CN118119255A

CN118119255A - 有机化合物及发光器件

Info

Publication number: CN118119255A
Application number: CN202311599761.9A
Authority: CN
Inventors: 吉安唯; 大泽信晴; 木户裕允; 高畑正利; 濑尾哲史
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2022-11-30
Filing date: 2023-11-28
Publication date: 2024-05-31

Abstract

提供一种效率高且可靠性高的发光器件。另外，提供一种有机化合物。本发明是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，所述有机化合物层包括发光层，所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，所述第一有机化合物包含氘，在所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的混合膜的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下观测不到激基复合物的光谱。

Description

有机化合物及发光器件

技术领域

本发明的一个方式涉及一种有机化合物、有机半导体元件、发光器件、光电二极管传感器、显示器模块、照明模块、显示装置、电子设备、照明装置及电子器件。注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。

背景技术

使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光器件(也称为有机EL元件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光物质的有机化合物层。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的再结合能量，可以获得来自发光物质的发光。

由于发光器件是自发光型器件，与液晶显示装置(液晶显示元件)等相比，将该发光器件用于像素的显示装置具有更高的可见度，并且不需要背光。此外，使用这种发光器件的显示装置可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。而且，非常快的响应速度也是其特征之一。

此外，因为这种发光器件的发光层可以在平面状连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯、LED灯为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可用于照明等的面光源，上述发光器件的利用价值也高。

如上所述，虽然使用发光器件的显示装置、照明装置适用于各种各样的电子设备，但是为了追求具有更良好的特性的发光器件的研究开发日益活跃。

例如在非专利文献1中报告了作为发光掺杂剂使用铂配合物的发光器件。

[非专利文献1]Jinwon Sun,et al.,“Exceptionally stable bluephosphorescent organic light-emitting diodes”Nature Photonics vol16 p212-p218,2022

发明内容

本发明的一个方式的目的是提供一种可靠性高的发光器件。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种发光效率高的发光器件。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种色纯度高的发光器件。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种功耗低的显示装置、电子设备和照明装置中的任意个。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种可靠性高的显示装置、电子设备和照明装置中的任意个。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种色纯度高的显示装置、电子设备和照明装置中的任意个。

本发明只要实现上述目的中的任一个即可。

本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，有机化合物层包括发光层，发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，第一有机化合物包含氘，在第一有机化合物和第二有机化合物的混合膜的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下观测不到激基复合物的光谱。

本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，有机化合物层包括发光层，发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，第一有机化合物包含氘，在第一有机化合物和第二有机化合物的混合膜的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下检测出多个峰。

本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，有机化合物层包括发光层，发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，第一有机化合物包含氘，在第一有机化合物和第二有机化合物的混合膜的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下检测出第一有机化合物的磷光光谱及第二有机化合物的磷光光谱。

本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，有机化合物层包括发光层，发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，第一有机化合物包含氘及三个以上的咔唑骨架，在第一有机化合物和第二有机化合物的混合膜的4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下的PL测量中检测出多个峰。

本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，有机化合物层包括发光层，发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，第一有机化合物包含氘化咔唑骨架，在第一有机化合物和第二有机化合物的混合膜的4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下的PL测量中检测出多个峰。

在具有上述结构的发光器件中，第一有机化合物的T₁能级和第二有机化合物的T₁能级之差在0.100eV以内。

在具有上述结构的发光器件中，发光物质是磷光发光物质。

在具有上述结构的发光器件中，发光物质是包含铂的金属配合物。

本发明的一个方式是一种由下述通式(G1-1)或下述通式(G1-2)表示的有机化合物。

[化学式1]

在式中，R¹至R⁵分别独立地表示氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至10的多环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳基、碳原子数为18至36的三芳基甲硅烷基或者碳原子数为3至12的三烷基甲硅烷基。

本发明的一个方式是一种由下述通式(G2)表示的有机化合物。

[化学式2]

在式中，R¹至R⁵中的至少一个表示包含氘的咔唑基，其余的R¹至R⁵分别独立地表示氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至10的多环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳基、碳原子数为18至36的三芳基甲硅烷基或者碳原子数为3至12的三烷基甲硅烷基。

本发明的一个方式是一种由下述结构式(100)或结构式(101)表示的有机化合物。

[化学式3]

另外，本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，有机化合物层包括发光层，发光层包含由上述通式(G1-1)、通式(G1-2)、通式(G2)、结构式(100)或结构式(101)表示的有机化合物。

另外，本发明的另一个方式是一种显示装置，包括上述中的任意发光器件。

另外，本发明的另一个方式是一种电子设备，包括：上述发光器件；传感器、操作按钮、扬声器或麦克风。

另外，本发明的另一个方式是一种照明装置，包括：上述发光器件；以及外壳。

本发明的一个方式可以提供一种可靠性高的发光器件。另外，本发明的一个方式可以提供一种发光效率高的发光器件。另外，本发明的一个方式可以提供一种色纯度高的发光器件。另外，可以提供一种功耗低的显示装置、电子设备和照明装置中的任意个。另外，可以提供一种可靠性高的显示装置、电子设备和照明装置中的任意个。另外，可以提供一种色纯度高的显示装置、电子设备和照明装置中的任意个。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。

附图说明

图1A及图1B是发光器件的示意图；

图2A是说明本发明的一个方式的发光器件的能量转移的示意图，图2B是说明现有的发光器件的能量转移的示意图；

图3A至图3E是说明发光器件的结构的图；

图4A及图4B是发光装置的俯视图及截面图；

图5A至图5D是表示发光器件的图；

图6A至图6E是示出发光装置的制造方法的一个例子的截面图；

图7A至图7E是示出发光装置的制造方法的一个例子的截面图；

图8A至图8C是示出发光装置的制造方法的一个例子的截面图；

图9A至图9C是示出发光装置的制造方法的一个例子的截面图；

图10A至图10C是示出发光装置的制造方法的一个例子的截面图；

图11A至图11C是示出发光装置的制造方法的一个例子的截面图；

图12A至图12C是示出发光装置的制造方法的一个例子的截面图；

图13A至图13G是示出像素的结构例子的俯视图；

图14A至图14I是示出像素的结构例子的俯视图；

图15A及图15B是示出显示模块的结构例子的立体图；

图16A及图16B是示出发光装置的结构例子的截面图；

图17是示出发光装置的结构例子的立体图；

图18A是示出发光装置的结构例子的截面图，图18B及图18C是示出晶体管的结构例子的截面图；

图19是示出发光装置的结构例子的截面图；

图20A至图20D是示出发光装置的结构例子的截面图；

图21A至图21D是示出电子设备的一个例子的图；

图22A至图22F是示出电子设备的一个例子的图；

图23A至图23G是示出电子设备的一个例子的图；

图24是说明在实施例中制造的有机化合物的吸收光谱及发射光谱的图；

图25是说明根据实施例的发光器件的结构的图；

图26是说明根据实施例的发光器件的亮度-电流密度特性的图；

图27是说明根据实施例的发光器件的亮度-电压特性的图；

图28是说明根据实施例的发光器件的电流效率-亮度特性的图；

图29是说明根据实施例的发光器件的电流密度-电压特性的图；

图30是说明根据实施例的发光器件的功率效率-亮度特性的图；

图31是说明根据实施例的发光器件的外部量子效率-亮度特性的图；

图32是说明根据实施例的发光器件的电致发光光谱的图；

图33是示出根据实施例的发光器件的随驱动时间的亮度变化的图；

图34是示出根据实施例的发光器件的LT80的图；

图35A及图35B是说明用于实施例的材料的PL光谱(室温)及(10K)的图；

图36A及图36B是说明用于实施例的材料的PL光谱(室温)及(10K)的图；

图37A及图37B是说明用于实施例的材料的PL光谱(室温)及(10K)的图；

图38A及图38B是说明用于实施例的材料的PL光谱(室温)及(10K)的图；

图39是说明用于实施例的材料的PL光谱(10K)的图；

图40是说明在实施例中制造的有机化合物的吸收光谱及发射光谱的图；

图41是说明包含实施例中制造的有机化合物的混合膜的吸收光谱及发射光谱的图；

图42A及图42B是说明包含实施例中制造的有机化合物的混合膜的PL光谱(10K)的图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。

注意，在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)制造的器件称为MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。

实施方式1

将有机EL元件(以下也称为发光器件)用作显示元件的显示器(有机EL显示器)实用化已很久了。在该显示器中，为了实现全彩色显示，通常包括发射红色、绿色和蓝色的至少三个颜色的光的像素。

该像素中按每个发光颜色设置有发光器件，在采用Side by Side方式(所谓分别涂布方式)的显示器中，各发光器件根据对应的像素的发光颜色包括不同的发光物质。

这里，已知：电流激发的有机EL器件中，单重激发态与三重激发态的产生概率为1：3，使用只能将单重激发态用于发光的荧光材料的发光器件的内部量子效率的理论极限为25％。另一方面，由于磷光材料能够通过系间窜越将单重激发态转换为三重激发态，理论上可以实现内部量子效率为100％的发光器件，与荧光材料相比，可以得到发光效率高的发光器件。因此，现在实用化的有机EL显示器中，红色发光器件和绿色发光器件的大部分使用磷光材料作为发光物质。

但是，即使是在红色发光器件和绿色发光器件中使用磷光材料的显示器，蓝色发光器件也使用效率低的荧光材料。其理由在于可靠性而不在于效率。使用磷光材料作为蓝色发光物质的发光器件一般都具有短寿命并得到高可靠性是很困难的。

例如，因为磷光材料的发光寿命(也称为磷光寿命、激子寿命)长，所以可靠性下降。由于从三重激发态向单重基态的跃迁是自旋禁阻的且从单重激发态向单重基态的跃迁是自旋允许的，所以磷光寿命(～μs)比荧光寿命(～ns)长得多。磷光寿命长意味着三重激子的寿命长，因此在磷光发光器件中，发光物质长时间持续处于能量高的激发态，这导致本身的劣化或者促进其周边物质的劣化。

另外，当发光层中使用用来分散发光物质的有机化合物(也称为主体材料)时，该主体材料需要为其三重激发能级及单重激发能级分别比发光物质(也称为客体材料)的三重激发能级及单重激发能级高的物质。另一方面，蓝色的发光能量比红色或绿色高，因此用来分散蓝色发光物质的主体材料的三重激发能级及单重激发能级需要比红色或绿色的器件高。因此，材料的选择范围较窄，难以得到具有良好的性能的材料。

就是说，使用蓝色磷光材料的发光器件由于如上所述那样其三重激发态能量比红色及绿色的磷光材料高，所以与使用红色或绿色的材料的器件相比，大大受到发光物质的激子寿命长的影响，还未得到能够承受实用的可靠性。

本发明的一个方式提供一种使用可靠性高的磷光材料的发光器件或者可用于该发光器件的有机化合物。以下说明本发明的一个方式的发光器件的结构。

<发光器件的结构例子>

图1A是本发明的一个方式的发光器件10的截面示意图。发光器件10包括一对电极(第一电极101及第二电极102)，并包括设置在该一对电极之间的有机化合物层103。有机化合物层103至少包括发光层113。

另外，图1A所示的有机化合物层103除了发光层113以外包括空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114及电子注入层115等功能层。

注意，虽然在本实施方式中以一对电极中的第一电极101为阳极并以第二电极102为阴极进行说明，但是发光器件10的结构不局限于此。也就是说，也可以将第一电极101用作阴极并将第二电极102用作阳极，使该电极间的各层的叠层顺序相反。即，从阳极一侧起依次层叠空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115即可。

注意，有机化合物层103的结构不局限于图1A所示的结构，只要包括选自空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114及电子注入层115中的至少一个即可。或者，有机化合物层103也可以包括具有如下功能的功能层：能够减少空穴或电子的注入势垒；能够提高空穴或电子的传输性；能够阻碍空穴或电子的传输性；或者能够抑制电极引起的猝灭现象等。注意，功能层既可以是单层也可以是层叠有多个层的结构。

图1B是示出图1A所示的发光层113的一个例子的截面示意图。图1B所示的发光层113包括主体材料118(有机化合物118_1及有机化合物118_2)及客体材料119(发光物质)。

作为客体材料119，使用发光性有机金属配合物即可，作为该发光性有机金属配合物，优选使用能够发射磷光的物质(以下也称为磷光化合物)。

此外，在发光层113中，主体材料118以重量比最大的方式存在，客体材料119分散在主体材料118中。如上所述，优选发光层113的主体材料118(有机化合物118_1及有机化合物118_2)的最低三重激发能级(T₁能级)高于发光层113的客体材料119的T₁能级。

此外，发光层113中的主体材料118(有机化合物118_1及有机化合物118_2)优选形成激基复合物(也称为Exciplex)。激基复合物是由两种以上的物质形成的激发态，在是光激发的情况下，激基复合物通过处于激发态的一个物质与处于基态的另一个物质的相互作用而形成。当通过发射光而回到基态时，形成激基复合物的两种物质再次分别用作不同的物质。激基复合物的激发能级比形成激基复合物的主体材料118(有机化合物118_1及有机化合物118_2)的单重激发能级低，所以可以以更低的激发能形成主体材料118的激发态。由此，可以降低发光器件的驱动电压。

图2A示出本发明的一个方式的发光器件中的客体材料119的发光过程中的能量转移的示意图。有机化合物118_2的T₁能级(T₁(118_2))的能量比由主体材料118(有机化合物118_1及有机化合物118_2)形成的激基复合物的T₁能级(T₁(118))的能量低且比作为发光物质的客体材料119的T₁能级(T₁(119))的能量高。

在使用由主体材料118形成的激基复合物的发光器件中，基本上激发能从因主体材料118被激发而形成的激基复合物的T₁能级转移到客体材料119的T₁能级(点划线的箭头)，由此客体材料119被激发。在激发的客体材料119从三重激发态回到基态时发光(Em)。

在本发明的一个方式的发光器件中，由于有机化合物118_2的T₁能级的能量比激基复合物的T₁能级的能量低且比客体材料119的T₁能级的能量高，激发能不但可以如上述那样从激基复合物的T₁能级转移到客体材料119的T₁能级(点划线的箭头)而且可以从激基复合物的T₁能级经过有机化合物118_2的T₁能级转移到客体材料119的T₁能级(实线的箭头)，因此可以使激基复合物的能量高效地转移。

在此，图2B示出现有的发光器件中的能量转移的示意图。有机化合物118_2的T₁能级(T₁(118_2))的能量比由主体材料118(有机化合物118_1及有机化合物118_2)形成的激基复合物的T₁能级(T₁(118))的能量高且比作为发光物质的客体材料119的T₁能级(T₁(119))高。

就是说，在现有的发光器件中，激发能不从激基复合物的T₁能级转移到有机化合物118_2的T₁能级。由于有机化合物118_2不被激发，激发能不从有机化合物118_2的T₁能级转移到客体材料119的T₁能级(虚线的箭头)。就是说，在现有的发光器件中，只有通过能量从激基复合物的T₁能级直接转移到客体材料119的T₁能级(点划线的箭头)才能使客体材料119激发。

另一方面，在本发明的一个方式的发光器件中，由于形成从激基复合物的T₁能级到客体材料119的多个能量转移路径，在激基复合物失活之前将能量高效地转移到客体材料119，因此可以提供一种具有高发光效率并使用可靠性高的磷光材料的发光器件。

注意，关于各激发能级，可以将吸收光谱的吸收端或室温(例如290K至300K左右(17℃至27℃)，优选为298K(25℃)附近)下的光致发光(PL)光谱的荧光光谱(荧光成分)的短波长侧的发光端的能量看作单重激发能级，可以将低温(4K至80K的温度范围内的任一温度)下的PL光谱的磷光光谱(磷光成分)的短波长侧的发光端的能量看作三重激发能级的能量。

在此，各光谱既可以以薄膜状态测量，又可以以溶液状态测量。但是，在对比光谱时，如对比薄膜和薄膜或者对比溶液和溶液那样以相同的样品形状进行对比。就是说，在对比室温的PL光谱和低温(4K至80K的温度范围内的任一温度)的PL光谱时，如对比薄膜和薄膜或者对比溶液和溶液那样以相同的样品形状进行对比，即可。

当以溶液状态进行测量时，作为溶剂可以使用己烷、苯、甲苯、二乙基醚、乙酸乙酯、氯仿、氯苯、二氯甲烷、2-甲基四氢呋喃(2-MeTHF)等，优选使用甲苯、二氯甲烷、2-MeTHF。另外，也可以使用碘苯：二氯甲烷：甲苯＝20％：40％：40％的混合溶剂等，由此可以在低温下观测磷光成分时形成良好的玻璃状态。

当以溶液观测磷光成分时，因为液氮的温度为77K，所以优选在77K至80K下进行测量。另外，当以薄膜观测磷光成分时，因为液氦的温度为4K，所以优选在4K至10K左右之间的温度下进行测量。

关于有机化合物的最低三重激发能级(T₁能级)，在磷光光谱中的峰的短波长侧的斜率最大的值处划切线，将该切线与横轴(波长)或基线的交点的能量设定为T₁能级即可(例如，参照Daisaku TANAKA等，“Ultra High Efficiency Green Organic Light-Emitting Devices”，Japanese Journal of Applied Physics，Vol.46，No.1，2007，pp.L10-L12)。另外，作为其他方法，当在磷光光谱中明确地观测到基态和激发态的振动能级之间的ν＝0→ν＝0跃迁(0→0带)时，也可以使用该0→0带计算出T₁能级(NicholasJ.Turro，V.Ramamurthy，J.C.Scaiano著，“MODERN MOLECULAR PHOTOCHEMISTRY OFORGANIC MOLECULES”,UNIVERSITY SCIENCE BOOKS,2010年2月10日发行,pp.204-208)。在本说明书中，用前者的划切线的方法计算出各能级。另外，当对比能级时，以利用相同方法计算的能级进行对比。

另外，在磷光发光器件中，发光物质长时间持续处于能量高的激发态，可能会加速作为周边物质的主体材料118的劣化。尤其是，本发明的一个方式所使用的有机化合物118_2从主体材料118的激基复合物接收能量，因此被单独激发。因此，作为有机化合物118_2优选使用激发态下的结构稳定的化合物形成。

具体而言，有机化合物118_2优选使用包含氘的有机化合物。在三重激发态下自旋密度高的碳原子包含氘时，激发态下的结构稳定，因此可以提高有机化合物的可靠性。另外，在激发态下可以抑制有机化合物的振动并抑制从激发态的无辐射失活。另外，可以实现高发光效率。

<有机化合物的例子>

以下，说明可用于本发明的一个方式的发光器件的有机化合物的例子。特别优选将下述有机化合物用作有机化合物118_2。

<<有机化合物的例子1>>

本发明的一个方式是一种由通式(G1-1)或通式(G1-2)表示的有机化合物。

[化学式4]

注意，R¹至R⁵分别独立地表示氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至10的多环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳基、碳原子数为18至36的三芳基甲硅烷基或者碳原子数为3至12的三烷基甲硅烷基。

<<有机化合物的例子2>>

本发明的一个方式是一种由通式(G2)表示的有机化合物。

[化学式5]

注意，R¹至R⁵中的至少一个表示包含氘的咔唑基，其余的R¹至R⁵分别独立地表示氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至10的多环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳基、碳原子数为18至36的三芳基甲硅烷基或者碳原子数为3至12的三烷基甲硅烷基。

在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，作为在R¹至R⁵上取代的烷基，例如可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、己基、异己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、2-乙基丁基、1，2-二甲基丁基、2，3-二甲基丁基等。

在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，作为在R¹至R⁵上取代的环烷基，例如可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、环十二烷基，作为具有交联结构的碳原子数为4至10的环烷基，可以举出联环丁基、降金刚烷基、金刚烷基、降冰片基、四氢二环戊二烯基。

在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，作为在R¹至R⁵上取代的多环烷基，例如可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、1-甲基环己基、环庚基、金刚烷基等。

在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，作为在R¹至R⁵上取代的芳基，例如可以举出苯基、甲苯基、甲苄基、联苯基、茚基、萘基、芴基、螺芴基、菲基、三亚苯基。

在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，作为在R¹至R⁵上取代的杂芳基，例如可以举出具有三嗪环、嘧啶环、吡啶环、菲咯啉环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、苯并萘并呋喃环、苯并萘并噻吩环、吲哚咔唑环、苯并呋喃并咔唑环、苯并噻吩并咔唑环、茚并咔唑环及二苯并咔唑环的基。

在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，作为在R¹至R⁵上取代的三烷基甲硅烷基，例如可以举出三甲基硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基等。

在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，作为在R¹至R⁵上取代的三芳基甲硅烷基，例如可以举出三苯基甲硅烷基、三萘基甲硅烷基等。

具体而言，在上述通式(G1-1)、上述通式(G1-2)及上述通式(G2)中，R¹至R⁵可以由下述通式(Ar-1)至通式(Ar-56)中的任一个表示。注意，在下述通式(Ar-1)至通式(Ar-56)中，也可以将氢适当地替换为氘。

[化学式6]

[化学式7]

注意，通式(Ar-1)至通式(Ar-56)是R¹至R⁵的一个例子，但是不局限于此。

<具体例子>

接着，以下示出具有由上述通式(G1-1)、通式(G1-2)或通式(G2)表示的结构的本发明的一个方式的有机化合物的具体例子。

[化学式8]

由上述结构式(100)至(105)表示的有机化合物是由上述通式(G1-1)、通式(G1-2)或通式(G2)表示的有机化合物的一个例子，但是本发明的一个方式的有机化合物不局限于此。

<有机化合物的合成方法>

以下，说明由通式(G1-1)、通式(G1-2)或通式(G2)表示的有机金属配合物的合成方法。作为该化合物的合成方法，可以采用各种反应。

<<由通式(G1-1)表示的有机化合物的合成方法>>

由下述通式(G1-1)表示的有机化合物可以通过下述合成方案(s1-1)至合成方案(s1-3)合成。

[化学式9]

首先，说明合成方案(s1-1)。就是说，通过使化合物1和化合物2偶联，可以得到化合物3。以下示出合成方案(s1-1)。

[化学式10]

接着，说明合成方案(s1-2)。就是说，通过使化合物3进行卤化反应，可以得到目的物的化合物4。以下示出合成方案(s1-2)。

[化学式11]

接着，说明合成方案(s1-3)。就是说，通过使化合物4和化合物1偶联，可以得到目的物的通式(G1-1)。以下示出合成方案(s1-3)。

[化学式12]

<<由通式(G1-2)表示的有机化合物的合成方法>>

由下述通式(G1-2)表示的有机化合物可以通过下述合成方案(s2-1)及合成方案(s2-2)合成。

[化学式13]

说明合成方案(s2-1)。就是说，通过使化合物5进行氘化反应，可以得到化合物6。以下示出合成方案(s2-1)。

[化学式14]

接着，说明合成方案(s2-2)。就是说，通过使化合物6和化合物2偶联，可以得到目的物的通式(G1-2)。以下示出合成方案(s2-2)。

[化学式15]

<<由通式(G2)表示的有机化合物的合成方法>>

由下述通式(G2)表示的有机化合物可以通过下述合成方案(s3-合成。

[化学式16]

说明合成方案(A3)。就是说，通过使化合物7和化合物2偶联，可以得到目的物的通式(G2)。以下示出合成方案(s3-1)。

[化学式17]

在上述合成方案(s1-1)至合成方案(s1-3)、合成方案(s2-1)、合成方案(s2-2)及合成方案(s3-1)中，X₁至X₃分别独立地表示氟、氯、溴、碘，在考虑反应性时更优选的是溴或碘，在考虑成本时更优选的是氯或溴。

作为在上述合成方案(s1-2)的卤化反应中可用的卤化剂，可以举出氯、溴、碘、N-氯代丁二酰亚胺、N-溴代丁二酰亚胺、N-碘代丁二酰亚胺等。注意，可用的卤化剂不局限于此。

另外，作为在上述合成方案(s1-2)的卤化反应中可用的溶剂，可以举出氯仿、二氯甲烷、乙酸乙酯、N，N-二甲基甲酰胺等。注意，可用的溶剂不局限于此。

作为在上述合成方案(s2-1)的氘化反应中可用的溶剂，可以举出苯-d6、甲苯-d8、二甲苯-d10、DMSO-d6、乙腈-d3、重水等。注意，可用的溶剂不局限于此。

另外，作为在上述合成方案(s2-1)的氘化反应中可用的催化剂，可以举出氯化钼(V)、氯化钨(VI)、氯化铌(V)、氯化钽(V)、氯化铝(III)、氯化钛(IV)、氯化锡(IV)等。注意，可用的催化剂不局限于此。

