JP2024044384A - ＳｉＣエピタキシャル成長装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハ面内温度の均一性を向上させるＳｉＣエピタキシャル成長装置を得ることを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置は、ウェハを載置できる載置面を有するサセプタと、前記サセプタの前記載置面と反対側に、前記サセプタと離間して設けられたヒータと、平面視で前記ウェハの外周部と重なる位置において、前記サセプタの前記載置面と対向する裏面に接触している円環状の高熱伝導部材と、を備え、前記高熱伝導部材と前記ウェハとが平面視で同心円状に配置され、前記高熱伝導部材の前記サセプタと接触している面の外周の半径は、前記ウェハの半径の１００～１１０％の範囲であり、前記高熱伝導部材の厚みは、２ｍｍ以上かつ前記サセプタの前記裏面と前記ヒータの最下端の距離以下の厚みであり、前記高熱伝導部材の最下端の内周の半径が前記ウェハ半径の１１０％以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、ＳｉＣエピタキシャル成長装置に関する。

炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きい。また、炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。そのため炭化珪素（ＳｉＣ）は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。

ＳｉＣデバイスの実用化の促進には、高品質のＳｉＣエピタキシャルウェハ、及び高品質のエピタキシャル成長技術の確立が不可欠である。

ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣエピタキシャル層を積層することで得られる。以下、ＳｉＣエピタキシャル層を積層前の基板をＳｉＣ基板と称し、ＳｉＣエピタキシャル層を積層後の基板をＳｉＣエピタキシャルウェハと称する。ＳｉＣ基板は、ＳｉＣインゴットから切り出される。

ＳｉＣエピタキシャル膜は、１５００℃程度の極めて高温で成長する。成長温度は、エピタキシャル膜の膜厚、性質に大きな影響を及ぼす。そのため、ウェハ面内の温度分布を均一にすることが求められる。しかし、成膜空間内にヒータを配置し、その上方にウェハを配置するＳｉＣエピタキシャル成長装置では、ヒータ外周部からの放熱量が大きいため、ウェハ外周部の温度が中央部の温度より低くなるという課題がある。例えば、特許文献１には、放射部材をサセプタの裏に貼り付けることで、エピタキシャル成長時のウェハ面内の温度分布を均一にできるＳｉＣエピタキシャル成長装置が記載されている。

特許第７０１２５１８号

ＳｉＣエピタキシャルウェハを直径８インチ（２００ｍｍ）以上のサイズに大型化する試みが進められているが、ウェハサイズの大型化に伴い、ウェハ面内の温度分布を均一にすることがさらに困難になる。また、成長装置の大型化が必要になるが、全ての部材を大型化するためには時間を要するうえに、大幅にコストアップするおそれがある。特にヒータの改造についてはこのような問題が顕著に現れる。そのため、極力ヒータの仕様を変更せずに、ウェハ面内の温度分布を一様にできる構造が求められる。

しかし、特許文献１に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置では、ウェハ面内方向の温度差を十分抑制できないという問題があった。

本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、ヒータユニットの構造や制御方法などの仕様を変えずに、大口径ウェハの外周部の温度を上昇させ、ウェハ面内温度の均一性を向上させるＳｉＣエピタキシャル成長装置を得ることを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するために、以下に示す構成を備える。

（１）本発明の態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置は、ウェハを載置できる載置面を有するサセプタと、前記サセプタの前記載置面と反対側に、前記サセプタと離間して設けられたヒータと、平面視で前記ウェハの外周部と重なる位置において、前記サセプタの前記載置面と対向する裏面に接触している円環状の高熱伝導部材と、を備え、前記高熱伝導部材と前記ウェハとが平面視で同心円状に配置され、前記高熱伝導部材の前記サセプタと接触している面の外周の半径は、前記ウェハの半径の１００～１１０％の範囲であり、前記高熱伝導部材の厚みは、２ｍｍ以上かつ前記サセプタの前記裏面と前記ヒータの最下端の距離以下の厚みであり、前記高熱伝導部材の最下端の内周の半径が前記ウェハ半径の１１０％以下である。

（２）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置は、前記ヒータの半径が、前記ウェハの半径の７５～１００％の範囲であり、前記高熱伝導部材の最下端の内周の半径が前記ヒータの半径の１０５％以上であってもよい。

（３）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置は、前記高熱伝導部材の前記サセプタと接触している面の内周の半径が、前記ウェハの半径の８０％以上１００％未満の範囲であってもよい。

