JP2024059775A - 仮接着剤の使用方法 - Google Patents

仮接着剤の使用方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2024059775A
JP2024059775A JP2024024452A JP2024024452A JP2024059775A JP 2024059775 A JP2024059775 A JP 2024059775A JP 2024024452 A JP2024024452 A JP 2024024452A JP 2024024452 A JP2024024452 A JP 2024024452A JP 2024059775 A JP2024059775 A JP 2024059775A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
support
temporary
main surface
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2024024452A
Other languages
English (en)
Inventor
保 大和田
昭平 田上
光夫 武藤
正人 田辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of JP2024059775A publication Critical patent/JP2024059775A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/10—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • C08G77/452—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences
    • C08G77/455—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences containing polyamide, polyesteramide or polyimide sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Figure 2024059775000001
【課題】ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ、仮接着及び剥離を繰り返し行うことが可能である仮接着材の構造および使用方法を提供する。
【解決手段】回路１３を含む第１主面１１と、第１主面とは反対側の加工すべき第２主面１２と、を有するウエハ１０を支持体３に仮接着層２を介して仮接着する方法であって、複数の柱状構造２２を有する乾式接着性繊維構造体２１を含む仮接着層を介して、ウエハの第１主面と支持体との仮接着を行う。これにより、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ、仮接着及び剥離を繰り返し行うことが可能である仮接着方法を提供することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体に関する。
３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）などによって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成したウエハを非回路形成面（「裏面」ともいう）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを支持基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。
そこで、半導体ウエハをシリコン、ガラス等の支持体を接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、ウエハを支持体に接合する際の接着層である。これはウエハを支持体に強固に接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層と呼ぶことにする。
これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザー発振器からの強い光によって、レーザー吸収層をアブレーションさせることに拠って薄型ウエハを支持体から簡便に剥離させる技術であり、剥離時には薄化ウエハに殆ど応力を作用させない技術である。また後者の技術は、基板の加熱によって接着材を熱分解させる技術であり、支持体を貼り合わせた後で行うＴＳＶ形成や配線形成にプロセス温度が、接着材が熱分解を起こさない範囲（２００℃程度以下）においては、非常に優れた仮接着技術である。
また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いる技術が提案されている（特許文献３）。これはウエハを支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬してウエハを支持体から分離するものである。
特開２００４－６４０４０号公報 特開２００６－３２８１０４号公報 米国特許第７５４１２６４号公報 米国特許出願公開第２０１５／０３６８５１９号公報 米国特許第９，５６６，７２２号公報
ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＆ ＩＮＴＥＲＦＡＣＥＳ， Ｖｏｌ．１， Ｎｏ．４， ｐｐ．８４９－８５５， ２００９ Ｊ．Ａｄｈｅｓｉｏｎ Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ．， Ｖｏｌ．１７， Ｎｏ．８， ｐｐ．１０５５－１０７３
既存の仮接着技術で使う材料は、基本的に薄化したいウエハと支持体とを貼り合わせる（接着する）機能は勿論、かつ、加工後の薄化ウエハと支持体を分離させる機能においてむしろその特徴を有するものである。参考とする特許文献では、レーザーアブレーションや熱分解、溶媒への溶解作用を利用している。しかしながら、これらの特許文献に記載された技術における仮接着層は、一度貼り合わせに使用し、その後剥離すると再び貼り合わせる機能を発揮するものではない。そのため、仮接着層だった材料は、一般的に剥離後洗浄除去で無くなるものである。従って、新たな貼り合わせには新たな仮接着層を形成する必要が有る。すなわち、従来の仮接着技術における仮接着層は、繰り返し使用することができなかった。
更に、特許文献１におけるレーザーアブレーションを行う様な専用装置は非常に高価である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことが可能である仮接着方法、この仮接着方法でウエハと支持体とを仮接着してウエハの加工を行うデバイスウエハ加工方法、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことが可能である仮接着用積層体、並びにこの仮接着積層体を含むデバイスウエハ加工用積層体を提供することを目的とする。
上記課題を達成するために、本発明では、回路を含む第１主面と前記第１主面とは反対側の加工すべき第２主面とを有するウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着する方法であって、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層を介して、前記ウエハの前記第１主面と前記支持体との仮接着を行うことを特徴とする仮接着方法を提供する。
