JP2024039926A - 光学センサ、制御ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】検出精度の高い光学センサを提供すること。【解決手段】検出エリアＡｄへ照射した照射ビームＩＢに対するターゲットＴｒからの反射ビームを受光することにより、ターゲットＴｒを検出する光学センサは、複数配列されたドット光源３１から個別に照射ビームＩＢを投光する発光ユニットと、各ドット光源３１と対応づけて複数配列された受光画素が受光光学系を通して反射ビームを個別に受光することによりターゲットＴｒを検出する受光ユニットと、検出エリアＡｄのうち、受光光学系の被写界深度に関する近点が判断境界となる判断距離範囲内において受光ユニットがターゲットＴｒを検出した近距離エリアＡｄｃに向けて、照射ビームＩＢを投光させるドット光源３１の数を、近距離エリアＡｄｃでの検出時よりも間引き制御して、近距離エリアＡｄｃでの再検出を受光ユニットに遂行させる制御ユニットとを、備える。【選択図】図９

Description

本開示は、光学センサ及びその制御ユニットに、関する。

検出エリアへ照射した照射ビームに対するターゲットからの反射ビームを受光することで、ターゲットを検出する光学センサは、広く知られている。こうした光学センサの一種として特許文献１には、二次元マトリクス形式に配列された複数の発光ダイオードから照射ビームを投光し、発光ダイオードに相応する数のＰＩＮダイオードにより照射ビームに対する反射ビームを受光する技術が、開示されている。

特表２００６－５０３２７１号公報

しかし、特許文献１に開示の技術では、特に近距離のターゲットへの照射ビームを投光する発光ダイオードには対応しないＰＩＮダイオードにより、当該照射ビームに対する反射ビームがレンズを通して受光されることによる、クロストークまでは抑制困難である。こうしたクロストークは、ターゲットの検出精度を低下させるため、望ましくない。

本開示の課題は、検出精度の高い光学センサを、提供することにある。本開示の別の課題は、光学センサの検出精度を高める制御ユニットを、提供することにある。

以下、課題を解決するための本開示の技術的手段について、説明する。尚、特許請求の範囲及び本欄に記載された括弧内の符号は、後に詳述する実施形態に記載された具体的手段との対応関係を示すものであり、本開示の技術的範囲を限定するものではない。

本開示の第一態様は、
検出エリア（Ａｄ）へ照射した照射ビーム（ＩＢ）に対するターゲット（Ｔｒ）からの反射ビーム（ＲＢ）を受光することにより、ターゲットを検出する光学センサであって、
複数配列されたドット光源（３１）から、個別に照射ビームを投光する発光ユニット（３０，２０３０，３０３０）と、
各ドット光源と対応づけて複数配列された受光画素（４３）が受光光学系（４０）を通して反射ビームを個別に受光することにより、ターゲットを検出する受光ユニット（４２，３０４２）と、
検出エリアのうち、受光光学系の被写界深度（Ｄｗ）に関する近点（ｄｃ）が判断境界となる判断距離範囲（Ｄｊ）内において受光ユニットがターゲットを検出した近距離エリア（Ａｄｃ）に向けて、照射ビームを投光させるドット光源の数を、近距離エリアでの検出時よりも間引き制御して、近距離エリアでの再検出を受光ユニットに遂行させる制御ユニット（１０）とを、備える。

本開示の第二態様は、
プロセッサ（１２）を有し、第一態様の光学センサを制御する制御ユニットであって、
プロセッサは、
検出エリアに対して制御した数である制御数のドット光源からの投光により照射ビームを照射させて、各受光画素での反射ビームの受光によりターゲットを検出させることと、
検出エリアのうち、判断距離範囲内において受光ユニットがターゲットを検出した近距離エリアに向けて、照射ビームを投光させるドット光源の数を、近距離エリアでの検出時の制御数よりも間引き制御して、近距離エリアでの再検出を受光ユニットに遂行させることとを、実行するように構成される。

これら第一及び第二態様では、個別に照射ビームを投光するために複数配列された各ドット光源と対応づけて、複数配列された受光画素が受光光学系を通して反射ビームを個別に受光することで、ターゲットが検出される。そこで第一及び第二態様によると、検出エリアのうち、受光光学系の被写界深度に関する近点が判断境界となる判断距離範囲内において受光ユニットがターゲットを検出した近距離エリアに向けては、照射ビームを投光させるドット光源の数が間引き制御される。これによれば、近距離エリアへの投光を間引かれたドット光源と対応する受光画素では、当該投光の維持されるドット光源由来の反射ビームを受光することによるクロストークの懸念があっても、当該懸念画素を特定して再検出を遂行することができる。故に、特に近距離エリアのターゲットＴｒに対する検出精度を、高めることが可能となる。

第一実施形態による光学センサの物理的構成を示すブロック図である。 第一実施形態による光学センサの機能構成を示すブロック図である。 第一実施形態による投光ユニットの詳細構成を拡大して示す模式図である。 第一実施形態による投光ユニットからの投光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。 第一実施形態による受光光学系の特性を示す模式図である。 第一実施形態による受光ユニットの詳細構成を拡大して示す模式図である。 第一実施形態による受光ユニットでの受光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。 第一実施形態による制御フローを示すフローチャートである。 第一実施形態による投光ユニットからの投光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。 第一実施形態による投光ユニットからの投光状態を詳細な図示により説明するための模式図である。 第一実施形態による投光ユニットからの投光状態を拡大図示により説明するための模式図である。 第一実施形態による受光ユニットでの受光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。 第二実施形態による光学センサの全体構成を示すブロック図である。 第二実施形態による投光ユニットの詳細構成を示す模式図である。 第三実施形態による投光ユニットの詳細構成を拡大して示す模式図である。 第三実施形態による受光ユニットの詳細構成を拡大して示す模式図である。 第三実施形態による光学センサの全体構成を示すブロック図である。 第三実施形態による投光ユニットからの投光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。 第三実施形態による受光ユニットでの受光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。 第三実施形態による投光ユニットからの投光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。 第三実施形態による受光ユニットでの受光状態を簡略的な図示により説明するための模式図である。

以下、本開示の実施形態を図面に基づき複数説明する。尚、各実施形態において対応する構成要素には同一の符号を付すことで、重複する説明を省略する場合がある。また、各実施形態において構成の一部分のみを説明している場合、当該構成の他の部分については、先行して説明した他の実施形態の構成を適用することができる。さらに、各実施形態の説明において明示している構成の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても複数の実施形態の構成同士を部分的に組み合わせることができる。