（４）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置は、前記高熱伝導部材の中心軸を通る断面形状が直角三角形であり、前記高熱伝導部材の前記サセプタと接触している面の外周の半径と、前記高熱伝導部材の最下端の半径が等しくてもよい。

（５）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置は、１０００℃以上の温度域において、前記高熱伝導部材の熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であってもよい。

本発明の実施様態に係るＳｉＣエピタキシャル成長装置によれば、ウェハの外周部の温度を上昇させ、ウェハ面内の温度均一性を向上させることができる。

実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の断面模式図である。 ＳｉＣエピタキシャル成長装置の一例の要部を拡大した断面模式図である。 実施形態の他の例の要部の断面模式図である。 実施形態の他の例の要部の断面模式図である。 実施例１と比較例１のウェハ表面の温度分布を示す図である。 実施例１～３及び比較例２のウェハ表面の温度分布を示す図である。 実施例２と比較例３のウェハ表面の温度分布を示す図である。 実施例４と実施例５のウェハ表面の温度分布を示す図である。 実施例６～８のウェハ表面の温度分布を示す図である。 実施例３、及び実施例９～１１のウェハ表面の温度分布を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲で適宜変更して実施することが可能である。

図１は、実施形態に係るＳｉＣエピタキシャル成長装置１００の断面模式図である。図１に示すＳｉＣエピタキシャル成長装置１００は、成膜空間Ｋを形成するチャンバー１を備える。チャンバー１は、ガスを供給するガス供給口２と、ガスを排出するガス排出口３とを有する。成膜空間Ｋ内には、ウェハＷを水平に載置するためのサセプタ１０とヒータ１２と高熱伝導部材１４とが設けられている。また、サセプタ１０は、外周支持部１６によって支持されている。以下、サセプタ１０の載置面に対して垂直な方向をｚ方向、載置面で直交する任意の二方向をｘ方向、ｙ方向とする。

ウェハＷのサイズは、特に問わない。ウェハＷの直径は、例えば、２００ｍｍ以上でもよいし、２５０ｍｍ以上でもよいし、３００ｍｍ以上でもよい。

図２は、図１に示したＳｉＣエピタキシャル成長装置の要部を拡大した断面模式図である。ＣＬは中心線を示す。サセプタ１０は、載置面１０ａにウェハＷを載置できる。サセプタ１０は、載置面１０ａにウェハ載置領域を有する。ウェハ載置領域は、ウェハが載置された際にウェハと載置面とが接する領域であり、ウェハ載置領域の外周端とサセプタに載置されるウェハの外周端とが一致し、かつウェハ載置領域とウェハとの半径及び直径がそれぞれ一致する。サセプタ１０は、公知のものを用いることができる。サセプタ１０は、１５００℃を超える高温に対して耐熱性を有し、原料ガスと反応性が低い材料により構成される。例えば、Ｔａ、ＴａＣ、ＴａＣコートカーボン、ＴａＣコートＴａ、黒鉛等が用いられる。

ヒータ１２は、サセプタ１０の載置面１０ａと対向する裏面１０ｂ側に離間して設けられている。ヒータ１２は公知のものを用いることができる。ヒータ１２は、ｚ方向からの平面視で、サセプタ１０及びウェハＷに対して同心円状に配置されていることが好ましい。サセプタ１０及びウェハＷと同じ中心軸に対して同心円状に配置されることで、ウェハＷの均熱性を高めることができる。

高熱伝導部材１４は、中央部に開口部を有する円環状の部材である。高熱伝導部材１４は、ｚ方向からの平面視でウェハＷに対して同心円状に配置され、高熱伝導部材１４の接触面１４ａは、サセプタ１０の裏面１０ｂに接触している。高熱伝導部材１４の接触面１４ａが、ウェハＷに対して同心円状にサセプタ１０の裏面１０ｂに接触していることで、熱伝導によりウェハＷの端部温度を均等に上げることができる。

高熱伝導部材１４の接触面１４ａの外周端１４ｒ１の半径Ｒ１は、ウェハＷの半径の１００～１１０％の範囲である。熱伝導性の優れる高熱伝導部材１４の外周端１４ｒ１が当該範囲内にあることで、ウェハＷの外周温度が中央部に対して低くなることを抑制できる。