当在上述合成方案(s1-1)至合成方案(s1-3)、合成方案(s2-1)、合成方案(s2-2)及合成方案(s3-1)中进行使用钯催化剂的布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应时，可以使用双(二亚苄基丙酮)钯(0)、醋酸钯(II)、[1，1-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(II)、四(三苯基膦)钯(0)、氯化烯丙基钯(II)二聚物等钯化合物、以及三(叔丁基)膦、三(正己基)膦、三环己基膦、二(1-金刚烷基)-正丁基膦、2-二环己基膦基-2’，6’-二甲氧基联苯、三(邻甲苯基)膦、(S)-(6，6’-二甲氧基联苯-2，2’-二基)双(二异丙基膦)(简称：cBRIDP)等配体。在该反应中，可以使用有机碱诸如叔丁醇钠等、无机碱如碳酸钾、碳酸铯或碳酸钠等。在该反应中，作为溶剂可以使用甲苯、二甲苯、苯、四氢呋喃、二氧六环等。注意，能够用于上述反应的试剂类不局限于上述试剂类。

此外，在上述合成方案(s1-1)至合成方案(s1-3)、合成方案(s2-1)、合成方案(s2-2)及合成方案(s3-1)中，也可以进行使用铜或铜化合物的乌尔曼(Ullmann)反应。作为使用的碱，可以举出碳酸钾等无机碱。作为可用于该反应的溶剂，可以举出1，3-二甲基-3，4，5，6-四氢-2(1H)嘧啶酮(DMPU)、甲苯、二甲苯以及苯等。在乌尔曼反应中，在反应温度为100℃以上时可以在短时间内以高收率得到目的物，所以优选使用沸点高的DMPU、二甲苯。此外，反应温度更优选为150℃以上的高温，所以更优选使用DMPU。可用于该反应的试剂类不局限于上述试剂类。

以上说明由通式(G1-1)、通式(G1-2)及通式(G2)表示的有机化合物的合成方法，但是该有机化合物的合成方法不局限于上述合成方案(s1-1)至合成方案(s1-3)、合成方案(s2-1)、合成方案(s2-2)及合成方案(s3-1)。

本实施方式可以与其他实施方式及实施例任意组合而使用。

实施方式2

在本实施方式中，参照图3A至图3E说明使用实施方式1所示的有机金属配合物的发光器件的结构。

<发光器件的基本结构>

对发光器件的基本结构进行说明。图3A示出在一对电极之间包括具有发光层的EL层的结构(单结构)的发光器件。具体而言，第一电极101与第二电极102之间夹持有有机化合物层103。

另外，图3B示出在一对电极之间包括多个(图3B中为两层)有机化合物层(103a、103b)且在EL层之间包括电荷产生层106的叠层结构(串联结构)的发光器件。串联结构的发光器件可以不改变电流量而实现高效率的发光装置。

电荷产生层106具有如下功能：在第一电极101与第二电极102之间产生电位差时，对一个有机化合物层(103a或103b)注入电子并对另一个有机化合物层(103b或103a)注入空穴。由此，在图3B中，当以使第一电极101的电位高于第二电极102的电位的方式施加电压时，从电荷产生层106将电子注入到有机化合物层103a中并将空穴注入到有机化合物层103b中。

此外，从光提取效率的观点来看，电荷产生层106优选对可见光具有透光性(具体而言，电荷产生层106的可见光透过率为40％以上)。此外，即使电荷产生层106的电导率比第一电极101及第二电极102低也发挥功能。

另外，图3C示出本发明的一个方式的发光器件的有机化合物层103的叠层结构。注意，在此情况下，第一电极101被用作阳极，第二电极102被用作阴极。有机化合物层103具有第一电极101上依次层叠有空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114以及电子注入层115的结构。注意，发光层113也可以层叠多个发光颜色不同的发光层。例如，也可以隔着或不隔着包含载流子传输性材料的层层叠包含呈现红色的发光物质的发光层、包含呈现绿色的发光物质的发光层、包含呈现蓝色的发光物质的发光层。或者，也可以组合包含呈现黄色的发光物质的发光层和包含呈现蓝色的发光物质的发光层。注意，发光层113的叠层结构不局限于上述结构。例如，发光层113也可以层叠多个发光颜色相同的发光层。例如，也可以隔着或不隔着包含载流子传输性材料的层层叠包含呈现蓝色的发光物质的第一发光层、包含呈现蓝色的发光物质的第二发光层。在层叠多个发光颜色相同的发光层时，有时与单层相比可以提高可靠性。另外，在如图3B所示的串联结构那样具有多个EL层的情况下，各EL层也具有从阳极一侧如上述那样依次层叠的结构。此外，在第一电极101为阴极且第二电极102为阳极时，有机化合物层103的叠层顺序相反。具体而言，阴极的第一电极101上的111为电子注入层，112为电子传输层，113为发光层，114为空穴传输层，115为空穴注入层。

有机化合物层(103、103a、103b)中的发光层113适当地组合包含发光物质及多个物质而能够获得呈现所希望的发光颜色的荧光发光或磷光发光。另外，发光层113也可以为发光颜色不同的叠层结构。在此情况下，作为用于层叠的各发光层的发光物质及其他物质使用不同材料即可。另外，也可以采用从图3B所示的多个有机化合物层(103a、103b)获得彼此不同的发光颜色的结构。在此情况下，作为用于各发光层的发光物质及其他物质使用不同材料即可。

另外，在本发明的一个方式的发光器件中，例如，通过使图3C所示的第一电极101为反射电极且使第二电极102为半透射-半反射电极并采用光学微腔谐振器(微腔)结构，可以使从有机化合物层103中的发光层113得到的发光在上述两个电极之间发生谐振，从而可以增强从第二电极102射出的光。由此，容易实现高清晰化。另外，因为能够加强特定波长的正面方向的发光强度，所以可以实现低功耗化。

在发光器件的第一电极101为由具有反射性的导电性材料和具有透光性的导电性材料(透明导电膜)的叠层结构构成的反射电极的情况下，可以通过调整透明导电膜的厚度来进行光学调整。具体而言，优选以如下方式进行调整：在从发光层113获得的光的波长为λ时，第一电极101与第二电极102的电极间的光学距离(厚度与折射率之积)为mλ/2(注意，m为1以上的整数)或其附近值。

另外，为了使从发光层113获得的所希望的光(波长：λ)放大，优选以下述方式调整：从第一电极101到发光层113中的能够获得所希望的光的区域(发光区域)的光学距离及从第二电极102到发光层113中的能够获得所希望的光的区域(发光区域)的光学距离都成为(2m’+1)λ/4(注意，m’为1以上的整数)或其附近值。注意，在此说明的“发光区域”是指发光层113中的空穴与电子的再结合区域。

通过进行上述光学调整，可以使能够从发光层113获得的特定的单色光的光谱变窄，由此获得色纯度良好的发光。

另外，在上述情况下，严格而言，第一电极101和第二电极102之间的光学距离可以说是从第一电极101中的反射区域到第二电极102中的反射区域的总厚度。但是，因为难以准确地决定第一电极101及第二电极102中的反射区域的位置，所以通过假设第一电极101及第二电极102中的任意位置为反射区域可以充分得到上述效果。另外，严格而言，第一电极101和能够获得所希望的光的发光层之间的光学距离可以说是第一电极101中的反射区域和能够获得所希望的光的发光层中的发光区域之间的光学距离。但是，因为难以准确地决定第一电极101中的反射区域及能够获得所希望的光的发光层中的发光区域，所以通过假设第一电极101中的任意位置为反射区域且能够获得所希望的光的发光层的任意位置为发光区域，可以充分得到上述效果。

图3D所示的发光器件是具有串联结构的发光器件。通过采用串联结构，可以实现能够进行高亮度发光的发光器件。此外，串联结构由于与单结构相比可以降低为了得到相同的亮度的电流，所以可以提高可靠性。此外，可以降低功耗。

图3E所示的发光器件是图3B所示的串联结构的发光器件的一个例子，如附图所示，具有三个有机化合物层(103a、103b、103c)夹持电荷产生层(106a、106b)而层叠的结构。三个有机化合物层(103a、103b、103c)分别包括发光层(113a、113b、113c)，并且可以自由地组合各发光层的发光颜色。例如，可以采用如下结构：发光层113a发射蓝色，发光层113b发射红色、绿色和黄色中的任一个，发光层113c发射蓝色，但也可以采用如下结构：发光层113a发射红色，发光层113b发射蓝色、绿色和黄色中的任一个，发光层113c发射红色。

另外，在上述本发明的一个方式的发光器件中，第一电极101和第二电极102中的至少一个为具有透光性的电极(透明电极、半透射-半反射电极等)。在具有透光性的电极为透明电极的情况下，透明电极的可见光的透过率为40％以上。另外，在该电极为半透射-半反射电极的情况下，半透射-半反射电极的可见光的反射率为20％以上且80％以下，优选为40％以上且70％以下。另外，这些电极的电阻率优选为1×10^-2Ωcm以下。

此外，在上述本发明的一个方式的发光器件中，在第一电极101和第二电极102中的一个为具有反射性的电极(反射电极)的情况下，具有反射性的电极的可见光反射率为40％以上且100％以下，优选为70％以上且100％以下。另外，该电极的电阻率优选为1×10^-2Ωcm以下。

<发光器件的具体结构>

接着，说明本发明的一个方式的发光器件的具体结构。此外，这里参照具有串联结构的图3D进行说明。注意，图3A及图3C所示的具有单结构的发光器件也采用同样的EL层的结构。此外，在图3D所示的发光器件具有微腔结构的情况下，作为第一电极101形成反射电极，作为第二电极102形成半透射-半反射电极。由此，可以单独使用所希望的电极材料或者使用多个电极材料以单层或叠层形成上述电极。另外，第二电极102在形成有机化合物层103b之后适当地选择材料而形成。

<发光器件的材料>

<<发光层>>

发光层(113、113a、113b)是包含发光物质的层。注意，作为可用于发光层(113、113a、113b)的发光物质，可以适当地使用呈现蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等发光颜色的物质。此外，在包括多个发光层时通过在各发光层中分别使用不同的发光物质，可以得到呈现不同发光颜色的结构(例如，组合处于补色关系的发光颜色而获得的白色光)。再者，也可以采用一个发光层包含不同的发光物质的叠层结构。

此外，发光层(113、113a、113b)除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种有机化合物(主体材料等)。

具体而言，作为发光层113可以采用参照实施方式1的图1B说明的结构。在发光层113中，主体材料118的重量比最大，客体材料119(磷光化合物)分散在主体材料118中。优选发光层113的主体材料118(有机化合物118_1及有机化合物118_2)的T₁能级高于发光层113的客体材料(客体材料119)的T₁能级。

作为有机化合物118_1，可以使用电子传输性比空穴传输性高的材料，优选使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的电子迁移率的材料。作为容易接收电子的材料(具有电子传输性的材料)，可以使用含氮杂芳族化合物等具有缺π电子型杂芳环骨架的化合物以及锌类或铝类金属配合物等。作为具有缺π电子型杂芳环骨架的化合物的例子，可以举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、菲罗啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物等化合物。作为锌类或铝类金属配合物的例子，可以举出具有喹啉配体、苯并喹啉配体、噁唑配体或噻唑配体的金属配合物。

具体而言，可以举出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等，例如三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq₃)、双(10-羟基苯并[h]羟基喹啉)铍(II)(简称：BeBq₂)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)等。除了上述以外，也可以使用双[2-(2-苯并噁唑基)苯基苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯基苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等具有噁唑类或噻唑类配体的金属配合物等。再者，除了金属配合物以外，还可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(p-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、9-[4-(4，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑-3-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzTAZ1)、2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II)、红菲罗啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)等的杂环化合物、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、2-[4-(3，6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：7mDBTPDBq-II)及、6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：6mDBTPDBq-II)、2-[3-(3，9’-联-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzCzPDBq)、4，6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4，6mPnP2Pm)、4，6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4，6mDBTP2Pm-II)、4，6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(简称：4，6mCzP2Pm)等具有二嗪骨架的杂环化合物、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PCCzPTzn)等具有三嗪骨架的杂环化合物、3，5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称：TmPyPB)等具有吡啶骨架的杂环化合物、4，4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(简称：BzOs)等的杂芳族化合物。在上述杂环化合物中，具有三嗪骨架、二嗪(嘧啶、吡嗪、哒嗪)骨架或吡啶骨架的杂环化合物稳定且可靠性良好，所以是优选的。具有该骨架的杂环化合物具有高电子传输性，也有助于降低驱动电压。另外，还可以使用高分子化合物，诸如聚(2，5-吡啶二基)(简称：PPy)、聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-共-(吡啶-3，5-二基)](简称：PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共-(2，2’-联吡啶-6，6’-二基)](简称：PF-BPy)。这里所述的物质主要为具有1×10^-6cm²/Vs以上的电子迁移率的物质。注意，只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，也可以使用上述以外的任何物质。

例如，作为有机化合物118_1，可以使用由下述结构式(400)至结构式(415)表示的有机化合物。

[化学式18]

/>

[化学式19]

作为有机化合物118_2，优选使用可以与有机化合物118_1形成激基复合物的组合。具体而言，优选具有富π电子型杂芳环骨架或如芳香胺骨架那样供体性高的骨架。作为具有富π电子型杂芳环骨架的化合物，可以举出二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物等杂芳族化合物。此时，优选以有机化合物118_1与有机化合物118_2所形成的激基复合物的发光峰与客体材料119(磷光化合物)的三重MLCT(Metal to Ligand ChargeTransfer：从金属到配体的电荷转移)跃迁的吸收带(更具体而言，位于最长波长的吸收带)重叠的方式选择有机化合物118_1、有机化合物118_2及客体材料119(磷光化合物)。由此，可以实现一种发光效率得到显著提高的发光器件。注意，在使用热活化延迟荧光材料代替磷光化合物的情况下，位于最长波长的吸收带优选为单重态的吸收带。

另外，作为有机化合物118_2，可以使用如下空穴传输性材料。

作为空穴传输性材料，可以使用空穴传输性比电子传输性高的材料，优选使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率的材料。具体而言，可以使用芳香胺、咔唑衍生物、芳烃、二苯乙烯衍生物等。上述空穴传输性材料也可以是高分子化合物。

作为空穴传输性高的材料，具体而言，作为芳香胺化合物，可以举出N，N’-二(对甲苯基)-N，N’-二苯基-对亚苯二胺(简称：DTDPPA)、4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N’-双[4-双(3-甲基苯基)氨基苯基]-N，N’-二苯基-4，4’-二氨基联苯(简称：DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)等。

另外，作为咔唑衍生物，具体而言，可以举出3-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA1)、3，6-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA2)、3，6-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-(1-萘基)氨]-9-苯基咔唑(简称：PCzTPN2)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)等。

另外，作为咔唑衍生物，还可以使用4，4’-二(9H-咔唑-9-基)联苯(简称：CBP)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。

另外，作为芳烃，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-联蒽、10，10'-二苯基-9，9'-联蒽、10，10'-双(2-苯基苯基)-9，9'-联蒽、10，10'-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝等。除此之外，还可以使用并五苯、晕苯等。如上所述，更优选使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率且碳原子数为14以上且42以下的芳烃。

注意，芳烃也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基骨架的芳烃，例如，可以举出4，4’-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。

另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)或聚[N，N'-双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。

另外，作为空穴传输性高的材料，例如可以使用4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB或α-NPD)、N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-4，4’-二氨基联苯(简称：TPD)、4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯基胺(简称：TCTA)、4，4’，4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]三苯基胺(简称：1’-TNATA)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(简称：TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(简称：m-MTDATA)、N，N’-双(9，9’-螺二[9H-芴]-2-基)-N，N’-二苯基-4，4’-二氨基联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mBPAFLP)、N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-N-{9，9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基]-9H-芴-7-基}苯基胺(简称：DFLADFL)、N-(9，9-二甲基-2-二苯基氨基-9H-芴-7-基)二苯基胺(简称：DPNF)、N-(9，9-螺二[9H-芴]-2-基)-N，N’N’-三苯基-1，4-亚苯二胺(简称：DPASF)(简称：DPASF)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、4-苯基二苯基-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)胺(简称：PCA1BP)、N，N’-双(9-苯基咔唑-3-基)-N，N’-二苯基苯-1，3-二胺(简称：PCA2B)、N，N’，N”-三苯基-N，N’，N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1，3，5-三胺(简称：PCA3B)、N-(9，9-二苯基-9H-芴-2-基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAFLP(2))、N-(9，9-二苯基-9H-芴-2-基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-2-胺(简称：PCAFLP(2)-02)、N-(4-联苯)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：PCBiF)、N-(联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、9，9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9’-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：PCBASF)、N-(9，9-螺二[9H-芴]-2-基)-N，9-二苯基咔唑-3-胺(简称：PCASF)、N，N’-二苯基-N，N’-双(4-二苯基氨基苯基)螺二[9H-芴]-2，7-二胺(简称：DPA2SF)、N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-(4-苯基)苯基苯胺(简称：YGA1BP)、N，N’-双[4-(咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基-9，9-二甲基芴-2，7-二胺(简称：YGA2F)等的芳香胺化合物等。此外，可以使用3-[4-(1-萘基)苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、9-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]菲(简称：PCPPn)、3，3’-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)、1，3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、3，6-双(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、9’-苯基-9’H-9，3’：6’，9”-三咔唑(简称：PhCzGI)、2，8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(简称：Cz2DBT)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)、4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)、4-[3-(三亚苯-2-基)苯基]二苯并噻吩(简称：mDBTPTp-II)等的胺化合物、咔唑化合物、噻吩化合物、呋喃化合物、芴化合物、三亚苯化合物、菲化合物等。在上述化合物中，具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、芳香胺骨架的化合物稳定且可靠性良好，所以是优选的。另外，具有该骨架的化合物具有高空穴传输性，也有助于降低驱动电压。

作为客体材料119(磷光化合物)，可以举出铱、铑、铂类有机金属配合物或者金属配合物，其中作为金属配合物优选为铂配合物。另外，也可以举出具有含氮杂环卡宾的铂配合物等。此外，也可以使用有机铱配合物，例如铱类邻位金属配合物。作为邻位金属化的配体，可以举出4H-三唑配体、1H-三唑配体、咪唑配体、吡啶配体、嘧啶配体、吡嗪配体或异喹啉配体等。

此外，作为客体材料119(磷光化合物)，优选以LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)能级比有机化合物118_1的LUMO能级高且HOMO(Highest OccupiedMolecular Orbital)能级比有机化合物118_2的HOMO能级低的方式选择有机化合物118_1、有机化合物118_2及客体材料119(磷光化合物)。由此，可以制造发光效率高且能够以低电压驱动的发光器件。

此外，作为客体材料119(磷光化合物)，优选以LUMO能级比有机化合物118_1的LUMO能级高且HOMO能级比有机化合物118_2的HOMO能级高的方式选择有机化合物118_1、有机化合物118_2及客体材料119(磷光化合物)。由此，可以制造发光效率高且能够以低电压驱动的发光器件。

此外，优选以有机化合物118_1的LUMO能级与客体材料119(磷光化合物)的HOMO能级之间的能量差为从客体材料119(磷光化合物)的吸收光谱的吸收端中的位于最长波长的吸收端算出的能量以上的方式选择有机化合物118_1及客体材料119(磷光化合物)。由此，可以制造发光效率高且能够以低电压驱动的发光器件。

此外，吸收光谱中的位于最长波长的吸收端可以通过测量薄膜状态或基质材料中掺杂了对象物质的薄膜中的对象物质的吸收光谱而从假设直接跃迁的Tauc曲线求出。或者，也可以通过如下方法算出吸收端：测量对象物质的溶液的吸收光谱，在吸收光谱的最长波长中观察到的峰或肩峰的长波长侧的一半处划切线，从该切线与横轴(波长)或基线的交点算出。作为溶液的溶剂没有特别限制，但优选使用甲苯及氯仿等极性较小的溶剂。

注意，可以通过电化学测量算出本说明书中使用的HOMO能级及LUMO能级的值。作为电化学测量的典型例子，可以举出循环伏安(CV)测量、差分脉冲伏安(DPV：DifferentialPulse Voltammetry)测量等。

在循环伏安(CV)测量中，可以根据通过改变工作电极相对于参考电极的电位而得到的氧化峰电位(E_pa)及还原峰电位(E_pc)算出HOMO能级及LUMO能级的值(E)。在测量中，从正方向的电位扫描算出HOMO能级，从负方向的电位扫描算出LUMO能级。另外，测量中的扫描速度为0.1V/s。

说明HOMO能级及LUMO能级的具体算出方法。从通过材料的循环伏安图得到的氧化峰电位(E_pa)及还原峰电位(E_pc)算出标准氧化还原电位(E_o)(＝(E_pa+E_pc)/2)，从参考电极的相对于真空能级的势能(E_x)减去该标准氧化还原电位(E_o)，由此可以分别算出HOMO能级及LUMO能级的值(E)(＝E_x-E_o)。

注意，上述示出获得可逆的氧化还原波的情况，在获得不可逆的氧化还原波的情况下，将从氧化峰电位(E_pa)减去一定值(0.1eV)的值假设为还原峰电位(E_pc)，算出小数点后一位的标准氧化还原电位(E_o)，由此算出HOMO能级。此外，将对还原峰电位(E_pc)加上一定值(0.1eV)的值假设为氧化峰电位(E_pa)，算出小数点后一位的标准氧化还原电位(E_o)，由此算出LUMO能级。

作为在蓝色或绿色的波长区域具有发光峰的物质，例如可以举出三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：Ir(mpptz-dmp)₃)、三(5-甲基-3，4-二苯基-4H-1，2，4-三唑(triazolato))铱(III)(简称：Ir(Mptz)₃)、三[4-(3-联苯)-5-异丙基-3-苯基-4H-1，2，4-三唑(triazolato)]铱(III)(简称：Ir(iPrptz-3b)₃)、三[3-(5-联苯)-5-异丙基-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(triazolato)]铱(III)(简称：Ir(iPr5btz)₃)等具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1，2，4-三唑(triazolato)]铱(III)(简称：Ir(Mptz1-mp)₃)、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1，2，4-三唑(triazolato))铱(III)(简称：Ir(Prptz1-Me)₃)等具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1-(2，6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：Ir(iPrpim)₃)、三[3-(2，6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1，2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(III)(简称：Ir(dmpimpt-Me)₃)等具有咪唑骨架的有机金属铱配合物；以及双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N，C²']铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N，C²']铱(III)吡啶甲酸盐(简称：FIrpic)、双{2-[3'，5'-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N，C²'}铱(III)吡啶甲酸盐(简称：Ir(CF₃ppy)₂(pic))、双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N，C²']铱(III)乙酰丙酮(简称：FIr(acac))等以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物。在上述金属配合物中，由于具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架及咪唑骨架等含氮五元杂环骨架的有机金属铱配合物的三重激发能很高并具有良好的可靠性或发光效率，所以是特别优选的。

作为在绿色或黄色的波长区域具有发光峰的物质，例如可以举出三(4-甲基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(mppm)₃)、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(tBuppm)₃)、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(mppm)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(tBuppm)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双[4-(2-降莰基)-6-苯基嘧啶]铱(III)(简称：Ir(nbppm)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]铱(III)(简称：Ir(mpmppm)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双{4，6-二甲基-2-[6-(2，6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}铱(III)(简称：Ir(dmppm-dmp)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双(4，6-二苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(dppm)₂(acac))等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物、(乙酰丙酮根)双(3，5-二甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(简称：Ir(mppr-Me)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(简称：Ir(mppr-iPr)₂(acac))等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物、三(2-苯基吡啶-N，C²')铱(III)(简称：Ir(ppy)₃)、双(2-苯基吡啶根-N，C²')铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(ppy)₂(acac))、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(bzq)₂(acac))、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：Ir(bzq)₃)、三(2-苯基喹啉-N，C^2＇)铱(III)(简称：Ir(pq)₃)、双(2-苯基喹啉-N，C²')铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(pq)₂(acac))等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物、双(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C²')铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(dpo)₂(acac))、双{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-N，C²'}铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(p-PF-ph)₂(acac))、双(2-苯基苯并噻唑-N，C²')铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(bt)₂(acac))等有机金属铱配合物、三(乙酰丙酮根)(单菲罗啉)铽(III)(简称：Tb(acac)₃(Phen))等稀土金属配合物。在上述金属配合物中，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有极好的可靠性或发光效率，所以是特别优选的。

另外，作为在黄色或红色的波长区域具有发光峰的物质，例如可以举出(二异丁酰甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(III)(简称：Ir(5mdppm)₂(dibm))、双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：Ir(5mdppm)₂(dpm))、双[4，6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：Ir(d1npm)₂(dpm))等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2，3，5-三苯基吡嗪根)铱(III)(简称：Ir(tppr)₂(acac))、双(2，3，5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：Ir(tppr)₂(dpm))、(乙酰丙酮根)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉]合铱(III)(简称：Ir(Fdpq)₂(acac))等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)(简称：Ir(piq)₃)、双(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(piq)₂(acac))等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(简称：PtOEP)等铂配合物；以及三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮(propanedionato))(单菲罗啉)铕(III)(简称：Eu(DBM)₃(Phen))、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲罗啉)铕(III)(简称：Eu(TTA)₃(Phen))等稀土金属配合物。在上述金属配合物中，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有极好的可靠性或发光效率，所以是特别优选的。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以提供色度良好的红色发光。