（第一実施形態）
図１に示すように本開示の第一実施形態による光学センサ１は、移動体としての車両に搭載される。尚、以下の説明では断り書きがない限り、前、後、上、下、左、及び右の各方向は、水平面上の車両を基準として定義される。また、水平方向は水平面に対する平行方向を示し、鉛直方向は水平面に対する垂直方向を示す。

光学センサ１の適用される車両は、自動運転制御モードにおいて定常的、又は一時的に自動走行可能となっている。ここで自動運転制御モードは、条件付運転自動化、高度運転自動化、又は完全運転自動化といった、作動時のシステムが全ての運転タスクを実行する自律運転制御により、実現されてもよい。自動運転制御モードは、運転支援、又は部分運転自動化といった、乗員が一部又は全ての運転タスクを実行する高度運転支援制御において、実現されてもよい。自動運転制御モードは、それら自律運転制御と高度運転支援制御とのいずれか一方、組み合わせ、又は切替により実現されてもよい。

光学センサ１は、自動制御運転モードを含む車両の運転制御において活用可能なセンシングデータを取得するための、所謂ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging / Laser Imaging Detection and Ranging）である。光学センサ１は、例えば前方部、左右の側方部、後方部、及び上方のルーフ等のうち、車両における少なくとも一箇所に配置される。

図１，２に示すように光学センサ１は、車両の外界空間のうち配置箇所及び視野角に応じた検出エリアＡｄへと向けて、ビームＩＢを照射する。光学センサ１は、照射した照射ビームＩＢが検出エリアＡｄから反射されることで入射してくる反射ビームＲＢを、受光する。反射ビームＲＢの受光に応じて光学センサ１は、検出エリアＡｄ内において光を反射したターゲットＴｒを、検出する。ここで光学センサ１による検出とは、光学センサ１からターゲットＴｒまでの反射点距離、及びターゲットＴｒからの反射強度のうち、少なくとも前者をセンシングすることを意味する。

車両に適用される光学センサ１において代表的な検出対象となるターゲットＴｒは、例えば歩行者、サイクリスト、人間以外の動物、及び他車両等の移動物体のうち、少なくとも一種類であってもよい。車両に適用される光学センサ１において代表的な検出対象となるターゲットＴｒは、例えばガードレール、道路標識、道路脇の構造物、及び道路上の落下物等の静止物体のうち、少なくとも一種類であってもよい。

図１に示すように光学センサ１は、ケーシングモジュール２、照射モジュール３、検出モジュール４、及び制御ユニット１０を含んで構成されている。ケーシングモジュール２は、筐体２０、及び光学窓２２を備えている。筐体２０は、例えば金属又は合成樹脂等の遮光性部材を主体として、中空箱状に形成されている。筐体２０は、照射モジュール３及び検出モジュール４を、制御ユニット１０の少なくとも一部と共に、内部に収容している。筐体２０には、例えばガラス又は合成樹脂等の透光性部材から板状に形成された、光学窓２２が保持されている。

図１～３に示すように照射モジュール３は、投光ユニット３０、及び照射光学系３２を備えている。投光ユニット３０は、図２～４に示すように複数のドット光源３１を基板上に形成している。各ドット光源３１は、互いに直交する投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉに沿って設定数ずつ、アレイ状に二次元配列されている。ここで図１，３，４に示す投光基準方向Ｘｉは、水平方向と一致又は対応する方向に、規定されている。それと共に投光基準方向Ｙｉは、垂直と一致又は対応する方向に、規定されている。

図４に示すように各ドット光源３１は、検出エリアＡｄへ照射するための照射ビームＩＢを、赤外域での発光によりそれぞれ個別に投光する。尚、図４及び後述の図９は説明の便宜上、各ドット光源３１からの照射ビームＩＢの投光状態を、ドット光源３１の数を減らして簡略的に示している。

各ドット光源３１は、レーザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）を主体に構成されている。各ドット光源３１を構成するＬＤは、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）であってもよいし、エッジエミッタレーザであってもよいが、光学センサ１では前者であることが特に好ましい。各ドット光源３１からの投光のオンオフは、制御ユニット１０により個別に制御される。

図１に示すように照射光学系３２は、照射光学素子３３を有している。照射光学素子３３は、各ドット光源３１から投光された照射ビームＩＢに対して、それぞれ光学窓２２から検出エリアＡｄへと向かう固有の照射方位を与えるように、角度分散機能を発揮する。これにより照射ビームＩＢは、検出エリアＡｄの全域を同時的に走査することとなる。

照射光学素子３３としては、ＶＣＳＥＬを主体に構成される各ドット光源３１に共通な、少なくとも一つの光学レンズ（図１の例）が採用されてもよい。照射光学素子３３としては、エッジエミッタレーザを主体に構成される各ドット光源３１に共通な、回折光学素子（ＤＯＥ： Diffractive Optical Element）が採用されてもよい。照射光学素子３３は、エッジエミッタレーザを主体に構成される各ドット光源３１毎に、個別のマイクロレンズが投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉに沿って設定数ずつ配列される、マイクロレンズアレイであってもよい。

図１，２，６に示すように検出モジュール４は、受光光学系４０、及び受光ユニット４２を備えている。受光光学系４０は、図１に示すように受光レンズ４１を有している。受光レンズ４１は、検出エリアＡｄにおけるターゲットＴｒから光学窓２２を通して入射する反射ビームＲＢを、受光ユニット４２に結像させる。

受光レンズ４１としては、各ドット光源３１からの照射ビームＩＢに対する反射ビームＲＢに共通な、少なくとも一つの光学レンズが採用される。そこで、一つの受光レンズ４１による受光光学系４０の被写界深度Ｄｗ、又は複数受光レンズ４１の合成による受光光学系４０の被写界深度Ｄｗは、例えば１００ｍ等の被写体距離に対して、図５に示すように近点ｄｃ及び遠点ｄｆ間の距離範囲に、予め設定されている。

図６，７に示すように受光ユニット４２は、複数の受光画素４３を基板上に形成している。各受光画素４３は、互いに直交する受光基準方向Ｘｒ，Ｙｒに沿って設定数ずつ、アレイ状に二次元配列されている。ここで図１，６，７に示す受光基準方向Ｘｒは、投光基準方向Ｘｉと一致又は対応する方向に、規定されている。それと共に受光基準方向Ｙｒは、投光基準方向Ｙｉと一致又は対応する方向に、規定されている。

