JP2024043805A - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】Mgを高濃度に含む該p+GaN層の高抵抗化を防止でき、駆動電圧が低減された半導体発光素子を提供する。【解決手段】GaN基板110上の半導体発光素子100であって、ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層131上に、発光層132、p型GaN層133、トンネル接合層134、及び第2のn型GaN層140が、この順で積層しており、第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、トンネル接合層は、p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層した積層体からなり、n+型GaN層は、n+型GaNスパッタ膜であり、第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子である。【選択図】図3
Description
本開示は、半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法に関する。
柱状のGaNナノワイヤに対して、そのナノワイヤを覆うように活性層を形成した半導体発光素子、具体的な構造として、柱状のGaNナノワイヤに対して、GaInN系量子殻層、p-GaN殻層、p+GaN層、及びn+GaN層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子、が知られている(例えば、非特許文献1参照)。
ところで、ナノワイヤの周囲を活性層が覆うコアシェル型の半導体素子の製造方法として、従来より有機金属化合物気相成長法(以下、MOVPE法、またはMOCVD法ともいう)が用いられている。
例えば、GaNナノワイヤをMOVPE法により成長させ、該GaNナノワイヤの外周にGaInN/GaN-MQS及びp型GaN殻をMOVPE法を用いて積層させたことが開示されている(例えば、非特許文献2参照)。
また例えば、Mgを高濃度に含むp層とSiを高濃度に含むn層とを積層させてなるトンネル接合層をMOVPE法を用いて作製したことが開示されている(例えば、非特許文献3参照)。
例えば、GaNナノワイヤをMOVPE法により成長させ、該GaNナノワイヤの外周にGaInN/GaN-MQS及びp型GaN殻をMOVPE法を用いて積層させたことが開示されている(例えば、非特許文献2参照)。
また例えば、Mgを高濃度に含むp層とSiを高濃度に含むn層とを積層させてなるトンネル接合層をMOVPE法を用いて作製したことが開示されている(例えば、非特許文献3参照)。
上山智、外3名、"量子殻特異構造の作製と光デバイス応用"、2021年3月18日、第68回応用物理学会春季学術講演会、講演予稿集、(2021オンライン開催) 18p-Z04-3
上山智、外3名、"GaN系量子殻構造の成長と光学特性評価"、日本結晶成長学会誌、Vol.45、No.1 (2018) 45-1-06
竹内哲也、"低抵抗・低コストGaNトンネル接合を実現~高効率GaNレーザー実現のための基板技術のひとつを確立~"、2018年5月1日、名城大学プレスリリース、https://www.meijo-u.ac.jp/news/detail_16299.html
本発明者らは、上記ナノワイヤの周囲を活性層が覆うコアシェル型の半導体素子、つまり、柱状のナノワイヤ構造のn型GaN層に対して、InGaN層を含む発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+GaN層、及びトンネル接合層を形成するためのn+GaN層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子に対し、さらなる改良を進めていたところ、このようなコアシェル型構造の半導体発光素子において、MOVPE法を用いて、トンネル接合層を形成するためにMgを高濃度に含むp+GaN層とSiを高濃度に含むn+GaN層からなる積層体を作製すると、以下の課題が生じることがわかった。
すなわち、MOVPE法を用いて、p型GaN層上にMgを高濃度に含むp+GaN層を積層させた後、該Mgを高濃度に含むp+GaN層上にSiを高濃度に含むn+GaN層を積層させると、該n+GaN層の成膜中に生成する水素によって、下層の該p+GaN層が高抵抗化し、駆動電圧の高い半導体発光素子となってしまう。
そこで、本開示の目的は、柱状のナノワイヤ構造のn型GaN層に対して、InGaN層を含む発光層、p型GaN層、p+GaN層とn+GaN層からなるトンネル接合層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子において、Mgを高濃度に含む該p+GaN層の高抵抗化を防止でき、駆動電圧が低減された半導体発光素子及びその製造方法の少なくともいずれかを提供することである。
すなわち、MOVPE法を用いて、p型GaN層上にMgを高濃度に含むp+GaN層を積層させた後、該Mgを高濃度に含むp+GaN層上にSiを高濃度に含むn+GaN層を積層させると、該n+GaN層の成膜中に生成する水素によって、下層の該p+GaN層が高抵抗化し、駆動電圧の高い半導体発光素子となってしまう。
そこで、本開示の目的は、柱状のナノワイヤ構造のn型GaN層に対して、InGaN層を含む発光層、p型GaN層、p+GaN層とn+GaN層からなるトンネル接合層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子において、Mgを高濃度に含む該p+GaN層の高抵抗化を防止でき、駆動電圧が低減された半導体発光素子及びその製造方法の少なくともいずれかを提供することである。
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、柱状のナノワイヤ構造のn型GaN層に対して、InGaN層を含む発光層、p型GaN層、p+GaN層とn+GaN層からなるトンネル接合層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子において、トンネル接合層を形成するための該n+型GaN層をスパッタ法で作製し、トンネル接合層を形成するための該p+GaN層上にn+型GaNスパッタ膜が積層された半導体発光素子とすることで、上記課題を解決できる半導体発光素子が得ることを見出した。
すなわち、本発明は特許請求の範囲の記載のとおりであり、また、本開示は以下の形態を包含するものである。
[1] GaN基板、第1のn型GaN層、発光層、p型GaN層、トンネル接合層、及び第2のn型GaN層を有する半導体発光素子であって、
前記第1のn型GaN層は、ナノワイヤ構造からなり、
前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、前記発光層、前記p型GaN層、前記トンネル接合層、及び前記第2のn型GaN層が、この順で積層しており、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記トンネル接合層は、p+型GaN層上にn+型GaN層が積層した積層体からなり、
前記n+型GaN層は、n+型GaNスパッタ膜であり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子。
[2] 前記トンネル接合層において、前記p+型GaN層は、高濃度Mg含有GaN層であり、前記n+型GaN層は、高濃度Si含有GaN層である、[1]に記載の半導体発光素子。
[3] 前記発光層は、InGaN層とGaN層とからなる層が5層積層された積層体からなる、[1]または[2]に記載の半導体発光素子。
[4] ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する工程と、
前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する工程と、