本発明の仮接着方法であれば、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層を介して仮接着を行うので、薄化加工、電極形成、金属配線形成及び保護膜形成などの加工中にウエハが支持体から分離するのを防ぐことができる一方、上記加工後には高価な機械等を用いずともウエハを支持体から容易に剥離することができる。また、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体は、ウエハと支持体との仮接着を解放した後、更なる仮接着に再度使用することができる。すなわち、本発明の仮接着方法によると、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことできる。従って、本発明の仮接着方法によれば、例えば薄型デバイスウエハを高生産性且つ低コストで製造できる。
前記乾式接着性繊維構造体として、前記複数の柱状構造が熱硬化性樹脂で形成されているものを用いることが好ましい。
複数の柱状構造が熱硬化性樹脂で形成されている乾式接着性繊維構造体は、真空プロセス及び熱プロセスに対して優れた耐性を示すことができる。そのため、このような乾式接着性繊維構造体を用いることにより、薄型デバイスウエハの生産性及びコストパフォーマンスを更に向上させることができる。
前記乾式接着性繊維構造体として、前記複数の柱状構造がシリコーン変性ポリイミドで形成されているものを用いることが好ましい。
このような乾式接着性繊維構造体は、複数の柱状構造が優れた耐熱性及び優れた可撓性を示すことができる。そのため、このような乾式接着性繊維構造体を用いることにより、薄型デバイスウエハの生産性を更に向上させることができる。
また、デバイスウエハ加工方法であって、本発明の仮接着方法によって、前記ウエハの前記第１主面と前記支持体との仮接着を行い、仮接着された前記ウエハの前記第２主面を加工することを特徴とするデバイスウエハ加工方法を提供する。
本発明のデバイスウエハ加工方法は、本発明の仮接着方法によってウエハと支持体との仮接着を行い、このようにして仮接着されたウエハの第２主面を加工するので、薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造できる。
前記ウエハの前記第２主面を加工したあと、前記仮接着層による仮接着を解放し、次いで、前記仮接着層を、他の仮接着において繰り返し使用することができる。
本発明の仮接着方法、及び本発明のデバイスウエハの加工方法で用いる乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層は、仮接着及び剥離において繰り返し使用できる。
前記ウエハの前記第２主面を加工したあと、前記仮接着層による仮接着を解放し、次いで、前記ウエハとは別の基材を前記支持体に仮接着層を介して仮接着することができる。
本発明のデバイスウエハの加工方法では、１つのウエハの加工後、仮接着層を繰り返し用いて、このウエハとは別の基材を支持体に仮接着することもできる。
また、本発明では、ウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着するのに使用する仮接着用積層体であって、前記支持体と、前記支持体上に形成された前記仮接着層とを含み、前記仮接着層は、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むものであることを特徴とする仮接着用積層体を提供する。
本発明の仮接着用積層体であれば、仮接着層が複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むので、薄化加工、電極形成、金属配線形成及び保護膜形成などの加工中にウエハが支持体から分離するのを防ぐことができる一方、上記加工後には高価な機械等を用いずともウエハを支持体から容易に剥離することができる。また、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体は、ウエハと支持体との仮接着を解放した後、更なる仮接着に再度使用することができる。すなわち、本発明の仮接着用積層体を用いることにより、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことできる。従って、本発明の仮接着用積層体を用いれば、例えば薄型デバイスウエハを高生産性且つ低コストで製造することができる。
前記複数の柱状構造が、熱硬化性樹脂で形成されているものであることが好ましい。
熱硬化性樹脂で形成されている柱状構造は、真空プロセス及び熱プロセスに対して優れた耐性を示すことができる。そのため、このような柱状構造を含む仮接着用積層体を用いることにより、薄型デバイスウエハの生産性及びコストパフォーマンスを更に向上させることができる。
前記複数の柱状構造は、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ＳＢＲ、ＮＢＲ等のゴム等が挙げられる。耐熱性や可撓性を発現させるためには、シリコーン変性ポリイミドで形成されているものであることが好ましい。
このような柱状構造は、優れた耐熱性及び優れた可撓性を示すことができる。そのため、このような柱状構造を含む仮接着用積層体を用いることにより、薄型デバイスウエハの生産性を更に向上させることができる。
前記支持体上に形成された、前記乾式接着性繊維構造体を取り囲むガードリングを更に含むものであることが好ましい。
このようなガードリングを含むものであれば、例えばウエハの第２主面がウェットプロセスに掛けられても、ウエハの第１主面側に加工用の液体が侵入することを防ぐことができる。
また、本発明では、本発明の仮接着用積層体と、回路を含む第１主面と前記第１主面とは反対側の加工すべき第２主面とを有し、前記第１主面が前記支持体上の前記仮接着層を介して前記支持体に仮接着されたウエハとを含むものであることを特徴とするデバイスウエハ加工用積層体を提供する。
本発明のデバイスウエハ加工用積層体であれば、仮接着層が複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むので、ウエハの第２主面の加工中にウエハが支持体から分離することを防ぐことができると共に、加工後、高価な装置を用いずとも、ウエハを支持体から容易に剥離することができる。また、加工後、仮接着層を他の仮接着に繰り返し使用することができる。よって、本発明のデバイスウエハ加工用積層体を用いれば、例えば薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造することができる。
以上のように、本発明の仮接着方法によれば、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことできる。従って、本発明の仮接着方法によれば、薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造できる。
また、本発明のデバイスウエハ加工方法によれば、薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造できる。
さらに、本発明の仮接着用積層体によれば、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことできる。従って、本発明の仮接着用積層体によれば、薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造することができる。
そして、本発明のデバイスウエハ加工用積層体によれば、薄型デバイスウエハを高い生産性で製造することができ、その利用価値はすこぶる高い。
本発明の仮接着用積層体の一例を示す概略部分断面図である。 本発明の仮接着用積層体をウエハに仮接着した例を示す概略部分断面図である。 本発明の仮接着用積層体の他の一例を示す概略平面図である。 本発明のデバイスウエハ加工用積層体の一例を示す概略平面図である。