各受光画素４３は、それぞれ少なくとも一つずつの受光素子を主体として、構成される。各受光画素４３を構成する受光素子としては、例えばシングルフォトンアバランシェダイオード（ＳＰＡＤ：Single Photon Avalanche Diode）等といった、フォトダイオードが採用される。

図４，７に対応させて示すように、各ドット光源３１から投光された照射ビームＩＢに対する反射ビームＲＢは、共通の受光光学系４０を通して、相異なる受光画素４３により個別に受光される。そこで各受光画素４３は、相異なるドット光源３１と１：１で対応づけられている。これにより各受光画素４３は、それぞれ個別に対応したドット光源３１からの照射ビームＩＢに対する反射ビームＲＢを、受光可能となっている。尚、図７及び後述の図１２は説明の便宜上、各受光画素４３による反射ビームＲＢの受光状態を、受光画素４３の数を減らして簡略的に示している。

図１，２に示すように受光ユニット４２は、検出回路４４を有している。検出回路４４は、各受光画素４３での反射ビームＲＢの受光によってターゲットＴｒを検出するために、受光処理を遂行する。検出回路４４による受光処理は、反射ビームＲＢの受光に応じた各受光画素４３での受光情報を、読み出して合成することで、制御ユニット１０へと出力する検出信号を生成する。

制御ユニット１０は、投光ユニット３０の各ドット光源３１及び受光ユニット４２の検出回路４４を制御することで、各ドット光源３１の発光に応答して検出回路４４から出力される検出信号に基づきセンシングデータを生成する。そこで制御ユニット１０は、少なくとも一つの専用コンピュータを主体に構成され、例えばＬＡＮ（Local Area Network）、ワイヤハーネス、及び内部バス等のうち少なくとも一種類を介して投光ユニット３０及び受光ユニット４２に接続されている。

制御ユニット１０は、その全体が筐体２０内部に収容されていてもよい（図１の例）。制御ユニット１０は、その全体が筐体２０外部の車両に配置されていてもよい。制御ユニット１０は、筐体２０内部と外部の車両とに跨って分散配置されていてもよい。こうした制御ユニット１０を構成する専用コンピュータは、光学センサ１の制御に特化したセンサＥＣＵ（Electronic Control Unit）であってもよい。制御ユニット１０を構成する専用コンピュータは、車両の運転を制御する運転制御ＥＣＵであってもよい。

制御ユニット１０を構成する専用コンピュータは、図１に示すようにメモリ１１及びプロセッサ１２を、少なくとも一つずつ有している。メモリ１１は、コンピュータにより読み取り可能なプログラム及びデータ等を非一時的に記憶する、例えば半導体メモリ、磁気媒体、及び光学媒体等のうち、少なくとも一種類の非遷移的実体的記憶媒体（non-transitory tangible storage medium）である。プロセッサ１２は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＲＩＳＣ（Reduced Instruction Set Computer）－ＣＰＵ、ＤＦＰ（Data Flow Processor）、及びＧＳＰ（Graph Streaming Processor）等のうち、少なくとも一種類をコアとして含む。

プロセッサ１２は、メモリ１１に記憶された制御プログラムに含まれる複数の命令を、実行する。これにより制御ユニット１０は、各ドット光源３１の発光による照射ビームＩＢに対しての検出エリアＡｄからの反射ビームＲＢを受光するように、光学センサ１の全体を制御してセンシングデータを出力するための機能ブロックを、複数構築する。こうして構築される複数の機能ブロックには、図２に示すようにメイン検出ブロック１００、サブ検出ブロック１２０、及びデータ生成ブロック１４０が含まれる。

これらのブロック１００，１２０，１４０の共同により、制御ユニット１０が光学センサ１全体を制御する制御方法は、図８に示す制御フローに従って実行される。本制御フローは、車両の起動中に繰り返し実行される。尚、本制御フローにおける各「Ｓ」は、制御プログラムに含まれた複数命令によってシーケンス実行される各ステップを、それぞれ意味している。

Ｓ１００においてメイン検出ブロック１００は、照射ビームＩＢを投光させるドット光源３１の数を、投光ユニット３０における全数Ｎａに制御する。このときメイン検出ブロック１００は、第一実施形態では投光ユニット３０において全てのドット光源３１を発光させることで、それら全ドット光源３１からの照射ビームＩＢの投光をオン制御することになる。

Ｓ１００に続くＳ１０１においてメイン検出ブロック１００は、検出エリアＡｄに対してＳ１００により制御した制御数である、全数Ｎａのドット光源３１からの投光により照射ビームＩＢを図４の如く照射させることで、図７の如く各受光画素４３での反射ビームＲＢの受光処理によりターゲットＴｒを検出する。このときＳ１０１では、反射点距離と反射強度とのうち少なくとも前者のセンシングにより、検出エリアＡｄの全域に亘ってターゲットＴｒの光学センサ１からの距離が検出、即ち測距される。

Ｓ１０１に続くＳ１０２においてサブ検出ブロック１２０は、検出エリアＡｄのうち近距離エリアＡｄｃのターゲットＴｒが直近のＳ１０１により検出されたか否かを、判定する。このとき近距離エリアＡｄｃは、受光光学系４０の被写界深度Ｄｗに関する近点ｄｃを図５に示すように判断境界に規定して、当該判断境界よりも近い判断距離範囲Ｄｊ内に、定義される。ここで、判断距離範囲Ｄｊを決める被写界深度Ｄｗの決定パラメータ（演算パラメータ）となる許容錯乱円径としては、例えば受光ユニット４２の受光基準方向Ｘｒ，Ｙｒの少なくとも一方における受光画素４３のサイズ等が、想定されるとよい。そこでＳ１０２では、検出エリアＡｄにおいて光学センサ１からの距離が判断距離範囲Ｄｊ内となる、近距離エリアＡｄｃでのターゲットＴｒの検出有無が判定される。

このようなＳ１０２では、ターゲットＴｒの検出距離に基づくことで、判断距離範囲Ｄｊ内に存在するターゲットＴｒの外形を図４，７（後述の図９，１０，１２も参照）の如く含んだエリアに、近距離エリアＡｄｃが想定される。これによりＳ１０２の判定は、近距離エリアＡｄｃのターゲットＴｒが少なくとも一つ検出されるのに応じて、肯定判定となる。