前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子の製造方法。
[5] GaN基板上に、誘電体からなり複数の開口部を有したマスクを形成する第1工程と、
前記第1工程後、前記開口部にナノワイヤ構造の第1のn型GaN層を、有機金属化合物気相成長法(MOVPE法)により選択成長させる第2工程と、
前記第2工程後、前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する第3工程と、
前記第3工程後、前記p型GaN層および前記p+型GaN層の活性化アニールを行う第4工程と、
前記第4工程後、前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する第5工程と、
前記第5工程後、前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する第6工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、[4]に記載の半導体発光素子の製造方法。
[6] 前記p+型GaN層は、高濃度Mg含有GaN層であり、前記n+型GaN層は、高濃度Si含有GaN層である、[4]または[5]に記載の半導体発光素子の製造方法。
[1] GaN基板、第1のn型GaN層、発光層、p型GaN層、トンネル接合層、及び第2のn型GaN層を有する半導体発光素子であって、
前記第1のn型GaN層は、ナノワイヤ構造からなり、
前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、前記発光層、前記p型GaN層、前記トンネル接合層、及び前記第2のn型GaN層が、この順で積層しており、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記トンネル接合層は、p+型GaN層上にn+型GaN層が積層した積層体からなり、
前記n+型GaN層は、n+型GaNスパッタ膜であり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子。
[2] 前記トンネル接合層において、前記p+型GaN層は、高濃度Mg含有GaN層であり、前記n+型GaN層は、高濃度Si含有GaN層である、[1]に記載の半導体発光素子。
[3] 前記発光層は、InGaN層とGaN層とからなる層が5層積層された積層体からなる、[1]または[2]に記載の半導体発光素子。
[4] ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する工程と、
前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する工程と、
前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子の製造方法。
[5] GaN基板上に、誘電体からなり複数の開口部を有したマスクを形成する第1工程と、
前記第1工程後、前記開口部にナノワイヤ構造の第1のn型GaN層を、有機金属化合物気相成長法(MOVPE法)により選択成長させる第2工程と、
前記第2工程後、前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する第3工程と、
前記第3工程後、前記p型GaN層および前記p+型GaN層の活性化アニールを行う第4工程と、
前記第4工程後、前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する第5工程と、
前記第5工程後、前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する第6工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、[4]に記載の半導体発光素子の製造方法。
[6] 前記p+型GaN層は、高濃度Mg含有GaN層であり、前記n+型GaN層は、高濃度Si含有GaN層である、[4]または[5]に記載の半導体発光素子の製造方法。
本開示により、柱状のナノワイヤ構造のn型GaN層に対して、InGaN層を含む発光層、p型GaN層、p+GaN層とn+GaN層からなるトンネル接合層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子において、Mgを高濃度に含む該p+GaN層の高抵抗化を防止でき、駆動電圧が低減された半導体発光素子及びその製造方法の少なくともいずれかを提供することができる。
(半導体発光素子)
本開示の半導体発光素子は、GaN基板、第1のn型GaN層、発光層、p型GaN層、トンネル接合層、及び第2のn型GaN層を有する。
前記第1のn型GaN層は、ナノワイヤ構造からなり、
前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、前記発光層、前記p型GaN層、前記トンネル接合層、及び前記第2のn型GaN層が、この順で積層しており、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記トンネル接合層は、p+型GaN層上にn+型GaN層が積層した積層体からなり、
前記n+型GaN層は、n+型GaNスパッタ膜であり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる。
本開示の半導体発光素子は、GaN基板、第1のn型GaN層、発光層、p型GaN層、トンネル接合層、及び第2のn型GaN層を有する。
前記第1のn型GaN層は、ナノワイヤ構造からなり、
前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、前記発光層、前記p型GaN層、前記トンネル接合層、及び前記第2のn型GaN層が、この順で積層しており、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記トンネル接合層は、p+型GaN層上にn+型GaN層が積層した積層体からなり、
前記n+型GaN層は、n+型GaNスパッタ膜であり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる。
以下、本開示の半導体発光素子の好ましい実施形態について、図を参照しつつ説明する。ただし、本開示は、以下に記載の実施形態に限定されるものではない。また、後述する半導体発光素子の各層の積層構造および電極構造は、例示である。実施形態とは異なる積層構造であってもよい場合がある。そして、それぞれの図における各層の厚みの比は、概念的に示したものであり、実際の厚みの比を示しているわけではない。
図1は、本実施形態に係る半導体発光素子100の概略構成の一例を示した斜視図である。図2は、図1の半導体発光素子100の断面を示した図である。
図1、2に示すように、半導体発光素子100は、GaN基板110と、マスク120と、柱状半導体130と、n型GaN層140と、カソード電極N1と、アノード電極P1と、を有する。
柱状半導体130は、後述するように、ナノワイヤ構造からなるn型GaN層(本実施形態では、第1のn型GaN層ともいう。また、本明細書において、柱状n型GaN層ともいう)131上に、発光層132と、p型GaN層133と、トンネル接合層134(p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層した積層体からなる)がこの順で積層されたコアシェル型構造の柱状半導体である。
上記n型GaN層140は、本実施形態では、第2のn型GaN層ともいう。
以下、半導体発光素子100を構成する各要素について説明する。
図1、2に示すように、半導体発光素子100は、GaN基板110と、マスク120と、柱状半導体130と、n型GaN層140と、カソード電極N1と、アノード電極P1と、を有する。