高熱伝導部材１４の厚みＨ１は、２ｍｍ以上である。かつ、高熱伝導部材１４の厚みＨ１は、サセプタ１０の裏面１０ｂとヒータ１２の裏面１２ｂとの距離Ｈ２以下であり、すなわち、高熱伝導部材１４の最下端の位置が前記ヒータの最下端よりも同じか高い位置にある。高熱伝導部材１４に当該範囲の厚みがあることで、より効率的に吸熱し、ウェハＷの外周部に温度を伝えることができる。そのため、ヒータ１２の半径がウェハＷの半径より小さな場合においても、ウェハＷの端部温度の低下を抑制することができる。高熱伝導部材１４の厚みＨ１は、好ましくは５ｍｍ以上であり、より好ましくは７ｍｍ以上であり、さらに好ましくは１０ｍｍ以上である。

ヒータ１２の半径は、ウェハＷの半径の７５～１００％の範囲であることが好ましく、７５～９０％の範囲がより好ましく、７５～８０％の範囲がさらに好ましい。ヒータ１２の半径がウェハＷの半径より大きいと、ＳｉＣエピタキシャル成長装置１００が大型化することに加え、ウェハＷを加熱するために余計な電力を消費するため、コストアップのおそれがある。ヒータ１２の半径をウェハＷの半径より小さくすることで、ＳｉＣエピタキシャル成長装置１００を大型化する際のコストを削減できる。例えば、ウェハＷの直径が２００ｍｍの場合はヒータの直径が１５０ｍｍ、ウェハＷの直径が２５０ｍｍの場合はヒータの直径が２００ｍｍ、ウェハＷの直径が３００ｍｍの場合はヒータの直径が２５０ｍｍとすることができる。

高熱伝導部材１４の最下端１４ｒ３の半径Ｒ３は、ウェハＷの半径の１１０％以下である。高熱伝導部材１４の最下端１４ｒ３がウェハＷより突出しすぎると、吸収した熱がウェハＷより外側から逃げやすくなる。また、ＳｉＣエピタキシャル成長装置１００が大型化してしまうため、望ましくない。

高熱伝導部材１４の最下端１４ｒ３の半径Ｒ３は、ヒータ１２の半径の１０５％以上であることが好ましい。高熱伝導部材１４の最下端１４ｒ３の半径Ｒ３が当該範囲内であることで、効率的にヒータ１２からの輻射熱を受け取り、ウェハＷの外周部へ熱を伝えやすくなる。

高熱伝導部材１４の接触面１４ａの内周端１４ｒ２の半径Ｒ２は、ウェハＷの半径の８０％以上１００％未満の範囲であることが好ましい。高熱伝導部材１４の接触面１４ａの内周１４ｒ２の半径Ｒ２が当該範囲内であれば、ウェハＷの面内方向の温度をより均一にすることができる。

高熱伝導部材１４の接触面１４ａの外周端１４ｒ１と最下端１４ｒ３は、ｚ方向からの平面視で一致している、すなわち、断面形状が直角三角形であることがより好ましい。直角三角形を構成する斜辺をなす面がヒータ１２に対向することにより、ヒータ１２から受ける輻射熱が増えるため、ウェハＷの面内の温度差をより小さくすることができる。

高熱伝導部材１４は、１０００℃以上の温度域において、熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることが好ましい。高熱伝導部材１４の熱伝導率が高いほど、ウェハＷの外周部の温度が上がりやすくなる。例えば、高熱伝導部材１４には黒鉛、ＳｉＣコートカーボン、ＴａＣコートカーボン等を用いる。

図２に示す、本実施形態のＳｉＣエピタキシャル成長装置の一例の高熱伝導部材１４の中心軸ＣＬを通る断面形状は三角形であるが、その他の形状であってもよい。図３と図４は、高熱伝導部材１４を有するＳｉＣエピタキシャル成長装置において、高熱伝導部材１４の中心軸ＣＬを通る断面形状が図２と異なる実施形態の他の例の要部の断面模式図である。

図３に示す高熱伝導部材１４は、高熱伝導部材１４の中心軸ＣＬを通る断面形状は長方形である点が、図２に示した高熱伝導部材１４と異なる。

図４に示す高熱伝導部材１４の中心軸ＣＬを通る断面形状は四角形であり、高熱伝導部材１４の下部が水平であり、高熱伝導部材１４の最下端かつ内周端を１４ｒ３とした点が、図２に示した高熱伝導部材１４と異なる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

