JP2024061664A - 有機金属錯体、発光デバイス - Google Patents

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弘樹 村上
Hiroki Murakami
信晴 大澤
Nobuharu Osawa
裕允 木戸
Hiromitsu Kido
哲史 瀬尾
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Abstract

【課題】有用性または信頼性に優れた新規な有機金属錯体、および発光デバイスの提供。【解決手段】一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体を提供する。ただし、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。JPEG2024061664000078.jpg54167【選択図】なし

Description

本発明の一態様は、有機金属錯体、有機化合物、発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス、発光装置、受発光装置、表示装置、電子機器、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス、受光デバイス、および受発光デバイスに代表される有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子）の実用化が進んでいる。
例えば、発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟んだものである。このデバイスに電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。
また、受光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に光電変換材料を含む有機化合物層（活性層）を挟んだものである。このデバイスが光エネルギーを吸収し、キャリアを生成することで、光電変換材料からの電子を得ることができる。
例えば、表示領域に設けられた画素が、発光素子（発光デバイス）と光電変換素子（受光デバイス）を備える機能パネルが知られている（特許文献１）。
このように有機ＥＬデバイスを用いたディスプレイまたは照明装置はさまざまな電子機器に適用好適であるが、より良好な効率、寿命を有する有機ＥＬデバイスを求めて研究開発が進められている。
有機ＥＬデバイスの特性は、目覚ましく向上してきたが、効率または耐久性をはじめ、あらゆる特性に対する高度な要求に対応するには未だ不十分である。特に、有機ＥＬデバイス特有の問題である、焼き付きなどの問題を解決する為には、劣化による効率の低下は小さければ小さいほど都合が良い。
劣化に関しては、発光中心物質およびその周辺の材料により大きく左右されるため、良好な特性を有する有機金属錯体などを含む有機化合物材料の開発が盛んにおこなわれている。
ＷＯ２０２０／１５２５５６号
本発明の一態様は、新規の有機金属錯体を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、励起状態が安定な有機金属錯体を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、発光材料として用いることのできる有機金属錯体を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、合成の容易な有機金属錯体を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、駆動寿命の長い発光デバイスを提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、駆動時の電圧変化が小さい発光デバイスを提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、新規の発光デバイスを提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、発光デバイスの製造コストを低減することを課題とする。また、本発明の一態様は、消費電力の小さい発光装置、電子機器、または照明装置を提供することを課題とする。
また、本発明の一態様は、部分構造を選択的に重水素化した有機金属錯体を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、合成経路の煩雑さ、合成の高温高圧化等を軽減することのできる分子設計を行うこと、またそのように分子設計された有機金属錯体を合成することを課題とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体である。
上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ１８、Ｒ２０、およびＲ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１９およびＲ２１は、それぞれ独立に炭素数３乃至１０のアルキル基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ１８、Ｒ２０、およびＲ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１９およびＲ２１は、それぞれ独立に炭素数３乃至１０のアルキル基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、下記一般式（Ｒ－１）を表す。
なお、上記一般式（Ｒ－１）中、Ｒ３１乃至Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ１７およびＲ１９乃至Ｒ２１は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８およびＲ２２のいずれか一は、上記一般式（Ｒ－１）を表す。なお、一般式（Ｒ－１）中、Ｒ３１乃至Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
または、上記一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ１１、Ｒ１３乃至Ｒ１７およびＲ１９乃至Ｒ２１は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１２は炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８およびＲ２２のいずれか一は、上記一般式（Ｒ－１）を表す。なお、一般式（Ｒ－１）中、Ｒ３１乃至Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
本発明の一態様は、下記構造式（１００）、構造式（１１５）、構造式（１１９）、構造式（１２０）、または構造式（１２１）で表される有機金属錯体である。
本発明の一態様は、上記有機金属錯体を用いた発光デバイスである。また、上記有機金属錯体を用いた発光デバイスと、および、受光デバイスと、を有する発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記構成の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記構成の発光装置と、検知部、入力部、または、通信部と、を有する電子機器である。
また、本発明の一態様は、上記構成の発光装置と、筐体と、を有する照明装置である。
本発明の一態様により、新規の有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様により、励起状態が安定な有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様により、発光材料として用いることのできる有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様により、合成の容易な有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様により、新規の発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様により、駆動寿命の長い発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様により、駆動時の電圧変化が小さい発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様により、発光デバイスの製造コストを低減することができる。また、本発明の一態様により、消費電力の小さい発光装置、電子機器、または照明装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。 図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）は、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。 図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、発光装置の上面図および断面図である。 図４（Ａ）乃至図４（Ｄ）は、発光デバイスについて表す図である。 図５（Ａ）乃至図５（Ｅ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図６（Ａ）乃至図６（Ｅ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図９（Ａ）乃至図９（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図１０（Ａ）乃至図１０（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図１２（Ａ）乃至図１２（Ｇ）は、画素の構成例を示す上面図である。 図１３（Ａ）乃至図１３（Ｉ）は、画素の構成例を示す上面図である。 図１４（Ａ）、及び図１４（Ｂ）は、表示モジュールの構成例を示す斜視図である。 図１５（Ａ）、及び図１５（Ｂ）は、発光装置の構成例を示す断面図である。 図１６は、発光装置の構成例を示す斜視図である。 図１７（Ａ）は、発光装置の構成例を示す断面図である。図１７（Ｂ）、及び図１７（Ｃ）は、トランジスタの構成例を示す断面図である。 図１８は、発光装置の構成例を示す断面図である。 図１９（Ａ）乃至図１９（Ｄ）は、発光装置の構成例を示す断面図である。 図２０（Ａ）乃至図２０（Ｄ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２１（Ａ）乃至図２１（Ｆ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２２（Ａ）乃至図２２（Ｇ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２３は実施例で作製した有機金属錯体の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。 図２４は実施例で作製した有機金属錯体の吸収スペクトルと発光スペクトルを説明する図である。 図２５は実施例で作製した有機金属錯体の熱重量測定－示差熱分析を説明する図である。 図２６は実施例に係るデバイスの構成を説明する図である。 図２７は実施例にかかるデバイスの輝度－電流密度特性を説明する図である。 図２８は実施例にかかるデバイスの輝度－電圧特性を説明する図である。 図２９は実施例にかかるデバイスの電流効率－電流密度特性を説明する図である。 図３０は実施例にかかるデバイスの電流密度－電圧特性を説明する図である。 図３１は実施例にかかるデバイスの電力効率－電流密度特性を説明する図である。 図３２は実施例にかかるデバイスの外部量子効率－電流密度特性を説明する図である。 図３３は実施例にかかるデバイスの発光スペクトルを説明する図である。 図３４は、実施例にかかる試料の駆動時間に対する輝度変化を表す図である。 図３５は実施例で作製した有機金属錯体の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。 図３６は実施例で作製した有機金属錯体の吸収スペクトルと発光スペクトルを説明する図である。 図３７は実施例で作製した有機金属錯体の吸収スペクトルと発光スペクトルを説明する図である。 図３８は実施例にかかるデバイスの輝度－電流密度特性を説明する図である。 図３９は実施例にかかるデバイスの輝度－電圧特性を説明する図である。 図４０は実施例にかかるデバイスの電流効率－電流密度特性を説明する図である。 図４１は実施例にかかるデバイスの電流密度－電圧特性を説明する図である。 図４２は実施例にかかるデバイスのＢＩ－電流密度特性を説明する図である。 図４３は実施例にかかるデバイスの外部量子効率－電流密度特性を説明する図である。 図４４は実施例にかかるデバイスの発光スペクトルを説明する図である。 図４５は実施例にかかるデバイスの輝度－電流密度特性を説明する図である。 図４６は実施例にかかるデバイスの輝度－電圧特性を説明する図である。 図４７は実施例にかかるデバイスの電流効率－輝度特性を説明する図である。 図４８は実施例にかかるデバイスの電流密度－電圧特性を説明する図である。 図４９は実施例にかかるデバイスのＢＩ－電流密度特性を説明する図である。 図５０は実施例にかかるデバイスの発光スペクトルを説明する図である。 図５１は実施例に係るデバイスの構成を説明する図である。 図５２は実施例にかかるデバイスの輝度－電流密度特性を説明する図である。 図５３は実施例にかかるデバイスの輝度－電圧特性を説明する図である。 図５４は実施例にかかるデバイスの電流効率－電流密度特性を説明する図である。 図５５は実施例にかかるデバイスの電流密度－電圧特性を説明する図である。 図５６は実施例にかかるデバイスのＢＩ－電流密度特性を説明する図である。 図５７は実施例にかかるデバイスの発光スペクトルを説明する図である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である有機金属錯体、および当該有機金属錯体を用いた発光デバイスについて説明する。
＜発光デバイスの構成例＞
まず、本発明の一態様の発光デバイスの構成について、図１（Ａ）及び（Ｂ）を用いて、以下説明する。
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光デバイス１０の断面模式図である。
発光デバイス１０は、一対の電極（第１の電極１０１及び第２の電極１０２）を有し、該一対の電極間に設けられた有機化合物層１０３を有する。有機化合物層１０３は、少なくとも発光層１１３を有する。
また、図１（Ａ）に示す有機化合物層１０３は、発光層１１３の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５等の機能層を有する。
なお、本実施の形態においては、一対の電極のうち、第１の電極１０１を陽極として、第２の電極１０２を陰極として説明するが、発光デバイス１０の構成としては、その限りではない。つまり、第１の電極１０１を陰極とし、第２の電極１０２を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層１１１と、正孔輸送層１１２と、発光層１１３と、電子輸送層１１４と、電子注入層１１５と、が積層する順番とすればよい。
なお、有機化合物層１０３の構成は、図１（Ａ）に示す構成に限定されず、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５の中から選ばれた少なくとも一つを有する構成とすればよい。あるいは、有機化合物層１０３は、正孔または電子の注入障壁を低減する、正孔または電子の輸送性を向上する、正孔または電子の輸送性を阻害する、または電極による消光現象を抑制する、ことができる等の機能を有する機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す発光層１１３の一例を示す断面模式図である。図１（Ｂ）に示す発光層１１３は、ホスト材料１１８（有機化合物１１８＿１および有機化合物１１８＿２）と、ゲスト材料１１９と、を有する。
また、ゲスト材料１１９としては、発光性の有機金属錯体を用いればよく、該発光性の有機金属錯体としては、燐光を発することができる物質（以下、燐光性化合物ともいう）であると好適である。以下の説明においては、ゲスト材料１１９として、有機金属錯体を用いる構成について説明する。
本発明では、ゲスト材料１１９として、中心金属に白金（Ｐｔ）を有する有機金属錯体を用いる。なお、本発明に用いる有機金属錯体は、ピリジン環を有し、当該ピリジン環はアルキル基を有する。また、当該ピリジン環の４位にはフェニル基を有する。
ピリジン環を有する有機金属錯体において、三重項励起状態におけるスピン密度の高い炭素原子に、アルキル基が導入され、励起状態における化合物の安定性を向上することができる。また、当該アルキル基は、重水素化されていることが好ましい。ＬＵＭＯの分布が集中する炭素原子に、重水素化されたアルキル基が導入され、電子をＬＵＭＯに受け取った状態、すなわち還元状態における化合物の安定性を向上することができる。
また、ＬＵＭＯの分布が集中する炭素原子に隣接する炭素原子に、フェニル基が導入され、ＬＵＭＯの分布を広げることができる。また、ＬＵＭＯを安定化し、還元状態における化合物の安定性を向上することができる。
さらに、当該フェニル基に対する立体障害効果を、アルキル基は発現することができる。特に、当該アルキル基が重水素化されている場合、安定性を向上することができる。また、当該フェニル基の回転を抑制し、化合物の熱物性、例えば昇華性を向上することができる。また、化合物の振動を抑制し、励起状態からの熱失活を抑制することができる。また、高い発光効率を実現できる。また、配位子または配位子の置換基の選択により、発光スペクトルの形状を調節することができる。また、化合物の熱物性、例えば昇華性を向上することができる。その結果、有用性または信頼性に優れた新規な有機金属錯体を提供することができる。
また、有機金属錯体が有するピリジン環は、アルキル基を備える。これにより、炭素－重水素結合を利用して、炭素－水素結合の結合解離エネルギーより、化合物の結合解離エネルギーを大きくすることができる。また、分子構造を安定にすることができる。また、励起状態における化合物構造内の結合解離を抑制することができる。また、炭素－重水素結合の解離による化合物の劣化、または変質を抑制することができる。なお、当該アルキル基が有する水素が重水素化されている場合、上述の効果をより高めることができる。
従って、例えば、本発明の有機金属錯体は、発光デバイスの発光層に好適に用いることができる。また、例えば、本発明の有機金属錯体は、発光デバイスの発光層に接する層に好適に用いることができる。当該有機金属錯体を発光デバイスに用いることで、信頼性を向上させることができる。
＜有機金属錯体の例＞
本発明の一態様は、下記一般式で表される中心金属に白金（Ｐｔ）を有する有機金属錯体である。白金（Ｐｔ）を有する有機金属錯体は、発光デバイスの材料として非常に好適に用いることができる物質である。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体である。
ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
なお、Ｒ２またはＲ４に置換する炭素数１乃至１０のアルキル基において、当該アルキル基に配する水素は、一部または全部が重水素とするとよい。フェニル基に隣接する炭素原子に、重水素を有するアルキル基を導入することで、ＬＵＭＯの分布を広げることができる。
特に、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ２は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表すことが好ましい。Ｒ２が重水素を有することで、炭素－重水素結合の結合解離が起きにくくなる。ＬＵＭＯの分布が集中する炭素原子に、重水素化されたアルキル基が導入され、電子をＬＵＭＯに受け取った状態、すなわち還元状態における化合物の安定性を向上することができる。
また、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１９およびＲ２１は、炭素数３乃至１０のアルキル基を表すことが好ましい。これにより、当該フェニル基の回転を抑制し、化合物の熱物性、例えば昇華性を向上することができる。また、分子の熱失活を抑制し、分子間相互作用を起こしにくくするため、量子収率および素子の発光効率を向上することができる。
また、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、下記一般式（Ｒ－１）を表すことができる。
ただし、上記一般式（Ｒ－１）において、Ｒ３１乃至Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
なお、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれかに、上記一般式（Ｒ－１）を有するとよい。特に、Ｒ１８およびＲ２２は、上記一般式（Ｒ－１）で表すことが好ましい。また、Ｒ１２は炭素数１乃至１０のアルキル基を表すことが好ましい。
なお、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ２２、およびＲ３１乃至Ｒ３５で表されるアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、３－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、２－エチルブチル基、１，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基等を挙げることができる。
また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ２２、およびＲ３１乃至Ｒ３５で表されるアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、アントリル基、テトラセン－イル基、ベンズアントラセニル基、トリフェニレニル基、ピレン－イル基、スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－イル基等を挙げることができる。
また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ２２、およびＲ３１乃至Ｒ３５のいずれかが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数１乃至４のアルキル基、炭素数３乃至６のシクロアルキル基、または炭素数６乃至１３のアリール基とする。
＜具体例＞
次に、上記一般式（Ｇ１）で表される構成を有する、本発明の一態様である有機金属錯体の具体的な例を以下に示す。
上記構造式（１００）乃至（１２１）で表される有機金属錯体は、上記一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体の一例であるが、本発明の一態様の有機金属錯体は、これに限られない。
＜有機金属錯体の合成方法＞
以下では、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体の合成方法について説明する。該有機金属錯体の合成方法としては、種々の反応を適用することができる。例えば、以下のような簡便な合成スキームにより一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体を合成できる。
＜＜合成法１＞＞
まず、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体の出発原料である（Ａ１）で表されるピリジルカルバゾール誘導体は、下記合成スキーム（ｓ１－１）より合成できる。フェニルベンゾイミダゾールがエーテル架橋したピリジルカルバゾール誘導体（Ａ’１）と超原子価ヨウ素試薬（Ａ’２）を反応させることで、ピリジルカルバゾール誘導体（Ａ１）を得ることができる。
なお、上記合成スキーム（ｓ１－１）において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
次に、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体は、合成スキーム（ｓ１－２）に示すように、上記合成スキーム（ｓ１－１）で得られたピリジルカルバゾール誘導体（Ａ１）とハロゲンを含む白金化合物（ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）等）を反応させることにより得られる。
なお、上記合成スキーム（ｓ１－２）において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
＜＜合成法２＞＞
また、例えば、以下のような簡便な合成スキームにより一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体を合成できる。
まず、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体の出発原料である（Ｂ１）で表されるピリジルカルバゾール誘導体は、下記合成スキーム（ｓ２－１）より合成できる。ジアミン化合物がエーテル架橋したピリジルカルバゾール誘導体（Ｂ’１）とオルトぎ酸トリエチルを反応させることで環化し、（Ｂ’２）で表される化合物とした後、ヘキサフルオロりん酸アンモニウムにてイオン交換することにより、ピリジルカルバゾール誘導体（Ｂ１）を得ることができる。
なお、上記合成スキーム（ｓ２－１）において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
次に、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体は、合成スキーム（ｓ２－２）に示すように、上記合成スキーム（ｓ２－１）で得られたピリジルカルバゾール誘導体（Ｂ１）とハロゲンを含む白金化合物（ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）等）を反応させることにより得られる。
なお、上記合成スキーム（ｓ２－２）において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。
上述の化合物（Ａ’１）、（Ａ’２）（Ｂ’１）および（Ｂ’２）は、様々な種類の合成が可能であるため、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体は数多くの種類を合成することができる。したがって、本発明の一態様の有機金属錯体は、バリエーションが豊富であるという特徴がある。
以上、本発明の一態様の化合物である有機金属錯体の合成方法の一例について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他のどのような合成方法によって合成されても良い。
なお、本実施の形態に示す化合物は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した有機金属錯体を用いた発光デバイスの構成について、図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）を用いて説明する。
＜発光デバイスの基本的な構造＞
発光デバイスの基本的な構造について説明する。図２（Ａ）には、一対の電極間に発光層を含む有機化合物層を有する構造（シングル構造）の発光デバイスを示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３が挟まれた構造を有する。
また、図２（Ｂ）には、一対の電極間に複数（図２（Ｂ）では、２層）の有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ）を有し、有機化合物層の間に電荷発生層１０６を有する積層構造（タンデム構造）の発光デバイスを示す。タンデム構造の発光デバイスは、電流量を変えることなく高効率な発光装置を実現することができる。
電荷発生層１０６は、第１の電極１０１と第２の電極１０２の間に電位差を生じさせたときに、一方の有機化合物層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方の有機化合物層（１０３ｂまたは１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図２（Ｂ）において、第１の電極１０１に、第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０６から有機化合物層１０３ａに電子が注入され、有機化合物層１０３ｂに正孔が注入されることとなる。
なお、電荷発生層１０６は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１０６に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１０６は、第１の電極１０１および第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する。
また、図２（Ｃ）には、本発明の一態様である発光デバイスの有機化合物層１０３の積層構造を示す。但し、この場合、第１の電極１０１は陽極として、第２の電極１０２は陰極として機能するものとする。有機化合物層１０３は、第１の電極１０１上に、正孔（ホール）注入層１１１、正孔（ホール）輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が順次積層された構造を有する。なお、発光層１１３は、発光色の異なる発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、赤色を呈する発光物質を含む発光層と、緑色を呈する発光物質を含む発光層と、青色を呈する発光物質を含む発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。または、黄色を呈する発光物質を含む発光層と、青色を呈する発光物質を含む発光層との組み合わせであっても良い。ただし、発光層１１３の積層構造は上記に限定されない。例えば、発光層１１３は、発光色の同じ発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、青色を呈する発光物質を含む第１の発光層と、青色を呈する発光物質を含む第２の発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。発光色の同じ発光層を複数積層した構成の場合、単層の構成よりも信頼性を高めることができる場合がある。また、図２（Ｂ）に示すタンデム構造のように複数の有機化合物層を有する場合であっても、各有機化合物層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極１０１が陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合は、有機化合物層１０３の積層順は逆になる。具体的には、陰極である第１の電極１０１上の１１１が、電子注入層、１１２が電子輸送層、１１３が発光層、１１４が正孔（ホール）輸送層、１１５が正孔（ホール）注入層、という構成を有する。
有機化合物層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる発光層１１３は、それぞれ発光物質、および複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光、または燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１３を発光色の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質およびその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図２（Ｂ）に示す複数の有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質およびその他の物質を異なる材料とすればよい。
また、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、例えば、図２（Ｃ）に示す第１の電極１０１を反射電極とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造とすることにより、有機化合物層１０３に含まれる発光層１１３から得られる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１０２から射出される発光を強めることができる。従って、高精細化を実現することが容易である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。
なお、発光デバイスの第１の電極１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間の光学距離（膜厚と屈折率の積）がｍλ／２（ただし、ｍは１以上の整数）またはその近傍となるように調整することが好ましい。
また、発光層１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１０１から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１０２から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は１以上の整数）またはその近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１３における正孔（ホール）と電子との再結合領域を示す。
このような光学調整を行うことにより、発光層１１３から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１０１および第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域、および所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
図２（Ｄ）に示す発光デバイスは、タンデム構造を有する発光デバイスである。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。また、消費電力を低減することができる。
図２（Ｅ）に示す発光デバイスは、図２（Ｂ）に示したタンデム構造の発光デバイスの一例であり、図に示すように、３つの有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）が電荷発生層（１０６ａ、１０６ｂ）を挟んで積層される構造を有する。なお、３つの有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）は、それぞれに発光層（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）を有しており、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１３ａを青色、発光層１１３ｂを赤色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを青色とすることができるが、発光層１１３ａを赤色、発光層１１３ｂを青色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを赤色とすることもできる。
なお、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
また、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
＜発光デバイスの具体的な構造＞
次に、本発明の一態様である発光デバイスの具体的な構造について説明する。また、ここでは、タンデム構造を有する図２（Ｄ）を用いて説明する。なお、図２（Ａ）および図２（Ｃ）に示すシングル構造の発光デバイスについても有機化合物層の構成については同様とする。また、図２（Ｄ）に示す発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、有機化合物層１０３ｂを形成した後、適宜材料を選択して形成する。
＜発光デバイスの材料＞
≪発光層≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。また、発光層を複数有する場合には、各発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造としてもよい。
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料等）を有していても良い。
具体的に、発光層１１３として、実施の形態１の図１（Ｂ）を用いて説明した構造を用いることができる。発光層１１３中では、ホスト材料１１８が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）は、ホスト材料１１８中に分散される。発光層１１３のホスト材料１１８（有機化合物１１８＿１及び有機化合物１１８＿２）のＴ１準位は、発光層１１３のゲスト材料（ゲスト材料１１９）のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
有機化合物１１８＿１としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい材料（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物、及び亜鉛、またはアルミニウム系金属錯体などを用いることができる。π電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物の例としては、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体などの化合物が挙げられる。亜鉛またはアルミニウム系金属錯体の例としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。