柱状半導体130は、後述するように、ナノワイヤ構造からなるn型GaN層(本実施形態では、第1のn型GaN層ともいう。また、本明細書において、柱状n型GaN層ともいう)131上に、発光層132と、p型GaN層133と、トンネル接合層134(p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層した積層体からなる)がこの順で積層されたコアシェル型構造の柱状半導体である。
上記n型GaN層140は、本実施形態では、第2のn型GaN層ともいう。
以下、半導体発光素子100を構成する各要素について説明する。
<GaN基板>
GaN基板110は、柱状半導体130を成長させる成長基板であり、かつ、マスク120と、柱状半導体130と、各柱状半導体130間を埋め込んで配される層(以下、「埋込層」ともいう)である上記第2のn型GaN層140と、を支持するためのものである。
GaN基板110は、基板上に上記ナノワイヤ構造からなるn型GaN層131が選択成長されるため、ナノワイヤ構造からなるn型GaN層131と基板の材質は同じであることが好ましい。したがって、本実施形態では、基板は、GaNを有する層を少なくとも含むGaN基板であればよい。GaN層と、GaN層とは材質が異なる層とを積層してなる基板であってもよい。
GaN基板110は、柱状半導体130を成長させる成長基板であり、かつ、マスク120と、柱状半導体130と、各柱状半導体130間を埋め込んで配される層(以下、「埋込層」ともいう)である上記第2のn型GaN層140と、を支持するためのものである。
GaN基板110は、基板上に上記ナノワイヤ構造からなるn型GaN層131が選択成長されるため、ナノワイヤ構造からなるn型GaN層131と基板の材質は同じであることが好ましい。したがって、本実施形態では、基板は、GaNを有する層を少なくとも含むGaN基板であればよい。GaN層と、GaN層とは材質が異なる層とを積層してなる基板であってもよい。
<マスク>
マスク120は、表面での半導体の成長を阻害する材料であり、誘電体である。後述するように、マスク120には、貫通孔(開口部120a)が空いている。開口部120aにはGaN基板110が露出している。マスク120は、透明絶縁膜であるとよい。この場合には、マスク120は、光をほとんど吸収しない。マスク120の材質として例えば、SiO2、SiNx、Al2O3が挙げられる。
マスク120は、表面での半導体の成長を阻害する材料であり、誘電体である。後述するように、マスク120には、貫通孔(開口部120a)が空いている。開口部120aにはGaN基板110が露出している。マスク120は、透明絶縁膜であるとよい。この場合には、マスク120は、光をほとんど吸収しない。マスク120の材質として例えば、SiO2、SiNx、Al2O3が挙げられる。
マスク120の厚さは、たとえば2nm以上50nm以下である。マスク120には微細なパターンの開口部120aを高精度かつ低コストに設ける必要性から、後述のようにナノインプリントを用いて開口部120aを形成している。その結果、マスク120はこのように非常に薄くする必要がある。
<柱状半導体>
柱状半導体130は、GaN基板110の上に形成されている。より具体的には、柱状半導体130は、マスク120の開口部120aに露出するGaN基板110の表面から選択成長させた半導体である。柱状半導体130は、例えば、六角柱形状をしている。柱状半導体130における中心軸方向に垂直な断面は、例えば、正六角形または扁平形状の六角形である。柱状半導体130は、例えば、正方格子状に配置されている。正方格子状以外にも、周期的配列、更には平行体格子、矩形格子、斜方格子、正三角格子又はハニカム状の周期的配列であってもよい。
柱状半導体130は、GaN基板110の上に形成されている。より具体的には、柱状半導体130は、マスク120の開口部120aに露出するGaN基板110の表面から選択成長させた半導体である。柱状半導体130は、例えば、六角柱形状をしている。柱状半導体130における中心軸方向に垂直な断面は、例えば、正六角形または扁平形状の六角形である。柱状半導体130は、例えば、正方格子状に配置されている。正方格子状以外にも、周期的配列、更には平行体格子、矩形格子、斜方格子、正三角格子又はハニカム状の周期的配列であってもよい。
図3は、本実施形態に係る半導体発光素子100を構成する柱状半導体130の概略構成の一例を示した図である。
柱状半導体130は、ナノワイヤ構造からなる第1のn型GaN層131(柱状n型GaN層131ともいう)上に、発光層132と、p型GaN層133と、トンネル接合層134(p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層した積層体からなる)がこの順で積層されたコアシェル型構造の柱状半導体である。
柱状n型GaN層131の側面は、m面である。または、m面に近い面である。
柱状半導体130は、ナノワイヤ構造からなる第1のn型GaN層131(柱状n型GaN層131ともいう)上に、発光層132と、p型GaN層133と、トンネル接合層134(p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層した積層体からなる)がこの順で積層されたコアシェル型構造の柱状半導体である。
柱状n型GaN層131の側面は、m面である。または、m面に近い面である。
<<ナノワイヤ構造からなる第1のn型GaN層>>
ナノワイヤ構造からなる第1のn型GaN層131は、マスク120の開口部120aに露出しているGaN基板110表面を起点に柱状に選択成長させた半導体層である。
ナノワイヤ構造からなる第1のn型GaN層131は、n型不純物がドープされたGaNから構成されている。
該第1のn型GaN層131(柱状n型GaN層131)は、Si含有GaN層からなる。
該第1のn型GaN層131は、上述したように、例えば、六角柱形状をしている。この六角柱の軸方向に垂直な断面は、正六角形または扁平形状の六角形である。第1のn型GaN層131は、横方向にも成長していてもよい。そのため、第1のn型GaN層131の太さは、マスク120の開口部120aの開口幅よりもやや大きくてもよい。
第1のn型GaN層131の高さは、例えば、0.25μm以上5μm以下である。第1のn型GaN層131の径は、例えば、50nm以上500nm以下である。ここで、径とは、例えば、第1のn型GaN層131の六角形の外接円をとったときの外接円の直径をいう。第1のn型GaN層131の間隔(隣接する柱状半導体130の中心間の距離)は、例えば、0.27μm以上5μm以下である。これらの数値は例示であり、上記以外の数値であってもよい。
ナノワイヤ構造からなる第1のn型GaN層131は、マスク120の開口部120aに露出しているGaN基板110表面を起点に柱状に選択成長させた半導体層である。
ナノワイヤ構造からなる第1のn型GaN層131は、n型不純物がドープされたGaNから構成されている。
該第1のn型GaN層131(柱状n型GaN層131)は、Si含有GaN層からなる。
該第1のn型GaN層131は、上述したように、例えば、六角柱形状をしている。この六角柱の軸方向に垂直な断面は、正六角形または扁平形状の六角形である。第1のn型GaN層131は、横方向にも成長していてもよい。そのため、第1のn型GaN層131の太さは、マスク120の開口部120aの開口幅よりもやや大きくてもよい。
第1のn型GaN層131の高さは、例えば、0.25μm以上5μm以下である。第1のn型GaN層131の径は、例えば、50nm以上500nm以下である。ここで、径とは、例えば、第1のn型GaN層131の六角形の外接円をとったときの外接円の直径をいう。第1のn型GaN層131の間隔(隣接する柱状半導体130の中心間の距離)は、例えば、0.27μm以上5μm以下である。これらの数値は例示であり、上記以外の数値であってもよい。
<<発光層>>
発光層132は、柱状の第1のn型GaN層131の外周に沿って形成されている。そのため、発光層132は、筒形状を備える。発光層132は、InGaN層とGaN層とを有する層からなる。
発光層132は、多重量子井戸活性層(量子殻(Multi quantum shell:MQS)活性層ともいう)と呼ばれる層に該当する。