上述のように、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことが可能である仮接着方法の開発が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層を介して、ウエハの加工すべき第２主面とは反対側の第１主面と支持体とを仮接着することにより、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができると共に、このような仮接着及び剥離を繰り返し行うことが可能となることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、回路を含む第１主面と前記第１主面とは反対側の加工すべき第２主面とを有するウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着する方法であって、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層を介して、前記ウエハの前記第１主面と前記支持体との仮接着を行うことを特徴とする仮接着方法である。
また、本発明は、デバイスウエハ加工方法であって、上記本発明の仮接着方法によって、前記ウエハの前記第１主面と前記支持体との仮接着を行い、仮接着された前記ウエハの前記第２主面を加工することを特徴とするデバイスウエハ加工方法である。
さらに、本発明は、ウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着するのに使用する仮接着用積層体であって、前記支持体と、前記支持体上に形成された前記仮接着層とを含み、前記仮接着層は、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むものであることを特徴とする仮接着用積層体である。
そして、本発明は、上記本発明の仮接着用積層体と、回路を含む第１主面と前記第１主面とは反対側の加工すべき第２主面とを有し、前記第１主面が前記支持体上の前記仮接着層を介して前記支持体に仮接着されたウエハとを含むものであることを特徴とするデバイスウエハ加工用積層体である。
なお、例えば、特許文献４及び非特許文献１には、乾式接着性繊維構造体が開示されている。また、例えば、特許文献５及び非特許文献２には、乾式接着性繊維構造体の製造方法が開示されている。しかしながら、これらの文献は、乾式接着性繊維構造体をデバイスウエハ製造プロセスにおける仮接着に適用することを何ら言及していない。
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［仮接着用積層体］
本発明の仮接着用積層体は、ウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着するのに使用する仮接着用積層体であって、前記支持体と、前記支持体上に形成された前記仮接着層とを含み、前記仮接着層は、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むものであることを特徴とする。
複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むものである仮接着層は、柱状構造の先端がウエハの表面に接することで、ウエハと支持体との仮接着を行うことができる。理論により縛られることは望まないが、柱状構造の先端がウエハの表面に接することで、複数の柱状構造の先端とウエハの表面との間に分子間力が発現し、この分子間力により仮接着が行なわれると推測される。
このような仮接着は、ウエハの例えば薄化加工、電極形成、金属配線形成及び保護膜形成などの加工中に、ウエハが支持体から分離するのを防ぐことができるのに十分な強度の仮接着をウエハと支持体との間に提供することができる。
一方、この仮接着は、加工後には、高価な装置を用いずとも、ウエハを支持体から容易に剥離することができるものである。具体的な剥離方法としては、例えば、ウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ加工体から剥離する方法、及びピンセットでウエハの一部を持ち上げて剥離する方法等が挙げられる。本発明には、これらの剥離方法のいずれにも適用可能である。もちろん上記の方法には限定されない。
また、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むものである仮接着層は、一旦仮接着を解放しても、他の仮接着において再度使用することができる。これは、乾式接着性繊維構造体による仮接着が、分子間力を利用したものであり、たとえ一旦剥離しても、複数の柱状構造の先端を仮接着対象に接触させれば、再度分子間力が発現し、更なる仮接着を行うことができるからであると推測される。
しかも、本発明の仮接着用積層体の仮接着層は、仮接着対象が必ずしも平坦でなくても強く接着できる。仮接着層が仮接着する第１主面は、回路を含んでいるので、通常平坦でない。本発明の仮接着用積層体の仮接着層は、回路を含んだ第１主面にも強く接着できる。
また、本発明の仮接着用積層体の仮接着層による仮接着は、分子間力に基づく仮接着であるため、接着剤を用いる場合のように、追加の熱硬化処理を必要としない。
そして、本発明の仮接着用積層体の仮接着層による仮接着は、分子間力に基づく仮接着であるため、繰り返しの使用の際の洗浄も必ずしも必要ない。つまり、本発明によれば従来法で必要であった洗浄の必要が無く、半導体装置製造工程の時間短縮、洗浄コストを削減することが可能な仮接着プロセスを提供することができる。
このように、本発明の仮接着用積層体を用いることにより、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことできる。従って、本発明の仮接着用積層体を用いれば、例えば薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造することができる。
次に、図１～図３を参照しながら、本発明の仮接着用積層体をより具体的に説明する。
図１は、本発明の仮接着用積層体の一例を示す概略部分断面図である。
図１に示す仮接着用積層体２０は、支持体３と、支持体３上に形成された仮接着層２とを含む。仮接着層２は、微細な複数の柱状構造２２を有する乾式接着性繊維構造体２１を含む。
支持体３の材料は、特に限定されず、例えば、シリコンや、ガラス、石英などを用いることができる。すなわち、支持体３としては、例えば、シリコンウエハや、ガラス板、石英ウエハ等の基板を使用することができるが何ら制約はない。本発明においては、支持体３を通して仮接着層２に放射エネルギー線などを照射する必要がないため、支持体３は、光透過性を有さないものであっても良い。
柱状構造２２は、例えば、微細で可撓な繊維であり得る。複数の柱状構造２２の各々は、支持体３とは反対に向いた、先端２３を有している。図１に示す柱状構造２２の先端２３は、上方に向かって末広がりの幅広形状を有している。
微細な繊維とは、例えば樹脂材料を延伸させて細い筒状に加工したものであり、延伸させる方法としては、射出成型、押出成型などを使う事ができる。また微細な繊維を得る他の方法としては、Ｓｉ基板にドライエッチングによって円柱状の型を形成し、形成された円柱型に樹脂材料を流し込んで円柱状の樹脂すなわち微細な繊維を形成することもできる。
微細な繊維の形成方法は、上記の方法に限定するものではない。
また、微細繊維の素材は好ましくは樹脂材料が良いが、その他にもカーボン繊維、ガラス繊維またはその他複合コンポジット材料からなるもので、耐熱性、耐薬品性、可撓性等が発現すれば素材は問わない。
柱状構造２２は、例えば樹脂から形成することができる。好ましい樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ＳＢＲ、ＮＢＲ等のゴム等があげられる。