具体的には、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、またはチアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、９－［４－（４，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＴＡＺ１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３－（３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＣｚＰＤＢｑ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。上述した複素環化合物の中でも、トリアジン骨格、ジアジン（ピリミジン、ピラジン、ピリダジン）骨格、またはピリジン骨格を有する複素環化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。また、当該骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
有機化合物１１８＿２としては、有機化合物１１８＿１と励起錯体を形成できる組み合わせが好ましい。具体的には、π電子過剰型複素芳香環骨格、または芳香族アミン骨格のようなドナー性の高い骨格を有することが好ましい。π電子過剰型複素芳香環骨格を有する化合物としては、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体などの複素芳香族化合物が挙げられる。この場合、有機化合物１１８＿１と有機化合物１１８＿２とで形成される励起錯体の発光ピークが、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）の三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、より具体的には、最も長波長に位置する吸収帯と重なるように、有機化合物１１８＿１、有機化合物１１８＿２、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光デバイスとすることができる。ただし、燐光性化合物に替えて熱活性化遅延蛍光材料を用いる場合においては、最も長波長に位置する吸収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
また、有機化合物１１８＿２としては、以下の正孔輸送性材料を用いることができる。
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
これら正孔輸送性の高い材料として、具体的には、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－ビス（３－メチルフェニル）アミノフェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
また、カルバゾール誘導体としては、他に、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
また、芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４以上炭素数４２以下である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル骨格を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
また、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、またはポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。
さらに、正孔輸送性の高い材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ′－ビス（９，９′－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－４，４′－ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニルアミノ－９Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ－（９，９－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：ＤＰＡＳＦ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４－フェニルジフェニル－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＦＬＰ（２））、Ｎ－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－アミン（略称：ＰＣＡＦＬＰ（２）－０２）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９′－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（９，９－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニルカルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ジフェニルアミノフェニル）スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジアミン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－（４－フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジメチルフルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、３－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フェナントレン（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，６－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰｈＣｚＧＩ）、２，８－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ジベンゾチオフェン（略称：Ｃｚ２ＤＢＴ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、４－［３－（トリフェニレン－２－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ－ＩＩ）等のアミン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。上述した化合物の中でも、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、芳香族アミン骨格を有する化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。また、当該骨格を有する化合物は、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
また、発光層にはさらに蛍光発光を呈する物質（蛍光発光物質）を用いることができる。この場合、発光層において燐光発光物質の励起エネルギーが蛍光発光物質に移動することで発光に至る。蛍光発光物質は、一重項励起状態から一重項基底状態への遷移が許容であるため励起寿命（発光寿命）が燐光発光物質より短い。そのため、発光層に蛍光発光物質をさらに用いることで、安定で信頼性の良好な発光デバイスを作製することができる。
蛍光発光物質としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。一重項励起エネルギー準位および三重項励起エネルギー準位が、燐光発光物質の三重項励起エネルギー準位より低い蛍光発光物質を用いることができる。
具体例としては、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス（Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン）（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（１，６－ピレン－ジイル）ビス［（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）、３，１０－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）などが挙げられる。
また、５，９－ジフェニル－５，９－ジアザ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン（略称：ＤＡＢＮＡ１）、９－［（１，１’－ジフェニル）－３－イル］－Ｎ，Ｎ，５，１１－テトラフェニル－５，９－ジヒドロ－５，９－ジアザ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン－３－アミン（略称：ＤＡＢＮＡ２）、２，１２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）－５，９－ジ（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル－５Ｈ，９Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン－７－アミン（略称：ＤＰｈＡ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）、２，１２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）－Ｎ，Ｎ，５，９－テトラ（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５Ｈ，９Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン－７－アミン（略称：ｔＢｕＤＰｈＡ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）、２，１２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）－５，９－ジ（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－７－メチル－５Ｈ，９Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン（略称：Ｍｅ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）、Ｎ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，５，９，１１，１５－オクタフェニル－５Ｈ，９Ｈ，１１Ｈ，１５Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］［１，４］ベンズアザボリノ［４’，３’，２’：４，５］［１，４］ベンズアザボリノ［３，２－ｂ］フェナザボリン－７，１３－ジアミン（略称：ν－ＤＡＢＮＡ）、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンズ［５，６］インドロ［３，２，１－ｊｋ］ベンゾ［ｂ］カルバゾール（略称：ｔＢｕＰＢｉｂｃ）などの窒素とホウ素を含む縮合複素芳香族化合物、特にジアザ－ボラナフト－アントラセン骨格を有する化合物が発光スペクトルの幅が狭く、色純度の良好な青色発光を得られるため好適に用いることができる。
また、これらの他、９，１０，１１－トリス［３，６－ビス（１，１－ジメチルエチル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］－２，５，１５，１８－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）インドロ［３，２，１－ｄｅ］インドロ［３’，２’，１’：８，１］［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン（略称：ＢＢＣｚ－Ｇ）、９，１１－ビス［３，６－ビス（１，１－ジメチルエチル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］－２，５，１５，１８－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）インドロ［３，２，１－ｄｅ］インドロ［３’，２’，１’：８，１］［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン（略称：ＢＢＣｚ－Ｙ）などを好適に用いる事ができる。
また、発光層に含まれる発光材料としては、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料を用いることができる。熱活性化遅延蛍光材料としては、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができる。具体例としては、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等が挙げられる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、またはトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため、好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、チオフェン骨格、フラン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有することが、好ましい。なお、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、及び３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格、が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプタ性が共に強く、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位の差が小さくなるため、特に好ましい。また、上述のジアザ－ボラナフト－アントラセン骨格を有する化合物は熱活性化遅延蛍光材料としての機能も有し、色純度の良好な青色発光を得られるため好適である。
また、燐光発光物質に換えて、熱活性化遅延蛍光材料を用いても良い。熱活性化遅延蛍光材料は、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起状態から一重項励起状態へエネルギーを変換する機能を有する材料である。そのため、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈することができる。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が好ましくは０ｅＶより大きく０．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶより大きく０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。
ゲスト材料１１９（燐光性化合物）としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも金属錯体としては、白金錯体が好ましい。また、含窒素ヘテロ環カルベンを有する白金錯体なども挙げられる。また、有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体を用いてもよい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾール配位子、１Ｈ－トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。
また、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）としては、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位より高いＬＵＭＯ準位を有し、有機化合物１１８＿２のＨＯＭＯ準位より低いＨＯＭＯ準位を有するよう、有機化合物１１８＿１、有機化合物１１８＿２、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が高く、低い電圧で駆動する発光デバイスとすることができる。
また、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）としては、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位より高いＬＵＭＯ準位を有し、有機化合物１１８＿２のＨＯＭＯ準位より高いＨＯＭＯ準位を有するよう、有機化合物１１８＿１、有機化合物１１８＿２、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が高く、低い電圧で駆動する発光デバイスとすることができる。
また、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位と、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）のＨＯＭＯ準位と、のエネルギー差が、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端から算出されるエネルギー以上であるよう、有機化合物１１８＿１、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が高く、低い電圧で駆動する発光デバイスとすることができる。
なお、吸収スペクトルにおける最も長波長に位置する吸収端は、薄膜状態またはマトリクス材料中に対象の物質をドーピングした薄膜における対象物質の吸収スペクトルを測定し、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから求めることができる。あるいは、溶液の吸収スペクトルを測定し、吸収スペクトルの最も長波長に観測されるピークもしくはショルダーピークの長波長側の半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から吸収端を算出してもよい。溶液の溶媒としては、特に制限はないが、トルエンおよびクロロホルムなど、比較的極性の小さい溶媒が好ましい。
なお、本明細書中で用いる、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値は、電気化学測定によって求めることができる。電気化学測定の代表例としては、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定、微分パルスボルタンメトリー（ＤＰＶ）測定等が挙げられる。
サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定において、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値（Ｅ）は、参照電極に対する作用電極の電位を変化させることで得られる酸化ピーク電位（Ｅｐａ）、および還元ピーク電位（Ｅｐｃ）を元に、算出することができる。測定において、正方向の電位走査からＨＯＭＯ準位を求め、負方向の電位走査からＬＵＭＯ準位を求める。また、測定におけるスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓとする。
具体的なＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の算出手順を説明する。材料のサイクリックボルタモグラムより得られる、酸化ピーク電位（Ｅｐａ）、および還元ピーク電位（Ｅｐｃ）から、標準酸化還元電位（Ｅｏ）（＝（Ｅｐａ＋Ｅｐｃ）／２）を求め、参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギー（Ｅｘ）から減算することにより、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値（Ｅ）（＝Ｅｘ－Ｅｏ）をそれぞれ求めることができる。
なお、上記は可逆な酸化還元波が得られる場合を示すが、不可逆な酸化還元波が得られる場合は、ＨＯＭＯ準位の算出には、酸化ピーク電位（Ｅｐａ）から一定の値（０．１ｅＶ）を減算した値を還元ピーク電位（Ｅｐｃ）と仮定し、標準酸化還元電位（Ｅｏ）を小数点以下１桁まで求める。また、ＬＵＭＯ準位の算出には、還元ピーク電位（Ｅｐｃ）に一定の値（０．１ｅＶ）を加算した値を酸化ピーク電位（Ｅｐａ）と仮定し、標準酸化還元電位（Ｅｏ）を小数点以下１桁まで求める。
青色または緑色の波長領域に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ－トリアゾール骨格、１Ｈ－トリアゾール骨格およびイミダゾール骨格のような含窒素五員複素環骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、高い三重項励起エネルギーを有し、信頼性、または発光効率に優れるため、特に好ましい。
また、緑色または黄色の波長領域に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４－（２－ノルボルニル）－６－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などの有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性、または発光効率に際だって優れるため、特に好ましい。
また、黄色または赤色の波長領域に発光ピークを有する物質としては、例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性、または発光効率に際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。
発光層１１３に含まれる発光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光性化合物の他に、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。したがって、燐光性化合物と記載した部分に関しては、熱活性化遅延蛍光材料と読み替えても構わない。なお、熱活性化遅延蛍光材料とは、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起状態から一重項励起状態へエネルギーを変換する機能を有する材料である。そのため、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈することができる。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が好ましくは０ｅＶより大きく０．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶより大きく０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。
熱活性化遅延蛍光材料が、一種類の材料から構成される場合、例えば以下の材料を用いることができる。
まず、フラーレンなどの誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２（ＯＥＰ））等が挙げられる。
また、一種の材料から構成される熱活性化遅延蛍光材料としては、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物も用いることができる。具体的には、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等が挙げられる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、またはトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため、好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、チオフェン骨格、フラン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有することが、好ましい。なお、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、及び３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格、が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強く、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位の差が小さくなるため、特に好ましい。
なお、発光層１１３は２層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層１１３とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。また、第１の発光層と第２の発光層とが有する発光材料は、同じ材料であっても異なる材料であってもよく、同じ色の発光を呈する機能を有する材料であっても、異なる色の発光を呈する機能を有する材料であってもよい。２層の発光層に、互いに異なる色の発光を呈する機能を有する発光材料をそれぞれ用いることで、複数の発光を同時に得ることができる。特に、２層の発光層が呈する発光により、白色になるよう、各発光層に用いる発光材料を選択すると好ましい。
また、発光層１１３において、ホスト材料１１８およびゲスト材料１１９以外の材料を有していても良い。
なお、発光層１１３は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有してもよい。
≪正孔注入層≫
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１０１および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）から有機化合物層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプタ材料および正孔注入性の高い材料を含む層である。
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、一対の電極の一方（第１の電極１０１または第２の電極１０２）からのホール注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、あるいは芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化物としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、フタロシアニン、または金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体、またはフェニレンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェン、またはポリアニリンなどの高分子化合物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸などがその代表例である。
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）として、正孔輸送性材料と、これに対して電子受容性を示す材料の複合材料を有する層を用いることもできる。あるいは、電子受容性を示す材料を含む層と正孔輸送性材料を含む層の積層を用いても良い。これらの材料間では定常状態、あるいは電界存在下において電荷の授受が可能である。電子受容性を示す材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、またはヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプタを挙げることができる。具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基、またはシアノ基）を有する化合物である。また、遷移金属酸化物、例えば第４族から第８族金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどである。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、発光層１１３に用いることができる正孔輸送性材料として挙げた芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
≪正孔輸送層≫
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）の材料として例示した正孔輸送性材料を使用することができる。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に注入された正孔を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）へ輸送する機能を有するため、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）のＨＯＭＯ準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準位を有することが好ましい。
また、上記正孔輸送性材料は１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
≪電子輸送層≫
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）を経て一対の電極の他方（第１の電極１０１または第２の電極１０２）から注入された電子を発光層１１３へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物、または金属錯体などを用いることができる。具体的には、発光層１１３に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。また、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体などが挙げられる。また、上記電子輸送性材料は１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）と発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
≪電子注入層≫
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は第２の電極１０２からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１１５にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）で用いることが出来る物質を用いても良い。
また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体、または複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属が好ましく、リチウム、ナトリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物、またはアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
なお、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層には、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。
なお、量子ドットとしては、コロイド状量子ドット、合金型量子ドット、コア・シェル型量子ドット、コア型量子ドット、などを用いてもよい。また、２族と１６族、１３族と１５族、１３族と１７族、１１族と１７族、または１４族と１５族の元素グループを含む量子ドットを用いてもよい。または、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）、等の元素を有する量子ドットを用いてもよい。
≪一対の電極≫
第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、発光デバイスの陽極または陰極としての機能を有する。第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物、または積層体などを用いて形成することができる。
第１の電極１０１または第２の電極１０２の一方は、光を反射する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはＡｌを含む合金等が挙げられる。Ａｌを含む合金としては、ＡｌとＬ（Ｌは、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びランタン（Ｌａ）の一つまたは複数を表す）とを含む合金等が挙げられ、例えばＡｌとＴｉ、またはＡｌとＮｉとＬａを含む合金等である。アルミニウムは、抵抗値が低く、光の反射率が高い。また、アルミニウムは、地殻における存在量が多く、安価であるため、アルミニウムを用いることによる発光デバイスの作製コストを低減することができる。また、銀（Ａｇ）、またはＡｇとＮ（Ｎは、イットリウム（Ｙ）、Ｎｄ、マグネシウム（Ｍｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、Ａｌ、Ｔｉ、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、スズ（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、Ｎｉ、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、または金（Ａｕ）の一つまたは複数を表す）とを含む合金等を用いても良い。銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金、銀とイッテルビウムを含む合金等が挙げられる。その他、タングステン、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅、チタンなどの遷移金属を用いることができる。
また、発光層から得られる発光は、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の一方または双方を通して取り出される。したがって、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の少なくとも一方は、光を透過する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の透過率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。
また、第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、光を透過する機能と、光を反射する機能と、を有する導電性材料により形成されても良い。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。例えば、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯ）、珪素または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）、酸化インジウム－酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、チタンを含有した酸化インジウム－錫酸化物、インジウム－チタン酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどの金属酸化物を用いることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さ）の金属薄膜を用いることができる。金属としては、例えば、Ａｇ、またはＡｇとＡｌ、ＡｇとＭｇ、ＡｇとＡｕ、ＡｇとＹｂなどの合金等を用いることができる。
なお、本明細書等において、光を透過する機能を有する材料は、可視光を透過する機能を有し、且つ導電性を有する材料であればよく、例えば上記のようなＩＴＯに代表される酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、または有機物を含む有機導電体を含む。有機物を含む有機導電体としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料等が挙げられる。また、グラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。また、当該材料の抵抗率としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以下である。
また、上記の材料の複数を積層することによって第１の電極１０１及び第２の電極１０２の一方または双方を形成してもよい。
また、光取り出し効率を向上させるため、光を透過する機能を有する電極と接して、該電極より屈折率の高い材料を形成してもよい。このような材料としては、可視光を透過する機能を有する材料であればよく、導電性を有する材料であっても有さない材料であってもよい。例えば、上記のような酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、有機物が挙げられる。有機物としては、例えば、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または電子注入層に例示した材料が挙げられる。また、無機炭素系材料、または光が透過する程度の金属薄膜も用いることができ、数ｎｍ乃至数十ｎｍの層を複数積層させてもよい。