作为发光层113所包含的发光物质，可以使用能够将三重激发能转换为发光的材料。作为该能够将三重激发能转换为发光的材料，除了磷光化合物之外，可以举出热活化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence：TADF)材料。因此，可以将有关磷光化合物的记载看作有关热活化延迟荧光材料的记载。注意，热活化延迟荧光材料是指三重激发能级与单重激发能级的差较小且具有通过反系间窜越将能量从三重激发态转换为单重激发态的功能的材料。因此，能够通过微小的热能量将三重激发态上转换(upconversion)为单重激发态(反系间窜越)并能够高效地呈现来自单重激发态的发光(荧光)。另外，可以高效地获得热活化延迟荧光的条件为如下：三重激发能级与单重激发能级的能量差大于0eV且为0.2eV以下，优选大于0eV且为0.1eV以下。

当热活化延迟荧光材料由一种材料构成时，例如可以使用如下材料。

首先，可以举出富勒烯等衍生物、原黄素等吖啶衍生物、曙红(eosin)等。此外，可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。作为该含金属卟啉，例如也可以举出原卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Proto IX))、中卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Hemato IX))、粪卟啉四甲基酯-氟化锡配合物(SnF₂(Copro III-4Me))、八乙基卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Etio I))、八乙基卟啉-氯化铂配合物(PtCl₂(OEP))等。

另外，作为由一种材料构成的热活化延迟荧光材料，还可以使用具有富π电子型杂芳环及缺π电子型杂芳环的杂环化合物。具体而言，可以举出2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等。该杂环化合物具有富π电子型杂芳环及缺π电子型杂芳环，因此电子传输性及空穴传输性高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子型杂芳环的骨架中，二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)或三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。另外，在具有富π电子型杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、噻吩骨架、呋喃骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以具有选自该骨架中的任何一个或多个是优选的。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架及3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。另外，在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子型杂芳环的供体性和缺π电子型杂芳环的受主性都强，单重激发能级与三重激发能级的差异变小，所以是尤其优选的。

例如，作为发光物质可以使用由下述结构式(500)至结构式(511)表示的有机化合物。

[化学式20]

发光层113也可以由两层以上的多个层形成。例如，在从空穴传输层一侧依次层叠第一发光层和第二发光层来形成发光层113的情况下，可以将具有空穴传输性的物质用作第一发光层的主体材料，并且将具有电子传输性的物质用作第二发光层的主体材料。另外，第一发光层和第二发光层所包含的发光物质可以是相同或不同的材料，可以是具有呈现相同颜色的发光的功能的材料，也可以是具有呈现不同颜色的发光的功能的材料。通过作为两层的发光层分别使用具有呈现彼此不同颜色的发光的功能的发光物质，可以同时得到多个发光。尤其是，优选选择用于各发光层的发光物质，以便通过组合两层发光层所发射的光而能够得到白色发光。

另外，在发光层113中也可以包含主体材料118及客体材料119以外的材料。

另外，可以利用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、喷墨法、涂敷法、凹版印刷等的方法形成发光层113。此外，除了上述材料以外，也可以包含量子点等无机化合物或高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)。

<<空穴注入层>>

空穴注入层(111、111a、111b)为将空穴从阳极的第一电极101及电荷产生层(106、106a、106b)注入到有机化合物层(103、103a、103b)的层，并且是包含有机受体材料及空穴注入性高的材料的层。

空穴注入层(111、111a、111b)具有降低来自一对电极中的一个(第一电极101或第二电极102)的空穴的注入势垒促进空穴注入的功能，并例如使用过渡金属氧化物、酞菁衍生物或芳香胺等形成。作为过渡金属氧化物可以举出钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。作为酞菁衍生物，可以举出酞菁或金属酞菁等。作为芳香胺，可以举出联苯胺衍生物或亚苯基二胺衍生物等。另外，也可以使用聚噻吩或聚苯胺等高分子化合物，典型的是：作为被自掺杂的聚噻吩的聚(乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸等。

作为空穴注入层(111、111a、111b)，可以使用具有由空穴传输性材料和具有接收来自空穴传输性材料的电子的特性的材料构成的复合材料的层。或者，也可以使用包含呈现电子接收性的材料的层与包含空穴传输性材料的层的叠层。在定态或者在存在有电场的状态下，电荷的授受可以在这些材料之间进行。作为呈现电子接收性的材料，可以举出醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物或六氮杂三亚苯衍生物等有机受体。具体而言，可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F₄-TCNQ)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)等具有吸电子基团(卤基或氰基)的化合物。此外，也可以使用过渡金属氧化物、例如第4族至第8族金属的氧化物。具体而言，可以使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼等。特别优选使用氧化钼，因为其在大气中也稳定，吸湿性低，并且容易处理。

作为空穴传输性材料，可以使用空穴传输性比电子传输性高的材料，优选使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率的材料。具体而言，可以使用作为能够用于发光层113的空穴传输性材料而举出的芳香胺、咔唑衍生物、芳烃、二苯乙烯衍生物等。上述空穴传输性材料也可以是高分子化合物。

<<空穴传输层>>

空穴传输层(112、112a、112b)是包含空穴传输性材料的层，可以使用作为空穴注入层(111、111a、111b)的材料所例示的空穴传输性材料。空穴传输层(112、112a、112b)具有将注入到空穴注入层(111、111a、111b)的空穴传输到发光层(113、113a、113b)的功能，所以优选具有与空穴注入层(111、111a、111b)的HOMO能级相同或接近的HOMO能级。

另外，上述空穴传输性材料优选为具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用上述物质以外的物质。另外，包括具有高空穴传输性的物质的层不限于单层，还可以层叠两层以上的由上述物质构成的层。

<<电子传输层>>

电子传输层(114、114a、114b)具有将从一对电极中的另一个(第一电极101或第二电极102)经过电子注入层(115、115a、115b)注入的电子传输到发光层113的功能。作为电子传输性材料，可以使用电子传输性比空穴传输性高的材料，优选使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的电子迁移率的材料。作为容易接收电子的化合物(具有电子传输性的材料)，可以使用含氮杂芳族化合物等具有缺π电子型杂芳环骨架的化合物或金属配合物等。具体而言，可以举出作为可用于发光层113的电子传输性材料而举出的包括喹啉配体、苯并喹啉配体、噁唑配体或噻唑配体的金属配合物。另外，还可以举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、菲罗啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物等。另外，优选是具有1×10^-6cm²/Vs以上的电子迁移率的物质。只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，就可以使用上述物质以外的物质。另外，电子传输层(114、114a、114b)不限于单层，还可以层叠两层以上的由上述物质构成的层。

另外，还可以在电子传输层(114、114a、114b)与发光层(113、113a、113b)之间设置控制电子载流子的移动的层。该层是对上述电子传输性高的材料添加少量的电子俘获性高的物质的层，通过抑制电子载流子的移动，可以调节载流子的平衡。这种结构对抑制因电子穿过发光层而引起的问题(例如元件寿命的下降)发挥很大的效果。

<<电子注入层>>

电子注入层(115、115a、115b)具有降低来自第二电极102的电子的注入势垒促进电子注入的功能，例如可以使用第1族金属、第2族金属或它们的氧化物、卤化物、碳酸盐等。另外，也可以使用上述电子传输性材料和具有对电子传输性材料供应电子的特性的材料的复合材料。作为具有供电子特性的材料，可以举出第1族金属、第2族金属或它们的氧化物等。具体而言，可以使用氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF₂)及锂氧化物(LiO_x)等碱金属、碱土金属或这些金属的化合物。另外，可以使用氟化铒(ErF₃)等稀土金属化合物。另外，也可以将电子盐用于电子注入层115。作为该电子盐，例如可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。另外，也可以将能够用于电子传输层(114、114a、114b)的物质用于电子注入层(115、115a、115b)。

另外，也可以将有机化合物与电子给体(供体)混合形成的复合材料用于电子注入层(115、115a、115b)。这种复合材料因为通过电子给体在有机化合物中产生电子而具有良好的电子注入性和电子传输性。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面性能良好的材料，具体而言，例如，可以使用如上所述的构成电子传输层114的物质(金属配合物或杂芳族化合物等)。作为电子给体，只要是对有机化合物呈现电子供给性的物质即可。具体而言，优选使用碱金属、碱土金属或稀土金属，可以举出锂、钠、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选使用碱金属氧化物或碱土金属氧化物，可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。此外，还可以使用氧化镁等路易斯碱。另外，也可以使用四硫富瓦烯(简称：TTF)等有机化合物。

另外，上述发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层都可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、喷墨法、涂敷法、凹版印刷等方法形成。此外，作为上述发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，除了上述材料之外，也可以使用量子点等无机化合物或高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)。

作为量子点，可以使用胶状量子点、合金型量子点、核壳(Core Shell)型量子点、核型量子点等。另外，也可以使用包含第2族与第16族、第13族与第15族、第13族与第17族、第11族与第17族或第14族与第15族的元素群的量子点。或者，可以使用包含镉(Cd)、硒(Se)、锌(Zn)、硫(S)、磷(P)、铟(In)、碲(Te)、铅(Pb)、镓(Ga)、砷(As)、铝(Al)等元素的量子点。

<<一对电极>>

第一电极101及第二电极102被用作发光器件的阳极或阴极。第一电极101及第二电极102可以使用金属、合金、导电性化合物以及它们的混合物或叠层体等形成。

第一电极101和第二电极102中的一个优选使用具有反射光的功能的导电性材料形成。作为该导电性材料，可以举出铝(Al)或包含Al的合金等。作为包含Al的合金，可以举出包含Al及L(L表示钛(Ti)、钕(Nd)、镍(Ni)和镧(La)中的一个或多个)的合金等，例如为包含Al及Ti的合金或者包含Al、Ni及La的合金等。铝具有低电阻率和高光反射率。此外，由于铝在地壳中大量地含有且不昂贵，所以使用铝可以降低发光器件的制造成本。此外，也可以使用银(Ag)、包含Ag、N(N表示钇(Y)、Nd、镁(Mg)、镱(Yb)、Al、Ti、镓(Ga)、锌(Zn)、铟(In)、钨(W)、锰(Mn)、锡(Sn)、铁(Fe)、Ni、铜(Cu)、钯(Pd)、铱(Ir)和金(Au)中的一个或多个)的合金等。作为包含银的合金，例如可以举出如下合金：包含银、钯及铜的合金；包含银及铜的合金；包含银及镁的合金；包含银及镍的合金；包含银及金的合金；以及包含银及镱的合金等。除了上述材料以外，可以使用钨、铬(Cr)、钼(Mo)、铜及钛等的过渡金属。

另外，从发光层获得的光透过第一电极101和第二电极102中的一个或两个被提取。由此，第一电极101和第二电极102中的至少一个优选使用具有使光透过的功能的导电性材料形成。作为该导电性材料，可以举出可见光的透过率为40％以上且100％以下，优选为60％以上且100％以下，且电阻率为1×10^-2Ω·cm以下的导电性材料。

此外，第一电极101及第二电极102优选使用具有使光透过的功能及反射光的功能的导电性材料形成。作为该导电性材料，可以举出可见光的反射率为20％以上且80％以下，优选为40％以上且70％以下，且电阻率为1×10^-2Ω·cm以下的导电性材料。例如，可以使用具有导电性的金属、合金和导电性化合物中的一种或多种。具体而言，铟锡氧化物(IndiumTin Oxide，以下称为ITO)、包含硅或氧化硅的铟锡氧化物(简称：ITSO)、氧化铟-氧化锌(Indium Zinc Oxide)、含有钛的氧化铟-锡氧化物、铟-钛氧化物、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟等金属氧化物。另外，可以使用具有透过光的程度(优选为1nm以上且30nm以下的厚度)的厚度的金属薄膜。作为金属，例如可以使用Ag。此外，作为合金可以使用Ag及Al、Ag及Mg、Ag及Au以及Ag及Yb等的合金等。

注意，在本说明书等中，作为具有透光的功能的材料，使用具有使可见光透过的功能且具有导电性的材料即可，例如有上述以ITO(Indium Tin Oxide)为代表的氧化物导电体、氧化物半导体或包含有机物的有机导电体。作为包含有机物的有机导电体，例如可以举出包含混合有机化合物与电子给体(供体)而成的复合材料、包含混合有机化合物与电子受体(受体)而成的复合材料等。另外，也可以使用石墨烯等无机碳类材料。另外，该材料的电阻率优选为1×10⁵Ω·cm以下，更优选为1×10⁴Ω·cm以下。

另外，可以通过层叠多个上述材料形成第一电极101和第二电极102中的一个或两个。

为了提高光提取效率，可以与具有使光透过的功能的电极接触地形成其折射率比该电极高的材料。作为这种材料，只要具有使可见光透过的功能就可，既可以为具有导电性的材料，又可以为不具有导电性的材料。例如，除了上述氧化物导电体以外，还可以举出氧化物半导体、有机物。作为有机物，例如可以举出作为发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层例示出的材料。另外，也可以使用无机碳类材料或具有使光透过的程度的厚度的金属薄膜，也可以层叠多个具有数nm至数十nm厚度的层。

当第一电极101或第二电极102被用作阴极时，优选包含功函数小(3.8eV以下)的材料。例如，可以使用属于元素周期表中的第1族或第2族的元素(例如，锂、钠及铯等碱金属、钙或锶等碱土金属、镁等)、包含上述元素的合金(例如，Ag及Mg或Al及Li)、铕(Eu)或Yb等稀土金属、包含上述稀土金属的合金、包含铝、银的合金等。

当第一电极101或第二电极102被用作阳极时，优选使用功函数大(4.0eV以上)的材料。

第一电极101及第二电极102也可以采用具有反射光的功能的导电性材料及具有使光透过的功能的导电性材料的叠层。在此情况下，第一电极101及第二电极102具有调整光学距离的功能以便使来自各发光层的所希望的波长的光谐振而增强其波长的光，所以是优选的。

作为第一电极101及第二电极102的沉积方法，可以适当地使用溅射法、蒸镀法、印刷法、涂敷法、MBE(Molecular Beam Epitaxy：分子束外延)法、CVD法、脉冲激光沉积法、ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法等。

<<电荷产生层>>

电荷产生层106具有如下功能：当第一电极(阳极)101和第二电极(阴极)102之间被施加电压时，对有机化合物层103a注入电子且对有机化合物层103b注入空穴的功能。电荷产生层106既可以具有对空穴传输性材料添加电子受体(受体)的结构(也称为P型层)，又可以具有对电子传输性材料添加电子给体(供体)的结构(也称为电子注入缓冲层)。或者，也可以层叠有这两种结构。再者，也可以在P型层与电子注入缓冲层之间设置电子中继层。注意，通过使用上述材料形成电荷产生层106，可以抑制层叠EL层时导致的驱动电压的上升。

在电荷产生层106具有对有机化合物的空穴传输性材料添加电子受体的结构(P型层)的情况下，作为空穴传输性材料可以使用本实施方式所示的材料。另外，作为电子受体，可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F₄-TCNQ)、氯醌等。此外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体而言，可以举出氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼等。此外，也可以使用上述受体材料。此外，可以使用将构成P型层的材料混合而成的混合膜，也可以层叠包含各材料的单膜。

在电荷产生层106具有对电子传输性材料添加电子给体的结构(电子注入缓冲层)的情况下，作为电子传输性材料可以使用本实施方式所示的材料。另外，作为电子给体，可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属或属于元素周期表中第2族、第13族的金属及它们的氧化物或碳酸盐。具体而言，优选使用锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、镱(Yb)、铟(In)、氧化锂(Li₂O)、碳酸铯等。此外，也可以将如四硫萘并萘(tetrathianaphthacene)等有机化合物用作电子给体。

在电荷产生层106中，在P型层与电子注入缓冲层之间设置电子中继层时，电子中继层至少包含具有电子传输性的物质，并具有防止电子注入缓冲层与P型层的互相作用而顺利地传递电子的功能。电子中继层所包含的具有电子传输性的物质的LUMO能级优选位于P型层中的受主物质的LUMO能级和与电荷产生层106接触的电子传输层所包含的具有电子传输性的物质的LUMO能级之间。电子中继层中的具有电子传输性的物质的LUMO能级的具体值优选为-5.0eV以上，更优选为-5.0eV以上且-3.0eV以下。另外，作为电子中继层中的具有电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键和芳香配体的金属配合物。

虽然图3D示出层叠有两个有机化合物层103的结构，但是通过在不同的EL层之间设置电荷产生层也可以采用三个以上的EL层的叠层结构。

<<盖层>>

注意，虽然在图3A至图3E中未图示，但是也可以在发光器件的第二电极102上设置盖层。例如，可以将折射率高的材料用于盖层。通过在第二电极102上设置盖层，可以提高从第二电极102射出的光的提取效率。

作为可用于盖层的材料的具体例子，可以举出5，5’-二苯基-2，2’-二-5H-[1]苯并噻吩并[3，2-c]咔唑(简称：BisBTc)、4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)等。另外，可以使用在实施方式1中说明的有机化合物。

<<衬底>>

另外，本发明的一个方式的发光器件可以在由玻璃、塑料等构成的衬底上制造。作为在衬底上制造的顺序，既可以从第一电极101一侧依次层叠又可以从第二电极102一侧依次层叠。

另外，作为能够形成本发明的一个方式的发光器件的衬底，例如可以使用玻璃、石英或塑料等。或者，也可以使用柔性衬底。柔性衬底是可以弯曲的衬底，例如由聚碳酸酯、聚芳酯制成的塑料衬底等。另外，可以使用薄膜、无机蒸镀薄膜等。注意，只要在发光器件及光学元件的制造过程中起支撑物的作用，就可以使用其他材料。或者，只要具有保护发光器件及光学元件的功能即可。

例如，在本说明书等中，可以使用各种衬底形成发光器件。对衬底的种类没有特别的限制。作为该衬底的例子，例如可以使用半导体衬底(例如，硅衬底等单晶衬底)、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、金属衬底、不锈钢衬底、具有不锈钢箔的衬底、钨衬底、具有钨箔的衬底、柔性衬底、贴合薄膜、包含纤维状的材料的纤维素纳米纤维(CNF)、纸或者基材薄膜等。作为玻璃衬底的例子，有钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃等。作为柔性衬底、贴合薄膜、基材薄膜等，可以举出如下例子。例如，可以举出以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚四氟乙烯(PTFE)为代表的塑料。或者，作为一个例子，可以举出丙烯酸树脂等。或者，作为例子，可以举出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或聚氯乙烯等。或者，作为例子，可以举出聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酰胺或环氧等树脂、无机蒸镀薄膜、纸类等。

另外，也可以作为衬底使用柔性衬底，并在柔性衬底上直接形成发光器件。或者，也可以在衬底与发光器件之间设置剥离层。当剥离层上制造发光器件的一部分或全部，然后将其从衬底分离并转置到其他衬底上时可以使用剥离层。此时，也可以将发光器件转置到耐热性低的衬底或柔性衬底上。另外，作为上述剥离层，例如可以使用钨膜和氧化硅膜的无机膜的叠层结构及在衬底上形成有聚酰亚胺等树脂膜的结构等。

也就是说，也可以使用一个衬底来形成发光器件，然后将发光器件转置到另一个衬底上。作为发光器件被转置的衬底的例子，除了上述衬底之外，还可以举出玻璃纸衬底、石材衬底、木材衬底、布衬底(包括天然纤维(丝、棉、麻)、合成纤维(尼龙、聚氨酯、聚酯)或再生纤维(醋酯纤维、铜氨纤维、人造纤维、再生聚酯)等)、皮革衬底、橡胶衬底等。通过采用这些衬底，可以制造不易损坏的发光器件、耐热性高的发光器件、实现轻量化的发光器件或实现薄型化的发光器件。

另外，也可以在上述衬底上例如形成场效应晶体管(FET)，并且在与FET电连接的电极上制造发光器件。由此，可以制造通过FET控制发光器件的驱动的有源矩阵型显示装置。

在本实施方式中，对本发明的一个方式进行说明。此外，在其他实施方式中，将对本发明的一个方式进行说明。但是，本发明的一个方式不局限于此。就是说，在本实施方式及其他实施方式中记载各种各样的发明的方式，由此本发明的一个方式不局限于特定的方式。例如，虽然示出了将本发明的一个方式应用于发光器件的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。例如，根据情况或状况，也可以不将本发明的一个方式应用于发光器件。此外，虽然在本发明的一个方式中示出了如下例子，该例子包括第一有机化合物、第二有机化合物以及具有能够将三重激发能转换为发光的功能的客体材料，第一有机化合物的LUMO能级低于第二有机化合物的LUMO能级，第一有机化合物的HOMO能级低于第二有机化合物的HOMO能级，但是本发明的一个方式不局限于此。在本发明的一个方式中，根据情况或状况，例如第一有机化合物的LUMO能级也可以没有低于第二有机化合物的LUMO能级。另外，第一有机化合物的HOMO能级也可以没有低于第二有机化合物的HOMO能级。另外，例如，在本发明的一个方式中示出第一有机化合物与第二化合物形成激基复合物的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。在本发明的一个方式中，根据情况或状况，例如第一有机化合物与第二有机化合物也可以不形成激基复合物。此外，虽然在本发明的一个方式中示出了如下例子，在该例子中客体材料的LUMO能级高于第一有机化合物的LUMO能级，客体材料的HOMO能级低于第二有机化合物的HOMO能级，但是本发明的一个方式不局限于此。在本发明的一个方式中，根据情况或状况，例如客体材料的LUMO能级也可以没有高于第一有机化合物的LUMO能级。另外，客体材料的HOMO能级也可以没有低于第二有机化合物的HOMO能级。

本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而使用。

实施方式3

如图4A及图4B所示，通过在绝缘层175上形成多个在上述实施方式中说明的发光器件来构成发光装置。在本实施方式中，详细说明本发明的一个方式的发光装置。

发光装置1000包括以矩阵状排列多个像素178的像素部177。像素178包括子像素110R、子像素110G及子像素110B。

在本说明书等中，有时例如使用子像素110这称呼说明子像素110R、子像素110G及子像素110B之间共同的内容。另外，关于用字母进行区别的构成要素，有时使用省略字母的符号说明该构成要素之间共同的内容。

子像素110R发射红色光，子像素110G发射绿色光，并且子像素110B发射蓝色光。由此，可以在像素部177上显示图像。注意，在本实施方式中，以红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)的三种颜色的子像素为例进行说明，但是本发明不局限于该结构。也就是说，也可以组合其他颜色的子像素。例如，子像素不局限于三个，也可以为四个以上。作为四个子像素，例如可以举出：R、G、B、白色(W)的四种颜色的子像素；R、G、B、Y的四种颜色的子像素；以及R、G、B、红外光(IR)的四种颜色的子像素；等。

在本说明书等中，有时将行方向记为X方向且将列方向记为Y方向。X方向与Y方向交叉，例如垂直交叉。

在图4A所示的例子中，不同颜色的子像素在X方向上排列配置，相同颜色的子像素在Y方向上排列配置。注意，也可以不同颜色的子像素在Y方向上排列配置，相同颜色的子像素在X方向上排列配置。

像素部177的外侧也可以设置有连接部140及区域141。例如，区域141优选设置在像素部177与连接部140之间。区域141设置有有机化合物层103。另外，连接部140设置有导电层151C。

在图4A所示的例子中，区域141及连接部140位于像素部177的右侧，但是对区域141及连接部140的位置没有特别的限制。此外，区域141及连接部140也可以为一个或多个。

图4B是沿图4A中的点划线A1-A2的截面图的例子。如图4B所示，发光装置1000包括绝缘层171、绝缘层171上的导电层172、绝缘层171及导电层172上的绝缘层173、绝缘层173上的绝缘层174以及绝缘层174上的绝缘层175。绝缘层171优选设置在衬底(未图示)上。绝缘层175、绝缘层174及绝缘层173设置有到达导电层172的开口，以嵌入该开口的方式设置有插头176。

在像素部177中，绝缘层175及插头176上设置有发光器件130。以覆盖发光器件130的方式设置有保护层131。衬底120由树脂层122贴合于保护层131上。另外，也可以在相邻的发光器件130间设置无机绝缘层125以及无机绝缘层125上的绝缘层127。

图4B示出多个无机绝缘层125及多个绝缘层127的截面，但是在俯视发光装置1000时，无机绝缘层125及绝缘层127优选分别被形成为连续的一层。也就是说，无机绝缘层125及绝缘层127优选为在第一电极上具有开口部的绝缘层。

图4B示出发光器件130R、发光器件130G及发光器件130B作为发光器件130。发光器件130R、发光器件130G及发光器件130B发射互不相同的颜色的光。例如，发光器件130R可以发射红色光，发光器件130G可以发射绿色光，发光器件130B可以发射蓝色光。另外，发光器件130R、发光器件130G或发光器件130B也可以发射其他可见光或红外光。