図８に示すようにＳ１０２において肯定判定が下された場合には、制御フローがＳ１０３へ移行する。Ｓ１０３においてサブ検出ブロック１２０は、検出エリアＡｄのうち遠距離エリアＡｄｆのターゲットＴｒが直近のＳ１０１により検出されたか否かを、判定する。このとき遠距離エリアＡｄｆは、図５に示すように被写界深度Ｄｗの近点ｄｃに規定の判断境界よりも遠い判断距離範囲Ｄｊ外、即ち被写界深度Ｄｗ内に定義される。

そこでＳ１０３では、検出エリアＡｄにおいて光学センサ１からの距離が判断距離範囲Ｄｊ外となる、遠距離エリアＡｄｆでのターゲットＴｒの検出有無が判定される。ここで、Ｓ１０２の肯定判定を受けて実行されるＳ１０３は、検出エリアＡｄにおいて遠距離エリアＡｄｆが近距離エリアＡｄｃと共に存在しているか否かを、判定するともいえる。尚、判断境界となる近点ｄｃは、Ｓ１０２において判断距離範囲Ｄｊ内と判定されるが、Ｓ１０３において判断距離範囲Ｄｊ外と判定されてもよい。

このようなＳ１０３では、ターゲットＴｒの検出距離に基づくことで、図４，７（後述の図９，１２も参照）の如く判断距離範囲Ｄｊ外に存在するターゲットＴｒの外形を含んだエリアに、遠距離エリアＡｄｆが想定される。それと共にＳ１０３では、光学センサ１からは判断距離範囲Ｄｊ外に存在するだけでなく、Ｓ１０２で想定された近距離エリアＡｄｃのいずれかとは設定距離範囲内に近接して存在するターゲットＴｒに限定して、遠距離エリアＡｄｆが想定される。これらによりＳ１０３の判定は、Ｓ１０２によりターゲットＴｒの検出された近距離エリアＡｄｃから設定距離範囲内に、遠距離エリアＡｄｆのターゲットＴｒが少なくとも一つ検出されるのに応じて、肯定判定となる。

図８に示すようにＳ１０３において肯定判定が下された場合には、制御フローがＳ１０４へ移行する。Ｓ１０４においてサブ検出ブロック１２０は、Ｓ１０１によりターゲットＴｒの検出された近距離エリアＡｄｃに向けて照射ビームＩＢを投光させるドット光源３１の数を、近距離エリアＡｄｃでの検出時の制御数である全数Ｎａよりも、間引き制御する。具体的にＳ１０４におけるサブ検出ブロック１２０は、図４に示すように近距離エリアＡｄｃに対応して照射ビームＩＢを照射するための複数のドット光源３１を、近距離対応光源３１ｃとして抽出する。

そこで図９に示すように、Ｓ１０４におけるサブ検出ブロック１２０は、抽出した近距離対応光源３１ｃのうち、制御基準となる少なくとも一つのドット光源３１を基準光源３１ｂに選定して、当該基準光源３１ｂの発光による投光をオン制御に維持する。このとき、二つ以上の基準光源３１ｂが選定される場合、図１０に詳細に示すように基準光源３１ｂ同士は、投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉには非隣接となる一方、それら投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉに対しての斜め方向には連続するように、選択される。

さらに図９に示すように、Ｓ１０４におけるサブ検出ブロック１２０は、抽出した近距離対応光源３１ｃのうち、基準光源３１ｂに隣接配列されたドット光源３１をオフ光源３１ｏに選定して、当該オフ光源３１ｏの発光による投光をオフ制御に切り替える。このとき、図１０に詳細に示すようにオフ光源３１ｏは、投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉの少なくとも一方において、基準光源３１ｂとの隣接箇所に選定される。

このようなＳ１０４において投光基準方向Ｘｉでは、基準光源３１ｂに対する両側箇所、又はそのうち片側箇所に、オフ光源３１ｏが選定されてもよい。またＳ１０４において投光基準方向Ｙｉでは、基準光源３１ｂに対する両側箇所、又はそのうち片側箇所に、オフ光源３１ｏが選定されてもよい。

そこで特にＳ１０４では、図９，１０と共に図１１にも拡大して示すように、少なくとも一つの基準光源３１ｂに対しては、各投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉのそれぞれ両側箇所にオフ光源３１ｏが選定されることで、それらオフ光源３１ｏの発光による投光が市松状にオフ制御される。それと共に、図９に示すようにＳ１０４では、近距離エリアＡｄｃのうち設定距離範囲内の遠距離エリアＡｄｆと境界をなす境界エリアＡｄｂに対して照射ビームＩＢを照射するための、少なくとも一つの近距離対応光源３１ｃからの投光は、以上説明の選定によるオフ光源３１ｏとしてオフ制御されることになる。

尚、Ｓ１０４におけるサブ検出ブロック１２０は、抽出した近距離対応光源３１ｃのうち、図９，１０の如く基準光源３１ｂ及びオフ光源３１ｏ以外については、発光による投光をオン制御に維持する。但し、Ｓ１０２の判定において、近距離エリアＡｄｃがターゲットＴｒの外形に沿って想定される場合には、抽出した近距離対応光源３１ｃのすべてが基準光源３１ｂ及びオフ光源３１ｏのうちのいずれかに振り分けられてもよい。

このようにＳ１０４では、基準光源３１ｂ及びオフ光源３１ｏを含む近距離対応光源３１ｃからの投光の間引き制御において、基準光源３１ｂに対してはオン制御且つオフ光源３１ｏに対してはオフ制御が遂行される。また一方でＳ１０４では、検出エリアＡｄのうち近距離エリアＡｄｃを除く且つ遠距離エリアＡｄｆを含むエリアへと反射ビームＲＢを投光させるドット光源３１は、近距離対応光源３１ｃに対しての間引き制御と並行してオン制御に維持される。これらの制御により、検出エリアＡｄのうち近距離エリアＡｄｃに対しては、検出エリアＡｄのうち近距離エリアＡｄｃを除くエリアに対してよりも、投光密度が低下することになる。

