JP2024046430A - フラックス組成物、はんだ組成物、および電子基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】ハロゲンフリーまたはノンハロゲンタイプであるにも拘わらず、チップへのぬれ性を確保しつつ、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できるフラックス組成物を提供すること。【解決手段】(A)樹脂、(B)活性剤、および(C)水酸基を有する水酸基含有化合物を含有するフラックス組成物であって、前記(A)成分は、(A1)軟化点が100℃以下であるロジン系樹脂を含有し、前記(B)成分は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸、および(B2)炭素数12以上のジカルボン酸を含有し、前記(C)成分は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有し、前記フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下である、フラックス組成物。【選択図】なし
Description
本発明は、フラックス組成物、はんだ組成物、および電子基板に関する。
はんだ組成物は、はんだ粉末にフラックス組成物(ロジン系樹脂、活性剤および溶剤など)を混練してペースト状にした混合物である(特許文献1参照)。このはんだ組成物においては、はんだ付け性、ボイドの抑制、および印刷性などが要求されている。
一方で、近年、はんだ組成物としては、環境問題に配慮して、ハロゲンを削減したハロゲンフリー、或いは、ハロゲンを全く含有しないノンハロゲンが求められている。しかしながら、ハロゲン系活性剤を使用しない場合には、チップへのぬれ性が悪化するため、はんだのチップへのぬれ不良によるチップ立ち不良率が課題となっている。
一方で、近年、はんだ組成物としては、環境問題に配慮して、ハロゲンを削減したハロゲンフリー、或いは、ハロゲンを全く含有しないノンハロゲンが求められている。しかしながら、ハロゲン系活性剤を使用しない場合には、チップへのぬれ性が悪化するため、はんだのチップへのぬれ不良によるチップ立ち不良率が課題となっている。
本発明は、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンタイプであるにも拘わらず、チップへのぬれ性を確保しつつ、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できるフラックス組成物、はんだ組成物、並びに、電子基板を提供することを目的とする。
本発明によれば、以下に示すフラックス組成物、はんだ組成物および電子基板が提供される。
[1] (A)樹脂、(B)活性剤、および(C)水酸基を有する水酸基含有化合物を含有するフラックス組成物であって、
前記(A)成分は、(A1)軟化点が100℃以下であるロジン系樹脂を含有し、
前記(B)成分は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸、および(B2)炭素数12以上のジカルボン酸を含有し、
前記(C)成分は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有し、
前記フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下である、
フラックス組成物。
[2] [1]に記載のフラックス組成物において、
前記(C1)成分が、イソボルニルシクロヘキサノール、およびポリオキシアルキレングリコールからなる群から選択される少なくとも1つである、
フラックス組成物。
[3] [1]または[2]に記載のフラックス組成物において、
さらに、(D)チクソ剤を含有する、
フラックス組成物。
[4] [1]~[3]のいずれかに記載のフラックス組成物と、(E)はんだ粉末とを含有する、
はんだ組成物。
[5] [4]に記載のはんだ組成物において、
前記はんだ組成物は、塩素濃度が900質量ppm以下であり、臭素濃度が900質量ppm以下であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下であるものである、
はんだ組成物。
[6] [4]または[5]に記載のはんだ組成物を用いたはんだ付け部を備える、
電子基板。
[1] (A)樹脂、(B)活性剤、および(C)水酸基を有する水酸基含有化合物を含有するフラックス組成物であって、
前記(A)成分は、(A1)軟化点が100℃以下であるロジン系樹脂を含有し、
前記(B)成分は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸、および(B2)炭素数12以上のジカルボン酸を含有し、
前記(C)成分は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有し、
前記フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下である、
フラックス組成物。
[2] [1]に記載のフラックス組成物において、
前記(C1)成分が、イソボルニルシクロヘキサノール、およびポリオキシアルキレングリコールからなる群から選択される少なくとも1つである、
フラックス組成物。
[3] [1]または[2]に記載のフラックス組成物において、
さらに、(D)チクソ剤を含有する、
フラックス組成物。
[4] [1]~[3]のいずれかに記載のフラックス組成物と、(E)はんだ粉末とを含有する、
はんだ組成物。
[5] [4]に記載のはんだ組成物において、
前記はんだ組成物は、塩素濃度が900質量ppm以下であり、臭素濃度が900質量ppm以下であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下であるものである、
はんだ組成物。
[6] [4]または[5]に記載のはんだ組成物を用いたはんだ付け部を備える、
電子基板。
本発明の一態様によれば、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンタイプであるにも拘わらず、チップへのぬれ性を確保しつつ、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できるフラックス組成物、はんだ組成物、並びに、電子基板を提供できる。
[フラックス組成物]
まず、本実施形態に係るフラックス組成物について説明する。本実施形態に係るフラックス組成物は、はんだ組成物におけるはんだ粉末以外の成分であり、以下説明する(A)樹脂、(B)活性剤、および(C)水酸基を有する水酸基含有化合物を含有するものである。また、(A)成分は、(A1)軟化点が100℃以下であるロジン系樹脂を含有し、(B)成分は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸、および(B2)炭素数12以上のジカルボン酸を含有し、(C)成分は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有する。そして、フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下である。
フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%超であると、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できない。
ここで、熱重量測定の条件は、例えば、昇温速度が10℃/minで、雰囲気が窒素(200mL/min)である。熱重量測定には、例えば、日立ハイテクサイエンス社製の「STA7200RV」を使用できる。