有机化合物层103至少包括发光层，并可以包括其他功能层(空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层及电子注入层等)。另外，也可以组合有机化合物层103与公共层104来形成呈现发光的EL层所包括的功能层(空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、电子传输层及电子注入层等)。

本发明的一个方式的发光装置例如可以具有向与形成有发光器件的衬底相反的方向发射光的顶部发射结构(top emission)。另外，本发明的一个方式的发光装置也可以具有底部发射结构(bottom emission)。

发光器件130R具有上述实施方式所示的结构，其中包括由导电层151R与导电层152R构成的第一电极(像素电极)、第一电极上的有机化合物层103R、有机化合物层103R上的公共层104以及公共层104上的第二电极(公共电极)102。

注意，并不一定需要设置公共层104。在设置公共层104时，可以减少因后工序而给有机化合物层103R带来的损伤。另外，在设置公共层104时，公共层104也可以被用作电子注入层。在公共层104被用作电子注入层时，有机化合物层103R与公共层104的叠层结构相当于实施方式1中的有机化合物层103。

在此，发光器件130具有实施方式2所示的结构，包括由导电层151与导电层152而成的第一电极(像素电极)、第一电极上的有机化合物层103、有机化合物层103上的公共层104以及公共层104上的第二电极(公共电极)102。

发光器件所包括的像素电极和公共电极中的一方被用作阳极，另一方被用作阴极。以下，除非特别的叙述，在像素电极被用作阳极且公共电极被用作阴极的前提下进行说明。

有机化合物层103R、有机化合物层103G及有机化合物层103B各自或按每个发光颜色独立地形成为岛状。通过按每个发光器件130将有机化合物层103设置为岛状，高清晰发光装置中也可以抑制相邻的发光器件130之间的泄漏电流。由此，可以抑制串扰，而可以实现对比度极高的发光装置。尤其是，可以实现在低亮度下电流效率高的发光装置。

有机化合物层103也可以以覆盖发光器件130的第一电极(像素电极)的顶面及侧面的方式设置。由此，与有机化合物层103的端部位于像素电极的端部的内侧的结构相比更容易提高发光装置1000的开口率。另外，通过用有机化合物层103覆盖发光器件130的像素电极的侧面，可以抑制像素电极与第二电极102接触，因此可以抑制发光器件130的短路。另外，可以增加有机化合物层103的发光区域(即与像素电极重叠的区域)和有机化合物层103的端部之距离。并且，因为有机化合物层103的端部有可能因加工而受损伤，所以通过将远离有机化合物层103的端部的区域用作发光区域，可以提高发光器件130的可靠性。

另外，在本发明的一个方式的发光装置中，发光器件的第一电极(像素电极)也可以具有叠层结构。例如，在图4B所示的例子中，发光器件130的第一电极具有导电层151(导电层151R、导电层151G、导电层151B)与导电层152(导电层152R、导电层152G、导电层152B)的叠层结构。

例如，当发光装置1000具有顶部发射结构时，在发光器件130的像素电极中，优选的是，导电层151为可见光反射率高的层，并且导电层152为具有可见光透过性且功函数大的层。像素电极的可见光反射率越高，可以越提高有机化合物层103所发射的光的提取效率。另外，当像素电极被用作阳极时，像素电极的功函数越大，越容易对有机化合物层103注入空穴。因此，通过使发光器件130的像素电极具有可见光反射率高的导电层151和功函数大的导电层152的叠层结构，发光器件130可以为光提取效率高且驱动电压低的发光器件。

具体而言，导电层151的可见光反射率例如优选为40％以上且100％以下，更优选为70％以上且100％以下。另外，在导电层152为具有可见光透过性的电极时，其可见光透过率例如优选为40％以上。

另外，在通过湿蚀刻法等去除形成具有叠层结构的像素电极之后沉积的膜时，有时用于蚀刻的药液浸渗在结构体中。当浸渗的药液接触像素电极时，有时构成像素电极的多个层之间发生电偶腐蚀等而导致像素电极变质。

鉴于此，优选以覆盖导电层151的顶面及侧面的方式形成导电层152。通过用导电层152覆盖导电层151，浸渗的药液不接触导电层151，而可以抑制像素电极中发生电偶腐蚀。因此，发光装置1000可以通过成品率高的方法制造，由此可以以低成本进行发光装置的量产。另外，可以抑制发光装置1000中发生不良，因此发光装置1000可以为可靠性高的发光装置。

作为导电层151，例如可以使用金属材料。具体而言，例如也可以使用铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、镓(Ga)、锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、钇(Y)、钕(Nd)等金属以及适当地组合它们的合金。

作为导电层152，可以使用含有选自铟、锡、锌、镓、钛、铝和硅中的任一个或多个的氧化物。例如，优选使用含有氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌、氧化钛、包含镓的铟锌氧化物、包含铝的铟锌氧化物、包含硅的铟锡氧化物和包含硅的铟锌氧化物等中的任一个或多个的导电氧化物。尤其是，包含硅的铟锡氧化物的功函数较大，其功函数例如为4.0eV以上，所以可以将其适合用作导电层152。

另外，导电层151及导电层152各自也可以具有含有不同材料的多个层的叠层结构。此时，导电层151也可以包括使用导电氧化物等可用于导电层152的材料的层，导电层152也可以包括使用金属材料等可用于导电层151的材料的层。例如，在导电层151具有两层以上的叠层结构的情况下，接触于导电层152的层可以为包含与用于导电层152中的接触于导电层151的层的材料相同的材料的层。

导电层151的端部优选具有锥形形状。具体而言，导电层151的端部优选具有锥角小于90°的锥形形状。此时，沿着导电层151的侧面设置的导电层152也具有锥形形状。通过使导电层152的侧面具有锥形形状，可以提高沿着导电层152的侧面设置的有机化合物层103的覆盖性。

另外，在导电层151或导电层152具有叠层结构的情况下，优选的是，层叠的层中的至少一个的侧面具有锥形形状。另外，在构成各导电层的叠层结构中，也可以按照每个层具有不同的锥形形状。

图5A是导电层151具有包含不同材料的多个层的叠层结构时的图。如图5A所示，导电层151包括导电层151_1、导电层151_1上的导电层151_2以及导电层151_2上的导电层151_3。也就是说，图5A所示的导电层151具有三层叠层结构。如此，在导电层151具有多个层的叠层结构的情况下，使构成导电层151的层中的至少一层的可见光反射率高于导电层152的可见光反射率，即可。

在图5A所示的例子中，由导电层151_1与导电层151_3夹持导电层151_2。导电层151_1及导电层151_3优选使用与导电层151_2相比不容易变质的材料。例如，导电层151_1可以使用与导电层151_2相比不容易发生因接触于绝缘层175而发生的迁移的材料。另外，导电层151_3可以使用如下材料：与导电层151_2相比不容易被氧化；并且其氧化物的电阻率比用于导电层151_2的材料的氧化物低。

如上所述，通过采用由导电层151_1与导电层151_3夹持导电层151_2的结构，可以扩大导电层151_2的材料的选择范围。由此，例如可以使导电层151_2成为其可见光反射率比导电层151_1和导电层151_3中的至少一方高的层。例如，作为导电层151_2可以使用铝。另外，作为导电层151_2也可以使用含铝的合金。另外，作为导电层151_1可以使用钛，钛这材料虽然可见光反射率比铝低，但即使接触绝缘层175也与铝相比不容易发生迁移。并且，作为导电层151_3可以使用钛，钛这材料虽然可见光反射率比铝低，但与铝相比不容易被氧化且氧化物的电阻率比氧化铝的电阻率低。

另外，作为导电层151_3也可以使用银或含银的合金。银具有可见光反射率比钛高的特性。再者，银与铝相比不容易被氧化，并且氧化银的电阻率比氧化铝的电阻率低。由此，在作为导电层151_3使用银或含银的合金时，可以在适当地提高导电层151的可见光反射率的同时抑制因导电层151_2的氧化导致的像素电极的电阻上升。在此，作为含银的合金例如可以使用银、钯与铜的合金(Ag-Pd-Cu，也记作APC)。另外，在作为导电层151_3使用银或含银的合金且作为导电层151_2使用铝时，可以与导电层151_2的可见光反射率相比提高导电层151_3的可见光反射率。在此，作为导电层151_2也可以使用银或含银的合金。另外，作为导电层151_1也可以使用银或含银的合金。

另一方面，使用钛的膜的蚀刻加工性比使用银的膜良好。因此，通过作为导电层151_3使用钛，可以容易形成导电层151_3。另外，使用铝的膜的蚀刻加工性也比使用银的膜良好。

如此，通过使导电层151具有多个层的叠层结构，可以提高发光装置的特性。例如，可以使发光装置1000成为光提取效率及可靠性都高的发光装置。

这里，在发光器件130采用微腔结构的情况下，通过作为导电层151_3使用作为可见光反射率高的材料的银或含银的合金，可以适当地提高发光装置1000的光提取效率。

另外，如图5A所示，根据导电层151的材料选择或加工方法有时导电层151_2的侧面位于导电层151_1及导电层151_3的侧面的内侧而形成突出部。这导致导电层152对导电层151的覆盖性下降，有可能发生导电层152的断开。

鉴于此，优选如图5A那样设置绝缘层156。图5A示出以具有与导电层151_2的侧面重叠的区域的方式在导电层151_1上设置绝缘层156的例子。由此，可以抑制起因于突出部的导电层152的断开或薄膜化，因此可以抑制连接不良或驱动电压上升。

注意，虽然图5A示出导电层151_2的整个侧面被绝缘层156覆盖的结构，但导电层151_2的侧面的一部分也可以不被绝缘层156覆盖。如下所示的结构的像素电极中也是同样的，导电层151_2的侧面的一部分也可以不被绝缘层156覆盖。

另外，如图5A所示，绝缘层156优选具有弯曲面。由此，例如与绝缘层156的侧面垂直的情况相比可以抑制覆盖绝缘层156的导电层152中发生断开。另外，在绝缘层156的侧面具有锥形形状，具体的是锥角小于90°的锥形形状的情况下，例如与绝缘层156的侧面垂直的情况相比，可以抑制覆盖绝缘层156的导电层152中发生断开。由此，可以通过成品率高的方法制造发光装置1000。另外，不良的发生得到抑制，而可以使发光装置1000成为可靠性高的发光装置。

注意，本发明的一个方式不局限于此。例如，图5B至图5D示出第一电极101的其他结构。

图5B是如下结构：在图5A的第一电极101中，绝缘层156除了导电层151_2的侧面之外还覆盖导电层151_1、导电层151_2及导电层151_3的侧面。

图5C是在图5A的第一电极101中不设置绝缘层156的结构。

图5D是如下结构：在图5A的第一电极101中，导电层151不具有叠层结构且导电层152具有叠层结构。

导电层152_1为对导电层152_2的密接性例如比绝缘层175高的层。作为导电层152_1，例如可以使用含有选自铟、锡、锌、镓、钛、铝和硅中的任一个或多个的氧化物。例如，优选使用包括氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌、氧化钛、铟钛氧化物、钛酸锌、铝锌氧化物、包含镓的铟锌氧化物、包含铝的铟锌氧化物、包含硅的铟锡氧化物和包含硅的铟锌氧化物等中的任一个或多个的导电氧化物。由此，可以抑制导电层152_2的膜剥离。另外，可以使导电层152_2不接触于绝缘层175。

导电层152_2为可见光反射率(例如对400nm以上且小于750nm之范围内的指定波长的光的反射率)比导电层151、导电层152_1及导电层152_3高的层。导电层152_2的可见光反射率例如可以为70％以上且100％以下，优选为80％以上且100％以下，更优选为90％以上且100％以下。另外，例如，作为导电层152_2可以使用银或含银的合金。作为含银的合金例如可以举出银、钯与铜的合金(APC)。由此，可以使发光装置1000成为光提取效率高的发光装置。注意，作为导电层152_2也可以使用除银之外的金属。

在将导电层151及导电层152用作阳极的情况下，导电层152_3优选为功函数大的层。导电层152_3例如为功函数比导电层152_2大的层。作为导电层152_3，例如可以使用与可用于导电层152_1的材料同样的材料。例如，可以将同一种材料用于导电层152_1和导电层152_3。

注意，在将导电层151及导电层152用作阴极的情况下，导电层152_3优选为功函数小的层。导电层152_3例如为功函数比导电层152_2小的层。

另外，导电层152_3优选为可见光透过率(例如对400nm以上且小于750nm之范围内的指定波长的光的透过率)高的层。例如，导电层152_3的可见光透过率优选比导电层151及导电层152_2的可见光透过率高。例如，导电层152_3的可见光透过率可以为60％以上且100％以下，优选为70％以上且100％以下，更优选为80％以上且100％以下。由此，可以减少有机化合物层103所发的光中被导电层152_3吸收的光。另外，如上所述，导电层152_3下的导电层152_2可以为可见光反射率高的层。因此，可以使发光装置1000成为光提取效率高的发光装置。

接着，参照图6A至图12C说明具有图4A及图4B所示的结构的发光装置1000的制造方法例子。

[制造方法例子]

构成发光装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用溅射法、化学气相沉积(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸镀法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed LaserDeposition)法或ALD法等形成。作为CVD法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD：PlasmaEnhanced CVD)法及热CVD法等。此外，作为热CVD法之一，有有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。

此外，构成发光装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctor knife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法或刮刀式涂布法等湿式沉积方法形成。

尤其是，当制造发光器件时，可以利用蒸镀法等真空工艺以及旋涂法、喷墨法等溶液工艺。作为蒸镀法，可以举出溅射法、离子镀法、离子束蒸镀法、分子束蒸镀法、真空蒸镀法等物理蒸镀法(PVD法)以及化学气相沉积法(CVD法)等。尤其是，可以利用蒸镀法(真空蒸镀法等)、涂敷法(浸涂法、染料涂布法、棒式涂布法、旋涂法、喷涂法)、印刷法(喷墨法、丝网印刷(孔版印刷)法、胶版印刷(平版印刷)法、柔版印刷(凸版印刷)法、照相凹版印刷法或微接触印刷法等)等方法形成有机化合物层所包括的功能层(空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、电子传输层及电子注入层等)。

此外，当对构成发光装置的薄膜进行加工时，例如可以利用光刻法进行加工。或者，也可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等对薄膜进行加工。此外，也可以通过利用金属掩模等遮蔽掩模的沉积方法直接形成岛状的薄膜。

光刻法典型地有如下两种方法。一种是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，例如通过蚀刻对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一种是沉积具有感光性的薄膜之后进行曝光、显影，将该薄膜加工为所希望的形状的方法。

在薄膜的蚀刻中，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法或喷砂法等。

首先，如图6A所示在衬底(未图示)上形成绝缘层171。接着，在绝缘层171上形成导电层172及导电层179，以覆盖导电层172及导电层179的方式在绝缘层171上形成绝缘层173。接着，在绝缘层173上形成绝缘层174，并在绝缘层174上形成绝缘层175。

作为衬底，可以使用至少具有能够承受后面的加热处理程度的耐热性的衬底。在使用绝缘衬底作为衬底的情况下，可以使用玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、陶瓷衬底或有机树脂衬底等。此外，还可以使用以硅或碳化硅等为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗等为材料的化合物半导体衬底、SOI衬底等半导体衬底。

接着，如图6A所示，在绝缘层175、绝缘层174及绝缘层173中形成到达导电层172的开口。接着，以嵌入该开口的方式形成插头176。

接着，如图6A所示，在插头176及绝缘层175上形成将在后面成为导电层151R、导电层151G、导电层151B及导电层151C的导电膜151f。导电膜151f例如可以利用溅射法或真空蒸镀法形成。另外，作为导电膜151f例如可以使用金属材料。

接着，如图6A所示，例如在导电膜151f上形成抗蚀剂掩模191。抗蚀剂掩模191可以通过涂敷感光材料(光致抗蚀剂)而进行曝光及显影来形成。

接着，如图6B所示，例如利用蚀刻法，具体地说例如利用干蚀刻法去除例如不与抗蚀剂掩模191重叠的区域的导电膜151f。注意，在导电膜151f例如包括使用铟锡氧化物等导电氧化物的层的情况下，也可以利用湿蚀刻法去除该层。由此，形成导电层151。注意，例如在利用干蚀刻法去除导电膜151f的一部分的情况下，有时凹部(也称为凹陷(depression))形成在绝缘层175的不重叠于导电层151的区域中。

接着，如图6C所示，去除抗蚀剂掩模191。抗蚀剂掩模191例如可以通过使用氧等离子体的灰化被去除。或者，也可以使用氧气体和CF₄、C₄F₈、SF₆、CHF₃、Cl₂、H₂O、BCl₃或如He等第18族元素。或者，也可以通过湿蚀刻去除抗蚀剂掩模191。

接着，如图6D所示，在导电层151R、导电层151G、导电层151B、导电层151C及绝缘层175上形成将在后面成为绝缘层156R、绝缘层156G、绝缘层156B及绝缘层156C的绝缘膜156f。绝缘膜156f例如可以利用CVD法、ALD法、溅射法或真空蒸镀法形成。

绝缘膜156f可以使用无机材料。作为绝缘膜156f，例如可以使用氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜或氮氧化绝缘膜等无机绝缘膜。例如，作为绝缘膜156f可以使用包含硅的氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜或氮氧化绝缘膜等。例如，作为绝缘膜156f可以使用氧氮化硅。

接着，如图6E所示，加工绝缘膜156f来形成绝缘层156R、绝缘层156G、绝缘层156B及绝缘层156C。例如，对绝缘膜156f的顶面大致均匀地进行蚀刻，由此可以形成绝缘层156。如此那样均匀地蚀刻而进行平坦化的处理也被称为回蚀处理。另外，也可以利用光刻法形成绝缘层156。

接着，如图7A所示，在导电层151R、导电层151G、导电层151B、导电层151C、绝缘层156R、绝缘层156G、绝缘层156B、绝缘层156C及绝缘层175上形成将在后面成为导电层152R、导电层152G、导电层152B及导电层152C的导电膜152f。具体而言，例如以覆盖导电层151R、导电层151G、导电层151B、导电层151C、绝缘层156R、绝缘层156G、绝缘层156B及绝缘层156C的方式形成导电膜152f。

导电膜152f例如可以利用溅射法或真空蒸镀法形成。另外，导电膜152f可以利用ALD法形成。另外，作为导电膜152f例如可以使用导电氧化物。或者，作为导电膜152f可以采用使用金属材料的膜和该膜上的使用导电氧化物的膜的叠层结构。例如，作为导电膜152f可以采用使用钛、银或含银的合金的膜和该膜上的使用导电氧化物的膜的叠层结构。

接着，如图7B所示，例如利用光刻法对导电膜152f进行加工，由此形成导电层152R、导电层152G、导电层152B及导电层152C。具体而言，例如在形成抗蚀剂掩模之后通过蚀刻法去除导电膜152f的一部分。例如可以通过湿蚀刻法去除导电膜152f。注意，也可以通过干蚀刻法去除导电膜152f。由此，形成包括导电层151及导电层152的像素电极。

接着，优选进行导电层152的疏水化处理。通过疏水化处理，可以将作为处理对象的表面从亲水性变为疏水性，或者可以提高作为处理对象的表面的疏水性。通过进行导电层152的疏水化处理，可以提高导电层152与将在后面工序中形成的有机化合物层103的密接性来抑制膜剥离。注意，也可以不进行疏水化处理。

接着，如图7C所示，在导电层152B、导电层152G、导电层152R及绝缘层175上形成将在后面成为有机化合物层103B的有机化合物膜103Bf。

在本发明中，有机化合物膜103Bf包括多个具有至少一个发光层的有机化合物层。其具体内容可以参照实施方式2中说明的发光器件130的结构。另外，也可以采用隔着中间层层叠多个具有至少一个发光层的有机化合物层的结构。

如图7C所示，在导电层152C上不形成有机化合物膜103Bf。例如，通过使用用来规定沉积范围的掩模(为了与精细金属掩模版区别，也被称为区域掩模或粗金属掩模等)，可以只在所希望的区域沉积有机化合物膜103Bf。通过采用使用区域掩模的沉积工序及使用抗蚀剂掩模的加工工序，可以以较简单的工艺制造发光器件。

有机化合物膜103Bf例如可以利用蒸镀法形成，具体而言可以利用真空蒸镀法形成。另外，有机化合物膜103Bf也可以利用转印法、印刷法、喷墨法或涂敷法等方法形成。

接着，如图7D所示，在有机化合物膜103Bf上依次形成将在后面成为牺牲层158B的牺牲膜158Bf以及将在后面成为掩模层159B的掩模膜159Bf。

牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf例如可以利用溅射法、ALD法(热ALD法、PEALD法)、CVD法、真空蒸镀法形成。另外，也可以利用上述湿式沉积方法形成。

另外，牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf以低于有机化合物膜103Bf的耐热温度的温度形成。形成牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf时的衬底温度各自典型地为200℃以下，优选为150℃以下，更优选为120℃以下，进一步优选为100℃以下，更进一步优选为80℃以下。

注意，在本实施方式中，示出由牺牲膜158Bf和掩模膜159Bf的两层结构构成掩模膜的例子，但掩模膜可以具有单层结构，也可以具有三层以上的叠层结构。

通过在有机化合物膜103Bf上设置牺牲层，可以降低在发光装置的制造工序中有机化合物膜103Bf受到的损伤，而可以提高发光器件的可靠性。

作为牺牲膜158Bf使用对有机化合物膜103Bf的加工条件的耐性高的膜，具体而言与有机化合物膜103Bf的蚀刻选择比大的膜。作为掩模膜159Bf使用与牺牲膜158Bf的蚀刻选择比大的膜。

作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf优选使用可以利用湿蚀刻法去除的膜。通过利用湿蚀刻法，与利用干蚀刻法的情况相比，可以减轻在牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf的加工中有机化合物膜103Bf受到的损伤。

在利用湿蚀刻法时，尤其优选使用酸性药液。作为酸性药液，优选使用包含磷酸、氟化氢酸、硝酸、醋酸、草酸和硫酸等中的任一个的药液或者两种以上的酸的混合药液(也称为混酸)。

作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf，例如可以使用金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜、有机绝缘膜和无机绝缘膜等中的一种或多种。

另外，通过作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf使用含有具有紫外线遮光性的材料的膜，可以抑制例如在曝光工序中紫外线照射到有机化合物层。通过抑制紫外线给有机化合物层带来损伤，可以提高发光器件的可靠性。

注意，含有具有紫外线遮光性的材料的膜在被用作后述的无机绝缘膜125f的材料时也发挥同样的效果。

作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf例如各自可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛、铝、钇、锆及钽等金属材料或者包含该金属材料的合金材料。尤其优选使用铝或银等低熔点材料。

另外，作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf各自可以使用金属氧化物诸如In-Ga-Zn氧化物、氧化铟、In-Zn氧化物、In-Sn氧化物、铟钛氧化物(In-Ti氧化物)、铟锡锌氧化物(In-Sn-Zn氧化物)、铟钛锌氧化物(In-Ti-Zn氧化物)、铟镓锡锌氧化物(In-Ga-Sn-Zn氧化物)或包含硅的铟锡氧化物等。

注意，也可以使用元素M(M为铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)代替上述镓。

作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf例如使用硅或锗等的半导体材料，这与半导体的制造工艺的亲和性高，因此是优选的。或者，可以使用上述半导体材料的氧化物或氮化物。或者，可以使用碳等的非金属材料或其化合物。另外，可以使用钛、钽、钨、铬、铝等的金属或包含它们中的一个以上的合金。另外，可以使用包含氧化钛或氧化铬等上述金属的氧化物或者氮化钛、氮化铬或氮化钽等氮化物。

另外，作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf各自可以使用各种无机绝缘膜。尤其是，氧化绝缘膜的与有机化合物膜103Bf的密接性比氮化绝缘膜的与有机化合物膜103Bf的密接性高，所以是优选的。例如，分别可以将氧化铝、氧化铪或氧化硅等无机绝缘材料用于牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf。作为牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf各自例如可以利用ALD法形成氧化铝膜。通过利用ALD法，可以减轻对基底(尤其对有机化合物层)带来的损伤，所以是优选的。

作为牺牲膜158Bf和掩模膜159Bf中的一方或双方也可以使用有机材料。例如，作为有机材料也可以使用可溶解于至少对位于有机化合物层103Bf的最上部的膜在化学上稳定的溶剂的材料。尤其是，可以适当地使用溶解于水或醇的材料。当沉积上述材料时，优选的是，在将材料溶解于水或醇等溶剂的状态下通过上述湿式的沉积方法涂敷该材料，然后进行用来使溶剂蒸发的加热处理。此时，优选在减压气氛下进行加热处理，由此可以在低温且短时间下去除溶剂，而可以降低给有机化合物膜103Bf带来的热损伤。

牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf各自也可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰多糖、水溶性纤维素、可溶解于醇的聚酰胺树脂或全氟聚合物等氟树脂等有机树脂。