第１の電極１０１または第２の電極１０２が陰極としての機能を有する場合には、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を有することが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、ナトリウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、ＡｇとＭｇ、ＡｌとＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、Ｙｂ等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀を含む合金等を用いることができる。
また、第１の電極１０１または第２の電極１０２を陽極として用いる場合、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。
また、第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、光を反射する機能を有する導電性材料と、光を透過する機能を有する導電性材料との積層としてもよい。その場合、第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、各発光層からの所望の波長の光を共振させ、その波長の光を強めることができるように、光学距離を調整する機能を有することができるため好ましい。
第１の電極１０１及び第２の電極１０２の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、塗布法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。
≪電荷発生層≫
電荷発生層１０６は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電圧を印加したときに、有機化合物層１０３ａに電子を注入し、有機化合物層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプタ）が添加された構成（Ｐ型層ともいう）であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成（電子注入バッファ層ともいう）であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。さらに、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層が設けられていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０６を形成することにより、有機化合物層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
電荷発生層１０６において、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体が添加された構成（Ｐ型層）とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。なお、上述したアクセプタ材料を用いても良い。また、Ｐ型層を構成する材料を混合してなる混合膜として用いても、それぞれの材料を含む単膜を積層しても良い。
また、電荷発生層１０６において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成（電子注入バッファ層）とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
電荷発生層１０６において、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層を設ける場合、電子リレー層は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層とＰ型層との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子リレー層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層におけるアクセプタ性物質のＬＵＭＯ準位と、電荷発生層１０６に接する電子輸送層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
なお、図２（Ｄ）では、有機化合物層１０３が２層積層された構成を示したが、異なる有機化合物層の間に電荷発生層を設けることにより３層以上の有機化合物層の積層構造としてもよい。
≪キャップ層≫
なお、図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）では図示しないが、発光デバイスの第２の電極１０２上にキャップ層を設けてもよい。キャップ層には、例えば、屈折率の高い材料を用いることができる。キャップ層を第２の電極１０２上に設けることによって、第２の電極１０２から射出される光の取り出し効率を向上させることができる。
キャップ層に用いることのできる材料の具体例として、５，５’－ジフェニル－２，２’－ジ－５Ｈ－［１］ベンゾチエノ［３，２－ｃ］カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＴｃ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）等が挙げられる。また、実施の形態１で説明した有機化合物を用いることができる。
≪基板≫
また、本発明の一態様に係る発光デバイスは、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製すればよい。基板上に作製する順番としては、第１の電極１０１側から順に積層しても、第２の電極１０２側から順に積層しても良い。
なお、本発明の一態様に係る発光デバイスを形成できる基板としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光デバイス、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発光デバイス、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
例えば、本明細書等においては、様々な基板を用いて発光デバイスを形成することが出来る。基板の種類は、特に限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含むセルロースナノファイバ（ＣＮＦ）、紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下が挙げられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アラミド樹脂、またはエポキシ樹脂などの樹脂、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光デバイスを形成してもよい。または、基板と発光デバイスとの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光デバイスを一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、耐熱性の劣る基板、または可撓性の基板にも発光デバイスを転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成、および基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
つまり、ある基板を用いて発光デバイスを形成し、その後、別の基板に発光デバイスを転置し、別の基板上に発光デバイスを配置してもよい。発光デバイスが転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光デバイス、耐熱性の高い発光デバイス、軽量化された発光デバイス、または薄型化された発光デバイスとすることができる。
また、上述した基板上に、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、ＦＥＴと電気的に接続された電極上に発光デバイスを作製してもよい。これにより、ＦＥＴによって発光デバイスの駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を作製できる。
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。または、他の実施の形態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載されているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様として、発光デバイスに適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様は、発光デバイスに適用しなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様では、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる機能を有するゲスト材料と、を有し、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位より低く、第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低い場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位より低くなくてもよい。あるいは、第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低くなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様では、第１の有機化合物と第２の有機化合物とが、励起錯体を形成する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、第１の有機化合物と第２の有機化合物とが、励起錯体を形成しなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様では、ゲスト材料のＬＵＭＯ準位は、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位より高く、ゲスト材料のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低い場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、ゲスト材料のＬＵＭＯ準位は、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位より高くなくても良い。あるいは、ゲスト材料のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低くなくてもよい。
以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
図３（Ａ）および図３（Ｂ）に例示するように、先の実施の形態で説明した発光デバイスは、絶縁層１７５上に複数形成することで、発光装置を構成する。本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について詳しく説明する。
発光装置１０００は、複数の画素１７８がマトリクス状に配列された画素部１７７を有する。画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。
本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項は、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。また、アルファベットで区別する構成要素について、該当する構造に共通する事項は、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。
副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１７７に画像を表示することができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、本発明は当該構成に限らない。つまり、その他の色の副画素の組み合わせを用いてもよい。例えば、副画素は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、黄色（Ｙ）の４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。
本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。
図３（Ａ）では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。
画素部１７７の外側には、接続部１４０および領域１４１を設けてもよい。例えば、領域１４１は画素部１７７と接続部１４０の間に設けるとよい。領域１４１には、有機化合物層１０３を設ける。また、接続部１４０には、導電層１５１Ｃを設ける。
図３（Ａ）では、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１７７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）における一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断面図の例である。図３（Ｂ）に示すように、発光装置１０００は、絶縁層１７１と、絶縁層１７１上の導電層１７２と、絶縁層１７１上、及び導電層１７２上の絶縁層１７３と、絶縁層１７３上の絶縁層１７４と、絶縁層１７４上の絶縁層１７５と、を有する。絶縁層１７１は、基板（図示せず）上に設けるとよい。絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３には、導電層１７２に達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１７６を設ける。
画素部１７７において、絶縁層１７５及びプラグ１７６上に、発光デバイス１３０が設けられる。また、発光デバイス１３０を覆うように、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス１３０の間には、無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、を設けてもよい。
図３（Ｂ）では、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、発光装置１０００を上面から見た場合、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっていることが好ましい。つまり、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、第１の電極上に開口部を有する絶縁層とするとよい。
図３（Ｂ）では、発光デバイス１３０として、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂを示している。発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、互いに異なる色の光を発するものとする。例えば、発光デバイス１３０Ｒは赤色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｇは緑色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｂは青色の光を発することができる。また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、又は発光デバイス１３０Ｂは、他の可視光又は赤外光を発してもよい。
なお、有機化合物層１０３は、少なくとも発光層を有し、その他の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）を有することができる。また、有機化合物層１０３と共通層１０４とを合わせて、発光デバイスが備える機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）を形成しても良い。
本発明の一態様の発光装置は、例えば発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。なお、本発明の一態様の発光装置は、下面射出型（ボトムエミッション型）であってもよい。
発光デバイス１３０Ｒは、実施の形態２に示したような構成を有する。導電層１５１Ｒと導電層１５２Ｒとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｒと、有機化合物層１０３Ｒ上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。
なお、共通層１０４は、必ずしも設けなくてもよい。共通層１０４を設けることで、後工程による有機化合物層１０３Ｒへのダメージを低減できる。また、共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層としての機能を有していてもよい。共通層１０４が電子注入層として機能する場合、有機化合物層１０３Ｒと共通層１０４との積層構造は、実施の形態１における有機化合物層１０３に相当する。
ここで、発光デバイス１３０は、実施の形態２に示したような構成を有する。導電層１５１と導電層１５２とからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３と、有機化合物層１０３上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。
発光デバイスが有する画素電極と共通電極のうち、一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。以下では、特に断りが無い場合は、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能するものとして説明する。
有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂは、各々または、発光色毎に、島状に独立している。有機化合物層１０３を発光デバイス１３０毎に島状に設けることで、高精細な発光装置においても隣接する発光デバイス１３０間のリーク電流を抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い発光装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い発光装置を実現できる。
有機化合物層１０３は、発光デバイス１３０の第１の電極（画素電極）の上面及び側面を覆うように設けてもよい。これにより、有機化合物層１０３の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、発光装置１０００の開口率を高めることが容易となる。また、発光デバイス１３０の画素電極の側面を有機化合物層１０３で覆うことで、画素電極と第２の電極１０２とが接することを抑制できるため、発光デバイス１３０のショートを抑制できる。また、有機化合物層１０３の発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、有機化合物層１０３の端部との距離を大きくできる。さらに、有機化合物層１０３の端部は、加工によりダメージを受けている可能性があるため、有機化合物層１０３の端部から離れた領域を発光領域として用いることで、発光デバイス１３０の信頼性を高められる。
また、本発明の一態様の発光装置では、発光デバイスの第１の電極（画素電極）を、積層構成としてもよい。例えば、図３（Ｂ）に示す例では、発光デバイス１３０の第１の電極を、導電層１５１と、導電層１５２と、の積層構成としている。
例えば、発光装置１０００がトップエミッション型である場合、発光デバイス１３０の画素電極は、導電層１５１は可視光に対する反射率が高い層とし、導電層１５２は可視光の透過性を有し、かつ仕事関数が大きい層とすることが好ましい。画素電極の可視光に対する反射率が高いほど、有機化合物層１０３が発する光の取り出し効率を高くすることができる。また、画素電極が陽極として機能する場合、画素電極の仕事関数が大きいほど、有機化合物層１０３への正孔の注入が容易となる。従って、発光デバイス１３０の画素電極を、可視光に対する反射率が高い導電層１５１と、仕事関数が大きい導電層１５２と、の積層構成とすることにより、発光デバイス１３０を、光取り出し効率が高く、且つ駆動電圧の低い発光デバイスとすることができる。
具体的には、導電層１５１の可視光に対する反射率は、例えば４０％以上１００％以下とすることが好ましく、７０％以上１００％以下とすることがより好ましい。また、導電層１５２は、可視光の透過性を有する電極とする場合、可視光に対する透過率を例えば４０％以上とすることが好ましい。
また、積層構造を有する画素電極の形成後に成膜した膜を、ウェットエッチング法などにより除去する際にエッチングに用いる薬液が構造体に含浸する場合がある。含浸した薬液が画素電極に接触すると、画素電極を構成する複数の層間においてガルバニック腐食などが発生し、画素電極が変質することがある。
そこで、導電層１５１の上面及び側面を覆うように、導電層１５２を形成することが好ましい。導電層１５２で導電層１５１を覆うことで、含浸した薬液が導電層１５１に接触することなく、画素電極へのガルバニック腐食の発生を抑制できる。従って、発光装置１０００は、歩留まりが高い方法で作製できるため、低価格の発光装置とすることができる。また、発光装置１０００に不良が発生することを抑制できるため、発光装置１０００は信頼性が高い発光装置とすることができる。
導電層１５１として、例えば金属材料を用いることができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。
導電層１５２として、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、導電層１５２として好適に用いることができる。
また、導電層１５１、および導電層１５２は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよい。この場合、導電層１５１が、導電性酸化物等の導電層１５２に用いることができる材料を用いた層を有してもよく、また、導電層１５２が、金属材料等の導電層１５１に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。例えば、導電層１５１が２層以上の積層構成である場合は、導電層１５２と接する層は、導電層１５２の導電層１５１と接する層に用いる材料と同じ材料を含む層とすることができる。
なお、導電層１５１の端部は、テーパ形状を有することが好ましい。具体的には、導電層１５１の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。この場合、導電層１５１の側面に沿って設けられる導電層１５２もテーパ形状を有する。導電層１５２の端部をテーパ形状とすることで、導電層１５２の側面に沿って設けられる有機化合物層１０３の被覆性を高めることができる。
また、導電層１５１、または導電層１５２が積層構造を有する場合、少なくとも１つの側面がテーパ形状を有していることが好ましい。また、各導電層を構成する積層構造において、層毎に異なるテーパ形状であってもよい。
図４（Ａ）においては、導電層１５１が異なる材料を含む複数の層の積層構造である場合の図を示している。図４（Ａ）に示すように、導電層１５１は、導電層１５１＿１と、導電層１５１＿１上の導電層１５１＿２と、導電層１５１＿２上の導電層１５１＿３と、を有する構成である。つまり、図４（Ａ）に示す導電層１５１は、３層積層構成である。このように、導電層１５１が複数の層の積層構成である場合は、導電層１５１を構成する層のうち少なくとも１つの層の可視光に対する反射率を、導電層１５２の可視光に対する反射率より高くすればよい。
図４（Ａ）に示す例では、導電層１５１＿２が、導電層１５１＿１と導電層１５１＿３により挟まれる構成である。導電層１５１＿１、及び導電層１５１＿３には、導電層１５１＿２より変質しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、導電層１５１＿１には、絶縁層１７５と接することによるマイグレーションの発生が、導電層１５１＿２より起こりにくい材料を用いることができる。また、導電層１５１＿３には、導電層１５１＿２より酸化しにくく、さらに酸化物の電気抵抗率が、導電層１５１＿２に用いる材料の酸化物より低い材料を用いることができる。
以上より、導電層１５１＿２を、導電層１５１＿１と導電層１５１＿３で挟む構成とすることで、導電層１５１＿２の材料選択の幅を広げることができる。これにより、例えば導電層１５１＿２を、導電層１５１＿１及び導電層１５１＿３のうち少なくとも一方より、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。例えば、導電層１５１＿２としてアルミニウムを用いることができる。なお、導電層１５１＿２には、アルミニウムを含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１＿１として、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、絶縁層１７５と接してもアルミニウムよりマイグレーションが発生しにくい材料であるチタンを用いることができる。さらに、導電層１５１＿３として、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化物の電気抵抗率が酸化アルミニウムの電気抵抗率より低い材料であるチタンを用いることができる。
また、導電層１５１＿３として、銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。銀は、可視光に対する反射率がチタンより高いという特性を有する。さらに、銀は、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化銀の電気抵抗率は酸化アルミニウムの電気抵抗率より低いという特性を有する。以上により、導電層１５１＿３として銀、又は銀を含む合金を用いると、導電層１５１の可視光に対する反射率を好適に高くしつつ、導電層１５１＿２の酸化による画素電極の電気抵抗の上昇を抑制できる。ここで、銀を含む合金として、例えば銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）を適用できる。なお、導電層１５１＿３として銀、又は銀を含む合金を用い、導電層１５１＿２としてアルミニウムを用いると、導電層１５１＿３の可視光に対する反射率を、導電層１５１＿２の可視光に対する反射率より高くすることができる。ここで、導電層１５１＿２として銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１＿１に銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。
一方、チタンを用いた膜は、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。よって、導電層１５１＿３としてチタンを用いることにより、導電層１５１＿３を容易に形成できる。なお、アルミニウムを用いた膜も、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。
以上のように、導電層１５１を複数の層の積層構造とすることにより、発光装置の特性を向上させることができる。例えば、発光装置１０００を、光取り出し効率が高く、且つ信頼性が高い発光装置とすることができる。
ここで、発光デバイス１３０にマイクロキャビティ構造が適用されている場合は、導電層１５１＿３として、可視光に対する反射率が高い材料である銀、又は銀を含む合金を用いると、発光装置１０００の光取り出し効率を好適に高めることができる。
また、導電層１５１の材料選択、または加工方法により、図４（Ａ）に示すように、導電層１５１＿２の側面が、導電層１５１＿１、及び導電層１５１＿３の側面より内側に位置し、突出部を形成する場合がある。これにより、導電層１５２の導電層１５１に対する被覆性が低下し、導電層１５２の段切れが発生する恐れがある。
そこで、図４（Ａ）のように絶縁層１５６を設けることが好ましい。図４（Ａ）では、導電層１５１＿２の側面と重なる領域を有するように、導電層１５１＿１上に絶縁層１５６が設けられる例を示している。これにより、突出部に起因した導電層１５２の段切れまたは薄膜化の発生を抑制できるため、接続不良または駆動電圧の上昇を抑制することができる。
なお、図４（Ａ）においては、導電層１５１＿２の側面が絶縁層１５６に全て覆われる構造を図示したが、導電層１５１＿２の側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。以降に示す構成の画素電極においても、同様に導電層１５１＿２の側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。
また、図４（Ａ）に示すように、絶縁層１５６は、湾曲面を有することが好ましい。これにより、例えば絶縁層１５６の側面が垂直（Ｚ方向に平行）である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。また、絶縁層１５６が、側面にテーパ形状、具体的にはテーパ角が９０°未満のテーパ形状を有する場合であっても、例えば絶縁層１５６の側面が垂直である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。以上より、発光装置１０００を、歩留まりが高い方法で作製できる。また、不良の発生を抑制し、発光装置１０００は信頼性が高い発光装置とすることができる。
なお、本発明の一態様はこれに限らない。例えば、図４（Ｂ）乃至図４（Ｄ）に、第１の電極１０１のその他の構成を示す。
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の第１の電極１０１において、絶縁層１５６が導電層１５１＿２の側面だけでなく、導電層１５１＿１、導電層１５１＿２および導電層１５１＿３の側面を覆っている構成である。
図４（Ｃ）は図４（Ａ）の第１の電極１０１において、絶縁層１５６が設けられていない構成である。
図４（Ｄ）は図４（Ａ）の第１の電極１０１において、導電層１５１が積層構造を有しておらず、導電層１５２が積層構造を有している構成である。
導電層１５２＿１は、導電層１５２＿２に対する密着性が、例えば絶縁層１７５より高い層とする。導電層１５２＿１として、例えばインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、インジウムチタン酸化物、チタン酸亜鉛、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウムスズ酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。以上により、導電層１５２＿２の膜剥がれを抑制することができる。また、導電層１５２＿２を絶縁層１７５と接しない構成とすることができる。
導電層１５２＿２は、可視光に対する反射率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する反射率）が、導電層１５１、導電層１５２＿１、及び導電層１５２＿３より高い層とする。導電層１５２＿２の可視光に対する反射率は、例えば７０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは８０％以上１００％以下であり、より好ましくは９０％以上１００％以下である。また、導電層１５２＿２として、例えば銀、又は銀を含む合金を用いることができる。銀を含む合金として、例えば銀、パラジウム、及び銅の合金（ＡＰＣ）が挙げられる。以上により、発光装置１０００を、光取り出し効率が高い発光装置とすることができる。なお、導電層１５２＿２として、銀以外の金属を用いてもよい。
導電層１５２＿３は、導電層１５１及び導電層１５２を陽極として機能させる場合、仕事関数が大きい層とすることが好ましい。導電層１５２＿３は、例えば、導電層１５２＿２より仕事関数が大きい層とする。導電層１５２＿３として、例えば導電層１５２＿１に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。例えば、導電層１５２＿１と導電層１５２＿３に同一種の材料を用いる構成とすることができる。
なお、導電層１５１及び導電層１５２を陰極として機能させる場合、導電層１５２＿３は、仕事関数が小さい層とすることが好ましい。導電層１５２＿３は、例えば、導電層１５２＿２より仕事関数が小さい層とする。
また、導電層１５２＿３は、可視光に対する透過率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する透過率）が高い層とすることが好ましい。例えば、導電層１５２＿３の可視光に対する透過率は、導電層１５１、及び導電層１５２＿２の可視光に対する透過率より高いことが好ましい。例えば、導電層１５２＿３の可視光に対する透過率は、６０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは７０％以上１００％以下であり、より好ましくは８０％以上１００％以下である。以上により、有機化合物層１０３が発する光のうち、導電層１５２＿３に吸収される光を少なくすることができる。また、前述のように、導電層１５２＿３下の導電層１５２＿２は、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。よって、発光装置１０００を、光取り出し効率が高い発光装置とすることができる。
続いて図３に示す構成を有する発光装置１０００の作製方法例を図５乃至図１１を用いて説明する。
［作製方法例］
発光装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いて形成できる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。
また、発光装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成できる。
特に、発光デバイスの作製には、蒸着法等の真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法等の溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特に有機化合物層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、又は、マイクロコンタクト法等）等の方法により形成できる。
また、発光装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いて加工できる。又は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、例えばエッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。
まず、図５（Ａ）に示すように、基板（図示せず）上に絶縁層１７１を形成する。続いて、絶縁層１７１上に導電層１７２、及び導電層１７９を形成し、導電層１７２、及び導電層１７９を覆うように絶縁層１７１上に絶縁層１７３を形成する。続いて、絶縁層１７３上に絶縁層１７４を形成し、絶縁層１７４上に絶縁層１７５を形成する。
基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。
続いて、図５（Ａ）に示すように、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３に、導電層１７２に達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１７６を形成する。
続いて、図５（Ａ）に示すように、プラグ１７６上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５１Ｃとなる導電膜１５１ｆを形成する。導電膜１５１ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５１ｆとして、例えば金属材料を用いることができる。
続いて、図５（Ａ）に示すように、例えば導電膜１５１ｆ上にレジストマスク１９１を形成する。レジストマスク１９１は、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
続いて、図５（Ｂ）に示すように、例えばレジストマスク１９１と重ならない領域の導電膜１５１ｆを、例えばエッチング法、具体的には例えばドライエッチング法を用いて除去する。なお、導電膜１５１ｆが、例えばインジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用いた層を含む場合は、当該層はウェットエッチング法を用いて除去してもよい。これにより、導電層１５１が形成される。なお、例えば導電膜１５１ｆの一部をドライエッチング法により除去する場合、絶縁層１７５の導電層１５１と重ならない領域に凹部（ザグリともいう）が形成される場合がある。
続いて、図５（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９１を除去する。レジストマスク１９１は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。又は、酸素ガスと、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ等の第１８族元素と、を用いてもよい。又は、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９１を除去してもよい。
続いて、図５（Ｄ）に示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃとなる絶縁膜１５６ｆを形成する。絶縁膜１５６ｆの形成には、例えばＣＶＤ法、ＡＬＤ法、スパッタリング法、又は真空蒸着法を用いることができる。
絶縁膜１５６ｆには、無機材料を用いることができる。絶縁膜１５６ｆには、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、シリコンを含む酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、酸化窒化シリコンを用いることができる。