図８に示すように、Ｓ１０４に続くＳ１０５においてサブ検出ブロック１２０は、検出エリアＡｄに対してＳ１０４により制御した、全数Ｎａよりも少数のドット光源３１からの投光により、照射ビームＩＢを照射させて各受光画素４３での反射ビームＲＢの受光処理によりターゲットＴｒを再検出する。

このときＳ１０５では、近距離エリアＡｄｃ及び遠距離エリアＡｄｆの双方を含む、検出エリアＡｄ全域での再検出が遂行される。そこでＳ１０５においても、Ｓ１０１と同様な少なくとも反射点距離のセンシングにより、検出エリアＡｄにおけるターゲットＴｒの光学センサ１からの距離が再検出、即ち再測距される。こうしたＳ１０５では、図９，１２に対応させて示すように基準光源３１ｂからの投光による近距離エリアＡｄｃからの反射ビームＲＢは、少なくとも基準光源３１ｂと対応した受光画素４３により、受光される。

但し、基準光源３１ｂからの投光による反射ビームＲＢは、受光光学系４０の光学特性とターゲットＴｒの反射特性とに依拠して、基準光源３１ｂに隣接するオフ光源３１ｏと対応した受光画素４３によっても、図１２に示すように受光される場合が想定される。しかし、基準光源３１ｂからの投光による反射ビームＲＢが、オフ光源３１ｏからの投光による反射ビームＲＢと重畳してオフ光源３１ｏとの対応受光画素４３により受光されるクロストークは、オフ光源３１ｏからの投光のオフ制御により回避されることとなる。

図８に示すように、Ｓ１０５に続くＳ１０６においてデータ生成ブロック１４０は、Ｓ１０１による検出回路４４からの検出信号、及びＳ１０５による検出回路４４からの再検出信号に基づき、センシングデータとしての画像データを取得する。このとき特に近距離エリアＡｄｃに対しては、Ｓ１０５における検出回路４４からの再検出信号が優先又は重視される。そこで、Ｓ１０５における再検出信号に基づき、オフ制御により投光を間引かれたオフ光源３１ｏと対応する受光画素４３での受光情報を無効化して、オン制御により投光の維持された基準光源３１ｂ等と対応する受光画素４３での検出情報から、画像データを生成する。尚、Ｓ１０５においては、オフ制御により投光を間引かれたオフ光源３１ｏと対応する受光画素４３からの受光情報の読み出し自体が、検出回路４４の制御により無効化されてもよい。

さて、図８に示すようにＳ１０３において否定判定が下された場合には、制御フローがＳ１０７へ移行する。Ｓ１０７においてサブ検出ブロック１２０は、境界エリアＡｄｂに対してのオフ制御の想定が不要となる以外は、Ｓ１０４と同様な間引き制御を遂行する。

Ｓ１０７に続くＳ１０８においてサブ検出ブロック１２０は、検出エリアＡｄに対してＳ１０７により制御した、全数Ｎａよりも少数のドット光源３１からの投光により、照射ビームＩＢを照射させてターゲットＴｒを再検出する。

このときＳ１０８では、近距離エリアＡｄｃを含むが、同エリアＡｄｃから設定距離範囲内の遠距離エリアＡｄｆは含まない、検出エリアＡｄ全域での再検出が遂行される。こうしたＳ１０８では、Ｓ１０１と同様な少なくとも反射点距離のセンシングにより、検出エリアＡｄにおけるターゲットＴｒの光学センサ１からの距離が再検出、即ち再測距される。また、Ｓ１０８ではＳ１０５と同様な原理により、基準光源３１ｂからの投光による反射ビームＲＢが、オフ光源３１ｏからの投光による反射ビームＲＢと重畳してオフ光源３１ｏとの対応受光画素４３により受光されるクロストークは、回避される。

Ｓ１０８に続くＳ１０９においてデータ生成ブロック１４０は、Ｓ１０１による検出回路４４からの検出信号、及びＳ１０８による検出回路４４からの再検出信号に基づき、Ｓ１０６と同様にセンシングデータとしての画像データを取得する。

尚、図８に示すようにＳ１０２において否定判定が下された場合には、制御フローがＳ１１０へ移行することで、Ｓ１０１による検出回路４４からの検出信号のみに基づきデータ生成ブロック１４０が、センシングデータとしての画像データを取得する。以上、Ｓ１０６，Ｓ１０９，Ｓ１１０のいずれの完了後にも、制御フローの今回実行が終了することとなる。

（作用効果）
以上説明した第一実施形態の作用効果を、以下に説明する。

第一実施形態では、個別に照射ビームＩＢを投光するために複数配列された各ドット光源３１と対応づけて、複数配列された受光画素４３が受光光学系４０を通して反射ビームＲＢを個別に受光することで、ターゲットＴｒが検出される。そこで第一実施形態によると、検出エリアＡｄのうち、受光光学系４０の被写界深度Ｄｗに関する近点ｄｃが判断境界となる判断距離範囲Ｄｊ内において受光ユニット４２がターゲットＴｒを検出した近距離エリアＡｄｃに向けては、照射ビームＩＢを投光させるドット光源３１の数が間引き制御される。これによれば、近距離エリアＡｄｃへの投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３では、当該投光の維持されるドット光源３１由来の反射ビームＲＢを受光することによるクロストークの懸念があっても、当該懸念画素４３を特定して再検出を遂行することができる。故に、特に近距離エリアＡｄｃのターゲットＴｒに対する検出精度を、高めることが可能となる。

第一実施形態によると、個別に照射ビームＩＢを投光するために二次元配列された各ドット光源３１と対応づけられる二次元配列の受光画素４３により、それぞれ対応したドット光源３１からの照射ビームＩＢに対する反射ビームＲＢが、受光される。そこで、近距離エリアＡｄｃに向けて投光させるドット光源３１の数を間引き制御する第一実施形態によれば、投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３にクロストークの懸念があっても、当該懸念画素４３を特定して再検出を遂行することができる。故に再検出では、近距離エリアＡｄｃのターゲットＴｒから反射ビームＲＢを正規に受光する受光画素４３と、当該ビームＲＢのクロストークが懸念される受光画素４３とを、二次元配列の中から特定して検出精度を高めることが可能となる。