例如，作为牺牲膜158Bf可以使用利用蒸镀法和上述湿式沉积方法中的任意个形成的有机膜(例如，PVA膜)，并且作为掩模膜159Bf可以使用利用溅射法形成的无机膜(例如，氮化硅膜)。

接着，如图7D所示，在掩模膜159Bf上形成抗蚀剂掩模190B。抗蚀剂掩模190B可以通过涂敷感光树脂(光致抗蚀剂)而进行曝光及显影来形成。

抗蚀剂掩模190B可以利用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料。

抗蚀剂掩模190B在与导电层152B重叠的位置上设置。抗蚀剂掩模190B优选还在与导电层152C重叠的位置上设置。由此，可以抑制导电层152C在发光装置的制造工序中受到损伤。注意，也可以在导电层152C上不设置抗蚀剂掩模190B。另外，如图7C中的沿B1-B2的截面图所示，抗蚀剂掩模190B优选以覆盖有机化合物膜103Bf的端部至导电层152C的端部(有机化合物膜103Bf一侧的端部)的方式设置。

接着，如图7E所示，利用抗蚀剂掩模190B去除掩模膜159Bf的一部分，来形成掩模层159B。掩模层159B留在导电层152B及导电层152C上。然后，去除抗蚀剂掩模190B。接着，将掩模层159B用作掩模(也称为硬掩模)去除牺牲膜158Bf的一部分，来形成牺牲层158B。

牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf分别可以通过湿蚀刻法或干蚀刻法加工。牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf的加工优选通过湿蚀刻进行。

通过利用湿蚀刻法，与利用干蚀刻法的情况相比，可以减轻在牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf的加工中有机化合物膜103Bf受到的损伤。在使用湿蚀刻法时，例如优选使用显影液、四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)、稀氢氟酸、草酸、磷酸、醋酸、硝酸或包含上述混合液体的药液等。

在加工掩模膜159Bf时有机化合物膜103Bf不露出，所以与加工牺牲膜158Bf的情况相比，加工方法的选择范围较宽。具体而言，在加工掩模膜159Bf时，即使作为蚀刻气体使用含氧的气体也可以进一步抑制有机化合物膜103Bf的劣化。

另外，当在牺牲膜158Bf的加工中利用干蚀刻法时，通过作为蚀刻气体不使用含氧气体可以抑制有机化合物膜103Bf的劣化。在利用干蚀刻法的情况下，例如优选将包含CF₄、C₄F₈、SF₆、CHF₃、Cl₂、H₂O、BCl₃或如He等第18族元素的气体用作蚀刻气体。

抗蚀剂掩模190B可以通过与抗蚀剂掩模191同样的方法被去除。此时，牺牲膜158Bf位于最表面，有机化合物膜103Bf不露出，所以可以抑制在抗蚀剂掩模190B的除去工序中有机化合物膜103Bf受到损伤。此外，可以扩大抗蚀剂掩模190B的去除方法的选择范围。

接着，如图7E所示，加工有机化合物膜103Bf来形成有机化合物层103B。例如，将掩模层159B及牺牲层158B用作硬掩模去除有机化合物膜103Bf的一部分来形成有机化合物层103B。

由此，如图7E所示，导电层152B上残留有有机化合物层103B、牺牲层158B及掩模层159B的叠层结构。此外，导电层152G及导电层152R露出。

有机化合物膜103Bf的加工可以利用干蚀刻或湿蚀刻。例如，在利用干蚀刻法进行加工时，可以使用包含氧的蚀刻气体。在蚀刻气体包含氧时，可以提高蚀刻速度。因此，可以在保持充分的蚀刻速度的同时以低功率条件进行蚀刻。因此，可以抑制对有机化合物膜103Bf带来的损伤。并且，可以抑制蚀刻时产生的反应生成物的附着等不良。

另外，也可以使用不包含氧的蚀刻气体。例如，通过使用不包含氧的蚀刻气体，可以抑制有机化合物膜103Bf的劣化。

如上所述，在本发明的一个方式中，通过在掩模膜159Bf上形成抗蚀剂掩模190B且使用抗蚀剂掩模190B去除掩模膜159Bf的一部分，来形成掩模层159B。然后，通过将掩模层159B用作掩模去除有机化合物膜103Bf的一部分，来形成有机化合物层103B。因此，可以说通过利用光刻法加工有机化合物膜103Bf来形成有机化合物层103B。另外，也可以使用抗蚀剂掩模190B去除有机化合物膜103Bf的一部分。然后，也可以去除抗蚀剂掩模190B。

在此，根据需要也可以进行导电层152G的疏水化处理。在加工有机化合物膜103Bf时，例如导电层152G的表面状态有时变为亲水性。通过进行导电层152G的疏水化处理，例如可以提高导电层152G与将在后面工序中形成的层(在此，有机化合物层103G)的密接性来抑制膜剥离。

接着，如图8A所示，在导电层152G、导电层152R、掩模层159B及绝缘层175上形成将在后面成为有机化合物层103G的有机化合物膜103Gf。

有机化合物膜103Gf可以以与可在形成有机化合物膜103Bf时利用的方法同样的方法形成。另外，有机化合物膜103Gf可以具有与有机化合物膜103Bf同样的结构。

接着，如图8B所示，在有机化合物膜103Gf及掩模层159B上依次形成将在后面成为牺牲层158G的牺牲膜158Gf以及将在后面成为掩模层159G的掩模膜159Gf。然后，形成抗蚀剂掩模190G。牺牲膜158Gf及掩模膜159Gf的材料及形成方法与可用于牺牲膜158Bf及掩模膜159Bf的条件相同。抗蚀剂掩模190G的材料及形成方法与可用于抗蚀剂掩模190B的条件相同。

抗蚀剂掩模190G在与导电层152G重叠的位置上设置。

接着，如图8C所示，利用抗蚀剂掩模190G去除掩模膜159Gf的一部分，来形成掩模层159G。掩模层159G留在导电层152G上。然后，去除抗蚀剂掩模190G。接着，将掩模层159G用作掩模去除牺牲膜158Gf的一部分，来形成牺牲层158G。接着，加工有机化合物膜103Gf来形成有机化合物层103G。例如，将掩模层159G及牺牲层158G用作硬掩模去除有机化合物膜103Gf的一部分，来形成有机化合物层103G。

由此，如图8C所示，导电层152G上残留有有机化合物层103G、牺牲层158G及掩模层159G的叠层结构。此外，掩模层159B及导电层152R露出。

另外，例如也可以进行导电层152R的疏水化处理。

接着，如图9A所示，在导电层152R、掩模层159G、掩模层159B及绝缘层175上形成将在后面成为有机化合物层103R的有机化合物膜103Rf。

有机化合物膜103Rf可以以与可在形成有机化合物膜103Gf时利用的方法同样的方法形成。另外，有机化合物膜103Rf可以具有与有机化合物膜103Gf同样的结构。

接着，如图9B及图9C所示，从牺牲膜158Rf、掩模膜159Rf和有机化合物膜103Rf分别形成牺牲层158R、掩模层159R和有机化合物层103R。关于牺牲层158R、掩模层159R、有机化合物层103R的形成方法，可以参照有机化合物层103G的记载。

注意，有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R的侧面各自优选垂直于或大致垂直于被形成面。例如，被形成面与这些侧面所形成的角度优选为60度以上且90度以下。

如上所述，可以将使用光刻法形成的有机化合物层103B、有机化合物层103G和有机化合物层103R中相邻的两个有机化合物层之间的距离缩小到8μm以下、5μm以下、3μm以下、2μm以下或1μm以下。在此，例如可以根据有机化合物层103B、有机化合物层103G和有机化合物层103R中相邻的两个有机化合物层的相对的端部之间距离规定该距离。如此，通过缩小岛状有机化合物层之间的距离，可以提供清晰度高且开口率大的发光装置。此外，可以缩小相邻的发光器件间的第一电极的距离，例如可以为10μm以下、8μm以下、5μm以下、3μm以下、2μm以下。此外，相邻的发光器件间的第一电极的距离优选为2μm以上且5μm以下。

接着，如图10A所示，去除掩模层159B、掩模层159G及掩模层159R。

注意，虽然在本实施方式中以去除掩模层159B、掩模层159G及掩模层159R的情况为例进行说明，但也可以不去除掩模层159B、掩模层159G及掩模层159R。例如，当掩模层159B、掩模层159G及掩模层159R包含上述具有紫外线遮光性的材料时，通过不去除上述掩模层来进入下个工序，可以保护有机化合物层免受光照射(包括照明光)。

作为掩模层的去除工序可以使用与掩模层的加工工序同样的方法。尤其是，通过使用湿蚀刻法，与使用干蚀刻法的情况相比，可以减少在去除掩模层时有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R受到的损伤。

另外，也可以将掩模层溶解于水或醇等的溶剂来去除。作为醇，可以举出乙醇、甲醇、异丙醇(IPA)或甘油等。

在去除掩模层之后，也可以进行干燥处理来去除包含在有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R中的水以及吸附于有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R的表面的水。例如，也可以在惰性气氛或减压气氛下进行加热处理。加热处理可以在50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且120℃以下的衬底温度下进行。通过采用减压气氛，可以以更低温进行干燥，所以是优选的。

接着，如图10B所示，以覆盖有机化合物层103B、有机化合物层103G、有机化合物层103R、牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R的方式形成将在后面成为无机绝缘层125的无机绝缘膜125f。

如后面所述，以接触于无机绝缘膜125f的顶面的方式形成将在后面成为绝缘层127的绝缘膜。因此，无机绝缘膜125f的顶面优选与用于将成为绝缘层127的绝缘膜的材料(例如含有丙烯酸树脂的感光树脂组成物)的亲和性高。为了提高该亲和性，也可以对无机绝缘膜125f的顶面进行表面处理。具体而言，优选使无机绝缘膜125f的顶面疏水化(或者提高其疏水性)。例如，优选使用六甲基二硅氮烷(HMDS)等的硅烷化剂进行处理。通过如此使无机绝缘膜125f的顶面疏水化，可以以高密接性形成绝缘膜127f。

接着，如图10C所示，在无机绝缘膜125f上形成将在后面成为绝缘层127的绝缘膜127f。

无机绝缘膜125f及绝缘膜127f优选通过给有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R带来的损伤少的形成方法进行沉积。尤其是，无机绝缘膜125f以接触于有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R的侧面的方式形成，所以无机绝缘膜125f优选通过给有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R带来的损伤比沉积绝缘膜127f时更少的形成方法进行沉积。

另外，无机绝缘膜125f及绝缘膜127f各自以低于有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R的耐热温度的温度形成。通过提高沉积时的衬底温度，即使其膜厚度薄也可以形成杂质浓度低且对水和氧中的至少一方的阻挡性高的无机绝缘膜125f。

形成无机绝缘膜125f及绝缘膜127f时的衬底温度各自优选为60℃以上、80℃以上、100℃以上或120℃以上且为200℃以下、180℃以下、160℃以下、150℃以下或140℃以下。

作为无机绝缘膜125f，优选在上述衬底温度范围内形成厚度为3nm以上、5nm以上或10nm以上且为200nm以下、150nm以下、100nm以下或50nm以下的绝缘膜。

无机绝缘膜125f例如优选利用ALD法形成。通过利用ALD法可以减少沉积损伤，并且可以沉积覆盖性高的膜，所以是优选的。作为无机绝缘膜125f，例如优选利用ALD法形成氧化铝膜。

除此之外，无机绝缘膜125f也可以利用沉积速率比ALD法高的溅射法、CVD法或PECVD法形成。由此，可以以高生产率制造可靠性高的发光装置。

绝缘膜127f优选利用上述湿式沉积方法形成。绝缘膜127f例如优选通过旋涂法使用感光材料形成，更具体地说，优选使用含有丙烯酸树脂的感光树脂组成物形成。

例如，优选使用含有聚合物、酸产生剂及溶剂的树脂组成物形成绝缘膜127f。聚合物使用一种或多种单体形成，具有有规则或无规则地反复一种或多种结构单位(也称为构成单位)的结构。作为酸产生剂，可以使用通过照射光产生酸的化合物和通过加热产生酸的化合物中的一方或双方。树脂组成物还可以包含感光剂、敏化剂、催化剂、粘合助剂、表面活性剂和防氧化剂中的一个或多个。

另外，优选在形成绝缘膜127f之后进行加热处理(也称为前烘)。该加热处理以比有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R的耐热温度低的温度进行。加热处理中的衬底温度优选为50℃以上且200℃以下，更优选为60℃以上且150℃以下，进一步优选为70℃以上且120℃以下。由此，可以去除绝缘膜127f中的溶剂。

接着，进行曝光来用可见光线或紫外线使绝缘膜127f的一部分敏化。这里，在将含有丙烯酸树脂的正型感光树脂组成物用于绝缘膜127f的情况下，向将在后面工序中没形成绝缘层127的区域照射可见光线或紫外线。绝缘层127形成在被导电层152B、导电层152G和导电层152R中的任两个夹持的区域以及导电层152C周围。因此，向导电层152B、导电层152G、导电层152R及导电层152C照射可见光线或紫外线。注意，在将负型感光材料用于绝缘膜127f的情况下，向将形成绝缘层127的区域照射可见光线或紫外线。

借助于向绝缘膜127f曝光的区域，可以控制将在后面形成的绝缘层127的宽度。在本实施方式中，以绝缘层127具有与导电层151的顶面重叠的部分的方式进行加工。

在此，通过作为牺牲层158(牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R)和无机绝缘膜125f中的一方或双方设置氧阻挡绝缘层(例如氧化铝膜等)，可以降低氧扩散到有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R。当光(可见光线或紫外线)被照射到有机化合物层时，有时该有机化合物层所包含的有机化合物成为激发状态而促进与气氛内的氧反应。具体地说，当在含氧气氛下光(可见光线或紫外线)被照射到有机化合物层时，氧有可能键合于该有机化合物层所包含的有机化合物。通过在岛状有机化合物层上设置牺牲层158及无机绝缘膜125f，可以降低气氛内的氧键合于该有机化合物层所包含的有机化合物。

接着，如图11A所示，进行显影去除绝缘膜127f中的被曝光的区域，来形成绝缘层127a。绝缘层127a形成在被导电层152B、导电层152G和导电层152R中的任两个夹持的区域以及围绕导电层152C的区域。这里，在将丙烯酸树脂用于绝缘膜127f的情况下，作为显影液可以使用碱性溶液，例如可以使用TMAH。

接着，如图11B所示，将绝缘层127a用作掩模进行蚀刻处理去除无机绝缘膜125f的一部分，来减小牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R的一部分的膜厚度。由此，在绝缘层127a下形成无机绝缘层125。下面，将绝缘层127a用作掩模加工无机绝缘膜125f的蚀刻处理有时被称为第一蚀刻处理。

也就是说，在第一蚀刻处理中不完全去除牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R而在膜厚度变小的状态下停止蚀刻处理。如此，通过在有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R上残留对应的牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R，可以防止在后面工序的处理中有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R受到损伤。

第一蚀刻处理可以通过干蚀刻或湿蚀刻来进行。当使用与牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R同样的材料沉积无机绝缘膜125f时，可以通过第一蚀刻处理一次性地进行无机绝缘膜125f的加工和露出的牺牲层158的薄膜化，所以是优选的。

通过将侧面呈锥形形状的绝缘层127a用作掩模进行蚀刻，可以使无机绝缘层125的侧面以及牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R的侧面上端部较容易地成为锥形形状。

例如，当利用干蚀刻进行第一蚀刻处理时，可以使用氯类气体。作为氯类气体，可以使用Cl₂、BCl₃、SiCl₄及CCl₄等中的一种气体或混合上述两种以上的气体。另外，可以将氧气体、氢气体、氦气体及氩气体等中的一种气体或混合上述两种以上的气体适当地添加到上述氯类气体。通过利用干蚀刻，可以以优良面内均匀性形成牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R的膜厚度小的区域。

另外，例如可以利用湿蚀刻进行第一蚀刻处理。通过利用湿蚀刻法，与使用干蚀刻法的情况相比，可以减少有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R受到的损伤。

在湿蚀刻中优选使用酸性药液。作为酸性药液，可以使用包含磷酸、氟化氢酸、硝酸、醋酸、草酸和硫酸等中的任一个的药液或者两种以上的酸的混合药液(也称为混酸)。

另外，可以使用碱溶液进行湿蚀刻。例如，在氧化铝膜的湿蚀刻中可以使用作为碱溶液的TMAH。此时，可以以涂胶方式进行湿蚀刻。

接着，进行加热处理(也被称为后烘)。通过进行加热处理，可以将绝缘层127a变形为其侧面具有锥形形状的绝缘层127(图11C)。该加热处理以低于有机化合物层的耐热温度的温度进行。加热处理可以以50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且130℃以下的衬底温度进行。加热气氛既可以为大气气氛，也可以为惰性气氛。另外，加热气氛既可以为大气气氛又可以为减压气氛。在本工序的加热处理中，优选与形成绝缘膜127f之后的加热处理(前烘)相比提高衬底温度。

通过加热处理，可以提高绝缘层127与无机绝缘层125的密接性，并且也可以提高绝缘层127的腐蚀性。另外，通过绝缘层127a变形，可以实现由绝缘层127覆盖无机绝缘层125的端部的形状。

在第一蚀刻处理中，通过不完全去除牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R而残留膜厚度变薄的状态的牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R，可以防止在该加热处理中有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R受到损伤而劣化。由此，可以提高发光器件的可靠性。

接着，如图12A所示，将绝缘层127用作掩模，进行蚀刻处理，去除牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R的一部分。注意，此时，有时无机绝缘层125的一部分也被去除。通过该蚀刻处理，在牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R中形成开口，有机化合物层103B、有机化合物层103G、有机化合物层103R及导电层152C的顶面从该开口露出。下面，将绝缘层127用作掩模使有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R露出的蚀刻处理有时被称为第二蚀刻处理。

第二蚀刻处理利用湿蚀刻进行。通过利用湿蚀刻法，与使用干蚀刻法的情况相比，可以减少有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R受到的损伤。与第一蚀刻处理同样，湿蚀刻可以使用酸性药液或碱溶液进行。

另外，也可以在使有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R的一部分露出之后还进行加热处理。通过该加热处理，可以去除包含在有机化合物层中的水以及吸附于有机化合物层表面的水等。另外，绝缘层127的形状有时由于该加热处理变化。具体而言，绝缘层127有时以覆盖无机绝缘层125的端部、牺牲层158B、牺牲层158G及牺牲层158R的端部和有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R的顶面中的至少一个的方式扩大。

此外，图12A示出牺牲层158(牺牲层158G、牺牲层158B、牺牲层158R)的端部的一部分(具体而言，通过第一蚀刻处理形成的锥形形状的部分)被绝缘层127覆盖且通过第二蚀刻处理形成的锥形形状的部分露出的例子(参照图5A)。

另外，绝缘层127也可以覆盖牺牲层158G的端部整体。例如，有时绝缘层127的端部下垂而覆盖牺牲层158G的端部。另外，例如有时绝缘层127的端部接触于有机化合物层103B、有机化合物层103G和有机化合物层103R中的至少一个的顶面。

接着，如图12B所示，在有机化合物层103B、有机化合物层103G、有机化合物层103R、导电层152C及绝缘层127上形成公共电极155。公共电极155可以通过利用溅射法或真空蒸镀法等方法形成。或者，也可以层叠通过蒸镀法形成的膜与通过溅射法形成的膜来形成公共电极155。

接着，如图12C所示，在公共电极155上形成保护层131。保护层131可以通过真空蒸镀法、溅射法、CVD法或ALD法等方法形成。

接着，使用树脂层122在保护层131上贴合衬底120，由此可以制造发光装置。如上所述，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，以包括与导电层151的侧面重叠的区域的方式设置绝缘层156，且以覆盖导电层151及绝缘层156的方式形成导电层152。由此，可以提高发光装置的成品率，且可以抑制不良发生。

如上所述，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，岛状的有机化合物层103B、岛状的有机化合物层103G及岛状的有机化合物层103R不是使用高精细金属掩模版形成的而是在一个面上沉积膜之后进行加工来形成的，所以可以以均匀的厚度形成岛状层。并且，可以实现高清晰的发光装置或高开口率的发光装置。此外，即使清晰度或开口率高且子像素间距离极短，也可以抑制在相邻的子像素中有机化合物层103B、有机化合物层103G及有机化合物层103R彼此接触。因此，可以抑制在子像素间发生泄漏电流。由此，可以防止串扰且可以实现对比度极高的发光装置。另外，即使是包括利用光刻法制造的串联型发光器件的发光装置，也可以提供特性良好的发光装置。

实施方式4

在本实施方式中，参照图13A至图13G以及图14A至图14I说明本发明的一个方式的发光装置。

[像素的布局]

在本实施方式中，主要说明与图4A不同的像素布局。子像素的排列没有特别的限制，可以采用各种排列方法。作为子像素的排列，例如可以举出条纹排列、S条纹排列、矩阵排列、Delta排列、拜耳排列及Pentile排列。

在本实施方式中附图所示的子像素的顶面形状相当于发光区域的顶面形状。

另外，作为子像素的顶面形状，例如可以举出三角形、四角形(包括长方形、正方形)、五角形等多角形、带圆角的上述多角形形状、椭圆形或圆形等。

另外，构成子像素的电路布局不局限于附图所示的子像素的范围，也可以配置在其外侧。

图13A所示的像素178采用S条纹排列。图13A所示的像素178由子像素110R、子像素110G及子像素110B的三个子像素构成。

图13B所示的像素178包括具有带圆角的近似梯形的顶面形状的子像素110R、具有带圆角的近似三角形的顶面形状的子像素110G以及具有带圆角的近似四角形或近似六角形的顶面形状的子像素110B。另外，子像素110R的发光面积大于子像素110G。如此，各子像素的形状及尺寸可以分别独立决定。例如，包括可靠性高的发光器件的子像素的尺寸可以更小。

图13C所示的像素124a及像素124b采用Pentile排列。在图13C所示的例子中，交替地配置包括子像素110R及子像素110G的像素124a以及包括子像素110G及子像素110B的像素124b。

图13D至图13F所示的像素124a及像素124b采用Delta排列。像素124a在上行(第一行)包括两个子像素(子像素110R及子像素110G)且在下行(第二行)包括一个子像素(子像素110B)。像素124b在上行(第一行)包括一个子像素(子像素110B)且在下行(第二行)包括两个子像素(子像素110R及子像素110G)。

图13D示出各子像素具有带圆角的近似四角形的顶面形状的例子，图13E示出各子像素具有圆形的顶面形状的例子，图13F示出各子像素具有带圆角的近似六角形的顶面形状的例子。

在图13F中，各子像素配置在排列为最紧密的六角形区域的内侧。各子像素以在着眼于其中一个子像素时被六个子像素围绕的方式配置。此外，以呈现相同颜色的光的子像素不相邻的方式设置。例如，各子像素以在着眼于子像素110R时交替地配置的三个子像素110G和三个子像素110B围绕子像素110R的方式设置。

图13G示出各颜色的子像素配置为之字形状的例子。具体而言，在俯视时，在行方向上排列的两个子像素(例如，子像素110R与子像素110G或者子像素110G与子像素110B)的上边的位置错开。

在图13A至图13G所示的各像素中，例如，优选将子像素110R设为呈现红色光的子像素R，将子像素110G设为呈现绿色光的子像素G，并将子像素110B设为呈现蓝色光的子像素B。注意，子像素的结构不局限于此，可以适当地决定子像素所呈现的颜色及其排列顺序。例如，也可以将子像素110G设为呈现红色光的子像素R，并将子像素110R设为呈现绿色光的子像素G。

在光刻法中，被加工的图案越微细越不能忽视光的衍射所带来的影响，所以在通过曝光转移光掩模的图案时其忠实性变坏，难以将抗蚀剂掩模加工为所希望的形状。因此，即使光掩模的图案为矩形，也易于形成带圆角的图案。因此，子像素的顶面形状有时呈带圆角的多角形形状、椭圆形或圆形等。

并且，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，使用抗蚀剂掩模将有机化合物层加工为岛状。形成在有机化合物层上的抗蚀剂膜需要以低于有机化合物层的耐热温度的温度固化。因此，根据有机化合物层的材料的耐热温度及抗蚀剂材料的固化温度而有时抗蚀剂膜的固化不充分。固化不充分的抗蚀剂膜在被加工时有时呈远离所希望的形状的形状。其结果是，有机化合物层的顶面形状有时呈带圆角的多角形形状、椭圆形或圆形等。例如，当要形成顶面形状为正方形的抗蚀剂掩模时，有时形成圆形顶面形状的抗蚀剂掩模而有机化合物层的顶面形状呈圆形。

为了使有机化合物层的顶面形状呈所希望的形状，也可以利用以设计图案与转移图案一致的方式预先校正掩模图案的技术(OPC(Optical Proximity Correction：光学邻近效应校正)技术)。具体而言，在OPC技术中，例如对掩模图案上的图形角部追加校正用图案。