続いて、図５（Ｅ）に示すように、絶縁膜１５６ｆを加工することにより、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを形成する。例えば、絶縁膜１５６ｆの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、絶縁層１５６を形成できる。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバック処理ともいう。なお、絶縁層１５６を、フォトリソグラフィ法を用いて形成してもよい。
続いて、図６（Ａ）に示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、絶縁層１５６Ｒ上、絶縁層１５６Ｇ上、絶縁層１５６Ｂ上、絶縁層１５６Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃとなる導電膜１５２ｆを形成する。具体的には、例えば導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、導電層１５１Ｃ、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを覆うように、導電膜１５２ｆを形成する。
導電膜１５２ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５２ｆの形成には、ＡＬＤ法を用いることができる。また、導電膜１５２ｆとして、例えば導電性酸化物を用いることができる。又は、導電膜１５２ｆとして、金属材料を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。例えば、導電膜１５２ｆとして、チタン、銀、又は銀を含む合金を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。
続いて、図６（Ｂ）に示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて導電膜１５２ｆを加工し、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃを形成する。具体的には、例えばレジストマスクの形成後、エッチング法により導電膜１５２ｆの一部を除去する。導電膜１５２ｆは、例えばウェットエッチング法により除去できる。なお、導電膜１５２ｆを、ドライエッチング法により除去してもよい。以上により、導電層１５１と、導電層１５２と、を有する画素電極が形成される。
続いて、導電層１５２の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象となる表面を親水性から疎水性にすること、又は、処理対象となる表面の疎水性を高めることができる。導電層１５２の疎水化処理を行うことで、導電層１５２と、後の工程で形成される有機化合物層１０３と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。
続いて、図６（Ｃ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｂとなる有機化合物膜１０３Ｂｆを、導電層１５２Ｂ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｒ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
なお、本発明において、有機化合物膜１０３Ｂｆは、少なくとも１以上の発光層を有する複数の有機化合物層を有する。具体的には、実施の形態２で説明した発光デバイスの構造を参照することができる。また、少なくとも１以上の発光層を有する複数の有機化合物層が中間層を介して積層された構造を有してもよい。
図６（Ｃ）に示すように、導電層１５２Ｃ上には、有機化合物膜１０３Ｂｆを形成していない。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスク等ともいう）を用いることで、有機化合物膜１０３Ｂｆを所望の領域にのみ成膜できる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製できる。
有機化合物膜１０３Ｂｆは、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｂｆは、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。
続いて、図６（Ｄ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆ上に、後に犠牲層１５８Ｂとなる犠牲膜１５８Ｂｆと、後にマスク層１５９Ｂとなるマスク膜１５９Ｂｆと、を順に形成する。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｂｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。
なお、本実施の形態では、犠牲膜１５８Ｂｆとマスク膜１５９Ｂｆの２層構造でマスク膜を形成する例を示すが、マスク膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。
有機化合物膜１０３Ｂｆ上に犠牲膜を設けることで、発光装置の作製工程中に有機化合物膜１０３Ｂｆが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
犠牲膜１５８Ｂｆには、有機化合物膜１０３Ｂｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、有機化合物膜１０３Ｂｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１５９Ｂｆには、犠牲膜１５８Ｂｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｂｆに加わるダメージを低減できる。
ウェットエッチング法を用いる場合、特に酸性の薬液を用いることが好ましい。酸性の薬液としては、リン酸、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、シュウ酸、および硫酸などのいずれか一を含む薬液、または、２種以上の酸の混合薬液（混酸ともいう）を用いるとよい。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種又は複数種を用いることができる。
また、犠牲膜１５８Ｂｆおよびマスク膜１５９Ｂｆに、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、例えば露光工程で有機化合物層に紫外線が照射されることを抑制できる。有機化合物層が紫外線によってダメージを受けることを抑制することで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
なお、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する無機絶縁膜１２５ｆの材料として用いても、同様の効果を奏する。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。
なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いてもよい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとして、例えば、シリコン又はゲルマニウム等の半導体材料を用いることは、半導体の製造プロセスとの親和性が高いため好ましい。又、上記半導体材料の酸化物又は窒化物を用いることができる。又は、炭素等の非金属材料、又はその化合物を用いることができる。又は、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウム等の金属、又はこれらの一以上を含む合金が挙げられる。又は、酸化チタンもしくは酸化クロム等の上記金属を含む酸化物、又は窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタル等の窒化物を用いることができる。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとしては、それぞれ、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて有機化合物膜１０３Ｂｆとの密着性が高く好ましい。例えば、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成できる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特に有機化合物層）へのダメージを低減できるため好ましい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの一方又は双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくとも有機化合物膜１０３Ｂｆの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、有機化合物膜１０３Ｂｆへの熱的なダメージを低減でき、好ましい。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、又は、パーフルオロポリマー等のフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。
例えば、犠牲膜１５８Ｂｆとして、蒸着法又は上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、マスク膜１５９Ｂｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。
続いて、図６（Ｄ）に示すように、マスク膜１５９Ｂｆ上にレジストマスク１９０Ｂを形成する。レジストマスク１９０Ｂは、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
レジストマスク１９０Ｂは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。
レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｂと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１５２Ｃが発光装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１５２Ｃ上にレジストマスク１９０Ｂを設けなくてもよい。また、レジストマスク１９０Ｂは、図６（Ｃ）のＢ１－Ｂ２間の断面図に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆの端部から導電層１５２Ｃの端部（有機化合物膜１０３Ｂｆ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。
続いて、図６（Ｅ）に示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｂを形成する。マスク層１５９Ｂは、導電層１５２Ｂ上と、導電層１５２Ｃ上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１５９Ｂをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１５８Ｂｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂを形成する。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆは、それぞれ、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により加工できる。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの加工は、ウェットエッチングにより行うことが好ましい。
ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｂｆに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。
マスク膜１５９Ｂｆの加工においては、有機化合物膜１０３Ｂｆが露出しないため、犠牲膜１５８Ｂｆの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、マスク膜１５９Ｂｆの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、有機化合物膜１０３Ｂｆの劣化をより抑制できる。
ウェットエッチング法を用いる場合、特に酸性の薬液を用いることが好ましい。酸性の薬液としては、リン酸、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、シュウ酸、および硫酸などのいずれか一を含む薬液、または、２種以上の酸の混合薬液（混酸ともいう）を用いるとよい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｂｆの劣化を抑制できる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ等の第１８族元素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。
レジストマスク１９０Ｂは、レジストマスク１９１と同様の方法で除去できる。このとき、犠牲膜１５８Ｂｆが最表面に位置し、有機化合物膜１０３Ｂｆは露出していないため、レジストマスク１９０Ｂの除去工程において、有機化合物膜１０３Ｂｆにダメージが入ることを抑制できる。また、レジストマスク１９０Ｂの除去方法の選択の幅を広げることができる。
続いて、図６（Ｅ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆを加工して、有機化合物層１０３Ｂを形成する。例えば、マスク層１５９Ｂ及び犠牲層１５８Ｂをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｂを形成する。
これにより、図６（Ｅ）に示すように、導電層１５２Ｂ上に、有機化合物層１０３Ｂ、犠牲層１５８Ｂ、及び、マスク層１５９Ｂの積層構造が残存する。また、導電層１５２Ｇ及び導電層１５２Ｒは露出する。
有機化合物膜１０３Ｂｆの加工は、ドライエッチング又は、ウェットエッチングを用いることができる。例えば、ドライエッチング法により加工する場合は、酸素を含むエッチングガスを用いることができる。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。このため、有機化合物膜１０３Ｂｆに与えるダメージを抑制できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制できる。
また、酸素を含まないエッチングガスを用いてもよい。例えば、酸素を含まないエッチングガスを用いることで、有機化合物膜１０３Ｂｆの劣化を抑制できる。
以上のように、本発明の一態様では、マスク膜１５９Ｂｆ上にレジストマスク１９０Ｂを形成し、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去することにより、マスク層１５９Ｂを形成する。その後、マスク層１５９Ｂをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去することにより、有機化合物層１０３Ｂを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いて有機化合物膜１０３Ｂｆを加工することにより、有機化合物層１０３Ｂが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０Ｂを用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去してもよい。
ここで、導電層１５２Ｇの疎水化処理を必要に応じて行ってもよい。有機化合物膜１０３Ｂｆの加工時に、例えば導電層１５２Ｇの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電層１５２Ｇの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１５２Ｇと後の工程で形成される層（ここでは有機化合物層１０３Ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。
続いて、図７（Ａ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｇとなる有機化合物膜１０３Ｇｆを、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｒ上、マスク層１５９Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｂｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｂｆと同様の構成とすることができる。
続いて、図７（Ｂ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｇｆ上、及びマスク層１５９Ｂ上に、後に犠牲層１５８Ｇとなる犠牲膜１５８Ｇｆと、後にマスク層１５９Ｇとなるマスク膜１５９Ｇｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。犠牲膜１５８Ｇｆ及びマスク膜１５９Ｇｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｂに適用できる条件と同様である。
レジストマスク１９０Ｇは、導電層１５２Ｇと重なる位置に設ける。
続いて、図７（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９０Ｇを用いて、マスク膜１５９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｇを形成する。マスク層１５９Ｇは、導電層１５２Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、マスク層１５９Ｇをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｇｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｇを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｇｆを加工して、有機化合物層１０３Ｇを形成する。例えば、マスク層１５９Ｇ及び犠牲層１５８Ｇをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｇｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｇを形成する。
これにより、図７（Ｃ）に示すように、導電層１５２Ｇ上に、有機化合物層１０３Ｇ、犠牲層１５８Ｇ、及び、マスク層１５９Ｇの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｂ及び導電層１５２Ｒは露出する。
また、例えば導電層１５２Ｒの疎水化処理を行ってもよい。
続いて、図８（Ａ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｒとなる有機化合物膜１０３Ｒｆを、導電層１５２Ｒ上、マスク層１５９Ｇ上、マスク層１５９Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
有機化合物膜１０３Ｒｆは、有機化合物膜１０３Ｇｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｒｆは、有機化合物膜１０３Ｇｆと同様の構成とすることができる。
続いて、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９０Ｒを用いて、犠牲膜１５８Ｒｆから犠牲層１５８Ｒ、マスク膜１５９Ｒｆからマスク層１５９Ｒ、または有機化合物膜１０３Ｒｆから有機化合物層１０３Ｒを形成する。犠牲層１５８Ｒ、マスク層１５９Ｒ、有機化合物層１０３Ｒの形成方法は、有機化合物層１０３Ｇの記載を参酌することができる。
なお、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｒの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直又は概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。
上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定できる。このように、島状の有機化合物層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する発光装置を提供できる。また、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離も、狭めることができ、例えば１０μｍ以下、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下とすることができる。なお、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離は２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
次に、図９（Ａ）に示すように、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒを除去する。
なお、本実施の形態では、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒを除去する場合を例に挙げて説明するが、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒは除去しなくてもよい。例えば、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒが、前述の、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに次の工程に進むことで、有機化合物層を光照射（照明光を含む）から保護することができる。
マスク層の除去工程には、マスク膜の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに加わるダメージを低減できる。
また、マスク層を、水又はアルコール等の溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等が挙げられる。
マスク層を除去した後に、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに含まれる水、並びに有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
続いて、図９（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｒ、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを覆うように、後に無機絶縁層１２５となる無機絶縁膜１２５ｆを形成する。
後述するように、無機絶縁膜１２５ｆの上面に接して、後に絶縁層１２７となる絶縁膜が形成される。このため、無機絶縁膜１２５ｆの上面は、絶縁層１２７となる絶縁膜に用いる材料（例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物）に対して親和性が高いことが好ましい。当該親和性を向上させるため、無機絶縁膜１２５ｆの上面に表面処理を行ってもよい。具体的には、無機絶縁膜１２５ｆの表面を疎水化すること（又は疎水性を高めること）が好ましい。例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように無機絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化することにより、絶縁膜１２７ｆを密着性良く形成できる。
続いて、図９（Ｃ）に示すように、無機絶縁膜１２５ｆ上に、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する。
無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒへのダメージが少ない形成方法で成膜することが好ましい。特に、無機絶縁膜１２５ｆは、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ｆよりも、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒへのダメージが少ない形成方法で成膜することが好ましい。
また、無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、それぞれ、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、無機絶縁膜１２５ｆは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。
無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。
無機絶縁膜１２５ｆとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。
無機絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。無機絶縁膜１２５ｆとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。
そのほか、無機絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、又は、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い発光装置を生産性高く作製できる。
絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。
絶縁膜１２７ｆは、例えば、重合体、酸発生剤、及び溶媒を有する樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。重合体は、１種又は複数種の単量体を用いて形成され、１種又は複数種の構造単位（構成単位ともいう）が規則的又は不規則に繰り返された構造を有する。酸発生剤としては、光の照射により酸を発生する化合物、及び、加熱により酸を発生する化合物の一方又は双方を用いることができる。樹脂組成物は、さらに、感光剤、増感剤、触媒、接着助剤、界面活性剤、酸化防止剤のうち一つ又は複数を有していてもよい。
また、絶縁膜１２７ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｒの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ｆ中に含まれる溶媒を除去できる。
続いて、露光を行って、絶縁膜１２７ｆの一部に、可視光線又は紫外線を感光させる。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に可視光線又は紫外線を照射する。絶縁層１２７は、導電層１５２Ｂ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｒのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１５２Ｃの周囲に形成される。このため、導電層１５２Ｂ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｒ上、及び、導電層１５２Ｃ上に、可視光線又は紫外線を照射する。なお、絶縁膜１２７ｆにネガ型の感光性材料を用いる場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線又は紫外線を照射する。
絶縁膜１２７ｆへの露光領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御できる。本実施の形態では、絶縁層１２７が導電層１５１の上面と重なる部分を有するように加工する。
ここで、犠牲層１５８（犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒ）、及び無機絶縁膜１２５ｆの一方又は双方として、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）を設けることで、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに酸素が拡散することを低減できる。有機化合物層は、光（可視光線又は紫外線）が照射されると、当該有機化合物層に含まれる有機化合物が励起状態となり、雰囲気中に含まれる酸素との反応が促進される場合がある。より具体的には、酸素を有する雰囲気下において、光（可視光線又は紫外線）が有機化合物層に照射されると当該有機化合物層が有する有機化合物に酸素が結合する可能性がある。犠牲層１５８及び無機絶縁膜１２５ｆを島状の有機化合物層上に設けることによって、当該有機化合物層に含まれる有機化合物に雰囲気中の酸素が結合することを低減できる。
続いて、図１０（Ａ）に示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ａを形成する。絶縁層１２７ａは、導電層１５２Ｂ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｒのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１５２Ｃを囲う領域に形成される。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることができ、例えば、ＴＭＡＨを用いることができる。
続いて、図１０（Ｂ）に示すように、絶縁層１２７ａをマスクとして、エッチング処理を行って、無機絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ａの下に、無機絶縁層１２５が形成される。なお、以下では、絶縁層１２７ａをマスクに用いた無機絶縁膜１２５ｆを加工するエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。
つまり、第１のエッチング処理では、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒ上に、対応する犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを残存させておくことで、後の工程の処理で、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒが損傷することを防ぐことができる。
第１のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングによって行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒと同様の材料を用いて成膜していた場合、無機絶縁膜１２５ｆの加工、および露出した犠牲層１５８の薄膜化を第１のエッチング処理により一括で行うことができるため、好ましい。
側面がテーパ形状である絶縁層１２７ａをマスクとしてエッチングを行うことで、無機絶縁層１２５の側面、及び犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。
例えば、第１のエッチング処理をドライエッチングで行う場合、塩素系のガスを用いることができる。塩素系ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、及びＣＣｌ４等を、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガス等を、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加できる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成できる。
また、例えば、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことができる。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに加わるダメージを低減できる。
ウェットエッチングは、酸性の薬液を用いることが好ましい。酸性の薬液としては、リン酸、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、シュウ酸、および硫酸などのいずれか一を含む薬液、または、２種以上の酸の混合薬液（混酸ともいう）を用いるとよい。
また、アルカリ溶液を用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液であるＴＭＡＨを用いることができる。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。
続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ａを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる（図１０（Ｃ））。当該加熱処理は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ｆの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。
加熱処理により、絶縁層１２７と無機絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。また、絶縁層１２７ａが変形することにより、無機絶縁層１２５の端部を絶縁層１２７で覆う形状にすることができる。
第１のエッチング処理にて、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態の犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを残存させておくことで、当該加熱処理において、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
続いて、図１１（Ａ）に示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの一部を除去する。なお、この際に、無機絶縁層１２５の一部も除去される場合がある。当該エッチング処理により、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒに開口が形成され、当該開口から有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｒ、及び導電層１５２Ｃの上面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用い、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒを露出するエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。
第２のエッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチングは、第１のエッチング処理と同様に酸性の薬液、またはアルカリ溶液を用いて行うことができる。
また、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、有機化合物層に含まれる水、及び有機化合物層表面に吸着する水等を除去できる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、無機絶縁層１２５の端部、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの端部、及び、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある。
なお、図１１（Ａ）では、犠牲層１５８Ｇの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す（図４（Ａ）参照）。
また、絶縁層１２７は、犠牲層１５８Ｇの端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、犠牲層１５８Ｇの端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７の端部が、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの少なくとも一つの上面に接する場合がある。
続いて、図１１（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３Ｂ上、有機化合物層１０３Ｇ上、有機化合物層１０３Ｒ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１２７上に共通電極１５５を形成する。共通電極１５５は、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の方法で形成できる。又は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させて、共通電極１５５を形成してもよい。
続いて、図１１（Ｃ）に示すように、共通電極１５５上に保護層１３１を形成する。保護層１３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成できる。
続いて、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、発光装置を作製できる。前述のように、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、導電層１５１の側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６を設け、且つ導電層１５１及び絶縁層１５６を覆うように導電層１５２を形成する。これにより、発光装置の歩留まりを高め、また不良の発生を抑制できる。
