透明基材１０に導電性インクが吹き付けられることにより、透明基材１０に印刷される。導電性インクは、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属材料と、エポキシ樹脂などの結合特性を含む材料とを含んだ導電体である。導電性インクに含まれる金属材料の種類は、１種類であってもよいし、複数種類であってもよい。ただし、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の各々の印刷に用いられる導電性インクの成分は同一である。したがって、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の導電率は、印刷に用いられる導電性インクに含まれる金属材料の種類に応じた導電率であって同一の導電率になる。

縦方向の導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３と、横方向の導電線２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３とは、垂直に交差するように印刷される。当該印刷は、縦方向の導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３において隣接する導電線２０の間隔、及び横方向の導電線２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３において隣接する導電線２０の間隔の長さが全て同一になるように行われる。また、当該印刷は、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の幅が、全て同一になるように行われる。これにより、透明基材１０上に、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３によって導電性のあるメッシュ（以下、導電性メッシュという）が形成される。導電性メッシュにおいて、上下左右の４方向が、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３のいずれかによって囲まれる透明基材１０のメッシュ領域１１－１，１１－２，１１－３，１１－４の形状は、同一面積の正方形の形状になる。

導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の内部に示す破線は、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の各々の中央を示す線である。符号３１で示す導電線２０ｖ－１と導電線２０ｖ－２の各々の中央の線の間の長さは、メッシュサイズであり、以下、メッシュサイズ３１という。上記したように、メッシュ領域１１－１，１１－２，１１－３，１１－４の形状が同一であることから、メッシュサイズ３１は、導電性メッシュの任意の１区画のメッシュサイズを代表する値になる。

符号３２で示す長さは、導電線２０ｖ－１の幅であり、以下、線幅３２という。上記したように、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３の幅は、同一であることから、線幅３２は、導電性メッシュを形成する任意の導電線２０の幅を代表する値になる。なお、メッシュサイズ３１から線幅３２を減算した、符号４１で示す導電性メッシュの１区画の開口部の長さを、導電性メッシュの最大開口サイズとして定義し、以下、最大開口サイズ４１という。

図２は、図１に示す電磁シールド基材１の符号４３で示す一点鎖線上の垂直断面図である。符号３３で示す長さは、導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３の高さ、すなわち、厚みであり、以下、線厚３３という。導電線２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３は、高さが全て同一になるように印刷される。そのため、線厚３３は、導電性メッシュを形成する任意の導電線２０の厚みを代表する値になる。

したがって、電磁シールド基材１に形成される導電性メッシュの形成条件を、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率という４つのパラメータで表すことができる。この４つのパラメータによって表される導電性メッシュの形成条件を、以下、メッシュ条件という。なお、図１では、縦方向と横方向の各々に、３本ずつの導電線２０が印刷される例を示しているが、縦方向と横方向の各々に、２本以上の導電線２０が印刷されていれば、導電線２０の本数は、どのような本数であってもよい。

（第１の実施形態の導電性メッシュの設計手順）
上記した電磁シールド基材１に形成される導電性メッシュのメッシュ条件を示すメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、導電率の各々の理想的な状態は、導電性メッシュのあらゆる箇所において、均一値になる状態である。これに対して、透明基材１０の上に導電線２０を実際に印刷する際、印刷処理に起因するバラツキが生じる。このバラツキのために、導電線２０の位置、幅、厚み、及び導電率にバラツキが生じる。

導電線２０の断面形状は、理想的には、矩形形状であるが、導電線２０は、導電性インクが吹き付けられて形成されるため、実際には、図２に示すように裾が広がった山なり形状になる。また、導電線２０の幅や厚みにバラツキが存在するため、全ての導電線２０が同一の山なり形状にはならない。また、実際の導電線２０の導電率は、透明基材１０に吹き付けられる導電性インクの状態が一様でないことから、透明基材１０の箇所によっては、導電性インクに含まれる金属材料の規格上の導電率に一致しない場合がある。

図３に示す導電性メッシュの設計手順は、上記のような、印刷処理に起因するバラツキを考慮して電磁シールド基材１を製造する際に用いる設計用の仕様を選定する手順である。

電磁シールド基材１を製造する際、電磁シールド基材１がシールドする電磁波の周波数の上限値（以下、上限周波数という）と、電磁シールド基材１のＳＥ値と、電磁シールド基材１を透過する光の透過率とを目標値として予め定める必要がある。ここで、上限周波数の単位は、「Ｈｚ」であり、ＳＥ値の単位は、「ｄＢ」であり、透過率の単位は、「％」である。また、目標値となるＳＥ値を、以下、目標ＳＥ値といい、目標値となる透過率については、以下、目標透過率という。

設計者は、例えば、以下のようにして、上限周波数、目標ＳＥ値、目標透過率の３つの目標値を設定する（Ｓ１：目標値設定ステップ）。外部から到来する電磁波をシールドすることを目的とする場合、シールド効果に関する規格などにしたがって、設計者が目標ＳＥ値を設定する。これに対して、例えば、ある装置が生成する電磁波が外部に漏れないことを目的とする場合、設計者は、当該装置の信号強度と、電磁シールド基材１を介して外部に出る際の信号強度とを勘案して目標ＳＥ値を設定する。

ＳＥ値は、メッシュサイズ３１を小さくすればするほど、大きな値になるが、メッシュサイズ３１の大きさには、印刷装置の性能に応じた製造可能範囲が存在する。そのため、設計者は、メッシュサイズ３１の製造可能範囲を考慮しつつ、設定した目標ＳＥ値を満足するような上限周波数を設定する。なお、外部から到来する電磁波の特定の周波数をシールドしたいとか、ある装置が生成する電磁波の特定の周波数をシールドしたいといった事情が存在する場合、設計者は、設定した目標ＳＥ値を考慮することなく、シールドしたい周波数を上限周波数として設定するようにしてもよい。

目標透過率については、例えば、窓ガラスとして、電磁シールド基材１を利用するといった目的がある場合、設計者は、電磁シールド基材１が窓としての機能を果たすような目標透過率を設定する。

設計者は、導電線２０の印刷のために用いる印刷装置の性能に応じた製造可能範囲で、Ｓ１の手順において設定した３つの目標値を満足するメッシュ条件の４つのパラメータを、以下のようにして仮設定する（Ｓ２：仮メッシュ条件設定ステップ）。ここで、目標値を満足するとは、少なくとも目標値以上の値になることを意味する。メッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３のいずれか１つを変数とし、残りの３つを固定値とした場合の導電性メッシュの開口率の変化の特性は、解析的な計算によって算出することが可能である。例えば、線幅３２と線厚３３を固定値としてメッシュサイズ３１を変化させた場合の開口率の変化の特性を解析的な計算によって算出すると、図４に示す符号５１で示す破線のグラフ（以下、グラフ５１という）のようになる。なお、図４において、横軸は、メッシュサイズ３１を示しており、縦軸は、グラフ５１の場合、開口率を示している。

メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率のいずれか１つを変数とし、残りの３つを固定値とした場合のＳＥ値の変化の特性を、経験式を用いた解析的な計算によって算出することが可能である。例えば、電磁波の周波数を上限周波数とし、線幅３２、線厚３３、及び導電率を固定値とした場合に、メッシュサイズ３１を変化させた際のＳＥ値の変化の特性を解析的な計算によって算出すると、図４に示す符号６１で示す実線のグラフ（以下、グラフ６１という）のようになる。グラフ６１の場合、図４の縦軸は、ＳＥ値を示すことになる。

メッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３には、印刷装置の性能に応じた製造可能範囲が存在する。そのため、設計者は、例えば、仮設定後に微調整が可能なように、線幅３２と線厚３３の各々については、各々の製造可能範囲の最大値、最小値の中央である中央値を仮設定する。設計者は、導電率として、例えば、仮設定後に導電率の変更が可能な中程度の導電率の金属材料の導電率などを仮設定する。

設計者は、仮設定した線幅３２、線厚３３、及び導電率に固定した状態で、メッシュサイズ３１を変数とするグラフ５１，６１を算出する。なお、グラフ６１を算出する際の電磁波の周波数は、上限周波数である。ここで、導電性メッシュの透過率は、導電性メッシュの開口率に一致することから、設計者は、グラフ５１において、目標透過率以上となるメッシュサイズ３１の範囲を特定する。図４の場合、目標透過率以上となるメッシュサイズ３１の範囲は、グラフ５１と、目標透過率を示す一点鎖線５５との交点５６におけるメッシュサイズ３１の大きさを最小値とする範囲になる。設計者は、グラフ６１において、目標ＳＥ値以上となるメッシュサイズ３１の範囲を特定する。図４の場合、目標ＳＥ値以上となるメッシュサイズ３１の範囲は、グラフ６１と、目標ＳＥ値を示す一点鎖線６５との交点６６におけるメッシュサイズ３１の大きさを最大値とする範囲になる。