まず、本実施形態に係るフラックス組成物について説明する。本実施形態に係るフラックス組成物は、はんだ組成物におけるはんだ粉末以外の成分であり、以下説明する(A)樹脂、(B)活性剤、および(C)水酸基を有する水酸基含有化合物を含有するものである。また、(A)成分は、(A1)軟化点が100℃以下であるロジン系樹脂を含有し、(B)成分は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸、および(B2)炭素数12以上のジカルボン酸を含有し、(C)成分は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有する。そして、フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下である。
フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%超であると、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できない。
ここで、熱重量測定の条件は、例えば、昇温速度が10℃/minで、雰囲気が窒素(200mL/min)である。熱重量測定には、例えば、日立ハイテクサイエンス社製の「STA7200RV」を使用できる。
本実施形態に係るフラックス組成物が、チップへのぬれ性を確保しつつ、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。
すなわち、ハロゲン系活性剤と同様に広い温度域で活性を持たせるために、本発明においては、低分子のジカルボン酸((B1)成分)から高分子のジカルボン酸((B2)成分)を添加して、活性を担保しようとしている。中でも、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸と、(B2)炭素数12以上のジカルボン酸とを併用することで、広い温度域で良好なぬれ性が得られることが分かった。また、フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下となるような配合とすることで、ぬれ性を確保しつつ、チップとフラックス組成物の粘着力アップが狙える。そのため、よりチップ立ち不良を大幅に抑えることができる。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。
すなわち、ハロゲン系活性剤と同様に広い温度域で活性を持たせるために、本発明においては、低分子のジカルボン酸((B1)成分)から高分子のジカルボン酸((B2)成分)を添加して、活性を担保しようとしている。中でも、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸と、(B2)炭素数12以上のジカルボン酸とを併用することで、広い温度域で良好なぬれ性が得られることが分かった。また、フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下となるような配合とすることで、ぬれ性を確保しつつ、チップとフラックス組成物の粘着力アップが狙える。そのため、よりチップ立ち不良を大幅に抑えることができる。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。
[(A)成分]
本実施形態に用いる(A)樹脂としては、ロジン系樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、粘度安定性などの観点から、ロジン系樹脂、またはアクリル樹脂が好ましい。
ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンおよびこれらの誘導体などが挙げられる。水素添加ロジンとしては、完全水添ロジン、部分水添ロジン、並びに、不飽和有機酸((メタ)アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα,β-不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸など)の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物(「水添酸変性ロジン」ともいう)などが挙げられる。これらのロジン系樹脂は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、これらのロジン系樹脂の中でも、完全水添ロジンおよび水添酸変性ロジンを用いることが好ましく、完全水添ロジンと、水添酸変性ロジンとを併用することがより好ましい。
アクリル樹脂としては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の各種エステル、メタクリル酸の各種エステル、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マレイン酸のエステル、無水マレイン酸のエステル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、および酢酸ビニルなどの少なくとも1種のモノマーを重合してなるものである。寒暖の差が激しく冷熱衝撃の大きい環境下であってもフラックス残さの亀裂発生を防止できるという点で、アクリル樹脂が有用である。このアクリル樹脂の中でも、メタクリル酸と炭素数2から6のアルキル基を有するモノマーとを含むモノマー類を重合したアクリル樹脂、更にはメタクリル酸と炭素数2のアルキル基を有するモノマーとを含むモノマー類を重合したアクリル樹脂が好ましい。このようなアクリル樹脂は、形成されるフラックス残さ(フラックス固化物)のべたつきを抑え、かつ良好な亀裂抑制効果を奏する点で好ましい。
本実施形態に用いる(A)樹脂としては、ロジン系樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、粘度安定性などの観点から、ロジン系樹脂、またはアクリル樹脂が好ましい。
ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンおよびこれらの誘導体などが挙げられる。水素添加ロジンとしては、完全水添ロジン、部分水添ロジン、並びに、不飽和有機酸((メタ)アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα,β-不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸など)の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物(「水添酸変性ロジン」ともいう)などが挙げられる。これらのロジン系樹脂は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、これらのロジン系樹脂の中でも、完全水添ロジンおよび水添酸変性ロジンを用いることが好ましく、完全水添ロジンと、水添酸変性ロジンとを併用することがより好ましい。
アクリル樹脂としては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の各種エステル、メタクリル酸の各種エステル、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マレイン酸のエステル、無水マレイン酸のエステル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、および酢酸ビニルなどの少なくとも1種のモノマーを重合してなるものである。寒暖の差が激しく冷熱衝撃の大きい環境下であってもフラックス残さの亀裂発生を防止できるという点で、アクリル樹脂が有用である。このアクリル樹脂の中でも、メタクリル酸と炭素数2から6のアルキル基を有するモノマーとを含むモノマー類を重合したアクリル樹脂、更にはメタクリル酸と炭素数2のアルキル基を有するモノマーとを含むモノマー類を重合したアクリル樹脂が好ましい。このようなアクリル樹脂は、形成されるフラックス残さ(フラックス固化物)のべたつきを抑え、かつ良好な亀裂抑制効果を奏する点で好ましい。