如图14A至图14I所示，像素可以包括四种子像素。

图14A至图14C所示的像素178采用条纹排列。

图14A示出各子像素具有长方形的顶面形状的例子，图14B示出各子像素具有连接两个半圆和长方形的顶面形状的例子，图14C示出各子像素具有楕圆形的顶面形状的例子。

图14D至图14F所示的像素178采用矩阵排列。

图14D示出各子像素具有正方形的顶面形状的例子，图14E示出各子像素具有带圆角的近似正方形的顶面形状的例子，图14F示出各子像素具有圆形的顶面形状的例子。

图14G及图14H示出一个像素178以两行三列构成的例子。

图14G所示的像素178在上行(第一行)包括三个子像素(子像素110R、子像素110G、子像素110B)且在下行(第二行)包括一个子像素(子像素110W)。换言之，像素178在左列(第一列)包括子像素110R，在中央列(第二列)包括子像素110G，在右列(第三列)包括子像素110B，并且跨着这三个列包括子像素110W。

图14H所示的像素178在上行(第一行)包括三个子像素(子像素110R、子像素110G、子像素110B)且在下行(第二行)包括三个子像素110W。换言之，像素178在左列(第一列)包括子像素110R及子像素110W，在中央列(第二列)包括子像素110G及子像素110W，并且在右列(第三列)包括子像素110B及子像素110W。如图14H所示，通过使上行和下行的子像素的配置一致，例如可以高效地去除有可能在制造工艺中产生的垃圾。由此，可以提供一种显示品质高的发光装置。

在图14G及图14H所示的像素178中，子像素110R、子像素110G及子像素110B的布局为条纹排列，所以可以提高显示品质。

图14I示出一个像素178以三行两列构成的例子。

图14I所示的像素178在上行(第一行)包括子像素110R，在中央行(第二行)包括子像素110G，跨着第一行至第二行包括子像素110B，并且在下行(第三行)包括一个子像素(子像素110W)。换言之，像素178在左列(第一列)包括子像素110R及子像素110G，在右列(第二列)包括子像素110B，并且跨着这两列包括子像素110W。

在图14I所示的像素178中，子像素110R、子像素110G及子像素110B的布局为所谓S条纹排列，所以可以提高显示品质。

图14A至图14I所示的像素178由子像素110R、子像素110G、子像素110B及子像素110W的四个子像素构成。例如，可以将子像素110R设为呈现红色光的子像素，将子像素110G设为呈现绿色光的子像素，将子像素110B设为呈现蓝色光的子像素，并将子像素110W设为呈现白色光的子像素。另外，也可以将子像素110R、子像素110G、子像素110B和子像素110W中的至少一个设为呈现青色光的子像素、呈现品红色光的子像素、呈现黄色光的子像素或呈现近红外光的子像素。

如上所述，在本发明的一个方式的发光装置中，可以对由包括发光器件的子像素构成的像素采用各种布局。

本实施方式可以与其他实施方式或实施例适当地组合。此外，在本说明书中，在一个实施方式中示出多个结构例子的情况下，可以适当地组合该结构例子。

实施方式5

在本实施方式中，对本发明的一个方式的发光装置进行说明。

本实施方式的发光装置可以为高清晰的发光装置。因此，例如可以将本实施方式的发光装置用作手表型及手镯型等信息终端设备(可穿戴设备)的显示部以及头戴显示器(HMD)等VR(Virtual Reality)用设备及眼镜型AR(Augmented Reality)用设备等可戴在头上的可穿戴设备的显示部。

另外，本实施方式的发光装置可以为高分辨率的发光装置或大型发光装置。因此，例如可以将本实施方式的发光装置用作如下装置的显示部：具有较大的屏幕的电子设备诸如电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌及弹珠机等大型游戏机等；数码相机；数字视频摄像机；数码相框；移动电话机；便携式游戏机；便携式信息终端；以及声音再现装置。

[显示模块]

图15A示出显示模块280的立体图。显示模块280包括发光装置100A及FPC290。注意，显示模块280所包括的发光装置不局限于发光装置100A，也可以是将在后面说明的发光装置100B和发光装置100C中的任一方。

显示模块280包括衬底291及衬底292。显示模块280包括显示部281。显示部281是显示模块280中的图像显示区域，并可以看到来自设置在下述像素部284中的各像素的光。

图15B是衬底291一侧的结构的立体示意图。衬底291上层叠有电路部282、电路部282上的像素电路部283及该像素电路部283上的像素部284。此外，衬底291的不与像素部284重叠的部分上设置有用来连接到FPC290的端子部285。端子部285与电路部282通过由多个布线构成的布线部286电连接。

像素部284包括周期性地排列的多个像素284a。图15B的右侧示出一个像素284a的放大图。像素284a可以采用在上述实施方式中说明的各种结构。图15B例示出像素284a具有与图4A及图4B所示的像素178同样的结构的情况。

像素电路部283包括周期性地排列的多个像素电路283a。

一个像素电路283a控制一个像素284a所包括的多个元件的驱动。一个像素电路283a中可以设置有三个控制一个发光器件的发光的电路。例如，像素电路283a可以采用对于一个发光器件至少具有一个选择晶体管、一个电流控制用晶体管(驱动晶体管)和电容器的结构。此时，选择晶体管的栅极被输入栅极信号，源极或漏极被输入视频信号。由此，实现有源矩阵型发光装置。

电路部282包括用于驱动像素电路部283的各像素电路283a的电路。例如，优选包括栅极线驱动电路和源极线驱动电路中的一方或双方。此外，还可以具有运算电路、存储电路和电源电路等中的至少一个。

FPC290用作从外部向电路部282供给视频信号或电源电位等的布线。此外，也可以在FPC290上安装IC。

显示模块280可以采用像素部284的下侧层叠有像素电路部283和电路部282中的一方或双方的结构，所以可以使显示部281具有极高的开口率(有效显示面积比)。例如，显示部281的开口率可以为40％以上且低于100％，优选为50％以上且95％以下，更优选为60％以上且95％以下。此外，能够极高密度地配置像素284a，由此可以使显示部281具有极高的清晰度。例如，显示部281优选以20000ppi以下或30000ppi以下且2000ppi以上、更优选为3000ppi以上、进一步优选为5000ppi以上、更进一步优选为6000ppi以上的清晰度配置像素284a。

这种高清晰的显示模块280适合用于HMD等VR用设备或眼镜型AR用设备。例如，因为显示模块280具有极高清晰度的显示部281，所以在透过透镜观看显示模块280的显示部的结构中，即使用透镜放大显示部也使用者不能看到像素，由此可以实现具有高度沉浸感的显示。此外，显示模块280还可以应用于具有相对较小型的显示部的电子设备。例如，适合用于手表型设备等可穿戴式电子设备的显示部。

[发光装置100A]

图16A所示的发光装置100A包括衬底301、发光器件130R、发光器件130G、发光器件130B、电容器240及晶体管310。

衬底301相当于图15A及图15B中的衬底291。晶体管310是在衬底301中具有沟道形成区域的晶体管。作为衬底301，例如可以使用如单晶硅衬底等半导体衬底。晶体管310包括衬底301的一部分、导电层311、低电阻区域312、绝缘层313及绝缘层314。导电层311被用作栅电极。绝缘层313位于衬底301与导电层311之间，并被用作栅极绝缘层。低电阻区域312是衬底301中掺杂有杂质的区域，并被用作源极或漏极。绝缘层314覆盖导电层311的侧面。

此外，在相邻的两个晶体管310之间，以嵌入衬底301的方式设置有元件分离层315。

此外，以覆盖晶体管310的方式设置有绝缘层261，并绝缘层261上设置有电容器240。

电容器240包括导电层241、导电层245及位于它们之间的绝缘层243。导电层241用作电容器240中的一个电极，导电层245用作电容器240中的另一个电极，并且绝缘层243用作电容器240的介电质。

导电层241设置在绝缘层261上，并嵌入于绝缘层254中。导电层241通过嵌入于绝缘层261中的插头271与晶体管310的源极和漏极中的一个电连接。绝缘层243以覆盖导电层241的方式设置。导电层245设置在隔着绝缘层243与导电层241重叠的区域中。

以覆盖电容器240的方式设置有绝缘层255，绝缘层255上设置有绝缘层174，绝缘层174上设置有绝缘层175。绝缘层175上设置有发光器件130R、发光器件130G及发光器件130B。图16A示出发光器件130R、发光器件130G及发光器件130B具有图1A所示的叠层结构的例子。相邻的发光器件之间的区域中设置有绝缘物。例如，在图16A中，该区域中设置有无机绝缘层125及无机绝缘层125上的绝缘层127。

以具有与发光器件130R所包括的导电层151R的侧面重叠的区域的方式设置有绝缘层156R，以具有与发光器件130G所包括的导电层151G的侧面重叠的区域的方式设置有绝缘层156G，以具有与发光器件130B所包括的导电层151B的侧面重叠的区域的方式设置有绝缘层156B。另外，以覆盖导电层151R及绝缘层156R的方式设置有导电层152R，以覆盖导电层151G及绝缘层156G的方式设置有导电层152G，以覆盖导电层151B及绝缘层156B的方式设置有导电层152B。再者，牺牲层158R位于发光器件130R所包括的有机化合物层103R上，牺牲层158G位于发光器件130G所包括的有机化合物层103G上，牺牲层158B位于发光器件130B所包括的有机化合物层103B上。

导电层151R、导电层151G及导电层151B通过嵌入于绝缘层243、绝缘层255、绝缘层174及绝缘层175中的插头256、嵌入于绝缘层254中的导电层241及嵌入于绝缘层261中的插头271与晶体管310的源极和漏极中的一方电连接。绝缘层175的顶面的高度与插头256的顶面的高度一致或大致一致。插头可以使用各种导电性材料。

此外，发光器件130R、发光器件130G及发光器件130B上设置有保护层131。保护层131上由树脂层122贴合有衬底120。发光器件130至衬底120的构成要素的详细内容可以参照实施方式2。衬底120相当于图15A的衬底292。

图16B示出图16A所示的发光装置100A的变形例子。图16B所示的发光装置包括着色层132R、着色层132G及着色层132B，发光器件130具有重叠于着色层132R、着色层132G和着色层132B中的一个的区域。在图16B所示的发光装置中，发光器件130例如可以发射白色光。另外，例如，着色层132R、着色层132G及着色层132B分别可以透过红色光、绿色光及蓝色光。

[发光装置100B]

图17示出发光装置100B的立体图，图18A示出作为发光装置100B的截面图的一个例子的发光装置100G。

发光装置100B具有贴合衬底352与衬底351的结构。在图17中，以虚线表示衬底352。

发光装置100B包括像素部177、连接部140、电路356及布线355等。图17示出发光装置100B安装有IC354及FPC353的例子。因此，也可以将图17所示的结构称为包括发光装置100B、IC(集成电路)及FPC的显示模块。在此，安装有FPC等连接器的发光装置的衬底或安装有IC的该衬底被称为显示模块。

连接部140设置在像素部177的外侧。连接部140可以沿着像素部177的一个边或多个边设置。连接部140的个数也可以为一个或多个。图17示出以围绕显示部的四边的方式设置连接部140的例子。在连接部140，发光器件的公共电极与导电层电连接，可以对公共电极供应电位。

作为电路356，例如可以使用扫描线驱动电路。

布线355具有对像素部177及电路356供应信号及电力的功能。该信号及电力从外部经由FPC353输入到布线355或者从IC354输入到布线355。

图17示出通过COG(Chip On Glass)方式或COF(Chip On Film)方式等在衬底351上设置IC354的例子。作为IC354，例如可以使用包括扫描线驱动电路或信号线驱动电路等的IC。注意，发光装置100B及显示模块不一定必须设置有IC。此外，例如也可以将IC利用COF方式安装于FPC。

图18A示出发光装置100B的包括FPC353的区域的一部分、电路356的一部分、像素部177的一部分、连接部140的一部分及包括端部的区域的一部分的截面的一个例子。

图18A所示的发光装置100B在衬底351与衬底352之间包括晶体管201、晶体管205、发射红色光的发光器件130R、发射绿色光的发光器件130G以及发射蓝色光的发光器件130B等。

除了像素电极的结构不同这一点以外，发光器件130R、发光器件130G及发光器件130B都具有图1A所示的叠层结构。发光器件的详细内容可以参照实施方式1及实施方式3。

发光器件130R包括导电层224R、导电层224R上的导电层151R及导电层151R上的导电层152R。发光器件130G包括导电层224G、导电层224G上的导电层151G及导电层151G上的导电层152G。发光器件130B包括导电层224B、导电层224B上的导电层151B及导电层151B上的导电层152B。在此，可以将导电层224R、导电层151R和导电层152R统称为发光器件130R的像素电极，也可以将除导电层224R外的导电层151R和导电层152R称为发光器件130R的像素电极。同样地，可以将导电层224G、导电层151G和导电层152G统称为发光器件130G的像素电极，也可以将除导电层224G外的导电层151G和导电层152G称为发光器件130G的像素电极。另外，可以将导电层224B、导电层151B和导电层152B统称为发光器件130B的像素电极，也可以将除导电层224B外的导电层151B和导电层152B称为发光器件130B的像素电极。

导电层224R通过设置在绝缘层214中的开口与晶体管205所包括的导电层222b连接。导电层151R的端部位于导电层224R的端部外侧。以具有与导电层151R的侧面接触的区域的方式设置有绝缘层156R，以覆盖导电层151R及绝缘层156R的方式设置有导电层152R。

发光器件130G中的导电层224G、导电层151G、导电层152G、绝缘层156G以及发光器件130B中的导电层224B、导电层151B、导电层152B、绝缘层156B与发光器件130R中的导电层224R、导电层151R、导电层152R、绝缘层156R同样，所以省略详细说明。

导电层224R、导电层224G及导电层224B中以覆盖设置在绝缘层214中的开口的方式形成有凹部。该凹部嵌入有层128。

层128具有使导电层224R、导电层224G及导电层224B的凹部平坦化的功能。导电层224R、导电层224G、导电层224B及层128上设置有与导电层224R、导电层224G及导电层224B电连接的导电层151R、导电层151G及导电层151B。因此，与导电层224R、导电层224G及导电层224B的凹部重叠的区域也可以被用作发光区域，可以提高像素的开口率。

层128也可以为绝缘层或导电层。层128可以适当地使用各种无机绝缘材料、有机绝缘材料及导电性材料。尤其是，层128优选使用绝缘材料形成，特别优选使用有机绝缘材料形成。层128例如可以使用上述可用于绝缘层127的有机绝缘材料。

发光器件130R、发光器件130G及发光器件130B上设置有保护层131。保护层131和衬底352由粘合层142粘合。衬底352设置有遮光层157。发光器件130的密封可以采用固体密封结构或中空密封结构等。在图18A中，衬底352与衬底351之间的空间被粘合层142填充，即采用固体密封结构。或者，也可以使用惰性气体(氮或氩等)填充该空间而采用中空密封结构。此时，粘合层142也可以以不与发光器件重叠的方式设置。另外，也可以使用与设置为框状的粘合层142不同的树脂填充该空间。

图18A示出如下例子：连接部140包括加工与导电层224R、导电层224G及导电层224B相同的导电膜而得的导电层224C、加工与导电层151R、导电层151G及导电层151B相同的导电膜而得的导电层151C以及加工与导电层152R、导电层152G及导电层152B相同的导电膜而得的导电层152C。另外，图18A示出以具有与导电层151C的侧面重叠的区域的方式设置绝缘层156C的例子。

发光装置100B是顶部发射型显示装置。发光器件将光发射到衬底352一侧。衬底352优选使用对可见光的透过性高的材料。像素电极包含反射可见光的材料，对置电极(公共电极155)包含透过可见光的材料。

晶体管201及晶体管205都形成在衬底351上。这些晶体管可以使用同一材料及同一工序形成。

衬底351上依次设置有绝缘层211、绝缘层213、绝缘层215及绝缘层214。绝缘层211的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层213的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层215以覆盖晶体管的方式设置。绝缘层214以覆盖晶体管的方式设置，并被用作平坦化层。此外，对栅极绝缘层的个数及覆盖晶体管的绝缘层的个数没有特别的限制，既可以为一个，又可以为两个以上。

优选的是，将水及氢等杂质不容易扩散的材料用于覆盖晶体管的绝缘层中的至少一个。由此，可以将绝缘层用作阻挡层。通过采用这种结构，可以有效地抑制杂质从外部扩散到晶体管中，从而可以提高发光装置的可靠性。

作为绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215优选使用无机绝缘膜。作为无机绝缘膜，例如可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或氮化铝膜等。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。此外，也可以层叠上述绝缘膜中的两个以上。

用作平坦化层的绝缘层214优选使用有机绝缘层。作为能够用于有机绝缘层的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。此外，绝缘层214也可以具有有机绝缘层及无机绝缘层的叠层结构。绝缘层214的最表面层优选被用作蚀刻保护层。由此，在加工导电层224R、导电层151R或导电层152R等时，可以抑制在绝缘层214中形成凹部。或者，也可以在加工导电层224R、导电层151R或导电层152R等时在绝缘层214中设置凹部。

晶体管201及晶体管205包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；用作源极及漏极的导电层222a及导电层222b；半导体层231；用作栅极绝缘层的绝缘层213；以及用作栅极的导电层223。在此，通过对同一导电膜进行加工而得到的多个层由相同的阴影线表示。绝缘层211位于导电层221与半导体层231之间。绝缘层213位于导电层223与半导体层231之间。

对本实施方式的发光装置所包括的晶体管结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管等。此外，晶体管都可以具有顶栅结构或底栅结构。或者，也可以在形成沟道的半导体层上下设置有栅极。

作为晶体管201及晶体管205，采用由两个栅极夹持形成沟道的半导体层的结构。此外，也可以连接两个栅极，并通过对该两个栅极供应同一信号，来驱动晶体管。或者，通过对两个栅极中的一个施加用来控制阈值电压的电位，对另一个施加用来进行驱动的电位，可以控制晶体管的阈值电压。

对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体、具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。

晶体管的半导体层优选使用金属氧化物。就是说，本实施方式的发光装置优选使用在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管(以下，OS晶体管)。

作为具有结晶性的氧化物半导体，可以举出CAAC(c-axis-alignedcrystalline)-OS或nc(nanocrystalline)-OS等。

或者，也可以使用将硅用于沟道形成区域的晶体管(Si晶体管)。作为硅可以举出单晶硅、多晶硅或非晶硅等。尤其是，可以使用半导体层中含有低温多晶硅(LTPS(LowTemperature Poly Silicon))的晶体管(以下，也称为LTPS晶体管)。LTPS晶体管具有高场效应迁移率以及良好的频率特性。

通过使用LTPS晶体管等Si晶体管，可以在同一衬底上形成需要以高频率驱动的电路(例如，源极驱动器电路)和显示部。因此，可以使安装到发光装置的外部电路简化，可以缩减构件成本及安装成本。

OS晶体管的场效应迁移率比使用非晶硅的晶体管高得多。另外，OS晶体管的关闭状态下的源极和漏极间的泄漏电流(以下，也称为关态电流)极低，可以长期间保持与该晶体管串联连接的电容器中储存的电荷。另外，通过使用OS晶体管，可以降低发光装置的功耗。

另外，在提高像素电路所包括的发光器件的发光亮度时，需要增大流过发光器件的电流量。为此，需要提高像素电路所包括的驱动晶体管的源极-漏极间电压。因为OS晶体管的源极-漏极间的耐压比Si晶体管高，所以可以对OS晶体管的源极-漏极间施加高电压。由此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以增大流过发光器件的电流量而提高发光器件的发光亮度。

另外，当晶体管在饱和区域中工作时，与Si晶体管相比，OS晶体管可以使随着栅极-源极间电压的变化的源极-漏极间电流的变化细小。因此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以根据栅极-源极间电压的变化详细决定流过源极-漏极间的电流，所以可以控制流过发光器件的电流量。由此，可以增大由像素电路表示的灰度。

另外，关于晶体管在饱和区域中工作时流过的电流的饱和特性，与Si晶体管相比，OS晶体管即使逐渐地提高源极-漏极间电压也可以使稳定的电流(饱和电流)流过。因此，通过将OS晶体管用作驱动晶体管，即使例如发光器件的电流-电压特性发生不均匀，也可以使稳定的电流流过发光器件。也就是说，OS晶体管当在饱和区域中工作时即使提高源极-漏极间电压，源极-漏极间电流也几乎不变，因此可以使发光器件的发光亮度稳定。

如上所述，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以实现“黑色不纯的抑制”、“发光亮度的上升”、“多灰度化”及“发光器件不均匀的抑制”等。

例如，半导体层优选包含铟、M(M为选自镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨或镁中的一种或多种)和锌。尤其是，M优选为选自铝、镓、钇或锡中的一种或多种。

尤其是，作为半导体层，优选使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(也记为IGZO)。或者，优选使用包含铟、锡及锌的氧化物。或者，优选使用包含铟、镓、锡及锌的氧化物。或者，优选使用包含铟(In)、铝(Al)及锌(Zn)的氧化物(也称为IAZO)。或者，优选使用包含铟(In)、铝(Al)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(也称为IAGZO)。

在半导体层使用In-M-Zn氧化物时，该In-M-Zn氧化物中的In的原子个数比优选为M的原子个数比以上。作为这种In-M-Zn氧化物的金属元素的原子个数比，可以举出In：M：Zn＝1：1：1或其附近的组成、In：M：Zn＝1：1：1.2或其附近的组成、In：M：Zn＝2：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝3：1：2或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：3或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：4.1或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：7或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：8或其附近的组成、In：M：Zn＝6：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：2：5或其附近的组成等。此外，附近的组成包括所希望的原子个数比的±30％的范围。

例如，当记载为原子个数比为In：Ga：Zn＝4：2：3或其附近的组成时包括如下情况：In的原子个数比为4时，Ga的原子个数比为1以上且3以下，Zn的原子个数比为2以上且4以下。此外，当记载为原子个数比为In：Ga：Zn＝5：1：6或其附近的组成时包括如下情况：In的原子个数比为5时，Ga的原子个数比大于0.1且为2以下，Zn的原子个数比为5以上且7以下。此外，当记载为原子个数比为In：Ga：Zn＝1：1：1或其附近的组成时包括如下情况：In的原子个数比为1时，Ga的原子个数比大于0.1且为2以下，Zn的原子个数比大于0.1且为2以下。

电路356所包括的晶体管和像素部177所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路356所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。与此同样，像素部177所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。

像素部177所包括的所有晶体管都可以为OS晶体管，像素部177所包括的所有晶体管都可以为Si晶体管，像素部177所包括的部分晶体管也可以为OS晶体管且剩下的晶体管也可以为Si晶体管。

例如，通过在像素部177中使用LTPS晶体管和OS晶体管的双方，可以实现具有低功耗及高驱动能力的发光装置。此外，有时将组合LTPS晶体管和OS晶体管的结构称为LTPO。此外，例如优选的是，将OS晶体管用于被用作控制布线的导通/非导通的开关的晶体管且将LTPS晶体管用于控制电流的晶体管。

例如，像素部177所包括的晶体管之一被用作用来控制流过发光器件的电流的晶体管，可以称为驱动晶体管。驱动晶体管的源极和漏极中的一个与发光器件的像素电极电连接。该驱动晶体管优选使用LTPS晶体管。由此，可以增大在像素电路中流过发光器件的电流。

另一方面，像素部177所包括的晶体管的其他之一被用作用来控制像素的选择和非选择的开关，也可以被称为选择晶体管。选择晶体管的栅极与栅极线电连接，源极和漏极中的一个与源极线(信号线)电连接。选择晶体管优选使用OS晶体管。由此，由于即使使帧频率极小(例如1fps以下)也可以维持像素的灰度，所以通过在显示静态图像时停止驱动器，可以降低功耗。

如此，本发明的一个方式的发光装置可以兼具高开口率、高清晰度、高显示质量及低功耗。

注意，本发明的一个方式的发光装置采用包括OS晶体管以及具有MML(Metal MaskLess)结构的发光器件的结构。通过采用该结构，可以使可流过晶体管的泄漏电流以及可在相邻的发光器件间流过的泄漏电流(有时被称为横方向泄漏电流、横泄漏电流或横向泄漏电流)极低。另外，通过采用上述结构，在图像显示在发光装置上时观看者可以观测到图像的鲜锐度、图像的锐度、高色饱和度和高对比度中的任一个或多个。另外，通过采用可流过晶体管的泄漏电流及发光器件间的横泄漏电流极低的结构，可以进行在显示黑色时可发生的光泄露(所谓的黑色不纯)等极少的显示。

尤其是，在从MML结构的发光器件中采用上述SBS结构时，设置在发光器件间的层(例如也称为在发光器件共同使用的有机层、或者公共层)被断开，由此可以进行没有侧泄漏或侧泄漏极少的显示。