したがって、目標透過率と目標ＳＥ値の両方を満足するメッシュサイズ３１の範囲は、交点５６を通る垂線７１と、交点６６を通る垂線７２との間の範囲、すなわち、符号８０で示される範囲になる。設計者は、例えば、符号８０で示される範囲であって、かつメッシュサイズ３１の製造可能範囲に含まれるいずれか１つの値をメッシュサイズ３１として仮設定する。符号８０で示される範囲の全てが、メッシュサイズ３１の製造可能範囲に含まれている場合、設計者は、例えば、符号８０で示される範囲の中央値をメッシュサイズ３１として仮設定する。

なお、上記の手順では、線幅３２と、線厚３３と、導電率とを仮設定した後、メッシュサイズ３１に対応する開口率の変化の特性と、ＳＥ値の変化の特性とを算出して、メッシュサイズ３１を仮設定するようにしている。これに対して、例えば、設計者は、上記したように、Ｓ１の手順において、目標ＳＥ値を満足するような上限周波数を設定した際、当該設定において考慮したメッシュサイズ３１を仮設定するようにしてもよい。この場合、設計者は、メッシュサイズ３１と、線厚３３と、導電率とを仮設定した値に固定した状態で、線幅３２に対応する開口率の変化の特性と、ＳＥ値の変化の特性とを算出して、線幅３２を仮設定するようにしてもよい。また、設計者は、メッシュサイズ３１と、線幅３２と、導電率とを先に仮設定して、線厚３３に対応する開口率の変化の特性と、ＳＥ値の変化の特性とを算出して、線厚３３を仮設定するようにしてもよい。以下、Ｓ２の手順において仮設定したメッシュ条件を仮メッシュ条件という。

ところで、Ｓ２の手順において算出するＳＥ値の変化の特性は、経験式を用いた解析的な計算によって算出する特性である。この経験式で得られるＳＥ値の変化の特性の精度は、単位面積当たりの導電率相当の精度であり、導電性メッシュの断面形状まで考慮した精度にはならず、１０ｄＢ程度の誤差を含む精度である。そのため、設計者は、導電性メッシュの断面形状が考慮されている、仮メッシュ条件よりも精度の高いメッシュ条件が得られるように、第１の解析判定処理を行う（Ｓ３：第１の解析判定ステップ）。

Ｓ３の手順において、設計者は、例えば、電磁界解析シミュレーションを実行可能なコンピュータに、Ｓ１の手順で設定した目標値と、Ｓ２の手順で設定した仮メッシュ条件とを入力情報として与えて電磁界解析シミュレーションを行う（Ｓ３－１）。ここで、電磁界解析シミュレーションとは、導電性メッシュ有り・なしでの電磁波の透過量によりシールド効果を評価するシミュレーションである。

図２に示すように、導電線２０の断面形状は、実際には、裾が広がった山なり形状であるが、電磁界解析シミュレーションでは、図５に示すように、導電線２０の断面形状を、幅が線幅３２であり、高さが線厚３３である矩形形状としてモデル化した処理が行われる。電磁界解析シミュレーションでは、例えば、以下のようなシミュレーションが行われる。仮メッシュ条件の４つのパラメータからいずれか１つのパラメータを選択する。選択した１つのパラメータ以外の３つのパラメータを仮メッシュ条件の値に固定し、電磁波の周波数を上限周波数にした状態で、選択した１つのパラメータの値を所定の範囲内で増減させるシミュレーションが行われる。このシミュレーションを、４つのパラメータの各々に対して行う。

その結果、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性であって、電磁波の周波数を上限周波数とした場合のＳＥ値の変化の特性が得られることになる。電磁界解析シミュレーションにより得られるＳＥ値の変化の特性の精度は、導電線２０の断面形状が考慮されているため、Ｓ２の手順で経験式を用いた解析的な計算によって算出するＳＥ値の変化の特性の精度よりも高くなる。

Ｓ２の手順において説明したように、メッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３のいずれか１つを変数とし、残りの３つを仮メッシュ条件の値に固定した場合の開口率の変化の特性は、解析的な計算によって予め算出することが可能である。そのため、設計者は、メッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性を、解析的な計算により算出する。

設計者は、解析的な計算によって算出したメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性と、Ｓ３－１の手順において得られたメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性と、目標透過率と、目標ＳＥ値とに基づいて、目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する（Ｓ３－２）。

メッシュサイズ３１に対応するＳＥ値の変化の特性、及び開口率の変化の特性と、目標ＳＥ値と、目標透過率とが、例えば、図４に示すような関係になっているとする。この場合、図４の符号８０で示す範囲に相当する目標ＳＥ値と目標透過率の両方を満足するメッシュサイズ３１の範囲が存在する。そのため、当該範囲と、メッシュサイズ３１の製造可能範囲とが重複している場合、設計者は、メッシュサイズ３１については、目標値を満足すると判定する。一方、当該範囲と、メッシュサイズ３１の製造可能範囲とが重複していない場合、設計者は、メッシュサイズ３１については、目標値を満足しないと判定する。

これに対して、メッシュサイズ３１に対応するＳＥ値の変化の特性が、例えば、図６に示すグラフ６２のような特性であり、メッシュサイズ３１に対応する開口率の変化の特性が、グラフ５１のような特性であるとする。この場合、目標ＳＥ値以上となるメッシュサイズ３１の範囲は、グラフ６２と、目標ＳＥ値を示す一点鎖線６５との交点６７におけるメッシュサイズ３１の大きさを最大値とする範囲になる。言い換えると、交点６７を通る垂線７３の左側の範囲が、目標ＳＥ値以上となるメッシュサイズ３１の範囲になる。目標透過率以上となるメッシュサイズ３１の範囲は、図４の場合と同様に、交点５６を通る垂線７１の右側の範囲である。したがって、図４の場合とは異なり、図６の場合、目標透過率を満足し、かつ目標ＳＥ値を満足するメッシュサイズ３１の範囲は存在しないことになる。そのため、図６の場合、設計者は、メッシュサイズ３１については、目標値を満足しないと判定する。

設計者は、メッシュサイズ３１の場合と同様に、線幅３２と線厚３３の各々についても、各々に対応するＳＥ値の変化の特性、及び開口率の変化の特性と、目標ＳＥ値と、目標透過率とに基づいて、目標値を満足するか否かを判定する。

導電率については、開口率の変化の特性が存在しない。そのため、設計者は、導電率に対応するＳＥ値の変化の特性と、目標ＳＥ値とに基づいて、導電率に対応する目標ＳＥ値以上となる範囲を特定する。設計者は、特定した範囲と、導電率の製造可能範囲とに重複する範囲が存在すれば、目標値を満足すると判定し、重複する範囲が存在しなければ、目標値を満足しないと判定する。ここで、導電率の製造可能範囲とは、利用可能な導電性インクに含まれる金属材料の導電率によって定められる範囲である。

設計者は、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の全てにおいて、目標値を満足している場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定する（Ｓ３－２、Ｙｅｓ）。一方、設計者は、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率のいずれかにおいて、目標値を満足していない場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定する（Ｓ３－２、Ｎｏ）。Ｓ３－２の手順において「Ｎｏ」の判定をした場合、設計者は、仮メッシュ条件を再設定して（Ｓ４：第１のメッシュ条件再設定ステップ）、再びＳ３－１の手順を行う。

Ｓ３－２の手順において「Ｙｅｓ」の判定をした場合、設計者は、目標値を満足するメッシュ条件の範囲から暫定的な仕様となる暫定仕様メッシュ条件を選定する（Ｓ５）。設計者は、例えば、目標ＳＥ値と目標透過率の両方を満足するメッシュサイズ３１の範囲と、メッシュサイズ３１の製造可能範囲とが重複する範囲の中央値を暫定仕様のメッシュサイズ３１として選定する。設計者は、メッシュサイズ３１と同様の手順で、暫定仕様の線幅３２と線厚３３の各々を選定する。設計者は、目標ＳＥ値を満足する導電率の範囲と、導電率の製造可能範囲とが重複する範囲の中央付近の導電率であって、利用可能な導電性インクの導電率を暫定仕様の導電率として選定する。

設計者は、選定した暫定仕様メッシュ条件のメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３を印刷装置に設定する。設計者は、当該印刷装置によって、暫定仕様メッシュ条件の導電率に一致する導電率を有する導電性インクを透明基材１０に吹き付けることにより、透明基材１０に導電線２０を印刷して試作品を作製する（Ｓ６）。

設計者は、試作品を実測して、試作品における実際のメッシュ条件を算出する。設計者は、試作品の導電性メッシュの複数の区画のなかの幾つかの区画における開口サイズを実測する。なお、区画の形状は、印刷処理に起因するバラツキのために正方形の形状になっていない場合があることを考慮して、１区画の幾つかの箇所の縦方向と横方向において開口サイズを実測する。設計者は、１区画の幾つかの箇所において実測した開口サイズの中の最大値を当該区画の最大開口サイズとする。設計者は、試作品の導電性メッシュの複数の区画のなかの幾つかの区画における最大開口サイズの平均値を算出し、算出した平均値を、試作品を代表する最大開口サイズ４１とする。