本実施形態において、(A)成分は、(A1)軟化点が100℃以下であるロジン系樹脂を含有することが必要である。この(A1)成分により、フラックスの流動性を向上できる。(A1)成分の軟化点が100℃超である場合には、フラックスの流動性を向上できない。また、同様の観点から、(A1)成分の軟化点は、95℃以下であることが好ましい。(A1)成分の軟化点の下限は、特に限定されない。例えば、(A1)成分の軟化点は、70℃以上であってもよい。
なお、(A1)成分の軟化点を調整する手段としては、(i)ロジンの重合度合を調整すること(重合度合が高くなるほど、軟化点が高くなる傾向にある)、(ii)ロジンの変性方法を変更すること(例えば、アクリル酸やマレイン酸により変性することで、軟化点が高くなる傾向にある)、(iii)ロジンの分子量を調整すること(分子量が高くなるほど、軟化点が高くなる傾向にある)、(iv)ロジンに水素化反応を施すこと、または、(v)ロジンにエステル化反応またはエステル交換反応を施すことなどが挙げられる。
なお、(A1)成分の軟化点を調整する手段としては、(i)ロジンの重合度合を調整すること(重合度合が高くなるほど、軟化点が高くなる傾向にある)、(ii)ロジンの変性方法を変更すること(例えば、アクリル酸やマレイン酸により変性することで、軟化点が高くなる傾向にある)、(iii)ロジンの分子量を調整すること(分子量が高くなるほど、軟化点が高くなる傾向にある)、(iv)ロジンに水素化反応を施すこと、または、(v)ロジンにエステル化反応またはエステル交換反応を施すことなどが挙げられる。
(A1)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、5質量%以上50質量%以下であることが好ましく、8質量%以上45質量%以下であることがより好ましく、10質量%以上40質量%以下であることが特に好ましい。(A1)成分の配合量が前記下限以上であれば、フラックスの流動性を更に向上できる。また、(A1)成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さ量を十分に抑制できる。
(A)成分は、本発明の課題を達成できる範囲において、(A1)成分以外に、その他の樹脂(以下(B2)成分とも称する)をさらに含有してもよい。ただし、(A1)成分の配合量は、(A)成分100質量%に対して、20質量%以上であることが好ましい。
(A)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、30質量%以上70質量%以下であることが好ましく、35質量%以上60質量%以下であることがより好ましい。(A)成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ付ランドの銅箔面の酸化を防止してその表面に溶融はんだを濡れやすくする、いわゆるはんだ付け性を向上でき、はんだボールを十分に抑制できる。また、(A)成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さ量を十分に抑制できる。
[(B)成分]
本実施形態に用いる(B)活性剤は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸を含有することが必要である。この(B1)成分により、低温域でのぬれ性を向上できる。
(B1)成分としては、マロン酸、コハク酸、およびグルタル酸が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、マロン酸、コハク酸、およびグルタル酸の3種を併用することが特に好ましい。
本実施形態に用いる(B)活性剤は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸を含有することが必要である。この(B1)成分により、低温域でのぬれ性を向上できる。
(B1)成分としては、マロン酸、コハク酸、およびグルタル酸が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、マロン酸、コハク酸、およびグルタル酸の3種を併用することが特に好ましい。
(B1)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上12質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上10質量%以下であることがより好ましく、1質量%以上8質量%以下であることがさらにより好ましく、2質量%以上6質量%以下であることが特に好ましい。(B1)成分の配合量が前記下限以上であれば、チップ立ち不良の抑制効果を更に向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。
(B)成分は、さらに(B2)炭素数12以上のジカルボン酸を含有することが必要である。この(B2)成分により、高温域でのぬれ性を向上できる。
(B2)成分としては、ドデカン二酸、エイコサン二酸、およびダイマー酸などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
(B2)成分としては、ドデカン二酸、エイコサン二酸、およびダイマー酸などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
(B2)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上20質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上15質量%以下であることがより好ましく、1質量%以上12質量%以下であることが特に好ましい。(B2)成分の配合量が前記下限以上であれば、高温域でのぬれ性を更に向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。
(B1)成分と(B2)成分との質量比((B1)/(B2))は、1/5以上20以下であることが好ましく、1/4以上12以下であることがより好ましく、1/4以上8以下であることが特に好ましい。
(B)成分は、さらに(B1)成分および(B2)成分以外の有機酸(以下、場合により(B3)成分とも称する)を含有していてもよい。
(B3)成分としては、モノカルボン酸、(B1)成分および(B2)成分以外のジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。これらの中でも、活性作用の観点から、アジピン酸、またはスベリン酸などが好ましく、スベリン酸が特に好ましい。
その他の有機酸としては、トリマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。これらの中でも、ピコリン酸を用いることがより好ましい。
(B3)成分としては、モノカルボン酸、(B1)成分および(B2)成分以外のジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。これらの中でも、活性作用の観点から、アジピン酸、またはスベリン酸などが好ましく、スベリン酸が特に好ましい。
その他の有機酸としては、トリマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。これらの中でも、ピコリン酸を用いることがより好ましい。