以上のように、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、島状の有機化合物層１０３Ｂ、島状の有機化合物層１０３Ｇ、及び島状の有機化合物層１０３Ｒは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成できる。そして、高精細な発光装置又は高開口率の発光装置を実現できる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｒが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い発光装置を実現できる。また、フォトリソグラフィ法を用いて作製されたタンデム型の発光デバイスを有する発光装置であっても、良好な特性の発光装置を提供することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図１２（Ａ）乃至図１２（Ｇ）、及び図１３（Ａ）乃至図１３（Ｉ）を用いて説明する。
［画素のレイアウト］
本実施の形態では、主に、図３とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用できる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列が挙げられる。
本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。
なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。
また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。
図１２（Ａ）に示す画素１７８には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１２（Ａ）に示す画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂの、３つの副画素から構成される。
図１２（Ｂ）に示す画素１７８は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０Ｒと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０Ｇと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を有する副画素１１０Ｂと、を有する。また、副画素１１０Ｒは、副画素１１０Ｇよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定できる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。
図１２（Ｃ）に示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１２（Ｃ）では、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇを有する画素１２４ａと、副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｂを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。
図１２（Ｄ）乃至図１２（Ｆ）に示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有する。
図１２（Ｄ）は、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１２（Ｅ）は、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図１２（Ｆ）は、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。
図１２（Ｆ）では、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０Ｒに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０Ｇと３つの副画素１１０Ｂが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。
図１２（Ｇ）は、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇ、又は、副画素１１０Ｇと副画素１１０Ｂ）の上辺の位置がずれている。
図１２（Ａ）乃至図１２（Ｇ）に示す各画素において、例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定できる。例えば、副画素１１０Ｇを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｒを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。
フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。
さらに、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、レジストマスクを用いて有機化合物層を島状に加工する。有機化合物層上に形成したレジスト膜は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、有機化合物層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、有機化合物層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、有機化合物層の上面形状が円形になることがある。
なお、有機化合物層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、例えばマスクパターン上の図形コーナー部に補正用のパターンを追加する。
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｉ）に示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）に示す画素１７８は、ストライプ配列が適用されている。
図１３（Ａ）は、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１３（Ｂ）は、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１３（Ｃ）は、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。
図１３（Ｄ）乃至図１３（Ｆ）に示す画素１７８は、マトリクス配列が適用されている。
図１３（Ｄ）は、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１３（Ｅ）は、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１３（Ｆ）は、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。
図１３（Ｇ）及び図１３（Ｈ）では、１つの画素１７８が、２行３列で構成されている例を示す。
図１３（Ｇ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。
図１３（Ｈ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０Ｗを有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｗを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｗを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂ及び副画素１１０Ｗを有する。図１３（Ｈ）に示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、例えば製造プロセスで生じうるゴミを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い発光装置を提供できる。
図１３（Ｇ）及び図１３（Ｈ）に示す画素１７８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。
図１３（Ｉ）では、１つの画素１７８が、３行２列で構成されている例を示す。
図１３（Ｉ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０Ｇを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０Ｂを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇを有し、右の列（２列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。
図１３（Ｉ）に示す画素１７８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｉ）に示す画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗの、４つの副画素から構成される。例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｗを白色の光を呈する副画素とすることができる。なお、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗのうち少なくとも１つを、シアンの光を呈する副画素、マゼンタの光を呈する副画素、黄色の光を呈する副画素、又は近赤外光を呈する副画素としてもよい。
以上のように、本発明の一態様の発光装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用できる。
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について説明する。
本実施の形態の発光装置は、高精細な発光装置とすることができる。したがって、本実施の形態の発光装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）等のＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
また、本実施の形態の発光装置は、高解像度な発光装置又は大型な発光装置とすることができる。したがって、本実施の形態の発光装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。
［表示モジュール］
図１４（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、発光装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する発光装置は発光装置１００Ａに限られず、後述する発光装置１００Ｂおよび発光装置１００Ｃのいずれかであってもよい。
表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
図１４（Ｂ）に、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１４（Ｂ）の右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用できる。図１４（Ｂ）では、画素２８４ａが図３に示す画素１７８と同様の構成を有する場合を例に示す。
画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソース又はドレインにはビデオ信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の発光装置が実現されている。
回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計等の装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。
［発光装置１００Ａ］
図１５（Ａ）に示す発光装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
基板３０１は、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）における基板２９１に相当する。トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。
また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。
導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１７４が設けられ、絶縁層１７４上に絶縁層１７５が設けられている。絶縁層１７５上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図１５（Ａ）では、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図１（Ａ）に示す積層構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。例えば図１５（Ａ）では、当該領域に無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。
発光デバイス１３０Ｒが有する導電層１５１Ｒの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、発光デバイス１３０Ｇが有する導電層１５１Ｇの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｇが設けられ、発光デバイス１３０Ｂが有する導電層１５１Ｂの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｂが設けられる。また、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇ及び絶縁層１５６Ｇを覆うように導電層１５２Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂ及び絶縁層１５６Ｂを覆うように導電層１５２Ｂが設けられる。さらに、発光デバイス１３０Ｒが有する有機化合物層１０３Ｒ上には、犠牲層１５８Ｒが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する有機化合物層１０３Ｇ上には、犠牲層１５８Ｇが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する有機化合物層１０３Ｂ上には、犠牲層１５８Ｂが位置する。
導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層１７５の上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致又は概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。
また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイス１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態３を参照できる。基板１２０は、図１４（Ａ）における基板２９２に相当する。
図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示す発光装置１００Ａの変形例である。図１５（Ｂ）に示す発光装置は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有し、発光デバイス１３０が着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。図１５（Ｂ）に示す発光装置において、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。
［発光装置１００Ｂ］
図１６に、発光装置１００Ｂの斜視図を示し、図１７（Ａ）に、発光装置１００Ｂの断面図を示す。
発光装置１００Ｂは、基板３５２と基板３５１とが貼り合わされた構成を有する。図１６では、基板３５２を破線で明示している。
発光装置１００Ｂは、画素部１７７、接続部１４０、回路３５６、及び配線３５５等を有する。図１６では発光装置１００ＢにＩＣ（集積回路）３５４及びＦＰＣ３５３が実装されている例を示している。このため、図１６に示す構成は、発光装置１００Ｂと、ＩＣと、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。ここで、発光装置の基板に、ＦＰＣ等のコネクタが取り付けられたもの、又は当該基板にＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ。
接続部１４０は、画素部１７７の外側に設けられる。接続部１４０は、画素部１７７の一辺又は複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１６では、画素部１７７の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給できる。
回路３５６としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
配線３５５は、画素部１７７及び回路３５６に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ３５３を介して外部から、又はＩＣ３５４から配線３５５に入力される。
図１６では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３５４が設けられている例を示す。ＩＣ３５４は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、発光装置１００Ｂ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。
図１７（Ａ）に、発光装置１００Ｂの、ＦＰＣ３５３を含む領域の一部、回路３５６の一部、画素部１７７の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
図１７（Ａ）に示す発光装置１００Ｂは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図１（Ａ）に示す積層構造を有する。発光デバイスの詳細は先の実施の形態を参照できる。
発光デバイス１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１５１Ｒと、導電層１５１Ｒ上の導電層１５２Ｒと、を有する。発光デバイス１３０Ｇは、導電層２２４Ｇと、導電層２２４Ｇ上の導電層１５１Ｇと、導電層１５１Ｇ上の導電層１５２Ｇと、を有する。発光デバイス１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１５１Ｂと、導電層１５１Ｂ上の導電層１５２Ｂと、を有する。ここで、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、及び導電層１５２Ｒの全てをまとめて、発光デバイス１３０Ｒの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｒを除いた導電層１５１Ｒ及び導電層１５２Ｒを、発光デバイス１３０Ｒの画素電極と呼ぶこともできる。同様に、導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５２Ｇの全てをまとめて、発光デバイス１３０Ｇの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｇを除いた導電層１５１Ｇ及び導電層１５２Ｇを、発光デバイス１３０Ｇの画素電極と呼ぶこともできる。また、導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５２Ｂの全てをまとめて、発光デバイス１３０Ｂの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｂを除いた導電層１５１Ｂ及び導電層１５２Ｂを、発光デバイス１３０Ｂの画素電極と呼ぶこともできる。
導電層２２４Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２４Ｒの端部よりも外側に導電層１５１Ｒの端部が位置している。導電層１５１Ｒの側面と接する領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられる。
発光デバイス１３０Ｇにおける導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、導電層１５２Ｇ、絶縁層１５６Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂにおける導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、導電層１５２Ｂ、絶縁層１５６Ｂについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、導電層１５２Ｒ、絶縁層１５６Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。
導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。
層１２８は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部を平坦化する機能を有する。導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂ及び層１２８上には、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと電気的に接続される導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂが設けられている。したがって、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。
層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用できる。
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板３５２は接着層１４２を介して接着されている。基板３５２には、遮光層１５７が設けられている。発光デバイス１３０の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図１７（Ａ）では、基板３５２と基板３５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
図１７（Ａ）では、接続部１４０が、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層２２４Ｃと、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５１Ｃと、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５２Ｃと、を有する例を示している。また、図１７（Ａ）では、導電層１５１Ｃの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｃが設けられる例を示している。
発光装置１００Ｂは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板３５２側に射出される。基板３５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１５５）は可視光を透過する材料を含む。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板３５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製できる。
基板３５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。
トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、発光装置の信頼性を高めることができる。
絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は窒化アルミニウム膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、又は導電層１５２Ｒ等の加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制できる。又は、絶縁層２１４には、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、又は導電層１５２Ｒ等の加工時に、凹部が設けられてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。
本実施の形態の発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、又は逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。又は、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタの半導体層は、金属酸化物を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の発光装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。
結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）－ＯＳ、又はｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）－ＯＳ等が挙げられる。
又は、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、又は非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。
ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、発光装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減できる。
ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース－ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、発光装置の消費電力を低減できる。
また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。このためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース－ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース－ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース－ドレイン間には高い電圧を印加できる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。
また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース－ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。このため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、発光デバイスの電流－電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース－ドレイン間電圧を高くしても、ソース－ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。
上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、及び「発光デバイスのばらつきの抑制」等を図ることができる。
半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。
特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。
半導体層がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５又はその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。
回路３５６が有するトランジスタと、画素部１７７が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路３５６が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、画素部１７７が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
画素部１７７が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、画素部１７７が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、画素部１７７が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。
例えば、画素部１７７にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い発光装置を実現できる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、例えば配線の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。
例えば、画素部１７７が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。
一方、画素部１７７が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持できるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減できる。
このように本発明の一態様の発光装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。
なお、本発明の一態様の発光装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横方向リーク電流、横リーク電流、又はラテラルリーク電流と呼称する場合がある）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、発光装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）等が限りなく少ない表示とすることができる。
特に、ＭＭＬ構造の発光デバイスの中でも、先に示した発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造であるＳＢＳ（Ｓｉｄｅ Ｂｙ Ｓｉｄｅ）構造を適用することで、発光デバイスの間に設けられる層（例えば、発光デバイスの間で共通して用いる有機層、共通層ともいう）が分断された構成となるため、サイドリークをなくす、又はサイドリークを極めて少なくすることができる。
図１７（Ｂ）及び図１７（Ｃ）に、トランジスタの他の構成例を示す。
トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
図１７（Ｂ）に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
一方、図１７（Ｃ）に示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１７（Ｃ）に示す構造を作製できる。図１７（Ｃ）では、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
基板３５１の、基板３５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線３５５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ３５３と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３５３とを接続層２４２を介して電気的に接続できる。
基板３５２の基板３５１側の面には、遮光層１５７を設けることが好ましい。遮光層１５７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路３５６等に設けることができる。また、基板３５２の外側には各種光学部材を配置できる。
基板３５１及び基板３５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用できる。
接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用できる。
接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
［発光装置１００Ｈ］
図１８に示す発光装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の発光装置である点で、図１７（Ａ）に示す発光装置１００Ｂと主に相違する。
発光デバイスが発する光は、基板３５１側に射出される。基板３５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板３５２に用いる材料の透光性は問わない。
基板３５１とトランジスタ２０１との間、基板３５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１５７を形成することが好ましい。図１８では、基板３５１上に遮光層１５７が設けられ、遮光層１５７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。
発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。
発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。
導電層１１２Ｒ、１１２Ｂ、１２６Ｒ、１２６Ｂ、１２９Ｒ、１２９Ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１５５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。
なお、図１８では、発光デバイス１３０Ｇを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇも設けられている。
また、図１８などでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。
［発光装置１００Ｃ］
図１９（Ａ）に示す発光装置１００Ｃは、図１７（Ａ）に示す発光装置１００Ｂの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有する点で、発光装置１００Ｂと主に相違する。
発光装置１００Ｃにおいて、発光デバイス１３０は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは、基板３５２の基板３５１側の面に設けることができる。着色層１３２Ｒの端部、着色層１３２Ｇの端部、及び着色層１３２Ｂの端部は、遮光層１５７と重ねることができる。
発光装置１００Ｃにおいて、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。なお、発光装置１００Ｃは、保護層１３１と接着層１４２の間に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける構成としてもよい。
図１７（Ａ）及び図１９（Ａ）等では、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図１９（Ｂ）乃至図１９（Ｄ）に、層１２８の変形例を示す。
図１９（Ｂ）及び図１９（Ｄ）に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。また、共通電極１５５と接するように共通層１５４を設けてもよい。
また、図１９（Ｃ）に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方又は双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つ又は複数とすることができる。
また、層１２８の上面の高さと、導電層２２４Ｒの上面の高さと、は、一致又は概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層２２４Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。
また、図１９（Ｂ）は、導電層２２４Ｒに形成された凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図１９（Ｄ）のように、導電層２２４Ｒに形成された凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の発光装置を有する。本発明の一態様の発光装置は信頼性が高く、また高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。
特に、本発明の一態様の発光装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。