第一実施形態によると、近距離エリアＡｄｃに対応して照射ビームＩＢを照射するためのドット光源３１のうち、制御基準となるドット光源３１を基準光源３１ｂとして、投光をオン制御する基準光源３１ｂに隣接配列されたドット光源３１からの投光が、間引き制御においてオフ制御される。これによれば、基準光源３１ｂの隣接箇所でのオフ制御によって投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３は、オン制御によって投光の維持された基準光源３１ｂ由来の反射ビームＲＢを受光し易くなるものの、当該対応の関係から特定され得る。故に再検出では二次元配列の中から、投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３での受光情報を無効化して、検出精度を高めることが可能となる。

第一実施形態によると、近距離エリアＡｄｃに対応して照射ビームＩＢを照射するためのドット光源３１のうち、投光をオン制御する基準光源３１ｂに隣接配列されたドット光源３１からの投光が、間引き制御において市松状にオフ制御される。これによれば、基準光源３１ｂの市松状隣接箇所でのオフ制御によって投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３は、基準光源３１ｂ由来の反射ビームＲＢを受光し易くなるものの、当該市松状隣接箇所の対応箇所に正確に特定することができる。故に再検出では二次元配列の中から、投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３での受光情報を的確に無効化して、高い検出精度を担保することが可能となる。

第一実施形態では、判断距離範囲Ｄｊ外において受光ユニット４２がターゲットＴｒを検出した遠距離エリアＡｄｆが、検出エリアＡｄにおいて近距離エリアＡｄｃと共に存在する場合が、想定される。この場合に第一実施形態によると、近距離エリアＡｄｃのうち遠距離エリアＡｄｆとの境界エリアＡｄｂに対して照射ビームＩＢを照射するためのドット光源３１からの投光が、間引き制御においてオフ制御される。これによれば、近距離エリアＡｄｃ及び遠距離エリアＡｄｆでの再検出に伴って近距離エリアＡｄｃからの反射ビームＲＢが、遠距離エリアＡｄｆからの反射ビームＲＢを正規に受光する受光画素４３により重畳して受光されるクロストークを、抑制することができる。故に、近距離エリアＡｄｃのターゲットＴｒだけでなく、遠距離エリアＡｄｆのターゲットＴｒに対しても、高い検出精度を確保することが可能となる。

（第二実施形態）
第二実施形態は、第一実施形態の変形例である。

図１３，１４に示すように第二実施形態の投光ユニット２０３０には、シャッタユニット２０３４が追加されている。シャッタユニット２０３４は、図１４に示すように複数の電子シャッタ２０３５を基板上に形成している。シャッタユニット２０３４は、投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉに沿って設定数ずつ、アレイ状に二次元配列されている。

各電子シャッタ２０３５は、相異なるドット光源３１と１：１で対応づけられている。これにより各電子シャッタ２０３５は、それぞれ個別に対応したドット光源３１の発光による照射ビームＩＢの投光を、オンオフ制御可能となっている。こうしたシャッタユニット２０３４は、各電子シャッタ２０３５を液晶画素により形成する、液晶シャッタ主体に構成されている。

このような第二実施形態の制御フローにおけるＳ１００，Ｓ１０１，Ｓ１０４，Ｓ１０５，Ｓ１０７，Ｓ１０８では、光源３１，３１ｂ，３１ｃからの投光のオン制御が、それぞれ対応する電子シャッタ２０３５のオン作動により実現される。また一方、第二実施形態の制御フローにおけるＳ１０４，Ｓ１０５，Ｓ１０７，Ｓ１０９では、オフ光源３１ｏからの投光のオフ制御が、それぞれ対応する電子シャッタ２０３５のオフ作動により実現される。

以上説明した第二実施形態は、第一実施形態と同様な作用効果を奏することが可能である。

（第三実施形態）
第三実施形態は、第一実施形態の変形例である。

図１５に示すように第三実施形態の投光ユニット３０３０では、一方の投光基準方向Ｙｉに沿った設定数のアレイ状に、各ドット光源３１が一次元配列されている。それに応じて、図１６に示すように第三実施形態の受光ユニット３０４２では、ドット光源３１の一次元配列方向である投光基準方向Ｙｉと一致又は対応する、一方の受光基準方向Ｙｒに沿った設定数のアレイ状に、各受光画素４３が一次元配列されている。

図１７に示すように第三実施形態では、こうした投光ユニット３０３０及び受光ユニット３０４２をそれぞれ備える照射モジュール３００３及び検出モジュール３００４により、走査ユニット３００６が共有化されている。走査ユニット３００６は、一次元配列の各ドット光源３１から投光されて照射光学系３２によって投光基準方向Ｙｉに分散された照射ビームＩＢの照射方位を、反射ミラー３０６０の回転角度に応じた投光基準方向Ｘｉの調整点に向けて可変調整する。これにより照射ビームＩＢは、検出エリアＡｄを空間的且つ時間的に順次走査可能となる。

走査ユニット３００６は、図１８，２０に示すように各ドット光源３１から反射ミラー３０６０の回転角度に応じて照射方位の変化した照射ビームＩＢに対する反射ビームＲＢを、図１９，２１に示すように受光光学系４０側に反射して各ドット光源３１と個別に対応づけの受光画素４３により受光させる。これにより、反射ミラー３０６０の回転角度に応じた複数の走査ライン別に各受光画素４３での受光処理によって生成される検出信号に基づき、全走査ライン分を合成したセンシングデータが制御ユニット１０では取得される。尚、第三実施形態における図１８，１９の組は第一実施形態における図４，７の組に相当し、第三実施形態における図２０，２１の組は第一実施形態における図９，１２の組に相当している。

このような第三実施形態の制御フローでは、Ｓ１０３～Ｓ１０６がスキップされる。また、第三実施形態の制御フローにおいてＳ１００，Ｓ１０１の組、及びＳ１０７，Ｓ１０８の組は、反射ミラー３０６０の回転角度に応じた走査ライン別に繰り返される。さらに、第三実施形態の制御フローにおけるＳ１０７，Ｓ１０８の組では、ドット光源３１の配列された投光基準方向Ｙｉにおける基準光源３１ｂの両側箇所のうち、少なくとも片側箇所にオフ光源３１ｏが制御される。

以上説明した第三実施形態によると、個別に照射ビームＩＢを投光するために一次元配列された各ドット光源３１と対応づけられる一次元配列の受光画素４３により、それぞれ対応したドット光源３１からの照射ビームＩＢに対する反射ビームＲＢが、受光される。そこで、近距離エリアＡｄｃに向けて投光させるドット光源３１の数を間引き制御する第三実施形態によれば、投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３にクロストークの懸念があっても、当該懸念画素４３を特定して再検出を遂行することができる。故に再検出では、近距離エリアＡｄｃのターゲットＴｒから反射ビームＲＢを正規に受光する受光画素４３と、当該ビームＲＢのクロストークが懸念される受光画素４３とを、一次元配列の中から特定して検出精度を高めることが可能となる。