（実施例１）
図３に示す構成のＳｉＣエピタキシャル成長装置を用いた際のウェハ表面の温度状態をシミュレーションにより求めた。シミュレーションには、汎用熱流体解析ソフトウェアＡＮＳＹＳ Ｆｌｕｅｎｔ（登録商標）を用いた。シミュレーションは計算負荷を低減するために、中心軸を通る任意の断面の半分の構造を扱い、二次元でのシミュレーションを実施した。シミュレーション条件は以下の通りである。
ウェハＷの半径：１００ｍｍ
ヒータ１２の半径：７５ｍｍ
高熱伝導部材１４の断面形状：図３
高熱伝導部材１４の接触面１４ａの外周端１４ｒ１の半径Ｒ１：１０５ｍｍ
高熱伝導部材１４の接触面１４ａの内周端１４ｒ２の半径Ｒ２：９７ｍｍ
高熱伝導部材１４の厚みＨ１：２ｍｍ
サセプタ１０の裏面１０ｂとヒータ１２の裏面１２ｂとの距離Ｈ２：２７．７ｍｍ
高熱伝導部材１４の熱伝導率：６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）
当該条件の基、ウェハの表面温度の面内分布を求めた。

（比較例１）
比較例１は、高熱伝導部材１４を設けなかった点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。

図５は、実施例１と比較例１のシミュレーション結果を示す図である。図５において、横軸がウェハ中心からの径方向の位置ｒ、縦軸がその地点でのウェハ表面の中心との温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）である。ここで、Ｔ（ｒ）は位置ｒにおけるウェハ表面温度、Ｔ（０）はウェハ中心の表面温度を示している。図５に示すように、高熱伝導部材１４をサセプタ１０の裏面１０ｂに接触させることで、ウェハの外周部の温度低下が抑制された。

（実施例２）
実施例２は、高熱伝導部材１４の厚みＨ１を７ｍｍとした点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。

（実施例３）
実施例３は、高熱伝導部材１４の厚みＨ１を２０ｍｍとした点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。

（比較例２）
比較例２は、高熱伝導部材１４の厚みＨ１を０．５ｍｍとした点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。

図６は、実施例１～３、及び比較例２のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハ中心からの径方向の位置ｒ、縦軸がその地点でのウェハ表面の中心との温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）である。図６に示すように、高熱伝導部材１４が２ｍｍ以上の厚みを有すると、ウェハ面内の温度分布がより均一となることが分かる。

（比較例３）
比較例３は、高熱伝導部材１４の接触面１４ａの外周端１４ｒ１の半径Ｒ１を９０ｍｍ、高熱伝導部材１４の接触面１４ａの内周端１４ｒ２の半径Ｒ２を８２ｍｍとした点が実施例２と異なる。その他の条件は実施例２と同様にした。

図７は、実施例２と比較例３のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハ中心からの径方向の位置ｒ、縦軸がその地点でのウェハ表面の中心との温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）である。図７に示すように、高熱伝導部材１４の接触位置によって、ウェハ面内の温度分布は異なる。比較例３のように、Ｒ１＝９０ｍｍの高熱伝導部材１４をサセプタ１４の裏面１４ｂに接触させた場合、ウェハ中心から径方向９０ｍｍまでの温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）は小さいが、径方向９０ｍｍ以遠の外周における温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）は急激に大きくなるため、ウェハ面内の温度分布を十分抑制できないことが分かる。

（実施例４）
高熱伝導部材１４の断面形状が図４である場合のＳｉＣエピタキシャル成長装置において、ウェハ面内の温度分布をシミュレーションにより求めた。
実施例４は、断面形状が図４であり、高熱伝導部材１４の最下端かつ内周端１４ｒ３の半径Ｒ３を８０ｍｍ、高熱伝導部材１４の厚みＨ１を１０ｍｍとした点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。実施例４における高熱伝導部材１４の断面形状は、より正確には平行四辺形である。

（実施例５）
実施例５は、高熱伝導部材１４の最下端かつ内周端１４ｒ３の半径Ｒ３を９０ｍｍとした点が実施例４と異なる。その他の条件は実施例４と同様にした。

図８は、実施例４と実施例５のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハ中心からの径方向の位置ｒ、縦軸がその地点でのウェハ表面の中心との温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）である。図８に示すように、高熱伝導部材１４の断面が図４に示す鈍角である角を有する凸四角形の形状であると、ウェハ外周部の温度低下が抑制される。さらに、高熱伝導部材１４の最下端１４ｒ３の半径Ｒ３が、ヒータ半径の１０５％以上であることで、ヒータ１２からの輻射熱を効率的に受け取り、ウェハの外周部に熱を伝えることができる。