上記したように、導電線２０の断面の形状は、図７に示すような裾が広がった山なり形状になっている。そのため、設計者は、複数の実測箇所を予め定め、以下のようにして試作品を代表するメッシュサイズ３１と、線幅３２と、線厚３３とを算出する。なお、インクジェット方式の場合、縦方向の導電線２０の断面形状と、横方向の導電線２０の断面形状とには違いが生じるため、予め定める複数の実測箇所には、縦方向の導電線２０の箇所と、横方向の導電線２０の箇所と、縦方向と横方向の導電線２０が交差する箇所とを含めるようにする。

設計者は、試作品の導電線２０の複数の実測箇所における導電線２０の断面形状を示すデータを取得する。設計者は、例えば、断面スキャナなどによって、複数の実測箇所の導電線２０にレーザを照射することにより、導電線２０の断面形状を示すデータを取得する。図１において符号４２で示す縦方向と横方向の導電線２０が交差する箇所については、例えば、符号４２の一点鎖線で示すように対角から対角にスキャンして、導電線２０の断面形状を示すデータを取得する。

設計者は、複数の実測箇所の各々において得られた導電線２０の断面形状を示すデータから、図７に示すように、導電線２０の高さ３６が半分になる位置における導電線２０の幅、すなわち、半値幅３８を算出する。なお、図１の符号４２で示す導電線２０が交差する箇所については、導電線２０の断面形状を示すデータから算出する半値幅の長さは、縦方向と横方向の導電線２０が交差する領域の対角線上の長さになる。そのため、算出した半値幅を２^１／２で除算した値を半値幅３８とする。

設計者は、複数の実測箇所の各々において算出した半値幅３８の平均値を算出し、算出した平均値を線幅３２とする。設計者は、線幅３２に、最大開口サイズ４１を加算した加算値をメッシュサイズ３１とする。設計者は、複数の実測箇所の各々において得られた導電線２０の断面形状を示すデータから導電線２０の高さ３６の半分の高さ、すなわち半値高さ３７を算出する。設計者は、算出した複数の半値高さ３７の平均値を算出し、算出した平均値を線厚３３とする。

設計者は、試作品の複数の実測箇所におけるシート抵抗を実測する。設計者は、Ｓ５の手順で選定した暫定仕様メッシュ条件に基づいて解析的な計算により試作品のシート抵抗を算出する。導電率とシート抵抗とは、比例関係にあるため、設計者は、複数の実測箇所において実測したシート抵抗の平均値と、算出したシート抵抗との比率を算出する。設計者は、算出した比率と、暫定仕様メッシュ条件の導電率とに基づいて、試作品を代表する導電率を算出する。これにより、試作品の実際のメッシュ条件（以下、実測メッシュ条件という）が得られることになる（Ｓ７：実測メッシュ条件算出ステップ）。

設計者は、実測メッシュ条件が、目標値を満足しているか否かを判定するため、第２の解析判定処理を行う（Ｓ８：第２の解析判定ステップ）。第２の解析判定処理は、実測メッシュ条件に対してＳ３の手順の第１の解析判定処理と同一の処理が行われる。そのため、Ｓ８－１，Ｓ８－２の手順として、それぞれ、Ｓ３－１，Ｓ３－２の手順において、仮メッシュ条件を、実測メッシュ条件に読み替えた手順が行われる。

設計者は、Ｓ８－２の手順において、実測メッシュ条件に含まれるメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率のいずれかにおいて、目標値を満足していない場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定する（Ｓ８－２、Ｎｏ）。この場合、設計者は、実測メッシュ条件を再設定して（Ｓ９：第２のメッシュ条件再設定ステップ）、再びＳ８－１の手順を行う。

設計者は、Ｓ８－２の手順において、設計者は、実測メッシュ条件に含まれるメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の全てにおいて、目標値を満足している場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定する（Ｓ８－２、Ｙｅｓ）。ここで、Ｓ９の実測メッシュ条件の再設定の手順が一度も行われていない、言い換えると、Ｓ７の手順で算出した実測メッシュ条件と、Ｓ８－２の手順の判定対象の実測メッシュ条件とが同一であるとする。この場合、設計者は、Ｓ５の手順において選定した暫定仕様メッシュ条件を、最終的な仕様用のメッシュ条件（以下、最終仕様メッシュ条件という）として選定する。

これに対して、Ｓ９の手順が行われている場合、言い換えると、Ｓ７の手順で算出した実測メッシュ条件と、Ｓ８－２の手順の判定対象の実測メッシュ条件とが異なっている場合、設計者は、以下のようにして最終仕様メッシュ条件を選定する。設計者は、最後に再設定した実測メッシュ条件と、Ｓ７の手順において算出した実測メッシュ条件との相違の比率を算出する。より詳細には、２つの実測メッシュ条件に含まれるメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々の相違の比率を算出する。Ｓ７の手順において算出した実測メッシュ条件は、Ｓ５の手順において選定した暫定仕様メッシュ条件にしたがって試作した試作品のメッシュ条件である。そのため、設計者は、Ｓ５の手順において選定した暫定仕様メッシュ条件の４つのパラメータの各々に、各々に対応する相違の比率を適用して、暫定仕様メッシュ条件の４つのパラメータの値が、最後に再設定した実測メッシュ条件の４つのパラメータの値に対応する値になるように補正する。設計者は、補正した暫定仕様メッシュ条件を最終仕様メッシュ条件として選定する（Ｓ１０：最終仕様メッシュ条件選定ステップ）。

（第１の実施形態の利点）
上記の第１の実施形態の導電性メッシュの設計手順では、電磁シールド基材１の目標値を設定した上で、製造可能範囲と、解析的な計算の計算結果とにしたがって仮メッシュ条件を設定する。仮メッシュ条件を解析対象として電磁界解析シミュレーションを行うことにより、解析的な計算よりも精度の高いＳＥ値の変化の特性を得ることができるので、仮メッシュ条件よりも精度の高い暫定的な仕様用のメッシュ条件を選定することができる。選定した暫定仕様メッシュ条件にしたがって試作品を作製し、作製した試作品のメッシュ条件を試作品の実測結果に基づいて算出することにより、暫定仕様メッシュ条件に対応する実際のメッシュ条件である実測メッシュ条件を得ることができる。暫定仕様メッシュ条件と、実測メッシュ条件との相違は、印刷処理に起因するバラツキを示すことになる。実測メッシュ条件を解析対象として電磁界解析シミュレーションを行い、電磁界解析シミュレーションの結果に基づいて目標値を満足するように実測メッシュ条件を補正し、更に、当該補正に対応する補正を暫定仕様メッシュ条件に適用する。これにより、印刷処理に起因するバラツキが考慮されている最終仕様メッシュ条件を選定することができる。最終仕様メッシュ条件にしたがって製造することにより、上限周波数の電磁波に対して目標ＳＥ値を満足するシールド性能を有すると共に、目標透過率を満足する光学的な性能を有する電磁シールド基材１を得ることが可能になる。

このように、第１の実施形態の導電性メッシュの設計手順では、試作を繰り返し行くことなく、一度の試作だけで、試作品に対して実際の電磁波を照射することなく、印刷処理に起因するバラツキを考慮して、目標値を満足するメッシュ条件の仕様を選定することが可能になる。そのため、例えば、印刷処理に起因するバラツキがワーストの状態であっても、少なくとも目標値を満足する電磁シールド基材１を製造することが可能になる。

導電性インクの印刷によって形成される導電線２０の実際の形状は、裾が広がった山なり形状である。これに対して、上記の第１の実施形態では、Ｓ７の手順において、試作品の実測値に基づいて実測メッシュ条件を算出する際に、導電線２０の半値幅３８の平均値を線幅３２とし、導電線２０の半値高さ３７の平均値を線厚３３としている。更に、図３のＳ８－１の手順の電磁界解析シミュレーションでは、導電線２０の断面形状を、本来の複雑な形状ではなく、高さが線厚３３であり、幅が線幅３２である矩形形状とするモデル化を行っている。このようなモデル化を行うことにより、第１の実施形態では、導電線２０の断面形状を表すパラメータの数を少なくして電磁界解析シミュレーション処理の負荷を軽減しつつ、最終仕様メッシュ条件の選定において許容される良好な精度のＳＥ値の変化の特性を得ることを可能としている。

上記の第１の実施形態では、Ｓ７の手順において、試作品の複数の実測箇所においてシート抵抗を実測し、実測したシート抵抗の平均値から試作品の導電線２０の導電率を算出している。そして、算出した導電率を、試作品を代表する導電率としてＳ８の手順において用いるようにしている。そのため、Ｓ８－１の手順において得られるＳＥ値の変化の特性は、実測したシート抵抗に基づく導電率が反映された特性になる。その結果、Ｓ１０の手順において、線厚３３と、導電率との組み合わせが、表皮深さを考慮した適切な組み合わせになっている最終仕様メッシュ条件が得られることになる。