発光層132の好ましい実施形態としては、例えば、InGaN層(InGaN量子井戸層ともいう)とGaN層(GaN障壁層ともいう)とからなる層が5周期積層された積層体(多重量子井戸活性層ともいう)が挙げられる。さらに、好ましい実施形態としては、例えば、厚さ5±2nmのInGaN層と、厚さ10±2nmのGaN層とからなる層が5周期積層された積層体が挙げられる。
発光層132は、柱状の第1のn型GaN層131の外周に沿って形成されている。そのため、発光層132は、筒形状を備える。発光層132は、InGaN層とGaN層とを有する層からなる。
発光層132は、多重量子井戸活性層(量子殻(Multi quantum shell:MQS)活性層ともいう)と呼ばれる層に該当する。
発光層132の好ましい実施形態としては、例えば、InGaN層(InGaN量子井戸層ともいう)とGaN層(GaN障壁層ともいう)とからなる層が5周期積層された積層体(多重量子井戸活性層ともいう)が挙げられる。さらに、好ましい実施形態としては、例えば、厚さ5±2nmのInGaN層と、厚さ10±2nmのGaN層とからなる層が5周期積層された積層体が挙げられる。
<<p型GaN層>>
p型GaN層133は、筒形状を備える発光層132の外周に沿って形成されている。そのため、p型GaN層133は、筒形状を備える。
p型GaN層133は、Mg含有GaN層からなる。
p型GaN層133は、発光層132と直接に接触するが、第1のn型GaN層131と直接には接触しなくともよい。
p型GaN層133は、筒形状を備える発光層132の外周に沿って形成されている。そのため、p型GaN層133は、筒形状を備える。
p型GaN層133は、Mg含有GaN層からなる。
p型GaN層133は、発光層132と直接に接触するが、第1のn型GaN層131と直接には接触しなくともよい。
<<トンネル接合層>>
トンネル接合層134は、筒状のp型GaN層133の外周に沿って形成されている。そのため、トンネル接合層134は、筒形状を備える。
トンネル接合層134は、p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層した積層体からなる。p+型GaN層135は、筒状のp型GaN層133とn+型GaN層136との間の位置にある。
トンネル接合層134は、筒状のp型GaN層133の外周に沿って形成されている。そのため、トンネル接合層134は、筒形状を備える。
トンネル接合層134は、p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層した積層体からなる。p+型GaN層135は、筒状のp型GaN層133とn+型GaN層136との間の位置にある。
本実施形態においては、トンネル接合層を形成するためのn+型GaN層136は、n+型GaNスパッタ膜である。該n+型GaN層136をスパッタ法により作製する方法については、後述する。
MOVPE法を用いてトンネル接合層を作製しようとする場合、まず、トンネル接合層を形成するp+GaN層をMOVPE法を用いて作製する。その後、該p+GaN層上にn+GaN層をMOVPE法により成膜しようとすると、該成膜中に生成する水素によって、下層のp+GaN層が不活性化し高抵抗化してしまう。
しかし、MOVPE法を用いてトンネル接合層を形成するp+GaN層を成膜した後、該p+GaN層上にn+GaN層をスパッタ法を用いて成膜したところ、下記実施例の結果でも示されている通り、p+GaN層の不活性化を防止でき、p+GaN層の高抵抗化を有効に防止することで低駆動電圧が可能な半導体発光素子を得ることができた。
MOVPE法を用いてトンネル接合層を作製しようとする場合、まず、トンネル接合層を形成するp+GaN層をMOVPE法を用いて作製する。その後、該p+GaN層上にn+GaN層をMOVPE法により成膜しようとすると、該成膜中に生成する水素によって、下層のp+GaN層が不活性化し高抵抗化してしまう。
しかし、MOVPE法を用いてトンネル接合層を形成するp+GaN層を成膜した後、該p+GaN層上にn+GaN層をスパッタ法を用いて成膜したところ、下記実施例の結果でも示されている通り、p+GaN層の不活性化を防止でき、p+GaN層の高抵抗化を有効に防止することで低駆動電圧が可能な半導体発光素子を得ることができた。
トンネル接合層134は、p+型GaN層135上にn+型GaN層136が積層された構成である。
p+型GaN層135は、高いp型不純物濃度を有する層であり、例えば、p+型GaN層135の好ましい実施形態としては、高濃度Mg含有GaN層である。高濃度Mg含有GaN層のMg含有量として1020atoms/cm3以上1022atoms/cm3以下が例示できる。
n+型GaN層136は、高いn型不純物濃度を有する層であり、例えば、n+型GaN層136の好ましい実施形態としては、高濃度Si含有GaN層である。高濃度Si含有GaN層のSi含有量として1020atoms/cm3以上1022atoms/cm3以下が例示できる。
つまり、トンネル接合層134の好ましい実施形態としては、GaNを母体とし、アクセプタ(p型不純物)としてMgを用いたp型トンネル接合層であるp+型GaN層135、及びドナー(n型不純物)としてSiを用いたn型トンネル接合層であるn+型GaN層136を有している。
尚、トンネル接合層134は、p+型GaN層135とn+型GaN層136とを少なくとも有していれば、例えば、p+型GaN層135とn+型GaN層136との間に、高濃度Siと高濃度Mgとを含有するGaN層であるバッファ層を有していてもよい。
p+型GaN層135は、高いp型不純物濃度を有する層であり、例えば、p+型GaN層135の好ましい実施形態としては、高濃度Mg含有GaN層である。高濃度Mg含有GaN層のMg含有量として1020atoms/cm3以上1022atoms/cm3以下が例示できる。
n+型GaN層136は、高いn型不純物濃度を有する層であり、例えば、n+型GaN層136の好ましい実施形態としては、高濃度Si含有GaN層である。高濃度Si含有GaN層のSi含有量として1020atoms/cm3以上1022atoms/cm3以下が例示できる。
つまり、トンネル接合層134の好ましい実施形態としては、GaNを母体とし、アクセプタ(p型不純物)としてMgを用いたp型トンネル接合層であるp+型GaN層135、及びドナー(n型不純物)としてSiを用いたn型トンネル接合層であるn+型GaN層136を有している。
尚、トンネル接合層134は、p+型GaN層135とn+型GaN層136とを少なくとも有していれば、例えば、p+型GaN層135とn+型GaN層136との間に、高濃度Siと高濃度Mgとを含有するGaN層であるバッファ層を有していてもよい。
p+型GaN層135、n+型GaN層136の厚さや不純物濃度は、トンネル接合するように適宜設定される。
ドナー、及びアクセプタのそれぞれの濃度が、より適切に調整されることで、低抵抗トンネル接合層が実現でき、高効率で発光が可能な半導体発光素子が提供できる。
ドナー、及びアクセプタの濃度調整については、特許文献3や特開2019-106494号公報等に記載の調整方法を利用することができる。
例えば、特許文献3の図2(b)で示されているように、高濃度アクセプタ添加領域が高濃度ドナー添加領域に完全に重なるように、ドナー、及びアクセプタの濃度が調整されると好ましい。
また例えば、特開2019-106494号公報で示されているように、アクセプタ濃度の最大値を示す位置からトンネル接合層のn側の端までの間におけるアクセプタ濃度が、ドナー濃度より低いように、ドナー、及びアクセプタの濃度が調整されると好ましい。
また例えば、特開2019-106494号公報で示されているように、アクセプタ濃度の最大値を示す位置におけるドナー濃度の値が、アクセプタ濃度の最大値に対して少なくとも2倍以上となるように、ドナー、及びアクセプタの濃度が調整されると好ましい。
ドナー、及びアクセプタのそれぞれの濃度が、より適切に調整されることで、低抵抗トンネル接合層が実現でき、高効率で発光が可能な半導体発光素子が提供できる。