第三実施形態によると、近距離エリアＡｄｃに対応して照射ビームＩＢを照射するためのドット光源３１として、投光をオン制御する基準光源３１ｂの両側のうち少なくとも片側に隣接配列されたドット光源３１からの投光が、間引き制御においてオフ制御される。これによれば、基準光源３１ｂの隣接箇所でのオフ制御によって投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３は、オン制御によって投光の維持された基準光源３１ｂ由来の反射ビームＲＢを受光し易くなるものの、当該対応の関係から特定され得る。故に再検出では一次元配列の中から、投光を間引かれたドット光源３１と対応する受光画素４３での受光情報を無効化して、検出精度を高めることが可能となる。

（他の実施形態）
以上、複数の実施形態について説明したが、本開示は、それらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において種々の実施形態及び組み合わせに適用することができる。

変形例では、第一及び第二実施形態において制御フローのＳ１０３～Ｓ１０６がスキップされてもよい。変形例では、第三実施形態に第二実施形態の投光ユニット２０３０が適用されてもよい。

変形例では、第三実施形態における各ドット光源３１及び各受光画素４３の一次元配列方向が、それぞれ投光基準方向Ｘｉ及び受光基準方向Ｘｒに規定されてもよい。この場合に特に、照射光学系３２によって投光基準方向Ｙｉに分散された照射ビームＩＢの照射方位が、反射ミラー３０６０の回転角度に応じた投光基準方向Ｙｉの調整点に向けて可変調整される。

変形例では、第三実施形態の走査ユニット３００６が照射モジュール３００３に限定して設けられることで、第一実施形態の受光ユニット４２が適用されてもよい。この場合、二次元配列された受光画素４３のうち、一次元配列された各ドット光源３１に対応する画素が、反射ミラー３０６０の回転角度に応じて切り替わることとなる。

変形例では、投光基準方向Ｘｉ，Ｙｉの少なくとも一方における配列順別にドット光源３１を相異なる基板に振り分けた、配列アレイ（即ち、配列パターン）の組が、検出エリアＡｄを複数に分割した分割エリア毎に、複数組ずつ設けられてもよい。

変形例において制御ユニット１０を構成する専用コンピュータは、デジタル回路及びアナログ回路のうち、少なくとも一方をプロセッサとして有していてもよい。ここでデジタル回路とは、例えばＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＳＯＣ（System on a Chip）、ＰＧＡ（Programmable Gate Array）、及びＣＰＬＤ（Complex Programmable Logic Device）等のうち、少なくとも一種類である。またこうしたデジタル回路は、プログラムを記憶したメモリを、有していてもよい。

変形例において光学センサ１の適用される車両は、例えば自律走行又はリモート走行により荷物搬送若しくは情報収集等の可能な自律走行車両であってもよい。ここまでの説明形態の他に、上述の実施形態及び変形例による制御ユニット１０は、半導体装置（例えば半導体チップ等）の形態で実施されてもよい。

（付言）
本明細書には、以下に列挙する複数の技術的思想と、それらの複数の組み合わせが開示されている。

（技術的思想１）
検出エリア（Ａｄ）へ照射した照射ビーム（ＩＢ）に対するターゲット（Ｔｒ）からの反射ビーム（ＲＢ）を受光することにより、前記ターゲットを検出する光学センサであって、
複数配列されたドット光源（３１）から、個別に前記照射ビームを投光する発光ユニット（３０，２０３０，３０３０）と、
各前記ドット光源と対応づけて複数配列された受光画素（４３）が受光光学系（４０）を通して前記反射ビームを個別に受光することにより、前記ターゲットを検出する受光ユニット（４２，３０４２）と、
前記検出エリアのうち、前記受光光学系の被写界深度（Ｄｗ）に関する近点（ｄｃ）が判断境界となる判断距離範囲（Ｄｊ）内において前記受光ユニットが前記ターゲットを検出した近距離エリア（Ａｄｃ）に向けて、前記照射ビームを投光させる前記ドット光源の数を、前記近距離エリアでの検出時よりも間引き制御して、前記近距離エリアでの再検出を前記受光ユニットに遂行させる制御ユニット（１０）とを、備える光学センサ。

（技術的思想２）
前記発光ユニットは、
二次元配列された前記ドット光源から、個別に前記照射ビームを投光し、
前記受光ユニットは、
各前記ドット光源と対応づけて二次元配列された前記受光画素により、それぞれ対応した前記ドット光源からの前記照射ビームに対する前記反射ビームを受光する技術的思想１に記載の光学センサ。

（技術的思想３）
前記制御ユニットは、
前記近距離エリアに対応して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源のうち、制御基準となる前記ドット光源を基準光源（３１ｂ）として、投光をオン制御する前記基準光源に隣接配列された前記ドット光源からの投光を、前記間引き制御においてオフ制御し、
前記オフ制御により投光を間引かれた前記ドット光源と対応する前記受光画素での受光情報を、前記再検出において無効化する技術的思想２に記載の光学センサ。

（技術的思想４）
前記制御ユニットは、
前記近距離エリアに対応して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源のうち、投光をオン制御する前記基準光源に隣接配列された前記ドット光源からの投光を、前記間引き制御において市松状にオフ制御する技術的思想３に記載の光学センサ。

（技術的思想５）
前記制御ユニットは、
前記判断距離範囲外において前記受光ユニットが前記ターゲットを検出した遠距離エリア（Ａｄｆ）が、前記検出エリアにおいて前記近距離エリアと共に存在する場合に、前記近距離エリアのうち前記遠距離エリアとの境界エリア（Ａｄｂ）に対して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源からの投光を前記間引き制御においてオフ制御して、前記近距離エリア及び前記遠距離エリアでの再検出を前記受光ユニットに遂行させる技術的思想２～４のいずれか一項に記載の光学センサ。

（技術的思想６）
前記制御ユニットは、
一次元配列された前記ドット光源から、個別に前記照射ビームを投光し、
前記受光ユニットは、
各前記ドット光源と対応づけて一次元配列された前記受光画素により、それぞれ対応した前記ドット光源からの前記照射ビームに対する前記反射ビームを受光する技術的思想１に記載の光学センサ。