＜第２の実施形態＞
例えば、目標値として設定する上限周波数を、１ＧＨｚとした場合、波長は、約３０ｃｍになる。上記したように、導電性メッシュの最大開口サイズ４１が、電磁波の波長の１／２の長さ以上になると、当該電磁波は、全て透過する。そのため、１ＧＨｚの電磁波をシールドする場合、１区画の最大開口サイズ４１を、１５ｃｍよりも小さくすることになる。これに対して、可視光線の波長は、ナノメートルのオーダであることから、１ＧＨｚ程度の電磁波をシールドすることを目的として作製された電磁シールド基材の場合、可視光線は、理論的には、全て透過することになる。ただし、実際には、印刷の状態によって、導電線２０に滲みや歪みが生じるため、可視光線が透過する際に、乱反射が生じて散乱したり、真っすぐに透過せずに曲がって透過したりする場合がある。そのため、第１の実施形態によって得られた最終仕様メッシュ条件にしたがって作製した電磁シールド基材１を目視したり、カメラの撮像素子の前に電磁シールド基材１を配置したりして視認性を確かめたりすると、所望の視認性能を満足していないこともあり得る。

（第２の実施形態の導電性メッシュの設計手順）
第１の実施形態では、光学的な観点で考慮する要素として、解析的な計算によって算出したメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性と、目標透過率とを用いていた。これに対して、第２の実施形態では、透過率に加えて、ヘイズ率を目標値として設定し、更に、光学的解析シミュレーションを採用することで、所望の視認性能を達成するような電磁シールド基材１を製造するための最終仕様メッシュ条件を選定する。

図８は、第２の実施形態に係る電磁シールド基材１を製造する際に用いる設計用の仕様を選定する手順である。なお、第２の実施形態における電磁シールド基材１の構成は、図１に示す第１の実施形態の電磁シールド基材１と同一の構成である。

設計者は、第１の実施形態と同様に、目標値として、上限周波数と、目標透過率と、目標ＳＥ値を設定する。第２の実施形態では、設計者は、目標値として、更に、所望のヘイズ率を設定する。以下、目標値となるヘイズ率を目標ヘイズ率という（Ｓａ１：目標値設定ステップ）。ここで、ヘイズ率とは、光の散乱の程度を表す指標であり、単位は「％」である。ヘイズ率が大きい状態とは、例えば、透明基材１０の内部における光の散乱が多い状態であり、透明性が低下して透明基材１０が曇っている状態になる。すなわち、第２の実施形態では、透明基材１０に導電線２０が印刷された電磁シールド基材１の視認性能が所望の視認性能になっているか否かを、目標透過率と、目標ヘイズ率とによって判定することになる。

設計者は、第１の実施形態のＳ２の手順と同一の手順によって仮メッシュ条件を設定する（Ｓａ２：仮メッシュ条件設定ステップ）。設計者は、第２の実施形態における第１の解析判定処理を行う（Ｓａ３：第１の解析判定ステップ）。第２の実施形態における第１の解析判定処理のＳａ３－１の手順では、第１の実施形態の第１の解析判定処理と同一の仮メッシュ条件を解析対象とする電磁界解析シミュレーションの処理が行われる。Ｓａ３－１の手順では、更に、仮メッシュ条件を解析対象とする光学解析シミュレーションの処理が行われる。

設計者は、例えば、光学解析シミュレーションを実行可能なコンピュータに、Ｓａ１の手順で設定した目標値と、Ｓａ２の手順で設定した仮メッシュ条件とを入力情報として与えて光学解析シミュレーションを行う（Ｓａ３－１）。ここで、光学解析シミュレーションとは、例えば、レイトレーシングなどの手法を用いるシミュレーションである。

図２に示すように、導電線２０の断面形状は、実際には、裾が広がった山なり形状であるが、Ｓａ３－１の手順における光学解析シミュレーションでは、図５に示すように、導電線２０の断面形状を、幅が線幅３２であり、高さが線厚３３である矩形形状としてモデル化した処理が行われる。光学解析シミュレーションでは、例えば、以下のようなシミュレーションが行われる。仮メッシュ条件の４つのパラメータから導電率を除くいずれか１つのパラメータを選択する。選択した１つのパラメータ以外の３つのパラメータを仮メッシュ条件の値に固定した状態で、選択した１つのパラメータの値を所定の範囲内で増減させるシミュレーションが行われる。光学解析シミュレーションの結果、メッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性と、ヘイズ率の変化の特性とが得られることになる。

設計者は、Ｓａ３－１の手順によって得られたメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性、及びヘイズ率の変化の特性と、Ｓａ３－１の手順によって得られたメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性と、目標透過率と、目標ヘイズ率と、目標ＳＥ値とに基づいて、目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを、第１の実施形態のＳ３－２と同様の手順によって判定する（Ｓａ３－２）。

例えば、メッシュサイズ３１の場合、メッシュサイズ３１に対応する開口率の変化の特性、ヘイズ率の変化の特性、及びＳＥ値の変化の特性の各々を、図４や図６に示すようなグラフで示す。３つの特性を示すグラフにおいて、開口率の変化の特性と、目標透過率とによって特定される目標透過率を満足するメッシュサイズ３１の範囲と、ヘイズ率の変化の特性と、目標ヘイズ率とによって特定される目標ヘイズ率を満足するメッシュサイズ３１の範囲と、ＳＥ値の変化の特性と、目標ＳＥ値とによって特定される目標ＳＥ値を満足するメッシュサイズ３１の範囲とを特定する。

３つの範囲に、メッシュサイズ３１の製造可能範囲を加えた、４つの範囲において重複する範囲が存在すれば、設計者は、メッシュサイズ３１については、目標値を満足すると判定する。一方、設計者は、４つの範囲において重複する範囲が存在しなければ、メッシュサイズ３１については、目標値を満足すると判定する。設計者は、メッシュサイズ３１の場合と同様に、線幅３２と線厚３３の各々についても、目標値を満足するか否かを判定する。なお、導電率については、開口率の変化の特性と、ヘイズ率の変化の特性とが存在しないため、第１の実施形態のＳ３－２と同一の手順によって、目標値を満足するか否かを判定する。

設計者は、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の全てにおいて、目標値を満足している場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定する（Ｓａ３－２、Ｙｅｓ）。一方、設計者は、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率のいずれかにおいて、目標値を満足していない場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定する（Ｓａ３－２、Ｎｏ）。Ｓａ３－２の手順において「Ｎｏ」の判定をした場合、設計者は、仮メッシュ条件を再設定して（Ｓａ４：第１のメッシュ条件再設定ステップ）、再びＳａ３－１の手順を行う。

Ｓａ３－２の手順において「Ｙｅｓ」の判定をした場合、設計者は、目標値を満足するメッシュ条件の範囲から暫定的な仕様となる暫定仕様メッシュ条件を選定する（Ｓａ５）。設計者は、例えば、目標ＳＥ値、目標透過率、及び目標ヘイズ率の全てを満足するメッシュサイズ３１の範囲と、メッシュサイズ３１の製造可能範囲とが重複する範囲の中央値を暫定仕様のメッシュサイズ３１として選定する。設計者は、メッシュサイズ３１と同様の手順で、暫定仕様の線幅３２と線厚３３の各々を選定する。設計者は、目標ＳＥ値を満足する導電率の範囲と、導電率の製造可能範囲とが重複する範囲の中央付近の導電率であって、利用可能な導電性インクの導電率を暫定仕様の導電率として選定する。

第１の実施形態のＳ６と同一の手順により、設計者は、暫定仕様メッシュ条件にしたがって試作品を作製する（Ｓａ６）。設計者は、第１の実施形態のＳ７の手順と同一の手順によって、試作品の最大開口サイズ４１と、導電率とを算出する。設計者は、第１の実施形態のＳ７の手順と同様に、試作品の複数の実測箇所の各々の箇所において、導電線２０の高さ３６を実測すると共に、半値高さ３７と、半値幅３８とを算出し、更に、導電線２０の幅３９を実測する。なお、図１の符号４２で示す導電線２０が交差する箇所については、実測する幅の長さは、縦方向と横方向の導電線２０が交差する領域の対角線上の長さになる。そのため、実測した幅を２^１／２で除算した値を幅３９とする。

設計者は、以下のようにして、電磁界解析シミュレーション用の実測メッシュ条件である第１の実測メッシュ条件と、光学解析シミュレーション用の実測メッシュ条件である第２の実測メッシュ条件とを算出する。設計者は、第１の実測メッシュ条件として、線厚３３を、導電線２０の半値高さ３７の平均値とし、線幅３２を、導電線２０の半値幅３８の平均値とし、メッシュサイズ３１を、最大開口サイズ４１に線幅３２を加えた値とし、導電率を、算出した導電率とする。すなわち、第１の実測メッシュ条件は、第１の実施形態のＳ７の手順において算出する実測メッシュ条件と、同一の手順によって算出される。