ドナー、及びアクセプタの濃度調整については、特許文献3や特開2019-106494号公報等に記載の調整方法を利用することができる。
例えば、特許文献3の図2(b)で示されているように、高濃度アクセプタ添加領域が高濃度ドナー添加領域に完全に重なるように、ドナー、及びアクセプタの濃度が調整されると好ましい。
また例えば、特開2019-106494号公報で示されているように、アクセプタ濃度の最大値を示す位置からトンネル接合層のn側の端までの間におけるアクセプタ濃度が、ドナー濃度より低いように、ドナー、及びアクセプタの濃度が調整されると好ましい。
また例えば、特開2019-106494号公報で示されているように、アクセプタ濃度の最大値を示す位置におけるドナー濃度の値が、アクセプタ濃度の最大値に対して少なくとも2倍以上となるように、ドナー、及びアクセプタの濃度が調整されると好ましい。
上記のように、アクセプタ濃度の最大値よりドナー濃度が多く含まれるよう調整された、p+型GaN層、及びn+型GaN層が積層されたトンネル接合層を有する、本実施形態の半導体発光素子においては、高濃度Si含有GaN層をMOVPE法で成膜した際のp+GaN層へのダメージ(具体的には、Mgと水素の結合によるホール消滅によるp+GaN層の劣化)がより大きい。そのため、高濃度Si含有GaN層をスパッタ法で成膜する本実施形態は、p+GaN層の不活性化の防止に対してより効果を発揮するものとなると考えられる。
p+型GaN層135、及びn+型GaN層136の厚さや不純物濃度は、上述したとおり、低抵抗トンネル接合層が実現できるよう、目的に応じて適宜設定できるが、例えば、以下の範囲が好ましく挙げられる。
高濃度Mg含有GaN層135中のMg濃度は、例えば、2×1020cm-3以上3×1020cm-3以下であることが好ましい。
高濃度Si含有GaN層136中のSi濃度は、例えば、4×1020cm-3以上7×1020cm-3以下、さらには、5×1020cm-3以上7×1020cm-3以下であることが好ましい。
トンネル接合層134を設け、埋込層としてn-GaNとした第2のn型GaN層140を設けることで導通を取ることができるようにしている。
高濃度Mg含有GaN層135中のMg濃度は、例えば、2×1020cm-3以上3×1020cm-3以下であることが好ましい。
高濃度Si含有GaN層136中のSi濃度は、例えば、4×1020cm-3以上7×1020cm-3以下、さらには、5×1020cm-3以上7×1020cm-3以下であることが好ましい。
トンネル接合層134を設け、埋込層としてn-GaNとした第2のn型GaN層140を設けることで導通を取ることができるようにしている。
<第2のn型GaN層>
第2のn型GaN層140は、柱状半導体130と柱状半導体130との間の隙間を埋め込むための層(本実施形態では、「埋込層」ともいう)である。
第2のn型GaN層140は、Si含有GaN層からなる。
第2のn型GaN層140は、柱状半導体130を覆っている。第2のn型GaN層140表面は平坦である。第2のn型GaN層140を設けることにより光取り出し率の向上を図っている。
第2のn型GaN層140は、柱状半導体130と柱状半導体130との間の隙間を埋め込むための層(本実施形態では、「埋込層」ともいう)である。
第2のn型GaN層140は、Si含有GaN層からなる。
第2のn型GaN層140は、柱状半導体130を覆っている。第2のn型GaN層140表面は平坦である。第2のn型GaN層140を設けることにより光取り出し率の向上を図っている。
<カソード電極>
カソード電極N1は、GaN基板110の裏面(マスク120が設けられている側とは反対側の面)に形成されている。
尚、図1で示す半導体発光素子では、GaN基板110の裏面にカソード電極N1を設けて基板110主面に垂直に導通を取る縦型の構造としているが、アノード電極P1と同じ側にカソード電極N1を設けるフリップチップ型やフェイスアップ型の素子構造としてもよい。その場合、第2のn型GaN層140上面側からエッチングしてGaN基板110を露出させ、その露出したGaN基板110上にカソード電極N1を形成してもよい。
カソード電極N1は、GaN基板110の裏面(マスク120が設けられている側とは反対側の面)に形成されている。
尚、図1で示す半導体発光素子では、GaN基板110の裏面にカソード電極N1を設けて基板110主面に垂直に導通を取る縦型の構造としているが、アノード電極P1と同じ側にカソード電極N1を設けるフリップチップ型やフェイスアップ型の素子構造としてもよい。その場合、第2のn型GaN層140上面側からエッチングしてGaN基板110を露出させ、その露出したGaN基板110上にカソード電極N1を形成してもよい。
<アノード電極>
アノード電極P1は、第2のn型GaN層140の上に形成されている。
アノード電極P1は、第2のn型GaN層140の上に形成されている。
<半導体発光素子の用途>
本実施形態の半導体発光素子は、レーザーダイオード(半導体レーザー)や発光ダイオード(LED)などの発光素子として利用できる。
半導体レーザーは、Blu-ray Disc(登録商標)をはじめとする高密度光ディスク用光源として広く用いられている。近年では、レーザープロジェクター用光源としても普及しつつある。
本実施形態の半導体発光素子は、レーザーダイオード(半導体レーザー)や発光ダイオード(LED)などの発光素子として利用できる。
半導体レーザーは、Blu-ray Disc(登録商標)をはじめとする高密度光ディスク用光源として広く用いられている。近年では、レーザープロジェクター用光源としても普及しつつある。
(半導体発光素子の製造方法)
本開示の半導体発光素子の製造方法は、ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する工程と、
前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する工程と、
前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる。
本開示の半導体発光素子の製造方法は、ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する工程と、
前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する工程と、
前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる。
本開示の半導体発光素子の製造方法のより好ましい実施形態としては、
GaN基板上に、誘電体からなり複数の開口部を有したマスクを形成する第1工程と、
前記第1工程後、前記開口部にナノワイヤ構造の第1のn型GaN層を、有機金属化合物気相成長法(MOVPE法)により選択成長させる第2工程と、
前記第2工程後、前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する第3工程と、
前記第3工程後、前記p型GaN層および前記p+型GaN層の活性化アニールを行う第4工程と、
前記第4工程後、前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する第5工程と、
前記第5工程後、前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する第6工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子の製造方法が挙げられる。
以下、半導体発光素子の製造方法を構成する各工程について説明する。
GaN基板上に、誘電体からなり複数の開口部を有したマスクを形成する第1工程と、
前記第1工程後、前記開口部にナノワイヤ構造の第1のn型GaN層を、有機金属化合物気相成長法(MOVPE法)により選択成長させる第2工程と、
前記第2工程後、前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する第3工程と、