图18B及图18C示出晶体管的其他结构例子。

晶体管209及晶体管210包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；包含沟道形成区域231i及一对低电阻区域231n的半导体层231；与一对低电阻区域231n中的一个连接的导电层222a；与一对低电阻区域231n中的另一个连接的导电层222b；用作栅极绝缘层的绝缘层225；用作栅极的导电层223；以及覆盖导电层223的绝缘层215。绝缘层211位于导电层221与沟道形成区域231i之间。绝缘层225至少位于导电层223与沟道形成区域231i之间。再者，还可以设置有覆盖晶体管的绝缘层218。

在图18B所示的例子中，在晶体管209中绝缘层225覆盖半导体层231的顶面及侧面。导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层225及绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。导电层222a和导电层222b中的一个被用作源极，另一个被用作漏极。

另一方面，在图18C所示的晶体管210中，绝缘层225与半导体层231的沟道形成区域231i重叠而不与低电阻区域231n重叠。例如，通过以导电层223为掩模加工绝缘层225，可以形成图18C所示的结构。在图18C中，绝缘层215覆盖绝缘层225及导电层223，并且导电层222a及导电层222b分别通过绝缘层215的开口与低电阻区域231n连接。

衬底351的与衬底352不重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线355通过导电层166及连接层242与FPC353电连接。导电层166示出具有如下结构的例子：加工与导电层224R、导电层224G、导电层224B相同的导电膜而得的导电膜、加工与导电层151R、导电层151G、导电层151B相同的导电膜而得的导电膜以及加工与导电层152R、导电层152G、导电层152B相同的导电膜而得的导电膜的叠层。在连接部204的顶面上露出导电层166。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC353电连接。

优选在衬底352的衬底351一侧的面设置遮光层157。遮光层157可以设置在相邻的发光器件间、连接部140及电路356等中。此外，可以在衬底352的外侧配置各种光学构件。

衬底351及衬底352可以采用可用于衬底120的材料。

作为粘合层142，可以使用可用于树脂层122的材料。

作为连接层242，可以使用各向异性导电膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)或各向异性导电膏(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等。

[发光装置100H]

图19所示的发光装置100H与图18A所示的发光装置100G的主要不同之处在于：前者是采用底部发射结构的发光装置。

发光器件所发射的光射出到衬底351一侧。衬底351优选使用对可见光具有高透过性的材料。另一方面，对用于衬底352的材料的透光性没有限制。

优选在衬底351与晶体管201之间及衬底351与晶体管205之间形成遮光层157。图19示出衬底351上设置有遮光层157，遮光层157上设置有绝缘层153，绝缘层153上设置有晶体管201、205等的例子。

发光器件130R包括导电层123R、导电层123R上的导电层126R以及导电层126R上的导电层129R。

发光器件130B包括导电层123B、导电层123B上的导电层126B以及导电层126B上的导电层129B。

作为导电层123R、123B、126R、126B、129R、129B各自使用对可见光具有高透过性的材料。作为公共电极155优选使用反射可见光的材料。设置在连接部140中的导电层123优选使用通过与导电层123R、126R、129R相同的材料及相同工序形成的导电层。

注意，虽然图19中未图示发光器件130G，但发光装置100H还设置有发光器件130G。

另外，虽然图19等示出层128的顶面具有平坦部的例子，但对层128的形状没有特别的限制。

[发光装置100C]

图20A所示的发光装置100C是图18A所示的发光装置100B的变形例子，该发光装置100C与发光装置100B的不同之处在于：前者包括着色层132R、着色层132G及着色层132B。

在发光装置100C中，发光器件130具有重叠于着色层132R、着色层132G和着色层132B中的一个的区域。着色层132R、着色层132G及着色层132B可以设置在衬底352的衬底351一侧的面上。着色层132R的端部、着色层132G的端部及着色层132B的端部可以重叠于遮光层157。

在发光装置100C中，发光器件130例如可以发射白色光。另外，例如，着色层132R、着色层132G及着色层132B分别可以透过红色光、绿色光及蓝色光。另外，发光装置100C也可以采用在保护层131与粘合层142之间设置着色层132R、着色层132G及着色层132B的结构。

虽然图18A及图20A等示出层128的顶面具有平坦部的例子，但对层128的形状没有特别的限制。图20B至图20D示出层128的变形例子。

如图20B及图20D所示，层128的顶面在截面中可以具有中央及其附近低凹的形状，即具有凹曲面的形状。

另外，如图20C所示，层128的顶面在截面中可以具有中央及其附近膨胀的形状，即具有凸曲面的形状。

另外，层128的顶面也可以具有凸曲面和凹曲面中的一方或双方。另外，对层128的顶面的凸曲面及凹曲面个数都没有限制，可以为一个或多个。

另外，层128的顶面高度与导电层224R的顶面高度可以一致或大致一致，也可以不同。例如，层128的顶面高度可以低于或高于导电层224R的顶面高度。

图20B也可以说是层128收在形成在导电层224R中的凹部内部的例子。另一方面，如图20D所示，层128也可以以存在于形成在导电层224R中的凹部外侧的方式形成，也就是说，以其顶面宽度大于该凹部的方式形成。

实施方式6

在本实施方式中，对本发明的一个方式的电子设备进行说明。

本实施方式的电子设备在显示部中包括本发明的一个方式的发光装置。本发明的一个方式的发光装置具有高可靠性，并容易实现高清晰化及高分辨率化。因此，可以用于各种电子设备的显示部。

作为电子设备，例如除了电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等具有较大的屏幕的电子设备以外，还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置等。

特别是，因为本发明的一个方式的发光装置可以提高清晰度，所以可以适当地用于包括较小的显示部的电子设备。作为这种电子设备可以举出手表型及手镯型信息终端设备(可穿戴设备)、可戴在头上的可穿戴设备等诸如头戴显示器等VR用设备、眼镜型AR用设备及MR(Mixed Reality)用设备等。

本发明的一个方式的发光装置优选具有极高的分辨率诸如HD(像素数为1280×720)、FHD(像素数为1920×1080)、WQHD(像素数为2560×1440)、WQXGA(像素数为2560×1600)、4K(像素数为3840×2160)、8K(像素数为7680×4320)等。尤其是，优选设定为4K、8K或其以上的分辨率。另外，本发明的一个方式的发光装置的像素密度(清晰度)优选为100ppi以上，优选为300ppi以上，更优选为500ppi以上，进一步优选为1000ppi以上，更进一步优选为2000ppi以上，更进一步优选为3000ppi以上，还进一步优选为5000ppi以上，进一步优选为7000ppi以上。通过使用上述的具有高分辨率和高清晰度中的一方或双方的发光装置，在便携式或家用等的个人用途的电子设备中可以进一步提高真实感及纵深感等。此外，对本发明的一个方式的发光装置的屏幕比例(纵横比)没有特别的限制。例如，发光装置可以适应1：1(正方形)、4：3、16：9及16：10等各种屏幕比例。

本实施方式的电子设备也可以包括传感器(该传感器具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)。

本实施方式的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；执行各种软件(程序)的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据的功能；等。

使用图21A至图21D说明可戴在头上的可穿戴设备的一个例子。这些可穿戴设备具有显示AR内容的功能、显示VR内容的功能、显示SR(Substitutional Reality)内容的功能和显示MR内容的功能中的至少一个。当电子设备具有显示AR、VR、SR和MR等中的至少一个内容的功能时，可以提高使用者的沉浸感。

图21A所示的电子设备700A以及图21B所示的电子设备700B都包括一对显示面板751、一对框体721、通信部(未图示)、一对安装部723、控制部(未图示)、成像部(未图示)、一对光学构件753、边框757以及一对鼻垫758。

显示面板751可以应用本发明的一个方式的发光装置。由此，可以实现可靠性高的电子设备。

电子设备700A及电子设备700B都可以将由显示面板751显示的图像投影于光学构件753中的显示区域756。因为光学构件753具有透光性，所以使用者可以与通过光学构件753看到的透过图像重叠地看到显示于显示区域的图像。因此，电子设备700A及电子设备700B都是能够进行AR显示的电子设备。

电子设备700A及电子设备700B上作为成像部也可以设置有能够拍摄前方的照相机。另外，通过在电子设备700A及电子设备700B设置陀螺仪传感器等的加速度传感器，可以检测使用者的头部朝向并将对应该方向的图像显示在显示区域756上。

通信部具有无线通信装置，通过该无线通信装置例如可以供应影像信号。另外，代替无线通信装置或者除了无线通信装置以外还可以包括能够连接供应影像信号及电源电位的电缆的连接器。

另外，电子设备700A以及电子设备700B设置有电池，可以以无线方式和有线方式中的一方或双方进行充电。

框体721也可以设置有触摸传感器模块。触摸传感器模块具有检测框体721的外侧的面是否被触摸的功能。通过触摸传感器模块，可以检测使用者的点按操作或滑动操作等而执行各种处理。例如，通过点按操作可以执行动态图像的暂时停止或再生等的处理，通过滑动操作可以执行快进、快退等的处理等。另外，通过在两个框体721的每一个设置触摸传感器模块，可以扩大操作范围。

作为触摸传感器模块，可以使用各种触摸传感器。例如，可以采用静电电容方式、电阻膜方式、红外线方式、电磁感应方式、表面声波式、光学方式等各种方式。尤其是，优选将静电电容方式或光学方式的传感器应用于触摸传感器模块。

在使用光学方式的触摸传感器时，作为受光元件可以使用光电转换器件(也称为光电转换元件)。在光电转换器件的活性层中可以使用无机半导体和有机半导体中的一方或双方。

图21C所示的电子设备800A以及图21D所示的电子设备800B都包括一对显示部820、框体821、通信部822、一对安装部823、控制部824、一对成像部825以及一对透镜832。

显示部820可以应用本发明的一个方式的发光装置。由此，可以实现可靠性高的电子设备。

显示部820设置在框体821内部的通过透镜832能看到的位置上。另外，通过在一对显示部820的每一个上显示不同图像，可以进行利用视差的三维显示。

可以将电子设备800A以及电子设备800B都称为面向VR的电子设备。装上电子设备800A或电子设备800B的使用者通过透镜832能看到显示在显示部820上的图像。

电子设备800A及电子设备800B优选具有一种机构，其中能够调整透镜832及显示部820的左右位置，以根据使用者的眼睛的位置使透镜832及显示部820位于最合适的位置上。此外，优选具有一种机构，其中通过改变透镜832及显示部820之间的距离来调整焦点。

使用者可以使用安装部823将电子设备800A或电子设备800B装在头上。例如在图21C中，安装部823具有如眼镜的镜脚(也称为铰链或脚丝等)那样的形状，但是不局限于此。只要使用者能够装上，安装部823就例如可以具有头盔型或带型的形状。

成像部825具有取得外部的信息的功能。可以将成像部825所取得的数据输出到显示部820。在成像部825中可以使用图像传感器。另外，也可以设置多个摄像头以能够对应望远及广角等多种视角。

注意，在此示出包括成像部825的例子，设置能够测量出与对象物的距离的测距传感器(以下，也称为检测部)即可。换言之，成像部825是检测部的一个方式。作为检测部例如可以使用图像传感器或激光雷达(LIDAR：Light Detection and Ranging)等距离图像传感器。通过使用由摄像头取得的图像以及由距离图像传感器取得的图像，可以取得更多的信息，可以实现精度更高的姿态操作。

电子设备800A也可以包括被用作骨传导耳机的振动机构。例如，作为显示部820、框体821和安装部823中的任一个或多个可以采用包括该振动机构的结构。由此，不需要另行设置头戴式耳机、耳机或扬声器等音响设备，而只装上电子设备800A就可以享受影像和声音。

电子设备800A以及电子设备800B也可以都包括输入端子。例如可以将供应来自影像输出设备等的影像信号以及用于对设置在电子设备内的电池进行充电的电力等的电缆连接到输入端子。

本发明的一个方式的电子设备也可以具有与耳机750进行无线通信的功能。耳机750包括通信部(未图示)，并具有无线通信功能。耳机750通过无线通信功能可以从电子设备接收信息(例如声音数据)。例如，图21A所示的电子设备700A具有通过无线通信功能将信息发送到耳机750的功能。另外，例如图21C所示的电子设备800A具有通过无线通信功能将信息发送到耳机750的功能。

另外，电子设备也可以包括耳机部。图21B所示的电子设备700B包括耳机部727。例如，可以采用以有线方式连接耳机部727和控制部的结构。连接耳机部727和控制部的布线的一部分也可以配置在框体721或安装部723的内部。

同样，图21D所示的电子设备800B包括耳机部827。例如，可以采用以有线方式连接耳机部827和控制部824的结构。连接耳机部827和控制部824的布线的一部分也可以配置在框体821或安装部823的内部。另外，耳机部827和安装部823也可以包括磁铁。由此，可以用磁力将耳机部827固定到安装部823，收纳变得容易，所以是优选的。

电子设备也可以包括能够与耳机或头戴式耳机等连接的声音输出端子。另外，电子设备也可以包括声音输入端子和声音输入机构中的一方或双方。作为声音输入机构，例如可以使用麦克风等收音装置。通过将声音输入机构设置到电子设备，可以使电子设备具有所谓的耳麦的功能。

如此，作为本发明的一个方式的电子设备，眼镜型(电子设备700A以及电子设备700B等)和护目镜型(电子设备800A以及电子设备800B等)的双方都是优选的。

另外，本发明的一个方式的电子设备可以以有线或无线方式将信息发送到耳机。

图22A所示的电子设备6500是可以被用作智能手机的便携式信息终端设备。

电子设备6500包括框体6501、显示部6502、电源按钮6503、按钮6504、扬声器6505、麦克风6506、照相机6507及光源6508等。显示部6502具有触摸面板功能。

显示部6502可以使用本发明的一个方式的发光装置。由此，可以实现可靠性高的电子设备。

图22B是包括框体6501的麦克风6506一侧的端部的截面示意图。

框体6501的显示面一侧设置有具有透光性的保护构件6510，被框体6501及保护构件6510包围的空间内设置有显示面板6511、光学构件6512、触摸传感器面板6513、印刷电路板6517、电池6518等。

显示面板6511、光学构件6512及触摸传感器面板6513使用粘合层(未图示)固定到保护构件6510。

在显示部6502的外侧的区域中，显示面板6511的一部分叠回，且该叠回部分连接有FPC6515。FPC6515安装有IC6516。FPC6515与设置于印刷电路板6517的端子连接。

显示面板6511可以使用本发明的一个方式的发光装置。由此，可以实现极轻量的电子设备。此外，由于显示面板6511极薄，所以可以在抑制电子设备的厚度的情况下安装大容量的电池6518。此外，通过折叠显示面板6511的一部分以在像素部的背面设置与FPC6515的连接部，可以实现窄边框的电子设备。

图22C示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7171中组装有显示部7000。在此示出利用支架7173支撑框体7171的结构。

显示部7000可以使用本发明的一个方式的发光装置。由此，可以实现可靠性高的电子设备。

可以通过利用框体7171所具备的操作开关以及另外提供的遥控操作机7151进行图22C所示的电视装置7100的操作。或者，也可以在显示部7000中具备触摸传感器，也可以通过用指头等触摸显示部7000进行电视装置7100的操作。另外，也可以在遥控操作机7151中具备显示从该遥控操作机7151输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7151所具备的操作键或触摸面板，可以进行频道及音量的操作，并可以对显示在显示部7000上的影像进行操作。

另外，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。

图22D示出笔记本型个人计算机的一个例子。笔记本型个人计算机7200包括框体7211、键盘7212、指向装置7213及外部连接端口7214等。框体7211中组装有显示部7000。

图22E和图22F示出数字标牌的一个例子。

图22E所示的数字标牌7300包括框体7301、显示部7000及扬声器7303等。此外，还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器、麦克风等。

图22F示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7000。

在图22E和图22F中，可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7000。由此，可以实现可靠性高的电子设备。

显示部7000越大，一次能够提供的信息量越多。显示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高广告宣传效果。

通过将触摸面板用于显示部7000，不仅可以在显示部7000上显示静态图像或动态图像，使用者还能够直觉性地进行操作，所以是优选的。另外，在用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时，可以通过直觉性的操作提高易用性。

如图22E和图22F所示，数字标牌7300或数字标牌7400优选可以通过无线通信与使用者所携带的智能手机等信息终端设备7311或信息终端设备7411联动。例如，显示在显示部7000上的广告信息可以显示在信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕上。此外，通过操作信息终端设备7311或信息终端设备7411，可以切换显示部7000的显示。

此外，可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个使用者可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。

图23A至图23G所示的电子设备包括框体9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(该传感器具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。

图23A至图23G所示的电子设备具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据并进行处理的功能；等。注意，电子设备的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。电子设备可以包括多个显示部。另外，也可以在电子设备中设置照相机等而使其具有如下功能：拍摄静态图像或动态图像，且将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于照相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。

下面，详细地说明图23A至图23G所示的电子设备。

图23A是示出便携式信息终端9171的立体图。可以将便携式信息终端9171例如用作智能手机。注意，在便携式信息终端9171中，也可以设置扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等。另外，作为便携式信息终端9171，可以将文字或图像信息显示在其多个面上。在图23A中示出显示三个图标9050的例子。另外，可以将以虚线的矩形示出的信息9051显示在显示部9001的其他面上。作为信息9051的一个例子，有提示收到电子邮件、SNS、电话等的信息；电子邮件或SNS等的标题；电子邮件或SNS等的发送者姓名；日期；时间；电池余量；电波强度等。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示图标9050等。

图23B是示出便携式信息终端9172的立体图。便携式信息终端9172具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，在将便携式信息终端9172放在上衣口袋里的状态下，使用者能够确认显示在从便携式信息终端9172的上方看到的位置上的信息9053。例如，使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9172，由此能够判断是否接电话。

图23C是示出平板终端9173的立体图。平板终端9173例如可以执行移动电话、电子邮件及文章的阅读和编辑、播放音乐、网络通信、计算机游戏等各种应用软件。平板终端9173在框体9000的正面包括显示部9001、照相机9002、麦克风9008及扬声器9003，在框体9000的左侧面包括用作操作用按钮的操作键9005，并且在底面包括连接端子9006。

图23D是示出手表型便携式信息终端9200的立体图。可以将便携式信息终端9200例如用作智能手表(注册商标)。另外，显示部9001的显示面弯曲，可沿着其弯曲的显示面进行显示。此外，便携式信息终端9200例如通过与可进行无线通信的耳麦相互通信可以进行免提通话。此外，通过利用连接端子9006，便携式信息终端9200可以与其他信息终端进行数据传输或进行充电。充电也可以通过无线供电进行。

图23E至图23G是示出可以折叠的便携式信息终端9201的立体图。另外，图23E是将便携式信息终端9201展开的状态的立体图，图23G是折叠的状态的立体图，图23F是从图23E的状态和图23G的状态中的一个转换成另一个时中途的状态的立体图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，而在展开状态下因为具有无缝拼接较大的显示区域所以显示的浏览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001被由铰链9055连结的三个框体9000支撑。显示部9001例如可以在曲率半径0.1mm以上且150mm以下的范围弯曲。

实施例1

<<合成例子1>>

在本实施例中，示出在实施方式1中由结构式(100)表示的9’-(苯基-d5)-9’H-9，3’：6’，9”-三咔唑-1，1’，1”，2，2’，2”，3，3”，4，4’，4”，5，5’，5”，6，6”，7，7’，7”，8，8’，8”-d22(简称：PhCzGI-d27)的合成方法。以下示出PhCzGI-d27的结构。

[化学式21]

<步骤1；3，6-二溴-9-(苯基-d5)-9H-咔唑-1，2，4，5，7，8-d6的合成>

对300mL三口烧瓶放入11g(26mmol)的3，6-二溴-9-苯基-9H-咔唑以及50g的甲苯-d8，在氮气流下进行搅拌。对该混合溶液加入1.4g(5.0mmol)的氯化钼(V)(简称：MoCl₅)，以80℃进行5小时的搅拌。在经过规定时间之后，利用甲苯萃取反应混合物。然后，通过硅胶柱色谱法对所得到的残渣进行纯化。作为展开溶剂，使用己烷：甲苯＝5：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分得到固体。对所得到的固体加入乙醇且进行抽滤，以60％的收率得到目的物的白色固体6.5g。下述式(a-1)示出步骤1的合成方案。

[化学式22]

<步骤2：9’-(苯基-d5)-9’H-9，3’：6’，9”-三咔唑-1，1’，1”，2，2’，2”，3，3”，4，4’，4”，5，5’，5”，6，6”，7，7’，7”，8，8’，8”-d22(简称：PhCzGI-d27)的合成>

对200mL三口烧瓶放入4.1g(9.9mmol)的在步骤1中合成的3，6-二溴-9-(苯基-d5)-9H-咔唑-1，2，4，5，7，8-d6、4.1g(23mmol)的咔唑-1，2，3，4，5，6，7，8-d8、5.7g(59mmol)的叔丁醇钠(简称：NaOtBu)、0.24g(0.59mmol)的2-二环己基膦基-2’，6’-二甲氧基联苯(简称：Sphos)以及80mL的二甲苯，用氮气置换烧瓶内的空气，在对烧瓶的内部进行减压的同时进行搅拌，以使该混合物脱气。脱气后，加入0.27g(0.30mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)，在氮气流下以140℃进行14小时的搅拌。在经过规定时间之后，通过依次层叠有硅藻土/矾土的助滤剂进行所得到的反应混合物的抽滤。浓缩所得到的滤液而得到固体。通过硅胶柱色谱法使所得到的固体纯化。作为展开溶剂使用己烷：甲苯＝5：1的混合溶剂，然后使用己烷：甲苯＝1：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分来得到目的物的固体。使用乙酸乙酯使所得到的固体重结晶，以55％的收率得到固体3.3g。利用梯度升华法对所得到的固体3.3g进行升华纯化。在压力3.7Pa、氩流量15mL/min的条件下以285℃进行24小时的加热。升华纯化后，以67％的回收率得到目的物的白色固体2.2g。下述式(a-2)示出步骤2的合成方案。

[化学式23]

<物性的测量>

接着，测量PhCzGI-d27的固体薄膜的紫外-可见吸收光谱(以下简称为“吸收光谱”)及发射光谱。通过真空蒸镀法在石英衬底上制造固体薄膜。

利用紫外可见分光光度计(由日立株式会社制造，U-4100)测量吸收光谱。另外，薄膜的吸收光谱根据包括衬底的透过率及反射率得到的吸光度(-log₁₀[％T/(100-％R)])算出。注意，％T表示透过率，％R表示反射率。此外，利用荧光分光光度计(由日本分光株式会社制造的FP-8600)测量发射光谱。

图24示出所得到的固体薄膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。

如图24所示，在PhCzGI-d27的固体薄膜中，在290nm附近、330nm附近及358nm附近确认到吸收峰，在390nm附近及411nm附近(激发波长：330nm)确认到发光波长的峰。

实施例2

制造本发明的一个方式的发光器件2A至发光器件2D，对其特性进行评价。

以下示出在发光器件2A至发光器件2D中共用的有机化合物的结构式。

[化学式24]

另外，以下示出独立地用于各发光器件的有机化合物的结构式。用于发光器件2B的9-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-3，9’-(联-9H-咔唑-d15)(简称：PSiCzCz-d15)为使用于发光器件2A的9-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-3，9’-联-9H-咔唑(简称：PSiCzCz)中的咔唑骨架氘化而成的有机化合物。另外，用于发光器件2D的9’-(苯基-d5)-9’H-9，3’：6’，9”-三咔唑-1，1’，1”，2，2’，2”，3，3”，4，4’，4”，5，5’，5”，6，6”，7，7’，7”，8，8’，8”-d22(简称：PhCzGI-d27)为使用于发光器件2C的9’-苯基-9’H-9，3’：6’，9”-三咔唑(简称：PhCzGI)中的咔唑骨架氘化而成的有机化合物。

[化学式25]

注意，如图25所示，各器件采用在形成于玻璃衬底900上的第一电极901上依次层叠有空穴注入层911、空穴传输层912、发光层913、电子传输层914及电子注入层915且在电子注入层915上层叠有第二电极902的结构。

<发光器件2A至发光器件2D的制造方法>

在玻璃衬底900上作为透明电极通过溅射法以70nm的厚度沉积包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)，由此形成第一电极901。电极面积为4mm²(2mm×2mm)。

接着，作为用来在衬底上形成发光器件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃焙烧1小时。然后，将衬底放入内部被减压到1×10^-4Pa左右的真空蒸镀装置中，在真空蒸镀装置内的加热室中以180℃进行真空焙烧60分钟。然后，自冷却至30℃以下。

接着，以使形成有第一电极901的面位于下方的方式将形成有第一电极901的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，在第一电极上以BBABnf：OCHD-003＝1：0.1(重量比)且厚度为10nm的方式共蒸镀N，N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf)及以672的分子量包含氟的电子受体材料(OCHD-003)，由此形成空穴注入层911。