設計者は、第２の実測メッシュ条件として、線厚３３を、導電線２０の高さ３６の平均値とし、線幅３２を、導電線２０の幅３９の平均値とし、メッシュサイズ３１を、最大開口サイズ４１に、線幅３２を加えた値とし、導電率を、算出した導電率とする（Ｓａ７－１：実測メッシュ条件算出ステップ）。

設計者は、試作品に対して可視光線を照射し、試作品を透過する可視光線をセンサなどによって受光して、試作品の透過率と、試作品のヘイズ率とを実測する（Ｓａ７－２：透過率実測ステップ・ヘイズ率実測ステップ）。

設計者は、実測メッシュ条件が、目標値を満足しているか否かを判定するため、第２の解析判定処理を行う（Ｓａ８：第２の解析判定ステップ）。第２の実施形態の第２の解析判定処理のＳａ８－１の手順として、Ｓａ３－１の手順において、仮メッシュ条件を、第１の実測メッシュ条件に読み替えた電磁界解析シミュレーションと、仮メッシュ条件を、第２の実測メッシュ条件に読み替えた光学解析シミュレーションとが行われる。

言い換えると、Ｓａ８－１の手順において、電磁界解析シミュレーションについては、第１の実施形態のＳ８－１の手順と同一の処理が行われる。すなわち、導電線２０の断面形状を、導電線２０の半値高さ３７の平均値と、導電線２０の半値幅３８の平均値とによって特定される矩形形状としてモデル化した電磁界解析シミュレーションの処理が行われる。これに対して、Ｓａ８－１の手順の光学解析シミュレーションについては、導電線２０の断面形状を、導電線２０の幅３９の平均値と、導電線２０の高さ３６の平均値とによって特定される矩形形状としてモデル化した処理が行われる。

このように、電磁界解析シミュレーションと、光学解析シミュレーションとにおいて、導電線２０の断面形状のモデルを異なるモデルにするのは、以下のような理由である。電磁界解析シミュレーションでは、１ＧＨｚ程度の電磁波を対象としたシミュレーションであるのに対して、光学解析シミュレーションでは、可視光線を対象としたシミュレーションであり、対象とする電磁波の波長が大きく異なる。可視光線の波長は、ナノメートルのオーダであるため、導電線２０の断面形状の微小な変化によって、透過や散乱などの現象の程度が大きく変化する。そのため、光学解析シミュレーションでは、精度の高い結果を得るためには、実際の導電線２０の高さや幅を解析対象にする必要がある。

Ｓａ８－１の手順における電磁界解析シミュレーションによって、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性が得られることになる。また、Ｓａ８－１の手順における光学解析シミュレーションによって、メッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性、及びヘイズ率の変化の特性が得られる（Ｓａ８－１）。

設計者は、Ｓａ８－１の手順において得られたメッシュサイズ３１に対応する開口率の変化の特性を、第２の実測メッシュ条件のメッシュサイズ３１の位置において、Ｓａ７－２の手順において実測した試作品の透過率になるように補正する。この補正は、例えば、Ｓａ８－１の手順において得られたメッシュサイズ３１に対応する開口率の変化の特性を近似する関数に係数を乗算して行う。設計者は、同様に、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性を、第２の実測メッシュ条件と、実測した試作品の透過率とに基づいて補正する。

設計者は、Ｓａ８－１の手順において得られたメッシュサイズ３１に対応するヘイズ率の変化の特性を、第２の実測メッシュ条件のメッシュサイズ３１の位置において、Ｓａ７－２の手順において実測した試作品のヘイズ率になるように補正する。この補正は、例えば、Ｓａ８－１の手順において得られたメッシュサイズ３１に対応するヘイズ率の変化の特性を近似する関数に係数を乗算して行う。設計者は、同様に、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応するヘイズ率の変化の特性を、第２の実測メッシュ条件と、実測した試作品のヘイズ率とに基づいて補正する（Ｓａ８－２）。

設計者は、Ｓａ８－２の手順によって補正したメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３の各々に対応する開口率の変化の特性、及びヘイズ率の変化の特性と、Ｓａ３－１の手順によって得られたメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性と、目標透過率と、目標ヘイズ率と、目標ＳＥ値とに基づいて、目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを、Ｓａ３－２と同様の手順によって判定する（Ｓａ８－３）。

設計者は、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の全てにおいて、目標値を満足している場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定する（Ｓａ８－３、Ｙｅｓ）。一方、設計者は、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率のいずれかにおいて、目標値を満足していない場合、目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定する（Ｓａ８－３、Ｎｏ）。Ｓａ８－３の手順において「Ｎｏ」の判定をした場合、設計者は、第１の実測メッシュ条件と、第２の実測メッシュ条件とを再設定する（Ｓａ９：第２のメッシュ条件再設定ステップ）。設計者は、Ｓａ９の手順の後、再びＳａ８－１の手順を行う。

Ｓａ９の手順にける、第１の実測メッシュ条件の再設定と、第２の実測メッシュ条件の再設定とは、各々を独立して再設定するのではなく、メッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３については、同一の比率で再設定するものとする。例えば、メッシュサイズ３１を再設定する場合、第１の実測メッシュ条件のメッシュサイズ３１の再設定前後の比率と、第２の実測メッシュ条件のメッシュサイズ３１の再設定前後の比率とが一致するように再設定するものとする。なお、導電率については、第１の実測メッシュ条件と、第２の実測メッシュ条件の導電率とが同一値になるように再設定する。

Ｓａ８－３の手順において「Ｙｅｓ」の判定をした場合、設計者は、第１の実施形態のＳ１０の手順と同様の手順で、最終仕様メッシュ条件を選定する（Ｓａ１０：最終仕様メッシュ条件選定ステップ）。なお、第１の実施形態のＳ１０の手順では、Ｓ９の手順を経ている場合、Ｓ９の手順において最後に再設定した実測メッシュ条件と、Ｓ７の手順において算出した実測メッシュ条件とに基づいて、Ｓ５の手順において選定した暫定仕様メッシュ条件を補正して最終仕様メッシュ条件を選定するようにしている。第２の実施形態でも第１の実施形態と同様に、Ｓａ９の手順を経ている場合、Ｓａ５の手順において選定した暫定仕様メッシュ条件を補正するが、補正の指標となる実測メッシュ条件として、第１の実測メッシュ条件と、第２の実測メッシュ条件の２つが存在する。そのため、第２の実施形態のＳａ１０の手順では、第１の実測メッシュ条件、及び第２の実測メッシュ条件のいずれか一方を用いてＳａ５の手順で選定した暫定仕様メッシュ条件を補正して最終仕様メッシュ条件を選定する。

（第２の実施形態の利点）
第２の実施形態の導電性メッシュの設計手順では、第１の実施形態の導電性メッシュの設計手順において得られる利点に加えて、以下のような利点が得られることになる。すなわち、第２の実施形態の導電性メッシュの設計手順では、電磁界解析シミュレーションに加えて、光学解析シミュレーションを行うようにしている。そのため、第１の実施形態では、解析的な計算によって算出していた開口率の変化の特性を、光学解析シミュレーションによって得ることができるので、より精度の高い開口率の変化の特性が得られることになる。第２の実施形態では、更に、目標値としてヘイズ率を設定しており、光学解析シミュレーションによってヘイズ率の変化の特性を得るようにしている。そのため、上限周波数と、目標ＳＥ値と、目標透過率とを満足し、かつ目標ヘイズ率を満足するような最終仕様メッシュ条件を得ることが可能になる。この最終仕様メッシュ条件にしたがって製造することにより、所望のシールド性能を有すると共に、所望の視認性能を有する電磁シールド基材１を製造することが可能になる。

＜第３の実施形態＞
第１の実施形態の電磁シールド基材１において、線厚３３の厚さを大きくすると、ＳＥ値を増加させることができる。導電性インクを吹き付けることによって導電線２０を印刷する手法において、線厚３３の厚さを大きくするためには、導電性インクの重ね塗りを行う必要がある。ただし、導電性インクを重ね塗りすると、導電線２０の裾の部分が広がって線幅３２が大きくなったり、重ね塗りが均一でない箇所で導電線２０に滲みが生じたりする。そのため、重ね塗りの手法によって、線厚３３を大きくしようとすると、導電線２０の幅を、仕様通りにすることが難しくなる。そのため、重ね塗りの手法によって、仮に、目標ＳＥ値を満足する電磁シールド基材１を作製することができたとしても、目標透過率を満足することができる電磁シールド基材１にならない場合もあり得る。

そのため、第３の実施形態では、図９に示すように、透明基材１０を、複数のサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…を積層することによって形成する。複数のサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々には、同一のメッシュ条件で、かつ同一の位置に導電線２０を印刷する。これにより、図９に示すように、縦方向において、サブ透明基材１０－１には、導電線２０ｖ－１－１，２０ｖ－１－２，２０ｖ－１－３が印刷される。サブ透明基材１０－２，１０－３，…にも同様に、縦方向に導電線２０が印刷される。図９には示していないが、横方向に対しても縦方向と同様に、サブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々に導電線２０が印刷される。これにより、サブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々の同一の位置に、同一のメッシュサイズ３１、同一の線幅３２、同一の線厚３３、及び同一の導電率の導電性メッシュが形成されることになる。