前記第3工程後、前記p型GaN層および前記p+型GaN層の活性化アニールを行う第4工程と、
前記第4工程後、前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する第5工程と、
前記第5工程後、前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する第6工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子の製造方法が挙げられる。
以下、半導体発光素子の製造方法を構成する各工程について説明する。
<第1工程>
GaN基板上に、誘電体からなり複数の開口部を有したマスク120を形成する。尚、図5には、後述する開口部形成工程で形成される開口部120aが描かれている。
GaN基板上に、誘電体からなり複数の開口部を有したマスク120を形成する。尚、図5には、後述する開口部形成工程で形成される開口部120aが描かれている。
-開口部形成工程-
図5に示すように、マスク120にGaN基板110を露出させる複数の開口部120aを形成する。マスク120のパターニングは、たとえばナノインプリントを用いる。
開口部120aの直径は、たとえば100nm以上500nm以下である。図5は、マスク120の開口部120aの配列を示す図である。図5は、GaN基板110の板面に垂直な方向から基板110を視た図である。図5には、参考のために、柱状半導体130の形状が破線で描かれている。図5に示すように、マスク120の開口部120aが円形で正方格子状に配列されていてもよい。
なお、マスク120の開口部120aの形状を変えることで、柱状半導体130の形状を制御することができる。開口部120aの形状が円形の場合には、例えば、正六角形に近い断面形状を有する柱状半導体130を形成することができる。開口部120aの形状がオーバル形状の場合には、扁平形状に近い断面形状を有する柱状半導体130を形成することができる。
図5に示すように、マスク120にGaN基板110を露出させる複数の開口部120aを形成する。マスク120のパターニングは、たとえばナノインプリントを用いる。
開口部120aの直径は、たとえば100nm以上500nm以下である。図5は、マスク120の開口部120aの配列を示す図である。図5は、GaN基板110の板面に垂直な方向から基板110を視た図である。図5には、参考のために、柱状半導体130の形状が破線で描かれている。図5に示すように、マスク120の開口部120aが円形で正方格子状に配列されていてもよい。
なお、マスク120の開口部120aの形状を変えることで、柱状半導体130の形状を制御することができる。開口部120aの形状が円形の場合には、例えば、正六角形に近い断面形状を有する柱状半導体130を形成することができる。開口部120aの形状がオーバル形状の場合には、扁平形状に近い断面形状を有する柱状半導体130を形成することができる。
<第2工程>
第1工程後、開口部にナノワイヤ構造の第1のn型GaN層を、MOVPE法により選択成長させる。
MOVPE法は、キャリアガスに原料の蒸気を含ませて基板表面に運搬し、加熱された基板との反応で原料を分解させることにより、結晶を成長させる方法である。
図6に示すように、柱状形状の第1のn型GaN層131を形成する。まず、マスク120の開口部120aの下に露出しているGaN基板110を起点にして、柱状形状の第1のn型GaN層131を選択的に成長させる。そのために、公知の選択成長の技術を用いてもよく、また、V/III比が20±10である選択成長を用いればよい。このように半導体層を選択成長させる場合に、GaN(窒化ガリウム)のm面がファセットとして表出しやすい。
上述したように、マスク120の開口部120aが円形形状であるため、例えば、断面が正六角形に近い六角柱形状の第1のn型GaN層131が成長する。
第1工程後、開口部にナノワイヤ構造の第1のn型GaN層を、MOVPE法により選択成長させる。
MOVPE法は、キャリアガスに原料の蒸気を含ませて基板表面に運搬し、加熱された基板との反応で原料を分解させることにより、結晶を成長させる方法である。
図6に示すように、柱状形状の第1のn型GaN層131を形成する。まず、マスク120の開口部120aの下に露出しているGaN基板110を起点にして、柱状形状の第1のn型GaN層131を選択的に成長させる。そのために、公知の選択成長の技術を用いてもよく、また、V/III比が20±10である選択成長を用いればよい。このように半導体層を選択成長させる場合に、GaN(窒化ガリウム)のm面がファセットとして表出しやすい。
上述したように、マスク120の開口部120aが円形形状であるため、例えば、断面が正六角形に近い六角柱形状の第1のn型GaN層131が成長する。
第1のn型GaN層131の成長条件としては、例えば、原料ガスとしてTMGおよびアンモニアを用い、成長温度が1150℃、V/III比が20、水素をキャリアガスとして圧力40hPaの条件が挙げられる。
<第3工程>
第2工程後、ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層131上に、発光層132、p型GaN層133、トンネル接合層134を形成するためのp+型GaN層135をこの順で、MOVPE法により積層する。
第2工程後、ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層131上に、発光層132、p型GaN層133、トンネル接合層134を形成するためのp+型GaN層135をこの順で、MOVPE法により積層する。
まず、ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層131の周囲に発光層132を形成する。発光層132は、断面が正六角形に近い柱状形状の第1のn型GaN層131の側面に形成される。また、発光層132が柱状形状の第1のn型GaN層131の頂部にも形成される。
ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層131の側面及び上面に、MOVPE法を用いて、発光層132、具体的には、例えが、厚さ5nmのInGaN量子井戸層と厚さ10nmのGaN障壁層を5周期重ねた発光層132を成長させる。
発光層132の成長条件としては、例えば、成長温度が800℃、V/III比が3000、窒素をキャリアガスとして圧力1000hPaで、原料ガスとしてTMG、TMI(TriMethylIndium)およびアンモニアを用いる。
ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層131の側面及び上面に、MOVPE法を用いて、発光層132、具体的には、例えが、厚さ5nmのInGaN量子井戸層と厚さ10nmのGaN障壁層を5周期重ねた発光層132を成長させる。
発光層132の成長条件としては、例えば、成長温度が800℃、V/III比が3000、窒素をキャリアガスとして圧力1000hPaで、原料ガスとしてTMG、TMI(TriMethylIndium)およびアンモニアを用いる。
次に、発光層132の上に発光層132の外周を覆うp型GaN層133を形成する。p型GaN層133は筒形状を備える。p型GaN層133は、発光層132の側面に形成される。p型GaN層133は、発光層132の頂部にも形成される。
発光層132の上にp型不純物をドープしたGaNからなるp型GaN層133を成長させる。
p型GaN層133の成長条件としては、例えば、成長温度が950℃、V/III比が1000、水素をキャリアガスとして圧力300hPaであり、原料ガスとしてTMG、Cp2Mg(bisCycropentadienylMagnesium)およびアンモニアを用いる。
発光層132の上にp型不純物をドープしたGaNからなるp型GaN層133を成長させる。
p型GaN層133の成長条件としては、例えば、成長温度が950℃、V/III比が1000、水素をキャリアガスとして圧力300hPaであり、原料ガスとしてTMG、Cp2Mg(bisCycropentadienylMagnesium)およびアンモニアを用いる。