接着，在空穴注入层911上以厚度为30nm的方式蒸镀BBABnf，然后以厚度为5nm的方式蒸镀PSiCzCz，由此形成空穴传输层912。

接着，根据以下表所示的条件，在空穴传输层912上通过利用电阻加热的蒸镀法以SiTrzCz2：X：PtON-TBBI＝0.435：0.435：0.13(重量比)且厚度为35nm的方式共蒸镀9，9’-{6-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-1，3，5-三嗪-2，4-二基}双(9H-咔唑)(简称：SiTrzCz2)、材料X、(2-{3-[3-(3，5-二叔丁基苯基)苯并咪唑-1-基-2-亚基-κC2]苯氧-κC2}-9-(4-叔丁基-2-吡啶基-κN)咔唑-2，1-二基-κC)铂(II)(简称：PtON-TBBI)，由此形成发光层913。注意，X表示PSiCzCz、PSiCzCz-d15、PhCzGI或者PhCzGI-d27。

具体而言，在发光器件2A中共蒸镀SiTrzCz2、PSiCzCz及PtON-TBBI。在发光器件2B中共蒸镀SiTrzCz2、PSiCzCz-d15及PtON-TBBI。在发光器件2C中共蒸镀SiTrzCz2、PhCzGI及PtON-TBBI。在发光器件2D中共蒸镀SiTrzCz2、PhCzGI-d27及PtON-TBBI。

接着，在发光层913上以厚度为5nm的方式蒸镀2-苯基-4，6-双[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-1，3，5-三嗪(简称：mSiTrz)，然后以1：1(重量比)且厚度为20nm的方式共蒸镀mSiTrz及8-羟基喹啉-锂(简称：Liq)，由此形成电子传输层914。

接着，在电子传输层914上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂(LiF)，由此形成电子注入层915。

然后，在电子注入层915上以厚度为200nm的方式蒸镀铝(Al)，由此形成第二电极。

以下表示出发光器件2A至发光器件2D的元件结构。注意，表中的X表示PSiCzCz、PSiCzCz-d15、PhCzGI或PhCzGI-d27。

[表1]

<发光器件特性>

在氮气氛的手套箱中，以不使上述发光器件2A至发光器件2D暴露于大气的方式使用玻璃衬底进行密封处理(将密封材料涂敷在元件周围，在密封时进行UV处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后测量器件特性。

图26示出发光器件2A至发光器件2D的亮度-电流密度特性，图27示出亮度-电压特性，图28示出电流效率-亮度特性，图29示出电流密度-电压特性，图30示出功率效率-亮度特性，图31示出外部量子效率-亮度特性，图32示出电致发光光谱。

此外，下表示出各发光器件在1000cd/m²的亮度下的主要特性。注意，使用分光辐射计(拓普康公司制造的SR-UL1R)测量亮度、CIE色度、发射光谱。另外，外部量子效率使用利用分光辐射计测量的亮度及发射光谱并在假设配光特性为朗伯特型的条件下算出。

[表2]

由图26至图32可知，发光器件2A至发光器件2D具有同等的器件特性。

<可靠性测试结果>

并且，对发光器件2A至发光器件2D进行可靠性测试。图33示出以恒电流密度(10[mA/cm²])驱动时的归一化亮度的时间变化。在图33中，纵轴表示以开始发光时的亮度为100％进行归一化而得的亮度(％)，横轴表示时间(h)。图34示出在发光器件2A至发光器件2D中测量亮度降低到初始亮度的80％的经过时间LT80(h)的值。

如图32及图34所示，关于各发光器件的LT80(h)的值，发光器件2A为71小时左右，发光器件2B为发光器件2A的1.11倍左右的79小时左右，可靠性得到提高。另外，发光器件2C为63小时左右，发光器件2D为发光器件2C的1.29倍左右的81小时左右，可靠性得到大幅提高。

<PL光谱的测量结果>

在此，对用于发光器件2A至发光器件2D的PSiCzCz、PSiCzCz-d15、PhCzGI或PhCzGI-d27和各器件间共用的SiTrzCz2的混合膜的PL光谱(室温)及PL光谱(10K)进行测量。

在此，在室温(例如，290K至300K左右(17℃至27℃)，优选为298K(25℃)附近)下的光致发光(PL)光谱中，观测到被光激发的分子从单重激发态回到基态时释放出的光，这相当于荧光光谱。另外，在低温(4K至80K的温度范围内的任一温度)下的PL光谱中，观测到被光激发的分子从三重激发态回到基态时释放出的光，这相当于磷光光谱。

注意，使用形成在石英衬底上的薄膜(蒸镀膜、50nm)进行这些光谱的测量。作为PSiCzCz、PSiCzCz-d15、PhCzGI或PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜，以各有机化合物：SiTrzCz2＝1：1(重量比)的方式进行共蒸镀。

在荧光光谱的测量中利用荧光分光光度计FP-8600DS(日本分光株式会社制造)，并且在磷光光谱的测量中利用显微PL装置LabRAM HR-PL(日本株式会社堀场制作所制造)。在磷光光谱的测量中，首先照射激发光(325nm)0.1秒钟，然后0.02秒钟不进行检测和激发。接着，进行0.86秒钟的10K下的膜的发光检测，然后0.02秒钟不进行检测和激发。反复进行这两个工序，对磷光光谱进行测量。

图35A示出用于发光器件2A的有机化合物的PSiCzCz和SiTrzCz2的混合膜的(室温)及(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。作为参考值，还示出单膜的PSiCzCz及单膜的SiTrzCz2的(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。另外，图35B示出用于发光器件2A的有机化合物的PSiCzCz和SiTrzCz2的混合膜、单膜的PSiCzCz及单膜的SiTrzCz2的(室温)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。在图35A至图39中，作为图例依次记载有测量温度(室温或10K)、膜的状态(单膜或混合膜)、有机化合物。

图36A示出用于发光器件2B的有机化合物的PSiCzCz-d15和SiTrzCz2的混合膜的(室温)及(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。作为参考值，还示出单膜的PSiCzCz-d15及单膜的SiTrzCz2的(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。另外，图36B示出用于发光器件2B的有机化合物的PSiCzCz-d15和SiTrzCz2的混合膜、单膜的PSiCzCz-d15及单膜的SiTrzCz2的(室温)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。

图37A示出用于发光器件2C的有机化合物的PhCzGI和SiTrzCz2的混合膜的(室温)及(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。作为参考值，还示出单膜的PhCzGI及单膜的SiTrzCz2的(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。另外，图37B示出用于发光器件2C的有机化合物的PhCzGI和SiTrzCz2的混合膜、单膜的PhCzGI及单膜的SiTrzCz2的(室温)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。

图38A示出用于发光器件2D的有机化合物的PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜的(室温)及(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。作为参考值，还示出单膜的PhCzGI-d27及单膜的SiTrzCz2的(10K)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。另外，图38B示出用于发光器件2D的有机化合物的PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜、单膜的PhCzGI-d27及单膜的SiTrzCz2的(室温)下的光致发光(PL)光谱的测量结果。

由图35B可知，与单膜的PSiCzCz的发射光谱及单膜的SiTrzCz2的发射光谱相比，PSiCzCz和SiTrzCz2的混合膜的发射光谱呈现出与叠加单膜的PSiCzCz的发射光谱和单膜的SiTrzCz2的发射光谱而成的光谱不同的向长波长漂移的发射光谱。由此可知，PSiCzCz和SiTrzCz2的混合膜在室温下被激发时形成激基复合物，并且观测到来源于该激基复合物的发射光谱的荧光成分。

另外，由图36B可知，PSiCzCz-d15和SiTrzCz2的混合膜也在室温下被激发时形成激基复合物，并且观测到来源于该激基复合物的发射光谱的荧光成分。在图36A的两个混合膜中，10K下观察到的光谱与室温下观察到的光谱相比向长波长侧漂移，因此可推测观测到来源于激基复合物的发射光谱的磷光成分。

另外，在图35A中，PSiCzCz的发射光谱(磷光光谱)的短波长侧的发光端(418nm，2.967eV)与PSiCzCz和SiTrzCz2的混合膜的10K下的发射光谱(磷光光谱)的短波长侧的发光端(422nm，2.938eV)相比位于短波长侧。

可以将磷光光谱的短波长侧的能量看作有机化合物的最低三重激发能级(T₁能级)的能量。另外，PSiCzCz和SiTrzCz2的混合膜的磷光光谱呈振动结构不太清晰的光谱形状，并且长波长侧的尾与激基复合物的室温下的荧光光谱的尾非常相似，因此可认为几乎反映了来自激基复合物的磷光发光。就是说，可以将PSiCzCz和SiTrzCz2的混合膜的磷光光谱的短波长侧的能量看作激基复合物的T₁能级。由此，在发光器件2A中，PSiCzCz的T₁能级(418nm，2.967eV)比激基复合物的T₁能级(422nm，2.938eV)高。因此，可认为：在发光器件2A中，能量从PSiCzCz和SiTrzCz2所形成的激基复合物的T₁能级转移到发光物质的T₁能级而发光。

另外，在图36A中，PSiCzCz-d15的发射光谱(磷光光谱)的短波长侧的发光端(417nm，2.974eV)与PSiCzCz-d15和SiTrzCz2的混合膜的10K下的发射光谱(磷光光谱)的短波长侧的发光端(422nm，2.938eV)相比位于短波长侧。

可以将磷光光谱的短波长侧的能量看作有机化合物的最低三重激发能级(T₁能级)的能量。另外，PSiCzCz-d15和SiTrzCz2的混合膜的磷光光谱呈振动结构不太清晰的光谱形状，并且长波长侧的尾与激基复合物的室温下的荧光光谱的尾非常相似，因此可认为几乎反映了来自激基复合物的磷光发光。就是说，可以将PSiCzCz-d15和SiTrzCz2的混合膜的磷光光谱的短波长侧的能量看作激基复合物的T₁能级。由此，在发光器件2B中，PSiCzCz-d15的T₁能级(417nm，2.974eV)比激基复合物的T₁能级(422nm，2.938eV)高0.036eV。因此，可认为：在发光器件2B中，能量从PSiCzCz-d15和SiTrzCz2所形成的激基复合物的T₁能级转移到发光物质的T₁能级而发光。

由图37B可知，与单膜的PhCzGI的发射光谱及单膜的SiTrzCz2的发射光谱相比，PhCzGI和SiTrzCz2的混合膜的发射光谱呈现出与叠加单膜的PhCzGI的发射光谱和单膜的SiTrzCz2的发射光谱而成的光谱不同的向长波长漂移的发射光谱。由此可知，PhCzGI和SiTrzCz2的混合膜在室温下被激发时形成激基复合物，并且观测到来源于该激基复合物的发射光谱的荧光成分。另一方面，在图37A中，在10K下观察到如下光谱，该光谱通过叠加PhCzGI(单膜)的测量中观察到的磷光光谱和SiTrzCz2(单膜)的测量中观察到的磷光光谱而成。

另外，与PhCzGI和SiTrzCz2的混合膜同样，由图38A及图38B可知，PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜也在室温下被激发时形成激基复合物，并且观测到来源于该激基复合物的发射光谱的荧光成分。另一方面，在10K下观察到多个峰(极大值)，观察到叠加PhCzGI-d27的磷光光谱和SiTrzCz2的磷光光谱而成的光谱。

图39示出用于发光器件2D的有机化合物的PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜(10K)的PL光谱的测量结果。作为参考值，还示出将单膜的PhCzGI-d27和单膜的SiTrzCz2的10K下的光致发光(PL)光谱的测量结果叠加而成的光谱。根据图39可推测：PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜(10K)的PL光谱是叠加单膜的PhCzGI-d27的磷光光谱和单膜的SiTrzCz2的磷光光谱而成的光谱。

如上所述，在图37A中，作为PhCzGI和SiTrzCz2的混合膜的10K下的发射光谱(磷光光谱)观测到一种光谱，该光谱是叠加PhCzGI(单膜)的测量中观察到的磷光光谱和SiTrzCz2(单膜)的测量中观察到的磷光光谱而成的。

换言之，在发光器件2C中，PhCzGI及SiTrzCz2各自的T₁能级比PhCzGI和SiTrzCz2的混合膜中的激基复合物的T₁能级低。因此，在发光器件2C中，基本上因能量从PhCzGI或SiTrzCz2的T₁能级转移到发光物质的T₁能级而发光，而不是因能量从PhCzGI和SiTrzCz2所形成的激基复合物的T₁能级转移到发光物质的T₁能级。尤其是，PhCzGI的T₁能级(429nm，2.890eV)比SiTrzCz2的T₁能级(420nm，2.952eV)略低，因此可认为从PhCzGI的T₁能级的能量转移占优势。就是说，可认为：在电激发中PhCzGI和SiTrzCz2因载流子再结合而形成激基复合物，所形成的激基复合物的T₁能级的能量在失活之前经过PhCzGI的T₁能级转移到发光物质的T₁能级，由此发光。

如上所述，在图38A中，作为PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜的10K下的发射光谱(磷光光谱)观测到一种光谱，该光谱是叠加PhCzGI-d27(单膜)的测量中观察到的磷光光谱和SiTrzCz2(单膜)的测量中观察到的磷光光谱而成的。

换言之，在发光器件2D中，PhCzGI-d27及SiTrzCz2各自的T₁能级比PhCzGI-d27和SiTrzCz2的混合膜中的激基复合物的T₁能级低。因此，在发光器件2D中，基本上因能量从PhCzGI-d27或SiTrzCz2的T₁能级转移到发光物质的T₁能级而发光，而不是因能量从PhCzGI-d27和SiTrzCz2所形成的激基复合物的T₁能级转移到发光物质的T₁能级。尤其是，PhCzGI-d27的T₁能级(428nm，2.897eV)比SiTrzCz2的T₁能级(420nm，2.952eV)略低，因此可认为从PhCzGI-d27的T₁能级的能量转移更容易产生。就是说，可认为：在电激发中PhCzGI-d27和SiTrzCz2因载流子再结合而形成激基复合物，所形成的激基复合物的T₁能级的能量在失活之前经过PhCzGI-d27的T₁能级转移到发光物质的T₁能级，由此发光。

如图38A及图39所示，当用于主体材料的多个有机化合物的T₁能级彼此接近时，观测到该混合膜的磷光光谱为将各有机化合物的磷光光谱叠加而成的形状。这是因为各有机化合物的T₁能级彼此接近，在这样的状态下多个能量转移路径容易产生，所以是优选的。

在图38A所示的PhCzGI-d27和SiTrzCz2中，其T₁能级之差为2.952-2.897＝0.055eV。另外，在图37A所示的PhCzGI和SiTrzCz2中，其T₁能级之差为2.952-2.890＝0.062eV。因此，用于主体材料的多个有机化合物(即，本发明的第一有机化合物和第二有机化合物)的T₁能级之差优选为0.100eV以下，更优选为0.090eV以下，进一步优选为0.080eV以下，更进一步优选为0.070eV以下。

其结果是，由图37A及图37B以及图38A及图38B可知，在发光器件2C及发光器件2D各自中，分别从PhCzGI(发光器件2C)及PhCzGI-d27(发光器件2D)的三重激发态到发光物质的三重激发态的能量转移占优势。在此，因为PhCzGI的分子结构不稳定，所以在发光器件2D中通过使PhCzGI中的咔唑骨架氘化来抑制碳-氢键的解离或振动所导致的无辐射失活，由此实现分子结构的稳定化。就是说，PhCzGI被氘化而成的PhCzGI-d27由于包含氘，因此是一种具有稳定的激发态及稳定的分子结构的有机化合物。

因此，可认为使用PhCzGI-d27的发光器件2D可以实现比使用PhCzGI的发光器件2C高1.29倍左右的可靠性。另外，可认为：在发光器件2D中，作为发光路径存在能量从激基复合物的T₁能级直接转移到发光物质的T₁能级的第一路径，还存在能量从激基复合物的T₁能级经过PhCzGI-d27的T₁能级转移到发光物质的T₁能级的第二路径，因此其可靠性比利用使PSiCzCz氘化而成的PSiCzCz-d15的发光器件2B高。

由此可知，通过使用本发明的一个方式可以提供一种呈现高可靠性的发光器件。

实施例3

<<合成例子2>>

在本实施例中，示出在实施方式1中由结构式(101)表示的9’-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9’H-9，3’：6’，9”-三咔唑-1，1’，1”，2，2’，2”，3，3”，4，4’，4”，5，5’，5”，6，6”，7，7’，7”，8，8’，8”-d22(简称：PSiCzGI-d22)的合成方法。以下示出PSiCzGI-d22的结构。

[化学式26]

<步骤1；9-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9H-咔唑-1，2，3，4，5，6，7，8-d8的合成>

对200mL三口烧瓶放入4.1g(24mmol)的咔唑-1，2，3，4，5，6，7，8-d8、12g(28mmol)的(3-溴苯基)三苯基硅烷、6.8g(71mmol)的叔丁醇钠(简称：NaOtBu)、0.58g(1.4mmol)的2-二环己基膦基-2’，6’-二甲氧基联苯(简称：Sphos)以及120mL的二甲苯，用氮气置换烧瓶内的空气，在对烧瓶的内部进行减压的同时进行搅拌，以使该混合物脱气。脱气后，加入0.65g(0.71mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)，在氮气流下以140℃进行7小时的搅拌。在经过规定时间之后，通过依次层叠有硅藻土/矾土的助滤剂进行所得到的反应混合物的抽滤。浓缩所得到的滤液而得到固体。通过硅胶柱色谱法使所得到的固体纯化。作为展开溶剂使用己烷：甲苯＝3：1的混合溶剂，逐渐增加甲苯的比例，最终仅使用甲苯。浓缩所得到的馏分，以31％的收率得到目的物的固体3.5g。下述式(b-1)示出步骤1的合成方案。

[化学式27]

<步骤2；3，6-二溴-9-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9H-咔唑-1，2，4，5，7，8-d6的合成>

对500mL三口烧瓶放入在步骤1中合成的3.5g(6.8mmol)的9-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9H-咔唑-1，2，3，4，5，6，7，8-d8及68mL的乙酸乙酯，用氮气置换烧瓶内的空气，在对烧瓶的内部进行减压的同时进行搅拌，以使该混合物脱气。脱气后，加入2.4g(14mmol)的N-溴代丁二酰亚胺且在室温下进行22小时的搅拌。然后，在80℃的加热条件下进行7小时的搅拌。在经过规定时间之后，利用乙酸乙酯萃取反应混合物。然后，通过硅胶柱色谱法对所得到的残渣进行纯化。作为展开溶剂使用己烷：甲苯＝4：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分来得到固体。利用己烷和乙酸乙酯的混合溶剂使所得到的固体重结晶，由此以77％的收率得到目的物的白色固体3.5g(5.2mmol)。下述式(b-2)示出步骤2的合成方案。

[化学式28]

<步骤3：9’-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9’H-9，3’：6’，9”-三咔唑-1，1’，1”，2，2’，2”，3，3”，4，4’，4”，5，5’，5”，6，6”，7，7’，7”，8，8’，8”-d22(简称：PSiCzGI-d22)的合成>

对200mL三口烧瓶放入3.4g(5.1mmol)的在步骤2中合成的3，6-二溴-9-[3-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9H-咔唑-1，2，4，5，7，8-d6、2.1g(12mmol)的咔唑-1，2，3，4，5，6，7，8-d8、2.9g(31mmol)的叔丁醇钠(简称：NaOtBu)、0.13g(0.31mmol)的2-二环己基膦基-2’，6’-二甲氧基联苯(简称：Sphos)以及40mL的二甲苯，用氮气置换烧瓶内的空气，在对烧瓶的内部进行减压的同时进行搅拌，以使该混合物脱气。脱气后，加入0.14g(0.15mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)，在氮气流下以140℃进行4小时的搅拌。在经过规定时间之后，通过依次层叠有硅藻土/矾土的助滤剂进行所得到的反应混合物的抽滤。浓缩所得到的滤液而得到固体。通过硅胶柱色谱法使所得到的固体纯化。作为展开溶剂使用己烷：甲苯＝2：1的混合溶剂。浓缩所得到的馏分来得到目的物的固体。对所得到的固体加入甲苯且对该溶液添加乙醇，进行减压浓缩来得到乙醇悬浮液。进行析出固体的过滤，以70％的收率得到目的物的白色固体3.0g。利用梯度升华法对所得到的3.0g的所得的固体进行升华纯化。在压力3.0Pa、氩流量10mL/min的条件下以350℃进行18小时的加热。升华纯化后，以73％的回收率得到目的物的白色固体2.2g。下述式(b-3)示出步骤3的合成方案。

[化学式29]

<物性的测量>

接着，测量PSiCzGI-d22的固体薄膜的紫外-可见吸收光谱(以下简称为“吸收光谱”)及发射光谱。通过真空蒸镀法在石英衬底上制造固体薄膜。

图40示出所得到的固体薄膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。

如图40所示，在PSiCzGI-d22的固体薄膜中，在297nm附近、335nm附近、345nm附近及357nm附近确认到吸收峰，在391nm附近及412nm附近(激发波长：330nm)确认到发光波长的峰。

<混合膜的PL光谱的测量结果>

在此，对本合成例子中制造的PSiCzGI-d22和SiTrzCz2的混合膜的PL光谱(室温)及PL光谱(10K)进行测量。注意，使用形成在石英衬底上的薄膜(蒸镀膜、50nm)进行这些光谱的测量。作为PSiCzGI-d22和SiTrzCz2的混合膜，以PSiCzGI-d22：SiTrzCz2＝1：1(重量比)的方式进行共蒸镀。

在吸收光谱的测量中利用紫外可见分光光度计U-4100(日立高新技术株式会社制造)。在荧光光谱的测量中利用荧光分光光度计FP-8600DS(日本分光株式会社制造)，并且在磷光光谱的测量中利用显微PL装置LabRAM HR-PL(日本株式会社堀场制作所制造)。在磷光光谱的测量中，首先照射激发光(325nm)0.1秒钟，然后0.02秒钟不进行检测和激发。接着，进行0.86秒钟的10K下的膜的发光检测，然后0.02秒钟不进行检测和激发。反复进行这两个工序，对磷光光谱进行测量。

图41示出混合膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。图42A示出(室温)及(10K)下的混合膜的发射光谱的测量结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。另外，图42B示出PSiCzGI-d22和SiTrzCz2的混合膜、单膜的PSiCzGI-d22及单膜的SiTrzCz2的室温下的光致发光(PL)光谱的测量结果。在图42A及图42B中，作为图例依次记载有测量温度(室温或10K)、膜的状态(单膜或混合膜)、有机化合物。

由图42A及图42B可知，PSiCzGI-d22和SiTrzCz2的混合膜在室温下被激发时形成激基复合物，并且观测到来源于该激基复合物的发射光谱的荧光成分。另一方面，在10K下观察到多个峰，由此可认为观察到了PSiCzGI-d22的磷光光谱和SiTrzCz2的磷光光谱叠加而成的光谱。

Claims

1.一种发光器件，包括：

一对电极；以及

所述一对电极间的有机化合物层，

其中，所述有机化合物层包括发光层，

所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，

所述第一有机化合物包含氘，

并且，在所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的混合层的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下检测出多个峰。

2.一种发光器件，包括：

一对电极；以及

所述一对电极间的有机化合物层，

其中，所述有机化合物层包括发光层，

所述第一有机化合物包含氘，

并且，在所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的混合层的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下检测出所述第一有机化合物的磷光光谱及所述第二有机化合物的磷光光谱。

3.根据权利要求1所述的发光器件，

其中所述第一有机化合物包含三个以上的咔唑骨架。

4.根据权利要求1所述的发光器件，

其中所述第一有机化合物包含氘化咔唑骨架。

5.根据权利要求1所述的发光器件，

其中在所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的所述混合层的所述PL测量中，在所述4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下观测不到所述激基复合物的光谱。

6.根据权利要求1所述的发光器件，

其中所述第一有机化合物的T₁能级和所述第二有机化合物的T₁能级之差在0.100eV以内。

7.根据权利要求1所述的发光器件，

其中所述发光物质是磷光发光物质。

8.根据权利要求1所述的发光器件，

其中所述发光物质是包含铂的金属配合物。

9.根据权利要求2所述的发光器件，

其中所述第一有机化合物包含三个以上的咔唑骨架。

10.根据权利要求2所述的发光器件，

其中所述第一有机化合物包含氘化咔唑骨架。

11.根据权利要求2所述的发光器件，

12.根据权利要求2所述的发光器件，

13.根据权利要求2所述的发光器件，

其中所述发光物质是磷光发光物质。

14.根据权利要求2所述的发光器件，

其中所述发光物质是包含铂的金属配合物。

15.一种由通式(G1-1)或通式(G1-2)表示的有机化合物，

其中，R¹至R⁵分别独立地表示氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至10的多环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳基、碳原子数为18至36的三芳基甲硅烷基或者碳原子数为3至12的三烷基甲硅烷基。

16.根据权利要求15所述的有机化合物，

其中所述通式(G1-1)由结构式(100)或结构式(101)表示，

。

17.一种在一对电极间包括有机化合物层的发光器件，其中，所述有机化合物层包括发光层，

并且，所述发光层包含权利要求15所述的有机化合物。