導電性メッシュが形成されたサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々を同一間隔で積層する。すなわち、図９に示すように、隣接するサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の間隔である符号９０－１で示す長さと、符号９０－２で示す長さとが同一になるようにサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…を積層する。積層により導電性メッシュの見かけ上の厚みが大きくなり、厚みの大きさにしたがったＳＥ値の電磁シールド基材１ａを得ることができる。この場合において、サブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々の線厚３３の大きさは、１つの透明基材１で同一のＳＥ値を得ることができる線厚３３の大きさよりも小さくすることができる。線厚３３の大きさを小さくすることができるということは、サブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々における導電性インクの重ね塗りの回数を少なくすることができるということになる。そのため、サブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々における線幅３２の大きさを、仕様通りにするのが容易になる。

なお、図９では、具体例として、３つ以上のサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…を積層する例を示しているが、２層以上であれば、どのような積層数であってもよい。また、第１の実施形態と同様に、縦方向と横方向の各々に、２本以上の導電線２０が印刷されていれば、導電線２０の本数は、どのような本数であってもよい。

第３の実施形態の場合における導電性メッシュの設計手順は、以下に示す手順以外の手順については、第１の実施形態の導電性メッシュの設計手順と同一の手順が行われる。図３のＳ２の手順において、仮メッシュ条件の設定を行う場合、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、導電率に加えて、積層数と、積層間隔とを仮メッシュ条件として設定する。Ｓ３－１の手順では、仮メッシュ条件に示されている積層数と、積層間隔とを考慮した電磁界解析シミュレーションが行われ、積層数と、積層間隔の各々に対応するＳＥ値の変化の特性も得られることになる。そのため、Ｓ３－２の手順では、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、積層数、及び積層間隔の各々に対応するＳＥ値の変化の特性と、目標ＳＥ値と、目標透過率とに基づく判定が行われる。

Ｓ６の手順では、１層分の試作品を作製する。Ｓ７の手順では、作製した１層分の試作品に基づいて実測メッシュ条件を算出する。なお、実測メッシュ条件に含まれる積層数と、積層間隔として、暫定仕様メッシュ条件の積層数と、積層間隔とが適用される。Ｓ８－１の手順では、実測メッシュ条件に示されている積層数と、積層間隔とを考慮した電磁界解析シミュレーションが行われ、積層数と、積層間隔の各々に対応するＳＥ値の変化の特性も得られることになる。そのため、Ｓ８－２の手順では、メッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、積層数、及び積層間隔の各々に対応するＳＥ値の変化の特性と、目標ＳＥ値と、目標透過率とに基づく判定が行われる。Ｓ４及びＳ９の再設定の手順では、積層数と、積層間隔とのいずれか一方、または、両方を変更する再設定が行われる場合もある。

（第３の実施形態の利点）
第３の実施形態の導電性メッシュの設計手順では、第１の実施形態の導電性メッシュの設計手順において得られる利点に加えて、以下のような利点が得られることになる。例えば、第１の実施形態の導電性メッシュの設計手順と、第３の実施形態の導電性メッシュの設計手順とにおいて、目標ＳＥ値を同一の値にした場合、目標ＳＥ値が小さい間は、両方の設計手順において得られる電磁シールド基材１，１ａは、共に、上限周波数と、目標ＳＥ値と、目標透過率とを満足することができる。

目標ＳＥ値が大きくなり、目標透過率の制約のためにメッシュサイズ３１と線幅３２とを大きくできず、目標ＳＥ値を満足させるために線厚３３を大きくせざるを得なくなったとする。この場合、第１の実施形態の電磁シールド基材１では、線厚３３を大きくすると、導電性インクの重ね塗りの回数が多くなり、実際の導電線２０の幅が、最終仕様メッシュ条件に応じた線幅３２よりも太くなってしまう。そのため、第１の実施形態では、目標ＳＥ値が大きくなるにしたがって、目標透過率を満足する電磁シールド基材１を製造することが困難になっていく。これに対して、第３の実施形態の電磁シールド基材１ａでは、目標ＳＥ値が大きくなっても、個々のサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…における線厚３３は、第１の実施形態の場合に比べて小さくなる。そのため、第１の実施形態の場合と比較すると、第３の実施形態では、実際の導電線２０の幅を、最終仕様メッシュ条件に応じた線幅３２に維持することができる。したがって、第３の実施形態では、目標ＳＥ値が大きくなっても、目標透過率を満足させることができる電磁シールド基材１ａを、第１の実施形態の場合に比べて容易に製造することが可能になる。

（電磁シールド基材の製造手順）
第１及び第２の実施形態の場合、導電性メッシュの設計手順によって得られた最終仕様メッシュ条件のメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３を印刷装置に設定する。当該印刷装置を用いて、最終仕様メッシュ条件の導電率に一致する導電率の導電性インクを透明基材１０に吹き付けて導電線２０を印刷する。これにより、全ての目標値を満足する電磁シールド基材１を製造することができる。

第３の実施形態の電磁シールド基材１ａを製造する場合、導電性メッシュの設計手順によって得られた最終仕様メッシュ条件のメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３を印刷装置に設定する。最終仕様メッシュ条件の積層数に一致する数のサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…を準備し、サブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々に、当該印刷装置を用いて、最終仕様メッシュ条件の導電率に一致する導電率の導電性インクを吹き付けて導電線２０を印刷する。導電線２０が印刷されたサブ透明基材１０－１，１０－２，１０－３，…の各々を、導電線２０の位置が一致し、かつ最終仕様メッシュ条件の積層間隔になるように積層する。これにより、全ての目標値を満足する電磁シールド基材１ａを製造することができる。

（その他の構成例）
第２の実施形態の導電線メッシュの設計手順の変形例として、ヘイズ率に関する手順を行わないようにしてもよい。具体的には、Ｓａ１の手順において、目標ヘイズ率を設定せず、Ｓａ３－１，Ｓａ８－１の光学解析シミュレーションにおいて、ヘイズ率の変化の特性を求めず、Ｓａ７－２の手順において、ヘイズ率の実測をしないようにしてもよい。言い換えると、当該変形例の場合、第１の実施形態において、解析的な計算により算出する開口率の変化の特性の替わりに、光学解析シミュレーションにおいて得られる開口率の変化の特性を適用するという手順が行われることになる。

第３の実施形態の導電性メッシュの設計手順として、第２の実施形態の導電性メッシュの設計手順、及び第２の実施形態の導電性メッシュの設計手順の変形例を適用するようにしてもよい。

第３の実施形態において、積層数が２層の場合、２つのサブ透明基材１０－１，１０－２を用いるのではなく、図１０に示すように、同一のメッシュ条件で、１つの透明基材１０の上面と下面の対向する位置に、導電線２０ｖ－１－１，２０ｖ－１－２，２０ｖ－１－３と、導電線２０ｖ－２－１，２０ｖ－２－２，２０ｖ－２－３とを印刷するようにしてもよい。なお、図１０は、縦方向の例を示しているが、横方向に対しても縦方向と同様に、導電線２０が印刷される。この場合、積層間隔は、透明基材１０の厚さになる。これにより、２層に積層する場合、図９に示す手法よりも少ない透明基材１０の数で、図９に示す手法と同様の効果が得られる電磁シールド基材１ｂを作製することができる。

図１０の場合における導電性メッシュの設計手順は、以下に示す手順以外の手順については、第３の実施形態の導電性メッシュの設計手順と同一の手順が行われる。導電性メッシュの設計手順を通じて、メッシュ条件の積層数は、「２」に固定され、積層間隔は、透明基材１０の厚さの長さに固定され、Ｓ４とＳ９の再設定の手順において変更されることはない。Ｓ３－１，Ｓ８－１の手順では、透明基材１０の上面と下面に、透明基材１０の厚みの長さ離れた状態で導電線２０が存在するという前提で電磁界解析シミュレーションが行われることになる。Ｓ６の手順では、上面のみに導電線２０を印刷した試作品を作製する。なお、図１０の場合における導電性メッシュの設計手順に対して、第２の実施形態の導電性メッシュの設計手順、及び第２の実施形態の導電性メッシュの設計手順の変形例を適用するようにしてもよい。

第３の実施形態の図１０の電磁シールド基材１ｂを製造する場合、導電性メッシュの設計手順によって得られた最終仕様メッシュ条件のメッシュサイズ３１、線幅３２、及び線厚３３を印刷装置に設定する。透明基材１０の上面と下面に、当該印刷装置を用いて、最終仕様メッシュ条件の導電率に一致する導電率の導電性インクを吹き付けて導電線２０を印刷する。これにより、全ての目標値を満足する電磁シールド基材１ｂを製造することができる。