特に、柱状構造２２が熱硬化性樹脂で形成されていることが好ましい。熱硬化性樹脂で形成されている柱状構造２２は、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程といった工程に対する工程適合性が高く、具体的にはＣＶＤ（化学的気相成長）といった真空プロセスや、ウエハ熱プロセス耐性に優れ、薄型デバイスウエハの生産性を更に高めることができる。
例えばシリコーン変性ポリイミドから形成された柱状構造２２は、可撓性を示すことができるのに加え、材料中にポリイミド骨格を持ち、３００℃程度以上の耐熱性を発現することができる。
一方、特許文献２における２００℃程度で熱分解する接着剤でウエハと支持体とを貼り合わせた場合では、ＴＳＶ形成や再配線プロセスにおいて、熱分解温度以上のプロセス温度には耐性が無いことになってしまう。
複数の柱状構造２２は、支持体３上に直接形成されていても良いが、例えば図１に示すように、ベース部２４上に支持されていても良い。すなわち、図１に示す態様に係る仮接着用積層体２０では、乾式接着性繊維構造体２が、支持体３上に形成されたベース部２４と、ベース部２４上に支持された複数の柱状構造２２とを含む。ベース部２４は、複数の柱状構造２２の材料と同様の材料で形成されていても良いし、異なる材料で形成されていても良い。
複数の柱状構造２２は、例えば図１に示すように、支持体３表面に例えば規則正しく配列されることが好ましい。また、複数の柱状構造２２を、例えば図２に示すように、仮接着の対象であるウエハ１０（デバイスウエハとなるウエハ）の第１主面１１側に設けられた電極構造（回路）１３を計画的に避けることができる一定のピッチで、支持基板３上に形成することで、より安定した仮接着を行うことができる。すなわち、複数の柱状構造２２は、ウエハ１０の第１主面１１に形成されたデバイスパターンと逆パターンで配列されてもよい。
複数の柱状構造２２は、支持体３上に規則正しく、密に配置されていることが好ましい。このような配置により、より安定した仮接着を行うことができる。複数の柱状構造２２は、１００個／ｍｍ２以上５０００個／ｍｍ２以下、好ましくは２５０個／ｍｍ２以上１５００個／ｍｍ２の密度で形成されていることが好ましい。
更に、複数の柱状構造２２は、ウエハ１０の第１主面１１の表面に、この第１主面の表面形状に追従するように接することができる。そのため、例えば図２に示すようにウエハ１０の第１主面１１が凹部１１ａ及び凸部１１ｂを有する場合、すなわちウエハ１０が高段差基板である場合にも、複数の柱状構造２２はウエハ１０の第１主面１１に対して安定した仮接着を行うことができる。
複数の柱状構造２２の各々の形状は、柱状であれば特に制限なく使用でき、例えば円柱及び角柱のいずれでもよい。図１に示すように、柱状構造２２の先端２３が幅広形状（スパチュラ形状）であると、さらに吸着力が高まるので好ましい。柱状構造２２の先端２３と主部２５との断面積の比は１：１～１：２であることが好ましい。すなわち、柱状構造は、ウエハに接する先端２３を上部とした場合、上部が下部よりも幅広くなっていることが好ましい。柱状構造２２の先端２３は、吸盤のような構造を有していても良い。
なお、柱状構造２２の各々は、例えば高さを１μｍ～１ｍｍとすることができ、好ましくは高さが１０μｍ～５００μｍの柱状構造である。また、柱状構造２２の各々は、例えば直径が１０ｎｍ～１００μｍの底面を有するものとすることができ、好ましくは直径が１０００ｎｍ～２０μｍの底面を有するものである。一方、柱状構造２２の各々の先端２３は、例えば、２０ｎｍ～２００μｍの直径を有することができる。
本発明の仮接着用積層体２０は、仮接着対象であるウエハとの仮接着力をコントロールすることができる。具体的には、例えば、支持基板３とウエハとの仮接着力を、柱状構造２２の先端２３の直径の大小や、単位面積当たりの柱状構造２２の個数、および柱状構造２２の主部２５の直径で規定することができる。
支持基板３とウエハとが仮接着された後に、ＴＳＶや再配線を形成するプロセスにおいては、プロセス装置でのハンドリング、ＣＭＰプロセスでのシェア応力などが加わる為、この応力に抗する仮接着力が支持基板３とウエハとの間に必要となる。一方で、支持基板３は最終的に剥離されるものであるため、必要以上の仮接着力を与えることは避けなければならない。本発明の仮接着用積層体２０は、仮接着対象であるウエハ１０との仮接着力をコントロールすることができるので、加工中の応力に耐えるのに十分である一方、最終的に容易に剥離できる程度に抑えられた仮接着力を発現することができる。
仮接着層２上での、例えば２５ｍｍ幅のポリイミドテープ試験片との１８０°ピール剥離力が、２ｇｆ以上５０ｇｆ以下であることが好ましい。なぜならば、このようなピール剥離力を有する仮接着用積層体２０であれば、例えばウエハ研削時にウエハのズレが生じる恐れがなく、かつ剥離が容易なためである。
仮接着用積層体２０は、例えば図３に示すように、支持体３上に形成された、乾式接着性繊維構造体２１を取り囲むガードリング４を更に含むものであることが好ましい。
仮接着層２を介して仮接着したウエハと支持体３との貼り合わせ面内には、仮接着層が乾式接着性繊維構造体であることから、隙間が発生することになる。支持体３とウエハとの貼り合わせ後には、ウエハがレジストの剥離金属のエッチング、デバイスウエハの洗浄などのウェットプロセスに掛けられることも多いが、前述のこの隙間に液体が侵入することが問題になることがある。上記ガードリング４を支持体３上に設置することで、上記隙間に加工用の液体が侵入することを防ぐことができる。
支持体３の平面形状は特に限定されず、仮接着層２と同様の平面形状であっても良いし、仮接着層２よりも大きな平面形状であっても良い。円形のガードリング４を設ける場合、支持体３の平面形状は、仮接着層２の乾式接着性繊維構造体２１を囲うガードリング４の外周形状と同様の平面形状であっても良いし、図３に示すように、ガードリング４の外周形状よりも大きな平面形状であっても良い。
これまで仮接着用積層体２０は、例えば直径２００ｍｍや３００ｍｍの円形を例にとってきたが、仮接着用積層体２０は正方形や長方形のパネル形状であっても構わない。
支持体３の面積に対する、柱状構造２２が形成されている面積の割合は、０．０２％～５０％であることが好ましく、１％～２５％であることがより好ましい。
［デバイスウエハ加工用積層体］
本発明のデバイスウエハ加工用積層体は、本発明の仮接着用積層体と、回路を含む第１主面と前記第１主面とは反対側の加工すべき第２主面とを有し、前記第１主面が前記支持体上の前記仮接着層を介して前記支持体に仮接着されたウエハとを含むものであることを特徴とする。
本発明のデバイスウエハ加工用積層体は、先に説明した本発明の仮接着用積層体を含む。よって、本発明のデバイスウエハ加工用積層体は、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層による仮接着により、ウエハの第２主面の加工中にウエハが支持体から分離することを防ぐことができると共に、加工後、高価な装置を用いずとも、ウエハを支持体から容易に剥離することができる。また、先に説明したように、加工後、仮接着層を他の仮接着に繰り返し使用することができる。よって、本発明のデバイスウエハ加工用積層体を用いれば、例えば薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造することができる。
次に、図４を参照しながら、本発明のデバイスウエハ加工用積層体を具体的に説明する。
図４に示したデバイスウエハ加工用積層体１は、仮接着用積層体２０と、ウエハ１０とを含む。
仮接着用積層体２０は、図１及び図２を参照しながら説明した、支持体３と、支持体３上に形成された仮接着層２とを含む。また、仮接着層２は、図１に示した、複数の柱状構造２２を有する乾式接着性繊維構造体２１を含む。
ウエハ１０は、図２に示した構造を有する。すなわち、ウエハ１０は、回路１３を含む第１主面１１と第１主面１１とは反対側の加工すべき第２主面１２とを有する。第１主面１１は、凹部１１ａと、凸部１１ｂとを含む。ウエハ１０の第１主面１１は、回路形成面と呼ぶことができる。ウエハ１０の第２主面１２は、回路非形成面と呼ぶことができる。