本発明の一態様の発光装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の発光装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する発光装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の発光装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、発光装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、及び１６：１０等様々な画面比率に対応できる。
本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。
図２０（Ａ）乃至図２０（Ｄ）を用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲ等の少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。
図２０（Ａ）に示す電子機器７００Ａ、及び、図２０（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。
表示パネル７５１には、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影できる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。
通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給できる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。
また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電できる。
筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作等を検出し、様々な処理を実行できる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開等の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行すること等が可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。
タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用できる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用できる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。
光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光素子として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。
図２０（Ｃ）に示す電子機器８００Ａ、及び、図２０（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。
表示部８２０には、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認できる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。
装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着できる。なお、例えば図２０（Ｃ）においては、メガネのつる（ジョイント、又はテンプル等ともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。
撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力できる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。
なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又は、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）等の距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。
電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用できる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続できる。
本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信できる。例えば、図２０（Ａ）に示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２０（Ｃ）に示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。
また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２０（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。
同様に、図２０（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定でき、収納が容易となり好ましい。
なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォン等を接続できる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイク等の集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。
このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。
また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信できる。
図２１（Ａ）に示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
表示部６５０２に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
図２１（Ｂ）は、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。
保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
表示パネル６５１１には本発明の一態様の発光装置を適用できる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
図２１（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１７１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１７３により筐体７１７１を支持した構成を示している。
表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
図２１（Ｃ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１７１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１５１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１５１は、当該リモコン操作機７１５１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１５１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作できる。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士等）の情報通信を行うことも可能である。
図２１（Ｄ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
図２１（Ｅ）及び図２１（Ｆ）に、デジタルサイネージの一例を示す。
図２１（Ｅ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
図２１（Ｆ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
図２１（Ｅ）及び図２１（Ｆ）において、表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作でき、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
また、図２１（Ｅ）及び図２１（Ｆ）に示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
図２２（Ａ）乃至図２２（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
図２２（Ａ）乃至図２２（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図２２（Ａ）乃至図２２（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図２２（Ａ）は、携帯情報端末９１７１を示す斜視図である。携帯情報端末９１７１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１７１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１７１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示できる。図２２（Ａ）では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。
図２２（Ｂ）は、携帯情報端末９１７２を示す斜視図である。携帯情報端末９１７２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１７２を収納した状態で、携帯情報端末９１７２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１７２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
図２２（Ｃ）は、タブレット端末９１７３を示す斜視図である。タブレット端末９１７３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１７３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。
図２２（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
図２２（Ｅ）乃至図２２（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２２（Ｅ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２２（Ｇ）は折り畳んだ状態、図２２（Ｆ）は図２２（Ｅ）と図２２（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（（合成例１））
本実施例では、本発明の一態様の有機金属錯体の物性および合成方法について説明する。具体的には、実施の形態１において構造式（１００）で示す、（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３））の合成方法について説明する。なお、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）の構造を以下に示す。
＜ステップ１：４－フェニル－２－フルオロ－５－ピコリンの合成＞
１Ｌ三口フラスコに４－ヨード－２－フルオロ－５－ピコリン２５ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸２０ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（略称：Ｋ２ＣＯ３）４４ｇ（３１７ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン４２０ｍＬ、水１１０ｍＬを加えた。この混合物を減圧下において脱気し、フラスコ内を窒素置換したのち、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）６．５ｇ（５．６ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を８５℃の加熱条件下、１５時間攪拌した。反応後、反応混合物を減圧濃縮し、ジクロロメタンによる抽出を行った。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてヘキサン：ジクロロメタン＝６：４の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを減圧濃縮し、目的物の黄色オイルを１６ｇ、収率８３％で得た。４－フェニル－２－フルオロ－５－ピコリンの合成スキームを下記（ａ－１）に示す。
＜ステップ２：９－（５－メチル－４－フェニルピリジン－２－イル）－２－ブロモカルバゾールの合成＞
５００ｍＬ三口フラスコに４－フェニル－２－フルオロ－５－ピコリン１５ｇ（８０ｍｍｏｌ）、２－ブロモカルバゾール１６ｇ（６６ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４３ｇ（１３３ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（略称：ＤＭＦ）１５０ｍＬを加えた。この混合物を減圧下において脱気し、フラスコ内を窒素置換したのち、１２０℃の加熱条件下、２４時間攪拌した。反応後、トルエンを用いて吸引ろ過した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてヘキサン：トルエン＝５：１の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを減圧濃縮し、目的物の黄色オイルを１１ｇ、収率４０％で得た。９－（５－メチル－４－フェニルピリジン－２－イル）－２－ブロモカルバゾールの合成スキームを下記（ａ－２）に示す。
＜ステップ３：９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］－２－ブロモカルバゾールの合成＞
１００ｍＬ三口フラスコに９－（５－メチル－４－フェニルピリジン－２－イル）－２－ブロモカルバゾール７．０ｇ（１７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド９７ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え、その後にジメチルスルホキシド－ｄ６（略称：ＤＭＳＯ－ｄ６）を２４ｍＬ（３４０ｍｍｏｌ）加えた。この混合物を減圧下において脱気し、フラスコ内を窒素置換し、室温で２時間３０分攪拌した。反応後、得られた反応混合物をトルエンによる抽出を行った。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてヘキサン：トルエン＝９：１の混合溶媒を用い、徐々にトルエンの比率を増やしていき、最終的にはヘキサン：トルエン＝１：１の混合溶媒を展開溶媒として用いた。得られたフラクションを減圧濃縮し、黄色オイルを５．８ｇ、収率８２％で得た。９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］－２－ブロモカルバゾールの合成スキームを下記（ａ－３）に示す。
＜ステップ４：９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］－２－ヒドロキシカルバゾールの合成＞
２００ｍＬナスフラスコに、９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］－２－ブロモカルバゾール５．８ｇ（１４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド２．８ｇ（２９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（略称：ＤＭＳＯ）５６ｍＬ、水１４ｍＬを加えた。この混合物を減圧下において脱気し、フラスコ内を窒素置換したのち、塩化銅（Ｉ）６９ｍｇ（０．６９ｍｍｏｌ）およびＮ１，Ｎ２－ビス（４－ヒドロキシ－２，６－ジメチルフェニル）オキサラミド０．２３ｇ（０．６９ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を１１０℃の加熱条件下、３時間攪拌した。反応後、反応溶液を２Ｌ三角フラスコに移し、水１．５Ｌを加えた。析出した固体を吸引ろ過によって回収し、黄白色固体を得た。得られた化合物をトルエンにて再結晶することにより、目的物の黄白色固体を３．８ｇ、収率７７％で得た。９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］－２－ヒドロキシカルバゾールの合成スキームを下記（ａ－４）に示す。
＜ステップ５：２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］－２－ヒドロキシカルバゾール３．８ｇ（１１ｍｍｏｌ）、１－（３－ブロモフェニル）ベンゾイミダゾール４．４ｇ（１６ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム４．６ｇ（２２ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（略称：ＤＭＳＯ）１１０ｍＬを加えた。この混合物を減圧下において脱気し、フラスコ内を窒素置換したのち、ヨウ化銅２１０ｍｇ（１．１ｍｍｏｌ）およびピコリン酸１３０ｍｇ（１．１ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を１６０℃の加熱条件下、６時間攪拌した。反応後、反応混合物を酢酸エチルによる抽出を行った。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。展開溶媒としてトルエン：酢酸エチル＝１０：１の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを減圧濃縮した。その後、クロロホルムを展開溶媒とする高速液体クロマトグラフィーにより単離精製し、目的物の褐色固体５．１ｇ、収率８７％で得た。２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成スキームを下記（ａ－５）に示す。
＜ステップ６：１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［３－（｛９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸の合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール５．１ｇ（９．３ｍｍｏｌ）、（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）（メシチル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸８．２ｇ（１４ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（略称：ＤＭＦ）４７ｍＬを加えた。この混合物を減圧下において脱気し、フラスコ内を窒素置換したのち、酢酸銅（ＩＩ）２５４ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を１００℃で８時間攪拌した。反応後、溶媒を留去し、得られた残渣を、ジクロロメタン：アセトン＝９：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物の褐色オイル３．４ｇ、収率４１％で得た。１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［３－（｛９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸の合成スキームを下記（ａ－６）に示す。
＜ステップ７：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）の合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［３－（｛９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸３．４ｇ（３．８ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム９５０ｍｇ（１２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１５０ｍＬを加えた。この混合物を減圧下において脱気し、フラスコ内を窒素置換したのち、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ＣＯＤ）Ｃｌ２）１．４ｇ（３．８ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を１６０℃で４時間加熱することで反応させた。反応溶液をジクロロメタンによる抽出を行った。その後、ヘキサン：トルエン＝１：９を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、トルエン：エタノールの混合溶媒を用いた再結晶によって、目的物の黄色固体４００ｍｇ、収率１１％で得た。構造式（１００）で表されるＰｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）の合成スキームを下記（ａ－７）に示す。
得られた黄色固体４００ｍｇをトレインサブリメーション法によって、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎ、圧力３．０Ｐａ、加熱温度２９０℃の条件下で、１８時間加熱し、昇華精製を行った。その結果、黄色固体を２５０ｇ、回収率６３％で得た。
＜有機金属錯体の特性＞
上記ステップ７で得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図２３に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）が得られたことを確認した。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝８．８９（ｓ，１Ｈ），８．２８（ｄ，１Ｈ），８．０７－８．０４（ｍ，１Ｈ），７．８６－７．７８（ｍ，５Ｈ），７．７２（ｄ，１Ｈ），７．５６－７．５０（ｍ，３Ｈ），７．４５－７．３１（ｍ，８Ｈ），７．１８－７．１２（ｍ，３Ｈ），１．４９（ｂｒｓ，９Ｈ），１．１６（ｂｒｓ，９Ｈ）．
＜発光スペクトルおよび吸収スペクトル測定＞
次に、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ７７０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、分光蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００）を用いた。得られたジクロロメタン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図２４に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
図２４の結果より、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）のジクロロメタン溶液では、４２２ｎｍ、３７１ｎｍ、３１４ｎｍ、２５９ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４９４ｎｍ、４６７ｎｍ付近に発光ピークが見られた。
＜熱重量測定結果＞
Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）の熱重量測定－示差熱分析（Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ：ＴＧ－ＤＴＡ）を行った。その結果を図２５に示す。なお、測定には高真空差動型示差熱天秤（ブルカー・エイエックスエス株式会社製、ＴＧ－ＤＴＡ２４１０ＳＡ）を用いた。
なお、測定は２条件下で行った。第１の条件は、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素気流下（流速２００ｍＬ／ｍｉｎ）、圧力条件は大気圧と同等とした。一方、第２の条件は、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素気流下（流速２．５ｍＬ／ｍｉｎ）、圧力条件は１０Ｐａとした。
図２５より、熱重量測定－示差熱分析においてＰｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）は、大気圧下において、熱重量測定から求めた重量が測定開始時の－５％となる温度（分解温度）が４７３℃であることがわかった。一方、測定装置を１０Ｐａに制御した場合において、熱重量測定から求めた重量が測定開始時の－５％となる温度（昇華温度）が３０５℃であることがわかった。従って、昇華温度と分解温度との差が１６８℃であった。
つまり、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）は、高い耐熱性を有する物質であることが示された。また、昇華温度と分解温度の差が１００℃以上であるため、発光デバイスに用いる場合、生産工程において、安定した蒸着工程が可能となる。従って、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）を用いることで、歩留まり良く、生産性が高い発光デバイスを提供することができる。
本実施例では、本発明の一態様である、フェニル基および重水素を含むアルキル基を有する有機金属錯体、（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３））（１００）を用いた発光デバイス２Ａと、比較用の有機金属錯体、ＰｔＯＮ－ＴＢＢＩを用いた比較用の発光デバイス２Ｂを作製した。
発光デバイス２Ａ、および比較用の発光デバイス２Ｂに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
なお、各発光デバイスは、図２６に示すように、ガラス基板９００上に形成された第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層された構造を有する。
＜発光デバイス２Ａの作製方法＞
ガラス基板９００上に透明電極として、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により７０ｎｍの膜厚で成膜して第１の電極９０１を形成した。なお、電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１×１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、自然冷却させた。
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、第１の電極９０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極９０１上に、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）と、をＢＢＡＢｎｆ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．１（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層９１１を形成した。
次に、正孔注入層９１１上に、ＢＢＡＢｎｆを膜厚３０ｎｍとなるように蒸着し、続いて、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）を膜厚５ｎｍとなるように蒸着して、正孔輸送層９１２を形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、９，９’－｛６－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル｝ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＳｉＴｒｚＣｚ２）と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）と、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）＝０．４３５：０．４３５：０．１３（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、発光層９１３を形成した。なお、ＳｉＴｒｚＣｚ２とＰＳｉＣｚＣｚは励起錯体を形成する組み合わせである。
次に、発光層９１３上に、２－フェニル－４，６－ビス［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＳｉＴｒｚ）を膜厚５ｎｍになるよう蒸着し、続いて、ｍＳｉＴｒｚと８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）とを１：１（重量比）で膜厚２０ｎｍになるよう共蒸着して、電子輸送層９１４を形成した。
次に、電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
次に、電子注入層９１５上に、アルミニウム（Ａｌ）を膜厚２００ｎｍになるよう蒸着し、第２の電極９０２を形成した。
＜比較用の発光デバイス２Ｂの作製方法＞
続いて、比較用の発光デバイス２Ｂの作製方法を説明する。
発光デバイス２Ｂは、発光層９１３の構成が発光デバイス２Ａと異なる。つまり、発光デバイス２Ｂは、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＳｉＴｒｚＣｚ２と、ＰＳｉＣｚＣｚと、ＰｔＯＮ－ＴＢＢＩと、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：ＰｔＯＮ－ＴＢＢＩ＝０．４３５：０．４３５：０．１３（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、発光層９１３を形成した。
なお、他の構成は発光デバイス２Ａと同様にして作製した。
上記発光デバイス２Ａ、および発光デバイス２Ｂの素子構造を以下の表にまとめる。なお、表中のＸはＰｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）またはＰｔＯＮ－ＴＢＢＩを表す。
＜発光デバイス特性＞
上記発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイスの特性について測定を行った。
発光デバイスの輝度－電流密度特性を図２７に、輝度－電圧特性を図２８に、電流効率－電流密度特性を図２９に、電流密度－電圧特性を図３０に、電力効率－電流密度特性を図３１に、外部量子効率－電流密度特性を図３２に、発光スペクトルを図３３に示す。
また、発光デバイスの電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における主要な特性を下表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。また、外部量子効率は、分光放射計を用いて測定した輝度と発光スペクトルを用い、配光特性がランバーシアン型であると仮定し算出した。
図２７乃至図３３より、発光デバイス２Ａは、高効率で駆動する発光デバイスであることが分かった。従って、発光デバイス２Ａは、フェニル基、および重水素を含むアルキル基を有する白金（Ｐｔ）の有機金属錯体を発光デバイスに用いることで、高効率の発光デバイスを提供することができることが確認できた。
ここで、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）のＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定で算出した。測定には電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。測定におけるＰｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用いた。測定では、参照電極に対する作用電極の電位を適切な範囲で変化させて各々酸化ピーク電位、及び還元ピーク電位を得た。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ－３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。また、参照電極のレドックスポテンシャルが－４．９４ｅＶであることが見積もられているため、この数値と得られたピーク電位から、化合物のＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位を算出した。その結果、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）のＨＯＭＯ準位は－５．５ｅＶであり、ＬＵＭＯ準位は－２．５８ｅＶであった。このことから、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）は深いＨＯＭＯ準位を有することが分かった。
また、ＳｉＴｒｚＣｚ２のＬＵＭＯ準位、及びＰＳｉＣｚＣｚのＨＯＭＯ準位をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定で算出した。その結果、ＳｉＴｒｚＣｚ２のＬＵＭＯ準位は－２．９８ｅＶであり、ＰＳｉＣｚＣｚのＨＯＭＯ準位は－５．７ｅＶであった。また、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）のＨＯＭＯ準位と、ホストであるＳｉＴｒｚＣｚ２のＬＵＭＯ準位と、の差は２．５２ｅＶであった。
以上より、発光デバイス２Ａは、白金（Ｐｔ）の有機金属錯体とホストとのエキサイプレックス形成が抑制される、良好な特性を示す発光デバイスであることが分かった。
＜信頼性試験結果＞
発光デバイス２Ａ、および発光デバイス２Ｂについて、信頼性試験を行った。図３４では、発光開始した時点での輝度を１００％として、定電流密度（１０ｍＡ／ｃｍ２）で駆動させた場合の輝度（％）の経時変化を示す。
また、図３４より、本発明の一態様を用いて作製した各発光デバイスにおける測定輝度が初期輝度の９０％に低下するまでの経過時間であるＬＴ９０（ｈ）は、発光デバイス２Ａは５１時間、発光デバイス２Ｂは４４時間であった。従って、発光デバイス２Ａは、発光デバイス２Ｂよりも、信頼性が高い発光デバイスであることが分かった。
従って、本発明の一態様を用いることで、信頼性が高い発光デバイスを作製することが可能であることが分かった。
（（合成例２））
本合成例では、下記構造式（１１５）で表される本発明の有機金属錯体、（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６））の合成例を具体的に例示する。
＜ステップ１：２－フルオロ－３，５－ジメチル－４－フェニルピリジンの合成＞
まず、２－フルオロ－４－ヨード－３，５－ジメチルピリジン４．９ｇ、フェニルボロン酸２．７ｇ、炭酸カリウム８．３ｇ、１，４－ジオキサン８０ｍＬ、水２０ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）１．４ｇを加え、８５℃で２３時間撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（淡黄色固体、収量３．６ｇ、収率９０％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｃ－１）に示す。
＜ステップ２：２－ブロモ－９－（３，５－ジメチル－４－フェニルピリジン－２－イル）カルバゾールの合成＞
次に、上記ステップ１で得た２－フルオロ－３，５－ジメチル－４－フェニルピリジン３．６ｇ、２－ブロモカルバゾール４．６ｇ、炭酸セシウム１２ｇ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（略称：ＮＭＰ）４０ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。その後、１２０℃で１８時間半撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。得られた残渣を、ヘキサン：トルエン＝１：５を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（無色オイル、収量６．９ｇ、収率９０％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｃ－２）に示す。
＜ステップ３：２－ブロモ－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
次に、上記ステップ２で得た２－ブロモ－９－（３，５－ジメチル－４－フェニルピリジン－２－イル）カルバゾール６．９ｇ、ジメチルスルホキシド－ｄ６（略称：ＤＭＳＯ－ｄ６）２３ｍＬ、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．９３ｇを、ナスフラスコに入れ、内部を窒素置換した。その後、室温で１６時間撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。得られた残渣を、ヘキサン：トルエン＝１：５を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（白色固体、収量５．８ｇ、収率８３％）。ステップ３の合成スキームを下記（ｃ－３）に示す。
＜ステップ４：２－ヒドロキシ－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