(B3)成分を用いる場合、その配合量としては、フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上8質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上5質量%以下であることがより好ましく、1質量%以上3質量%以下であることが特に好ましい。(B3)成分の配合量が前記下限以上であれば、活性作用を向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。
(B)成分は、本発明の課題を達成できる範囲において、(B1)成分~(B3)成分以外に、その他の活性剤(以下(B4)成分とも称する)をさらに含有してもよい。(B4)成分としては、ハロゲン系活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。ただし、(B1)成分~(B3)成分の合計の配合量は、(B)成分100質量%に対して、80質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましく、95質量%以上であることが特に好ましい。
(B)成分の配合量としては、フラックス組成物100質量%に対して、0.5質量%以上20質量%以下であることが好ましく、1質量%以上16質量%以下であることがより好ましく、2質量%以上14質量%以下であることが特に好ましい。(B)成分の配合量が前記下限以上であれば、活性作用を向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。
[(C)成分]
本実施形態に用いる(C)水酸基を有する水酸基含有化合物は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有することが必要である。この(C1)成分により、フラックスの流動性を向上できる。
ここで、熱重量測定の条件は、例えば、昇温速度が10℃/minで、雰囲気が窒素(200mL/min)である。
(C1)成分としては、イソボルニルシクロヘキサノール(240℃での残留率:44質量%)、およびポリオキシアルキレングリコールなどが挙げられる。ポリオキシアルキレングリコールとしては、ポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-ポリエチレングリコールのブロックコポリマー(240℃での残留率:99質量%)などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、印刷性やフラックスの流動性のバランスの観点から、イソボルニルシクロヘキサノールと、ポリオキシアルキレングリコールとを併用することが好ましい。イソボルニルシクロヘキサノールとポリオキシアルキレングリコールとの質量比(イソボルニルシクロヘキサノール/ポリオキシアルキレングリコール)は、1/3以上3以下であることが好ましく、1/2以上2以下であることがより好ましく、1以上3/2以下であることが特に好ましい。
本実施形態に用いる(C)水酸基を有する水酸基含有化合物は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有することが必要である。この(C1)成分により、フラックスの流動性を向上できる。
ここで、熱重量測定の条件は、例えば、昇温速度が10℃/minで、雰囲気が窒素(200mL/min)である。
(C1)成分としては、イソボルニルシクロヘキサノール(240℃での残留率:44質量%)、およびポリオキシアルキレングリコールなどが挙げられる。ポリオキシアルキレングリコールとしては、ポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-ポリエチレングリコールのブロックコポリマー(240℃での残留率:99質量%)などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、印刷性やフラックスの流動性のバランスの観点から、イソボルニルシクロヘキサノールと、ポリオキシアルキレングリコールとを併用することが好ましい。イソボルニルシクロヘキサノールとポリオキシアルキレングリコールとの質量比(イソボルニルシクロヘキサノール/ポリオキシアルキレングリコール)は、1/3以上3以下であることが好ましく、1/2以上2以下であることがより好ましく、1以上3/2以下であることが特に好ましい。
(C1)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、10質量%以上50質量%以下であることが好ましく、20質量%以上40質量%以下であることがより好ましい。(C1)成分の配合量が前記下限以上であれば、フラックスの流動性を向上できる。また、(C1)成分の配合量が前記上限以下であれば、はんだ溶融性を確保できる。
(C)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、10質量%以上50質量%以下であることが好ましく、20質量%以上40質量%以下であることがより好ましい。(C)成分の配合量が前記下限以上であれば、フラックスの流動性を向上できる。また、(C)成分の配合量が前記上限以下であれば、はんだ溶融性を確保できる。
[(D)成分]
本実施形態に係るフラックス組成物は、印刷性などの観点から、さらに(D)チクソ剤を含有することが好ましい。ここで用いるチクソ剤としては、硬化ひまし油、アミド類、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、およびガラスフリットなどが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
本実施形態に係るフラックス組成物は、印刷性などの観点から、さらに(D)チクソ剤を含有することが好ましい。ここで用いるチクソ剤としては、硬化ひまし油、アミド類、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、およびガラスフリットなどが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
(D)成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上20質量%以下であることが好ましく、2質量%以上12質量%以下であることがより好ましい。配合量が前記下限未満では、チクソ性が得られず、ダレが生じやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、チクソ性が高すぎて、印刷不良となりやすい傾向にある。
[溶剤]
本実施形態に係るフラックス組成物は、印刷性などの観点から、さらに溶剤を含有することが好ましい。ここで用いる溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。このような溶剤としては、沸点170℃以上の溶剤を用いることが好ましい。また、グリコール系溶剤が好ましい。
このような溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ヘキシルジグリコール、1,5-ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、2-エチルヘキシルジグリコール、オクタンジオール、フェニルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、およびジブチルマレイン酸などが挙げられる。これらの溶剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