本発明が適用できるウエハ１０は、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム－ヒ素ウエハ、ガリウム－リンウエハ、ガリウム－ヒ素－アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には６００～８００μｍ、より典型的には６２５～７７５μｍである。
図４に示したデバイスウエハ加工用積層体１では、図２に示したように、ウエハ１０の第１主面１１が支持体３上の仮接着層２を介して支持体３に仮接着されている。本発明のデバイスウエハ加工用積層体１であれば、ウエハ１０の第１主面１１に図２に示すように凹部１１ａ及び／又は凸部１１ｂを有する高段差基板であったとしても、複数の柱状構造２２の先端２３が第１主面１１の表面に追随することができるので、図４に示すように、ウエハ１０の第２主面１２を、支持体３と略平行な状態で、この支持体３と仮接着したものとすることができる。そのため、本発明のデバイスウエハ加工用積層体１は、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する優れた工程適合性を示すことができる。
［仮接着方法］
本発明の仮接着方法は、回路を含む第１主面と前記第１主面とは反対側の加工すべき第２主面とを有するウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着する方法であって、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層を介して、前記ウエハの前記第１主面と前記支持体との仮接着を行うことを特徴とする。
本発明の仮接着方法は、例えば、先に説明した本発明の仮接着積層体を用いて実施することができる。
先に説明したように、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層を介してのウエハの第１主面と支持体との仮接着は、ウエハの第２主面の例えば薄化加工、電極形成、金属配線形成及び保護膜形成などの加工中に、ウエハが支持体から分離するのを防ぐことができるのに十分な強度の仮接着をウエハと支持体との間に提供することができる。一方、この仮接着は、加工後には、高価な装置を用いずとも、ウエハを支持体から容易に剥離することができるものである。
また、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むものである仮接着層は、一旦仮接着を解放しても、他の仮接着において再度使用することができる。
このように、本発明の仮接着方法によれば、ウエハと支持体との十分な強度の仮接着及び支持体からのウエハの容易な剥離を行うことができ、且つ仮接着及び剥離を繰り返し行うことできる。従って、本発明の仮接着方法によれば、例えば薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造することができる。
仮接着に際し、仮接着層とウエハとを、貼り合わせ装置を使って貼り合わせても良い。貼り合わせにおいては、好ましくは室温～１００℃、より好ましくは室温～８０℃の温度領域で、ウエハと仮接着層とを均一に圧着（好ましくは０より大～５ＭＰａ、さらに好ましくは１Ｐａ～１ＭＰａ）することができる。例えばこの貼り合わせにより、ウエハが支持体に仮接着層を介して仮接着されたウエハ加工体（積層体基板）、すなわち先に説明したデバイスウエハ加工用積層体を形成することができる。この後に一切の加熱処理などは必要としない。
ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００等が挙げられる。
［デバイスウエハ加工方法］
本発明のデバイスウエハ加工方法は、本発明の仮接着方法によって、前記ウエハの前記第１主面と前記支持体との仮接着を行い、仮接着された前記ウエハの前記第２主面を加工することを特徴とする。
本発明のデバイスウエハ加工方法では、本発明の仮接着方法によって仮接着を行った上でウエハの第２主面の加工を行うので、先に説明したように、例えば薄型デバイスウエハを高い生産性及び低いコストで製造することができる。
また、先に述べたが、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含むものである仮接着層は、一旦仮接着を解放しても、他の仮接着において再度使用することができる。すなわち、本発明では、１つのウエハの第２主面を加工したあと、仮接着層による仮接着を解放し、次いで、仮接着層を他の仮接着において繰り返し使用することができる。
上記他の仮接着では、加工したウエハとは別のシリコンウエハを支持体として仮接着しても良いし、又はシリコンウエハ以外の基材を仮接着しても良い。すなわち、本発明では、ウエハの第２主面を加工したあと、仮接着層による仮接着を解放し、次いで、加工したウエハとは別の基材を支持体に仮接着層を介して前記と同様な貼り合わせ条件で仮接着することができる。シリコンウエハ以外の支持体としては、例えば、金属基板、ガラス基板や石英基板等を挙げることができる。
また、支持体は、正方形や長方形のパネル形状であっても構わない。支持体の上で仮接着される基板も、シリコン、ガラス、金属、樹脂等制限を付けるものではない。
次に、本発明のデバイスウエハ加工方法の具体例を説明する。
本発明のデバイスウエハ加工方法の一例は、以下の（ａ）～（ｄ）の工程を有する。
［工程（ａ）］
工程（ａ）は、回路を含む第１主面（回路形成面；おもて面）とこの第１主面とは反対側の加工すべき第２主面（回路非形成面；裏面）とを有するウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着する工程である。すなわち、工程（ａ）は、本発明の仮接着方法によって、ウエハの第１主面と支持体との仮接着を行う工程である。
［工程（ｂ）］
次に、支持体に仮接着されたウエハの第２主面（回路非形成面）を研削又は研磨する工程、即ち、貼り合わせて得られたデバイスウエハ加工用積層体のウエハ裏面側を研削して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程（ｂ）に掛けられる。ウエハの第２主面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハの第２主面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ－８１０（商品名）等が挙げられる。また、ウエハの第２主面をＣＭＰ研磨してもよい。
本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には５～３００μｍ、より典型的には１０～１００μｍである。
［工程（ｃ）］
次に、第２主面を研削したウエハ加工体、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハの第２主面に更なる加工を施す工程（ｃ）である。この工程（ｃ）にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
［工程（ｄ）］
次に、上記工程で加工を施したウエハを支持体から剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前にウエハを支持体から剥離する工程である。言い換えると、この工程（ｄ）は、仮接着層による仮接着を解放する工程である。
この剥離工程は、一般に室温から６０℃程度の比較的低温の条件で実施される。具体的な方法としては、例えば、デバイスウエハ加工用積層体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式で支持体から剥離する方法、及びピンセットでウエハの一部を持ち上げて剥離する方法等が挙げられる。本発明には、これらの剥離方法のいずれにも適用可能である。もちろん上記の方法には限定されない。