次に、上記ステップ３で得た２－ブロモ－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール５．８ｇ、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド２．７ｇ、ジメチルスルホキシド５４ｍＬ、水１３ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、塩化銅（Ｉ）（略称：ＣｕＣｌ）０．０６６ｇ、Ｎ１，Ｎ２－ビス（４－ヒドロキシ－２，６－ジメチルフェニル）オキサラミド０．２２ｇを加え、１１０℃で２時間撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、酢酸エチルによる抽出を行った。得られた残渣を、トルエンにて再結晶することにより精製し、目的物を得た（薄橙色固体、収量４．０ｇ、収率８０％）。ステップ４の合成スキームを下記（ｃ－４）に示す。
＜ステップ５：２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
次に、上記ステップ４で得た２－ヒドロキシ－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール１．９ｇ、１－（３－ブロモフェニル）ベンゾイミダゾール１．５ｇ、リン酸三カリウム２．２ｇ、ジメチルスルホキシド５１ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ヨウ化銅（Ｉ）（略称：ＣｕＩ）０．０９８ｇ、ピコリン酸０．０６３ｇを加え、１６０℃で６時間半撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、酢酸エチルによる抽出を行った。得られた残渣を、トルエン：酢酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（褐色固体、収量２．７ｇ、収率９４％）。ステップ５の合成スキームを下記（ｃ－５）に示す。
＜ステップ６：１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸の合成＞
次に、上記ステップ５で得た２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール２．７ｇ、（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）（メシチル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸５．７ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（略称：ＤＭＦ）２５ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸銅（ＩＩ）（略称：Ｃｕ（ＯＡｃ）２）０．１３ｇを加え、１００℃で６時間撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、溶媒を留去し、得られた残渣を、ジクロロメタン：アセトン＝９：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（赤茶色固体、収量０．８４ｇ、収率１９％）。ステップ６の合成スキームを下記（ｃ－６）に示す。
＜ステップ７：（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６））の合成＞
次に、上記ステップ６で得た１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸０．８４ｇ、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）０．４２ｇ、酢酸ナトリウム０．２３ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド４２ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。その後、１６０℃で３時間撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、溶媒を留去し、ジクロロメタンによる抽出を行った。得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、トルエンにて再結晶することにより精製し、目的物を得た（黄色固体、収量０．１９ｇ、収率２２％）。
得られた黄色固体０．１２ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力２．５Ｐａ、３０５℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量０．０６０ｇ、収率５０％で得た。ステップ７の合成スキームを下記（ｃ－７）に示す。
＜有機金属錯体の特性＞
なお、上記ステップ７で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図３５に示す。このことから、本合成例において、上述の構造式（１１５）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）が得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：１．０８（ｂｒｓ，９Ｈ），１．４２（ｂｒｓ，９Ｈ），６．９３－６．９４（ｍ，１Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），７．１９（ｄ，１Ｈ），７．２９－７．４２（ｍ，７Ｈ），７．４８－７．５３（ｍ，３Ｈ），７．５８（ｄ，１Ｈ），７．７１（ｄ，１Ｈ），７．７７（ｂｒｓ，１Ｈ），７．８７（ｄ，２Ｈ），８．０３（ｄ，１Ｈ），８．２７（ｄ，１Ｈ），８．７９（ｓ，１Ｈ）．
＜発光スペクトルおよび吸収スペクトル測定＞
次に、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、分光蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００）を用いた。得られたジクロロメタン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図３６に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
図３６の結果より、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）のジクロロメタン溶液では、４２０ｎｍおよび４５０ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４６１ｎｍ付近に発光ピークが見られた。
（（合成例３））
本実施例では、本発明の一態様の有機化合物の物性および合成方法について説明する。具体的には、実施の形態１において構造式（１１９）で示す、（２－｛５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６））の合成方法について説明する。なお、Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）の構造を以下に示す。
＜ステップ１：１－（５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－ブロモフェニル）ベンゾイミダゾールの合成＞
１，３－ジブロモ－５－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン５．９ｇ、ベンゾイミダゾール２．０ｇ、炭酸セシウム１１ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド４０ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ヨウ化銅（Ｉ）（略称：ＣｕＩ）０．８０ｇ、１，１０－フェナントロリン０．９１ｇを加え、１３０℃で２２時間撹拌することで反応させた。室温まで放冷した後、反応溶液を減圧濃縮した。反応溶液を酢酸エチルを用いて抽出し、有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥した後、減圧ろ過してろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてトルエン：酢酸エチル＝８８：１２の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを減圧濃縮し、淡黄色オイルを２．４ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、収率４３％で得た。１－（５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－ブロモフェニル）ベンゾイミダゾールの合成スキームを下記（ｄ－１）に示す。
＜ステップ２：２－［５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
次に、上記ステップ１で得た１－（５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－ブロモフェニル）ベンゾイミダゾール１．３ｇ、２－ヒドロキシ－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール１．８ｇ、リン酸三カリウム１．７ｇ、ジメチルスルホキシド４０ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ヨウ化銅（Ｉ）（略称：ＣｕＩ）０．０７５ｇ、ピコリン酸０．０４９ｇを加え、１６０℃で７時間撹拌することで反応させた。室温まで放冷した後、反応溶液を減圧濃縮した。反応溶液を酢酸エチルを用いて抽出し、有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥した後、減圧ろ過してろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてトルエン：酢酸エチル＝９２：８の混合溶媒を用い、徐々に酢酸エチルの比率を増やしていき、最終的にはトルエン：酢酸エチル＝９：１の混合溶媒を展開溶媒として用いた。得られたフラクションを減圧濃縮し、褐色固体を１．５ｇ（２．４ｍｍｏｌ）、収率６３％で得た。２－［５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成スキームを下記（ｄ－２）に示す。
＜ステップ３：１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸の合成＞
次に、上記ステップ２で得た２－［５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）フェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール０．８０ｇ、（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）（メシチル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸１．８ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（略称：ＤＭＦ）７．０ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸銅（ＩＩ）（略称：Ｃｕ（ＯＡｃ）２）０．０４ｇを加え、１００℃で７時間撹拌することで反応させた。所定時間経過後、溶媒を留去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてジクロロメタン：アセトン＝９９：１の混合溶媒を用い、徐々にアセトンの比率を増やしていき、最終的にはジクロロメタン：アセトン＝９１：９の混合溶媒を展開溶媒として用いた。得られたフラクションを減圧濃縮し、褐色オイルを０．４０ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）、収率３３％で得た。１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸の合成スキームを下記（ｄ－３）に示す。
＜ステップ４：Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）の合成＞
次に、上記ステップ３で得た１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸０．４０ｇ、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）０．０９ｇ、酢酸ナトリウム０．０５ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１０ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。その後、１６０℃で３０分撹拌することで反応させた。所定時間経過後、溶媒を留去し、ジクロロメタンによる抽出を行った。得られた残渣を、トルエン：ヘキサン＝９：１の混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、トルエンとエタノールの混合溶媒にて再結晶することにより精製し、目的物を得た（黄色固体、収量０．０３ｇ、収率１６％）。Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）の合成スキームを下記（ｄ－４）に示す。
＜有機化合物の特性＞
Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）を液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によって質量（ＭＳ）分析した。ＬＣ／ＭＳ分析は、ＬＣ（液体クロマトグラフィー）分離をウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣにより、ＭＳ分析（質量分析）をウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳにより行った。また、ＭＳ分析による測定結果を以下に示す。このことから、本合成例において、上述の構造式（１１９）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）が得られたことがわかった。
得られた化合物のＥＳＩ－ＭＳ測定結果を以下に示す。
ＥＳＩ－ＭＳ［Ｍ＋］＋＝１０００．４３（Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ＝１０００．４４）．
＜発光スペクトルおよび吸収スペクトル測定＞
次に、Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ７７０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、分光蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００）を用いた。得られたジクロロメタン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図３７に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
図３７の結果より、Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）のジクロロメタン溶液では、４２４ｎｍ、３７３ｎｍ、３１９ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４９２ｎｍ、４６５ｎｍ付近に発光ピークが見られた。
本実施例では、本発明の一態様である構造式（１００）で示す（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３））を用いた発光デバイス５Ａと、下記構造式（１１５）で示す（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６））を用いた発光デバイス５Ｂと、構造式（１１９）で示す（２－｛５－ｔｅｒｔ－ブチル－３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６））を用いた発光デバイス５Ｃと、比較用の有機金属錯体であるＰｔＯＮ－ＴＢＢＩを用いた比較用の発光デバイス５Ｄを作製した。
発光デバイス５Ａ乃至発光デバイス５Ｃ、および比較用の発光デバイス５Ｄにそれぞれ用いた有機金属錯体の構造式を以下に示す。
また、発光デバイス５Ａ乃至発光デバイス５Ｃ、および比較用の発光デバイス５Ｄに共通して用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
なお、各発光デバイスは、図２６に示すように、ガラス基板９００上に形成された第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層された構造を有する。
＜発光デバイス５Ａの作製方法＞
ガラス基板９００上に透明電極として、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により７０ｎｍの膜厚で成膜して第１の電極９０１を形成した。なお、電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１×１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、自然冷却させた。
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、第１の電極９０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極９０１上に、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）と、をＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．０３（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層９１１を形成した。
次に、正孔注入層９１１上に、ＰＣＢＢｉＦを膜厚３０ｎｍとなるように蒸着し、続いて、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）を膜厚５ｎｍとなるように蒸着して、正孔輸送層９１２を形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、９，９’－｛６－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル｝ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＳｉＴｒｚＣｚ２）と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）と、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）＝０．４５：０．４５：０．１０（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、発光層９１３を形成した。なお、ＳｉＴｒｚＣｚ２とＰＳｉＣｚＣｚは励起錯体を形成する組み合わせである。
次に、発光層９１３上に、２－フェニル－４，６－ビス［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＳｉＴｒｚ）を膜厚５ｎｍになるよう蒸着し、続いて、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を膜厚２０ｎｍになるよう蒸着して、電子輸送層９１４を形成した。
次に、電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
次に、電子注入層９１５上に、アルミニウム（Ａｌ）を膜厚２００ｎｍになるよう蒸着し、第２の電極９０２を形成した。
＜発光デバイス５Ｂの作製方法＞
続いて、発光デバイス５Ｂの作製方法を説明する。
発光デバイス５Ｂは、発光層９１３の構成が発光デバイス５Ａと異なる。つまり、発光デバイス５Ｂは、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＳｉＴｒｚＣｚ２と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）と、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）＝０．４５：０．４５：０．１０（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、発光層９１３を形成した。
なお、他の構成は発光デバイス５Ａと同様にして作製した。
＜発光デバイス５Ｃの作製方法＞
続いて、発光デバイス５Ｃの作製方法を説明する。
発光デバイス５Ｃは、発光層９１３の構成が発光デバイス５Ａと異なる。つまり、発光デバイス５Ｃは、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＳｉＴｒｚＣｚ２と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）と、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）＝０．４５：０．４５：０．１０（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、発光層９１３を形成した。
なお、他の構成は発光デバイス５Ａと同様にして作製した。
＜比較用の発光デバイス５Ｄの作製方法＞
続いて、比較用の発光デバイス５Ｄの作製方法を説明する。
発光デバイス５Ｄは、発光層９１３の構成が発光デバイス５Ａと異なる。つまり、発光デバイス５Ｄは、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＳｉＴｒｚＣｚ２と、ＰＳｉＣｚＣｚと、ＰｔＯＮ－ＴＢＢＩと、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：ＰｔＯＮ－ＴＢＢＩ＝０．４５：０．４５：０．１０（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、発光層９１３を形成した。
なお、他の構成は発光デバイス５Ａと同様にして作製した。
上記発光デバイス５Ａ乃至発光デバイス５Ｃ、および比較用の発光デバイス５Ｄの素子構造を以下の表にまとめる。なお、表中のＸは、各発光層に用いる金属錯体、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）、Ｐｔ（ｔＢｕ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）、またはＰｔＯＮ－ＴＢＢＩを表す。
＜発光デバイス特性＞
上記発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイスの特性について測定を行った。
発光デバイスの輝度－電流密度特性を図３８に、輝度－電圧特性を図３９に、電流効率－電流密度特性を図４０に、電流密度－電圧特性を図４１に、ＢＩ（ブルーインデックス）－電流密度特性を図４２に、外部量子効率－電流密度特性を図４３に、電界発光スペクトルを図４４に示す。
なお、ブルーインデックス（ＢＩ）（ｃｄ／Ａ／ｙ）とは、電流効率（ｃｄ／Ａ）を、さらにＣＩＥ（ｘ，ｙ）色度のｙ値で割った値であり、青色発光の発光特性を表す指標の一つである。青色発光は、色度ｙ値が小さいほど色純度の高い発光となる傾向にある。色度ｙ値が小さく色純度の高い青色発光は、広い範囲の青色を表現することが可能であり、色純度の高い青色発光を用いることで、ディスプレイにおいて白色を表現するために必要な青色の輝度が低下することから、ディスプレイの消費電力を低減する効果が得られる。そのため、青色純度の指標の一つとなる色度ｙ値を考慮した電流効率であるＢＩが青色発光の効率を表す手段として好適に用いられ、ＢＩが高い発光デバイスほどディスプレイに用いられる青色発光デバイスとしての効率が良好であるということができる。
また、発光デバイスの電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における主要な特性を下表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。また、外部量子効率は、分光放射計を用いて測定した輝度と発光スペクトルを用い、配光特性がランバーシアン型であると仮定し算出した。
図３８乃至図４３より、本発明の一態様の発光デバイス５Ａ乃至発光デバイス５Ｃは、高効率であり、特に外部量子効率が高い発光デバイスであることが分かった。また、図４４より、発光デバイス５Ｂ、および発光デバイス５Ｃは、色純度が良好な青色を呈することが分かった。特に、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）を用いた発光デバイス５Ｂは、ＢＩが高く、高効率な青色を呈する発光デバイスであることが分かった。
従って、本発明の一態様である白金（Ｐｔ）の有機金属錯体を発光デバイスに用いることで、高効率、および色純度が良好な青色を呈する発光デバイスを提供することができることが確認できた。
本実施例では、本発明の一態様である構造式（１００）で示す（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３））を用いた発光デバイス６Ａおよび発光デバイス６Ｂ、を作製した。
また、発光デバイス６Ｂは、発光層に蛍光発光を呈する物質（蛍光発光物質）であるＮ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，５，９，１１，１５－オクタフェニル－５Ｈ，９Ｈ，１１Ｈ，１５Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］［１，４］ベンズアザボリノ［４’，３’，２’：４，５］［１，４］ベンズアザボリノ［３，２－ｂ］フェナザボリン－７，１３－ジアミン（略称：ν－ＤＡＢＮＡ）を用いた。
発光デバイス６Ｂの発光層に用いた蛍光発光を呈する物質（蛍光発光物質）の構造式を以下に示す。
また、発光デバイス６Ａおよび発光デバイス６Ｂに共通して用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
なお、各デバイスは、図２６に示すように、ガラス基板９００上に形成された第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層され、第２の電極９０２上にキャップ層（図示しない）が積層された構造を有する。
＜発光デバイス６Ａの作製方法＞
ガラス基板９００上に、銀（Ａｇ）をスパッタリング法により成膜した後、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、第１の電極９０１を形成した。なお、Ａｇの膜厚は１００ｎｍ、ＩＴＳＯの膜厚は１０ｎｍとし、電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１×１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、自然冷却させた。
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、第１の電極９０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極９０１上に、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）と、をＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．０３（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層９１１を形成した。
次に、正孔注入層９１１上に、ＰＣＢＢｉＦを膜厚１２５ｎｍとなるように蒸着し、続いて、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）を膜厚５ｎｍとなるように蒸着して、正孔輸送層９１２を形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に、下表に示す条件６ａに従い、抵抗加熱を用いた蒸着法により、９，９’－｛６－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル｝ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＳｉＴｒｚＣｚ２）と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）と、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）＝０．４５：０．４５：０．１０（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、発光層９１３を形成した。なお、ＳｉＴｒｚＣｚ２とＰＳｉＣｚＣｚは励起錯体を形成する組み合わせである。
次に、発光層９１３上に、２－フェニル－４，６－ビス［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＳｉＴｒｚ）を膜厚５ｎｍになるよう蒸着し、続いて、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を膜厚２０ｎｍになるよう蒸着して、電子輸送層９１４を形成した。
次に、電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
次に、電子注入層９１５上に、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１：０．１、膜厚１５ｎｍとなるように共蒸着し、第２の電極９０２を形成した。なお、第２の電極９０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。次に、第２の電極９０２上にキャップ層として、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）を７０ｎｍの厚さで蒸着した。
＜発光デバイス６Ｂの作製方法＞
続いて、発光デバイス６Ｂの作製方法を説明する。発光デバイス６Ｂは、正孔輸送層９１２の膜厚と、発光層９１３の構成が発光デバイス６Ａと異なる。
つまり、発光デバイス６Ｂの正孔輸送層９１２は、ＰＣＢＢｉＦを膜厚１２０ｎｍとなるように蒸着し、続いて、ＰＳｉＣｚＣｚを膜厚５ｎｍとなるように蒸着した。
また、発光デバイス６Ｂの発光層９１３は、下表に示す条件６ｂに従い、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＳｉＴｒｚＣｚ２と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）と、ν－ＤＡＢＮＡと、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ５ｍ４ｐｐｙ－ｄ３）：ν－ＤＡＢＮＡ＝０．４５：０．４５：０．１０：０．０１（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着した。
なお、他の構成は発光デバイス６Ａと同様にして作製した。
上記発光デバイス６Ａおよび発光デバイス６Ｂの素子構造を以下の表にまとめる。
＜発光デバイス特性＞
上記発光デバイス６Ａおよびデバイス６Ｂを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイスの特性について測定を行った。
発光デバイスの輝度－電流密度特性を図４５に、輝度－電圧特性を図４６に、電流効率－輝度特性を図４７に、電流密度－電圧特性を図４８に、ＢＩ（ブルーインデックス）－電流密度特性を図４９に、電界発光スペクトルを図５０に示す。
また、発光デバイスの電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における主要な特性を下表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。
図４５乃至図４９より、白金（Ｐｔ）の有機金属錯体を用いた発光層に、蛍光発光物質を添加することで、発光効率の指標であるＢＩ値が向上することが分かった。また、図５０より、蛍光発光物質を加えることで、発光スペクトルが狭線化され、色純度が良好な青色を呈することが分かった。すなわち、本発明の一態様の有機金属錯体を蛍光発光物質と共に発光層に用いることで、色純度が良好かつ高効率で発光する青色発光デバイスを作製できることが分かった。
これは、発光層に本発明の有機金属錯体である燐光発光物質に加えて、蛍光発光物質であるν－ＤＡＢＮＡを用いたことで、燐光発光物質の励起エネルギーが蛍光発光物質に移動することで発光に至る。また、蛍光発光物質は、一重項励起状態から一重項基底状態への遷移が許容であるため励起寿命（発光寿命）が燐光発光物質より短い。従って、発光層に燐光発光物質および蛍光発光物質を用いた発光デバイス６Ｂは、良好な発光デバイスとすることができる。
従って、本発明の一態様である白金（Ｐｔ）の有機金属錯体を発光デバイスに用いることで、高効率、および色純度が良好な青色を呈する発光デバイスを提供することができることが確認できた。
本実施例では、本発明の一態様である構造式（１１５）で示す（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６））を用いた発光デバイス７Ａおよび発光デバイス７Ｂ、を作製した。
また、発光デバイス７Ｂは、発光層に蛍光発光を呈する物質（蛍光発光物質）であるＮ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，５，９，１１，１５－オクタフェニル－５Ｈ，９Ｈ，１１Ｈ，１５Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］［１，４］ベンズアザボリノ［４’，３’，２’：４，５］［１，４］ベンズアザボリノ［３，２－ｂ］フェナザボリン－７，１３－ジアミン（略称：ν－ＤＡＢＮＡ）を用いた。
発光デバイス７Ｂの発光層に用いた蛍光発光を呈する物質（蛍光発光物質）の構造式を以下に示す。
発光デバイス７Ａおよび発光デバイス７Ｂに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
なお、発光デバイス７Ａおよび発光デバイス７Ｂは、図５１に示すように、ガラス基板６００上に形成された第１の電極６０１上に、第１のＥＬ層６０３、中間層６０５、第２のＥＬ層６０４、第２の電極６０２が積層されたタンデム構造を有する。
第１のＥＬ層６０３は、正孔注入層６１０、第１の正孔輸送層６１１、第１の発光層６１２、及び第１の電子輸送層６１３、が順次積層された構造を有する。中間層６０５は、電子注入バッファ領域６１４と、電子リレー領域および電荷発生領域を含む層６１５を有する。また、第２のＥＬ層６０４は、第２の正孔輸送層６１６、第２の発光層６１７、および第２の電子輸送層６１８、および電子注入層６１９が順次積層された構造を有する。
＜発光デバイス７Ａの作製方法＞
はじめに、ガラス基板６００上に、反射電極として、銀（Ａｇ）をスパッタリング法により、１００ｎｍの膜厚で成膜した後、透明電極として酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１０ｎｍの膜厚で成膜して第１の電極６０１を形成した。なお、その電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。なお、当該透明電極と上記反射電極と合わせて第１の電極６０１とみなすことができる。
次に、第１のＥＬ層６０３を設けた。まず、基板上に発光デバイス７Ａを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１×１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、３０分程度自然冷却させた。
次に、第１の電極６０１が形成された面が下方となるように、第１の電極６０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極６０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法によりＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）と、をＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．０３（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層６１０を形成した。
次に、正孔注入層６１０上に、ＰＣＢＢｉＦを膜厚２５ｎｍとなるように蒸着し、続いて、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）を膜厚５ｎｍとなるように蒸着して、第１の正孔輸送層６１１を形成した。
次に、第１の正孔輸送層６１１上に第１の発光層６１２を形成した。抵抗加熱を用いた蒸着法により、下表に示す条件７ａに従い、９，９’－｛６－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル｝ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＳｉＴｒｚＣｚ２）と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）と、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）＝０．４５：０．４５：０．１０（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、第１の発光層６１２を形成した。なお、ＳｉＴｒｚＣｚ２とＰＳｉＣｚＣｚは励起錯体を形成する組み合わせである。
次に、第１の発光層６１２上に、２－フェニル－４，６－ビス［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＳｉＴｒｚ）を膜厚１０ｎｍになるよう蒸着し、第１の電子輸送層６１３を形成した。
次に、中間層６０５を設けた。まず、第１の電子輸送層６１３上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）と、酸化リチウム（略称：Ｌｉ２Ｏ）と、をｍＰＰｈｅｎ２Ｐ：Ｌｉ２Ｏ＝１：０．０２（重量比）となるように、且つ膜厚５ｎｍになるよう共蒸着して、電子注入バッファ領域６１４となる層を形成した。