本実施形態に係るフラックス組成物は、印刷性などの観点から、さらに溶剤を含有することが好ましい。ここで用いる溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。このような溶剤としては、沸点170℃以上の溶剤を用いることが好ましい。また、グリコール系溶剤が好ましい。
このような溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ヘキシルジグリコール、1,5-ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、2-エチルヘキシルジグリコール、オクタンジオール、フェニルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、およびジブチルマレイン酸などが挙げられる。これらの溶剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
溶剤を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、10質量%以上50質量%以下であることが好ましい。溶剤の配合量が前記範囲内であれば、得られるはんだ組成物の粘度を適正な範囲に適宜調整できる。
[酸化防止剤]
本実施形態に係るフラックス組成物は、はんだ溶融性などの観点から、さらに酸化防止剤を含有することが好ましい。ここで用いる酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤を適宜用いることができる。酸化防止剤としては、硫黄化合物、ヒンダードフェノール化合物、およびホスファイト化合物などが挙げられる。これらの中でも、ヒンダードフェノール化合物が好ましい。
本実施形態に係るフラックス組成物は、はんだ溶融性などの観点から、さらに酸化防止剤を含有することが好ましい。ここで用いる酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤を適宜用いることができる。酸化防止剤としては、硫黄化合物、ヒンダードフェノール化合物、およびホスファイト化合物などが挙げられる。これらの中でも、ヒンダードフェノール化合物が好ましい。
ヒンダードフェノール化合物としては、ペンタエリトリトールテトラキス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオナート]、ビス[3-(3-tert-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオン酸][エチレンビス(オキシエチレン)]、N,N’-ビス[2-[2-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)エチルカルボニルオキシ]エチル]オキサミド、および、N,N’-ビス{3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオニル}ヒドラジンなどが挙げられる。
酸化防止剤を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上3質量%以下であることがより好ましい。酸化防止剤の配合量が前記下限以上であれば、はんだ溶融性を向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。
[他の成分]
本実施形態に用いるフラックス組成物には、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、溶剤、および酸化防止剤の他に、必要に応じて、その他の添加剤、更には、その他の樹脂を加えることができる。その他の添加剤としては、消泡剤、改質剤、つや消し剤、および発泡剤などが挙げられる。これらの添加剤の配合量としては、フラックス組成物100質量%に対して、0.01質量%以上5質量%以下であることが好ましい。
本実施形態に用いるフラックス組成物には、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、溶剤、および酸化防止剤の他に、必要に応じて、その他の添加剤、更には、その他の樹脂を加えることができる。その他の添加剤としては、消泡剤、改質剤、つや消し剤、および発泡剤などが挙げられる。これらの添加剤の配合量としては、フラックス組成物100質量%に対して、0.01質量%以上5質量%以下であることが好ましい。
[はんだ組成物]
次に、本実施形態に係るはんだ組成物について説明する。本実施形態に係るはんだ組成物は、前述の本実施形態に係るフラックス組成物と、以下説明する(E)はんだ粉末とを含有するものである。
フラックス組成物の配合量は、はんだ組成物100質量%に対して、5質量%以上35質量%以下であることが好ましく、7質量%以上15質量%以下であることがより好ましく、8質量%以上12質量%以下であることが特に好ましい。フラックス組成物の配合量が5質量%未満の場合(はんだ粉末の配合量が95質量%を超える場合)には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物とはんだ粉末とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が35質量%を超える場合(はんだ粉末の配合量が65質量%未満の場合)には、得られるはんだ組成物を用いた場合に、十分なはんだ接合を形成できにくくなる傾向にある。
次に、本実施形態に係るはんだ組成物について説明する。本実施形態に係るはんだ組成物は、前述の本実施形態に係るフラックス組成物と、以下説明する(E)はんだ粉末とを含有するものである。
フラックス組成物の配合量は、はんだ組成物100質量%に対して、5質量%以上35質量%以下であることが好ましく、7質量%以上15質量%以下であることがより好ましく、8質量%以上12質量%以下であることが特に好ましい。フラックス組成物の配合量が5質量%未満の場合(はんだ粉末の配合量が95質量%を超える場合)には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物とはんだ粉末とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が35質量%を超える場合(はんだ粉末の配合量が65質量%未満の場合)には、得られるはんだ組成物を用いた場合に、十分なはんだ接合を形成できにくくなる傾向にある。
本実施形態に係るはんだ組成物は、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンタイプであることが好ましい。そして、プリント配線基板のハロゲンフリーに対応可能なはんだ組成物であっても、ハロゲン系活性剤を用いる場合と同等レベルで、はんだボールの発生を抑制できることから、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンタイプのはんだ組成物として特に好適に用いることができる。
ハロゲンフリーのはんだ組成物は、塩素濃度が900質量ppm以下(より好ましくは、100質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であり、臭素濃度が900質量ppm以下(より好ましくは、100質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下(より好ましくは、100質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下(より好ましくは、300質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であるものであることが好ましい。なお、ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素などが挙げられる。