第１から第３の実施形態では、導電性メッシュの１区画の形状を正方形としているが、正六角形のハニカム形状などの正多角形や円形としてもよい。

第１の実施形態のＳ８－１の実測メッシュ条件を解析対象とする電磁界解析シミュレーションによって得られるメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性に対して、以下のような補正を行うようにしてもよい。例えば、Ｓ８－１の手順を行う前に、試作品に対して目標値の上限周波数に一致する電磁波を実際に照射して、試作品のＳＥ値を実測する。設計者は、Ｓ８－１の手順において得られたメッシュサイズ３１に対応するＳＥ値の変化の特性を、実測メッシュ条件のメッシュサイズ３１の位置において、実測したＳＥ値になるように補正する。この補正は、例えば、Ｓ８－１の手順において得られたメッシュサイズ３１に対応するＳＥ値の変化の特性を近似する関数に係数を乗算して行う。設計者は、同様に、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性を、実測メッシュ条件と、実測した試作品のＳＥ値とに基づいて補正する。このような補正を行うことにより、Ｓ８－１の手順において得られるメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性の精度を高くすることができる。同様の補正を、第２の実施形態のＳａ８－１の第１の実測メッシュ条件を解析対象とする電磁界解析シミュレーションによって得られるメッシュサイズ３１、線幅３２、線厚３３、及び導電率の各々に対応するＳＥ値の変化の特性に対して行うようにしてもよい。

以上、本開示の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。

＜付記＞
各実施形態に記載の導電性メッシュの設計方法は、例えば以下のように把握される。

（１）第１の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、シールド対象の電磁波の周波数の上限値を示す上限周波数と、シールド効果の目標を示す目標シールド効果値と、光の透過率の目標を示す目標透過率とを目標値として設定する目標値設定ステップと、透明基材に印刷される導電線により形成される導電性メッシュの形成条件を示すメッシュ条件であって、予め定められる製造可能範囲内で前記目標値を満足するメッシュ条件である仮メッシュ条件を設定する仮メッシュ条件設定ステップと、前記仮メッシュ条件を解析対象とする所定の解析シミュレーションにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する第１の解析判定ステップと、前記第１の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合、判定対象の前記仮メッシュ条件に基づいて暫定仕様メッシュ条件を選定する暫定仕様メッシュ条件選定ステップと、前記暫定仕様メッシュ条件にしたがって前記透明基材に前記導電線を印刷して作製された試作品を実測し、実測した結果に基づいて、前記試作品のメッシュ条件を算出して実測メッシュ条件とする実測メッシュ条件算出ステップと、前記実測メッシュ条件を解析対象とする前記所定の解析シミュレーションにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する第２の解析判定ステップと、前記第２の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合、前記暫定仕様メッシュ条件に応じた最終仕様メッシュ条件を選定する最終仕様メッシュ条件選定ステップと、を有する。

（２）第２の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（１）の導電性メッシュの設計方法であって、前記メッシュ条件は、前記導電性メッシュの１区画のサイズを示すメッシュサイズと、前記導電線の線幅と、前記導電線の線厚と、前記導電線の導電率という４つのパラメータによって示される。

（３）第３の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（２）の導電性メッシュの設計方法であって、前記実測メッシュ条件算出ステップは、前記実測メッシュ条件として、実測した前記試作品の導電線の厚みの半分の長さを前記線厚とし、前記試作品の導電線の厚みが半分になる場合の導電線の幅を前記線幅とし、実測した前記導電性メッシュの開口部の長さと、前記線幅とに基づいて前記メッシュサイズを算出し、実測した前記試作品のシート抵抗に基づいて前記導電率を算出する。

（４）第４の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（３）の導電性メッシュの設計方法であって、前記所定の解析シミュレーションは、電磁界解析シミュレーションであり、前記第１の解析判定ステップ、及び前記第２の解析判定ステップの各々は、前記導電線の断面形状を、各々の解析対象となるメッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記電磁界解析シミュレーションを行って、前記メッシュ条件のパラメータの各々に対するシールド効果の変化の特性であって前記上限周波数に対応する特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性と、予め算出する前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対する開口率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する。

（５）第５の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（３）の導電性メッシュの設計方法であって、前記実測メッシュ条件算出ステップは、前記実測メッシュ条件として、（３）に記載の前記実測メッシュ条件である第１の実測メッシュ条件と、第２の実測メッシュ条件とを算出し、前記第２の実測メッシュ条件として、実測した前記試作品の導電線の厚みを前記線厚とし、前記試作品の導電線の幅を前記線幅とし、当該線幅と、実測した前記導電性メッシュの開口部の長さとに基づいて前記メッシュサイズを算出し、前記第１の実測メッシュ条件の前記導電率を導電率とする。

（６）第６の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（５）の導電性メッシュの設計方法であって、前記所定の解析シミュレーションは、電磁界解析シミュレーション、及び光学解析シミュレーションであり、前記第１の解析判定ステップは、前記導電線の断面形状を、前記仮メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記電磁界解析シミュレーションを行って、前記メッシュ条件のパラメータの各々に対するシールド効果の変化の特性であって前記上限周波数に対応する特性を算出し、前記導電線の断面形状を、前記仮メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記光学解析シミュレーションを行って、前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応する開口率の変化の特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性、及び前記開口率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定し、前記第２の解析判定ステップは、前記導電線の断面形状を、前記第１の実測メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記電磁界解析シミュレーションを行って、前記メッシュ条件のパラメータの各々に対するシールド効果の変化の特性であって前記上限周波数に対応する特性を算出し、前記導電線の断面形状を、前記第２の実測メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記光学解析シミュレーションを行って、前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応する開口率の変化の特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性、及び前記開口率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する。

（７）第７の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（６）の導電性メッシュの設計方法であって、前記試作品の透過率を実測する透過率実測ステップを有し、前記第２の解析判定ステップは、算出した前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応する開口率の変化の特性を、実測した前記試作品の透過率にしたがって補正し、補正した前記開口率の変化の特性を、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かの判定に用いる。

（８）第８の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（６）または（７）の導電性メッシュの設計方法であって、前記目標値設定ステップは、更に、ヘイズ率の目標を示す目標ヘイズ率を目標値として設定し、前記第１の解析判定ステップ、及び前記第２の解析判定ステップの各々は、前記導電線の断面形状を、各々の解析対象となるメッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記光学解析シミュレーションを行って、前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応するヘイズ率の変化の特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性、前記開口率の変化の特性、及び前記ヘイズ率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率と、前記目標ヘイズ率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する。

（９）第９の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（８）の導電性メッシュの設計方法であって、前記試作品のヘイズ率を実測するヘイズ率実測ステップを有し、前記第２の解析判定ステップは、算出した前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応するヘイズ率の変化の特性を、実測した前記試作品のヘイズ率にしたがって補正し、補正した前記ヘイズ率の変化の特性を、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かの判定に用いる。

（１０）第１０の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（１）～（９）の導電性メッシュの設計方法であって、前記第１の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定された場合、前記仮メッシュ条件を再設定する第１のメッシュ条件再設定ステップを有し、前記第１の解析判定ステップは、前記第１のメッシュ条件再設定ステップにおいて再設定された前記仮メッシュ条件を解析対象とする前記所定の解析シミュレーションを行う。

（１１）第１１の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（１）～（１０）の導電性メッシュの設計方法であって、前記第２の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定された場合、前記実測メッシュ条件を再設定する第２のメッシュ条件再設定ステップを有し、前記第２の解析判定ステップは、前記第２のメッシュ条件再設定ステップにおいて再設定された前記実測メッシュ条件を解析対象とする前記所定の解析シミュレーションを行い、前記最終仕様メッシュ条件選定ステップは、前記第２の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合に、前記第２の解析判定ステップの解析対象の前記実測メッシュ条件が再設定されていないとき、前記暫定仕様メッシュ条件を前記最終仕様メッシュ条件として選定し、前記第２の解析判定ステップの解析対象の前記実測メッシュ条件が再設定されているとき、再設定された前記実測メッシュ条件と、前記暫定仕様メッシュ条件とに基づいて、前記最終仕様メッシュ条件を選定する。

（１２）第１２の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（１）～（１１）の導電性メッシュの設計方法であって、前記透明基材は、複数のサブ透明基材の各々の対向位置に前記導電線が印刷された前記サブ透明基材が積層されて形成され、前記メッシュ条件は、前記導電性メッシュの１区画のサイズを示すメッシュサイズと、前記導電線の線幅と、前記導電線の線厚と、前記導電線の導電率と、積層数と、積層間隔という６つのパラメータによって示され、前記所定の解析シミュレーションは、前記積層数と、前記積層間隔とを考慮したシミュレーションを行う。