仮接着層による仮接着を解放（剥離）することにより、回路を含む第１主面と、この第１主面とは反対側の加工が施された第２主面とを有する、デバイスウエハを得ることができる。
また、本発明のデバイスウエハの加工方法では、支持体からのデバイスウェハの剥離後に、支持体表面、及びデバイスウェハ表面共に洗浄をしなくてもよい。
［他の工程］
工程（ｄ）のあと、仮接着層を他の仮接着において繰り返し使用することができる。他の仮接着の対象は、例えばウエハ以外の基材とすることができる。具体例を挙げると、加工したウエハにガラス基板や石英基板などの他の基板を積層するのに、仮接着層による仮接着を用いることができる。
或いは、工程（ｄ）のあと、加工したウエハとは別の更なるウエハを加工するために、更なるウエハの加工すべき第２主面とは反対側の第１主面を支持体に仮接着層を介して仮接着することができる。
本発明で用いる仮接着層は、仮接着の解放後に洗浄が不要であるため、効率的に、更なる仮接着において繰り返し使用することができる。
［乾式接着性繊維構造体の製造方法］
ここで、本発明で用いる仮接着層の乾式接着性繊維構造体の製造方法の例を説明する。しかしながら、本発明で用いる仮接着層の乾式接着性繊維構造体の製造方法は、以下の方法に限定されるものではない。
（第１の例）
第１の例は、複数の柱状構造を、シリコン、ガラスなどからなる支持体の表面に転写させる方法である。
具体的には、例えばＳｉ基板にドライエッチングによって円柱状の型を形成し、形成された円柱の型に樹脂材料を流し込んで円柱状の樹脂すなわち微細な繊維を形成することもできる。シリコン中の円形の型で成型された円柱状の樹脂を、ＰＥＴなどのシート状基材に、乾式接着性繊維構造体の幅広の先端を接触させて転写を行う。ＰＥＴ上の転写された乾式接着性繊維構造体他方の先端を支持体に接合した後でＰＥＴなどのシート状基材を剥離することで提供することができる。
その際、支持体への接合は例えば、高融点半田を使って他方の先端を接合する。あるいは、支持体の表面をシランカップリング処理、陽極酸化、化学的表面粗化などの処理後に、微細で可撓な柱状構造を熱、圧力を掛けながら支持体表面に転写させることで、支持体と強固な接合が可能となる。
（第２の例）
シリコン、ガラスなどからなる支持体の表面に乾式接着性繊維構造体を形成する別な方法としては、例えば射出成形によって、薄いフィルムと微細な柱状構造を一括で成形することができる。
その後に微細な柱状構造を含むフィルム材料を、支持体に貼り合わせることに拠って、支持体と、支持体上に形成された仮接着層との複合体を提供することができる。
（第３の例）
多孔質を有する樹脂に所望の樹脂を流しいれ、整形加工することで、表面に柱状構造を有する構造体を得ることも可能である。
（第４の例）
また、複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体は、例えば非特許文献２に記載されているように、マイクロスケール又はナノスケールの凹凸を有する型を用いたインプリント法で得ることもできる。
また、これまで先示してきた、幅広の先端を有する微細で可撓な柱状構造としては、柱状構造の片方の先端のみが幅広の構造でなく、両端が幅広の構造を有する可撓な柱状構造でも構わない。その際は、貼り合わせ後デバイスウエハの薄化の後に、支持体を剥離させることになるが、当然のこと剥離させたい面と剥離させたくない面が生じ、この場合剥離させたい面の乾式接着性繊維構造体全体の吸着力を、剥離させたくない面の乾式接着性繊維構造体全体の吸着力より弱くすれば良い。吸着力の強弱は、先に説明したように制御することができる。
以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
一方の主面である第１主面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポスト（電極構造）が全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ、デバイスウエハとなるウエハ）を、仮接着の対象とした。
まず、上記ウエハの第１主面の電極構造以外の領域に乾式接着性繊維構造体の柱状構造を接触させて仮接着させるために、直径２００ｍｍ（厚さ：５００μｍ）のガラス基板支持体全面にシランカップリング材をスピンコート塗布したものを準備した。
支持基板上に形成する乾式接着性繊維構造体の準備として、厚さ７２５μｍの直径３００ｍｍシリコン基板面内にフォトレジスト膜を形成し、定法によりマスクを介してシリコン基板中に円柱状の型穴を形成するためのパターンを形成した。シリコンと選択比のあるレジストパターンを利用しボッシュ法によるドライエッチングによって、シリコン中に直径２０ミクロン、深さ５０ミクロンの円柱状の細孔を形成した。細孔形成用のレジストを剥離した後、乾式接着性繊維構造体の幅広部分を形成するために、再度レジストパターンを形成した。レジスト開口部の中心位置はシリコン中細孔の中心と一致し、開口径は３０ミクロンとした。次にシリコン中の細孔と開口部のレジストパターンの中に、シリコーン変性ポリイミド樹脂をスクリーン印刷で流し込み、シリコン基板を１００℃で６０分加熱した。次にレジストパターンを剥離した後１９０℃４時間のハードベークを行いシリコーン変性ポリイミド樹脂を硬化させた。
次に表面に粘着層のある厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムを、シリコン基板上に形成された乾式接着性繊維構造体の幅広部分表面にラミネート後に圧着し、乾式接着性繊維構造体をＰＥＴフィルム上に転写した。転写された乾式接着性繊維構造体をＳＥＭで確認した所、円柱部の直径が２０μｍであり、規則正しく備えられた幅広の先端部の直径が３０μｍであり、高さが２０μｍであり、設計通りであった。
この時の乾式接着性繊維構造体の密度（平面ＳＥＭで倍率２０００倍で観察）は約３００個／ｍｍ２であった。
複数の柱状構造を持つＰＥＴフィルムを、アライメントを取りながらシランカップリング剤が塗布されたガラス支持基板に８０Ｐａの陰圧、温度１１０℃の条件で真空ラミネートした。ラミネートされた支持基板は大気中に取り出され、表面のＰＥＴフィルムを剥離させて、最終的に乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層付きのガラス支持基板（仮接着用積層体）を得た。
前記仮接着用積層体の柱状構造が形成された面に、仮接着の対象である、一方の主面である第１主面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）を、ウェハ貼り合わせ装置内で、チャンバー内圧力１０Ｐａ未満、ステージ温度７０℃、荷重０．２１ＭＰａで６０秒の条件で貼り合わせを行った。この際、仮接着層の複数の柱状構造の先端がウエハの第１主面に接触するようにした。これにより、デバイスウエハ加工用積層体を作製した。
なお、ここで、基板接着後の異常を目視で判別するために支持体としてガラス板を使用したが、ウエハなどの光を透過しないシリコン基板も使用可能である。
貼り合わせ装置として、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて行った。なお、貼り合わせ後の目視確認では、貼り合わせの品質に問題は認められなかった。
次に、グラインダー（ＤＩＳＣＯ製、ＤＡＧ８１０）でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面（第１主面とは反対側の第２主面）研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べたが、異常は認められなかった。