なお、はんだ組成物中の塩素濃度、臭素濃度およびハロゲン濃度は、JEITA ET-7304Aに記載の方法に準じて測定できる。また、簡易的には、はんだ組成物の配合成分およびその配合量から算出できる。
ハロゲンフリーのはんだ組成物は、塩素濃度が900質量ppm以下(より好ましくは、100質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であり、臭素濃度が900質量ppm以下(より好ましくは、100質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下(より好ましくは、100質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下(より好ましくは、300質量ppm以下、特に好ましくは、0質量ppm)であるものであることが好ましい。なお、ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素などが挙げられる。
なお、はんだ組成物中の塩素濃度、臭素濃度およびハロゲン濃度は、JEITA ET-7304Aに記載の方法に準じて測定できる。また、簡易的には、はんだ組成物の配合成分およびその配合量から算出できる。
[(E)成分]
本実施形態に用いる(E)はんだ粉末は、鉛フリーはんだ粉末のみからなることが好ましいが、有鉛のはんだ粉末であってもよい。また、このはんだ粉末におけるはんだ合金は、スズ(Sn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、銀(Ag)、アンチモン(Sb)、鉛(Pb)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)およびゲルマニウム(Ge)からなる群から選択される少なくとも1種を含有することが好ましい。
このはんだ粉末におけるはんだ合金としては、スズを主成分とする合金が好ましい。また、このはんだ合金は、スズ、銀および銅を含有することがより好ましい。さらに、このはんだ合金は、添加元素として、アンチモン、ビスマスおよびニッケルのうちの少なくとも1つを含有してもよい。本実施形態のフラックス組成物によれば、アンチモン、ビスマスおよびニッケルなどの酸化しやすい添加元素を含むはんだ合金を用いた場合でも、ボイドの発生を抑制できる。
ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、300質量ppm以下であることが好ましい。
本実施形態に用いる(E)はんだ粉末は、鉛フリーはんだ粉末のみからなることが好ましいが、有鉛のはんだ粉末であってもよい。また、このはんだ粉末におけるはんだ合金は、スズ(Sn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、銀(Ag)、アンチモン(Sb)、鉛(Pb)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)およびゲルマニウム(Ge)からなる群から選択される少なくとも1種を含有することが好ましい。
このはんだ粉末におけるはんだ合金としては、スズを主成分とする合金が好ましい。また、このはんだ合金は、スズ、銀および銅を含有することがより好ましい。さらに、このはんだ合金は、添加元素として、アンチモン、ビスマスおよびニッケルのうちの少なくとも1つを含有してもよい。本実施形態のフラックス組成物によれば、アンチモン、ビスマスおよびニッケルなどの酸化しやすい添加元素を含むはんだ合金を用いた場合でも、ボイドの発生を抑制できる。
ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、300質量ppm以下であることが好ましい。
鉛フリーのはんだ粉末の合金系としては、具体的には、Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系、Sn-Ag系、Sn-Bi系、Sn-Sb系、Sn-Ag-Bi系、Sn-Ag-Sb-Bi系、Sn-Ag-Cu-Bi系、Sn-Ag-Cu-Ni系、Sn-Ag-Cu-Bi-Sb系、Sn-Ag-Bi-In系、Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb系などが挙げられる。これらの中でも、はんだ接合の強度の観点から、Sn-Ag-Cu系のはんだ合金が好ましく用いられている。そして、Sn-Ag-Cu系のはんだの融点は、通常200℃以上250℃以下である。なお、Sn-Ag-Cu系のはんだの中でも、銀含有量が低い系のはんだの融点は、210℃以上250℃以下(より好ましくは、220℃以上240℃以下)である。Sn-Ag-Cu系のはんだ合金は、特にSn-3.0Ag-0.5Cuの合金が用いられ、Sn-Sb系のはんだ合金は、中でも、Sb-5.0Sbのはんだ合金が用いられる。
(E)成分の平均粒子径は、通常1μm以上40μm以下であるが、はんだ付けパッドのピッチが狭い電子基板にも対応するという観点から、1μm以上35μm以下であることがより好ましく、2μm以上35μm以下であることがさらにより好ましく、3μm以上32μm以下であることが特に好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。
[はんだ組成物の製造方法]
本実施形態のはんだ組成物は、上記説明したフラックス組成物と上記説明した(E)はんだ粉末とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
本実施形態のはんだ組成物は、上記説明したフラックス組成物と上記説明した(E)はんだ粉末とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
[電子基板]
次に、本実施形態に係る電子基板について説明する。本実施形態に係る電子基板は、前述の本実施形態に係るはんだ組成物を用いたはんだ付け部を備えることを特徴とするものである。本実施形態に係る電子基板は、前記はんだ組成物を用いて電子部品を電子基板(プリント配線基板など)に実装することで製造できる。
ここで用いる塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、およびジェットディスペンサーなどが挙げられる。
また、塗布装置にて塗布したはんだ組成物上に電子部品を配置し、リフロー炉により所定条件にて加熱して、電子部品をプリント配線基板に実装するリフロー工程により、電子部品を電子基板に実装できる。
次に、本実施形態に係る電子基板について説明する。本実施形態に係る電子基板は、前述の本実施形態に係るはんだ組成物を用いたはんだ付け部を備えることを特徴とするものである。本実施形態に係る電子基板は、前記はんだ組成物を用いて電子部品を電子基板(プリント配線基板など)に実装することで製造できる。
ここで用いる塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、およびジェットディスペンサーなどが挙げられる。
また、塗布装置にて塗布したはんだ組成物上に電子部品を配置し、リフロー炉により所定条件にて加熱して、電子部品をプリント配線基板に実装するリフロー工程により、電子部品を電子基板に実装できる。