（実施例６）
高熱伝導部材１４の断面形状が図２である場合のＳｉＣエピタキシャル成長装置において、ウェハ面内の温度分布をシミュレーションにより求めた。
実施例６は、断面形状が図２であり、高熱伝導部材１４の最下端１４ｒ３の半径Ｒ３を１０５ｍｍ、高熱伝導部材１４の厚みＨ１を２７．７ｍｍとした点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。

（実施例７）
実施例７は、高熱伝導部材１４の接触面１４ａの内周端１４ｒ２の半径Ｒ２を８５ｍｍとした点が実施例６と異なる。その他の条件は実施例６と同様にした。

（実施例８）
実施例８は、高熱伝導部材１４の最下端１４ｒ３の半径Ｒ３を８５ｍｍとした点が実施例７と異なる。その他の条件は実施例７と同様にした。

図９は、実施例６～８のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハ中心からの径方向の位置ｒ、縦軸がその地点でのウェハ表面の中心との温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）である。図９に示すように、高熱伝導部材１４の断面が図２の形状であるとき、ウェハ外周部の温度低下が抑制される。なお、高熱伝導部材１４とサセプタ１０の接触面積が広く、高熱伝導部材１４の接触面１４ａの外周端１４ｒ１と最下端１４ｒ３がｚ方向からの平面視で一致していると、高熱伝導部材１４の断面をなす直角三角形の斜辺がヒータ１２と対向することで、ウェハ面内温度をより均一にすることができる。

（実施例９）
実施例９は、高熱伝導部材１４の熱伝導率を５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）にした点が実施例３と異なる。その他の条件は実施例３と同様にした。

（実施例１０）
実施例１０は、高熱伝導部材１４の熱伝導率を４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）にした点が実施例３と異なる。その他の条件は実施例３と同様にした。

（実施例１１）
実施例１１は、高熱伝導部材１４の熱伝導率を３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）にした点が実施例３と異なる。その他の条件は実施例３と同様にした。

図１０は、実施例３、及び実施例９～１１のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハ中心からの径方向の位置ｒ、縦軸がその地点でのウェハ表面の中心との温度変化量Ｔ（ｒ）－Ｔ（０）である。図１０に示すように、高熱伝導部材１４の熱伝導率が高いほど、ウェハ外周部に熱が伝わりやすくなるため温度均一性が向上する。

表１にこれらの検討結果をまとめた。温度変化量ΔＴは、ウェハ温度が最も低くなっている点におけるＴ（ｒ）－Ｔ（０）を示す。

１ チャンバー
２ ガス供給口
３ ガス排出口
１０ サセプタ
１０ａ 載置面
１０ｂ 裏面
１２ ヒータ
１２ｂ 裏面
１４ 高熱伝導部材
１４ａ 接触面
１４ｒ１ 接触面の外周端
１４ｒ２ 接触面の内周端
１４ｒ３ 最下端の内周端
１６ 外周支持部
１００ ＳｉＣエピタキシャル成長装置
Ｗ ウェハ
Ｋ 成膜空間
ＣＬ 中心線

Claims (5)

1. ウェハを載置できる載置面を有するサセプタと、
   前記サセプタの前記載置面と反対側に、前記サセプタと離間して設けられたヒータと、
   平面視で前記ウェハの外周部と重なる位置において、前記サセプタの前記載置面と対向する裏面に接触している円環状の高熱伝導部材と、を備え、
   前記高熱伝導部材と前記ウェハとが平面視で同心円状に配置され、
   前記高熱伝導部材の前記サセプタと接触している面の外周の半径は、前記ウェハの半径の１００～１１０％の範囲であり、
   前記高熱伝導部材の厚みは、２ｍｍ以上かつ前記サセプタの前記裏面と前記ヒータの最下端の距離以下の厚みであり、
   前記高熱伝導部材の最下端の内周の半径が前記ウェハ半径の１１０％以下である、ＳｉＣエピタキシャル成長装置。
2. 前記ヒータの半径が、前記ウェハの半径の７５～１００％の範囲であり、
   前記高熱伝導部材の最下端の内周の半径が前記ヒータの半径の１０５％以上である、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
3. 前記高熱伝導部材の前記サセプタと接触している面の内周の半径は、前記ウェハの半径の８０％以上１００％未満の範囲である、請求項１または２に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
4. 前記高熱伝導部材の中心軸を通る断面形状が直角三角形であり、前記高熱伝導部材の前記サセプタと接触している面の外周の半径と、前記高熱伝導部材の最下端の半径が等しい、請求項１または２に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
5. １０００℃以上の温度域において、前記高熱伝導部材の熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である請求項１または２に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。