次に、p型GaN層133の上にp型GaN層133を覆うp+型GaN層135を形成する。
トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層135の成長条件としては、例えば、成長温度が800℃、V/III比が3000、窒素をキャリアガスとして圧力500hPaである。
トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層135の成長条件としては、例えば、成長温度が800℃、V/III比が3000、窒素をキャリアガスとして圧力500hPaである。
<第4工程>
第3工程後、p型GaN層133およびp+型GaN層135の活性化のため、アニールを行う。
窒素雰囲気中において、例えば、700℃でアニールし、p型GaN層133とトンネル接合層134の中のp+型GaN層135に取り込まれた水素を離脱させてp型GaN層133とp+型GaN層135を活性化させる活性化工程を実施する。
ここでは窒素雰囲気中でのアニールを示したが、p型GaN層133とp+型GaN層135を活性化できる原子状水素の存在しない雰囲気であればよい。
第3工程後、p型GaN層133およびp+型GaN層135の活性化のため、アニールを行う。
窒素雰囲気中において、例えば、700℃でアニールし、p型GaN層133とトンネル接合層134の中のp+型GaN層135に取り込まれた水素を離脱させてp型GaN層133とp+型GaN層135を活性化させる活性化工程を実施する。
ここでは窒素雰囲気中でのアニールを示したが、p型GaN層133とp+型GaN層135を活性化できる原子状水素の存在しない雰囲気であればよい。
<第5工程>
第4工程後、p+型GaN層135上に、スパッタ法によりn+型GaN層136を積層し、p+型GaN層135を覆うn+GaNスパッタ膜を形成する。
スパッタ法は、陰極に設置したターゲットにArイオンなどの正イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を放出させて、対面に設置した基板上にターゲット材料とほぼ同組成の膜を堆積する方法である。
n+型GaN層136をスパッタ法を用いて成膜することで、p+型GaN層135の不活性化を十分防止することができる。
n+型GaN層136をスパッタ法を用いて成膜する方法としては、例えば、特開2015-162606号公報に記載のスパッタ法を利用することができる。
n+GaNスパッタ膜の形成方法としては、例えば、窒化ガリウムのターゲットとシリコンのターゲットを用いて成膜するコスパッタ法を用いることができる。
より具体的には、本実施形態で用いることができるコスパッタ法としては、以下に記載の条件下で行えばよい。すなわち、窒化ガリウムのターゲット及びシリコンのターゲットを用い、同時に又は交互に、基板に対してスパッタリングをする。窒化ガリウムのターゲットへの単位面積辺りの電力(放電出力)は10W/cm2、及び、シリコンのターゲットへの放電出力は1W/cm2とすればよく、また、放電出力の調整により、得られるn+GaNスパッタ膜中のSi濃度を調整することができる。スパッタに用いるプロセスガスはAr及びN2の少なくともいずれかを含むガスであればよい。スパッタの成膜室内の圧力は0.5Pa以上3Pa以下が例示できる。成膜時の基板温度は0℃以上または20℃以上であり、また、800℃以下または500℃以下であればよい。
第4工程後、p+型GaN層135上に、スパッタ法によりn+型GaN層136を積層し、p+型GaN層135を覆うn+GaNスパッタ膜を形成する。
スパッタ法は、陰極に設置したターゲットにArイオンなどの正イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を放出させて、対面に設置した基板上にターゲット材料とほぼ同組成の膜を堆積する方法である。
n+型GaN層136をスパッタ法を用いて成膜することで、p+型GaN層135の不活性化を十分防止することができる。
n+型GaN層136をスパッタ法を用いて成膜する方法としては、例えば、特開2015-162606号公報に記載のスパッタ法を利用することができる。
n+GaNスパッタ膜の形成方法としては、例えば、窒化ガリウムのターゲットとシリコンのターゲットを用いて成膜するコスパッタ法を用いることができる。
より具体的には、本実施形態で用いることができるコスパッタ法としては、以下に記載の条件下で行えばよい。すなわち、窒化ガリウムのターゲット及びシリコンのターゲットを用い、同時に又は交互に、基板に対してスパッタリングをする。窒化ガリウムのターゲットへの単位面積辺りの電力(放電出力)は10W/cm2、及び、シリコンのターゲットへの放電出力は1W/cm2とすればよく、また、放電出力の調整により、得られるn+GaNスパッタ膜中のSi濃度を調整することができる。スパッタに用いるプロセスガスはAr及びN2の少なくともいずれかを含むガスであればよい。スパッタの成膜室内の圧力は0.5Pa以上3Pa以下が例示できる。成膜時の基板温度は0℃以上または20℃以上であり、また、800℃以下または500℃以下であればよい。
p+型GaN層135とn+GaNスパッタ膜との積層体を形成することより、トンネル接合層134を形成する。トンネル接合層134は、p型GaN層133の側面に形成される。トンネル接合層134は、p型GaN層133の頂部にも形成される。このようにして、柱状半導体130が形成される。
<第6工程>
第5工程後、n+型GaNスパッタ膜上に、第2のn型GaN層140を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する。
以下、MOVPE法により積層する場合について説明する。
図8に示すように、n型GaNからなる層を成長させ、柱状半導体130と柱状半導体130との隙間を第2のn型GaN層140で埋める。
第2のn型GaN層140は、柱状半導体130の層の間に設けられたマスク120上に成長させる必要があり、第2のn型GaN層140を成長する際に柱状半導体130の層の下部において空隙が生じる可能性がある。したがって、第2のn型GaN層140の成長では、原料ガスとしてTMG、シランおよびアンモニアを用い、初期段階では横方向成長であるm面の成長を促進する低温かつ低V/III比で成長することが好ましい。低温かつ低V/III比の一例としては、800℃以下で100以下のV/III比、水素をキャリアガスとして圧力200hPaが挙げられる。
第2のn型GaN層140の横方向成長によって柱状半導体130の層の下部でマスク120上が隙間なく埋められた後には、縦方向成長であるc面の成長を促進する高温かつ高V/III比で成長することが好ましい。高温かつ高V/III比の一例としては、1000℃以上で2000以上のV/III比、水素をキャリアガスとして圧力500hPaが挙げられる。
第5工程後、n+型GaNスパッタ膜上に、第2のn型GaN層140を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する。
以下、MOVPE法により積層する場合について説明する。
図8に示すように、n型GaNからなる層を成長させ、柱状半導体130と柱状半導体130との隙間を第2のn型GaN層140で埋める。
第2のn型GaN層140は、柱状半導体130の層の間に設けられたマスク120上に成長させる必要があり、第2のn型GaN層140を成長する際に柱状半導体130の層の下部において空隙が生じる可能性がある。したがって、第2のn型GaN層140の成長では、原料ガスとしてTMG、シランおよびアンモニアを用い、初期段階では横方向成長であるm面の成長を促進する低温かつ低V/III比で成長することが好ましい。低温かつ低V/III比の一例としては、800℃以下で100以下のV/III比、水素をキャリアガスとして圧力200hPaが挙げられる。