リフロー工程においては、はんだ組成物上に電子部品を配置し、リフロー炉により所定条件にて加熱する。このリフロー工程により、電子部品およびプリント配線基板の間に十分なはんだ接合を行うことができる。その結果、電子部品をプリント配線基板に実装することができる。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Sn-Ag-Cu系のはんだ合金を用いる場合、プリヒート温度は、150℃以上200℃以下であることが好ましい。プリヒート時間は、60秒間以上120秒間以下であることが好ましい。ピーク温度を230℃以上270℃以下であることが好ましい。220℃以上の温度の保持時間は、30秒間以上120秒間以下であることが好ましい。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Sn-Ag-Cu系のはんだ合金を用いる場合、プリヒート温度は、150℃以上200℃以下であることが好ましい。プリヒート時間は、60秒間以上120秒間以下であることが好ましい。ピーク温度を230℃以上270℃以下であることが好ましい。220℃以上の温度の保持時間は、30秒間以上120秒間以下であることが好ましい。
また、本実施形態に係るフラックス組成物、はんだ組成物および電子基板は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
例えば、前記電子基板では、リフロー工程により、プリント配線基板と電子部品とを接着しているが、これに限定されない。例えば、リフロー工程に代えて、レーザー光を用いてはんだ組成物を加熱する工程(レーザー加熱工程)により、プリント配線基板と電子部品とを接着してもよい。この場合、レーザー光源としては、特に限定されず、金属の吸収帯に合わせた波長に応じて適宜採用できる。レーザー光源としては、例えば、固体レーザー(ルビー、ガラス、YAGなど)、半導体レーザー(GaAs、およびInGaAsPなど)、液体レーザー(色素など)、並びに、気体レーザー(He-Ne、Ar、CO2、およびエキシマーなど)が挙げられる。
例えば、前記電子基板では、リフロー工程により、プリント配線基板と電子部品とを接着しているが、これに限定されない。例えば、リフロー工程に代えて、レーザー光を用いてはんだ組成物を加熱する工程(レーザー加熱工程)により、プリント配線基板と電子部品とを接着してもよい。この場合、レーザー光源としては、特に限定されず、金属の吸収帯に合わせた波長に応じて適宜採用できる。レーザー光源としては、例えば、固体レーザー(ルビー、ガラス、YAGなど)、半導体レーザー(GaAs、およびInGaAsPなど)、液体レーザー(色素など)、並びに、気体レーザー(He-Ne、Ar、CO2、およびエキシマーなど)が挙げられる。
次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
((A1)成分)
ロジン系樹脂A:特殊変性ロジン(軟化点は85℃~95℃)、商品名「ハリタックFG-90」、ハリマ化成社製
ロジン系樹脂B:ホルミル化ロジン(軟化点は79℃~88℃)、商品名「FORAL-AX」、イーストマンケミカル社製
((A2)成分)
ロジン系樹脂C:アクリル酸変性水添ロジン(軟化点は124℃~134℃)、商品名「パインクリスタルKE-604」、荒川化学工業社製
((B1)成分)
ジカルボン酸A:マロン酸
ジカルボン酸B:コハク酸
ジカルボン酸C:グルタル酸
((B2)成分)
ジカルボン酸D:ドデカン二酸
ジカルボン酸E:ダイマー酸
((B3)成分)
有機酸A:アジピン酸
有機酸B:セバシン酸
((C1)成分)
水酸基含有化合物A:イソボルニルシクロヘキサノール(熱重量測定における240℃での残留率は44質量%)、商品名「MTPH」、日本テルペン化学社製
水酸基含有化合物B:ポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-ポリエチレングリコールのブロックコポリマー(熱重量測定における240℃での残留率は99質量%)
((D)成分)
チクソ剤:商品名「ヒマコウ」、ケイエフ・トレーディング社製
(他の成分)
溶剤:ヘキシルジグリコール、日本乳化剤社製
((E)成分)
はんだ粉末A:合金組成はSn-5Sb、粒子径分布は5~20μm、はんだ融点は238~241℃
はんだ粉末B:合金組成はSn-3.0Ag-0.5Cu、粒子径分布は1~12μm、はんだ融点は217~220℃
((A1)成分)
ロジン系樹脂A:特殊変性ロジン(軟化点は85℃~95℃)、商品名「ハリタックFG-90」、ハリマ化成社製
ロジン系樹脂B:ホルミル化ロジン(軟化点は79℃~88℃)、商品名「FORAL-AX」、イーストマンケミカル社製
((A2)成分)
ロジン系樹脂C:アクリル酸変性水添ロジン(軟化点は124℃~134℃)、商品名「パインクリスタルKE-604」、荒川化学工業社製
((B1)成分)
ジカルボン酸A:マロン酸
ジカルボン酸B:コハク酸
ジカルボン酸C:グルタル酸
((B2)成分)
ジカルボン酸D:ドデカン二酸
ジカルボン酸E:ダイマー酸
((B3)成分)
有機酸A:アジピン酸
有機酸B:セバシン酸
((C1)成分)
水酸基含有化合物A:イソボルニルシクロヘキサノール(熱重量測定における240℃での残留率は44質量%)、商品名「MTPH」、日本テルペン化学社製
水酸基含有化合物B:ポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-ポリエチレングリコールのブロックコポリマー(熱重量測定における240℃での残留率は99質量%)
((D)成分)
チクソ剤:商品名「ヒマコウ」、ケイエフ・トレーディング社製
(他の成分)
溶剤:ヘキシルジグリコール、日本乳化剤社製
((E)成分)
はんだ粉末A:合金組成はSn-5Sb、粒子径分布は5~20μm、はんだ融点は238~241℃
はんだ粉末B:合金組成はSn-3.0Ag-0.5Cu、粒子径分布は1~12μm、はんだ融点は217~220℃
[実施例1]
ロジン系樹脂A24質量%、ロジン系樹脂B12質量%、水酸基含有化合物A19質量%、水酸基含有化合物B15質量%、ジカルボン酸A0.6質量%、ジカルボン酸B0.3質量%、ジカルボン酸C3質量%、ジカルボン酸D0.5質量%、溶剤16.6質量%、およびチクソ剤9質量%を容器に投入し、プラネタリーミキサーを用いて混合してフラックス組成物を得た。
その後、得られたフラックス組成物12質量%、およびはんだ粉末A88質量%(合計で100質量%)を容器に投入し、プラネタリーミキサーにて混合することではんだ組成物を調製した。
ロジン系樹脂A24質量%、ロジン系樹脂B12質量%、水酸基含有化合物A19質量%、水酸基含有化合物B15質量%、ジカルボン酸A0.6質量%、ジカルボン酸B0.3質量%、ジカルボン酸C3質量%、ジカルボン酸D0.5質量%、溶剤16.6質量%、およびチクソ剤9質量%を容器に投入し、プラネタリーミキサーを用いて混合してフラックス組成物を得た。
その後、得られたフラックス組成物12質量%、およびはんだ粉末A88質量%(合計で100質量%)を容器に投入し、プラネタリーミキサーにて混合することではんだ組成物を調製した。
[実施例2~10]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、はんだ組成物を得た。
[比較例1~4]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、はんだ組成物を得た。
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、はんだ組成物を得た。
[比較例1~4]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、はんだ組成物を得た。
<フラックス組成物およびはんだ組成物の評価>
フラックス組成物およびはんだ組成物の評価(熱重量測定、チップへのぬれ、チップ立ち)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)フラックス組成物の熱重量測定(TGA)
フラックス組成物を試料として、熱重量測定装置(日立ハイテクサイエンス社製の「STA7200RV」)を用いて、試料の熱重量測定を行った。熱重量測定の条件は、昇温速度が10℃/minで、雰囲気が窒素(200mL/min)である。そして、以下の以下の基準に従って、フラックス組成物を評価した。なお、実施例1および比較例1の測定結果については、図1に示す。