（技術的思想７）
前記制御ユニットは、
前記近距離エリアに対応して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源のうち、制御基準となる前記ドット光源を基準光源（３１ｂ）として、投光をオン制御する前記基準光源の両側のうち少なくとも片側に隣接配列された前記ドット光源からの投光を、前記間引き制御においてオフ制御し、
前記オフ制御により投光を間引かれた前記ドット光源と対応する前記受光画素での受光情報を、前記再検出において無効化する技術的思想６に記載の光学センサ。

（技術的思想８）
プロセッサ（１２）を有し、技術的思想１～７のいずれか一項に記載の光学センサを制御する制御ユニットであって、
前記プロセッサは、
前記検出エリアに対して制御した数である制御数の前記ドット光源からの投光により前記照射ビームを照射させて、各前記受光画素での前記反射ビームの受光により前記ターゲットを検出させることと、
前記検出エリアのうち、前記判断距離範囲内において前記受光ユニットが前記ターゲットを検出した前記近距離エリアに向けて、前記照射ビームを投光させる前記ドット光源の数を、前記近距離エリアでの検出時の前記制御数よりも間引き制御して、前記近距離エリアでの再検出を前記受光ユニットに遂行させることとを、実行するように構成される制御ユニット。

１：光学センサ、１０：制御ユニット、１２：プロセッサ、３０，２０３０，３０３０：発光ユニット、３１：ドット光源、３１ｂ：基準光源、３１ｃ：近距離対応光源、３１ｏ：オフ光源、４０：受光光学系、４２，３０４２：受光ユニット、４３：受光画素、Ａｄ：検出エリア、Ａｄｂ：境界エリア、Ａｄｃ：近距離エリア、Ａｄｆ：遠距離エリア、Ｄｊ：判断距離範囲、Ｄｗ：被写界深度、ｄｃ：近点、ＩＢ：照射ビーム、ＲＢ：反射ビーム、Ｔｒ：ターゲット

Claims (8)

1. 検出エリア（Ａｄ）へ照射した照射ビーム（ＩＢ）に対するターゲット（Ｔｒ）からの反射ビーム（ＲＢ）を受光することにより、前記ターゲットを検出する光学センサであって、
   複数配列されたドット光源（３１）から、個別に前記照射ビームを投光する発光ユニット（３０，２０３０，３０３０）と、
   各前記ドット光源と対応づけて複数配列された受光画素（４３）が受光光学系（４０）を通して前記反射ビームを個別に受光することにより、前記ターゲットを検出する受光ユニット（４２，３０４２）と、
   前記検出エリアのうち、前記受光光学系の被写界深度（Ｄｗ）に関する近点（ｄｃ）が判断境界となる判断距離範囲（Ｄｊ）内において前記受光ユニットが前記ターゲットを検出した近距離エリア（Ａｄｃ）に向けて、前記照射ビームを投光させる前記ドット光源の数を、前記近距離エリアでの検出時よりも間引き制御して、前記近距離エリアでの再検出を前記受光ユニットに遂行させる制御ユニット（１０）とを、備える光学センサ。
2. 前記発光ユニットは、
   二次元配列された前記ドット光源から、個別に前記照射ビームを投光し、
   前記受光ユニットは、
   各前記ドット光源と対応づけて二次元配列された前記受光画素により、それぞれ対応した前記ドット光源からの前記照射ビームに対する前記反射ビームを受光する請求項１に記載の光学センサ。
3. 前記制御ユニットは、
   前記近距離エリアに対応して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源のうち、制御基準となる前記ドット光源を基準光源（３１ｂ）として、投光をオン制御する前記基準光源に隣接配列された前記ドット光源からの投光を、前記間引き制御においてオフ制御し、
   前記オフ制御により投光を間引かれた前記ドット光源と対応する前記受光画素での受光情報を、前記再検出において無効化する請求項２に記載の光学センサ。
4. 前記制御ユニットは、
   前記近距離エリアに対応して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源のうち、投光をオン制御する前記基準光源に隣接配列された前記ドット光源からの投光を、前記間引き制御において市松状にオフ制御する請求項３に記載の光学センサ。
5. 前記制御ユニットは、
   前記判断距離範囲外において前記受光ユニットが前記ターゲットを検出した遠距離エリア（Ａｄｆ）が、前記検出エリアにおいて前記近距離エリアと共に存在する場合に、前記近距離エリアのうち前記遠距離エリアとの境界エリア（Ａｄｂ）に対して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源からの投光を前記間引き制御においてオフ制御して、前記近距離エリア及び前記遠距離エリアでの再検出を前記受光ユニットに遂行させる請求項２に記載の光学センサ。
6. 前記制御ユニットは、
   一次元配列された前記ドット光源から、個別に前記照射ビームを投光し、
   前記受光ユニットは、
   各前記ドット光源と対応づけて一次元配列された前記受光画素により、それぞれ対応した前記ドット光源からの前記照射ビームに対する前記反射ビームを受光する請求項１に記載の光学センサ。
7. 前記制御ユニットは、
   前記近距離エリアに対応して前記照射ビームを照射するための前記ドット光源のうち、制御基準となる前記ドット光源を基準光源（３１ｂ）として、投光をオン制御する前記基準光源の両側のうち少なくとも片側に隣接配列された前記ドット光源からの投光を、前記間引き制御においてオフ制御し、
   前記オフ制御により投光を間引かれた前記ドット光源と対応する前記受光画素での受光情報を、前記再検出において無効化する請求項６に記載の光学センサ。
8. プロセッサ（１２）を有し、請求項１～７のいずれか一項に記載の光学センサを制御する制御ユニットであって、
   前記プロセッサは、
   前記検出エリアに対して制御した数である制御数の前記ドット光源からの投光により前記照射ビームを照射させて、各前記受光画素での前記反射ビームの受光により前記ターゲットを検出させることと、
   前記検出エリアのうち、前記判断距離範囲内において前記受光ユニットが前記ターゲットを検出した前記近距離エリアに向けて、前記照射ビームを投光させる前記ドット光源の数を、前記近距離エリアでの検出時の前記制御数よりも間引き制御して、前記近距離エリアでの再検出を前記受光ユニットに遂行させることとを、実行するように構成される制御ユニット。

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