更に、シリコンウエハを裏面研削した後の加工体をＣＶＤ装置に導入し、２μｍのＳｉＯ２膜の生成実験を行ない、その際の外観異常の有無を調べた。厚い酸化膜の成膜後でも外観異常が発生しなかった。ここで使用したプラズマＣＶＤ装置はＰＤ２７０ＳＴＬ（サムコ社製）で、出力ＲＦ５００Ｗ、内圧４０Ｐａ、ガス種はＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）：Ｏ２＝２０ｓｃｃｍ：６８０ｓｃｃｍであった。
最後に、支持基板の剥離性を確認した。具体的には以下に従って試験をした。ＣＶＤ耐性試験を終えたデバイスウエハ加工体の５０μｍまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。結果として、厚さが５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた。
剥離後、すなわち仮接着解放後の仮接着用積層体を用いて、他のシリコンウエハの仮接着を（前記と同条件で）行い、もう１つのデバイスウエハ加工用積層体を作製した。再度の仮接着の前には、仮接着層の洗浄を行わなかった。次いで、このもう１つのデバイスウエハ加工用積層体に対し、上記と同様に裏面研削、ＣＶＤ耐性試験、剥離試験を行ったが、異常や割れは観察されなかった。
このように、実施例１では、裏面研削及びＣＶＤといった加工に耐えるのに十分な仮接着強度を実現できた一方、加工後は支持体からウエハを容易に剥離することができた。また、実施例１では、仮接着層による仮接着解放後、洗浄をせずに、仮接着層を再度使用することができた。
（実施例２）
次に、ファンアウトパネルレベルパッケージのチップファーストプロセスへの適用について検討を行った。
樹脂基板（９０ｍｍ×９０ｍｍ、厚さ５００ミクロン）であって、一方の主面である第１主面に直径１５μｍ、高さ１５μｍの低融点金属からなるバンプ（電極構造）が全面に形成され、他方の面である第２主面には１０ミクロン角のアルミパッドが全面に形成され、第１主面と第２主面は樹脂基板を貫通する電極で結線されているデバイス構造体を仮接着の対象とした。
前記樹脂基板を仮接合する支持基板として、ＡＧＣ製の大きさ３００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ７００ミクロンのガラス基板を使用した。
支持基板上に形成する乾式接着性繊維構造体の準備として、厚さ７２５μｍの直径３００ｍｍシリコン基板面内にフォトレジスト膜を形成し、定法によりマスクを介してシリコン基板中に円柱状の型穴を形成するためのパターンを形成した。シリコンと選択比のあるレジストパターンを利用しボッシュ法によるドライエッチングによって、シリコン中に直径２０ミクロン、深さ５０ミクロンの円柱状の細孔を形成した。細孔形成用のレジストを剥離した後、乾式接着性繊維構造体の幅広部分を形成するために、再度レジストパターンを形成した。レジスト開口部の中心位置はシリコン中細孔の中心と一致し、開口径は３０ミクロンレジスト厚を３ミクロンとした。次にシリコン中の細孔と開口部のレジストパターンの中に、フッ素樹脂をスクリーン印刷で流し込み、シリコン基板を１００℃で６０分加熱した。次にレジストパターンを剥離した後１５０℃１時間のハードベークを行いフッ素樹脂を硬化させた。
次に表面に粘着層のある厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムを、シリコン基板上に形成された乾式接着性繊維構造体の幅広部分表面にラミネート後に圧着し、乾式接着性繊維構造体をＰＥＴフィルム上に転写した。転写された乾式接着性繊維構造体をＳＥＭで確認した所、円柱部、幅広部の直径および高さは設計通りであり、実施例１と同じであった。この作業を繰り返して行い、最終的に３００ｍｍ×１００ｍｍのＰＥＴフィルム全面に乾式接着性繊維構造体を転写した。この時の乾式接着性繊維構造体の密度は約３００個／ｍｍ２であった。
次に、３００ｍｍ×１００ｍｍのガラス支持基板全面にシランカップリング材をスロットコートして乾燥させ、更に全面の柱状構造を持つＰＥＴフィルムを、アライメントを取りながらシランカップリング剤が塗布されたガラス支持基板に８０Ｐａの陰圧、温度１１０℃の条件で真空ラミネートした。ラミネートされた支持基板は大気中に取り出され、表面のＰＥＴフィルムを剥離させて、最終的に乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層付きのガラス支持基板（仮接着用積層体）を得た。
前記仮接着用積層体の柱状構造が形成された面に、仮接着の対象である樹脂基板（９０ｍｍ×９０ｍｍ、厚さ５００ミクロン）であって、一方の主面である第１主面に直径１５μｍ、高さ１５μｍの低融点金属からなるバンプ（電極構造）が全面に形成され、他方の面である第２主面には３０ミクロン角のアルミパッドが全面に形成され、第１主面と第２主面は樹脂基板を貫通する電極で結線されているデバイス構造体を基板貼り合わせ装置内で、ステージ温度７０℃、荷重０．２１ＭＰａで６０秒の条件で貼り合わせを行った。この際、仮接着層の複数の柱状構造の先端がウエハの第１主面にバンプ構造を避けながら接触するようにした。この仮接着層付きのガラス支持基板上には合計３枚の樹脂基板を搭載した（デバイスウエハ加工用積層体の完成）。
次にこのガラスを支持体とするデバイス加工用積層体に対してコンプレッション装置を使って、モールド材料で封止を行った。封止には信越化学工業製フィルムモールド材料 ＳＩＮＲ－ＤＦ５７７０を使い、デバイス上の膜厚を１００ミクロンとした。
次に、グラインダー（ＤＩＳＣＯ製、ＤＦＧ８０２０）で砥石を用いてモールド材料の研削を行い、最終的に第２主面のアルミパッドを露出させるまで研削を行った。グラインドした後のアルミパッド表面を、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べたが、異常は認められなかった。
更に、アルミパッドが露出した平面に、感光性フィルム材料５０ミクロン厚のＳＩＮＲ－ＤＦ３１７０ＳＰ（信越化学製）をモールドフィルムと同様に真空ラミネータでラミネートした。ラミネート条件は１００℃・８０Ｐａであった。第１主面上のアルミパッド部を開口するために、マスクを使った定法によりフォトリソグラフィーを行った。プロセス条件は、プリベーク１００℃・３００秒、ｉ線露光で露光量１１００ｍＪ／ｃｍ２、露光後加熱１３０℃・３００秒であった。ＰＥＧＭＥＡでの現像によって、アルミパッド上に直径２０ミクロンの開口パターンを得た。
最後にガラス支持体上での一連のプロセス後、もとに３枚のデバイスに切り分けるために、ダイシング装置でモールド層をカットして個片化を行った。個片化したデバイスは乾式接着性繊維構造体を含む仮接着層から容易に引きはがすことが可能だった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (4)

  1. ウエハを支持体に仮接着層を介して仮接着するのに繰り返し使用する仮接着剤の使用方法であって、
    前記仮接着剤として、
    前記支持体と、
    前記支持体上に形成された前記仮接着層と
    を含み、
    前記仮接着層が、先端が末広がりの形状を有する複数の柱状構造を有する乾式接着性繊維構造体を含み、
    前記複数の柱状構造が、前記支持体上に、規則正しく且つ密に配置されているものを用いることを特徴とする仮接着剤の使用方法。
  2. 前記複数の柱状構造として、熱硬化性樹脂で形成されているものを用いることを特徴とする請求項１に記載の仮接着剤の使用方法。
  3. 前記複数の柱状構造として、シリコーン変性ポリイミドで形成されているものを用いる請求項１又は２に記載の仮接着剤の使用方法。
  4. 前記仮接着剤として、前記支持体上に形成された、前記乾式接着性繊維構造体を取り囲むガードリングを更に含むものを用いることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の仮接着剤の使用方法。