○:250℃での重量減少率が、40質量%以下である。
×:250℃での重量減少率が、40質量%超である。
(2)チップへのぬれ
基板上に、マスク厚み100μm、マスク開口率100%のメタルマスクを用いて、はんだ組成物を印刷した。次に、チップコンデンサ(サイズ:0603、0402、個数:各80個)を実装し、さらに、下記の加熱条件Aまたは加熱条件Bでリフロー処理を行い、評価用基板を作製した。なお、はんだ組成物が、Sn-Sb系はんだ粉末を使用している場合は、加熱条件Aで、Sn-Ag-Cu系はんだ粉末を使用している場合は、加熱条件Bである。
(加熱条件A)
リフロー装置:タムラ製作所社製の「TNP25-538EM」、O2濃度50ppm以下
プリヒート温度:140~200℃で80秒間
235℃以上の保持時間:45秒間
ピーク温度:259℃
(加熱条件B)
リフロー装置:タムラ製作所社製の「TNP25-538EM」、O2濃度50ppm以下
プリヒート温度:140~200℃で80秒間
220℃以上の保持時間:60秒間
ピーク温度:245℃
そして、観察装置として、キーエンス社製の「デジタルマイクロスコープVHX-900」を使用して、0603チップ(18個)の側面部分を観察し、側面のぬれ上がり率[(はんだのぬれ上がり高さ/チップ高さ)×100]を計測し、その標準偏差を算出した。そして、以下の基準に従って、チップへのぬれを評価した。
ぬれ上がり率=(はんだのぬれ上がり高さ)/(チップ高さ)*100
◎:標準偏差が、4%未満である。
○:標準偏差が、4%以上6%未満である。
△:標準偏差が、6%以上8%未満である。
×:標準偏差が、8%以上である。
(3)チップ立ち
評価用基板は、(2)チップへのぬれの評価と同様の方法で作製した。
そして、評価用基板の0402チップ(80個)を観察し、チップ立ちの発生数をカウントし、以下の基準に従って、チップ立ちを評価した。
◎:チップ立ちの発生数が、2個以下である。
○:チップ立ちの発生数が、3個以上5個以下である。
△:チップ立ちの発生数が、6個以上9個以下である。
×:チップ立ちの発生数が、10個以上である。
フラックス組成物およびはんだ組成物の評価(熱重量測定、チップへのぬれ、チップ立ち)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)フラックス組成物の熱重量測定(TGA)
フラックス組成物を試料として、熱重量測定装置(日立ハイテクサイエンス社製の「STA7200RV」)を用いて、試料の熱重量測定を行った。熱重量測定の条件は、昇温速度が10℃/minで、雰囲気が窒素(200mL/min)である。そして、以下の以下の基準に従って、フラックス組成物を評価した。なお、実施例1および比較例1の測定結果については、図1に示す。
○:250℃での重量減少率が、40質量%以下である。
×:250℃での重量減少率が、40質量%超である。
(2)チップへのぬれ
基板上に、マスク厚み100μm、マスク開口率100%のメタルマスクを用いて、はんだ組成物を印刷した。次に、チップコンデンサ(サイズ:0603、0402、個数:各80個)を実装し、さらに、下記の加熱条件Aまたは加熱条件Bでリフロー処理を行い、評価用基板を作製した。なお、はんだ組成物が、Sn-Sb系はんだ粉末を使用している場合は、加熱条件Aで、Sn-Ag-Cu系はんだ粉末を使用している場合は、加熱条件Bである。
(加熱条件A)
リフロー装置:タムラ製作所社製の「TNP25-538EM」、O2濃度50ppm以下
プリヒート温度:140~200℃で80秒間
235℃以上の保持時間:45秒間
ピーク温度:259℃
(加熱条件B)
リフロー装置:タムラ製作所社製の「TNP25-538EM」、O2濃度50ppm以下
プリヒート温度:140~200℃で80秒間
220℃以上の保持時間:60秒間
ピーク温度:245℃
そして、観察装置として、キーエンス社製の「デジタルマイクロスコープVHX-900」を使用して、0603チップ(18個)の側面部分を観察し、側面のぬれ上がり率[(はんだのぬれ上がり高さ/チップ高さ)×100]を計測し、その標準偏差を算出した。そして、以下の基準に従って、チップへのぬれを評価した。
ぬれ上がり率=(はんだのぬれ上がり高さ)/(チップ高さ)*100
◎:標準偏差が、4%未満である。
○:標準偏差が、4%以上6%未満である。
△:標準偏差が、6%以上8%未満である。
×:標準偏差が、8%以上である。
(3)チップ立ち
評価用基板は、(2)チップへのぬれの評価と同様の方法で作製した。
そして、評価用基板の0402チップ(80個)を観察し、チップ立ちの発生数をカウントし、以下の基準に従って、チップ立ちを評価した。
◎:チップ立ちの発生数が、2個以下である。
○:チップ立ちの発生数が、3個以上5個以下である。
△:チップ立ちの発生数が、6個以上9個以下である。
×:チップ立ちの発生数が、10個以上である。
表1に示す結果からも明らかなように、本発明のはんだ組成物(実施例1~10)は、チップへのぬれ、およびチップ立ちの全ての結果が良好であることが確認された。なお、実施例1~10のはんだ組成物には、ハロゲン系活性剤が配合されていないので、ノンハロゲンタイプのはんだ組成物である。
従って、本発明のはんだ組成物によれば、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンタイプであるにも拘わらず、チップへのぬれ性を確保しつつ、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できることが確認された。
従って、本発明のはんだ組成物によれば、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンタイプであるにも拘わらず、チップへのぬれ性を確保しつつ、チップ立ち不良の発生を十分に抑制できることが確認された。
本発明のフラックス組成物およびはんだ組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として好適に用いることができる。
Claims (6)
- (A)樹脂、(B)活性剤、および(C)水酸基を有する水酸基含有化合物を含有するフラックス組成物であって、
前記(A)成分は、(A1)軟化点が100℃以下であるロジン系樹脂を含有し、
前記(B)成分は、(B1)炭素数3以上5以下のジカルボン酸、および(B2)炭素数12以上のジカルボン酸を含有し、
前記(C)成分は、(C1)熱重量測定における240℃での残留率が40質量%以上である水酸基含有化合物を含有し、
前記フラックス組成物の熱重量測定における250℃での重量減少率が40質量%以下である、
フラックス組成物。 - 請求項1に記載のフラックス組成物において、
前記(C1)成分が、イソボルニルシクロヘキサノール、およびポリオキシアルキレングリコールからなる群から選択される少なくとも1つである、
フラックス組成物。 - 請求項1または請求項2に記載のフラックス組成物において、
さらに、(D)チクソ剤を含有する、
フラックス組成物。 - 請求項1または請求項2に記載のフラックス組成物と、(E)はんだ粉末とを含有する、
はんだ組成物。 - 請求項4に記載のはんだ組成物において、
前記はんだ組成物は、塩素濃度が900質量ppm以下であり、臭素濃度が900質量ppm以下であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下であるものである、
はんだ組成物。 - 請求項4に記載のはんだ組成物を用いたはんだ付け部を備える、
電子基板。
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