第2のn型GaN層140の横方向成長によって柱状半導体130の層の下部でマスク120上が隙間なく埋められた後には、縦方向成長であるc面の成長を促進する高温かつ高V/III比で成長することが好ましい。高温かつ高V/III比の一例としては、1000℃以上で2000以上のV/III比、水素をキャリアガスとして圧力500hPaが挙げられる。
<電極形成工程>
次に、GaN基板110の裏面にカソード電極N1を形成する。また、第2のn型GaN層140の上にアノード電極P1を形成する。
上記各工程を経ることにより、図1、2に示す半導体発光素子100が製造される。
次に、GaN基板110の裏面にカソード電極N1を形成する。また、第2のn型GaN層140の上にアノード電極P1を形成する。
上記各工程を経ることにより、図1、2に示す半導体発光素子100が製造される。
以下に本開示を実施例によりさらに詳細に説明するが、本開示はこれら実施例に限定して解釈されるものではない。
(実施例1)
図4~図8に示した製造方法を用いて、図1及び図2に記載の半導体発光素子Aを作製した。
半導体発光素子Aにおけるトンネル接合層134を形成するためのn+型GaN層136は、スパッタ法で作製されたn+GaNスパッタ膜となっている。
半導体発光素子Aの共振器長500μm、チップサイズ0.35mm角のLEDにおけるI-V特性を示すグラフ(図9 A)を示す。
図4~図8に示した製造方法を用いて、図1及び図2に記載の半導体発光素子Aを作製した。
半導体発光素子Aにおけるトンネル接合層134を形成するためのn+型GaN層136は、スパッタ法で作製されたn+GaNスパッタ膜となっている。
半導体発光素子Aの共振器長500μm、チップサイズ0.35mm角のLEDにおけるI-V特性を示すグラフ(図9 A)を示す。
(比較例1)
図4~図8に示した製造方法を用いて、図1及び図2に記載の半導体発光素子Bを作製した。
但し、半導体発光素子Bにおけるトンネル接合層134を形成するためのn+型GaN層136は、他の層(第1のn型GaN層、発光層132、p型GaN層133、p+型GaN層135、第2のn型GaN層140)と同様、MOVPE法で作製された層となっている。
また、n+型GaN層136以外の他の層(第1のn型GaN層、発光層132、p型GaN層133、p+型GaN層135、第2のn型GaN層140)の作製条件は、実施例1と同様である。
半導体発光素子Bの共振器長500μm、チップサイズ0.35mm角のLEDにおけるI-V特性を示すグラフ(図9 B)を示す。
図4~図8に示した製造方法を用いて、図1及び図2に記載の半導体発光素子Bを作製した。
但し、半導体発光素子Bにおけるトンネル接合層134を形成するためのn+型GaN層136は、他の層(第1のn型GaN層、発光層132、p型GaN層133、p+型GaN層135、第2のn型GaN層140)と同様、MOVPE法で作製された層となっている。
また、n+型GaN層136以外の他の層(第1のn型GaN層、発光層132、p型GaN層133、p+型GaN層135、第2のn型GaN層140)の作製条件は、実施例1と同様である。
半導体発光素子Bの共振器長500μm、チップサイズ0.35mm角のLEDにおけるI-V特性を示すグラフ(図9 B)を示す。
実施例で示す通り、MOVPE法でトンネル接合層のn+型GaN層136を成膜した場合、駆動電圧が6Vであったが、スパッタ法でトンネル接合部のn+型GaN層136(n+型GaNスパッタ膜)を成膜した場合、駆動電圧が4V以下であった。
本開示により、柱状のナノワイヤ構造のn型GaN層に対して、InGaN層を含む発光層、p型GaN層、p+GaN層とn+GaN層からなるトンネル接合層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子において、駆動電圧が低減された半導体発光素子を提供できることが確認できた。
本開示により、柱状のナノワイヤ構造のn型GaN層に対して、InGaN層を含む発光層、p型GaN層、p+GaN層とn+GaN層からなるトンネル接合層を積層させたコアシェル型構造の半導体発光素子において、駆動電圧が低減された半導体発光素子を提供できることが確認できた。
100 半導体発光素子
110 GaN基板
120 マスク
120a 開口部
130 柱状半導体
131 第1のn型GaN層
132 発光層
133 p型GaN層
134 トンネル接合層
135 p+型GaN層
136 n+型GaN層
140 第2のn型GaN層
N1 カソード電極
P1 アノード電極
110 GaN基板
120 マスク
120a 開口部
130 柱状半導体
131 第1のn型GaN層
132 発光層
133 p型GaN層
134 トンネル接合層
135 p+型GaN層
136 n+型GaN層
140 第2のn型GaN層
N1 カソード電極
P1 アノード電極
Claims (6)
- GaN基板、第1のn型GaN層、発光層、p型GaN層、トンネル接合層、及び第2のn型GaN層を有する半導体発光素子であって、
前記第1のn型GaN層は、ナノワイヤ構造からなり、
前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、前記発光層、前記p型GaN層、前記トンネル接合層、及び前記第2のn型GaN層が、この順で積層しており、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記トンネル接合層は、p+型GaN層上にn+型GaN層が積層した積層体からなり、
前記n+型GaN層は、n+型GaNスパッタ膜であり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子。 - 前記トンネル接合層において、前記p+型GaN層は、高濃度Mg含有GaN層であり、前記n+型GaN層は、高濃度Si含有GaN層である、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記発光層は、InGaN層とGaN層とからなる層が5層積層された積層体からなる、請求項1に記載の半導体発光素子。
- ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する工程と、
前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する工程と、
前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、半導体発光素子の製造方法。 - GaN基板上に、誘電体からなり複数の開口部を有したマスクを形成する第1工程と、
前記第1工程後、前記開口部にナノワイヤ構造の第1のn型GaN層を、有機金属化合物気相成長法(MOVPE法)により選択成長させる第2工程と、
前記第2工程後、前記ナノワイヤ構造の第1のn型GaN層上に、発光層、p型GaN層、トンネル接合層を形成するためのp+型GaN層をこの順で、MOVPE法により積層する第3工程と、
前記第3工程後、前記p型GaN層および前記p+型GaN層の活性化アニールを行う第4工程と、
前記第4工程後、前記p+型GaN層上に、スパッタ法によりトンネル接合層を形成するためのn+型GaN層を積層し、n+GaNスパッタ膜を形成する第5工程と、
前記第5工程後、前記n+型GaNスパッタ膜上に第2のn型GaN層を、MOVPE法またはスパッタ法により積層する第6工程と、を含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1のn型GaN層は、Si含有GaN層からなり、
前記発光層は、InGaN層とGaN層とを有する層からなり、
前記p型GaN層は、Mg含有GaN層からなり、
前記第2のn型GaN層は、Si含有GaN層からなる、請求項4に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記p+型GaN層は、高濃度Mg含有GaN層であり、前記n+型GaN層は、高濃度Si含有GaN層である、請求項4に記載の半導体発光素子の製造方法。
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