JP2024024452A 2020-06-12 2024-02-21 仮接着剤の使用方法 Pending JP2024059775A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020102386 2020-06-12
JP2020102386 2020-06-12
PCT/JP2021/016677 WO2021251018A1 (ja) 2020-06-12 2021-04-26 仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体
JP2022530055A JP7478234B2 (ja) 2020-06-12 2021-04-26 仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022530055A Division JP7478234B2 (ja) 2020-06-12 2021-04-26 仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024059775A true JP2024059775A (ja) 2024-05-01

Family

ID=78845557

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022530055A Active JP7478234B2 (ja) 2020-06-12 2021-04-26 仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体
JP2024024452A Pending JP2024059775A (ja) 2020-06-12 2024-02-21 仮接着剤の使用方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022530055A Active JP7478234B2 (ja) 2020-06-12 2021-04-26 仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230178412A1 (ja)
EP (1) EP4166620A4 (ja)
JP (2) JP7478234B2 (ja)
KR (1) KR20230022856A (ja)
CN (1) CN115699251A (ja)
TW (1) TW202147534A (ja)
WO (1) WO2021251018A1 (ja)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US20050271869A1 (en) 2004-06-07 2005-12-08 Jackson Warren B Hierarchically-dimensioned-microfiber-based dry adhesive materials
JP5068674B2 (ja) 2005-03-01 2012-11-07 ダウ・コーニング・コーポレイション 半導体加工のための一時的なウェハ結合法
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
WO2008076391A2 (en) 2006-12-14 2008-06-26 Carnegie Mellon University Dry adhesives and methods for making dry adhesives
US8900701B2 (en) * 2008-04-16 2014-12-02 Nitto Denko Corporation Fibrous columnar structure aggregate and pressure-sensitive adhesive member using the aggregate
KR101943145B1 (ko) 2012-04-13 2019-04-17 나노그립테크, 엘엘씨 평면 또는 비평면 성형체 및 표면 모두에 단순 또는 복잡한 마이크로 및/또는 나노패턴 구조체를 성형하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 성형체
WO2014124352A1 (en) 2013-02-08 2014-08-14 Nanogriptech, Inc. The design of microfibers with mushroom-shaped tips for optimal adhesion
KR20200135569A (ko) * 2016-01-13 2020-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 기판을 지지하기 위한 캐리어, 진공 프로세싱 시스템, 기판을 홀딩하기 위한 방법, 및 기판을 릴리스하기 위한 방법
CN209210688U (zh) * 2016-02-19 2019-08-06 瑞士电信公司 可重复使用的高强度粘合剂安装件的系统
KR102492533B1 (ko) * 2017-09-21 2023-01-30 삼성전자주식회사 지지 기판, 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법 및 이를 이용한 전자 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20230178412A1 (en) 2023-06-08
KR20230022856A (ko) 2023-02-16
EP4166620A1 (en) 2023-04-19
CN115699251A (zh) 2023-02-03
EP4166620A4 (en) 2024-06-12
JPWO2021251018A1 (ja) 2021-12-16
TW202147534A (zh) 2021-12-16
WO2021251018A1 (ja) 2021-12-16
JP7478234B2 (ja) 2024-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5111620B2 (ja) デバイスウェーハーをキャリヤー基板に逆に装着する方法
KR101239282B1 (ko) 캐리어 기판으로부터 가역적으로 장착된 디바이스 웨이퍼를 제거하는 장치 및 방법
US9064686B2 (en) Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers
JP6359576B2 (ja) キャリア−ワークピース接合スタックの分離方法
US11097306B2 (en) Support for bonding a workpiece and method thereof
JP6360123B2 (ja) ワークピースの加工手順およびシステム
TWI699413B (zh) 暫時接著方法及薄型晶圓之製造方法
KR20050053019A (ko) 기판의 서포트 플레이트 및 서포트 플레이트의 박리방법
KR20130018236A (ko) 얇은 웨이퍼 캐리어
WO2013179767A1 (ja) 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法
WO2009124243A2 (en) Die thinning processes and structures
WO2020087594A1 (zh) 使用可光刻键合材料的晶圆级封装方法
JP7478234B2 (ja) 仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体
TW202407071A (zh) 光照射剝離用之接著劑組成物、積層體、及加工後之半導體基板或電子裝置層之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240221