続いて、電子リレー領域として、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２ｎｍの膜厚となるように成膜した。次に、電荷発生領域として、抵抗加熱を用いた蒸着法によりＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）と、をＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．１５（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、電荷発生領域を含む層６１５を形成した。
次に、第２のＥＬ層６０４を設けた。まず、ＰＣＢＢｉＦを膜厚３５ｎｍとなるように蒸着し、続いて、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）を膜厚５ｎｍとなるように蒸着して、第２の正孔輸送層６１６を形成した。
次に、第１の正孔輸送層６１６上に、第１の発光層６１２と同様に第２の発光層６１７を形成した。抵抗加熱を用いた蒸着法により、下表に示す条件７ａに従い、ＳｉＴｒｚＣｚ２と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）と、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）＝０．４５：０．４５：０．１０（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着し、第２の発光層６１７を形成した。
次に、第２の発光層６１７上に、ｍＳｉＴｒｚを膜厚５ｎｍになるよう蒸着し、続いて、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐを膜厚２０ｎｍになるよう蒸着し、第２の電子輸送層６１８を形成した。
次に、第２の電子輸送層６１８上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とイッテルビウム（Ｙｂ）を、ＬｉＦ：Ｙｂ＝２：１（体積比）で膜厚１．５ｎｍとなるように共蒸着して、電子注入層６１９を形成した。
次に、電子注入層６１９上に、Ａｇと、Ｍｇと、をＡｇ：Ｍｇ＝１：０．１（体積比）となるように、１５ｎｍ共蒸着し、第２の電極６０２を形成した。なお、第２の電極６０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
その後、キャップ層として、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）を７０ｎｍの厚さで蒸着した。
以上の工程により、発光デバイス７Ａを作製した。
＜発光デバイス７Ｂの作製方法＞
続いて、発光デバイス７Ｂの作製方法を説明する。発光デバイス７Ｂは、第１の発光層６１２および第２の発光層６１７の構成が発光デバイス７Ａと異なる。
また、発光デバイス７Ｂの第１の発光層６１２および第２の発光層６１７は、下表に示す条件７ｂに従い、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＳｉＴｒｚＣｚ２と、ＰＳｉＣｚＣｚと、Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）と、ν－ＤＡＢＮＡと、をＳｉＴｒｚＣｚ２：ＰＳｉＣｚＣｚ：Ｐｔ（ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）：ν－ＤＡＢＮＡ＝０．４５：０．４５：０．１０：０．０１（重量比）で、膜厚３５ｎｍになるよう共蒸着した。
なお、他の構成は発光デバイス７Ａと同様にして作製した。
上記発光デバイス７Ａおよび発光デバイス７Ｂの素子構造を以下の表にまとめる。
＜発光デバイスの特性＞
上記発光デバイス７Ａおよび発光デバイス７Ｂを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、各発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイス７Ａおよび発光デバイス７Ｂの発光特性について測定を行った。
発光デバイスの輝度－電流密度特性を図５２に、輝度－電圧特性を図５３に、電流効率－電流密度特性を図５４に、電流密度－電圧特性を図５５に、ＢＩ（ブルーインデックス）－電流密度特性を図５６に、電界発光スペクトルを図５７に示す。
また、発光デバイスの電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における主要な特性を下表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。
図５２乃至図５６および上記表より、白金（Ｐｔ）の有機金属錯体を用いた発光層に、蛍光発光物質を添加することで、発光効率の指標であるＢＩ値が向上することが分かった。また、図５７より、蛍光発光物質を加えることで、発光スペクトルが狭線化され、色純度が良好な青色を呈することが分かった。すなわち、本発明の一態様の有機金属錯体を蛍光発光物質と共に発光層に用いることで、色純度が良好かつ高効率で発光する青色発光デバイスを作製できることが分かった。
これは、発光層に本発明の有機金属錯体である燐光発光物質に加えて、蛍光発光物質であるν－ＤＡＢＮＡを用いたことで、燐光発光物質の励起エネルギーが蛍光発光物質に移動することで発光に至る。また、蛍光発光物質は、一重項励起状態から一重項基底状態への遷移が許容であるため励起寿命（発光寿命）が燐光発光物質より短い。従って、発光層に燐光発光物質および蛍光発光物質を用いた発光デバイス７Ｂは、良好な発光デバイスとすることができる。
以上のことから、本発明の一態様を用いることで、高い効率かつ良好な色純度で発光を示す発光デバイスを提供できることが分かった。
（（合成例４））
本実施例では、本発明の一態様の有機化合物の物性および合成方法について説明する。具体的には、実施の形態１において構造式（１２０）で表される本発明の有機金属錯体、［２－（３－｛３－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２｝フェノキシ－κＣ２）－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ１］白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（ｍＴＰｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ１６））の合成例を例示する。
＜ステップ１：２，６－ジ（フェニル－ｄ５）アニリンの合成＞
５００ｍＬ三口ナスフラスコに１５ｇ（６１ｍｍｏｌ）の２，６－ジブロモアニリン、１７ｇ（１３８ｍｍｏｌ）のフェニル－ｄ５－ボロン酸、３３ｇ（３１３ｍｍｏｌ）の炭酸ナトリウム、トルエン１５６ｍＬ、エタノール３１ｍＬ、純水６３ｍＬを加え、フラスコ内を減圧脱気した後、窒素置換した。このフラスコに０．７２ｇ（０．６３ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を１１０℃の加熱条件下、８時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた反応溶液に酢酸エチルと水を加えて抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過して固体を取り除き、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、白色固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒には、最初はヘキサン：トルエン＝４：１の混合溶媒を用い、徐々にトルエンの比率を上げ、最後にはトルエンのみを展開溶媒として使用した。得られたフラクションを濃縮し、目的物である白色固体を１３ｇ（５１ｍｍｏｌ）、収率８４％で得た。２，６－ジ（フェニル－ｄ５）アニリンの合成スキームを下記（ｅ－１）に示す。
＜ステップ２：Ｎ－（ニトロベンゼン－２－イル）－Ｎ－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］アミンの合成＞
５００ｍＬ三口フラスコに１３ｇ（５１ｍｍｏｌ）の２，６－ジ（フェニル－ｄ５）アニリン、１３ｇ（５１ｍｍｏｌ）の１－ヨード－２－ニトロベンゼン、３３ｇ（１０２ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、トルエン２５５ｍＬを加え、フラスコ内を減圧脱気し、窒素置換した。この混合物に０．８４ｇ（２．０ｍｍｏｌ）のＳＰｈｏｓ、０．４７ｇ（０．５１ｍｍｏｌ）のトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）を加え、１３０℃で１１時間、加熱攪拌した。
所定時間経過後、得られた反応溶液に酢酸エチルと水を加えて抽出した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥し、ろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮してオイル状液体を得た。得られた液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒として、ヘキサン：トルエン＝４：１の混合溶媒を用い、徐々にトルエンの比率を増やしていき、最終的にはトルエンのみを展開溶媒として用いた。得られたフラクションを濃縮し、固体を得た。トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶による精製を行い、目的物である橙色固体を１３ｇ（３４ｍｍｏｌ）、収率６７％で得た。Ｎ－（ニトロベンゼン－２－イル）－Ｎ－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］アミンの合成スキームを下記（ｅ－２）に示す。
＜ステップ３：Ｎ－（アニリン－２－イル）－Ｎ－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］アミンの合成＞
１Ｌ三口フラスコに、１３ｇ（３４ｍｍｏｌ）のＮ－（ニトロベンゼン－２－イル）－Ｎ－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］アミン、エタノール４８２ｍＬ、水６ｍＬを加え、攪拌した。この溶液に３２ｇ（１６９ｍｍｏｌ）の塩化スズ（ＩＩ）を加え、窒素気流下、８０℃で１５時間加熱還流した。
所定時間経過後、室温下で２Ｍの水酸化ナトリウム水溶液２３６ｍＬを反応溶液に加え、２時間攪拌した。所定時間経過後、反応溶液を吸引ろ過し、残渣をクロロホルムで洗浄し、ろ液を得た。得られたろ液をクロロホルムと水で抽出し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過してろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮し、黄色固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒として、ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１の混合溶媒を用い、徐々に酢酸エチルの比率を増やしていき、最終的には酢酸エチルのみを展開溶媒として用いた。得られたフラクションを濃縮し、目的物である黄色固体を１３ｇ（３４ｍｍｏｌ）、収率１００％で得た。Ｎ－（アニリン－２－イル）－Ｎ－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］アミンの合成スキームを下記（ｅ－３）に示す。
＜ステップ４：２－（３－ブロモフェノキシ）－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに４．６ｇ（１２ｍｍｏｌ）の２－ヒドロキシ－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール、８．８ｇ（３７ｍｍｏｌ）の１，３－ジブロモベンゼン、５．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）のりん酸三カリウム、ジメチルスルホキシド１２０ｍＬを加えた。このフラスコ内を減圧脱気した後、窒素置換し、２３６ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）ヨウ化銅、１５３ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）ピコリン酸を加えた。この混合物を１６０℃の加熱条件下、１２時間攪拌した。
所定時間経過後、室温まで放冷し、反応溶液に酢酸エチルと水を加えて抽出し、有機層を得た。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥し、ろ過してろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。ヘキサン：トルエン＝１：３の混合溶媒を用い、徐々にトルエンの比率を増やしていき、最終的にはトルエンのみを展開溶媒として用いた。得られたフラクションを減圧濃縮し、目的物である淡黄色オイルを５．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、収率８２％で得た。２－（３－ブロモフェノキシ）－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成スキームを下記（ｅ－４）に示す。
＜ステップ５：２－（３－｛２－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］フェニル｝アミノフェノキシ）－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに３．２ｇ（９．３ｍｍｏｌ）のＮ－（アニリン－２－イル）－Ｎ－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］アミン、５．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の２－（３－ブロモフェノキシ）－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール、１．８ｇ（１９ｍｍｏｌ）のナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド、およびトルエン９０ｍＬを加えた。
このフラスコ内を減圧脱気した後、窒素置換し、４２４ｍｇ（０．４７ｍｍｏｌ）のトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、３８１ｍｇ（０．９３ｍｍｏｌ）のＳＰｈｏｓを加えた。この混合物を１１０℃で４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷まし、酢酸エチルと水を加えて抽出し、有機層を得た。得られた有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過することでろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮し、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてトルエンを用いた。得られたフラクションを濃縮し、目的物である緑色固体を７．２ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、収率９８％で得た。２－（３－｛２－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］フェニル｝アミノフェノキシ）－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成スキームを下記（ｅ－５）に示す。
＜ステップ６：１－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム塩酸の合成＞
３００ｍＬ三口フラスコに７．２ｇ（９．１ｍｍｏｌ）の２－（３－｛２－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］フェニル｝アミノフェノキシ）－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール、オルトギ酸トリエチル１８２ｍＬ、および３５％塩酸１ｍＬを加え、８０℃で２時間、加熱攪拌した。
所定時間経過後、室温まで放冷し、減圧濃縮して溶媒を留去し、固体を得た。トルエン：ヘキサンの混合溶媒を用いた再沈殿を行い、目的物である淡黄色固体を６．９ｇ（８．３ｍｍｏｌ）、収率９１％で得た。１－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム塩酸の合成スキームを下記（ｅ－６）に示す。
＜ステップ７：１－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウムヘキサフルオロりん酸の合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに６．９ｇ（８．３ｍｍｏｌ）の１－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム塩酸、５．４ｇ（３３ｍｍｏｌ）のヘキサフルオロリン酸アンモニウムを加え、メタノール：水＝２：１の混合溶媒８０ｍＬに懸濁させた。この混合物を室温で１８時間攪拌した。
所定時間経過後、減圧濃縮し、メタノールを留去した。析出した固体を吸引ろ過によって回収し、水で洗浄したのち、真空乾燥することで、目的物である淡黄色固体を６．７ｇ（７．１ｍｍｏｌ）、収率８５％で得た。１－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウムヘキサフルオロりん酸の合成スキームを下記（ｅ－７）に示す。
＜ステップ８：Ｐｔ（ｍＴＰｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ１６）の合成＞
還流管を付けた５００ｍＬ三口フラスコに６．７ｇ（７．０ｍｍｏｌ）の１－［２，６－ジ（フェニル－ｄ５）フェニル］－３－［３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウムヘキサフルオロりん酸、２．９ｇ（７．７ｍｍｏｌ）のジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）、１．７ｇ（２１ｍｍｏｌ）の酢酸ナトリウム、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド２８０ｍＬを入れ、内部を窒素置換した。その後、１６０℃で、１時間撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、溶媒を留去し、ジクロロメタンによる抽出を行った。得られた残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。展開溶媒としてヘキサン：ジクロロメタン＝１：１の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを濃縮した後、トルエン：ヘキサンの混合溶媒を用いた再沈殿によって精製し、目的物である黄色固体を４４０ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）、収率６％で得た。構造式（１２０）で表されるＰｔ（ｍＴＰｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ１６）の合成スキームを下記（ｅ－８）に示す。
得られた黄色固体３３３ｍｇをトレインサブリメーション法によって、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎ、圧力３．１Ｐａ、加熱温度３１５℃の条件下で、１８時間加熱し、昇華精製を行った。その結果、黄色固体を１８６ｍｇ、回収率５６％で得た。
＜有機金属錯体の特性＞
上記ステップ８で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１２０）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｐｔ（ｍＴＰｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ１６）が得られたことを確認した。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ＝９．０６（ｓ，１Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），７．９９（ｄ，１Ｈ），７．７９（ｄ，１Ｈ），７．６６（ｄｄ，１Ｈ），７．５８－７．３５（ｍ，９Ｈ），７．２８－７．２４（ｍ，４Ｈ），７．０７（ｔ，１Ｈ），６．９９－６．９２（ｍ，３Ｈ）．
（（合成例５））
本実施例では、本発明の一態様の有機化合物の物性および合成方法について説明する。具体的には、実施の形態１において構造式（１２１）で表される本発明の有機金属錯体、（２－｛４－メチル－３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ）白金（ＩＩ）（略称：Ｐｔ（Ｍｅ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６））の合成例を例示する。
＜ステップ１：１－（５－ブロモ－２－メチルフェニル）ベンゾイミダゾールの合成＞
３００ｍＬ三口フラスコに２．１ｇ（１８ｍｍｏｌ）のベンゾイミダゾール、４．１ｇ（２２ｍｍｏｌ）の５－ブロモ－２－フルオロトルエン、２９ｇ（９０ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）１８０ｍＬを加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を１６０℃で６時間加熱攪拌した。
所定時間経過後、酢酸エチルによる抽出を行った。得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝２：３を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（白色固体、収量４．０ｇ、収率８０％）。１－（５－ブロモ－２－メチルフェニル）ベンゾイミダゾールの合成スキームを下記（ｆ－１）に示す。
＜ステップ２：２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）－４－メチルフェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに３．９ｇ（１１ｍｍｏｌ）の２－ヒドロキシ－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール、３．３ｇ（１２ｍｍｏｌ）の１－（５－ブロモ－２－メチルフェニル）ベンゾイミダゾール、４．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）のリン酸三カリウム、ジメチルスルホキシド１１０ｍＬを加え、フラスコ内を減圧脱気し、窒素置換した。この混合物に０．４１ｇ（２．１ｍｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）、０．２６ｇ（２．１ｍｍｏｌ）ピコリン酸を加え、１６０℃で２時間加熱攪拌した。
所定時間経過後、酢酸エチルによる抽出を行った。得られた残渣を、トルエン：酢酸エチル＝１０：１の混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（褐色固体、収量５．０ｇ、収率８３％）。２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）－４－メチルフェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾールの合成スキームを下記（ｆ－２）に示す。
＜ステップ３：１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［６－メチル－３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸の合成＞
３００ｍＬ三口フラスコに５．０ｇ（８．７ｍｍｏｌ）の２－［３－（ベンゾイミダゾール－１－イル）－４－メチルフェノキシ］－９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール、１０ｇ（１７ｍｍｏｌ）の（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）（メシチル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１４０ｍＬを加え、フラスコ内を減圧脱気し、窒素置換した。この混合物に０．２４ｇ（１．３ｍｍｏｌ）の酢酸銅（ＩＩ）を加え、１００℃で２時間半加熱攪拌した。
所定時間経過後、溶媒を留去し、得られた残渣を、ジクロロメタン：アセトン＝９：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を得た（褐色固体、収量８．４ｇ、収率１００％）。１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［６－メチル－３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸の合成スキームを下記（ｆ－３）に示す。
＜ステップ４：Ｐｔ（Ｍｅ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）の合成＞
還流管を付けた１Ｌ三口フラスコに８．４ｇ（９．１ｍｍｏｌ）の１－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３－［６－メチル－３－（｛９－［３，５－ジ（メチル－ｄ３）－４－フェニルピリジン－２－イル］カルバゾール－２－イル｝オキシ）フェニル］ベンゾイミダゾリウム－１，１，１－トリフルオロメタンスルホン酸、４．１ｇ（１１ｍｍｏｌ）のジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）、２．３ｇ（２７ｍｍｏｌ）の酢酸ナトリウム、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド４２０ｍＬを入れ、内部を窒素置換した。その後、１６０℃で、１時間半撹拌することで反応させた。
所定時間経過後、溶媒を留去し、ジクロロメタンによる抽出を行った。得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物である黄色固体を１０ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ）、収率０．１％で得た。構造式（１２１）で表されるＰｔ（Ｍｅ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）の合成スキームを下記（ｆ－４）に示す。
＜有機金属錯体の特性＞
上記ステップ４で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１２１）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｐｔ（Ｍｅ－ｍｍｔＢｕｂＯｃｚ３５ｄｍ４ｐｐｙ－ｄ６）が得られたことを確認した。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ＝８．８７（ｓ，１Ｈ），８．０３（ｄ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．８１（ｓ，１Ｈ），７．７７（ｄ，１Ｈ），７．７１（ｓ，１Ｈ），７．４９－７．５３（ｍ，２Ｈ），７．２８－７．４１（ｍ，８Ｈ），７．２０（ｄ，１Ｈ），７．１８（ｄ，１Ｈ），７．１２（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｄ，１Ｈ），６．９４（ｄ，１Ｈ），２．７５（ｓ，３Ｈ），１．４２（ｓ，９Ｈ），１．０５（ｓ，９Ｈ）．
１０ 発光デバイス
１００Ａ 発光装置
１００Ｂ 発光装置
１００Ｃ 発光装置
１００Ｈ 発光装置
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ａ 有機化合物層
１０３Ｂ 有機化合物層
１０３ｂ 有機化合物層
１０３Ｂｆ 有機化合物膜
１０３Ｇ 有機化合物層
１０３Ｇｆ 有機化合物膜
１０３Ｒ 有機化合物層
１０３Ｒｆ 有機化合物膜
１０３ 有機化合物層
１０４ 共通層
１０６ａ 電荷発生層
１０６ｂ 電荷発生層
１０６ 電荷発生層
１１０Ｂ 副画素
１１０Ｇ 副画素
１１０Ｒ 副画素
１１０Ｗ 副画素
１１０ 副画素
１１１ 正孔注入層
１１２Ｂ 導電層
１１２Ｒ 導電層
１１２ 正孔輸送層
１１３ａ 発光層
１１３ｂ 発光層
１１３ｃ 発光層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１８＿１ 有機化合物
１１８＿２ 有機化合物
１１８ ホスト材料
１１９ ゲスト材料
１２０ 基板
１２２ 樹脂層
１２４ａ 画素
１２４ｂ 画素
１２５ｆ 無機絶縁膜
１２５ 無機絶縁層
１２６Ｂ 導電層
１２６Ｒ 導電層
１２７ａ 絶縁層
１２７ｆ 絶縁膜
１２７ 絶縁層
１２８ 層
１２９Ｂ 導電層
１２９Ｒ 導電層
１３０Ｂ 発光デバイス
１３０Ｇ 発光デバイス
１３０Ｒ 発光デバイス
１３０ 発光デバイス
１３１ 保護層
１３２Ｂ 着色層
１３２Ｇ 着色層
１３２Ｒ 着色層
１４０ 接続部
１４１ 領域
１４２ 接着層
１５１＿１ 導電層
１５１＿２ 導電層
１５１＿３ 導電層
１５１Ｂ 導電層
１５１Ｃ 導電層
１５１ｆ 導電膜
１５１Ｇ 導電層
１５１Ｒ 導電層
１５１ 導電層
１５２＿１ 導電層
１５２＿２ 導電層
１５２＿３ 導電層
１５２Ｂ 導電層
１５２Ｃ 導電層
１５２ｆ 導電膜
１５２Ｇ 導電層
１５２Ｒ 導電層
１５２ 導電層
１５３ 絶縁層
１５４ 共通層
１５５ 共通電極
１５６Ｂ 絶縁層
１５６Ｃ 絶縁層
１５６ｆ 絶縁膜
１５６Ｇ 絶縁層
１５６Ｒ 絶縁層
１５６ 絶縁層
１５７ 遮光層
１５８Ｂ 犠牲層
１５８Ｂｆ 犠牲膜
１５８Ｇ 犠牲層
１５８Ｇｆ 犠牲膜
１５８Ｒ 犠牲層
１５８Ｒｆ 犠牲膜
１５８ 犠牲層
１５９Ｂ マスク層
１５９Ｂｆ マスク膜
１５９Ｇ マスク層
１５９Ｇｆ マスク膜
１５９Ｒ マスク層
１５９Ｒｆ マスク膜
１６６ 導電層
１７１ 絶縁層
１７２ 導電層
１７３ 絶縁層
１７４ 絶縁層
１７５ 絶縁層
１７６ プラグ
１７７ 画素部
１７８ 画素
１７９ 導電層
１９０Ｒ レジストマスク
１９０Ｂ レジストマスク
１９０Ｇ レジストマスク
１９１ レジストマスク
２０１ トランジスタ
２０４ 接続部
２０５ トランジスタ
２０９ トランジスタ
２１０ トランジスタ
２１１ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２１８ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２３ 導電層
２２４Ｂ 導電層
２２４Ｃ 導電層
２２４Ｇ 導電層
２２４Ｒ 導電層
２２５ 絶縁層
２３１ｉ チャネル形成領域
２３１ｎ 低抵抗領域
２３１ 半導体層
２４０ 容量
２４１ 導電層
２４２ 接続層
２４３ 絶縁層
２４５ 導電層
２５４ 絶縁層
２５５ 絶縁層
２５６ プラグ
２６１ 絶縁層
２７１ プラグ
２８０ 表示モジュール
２８１ 表示部
２８２ 回路部
２８３ａ 画素回路
２８３ 画素回路部
２８４ａ 画素
２８４ 画素部
２８５ 端子部
２８６ 配線部
２９０ ＦＰＣ
２９１ 基板
２９２ 基板
３０１ 基板
３１０ トランジスタ
３１１ 導電層
３１２ 低抵抗領域
３１３ 絶縁層
３１４ 絶縁層
３１５ 素子分離層
３５１ 基板
３５２ 基板
３５３ ＦＰＣ
３５４ ＩＣ
３５５ 配線
３５６ 回路
７００Ａ 電子機器
７００Ｂ 電子機器
７２１ 筐体
７２３ 装着部
７２７ イヤフォン部
７５０ イヤフォン
７５１ 表示パネル
７５３ 光学部材
７５６ 表示領域
７５７ フレーム
７５８ 鼻パッド
８００Ａ 電子機器
８００Ｂ 電子機器
８２０ 表示部
８２１ 筐体
８２２ 通信部
８２３ 装着部
８２４ 制御部
８２５ 撮像部
８２７ イヤフォン部
８３２ レンズ
９００ ガラス基板
９０１ 第１の電極
９０２ 第２の電極
９１１ 正孔注入層
９１２ 正孔輸送層
９１３ 発光層
９１４ 電子輸送層
９１５ 電子注入層
１０００ 発光装置
６５００ 電子機器
６５０１ 筐体
６５０２ 表示部
６５０３ 電源ボタン
６５０４ ボタン
６５０５ スピーカ
６５０６ マイク
６５０７ カメラ
６５０８ 光源
６５１０ 保護部材
６５１１ 表示パネル
６５１２ 光学部材
６５１３ タッチセンサパネル
６５１５ ＦＰＣ
６５１６ ＩＣ
６５１７ プリント基板
６５１８ バッテリ
７０００ 表示部
７１００ テレビジョン装置
７１５１ リモコン操作機
７１７１ 筐体
７１７３ スタンド
７２００ ノート型パーソナルコンピュータ
７２１１ 筐体
７２１２ キーボード
７２１３ ポインティングデバイス
７２１４ 外部接続ポート
７３００ デジタルサイネージ
７３０１ 筐体
７３０３ スピーカ
７３１１ 情報端末機
７４００ デジタルサイネージ
７４０１ 柱
７４１１ 情報端末機
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ カメラ
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ アイコン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１７１ 携帯情報端末
９１７２ 携帯情報端末
９１７３ タブレット端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (11)

  1. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。）
  2. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。）
  3. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。）
  4. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。）
  5. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ１８、Ｒ２０、およびＲ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１９およびＲ２１は、それぞれ独立に炭素数３乃至１０のアルキル基を表す。）
  6. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ１８、Ｒ２０、およびＲ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、重水素を有する炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１９およびＲ２１は、それぞれ独立に炭素数３乃至１０のアルキル基を表す。）
  7. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４乃至Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８乃至Ｒ２２のいずれか一以上は、下記一般式（Ｒ－１）を表す。）

    （式中、Ｒ３１乃至Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。）
  8. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ１７およびＲ１９乃至Ｒ２１は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、置換もしくは無置換の炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８およびＲ２２のいずれか一は、下記一般式（Ｒ－１）を表す。）

    （式中、Ｒ３１乃至Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。）
  9. 一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４乃至Ｒ１１、Ｒ１３乃至Ｒ１７およびＲ１９乃至Ｒ２１は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、かつＲ２またはＲ４の少なくとも一は、炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１２は炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、Ｒ１８およびＲ２２のいずれか一は、下記一般式（Ｒ－１）を表す。）

    （式中、Ｒ３１乃至Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素（重水素を含む）、炭素数１乃至１０のアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。）
  10. 構造式（１００）、構造式（１１５）、構造式（１１９）、構造式（１２０）、または構造式（１２１）で表される有機金属錯体。
  11. 請求項１乃至請求項１０のいずれかの有機金属錯体を含む発光層を有する発光デバイス。
JP2023180457A 2022-10-21 2023-10-19 有機金属錯体、発光デバイス Pending JP2024061664A (ja)

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WO2020152556A1 (ja) 2019-01-25 2020-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、情報処理装置の駆動方法

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