（１３）第１３の態様に係る導電性メッシュの設計方法は、（１）～（１２）の導電性メッシュの設計方法であって、前記導電線は、前記透明基材の上面に印刷されると共に、前記上面の印刷位置に対向する下面の位置に印刷され、前記所定の解析シミュレーションは、前記透明基材の上面に前記導電線が印刷されると共に、前記上面の印刷位置に対向する下面の位置に前記導電線が印刷されていることを考慮したシミュレーションを行う。

１ 電磁シールド基材
１０ 透明基材
１１－１，１１－２，１１－３，１１－４ メッシュ領域
２０ｖ－１，２０ｖ－２，２０ｖ－３，２０ｈ－１，２０ｈ－２，２０ｈ－３ 導電線
３１ メッシュサイズ
３２ 線幅
３３ 線厚
４１ 最大開口サイズ

Claims (14)

1. シールド対象の電磁波の周波数の上限値を示す上限周波数と、シールド効果の目標を示す目標シールド効果値と、光の透過率の目標を示す目標透過率とを目標値として設定する目標値設定ステップと、
   透明基材に印刷される導電線により形成される導電性メッシュの形成条件を示すメッシュ条件であって、予め定められる製造可能範囲内で前記目標値を満足するメッシュ条件である仮メッシュ条件を設定する仮メッシュ条件設定ステップと、
   前記仮メッシュ条件を解析対象とする所定の解析シミュレーションにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する第１の解析判定ステップと、
   前記第１の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合、判定対象の前記仮メッシュ条件に基づいて暫定仕様メッシュ条件を選定する暫定仕様メッシュ条件選定ステップと、
   前記暫定仕様メッシュ条件にしたがって前記透明基材に前記導電線を印刷して作製された試作品を実測し、実測した結果に基づいて、前記試作品のメッシュ条件を算出して実測メッシュ条件とする実測メッシュ条件算出ステップと、
   前記実測メッシュ条件を解析対象とする前記所定の解析シミュレーションにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する第２の解析判定ステップと、
   前記第２の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合、前記暫定仕様メッシュ条件に応じた最終仕様メッシュ条件を選定する最終仕様メッシュ条件選定ステップと、
   を有する導電性メッシュの設計方法。
2. 前記メッシュ条件は、前記導電性メッシュの１区画のサイズを示すメッシュサイズと、前記導電線の線幅と、前記導電線の線厚と、前記導電線の導電率という４つのパラメータによって示される、
   請求項１に記載の導電性メッシュの設計方法。
3. 前記実測メッシュ条件算出ステップは、前記実測メッシュ条件として、実測した前記試作品の導電線の厚みの半分の長さを前記線厚とし、前記試作品の導電線の厚みが半分になる場合の導電線の幅を前記線幅とし、実測した前記導電性メッシュの開口部の長さと、前記線幅とに基づいて前記メッシュサイズを算出し、実測した前記試作品のシート抵抗に基づいて前記導電率を算出する、
   請求項２に記載の導電性メッシュの設計方法。
4. 前記所定の解析シミュレーションは、電磁界解析シミュレーションであり、
   前記第１の解析判定ステップ、及び前記第２の解析判定ステップの各々は、
   前記導電線の断面形状を、各々の解析対象となるメッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記電磁界解析シミュレーションを行って、前記メッシュ条件のパラメータの各々に対するシールド効果の変化の特性であって前記上限周波数に対応する特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性と、予め算出する前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対する開口率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する、
   請求項３に記載の導電性メッシュの設計方法。
5. 前記実測メッシュ条件算出ステップは、前記実測メッシュ条件である第１の実測メッシュ条件と、第２の実測メッシュ条件とを算出し、前記第２の実測メッシュ条件として、実測した前記試作品の導電線の厚みを前記線厚とし、前記試作品の導電線の幅を前記線幅とし、当該線幅と、実測した前記導電性メッシュの開口部の長さとに基づいて前記メッシュサイズを算出し、前記第１の実測メッシュ条件の前記導電率を導電率とする、
   請求項３に記載の導電性メッシュの設計方法。
6. 前記所定の解析シミュレーションは、電磁界解析シミュレーション、及び光学解析シミュレーションであり、
   前記第１の解析判定ステップは、
   前記導電線の断面形状を、前記仮メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記電磁界解析シミュレーションを行って、前記メッシュ条件のパラメータの各々に対するシールド効果の変化の特性であって前記上限周波数に対応する特性を算出し、前記導電線の断面形状を、前記仮メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記光学解析シミュレーションを行って、前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応する開口率の変化の特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性、及び前記開口率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定し、
   前記第２の解析判定ステップは、
   前記導電線の断面形状を、前記第１の実測メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記電磁界解析シミュレーションを行って、前記メッシュ条件のパラメータの各々に対するシールド効果の変化の特性であって前記上限周波数に対応する特性を算出し、前記導電線の断面形状を、前記第２の実測メッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記光学解析シミュレーションを行って、前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応する開口率の変化の特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性、及び前記開口率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する、
   請求項５に記載の導電性メッシュの設計方法。
7. 前記試作品の透過率を実測する透過率実測ステップを有し、
   前記第２の解析判定ステップは、
   算出した前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応する開口率の変化の特性を、実測した前記試作品の透過率にしたがって補正し、補正した前記開口率の変化の特性を、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かの判定に用いる、
   請求項６に記載の導電性メッシュの設計方法。
8. 前記目標値設定ステップは、更に、ヘイズ率の目標を示す目標ヘイズ率を目標値として設定し、
   前記第１の解析判定ステップ、及び前記第２の解析判定ステップの各々は、
   前記導電線の断面形状を、各々の解析対象となるメッシュ条件の前記線幅及び前記線厚によって特定される矩形形状としてモデル化した前記光学解析シミュレーションを行って、前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応するヘイズ率の変化の特性を算出し、算出した前記シールド効果の変化の特性、前記開口率の変化の特性、及び前記ヘイズ率の変化の特性と、前記目標シールド効果値と、前記目標透過率と、前記目標ヘイズ率とに基づいて、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かを判定する、
   請求項６に記載の導電性メッシュの設計方法。
9. 前記試作品のヘイズ率を実測するヘイズ率実測ステップを有し、
   前記第２の解析判定ステップは、
   算出した前記メッシュサイズ、前記線幅、及び前記線厚の各々に対応するヘイズ率の変化の特性を、実測した前記試作品のヘイズ率にしたがって補正し、補正した前記ヘイズ率の変化の特性を、前記目標値を満足するメッシュ条件が存在するか否かの判定に用いる、
   請求項８に記載の導電性メッシュの設計方法。
10. 前記第１の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定された場合、前記仮メッシュ条件を再設定する第１のメッシュ条件再設定ステップを有し、
    前記第１の解析判定ステップは、前記第１のメッシュ条件再設定ステップにおいて再設定された前記仮メッシュ条件を解析対象とする前記所定の解析シミュレーションを行う、
    請求項１に記載の導電性メッシュの設計方法。
11. 前記第２の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在しないと判定された場合、前記実測メッシュ条件を再設定する第２のメッシュ条件再設定ステップを有し、
    前記第２の解析判定ステップは、前記第２のメッシュ条件再設定ステップにおいて再設定された前記実測メッシュ条件を解析対象とする前記所定の解析シミュレーションを行い、
    前記最終仕様メッシュ条件選定ステップは、前記第２の解析判定ステップにおいて前記目標値を満足するメッシュ条件が存在すると判定された場合に、前記第２の解析判定ステップの解析対象の前記実測メッシュ条件が再設定されていないとき、前記暫定仕様メッシュ条件を前記最終仕様メッシュ条件として選定し、前記第２の解析判定ステップの解析対象の前記実測メッシュ条件が再設定されているとき、再設定された前記実測メッシュ条件と、前記暫定仕様メッシュ条件とに基づいて、前記最終仕様メッシュ条件を選定する、
    請求項１に記載の導電性メッシュの設計方法。
12. 前記透明基材は、複数のサブ透明基材の各々の対向位置に前記導電線が印刷された前記サブ透明基材が積層されて形成され、
    前記メッシュ条件は、前記導電性メッシュの１区画のサイズを示すメッシュサイズと、前記導電線の線幅と、前記導電線の線厚と、前記導電線の導電率と、積層数と、積層間隔という６つのパラメータによって示され、
    前記所定の解析シミュレーションは、前記積層数と、前記積層間隔とを考慮したシミュレーションを行う、
    請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の導電性メッシュの設計方法。
13. 前記導電線は、前記透明基材の上面に印刷されると共に、前記上面の印刷位置に対向する下面の位置に印刷され、
    前記所定の解析シミュレーションは、前記透明基材の上面に前記導電線が印刷されると共に、前記上面の印刷位置に対向する下面の位置に前記導電線が印刷されていることを考慮したシミュレーションを行う、
    請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の導電性メッシュの設計方法。
14. 請求項１に記載の導電性メッシュの設計方法によって選定された前記最終仕様メッシュ条件にしたがって前記透明基材に前記導電線を印刷して電磁シールド基材を製造する電磁シールド基材の製造方法。

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